СПИСОК ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ БЕЙСЕНХАНОВА Н.Б., д-ра физ.-мат. наук (ИПТМ РАН 2011),

СПИСОК ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ БЕЙСЕНХАНОВА Н.Б.,
д-ра физ.-мат. наук (ИПТМ РАН 2011),
члена американского химического общества,
ведущего научного сотрудника Лаборатории нанотехнологий
АО «Казахстанско-Британский Технический университет»
В международных зарубежных изданиях:
1. И.К.Бейсембетов, К.Х.Нусупов, Н.Б.Бейсенханов, С.К.Жариков, Б.К.Кенжалиев,
Т.К.Ахметов, Р.Ивлев. Структура наноразмерных пленок углерода и карбида кремния на
кремнии,
полученных
магнетронным
и
ионно-лучевым
распылением
мишени.
//
Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. - Издательство "Радиотехника" (Москва). - 2012.
- Т. 3, № 4. - С. 030-035.
2. Kair Kh. Nussupov and Nurzhan B. Beisenkhanov. Ion Synthesis of SiC and Its Instability at
High Temperatures. // In book: Physics and Technology of Silicon Carbide Devices. Dr. Yasuto
Hijikata (Ed.). 2013. Chapter 3. InTech. PP.47-96. ISBN: 978-953-51-0917-4. DOI: 10.5772/51389.
Available
from:
http://www.intechopen.com/books/physics-and-technology-of-silicon-carbide-
devices/ion-synthesis-of-sic-and-its-instability-at-high-temperatures
3. Нуржан Бейсенханов. Структурные и физические свойства пленок SiC x и SnOx. Синтез
и исследование различными методами. // Palmarium Academic Publishing. ISBN: 978-3-84739067-1. Saarbrücken, Germany. 2012. 308 p.
4. Daniya M. Mukhamedshina and Nurzhan B. Beisenkhanov. Influence of Crystallization on
the Properties of SnO2 Thin Films. // In book: Advances in Crystallization Processes. Yitzhak
Mastai (Ed.). 2012. Chapter 9. InTech. PP. 219-258. ISBN: 978-953-51-0581-7. Available from:
http://www.intechopen.com/books/advances-in-crystallization-processes/influence-ofcrystallization-on-the-properties-of-sno2-thin-films
5. Мухамедшина Д.М., Бейсенханов Н.Б., Мить К.А., Дмитриева Е.А. Медетов Н.
Применение термических и плазменных обработок для модификации свойств тонких пленок
SnO2 // Перспективные материалы. − 2012. − № 1. − С. 35 − 42. Импакт-фактор 2009 – 0.322.
6. Kair Kh. Nussupov and Nurzhan B. Beisenkhanov. The Formation of Silicon Carbide in the
SiCx Layers (x = 0.03–1.4) Formed by Multiple Implantation of C Ions in Si. // In book: Silicon
Carbide - Materials, Processing and Applications in Electronic Devices. Moumita Mukherjee (Ed.).
2011.
Chapter
4.
InTech.
PP.
69-114.
ISBN:
978-953-307-968-4.
Available
http://www.intechopen.com/books/silicon-carbide-materials-processing-and-applications-in-
from:
2
electronic-devices/the-formation-of-silicon-carbide-in-the-sicx-layers-x-0-03-1-4-formed-bymultiple-implantation-of-c-
7. Beisenkhanov N. B. Crystallization of β-SiC in thin SiCx layers (x = 0.03–1.4) synthesized
by multiple implantation of carbon ions into silicon // Technical Physics. – 2011. - Vol. 56, № 2. Р. 274–281. (Impact Factor 2011 - 0.5). Бейсенханов Н.Б. Кристаллизация β-SiC в тонких слоях
SiCx (x = 0,03−1,4), синтезированных многократной имплантацией ионов С в Si // Журнал
технической физики. − 2011. − Т.81, №2. − С. 118−125. (Импакт-фактор 2010 - 0.535).
8. Бейсембетов И.К., Бейсенханов Н.Б., Дощанов А.М., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К.,
Нусупов К.Х. Синтез β-SiC в слоях SiCx (x = 0,03−1,4) многократной имплантацией ионов С
в Si // Вестник ННГУ. – Нижний Новгород. − 2011. − № 2. − С. 38-45. (Импакт-фактор 0.08).
9. Бейсембетов И.К., Бейсенханов Н.Б., Дощанов А.М., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К.,
Нусупов К.Х. Синтез пленок со структурой типа алмаза (С, SiC) на кремнии осаждением
либо имплантацией ионов
12
C // Вестник ННГУ. − Нижний Новгород. − 2011. − №3(1). − С.
50-55. (Импакт-фактор 0.08).
10. Beisenkhanov N. B. Influence of treatment in the (O2, H2) plasma on the structure and
physical properties of SnOx films // Physics of the Solid State. – 2011. - Vol. 53, № 2, P. 390–397.
(Impact Factor 2011 - 0.711). Бейсенханов Н.Б. Влияние обработки в плазме (О2, Н2) на
структуру и физические свойства пленок SnOx // Физика твердого тела. − 2011. − Т.53 , вып.2.
