воздействие акустических колебаний на когерентное тормозное

Известия НАН Армении, Физика, т.48, №4, с.242-246 (2013)
УДК 537.97
ВОЗДЕЙСТВИЕ АКУСТИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ
НА КОГЕРЕНТНОЕ ТОРМОЗНОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ
А.Р. МКРТЧЯН1,2*, Э.А. МКРТЧЯН1
1
Институт прикладных проблем физики НАН Армении, Ереван
2
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Россия
*e-mail: malpic@sci.am
(Поступила в редакцию 13 марта 2013 г.)
Приведены результаты экспериментов по исследованию воздействия
акустических колебаний на когерентное тормозное излучение электронов с
энергией 20 МэВ в монокристалле кварца. Измерения были проведены на
выведенном пучке линейного ускорителя ЛЭУ-50 ЕрФИ.
Упорядоченное расположение атомов в кристаллах может привести к
существенной модификации сечений различных электромагнитных процессов.
При высоких энергиях зона формирования процессов превышает межатомное
расстояние, и становятся важным когерентные эффекты (см., например, [1,2]). В
частности, большое число работ посвящено исследованию вклада когерентных
эффектов в процесс рождения электронно–позитронных пар фотонами высоких
энергий и в тормозное излучение электронов. Когерентное тормозное излучение
(КТИ)
является
одним
из
эффективных
методов
генерации
квазимонохроматического гамма-излучения и подробно исследовано как
теоретически, так и экспериментально. Возбужденные в кристалле
акустические колебания являются дополнительным механизмом контроля
параметрами процессов излучения в среде. КТИ электронов в кристаллах при
наличии акустических колебаний рассматривалось в работах [3,4]. В данной
работе изложены результаты экспериментального исследования тормозного
излучения электронов с энергией 20 МэВ в монокристалле SiO2.
Схема экспериментов по изучению явления когерентного и
некогерентного тормозного излучения, проведенных на выведенном пучке
электронов с энергией 20 МэВ на линейном ускорителе ЛЭУ-50 ЕрФИ,
приведена на рис.1. Показана общая схема электронных трактов, схемы
возбуждения акустических колебаний в исследованных образцах.
Для возбуждения в образце акустических колебаний и обеспечения при
этом условия стоячей волны был разработан генератор электромагнитных
колебаний гигагерцовой частоты. При работе с разными радиаторамикристаллами и при разных толщинах обеспечивалась возможность
242
варьирования рабочей частоты для создания условия стоячей волны. Под
влиянием электромагнитного поля, в пьезоэлектрических кристаллах
возбуждалось продольное акустическое поле. Одновременно электронная схема
позволяла синхронизировать возбуждение электромагнитного поля с
электронным пучком синхротрона, чтобы уменьшить нагрев образца под
влиянием гиперзвуковых колебаний. Пластины радиаторов-монокристаллов
помещались в резонаторе. Для укрепления радиаторов-монокристаллов на
гониометрическом устройстве были сконструированы и созданы универсальные
держатели-резонаторы.
ганиометр, имеющий
6 степеней свободы
отражающий кристалл
SiO2 X-среза
крепление кристалла
(МГц)
e
резонатор (ГГц)
e
образец
вакуумная
трубка
генератор (ГГц)
генератор (МГц)
счетчик
Рис.1. Схема эксперимента.
Гониометрическое устройство было расположено так, чтобы пучок
электронов проходил по центру исследуемого образца, укрепленного на
гониометрической установке с пятью степенями свободы. Программа для
управления движениями гониометра по степеням свободы обеспечивает как
одновременное, так и раздельное движение по степеням свободы.
В экспериментах для спектрального анализа когерентного тормозного
излучения использовались отражающие атомные плоскости (10 11) кристаллаанализатора кварца X-среза в режиме полной переброски. Подготовка образцов
пьезоэлектрического монокристалла SiO2 происходила по следующим этапам. С
помощью
рентгенографического
анализа
определялись
их
кристаллографические оси; далее образцы были разрезаны на диски различной
толщины с диаметром 20 мм, причем плоско-параллельность их поверхностей
обеспечивалась с точностью до несколько угловых секунд по отношению к
выбранным срезам. Поверхности образцов были отполированы по оптическому
классу от X до XV. На следующем этапе образцы прошли химическую и
ионную обработку. Затем, для обеспечения необходимой адгезии, на
поверхность образцов путем вакуумного напыления был нанесен слой хрома
толщиной 0.01 мкм. В последующем на поверхности всех образцов путем
243
катодного напыления были нанесены слои серебра или индия толщиной
порядка 1 мкм, обеспечивающие электроконтакт на поверхностях образцов. Для
исследования
был
подготовлен
образец
SiO2
X-среза толщиной 1.0 ± 0.01 мм.
