РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение

РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение
высшего профессионального образования
ТЮМЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
«УТВЕРЖДАЮ»:
Проректор по учебной работе
_______________________ /Волосникова Л.М./
__________ _____________ 201_ г.
ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Учебно-методический комплекс.
Рабочая программа для студентов направления 010800.62 «Радиофизика»
Форма обучения очная
«ПОДГОТОВЛЕНО К ИЗДАНИЮ»:
Автор работы ______________/Чертенко А.Л./
«____»___________201_г.
Рассмотрено на заседании кафедры радиофизики 30.08.2013 года. Протокол № 1 .
Соответствует требованиям к содержанию, структуре и оформлению.
«РЕКОМЕНДОВАНО К ЭЛЕКТРОННОМУ ИЗДАНИЮ»:
Объем 11 стр.
Зав. кафедрой ______________________________/Михеев В.А./
«______»___________ 201_ г.
Рассмотрено на заседании УМК ИФиХ «____»______________ 201__ г., протокол №____.
Соответствует ГОС ВПО и учебному плану образовательной программы.
«СОГЛАСОВАНО»:
Председатель УМК _________________/Креков С.А./
«____»_____________201__г.
«СОГЛАСОВАНО»:
И.о директора ИБЦ _________________/ Ульянова Е.А./
«____»_____________201__ г.
«СОГЛАСОВАНО»:
Зав. методическим отделом УМУ_____________/ Фарафонова И.Ю./
«____»_____________201__ г.
РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение
высшего профессионального образования
ТЮМЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
Институт Физики и Химии
Кафедра радиофизики
Чертенко А.Л.
ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Учебно-методический комплекс.
Рабочая программа
для студентов направления 010800.62 «Радиофизика»
Форма обучения очная
Тюменский государственный университет
2013
1
Чертенко А.Л. Функциональная электроника. Учебно-методический
комплекс. Рабочая программа для студентов направления 010800.62 «Радиофизика»,
форма обучения очная.
Тюмень, 2013, 11 стр.
Рабочая программа составлена в соответствии с требованиями ГОС ВПО.
Рабочая программа дисциплины «Функциональная электроника» опубликована на
сайте ТюмГУ: «Функциональная электроника» [электронный ресурс] / Режим доступа:
http://www.umk.utmn.ru., свободный.
Рекомендовано к изданию кафедрой радиофизики. Утверждено проректором по
учебной работе Тюменского государственного университета.
ОТВЕТСТВЕННЫЙ РЕДАКТОР: заведующий кафедрой радиофизики Михеев В.А.,
к.ф.-м.н., доцент
© Тюменский государственный университет, 2013.
© Чертенко А.Л. 2013.
2
1. Пояснительная записка.
Требования ГОС: Основные направления функциональной микроэлектроники:
диэлектрическая электроника, оптоэлектроника, магнитоэлектроника, акустоэлектроника,
криоэлектроника,
хемотроника,
биоэлектроника.
Прогнозирование
развития
микроэлектроники.
Дисциплина в соответствии с ГОС ВПО по направлению подготовки 010800.62
«Радиофизика» является дисциплиной федерального компонента цикла
Общепрофессиональные дисциплины ООП подготовки бакалавров.
1.1.
Цели и задачи дисциплины
Рабочая программа учебной дисциплины «Функциональная электроника»
предназначена для реализации государственных требований к минимуму содержания и
уровню подготовки студентов направления 010800.62 «Радиофизика». Теоретической
базой для изучения данной дисциплины является изучение дисциплин «Физика твердого
тела», «Твердотельная электроника», «Физическая электроника».
Основной задачей курса "Функциональная электроника" является обучение
студентов новому, несхемотехническому принципу обработки и хранения информации в
микроэлектронике.
Изучение разнообразных физических процессов и явлений, протекающих в твердом
теле, которые могут быть использованы для моделирования различных функций
преобразования информации, а также принципы работы перспективных устройств
функциональной электроники и анализ возможности дальнейшего развития систем
функциональной электроники является предметом данного курса. В итоге студент должен
освоить навыки решения физических и инженерных задач по созданию и проектированию
функциональных приборов типа процессоров и запоминающих устройств, основанных на
физической интеграции различных процессов и явлений в твердом теле. При этом
основное внимание уделено рассмотрению явлений взаимодействия волн различной
природы, распространяющихся в материальных средах, обладающих электронной
проводимостью, спонтанной поляризацией или намагниченностью и т.п.