− С. 364-370. (Импакт-фактор 2010 - 0.727).
11. Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.B., Mit’ K.A., Mukhamedshina D.M., Amreyeva Z.M.
and Omarova Z.B. An influence of plasma treatment on structure properties of thin SiC films on Si
// High Temper.Mat.Processes.− V.14, Iss.1.− 2010.− P.183−194. (Impact Factor 2008 - 0.116).
12. Nurzhan B. Beisenkhanov. An influence of hydrogen glow discharge plasma treatment on
structural properties of SnOx and SiC1.4 thin films. // Non-ferrous metals. 2011. Vol. 1. PP. 24-27.
Бейсенханов Н.Б. Влияние обработки в водородной плазме тлеющего разряда
на
структурные свойства тонких пленок SnOx и SiC1,4 //Цветные металлы. − 2010. − №4. −
С.66−69. (Импакт-фактор 2009 - 0.105)
13. Бейсенханов Н.Б. Кристаллизация слоев карбида кремния, полученных методом
ионной имплантации // Поверхность. Рент.синх.нейт.ис.− 2010.− №10.− С.73−78. (Импактфактор 2010 - 0,279).
14. Бейсенханов Н.Б. Структурный анализ слоев кремния имплантированных углеродом
// Вестник ННГУ. − 2010. − Нижний Новгород. − № 1. − С. 46−56. (Импакт-фактор 2009 0.08)
3
15. Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.B., Valitova I.V., Mit’ K.A., Mukhamedshina D.M.,
Dmitrieva E.A. Structure properties of carbon implanted silicon layers // J. of Materials Science:
Materials in Electronics. − 2008. − 19. − Р. 254−262. (Impact Factor 2008 - 1.1).
16. Mukhamedshina D.M., Mit’ K.A., Beisenkhanov N.B., Dmitriyeva E.A. and Valitova I.V.
Influence of plasma treatments on the microstructure and electrophysical properties of SnOx thin
films synthesized by magnetron sputtering and sol-gel technique // J. of Materials Science: Materials
in Electronics. − 2008. − 19. − Р. 382−387. (Impact Factor 2008 - 1.1).
17. Mukashev B.N., Aimagambetov A.B., Mukhamedshina D.M., Beisenkhanov N.B., Mit’
K.A., Valitova I.V., Dmitrieva E.A. Study of structural, optical and electrical poperties of ZnO and
SnO2 thin films // Superlattices and Microstructures.− 2007.− 42.− P.103−109. (Impact Factor 2008
- 0.604).
18. Mukhamedshina D.M., Beisenkhanov N.B., Mit K.A., Botvin V.A., Valitova I.V. and
Dmitrieva E.A.. Influence of plasma treatments on the properties in SnOx thin films // High
Temperature Mat. Processes. − 2006. − V.10, Iss.4. − P.603−616. (Impact Factor 2008 - 0.116).
19. Mukhamedshina D.M., Beisenkhanov N.B., Mit’ K.A., Valitova I.V. and Botvin V.A.
Investigation of properties of thin oxide films SnOx annealed in various atmospheres // Thin Solid
Films. − 2006. − 495, 1−2. − P. 316−320. (Impact Factor 2008 - 1.598).
20. Бейсенханов Н.Б. Исследования тонких слоев кремния с низкой концентрацией
имплантированного углерода (SiC0,03 и SiC0,12) //Известия высших учебных заведений.
Физика. − 2008. − Томск. госун-т. РФ. − 51, №11/3. − С.3−10. (Импакт-фактор 2009 - 0.407)
21. Mukhamedshina D.M., Beisenkhanov N.B., Mit’ K.A., Valitova I.V. and Botvin V.A.
Influence of hydrogen plasma treatment on the structure and optical properties of tin oxides thin
film produced by magnetron sputtering //High Temperature Material Processes. − V. 9, Iss. 2 −
2005. − Р. 323−333. (Impact Factor 2008 - 0.116)
22. Mukashev B.N., Tokmoldin S.Zh., Beisenkhanov N.B., Kikkarin S.M., Valitova I.V.,
Glazman V.B., Aimagambetov A.B., Dmitrieva E.A., Veremenithev B.M. Influence of structure
changes of oxide films on their physical properties //Materials Science and Engineering. − B 118,
Iss. 1−3. − 2005. − P. 164−169. (Impact Factor 2008 - 1.070)
23. Karapatnitski I.A., Mit’ K.A., Mukhamedshina D.M. and Beisenkhanov N.B. Optical,
structural and electrical properties of tin oxide films prepared by magnetron sputtering // Surface &
Coatings Technology. − 151−152. − 2002. − P.76−81. (Impact Factor 2008 - 1.9)
24. Nussupov K.Kh., Bejsenkhanov N.B. and J.Tokbakov. Investigation of Structure and
Phase Transformations in Silicon Implanted by C at Room Temperature // Nucl. Instrum. and
Meth. in Phys. Res. − B103. − 1995. − P. 161−174. (Impact Factor 2008 - 1.041)
4
25. Tokmoldin S. Zh., Mukashev B.N., Beisenkhanov N.B., Aimagambetov A.B. and
Ovcharenko I.V. Structural and optical properties of thin metal-oxide films (ZnO and SnOx)
deposited on glass and silicon substrates // Materials Research Society (USA) symposium
proceedings. − V. 864. − 2005. − P. 39−44. (Impact Factor -)
26. Nussupov K.Kh., Sigle V.O. and Bejsenkhanov N.B. Investigation of the formation of Si
and SiC crystalline phases in room temperature C implanted Si //Nucl. Instrum. and Meth. in
Phys.Res. − B82. − 1993. − P.69−79. (Impact Factor 2008 - 1.041)
27. Бейсенханов Н.Б., Мукашев Б.Н., Нусупов К.Х., Токмолдин С.Ж., Валитова И.В.,
Глазман В.Б., Аймагамбетов А.Б., Дмитриева Е.А. Исследование структурных превращений в
тонких пленках SnOx // Поверхность. − №10. − 2005. − С.93−100. (Импакт-фактор 2009 0,204).
28. Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.В., Valitova I.V., Dmitrieva E.A., Zhumagaliuly D.,
Shilenko Е.А.. Structural studies of thin silicon layers repeatedly implanted by carbon ions //Physics
of the Solid State. - 2006. - Vol.48, №7. - Р.1255-1267. Impact Factor 2008 - 0.7. (Нусупов К.Х.,
Бейсенханов Н.Б.,
Валитова И.В.,
Дмитриева Е.А.,
Жумагалиулы Д.,
Шиленко Е.А.
Структурные исследования тонких слоев кремния, многократно имплантированных ионами
углерода //Физика твердого тела. − 2006. − Т. 48, вып.7. − С. 1187−1200. (Импакт-фактор
2006 - 0.690).
29. Нусупов К.Х., В.О.Сигле, Бейсенханов Н.Б., Токбаков Дж. Неразрушающий метод
измерения концентрации электрически
активных центров в области p-n перехода.-
Электронная техника, 1990, серия 7, ТОПО, вып.5 (162), с.67-70.
В материалах зарубежных конференций:
30. И.К.Бейсембетов, Н.Б.Бейсенханов, С.К.Жариков, Б.К.Кенжалиев, К.Х.Нусупов,
Т.К.Ахметов. Ионный синтез и свойства пленок карбида кремния и углерода. // Тезисы
докладов IV Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов
«Физические и физико–химические основы ионной имплантации». 23-26 октября 2012 г.
Новосибирск. С. 117.
31. Дмитриева Е.А., Мухамедшина Д.М., Бейсенханов Н.Б., Мить К.А. Влияние NH4F
на структуру и физические свойства тонких пленок SnO2, синтезированных золь-гель
методом // Материалы 2-й конференции стран СНГ «Золь-гель синтез и исследование
неорганических соединений, гибридных функциональных материалов и дисперсных систем»
(«Золь-гель 2012»). – г.Севастополь. − 18-20 сентября 2012 г.
5
32. И.К.Бейсембетов, Н.Б.Бейсенханов, С.К.Жариков, Б.К.Кенжалиев, К.Х.Нусупов,
Т.К.Ахметов. Ионный синтез тонких пленок карбида кремния. // Тезисы докладов IV
Всероссийс. конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико–
химические основы ионной имплантации». 23-26 октября 2012 г. Новосибирск. С. 61.
33. Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Мить К.А., Глазман В.Б., Амреева З.М., Омарова
З.Б. Формирование тонких слоев SiCx методами ионно-лучевого распыления и ионной
имплантации // Труды VI Межд. конф. “Радиационно-термические эффекты и процессы в
неорганических материалах”. Томск: Изд. ТПУ. − 2008. − 1040 с.
34. Мухамедшина Д.М., Дмитриева Е.А., Мить К.А., Бейсенханов Н.Б.. Влияние
термической и плазменной обработок на свойства тонких пленок SnO2 синтезированных
золь-гель методом // Труды VI Межд. конф. “Радиационно-термические эффекты и процессы
в неорганических материалах”. Томск: Изд.ТПУ.− 2008.−1040с. – C. 698–706.
35. Е.В.Грицкова, К.А. Мить, Д.М. Мухамедшина, Н.Б. Бейсенханов. Влияние
плазменной обработки на свойства многослойных пленок оксида цинка, полученных зольгель методом. //Труды VI Междунар. научной конф. “Радиационно-термические эффекты и
процессы в неорганических материалах”. Томск: Изд. ТПУ, 2008 г. – 1040 с. – С.370–377.
36. Mukhamedshina D.M., Beisenkhanov N.B., Mit’ K.A., Ovcharenko I.V. and Dmitrieva
E.A. The Investigation of Structure of Thin SnOX Films in Isochronous High TemperatureAnnealing // Book of abstracts of International Conference «Quantum Complexities in Condensed
Matter», Bukhara, Uzbekistan, August 21-28, 2003. − C.54.
