ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ СО РАН Прецизионные нанотрубки, наногофрированные пленки и

ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ СО РАН
Прецизионные нанотрубки, наногофрированные пленки и
системы на их основе
Предназначены для:
• приборов наноэлектроники (одноэлектронных и полевых
транзисторов);
• новых материалов (сверхлегких, упругих, композиционных);
• строительных блоков в микро- и наномеханике (иглы, шприцы,
электроды для микробиологии, сверхбыстродействующие,
миниатюрные датчики, реакторы).
Особенности технологии:
• предложена и разработана в России,
• простая,
• стыкуется с технологией интегральных схем,
• опробована на полупроводниках, металлах и диэлектриках,
• позволяет формировать элементы нанометровых размеров,
• реализует новые принципы организации материала.
Технические характеристики:
- нанотрубки
- строго периодичные гофрировки
*диаметр 2нм
*с периодом L до 3нм
*длина до нескольких см
*амплитудой А равной 1/3 L
Метод изготовления нанотрубок
2нм < D < 100мкм
а - слои InAs и GaAs с разными постоянными решеток (а/a=7%) в
свободном состоянии
b - эпитаксиальные слои, выращенные на InP подложке
c - изгиб двухслойной пленки при ее освобождении от связи с
подложкой
d - самосворачивание двухслойной пленки в трубку при селективном
удалении жертвенного слоя AlAs, дополнительно выращенного
между пленкой и подложкой
Метод изготовления наногофрированных пленок
а - слой InAs в свободном состоянии;
b - эпитаксиальные слои, выращенные на InP подложке;
c - изгиб InAs пленки при ее освобождении от связи с подложкой
при селективном удалении жертвенного слоя AlAs;
d – пример организации изогнутых областей на подложке.
InGaAs/GaAs микро- и нанотрубки
Трубка с D = 3 нм (рис. с) сформирована из пленки,
содержащей 2 монослоя GaAs + 1 монослой InAs.
Длина трубки несколько мм.
Гофрированные пленки
Минимальный период
гофрировки 3 нм
Электронно-микроскопические фотографии
оболочек разнообразной формы
а - кольцо
b - изогнутые кантелеверы
c - массив атомно острых игл
d - зеркало (спираль Архимеда)
е - трубка с модулированной толщиной стенки
f - лево- и правовинтовая спирали
Контакт:
Виктор Яковлевич Принц
E-mail: prinz@isp.nsc.ru