ALL LIST PUBLICATIONS (RUS)(ENG)
( Standard of the American Physical Society)
ANTIMATTER AND POSITRONICS, POSITRON ANNIHILATION, PHYSICS OF COMPLEX SYSTEMS,
SYNERGETICS, MATERIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY, NANOTECHNOLOGY, OTHER ADJACENT
PROBLEMS
(Научные статьи, монографии, тезисы докладов и доклады на конференциях, депонированные тезисы докладов,
статьи и доклады, отчеты)
( Scientific papers, monographies, theses of the reports and reports on conferences, reports, dep. theses, papers and reports)
№ п/п
1. В.И.Гольданский, А.В.Иванова, Е.П.Прокопьев. Об аннигиляции позитронов в гидридах щелочных
металлов. Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1964. Т.47. Вып.8. С.659-666.
2. А.В.Иванова, Е.П.Прокопьев. Аннигиляция позитронов из связанных состояний системы е+Н-. Тезисы
доклада «Симпозиум по ядерной химии высоких энергий». М.: ИХФ АН СССР. 1963. С.6.
3. В.И.Гольданский, Е.П.Прокопьев. Об аннигиляции позитронов в щелочно-галоидных кристаллах. Физика
твердого тела. 1964. Т.6. Вып.11. 3301-3306.
4. А.В.Иванова, Е.П.Прокопьев. Об аннигиляции медленных позитронов в гидридах щелочных металлов.
Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1965. Т.48. Вып.4. С.1155-1158.
5. Гольданский В.И., Иванова А.В., Прокопьев Е.П. Применение метода Хартри-Фока к задачам аннигиляции
позитронов в конденсированных средах ионного типа // В кн.: Ядерная химия М.: Наука, 1965. С.249-267.
6. Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов из поляронных состояний в щелочногалоидных кристаллах // В кн: Ядерная химия. М.: Наука, 1965. С.282-289.
7. Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Захват позитронов дефектами в щелочно-галоидных кристаллах // В кн.:
Ядерная химия. М.: Наука, 1965. С.290-297.
8. Прокопьев Е.П. Об аннигиляции медленных позитронов в ионных кристаллах // В кн.: Тезисы докладов 4
Всесоюзного совещания по квантовой химии. Киев: Наукова Думка, 1966. С.70.
9. Прокопьев Е.П. Об аннигиляции термализованных позитронов в ионных кристаллах. Применение метода
аннигиляции для характеристики поляронных состояний // В кн.: Тезисы докладов 4 Всесоюзного
совещания по квантовой химии. Киев: Наукова Думка, 1966. С.71.
10. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Прокопьев Е.П. и др. Квантовые свойства атомов и ионов и позитронная
диагностика. Ташкент: ФАН, 1975. 242 с.
11. Арефьев К.П., Арифов П.У., Прокопьев Е.П. и др. Позитронсодержащие системы и позитронная
диагностика. Ташкент: ФАН, 1978. 192 с.
12. 19. Прокопьев Е.П. Применение метода аннигиляции для характеристики поляронных состояний в ионных
кристаллах // Физика твердого тела. 1966. Т.8. Вып.2. С.464-466.
13. Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Об аннигиляции медленных позитронов в ионных средах // Физика
твердого тела. 1966. Т.8. Вып.2. С.515-524.
14. Прокопьев Е.П. Об аннигиляции медленных позитронов в гелии // Теоретическая и экспериментальная
химия. 1966. Т.2. Вып.4. С.543-545.
15. Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Об аномалиях аннигиляции позитронов в ионных кристаллах // Письма
в ЖЭТФ. 1966. Т.4. Вып.5. С.422--425.
16. Прокопьев Е.П. О локализованных состояниях электронов на неидеальной поверхности полупроводника //
Физика твердого тела. 1966. Т.8. Вып. 11. С.2770-2772.
17. Иванова А.В., Прокопьев Е.П. О взаимодействии медленных позитронов с ионами Нв гидридах
щелочных металлов // Теоретическая и экспериментальная химия. 1967. Т.3. Вып.4. С.471-477.
18. Прокопьев Е.П. Атом позитрония в твердых телах // Физика твердого тела. 1967. Т.9. Вып.7. С.1266-1268.
19. Прокопьев Е.П. Влияние хемосорбции свободных атомов на электрофизические свойства тонких окисных
полупроводниковых пленок // Кинетика и катализ. 1968. Т.9. №2. С.450-451.
20. Цыганов А.Д., Варисов А.З., Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в окислах металлов
// Физика твердого тела. 1969. Т.11. Вып.8. С.2079-2087.
21. Бартенев Г.М., Цыганов А.Д. Варисов А.З., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в кварце, облученном
быстрыми нейтронами // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1970. Т.58. Вып.6. С.19041910.
22. Прокопьев Е.П. О возможности применения метода аннигиляции позитронов для характеристики
экситонных состояний в ионных кристаллах // Известия ТСХА. 1970. №1. С.227-230.
23. Бартенев Г.М., Плетнев М.Н., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Образование и динамическая стабильность
атома позитрония в ионных кристаллах // Физика твердого тела. 1970. Т.12. Вып.6. С.2733-2735.
24. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. О возможности применения методов аннигиляции
позитронов для исследования процессов хемосорбции // Кинетика и катализ. 1970. Т.11. Вып.3. С.808-809.
25. Прокопьев Е.П. Аномальное тушение триплетного позитрония магнитным полем в конденсированной фазе
// Известия ТСХА. 1970. №5. С.197-203.
26. Бартенев Г.М., Цыганов А.Д., Прокопьев Е.П., Варисов А.З. Атом позитрония в ионных кристаллах //
Известия вузов. Физика. 1970. №7. С.71-75.
27. Гольданский В.И., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Определение эффективных зарядов отрицательных ионов
по временам жизни позитронов // Журнал структурной химии. 1970. №6. С.1123-1124.
28. Бартенев Г.М., Варисов А.З., Гольданский В.И., Плетнев М.Н., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Атом
позитрония в окисных полупроводниках с развитой поверхностью // ДАН СССР. 1970. Т.197. №2. С.560563.
29. Бартенев Г.М., Плетнев М.Н., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Аннигиляция позитронов из связанных
состояний системы О2-е+ в кристаллах // Физика твердого тела.1971. Т.13. С.1211-1213.
30. Бартенев Г.М., Варисов А.З., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Термализация позитронов в ионных
кристаллвх // Известия вузов. Физика. 1971. №4. С.68-72.
31. Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в идеальных ионных кристаллах // Физика
твердого тела. 1971. Т.13. Вып.10. С.2955-2964.
32. Гольданский В.И., Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Слабо связанные поверхностные состояния атома
позитрония // Физика твердого тела. 1971. Т.13. Вып.11. С.3194-3198.
33. Бартенев Г.М., Цыганов А.Д., Прокопьев Е.П., Варисов А.З. Аннигиляция позитронов в ионных кристаллах
// Успехи физических наук. 1971. Т.103. Вып.2. С.339-354.
34. Бартенев Г.М.,
Варисов А.З., Иванова А.В., Плетнев М.Н., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д.
Атом позитрония в ионных кристаллах с решегкой типа NaCl // Физика твердого тела 1972. Т.14. Вып.3.
С.715-717.
35. Варисов А.З., Прокопьев Е.П. Позитронные центры в дефектных ионных кристаллах // Физика твердого
тела. 1972. Т.14. С.588-590.
36. Прокопьев Е.П. О свойствах F+ - центров в дефектных кристаллах с ионным типом связи // Физика
твердого тела. 1972. Т.14. Вып.10. С.2924-2926.
37. Бартенев Г.М., Варисов А.З., Гольданский В.И., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Определение эффективных
зарядов анионов в средах ионного типа позитронным методом // Успехи химии. 1972. Т.41. Вып.4. С.585599.
38. ПрокопьевЕ.П. Энергетический спектр и аннигиляционные характеристики атома позитрония в ионных
кристаллах // Оптика и спектроскопия. 1974. Т.36. Вып.2. С.361-367.
39. Варисов А.З., Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в ионных кристаллах // Химия
высоких энергий. 1974. Т.8. Вып.4. С.368. - Деп. в ВИНИТИ. №59-74 Деп., 47 с.
40. Прокопьев Е.П. Атом позитрония в полупроводниках // Известия вузов. Физика. 1974. №4. С.38-40.
41. Прокопьев Е.П. Об аннигиляции позитронов на глубоких примесных уровнях в полупроводниках // Физика
твердого тела. 1974. Т.16. Вып.3. С.730-732.
42. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях в щелочно-галоидных кристаллах
// Известия вузов. Физика. 1974. №10. С.76-79.
43. Прокопьев Е.П. О диффузии и кинетике распада ортопозитрония в пористых ионных системах с развитой
поверхностью // Кинетика и катализ. 1977. Т.18. С.776-779.
44. Прокопьев Е.П. Влияние фононов решетки на энергетический спектр и аннигиляционные характеристики
атома позитрония в ионных кристаллах. М., 1975. 6 с. Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1456.
РИ.75.15.3799.
45. 52. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Воробьев С.А. Аномально сильное магнитное тушение интенсивности
долгоживущей компоненты времени жизни позитрона I 2 в ионных кристаллах // Известия вузов. Физика.
1975. №6. С.147-148.
46. 53. Прокопьев Е.П. О применении метода аннигиляции позитронов в спектроскопии твердых тел. М., 1975.
15 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1454. РИ.75.3800.
47. 54. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. О полиэлектронных системах Уилера в дефектных кристаллах // Оптика
и спектроскопия. 1975. Т.39. С.998-999.
48. Прокопьев Е.П. О механизме аннигиляции позитронов в ионных кристаллах. М., 1975. 11с. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-1455. РИ.75.15.3797.
49. Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н. О применении метода аннигиляции позитронов для изучения электронной
структуры и физико-химических характеристик материалов. М., 1975. 29 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”.
Р-1422. РИ.75.09.2278.
50. Прокопьев Е.П. О таммовских позитронных состояниях в полупроводниках. М., 1975. 8 с. - Деп. в
ЦНИИ ”Электроника”. Р-1452. РИ.75.15.3795.
51. Прокопьев Е.П. Многоэлектронная теория моттовского состояния позитрония в ионных кристаллах. М.,
1975. 8 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1457. РИ.75.15.3796.
52. Прокопьев Е.П. Теория аннигиляции позитронов в ионных кристаллах.
М., 1975. 11 с. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-1453. РИ.75.15.3798.
53. Прокопьев Е.П. Позитроны и атом позитрония в идеальных ионных кристаллах // В кн.: Квантовые
свойства атомов и ионов и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1975. Гл.3-4. С. 117-136.
54. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Кинетические схемы процесса аннигиляции позитронов в ионных
кристаллах // В кн.: Тезисы докладов “3 Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных
кристаллов”. Саласпилс, 1975. С.275.
55. Прокопьев Е.П. Краткие сведения о возможной классификации и свойствах позитронных состояний в
ионных кристаллах // В кн.: “3 Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных
кристаллов”. Саласпилс, 1975. С.271.
56. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. О кинетике аннигиляционного распада позитронных состояний в реальных
ионных кристаллах // Известия вузов. Физика. 1977. №9. С.50-55.
57. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Стародубов В.Г. О поверхностных позитронных и
позитрониевых состояний в ионных кристаллах // Известия вузов. Физика. 1978. №1. с.76-80.
58. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. , Разумовская И.В., Хашимов Ф.Р., Кузнецов Ю.Н., Маркова Т.И.
Аннигиляция позитронов в монокристаллах арсенида галлия // В кн.: Позитронсодержащие системы и
позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1978. С.118-122.
59. Varisov A.Z., Prokopiev E.P. Positronium in ionic crystals and semiconductors // In book: Abstracts of papers 4
Internat. Conf. on Positron Annihilation. Helsingor, Denmark. 23-26 august 1976. P.2. F-3.
60. Прокопьев Е.П. Об аномальных свойствах атома позитрония (Ps) в ионных кристаллах и полупроводниках
// Физика твердого тела. 1977. Т.19. Вып.2. С.472-475.
61. Прокопьев Е.П. Особенности позитронных аннигиляционных спектров полупроводников с глубокими
примесными центрами // В кн.: Тезисы докладов “23 Всесоюзная конференция по люминесценции”.
Кишинев: Штиница. 1976. С.5.
62. Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Батавин В.В. Феноменологическая теория глубоких примесных центров и
оптические переходы в полупроводниках. М., 1976. 17 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1717.
РИ.76.12.3940.
63. Прокопьев Е.П. Позитронные и позитрониевые состояния в реальных ионных кристаллах // В кн.:
Квантовые свойства атомов и ионов и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1975. С.137-167.
64. Прокопьев Е.П. Метод квантового дефекта в применении к задачам аннигиляции термализованных
позитронов на глубоких примесных центрах в полупроводниках // В кн.: Позитронсодержащие системы и
позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1978. С.100-103.
65. Прокопьев Е.П. О процессах распада и превращений позитронных состояний в полупроводниках с
глубокими примесными центрами // В кн.: Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика.
Ташкент: ФАН, 1978. С.95-100.
66. Прокопьев Е.П. О взаимодействии термализованных позитронов с глубокими примесными центрами в
полупроводниках // В кн.: Тезисы докладов “28 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре
атомного ядра”. Л.: Наука, 1978. С.550.
67. Прокопьев Е.П. О влиянии температуры на позитронные аннигиляционные спектры дефектных ионных
кристаллов // В кн.: Тезисы докладов “28 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного
ядра”. Л.: Наука, 1978. С.551.
68. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Арефьев В.П. О сопоставлении свойств позитронных и электронных
центров окраски // В кн.: Тезисы докладов “4 Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии
ионных кристаллов”. Саласпилс, 1978. С.101.
69. Прокопьев Е.П. О свойствах атомов мюония и позитрония в полупроводниках и ионных кристаллах // В
кн.: Тезисы докладов “28 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука,
1978. С.552.
70. Прокопьев Е.П. Некоторые вопросы теории позитронных состояний и механизм аннигиляции позитронов в
реальных кристаллах. М., 1976. 15 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1664. РИ.76.07.2280.
71. Прокопьев Е.П. Применение метода позитронной аннигиляции для исследования сорбционных процессов //
В кн.: “Ионный обмен и хроматография. Рефераты и краткие сообщения”. Воронеж: Изд-во ВГУ, 1976.
С.333.
72. Прокопьев Е.П. О роли исследования позитронных и позитрониевых состояний в науке и технике // В кн.:
“Cимпозиум по взаимодействию атомных частиц с поверхностью твердого тела, посвященного памяти
академика АН УзССР У.А.Арифова”. Ташкент : ФАН, 1979. С.113.
73. Прокопьев Е.П. Позитронные состояния и механизм процессов аннигиляции позитронов в реальных
полупроводниках // Тезисы докладов 4 Всесоюзного совещания “Физика и технические применения
полупроводников А2В6 “. Киев: Наукова Думка, 1976. С.165.
74. Прокопьев Е.П. Определение эффективных зарядов атомов по позитронным аннигиляционным спектрам
полупроводниковых соединений А2В6”. Киев: Наукова Думка, 1976. С.166.
75. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Цой А.А. Аннигиляция позитронов в облученном
электронами кристалле кремния // Физика твердого тела. 1977. Т.19. С.1339-1344.
76. Прокопьев Е.П. Теория атома позитрония (Ps) в ионных кристаллах и полупроводниках. М.,1977. 15 с. Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1974. РИ.77.01.542.
77. Прокопьев Е.П. О влиянии поверхностных состояний на границе раздела полупроводник n-типа - металл на
величину барьера Шоттки // Электронная техника. Сер.3. Микроэлектроника. 1979. Вып.1. С.93-95.
78. Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Хашимов Ф.Р. Основы позитроники полупроводников. М.,1976. 343 с. Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2073. РИ.77.06.3412.
79. Прокопьев Е.П., Батавин В.В. Применение феноменологической теории Райсса-Кауса к оптическим
переходам в полупроводниках с участием примесных центров с глубоким уровнем. М., 1978. 5 с. - Деп. в
ЦНИИ “Электроника”. Р-2543. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №6. 1979. Сер. “ЭР”.
80. Мокрушин А.Д., Кузнецов Ю.Н., Ольховикова Т.И., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Аннигиляция
позитронов в монокристаллах полупроводниковых соединений А3В5 // Физика твердого тела. 1977. Т.19.
Вып.11. С.3339-3344.
81. Воробьев А.А., Арефьев К.П., Воробьев С.А., Каретников А.С., Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Хашимов
Ф.Р. Маркова Т.И. Исследование процесса аннигиляции позитронов в нарушенных поверхностных слоях
GaAs // Физика и техника полупроводников. 1977. Т.11. Вып.4. С.651-655.
82. Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н. К вопросу обоснования оптической модели атома позитрония в ионных
кристаллах // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1978. Вып.1. С.64-67.
83. Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н. О применении метода аннигиляции для исследования свойств
полупроводниковых материалов при высоких давлениях // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1977.
Вып.2. С.114-116.
84. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Термализация позитронов в атомных полупроводниках // Известия вузов.
Физика. 1978. №7. С.152-153.
85. Батавин В.В., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. О форме спектров фотолюминесценции на глубоких
примесных центрах сложного состава в арсениде галлия. М., 1978. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2367.
Сб. ВИМИ “Военная техника и экономика”. Сер. общетехническая. №14. 1978.
86. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Ильясов А.З., Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Иванютин Л.А.
Исследование аннигиляции позитронов в полупроводниковых соединениях GaAs и GaP // Физика и
техника полупроводников. 1978. Т.12. Вып.5. С.891-894.
87. Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях на поверхности и в нарушенных поверхностных слоях
полупроводников // В кн.: Тезисы докладов “6 Всесоюзное совещание по физике поверхностных явлений в
полупроводниках”. Киев: Наукова Думка. 1977. С.88.
88. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Арефьев В.П., Воробьев С.А. Влияние температуры на позитронные
аннигиляционные спектры дефектных ионных кристаллов // Известия вузов. Физика. 1980. №11. С.118120.
89. Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Исследование механизма и динамики релаксации неустойчивых процессов
в электронном материаловедении // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1978. Вып.7. С.35-39.
90. Арефьев К.П., Батавин В.В., Воробьев С.А., Кузнецов Ю.Н., Погребняк А.Д., Прокопьев Е.П.
Аннигиляция позитронов в эпитаксиальных слоях GaAs // Физика и техника полупроводников. 1978. Т.12.
С.803-806.
91. Прокопьев Е.П. Позитроний и его свойства в полупроводниках и щелочно-галоидных кристаллах // Химия
высоких энергий. 1978. Т.12. Вып.2. С.172-174.
92. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Этин Г.И. Анизотропия импульсного распределения
электронов полупроводников по данным аннигиляции позитронов // Известия вузов. Физика. 1978. №7.
С.153-155.
93. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Ильясов А.З., Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Иванютин Л.А., Хряпов В.Т.,
Литош А.Г., Бочкарев С.Э. Исследование методом аннигиляции позитронов свойств глубоких акцепторных
уровней в арсениде и фосфиде галлия // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1978. Вып.7. С.46-52.
94. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Кузнецов Ю.Н., Маркова Т.И., Погребняк А.Д., Прокопьев Е.П., Хашимов
Ф.Р. Взаимодействие позитронов с дислокациями в полупроводниках GaAs n-типа // Физика твердого тела.
1979. Т.21. Вып.1. С.278-280.
95. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Арефьев В.П., Погребняк А.Д. Исследование структурных
дефектов (пленка-подложка) полупроводников методом аннигиляции позитронов // В кн: Тезисы докладов
“5 Симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов”. Новосибирск: Изд-во АН
СССР, 1978. С.157.
96. Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П., Варисов А.З. Основы теории позитронных состояний в ионных
кристаллах. М., 1978. 292 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”, Р-2382. Сб. ВИМИ “Военная техника и
экономика”. Сер. общетехническая. №14. 1978.
97. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Арефьев В.П. О позитронных состояниях на поверхности и в дефектных
поверхностных слоях полупроводников // Известия вузов. Физика. 1979. №7. С.71-75.
98. Варисов А.З., Арефьев К.П., Воробьев А.А., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Позитроны в
конденсированных средах. М., 1977. 489 с. - Деп. в
ЦНИИ “Электроника”. Р-2317. Сб. ВИМИ “
Военная техника и экономика”. Сер. общетехническая. №9. 1978.
99. Варисов А.З., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Почему в полупроводниках наблюдается одно короткое
время жизни позитронов // ДАН СССР. 1978. Т.239. №5. С.1082-1085.
100. Варисов А.З., Прокопьев Е.П. Рассеяние атомов позитрония на оптических фононах в ионных кристаллах.
Термализация позитрония // Известия вузов. Физика. 1979. №5. С.66-70.
101. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Цой А.А., Этин Г.А., Погребняк А.Д. Исследование
полупроводниковых материалов методом аннигиляции позитронов // В кн: Тезисы докладов Всесоюзной
конференции “Радиационные дефекты в твердых телах”. Ашхабад: Изд-во ТГУ, 1977. С.63.
102. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Погребняк А.Д. Использование метода аннигиляции
позитронов для исследования примесных и деформированных образцов GaAs // В кн: Тезисы докладов “8
Всесоюзная конференция по микроэлектронике”. М.: Ред.-изд. отдел МИЭТ, 1978. С.71.
103. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Погребняк А.Д. Исследование аннигиляции позитронов в GaAs п-типа с
различной плотностью дислокаций и в эпитаксиальных слоях // В кн.: Тезисы докладов “28 Совещание по
ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1978. С.542.
104. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Ильясов А.З., Прокопьев Е.П. Некоторые особенности аннигиляции
позитронов в соединениях А3В5 // В кн.: Тезисы докладов Всесоюзной конференции “Физика соединений
А3В5”. Л.: Изд.-во ЛПИ, 1978. С.43.
105. Прокопьев Е.П. О новом ядерно-физическом методе исследования свойств веществ // В кн.: Тезисы
докладов “4 Всесоюзная конференция по радиационной физике и химии ионных кристаллов”. Саласпилс,
1978. С.409.
106. Прокопьев Е.П. О возможности исследования поверхностных свойств полупроводников и процесса
адсорбции атомов и молекул методом аннигиляции позитронов // Тезисы докладов 3 Всесоюзного
совещания “Дефекты структуры в полупроводниках”. Новосибирск: Изд-во СО АН СССР, 1978. С.258.
107. Прокопьев Е.П. О применении теории Райсса-Кауса к оптическим переходам и аннигиляции позитронов в
полупроводниках с участием глубоких примесных центров // В кн.: Тезисы докладов 3 Всесоюзного
совещания “Дефекты структуры в полупроводниках”. Новосибирск: Изд-во СО АН СССР, 1978. С.150.
108. Варисов А.З., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в полимерах. М., 1978. 126 с. - Деп.
в ЦНИИ “Электроника”. Р-2501. Сб. ВИМИ “Военная техника и экономика”. Сер. общетехническая. №24.
1978.
109. Аршакуни Р.Г., Захарянц А.Г., Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в иттрийалюминиевом гранате, облученном жестким гамма-излучением // В кн.: Тезисы докладов “4 Всесоюзное
совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов”. Саласпилс, 1978. С.367.
110. Дружков А.П., Кузнецов В.П., Прокопьев Е.П., Чистяков Ю.Д. Исследования сверхпроводящих
поликристаллических пленок ниобия и ГЭС ниобия на  - Al2O3 методом аннигиляции позитронов // В кн.:
Тезисы докладов “20 Всесоюзное совещание по физике низких температур”. М.: Изд-во МГУ, 1979. Т.3.
“Cверпроводимость”. С.77.
111. Дружков А.П., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П., Федоров В.А. Исследование аннигиляции позитронов в
кремнии, содержащем дефекты, возникающие в процессе эпитаксиального наращивания пленок // Физика и
техника полупроводников. 1980. Т.14. С.200-202.
112. Прокопьев Е.П. Комплексы Уилера в полупроводниках. М., 1979. 12 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р2757. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №28. 1979. Сер. “ЭР”.
113. Прокопьев Е.П. Особенности позитронной спектроскопии широкозонных полупроводников // Тезисы
докладов “3 Всесоюзное совещание по широкозонным полупроводникам”. Л.: Изд-во ЛЭТИ, 1978. С.32.
114. Прокопьев Е.П. К теории аннигиляционного распада позитронных и позитрониевых состояний внутри
разупорядоченных областей (РО) и других макродефектах в полупроводниках // В кн.: Тезисы докладов “29
Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1979. С.499.
115. Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Ильясов А.З., Кузнецов Ю.Н., Иванов Г.А., Прокопьев Е.П.
Аннигиляция позитронов в фосфиде галлия, легированном атомами переходных элементов // Физика и
техника полупроводников. 1979. Т.13. С.1810-1815.
116. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в соединениях A 2B6 // Физика твердого тела.
1979. Т.21. С.2452-2454.
117. Прокопьев Е.П. Об аннигиляции позитронов и атома позитрония в разупорядоченных областях и других
макродефектах в полупроводниках. М., 1979. 15 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2648. МРС ВИМИ
“Техника, технология, экономика”. №19. 1979. Сер.”ЭР”.
118. Гарнак А.Е., Мокрушин А.Д., Прилипко В.И., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Исследование методом
аннигиляции позитронов полупроводниковых соединений // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1979.
Вып.5. С.62-66.
119. Прокопьев Е.П. Аннигиляционный распад связанных позитронных и позитрониевых состояний на донорноакцепторных парах в полупроводниках //
В кн.: Тезисы докладов “30 Совещание по ядерной
спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1980. С.555.
120. Прокопьев Е.П., Батавин В.В., Хашимов Ф.Р. О механизме захвата позитронов 60 0 дислокациями в
полупроводниках п- и р-типа // В кн.: Тезисы докладов “Cимпозиум по взаимодействию атомных частиц с
поверхностью твердого тела, посвященного памяти академика АН УзССР У.А.Арифова”. Ташкент: ФАН,
1979. С.145.
121. Антуфьев Ю.П., Мищенко В.М., Иванютин Л.А., Мокрушин А.Д., Попов А.И., Прокопьев Е.П., Сторижко
В.Е. Трехквантовая аннигиляция позитронов в полупроводниковых соединениях фосфиде и арсениде
галлия // Тезисы докладов “Cимпозиум по взаимодействию атомных частиц с поверхностью твердого тела,
посвященного памяти академика АН УзССР У.А.Арифова”. Ташкент: ФАН, 1979. С.143-144.
122. Дружков А.П., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в автоэпитаксиальных структурах (АЭС) кремния
// В кн.: Тезисы докладов “Cимпозиум по взаимодействию атомных частиц с поверхностью твердого тела,
посвященного памяти академика АН УзССР У.А.Арифова”. Ташкент: ФАН, 1979. С.122-123.
123. Прокопьев Е.П. Введение в теорию позитронных процессов в полупроводниках и ионных кристаллах. М.,
1979. 384 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2837. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №27.
1980. Сер.”ЭР”.
124. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в алмазоподобных полупроводниках // Тезисы
докладов “30 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1980. С.553.
125. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Влияние Оже-процессов на аннигиляционный распад комплексов Уилера
в полупроводниках // Тезисы докладов “30 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного
ядра”. Л.: Наука, 1980. С.556.
126. Прокопьев Е.П. Об аннигиляционном распаде позитронных и позитрониевых состояний в сильно
компенсированных полупроводниках // Тезисы докладов “30 Совещание по ядерной спектроскопии и
структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1980. С.554.
127. Батавин В.В., Дружков А.П., Гарнак А.Е., Мокрушин А.Д,, Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Исследование
дефектов в эпитаксиальных структурах кремния, возникающих в процессе термообработки, методом
аннигиляции позитронов // Микроэлектроника. 1980. Т.9. С.120-122.
128. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Минаев В.С., Бадру Киссека, Куприянова Р.М. Аннигиляция позитронов
в халькогенидных полупроводниковых материалах // Физика и техника полупроводников. 1980. Т.14.
Вып.7. С.1271-1275.
129. Прокопьев Е.П. Особенности позитронной спектроскопии полупроводников // В кн.: “Проблемы физики и
технологии широкозонных полупроводников. 2-е Всесоюзное совещание по широкозонным
полупроводникам. Ленинград, 1979”. Л.: ФТИ им. А.Ф. Иоффе. 1979. С.265-269.
130. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Разумовская И.В., Григорович С.М. Аннигиляция позитронов в
кристаллах со структурой граната // Физика твердого тела. Т.22. Вып.4. С.1252-1253.
131. Varisov A.Z., Prokopiev E.P. Positron- and positronium atom-phonon scatterring in ionic crystals and
semiconductors // In book: Abstracts of the Fifth International Conference on Positron Annihilation. Lake
Yamanaka. Japan 8-11 april. 1979. NL-21. P.208.
132. Varisov A.Z., Prokopiev E.P., Kuznetsov Yu.N. The foundations of positronics of real ionic crystals and
semiconductors // In book: Abstracts of the Fifth International Conference on Positron Annihilation. Lake
Yamanaka. Japan. 8-11 april. 1979. NL-22. P.208.
133. Варисов А.З., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П., Филипьев А.И. Физика и химия превращений позитронов и
позитрония в полимерах // Успехи химии. 1980. Т.50. Вып.4. С.1892-1922.
134. Антуфьев Ю.П., Мищенко В.М., Иванютин Л.А., Попов А.И., Прокопьев Е.П., Сторижко В.Е.
Исследование трехквантовой аннигиляции позитронов в полупроводниках GaP и GaAs // Украинский
физический журнал. 1980. Т.25. С.1396-1398.
135. Варисов А.З., Прокопьев Е.П. Особенности магнитного тушения позитрония в полупроводниках // Известия
вузов. Физика. 1980. №11. С.75-78.
136. Прокопьев Е.П. Исследование механизма захвата 60-градусными дислокациями в полупроводникапх п- и ртипов атомов пара-Ps. Определение параметров 60-градусных дислокаций // Электронная техника. Сер.6.
Материалы. 1980. Вып.1. С.71-74.
137. Захарянц А.Г., Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в области р-п перехода в кремнии //
Известия АН Армянской ССР. Физика. 1980. Т.14. С.1414-1418.
138. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Образование и распад позитронных состояний в полупроводниках // В кн.:
Тезисы докладов “31 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1981.
С.569.
139. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. О рассеянии позитронов на точечных и линейных дефектах в
полупроводниках. Время термализации позитрона при низких температурах // В кн.: Тезисы докладов “31
Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1981. С.568.
140. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Стародубов В.Г., Цой А.А., Минаев В.С., Семенов Ю.С., Хряпов В.Т.
Аннигиляция позитронов в кристаллических и стеклообразных материалах тройных систем Tl-Ge-Te и TlSi-Te // Физика и техника полупроводников. 1980. Т.14. С.1904-1907.
141. Арефьев К.П., Боев О.В., Прокопьев Е.П. Влияние экранирования свободными носителями на свойства
атома позитрония в реальных полупроводниках // Физика и техника полупроводников. 1981. Т.15. С.2089. Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3135. М., 1981. 6 с.
142. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Нурмагамбетов С.Б. Комплексы Уилера в кристаллах // Известия вузов.
Физика. 1981. №4. С.16-17.
143. Халваши Х.Т., Прокопьев Е.П., Арефьев К.П. К вопросу теории термализации позитронов // Известия
вузов. Физика. 1981. №4 . С.16-17.
144. Прилипко В.И., Прокопьев Е.П. Позитронная аннигиляция - новый неразрушающий метод контроля
качества материалов // Электронная промышленность. 1980. №11-12. С.20-22.
145. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Хвостов Д.В., Кузнецов Ю.Н., Хашимов Ф.Р., Гарнак А.Е., Дементьев
Ю.С. Анализ дефектности стандартных пластин кремния методом аннигиляции позитронов // Журнал
технической физики. 1981. Т.51. С.1938-1941.
146. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Хвостов Д.В., Кузьмин А.А. Исследование эпитаксиальных структур
КНС и подложек сапфира методом аннигиляции позитронов // Электронная техника. Сер.6. Материалы.
1981. Вып.2. С.32-34.
147. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П. Позитроника в радиационном материаловедении ионных
структур и полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1983. 88 с.
148. Бочкарев С.Э., Иванютин Л.А., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков
Ю.В. Исследование радиационных нарушений, возникающих при облучении протонами GaAs п-типа,
методом позитронной аннигиляции // Физика твердого тела. 1981. Т.23. Вып.1. С.211-214.
149. Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т., Арефьев К.П. К вопросу теории термализации позитронов в твердых телах
// В кн.: Тезисы докладов “31 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука,
1981. С.556.
150. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Цой А.А. Исследование примесных атомов в полупроводниковых
кристаллах методом аннигиляции позитронов // Тезисы докладов “31 Совещание по ядерной
спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1981. С.552.
151. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в реальных полупроводниках // В сб.:
Прикладная ядерная спектроскопия. М.: Энергоатомиздат, 1982. Т.11. С.236-238.
152. Бочкарев С.Э., Иванютин Л.А., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков
Ю.В. Исследование радиационных нарушений в полупроводниковых соединениях A 3B5, облученных
гамма-квантами и протонами, методом позитронной аннигиляции. Препринт ИТЭФ-133. М.: Изд-во ОНТИ
ИТЭФ, 1980. 18 с.
153. Арефьев К.П., Блецкан Н.И., Кузнецов П.В., Прокопьев Е.П. Захват позитронов радиационными дефектами
в Si п- и р-типа // Физика твердого тела. 1981. Т.23. С.1542-1545.
154. Батавин В.В., Прокопьев Е.П., Салманов А.Р., Фунтиков Ю.В. К вопросу определения зарядовых состояний
атомов кислорода в кремнии методом аннигиляции позитронов // Электронная техника. Сер.3.
Микроэлектроника. 1981. Вып.3. С.95-97.
155. Прокопьев Е.П. О природе позитронных состояний в кремнии // Электронная техника. Сер.6. Материалы.
1981. Вып.9. С.47-48.
156. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Прокопьев Е.П. Исследование дефектной структуры материалов первой
стенки разрядной камеры термоядерных реакторов методом аннигиляции позитронов // В кн.: Тезисы
докладов “31 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1981. С.601.
157. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Образование и распад позитронных состояний в полупроводниках // В сб.:
Прикладная ядерная спектроскопия. Л.: Энергоатомиздат, 1984. Т.13. С.87-89.
158. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Рассеяние позитронов на точечных и линейных дефектах в полупроводниках.
Время термализации позитронов при низких температурах // В сб.: Прикладная ядерная спектроскопия. Л.:
Энергоатомиздат, 1984. Т.13. С.82-84.
159. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Цой А.А., Дерябин А.Н., Хряпов В.Т. Исследование примесных атомов в
полупроводниковых соединениях A3B5 методом позитронной аннигиляции // Физика и техника
полупроводников. 1982. Т.16. Вып.1. С.147-149.
160. Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Крупышев Р.С., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в
фосфиде галлия, легированном медью // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1982. Вып.11. С.27-28.
161. Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Иванов Г.А., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в
фосфиде галлия, легированном марганцем // Физика и техника полупроводников. 1981. Т.15. С.708-711.
162. Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. К теории термализации позитронов в веществах // Труды педагогических
институтов Грузинской ССР. 1980. Т.7. С.141-146.
163. Прокопьев Е.П. О влиянии дефектов структуры тригонального селена на степень локализации позитрония и
анализ его дефектности // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1981. Вып.11. С.48-50.
164. Прокопьев Е.П. Исследование процессов физической адсорбции и хемосорбции с помощью медленных
позитронов // В кн.: Краткие сообщения “18 Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике”. М.:
Наука, 1981. С.314-315.
165. Прокопьев Е.П. Исследование поверхности полупроводниковых материалов с помощью медленных
позитронов // В кн.: Краткие сообщения “18 Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике”. М.:
Наука, 1981. С.313.
166. Арефьев К.П., Минаев В.С., Прокопьев Е.П. Цой А.А. К вопросу исследования стеклообразного состояния
методом позитронной аннигиляции // В кн.: Тезисы докладов “7 Совещание по стеклообразному
состоянию”. Л.: Изд-во АН СССР, 1981. С.46.
167. Арифов П.У., Прокопьев Е.П., Арутюнов Н.Ю. К вопросу исследования дефектов структуры материалов
первой стенки разрядной камеры термоядерных реакторов методом позитронной аннигиляции // В кн.:
Тезисы докладов “32 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Самарканд: Наука,
1981. С.601.
168. Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Особенности аннигиляции медленных позитронов в металлах и образование
атома позитрония // Труды педагогических институтов Грузинской ССР. 1981. Т.9. С.63-64.
169. Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Аннигиляция позитрония в ионных кристаллах // Труды педагогических
институтов Грузинской ССР. 1981. Т.9. С.65-68.
170. Варисов А.З., Прокопьев Е.П., Арефьев К.П. Природа магнитного тушения позитрония в полупроводниках
// В кн.: Тезисы докладов “32 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука,
1982. С.515.
171. Арефьев К.П., Стародубов В.Г., Цой А.А., Этин Г.И., Прокопьев Е.П., Минаев В.С., Куприянова Р.М.,
Хряпов В.Т. Аннигиляция позитронов в кристаллических и стеклообразных As 2S3 и As2Se3 // Физика и
техника полупроводников. 1980. Т.14. Вып.11. С.2163-2166.
172. Прилипко В.И., Прокопьев Е.П., Федоров В.А., Арефьев К.П. Применение позитронной аннигиляции в
качестве неразрушающего метода контроля качества материалов // Известия вузов. Физика. 1982. №5. С.4043.
173. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Позитроны и атом позитрония в ионных кристаллах // В кн.: Тезисы докладов
“32 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1982. С.514.
174. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Исследование свойств атома позитрония в полупроводниках
по методу Фока // Межвузовский сборник научных работ. Тбилиси: Изд-во ТГПИ им. А.С.Пушкина. 1982.
С.50-54.
175. Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Крупышев Р.С.,
Прокопьев Е.П., Тращаков В.Ю.
Исследование подложек фосфида галлия, легированных медью, методом аннигиляции позитронов // В кн.:
Тезисы докладов “6 Конференция по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и
пленок”. Новосибирск: ИНХ СО АН СССР, 1982. С.67-68.
176. Прокопьев Е.П. Термализация позитронов в германии и кремнии // Электронная техника. Сер.6.
Материалы. 1983. Вып.8. С.75-76.
177. Прокопьев Е.П. Исследование позитронсодержащих атомов и ионов методом Хартри-Фока. М., 1982. 32 с. Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3413. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №17. 1982. Сер.”О”.
178. Kobrin B.V., Kuprijanova R.M., Minaev V.S., Prokopiev E.P., Shantarovich V.P. Study of imperfections in GeTe semiconductors by the positron annihilation technique // Phys. status solidi (a). 1982. V.73. №2. P.321-324.
179. Прокопьев Е.П. Позитронная томография - новый метод неразрушающего контроля качества материалов //
Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1982. С.36-37.
180. Kobrin B.V., Kuprijanova R.M., Minaev V.S., Prokopiev E.P., Shantarovich V.P. Study of imperfections in
semiconductors by positron annihilation technique // Proc. of the internat. conf. “Amorphous Semiconductors” - 82.
Bucharest. 30 august - 4 semtember, 1982. P.189-191.
181. Kobrin B.V., Kuprijanova R.M., Minaev V.S., Prokopiev E.P., Shantarovich V.P. Influence of Tl small admixtures
on the structure of glassy As-S-Se semiconductors (Positron annihilation technique) // Proc. of the internat. conf.
“Amorphous Semiconductors” - 82. Bucharest. 30 august - 4 semtember, 1982. P.191-193.
182. Прокопьев Е.П. О новых методах исследования материалов электронной техники с помощью позитронной
аннигиляции // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1983. Вып.1. С.72-73.
183. Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Иванов Г.А., Прокопьев Е.П., Тращаков В.Ю.
Аннигиляция позитронов в GaP, легированном атомами Mn и Cu // В кн.: Тезисы докладов “32 Совещание
по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука. С.591.
184. Прокопьев Е.П. Позитроны и позитроний в кристаллах. М., 1982. 138 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р3475. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №8. 1983. Сер.”ЭР”.
185. Прокопьев Е.П. О динамике позитрония и позитронов в кристаллах // Электронная техника. Сер.6.
Материалы. 1983. Вып.8. С.29-30.
186. Прокопьев Е.П. Простая модель связанного состояния позитрона на вакансиях металлов // В кн.:
“Радиационные дефекты в металлах. Материалы 2 Всесоюзного совещания. Алма-Ата. 1980”. Алма-Ата:
Наука, 1981. С.59-62.
187. Прокопьев Е.П. Исследование технически важных материалов с помощью медленных позитронов. М.,
1982. 64 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1983.
№16. Сер.”ЭР”.
188. Прокопьев Е.П. Ps-поляроны в ионных кристаллах // В кн.: Тезисы докладов
“33 Совещание по
ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука. 1983. С.557.
189. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. О модели Фрелиха поляронного состояния позитрона в кристалле // В кн.:
Тезисы докладов “33 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. Л.: Наука. 1983.
С.543.
190. Прокопьев Е.П. Исследования позитронных процессов в кристаллах. М., 1982. 60 с. - Деп. в
ЦНИИ”Электроника”. Р-3556. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1983. Сер.”ЭР”.
191. Арефьев К.П., Прилипко В.И., Прокопьев Е.П., Федоров В.А. Применение метода аннигиляции позитронов
для определения параметров точечных дефектов в полупроводниках // Известия вузов. Физика. 1983. №8.
С.117-118.
192. Прокопьев Е.П. Ps, локализованный в кристалле. М., 1983. 8 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3634. МРС
ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1983. №9. Сер.”О”.
193. Kobrin B.V., Kuprijanova R.M., Minaev V.S., Prokopiev E.P., Shantarovich V.P. Microstructure and Imperfections
of Glassy and Glass-Ceramic Telluride Semiconductors on the Bases of Positron Annihilation // Phys. status solidi
(a). 1983. V.78. №2. P.385-389.
194. Прокопьев Е.П. Позитроний в кристаллах // В кн.: Тезисы докладов “34 Совещание по ядерной
спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1984. С.529.
195. Прокопьев Е.П., Тарасов В.Д., Фокина Л.А., Шантарович В.П. Исследование квазиатомных систем
позитрон-анион в полярных веществах. М., 1984. 23 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3845. МРС ВИМИ
“Техника, технология, экономика”. 1984. №9. Сер.”О”.
196. Прокопьев Е.П. О механизмах переноса позитрония в кристалле // В кн.: Тезисы докладов “34 Совещание
по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1984. С.530.
197. Прокопьев Е.П. Некоторые проблемы позитронной аннигиляции в веществах. М., 1984. 15 с. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-3870. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1984. №11. Сер.”О”.
198. Прокопьев Е.П. Исследование свойств позитрония в кристаллах. М., 1984. 30 с. - Деп. в
ЦНИИ”Электроника”. Р-3826. 30 с. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1984. №8. Сер.”О”.
199. З.Р.Абдурасулев, П.У.Арифов, Н.Ю.Арутюнов, С.Н.Вассерман, А.Р.Группер, Н.Н.Емелин, Г.И.Журавлева,
П.А.Кебель, Ю.П.Кочерга, М.В.Кремков, Ф.Ли, В.М.Мальян, А.А.Пайзиев, В.А.Пикут, Е.П.Прокопьев,
С.А.Скопинов, С.А.Тишин, С.В.Шевелев, А.В.Шевченко. Методы позитронной диагностики и
расшифровки спектров аннигиляции позитронов. Ташкент: Изд-во «ФАН», 1985. 312 с.
200. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на нейтральных атомах. М., 1984. 13 с. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-3973. “Сборник рефератов НИОКР, обзоров, переводов и депонированных рукописей”.
1985. №4. Сер.”МФ”.
201. Прокопьев Е.П. Исследование модели оптического позитрона. М., 1984. 8 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”.
Р-3974. “Сборник рефератов НИОКР, обзоров, переводов и депонированных рукописей”. 1985. №4.
Сер.”МФ”.
202. Прокопьев Е.П. Позитронные примесные центры в кристаллах. М., 1984. 31 с. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-3897. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1984. №30. Сер.”ЭР”.
203. Прокопьев Е.П. О позитронных поляронах в ионных кристаллах. М., 1985. 8 с. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-4071. “Сборник рефератов НИОКР, обзоров, переводов и депонированных рукописей”.
1985. №7. Сер.”МФ”.
204. Прокопьев Е.П. Некоторые вопросы позитронной метрики полупроводников и наращивания
полупроводниковых слоев. М., 1985. 30 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4164.
205. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на атомах и отрицательных ионах // В кн.: Тезисы докладов “35
Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1985. С.528.
206. Прокопьев Е.П. Позитронные процессы в молекулярных веществах // В кн.: Тезисы докладов семинара
“Позитронная аннигиляция в твердых телах”. Киев: Ин-т металлофизики АН УССР, 1985. С.5.
207. Прокопьев Е.П. К вопросу аннигиляции позитронов и атома позитрония в анизотропных слоях
полупроводников // В кн.: Тезисы докладов “36 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре
атомного ядра”. Л.: Наука, 1986. С.562.
208. Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Фундаментальные проблемы физики атома позитрония и перспективы ее
развития // В кн.: Межвузовский сборник научных трудов. Тбилиси: ТГПИ им. А.С. Пушкина, 1984. С.152157.
209. Прокопьев Е.П., Урбанович С.А. Позитроний в газе фононов // Весцi АН БССР. Серия физикоматематических наук. 1987. №5. С.92-94.
210. Прокопьев Е.П., Тимошенко В.И., Хашимов Ф.Р.
Времена жизни фейнмановских позитронных
поляронов в ионных кристаллах // Известия вузов . Физика. 1985. №8. С.92-94.
211. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Френкелевская модель атома позитрония малого радиуса. М., 1988. 5 с. Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4939.
212. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на А-центрах в кремнии // Тезисы докладов“37 Совещание по
ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1987. С.591.
213. Гребинник В.Г., Гуревич И.И., Жуков В.А., Кузнецов Ю.Н., Маныч А.П., Марков Е.В., Никольский Б.А.,
Пирогов А.В., Пономарев А.Н., Прокопьев Е.П., Селиванов В.И., Суэтин В.А., Хашимов Ф.Р., Хряпов
В.Т. Деполяризация мю-мезонов в полупроводниках CdS и ZnS // Препринт. ИАЭ-3019. Москва, 1978. 13
с.
214. Прокопьев Е.П. Исследование механизма и динамики релаксации неустойчивых процессов в электронном
материаловедении методом позитронной аннигиляции // Программа и тезисы докладов “Всесоюзная школа
по физики-химическим основам электронного материаловедения”. Ашхабад: ТГУ. 1977. С.3.
215. Прокопьев Е.П. Атом позитрония в РО полупроводников // В кн.: Тезисы докладов 37 Совещания “Ядерная
спектроскопия и структура атомного ядра”. Л.: Наука, 1987. С.595.
216. Арефьев К.П., Кузнецов Ю.Н., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков
Ю.В. Применение метода аннигиляции позитронов для изучения радиационных нарушений быстрыми
протонами в Si, GaAs n-типа // В кн.: Тезисы докладов “Широкозонные материалы для полупроводниковых
детекторов ядерного излучения”. Новосибирск: ИЯФ СО АН СССР, 1980. С.3.
217. Прокопьев Е.П. Простая модель связанного состояния позитрона на вакансиях металлов // В кн.: Тезисы
докладов 2 Всесоюзного совещания “Радиационные дефекты в металлах”. Алма-Ата: ИЯИ АН КазССР,
1980. С.5.
218. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Исследование методом позитронной аннигиляции электронной структуры и
дефектности монокристаллов полупроводниковых соединений A2B6 // Отчет ТПИ . № гос. регистрации
78048301. Томск: ТПИ. 1979. 1979. 60 с.
219. Дружков А.П., Петров С.В., Прокопьев Е.П. Исследование эпитаксиальных и ионно-имплантированных
структур кремния методом аннигиляции позитронов // Приложение к отчету НИИМВ. Инв. №3635. 1980.
70 с.
220. Прокопьев Е.П. Об использовании энергии аннигиляции для передачи информации в космическом
пространстве. М., 1980. 6 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника. Р-2993.
221. Прокопьев Е.П. О роли исследования аннигиляции медленных позитронов и антипротонов в веществе в
целях возможности создания аннигиляционных двигателей в космической технике будущего // Программа
и доклад на 9 Гагаринских чтениях. М.: МАИ. 1979.
222. Прокопьев Е.П. О проблеме использования антиводорода в космической технике будущего. М., 1980. 4 с. Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-2994.
223. Бочкарев С.Э., Иванютин Л.А., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков
Ю.В. Исследование радиационных нарушений в монокристаллах GaP, облученных протонами, методом
позитронной аннигиляции. М., 1982. С.110. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3475.
224. Батавин В.В., Прокопьев Е.П., Салманов А.Р., Фунтиков Ю.В. О проблеме определения зарядовых
состояний кислорода в кремнии методом позитронной аннигиляции. М., 1982. С.111. - Деп. в
ЦНИИ”Электроника”. Р-3475.
225. Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В., Хашимов Ф.Р., Хряпов В.Т. Исследование
влияния дефектной структуры монокристаллов полупроводников, выращенных в условиях
микрогравитации, на импульсное распределение валентных электронов методом аннигиляции позитронов //
Тезисы доклада и доклад на 11 Гагаринских чтениях. М.: МАИ. 1981.
226. Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Исследование дефектов структуры монокристаллов методом аннигиляции
позитронов. М., 1982. С.40. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
227. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Исследование методом аннигиляции позитронов электронной структуры и
дефектности монокристаллов полупроводниковых соединений A2B6 // Отчет ТПИ. № гос. регистрации
780483301. Томск: ТПИ. 1980. 60 с.
228. Иванова А.В., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов из связанных состояний квазиатомных систем
позитрон-анион // Доклад на 3 Всесоюзном совещании по квантовой химии. Кишинев: КГУ, 1963.
229. Иванова А.В., Прокопьев Е.П. Исследование аннигиляции и радиационных процессов в гидридах
щелочных металлов методом Хартри-Фока // Доклад на 4 Всесоюзном совещании по квантовой химии.
Киев: Наукова Думка, 1966.
230. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Позитроны и позитроний в ионных кристаллах. М., 1985. С.6-10. - Деп. в
ЦНИИ “Электроника”. Р-4164.
231. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Прокопьев Е.П. Позитроника дефектов в полупроводниках. М., 1982. С.113.
- Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3475.
232. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. О новом механизме аннигиляции позитронов
в металлах. М., 1982. С.115. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3475.
233. Комлев В.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В., Марков Е.В., Прокопьев Е.П., Рыгылина
Е.А., Хашимов Ф.Р., Хряпов В.Т. Исследование аннигиляции позитронов в кристаллах антимонида индия,
выращенных на борту орбитальной станции “Салют-6” // Доклад на 11 Гагаринских чтениях. М.: МАИ.
1981.
234. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Исследование свойств атома позитрония в полупроводниках
по методу Фока. М., 1982. С.33-38. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3534.
235. Бартенев Г.М., Варисов А.З., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Атом позитрония в ионных кристаллах //
Доклад на 6 Всесоюзном семинаре “Экситоны в кристаллах”. Черноголовка: ИФТТ АН СССР, 1970.
236. Прокопьев Е.П. О квантовополевой теории вселенной. Модель анизотропного минисуперпространства. М.,
1992. С.91-95. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-5482. Доклад на международном совещании по ядерной
спектроскопии и структуре атомного ядра. Минск,1991.
237. Прокопьев Е.П. О возможности рождения вселенной посредством квантового туннелирования. М., 1992.
С.90. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-5482.
238. Прокопьев Е.П. Применение позитронной томографии для исследования дефектов структуры технически
важных материалов. М., 1982. С.23. - Деп. в ЦНИИ ”Электроника”. Р-3534.
239. Батавин В.В., Комлев В.П., Марков Е.В., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В.,
Хашимов Ф.Р., Хряпов В.Т. Исследование кристаллов антимонида индия, выращенных в условиях
невесомости, и состояния кислорода в кремнии методом позитронной аннигиляции. М., 1982. С.127. - Деп.
в ЦНИИ “Электроника”. Р-3475.
240. Прокопьев Е.П. Об исследовании технически важных материалов методом аннигиляции позитронов. М.,
1985. С.3-10. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4164.
241. Прокопьев Е.П. О проекте использования аннигиляционных источников энергии. М., 1982. С.118-126. Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3475.
242. Прокопьев Е.П. О применении позитронной томографии для иследования дефектов структуры технически
важных материалов. М., 1982. С.24-27. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
243. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Свойства позитронов и атома позитрония в ионных кристаллах. М., 1982.
С.32. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
244. Прокопьев Е.П. Применение позитронной томографии для исследования дефектов структуры технически
важных материалов // Тезисы докладов “13 Гагаринские чтения”. М.: ИПМ АН СССР, 1983. С.38.
245. Батавин В.В., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Салманов А.Р., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В.
Исследование методом аннигиляции позитронов состояния кислорода в кремнии. М., 1982. С.39. - Деп. в
ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
246. Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Новый метод исследования поверхности материалов с помощью медленных
позитронов. М., 1982. С.28-31. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
247. Прокопьев Е.П. Использование метода аннигиляции позитронов для определения энтальпий образования
вакансий в полупроводниках. М., 1982. С.14. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
248. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Динамика позитрона и позитрония в кристаллах // Доклад на сессии Ученого
совета ИФИ АН АрмССР. Аштарак. 1982.
249. Прокопьев Е.П. Исследование методом аннигиляции позитронов искусственного графита, используемого в
ядерной энергетике. М., 1982. С.45. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
250. Прокопьев Е.П. Исследование полимерных и металлоорганических пленок методом аннигиляции
позитронов. М., 1982. С.46. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
251. Прокопьев Е.П. О квантовополевой теории Вселенной. Модель анизотропного минисуперпространства // В
кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 41 Международного совещания.
Л.: Наука, 1991. С.454.
252. Прокопьев Е.П. Применение метода аннигиляции позитронов для исследования частиц ультрамалых
размеров. М., 1982. С.47. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
253. Прокопьев Е.П. Квантовополевая теория Вселенной. Обзор. М., 1991. 34 с. - Деп. в ВИНИТИ. 15.03. 91.
№1133-В91.
254. Прокопьев Е.П. Об использовании метода аннигиляции позитронов в качестве метода контроля в
проблемах экологии. М., 1982. С.48. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
255. Прокопьев Е.П. Связанные состояния позитронов на вакансиях металлов. М., 1982. С.49.- Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-3534.
256. Минаев В.С., Прокопьев Е.П. Общие проблемы исследования стеклообразного состояния методом
аннигиляции позитронов. М., 1982. С.50. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
257. Прокопьев Е.П. К вопросу о классификации и свойствах позитронных состояний в ионных кристаллах. М.,
1982. С.51-54. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
258. Прокопьев Е.П. Представление с помощью диаграмм Фейнмана спонтанного и индуцированного
испускания и поглощения фононов позитронием в кристалле. М., 1982. С.55. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-3534.
259. Прокопьев Е.П. Применение метода функций Грина к решению задач позитронных процессов в кристалле.
М., 1982. С.56. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
260. Прокопьев Е.П. Эффективное взаимодействие между электронным и позитронным поляронами. Атом
позитрония в полярных кристаллах. М., 1982. С.57-59. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
261. Прокопьев Е.П. Исследование окисных пленок и пленок нитрида кремния с помощью медленных
позитронов. М., 1982. С.60. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
262. Прокопьев Е.П. Фундаментальные проблемы физики атома позитрония. М., 1982. С.50-52. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-3556.
263. Прокопьев Е.П. О проблеме получения интенсивных потоков позитронов. М., 1982. С.53-54. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-3556.
264. Прокопьев Е.П. Особенности действия позитронной радиации на технически важные материлы. М., 1982.
С.55. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3556.
265. Прокопьев Е.П. Об аннигиляционных гразерах. М., 1982. С.57. - Деп. в ЦНИИ ”Электроника”. Р-3556.
266. Прокопьев Е.П. Программа исследований радиационных дефектов в металлах, полупроводниках,
полимерах и других высокомолекулярных веществах с помощью позитронной диагностики. М., 1982. С.58.
- Деп в ЦНИИ”Электроника”. Р-3556.
267. Прокопьев Е.П. Программа исследований материалов электронной техники с помощью позитронной
диагностики. М., 1982. С.59-60. Р-3556.
268. Прокопьев Е.П. Программа исследований адсорбентов и катализаторов методом позитронной диагностики.
М., 1982. С.56. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3556.
269. Прокопьев Е.П. О познании сложных систем. I . Квантовополевая теория анизотропной вселенной. М.,
1991. С.30-34. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5436.
270. Прокопьев Е.П. Применение модели гармонического осциллятора для расчета свойств позитронных
центров окраски в кристаллах. М., 1983. С.9. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3634.
271. Прокопьев Е.П. К вопросу позитронной метрики дефектов структуры твердого тела. М., 1985. С.12-17. Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4164.
272. Прокопьев Е.П. Космические энергетические проблемы в свете современных достижений
физики
высоких энергий. М., 1983. С.10-11. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3634.
273. Прокопьев Е.П. Позитронная томография - новый метод неразрушающего контроля качества технически
важных материалов. М., 1984. С.14. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.
274. Прокопьев Е.П. Некоторые вопросы теории электронного материаловедения. М., 1984. С.14. - Деп. в
ЦНИИ”Электроника”. Р-3870.
275. Прокопьев Е.П. Определение энтальпий образования вакансий в полупроводниках методом аннигиляции
позитронов. М., 1983. С.12-14. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.
276. Прокопьев Е.П. Ps в полупроводниках A2B6. М., 1984. С.4-5. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.
277. Кобрин Б.В., Прокопьев Е.П., Шантарович В.П. Аннигиляция позитронов в халькогенидных
стеклообразных полупроводника. М., 1984. 37 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3924.
278. Прокопьев Е.П. Позитронная томография - новый метод исследования поверхности. М., 1984. С.10. - Деп. в
ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.
279. Прокопьев Е.П. Тяжелые комплексы Уилера в ЩГК. М., 1984. С.2-4. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.
280. Прокопьев Е.П. Квазиатомные системы е+F- во фторидах щелочных металлов. М., 1984. С.6-8. - Деп. в
ЦННИ”Электроника”. Р-3870.
281. Прокопьев Е.П. Обзор современных достижений в физике атома позитрония. М., 1984. С.1-2. - Деп. в
ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.
282. Прокопьев Е.П. Исследование сложных систем на примере стохастических моделей химических реакций в
твердых телах и модели Минна рождения и эволюции вселенной и/или вселенных. М., 1992. 29 с. - Деп. в
ВИНИТИ. 06.04.92. №1162-В92.
283. Прокопьев Е.П. Определение энтальпий образования вакансий в технически важных материалах методом
аннигиляции позитронов // В кн.: Тезисы докладов “14 Гагаринские чтения”. М.: ИПМ АН СССР, 1984.
С.77.
284. Prokop’ev E.P. “Gas” of Universes and Eternity. М., 1994. С.96-101. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5500.
285. Прокопьев Е.П. “Газ” вселенных и вечный Мир. М., 1995. С.142-149. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р5501.
286. Прокопьев Е.П. Позитроний в полупроводниковой квантовой яме и сильном магнитном поле. I. М., 1994.
С.130-138. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5500.
287. Прокопьев Е.П. О поверхностных состояниях на границе раздела полупроводник-металл. М., 1985. 5 с. Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4290.
288. Прокопьев Е.П. О позитронии Френкеля. М., 1985. С.17-18. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4164.
289. Прокопьев Е.П. Динамика позитронов в идеальных кристаллах. М., 1995. С.63-72. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-5501.
290. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на анионах в полярных веществах. М., 1985. С.19-20. - Деп. в
ЦНИИ “Электроника”. Р-4164.
291. Прокопьев Е.П. Комплексы Ex-Ps в молекулярных кристаллах. М., 1984. С.5-6. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-3870.
292. Прокопьев Е.П. Позитронная томография. Физические основы. Применения. М., 1984. С.10-11. - Деп. в
ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.
293. Прокопьев Е.П. Теория позитронных примесных центров малого радиуса в ионных кристаллах. М., 1995.
С.89.- Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.
294. Прокопьев Е.П. Вычислительная томография в электронном материаловедении // Электронная техника.
Сер.6. Материалы. 1987. Вып.1. С.78-80.
295. Прокопьев Е.П. Позитроний в полупроводниковой квантовой яме и сильном магнитном поле. М., 1995.
С.90-97. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р - 5501.
296. Прокопьев Е.П. Времена жизни магнитопозитрония в полупроводниковых квантовых ямах. М., 1995. С.98107. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.
297. Прокопьев Е.П. Соединения позитрония Х-е+ и Х=е+ в ионных средах: развитие модели оптического
позитрона. Эффективные заряды анионов. М., 1995. С.121-129. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-5501.
298. Shantarovich V.P., Kobrin B.V., Prokopiev E.P. Positron Annihilation in chalcogenids Glassy Semiconductors //
The Report on “Sixteen Polish Seminar on Positron Annihilation”. Pechoviche, 4-8 october , 1983.
299. Прокопьев Е.П. Соединения позитрония Х--е+ в ионных кристаллах: развитие модели оптического
позитрона. Эффективные заряды анионов. 1. М., 1995. С.109-119. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.
300. Прокопьев Е.П. Времена жизни позитронов в полупроводниковом шаре. М., 1995. С.132-140. - Деп. в
ЦНИИ”Электроника”. Р-5501.
301. Прокопьев Е.П. “Позитронные” эффективные заряды анионов в полярных веществах. I . М., 1995. С.149164. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.
302. Прокопьев Е.П. “Позитронные” эффективные заряды анионов в полярных веществах. М., 1995. С.150-164. Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.
303. Агафонов А.В., Лукичев А.В., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. К вопросу определения эффективных зарядов
атомов по данным фотоэлектронной и оже-спектроскопии // В кн.: Тезисы докладов 9 Всесоюзной научнотехнической конференции “Локальные рентгеноспектральные исследования и их применения”, 10-13
сентября 1985 г. Устинов: ФТИ УНЦ АН СССР, 1985. С.111-112.
304. Агафонов А.В., Лукичев А.В., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Определение эффективных зарядов атомов
по данным фотоэлектронной и оже-спектроскопии // Электронная техника. Сер.3. Микроэлектроника. 1986.
Вып.1. С.3-5.
305. Прокопьев Е.П. Исследования в области физики медленных позитронов. Позитронная аннигиляция - новый
метод изучения строения вещества. М., 1986. 86 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4367. Сб. реф. НИОКР,
обзоров, переводов и деп. рукописей. Сер.”ИМ”. №12. 1987.
306. Заболотный В.Д., Матяш П.П., Прокопьев Е.П. Исследование времен жизни позитронов в полупроводниках
А3В5 // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1990. Вып.7. С.60-61.
307. Прокопьев Е.П. Термализация позитронов и атома позитрония в молекулярных вществах. М., 1987. 10 с. Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4419. Сб. реф. НИОКР, обзоров, переводов и деп. рукописей. Сер.”РТ”.
№27. 1987.
308. Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в анизотропных слоях полупроводников. М., 1987. 13 с. - Деп. в
ЦНИИ “Электроника”. Р-4420. Сб. реф. НИОКР, обзоров, переводов и деп. рукописей. Сер.”РТ”. №27.
1987.
309. Прокопьев Е.П. Элементарная теория атома позитрония в веществах. М., 1987. 8 с. - Деп. в
ЦНИИ”Электроника”. Р-4421. Сб. реф. НИОКР, обзоров, переводов и деп. рукописей. Сер.”РТ”. №27. 1987.
310. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на примесных атомах щелочных металлов в кристаллах. М., 1987.
13 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4625. Сб. реф. деп. рукописей. 1986. Вып.1.
311. Прокопьев Е.П. О позитрониевых состояниях в полупроводниках. М., 1987. 10 с. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-4474. Сб. реф. НИОКР, обзоров, переводов и деп. рукописей. Сер.”РТ”. №47. 1987.
312. Прокопьев Е.П. О применениях метода аннигиляции позитронов для исследований электронной и
дефектной структуры ВТСП // Прогр. и доклад на 1 Всесоюзном совещании “Физикохимия и технология
высокотемпературных сверпроводящих материалов”. М. ИМЕТ АН СССР, 1988. С.34.
313. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в высокотемпературных сверхпроводящих материалах. М., 1989.
29 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5090. Электронная техника. Сер.6. Материалы Вып.3. С.2.
314. Прокопьев Е.П. Определение энтальпий образования вакансий в полупроводниках позитронным методом //
В кн.: Тезисы докладов 4 Всесоюзной конференции “Термодинамика и материаловедение
полупроводников”. М.: Изд-во МИЭТ, 1989. С.5.
315. Прокопьев Е.П. О применениях метода аннигиляции позитронов для исследований электронной и
дефектной структуры ВТСП // В кн.: Физикохимия и технология высокотемпературных сверхпроводящих
материалов. М.: Наука, 1989. С.474-475.
316. Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях в кремнии. М., 1989. 60 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р5154. Электронная техника. Сер.6. Материалы. Вып.4. С.78.
317. Прокопьев Е.П. Исследование кремния, содержащего дефекты и кислород, методом аннигиляции
позитронов. М., 1989. 37 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5472. Электронная техника. Сер.6. Материалы.
1989. Вып.4. С.78.
318. Прокопьев Е.П. Физически адсорбированный атом позитрония на поверхности твердых тел // В кн.: Тезисы
докладов 4 семинара “Физическая химия поверхности монокристаллических полупроводников”.
Новосибирск: ИФП СО АН СССР,1989. С.9.
319. Прокопьев Е.П. Позитроний и позитронная аннигиляция в твердых телах // Программа и доклад на
семинаре “Позитронная аннигиляция в твердых телах”. Киев: ИМФ АН УССР, 1989. С.1.
320. Прокопьев Е.П. Модифицированная модель оптического позитрона // В кн.: Ядерная спектроскопия и
структура атомного ядра. Тезисы докладов 39 совещания. Ташкент, 18-21 апреля 1989. Л.: Наука, 1989.
С.501.
321. Заболотный В.Д., Матяш П.П., Прокопьев Е.П. Времена жизни позитронов в InP, InSb и GaAs // В кн.:
Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 39 совещания . Ташкент, 18-21 апреля
1989. Л.: Наука, 1989. С.502.
322. Прокопьев Е.П. Определение эффективных зарядов атомов кислорода в ВТСП материалах позитронным
методом // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 39 совещания.
Ташкент, 18-21 апреля 1989. Л.: Наука, 1989. С.503.
323. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в ионных средах и оптическая модель позитрона //
Известия вузов. Физика. 1990. №5. С.52-56.
324. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов и высокотемпературная сверхпроводимость // Химия высоких
энергий. 1990. Т.24. №3. С.278-280.
325. Прокопьев Е.П. Общие принципы взаимодействия вещества и антивещества. Нерелятивистская теория. М.,
1990. 8 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5313. Электронная техника. Сер.11. 1990. Вып.2. С.6.
326. Прокопьев Е.П. Исследование параметров дефектов в a-Si:H позитронным методом. М., 1990. С.34. - Деп. в
ЦНИИ “Электроника”. Р-5413.
327. Прокопьев Е.П. Диффузионно-аннигиляционная модель распада позитронных состояний в
полупроводниках. М., 1990. С.52. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5413.
328. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на Н-связях в a-Si:H. М., 1990. С.35. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-5413.
329. Прокопьев Е.П. Общие принципы взаимодействия атомов с антиатомами. Нерелятивистская теория. М.,
1990. С.37. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5413.