Данный курс будет способствовать формированию у студентов нового физического
мировоззрения на несхемотехнические способы обработки и хранения информации и
является основой для понимания дальнейшего развития микроэлектроники, переходящей
в наноэлектронику.
1.2. Место дисциплины в структуре ООП бакалавриата
Содержание курса базируется на знаниях, приобретённых при изучении разделов
математики и физики на первом и втором курсах, дисциплины «Распространение
электромагнитных волн», «Радиоэлектроники», «Физическая электроника», «Физика
твердого тела», «Твердотельная электроника».
В результате изучения данной дисциплины обучающийся должен:
знать:
 основные понятия, законы и наиболее важные элементы классической теории поля,
 функциональные назначения изучаемых приборов и принцип действия
уметь:
 анализировать физические законы и явления функциональной электроники
 использовать аппарат волновой оптики, квантовой теории, теории волн, механики и
электродинамики сплошных сред для анализа работы и расчета характеристик
приборов;
владеть:
 основными математическими методами анализа и расчета при применении
приборов функциональной электроники, цепей и сигналов;
 базовыми навыками конструирования, монтажа и наладки простых устройств;
 приемами и навыками решения конкретных задач из разных областей
3
функциональной электроники.
2. Структура и трудоемкость дисциплины.
Семестр - 8. Форма промежуточной аттестации – зачёт. Общая трудоемкость дисциплины
составляет 90 часов.
Таблица 1.
Вид учебной работы
Всего часов
Аудиторные занятия (всего)
В том числе:
Лекции
Практические занятия (ПЗ)
Семинары (С)
Лабораторные работы (ЛР)
Самостоятельная работа (всего)
Вид промежуточной аттестации (зачет, экзамен)
Общая трудоёмкость (часов)
51
3.
51
0
0
0
39
Зачет
90
Тематический план дисциплины
Таблица 2.
1.1
2
Модуль 1.
Введение. Основные направления
функциональной микроэлектроники.
Полупроводниковая электроника.
1.2
3.1
3.2
3.3
4
5
1
6
7
1
0
3
4
7
0-10
Криоэлектроника.
8
4
12
0-10
Всего
12
8
20
0-20
8
3
8
19
6
6
6
18
14
9
14
37
0-10
0-10
0-10
0-30
8
8
4
6
12
14
0-25
4
3
7
0-25
20
13
33
0-50
51
39
90
0-100
Модуль 2.
2.1
2.2
2.3
3
1-5
Акустоэлектроника
Магнитоэлектроника
Оптоэлектроника
Всего
Модуль 3.
Диэлектрическая электроника.
Хемотроника.
Молекулярная
электроника.
Биоэлектроника.
Прогнозирование
развития микроэлектроники.
Всего
6-12
13-17
Итого (часов, баллов):
Таблица 3.
Виды и формы оценочных средств в период текущего контроля
№ темы
Письменные работы
4
Ит
ог
о
ко
ли
че
ст
во
ба
лл
ов
1
Ле
кц
ии
*
Са
мо
ст
оя
те
ль
на Итого
я часов по
ра теме
бо
та Итого
*количеств
о баллов
Тема
Виды учебной работы
и самостоятельная
работа, в час.
недели
семестра
№
рефера
т
контро
льная
Модуль 1
1.1 Полупроводниковая электроника.
1.2 Криоэлектроника.
Всего
Модуль 2
2.1 Акустоэлектроника
2.2 Магнитоэлектроника
2.3 Оптоэлектроника
Всего
Модуль 3
3.1 Диэлектрическая электроника.
3.2 Хемотроника.
3.3 Молекулярная электроника.
Биоэлектроника. Прогнозирование развития
микроэлектроники.
Всего
Итого
0-10
0-10
0-10
0-20
0-10
0-10
0-10
0-10
0-30
0-10
0-30
0-10
0-30
0-10
0-30
0-60
0-50
0–100
0-10
0-10
0-40
Таблица 4.