37. K.Kh. Nussupov, N.B. Beisenkhanov, K.A. Mit’, D.M. Mukhamedshina, Z.M.Amreyeva
and Z.B. Omarova. An influence of plasma treatment on structure properties of thin SiC films on Si.
// Book of abstracts of the 10th European Plasma Conference “High temperature plasma processes”
(HTPP-10), 2008. − Patras, Greece.
38. D.M. Mukhamedshina, K.A. Mit’, N.B.Beisenkhanov, E.A.Dmitrieva and. I.V. Valitova
Influence of plasma treatments on the microstructure and electrophysical properties of SnOx thin
films synthesized by magnetron sputtering and sol-gel technique // Book of abstracts of 12
th
Inter.
Conf. On the Defects-Recognition, Imaging& Physics in Semiconductors. − 2007. − Berlin
(Germany). − P.159.
39. K.Kh. Nussupov, N.B. Beisenkhanov, K.A. Mit’, E.A. Dmitrieva, D.M. Mukhamedshina
and I.V.Valitova. Structure properties of carbon implanted silicon layers // Book of abstracts 12
th
Inter. Conf. On the Defects-Recognition, Imaging& Physics in Semiconductors. September 9-13,
2007. − Berlin (Germany). − P.98.
6
40. B.N.Mukashev, A.B.Aimagambetov, N.B.Beisenkhanov, S.M.Kikkarin, V.B.Glazman,
B.M.Veremenithev, D.M.Mukhamedshina, K.A.Mit’. Study of structural, optical and electrical
properties of ZnO and SnO2 thin films // Book of abstracts of International symposium E-MRS.
Symposium K: ZnO and Related Materials. − Nice (France). − May 29 – June 2, 2006.
41. Mukhamedshina D.M., Beisenkhanov N.B., Mit’ K.A., Botvin V.A. and Dmitrieva E.A.
Influence of plasma treatments on the properties of SnOx thin film // Book of abstracts of
International symposium E-MRS. Symposium HTPP9 (High Technology Plasma Processes). SaintPetersburg, Russia, May 27- June 4, 2006. − Р.49.
42. Tokmoldin S. Zh., Mukashev B.N., Beisenkhanov N.B., Aimagambetov A.B. and
Ovcharenko I.V. Structural and optical properties of thin metal-oxide films (ZnO and SnOx)
deposited on glass and silicon substrates // Book of abstracts of MRS-2005, «Semiconductor Defect
Engineering-Materials, Synthetic Structures and Devices» San Francisco, CA, March 28-April 1,
2005.
43. Mukhamedshina D.M., Beisenkhanov N.B., Mit’ K.A., Ovcharenko I.V. and Dmitrieva
E.A. Influence of hydrogen plasma treatment on the structure and optical properties of tin oxides
thin film produced by magnetron sputtering // Book of abstracts of EMRS-2004 Meeting,
Strasbourg, 2004. − Р.13.
44. Mukashev B.N., Tokmoldin S.Zh., Beisenkhanov N.B., Ovcharenko I.V., Glazman V.B.,
Aimagambetov A.B., Dmitrieva E.A. Influence of structure changes of oxide films on their physical
properties // Book of abstracts of EMRS-2004 Meeting, Strasbourg, 2004. − Р.39.
45. Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.B. and Tokbakov D.J. The Crystallization Process in a
Carbon Implanted Si // Book of abstracts of ICSCRM 2001, Tsukuba (Japan), Oct.28-Nov.2, 2001.
46. Karapatnitski I.A., Mit’ K.A., Mukhamedshina D.M. and Beisenkhanov N.B. Optical,
structural and electrical properties of tin oxide films prepared by magnetron sputtering. // Book of
abstracts of EMRS-2001 Meeting, Strasburg, 2001. − C/P2. − 39.
47. Nussupov K.Kh., Bejsenkhanov N.B., Tokbakov J, Gaigorodova T.V. and Jarikov S.K.
The investigation of silicon implanted by high doses of carbon //Proc.of the 5th World Seminar on
Heat Treatment and Surface Engineering.− 1995. − Isfahan, Iran. − Р.466−472.
48. Нусупов К.Х., Сигле В.О., Бейсенханов Н.Б. Структурные превращения в кремнии,
имплантированном углеродом // Сборник тезисов Всесоюзной
конф.
"Модификация
твердых тел ионными пучками", г.Новосибирск, 1991. − С.37.
49. Нусупов
К.Х.,
Сигле
В.О.,
Бейсенханов
Н.Б.
Исследование
процессов
кристаллизации имплантированного углеродом кремния // Сборник тезисов Всесоюзной
конф. "Модификация твердых тел ионными
пучками", г.Новосибирск, 1991. − С.116.
7
50. K.Kh.Nussupov,
V.O.Sigle,
M.A.Achmetov
and
N.B.Bejsenkhanov.
Structural
transformations in carbon implanted silicon // Materials of "6-th International Conference on Ion
Beam Modification of Materials", Tokyo, Japan, 1988. − Р.38.
