8 Исследование транзистора

TTÜ VIRUMAA KOLLEDZ
Reaalkeskus
Tehtud:
Üliõpilane:
Rühm:
RDAR21
Töö nimetus ja nr:
Arvestatud:
№ 8 Исследование транзистора
Задание
Определить статический коэффициент передачи тока транзистора: снять входные и
выходные характеристики транзистора и построить графики IБ=f(UБЭ), IК=f(UКЭ)
характеристик.
Приборы
При исследовании транзистора используется компьютер и компьютерная программа
Electronics Workbench 5.12.
Теория
Биполярный транзистор - трёхэлектродный полупроводниковый прибор, разновидность транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным
слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. По этому
способу чередования различают n-p-n и p-n-p транзисторы (n - электронный тип
примесной проводимости, p - дырочный).
Схематически биполярный транзистор изображают:
Транзистор (от англ. transfer – переносить и resistor – сопротивление) - трёхэлектродный полупроводниковый электронный прибор, в котором ток в цепи двух электродов управляется третьим электродом. Управление тока в выходной цепи осуществляется за счет изменения входного тока (в биполярном транзисторе), либо входного
напряжения (в МОП транзисторе). Небольшое изменение входных величин может
приводить к существенно большему изменению выходного напряжения и тока.
Ход работы
1. Собрать цепь по схеме.
A
Rb=100 kOm
10 V
A
5.7 V
V
V
A
Меняй данные, думай о других. Исходные данные даны2
исключительно для наглядности хода работы.
2. Определить статический коэффициент передачи тока транзистора при
различных значениях Э.Д.С. источника ЕБ (2,68 В; 5,0 В; 5,7 В) по формуле
I
СТ  К
IБ
3. Сделать выводы по полученным результатам.
4. Снять входные и выходные характеристики транзистора.
Для этого при различных значениях ЕK (5 В; 10 В; 15 В) снимаем показания IБ;
IК; UКЭ; UБЭ.
5. Построить графики входных IБ=f(UБЭ) и выходных IК=f(UКЭ) характеристик.
Таблица №1 :
ЕБ, В
2,68
5,0
5,7
IK , 10-3 A
3,753
8,067
9,299
IБ , 10-6 А
19,23
42,19
49,15
UБЭ , 10-3 В
757,1
780,7
785,5
Таблица №2 :
ЕК, В
5
10
15
IК , 10-3 A
8,914
9,299
9,683
UКЭ , В
5,00
10,00
15,00
Расчеты
I
3,753 10 3
*
=195,1638
B Ê =
I Á 19,23 10 6
B
I Ê 8,067 10 3
=
*
=191,2064
I Á 42,19 10 6
B
I Ê 9,299 10 3
=
*
=189,1963
IÁ
49,15 10 6
Среднее : Вст = 191,8555
Графики
Рисуем сами
Расчет погрешности
Относительная погрешность:
Меняй данные, думай о других. Исходные данные даны3
исключительно для наглядности хода работы.
B I Ê I Á 0, 001103 0, 001106




 0, 000123  0, 000023  0,14 103
B
IK
IÁ
8, 067 103 42,19 106
Абсолютная погрешность:
B = 191,85  0,14 103 = 0,03
Окончательный результат
Вст = (191,85 ± 0,03)
Выводы
Величина тока Iк, у каждого транзистора зависит от величины напряжения, приложенного к выводам коллектора и эмиттера.
Статической входной характеристикой транзистора, включенного по схеме с общим
эмиттером, называется график зависимости тока базы Iб от напряжения база —
эмиттер Uб-э при постоянном значении напряжения коллектор - эмиттер Uк-э.
Меняй данные, думай о других. Исходные данные даны4
исключительно для наглядности хода работы.