Планирование самостоятельной работы студентов
Виды СРС
обязательные
№
Модули и темы
1.1
1.2
Модуль 1
Полупроводниковая
электроника.
Криоэлектроника.
2.1
Всего по модулю 1:
Модуль 2
Акустоэлектроника
2.2
Магнитоэлектроника
2.3
Оптоэлектроника
3.1
Всего по модулю 2:
Модуль 3
Диэлектрическая
электроника.
Хемотроника.
3.2
3.3
Молекулярная
электроника.
Биоэлектроника.
Прогнозирование
развития
микроэлектроники.
доп
олн
ите
льн
ые
Неделя
семестр
а
Объем
часов
Колво
балло
в
1-5
Работа с учебной литературой и
работа с лекц. материалом.
Работа с учебной литературой и
работа с лекц. материалом.
4
0-2
4
0-2
8
0-6
6
0-2
6
0-2
6
0-2
18
0-6
6 - 12
Работа с учебной литературой и
работа с лекц. материалом.
Работа с учебной литературой и
работа с лекц. материалом.
Работа с учебной литературой и
работа с лекц. материалом.
13 - 18
Работа с учебной литературой и
работа с лекц. материалом.
Работа с учебной литературой и
работа с лекц. материалом.
4
6
0-2
0-2
3
Работа с учебной литературой и
работа с лекц. материалом.
5
0-2
Всего по модулю 3:
13
39
ИТОГО:
4.
0-6
0-18
Содержание дисциплины.
Модуль 1
Введение. Основные направления функциональной микроэлектроники.
Предмет дисциплины и ее задачи. Функциональная электроника (ФЭ) - четвертое
поколение в электронике. Два направления развития микроэлектроники. Ограничения в
схемотехнической интегральной электронике по физическим и технологическим
факторам. Статистические и динамические неоднородности. Типы носителей
информационного сигнала. Функциональная электроника - электроника динамических
неоднородностей. Континуальные среды для элементов и устройств функциональной
электроники. Физические поля и процессы, обеспечивающие возникновение,
продвижение и взаимодействие динамических неоднородностей в континуальной среде.
Элементы для генерации, управления и считывания динамических неоднородностей.
Обобщенная схема построения элементов и устройств функциональной электроники.
Особенности выбора материалов континуальной среды для компонентов функциональной
электроники. Классификация элементов и устройств ФЭ по направлениям и назначениям.
1.1 Полупроводниковая электроника. Электрическая объемная неустойчивость в
многодолинных полупроводниках. Образование доменов сильного поля; условия их
существования и продвижения. Перенос носителей заряда в аморфных полупроводниках,
шнурование тока. Квантовые размерные эффекты в полупроводниках.
Влияние электрического поля на объемную и поверхностную электропроводимость
полупроводников. Особенности эффекта поля в МДП-структурах с плавающим затвором с
многослойными или активными диэлектриками.
Эффекты, связанные с изменением кристаллической структуры вещества. Влияние
фазовых переходов в твердых телах на их электрические свойства. Бистабильность
стационарных состояний в полупроводниках, оптическая бистабильность.
Колебания в полупроводниках, обусловленные генерационно-рекомбинационными
неустойчивостями. Автоколебания и хаос. Электрически управляемые резисторы.
Варисторы, трехэлектродные резисторы различного назначения на основе МДП-структур.
Элементы с S- и N-образной вольт-амперной характеристикой. Функциональные
интегриальные схемы на основе аморфных полупроводников и оксидов переходных
металлов. Генераторы, усилители, логические схемы и запоминающие устройства на
элементах с отрицательным дифференциальным сопротивлением.
Физические основы работы приборов с зарядовой связью (ПЗС). Накопление и
перенос заряда, шумовые процессы. Способы реализации и физические ограничения ПЗС.
Цифровые устройства на ПЗС: логические элементы, накопители информации,
запоминающие устройства. Аналоговые устройства на ПЗС: линии задержки, фильтры,
мультиплексоры, корреляторы, спектральные преобразователи. Формирователи сигналов
изображения. Матричные фоточувствительные схемы с зарядовой связью.