51. Нусупов К.Х., Сигле В.О., Ахметов М.А., Бейсенханов Н.Б. Неразрушающий метод
измерения концентрации электрически активных центров в области p-n перехода // Сборник
тезисов IV отраслевой н-техн.конф. "Пром.технология
и
оборудование
ионной
имплантации", г.Нальчик, 1988. − С.181.
52. Нусупов К.Х., Сигле В.О.,
рентгеновского
метода
анализа
Ахметов М.А.,
Бейсенханов Н.Б. Применение
для исследования ионно-имплантированных слоев. //
Сборник тезисов IV отраслевой н-техн.конф. "Пром.технология и оборудование ионной
имплантации", г.Нальчик, 1988. − С.182.
53. Нусупов К.Х., Сигле В.О., Ахметов М.,А. Бейсенханов Н.Б. Структурные изменения
в Si с большими
концентрациями
ионно-внедренного углерода // Сборник тезисов
Всесоюзн.конф. "Ионно-лучевая модификация материалов." Черноголовка, 1987. − С.34.
В казахстанских изданиях:
54. Бейсембетов И.К., Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К.,
Сагындыков А.Б., Ахметов Т.К. ИК-спектроскопия слоев кремния, имплантированных
ионами углерода. // Вестник КБТУ. − Алматы. − 2011. − № 2 . − С. 24-28.
55. Бейсенханов Н.Б. Структурные и физические свойства пленок SiCx и SnOx,
синтезированных различными методами: Автореф. дис. д-ра физ.-мат. наук. Алматы,
Физико-технический институт МОН РК, 2011. 32 с.
56. Мухамедшина Д.М., Мить К.А., Дмитриева Е.А., Бейсенханов Н.Б. Влияние
обработки в плазме (H2, O2) на свойства пленок SnOx, полученных методом магнетронного
распыления // Изв. МОН РК−НАН РК, сер.физ.-мат.− 2009.− № 1.− С.26−29.
57. Бейсенханов
Н.Б.
Структурный
анализ
слоев
кремния
с
концентрацией
имплантированного углерода SiC0,7 // Известия МОН РК. − НАН РК, серия физ.-мат. − 2009.
− №1. − С. 35−39.
58. Бейсенханов
Н.Б.
Кристаллизация
карбида
кремния
в
слоях
кремния
имплантированных высокими дозами углерода // Вестник Карагандинского университета,
серия физика. − 2009. − №1(53). − С. 9−13.
59. Бейсенханов Н.Б. Исследование структуры тонких слоев кремния с концентрацией
имплантированного углерода NC/NSi = 0,03 //ҚазҰТУ хабаршысы − Вестник КазНТУ. − 2009,
№ 6. − С. 145−149.
8
60. Beisenkhanov N.B. The structure investigation of thin silicon layers with low
concentration of implanted carbon /Euras.Phys.Tech.Journal.− 2008. − V.5, 2(10). − Р.51−58.
61. Мухамедшина Д.М., Мить К.А., Дмитриева Е.А., Бейсенханов Н.Б. Оптические,
структурные, электрические и газочувствительные свойства пленок SnOx, синтезированных
магнетронным распылением и золь-гель методом // Вестник КазНУ, серия физ. − №3(27). −
2008. − С. 138−145.
62. Бейсенханов Н.Б. Структура тонких слоев SiC0,12, полученных методом ионной
имплантации // Вестник КазНУ, серия физ. − №3(27). − 2008. − С. 99−105.
63. Бейсенханов Н.Б. Исследование пленок -SiC на Si, синтезированных методом
ионной имплантации // Вестник Караган.ун-та, сер.физ.− 2008.− 3(51).− С.30−34.
64. Мухамедшина Д.М., Бейсенханов Н.Б., Мить K.A., Валитова И.В., Дмитриева Е.А.,
Ботвин В.А. Влияние термической обработки в различных атмосферах на оптические и
структурные свойства тонких пленок оксида олова // Доклады НАН РК. − 2007. − №6. − C.
21−26.
65. Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Валитова И.В., Дмитриева Е.А., Шиленко Е.А.
Структура слоев карбида кремния, полученных многократной ионной имплантацией //
Вестник Нац. Акад. наук РК. − 2005. − №1. − С.140−149.
66. Мукашев Б.Н., Токмолдин С.Ж., Бейсенханов Н.Б., Овчаренко И.В., Глазман В.Б.,
Дмитриева Е.А. Структура тонких пленок SnOx, полученных методом ионно-лучевого
осаждения // Вестник Нац. Академии наук РК. − №6. − 2004. − С. 156−160.
67. Мухамедшина Д.М., Бейсенханов Н.Б., Мить К.А., Овчаренко И.В., Ботвин В.А.
Влияние термической и плазменной обработок на свойства тонких пленок оксида олова //
Вестник КазНУ. − №3(18). − 2004. − С.63−71.
68. Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Жариков С.К. Кристаллизация имплантированного
углеродом (100)Si // Известия МОН РК − НАН РК, серия физ.-мат. − №6. − 2003. − C. 80−86.