330. Прокопьев Е.П. Исследование дефектов структуры ВТСП материалов методом позитронной аннигиляции.
М., 1990. С.36. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5413.
331. Прокопьев Е.П. О процессе аннигиляции позитронов в галактической среде с низкой плотностью. М., 1990.
С.39. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5413.
332. Прокопьев Е.П. Диффузионно-аннигиляционная модель распада позитронных состояний на сферических
дефектах в металлах // Письма в ЖТФ. 1990. Т.16. Вып.24. С.6-10.
333. Прокопьев Е.П. Взаимодействие вещества и антивещества: системы p -Н и р- H . М., 1991. С.55-59. - Деп.
в ВИНИТИ. 5.07.91. №2886-В91.
334. Прокопьев Е.П. Позитронная аннигиляция и космическая гамма-астрономия. М., 1991. С.58-59. - Деп. в
ВИНИТИ. 5.07.91. №2886-В91.
335. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов и проблема суператомов в полупроводниковых сверхструктурах.
М., 1991. С.62-65. - Деп. в ВИНИТИ. 5.07.91. №2886-В91.
336. Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях в квантовых ямах полупроводниковых сверструктур. М., 1991.
С.66-67. - Деп. в ВИНИТИ. 5.07.91. №2886-В91.
337. Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях в тонких полупроводниковых слоях. М., 1991. С.68 - 69. - Деп. в
ВИНИТИ. 5.07.91. №2886-В91.
338. Прокопьев Е.П. Энергетический спектр атома позитрония в малых сферических частицах. М., 1991. С.7071. - Деп. в ВИНИТИ. №2886-В91.
339. Прокопьев Е.П. О процессе аннигиляции позитронов в галактической среде с низкой плотностью // В кн.:
Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 41 Международного совещания. Л.:
Наука, 1991. С.453.
340. Прокопьев Е.П. Исследование дефектов структуры ВТСП материалов методом аннигиляции позитронов //
В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 41 Международного совещания.
Л.: Наука, 1991. С.475.
341. Прокопьев Е.П. Исследование ВТСП материалов методом аннигиляции позитронов. М., 1991. 51 с. - Деп. в
ЦНИИ “Электроника”. Р-5451. Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1991. Вып.8. С.80.
342. Прокопьев Е.П. Позитроны зондируют сверхпроводимость // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура
атомного ядра. Тезисы докладов 42 Международного совещания. Санкт-Петербург: Наука, 1992. С.408.
343. Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях в полупроводниковых сверхрешетках // В кн.: Ядерная
спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 42 Международного совещания. СанктПетербург: Наука, 1992. С.408.
344. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов, связанных с отрицательными ионами в диэлектрической среде.
М., 1992. С.53-60. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5482.
345. Прокопьев Е.П. О позитронной метрике дефектов структуры твердого тела. М., 1992. С.61-65. - Деп. в
ЦНИИ “Электроника”. Р-5482.
346. Прокопьев Е.П. Позитроны и позитроний в квантовых ямах полупроводниковых сверхструктур. М., 1992.
С.66. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5482.
347. Прокопьев Е.П. Позитронная аннигиляция и суператомы в полупроводниковых сверхрешетках. М., 1992.
С.67-72. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-5482.
348. Прокопьев Е.П. Позитронная аннигиляция и суператомы в полупроводниковых сверхрешетках. 11. М.,
1992. С.73-77. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-5482.
349. Прокопьев Е.П. Энергия связи позитрона с вакансиями в конденсированных средах: модельный потенциал
V(r) = - Ze /(+ r) . М., 1992. С.78. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5482.
350. Прокопьев Е.П. Позитронная астрофизика и позитронные состояния в галактической среде с низкой
плотностью. М., 1992. С.79-84. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5482.
351. Прокопьев Е.П. О процессе аннигиляции позитронов в галактической среде с низкой плотностью. М., 1992.
С.85-89. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5482. Доклад на 42 Международном совещании по ядерной
спектроскопии и структуре атомного ядра. Минск, 1991.
352. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов, связанных с отрицательными ионами в диэлектрической среде //
Физика твердого тела. 1992. Т.34. №6. С.1671-1675.
353. Прокопьев Е.П. Позитроний в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами // Физика и техника
полупроводников. 1992. Т.26. Вып.10. С.1681-1687.
354. Прокопьев Е.П. О
взаимодействии вещества и антивещества.
Системы
p -Н, р- H и Н- H .
Приложения в электронике // Электронная техника. Сер.3. Микроэлектроника. 1992. Вып.4. С.65-68.
355. Прокопьев Е.П. Поляронные свойства позитрония при локализации в квантовых ямах // Химия высоких
энергий. 1992. Т.26. №5. С.395-397.
356. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на F- центрах в ионных кристаллах // Химия высоких энергий.
1994. Т.28. №4. С.366-368.
357. Прокопьев Е.П. О позитронной метрике дефектов структуры твердого тела // Поверхность. 1993. №10.
С.91-94.
358. Прокопьев Е.П. Позитронная аннигиляция и суператомы в полупроводниковых сверхрешетках // Химия
высоких энергий. 1994. Т.28. №3. С.286-288.
359. Прокопьев Е.П. Позитронная астрофизика и позитронные состояния в галактической среде с низкой
плотностью // Астрономический журнал. 1994. Т.70. №3. С.906-908.
360. Прокопьев Е.П., Шантарович В.П., Тарасов В.Д., Фокина Л.А., Кобрин Б.В. Механизм аннигиляции при
облучении позитронами полярных веществ // Химия высоких энергий. 1995. Т.29. №1. С.66-69.
361. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на примесях с глубокими уровнями в полупроводниках // Физика
и техника полупроводников. 1993. Т.27. Вып.9. С.1569-1572.
362. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов и комплексы Уилера в полупроводниках // Химия высоких
энергий. 1995. Т.29. №5. С.394-396.
363. Прокопьев Е.П. О влиянии внешнего магнитного поля на свойства позитрония в полупроводниках //
Поверхность. 1994. №4. С.117-120.
364. Прокопьев Е.П. Термализация позитронов и атома позитрония в молекулярных веществах // Поверхность.
1994. №5. С.5-7.
365. Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в новой физике полупроводников. М., 1993. С.15. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-5490.
366. Прокопьев Е.П. Новые представления об аннигиляции позитронов и позитронных состояниях в
полупроводниках // Химия высоких энергий. 1994. Т.28. №5. С.426-428.
367. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на примесях с глубокими уровнями в полупроводниках. М., 1994.
С.184-191. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5497.
368. Прокопьев Е.П. Исследования позитронных состояний и позитронной аннигиляции в новой физике
полупроводников. М., 1994. С.192-194. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5497.
369. Prokop’ev E.P. Positron annihilation in a new Semiconductor Physics // Abstracts of 10 th International Conference
on Positron Annihilation. Beijing, China, May 23-29, 1994. P2-10.
370. Prokop’ev E.P. Positron annihilation and positron states in galactic medium with low density // Abstracts of 10 th
International Conference on positron annihilation. Beijing, China, May 23-29, 1994. C24-2.
371. Прокопьев Е.П. Позитроний в квантовой яме и сильном магнитном поле в полупроводниковых
сверхструктурах // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 44
Международного совещания. Санкт-Петербург: Наука, 1994. С.367.
372. Прокопьев Е.П. Исследования в области технологии получения слоев кремния и сложных систем. М., 1994.
138 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5500.
373. Прокопьев Е.П. Исследования в области электронного материаловедения и физических методов
исследования материалов электронной техники. М., 1994. 196 с. - Отчет НИИМВ. №2858 инф.
374. Прокопьев Е.П. Позитроний в резко анизотропных слоях полупроводников и сильном магнитном поле //
Поверхность. 1994. №12. С.54-59.
375. Прокопьев Е.П. О локализованных позитронных и позитрониевых состояниях на дефектах структуры
кристаллов // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 45
Международного совещания. Санкт-Петербург: Изд-во ПИЯФ, 1995. С.407.
376. Прокопьев Е.П. Применение метода функций Грина к исследованию позитронных процессов в кристаллах
// Поверхность. 1995. №7-8. С.5-11.
377. Prokop’ev E.P. Investigations of defect parametres in a-Si:H by positron annihilation method // Abstracts of 8
Internat. Conf. on the Physics of Non-Crystalline Solids. Turku, Finland. 1995. P.92.
378. Prokop’ev E.P. Investigations by positron annihilation method of chalcogenide glassy semiconductors // Abstracts
of 8 Inernat. Conf. on the Physics of Non-Crystaline Solids. Turku, Finland. 1995. P.92.
379. Prokop’ev E.P. Structure defects in chalcogenide semiconductor glasses on date of positron annihilation // Proc. of
“12 Internat. Congress on Glass”. 1995. Vol.7. P.174 (Beijing, 9-14 october 1995).
380. Прокопьев Е.П., Петров С.В., Соколов Е.М. Некоторые вопросы теории технологии получения аморфных и
эпитаксиальных слоев кремния, физики медленных позитронов и сложных систем. М., 1995. 149 с. - Деп. в
ЦННИ “Электроника”. Р-5501.
381. Прокопьев Е.П. Магнитопозитроний в полупроводниках // Химия высоких энергий. 1996. Т.30. №2. С.141144.
382. Прокопьев Е.П. Особенности определения свободных объемов и их распределение по радиусам в
технически важных материалах методом ПАВ спектроскопии // В кн.: Международное совещание по
физике ядра (46 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. Москва, 18-21 июня
1996 г.). Тезисы докладов. Санкт-Петербург: Изд-во ПИЯФ, 1996. С.377.
383. Прокопьев Е.П. Некоторые вопросы теории позитроники полупроводников и ионных кристаллов. М., 1996.
128 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.
384. Прокопьев Е.П., Шантарович В.П. Квантовополевая теория позитронных состояний в твердых телах,
содежащих электроны, позитроны, дырки, экситоны, атом позитрония и комплесы Уилера // Химия
высоких энергий. 1996. Т.30. №4. С.300-303.
385. Prokop’ev E.P. Investigations in area of slow positron physics, complex systems and material science. М., 1995.
С.49. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.
386. Prokop’ev E.P. Investigations of defect parametres in a-Si:H by positron annihilation method.М., 1995. С.130. Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.
387. Prokop’ev E.P. Investigations by positron annihilation method of chalcogenide glassy semiconductors. М., 1995.
С.131. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.
388. Прокопьев Е.П. Теория атома позитрония в кристаллах. М., 1996. С.1-15. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р5502.
389. Прокопьев Е.П. Теория атома позитрония в полупроводниках и ионных кристаллах. М., 1996. С.16-25. Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.
390. Прокопьев Е.П. Теория позитронных F’+ - центров в ионных кристаллах. М., 1996. С.26-37. - Деп. в
ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.
391. Прокопьев Е.П., Шантарович В.П. Оптическая модель позитрона и эффективные заряды ионов кислорода в
окислах металлов. М., 1996. С.39-56. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.
392. Прокопьев Е.П. “Позитронные” эффективные заряды анионов в средах ионного типа. М., 1996. С.57-77. Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.
393. Прокопьев Е.П. Позитроны и атом позитрония, локализованные на дефектах структуры кристаллов. М.,
1996. С.78-87. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.
394. Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в кремнии i-типа. М., 1996. С.88-100. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-5502.
395. Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в бездефектных кристаллах кремния. М., 1996. С.113-128. - Деп. в
ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.
396. Prokop’ev E.P., Shantarovich V.P., Minaev V.S. Structure defects in chalcogenide semiconductor glasses on data
of positron annihilation. М., 1996. С.101-102. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.
397. Прокопьев Е.П. Позитронсодержащие системы Х-е+ и X=e+ : учет поляризации анионов // Химическая
физика. 1997. Т.16. №5. С.65-71.
398. Прокопьев Е.П. Позитроны и атом позитрония, локализованные на дефектах структуры кварца и кремния //
Химия высоких энергий. 1997. Т.31. №2. С.158-160.
399. Прокопьев Е.П. “Позитронные” эффективные заряды анионов в полярных веществах // Известия вузов.
Физика. 1997. №2. С.23-29.
400. Прокопьев Е.П. О познании сложных систем. II. Самоорганизация в неравновесных твердых телах. М.,
1991. С.35-47. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5436.
401. Прокопьев Е.П. О геттерировании и синергетическом подходе в проблеме кремния. М., 1991. 71 с. - Деп. в
ВИНИТИ. №2886-В91.
402. Прокопьев Е.П. Анализ математических моделей скорости роста аморфных пленок a-Si:H в силановых
плазменных смесях пониженного давления и синергетические эффекты в проблеме окисления кремния. М.,
1992. 74 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5476.
403. Прокопьев Е.П. О возможности синергетического подхода к эволюции свойств технически важных
материалов. М., 1992. С.35-41. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5482.
404. Прокопьев Е.П. Модели Лоттки-Вольтерра, брюсселятора и орегонатора и научные основы синтеза и
эксплуатации материалов электронной техники. М., 1992. С.42-52. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5482.
405. Прокопьев Е.П. Возможные химические реакции для случая неравновесных фазовых переходов в
атмосфере дефектов кремния // Физика и химия обработки материалов. 1992. №4. С.107-111.
406. Прокопьев Е.П. О возможности синергетического подхода к эволюции свойств технически важных
материалов // Письма в ЖТФ. 1992. Т.18. Вып.21. С.80-84.
407. Прокопьев Е.П. Феноменологическая модель эволюции свойств пленок SiO 2 на поверхности кремния //
Журнал прикладной химии. 1993. Т.66. №6. С.1242-1245.
408. Прокопьев Е.П. Возможность самоорганизации в атмосфере собственных дефектов кремния // Известия
вузов. Химия и химическая технология. 1993. Т.36. №11. С.22-25.
409. Прокопьев Е.П. Исследования в области технологии получения слоев кремния и сложных систем. М., 1994.
138 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5500.
410. Прокопьев Е.П. Неравновесные фазовые переходы в квазихимических реакциях в ансамблях дефектов
кремния в процессе ионной имплантации // Известия вузов. Химия и химическая технология. 1994. Т.37.
№7-9. С.18-22.
411. Прокопьев Е.П. О возможности неравновесных фазовых переходов в атмосфере собственных дефектов
кремния при протекании квазихимических реакций // Высокочистые вещества. 1995. №5. С.24-29.
412. Прокопьев Е.П. Модель неравновесных фазовых переходов в системе радиационных дефектов кремния и
германия // Химическая физика. 1996. Т.15. №10. С.107-111.
413. Прокопьев Е.П. Позитронсодержащие системы Х-е+ и Х=е+: учет поляризации анионов // Химическая
физика. 1997. Т.16. №5. С.65-71.
414. Прокопьев Е.П. Позитроны и атом позитрония, локализованные на дефектах структуры кварца и кремния //
Химия высоких энергий. 1997. Т.31. №2. С.158-160.
415. Прокопьев Е.П. “Позитронные” эффективные заряды анионов в полярных веществах // Известия вузов.
Физика. 1997. №2. С.23-29.
416. Прокопьев Е.П. Теория позитронных F+ - центров в ионных кристаллах // Химия высоких энергий. 1998.
Т.32. №1. С.60-62.
417. Прокопьев Е.П., Шантарович В.П. Оптическая модель позитрона и эффективные заряды ионов кислорода в
окислах металлов // Химическая физика. 1998. Т.17. №4. С.3-7.
418. Прокопьев Е.П. Об аномалиях аннигиляции атома позитрония в кристаллах // Химическая физика. 1998.
Т.17. №7. С.122-124.
419. Прокопьев Е.П. Времена жизни магнитопозитрония в полупроводниковых квантовых ямах // Письма в
ЖТФ. 1998. Т.24. №12. С.82-84.
420. Е.П.Прокопьев, В.И.Графутин С.П.Тимошенков.О возможности использования атома позитрония в
проблеме квантовой телепортации. В кн.: Международный научно-технический семинар “Проблемы
передачи и обработки информации в сетях и системах телекоммуникаций”. Материалы семинара. Рязань:
Изд-во Рязанской государственной радиотехнической академии, 1999. С.138-140.
421. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.П.Шантарович. Времена жизни магнитопозитрония в
квантовых ямах полупроводниковых сверхструктур GaAs|Al 0,3Ga0,7As. Химическая физика. 2001. Т.20. №3.
С.27-30.
422. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Особенности механизма аннигиляции
позитронов в металлах. Физика твердого тела. 1999. Т.41. Вып.6. С.929-934.
GETTERRING
423. E.P.Prokop'ev. Problem of getterring in silicon. Moscow. 1991. P.1-34. Deposited paper. VINITI. 5.07.91. No
2886-B91.
424. E.P.Prokop'ev, one co-author. A simple analytical model of getterring of gold in silicon. Elektronnaya tekhnika.
Ser.6. Materialy. 1991. No 8. P.78-80.
425. E.P.Prokop'ev. Mathematical model of getterring of metal impurities in silicon based on intrinsic atom model.
Vysokochistye veshchestva. 1992. No 4. P.47-53.
EXPERIMENTAL AND INDUSTRIAL SILICON EPITAXY
426. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Mathematical description of process of epitaxial silicon growth. I. Total
organization of problem of optimization of epitaxial growth reactors. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy.
1972. No 5. P.58-63.
427. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Mathematical description of process of epitaxial silicon growth. II. Analytical
formula of growth rate function. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1972. No 7. P.44-52.
428. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Mathematical description of process of epitaxial silicon growth. III. Nonstationary process of growth. Ibidem 1973. No 1. P.44-50.
429. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Mathematical description of silicon epitaxial growth process. IV. Calculation of
longitudional diffusion. Ibidem. 1973. No 2. P.27-31.
430. E.P.Prokop'ev, four co-author. Mathematical description of silicon epitaxial growth process in cylindrical circular
canal of variable section. Ibidem. 1973. No 3. P.43-51.
431. E.P.Prokop'ev, two co-authors. A simple analytical model of silicon epitaxial growth in tetrachloride process.
Ibidem. 1973. No 7. P.64-70.
432. E.P.Prokop'ev, three co-authors. About regimes of silicon epitaxial growth from vapour gas phase. Teoreticheskie
osnovy khimicheskoi tekhnologii. 1975. V.9. No 8. P.448-452.
433. E.P.Prokop'ev, seven co-authors. Elementary theory of growth and doping of epitaxial silicon films. In book: Rep.
thes. "V Symposium on processes of growth and synthesis of semiconductor crystals and wafers". Novosibirsk.
Publ. INC SO AN USSR. P.29.
434. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Calculation of sensibilities of growth rate function G(x) and function of distribution
of doping impurities N(x) for chloride and hydride processes in vertical reactor. Elektronnaya teknika. Ser.6.
Materialy. 1973.No 8. P.25-31.
435. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Optimization of growth and doping of silicon in hydride epitaxial process. Ibidem.
1974. No 1. P.34-41.
436. E.P.Prokop'ev, one co-author. About possibility to carry out vacuum silicon epitaxy in space. Ibidem. 1974. No 1.
P.53-61.
437. E.P.Prokop'ev, one co-author. About phenomenological theory of growth processes of semiconductor materials.
Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1974. No 2. P.43-47.
438. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Basis of growth and doping theory of epitaxial silicon films in tetrachloride
process. Zhurnal fizicheskoi khimii. 1976. V.50. No 7. P.2941-2946.
439. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Growth and doping of epitaxial silicon layers in tetrachloride process for case of
vertical reactor. Elektronnaya teknika. Ser.6. Materialy. 1977. No 2. P.62-74.
440. E.P.Prokop'ev. Regimes of growth and doping processes of epitaxial silicon films in tetrachloride process. In book:
Rep. thes. "III All-union conf. on physical and chemical bases of doping of semiconductor materials. Moscow.
Nauka. 1975. P.1.
441. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Anomalies of epitaxial silicon growth rate in vertical reactor. Elektronnaya
teknika. Ser.6. Materialy. 1974. No 8. P.52-57.
442. E.P.Prokop'ev. About processes of growth and doping of epitaxial silicon films in tetrachloride process. Zhurnal
prikladnoi khimii. 1976. V.49. No 7. P.1924-1932.
443. E.P.Prokop'ev. Connection between statistical and analytical methods of description of growth and doping
processes of epitaxial silicon layers. Elektronnaya teknika. Ser.6. Materialy. 1977. No 8. P.122-125.
444. E.P.Prokop'ev, four co-authors. To theory of growth and doping of epitaxial semiconductor layers from vapour and
gas phase in conditions of microgravitation. Progr. and rep. thes. "Conf. country-participation "Interkosmos" on
questions of space technology". Moscow. Publ. IKI AN USSR. 1978. P.6.
445. E.P.Prokop'ev, six co-authors. Gybride models of processes of growth and doping of epitaxial semiconductor
layers. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1976. No 10. P.9-26.
446. E.P.Prokop'ev, three co-authors. To question of carring out vacuum epitaxy of elementary semiconductors in space.
In book: "Production and behaviour of materials in space". Moscow. Nauka. 1973. P.8-15.
447. E.P.Prokop'ev, six co-authors. To theory of processes of epitaxial growth and doping of silicon layers in hydride
process in conditions of homogenic monosilane decomposition in volume of gas mixture in vertical reactor.
Zhurnal prikladnoi khimii. 1979. V.52. No 2. P.512-516.
448. E.P.Prokop'ev, fife co-authors. Calculation of stability of growth rate function G(x) and doping level function N(x)
of epitaxial silicon layers in hydride process. Moscow. 1978. 5 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-2369.
449. E.P.Prokop'ev, six co-authors. Peculiarities of processes of growth and doping of epitaxial silicon layers in
hydride process. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1978. No 2. P.47-55.
450. E.P.Prokop'ev, fife co-authors. Principal criterial dependences for processes of epitaxial silicon growth from
vapour gas phase in condition of microgravitation. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1978. No 6. P.28-34.
451. E.P.Prokop'ev, seven co-authors. In coll.: Growth problems of semiconductor crystals and films. Moscow. VINITI.
V.1, No 158-80; V.2, No. 159-80. 565 p.
452. E.P.Prokop'ev, four co-authors. The theory of LPCVD method of growth of polycrystaline silicon layers.
Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1979. No 2. P.34-38.
453. E.P.Prokop'ev, six co-authors. Possibility of construction of hybride model of growth processes and doping of
epitaxial silicon layers in tetrachloride process. In book: Rep. thes. "VIII All-union conf. on microelectronics ".
Moscow. MIET Publ. 1978. P.53.
454. E.P.Prokop'ev, seven co-authors. Growth and doping theory of epitaxial semiconductor layers from vapour gas
phase in conditions of microgravitation. Fizika i tekhnika poluprovodnikov. 1979. V.13. No 7. P.2075.
455. E.P.Prokop'ev, eight co-authors. Report of theory of growth and doping of epitaxial silicon layers from vapour gas
phase in flowing systems. Moscow. 1979. 50 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-2621.
456. E.P.Prokop'ev. Peculiriaties of growth and doping of epitaxial semiconductor layers in flowing systems. In book:
Rep. thes. "IV All-union conf. on physical and chemical bases of doping of semiconductor materials". Moscow.
Nauka. 1979. P.121.
457. E.P.Prokop'ev, one co-author. The theory of growth processes of semiconductor and dielectric films in diffusion
furnaces at low pressure. I. Diffusion-kinetic regimes. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1980. No. 3. P.5357.
458. E.P.Prokop'ev. Theory of growth processes of semiconductor and dielectric films in diffusion furnaces at low
pressure. II. Kinetic and diffusion regimes of processes. Ibidem. 1980. No 5. P.78-81.
459. E.P.Prokop'ev. Theory of epitaxial silicon growth in tetrachloride process including molecular diffusion processes
and thermodiffusion in stationary boundary layer. Zhurnal prikladnoi khimii. 1981. V.54. No 7. P.1468-1473.
460. E.P.Prokop'ev. Calculation of thermodiffusion influence on growth of epitaxial silicon layers in hydride process.
Zhurnal prikladnoi khimii. 1981. V.54. No 7. P.1599-1601.
461. E.P.Prokop'ev, six co-authors. Investigation of growth of epitaxial silicon layers in hydride process. Zhurnal
prikladnoi khimii. 1981. V.54. No 9. P.1963-1966.
462. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Investigation of process of growth of epitaxial silicon layers in tetrachloride
process. Zhurnal prikladnoi khimii. 1981. V.54. No.9. P.2133-2137.
463. E.P.Prokop'ev. Effussion and space electron material science and technology. Elektronnaya tekhnika. Ser.3.
Mikroelektronika. 1981. No.1. P.3-5.
464. E.P.Prokop'ev. Investigation of novel type convective flows in space materil science. Elektronnaya tekhnika. Ser.3.
Mikroelektronika. 1981. No 1. P.6-8.
465. E.P.Prokop'ev. Investigation of novel type convective flows in microgravitation conditions and their possible role
in space electron material science. Moscow. 1981. 5 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-3291.
466. E.P.Prokop'ev. To question of epitaxial silicon growth theory. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika.
1981. No 5. P.8-10.
467. E.P.Prokop'ev. About calculation of influence of Stephan flow at silicon epitaxy in tetrachloride
Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1981. No 2. P.51-53.
process.
468. E.P.Prokop'ev, three co-authors. About gas dynamics of growth of epitaxial silicon layers in system SiH 4-SiCl4-H2.
Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1981. No 3. P.30-33.
469. E.P.Prokop'ev, one co-author. Mathematical description of epitaxial silicon growth. VI. Calculation of rotation of
pyramide. Moscow. 1981. 5 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-3078.
470. E.P.Prokop'ev. About masstransfer in processes of growth of semiconductor layers.
khimicheskoi tekhnologii. 1983. V.17. No 5. P.599-603.
Teoreticheskie osnovy
471. E.P.Prokop'ev, six co-authors. Investigation of mass transfer in condition microgravitation in stationary bound
layer for process of epitaxial growth of semiconductor layers. Progr. and rep. thes. "11 Gagarinskie chteniya".
Moscow. MAI Publ.1981. P.5.
472. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Investigation of process of growth of epitaxial silicon layers in dichlorsilane
process. Zhurnal prikladnoi khimii.. 1983. V.56. No 2. P.410-412.
473. E.P.Prokop'ev, three co-authors. About gas dynamics of growth of epitaxial silicon layers in system SiH 4-SiCl4-H2.
II. Calculation of gas phase decomposition of monosilane. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1981. No 6.
P.42-45.
474. E.P.Prokop'ev. About gas dynamics of growth of epitaxial silicon layers in system SiH4-SiCl4-H2. III. The
theory of general case of transition regime of process. Ibidem. 1981. No 7. P.51-52.
475. E.P.Prokop'ev, three co-authors. About gas dynamics of growth of epitaxial silicon layers. IV. Optimization of
process. Ibidem. 1981. No 8. P.38-40.
476. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Analysis of stability of processes of growth and doping of epitaxial silicon layers in
hydride process. Moscow. 1982. P.41. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-3534.
477. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Modern state of technology of production of semiconductor materials and
perspectives her development in space conditions. Progr. and rep. thes. on science and technical seminar
"Problems of space industry and technology". Kaliningrad, Moscow region, 18-20 April 1977. P.10.
478. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Peculiriaties of growth of epitaxial silicon layers from dichlorsilane process.
Coll. work of All-union seminare "Application of epitaxial technology in industry of semiconductor power
devices". Ellaste. Publ. AN Est.SSR. 1981. P.6-10.
479. E.P.Prokop'ev,two co-authors. Analysis of mass transfer in conditions microgravitation in stationary boundary
layer for processes of epitaxial growth of semiconductor layers. Elektronnaya tehknika. Ser.6. Materialy. 1982.
No. 1. P.29-31.
480. E.P.Prokop'ev, two co-authors. About calculation of contribution of natural convection in growth process of
epitaxial silicon layers in tetrachloride process. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1982. No 6. P.8687.
481. E.P.Prokop'ev. Role of diffusion processes in space material science and technology. In book: Nauchnye chteniya
po aviatsii i kosmonavtike. Moscow. Nauka. 1980. P.290.
482. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Peculiriaties of mathematical modeling of processes of growth and doping of
monocrystals and epitaxial semiconductor layers from gas and vapour phase in conditions microgravitation. Progr.
and rep. thes. "16 nauchnye chteniya po aviatsii i kosmonavtike". Kaluga. Publ. IET. 1981. P.24.
483. E.P.Prokop'ev, two co-authors. To question of mathematical description of industrial vertical reactors for growth of
epitaxial silicon layers. Elektronnaya tehknika. Ser.6. Materialy. 1982. No 1. P.41-43.
484. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Investigation of process of industrial silicon epitaxy in vertical cylinder reactor.
Ibidem. 1982. No. 2. P.6-10.
485. E.P.Prokop'ev, four co-authors. The theory of surface processes determining growth rate of epitaxial silicon
layers in system SiH4-H2 at low pressures. Moscow. 1982. P.44. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-3534.
486. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Analysis of surface reactions determinig growth rate of epitaxial silicon layers in
systems SiH4-SiCl4-H2 and SiH4-SiH2Cl2-H2. Moscow. 1982. P.43. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P3534.
487. E.P.Prokop'ev, two co-authors. About gas dynamics of growth of epitaxial silicon layers in system SiH 4-SiCl4-H2.
V. Surface reactions determining growth rate. Moscow. 1982. 6 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P3640.
488. E.P.Prokop'ev, one co-author. Investigation of non-stationary growth processes of epitaxial silicon layers. Zhurnal
prikladnoi khimii. 1983. V.55. No 5. P.1135-1136.
489. E.P.Prokop'ev. The chemical hydrodynamics of growth processes of epitaxial silicon layers.
tekhnika. Ser.6. Materialy. 1983. No. 7. P.70-71.
Elektronnaya
490. E.P.Prokop'ev, one co-author. Analysis of hydrodynamics of diffusion regime of growth processes of epitaxial
silicon layers. Zhurnal prikladnoi khimii. 1985. V.58. No 2. P.455-457.
491. E.P.Prokop'ev. Investigation of growth process of epitaxial silicon layers in vertical reactors.
osnovy khimicheskoi tekhnologii. 1986. V.20. No 3. P.698-701.
Teoreticheskie
492. E.P.Prokop'ev. Peculiriaties of chemical hydrodynamics of growth processes of epitaxial silicon layers. Zhurnal
prikladnoi khimii. 1983. V.56. No 7. P.1636-1638.
493. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Application of Boreskov-Slin'ko reactor model for calculation of growth of
epitaxial silicon layers in conditions microgravitation at low pressures. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy.
1982. No 8. P.21-24.
494. E.P.Prokop'ev, one co-author. Application of non-stationary Frank-Kamenetskii diffusion model to investigation
of growth processes of epitaxial silicon layers. Ibidem. 1982. No 9. P.33-35.
495. E.P.Prokop'ev. Investigation in materials science region. Theory, methods of investigations, applications. Moscow.
1984. 52 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-3870.
496. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Investigation of surface reactions determining growth rate of epitaxial silicon
layers in system SiH4-SiH2Cl2-H2. Zhurnal prikladnoi khimii. 1985. V.58. No. 5. P.1057-1061.
497. E.P.Prokop'ev. Investigation of hydrodynamics of growth processes of epitaxial silicon layers. Moscow. 1985.
P.22-25. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-4164.
498. E.P.Prokop'ev. To question of mass transfer theory in processes of epitaxial silicon growth for the case of hydride
process in conditions of disintegration of monosilane. Zhurnal prikladnoi khimii. 1986. V.59. No. 7. P.659.
499. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Application of theory of boundary Landau layer for investigation of chemical
hydrodynamics of growth of monocrystals and films in conditions of microgravitation. In book: "3 All-union
seminar on problems of hydrodynamics and heat- and mass-transfer in conditions of microgravitation". Moscow.
Publ. IPM AN USSR. 1984. P.67.
500. E.P.Prokop'ev. Investigation of chemical hydrodynamics in epitaxial reactors. Moscow. 1987. 6 p. Deposited
paper. TSNII "Elektronika". P-4321.
501. E.P.Prokop'ev, one co-author. Mathematical models of growth processes of epitaxial silicon layers in industrial
tetrachloride and hydride processes. In book: Rep. thes. 1 All-union conf. "Physical methods of investigations of
surface and diagnostics of materials and elements of computer technique on base of silicon". Kishinev. Shtinitsa.
1986. P.61.
502. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Peculiriaties of mathematical modelling of growth and doping processes of
epitaxial silicon layers from vapour gas phase in conditions of microgravitation. In book: K.E.Tsiolkovskii and
problems of space industry. Moscow. Publ. IIET AN USSR. 1982. P.105-109.
503. E.P.Prokop'ev, one co-author. Peculiriaties of growth process of epitaxial silicon layers in system SiH4-H2 at low
pressures. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1988. No 5. P.40-43.
504. E.P.Prokop'ev, two co-authors. About local chacteristics of chemical hydrodynamics of growth processes of
epitaxial silicon layers in industrial reactors of vertical type. Ibidem. 1985. No 12. P.73-75.
505. E.P.Prokop'ev. About possible fractal structure of whilrewind in epitaxial reactors of semiconductor growth.
Ibidem. 1991. No. 1. P.60-61.
506. E.P.Prokop'ev. About possibilities of process of vapour gas levitation in silicon epitaxy. Zhurnal prikladnoi khimii.
1990. V.63. No.6. P.1401-1403.
507. E.P.Prokop'ev. About hydrodynamics of growth processes of epitaxial silicon layers in vertical reactor. Ibidem.
1992. V.65. No. 5. P.1811-1812.
508. E.P.Prokop'ev. About processes of masstransfer and kinetics of deposition of silicon films by LICVD method.
Moscow. 1992. P.64. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5476.
509. E.P.Prokop'ev, three co-authors. To question of masstransfer theory in processes of epitaxial semiconductor layer
growth. Ibidem. P.65-74.
510. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Peculiriaties of masstransfer in hydride and chloride processes of growth of
silicon layers at speed impulse heating of wafers by noncoherent light sources. Moscow. 1992. 14 p. Deposited
paper. TSNII "Elektronika". P-5490.
511. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Model of non-stationary diffusion kinetics of silicon layer growth in hydride and
tetrachloride processes at speed impulse thermal heating.Vysokochistye veshechestva. 1993. No. 5. P.165-173.
512. E.P.Prokop'ev. Catalysis of layer growth GexSi(1-x) by german in mixture hydride and dichlorsilane processes.
Moscow. 1992. 9 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5482.
513. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Modelling of process of silicon layer growth in hydride and tetrachloride
processes at speed impulse heating by light. Vysokochistye veshechestva. 1994. No 1. P.39-47.
514. E.P.Prokop'ev. About diffusion and recombination of point defects in silicon. Elektronnaya tekhnika. Ser.6.
Materialy. 1990. No 4. P.39-47.
515. E.P.Prokop'ev. About possibilities of growth of monocrystals and thin films of high temperature superconductor
materials in conditions of microgravitation. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1991. No.1. P.45-50.
516. E.P.Prokop'ev. About possibility of receipt of information bit with help of modification of properties of artifical
atoms in semiconductor superstructures. Moscow. 1994. P.178-183. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P5497.
517. E.P.Prokop'ev. Possibility of receipt of infomation bit with help of modification of properties of artifical atoms in
semiconductor superstructures. Mikroelektronika. 1994. In press.
518. E.P.Prokop'ev. Mathematical model of laser photochemical deposition of silicon films in hydride process.
Moscow. 1992. P.63. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5476.
519. E.P.Prokop'ev. About applications of kinetical Chen theory to photochemical method of silicon deposition in
hydride process. Moscow. 1992. 48 p. Deposited paper. VINITI. No 2462-B92.
520. E.P.Prokop'ev. Mathematical models of laser chemical method of deposition of silicon layers in hydride process.
Moscow. 1992. P.12-19. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5482.
521. E.P.Prokop'ev. Mathematical model of impulse laser chemical method of deposition of silicon layers in hydride
process. Moscow. 1992. P.20-27. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5482.
522. E.P.Prokop'ev. About calculation of growth rate of laser chemical method of silicon layer deposition in hydride
process. Fizika i khimiya obrabotki materialov. 1993. No 3. P.105-108.
523. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Novel investigations of some perspective technological processes of growth and
doping of silicon layers. Moscow. 1994. 195 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5497.
524. E.P.Prokop'ev. To question of modelling and optimization of production of epitaxial silicon
tetrachloride process. Ibidem. P.36-57.
layers
in
525. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Modelling of processes of growth and doping of silicon layers in tetrachloride
process at speed impulse heating of wafers by noncoherent radiation. Ibidem. P.58-85.
526. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Analitical model of growth rate and doping level of epitaxial silicon layers in
chloride and hydride processes. Ibidem. P.86-113.
527. E.P.Prokop'ev, two co-authors. About modelling of processes of silicon layer growth at speed impulse heating of
wafers by noncoherent radiation. Ibidem. P.137-145.
528. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Nonstationary diffusion kinetics of rapid thermal CVD process of silicon. P.146147.
529. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Theory of doping of silicon layers deposited at rapid heating of wafers by
noncoherent radiation. Ibidem. P.148-158.
530. E.P.Prokop'ev. A model of deposition of semiconductor layers in flowing epitaxial reactor. Ibidem. P.159-166.
DIAMOND FILMS
531. E.P.Prokop'ev. A simple mathematical model of growth of diamond layers in gas mixture CH 4+H2 at low
pressure using heating filament. Moscow. 1992. P.28-34. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5482.
532. E.P.Prokop'ev. Modelling of process of diamond layer growth in gas mixture CH 4+H2 of low pressure using
heating filament method. Fizika i khimiya obrabotki materialov. 1993. No 6. P.48-52.
a-SiH:H FILMS
533. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Some aspects of silane plasma chemistry. Moscow. 1988. 35 p. Deposited paper.
TSNII "Elektronika". P-4676.
534. E.P.Prokop'ev, two co-authors. In book: Rep. thes. "3 All-union conf.
semiconductor films". Ivanovo-Frankovsk. Publ. IFPI. 1990. P.77.
on physics and technology of thin
535. E.P.Prokop'ev. Ibidem. P.14.
536. E.P.Prokop'ev. Simulation of silane rf glow discharge plasma. Moscow. 1990. 30 p. Deposited paper. TSNII
"Elektronika". P-5404.
537. E.P.Prokop'ev. Elementary theory of growth of a-Si:H films. Moscow. 1990. P.36-41. Deposited paper. TSNII
"Elektronika". P-5413.
538. E.P.Prokop'ev. About theory of growth of a-Si:H films. Ibidem. P.33.
539. E.P.Prokop'ev. About theory of growth of a-Si:H films in conditions of rf glow discharge in gas mixtures SiH4-H2
and SiH4-He. Ibidem. P.53-60.
540. E.P.Prokop'ev. About theory of growth process amorphous a-Si:H films in conditions of rf glow discharge in
silane gas mixtures. Ibidem. P.40-52.
541. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Elementary theory of a-Si:H film deposition in glow-discharge conditions.
Moscow. 1990. P.1-33. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5413.
542. Boundary layer model of a-Si:H film deposition process in rf glow-discharge conditions. Ibidem. P.42-51.
543. E.P.Prokop'ev. Application of nuclear Fliorov filters in the technology of a-Si:H film production. Ibidem. P.30-31.
544. E.P.Prokop'ev. The a-Si:H film deposition in rf glow-discharge process in SiH4-H2 mixture.
tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1990. No. 3. P.9-11.
Elektronnaya
545. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Study of a-Si:H film deposition rf glow-discharge in SiH4-H2 mixture.
Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1990. No 4. P.14-17.
546. E.P.Prokop'ev. Mathematical model of a-Si:H film deposition in rf glow-discharge in silane mixtures.
Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1990. No 5. P.68-72.
547. E.P.Prokop'ev. Simulation and optimization of a-Si:H film deposition in silane gas mixtures at low pressure.
Moscow. 1991. P.2-29. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5436.
548. E.P.Prokop'ev. Elementary analytical model of a-Si:H film deposition in rf glow-discharge conditions in SiH4-H2
gas mixtures. Ibidem P.48-57.
549. E.P.Prokop'ev. Boundary layer model of a-Si:H film deposition in rf glow-discharge conditions in SiH4-H2 gas
mixtures. Vysokochistye veshechestva. 1991. No 2. P.180-184.
550. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Optimization of a-Si:H film deposition in silane rf glow-discharge. Elektronnaya
tekhnika. Ser.6. Materialy. 1991. No 2. P.71-73.
551. E.P.Prokop'ev, two co-authors. The a-Si:H film deposition in silane glow discharge at low pressure. Elektronnaya
tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1991. No 2. P.51-54.
552. E.P.Prokop'ev. Model of a-Si:H film deposition in rf glow-discharge conditions in SiH4-H2 and SiH4-He gas
mixture. Izvestiya vuzov. Ser. khimiya i khimicheskaya tekhnologiya. 1991. V.34. No.10. P.109-115.
553. E.P.Prokop'ev. Elementary theory of a-Si:H film deposition in rf glow-discharge. Khimiya vysokikh energii. 1992.
V.26. No 2. P.169-172.
554. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Analysis of the mathematical model of a-Si:H film deposition rate in silane plasma
miztures at low pressure. Moscow. 1992. P.2-39. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5476.
555. E.P.Prokop'ev. Elementary analytical model of a-Si:H film deposition in rf glow-discharge conditions in SiH4-H2
gas mixture. Vysokochistye veshechestva. 1992. No 3. P.67-71.
556. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Hybrid model of a-Si:H film deposition in rf glow-discharge in SiH4-H2 gas
mixture. Fizika i khimiya obrabotki materialov. 1993. No 2. P.85-90.
557. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Analysis of regimes of growth process of amorphous a-Si:H films in silane plasma
mixtures at low pressure. Moscow. 1994. P.85-95. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5500.
558. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Analysis of amorphous silicon deposition conditions in plasma silane mixtures at
low pressure. Nuovo Cimento. D. 1997. Vol.19. №6. P.817-826.
559. E.P.Prokop'ev. A model of deposition of semiconductor layers in flowing epitaxial reactor. Zhurnal tekhnicheskoi
fiziki. 1995. Т.68. Вып.2. С.22-29.
560. E.P.Prokop'ev. Mathematical model of impulse laser chemical method of deposition of silicon layers in hydride
process. Fizika i khimiya obrabotki materialov. 1994. №4-5. С.121-125.
561. E.P.Prokop'ev. Analysis of regimes of growth process of diamond layers in gas mixture CH 4+H2 at low pressure
using a heating filament. Moscow. 1992. P.73-84. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5476.
562. E.P.Prokop'ev. Analysis of diffusion-controlled reaction I + V  O in silicon in regimes of excitement and
extenguishment. Moscow. 1992. P.85-95. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5476.
563. E.P.Prokop'ev. Simulation of growth layer diamond process in gas mixture CH4+H2 at low pressure using a
heating filament. Fizika i khimiya obrabotki materialov. 1994. №6. С.48-52.
564. E.P.Prokop'ev. Investigation of impulse laser chemical method of silicon layer deposition. Electronnaya
promyshlennost’. 1994. №6. З.58,59.
565. E.P.Prokop'ev. Simulation of silicon layer growth at rapid impulse heating of wafers by noncoherent radiation.
Zhurnal prikladnoi khimii. 1994.Т.67. №3, С.503,504.
566. E.P.Prokop'ev. Simulation of growth layer diamond process in gas mixture CH 4+H2 at low pressure using a
heating filament. . Electronnaya promyshlennost’. 1994. №6. С.60.
567. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Simulation of growth and doping processes of silicon layers in tetrachloride and
hydride processes at rapid impulse heating of wafers by noncoherent radiation. Vysokochistye veshechestva. 1994.
№6. С.63-76.
568. E.P.Prokop'ev. To question of simulation and optimization of epitaxial silicon layer growth in tetrachloride process.
Moscow. 1994. P.38-57. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5497.
569. E.P.Prokop'ev. A simple analytical model of diamond layer growth in gas mixture CH 4+H2 at low pressure using a
heating filament. Izvestiya vuzov. Ser. khimiya i khimicheskaya tekhnologiya. 1995. V.38. Вып.4-5. С.45-51.
570. E.P.Prokop'ev. Novel analytical model of growth rate and doping level of epitaxial silicon layers in chloride and
hydride processes. Fizika i khimiya obrabotki materialov. 1996. №1. С.76-87.
571. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Investigation a-Si:H film growth process in gas mixture SiH4-H2. I,II. Moscow.
1994. P.1-35. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5497.
572. E.P.Prokop'ev. Simulation of growth silicon process in flowing systems. I. Silane process. Vysokochistye
veshechestva. 1995. №3. С.57-65.
573. E.P.Prokop'ev. Simulation of semiconductor growth process in flowing systems. II. Dichlorsilane, german and
mixtture german-dichlorsilane processes. Vysokochistye veshechestva. 1994. №3. С.66-77.
KINETICS AND CATALYSIS
574. Б.И.Попов, Е.П.Прокопьев, Л.Н.Шкуратова. Авторское свидетельство «Способ получения кобальтмолибденового катализатора для окисления метанола в формальдегид». № 147581 Комитет по делам
изобретений и открытий при Совете Министров СССР, 1962.
575. Е.П.Прокопьев, Л.Н.Шкуратова. Кинетика и механизм окисления метанола в формальдегид на окисных
катализаторах. Сборник «Труды II конференции молодых ученых СО АН СССР». Новосибирск, 1960. С.12.
576. Б.И.Попов, Е.П.Прокопьев, Л.Н.Шкуратова. Усовершенствование катализатора в производстве
формальдегида из метанола. 0-881. Отчет Института Катализа СО АН СССР, 1960. 21 с.
577. Б.И.Попов, Е.П.Прокопьев, Л.Н.Шкуратова. Исследование окисных катализаторов в производстве
формальдегида на основе молибдена. 0-881. Отчет Института Катализа СО АН СССР, 1960. 9 с.
578. Б.И.Попов, Е.П.Прокопьев, Л.Н.Шкуратова. Исследование окисления метанола в формальдегид на окисных
катализаторах. 0-881. Отчет Института Катализа СО АН СССР, 1960. 30 с.
579. E.P.Prokop'ev, one co-author. Kinetics and mechanism of methanol oxidation in formaldegid on oxide catalysts. In
book: Reports II conf. jung scientists of SO AN USSR. Novosibirsk. 1960. P.6.
580. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Patent USSR. 1962. No 147581.
581. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Rep. IC SO AN USSR. 1960. No. O-881. 21 p.
582. E.P.Prokop'ev, one co-author. Rep. IC SO AN USSR. 1960. No. O-881. 9 p.
583. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Rep. IC SO AN USSR. 1960. No. O-881. 30 p.
584. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Diffusion calculation of reaction rate of the first order on granules of various form.
Kinetika i Kataliz. 1968. V.9. P.404.
585. E.P.Prokop'ev. Calculation of diffusion influence in porous catalysts in case of arbitrary kinetics. Ibidem. 1968.
V.9. P.707.
586. E.P.Prokop'ev, co-authors. Rep. NIFKHI im. Karpova. No 635. 1968. 50 p.
587. E.P.Prokop'ev, two co-authors. About kinetics of chemical reaction... Zhurnal fizicheskoi khimii. 1968. V.41.
P.2313.
588. E.P.Prokop'ev, co-authors. Rep. IMBP. Moscow. 1967. No. 582. 40 p.
589. E.P.Prokop'ev, co-authors. Rep. IMBP. 1968. No. 280. 80 p.
590. E.P.Prokop'ev, co-authors. Ibidem. 1968. No. 635. 100 p.
591. E.P.Prokop'ev, co-authors. Report NIIMV. Moscow. 1973. No.756. 100 p.
592. E.P.Prokop'ev, co-authors. Ibidem. 1973. No 1823. 125 p.
593. E.P.Prokop'ev, co-authors. Ibidem. 1973. No 2079. 157 p.
594. E.P.Prokop'ev, co-authors. Ibidem. 1974. No 2772. 300 p.
595. E.P.Prokop'ev, co-authors. Ibidem. 1974. No 832. 200 p.
596. E.P.Prokop'ev, co-authors. Ibidem. 1977. No 3338. 150 p.
597. E.P.Prokop'ev, co-authors. Ibidem. 1977. No 1200. 250 p.
598. E.P.Prokop'ev, one co-author. Ibidem. 1982. No 2528. 7 p.
599. E.P.Prokop'ev. Study of equation of isoterm reaction of the first order at porous catalysts. Zhurnal prikladnoi
khimii. 1969. V.42. P.354.
600. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Study of mathematical model of conversion of CO with vapour H 2O.
Khimicheskaya promyshlennost'. 1967. No 4. P.302.
601. E.P.Prokop'ev, one co-author. Joint influence of external and internal diffusion on rate of the first order reaction.
Zhurnal prikladnoi khimii. 1973. V.46. P.565.
602. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Study of oxide Fe-Mo catalysts of oxidation of methanol in formaldegide. III.
Mossbauer spectrums. Kinetika i Kataliz. 1972. V.13. P.240.
603. E.P.Prokop'ev, six co-authors. Study of ferrogel formation process at heating by mossbauer spectroscopy method.
Kolloidnyi zhurnal. 1974. V.35. P.133.
604. E.P.Prokop'ev, one co-author. About theory of dynamical C-V characterictics of MOS structures. Elektronnaya
tekhnika. Ser.6. Materialy. 1974. No 1. P.62.
605. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Investigation of surface polish etching of silicon wafers by HCl. Elektronnaya
tekhnika. Ser.6. Materialy. 1977. No 3. P.45.
606. E.P.Prokop'ev, four co-authors. About theory of Al2O3 film deposition on silicon wafers by pyrolise of Alisopropilate in N2 medium. Zhurnal prikladnoi khimii. 1979. V.52. P.282.
607. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Investigation of Al2O3 film deposition on silicon wafers by pyrolise of Alisopropilate in N2 medium. Zhurnal prikladnoi khimii. 1979. V.52. P.277.
608. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Investigation of surface properties of mechanically processed silicon wafers. In
book: Rep. thes. 3 All-union conf. "Structure defects in semiconductors". Novosibirsk. Publ. IFP SO AN USSR.
1978. P.265.
609. E.P.Prokop'ev, co-authors. NIIMV Report. Moscow. 1980. No. 3576. 150 p.
SPACE TECHNOLOGY AND MATERIAL SCIENCE
610. E.P.Prokop'ev, one co-author. About possibilities of carring out vacuum silicon epitaxy in space. Elektronnaya
tekhnika. Ser.6. Materialy. 1972. No 1. P.53.
611. E.P.Prokop'ev. To theory of growth and doping of epitaxial semiconductor layers from gas vapour phase in
conditions microgravitation. Progr. and rep. thes. "Conf. of State-particip. "Interkosmos" on questions of space
technology". Publ. IKI AN USSR. Moscow. 1978. P.3.
612. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Modelling investigations of crystals PbTe on apparatus "Kristall". Ibidem. P.4.
613. E.P.Prokop'ev, three co-authors. To question of conduction of vacuum epitaxy of elementary semiconductors in
space. In book: The production and behaviour of materials in space. Moscow. Nauka. 1978. P.8.
614. E.P.Prokop'ev. Peculiarities of liquid phase crystal growth in conditions of microgravitation. Ibidem. P.3.
615. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Simulation of process of Ge, InSb, InAs monocrystal growth in conditions of
microgravitation. See /579/. P.5.
616. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Modelling of PbSe1-xTex crystal growth from gas phase on apparatus "Kristall". See
/579/. P.6.
617. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Peculiriaties of GaAs monocrystal growth in conditions of microgravitation.
Ibidem. P.7.
618. E.P.Prokop'ev, seven co-authors. About influence of accidental momentums on growth of monocrystals from liquid
phase. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1978. No 2. P.51.
619. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Computer simulation and selection of optimal algorithmes of temperature control
in heating apparatus "Kristall". Progr. and rep. thes. "Gagarinskie chteniya". Moscow. Publ. MAI. 1979. P.10.
620. E.P.Prokop'ev, four co-authors. One dimensional mathematical model of heat apparatus "Kristall". Ibidem. 1979.
P.7.
621. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Mathematical model of tecnological apparatus "Korund". Ibidem. 1980. P.7.
622. E.P.Prokop'ev. One dimensional digital model of cylinder heat unit. Moscow. 1982. P.129-138. Deposited paper.
TSNII "Elektronika". P-3475.
623. E.P.Prokop'ev. About concept of world mind. Moscow. 1982. P.116-117. Deposited paper. TSNII "Elektronika".
P-3475.
624. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Computer simulation and selection of optimal algorithmes of temperature control in
heating apparatus "Kristall". In book: Nauchnye chteniya po aviatsii i kosmonavtikt. Moscow. Nauka. 1980.
P.285.
625. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Investigations in area of technology of space electron material science on apparatus
"Kristall". Pep. thes. "17 Chteniya of K.E. Tsiolkovskogo". Kaluga. 1982. P.10.
626. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Application of Landau boundary layer theory for investigation of chemical
hydrodynamics of monocrystal growth process in conditions of microgravitation. Rep. thes. "3 All-union
seminar on problems of hydodynamics and heat- and mass-transfer in conditions microgravitation”. Moscow.
Publ. IPM AN USSR. 1984. P.67.
627. E.P.Prokop'ev. About possibilities of growth of monocrystals and thin films of high temperature superconductors in
conditions of microgravitation. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1989. No. 1. P.45-50.
OTHER SCIENTIFIC WORKS
628. E.P.Prokop'ev. Possible models of coherent behaviour of defect atmosphere in semiconductor crystals. Moscow.
1994. P.102-115. Deposited paper. TSNII "Elektronika". Р-5500.
629. E.P.Prokop'ev. Non-equilibrium phase transitions in chemical reactions in ensembles of solid defects in process ion
implantation. Moscow. 1994. P.116-122. Р-5500.
630. E.P.Prokop'ev, two co-authors. About peculiriaties of determination of concentration of imperfection centres in
semiconductors by C-V method. Rep. thes. "8 All-union conf. on microelectronics". Moscow. Publ. MIET. 1978.
P.53.
631. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Distribution of concentration of charge carries in sharp n-n+ transitions. Moscow.
1978. 4 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-2368.
632. E.P.Prokop'ev. About influence of surface states on n-type semiconductors-metals interface on height of Schottky
barrier. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1979. No 1. P.93.
633. E.P.Prokop'ev, one co-author. Calculation of concentration imperfection profile in epitaxial structures by GarrettBraittan method from experimental C-V characteristics. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1972. No.10.
P.89.
634. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Determination of concentration imperfection profile in thin semiconductor
layers by C-V method. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1973. No 5. P.120.
635. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Influence of deep imperfection levels on C-V characteristics of Schottky barrier.
Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1974. No2. P.16.
636. E.P.Prokop'ev. Investigations in area of production of silicon layers and complex systems. Moscow. 1994. 138
p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". Р-5500.
637. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Determination of concentration imperfection profile in thin epitaxial layers by CV and I-V characteristics. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1974. No. 5. P.117.
638. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Some peculiriaties of determination of concentration imperfection profile in
semiconductor layers by C-V characteristics of Schottky barrier. Elektronnaya tekhnika. Ser.3.
Mikroelektronika. 1976. №5. P.66.
639. E.P.Prokop'ev. Investigations in area of production of silicon layers and complex systems. Moscow. 1994. 138
p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". Р-5500.
640. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Determination of concentration imperfection profile in thin epitaxial layers by CV and I-V characteristics. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1974. No. 5. P.117.
641. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Some peculiriaties of determination of concentration imperfection profile in
semiconductor layers by C-V characteristics of Schottky barrier. Elektronnaya tekhnika. Ser.3.
Mikroelektronika. 1976. Mo 5. P.67.
642. Е.П.Прокопьев, В.В.Зотов, В.Н.Стаценко. Моделирование процессов наращивания слоев кремния в
гидридном и тетрахлоридном процессах при быстром импульсном нагреве светом. Высокочистые
вещества. 1994. №1. С.39-47.
643. Е.П.Прокопьев. Процесс роста аморфных пленок a-Si:Н в условиях высокочастотного разряда в силановых
газовых смесях. Теоретические основы химической технологии. 1994. Т.28. №1. С.43-47.
644. Е.П.Прокопьев. . Моделирование и оптимизация скорости роста и уровня легирования эпитаксиальных
слоев кремния в гидридном и тетрахлоридном процессах. Высокочистые вещества. 1994. №6. С.63-76.
645. Е.П.Прокопьев. Анализ режимов процесса роста слоев алмаза в газовой смеси CH 4+H2 пониженного
давления в методе нагретой нити. Химическая физика. 1994. Т.13. №11. С.65-69.
646. Е.П.Прокопьев. Модель осаждения полупроводниковых слоев в проточном газоэпитаксиальном реакторе.
Журнал технической физики. 1995. Т.65. Вып.2. С.22-29.
647. Е.П.Прокопьев, В.В.Зотов, В.Н.Стаценко. Моделирование процессов роста и легирования слоев кремния в
тетрахлоридном процессах при быстром импульсном нагреве подложек некогерентным излучением.
Высокочистые вещества. 1995. №4. С.54-66.
648. Е.П.Прокопьев. О процессах массопереноса и кинетике роста пленок кремния LICVD методом. Тез. докл.
5-ой Всероссийской конференции по лазерной химии (Лазаревское, 30 сентября – 5 октября 1992 г.). М.:
ИХФ РАН. С.47.
649. Е.П.Прокопьев, С.В.Петров, Е.М.Соколов. Анализ режимов процесса роста аморфных пленок a-Si:Н в
силановых плазменных смесях пониженного давления. М., 1995. С.1-11. Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р5501.
650. Е.П.Прокопьев, В.В.Зотов, В.Н.Стаценко. Нестационарная кинетика роста слоев кремния в тетрахлоридном
процессе при быстром импульсном нагреве подложек некогерентным излучением. М., 1995. С.26-39. Деп.
в ЦНИИ «Электроника». Р-5501.
651. Е.П.Прокопьев. О возможности получения слоев кремния в тетрафторидном процессе. М., 1995. С.40 -48.
Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р-5501.
652. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Analysis of regimes of growth process of amorphous a-Si:H films in silane plasma
mixtures at low pressure. I. Moscow. 1994. P.12-17. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5501.
653. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Analysis of regimes of growth process of amorphous a-Si:H films in silane plasma
mixtures at low pressure. Moscow. 1994. P.18-25. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5501.
654. Е.П.Прокопьев. Простая аналитическая модель роста слоев алмаза в газовой смеси CH 4+H2 пониженного
давления с использованием метода нагретой нити. Известия вузов. Серия химия и химическая технология..
1995. Т.38. №11. С.48-51.
655. Е.П.Прокопьев. Аналитическая модель скорости роста и уровня легирования эпитаксиальных слоев
кремния в хлоридных и гидридном процессах. Физика и химия обработки материалов. 1996. №1. С.76-87.
656. Е.П.Прокопьев, С.В.Петров, В.И.Белоусов. Опытно-промышленная эпитаксия кремния: новая
аналитическая модель. Петербургский журнал электроники. 1996. №1. С.29-40.
657. Е.П.Прокопьев, С.В.Петров. Модель сращивания пластин кремния по данным газовыделения. М., 1996.
С.103-112. Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р-5502.
658. Е.П.Прокопьев, С.В.Петров, Е.М.Соколов. Слои кремния:в импульсном тетрахлоридном процессе.
Петербургский журнал электроники. 1996. №4. С.30-34.
659. Е.П.Прокопьев, С.В.Петров, Е.М.Соколов. Анализ режимов процесса роста аморфных пленок a-Si:Н в
силановых плазменных смесях пониженного давления. Физика и химия обработки материалов. 1997. №2.
С.70-74.
660. Е.П.Прокопьев, С.В.Петров, Е.М.Соколов. Пленки a-Si:Н :в ВЧ тлеющем разряде газовой смеси SiH4-H2 .
Петербургский журнал электроники. 1997. №2. С.14-19.
661. Е.П.Прокопьев. Аналитическая модель роста эпитаксиальных слоев кремния в тетрахлоридном процессе.
Теоретические основы химической технологии. 1997. Т.31. №5. С.505-509.
662. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.В.Зотов. Модель осаждения
кремния в проточном
газоэпитаксиальном реакторе. Петербургский журнал электроники. 1998. №2. С.17-21.
663. Е.П.Прокопьев, В.В.Зотов, С.П.Тимошенков. Модель осаждения слоев кремния на стенках капилляров и
пор из парогазовых смесей. Материаловедение. 1998 .№3. C.2-4.
664. С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. Исследование плазменного высокочастотного осаждения частиц оксидов
с целью получения многокомпонентных стекловидных диэлектрических слоев на подложках кремния.
Химия высоких энергий. 1998. Т.32. №6. С.475-477.
665. С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. ВЧИ плазменный метод получения многокомпонентных диэлектрических
слоев на подложках кремния.
Техника машиностроения. 1999. №1. С.48-50.
666. С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. Особенности процесса прямого соединения пластин кремния.
Материаловедение. 1999. №5. С.43-45.
667. С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. Особенности термической обработки частиц BaO, SiO2, Al2O3 в
воздушной и аргон-кислородной ВЧИ плазме. Материаловедение. 1999. № 1. С.54-56.
668. В.З.Петрова, С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. Эксперимент: синтез диэлектрических порошков SiO 2 Al2O3 - BaO в плазме. Петербургский журнал электроники. 1999. №1. С.17-23.
669. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, В.В.Дягилев. О движении и залечивании пор и полостей вблизи границы
сращивания стандартных пластин кремния. Известия вузов. Электроника. 1998. №5. С.39-44.
670. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Осаждение материалов на стенках пор и капилляров из паро-газовых
смесей. Теоретические основы химической технологии. 2001. Т.35. № 1. С.80-84.
671. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Возможность прямого соединения пластин кремния с использованием
химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания. Материаловедение. 1999. №4. С.4951.
672. В.З.Петрова , Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Исследование плазменного процесса получения сплошных
стекловидных диэлектрических слоев на поверхности подложек кремния. Химия высоких энергий. 1999.
Т.33. №6. С.471-475.
673. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Обработка твердых частиц оксидных материалов в воздушной и аргонкислородной высокочастотной индукционной плазме. Сб. “Оборонный комплекс -научно-техническому
прогрессу России”. 1999. №2. С.18-20.
674. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Позитроника ионных
кристаллов, полупроводников и металлов. М.: Ред.-изд. отдел МИЭТ (ТУ), 1999. 176 с.
675. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. К вопросу определения энергии связи прямого соединения пластин
кремния методом генерации (вскрытия) трещины между поверхностями сращивания. Материаловедение.
2000. №8. С.25-28.
676. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Определения энергии связи прямого соединения пластин кремния
методом генерации (вскрытия) трещины между поверхностями сращивания (обзор). Сб. “Оборонный
комплекс-научно-техническому прогрессу России”. 1999. №3. С.45-49.
677. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Некоторые вопросы теории сращивания стандартных пластин кремния.
Сб. “Оборонный комплекс -научно-техническому прогрессу России”. 1999. №3. С.35-44.
678. В.З.Петрова , Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, С.А. Дьячков. Термическая обработка частиц SiO 2, Al2O3,
BaO в воздушной и аргон-кислородной ВЧИ плазме. Известия вузов. Электроника. 2000. №2. С.12-20.
679. Е.П.Прокопьев, В.И.Графутин С.П.Тимошенков.О возможности использования атома позитрония в
проблеме квантовой телепортации. В кн.: Международный научно-технический семинар “Проблемы
передачи и обработки информации в сетях и системах телекоммуникаций”. Материалы семинара. Рязань:
Изд-во Рязанской государственной радиотехнической академии, 1999. С.138-140.
680. Е.П.Прокопьев, С.В.Петров, Е.М.Соколов. Пленки a-Si:Н :в ВЧ тлеющем разряде газовой смеси SiH4-H2 .
Экспериментальные данные. Петербургский журнал электроники. 1997. №3. С.31-38.
681. Е.П.Прокоптев, В.В.Зотов. К модели осаждения материалов на стенках капилляров из парогазовых смесей
при импульсном нагреве. Журнал технической физики. 1998. Т.68. Вып.8. С.141,142.
682. Е.П.Прокопьев.Модели роста полупроводниковых и диэлектрических слоев в проточных изотермических
реакторах. Теоретические основы химической технологии. 1998. Т.32. №5. С.558-562.
683. Е.П.Прокопьев, В.М.Суворов. Особенности процесса роста эпитаксиальных слоев кремния в системе
SiH4+H2 при пониженном давлении. Теоретические основы химической технологии. 1998. Т.32. №6. С.617620.
684. Е.П.Прокопьев. О возможном спектре позитронных состояний в бездефектных кристаллах кремния.
Химическая физика. 1999. Т.18. №5. С.45-48.
685. Е.П.Прокопьев. Возможные неравновесные фазовые переходы в полупроводниках и полупроводниковых
сверхструктурах в скрещенных электрическом и магнитном полях. Письма в ЖТФ. 1999. Т.25. Вып.16.
С.39-44.
686. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Investigation a-Si:H film growth process in gas mixture SiH4-H2. I,II. Moscow.
1994. P.1-35. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5497.
687. E.P.Prokop'ev. Simulation of growth silicon process in flowing systems. I. Silane process. Moscow. 1994. P.218. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5500.
688. E.P.Prokop'ev. Simulation of semiconductor growth process in flowing systems. II. Dichlorsilane, german and
mixtture german-dichlorsilane processes. Moscow. 1994. P.19-45. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P5500.
689. Е.П.Прокопьев. Модель осаждения полупроводниковых слоев в проточном газоэпитаксиальном реакторе.
II. М., 1994. С.45-58. Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р-5500.
690. Е.П.Прокопьев, В.В.Зотов, В.Н.Стаценко. Элементарная теория легирования слоев кремния, осаждаемых в
гидридном и хлоридных процессах при скоростном нагреве подложек некогерентным излучением. М.,
1994. С.59-72. Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р-5500.
691. Е.П.Прокопьев. Анализ режимов процесса роста слоев алмаза в газовой смеси CH 4+H2 пониженного
давления в методе нагретой нити. М., 1994. С.73-84. Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р-5500.
692. Е.П.Прокопьев, В.В.Зотов, В.Н.Стаценко. Анализ режимов процессов роста аморфных пленок a-Si:H в
силановых плазменных смесях пониженного давления. I. . М., 1994. С.85-95. Деп. в ЦНИИ «Электроника».
Р-5500.
693. Е.П.Прокопьев. Сборник статей: исследования в области электронного материаловедения и физических
методов изучения материалов электронной техники. М.: НИИМВ, 1994. 196 с. Отчет НИИМВ №2858 инф.
694. .П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Модель прямого низкотемпературного соединения пластин кремния с
использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания (обзор).
Материаловедение. 2001. №1.С.44-52.
695. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Возможности наблюдения
фазовых переходов на поверхности пористого кремния методом позитронной аннигиляции.
Международная конференция по ядерной физике. Кластеры в ядерной физике. L Совещание по ядерной
спектроскопии и структуре атомного ядра. Тезисы докладов Международной конференции. 14-17 июня
2000 г. Санкт-Петербург. Изд-во ПИЯФ РАН. 2000 . С.380.
696. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Атом позитрония в
пористом кремнии. Международная конференция по ядерной физике. Кластеры в ядерной физике. L
Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. Тезисы докладов Международной
конференции. 14-17 июня 2000 г. Санкт-Петербург. Изд-во ПИЯФ РАН. 2000 . С.381.
697. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Возможный спектр
позитронных состояний в пористом кремнии. Физика твердого тела. 2001. Т.43. Вып.8. С.1376-1380.
698. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Исследование дефектов в
SiO2 - Si методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Тезисы доклада на 3-ей Международной
научно-технической конференции “Электроника и информатика - XXI век”. Москва: МГИЭТ (ТУ), 2000.
С.142.
699. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Прямое соединения пластин кремния с использованием химической
сборки поверхности методом молекулярного наслаивания в технологии получения КНИ структур. Тезисы
докладов Всероссийской конференции с международным участием СЕНСОР-2000. Сенсоры и
микросистемы 21-23 июня 2000. Санкт-Петербург.. Изд-во НИИ химии СПбГУ, 2000. С.208.
700. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.В.Калугин. Технология КНИ структур. Петербургский журнал
электроники. 2000. №1.С.8-25.
701. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, С.А. Дьячков. Исследование процесса синтеза мелкодисперсных
порошков оксидов и диэлектрического стекловидного материала SiO 2 - Al2O3 - BaO в высокочастотной
воздушной и аргон-кислородной плазме.. Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России.
2000. №3. С.57-68.
702. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Модель фазовых переходов на поверхности пористого
кремния по данным метода позитронной аннигиляции. Четвертая международная научная конференции по
математическому моделированию. 27 июня - 1 июля 2000. Москва: Изд-во Станкин. 2000. С.37
(Математические модели нелинейных возбуждений, переноса, управления. в конденсированных системах и
других средах). Тезисы докладов.
703. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, С.А.Дьячков, В.В.Калугин. Очистка и активация поверхности в методе
прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом
молекулярного наслаивания с целью получения КНИ структур. Оборонный комплекс -научнотехническому прогрессу России. 2000. №3. C.75-84.
704. В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, В.Ф.Реутов, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, Б.Ю.Шарков,
Ю.А.Чаплыгин. Основы технологии связывания (сращивания) протонированных пластин кремния с
гидрофильными подложками с целью получения структур кремний на изоляторе, многослойных структур
Ge/Si, (GexSi1-x)/Si и тонких монокристаллических слоев кремния и германия, полупроводников A3B5 и A2B6
для производства новой элементной базы опто-, нано- и микроэлектроники, создания современных
суперкомпьютеров, специальных ИС и приборов, микромеханических устройств, сенсоров и датчиков и
солнечных элементов. Сайт журнала “Экономика и производство” в интернете (http://www.mte.ru/conf).
Журнал депонированных рукописей, №9 октябрь. Труды научно-технической конференции «Новые
технологии и научно-технические достижения промышленности – человеку, обществу, государству «ПРОМТЕХЭКСПО XXI». 2001. 60 с. (файл: D\Soi\Sci BondingUkr.doc).
705. А.Л.Суворов, В.П.Бабаев, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков.
Возможные синергетические подходы к проблемам ядерного и электронного материаловедения (включая
случаи облучения материалов протонами). Сайт журнала “Экономика и производство” в интернете
(http://www.mte.ru/conf). Журнал депонированных рукописей, №9 октябрь. Труды научно-технической
конференции «Новые технологии и научно-технические достижения промышленности – человеку,
обществу, государству - «ПРОМТЕХЭКСПО XXI».. 2001. 45 с. (файл: D\Soi\ReportUkr.doc).
706. S.P. Timoshenkov, E.P.Prokopiev. Possibility of silicon wafers bonding with chemical assembling of surface by
molecular layers arrangement method. Abstracts on NATO Advanced Research Workshop (NATO ARW).
Ukraine. Kyiv (Sanatorium <<Puscha Ozerna>>, October 2 - 5, 2000. C.23,24.
707. С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, С.А.Дьячков, Е.П.Прокопьев. Прямое соединения пластин кремния с
использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания. Труды
международной научно-технической конференции “Актуальные проблемы твердотельной электроники и
микроэлектроники”. (ПЭМ-2000) Пос. Дивногорское, Россия. 2000. Ч.1. С.15.-17
708. С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, С.А.Дьячков, Е.П.Прокопьев. О возможности прямого соединения
пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания.
Тезисы доклада на 3-ей Международной научно-технической конференции “Электроника и информатика XXI век”. Москва: МГИЭТ (ТУ), 2000. С.201.
709. С.П.Тимошенков, В.И. Графутин, С.А.Дьячков Е.П.Прокопьев. Использование химической сборки
поверхности методом молекулярного наслаивания в нанотехнологии и инженерии поверхности.
Всероссийская научно-техническая конференция “НОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ И ТЕХНОЛОГИИ”. 24-25
октября 2000 г. г.Москва. ”МАТИ” - Российский государственный технологический университет им.
К.Э.Циолковского. Тезисы докладов.М.: МАТИ, 2000. С.248.
710. С.П.Тимошенков, В.И. Графутин, С.А.Дьячков Е.П.Прокопьев. Моделирование и оптимизация ВЧИ
плазменного метода получения многокомпонентных диэлектрических слоев на подложках кремния.
Всероссийская научная конференция “Математическое моделирование в научных исследованиях”. Тезисы
докладов. 27-30 сентября 2000 г. Ставрополь. Ставропольский государственный университет. С.53.
711. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, С.А.Гаврилов, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков.
Возможности наблюдения позитронных состояний на поверхности пористого кремния. Украинский
физический журнал. 2001. Т.46. № 8. С.870-877.
712. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, А.Л.Суворов, Б.Ю.Шарков, А.Г.Залужный, В.И.Графутин, М.А.Козодаев.
Особенности технологии изготовления КНИ структур прямым сращиванием пластин кремния и контроля
их качества // Препринт ИТЭФ 24 - 00. M., 2000. 20 с.
713. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, С.А.Дьячков, А.Г.Залужный, В.В.Калугин,
Е.П.Прокопьев, В.Ф.Реутов, Б.Ю.Шарков. Анализ преимуществ, перспектив применений и технологий
производства структур КНИ. Препринт ИТЭФ 27 – 00. М., 2000. 51 с.
714. Е.П.Прокопьев. Позитронные состояния в реальных кристаллах кремния. Украинский физический журнал.
2000. Т.45. №7. С.881-884.
715. С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев и др. Теоретические и экспериментальные исследования
процессов формиирования многослойных структур КНИ с целью создания нового поколения
радиационностойкой элементной базы специального назначения. Отчет МГИЭТ (ТУ). Москва, 2000. 71 с.
716. S.P.Timoshenkov, A.L.Suvorov, V.F.Reutov, V.I.Grafutin, E.P.Prokop`ev. Production of thin plates, membranes
and silicon on insulator structures by direct splicing of wafers of silicon by proton implantation. 7-я научная и
деловая конференция по технологии кремния, фотогальванике и оптике ИК-диапазона. Рожнов-подРадгостем, Чешская республика, 7-10 ноября 2000 г. С.12.
717. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин,
А.Г.Залужный,
Е.П.Прокопьев,
Б.Ю.Шарков. Smart-cut технология получения структур КНИ с использованием методов химической
сборки поверхности. НАУЧНАЯ СЕССИЯ МИФИ-2001 года. СБОРНИК НАУЧНЫХ ТРУДОВ. ТОМ 9.
М.: МИФИ, 2001. C.22, 23.
718. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин,
А.Г.Залужный,
Е.П.Прокопьев,
Б.Ю.Шарков. Радиационные свойства smart-cut структур КНИ. НАУЧНАЯ СЕССИЯ МИФИ-2001 года.
СБОРНИК НАУЧНЫХ ТРУДОВ. ТОМ 9. М.: МИФИ, 2001. C.24, 25.
719. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, П.В.Крамер, С.А.Гаврилов, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева,
Ю.В.Фунтиков. Позитронные состояния и фазовые переходы в пористом кремнии. Химическая физика.
2004. Т.23. №5. С.22-28.
720. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Исследование дефектов в
SiO2 - Si методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Доклад на 3-ей Международной научнотехнической конференции “Электроника и информатика - XXI век”. Москва: МГИЭТ (ТУ), 2000. С.142.
721. С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, С.А.Дьячков, Е.П.Прокопьев О возможности прямого соединения пластин
кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания. Доклад
на 3-ей Международной научно-технической конференции “Электроника и информатика - XXI век”.
Москва: МГИЭТ (ТУ), 2000. С.201.
722. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, В.Г.Фирсов, Ю.В.Фунтиков. Особенности
процесса аннигиляции позитронов в водных растворах солей галогенидов щелочных металлов. Химия
высоких энергий. 2000. Т.34. №6. С.460-466.
723. В.И.Графутин, В.Л.Гришкин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев,
Ю.В.Фунтиков. Захват
позитронов ионами галогенов: Эффективные заряды ионов. Химическая физика. 2000. Т.19. №4. С.36-40.
724. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев и др. Теоретические и экспериментальные исследования процессов
формиирования многослойных структур КНИ с целью создания нового поколения радиационностойкой
элементной базы военного назначения (Этап II). № гос. Регистрации 01200008756.Отчет МГИЭТ (ТУ).
Москва, 2000. 83 с.
725. А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев Физико-химическая теория
smart-cut технологий структур КНИ. Тезисы докладов XV Международной конференции «Взаимодействие
ионов с поверхностью - 2001».(ВИП-2001) (27 – 31 августа) 2001 г. Звенигород..2000. М.: МАИ, 2001 Том.
С.202-204.
726. С.П.Тимошенков, А.Л.Суворов, В.З.Петрова, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, П.В. Крамер. Исследование
процесса сращивания стандартных пластин кремния по данным выделения паров воды с использованием
метода молекулярного наслаивания. I. Технологический маршрут, физико-химические основы smart-cut
технологий и особенности процессов сращивания.Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу
России. 2001 №3. С.15-29.
727. С.П.Тимошенков, А.Л.Суворов, В.З.Петрова, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, П.В. Крамер. Исследование
процесса сращивания стандартных пластин кремния по данным выделения паров воды с использованием
метода молекулярного наслаивания. II. Технология процессов обработки структур КНИ. Оборонный
комплекс-научно-техническому прогрессу России. 2001 №3. С.29-37.
728. А.Л.Суворов,
Ю.А.Чаплыгин,
С.П.Тимошенков,
В.И.Графутин, П.В.Крамер,А.Г.Залужный,
Е.П.Прокопьев, Б.Ю.Шарков. Smart-cut технология получения структур КНИ. В кн.: ВОДОРОДНАЯ
ОБРАБОТКА МАТЕРИАЛОВ. ТРУДЫ Третьей Международной Конференции «ВОМ-2001». Украина.
Донецк. 14 – 18 мая 2001 г. Ч.1,2. Донецк – 2001. С.262-264.
729. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Соединение протонированных пластин кремния с гидрофильными
подложками с целью получения монокристаллических слоев кремния для производства солнечных
элементов. Тезисы доклада Пятого Международного семинара «Российские технологии для индустрии».
«Нетрадиационные и возобновляемые источники энергии» (из цикла «Результаты фундаментальных
исследований для инвестиций). (28-30) мая 2001 г., С.Петербург. Научно-исследовательский центр ФТИ
им.А.Ф.Иоффе, С.Петербург. С.157,158.
730. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Возможность соединения протонированных пластин кремния с
гидрофильными подложками с целью получения монокристаллических слоев кремния для производства
солнечных элементов. «МАТЕРИАЛЫ И ТЕХНОЛОГИИ XXI ВЕКА». Сборник материалов Всероссийской
научно-технической конференции.Ч.Ш. Пенза, 2001. C.54-56.
731. Timoshenkov S.P., Prokop'ev E.P. Obtaining of thin single-crystal silicon layers for production of solar cells by
the smart-cut technology. Russian technologies for industry. RENEWABLE ENERGY. ABSTRACTS. May 28-30,
2001. Saint-Petersburg., Russia. (“Results of Fundamental Research for Investments”). P.144,145.
732. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков .Использование тонких монокристаллических слоев кремния,
получаемых связыванием пластин, для производства полупроводниковых приборов, ИС, сенсоров и
микромеханических устройств. Тезисы доклада Пятого Международного семинара «Российские
технологии для индустрии». «Нетрадиационные и возобновляемые источники энергии» (из цикла
«Результаты фундаментальных исследований для инвестиций). (28-30) мая 2001 г., С.Петербург. Научноисследовательский центр ФТИ им.А.Ф.Иоффе, С.Петербург. С.146,147.
733. Timoshenkov S.P., Prokop'ev E.P. The thin silicon single-crystalline layers fabricated by bonding of wafers for
production of semiconductor devices, ULSI, sensors, micromecanical devices. Russian technologies for industry.
RENEWABLE ENERGY. ABSTRACTS. May 28-30, 2001. Saint-Petersburg., Russia. (“Results of Fundamental
Research for Investments”). P.133,134.
734. E.P.Prokop`ev, V.I.Grafutin, S.P.Timoshenkov , Yu.V.Funtikov, G.G.Myasishcheva, O.V.Ilyukhina. Effective
charges of oxygen ions in metal oxides. Abstracts of 3 rd International Conference. NUCLEAR AND RADIATION
PHYSICS (ICNRP ’01). 4-7 June 2001. Almaty: Institute of Nuclear Physics, Republic of Kazakstan, 2001. P.199.
735. E.P.Prokop`ev, V.I.Grafutin, S.P.Timoshenkov , Yu.V.Funtikov, G.G.Myasishcheva, O.V.Ilyukhina. Positronium
in semiconductors and ionic crystals. Abstracts of 3rd International Conference NUCLEAR AND RADIATION
PHYSICS (ICNRP ’01). 4-7 June 2001. Almaty: Institute of Nuclear Physics, Republic of Kazakstan, 2001. P.213.
736. V.F.Reutov, A.L,Suvorov, A.G.Zaluzhnyi, V.I.Grafutin, S.P.Timoshenkov, E.P.Prokop`ev.
Technology
development and production of thin plates, membranes and silicon-on-insulator (SOI) structures by the bonding of
silicon wafers using the radiation-induced gas-simulated splitting. Abstracts of 3rd International Conference
NUCLEAR AND RADIATION PHYSICS (ICNRP ’01). 4-7 June 2001. Almaty: Institute of Nuclear Physics,
Republic of Kazakstan, 2001.P.186.
737. В.Ф.Реутов, А.Л.Суворов, А.Г.Залужный, В.И.Графутин, С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Развитие
технологии и получения тонких пластинок, мембран и структтур кремний-на-изоляторе (КНИ) с
использованием метода газового скалывания. 3 Международная конференция «Ядерная и радиационная
физика», Алматы, 4 – 7 июня 2001. Т.2. Радиационная физика. Алматы: Изд-во ИЯФ НЯЦ Р.К. 2001. С.489503.
738. S.P.Timoshenkov, E.P.Prokop'ev, A.G.Zaluzhnyi, V.I.Grafutin, A.L,Suvorov, B.Yu.Sharkov. Peculiarities of
silicon-on-insulator structures manufacturung. Report on 4-th Moscow International ITEP School of Physics (29-th
ITEP Winter School of Physics). Modern Condensed Matter Physics: Experimental Methods and Devices, Related
Topics. Zvenigorod, Moscow region, Februari 5 - 16, 2001. 10 c.
739. Е.П.Прокопьев, A.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, С.П.Тимошенков. О когерентном поведении
атмосферы дефектов и научных основах синтеза и эксплуатации материалов. Тезисы докладов 3-ей
Всероссийской научной конференции «Молекулярная физика неравновесных систем» (ВНКМФНС),
Иваново-Плёс, ИГХТУ, 28 мая – 1 июня 2001. С.105,106.
740. Е.П.Прокопьев, A.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, С.П.Тимошенков. О возможных моделях
когерентного поведения атмосферы дефектов в полупроводниковых кристаллах. Статьи (Тезисы докладов)
на 3-ей Всероссийской научной конференции «Молекулярная физика неравновесных систем»
(ВНКМФНС), Иваново-Плёс, ИГХТУ, 28 мая – 1 июня 2001. С.106-111.
741. Е.П.Прокопьев, A.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, С.П.Тимошенков. О возможных моделях
когерентного поведения атмосферы дефектов в материалах атомной техники (обзор). Оборонный
комплекс-научно техническому прогрессу Российской Федерации. 2002. №1. С.3-7.
742. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, В.Г.Фирсов, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Новые типы химической связи
и ее особенности в галогенидах позитрония. Report on LI meeting on nuclear spectroscopy and nuclear structure
“Features of nuclear exitation states and mechanisms of nuclear reactions”. Russia, Sarov, RFNC-VNIIEF.
September 3-8, 2001.
743. V.I.Grafutin, E.P.Prokop`ev, V.G.Firsov, S.P.Timoshenkov, ,G.G.Myasishcheva, V.S.Minaev, Yu.V.Funtikov.
Investigations by positron annihilation method of chalcogenide glassy semiconductors. Abstracts of LI meeting on
nuclear spectroscopy and nuclear structure “Features of nuclear exitation states and mechanisms of nuclear
reactions”. Russia, Sarov, RFNC-VNIIEF. September 3-8, 2001. P.335,336.
744. А.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев. О когерентном поведении атмосферы
дефектов и научных основах эксплуатации материалов атомной техники: Обзор. 3 Международная
конференция «Ядерная и радиационная физика», Алматы, 4 – 7 июня 2001. Т.2. Радиационная физика.
Алматы: Изд-во ИЯФ НЯЦ Р.К. 2001. С.415-425.
745. В.И.Графутин, Прокопьев Е.П. Применение позитронной аннигиляционной спектроскопии для изучения
строения вещества. Успехи физических наук. 2002. Т.172. №1. С.67-83.
746. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, A.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Smart-cut
технология получения структур КНИ во влажных условиях c использованием методов химической сборки
поверхности. I. Модель сращивания пластин кремния по данным выделения паров воды.
Материаловедение. 2002. №3. С.11-20.
747. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, A.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Smart-cut
технология получения структур КНИ во влажных условиях c использованием методов химической сборки
поверхности. Материаловедение. II. Теория и экспериментальные результаты 2002. №4. С.10-20.
748. A.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев. О когерентном поведении атмосферы
дефектов и научных основах синтеза и эксплуатации материалов (обзор). Abstracts of 3rd International
Conference NUCLEAR AND RADIATION PHYSICS (ICNRP ’01). 4-7 June 2001. Almaty: Institute of Nuclear
Physics, Republic of Kazakstan, 2001. P.193.
749. А.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. О возможности
синергетического подхода к рассмотрению эволюции свойств материалов, используемых в ядерном
материаловедении. Оборонный комплекс-научно техническому прогрессу России. 2002. №1. С.8-11.
750. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин. .О возможности синергетического подхода к
рассмотрению эволюции свойств материалов, используемых в электронном материаловедении.
Материаловедение. 2002. №6. С.17-20.
751. Ю.А.Чаплыгин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Синергетический подход к проблеме производства и
эксплуатации структур кремний на диэлектрике. Химическая технология. 2002. №6. С.9-13.
752. А.Л.Суворов, Е.П.Прокопьев, В.И.Графутин, С.П.Тимошенков. Синергетический подход к проблеме
окисления технически важных материалов атомной техники. Оборонный комплекс-научно техническому
прогрессу России. 2002. №1. С.40-42.
753. Ю.А.Чаплыгин, В.З.Петрова, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Возможные синергетические подходы к
исследованиям эволюции свойств структур кремний на диэлектрике. Известия вузов. Электроника. 2001. №
2. С.44-50.
754. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. О возможности синергетического подхода к проблеме окисления
структур кремний на изоляторе (структур КНИ). Вторая Российская школа ученых и молодых
специалистов по материаловедению и технологиям получения легированных кристаллов кремния
(КРЕМНИЙ, ШКОЛА-2001). 2 июля – 6 июля 2001 г. Московский государственный институт стали и
сплавов (технологический университет). Тезисы докладов. М.: МГИСиС. 2001. С.71,72.
755. Ю.А.Чаплыгин, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, В.З.Петрова, В.И.Графутин, E.П.Прокопьев. Возможные
синергетические подходы к исследованиям эволюции свойств структур кремний на диэлектрике и
проблемы их надежности и качества. В кн.: НАДЕЖНОСТЬ И КАЧЕСТВО. Труды международного
симпозиума. Под ред. А.Н.Андреева, В.И.Волчихина, Е.А.Мокрова, А.В.Блинова, Н.К.Юркова,
В.А.Трусова. Пенза: Изд-во Пенз. гос. ун-та, 2001. С.384-389. (об`ем – 481 с., илл. – 274, табл.96, библ. –
817 назв.).
756. А.Л.Суворов,
Ю.А.Чаплыгин,
В.З.Петрова,
С.П.Тимошенков,
А.Г.Залужный,
В.И.Графутин,
Е.П.Прокопьев. Воэможный синергетический подход к проблеме окисления структур КНИ (A.L. Suvorov ,
Yu.A.Chaplygin,V.Z.Petrova, S.P. Timoshenkov , A.G.Zalughnyi, V.I. Grafutin , E.P. Prokop'ev.. Possible
synergetic approach to problem of soi-structure oxidation). Тезисы доклада на Всероссийской научнотехнической конференции “МИКРО- и НАНОЭЛЕКТРОНИКА-2001” (МНЭ-2001) с участием зарубежных
ученых. 1-5 октября 2001 г. г. Звенигород. М.: 2001. Р3-41.
757. В.И.Графутин, А.Г.Залужный, В.З.Петрова,
Е.П.Прокопьев, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков,
Ю.А.Чаплыгин. Использование соединения протонированных пластин кремния с гидрофильными
подложками с целью получения тонких монокристаллических слоев кремния для производства солнечных
элнментов. Reports on 3rd International Conference NUCLEAR AND RADIATION PHYSICS (ICNRP ’01). 4-7
June 2001. Almaty: Institute of Nuclear Physics, Republic of Kazakstan, 2001.P.105.
758. V.I.Grafutin, E.P.Prokop’ev, S.P.Timoshenkov, G.G.Myasishcheva, Yu.V.Funtikov. Physics of the Solids. 2001.
Vol.43. №8. P.1433-1437 (ФТТ. 2001. Т.43. №8. С.1376-1380).
759. В.И.Графутин,
О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева,
Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков,
В.Г.Фирсов,
Ю.В.Фунтиков. Исследование дефектов в SiO2 – Si методом позитронной аннигиляционной спектроскопии.
Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России. 2002. №1. С.63-68.
760. А.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, М.А. Козодаев, Е.П.Прокопьев, Б.Ю.Шарков, Ю.А.Чаплыгин,
С.П.Тимошенков, В.Ф.Реутов. Технология сращивания пластин кремния с использованием химической
сборки поверхности методами молекулярного наслаивания и газового скалывания. Атомная энергия. 2001.
Т.91. Вып.4. С.255-263.
761. Е.П.Прокопьев. 2D Позитроны и атом позитрония в квантовых ямах полупроводниковых сверхструктур.
Тезисы докладов Всероссийской конференции «Физика полупроводников и полуметаллов» (ФПП-2002).
МО РФ Росс. гос. унив. им. А.И.Герцена. Санкт-Петербург, 2002. С.41,42.
762. Е.П.Прокопьев, A.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, С.П.Тимошенков. О возможных моделях
когерентного поведения атмосферы дефектов в материалах атомной техники (обзор). Оборонный
комплекс-научно техническому прогрессу Российской Федерации. 2002. №1. С.3-7.
763. А.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. О возможности
синергетического подхода к рассмотрению эволюции свойств материалов, используемых в ядерном
материаловедении. Оборонный комплекс-научно техническому прогрессу России. 2002. №1. С.8-11.
764. А.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Синергетический подход к
проблеме окисления технически важных материалов атомной техники. Оборонный комплекс-научно
техническому прогрессу России. 2002. №1. С.40-42.
765. В.З.Петрова, С.П.Тимошенков, Ю.А., Чаплыгин, Е.П.Прокопьев. Возможные синергетические подходы к
исследованиям эволюции свойств структур кремний на изоляторе. Известия вузов. Электроника. 2002. № 2.
С.44-50.
766. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, А.Л.Суворов, В.Ф.Реутов, Б.Ю.Шарков, Ю.А.Чаплыгин, А.Г.Залужный,
В.И.Графутин, М.А.Козодаев. Получение КНИ структур с использованием методов химической сборки
поверхности и газового скалывания. Электронная промышленность. 2002. №1. С.51-59.
767. В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, В.Ф.Реутов, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, Б.Ю.Шарков,
Ю.А.Чаплыгин. Сращивание протонированных пластин кремния с гидрофильными подложками для
получения структур кремния на изоляторе. Научная сессия МИФИ-2002. Научно-техническая конференция
«Научно-инновационное сотрудничество». Сборник научных трудов. Часть 3. М.: МИФИ, 2002. С.39-41.
768. В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин. Получение
тонких слоев кремния на изоляторе (КНИ) для солнечных элементов. Научная сессия МИФИ-2002. Научнотехническая конференция «Научно-инновационное сотрудничество». Сборник научных трудов. Часть 3..
М.: МИФИ, 2002. С.64,65.
769. В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин. Получение
структур кремния на изоляторе методом газового скалывания лдля создания интегральных схем с
повышенной радиационной и термической стойкостью. Научная сессия МИФИ-2002. Научно-техническая
конференция «Научно-инновационное сотрудничество»..Сборник научных трудов. Часть 3.. М.: МИФИ,
2002. С.37,38.
770. В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков. О синергетическом подходе
в проблеме кремния и материалов на основе кремния. Научная сессия МИФИ-2002. Научно-техническая
конференция «Научно-инновационное сотрудничество». Сборник научных трудов. Часть 3.. М.: МИФИ,
2002. С.42,43.
771. .И.Графутин, Е.П.Прокопьев, К.Н.Зайцев, А.А.Портнов, Ю.В.Фунтиков, В.Г.Фирсов. Изучение
электронных свойств металлов методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Научная сессия
МИФИ-2002. Научно-техническая конференция «Научно-инновационное сотрудничество». Сборник
научных трудов. Часть 2.. М.: МИФИ, 2002. С.70,71.
772. V.I.Grafutin, E.P.Prokop'ev Yu.A.Novikov, V.P.Shantarovich.. Application of positronic annihilation spectroscopy
for study in solids. Report on 4-th Moscow International ITEP School of Physics (29-th ITEP Winter School of
Physics). Modern Condensed Matter Physics: Experimental Methods and Devices, Related Topics. Zvenigorod,
Moscow, Februari 5 - 16, 2001. Proceedings of the 4th Moscw International ITEP School of Physics Editors:
A.L.Suvorov, Yu.G.Abov, V.G.Firsov. “Академпринт». 2002, c.207-227. (D\ТезДокл\RadPhys2002.doc).
773. S.P.Timoshenkov, E.P.Prokop'ev, A.G.Zaluzhnyi, V.I.Grafutin, A.L,Suvorov, B.Yu.Sharkov. Peculiarities of
silicon-on-insulator structures manufacturung. Report on 4-th Moscow International ITEP School of Physics (29-th
ITEP Winter School of Physics). Modern Condensed Matter Physics: Experimental Methods and Devices, Related
Topics. Zvenigorod, Moscow, Februari 5 - 16, 2001. Proceedings of the 4th Moscw International ITEP School of
Physics Editors: A.L.Suvorov, Yu.G.Abov, V.G.Firsov. “Академпринт». 2002, c.274-280.
774. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, A.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Smart-cut
технология получения структур КНИ во влажных условиях c использованием методов химической сборки
поверхности. I. Модель сращивания пластин кремния по данным выделения паров воды.
Материаловедение. 2002. №3. С.11-20.
775. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, A.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Smart-cut
технология получения структур КНИ во влажных условиях c использованием методов химической сборки
поверхности. Материаловедение. II. Теория и экспериментальные результаты 2002. №4. С.10-20.
776. А.Л.Суворов, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков,
В.И.Графутин, .Г.Залужный. Smart-cut технологии
связывания (сращивания) протонированных пластин кремния с гидрофильными подложками с целью
получения структур кремний на изоляторе, многослойных структур Ge/Si, (GexSi1-x)/Si и тонких
монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников A3B5 И A2B6 для производства новой
элементной базы опто-, нано- и микроэлектроники, создания современных суперкомпьютеров,
специальных интегральных схем и приборов, микромеханических устройств, сенсоров, датчиков и
солнечных элементов. Вопросы атомной науки и техники (ВАНиТ) (Саров). 2002. Вып.1,2. С.217-219.
777. А.Л.Суворов, В.П.Бабаев, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев О возиожности когерентного
поведения атмосферы дефектов в материалах ядерной техники. Вопросы атомной науки и техники
(ВАНиТ) (Саров). 2002. Вып. 1,2. C.220-224.
778. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, В.Г.Фирсов, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков, О.В.Илюхина. Новые типы
химической связи и ее особенности в галогенидах позитрония. Вопросы атомной науки и техники (ВАНиТ)
(Саров). 2002. Вып.1,2. С.225-228.
779. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, А.Г.Залужный, С.П.Тимошенков. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев. Структуры
КНИ и информационные технологии: перспективы, применения. Труды конференции. XXIX
Международная конференция «Информационные технологии в науке, образовании, телекоммуникации и
бизнесе». IT + SE’ 2002 Майская сессия. Украина, Крым, Ялта-Гурзуф с 20 по 30 мая 2002 г. 2002 г. Секция
А.
Высокопроизводительные
вычислительные
комплексы.
Адрес
в
Интернет:
http://webcenter.ru/~glorioz/procSE02.htm.
780. Е.П.Прокопьев, В.И.Графутин. Исследование свойств металлов методом позитронной аннигиляционной
спектроскопии. Физика электронных материалов. Материалы Международной конференции – ФИЭМ’02.
1-4 октября 2002 года, Калуга, Россия, 2002. С.20.
781. E.P.Prokop’ev, V.I.Grafutin. Investigations of metal properties by method of positron annihilation spectroscopy.
Physics of Electronic materials. International Conference Proceedings. Kaluga, Russia, October 1-4, 2002. Kaluga:
KSPU Press, 2002. P.21.
782. В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин.
Применение ELTRAN процесса с целью получения тонких монокристаллических слоев кремния для
производства солнечных элементов. . Физика электронных материалов. Материалы Международной
конференции – ФИЭМ’02. 1-4 октября 2002 года, Калуга, Россия, 2002. С.298.
783. V.I.Grafutin, A.G.Zaluzhnyi, E.P.Prokop’ev, A.L.Suvorov, S.P.Timoshenkov, Yu.A.Chaplygin. Application
ELTRAN process with purpose of otaining thin monocrystalline silicon layers for solar cells processing. Physics
of Electronic materials. International Conference Proceedings. Kaluga, Russia, October 1-4, 2002. Kaluga: KSPU
Press, 2002. P.299.
784. А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, C.Н.Новиков, Е.П.Прокопьев, П.В.Крамер. Оптимизация
процесса сращивания пластин кремния по данным выделения паров воды. Физика электронных
материалов. Материалы Международной конференции – ФИЭМ’02. 1-4 октября 2002 года, Калуга, Россия,
2002. С.60.
785. A.L.Suvorov, S.P.Timoshenkov, V.I.Grafutin, S.N.Novikov, E.P.Prokop’ev, P.V.Kramer. Optimazation of slitting
silicon wafers process on datas of water vapour selections. Physics of Electronic materials. International
Conference Proceedings. Kaluga, Russia, October 1-4, 2002. Kaluga: KSPU Press, 2002. P.61.
786. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин,
В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. О
перспективах и применениях структур КНИ. Оптимизация процесса сращивания пластин кремния по
данным выделения паров воды. Физика электронных материалов. Материалы Международной
конференции – ФИЭМ’02. 1-4 октября 2002 года, Калуга, Россия, 2002. С.358,359.
787. A.L.Suvorov, Yu.A.Chaplygin, A.G.Zaluzhnyi, S.P.Timoshenkov, V.I.Grafutin, E.P.Prokop’ev. On perspectives
and applications of SOI structures. Physics of Electronic materials. International Conference Proceedings. Kaluga,
Russia, October 1-4, 2002. Kaluga: KSPU Press, 2002. P.359, 360.
788. В.И.Графутин, А.Г.Залужный, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев, В.Ф.Реутов, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков,
Б.Ю.Шарков. Физико-химические основы получения структур кремний на изоляторе с использованием
метода газового скалывания. Перспективные материалы. 2002. №3. С.5-12.
789. С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев.
Производство структур кремний на
изоляторе и сенсоров на их основе. «ДАТЧИКИ И СИСТЕМЫ». Сборник докладов международной
конференции. Том I. Санкт-Петербург: Издательство СПбГПУ, 2002. С.205-209.
790. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Возможность исследования эволюции свойств структур кремний на
изоляторе синергетическими методами. Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России.
2002. №3. С.34-41.
791. С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев. Анализ процессов подготовки поверхности
кремниевых пластин при изготовлении структур кремний на изоляторе. Оборонный комплекс-научнотехническому прогрессу России. 2002. . №3. С.28-34.
792. В.И.Графутин, А.Л.Суворов, Е.П.Прокопьев. Применение метода позитронной аннигиляции для
исследования дефектов структуры материалов ядерной и термоядерной техники. Тезисы докладов 52
Международного Совещания по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра (ЯДРО-2002). 18-22
июня 2002. Россия, Москва. МГУ им. М.В.Ломоносова. НИИЯФ им Д.В.Скобельцына. 2002. С.335,336.
793. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, Ю..В.Фунтиков. Применение позитронной
спектроскопии для определения оптимальных условий обработки пластин кремния, облученных
протонами. Тезисы докладов 52 Международного Совещания по ядерной спектроскопии и структуре
атомного ядра (ЯДРО-2002). 18-22 июня 2002. Россия, Москва. МГУ им. М.В.Ломоносова. НИИЯФ им
Д.В.Скобельцына. 2002. С.334.
794. А.Л.Суворов, А.Г.Залужный, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев. Перспективы и применения
структур КНИ. Совещание по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния (с участием
иностранных ученых). КРЕМНИЙ 2002. 9 – 12 июля 2002. Тезисы докладов. Новосибирск, Академгородок.
ИФП СО РАН, 2002. C.75,76.
795. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков.Возможность синергетического подхода к эволюции свойств аморфных
пленок SiO2 в структурах КНИ. «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». Сборник трудов Ш
Международной конференции. (2-4 июля 2002 года. Санкт-Петербург: ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, 2002)
Санкт-Петербург: Изд-во СПбГПУ, 2002. С.87,88.
796. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, А.Г.Залужный, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев. Структуры
КНИ в микроэлектронике. «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». Сборник трудов Ш
Международной конференции. (2-4 июля 2002 года. Санкт-Петербург: ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, 2002)
Санкт-Петербург: Изд-во СПбГПУ, 2002. С.241,242.
797. В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. О технологии структур кремний на изоляторе. Химическая
технология. 2002. №12. С.3-12.
798. Е.П.Прокопьев.Возможный синергетический подход к проблеме окисления структур КНИ. Тезисы доклада
четвертого международного семинара «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном
материаловедении». 3-5 октября 2002. Астрахань, Россия. АГПУ: Астрахань, 2002. С.62.
799. Е.П.Прокопьев. Возможные синергетические эффекты в эволюции свойств структур КНИ. Тезисы доклада
четвертого международного семинара «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном
материаловедении». 3-5 октября 2002. Астрахань, Россия. АГПУ: Астрахань, 2002. С.74.
800. В.И.Графутин, А.Г.Залужный, А.Л.Суворов, Е.П.Прокопьев. Применение метода позитронной аннигиляции
для исследования дефектов структуры в радиационной физике материалов. Статья на XII-ом
Международном совещании «Радиационная физика твердого тела». Севастополь, 30 июня-7 июля 2002 г.
М.: МИЭМ, 2002. C.398-401.
801. А.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Прокопьев Е.П., Фунтиков Ю.В.
Исследование радиационных нарушений в структурах КНИ методом позитронной аннигиляции (ОБЗОР).
Сборник докладов XII Международного совещания «Радиационная физика твердого тела». Севастополь, 30
июня-7 июля 2002 г. М.: МИЭМ (ТУ), 2002. C.22-25.
802. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Smart-cut технология получения тонких слоев кремния,
германия и слоев кремний/германий на различных подложках полупроводников и изоляторов. Труды
восьмая международной научно-технической конференция
"Актуальные проблемы твердотельной
электроники и микроэлектроники" (ПЭМ-2002). Пос. Дивногорское, РОССИЯ, Таганрог. 2002. Ч.1.
С.109,110.
803. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, С.А. Дьячков Моделирование и оптимизация процесса синтеза
мелкодисперсных порошков оксидов, кремния и диэлектрического стекловидного материала состава SiO 2 Al2O3 - BaO в высокочастотной индукционной воздушной и аргон-кислородной плазме. Теоретические
основы химичеcкой технологии. 2002. Т.36. №5. С.500-505.
804. S.P.Timoshenkov, E.P.Prokop'ev, V.I.Grafutin About a Possibility of Usage of Smart-Cut Process for Obtaining of
Thin Monocrystalline Silicon Carbide Layers // Abstracts of the IV International Seminar on Silicon Carbide and
Related Materials. - May 30-31, 2002. - p.30. (International seminar " Silicon Carbide and Related Materials"
(ISSCRM-2002). Great Novgorod, May 30-31, 2002, Novgorod Yaroslav Mudryi State University, 2002).
805. Е.П.Прокопьев, C.П.Тимошенков, В.И.Графутин, В.В.Калугин. Smart-cut технология получения тонких
слоев германия, кремния и слоев кремний/германий на различных подложках полупроводников и
изоляторов. Электроника и информатика-2002. IV Международная научно-техническая конференция.
МИЭТ, 19-21 ноября 2002 г. Тезисы докладов. Часть 1. Москва, 2002. C.272.
806. Е.П.Прокопьев, C.П.Тимошенков, В.И.Графутин, В.В.Калугин.Исследование процесса сращивания пластин
кремния по данным выделения паров воды. Тезисы докладов Всероссийской научно-технической
конференции (НМТ-2002) “Новые материалы и технологии” «МАТИ» 22-23 октября 2002 года.Российский государственный технологический университет им. К. Э. Циолковского. 2002. C.52,53.
807. Е.П.Прокопьев Возможные синергетические эффекты в проблеме окисления кремния в атмосфере
влажного кислорода и воздуха. Электроника и информатика-2002. IV Международная научно-техническая
конференция. МИЭТ, 19-21 ноября 2002 г. Тезисы докладов. Часть 1. Москва, 2002. C.270, 271.
808. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков, В.К.Мингазов,
Ю.В.Фунтиков. Исследование радиационных нарушений в структурах КНИ методом позитронной
аннигиляции. Электроника и информатика-2002. IV Международная научно-техническая конференция.
МИЭТ, 19-21 ноября 2002 г. Тезисы докладов. Часть 1. Москва, 2002. C.200, 201.
809. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, С.А.Дьячков. Синтез мелкодисперсных порошков в высокочастотной
плазме. Физика и химия обработка материалов. 2002. №5. С.26-31.
810. Е.П.Прокопьев .О возможности исследования технологий природных процессов с целью их практического
использования (для разработки новых процессов). Abstracts International conference «Organization of
Structure in Open Systems». Тезисы докладов шестой международной конференции. Almaty, October, 21-24,
2002. C.85.
811. Е.П.Прокопьев. Возможные синергетические эффекты в эволюции свойств структур КНИ. Abstracts
International conference «Organization of Structure in Open Systems». Тезисы докладов шестой
международной конференции. Almaty, October, 21-24, 2002. C.47-49.
812. Е.П.Прокопьев. Возможный синергетический подход к проблеме окисления структур КНИ. Abstracts
International conference «Organization of Structure in Open Systems». Тезисы докладов шестой
международной конференции. Almaty, October, 21-24, 2002. C.46-47.
813. Е.П.Прокопьев. Особенности процесса окисления кремния в атмосфере влажного воздуха и кислорода.
Материаловедение. 2002. №12. С.24-29.
814. Е.П.Прокопьев. Исследование процесса окисления кремния в атмосфере влажного воздуха и кислорода
синергетическими методами. Оборонный комплекс-научно техническому прогрессу России. 2002. №4.
С.27-32.
815. Е.П.Прокопьев. О синергетическом подходе к проблеме окисления кремния. Материалы докладов на 6-й
Международной конференции «Молекулярная биология, химия и физика неравновесных систем» (МК
МБХиФНС), Иваново-Плёс, ИГХТУ, 27 мая – 2 июня 2002, Иваново: Издательство ИвГУ,2002. С.301-304.
816. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков, В.К.Мингазов,
Ю.В.Фунтиков. Исследование радиационных нарушений в структурах КНИ методом позитронной
аннигиляции. Электроника и информатика-2002. IV Международная научно-техническая конференция.
МИЭТ, 19-21 ноября 2002 г. Тезисы докладов. Часть 1. Москва, 2002. C.200, 201.
817. Е.П.Прокопьев. О синергетическом подходе к проблеме окисления кремния. Материалы докладов на 6-й
Международной конференции «Молекулярная биология, химия и физика неравновесных систем» (МК
МБХиФНС), Иваново-Плёс, ИГХТУ, 27 мая – 2 июня 2002, Иваново: Издательство ИвГУ,2002. С.301-304.
818. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, С.А.Дьячков. Синтез мелкодисперсных порошков в высокочастотной
плазме. Физика и химия обработка материалов. 2002. №5. С.26-31.
819. А.В.Нестерович, Ю.Я.Лапицкий, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков.
Разработка источников ионов водорода с энергией 60 - 150 КэВ для производства структур КНИ методом
газового скалывания. Научная сессия МИФИ-2003. II Научно-техническая конференция «Научноинновационное сотрудничество». Сборник научных трудов. Часть 2. М.: МИФИ, 2003. С.87-89.
820. В.И.Графутин, А.Г.Залужный, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков. Производство
структур КНИ методами газового скалывания: развитие технологии и новые перспективные использования.
Научная сессия МИФИ-2003. II Научно-техническая конференция «Научно-инновационное
сотрудничество». Сборник научных трудов. Часть 2. М.: МИФИ, 2003. С.90-92.
821. Е.П.Прокопьев. Возможные динамические эффекты эффекты в проблеме окисления кремния в атмосфере
влажного кислорода и воздуха. Научная сессия МИФИ-2003. Сборник научных трудов. Том 9. М.: МИФИ,
2003. С.92-94.
822. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Д.К.Григорьев, В.В.Калугин, Ал.С.Тимошенков. Научные основы
технологии структур кремний на изоляторе. Петербургский журнал электроники. 2002. №2. С.15-28.
823. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Д.К.Григорьев, В.В.Калугин, А.С.Тимошенков. Научные основы
технологии структур кремний на изоляторе (продолжение). Петербургский журнал электроники. 2002. №3.
С.16-32.
824. С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев. Исследование технологии очистки поверхности пластин
кремния в процессе изготовления структур КНИ и микроэлектронных изделий. Микросистемная техника.
2003. №1. С.13-22.
825. Е.П.Прокопьев,С.П.Тимошенков. О процессе роста слоев GexSi1-x на изоляторе в смешанных гидридном и
дихлорсилановом процессах. Третья Российская конференция по материаловедению и физико-химическим
основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе.
КРЕМНИЙ-2003. 26 мая – 30 мая 2003. Тезисы докладов. Москва. МИСиС, 2003. C.256-259.
826. Е.П.Прокопьев,В.И.Графутин, С.П.Тимошенков. О возможности разработки нового LI smart-cut процесса
для производства структур КНИ. Третья Российская конференция по материаловедению и физикохимическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на
их основе. КРЕМНИЙ-2003. 26 мая – 30 мая 2003. Тезисы докладов. Москва. МИСиС, 2003. C.344.
827. Е.П.Прокопьев, Д.К.Григорьев. Исследования процессов окисления германия и структур ГНИ в атмосфере
влажного воздуха и кислорода синергетическими методами. Петербургский журнал электроники. 2002. №4.
С.21-26.
828. Графутин В.И., Илюхина О.В., Мясищева Г.Г., Новиков Ю.А., Тимошенков С.П., Прокопьев Е.П.,
Фунтиков Ю.В. Аннигиляции позитронов в кремнии, облученном протонами. Программа и доклад на
Конференции по химической физике к 80-летию со дня рождения академика в.И.Гольданского. 17-19 июня
2003 года, Москва-Черноголовка, 2003.
829. Е.П.Прокопьев. Особенности процесса окисления кремния в атмосфере влажного воздуха и кислорода.
Материаловедение. 2002. №12. С.24-29.
830. Е.П.Прокопьев. Исследование процесса окисления кремния в атмосфере влажного воздуха и кислорода
синергетическими методами. Оборонный комплекс-научно техническому прогрессу России. 2002. №4.
С.27-32.
831. Е.П.Прокопьев. О синергетическом подходе к проблеме окисления кремния. Материалы докладов на 6-й
Международной конференции «Молекулярная биология, химия и физика неравновесных систем» (МК
МБХиФНС), Иваново-Плёс, ИГХТУ, 27 мая – 2 июня 2002, Иваново: Издательство ИвГУ,2002. С.301-304.
832. Е.П.Прокопьев. О возможности анигиляционных источников энергии. Оборонный комплекс-научнотехническому прогрессу России. 2003. №2. С.10-14.
833. Е.П.Прокопьев. Получение интенсивных потоков позитронов и их применение. Оборонный комплекснаучно-техническому прогрессу России. 2003. №2. С.17-19.
834. Е.П.Прокопьев. О проблеме использования антиводорода в космической технике будущего. Оборонный
комплекс-научно-техническому прогрессу России. 2003. №2. С.15-16.
835. Е.П.Прокопьев. Возможность получения энергии и антивещества при низких энергиях: вероятный
физический механизм самоорганизации при ядерном синтезе, трансформации элементов и синтезе
антивещества. Оборонный комплекс - научно-техническомк прогрессу России. 2003. №3. С.39,40.
836. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, В.В.Калугин. О процессе роста слоев GexSi1-x на
изоляторе в смешанных гидридном и дихлорсилановом процессах. Оборонный комплекс - научнотехническомк прогрессу России. №3. С.25,26.
837. Б.Ю.Богданович, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, В.В.Калугин, А.В.Нестерович, Е.П.Прокопьев,
А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин. Технологии и методы исследования структур кремний на
изоляторе. М.: МИЭТ, 2003. 288 с.
838. Б.Ю.Богданович, А.В.Нестерович, С.П.Тимошенков,
В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, П.В.Алферов,
В.В.Калугин, Ю.Я.Лапицкий. Возможности создания источников ионов водорода для технологических
установок имплантации протонов в полупроводниковые пластины большого диаметра с целью создания
многослойных структур. Материалы шестнадцатой Международной конференции «Взаимодействие ионов
с поверхностью». ВИП-2003. (Ion-Surface Interactions. ISI-2003).
25 – 29 августа 2003 г.
Звенигород..Россия. М.: МАИ, 2003. Том 2. С. 318-321.
839. В.И.Графутин, О.В.Илюхина,Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков. Исследование дефектов
структуры облученных материалов методом позитронной аннигиляции. Материалы шестнадцатой
Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью». ВИП-2003. (Ion-Surface
Interactions. ISI-2003). 25 – 29 августа 2003 г. Звенигород..Россия. М.: МАИ, 2003. Том 2. С. 121-124.
840. С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев. Разработка методов химической обработки Si пластин,
предназначенных для получения структур КНИ. I. Химические взаимодействия на поверхности при
жидкостных обработках пластин кремния. Материаловедение. 2002. №8. С.10-16.
841. С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев. Разработка методов химической обработки Si пластин,
предназначенных для получения структур КНИ. II. Разработка процессов химической обработки Si пластин
Материаловедение. 2003. №9. С.19-24.
842. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Ю.А.Новиков, Е.П.Прокопьев, Ю..В.Фунтиков. Аннигиляция
позитронов в многослойных структурах. Сборник докладов XШ Международного совещания
«Радиационная физика твердого тела». Севастополь, 30 июня-5 июля 2003 г. М.: МИЭМ (ТУ), 2003. С.382384.
843. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Ю.М.Литвинов, В.К.Мингазов,
Г.Г.Мясищева, Ю.А.Новиков,
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Применение ПАС для исследования протонированных
пластин кремния, используемых в производстве структур КНИ. Сборник докладов XШ Международного
совещания «Радиационная физика твердого тела». Севастополь, 30 июня-5 июля 2003 г. М.: МИЭМ (ТУ),
2003. C.502-505.
844. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Ю.М.Литвинов, В.К.Мингазов,
Г.Г.Мясищева, Ю.А.Новиков,
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. изучение линейных и точечных дефектов и их
агломератов, возникающих в процессе обработки пластин кремния, методом ПАС. Сборник докладов XШ
Международного совещания «Радиационная физика твердого тела». Севастополь, 30 июня-5 июля 2003 г.
М.: МИЭМ (ТУ), 2003. C.498-501.
845. С.А.Гаврилов, В.И.Графутин, О.В.Илюхина, В.К.Мингазов,
Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Исследование природы и топологии нанопористых материалов методом
ПАС Сборник докладов XШ Международного совещания «Радиационная физика твердого тела».
Севастополь, 30 июня-5 июля 2003 г. М.: МИЭМ (ТУ), 2003. C.385-387.
846. Е.П.Светлов-Прокопьев. Обзор о рождении Вселенной посредством квантового туннелирования. Тезисы
доклада 3-й Международной конференции «Современные достижения физики и фундаментальное
физическое образование». Казахстан, Алматы, 1-3 октября 2003 г. С.105.
847. Е.П.Светлов-Прокопьев. Об особенностях рождения ранних вселенных Хартла-Хокинга. Тезисы доклада 3й Международной конференции «Современные достижения физики и фундаментальное физическое
образование». Казахстан, Алматы, 1-3 октября 2003 г. С.106.
848. E.P.Prokop’ev, S.P.Timoshenkov, V.V.Kalugin, V.I.Grafutin. Possibility of SOI structure production using wet
surface treatment (chemical assembling) and smart-technique. Abstracts of International Conference «Micro- and
nanoelectronics-2003” (ICMNE-2003). Zvenigorod, Moscow discrict, October 6-10, 2003. P.O1-14.
849. Графутин В.И., Илюхина О.В., В.К.Мингазов, Мясищева Г.Г.,
Прокопьев Е.П., Фунтиков
Ю.В.Исследование аннигиляции позитронов в кремнии, облученном протонами. Тезисы докладов 53
Международного Совещания по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра (ЯДРО-2003). 7-10
октября 2003. Россия, Москва. МГУ им. М.В.Ломоносова. НИИЯФ им Д.В.Скобельцына. 2003. C.271,272.
850. Е.П.Прокопьев. Энергия связи позитрона с вакансиями в конденсированных средах: модельный потенциал:
. Тезисы докладов 53 Международного Совещания по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра
(ЯДРО-2003). 7-10 октября 2003. Россия, Москва. МГУ им. М.В.Ломоносова. НИИЯФ им
Д.В.Скобельцына. 2003. C.273.
851. С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, А.Н.Бойко, Е.П.Прокопьев, В.И.Графутин. Технологии производства
структур кремний на изоляторе. Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России. 2003. №4.
С.51-55.
852. Е.П.Светлов-Прокопьев. Возможные синергетические подходы к проблемам современного
материаловедения. Материалы 7-й Международной научной конференции «Молекулярная биология, химия
и физика гетерогенных систем». (МБХ и ФГС), Москва-Плес, 7-13 сентября 2003. М.: Изд-во «Юнона»,
2003. С.109-112.
853. Е.П.Прокопьев. Возможные синергетические подходы к проблемам радиационной физики материалов.
Abstracts of 4-th International Conference. NUCLEAR AND RADIATION PHYSICS (ICNRP ’03). 15-17
September 2003. Almaty: Institute of Nuclear Physics, Republic of Kazakstan, 2003. C.266.
854. Е.П.Прокопьев. Возможные синергетические подходы к проблемам радиационной физики материалов. 4
Международная конференция «Ядерная и радиационная физика», Алматы,.15-17 сент., 2003: ICNP’03. Т.2.
Радиационная физика твердого тела и проблемы материаловедения. Алматы: Изд-во ИЯФ НЯЦ Р.К. 2004,
с.103-133. Библиогр. 65.
855. E.P.Svetlov-Prokop’ev. Possible synergetic approaches to problems of materials and science (report). Abstracts of
International Silk Road Conference “Quantum theory, partial differential equations of mathematical physics and
their application”. Tashkent, Uzbekistan, September 30 – October 3, 2003. P.64,65.
856. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Ю.М.Литвинов, В.К.Мингазов,
Г.Г.Мясищева, Ю.А.Новиков,
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Исследование линейных и точечных дефектов и их
агломератов, возникающих в процессе обработки пластин кремния. Abstracts of 4-th International
Conference. NUCLEAR AND RADIATION PHYSICS (ICNRP ’03). 15-17 September 2003. Almaty: Institute of
Nuclear Physics, Republic of Kazakstan, 2003. C.282.
857. С.А.Гаврилов, В.И.Графутин, О.В.Илюхина, В.К.Мингазов,
Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Исследование природы и топологии нанопористых материалов методом
ПАС. Abstracts of 4-th International Conference. NUCLEAR AND RADIATION PHYSICS (ICNRP ’03). 15-17
September 2003. Almaty: Institute of Nuclear Physics, Republic of Kazakstan, 2003. C.290.
858. Е.П.Прокопьев. О возможности получения антивещества при низких энергиях: вероятный физический
механизм самоорганизация при ядерном (термоядерном) синтезе и синтезе антивещества. Abstracts of 4-th
International Conference. NUCLEAR AND RADIATION PHYSICS (ICNRP ’03). 15-17 September 2003.
Almaty: Institute of Nuclear Physics, Republic of Kazakstan, 2003. C.144.
859. С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев. Исследование процессов подготовки поверхности пластин
кремния в процессе изготовления структур КНИ и микроэлектронных изделий. Микроэлектроника. 2003.
Т.32. №6.С.459-465.
860. С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев. Получение приборных структур КНИ с использованием
методов химической обработки и сращивания пластин кремния. Микроэлектроника. 2004. Vol.33. №4.
С.241-246.
861. А.Л.Суворов, В.И.Графутин,. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.В. Калугин. Разработка процессов
химической обработки сращиваемых подложек. Атомная энергия. 2003. Т.95. Вып.5. С.359-363.
862. В.П.Бабаев, С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, Ан.С.Тимошенков, В.В.Калугин, Д.К.Григорьев,
Ал.С.Тимошенков. Возможные синергетические подходы к проблемам электронного материаловедения.
Петербургский журнал электроники. 2003. №3. С.21-39.
863. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, В.В.Калугин, Ан.С.Тимошенков, М.Н.Талесников. Smart-cut технологии
изготовления КНИ структур. Петербургский журнал электроники. 2003. №6. С.31-39.
864. С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев. Разработка методов химической обработки Si пластин,
предназначенных для получения структур КНИ. I. Химические взаимодействия на поверхности при
жидкостных
обработках
пластин
кремния.
Материаловедение.
2003.
№8.
С.10-16.
(D\Калугин\Paper4Калугин.doc).
865. С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев. Разработка методов химической обработки Si пластин,
предназначенных для получения структур КНИ. II. Разработка процессов химической обработки Si пластин
Материаловедение. 2003. №9. С.19-24.
866. E.P.Svetlov-Prokop’ev. Possible synergetic approaches to problems of materials and science (report). Abstracts of
International Silk Road Conference “Quantum theory, partial differential equations of mathematical physics and
their application”. Tashkent, Uzbekistan, September 30 – October 3, 2003. P.64,65.
867. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, В.В.Калугин. Особенности процесса роста слоев GexSi1-x
на изолирующих и полупроводниковых подложках в смешанных гидридном и дихлорсилановом процессах.
Материаловедение. 2004. №6. С.8-12.
868. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, В.В.Калугин.. Анализ массопереноса в гидридных и
хлоридных процессах наращивания слоев кремния и GexSi1-x при быстром импульсном нагреве подложек
некогерентными источниками света. Материаловедение. 2004. №5. С.18-23.
869. Е.П.Светлов-Прокопьев. Возможные синергетические подходы к проблемам современного
материаловедения. Материалы 7-й Международной научной конференции «Молекулярная биология, химия
и физика гетерогенных систем». (МБХ и ФГС), Москва-Плес, 7-13 сентября 2003. М.: Изд-во «Юнона»,
2003. С.109-112.
870. Б.Ю.Богданович., А.В. Нестерович, С.П.Тимошенков, В.И Графутин,. Е.П Прокопьев, П.В. Алферов,
В.В.Калугин, Ю.Я.Лапицкий, Ю.Б.Стасевич. .Возможности создания источников ионов водорода для
технологических установок имплантации протонов в полупроводниковые пластины большого диаметра с
целью создания многослойных структур. Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России.
2004. №1. С.55-61.
871. E.P.Prokop’ev, S.P.Timoshenkov, V.V.Kalugin, V.I.Grafutin. Possibility of SOI structure production using wet
surface treatment (chemical assembling) and smart-technique. Abstracts of International Conference «Micro- and
nanoelectronics-2003” (ICMNE-2003). Zvenigorod, Moscow discrict, October 6-10, 2003. P.O1-14.
872. А.Л.Суворов, Е.П.Прокопьев, А.Г.Залужный, В.И.Графутин, С.П.Тимошенков, В.В.Калугин.Исследование
процесса очистки поверхности подложек с использованием методов термообработки во влажных условиях
при получении структур кремний на изоляторе. Известия вузов. Электроника. 2002. №3. С.24-29.
873. E.P.Svetlov-Prokop’ev . Anomalies of positronium atom annihilation in crystals. Тезисы докладов 8-й
Международной Конференции по физике твердого тела Казахстан, Алматы, 23-26 августа 2004 г. С.104.
874. Е.П.Светлов-Прокопьев. Особенности рождения ранних вселенных и позитронная аннигиляция. Вестник
КазНУ, сер. физ., 2003. Т.2(15). С.7-10. (Материалы докладов 3-й Международной конференции
«Современные достижения физики и фундаментальное физическое образование». Казахстан, Алматы, 1-3
октября 2003 г.).
875. S.P. Timoshenkov, E.P. Svetlov-Prokop'ev, V.V.Kalugin, A.A.Zaharov. Possibility of Silicon-on-Insulator (SOI)
Structure Production Using Wet Surface Treatment and Smart Technique. Тезисы докладов 8-й Международной
Конференции по физике твердого тела, Казахстан, Алматы, 23-26 августа 2004 г. С.115.
876. Е.П.Светлов-Прокопьев. Вероятный физический механизм самоорганизации при ядерном синтезе и синтезе
антивещества при низких энергиях. Тезисы доклада. «Вторая междисциплинарная (биология, медицина,
физика, химия…) конференция, посвященная 300-летию г.Петрозаводска «Новые биокибернетические и
телемедицинские технологии 21 века» («НБИТТ-21»). 23-25 июня 2003 г. Петрозаводск: ПетрГУ, 2003.
С.51.
877. Е.П.Светлов-Прокопьев. О рождении антиматерии при столкновениях атомных ядер с Z>85 в «тяжелой»
высокотемпературной плазме и возможная схема аннигиляционного двигателя. Тезисы доклада. «Вторая
междисциплинарная (биология, медицина, физика, химия…) конференция, посвященная 300-летию
г.Петрозаводска «Новые биокибернетические и телемедицинские технологии 21 века» («НБИТТ-21»). 2325 июня 2003 г. Петрозаводск: ПетрГУ, 2003. С.50,51.
878. С.П.Тимошенков, Е.П.Светлов-Прокопьев, В.В.Калугин, В..И.Графутин. Разработка и изготовление
структур КНИ сращиванием пластин кремния для производства радиационно-стойких ИС. Научная сессия
МИФИ-2004. IV Научно-техническая конференция «Научно-инновационное сотрудничество». Сборник
научных трудов. Часть 2. М.: МИФИ, 2004. С.47.
879. С.П.Тимошенков, В.В. Калугин,
Е.П.Светлов-Прокопьев, В.И.Графутин. Физико-химические основы
производства микромеханических чувствительных элементов гироскопов и акселерометров. Научная
сессия МИФИ-2004. IV Научно-техническая конференция «Научно-инновационное сотрудничество».
Сборник научных трудов. Часть 2. М.: МИФИ, 2004. С.48,49.
880. Б.Ю.Богданович, В.В.Дягилев, В.И.Графутин, А.В.Нестерович, Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков,
Ю.В.Фунтиков. Применение ПАС в радиационной физике материалов. Научная сессия МИФИ-2004.
Сборник научных трудов. Том 7. М.: МИФИ, 2004. С.185.
881. С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев. Исследование процессов подготовки поверхности пластин
кремния в процессе изготовления структур КНИ и микроэлектронных изделий. Микроэлектроника. 2003.
Т.32. №6.С.459-465.
882. А.Л.Суворов, Е.П.Прокопьев, А.Г.Залужный, В.И.Графутин, С.П.Тимошенков, В.В.Калугин. Исследование
процесса очистки поверхности подложек с использованием методов термообработки во влажных условиях
при получении структур кремний на изоляторе. Известия вузов. Электроника. 2002. №3. С.24-29.
883. Б.Ю.Богданович., А.В. Нестерович, С.П.Тимошенков, В.И Графутин,. Е.П Прокопьев, П.В. Алферов,
В.В.Калугин, Ю.Я.Лапицкий, Ю.Б.Стасевич. .Возможности создания источников ионов водорода для
технологических установок имплантации протонов в полупроводниковые пластины большого диаметра с
целью создания многослойных структур. Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России.
2004. №1. С.55-61.
884. Тимошенков С.П., Лапицкий Ю.Я., Графутин В.И., Прокопьев Е.П., Калугин В.В., Стасевич Ю.Б., Захаров
А.А. Разработка источников ионов водорода для имплантации протонов в полупроводниковые пластины с
целью создания многослойных структур. Оборонный комплекс - научно-техническомк прогрессу России.
2004. №4. С.45-49.
885. А.Л.Суворов, В.И.Графутин,. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.В. Калугин. Разработка процессов
химической обработки сращиваемых подложек. Атомная энергия. 2003. Т.95. Вып.5. С.359-363.
886. В.П.Бабаев, С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, Ан.С.Тимошенков, В.В.Калугин, Д.К.Григорьев,
Ал.С.Тимошенков. Возможные синергетические подходы к проблемам электронного материаловедения.
Петербургский журнал электроники. 2003. №3. С.21-39.
887. Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков. ELTRAN процесс в производстве солнечных элементов. .
Петербургский журнал электроники. 2003. №4. С.18-24.
888. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, В.В.Калугин.. Анализ массопереноса в гидридных и
хлоридных процессах наращивания слоев кремния и GexSi1-x при быстром импульсном нагреве подложек
некогерентными источниками света. Материаловедение. 2004. №5. С.18-23.
889. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, В.В.Калугин. Особенности процесса роста слоев GexSi1-x
на изолирующих и полупроводниковых подложках в смешанных гидридном и дихлорсилановом процессах.
Материаловедение. 2004. №6. С.8-12.
890. В.И.Графутин,
Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков,
П.В.Крамер,
С.А.Гаврилов,
Г.Г.Мясищева,
Ю.В.Фунтиков. Позитронные состояния и фазовые переходы в пористом кремнии. Химическая физика.
2004. Т.23. №5. С.22-28.
891. Б.Ю.Богданович, В.В.Дягилев, В.И.Графутин, О.В.Илюхина, В.В.Калугин, Г.Г.Мясищева, А.В.Нестерович,
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков.Изучение протонированных пластин кремния,
используемых для производства структур КНИ, методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. I.
Теория и методика эксперимента. Оборонный комплекс - научно-техническомк прогрессу России. 2004.
№2. С.19-25.
892. Б.Ю.Богданович, В.В.Дягилев, В.И.Графутин, О.В.Илюхина, В.В.Калугин, Г.Г.Мясищева, А.В.Нестерович,
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков.Изучение протонированных пластин кремния,
используемых для производства структур КНИ, методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. .
II. Теория позитронных состояний в кремнии, облученном протонами. Определение средних концентраций
радиационных дефектов. Оборонный комплекс - научно-техническомк прогрессу России. 2004. №3. С.3743.
893. С.А.Гаврилов, В.И.Графутин, В.В.Калугин,
О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Исследование нанопористых материалов методом позитронной
аннигиляционной спектроскопии. Доклад и тезисы докладов 54 Международного Совещания по ядерной
спектроскопии и структуре атомного ядра (ЯДРО-2004) 22-26 июня 2004. Россия, Белгород. БелгорГУ.
2004. C.297.
894. Светлов-Прокопьев Е.П. Проблема физики и химии антивещества и возможности его синтеза. Доклад и
тезисы докладов 54 Международного Совещания по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра
(ЯДРО-2004) 22-26 июня 2004. Россия, Белгород. БелгорГУ. 2004. C. 264, 265.
895. Cветлов-Прокопьев Е.П. Возможности получения интенсивных потоков позитронов и их применение.
Доклад и тезисы докладов 54 Международного Совещания по ядерной спектроскопии и структуре
атомного ядра (ЯДРО-2004) 22-26 июня 2004. Россия, Белгород. БелгорГУ. 2004. C. 266, 267.
896. Е.П.Светлов-Прокопьев. Анализ математических моделей процесса роста пленок a  Si : H в силановых
плазменных смесях пониженного давления. Сборник трудов IV Международной конференции. (5-8 июля
2004 года. Санкт-Петербург: ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, 2004) Санкт-Петербург: Изд-во СПбГПУ, 2004. С.
33, 34.
897. С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, В.В.Калугин, Е.П.Светлов-Прокопьев. Исследование свойств структур
КНИ методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Сборник трудов IV Международной
конференции. (5-8 июля 2004 года. Санкт-Петербург: ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, 2004) Санкт-Петербург:
Изд-во СПбГПУ, 2004. С.316, 317.
898. Е.П.Светлов-Прокопьев. Возможная концепция Мирового Разума. Тезисы доклада. «Третья
междисциплинарная (биология, медицина, физика, химия, математика, образование,…) конференция
«Новые биокибернетические и телемедицинские технологии 21 века» («НБИТТ-21»). 21-23 июня 2004 г.
Петрозаводск: ПетрГУ, 2004. С.48.
899. С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, Е.П.Светлов-Прокопьев. Подготовка кремниевых пластин для структур
КНИ: химическая обработка. Петербургский журнал электроники. 2004. №1. С.13-19.
900. С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, Е.П.Светлов-Прокопьев. Подготовка кремниевых пластин для структур
КНИ: Физико-химические основы методов обработки. Петербургский журнал электроники. 2004. №2.
С.24-33.
901. С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев. Получение приборных структур КНИ с использованием
методов химической обработки и сращивания пластин кремния. Микроэлектроника. 2004. Vol.33. №4.
С.296-301.
902. Е.П.Светлов-Прокопьев. О проблемe физики и химии антивещества и возможности его синтеза. Тезисы
доклада. «Третья междисциплинарная (биология, медицина, физика, химия, математика, образование,…)
конференция «Новые биокибернетические и телемедицинские технологии 21 века» («НБИТТ-21»). 21-23
июня 2004 г. Петрозаводск: ПетрГУ, 2004. С.49,50.
903. С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, В.И.Графутин, Е.П.Светлов-Прокопьев, О.М.Бритков. Получение
приборных структур КНИ с использованием методов химической обработки и сращивания пластин
кремния. ПЛЕНКИ – 2004. Материалы Международной научно-практической конференции «Тонкие
пленки и наноструктуры». 7-10 сентября 2004 г., Москва-2004. Часть 2. М.: МИРЭА (ТУ), 2004. С.145-148.
904. С.П.Тимошенков, Е.П.Светлов-Прокопьев, В.И.Графутин, В.В.Калугин, А.Н.Бойко. Разработка и
изготовление структур КНИ для производства интегральных схем и микроэлектромеханических систем. .
INTERMATIC – 2004. Матермалы Международной научно-практической конференции «Фундаментальные
проблемы радиоэлектронного приборостроения». 7-10 сентября 2004 г., Москва-2004. Часть 2. М.:
МИРЭА (ТУ), 2004. С.52-55
905. Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.В.Калугин. Учет вклада действия ударной волны в общий
процесс массопереноса в гидридных и хлоридных процессах наращивания слоев кремния и GexSi1-x при
быстром импульсном нагреве подложек некогерентными источниками света. INTERMATIC – 2004.