6
1.2
Криоэлектроника.
Сверхпроводники
первого
и
второго
рода.
Высокотемпературые сверхпроводники. Эффект Джозефсона: стационарный и
нестационарный. Квантование магнитного потока, квантовое обобщение уравнения
Лондонов. Сверхпроводящие квантовые интерферометры (СКВИДЫ). Устройства на
основе сверхпроводников: криотронные переключатели и элементы памяти, элементы и
устройства на вихрях Абрикосова и Джозефсоновских переходах. Линии задержки,
цифровые логические схемы, устройства обработки сигналов. Сверхпроводящие
компоненты для приемников излучения, приборы с переносом квантов потока. Схемы на
базе комбинаций сверхпроводников и полупроводников, процессоры.
Модуль 2
2.1 Акустоэлектроника. Элементы теории упругости: тензоры деформаций,
напряжений, моделей упругости, упругих постоянных. Уравнение движения изотропной
упругой среды. Волны Рэлея. Распределение энергии в рэлеевской волне. Рэлеевские
волны в кристаллах, особенности, обусловленные анизотропией. Волны Лява. Типы и
свойства поверхностных акустических волн: волны Стоунли, Лэмба, Гуляева-Блюстейна;
вытекающие волны. Методы возбуждения и приема акустических волн.
Встречно-штыревой
преобразователь:
эквивалентная
схема,
параметры.
Управление распространением акустических волн: многополосковые ответвители,
отражатели. Резонаторы акустических волн.
Взаимодействие электронов с поверхностными акустическими волнами. Усиление
акустических волн. Нелинейные эффекты в упругой среде.
Основные устройства функуциональной акустоэлектроники. Линии задержки и
фазовращатели.
Полосовые,
трансверсальные
и
дисперсионные
фильтры.
Акустоэлектронные корреляторы, конволоверы и элементы памяти. Акустоэлектронные
усилители и генераторы.
2.2. Магнитоэлектроника. Магнитоупорядоченные вещества и их магнитные
характеристики. Обменное взаимодействие и магнитная анизотропия.
Цилиндрические магнитные домены. Доменные границы. Генерация, деление,
перемещение и детектирование цилиндрических магнитных доменов. Запоминающие
устройства и процессоры сигналов на цилиндрических магнитных доменах.
Магнитоупругое взаимодействие, магнитоупругие волны. Магнитоакустические
запоминающие устройства, фильтры СВЧ-сигналов.
Спиновые и магнитостатические волны. Функциональные устройства на
магнитостатических волнах: управляемые и дисперсионные линии задержки,
фазовращатели, модуляторы, генераторы сдвига частоты и шумоподобного сигнала.
Взаимодействие магнитостатических волн с носителями заряда, усиление
магнитостатических волн.
2.3 Оптоэлектроника. Динамические неоднородности, континуальные среды,
генераторы и детекторы. Физические основы приборов функциональной оптоэлектроники.
Функциональная акустооптика. Фотоупругий эффект. Акустооптическое
взаимодействие. Брэгговская дифракция. Интенсивность и поляризация дифрагированного
7
пучка. Корпускулярное представление акустооптического взаимодействия. Дифракция
Рамана-Ната. Поверхностная акустооптика.
Устройства функциональной акустооптики: акустооптические модуляторы и
дефлекторы, процессоры, спектр-анализаторы сигналов. Акустооптические корреляторы
сигналов, перестраиваемые фильтры. Интегрально-оптические приборы на поверхностной
дифракции.
Функциональная магнитооптика. Эффект Фарадея в магнитоупорядоченных
оптически прозрачных материалах. Основные механизмы взаимодействия света на
магнитных неоднородностях различного типа: дифракция на доменной структуре,
рассеяние света в магнитооптических волноводных структурах, дифракция света на
спиновых волах.
Устройства функциональной магнитооптики: модуляторы и дефлекторы,
процессоры и фильтры, приборы оптической обработки сигналов.
Модуль 3
3.1. Диэлектрическая электроника. Диэлектрические среды: пьезоэлектрики,
пироэлектрики, сегнетоэлектрики, сегнетомагнетики. Электрические домены, фазоны,
флуктоны. Явления в слоистых структурах на основе диэлектрических, металлических и
полупроводниковых сред. Механизмы переноса носителей заряда в пленочных системах.