69. Нусупов
К.Х.,
Бейсенханов
Н.Б.,
Жариков
С.К.
Кластерная
модель
имплантированного углеродом (100)Si // Известия МОН РК − НАН РК, серия физ.-мат. − №6.
− 2003. − C. 73−79.
70. Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Жариков С.К. ИК-исследование (100)Si,
имплантированного ионами углерода с энергией 40 кэВ // Известия МОН РК − НАН РК,
серия физ.-мат. − №2. − 2003. − C. 13−18.
71. Нусупов
К.Х.,
Бейсенханов
Н.Б.,
Жариков
С.К.
ИК-спектроскопия
имплантированного углеродом (100)Si // Известия МОН РК − НАН РК, серия физ.-мат. − №6.
− 2002. − C. 68−72.
9
72. Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Жариков С.К. LO-фононы и их применение к
анализу имплантированных углеродом слоев кремния // Известия МОН РК − НАН РК, серия
физ.-мат. − №2. − 2002. − С. 88−93.
73. Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б. Исследование типа проводимости кристаллитов
кремния и карбида кремния в имплантированных углеродом слоях Si // Известия МОН РК −
НАН РК, серия физ.-мат. − 1999. − 2. С. 20−24.
74. Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б. Выращивание углеродных пленок на поверхности
кремния осаждением масс-сепарированных низкоэнергетических ионов С // Известия МОН
РК − НАН РК, серия физ.-мат. − 1998. − 6. − С. 69−72.
75. Бейсенханов Н.Б. Исследование структурных свойств приповерхностного слоя
кремния имплантированного высокими дозами углерода. Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук.
Алматы, ИФВЭ НАН РК, 1994. 22 с.
76. Nussupov K.Kh., Bejsenkhanov N.B. and Tokbakov J.
Investigation of Structure and
Phase Transformations in Silicon Implanted by C at Room Temperature. - Almaty, Pr-t, HEPY. −
1994. − p. 1−38.
77. Нусупов К.Х., Сигле В.О., Бейсенханов Н.Б. Определение оптимальных условий при
исследовании тонких ионно-имплантированных слоев кремния методом
рентгеновской
дифракции.- Изв. АН РК., 1992, No2, с.17-21.
78. K.Kh.Nussupov, V.O.Sigle and N.B.Bejsenkhanov. Application of X-ray diffraction
method to investigation of ion-implanted silicon layers. Preprint of HEPI of Academy of Sciences
of RK. − Alma-Ata. − 1991. − p.1-21.
79. Нусупов К.Х., Сигле В.О., Бейсенханов Н.Б. и др. Отчет НИР: Развитие методов
ионной имплантации с целью получения SiC на Si при высокодозовой имплантации углерода
в кремний. Алма-Ата. − 1986. − 79 с.
В материалах международных и региональных конференций, проведенных в
Казахстане:
80. И.К.Бейсембетов, К.Х.Нусупов, Н.Б.Бейсенханов, С.К.Жариков, Б.К.Кенжалиев,
К.А.Мить, Т.К.Ахметов, Б.Ж.Сеитов. Синтез тонких пленок SiC и С на подложках Si
магнетронным и ионно-лучевым распылением. // Материалы 5-й Международной научнопрактической конференции «Проблемы инновационного развития нефтегазовой индустрии».
г. Алматы. КБТУ. 21-22 февраля 2013 г.
81. И.К.Бейсембетов, Н.Б.Бейсенханов, С.К.Жариков,
Б.К.Кенжалиев, К.Х.Нусупов,
Т.К.Ахметов. ИК-исследование высокотемпературной нестабильности твердых пленок SiC,
10
синтезированных ионной имплантацией // Материалы 4-й Международной научнопрактической конференции «Проблемы инновационного развития нефтегазовой индустрии».
Алматы. КБТУ. 23-24 февраля 2012 г.
82. К.Х. Нусупов, Н.Б. Бейсенханов, З.М. Амреева, Д.М. Мухамедшина, К.А. Мить, С.К.
Жариков, А.М. Нехорошев, Ю.И. Федичкин. Влияние обработки плазмой на формирование
и процессы кристаллизации карбида кремния в слоях SiCх, полученных методами ионной
имплантации и ионно-лучевого распыления //Ядерная и радиационная физика: Материалы 7ой междунар. конф. – 2009. – Доклады. – Алматы: ИЯФ НЯЦ РК. – 2010. – С. 231-234.
83. К.Х. Нусупов, Н.Б. Бейсенханов, З.М. Амреева, Д.М. Мухамедшина, К.А. Мить, С.К.
Жариков, А.М. Нехорошев, Ю.И. Федичкин. Влияние обработки плазмой на формирование
и процессы кристаллизации карбида кремния в слоях SiCх, полученных методами ионной
имплантации и ионно-лучевого распыления. // Сборник тезисов 7-й Международной
конференции «Ядерная и радиационная физика», 8-11 сентября 2009 г. Алматы, Казахстан.