На рис.2 представлено характерное спектральное распределение
интенсивности КТИ электронов с энергией 20 МэВ в монокристалле пластины
кварца X-среза при отсутствии акустических возбуждений. Угол направления
движения электронов с кристаллографической плоскостью равен ≈ 2°. На рис.3
приведено спектральное распределение КТИ при мощностях возбуждения в
образце акустических колебаний 10 Вт и 15 Вт. В этих спектрах вклад
некогерентного тормозного излучения вычтен с помощью формулы Бете–
Гайтлера [1,2].
Рис.2. Спектральное распределение интенсивности КТИ электронов
с энергией 20 МэВ в монокристалле кварца при отсутствии
акустических возбуждений.
Как видно из рис.3 в спектральном распределении интенсивности КТИ
появляется пик в области энергии излучения ≈ 30 кэВ. Поведение КТИ при
увеличении амплитуды акустических колебаний немонотонно: первоначально
имеет место увеличение интенсивности излучения, а дальнейшее увеличение
амплитуды акустических колебаний (см. рис.3b) приводит к обратному
эффекту, т.е. к уменьшению интенсивности.
Как уже отмечалось выше, воздействие акустических колебаний на
процесс тормозного излучения в кристаллах теоретически исследовалось в [3,4].
В работе [3] рассматривался случай простого кристалла с одним атомом в
элементарной ячейке и акустические колебания синусоидального профиля.
Соответствующие результаты для кристалла со сложной ячейкой и для
колебаний произвольного профиля рассмотрены в [4]. В этих работах показано,
244
что воздействие акустических колебаний на эффективное сечение когерентного
тормозного излучения может быть заметным при выполнении условия
u0 λ s t ( a 4πλ e ) ( me c 2 E ) ( hν E ) ,
где u0 и λ s – соответственно, амплитуда и длина акустических волн, a –
величина порядка постоянной решетки, λ e = h me c – комптоновская длина
волны электрона, E – энергия электрона до излучения, ν – частота
излученного фотона. Для параметров эксперимента и для энергии фотона 20
кэВ получаем относительно слабое условие u0 λ s t 4 × 10−4 . Как отмечалось
выше, интенсивность излучения сначала растет с увеличением амплитуды
акустических колебаний до максимального значения. При дальнейшем
увеличении амплитуды интенсивность излучения падает. Эта закономерность
наблюдалась также в теоретических исследованиях. Более подробное сравнение
экспериментальных результатов с теорией будет приведено в следующей нашей
работе.
245
Рис.3. Спектры КТИ электронов при наличии акустических
колебаний для мощности возбуждения 10 Вт (а) и 15 Вт (б).
Работа выполнена при финансовой поддержке ФЦП РФ проекта
№11.519.11.2030 в российско-армянской лаборатории «Рентгеновская оптика».
ЛИТЕРАТУРА
1. М.Л.Тер-Микаелян. Влияние среды на электромагнитные процессы при высоких
энергиях. Ереван, изд. АН Арм. ССР, 1969.
2. А.И.Ахиезер, Н.Ф.Шульга. Электродинамика высоких энергий в веществе. М.,
Наука, 1993.
3. A.A.Saharian, A.R.Mkrtchyan, V.V.Parazian, L.Sh.Grigoryan. Mod. Phys. Lett. A,
19, 99 (2004).
4. A.R.Mkrtchyan, A.A.Saharian, V.V.Parazian. Mod. Phys. Lett. B, 23, 2573 (2009).
ԱԿՈՒՍՏԻԿ ՏԱՏԱՆՈՒՄՆԵՐԻ ԱԶԴԵՑՈՒԹՅՈՒՆԸ
ԷԼԵԿՏՐՈՆՆԵՐԻ ԿՈՀԵՐԵՆՏ ԱՐԳԵԼԱԿԱՅԻՆ ՃԱՌԱԳԱՅԹՄԱՆ ՎՐԱ
Ա.Ռ. ՄԿՐՏՉՅԱՆ, Է.Ա. ՄԿՐՏՉՅԱՆ
Բերված են կվարցի միաբյուրեղում 20 ՄէՎ էներգիայով էլեկտրոնների կոհերենտ արգելակային ճառագայթման վրա ակուստիկ տատանումների ազդեցության հետազոտմանը։
Փորձերը կատարված են ԵրՖԻ ЛЭУ-50 գծային արագացուցիչից հանված փնջի վրա։
INFLUENCE OF ACOUSTIC OSCILLATIONS
ON COHERENT BREMSSTRAHLUNG OF ELECTRONS
A.R. MKRTCHYAN, E.A. MKRTCHYAN
The results of experiments on investigation of the influence of acoustic oscillations on the
coherent bremsstrahlung of electrons with the energy 20 MeV are presented. The experiments were
carried out on the extracted beam of the YerPhI linear accelerator LEU-50.
246