Токи через тонкие диэлектрические пленки, надбарьерная эмиссия, туннелирование; токи,
ограниченные пространственным зарядом.
Устройства диэлектрической электроники:
диэлектрические диоды и транзисторы.
элементы
памяти,
процессоры,
3.2 Хемотроника. Электрический ток ионов в жидких растворах. Процессы,
протекающие на границе раздела фаз электрод - раствор. Электрохимические реакции в
электролитах. Фазовые переходы на электродах, электрокапиллярные явления.
Хемотронные устройства: электрохимические диоды, усилители, интеграторы.
Твердофазные хемотронные приборы: запоминающие элементы, элементы памяти,
ионистр.
3.3 Молекулярная электроника. Биоэлектроника. Прогнозирование развития
микроэлектроники. Оптоэлектронные приборы на жидких кристаллах. Функциональная
электроника на самоорганизующихся средах.
5. Учебно – методическое обеспечение самостоятельной работы студентов.
Оценочные средства для текущего контроля успеваемости, промежуточной
аттестации по итогам освоения дисциплины (модуля).
Текущая успеваемость оценивается в соответствии с «Положением о рейтинговой
системе оценки успеваемости студентов ГОУ ВПО ТюмГУ».
В течение семестра проводятся 2 контрольных и выполняется 1 реферат по
предложенным темам, которые оцениваются в баллах в соответствии с рейтинговой
системой.
Основной вид самостоятельной работы студентов заключается в предварительной
самостоятельной теоретической подготовке по темам дисциплины к контрольным работам
8
и рефератам. При подготовке от студентов требуются умения и навыки работы с
литературой и другими источниками информации.
Контроль выполнения самостоятельной работы осуществляется на лекциях 1 раз в
неделю.
Для самостоятельного изучения теоретического материала студентами
используются учебники и учебные пособия, приведённые в списке литературы.
Трудоёмкость самостоятельного изучения теоретического материала составляет 39 часов.
Для успешного освоения материала студентам выдаётся комплект контрольных
заданий для самостоятельного решения. Набор заданий формируется преподавателем.
Лектор проводит консультации, проверяя корректность предложенных решений.
5.1 Примерные темы рефератов
1. Функциональная полупроводниковая электроника. Явления, обусловленные
генерационно-рекомбинационными неустойчивостями.
2. Функциональная молекулярная электроника. Типы сред и носители информации.
3. Функциональная теплоэлектроника. Среды, явления и носители информации.
4. Функциональная автоволновая электроника. Приборы на основе нелинейных
неравновесных сред.
5. Функциональная квантовая электроника. Приборы на квантово-размерных
эффектах.
6. Явления самоорганизации в нелинейных средах.
7. Распространение солитонов в оптических нелинейных средах.
8. Явления оптической бистабильности.
9. Функциональная электроника на фонон-магнонных и фотон-магнонных
взаимодействиях.
10. Функциональная электроника на поляризационных эффектах.
11. Функциональная электроника - четвертое поколение в электронике.
12. Проблемы интегральной электроники. Увеличение степени интеграции ИС.
Повышение быстродействия ИС.
13. Схемотехнический путь развития интегральной электроники.
14. Статистические и динамические неоднородности в интегральной электронике.
15. Направления функциональной электроники: физические явления и эффекты
типы динамических неоднородностей, континуальные среды.
5.2 Примерные вопросы для зачёта.
1. Элементы теории упругости: Тензор деформаций.
2. Нелинейные эффекты в упругой среде.
3. Элементы теории упругости: Тензор напряжений, тензор модулей упругости.
4. Акустооптические корреляторы сигнала.
5. Упругая энергия кристалла. Упругий потенциал. Тензор упругих постоянных.
6. Акустооптический спектр-анализатор.
7. Уравнение движения упругой среды: общий вид, граничные условия.
8. Акустооптические перестраиваемые фильтры.
9. Уравнение движения изотропной упругой среды.
10. Генераторы, деление и детектирование цилиндрических магнитных доменов.