84. Дмитриева Е.А., Мухамедшина Д.М., Мить К.А., Бейсенханов Н.Б. Модификация
наноструктурированных пленок оксида олова плазменной обработкой //Ядерная и
радиационная физика: Материалы 6-ой междунар. конф. − 4−7 июня 2007. − Доклады в 3-х т.
− Алматы: ИЯФ НЯЦ РК. − 2008. − Т.2 − 557 с.
85. Е.В. Грицкова, К.А.Мить, Д.М. Мухамедшина, Н.Б. Бейсенханов. Структура и
электрофизические свойства многослойных пленок оксида цинка, полученных золь-гель
методом и модифицированных в низкотемпературной плазме //Материалы 10-й междунар.
науч. конф. “Физика твердого тела». – 2008. – Караганды, Казахстан. – Изд-во КарГУ. – 2008.
– С.13–14.
86. Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Мить К.А., Дмитриева Е.А., Валитова И.В.
Структурный анализ имплантированных углеродом слоев кремния //Ядер.и рад. физ.: Мат.6й межд.конф.− 2007. − Докл. 3 т.− Алматы: ИЯФ НЯЦ РК. − 2008. Т.2 − 557 с.
87. Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Мить К.А., Глазман В.Б., Амреева З.М., Омарова
З.Б. Синтез тонких слоев карбида кремния методами ионно-лучевого распыления и ионной
имплантации //Матер.10-й межд.конф. “Физика твердого тела». − 2008. − Караганды,
Казахстан. − Изд-во КарГУ. − 2008. − С.257−259.
88. Дмитриева Е.А., Мухамедшина Д.М., Мить К.А., Бейсенханов Н.Б. Изготовление и
физические свойства наноразмерных пленок оксида олова //Доклады II Межд. науч.практ.конф. ЖАС ҒАЛЫМ − 2007. − Тараз, 2007. − Т. 10. − С. 58−65.
89. К.Х.Нусупов,
Н.Б.Бейсенханов,
К.А.Мить,
Е.А.Дмитриева,
И.В.Валитова.
Структурный анализ имплантированных углеродом слоев кремния // Сборник тезисов 6-й
11
Международной конференции «Ядерная и радиационная физика», 4-7 июня 2007 г. −
Алматы, Казахстан.
90. Грицкова Е.В., Дмитриева Е.А., Мить К.А., Мухамедшина Д.М., Бейсенханов Н.Б.
Исследование структуры поверхности и свойств пленок оксидов олова и цинка,
синтезированных золь-гель методом // Ядерная и радиац.физика: Матер. 6-ой межд. конф.−
4−7 июня 2007.− Докл. в 3-х т.− Алматы: ИЯФ НЯЦ РК.− 2008.− Т.2.− 557 с.
91. Е.А. Дмитриева, Д.М. Мухамедшина, К.А. Мить, Н.Б. Бейсенханов. Модификация
наноструктурированных пленок оксида олова плазменной обработкой. Сборник тезисов 6-ой
Международной конференции «Ядерная и радиационная физика» 4-7 июня 2007 г., Алматы,
Республика Казахстан. С.330.
92. Е.А. Дмитриева, Д.М. Мухамедшина, К.А. Мить, Н.Б. Бейсенханов. Изготовление и
физические свойства наноразмерных пленок оксида олова //Труды II Международной
научно-практической конференции молодых ученых, посвященной 40-летию образования
Таразского Государственного педагогического института. – 2007. – 10. – С.58–65.
93. Е.В Грицкова, Е.А. Дмитриева, К.А. Мить, Д.М. Мухамедшина, Н.Б. Бейсенханов.
Исследование структуры поверхности и свойств пленок оксидов олова и цинка,
синтезированных золь-гель методом // Сборник тезисов 6-ой Международной конференции
«Ядерная и радиационная физика» 4-7 июня 2007. − Алматы, Казахстан. − С.292.
94. К.Х.Нусупов, Н.Б.Бейсенханов, И.В.Валитова, Е.А. Дмитриева. Исследования слоев
кремния многократно имплантированных ионами углерода // Proceedings of the 4-th
International Symposium "Physics @ Chemistry of Carbon Materials/ NanoEngineering". – 2006.
Almaty, Republic of Kazakhstan. – Р.113-114.
95. Е.А. Дмитриева, Д.М. Мухамедшина, Н.Б. Бейсенханов. Технология изготовления
тонких пленок SnO2 с использованием золь-гель метода // Сборник тезисов Международной
научной школы – конференции молодых ученых по теме «Инновационные нанотехнологии
в области катализа и электрохимии». Алматы. 6-7 сентября 2006. − С.35.
96. Аймагамбетов А.Б., Мукашев Б.Н., Токмолдин С.Ж., Бейсенханов Н.Б., Абдуллин
Х.А. Исследование электрических и оптических свойств тонких пленок оксида цинка,
выращенных методом реактивного магнетронного распыления // В сборнике «Физика
конденсированного состояния»: Тезисы Международной школы-семинара, посвященной
Году науки и культуры России в Казахстане. − Под ред. Скакова М.К. − ВКГУ им.