Материалы Международной научно-практической конференции «Фундаментальные проблемы
радиоэлектронного приборостроения». 7-10 сентября 2004 г., Москва-2004. Часть 2. М.: МИРЭА (ТУ),
2004. С.127-129
906. С.П.Тимошенков, В.В.Дягилев, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, В.В.Калугин. Исследование, разработка и
изготовление структур КНИ для производства интегральных схем и различных приборов
микроэлектроники.
Материалы
14-й
Международной
конференции
«СВЧ-техника
и
телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо”2004). Севастополь, Крым, Украина – 13 – 17 сентября
2004 г. Черномор. Филиал МГУ и СевНТУ, 2004. C.545,546.
907. В.В.Дягилев, В.И.Графутин, О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков,
Ю.В.Фунтиков. Исследование облученных протонами пластин кремния, используемых для производства
структур КНИ, методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Материаловедение. 2004. №11.
С.16-19. №12. С.14-21.
908. В.В.Дягилев, В.И.Графутин, О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков,
Ю.В.Фунтиков. Исследование облученных протонами пластин кремния, используемых для производства
структур КНИ, методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. ЧастьII. Материаловедение. 2004.
№12. С.29-35.
909. Б.Ю.Богданович, А.В.Нестерович, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Е.П.Светлов-Прокопьев,. П.В.Алферов,
В.В.Калугин. Радиационные свойства структур
КНИ. Труды XIV Международного совещания
«Радиационная физика твердого тела». (Севастополь, 5 - 11 июля 2004 г.), ред. проф. Бондаренко Г.Г. М.:
МИЭМ (ТУ), 2004. С.396-400.
910. В.И.Графутин, С.П.Тимошенков, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Светлов-Прокопьев, Ю.В.Фунтиков,
О.М.Бритков. Применение ПАС для определения концентраций радиационных дефектов в пластинах
кремния, облученных протонами. Труды XIV Международного совещания «Радиационная физика твердого
тела». (Севастополь, 5 - 11 июля 2004 г.), ред. проф. Бондаренко Г.Г. М.: МИЭМ (ТУ), 2004. С.537-541.
911. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков,А.А.Голубский,
Ю.В.Фунтиков, П.В.Тимошенков. Исследование структур кремний на изоляторе методом позитронной
аннигиляционной спектроскопии. Труды XIV Международного совещания «Радиационная физика твердого
тела». (Севастополь, 5 - 11 июля 2004 г.), ред. проф. Бондаренко Г.Г. М.: МИЭМ (ТУ), 2004. С.542-546.
912. Е.П. Светлов-Прокопьев Возможность неравновесных фазовых переходов в ансамблях дефектов кремния в
процессе ионной имплантации. Тезисы докладов Совещания «КРЕМНИЙ - 2004». 5 – 9 июля 2004 Иркутск.
Иркутск:Изд-во Института географии, 2004. С.149.
913. С.П.Тимошенков, Е.П.Cветлов-Прокопьев, В.В.Калугин, В.И.Графутин, Ю.Я.Лапицкий, Б.Ю.Стасевич.
Разработка модифицированного источника ионов водорода для технологических установок имплантации
протонов в полупроводниковые пластины с целью создания многослойных структур. Тезисы докладов
Совещания «КРЕМНИЙ - 2004». 5 – 9 июля 2004 Иркутск. Иркутск:Изд-во Института географии, 2004.
С.187.
914. Е.П.Cветлов-Прокопььев. Лазерно-химические методы осаждения слоев кремния в гидридном и хлоридных
процессах в стационарном и импульсном режимах. Тезисы докладов Совещания «КРЕМНИЙ - 2004». 5 – 9
июля 2004 Иркутск. Иркутск:Изд-во Института географии, 2004. С.88.
915. С.П.Тимошенков, Е.П.Светлов-Прокопьев. Радиационные свойства структур КНИ. Тезисы докладов
Совещания «КРЕМНИЙ - 2004». 5 – 9 июля 2004 Иркутск. Иркутск:Изд-во Института географии, 2004.
С.123.
916. Б.Ю.Богданович, А.В.Нестерович, С.П.Тимошенков, Е.П.Светлов-Прокопьев, П.В.Алферов, В.В.Калугин,
В.И.Графутин, Ю.Я.Лапицкий, Б.Ю.Стасевич. Разработка и исследование модифицированного источника
ионов водорода для технологических установок имплантации протонов в полупроводниковые пластины
большого диаметра с целью создания многослойных структур. Материалы научно-практической
конференции материаловедческих обществ России “Создание материалов с заданными свойствами:
методология и моделирование”. Ершово, 22 – 26 ноября 2004 г. Ершово, Россия. М.: МИФИ, 2004. С.53,54.
917. Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, В.И.Графутин. Лазерно-химические методы
осаждения слоев кремния в гидридном и хлоридных процессах в стационарном и импульсном режимах.
Материалы научно-практической конференции материаловедческих обществ России “Создание материалов
с заданными свойствами: методология и моделирование”. Ершово, 22 – 26 ноября 2004 г. Ершово, Россия.
М.: МИФИ, 2004. С.110,111.
918. С.П.Тимошенков, Е.П.Светлов-Прокопьев, В.В.Калугин. Технологии получения многослойных структур и
структур КНИ с использованием стеклообразных материалов. Материалы научно-практической
конференции материаловедческих обществ России “Создание материалов с заданными свойствами:
методология и моделирование”. Ершово, 22 – 26 ноября 2004 г. Ершово, Россия. М.: МИФИ, 2004.
С.126,127.
919. Е.П.Светлов-Прокопьев. Проблема физики и химии антивещества и возможности его синтеза. Материалы
VIII Всерос. науч. конф. с междунар. участием, посвящ. 80-летию со дня рождения генерального
конструктора ракетно-космических систем академика М.Ф. Решетнева (11-12 нояб 2004,
г.Красноярск)/СибГАУ.-Красноярск,2004.-302 с.). С.102, 103.
920. Б.Ю.Богданович, А.В.Нестерович, С.П.Тимошенков, Е.П.Светлов-Прокопьев, П.В.Алферов, В.В.Калугин,
В.И.Графутин, Ю.Я.Лапицкий, Б.Ю.Стасевич. Разработка и исследование модифицированного источника
ионов водорода для технологических установок имплантации протонов в полупроводниковые пластины
большого диаметра с целью создания многослойных структур. Материалы научно-практической
конференции материаловедческих обществ России “Создание материалов с заданными свойствами:
методология и моделирование”. Ершово, 22 – 26 ноября 2004 г. Ершово, Россия. М.: МИФИ, 2004. С.53,54.
921. Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, В.И.Графутин. Лазерно-химические методы
осаждения слоев кремния в гидридном и хлоридных процессах в стационарном и импульсном режимах.
Материалы научно-практической конференции материаловедческих обществ России “Создание материалов
с заданными свойствами: методология и моделирование”. Ершово, 22 – 26 ноября 2004 г. Ершово, Россия.
М.: МИФИ, 2004. С.110,111.
922. С.П.Тимошенков, Е.П.Светлов-Прокопьев, В.В.Калугин. Технологии получения многослойных структур и
структур КНИ с использованием стеклообразных материалов. Материалы научно-практической
конференции материаловедческих обществ России “Создание материалов с заданными свойствами:
методология и моделирование”. Ершово, 22 – 26 ноября 2004 г. Ершово, Россия. М.: МИФИ, 2004.
С.126,127.
923. Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков. Возможность синергетического подхода к проблеме окисления
поверхности германия в микроэлектронике. НАДЕЖНОСТЬ И КАЧЕСТВО. Труды международного
симпозиума. Под ред. А.Н.Андреева, В.И.Волчихина, Е.А.Мокрова, А.В.Блинова, Н.К.Юркова,
В.А.Трусова. Пенза: Изд-во Пенз. гос. ун-та, 2004. С.184-189. (об`ем – 481 с., илл. – 274, табл.96, библ. –
817 назв.).
924. Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, В.В.Калугин. Учет вклада действия ударной
волны в общий процесс массопереноса в гидридных и хлоридных процессах наращивания слоев кремния и
GexSi1-x при быстром импульсном нагреве подложек некогерентными источниками света. Тезисы доклада
Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии».
19-24 октября 2004 г. Кисловодск, Россия, 2004. С.121.
925. Светлов-Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П. Получение слоев GexSi1-x на изоляторе в смешанных гидридном
и дихлорсилановом процессах. Тезисы докладов девятой научно-технической конференции «Актуальные
проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники». ПЭМ-2004. ТРТУ, пос. Дивноморское,
Краснодарский край, Россия, 12-17 сентября 2004 г. 2004. С.98.
926. S.P.Timoshenkov, E.P.Prokop'ev, V.I.Grafutin, V.V.Kalugin. Research and manufacture of SOI structures to
produce integrated circuits and micro-electromechanical systems. Modern problems of nuclear physics and physics
and chemistry of condensed matter. Proceedings of the 7 th Moscw International ITEP School of Physics. (32-th
ITEP Winter School of Physics). «Otradnoe», Moscow region, Februari 16-26, 2004. Editors: A.L.Suvorov,
F.S.Dzeparov, M.A.Kozodaev, S.V.Stepanov. 2004. M., Академпринт.2004. 224 c., с.191- 195.
927. V. I. Grafutin, G. G. Myasishcheva, E. P. Prokop’ev, S. P. Timoshenkov, and Yu. V. Funtikov. The Study of
Imperfections in Solids by Positronic Annihilation Spectroscopy. Modern problems of nuclear physics and physics
and chemistry of condensed matter. Proceedings of the 7 th Moscw International ITEP School of Physics. (32-th
ITEP Winter School of Physics). «Otradnoe», Moscow region, Februari 16-26, 2004. Editors: A.L.Suvorov,
F.S.Dzeparov, M.A.Kozodaev, S.V.Stepanov. 2004. M., Академпринт.2004. 224 c., с.92-96.
928. V. I. Grafutin, Yu. A. Novikov, and E. P. Prokop’ev. On the Positron Annihilation in Metals. Modern problems of
nuclear physics and physics and chemistry of condensed matter. Proceedings of the 7 th Moscw International ITEP
School of Physics. (32-th ITEP Winter School of Physics). «Otradnoe», Moscow region, Februari 16-26, 2004.
Editors: A.L.Suvorov, F.S.Dzeparov, M.A.Kozodaev, S.V.Stepanov. 2004. M., Академпринт.2004. 224 c., с.97100.
929. Е.П.Прокопьев. Возможность исследования процесса окисления кремния в атмосфере влажного воздуха и
кислорода синергетическими методами. Химическая технология. 2004. №11. С.2-5.
930. С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев. Химическая обработка поверхности полупроводниковых
пластин в процессе изготовления структур КНИ и микроэлектронных изделий. Химическая технология.
2004. №12. С.3-11.
931. Б.Ю.Богданович, В.В.Дягилев, В.И.Графутин, А.В.Нестерович, Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков,
Ю.В.Фунтиков. Применение ПАС в радиационной физике кремния. Научная сессия МИФИ-2005. Сборник
научных трудов. Том 7. М.: МИФИ, 2005. С.113,114.
932. В.В.Дягилев, В.И.Графутин, О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков,
Ю.В.Фунтиков. Исследование облученных протонами пластин кремния, используемых для производства
структур КНИ, методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Материаловедение. 2004. №11.
С.16-19. №12. С.14-21.
933. С.А.Гаврилов, В.И.Графутин, О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков,
Ю.В.Фунтиков. Прямое экспериментальное наблюдение атома позитрония в пористом кремнии методом
позитронной аннигиляционной спектроскопии. Письма в ЖЭТФ. 2005. Т.81. Вып.11-12. С.680-682.
934. О.М.Бритков, С.А.Гаврилов, В.И.Графутин, В.В.Дягилев, В.В.Калугин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева,
Е.П.Светлов-Прокопьев,
С.П.Тимошенков,
Ю.В.Фунтиков.
Применение
метода
позитронной
аннигиляционной спектроскопии для исследования дефектов структуры твердого тела. Вопросы атомной
науки и техники (ВАНТ) (Саров). Серия теоретическая и прикладная физика. 2004. Вып.3. С.40-50.
935. В.И.Графутин, О.В. Илюхина, Г.Г.Мясищева, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков,
Н.О.Хмелевский, Ю.В.Фунтиков. Исследования методом позитронной аннигиляционной спектроскопии
дефектов в облученном протонами кремнии. Микроэлектроника. 2005. Т.34. №3. С.218-224.
936. А.Л.Суворов, Т.Л.Разинкова, Е.П.Светлов-Прокопьев и др. Некоторые вопросы проблемы физики, химии и
технологии антивещества: возможности синтеза, хранения, исследования свойств, поиска во Вселенной и
применений. Программа и доклад на Юбилейной научной сессии-конференции секции ЯФ ОФН РАН
«Физика фундаментальных взаимодействий», посвященной 60 летию ИТЭФ (5 – 9 декабря 2005 г.).
Москва: ФГУП ГНЦ РФ ИТЭФ им. А.И.Алиханова, 2005. С.11.
937. А.Л.Суворов, Т.Л.Разинкова, Е.П.Светлов-Прокопьев, В.И.Графутин, Ю.В.Фунтиков. Исследование
позитронных состояний в космической плазме. Программа и доклад на Юбилейной научной сессииконференции секции ЯФ ОФН РАН «Физика фундаментальных взаимодействий», посвященной 60 летию
ИТЭФ (5 – 9 декабря 2005 г.). Москва: ФГУП ГНЦ РФ ИТЭФ им. А.И.Алиханова, 2005. С.11.
938. Т.Л.Разинкова, Е.П.Светлов-Прокопьев. Позитронсодержащие атомные системы в космической плазме.
Программа и доклад на Юбилейной научной сессии-конференции секции ЯФ ОФН РАН «Физика
фундаментальных взаимодействий», посвященной 60 летию ИТЭФ (5 – 9 декабря 2005 г.). Москва: ФГУП
ГНЦ РФ ИТЭФ им. А.И.Алиханова, 2005. С.22.
939. Е.П.Светлов-Прокопьев. Возможные проблемы
высоких космических технологий будущего.
«РЕШЕТНЕВСКИЕ ЧТЕНИЯ». Материалы IX Международной научной конференции, посвященной 45летию Сибирского государственного аэрокосмического университета имени академика М.Ф.Решетнева
(10—12 ноября 2005, г.Красноярск)/СибГАУ.-Красноярск, 2005). С.5,6.
940. S.A. Gavrilov, V.I. Grafutin, O.V. Ilyukhina, G.G. Myasishcheva, T.L. Razinkova, E.P. Svetlov-Prokop’ev, S.P.
Timoshenkov, Yu.V. Funtikov,
N.O. Khmelevsky. Direct experimental observation of positronium atom in
porous silicon. LV National conference on nuclear physics of nucleus. Frontiers in the physics of nucleus. June 28July 1, 2005. Saint-Petersburgs, Russia. BOOK OF ABSTRACTS. Saint-Petersburgs, 2005. P.335.
941. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков. Аннигиляция позитронов в водно-спиртовых
растворах нитратов. Химическая физика. 2005. Т.25. №4. С.13-16.
942. А.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев. О когерентном поведении атмосферы
дефектов и научных основах эксплуатации материалов атомной техники: Обзор. 3 Международная
конференция «Ядерная и радиационная физика», Алматы, 4 – 7 июня 2001. Т.2. Радиационная физика.
Алматы: Изд-во ИЯФ НЯЦ Р.К. 2001. С.415-425.
943. В.Ф.Реутов, А.Л.Суворов, А.Г.Залужный, В.И.Графутин, С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Развитие
технологии и получения тонких пластинок, мембран и структур кремний-на-изоляторе (КНИ) с
использованием метода газового скалывания. 3 Международная конференция «Ядерная и радиационная
физика», Алматы, 4 – 7 июня 2001. Т.2. Радиационная физика. Алматы: Изд-во ИЯФ НЯЦ Р.К. 2001. С.489503.
944. Е.П.Прокопьев. Возможные синергетические подходы к проблемам радиационной физики материалов. 4
Международная конференция «Ядерная и радиационная физика», Алматы,.15-17 сент., 2003: ICNP’03. Т.2.
Радиационная физика твердого тела и проблемы материаловедения. Алматы: Изд-во ИЯФ НЯЦ Р.К. 2004,
с.103-133. Библиогр. 65.
945. Е.П.Прокопьев. Возможность исследования процесса окисления кремния в атмосфере влажного воздуха и
кислорода синергетическими методами. Химическая технология. 2004. №11. С.2-5.
946. С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев. Химическая обработка поверхности полупроводниковых
пластин в процессе изготовления структур КНИ и микроэлектронных изделий. Химическая технология.
2004. №12. С.3-11.
947. Б.Ю.Богданович, В.В.Дягилев, В.И.Графутин, А.В.Нестерович, Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков,
Ю.В.Фунтиков. Применение ПАС в радиационной физике кремния. Научная сессия МИФИ-2005. Сборник
научных трудов. Том 7. М.: МИФИ, 2005. С.113,114.
948. В.В.Дягилев, В.И.Графутин, О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков,
Ю.В.Фунтиков. Исследование облученных протонами пластин кремния, используемых для производства
структур КНИ, методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Материаловедение. 2004. №11.
С.16-19. №12. С.14-21.
949. Е.П.Прокопьев. Возможные синергетические подходы к окислению и деградации структур кремний на
изоляторе. Коррозия: материалы, защита. 2005. №2. C.32-36.
950. Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков,
В.В.Калугин. Определение по динамическим вольт-фарадным
характеристикам электрофизических свойств и однородности толщин структур кремний на изоляторе.
Оборонный комплекс - научно-техническомк прогрессу России. 2005. №2. С.45-49.
951. В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, В.Ф.Реутов, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, Б.Ю.Шарков,
Ю.А.Чаплыгин.Основы технологии связывания (сращивания) протонированных пластин кремния с
гидрофильными подложками при получении структур кремний на изоляторе, многослойных структур
Ge/Si, (GexSi1-x)/Si тонких монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников A3B5 И A2B6
для производства новой элементной базы опто-, нано- и микроэлектроники с целью создания современных
суперкомпьютеров, специальных ИС и приборов, микромеханических устройств, сенсоров, датчиков и
солнечных элементов. www.itep.ru/lowenergy/Grafutin/Review_for_MIET.doc - 18 АПР 2005
952. В.И.Графутин, А.A.Захаров, О.В.Илюхина, В.В.Калугин, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков,
Ю.В.Фунтиков.. Изучение методом ПАС пластин кремния
с различными
методами обработки
поверхности. Оборонный комплекс - научно-техническомк прогрессу России. 2005. №2. С.68-74.
953. С.П.Тимошенков, Ю.Я.Лапицкий, Ю.Б.Стасевич, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, В.В.Калугин,
А.А.Захаров, О.М.Бритков. Разработка макета имплантера для имплантации протонов в
полупроводниковые пластины в целях создания многослойных структур. Оборонный комплекс - научнотехническомк прогрессу России. 2005. №3. С.28-32.
954. S.A.Gavrilov, V.I.Grafutin, O.V.Ilyukhina, G.G.Myasishcheva, E.P.Prokop’ev, S.P.Timoshenkov, Yu.V.Funtikov.
Direct Experimental Observation of the Positronium Atom in Porous Silicon by Positron Annihilation
Spectroscopy. JETP Letters. 2005. Vol.81. №11. P.680-682.
955. С.П.Тимошенков, Е.П.Светлов-Прокопьев, Ан.С.Тимошенков, В.В.Калугин. Исследование по
динамическим вольт-фарадным характеристикам свойств структур КНИ. ТЕЗИСЫ ЛЕКЦИЙ И
ДОКЛАДОВ Третьей Российской школы ученых и молодых специалистов по физике, материаловедению и
технологии получения кремния и приборных структур на его основе. «Кремний, Школа-2005». 4 июля – 7
июля 2005 г. Москва: МИСиС, 2005. С.228-231.
956. С.П.Тимошенков, О.М.Бритков, В.И.Графутин2, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Светлов-Прокопьев,
Ю.В.Фунтиков, В.В.Калугин, Ан.С.Тимошенков. Применение позитронной аннигиляционной
спектроскопии в радиационной физике кремния. ТЕЗИСЫ ЛЕКЦИЙ И ДОКЛАДОВ Третьей Российской
школы ученых и молодых специалистов по физике, материаловедению и технологии получения кремния и
приборных структур на его основе. «Кремний, Школа-2005». 4 июля – 7 июля 2005 г. Москва: МИСиС,
2005. С.226,227.
957. Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, Е.П.Светлов-Прокопьев, В.В.Калугин. Геттерирование примесей в
структурах КНИ. ТЕЗИСЫ ЛЕКЦИЙ И ДОКЛАДОВ Третьей Российской школы ученых и молодых
специалистов по физике, материаловедению и технологии получения кремния и приборных структур на его
основе. «Кремний, Школа-2005». 4 июля – 7 июля 2005 г. Москва: МИСиС, 2005. С.194,195.
958. Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков, Т.Л.Разинкова, В.В.Калугин, Ан.C.Тимошенков. К вопросу
неравновесных фазовых переходов в атмосфере собственных дефектов кремния. ТЕЗИСЫ ЛЕКЦИЙ И
ДОКЛАДОВ Третьей Российской школы ученых и молодых специалистов по физике, материаловедению и
технологии получения кремния и приборных структур на его основе. «Кремний, Школа-2005». 4 июля – 7
июля 2005 г. Москва: МИСиС, 2005. С.171,172.
959. С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, Е.П.Светлов-Прокопьев. Подготовка кремниевых пластин для структур
КНИ: Физико-химические основы сухих методов обработки. Петербургский журнал электроники. 2005.
№2. С.15-19.
960. О.М.Бритков, В.И.Графутин, В.В.Дягилев, А.A.Захаров, О.В.Илюхина, В.В.Калугин, Г.Г.Мясищева,
Т.Л.Разинкова, Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков,
Ю.В.Фунтиков.
Изучение методом
позитронной аннигиляционной спектроскопии пластин кремния c различными методами обработки
поверхности. Материалы семнадцатой Международной конференции «Взаимодействие ионов с
поверхностью - 2005». ВИП-2005. (Ion-Surface Interactions. ISI-2005).
25 – 29 августа 2005 г.
Звенигород..Россия. М.: МАИ, 2005. Том 2. С.130-133.
961. О.М.Бритков, С.А.Гаврилов, В.И.Графутин, В.В.Дягилев, В.В.Калугин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева,
Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Исследование дефектов структуры кремния
методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Труды 5-ой Международной конференции
"Ядерная и радиационная физика". 26-29 сентября 2005 года. Алматы, Республика Казахстан. ИЯФ НЯЦ
РК: 2005. С.346.
962. Е.П.Светлов-Прокопьев, Т.Л.Разинкова, В.И.Графутин, Ю.В.Фунтиков. Исследование позитронных
состояний в космической плазме. Труды 5-ой Международной конференции "Ядерная и радиационная
физика". 26-29 сентября 2005 года. Алматы, Республика Казахстан. ИЯФ НЯЦ РК: 2005. С.147.
963. В.И.Графутин, Т.Л.Разинкова, Е.П.Светлов-Прокопьев, Ю.В.Фунтиков. Позитронная аннигиляция и
космическая гамма - астрономия. Труды 5-ой Международной конференции "Ядерная и радиационная
физика". 26-29 сентября 2005 года. Алматы, Республика Казахстан. ИЯФ НЯЦ РК: 2005. С.169.
964. Е.П.Светлов-Прокопьев. О возможности исследования технологий природных процессов с целью их
практического использования. Труды 5-ой Международной конференции "Ядерная и радиационная
физика". 26-29 сентября 2005 года. Алматы, Республика Казахстан. ИЯФ НЯЦ РК: 2005. С.612.
965. Т.Л.Разинкова, Е.П.Светлов-Прокопьев Проблема физики и химии антивещества: возможности
исследования свойств, поиска во Вселенной, синтеза и применений. Труды 5-ой Международной
конференции "Ядерная и радиационная физика". 26-29 сентября 2005 года. Алматы, Республика Казахстан.
ИЯФ НЯЦ РК: 2005. С.172.
966. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, О.М.Бритков, В.В.Калугин, Г.Г.Мясищева, Е.П.Светлов-Прокопьев,
С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков, Н.О.Хмелевский. Определение концентраций радиационных дефектов в
пластинах кремния p-типа по разностным значениям интенсивностей компонент Iр и Ig в спектрах УРАФ.
Тезисы доклада Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и
нанотехнологии». 18-23 сентября 2005 г. Кисловодск-Ставрополь. Сев Кав ГТУ, 2005. С.368.
(www.ncstu.ru).
967. Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, В.В.Калугин. Учет вклада действия ударной
волны в общий процесс массопереноса в гидридных и хлоридных процессах наращивания слоев кремния и
GexSi1-x при быстром импульсном нагреве подложек некогерентными источниками света. Тезисы доклада
Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии».
18-23 сентября 2004 г. Кисловодск-Ставрополь. Сев Кав ГТУ, 2004. С.492. (www.ncstu.ru).
968. В.И.Графутин, А.Г.Залужный, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев, А.Л.Суворов,
С.П.Тимошенков,
Ю.А.Чаплыгин. О перспективах и применениях структур КНИ. Наукоемкие технологии. 2005. Т.6. №3-4.
С.151.
969. E.P.Svetlov-Prokop’ev, S.P.Timoshenkov, V.V.Dyagilev, V.V.Kalugin. Possible noneequilibrium phase transitions
in an atmosphere of own silicon imperfections. International Conference «Micro- and nanoelectronics – 2005».
2005. IC MNE. IC Micro- and nanoelectronics. Book of Abstracts. October 3th-7th, 2005.Moscow, Zvenigorod,
Russia. P.03-07.
970. Yu.A.Chaplygin, S.P.Timoshenkov, E.P.Svetlov-Prokop’ev, V.V.Kalugin. Gettering of imperfections in SOI
structures. International Conference «Micro- and nanoelectronics – 2005». 2005. IC MNE. IC Micro- and
nanoelectronics. Book of Abstracts. October 3th-7th, 2005.Moscow, Zvenigorod, Russia. P.01-52.
971. Б.Ю.Богданович, А.В.Нестерович, С.П.Тимошенков, Е.П.Светлов-Прокопьев, П.В.Алферов, В.В.Калугин,
В.И.Графутин, Ю.Я.Лапицкий, Б.Ю.Стасевич. Новый модифицированный источник ионов водорода для
имплантации протонов в полупроводниковые пластины с целью создания многослойных структур. Труды и
тезисы докладов 34-ой Международной конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с
кристаллами. М.: Изд-во МГУ, 2004. С.128. см. также (http://danp.sinp.msn.ru// abstracts 2004.pdf).
972. С.П.Тимошенков, А.Н.Бойко, О.М.Бритков, В.В.Калугин, Ан.С.Тимошенков, Е.П.Светлов-Прокопьев.
Получение мелкодиспесных порошков стекловидных диэлектрических материалов в высокочастотной
индукционной плазме. Тезисы докладов VII Всероссийской конференции «Физикохимия ультрадисперсных
(нано-) систем. 22-24 ноября,
2005 год. Ершово, Московская обл. МИФИ: М., 2005. 316 с. С.99.
973. С.П.Тимошенков, О.М.Бритков, В.В.Калугин, Е.П.Светлов-Прокопьев. Получение мелкодиспесных
высокореактивных порошков кремния в высокочастотной индукционной плазме. Тезисы докладов VII
Всероссийской конференции «Физикохимия ультрадисперсных (нано-) систем. 22-24 ноября,
2005 год.
Ершово, Московская обл. МИФИ: М., 2005. 316 с. С.100.
974. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков, Ан.С.Тимошенков,
Д.К.Григорьев, Ал.С.Тимошенков, С.П.Тимошенков. Применение метода позитронной аннигиляционной
спектроскопии для исследования дефектов структуры кремния. Петербургский журнал электроники. 2005.
№3(44), С.39-54.
975. Е.П.Прокопьев , С.П.Тимошенков, В.В.Калугин. Геттерирование примесей металлов в структурах кремний
на изоляторе. Оборонный комплекс - научно-техническомк прогрессу России. 2005. №4. С.89-91.
976. С.П.Тимошенков, В.В. Калугин, В.Г.Рубчиц, О.М.Бритков, Е.П.Светлов-Прокопьев.. Исследование
движения и залечивания пор на границе сращивания кремниевых пластин, используемых для изготовления
многослойных структур и МЭМС. «РЕШЕТНЕВСКИЕ ЧТЕНИЯ». Материалы IX Международной
научной конференции, посвященной 45-летию Сибирского государственного аэрокосмического
университета имени академика М.Ф.Решетнева (10—12 ноября 2005, г.Красноярск)/СибГАУ.-Красноярск,
2005). С.6,7.
977. С.А.Гаврилов, В.И.Графутин, О.В.Илюхина, В.В.Калугин, Г.Г.Мясищева, Т.Л.Разинкова, Е.П.СветловПрокопьев, С.П.Тимошенков, Н.О.Хмелевский, .В.Фунтиков. Применение метода аннигиляции позитронов
для определения концентраций радиационных дефектов в протонированных пластинах кремния. Труды XV
Международного совещания «Радиационная физика твердого тела». (Севастополь, 4 - 9 июля 2005 г.), ред.
проф. Бондаренко Г.Г. М.: МИЭМ (ТУ), 2005. С.403-409.
978. Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков. Возможность синергетического подхода к эволюции атмосферы
собственных дефектов кремния. Труды XV Международного совещания «Радиационная физика твердого
тела». (Севастополь, 4 - 9 июля 2005 г.), ред. проф. Бондаренко Г.Г. М.: МИЭМ (ТУ), 2005. С.122-128.
979. С.П.Тимошенков, С.А.Зотов, В.В. Калугин, В.Г.Рубчиц, О.М.Бритков, Е.П.Светлов-Прокопьев..
Исследование движения и залечивания пор на границе сращивания кремниевых пластин, используемых для
изготовления многослойных структур и МЭМС. Материалы V Международной научно-технической
конференции «Электроника и информатика – 2005», Москва, 23 – 25 ноября 2005 г. М.: МИЭТ. 2005.
С.83,84.
980. Светлов-Прокопьев Е.П., Дягилев В.В., Т.Л.Разинкова, Тимошенков С.П. Возможные неравновесные
фазовые переходы в атмосфере собственных дефектов кремния. Труды Международной конференции
«АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА» (ФТТ-2005). 2005. С.119.
981. Е.П.Светлов-Прокопьев, Т.Л.Разинкова, В.И.Графутин, Ю.В.Фунтиков. Позитронная аннигиляция и
космическая гамма – астрономия.. Тезисы доклада 4-й Международной конференции «Современные
достижения физики и фундаментальное физическое образование». Казахстан, Алматы, 5-7 октября 2005 г.
С.115,116.
982. Чаплыгин Ю.А., Тимошенков С.П., Прокопьев Е.П., Калугин В.В. Проблема структур КНИ: перспективы и
применения. Высокие технологии, фундаментальные и прикладные исследования, образование. Том 3.
Сборник трудов первой Международной научно-практической конференции «Исследование, разработка и
применение высоких технологий в промышленности».Под редакцией А.П.Кудинова, Г.Г.Матвиенко,
В.Ф.Самохина. Санкт-Петербург: Изд-во Политехнического университета, 2005. С.464-467. См. также
http://htfi.ru/
983. О.М.Бритков, В.И.Графутин, О.В.Илюхина, В.В.Калугин, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков,
Ю.В.Фунтиков. Исследование дефектов структуры кремния, облученного протонами, методом
позитронной аннигиляционной спектроскопии. Материаловедение. 2005. №12. С.7-13.
984. Е.П.Прокопьев. Возможность получения антивещества в космическом пространстве с использованием
энергии Солнца. Оборонный комплекс - научно-техническому прогрессу России. 2006. №2. С.63-65.
985. А.Л.Суворов, Е.П.Светлов-Прокопьев, Т.Л.Разинкова, В.И.Графутин, С.П.Тимошенков. Получение
антивещества в космическом пространстве для использования энергии солнца. Петербургский журнал
электроники. 2005. №4. С.59-61.
986. А.Л. Суворов, Е.П.Светлов-Прокопьев, Т.Л.Разинкова, В.И.Графутин, Ю.В.Фунтиков. Исследование
позитронных состояний в космической плазме. Вестник КазНУ, серия физическая. 2006, №1(21). С.155-158.
987. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Модель геттерирования примесей металлов в структурах кремний на
изоляторе. Материаловедение. 2006. №3. С.2-7.
988. В.И.Графутин, В.В.Калугин, Г.Г.Мясищева, Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков,
Ал.С.Тимошенков, Н.О.Хмелевский. Позитроны и атом позитрония в пористых системах. Х
Международная конференция «Теоретические проблемы химии поверхности, адсорбции и
хроматографии». ТЕЗИСЫ. 24-28 апреля 2006 года. Москва-Клязьма, ИФХиЭ РАН, 2006. С.153,154.
989. С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев. Исследование процессов соединения подложек для
получения структур КНИ. Химическая технология. 2006. №3. С.2-8.
990. С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, А.В.Клочко, И.В.Калугина, Е.П.Прокопьев. Влияние технологических
процессов на полупроводниковую поверхность в процессе получения приборов СВЧ. Материалы 15-й
Международной конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо”2005).
Севастополь, Крым, Украина – 12 – 16 сентября 2005 г. Moscow-Kiev-Minsk-Sevastopol, 2005. C.657,658.
991. С.П.Тимошенков; О.М.Бритков, С.А.Зотов, В.Г.Рубчиц, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев. Исследования и
разработка технологических процессов изготовления элементов микромеханики. Оборонный комплекс научно-техническому прогрессу России. 2006. №2. С.3-7.
