Зенченко Николай Владимирович

РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники
Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН)
ЭЛЕКТРОННОЕ ПОРТФОЛИО
аспиранта
Зенченко Николая Владимировича
Направление подготовки: 11.06.01 Электроника, радиотехника и
системы связи
Направленность: 05.27.06 Технология и оборудование для
производства полупроводников, материалов и приборов электронной
техники
Квалификация выпускника: Исследователь. Преподавательисследователь
Форма обучения: очная
Срок обучения: 4 года
Москва 2014
1. АВТОБИОГРАФИЯ.
1.1 Учёба в ВУЗе:
Какую специальность
Если
получил в результате
Факультет
Год
не
Год
окончания учебного
или
окончания окончил,
поступления
заведения, указать
отделение
или ухода то с какого
№ диплома или
курса ушел
удостоверения
Название учебного
заведения
и его
местонахождение
МИРЭА, Москва
Электроники
2009
2014
Микросистемная техника,
1.2 Работа:
Месяц и год
вступления
ухода
2008
2011
2013
2014
2014
Должность
с указанием учреждения,
организации, предприятия
ООО «Фокслинк», менеджер
проектов и разработок.
ИСВЧПЭ РАН, лаборант
ИСВЧПЭ РАН, инженерисследователь.
Местонахождение
учреждения, организации,
предприятия
Москва
Москва
Москва
Владение иностранными языками: английский
Хобби и увлечения: Авиамоделирование, музыкальные иснтрументы,
страйкбол.
Личные качества: ответственный, широкий кругозор, высокие моральные
качества.
2. МОИ ДОСТИЖЕНИЯ ДО ПОСТУПЛЕНИЯ В АСПИРАНТУРУ.
Окончил музыкальную школу №86, прошел курсы английского языка и
получил сертификат «Pre-intermediate», далее изучал язык самостоятельно.
Закончил школу со средним баллом за последние два года обучения 4,9.
3. ДОСТИЖЕНИЯ В РЕЗУЛЬТАТЕ ОСВОЕНИЯ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ
ПРОГРАММЫ АСПИРАНТУРЫ
3.1 Публикации
Публикации
Название
Расчет тепловых режимов
HEMT-транзисторов
на
основе
гетероструктуры
AlGaN/GaN
Моделирование
нестационарных тепловых
режимов
HEMTтранзистора.
Расчет
теплораспределяющего
элемента конструкции для
мощных СВЧ-транзисторов
Выходные данные
Кол-во п.л.
Электронный
вариант
публикации
Нано- и микросистемная
техника, 2014, № 11 6
(172), с. 43-48
Нано- и микросистемная
техника, 2014, № 12 4
(173), с. 3-6
Микроэлектроника,
2015, том 44, № 4, с. 269- 6
274
3.2 Мои достижения:
Тематика научноисследовательской
работы
Краткое описание награды
(приза), гранта, патента,
свидетельства
3.3
Публичное представление
исследовательской работы:
результатов
Электронный вариант
документа о
награждении
научно-
Не принимал участие.
3.4.Освоение образовательной программы аспирантуры:
Курс
Предмет
Оценка /
Зачет
Аттестация
1
2
3
4
Английский язык
История и философия науки
Физические основы
наноэлектроники
Физика поверхности
полупроводников для
наноэлектроники
Метаморфная технология
эпитаксиального выращивания
полупроводниковых
наногетероструктур
отлично
хорошо
Зачет
Зачет
Зачет
Аттестован