С.Аманжолова. – Усть-Каменогорск, 2004. – 167 с.
97. Токмолдин С.Ж., Бейсенханов Н.Б., Киккарин С.М., Овчаренко И.В., Глазман В.Б.,
Аймагамбетов А.Б., Дмитриева Е.А. Влияние структуры тонких пленок ZnO на обратимость
12
их электрических свойств при циклическом отжиге // Сборник тезисов 8-й Международной
конференции “Физика твердого тела», 23-26 августа 2004 г., Алматы, Казахстан. − С.401.
98. Токмолдин С.Ж., Бейсенханов Н.Б., Киккарин С.М., Овчаренко И.В., Глазман В.Б.,
Аймагамбетов А.Б., Дмитриева Е.А., Веременичев В.М. Влияние структурно-фазовых
превращений в пленках SnOX на их электрические свойства // Сборник тезисов 8-й
Междунар. конф. “Физика твердого тела», 23-26 августа 2004 г., Алматы, Казахстан. − С.400.
99. Мухамедшина Д.М., Бейсенханов Н.Б., Мить К.А., Овчаренко И.В., Ботвин В.А.
Влияние обработки в водородной плазме на структуру и оптические свойства тонких пленок
оксида олова, полученных методом магнетронного распыления // В сборнике «Физика
конденсированного состояния»: Тезисы Международной школы-семинара, посвященной
Году науки и культуры России в Казахстане. − Под ред. Скакова М.К. − ВКГУ им.
С.Аманжолова. – Усть-Каменогорск, 2004. – 167 с.
100. Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.B., Ovcharenko I.V., Amreeva Z.M., Tnyshtykbaiev
K.B. The structure investigation of thin silicon layers of both high and low concentration of the
implanted carbon //Proc.2nd Euras.Conf.“Nucl.Science and its Application”.− 2002.−Almaty,
Kazakhstan.−V.II “Rad.Phys.of solid state”.− Almaty.− 2003.− P.291−298.
101. Мухамедшина Д.М., Бейсенханов Н.Б., Мить К.А., Овчаренко И.В., Дмитриева
Е.А. Рентгеновское исследование структуры тонких пленок SnOх, осажденных на подложку
из поликристаллического корунда // Сборник тезисов VII Международной школы-семинара
«Эволюция дефектных структур в конденсированных средах», Усть-Каменогорск  Барнаул,
25-29 июня, 2003. − C.139−141.
102. Tokmoldin C.D, Beisenkhanov N.B., Takenov M.J., Aimagambetov A.B. Investigation
of thin SnOX films on a glass substrate prepared by magnetron sputtering //Proc. of 2d Eurasian
Conf. “Nucl.Science and its Application”.− 2002.− Almaty, Kazakhstan.− Presentations V.II
“Radiation physics of solid state”.− Almaty.− 2003.− P.127−131.
103. Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.B., Ovcharenko I.V. and Dmitrieva E.A. Structure
Investigations of Thin Silicon Layers Implanted by Nitrogen Ions // Book of abstracts of 4th
International Conference «Nuclear and Radiation Physics», Almaty, Kazakhstan, September 15-17,
2003. − P.221−223.
104. Tokmoldin C.D, Beisenkhanov N.B., Takenov M.J., Aimagambetov A.B. Investigation
of thin SnOX films on a glass substrate prepared by magnetron sputtering // Book of abstracts of 2nd
Eurasian Conference “Nuclear Science and its Application”, Almaty, 2002.
105. Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.B., Ovcharenko I.V., Amreeva Z.M., Kazdaev X.R.
The structure investigation of thin silicon layers implanted by carbon ions with energy 40 keV //
13
Book of abstracts of 2nd Eurasian Conference “Nuclear Science and its Application”, Almaty, 2002.
− P.325−326.
106. Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.B., Ovcharenko I.V., Amreeva Z.M., Tnyshtykbaiev
K.B. The structure investigation of thin silicon layers of both high and low concentration of the
implanted carbon // Book of abstracts of 2nd Eurasian Conference “Nuclear Science and its
Application”, Almaty, 2002. − P. 327−328.
107. Карапатницкий И.А., Бейсенханов Н.Б., Мить К.А., Мухамедшина Д.М.
Cтруктурные свойства тонких пленок оксида олова на поликоре //3-я Межд.конф. «Ядерная и
радиационная физика». − Алматы, Казахстан. − 2001. − C.360−361.
108. Карапатницкий И.А., Бейсенханов Н.Б., Мить К.А., Мухамедшина Д.М.
“Cтруктурные свойства тонких пленок оксида олова на поликоре // Сборник тезисов 3-d
International Conference «Nuclear and Radiation Physics», Almaty, June 4-8, 2001. − C.360−361.
109. Нусупов К.Х., Сигле В.О., Бейсенханов Н.Б. Анализ поверхностного слоя кремния
имплантированного углеродом методом рентгеновской дифракции // Сборник тезисов 2
регион. конф. "Физика твердого тела и новые области ее применения", г.Караганда, 1990. −
С.175.