1) Король В.М., Kudriavsev Yu. ИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ

1) Король В.М., Kudriavsev Yu. ИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ ГЕРМАНИЯ НАТРИЕМ //
Физика и техника полупроводников. т. 46. в. 2. с. 268273, 2012
Аннотация:
Впервые получены доказательства донорных свойств Na при введении его имплантацией
в p-Ge с удельным сопротивлением 20-40 Ом·см. Изучены профили Na,
имплантированного в Ge (энергия 70 и 77 кэВ, дозы (0.8,3,30)·1014 см-2). Установлены
дозы и температуры отжига, при которых термозонд регистрирует n-тип проводимости на
поверхности образца. После имплантации профили характеризуются протяженным
хвостом, глубина максимума концентрации хорошо согласуется с рассчитанным средним
пробегом ионов Rp. Отжиг при температурах 250-700oC (30 мин) вызывает
перераспределение Na с образованием сегрегационных пиков на глубине, зависящей от
ионной дозы, и сопровождается диффузией атомов к поверхности с последующим
испарением. После отжига при температуре 700oC в матрице остается менее 7%
имплантированных атомов. Вид хвостовых участков профилей, измеренных после отжига
при температурах 300-400oC, указывает на диффузию вглубь небольшой доли атомов Na.
Ссылка на полный текст статьи: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/02/p268-273.pdf
2) Korol' V.M. and Kudriavsev Yu. IMPLANTATION OF SODIUM IONS INTO
GERMANIUM //Implantation of Sodium Ions into Germanium. Semiconductors. . v. 46. n. 2,
p. 257262, 2012.
Аннотация:
The donor properties of Na atoms introduced by ion implantation into p-Ge with the
resistivity 20–40 Ω cm are established for the first time. Na profiles implanted into Ge (the
energies 70 and 77 keV and the doses (0.8, 3, 30) × 1014 cm−2) are studied. The doses and
annealing temperatures at which the thermoprobe detects n-type conductivity on the sample
surface are established. After implantation, the profiles exhibit an extended tail. The depth of
the concentration maximum is in good agreement with the calculated mean projected range
of Na ions R p . Annealing for 30 min at temperatures of 250–700°C brings about a
redistribution of Na atoms with the formation of segregation peaks at a depth, which is
dependent on the ion dose, and is accompanied by the diffusion of Na atoms to the surface
with subsequent evaporation. After annealing at 700°C less than 7% of the implanted ions
remain in the matrix. The shape of the profile tail portions measured after annealing at
temperatures 300–400°C is indicative of the diffusion of a small fraction of Na atoms into
the depth of the sample.
Ссылка на полный текст статьи: doi:10.1134/s1063782612020169
http://link.springer.com/article/10.1134%2FS1063782612020169
3) Кудрявцев Ю., Asomoza R., Mansurova M., Perez L.A., Король В.М. РАСПЫЛЕНИЕ
ПОВЕРХНОСТИ МИШЕНИ ИОНАМИ Cs+: СТАЦИОНАРНАЯ КОНЦЕНТРАЦИЯ
ИМПЛАНТИРУЕМОГО ЦЕЗИЯ И ЭМИССИЯ КЛАСТЕРОВ CsM+ // Журнал
технической физики. т. 83, в. 5, с. 115124, 2013
Аннотация:
Проведено экспериментальное исследование изменения работы выхода поверхности
полупроводников Si и GaAs при облучении ионами цезия. Рассмотрен механизм
образования кластерных ионов CsM+ (где M --- анализируемый элемент). Рассчитаны
потенциалы ионизации некоторых молекул CsM и предложена простая
экспериментальная методика по определению поверхностной концентрации цезия,
имплантированного в приповерхностную область различных материалов в процессе их
распыления ионами цезия. Методика основана на использовании предварительно
имплантированного в анализируемый образец калия как " внутреннего стандарта".
Ссылка на полный текст статьи: http://journals.ioffe.ru/jtf/2013/05/p115-124.pdf