рабочая программа дисциплины - Томский государственный

РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ
«СОВРЕМЕННЫЕ СТРУКТУРНЫЕ МЕТОДЫ В ФТТ»
Томск – 2005
I. Oрганизационно-методический раздел
1. Цель курса
Курс читается в рамках магистерской подготовки по направлению 510400 – “ФИЗИКА”,
программа “Физика полупроводников и микроэлектроника”. Основная цель - формирование
у студента представлений о физике, технике и возможностях современных методов исследования твердых тел, практических навыков работы на приборах и умения анализировать результаты измерений.
2. Задачи учебного курса
Основные задачи данного курса - дать студентам основные представления о физических
принципах построения современных методов исследования структуры и составf твердых тел,
их конкретной приборной реализации.
Спецкурс базируется на курсах кристаллографии, рентгеноструктурного анализа,
электронной микроскопии, физики полупроводников и физического полупроводникового
материаловедения.
3. Требования к уровню освоения курса
После изучения курса студент должен знать принципы работы, возможности и
устройство важнейших исследовательских приборов, уметь анализировать информацию, с их
помощью получаемую.
II. Содержание курса
1. Темы и краткое содержание
№
Тема
1. Взаимодействие
ускоренных частиц с
твердым телом.
2. Методы
получения
ускоренных
частиц,
управление пучками.
Аналитическая
аппаратура.
3. Растровая электронная
микроскопия.
4. Рентгеноспектральный
микроанализ.
5. Оже-электронная
6.
7.
8.
Содержание
Обзор
возникающих
явлений.
Возможности
их
использования для анализа структуры и состава твердых тел.
Физические принципы, техническая реализация, основные
блоки, получаемая информация и ее анализ.
Физические принципы, техническая реализация, основные
блоки, получаемая информация и ее анализ
Физические принципы, техническая реализация, основные
блоки, получаемая информация и ее анализ
Физические принципы, техническая реализация, основные
блоки, получаемая информация и ее анализ
спектроскопия.
Рентгеновская
фотоэлектронная
спектроскопия.
Вторичная ионная масс- Физические принципы, техническая реализация, основные
спектроскопия.
блоки, получаемая информация и ее анализ
Спектрометрия
Физические принципы, техническая реализация, основные
обратного рассеяния
Резерфорда
9. Дифракция быстрых и
медленных электронов
10. Туннельная и атомносиловая микроскопия.
11. Электронная
микроскопия, в том числе, высокого разрешения.
12. Тенденции развития
микроаналитических
методов
блоки, получаемая информация и ее анализ
Физические принципы, техническая реализация, основные
блоки, получаемая информация и ее анализ
Физические принципы, техническая реализация, основные
блоки, получаемая информация и ее анализ
Физические принципы, техническая реализация, основные
блоки, получаемая информация и ее анализ
III. Распределение часов курса по темам и видам работ
№
пп
Наименование
темы
1
Взаимодействие
ускоренных частиц с
твердым телом.
Методы получения
ускоренных частиц,
управление пучками.
Аналитическая
аппаратура.
Растровая электронная
микроскопия
Рентгеноспектральный
микроанализ.
Оже-электронная
спектроскопия.
Рентгеновская
фотоэлектронная
спектроскопия.
Вторичная ионная массспектроскопия.
Спектрометрия
обратного рассеяния
Резерфорда.
Дифракция быстрых и
медленных электронов
Туннельная и атомносиловая микроскопия.
Электронная
микроскопия, в т.ч.
высокого разрешения.
Тенденции развития
микроаналитических
методов
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
ИТОГО
Всего
часов
Аудиторные занятия (час)
в том числе
лаборатор.
лекции
семинары
занятия
Самостоятельная
работа
4
2
2
-
7
3
2
-
2
20
4
2
12
2
7
3
4
-
9
3
4
-
4
2
2
-
21
3
4
12
6
2
4
-
16
2
2
12
6
2
4
-
32
6
4
18
2
2
-
-
134
34
34
54
2
2
4
12
IV. Форма итогового контроля
Зачет теоретический, зачет по лабораторным работам
V. Учебно-методическое обеспечение курса
1. Рекомендуемая литература (основная):
1. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ. В 2-х книгах. // пер. с
англ. под ред. В.И. Петрова. – М.: Мир, 1984.
2. Уманский Я.С., Скаков Ю.А., Иванов А.Н., Расторгуев Л.Н. Кристаллография,
рентгенография и электронная микроскопия. – М.: Металлургия, 1982. – 632 с.
3. Методы анализа поверхностей. /Под ред. А. Зандерны. - М.: Мир, 1979. - 562 с.
4. Основы аналитической электронной микроскопии. / под ред. Дж. Грена. Дж. И.
Гольштейна, Д.К. Джоя, А.Д. Ромига. – М.: Металлургия, 1990. – 584 с.
2. Рекомендуемая литература (дополнительная):
1. Электронно-зондовый анализ. /Под ред. И.Б. Боровского. - М.: Мир, 1974. - 260 с.
2. Практические методы в электронной микроскопии. /Под ред. О.М. Глоэра. - Л.:
Машиностроение, 1980. - 375 с.
3. Дифракционные и микроскопические методы в материаловедении. // под ред С.
Амелинкса, Р. Геверса, Дж. Ван Ланде / пер. с англ. под ред. М.П. Усикова. М.:
Металлургия, 1984. – 504 с.
4. Анализ поверхности методами ОЖЕ и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии.
/Под ред. Д. Биггса, М.П. Сиха. - М.: Мир, 1967. - 600 с.
5. Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности. - М.: Мир. 1989. - 568 с.
6. Фелдман Л., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок. - М.: Мир - 1989. 342 с.
Автор:
Ивонин Иван Варфоломеевич, д.ф.-м.н., профессор