Техническая спецификация

advertisement
Техническая спецификация к закупаемым товарам
№
п/п
Наименование
товара
1
КТ9116 А
2
Транзистор КТ930А
3
Транзистор КТ930Б
Характеристика
Транзисторы КТ9116А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n
генераторные.
Предназначены для применения в линейных усилителях мощности в схеме ОЭ в
диапазоне частот 170...230 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 9 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ9116А:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 46 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с
общим эмиттером: более 240 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе
коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 55 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе
эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 4 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном
обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 30
мА (55В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим
эмиттером: более 20;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 55 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 25 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 5 Вт на частоте 225 МГц;
• tрас - Время рассасывания: не более 25 нс
Транзисторы КТ930А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n
генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и
автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Внутри
корпуса
имеется
согласующее
LC-звено.
Тип
прибора
указывается
на
корпусе.
Масса
транзистора
не
более
7
г.
Основные
технические
характеристики
транзистора
КТ930А:
•
Структура
транзистора:
n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 75 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с
общим
эмиттером:
более
450
МГц;
• Uкэr проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе
коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе
эмиттера
и
разомкнутой
цепи
коллектора:
4
В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 6 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении
коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 20 мА (50В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим
эмиттером:
более
40;
•
Ск
Емкость
коллекторного
перехода:
не
более
80
пФ;
•
Ку.р.
Коэффициент
усиления
мощности:
не
менее
5
дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 40 Вт на частоте 400 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 8 пс
Транзисторы КТ930Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n
генераторные.
4
Транзистор
КТ9151А
5
Транзистор
КТ9133А
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и
автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Внутри корпуса имеется согласующее LC-звено.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 7 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ930Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 120 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с
общим эмиттером: более 600 МГц;
• Uкэr проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе
коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе
эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 6 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении
коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 100 мА (50В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим
эмиттером: более 50;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 170 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3,5 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 75 Вт на частоте 400 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 11 пс
Сборка КТ9151А состоит из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры
n-p-n генераторных линейных транзисторов.
Предназначена для применения в линейных усилителях мощности класса АВ в схеме
с общим эмиттером в диапазоне частот 48...230 МГц при напряжении питания 28 В.
В цепях эмиттеров включены балластные сопротивления.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ9151А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 280 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с
общим эмиттером: более 230 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе
коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 55 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе
эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 33 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении
коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 150 мА (55В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим
эмиттером: более 10;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 350 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 7 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 200 Вт на частоте 230 МГц
Транзистор КТ9133А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n
генераторный.
Предназначен для применения в линейных усилителях мощности в схеме ОЭ в
диапазоне частот 170...230 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
6
Транзистор
MRF275G
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 9 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ9133А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 130 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с
общим эмиттером: более 225 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе
коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 55 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе
эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 16 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении
коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 200 мА (55В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 160 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 7,5 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 30 Вт на частоте 225 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 30 пс
Мощный ВЧ транзистор MRF275G.
Технология: MOSFET, Частота, мин.: 2 MHz, Частота, макс.: 500 MHz, Усиление: 10
dB, Выходная мощность (Pout): 150 W, Назначение: CW, КПД: 50 %, Напряжение
источника питания (): 28 VDC, Температурное сопротивление: 0.44 °C/W,
Наименование корпуса: P-218.
Скачать