11. Волны Рэлея: случай однородного полупространства. Смещения и напряжения
в рэлеевской волне.
12. Цилиндрические магнитные домены. Доменные границы.
9
13. Распределение энергии в рэлеевской волне.
14. Перемещение цилиндрических магнитных доменов.
15. Рэлеевские волны в кристаллах: основные соотношения. Особенности,
обусловленные анизотропией.
16. Акустооптические модуляторы.
17. Взаимодействие поверхностных акустических волн с электронами
проводимости.
18. Акустооптические дефлекторы.
19. Волны Лява.
20. Запоминающие устройства на цилиндрических магнитных доменах.
21. Фотоупругий эффект.
22. Акустоэлектронные резонаторы и их применение в усилителях и генераторах.
23. Акустооптическое взаимодействие. Брэгговская дифракция.
24. Акустоэлектронные элементы памяти.
25. Корпускулярное представление акустооптического взаимодействия.
26. Акустоэлектронные корреляторы и конвольверы.
27. Брэгговская дифракция в анизотропной среде.
28. Акустоэлектронные усилители и генераторы.
29. Интенсивность дифрагированного пучка при брэгговской дифракции.
30. Акустоэлектронные фильтры: полосовые, трансверсальные, дисперсионные.
31. Дифракция Рамана-Ната.
32. Акустоэлектронные линии задержки и фазовращатели.
33. Поверхностная акустооптика.
34. Управление распространением поверхностных акустических волн: ВШП,
многополосковые ответвители, отражатели.
35. Магнитоупорядоченные вещества.
36. Конструкции встречно-штыревых преобразователей.
37. Магнитные характеристики веществ.
38. Встречно-штыревой преобразователь. Эквивалентная схема, параметры.
39. Обменное взаимодействие в магнито-упорядоченных веществах. Спиновые
взаимодействия.
40. Методы возбуждения и приема поверхностных акустических волн.
41. Эффект Фарадея. Магнитооптические приборы.
42. Типы поверхностных акустических волн.
43. Спиновые волны. Устройства на спиновых волнах.
44. Принципы построения и физические основы устройств функциональной
электроники.
6. Учебно-методическое и информационное обеспечение дисциплины.
6.1 Основная литература:
1. Сигов, А. С. Электроника [Электронный ресурс] : учебное пособие / А. С. Сигов,
В. И. Нефедов, А. А. Щука. - М.: Абрис, 2012. - 349 с. Режим доступа:
http://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=117510(дата обращения 16.01.2014).
2. Игнатов, А. Н. Классическая электроника и наноэлектроника: учеб. пособие для
студ. вузов, обуч. по напр. подгот. диплом. спец. 210400 "Телекоммуникации"/ А. Н.
Игнатов, Н. Е. Фадеева, В. Л. Савиных. - Москва: Флинта: Наука, 2009. - 728 с.
3. Базовые лекции по электронике: сборник: в 2 т./ ред. В. М. Пролейко. - Москва:
Техносфера. - ISBN 978-5-94836-213-7 Т. 2: Твердотельная электроника. - 2009. - 608 с.
4.
6.2 Дополнительная литература:
Кузовкин, В. А. Электроника. Электрофизические основы, микросхемотехника,
10
приборы и устройства [Электронный ресурс] : учебник / В. А. Кузовкин. - М.: Логос, 2011.
- 328 с. Режим доступа: http://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=89796
5. Кравченко, А. Ф.. Физические основы функциональной электроники: учеб.
пособие для студ. вузов, обуч. по группе спец. "Электронная техника, радиотехника и
связь"/ А. Ф. Кравченко. - Новосибирск: Изд-во Новосиб. гос. ун-та, 2000. - 444 с.
6.3 Программное обеспечение и интернет – ресурсы
1.
2.
3.
eLIBRARY – Научная электронная библиотека (Москва) http://elibrary.ru/
Единое окно доступа к образовательным ресурсам: http://window.edu.ru/window/
Федеральный портал «Российское образование»: http://www.edu.ru/
7. Технические средства и материально-техническое обеспечение дисциплины
(модуля).
Лекционная аудитория с доской и мелом, лекционная аудитория с
мультимедийным оборудованием.
11