992. С.П.Тимошенков, С.А.Зотов, В.В.Калугин, В.Г.Рубчиц, А.А.Воротников, Е.П.Светлов-Прокопьев. Анализ
влияния поверхностных слоев на изгибную жесткость подвеса микромеханического устройства.
Оборонный комплекс - научно-техническомк прогрессу России. 2006. №2. С..19-24.
993. С.П.Тимошенков, В.В. Калугин, В.Г.Рубчиц, О.М.Бритков, Е.П.Прокопьев. Исследование движения и
залечивания пор на границе сращивания кремниевых пластин, используемых для изготовления
многослойных структур и МЭМС. Материаловедение. 2005. №5. С.15-19.
994. E. P. Prokop'ev, S. P. Timoshenkov, V. V. Kalugin, V. I. Grafutin. Possibility of silicon on insulator structure
production using wet surface treatment (chemical assembling) and smart technique. Proc. SPIE Vol. 5401, p. 155161, Micro- and Nanoelectronics 2003; Kamil A. Valiev, Alexander A. Orlikovsky; Eds.
995. A.L.Suvorov, Yu.V.Funtikov, V.I.Grafutin, T.L.Razinkova, E.P.Svetlov-Prokop’ev, A.F.Zakharov. Research of
positron states in space. Abstracts of the 6th INTEGRAL Workshop «The Obscured Universe». 2-8 July 2006.
Space Research Institute Russian Academy of Sciences. Moscow. P.28.
996. Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков, О.М.Бритков, В.И.Графутин, С.А.Зотов, В.В.Калугин,
Ю.Я.Лапицкий, Ал.С.Тимошенков. Изучение режимов процесса роста слоев алмаза в газовой смеси
CH 4  H 2 пониженного давления в методе нагретой нити. Сборник трудов V Международной
конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». (7-9 июля 2006 года. СанктПетербург: ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, 2006) Санкт-Петербург: Изд-во СПбГПУ, 2006. С.110, 111.
997. С.П.Тимошенков, О.М.Бритков, В.И.Графутин, С.А.Зотов, В.В.Калугин, Ю.Я.Лапицкий, Е.П.СветловПрокопьев, Ан.С.Тимошенков. Рост и легирование эпитаксиальных слоев кремния, осаждаемых в
гидридном и хлоридных процессах, при скоростном нагреве подложек некогерентным излучением в
производстве структур КНИ. Сборник трудов V Международной конференции «Аморфные и
микрокристаллические полупроводники». (7-9 июля 2006 года. Санкт-Петербург: ФТИ им. А.Ф.Иоффе
РАН, 2006) Санкт-Петербург: Изд-во СПбГПУ, 2006. С.263, 264.
998. С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, Е.П.Светлов-Прокопьев. Применение ELTRAN процесса для получения
тонких монокристаллических слоев кремния. «ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ, ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ И
ПРИКЛАДНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ, ОБРАЗОВАНИЕ». Том 6. Сборник трудов второй международной
научно-технической конференции «Исследование, разработка и применение высоких технологий в
промышленности» 07-09.2006, Санкт-Петербург, Россия. Под ред. А.П.Кудинова, Г.Г.Матвиенко,
В.Ф.Самохина. Санкт-Петербург: Изд-во Политехнического ун-та, 2006. С.125,126.
999. Е.П.Светлов-Прокопьев. Возможные проблемы высоких космических технологий будущего. «ВЫСОКИЕ
ТЕХНОЛОГИИ, ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ И ПРИКЛАДНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ, ОБРАЗОВАНИЕ». Том 6.
Сборник трудов второй международной научно-технической конференции «Исследование, разработка и
применение высоких технологий в промышленности» 07-09.2006, Санкт-Петербург, Россия. Под ред.
А.П.Кудинова, Г.Г.Матвиенко, В.Ф.Самохина. Санкт-Петербург: Изд-во Политехнического ун-та, 2006.
С.20-23. (\D\Тез Докл\2005МНПКСп. doc).
1000.
С.П.Тимошенков, С.А.Зотов, В.В.Калугин, В.Г.Рубчиц, О.М.Бритков, Е.П.Светлов-Прокопьев.
Влияние пор и поверхностных нанослоев на изгибную жесткость подвеса чувствительных элементов
МЭМС. Микросистемная техника. 2006. №7. С.11-16.
1001.
V.I.Grafutin, V.V.Kalugin, E.P.Svetlov-Prokop’ev , S.P.Timishenkov. Possible properties of positron
states in physics and chemistry of a surface and in semiconductor nanotechnologies.
Papers Abstracts of XIth European Workshop on Quantum System in Chemistry and Physics (QSCP-XI). Sanct-Petersburg, August 2026, 2006. Ioffe FTI RAN, 2006. C.119-125.
1002.
Е.П.Прокопьев, Т.Л.Разинкова. Позитронная аннигиляция на атомах космической плазмы.
Сборник тезисов докладов 56 Международной конференции «Ядро-2006» по проблемам ядерной
спектроскопии и структуре атомного ядра. Россия, Саров, 4-8 сентября 2006 г. Саров: МПК ФГУП «РФЯЦВНИИЭФ», 2006. С.267,268.
1003.
О.М.Бритков, В.И.Графутин, В.В.Калугин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков, Н.О.Хмелевский. Изучение методом позитронной аннигиляционной
спектроскопии сплавов Pb – Sn. Сборник тезисов докладов 56 Международной конференции «Ядро-2006»
по проблемам ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. Россия, Саров, 4-8 сентября 2006 г.
Саров: МПК ФГУП «РФЯЦ-ВНИИЭФ», 2006. С.319,320.
1004.
В.И.Графутин, О.В.Илюхина, .В.В.Калугин, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков,
.Ю.В.Фунтиков. Возможные свойства позитронных состояний в мезофизике полупроводников и
наноэлектронике. Сборник тезисов докладов 56 Международной конференции «Ядро-2006» по проблемам
ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. Россия, Саров, 4-8 сентября 2006 г. Саров: МПК ФГУП
«РФЯЦ-ВНИИЭФ», 2006. С.320-322.
1005.
В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков.
Свойства атома позитрония в кварце. Сборник тезисов докладов 56 Международной конференции «Ядро2006» по проблемам ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. Россия, Саров, 4-8 сентября 2006 г.
Саров: МПК ФГУП «РФЯЦ-ВНИИЭФ», 2006. С.323,324.
1006.
Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П. Возможные свойства позитронных состояний в химии
поверхности и нанотехнологиях полупроводников // Третья Всероссийская конференция (с
международным
участием) "Химия поверхности и нанотехнология". Тезисы докладов., 24 сентября-1 октября 2006, СанктПетербург-Хилово, Псковская обл. - СПб.:ООО "ИК Синтез",2006. - С.203-204.
1007.
V.I.Grafutin, E.P.Svetlov-Prokop'ev, T.L.Razinkova, A.F.Zakharov. Positron nnihilation on atoms of
space plasma. The 6-th International Conference "Modern Problems of Nuclear Physics", Book of Abstracts.
Tashkent. 19-22 September, 2006. P. 40-41.
1008.
В.И.Графутин, О.В.Илюхина, В.В.Калугин, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков,
Н.О.Хмелевский, Ю.В.Фунтиков, О.М.Бритков. Исследование дефектов структуры в полупроводниках
A3B5 методом позитронной аннигиляционной спектроскопии.: Сборник «Девятая конференция «Арсенид
галлия и полупроводниковые соединения группы III-V» (3-5 октября 2006 г., Томск, Россия) "GaAs 2006»:
Материалы конференции".- Томск: Томский госуниверситет, 2006.- 571 с.» Томск: Изд-во ТГУ, 2006. С.9295.
1009.
О.М.Бритков,
В.Л.Бугаенко,С.А.Гаврилов,
В.И.Графутин,
В.Л.Гришкин,
В.В.Калугин,
О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева,
Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков,
Т.Л.Разинкова,
Ю.В.Фунтиков.Исследование пористого кремния методом аннигиляции позитронов. Труды XVI
Международного совещания "Радиационная физика твердого тела". (Севастополь, 3 - 8 июля 2006 г.), под
редакцией заслуженного деятеля науки РФ, д.ф.-м.н., проф. Бондаренко Г.Г. М.: ГНУ «НИИ ПМТ», 2006 г.,
C. 460-469.
1010.
А.Л.Суворов,
Е.П.Светлов-Прокопьев,
С.П.Тимошенков,.В.И.Графутин,
О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева, Т.Л.Разинкова, Ю.В.Фунтиков. Возможности исследования позитронных состояний в
мезофизике полупроводников и наноэлектронике. Труды XVI Международного совещания "Радиационная
физика твердого тела". (Севастополь, 3 - 8 июля 2006 г.), под редакцией заслуженного деятеля науки РФ,
д.ф.-м.н., проф. Бондаренко Г.Г. М.: ГНУ «НИИ ПМТ», 2006 г., C.496-503.
1011.
А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, Ю.Я.Лапицкий, Ю.Б.Стасевич, В.И.Графутин,Е.П.СветловПрокопьев, В.В.Калугин, А.А.Захаров, О.М.Бритков. Разработка макета имплантера для имплантации
протонов в полупроводниковые пластины в целях создания многослойных структур. Труды XVI
Международного совещания "Радиационная физика твердого тела". (Севастополь, 3 - 8 июля 2006 г.), под
редакцией заслуженного деятеля науки РФ, д.ф.-м.н., проф. Бондаренко Г.Г. М.: ГНУ «НИИ ПМТ», 2006 г.,
C.504-509.
1012.
О.М.Бритков, В.Л.Бугаенко, В.И.Графутин, В.Л.Гришкин , В.В.Дягилев, А.A.Захаров,
О.В.Илюхина,
В.В.Калугин,
Г.Г.Мясищева,
Т.Л.Разинкова,
Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков,
Ю.В.Фунтиков. Изучение методом позитронной аннигиляционной спектроскопии пластин кремния c
различными методами обработки поверхности. Поверхность. 2006. №10. С.5-9.
1013.
С. П. Тимошенков, О.М.Бритков, С. А. Зотов, В.Г.Рубчиц, В. В. Калугин, Ал.С.Тимошенков,
Е.П.Светлов-Прокопьев. Применение низкотемпературного электростимулированного сращивания
чувствительных элементов МЭМС. Тезисы докладов 5-ой международной конференции «Авиация и
космонавтика».
23-26
октября
2006
года.
Москва,
Россия.
М.:
МАИ.
С.160.
http://www.mai.ru/conf/aerospace/internetconf/modules.php?name=Forums&file=viewtopic&t=1227
1014.
С. П. Тимошенков, О.М.Бритков, С. А. Зотов, В.Г.Рубчиц, В. В. Калугин, Ан.С.Тимошенков,
Е.П.Светлов-Прокопьев. Исследования и разработка процессов изготовления элементов микромеханики.
Тезисы докладов 5-ой международной конференции «Авиация и космонавтика». 23-26 октября 2006 года.
Москва,
Россия.
М.:
МАИ.
С.161.
http://www.mai.ru/conf/aerospace/internetconf/modules.php?name=Forums&file=viewtopic&t=1226
1015.
Е.П.Светлов-Прокопьев, Т.Л.Разинкова, В.И.Графутин, С.П.Тимошенков. Возможность получения
антивещества в космическом пространстве с использованием энергии солнца. Тезисы докладов 5-ой
международной конференции «Авиация и космонавтика». 23-26 октября 2006 года. Москва, Россия. М.:
МАИ.
С.324,325.
http://www.mai.ru/conf/aerospace/internetconf/modules.php?name=Forums&file=viewtopic&t=1055
1016.
Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков. Об эволюции фундаментальных характеристик
материалов электронной и ядерной техники. Тезисы докладов Третьей Международной конференции по
физике кристаллов «Кристаллофизика 21-го века». Черноголовка, Россия. 2006. C.150,151.
1017.
Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков .. Возможный сценарий эволюции фундаментальных
характеристик материалов электронной техники. Тезисы докладов 11-ой научно-технической конференции
«Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники». ПЭМ-2006. ТРТУ, пос.
Дивноморское, Краснодарский край, Россия, 12-17 сентября 2006 г. 2006. C.126,127.
1018.
С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, О.В.Илюхина, О.М.Бритков, В.В.Калугин, Г.Г.Мясищева,
Е.П.Светлов-Прокопьев,
Ал.С.Тимошенков,
Ю.В.Фунтиков,
Ан.С.Тимошенков.
Возможности
исследования методом позитронной аннигиляционной спектроскопии суператомов в полупроводниковых
сверхрешетках. Тезисы доклада VI Международной научной конференции «Химия твердого тела и
современные микро- и нанотехнологии». 17-22 сентября 2006 г. Кисловодск, Россия. Сев Кав ГТУ, 2006.
C.43,44. (www.ncstu.ru).
1019.
С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, О.В.Илюхина, О.М.Бритков, В.В.Калугин, Г.Г.Мясищева,
Е.П.Светлов-Прокопьев, Ал.С.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков, Ан.С.Тимошенков.О свойствах позитронных
состояний в мезофизике полупроводников и наноэлектронике. Тезисы доклада VI Международной научной
конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии». 17-22 сентября 2006 г.
Кисловодск, Россия. Сев Кав ГТУ, 2006. C.41,42. (www.ncstu.ru).
1020.
С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, Ал.С.Тимошенков, О.М.Бритков, Ан.С.П.Тимошенков,
В.В.Калугин. Лазерно-химические методы осаждения слоев кремния в
гидридном процессе в
баллистическом
режиме.
Тезисы
доклада
VIII
Международной
конференции
«ОПТО-,
НАНОЭЛЕКТРОНИКА. НАНОТЕХНОЛОГИИ И МИКРОСИСТЕМЫ». 26 - 30 июня 2006. г. Ульяновск,
2006. C.29,30.
1021.
С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, Ал.С.Тимошенков, О.М.Бритков, Ан.С.П.Тимошенков,
В.В.Калугин. Лазерно-химические методы осаждения слоев кремния в гидридном процессе, лимитирумого
диффузией ключевых реагентов. Тезисы доклада VIII Международной конференции «ОПТО-,
НАНОЭЛЕКТРОНИКА. НАНОТЕХНОЛОГИИ И МИКРОСИСТЕМЫ». 26 - 30 июня 2006. г. Ульяновск,
2006. C.31-32.
1022.
С.П.Тимошенков, С.А.Зотов, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев, А.А.Воротников, В.Г.Рубчиц. Влияние
пор и поверхностных слоев на изгибную жесткость ЧЭ МЭМС, изготавливаемых на основе структур КНИ.
Известия вузов. Электроника. 2006. №6. С.9-12. .
1023.
С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, О.М.Бритков, В.И.Графутин, В.В.Калугин, Ю.Я.Лапицкий.
Лазерно-химические методы осаждения слоев кремния в гидридном и хлоридных процессах в
стационарном и импульсном режимах. I. Лазерно-химический метод осаждения пленок кремния в
гидридном процессе в баллистическом режиме. Химическая технология. 2006. №10. С.3-5.
1024.
С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, О.М.Бритков, В.И.Графутин, В.В.Калугин, Ю.Я.Лапицкий.
Лазерно-химические методы осаждения слоев кремния в гидридном и хлоридных процессах в
стационарном и импульсном режимах. II. Осаждение пленок кремния, лимитируемого диффузией
ключевых реагентов. Химическая технология. 2006. №11. С.3,4.
1025.
В.И.Графутин, О.В.Илюхина, В.В.Калугин, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков,
Ан.С.Тимошенков, Д.К.Григорьев, С.П.Тимошенков. Исследование позитронных состояний и дефектов в
кремнии, облученном протонами. Физика и химия обработки материалов. 2006. №5. С.5-12.
1026.
С.П.Тимошенков, О.М.Бритков, В.И.Графутин, С.А.Зотов, В.В.Калугин, Ю.Я.Лапицкий,
Е.П.Прокопьев, Ан.С.Тимошенков. Легирование слоев кремния, осаждаемых в гидридном и хлоридных
процессах роста эпитаксиальных слоев при скоростном нагреве подложек некогерентным излучением в
производстве структур КНИ. Материаловедение. 2006. №10. С.17-20.
1027.
E.P.Svetlov-Prokop’ev, S.P.Timishenkov ,V.I.Grafutin, V.V.Kalugin,.E.I.Artemov. Possible properties of
positron states in physics and chemistry of a surface and in semiconductor nanotechnologies.
Papers for XIth European Workshop on Quantum System in Chemistry and Physics (QSCP-XI). Sanct-Petersburg, August 2026, 2006. Ioffe FTI RAN, 2006. C.119-125.
1028.
О.М.Бритков, С.А.Гаврилов, В.И.Графутин, В.В.Калугин, О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева,
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Исследование пористого кремния методом позитронной
аннигиляционной спектроскопии. Химия высоких энергий. 2007. Т.41. №1. С.1-6.
1029.
С.П.Тимошенков, С.А.Зотов, В.В.Калугин, О.М.Бритков, В.Г.Рубчиц, А.А.Воротников,
Е.П.Светлов-Прокопьев. Залечивание пор на границе сращивания подложек в структурах КНИ..
Петербургский журнал электроники. 2007. №1. С.21-29.
1030.
Е.П. Светлов-Прокопьев, Т.Л Разинкова О проблеме физики, химии и технологии антивещества:
возможности исследования свойств, поиска во вселенной, синтеза и применений". 5 Международная
конференции "Ядерная и радиационная физика". 26-29 сентября 2005: ICNP’05. Т.1. Ядерная физика.
Алматы: Изд-во ИЯФ НЯЦ РК. 2006, с. 334-346.
1031.
О.М.Бритков, С.А.Гаврилов, В.И.Графутин, В.В.Калугин, О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева,
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Исследование пористого кремния методом позитронной
аннигиляционной спектроскопии. Химия высоких энергий. 2007. Т.41. №1. С.1-6.
1032.
В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков. Позитронная аннигиляционная спектроскопия в
ИТЭФ. Инженерная физика. Специальный выпуск. 2007. №1. С.33-39.
1033.
С.П.Тимошенков, С.А.Зотов, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев, А.А.Воротников, В.Г.Рубчиц. Влияние
пор и поверхностных слоев на изгибную жесткость ЧЭ МЭМС, изготавливаемых на основе структур КНИ.
Известия вузов. Электроника. 2006. №6. С.9-12. .
1034.
С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, О.М.Бритков, В.И.Графутин, В.В.Калугин, Ю.Я.Лапицкий.
Лазерно-химические методы осаждения слоев кремния в гидридном и хлоридных процессах в
стационарном и импульсном режимах. I. Лазерно-химический метод осаждения пленок кремния в
гидридном процессе в баллистическом режиме. Химическая технология. 2006. №10. С.3-5.
1035.
С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, О.М.Бритков, В.И.Графутин, В.В.Калугин, Ю.Я.Лапицкий.
Лазерно-химические методы осаждения слоев кремния в гидридном и хлоридных процессах в
стационарном и импульсном режимах. II. Осаждение пленок кремния, лимитируемого диффузией
ключевых реагентов. Химическая технология. 2006. №11. С.3,4.
1036.
В.И.Графутин, О.В.Илюхина, В.В.Калугин, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков,
Ан.С.Тимошенков, Д.К.Григорьев, С.П.Тимошенков. Исследование позитронных состояний и дефектов в
кремнии, облученном протонами. Физика и химия обработки материалов. 2006. №5. С.5-12.
1037.
С.П.Тимошенков, О.М.Бритков, В.И.Графутин, С.А.Зотов, В.В.Калугин, Ю.Я.Лапицкий,
Е.П.Прокопьев, Ан.С.Тимошенков. Легирование слоев кремния, осаждаемых в гидридном и хлоридных
процессах роста эпитаксиальных слоев при скоростном нагреве подложек некогерентным излучением в
производстве структур КНИ. Материаловедение. 2006. №10. С.17-20.
1038.
С.П.Тимошенков, С.А.Зотов, В.В.Калугин, О.М.Бритков, В.Г.Рубчиц, А.А.Воротников,
Е.П.Светлов-Прокопьев. Залечивание пор на границе сращивания подложек в структурах КНИ.
Петербургский журнал электроники. 2007. №1. С.21-29.
1039.
Е.П.Прокопьев. Возможные космические технологии будущего и проблемы устойчивого развития
общества. Программа XXXI академических чтений по космонавтике, посвященные 100-летию академика
С.П.Королева (Москва, 30 января – 1 февраля 2007 г.). Москва: Комиссия РАН. Секция 9. Космонатика и
проблемы устойчивого развития общества. С.23-25. Тезисы докладов. http://www.ihst.ru/~akm/31.htm.
Секция 9. Космонатика и проблемы устойчивого развития общества. См. Интернет: Общий сайт Чтений
http://www.ihst.ru/~akm/. XXXI Чтений http://www.ihst.ru/~akm/31.htm. Тезисы докладов. Секция 9. Раздел:
Стендовые доклады: http://www.ihst.ru/~akm/
1040.
В.И.Графутин, А.Г.Залужный, О.В.Илюхина, .В.В.Калугин, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков, .Ю.В.Фунтиков. Возможные свойства позитронных состояний в мезофизике
полупроводников и наноэлектронике. Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика ядерных
реакторов. 2006. Вып.2. С.16-18.
1041.
В.И.Графутин, А.Г.Залужный, С.П.Тимошенков, О.М.Бритков, О.В.Илюхина, .В.В.Калугин,
Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев,.Ю.В.Фунтиков. Свойства атома позитрония в кварце. Вопросы атомной
науки и техники. 2007. Серия: Физика ядерных реакторов. 2006. Вып.2. С.10-15.
1042.
О.М.Бритков, В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Т.Л.Разинкова, Е.П.СветловПрокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков, Н.О.Хмелевский.
Изучение методом позитронной
аннигиляционной спектроскопии сплавов Pb – Sn. Вопросы атомной науки и техники (ВАНТ). Серия:
Физика ядерных реакторов. 2005. Вып.2. С.25–29.
1043.
С.П.Тимошенков, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев,О.М.Бритков, В.И.Графутин, В.В.Калугин,
Н.Г.Осипенкова, Ал.С.Тимошенков, Е.И.Артемов, Ан.С.Тимошенков. Каталитический эффект ускорения
роста слоев GexSi1-x в смешанных гидридном и дихлорсилановом процессах Научная сессия МИФИ-2007.
Секция Э-2. «Наукоемкие технологии». Сборник научных трудов. Т.9.. М.: МИФИ, 2007. С.78-81.
1044.
E.P.Svetlov-Prokop’ev , S.P.Timishenkov ,V.I.Grafutin, V.V.Kalugin,.E.I.Artemov. Possible properties
of positron states in physics and chemistry of a surface and in semiconductor nanotechnologies. International
Journal of Quantum Chemistry. 2007. Volume 107. Issue 14. Pages 2844-2848.
1045.
Графутин В.И., Залужный А.Г., Илюхина О.В., Мясищева Г.Г., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П.,
Калугин В.В., Малюков Б.А., Фунтиков Ю.В. Позитроний в пористых системах. Научная сессия МИФИ2007. Секция Э-7. «Ультрадисперсные (нано-) материалы». Сборник научных трудов. Т.9. М.: МИФИ, 2007.
С.187-189.
1046.
А.Л.Суворов,
Е.П.Светлов-Прокопьев,
Т.Л.Разинкова.
Получение
антивещества
для
использования в современной науке, технике и микроэлектронике. Петербургский журнал электроники.
2007. №2. С.4-16.
1047.
С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, О.М.Бритков, А.Н. Бойко, Е.П.Светлов-Прокопьев. Исследование
процессов соединения при получении структур КНИ. Электронная промышленность. 2005. №2. С.13-19.
1048.
В.И.Графутин, А.Г.Залужный, С.П.Тимошенков, О.М.Бритков, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева,
Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков. Исследование позитронных состояний и нанообъектов в монокристаллах
кварца, облученных протонами. Атом позитрония в кварце. ЖЭТФ. 2008. Т.133. Вып.4. C.723-734.
1049.
В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков,
Р.Бурцл. Возможности изучения нанообъектов в наноматериалах и материалах методом позитронной
аннигиляционной спектроскопии. Ядерная физика. 2009. №7. Принята к печати.
1050.
Е. П. Прокопьев. О физике, химии и технологии антивещества: возможности исследования
свойств, поиска в природе, синтеза и применений. Оборонный комплекс – научно-техническому прогрессу
России. 2008. №1. С.49-54.
1051.
Е.П.Светлов-Прокопьев. О проблеме физики и химии антивещества: возможности исследования
свойств, поиска в природе, синтеза и применений. Перспективы использования новых технологий и
научно-технических решений в ракетно-космической и авиационной промышленности. Материалы
международной конференции. Под ред Е.И.Артамонова. М.: Институт проблем управления РАН. - 2008.
С.100,101.
1052.
Е.П.Светлов-Прокопьев. О возможности получения и накопления антивещества в космическом
пространстве с использованием и концентрированием энергии солнца в целях экологической безопасности.
Высокие технологии, фундаментальные и прикладные исследования, образование. Т. 11: Сборник трудов
Четвертой международной научно-практической конференции “ Исследование, разработка и применение
высоких технологий в промышленности“. 02-05.10.2007, Санкт-Петербург, Россия. Под ред. А.П.
Кудинова, Г.Г. Матвиенко. СПб.: Изд-во Политехн. ун-та, 2007. С. 392 .
1053.
С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков. Позитроника и
нанотехнологии: определение радиусов нанообъектов пустоты в пористом кремнии и кремнии, облученном
протонами.
Нанотехника.
2008.
№3(15).
C.
82-84.
http://www.nanotech.ru/journal/,
http://www.nanotech.ru/journal/word/cont08-3.pdf
1054.
В.И. Графутин, Т.Н.Мамедов, И.Н.Мешков, В.Н Павлов, Е.П. Прокопьев, С.П.Тимошенков,
Ю.В.Фунтиков, Н.О.Хмелевский, Ю.А.Чаплыгин, С.Л.Яковенко. Возможности изучения пористых систем
и наноматериалов методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. В кн.: Ядерная физика и
нанотехнологии. Ядерно-физические аспекты формирования, изучения и применения наноструктур. Под
общей редакцией А.Н.Сисакяна. Дубна: ОИЯИ, 2008. С.223-241.
1055.
А.Г.Залужный, А.З.Варисов, В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Термализация позитронов и атома позитрония в полупроводниках и
ионных кристаллах. Поверхность. Рентгеновские, Синхротронные и нейтронные изучения. 2008. №2. С.1520.
1056.
A.G. Zaluzhnyi, A.Z. Varisov, V.I. Grafutin, O.V. Ilyukhina, G.G. Myasishcheva, E.P. Prokop’ev, S.P.
Timoshenkov, Yu.V. Funtikov, Journal of Surface. Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques,
2008, Vol. 2, No. 1, pp. 92–97.
1057.
V. I. Grafutin, A. G. Zaluzhnyi, S. P. Timoshenkov, O. M. Britkov, O. V. Ilyukhina,G.G. Myasishcheva,
E. P. Prokop’ev and Yu. V. Funtikov. Study of Radiation Damage in Quartz Single Crystals Irradiated With
Protons. Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2008, Vol. 2, No. 4, pp.
518–526. © Pleiades Publishing, Ltd., 2008. (Original Russian Text © V.I. Grafutin, A.G. Zaluzhnyi, S.P.
Timoshenkov, O.M. Britkov, O.V. Ilyukhina, G.G. Myasishcheva, E.P. Prokop’ev, Yu.V. Funtikov, 2008 )
1058.
С.А.Гаврилов, В.И.Графутин, Л.М.Павлова, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Возможность
определения нанообъектов пустоты в наноматериалах позитронным методом. Тезисы докладов. VI
КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ВЫСОКИХ ЭНЕРГИЙ, ЯДЕРНОЙ ФИЗИКЕ И УСКОРИТЕЛЯМ
ХАРЬКОВ, ННЦ ХФТИ, 25-29 февраля 2008 г. Харьков: ХФТИ, 2008. С.70.
1059.
В.И.Графутин, А.Г.Залужный, С.П.Тимошенков, О.М.Бритков, О.В.Илюхина, В.П.Комлев,
Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков. Исследование радиационных нарушений в монокристаллах
кварца, облученных протонами. Поверхность. Рентгеновские, Синхротронные и нейтронные изучения.
2008. №7. С.10-18.
1060.
Е.П. Светлов-Прокопьев. Комплексы Уилера в полупроводниках // Вестник КазНУ, серия
физическая. №1(25), 2008. С.52-57.
1061.
V. I. Grafutin, A. G. Zaluzhnyi, V. V. Kalugin, O. V. Ilyukhina, G. G. Myasishcheva, E. P. Prokop’ev, S.
P. Timoshenkov, Yu. V. Funtikov, N. O. Khmelevskii. On the Feasibility of Investigation of Some Defect and
Porous Systems by Means of Positron Annihilation Spectroscopy. High Energy Chemistry 2008. Vol. 42. № 6. Р.
478–484.
1062.
В. И Графутин, А. Г. Залужный, В. В. Калугин, О. В. Илюхина, Г. Г. Мясищева, Е.П.Прокопьев, С.
П. Тимошенков, Ю. В.Фунтиков, Н.О.Хмелевский. О возможности исследования некоторых дефектных и
пористых систем методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Химия высоких энергий. 2008. Т.
42, №6 С.528–535.
1063.
Графутин В.И., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В. Возможности изучения
нанообъектов в технически важных материалах методом позитронной аннигиляционной спектроскопии.
Тезисы докладов 58 Международной конференции «Ядро-2008. Проблемы фундаментальной ядерной
физики. Разработка ядерно-физических методов для нанотехнологий, медицинской физики и ядерной
энергетики». (58 Совещания по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра). Москва, 23 – 27 июня
2008 г. Санкт-Петербург: НИИЯФ МГУ. 2008. С.310.
1064.
Прокопьев Е.П., Тяжелые комплексы Уиллера. Тезисы докладов 58 Международной конференции
«Ядро-2008. Проблемы фундаментальной ядерной физики. Разработка ядерно-физических методов для
нанотехнологий, медицинской физики и ядерной энергетики». (58 Совещания по ядерной спектроскопии и
структуре атомного ядра). Москва, 23 – 27 июня 2008 г. Санкт-Петербург: НИИЯФ МГУ, 2008. С.311.


1065.
Прокопьев Е.П.,
Квазиатомные системы e F
( PsF ) во фторидах металлов и
низкотемпературной плазме. Тезисы докладов 58 Международной конференции «Ядро-2008. Проблемы
фундаментальной ядерной физики. Разработка ядерно-физических методов для нанотехнологий,
медицинской физики и ядерной энергетики». (58 Совещания по ядерной спектроскопии и структуре
атомного ядра). Москва, 23 – 27 июня 2008 г. Санкт-Петербург: НИИЯФ МГУ, 2008. С.326.
1066.
Тимошенков С.П., Прокопьев Е.П., Графутин В.И. О высоких эксплуатационных характеристиках
наноматериалов. Научная сессия МИФИ-2008. Секция Э-7. «Ультрадисперсные (нано-) материалы».
Сборник
научных
трудов.
Т.?.
М.:
МИФИ,
2008.
http://www.mephi.ru/ns2008/default.asp?page=34&part=null&doc=247
1067.
В.И. Графутин, Мьо Зо Хтут, Е.П. Прокопьев, Ю.В. Фунтиков, Н.О. Хмелевский, Ю.В. Штоцкий.
Исследования позитронной аннигиляции в порошках кварца Том 3. «Медицинская физика». Сборник
научных трудов. Т.3. М.: МИФИ, 2008. С.29,30. (http://www.library.mephi.ru/data/scientific-sessions/2008/t3/01-9.doc
1068.
С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, В.В.Калугин, О.М.Бритков, И.М.Бритков, Ал.С.Тимошенков,
Ан.С.Тимошенков. Возможная стохастическая модель неравновесновесных фазовых переходов при
протекании химических реакций в ансамблях дефектов кремния. Оборонный комплекс – научнотехническому прогрессу России. 2008. №1. С.35-37.
1069.
С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев, О.М.Бритков, И.М.Бритков, Ал.С.Тимошенков,
Ан.С.Тимошенков. Лазерно-термический метод осаждения пленок кремня в гидридном процессe.
Оборонный комплекс – научно-техническому прогрессу России. 2008. №1. С.41-44.
1070.
С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, В.В.Калугин, И.М.Бритков, Ал.С.Тимошенков, О.М.Бритков,
Ан.С.Тимошенков. О свойствах мелких примесных центров на границе раздела полупроводник-металл.
Научная сессия МИФИ-2008. Секция Э-7. «Ультрадисперсные (нано-) материалы». Сборник научных
трудов. М.: МИФИ, 2008. http://www.mephi.ru/ns2008/default.asp?page=34&part=null&doc=247
1071.
Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков. Возможные синергетические подходы к проблемам
материаловедения наноматериалов. Петербургский журнал электроники. 2007. Вып.4. С.3-11.
1072.
Светлов-Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П. (Москва) Возможные синергетические подходы к
проблемам материаловедения кремния (Svetlov-Prokop’ev E.P., Timoshenkov S.P. Possible synergetic
approaches to problems of silicon materiology). V Международная научная конференция «Прочность и
разрушение материалов и конструкций»: Материалы конференции.- Т. 1. 12-14 марта 2008 г. Оренбург,
Россия / Науч. ред. С.Н. Летута, Г.В. Клевцов: Изд-во ГОУ ОГУ, 2008.- 434 с. С. 217-226.
1073.
Светлов-Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П. (Москва) ВОЗМОЖНЫЕ СИНЕРГЕТИЧЕСКИЕ
ПОДХОДЫ К ПРОБЛЕМАМ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ НАНОМАТЕРИАЛОВ (Svetlov-Prokop’ev E.P.,
Timoshenkov S.P. POSSIBLE SYNERGETIC APPROACHES TO PROBLEMS OF NANOMATERIAL
MATERIOLOGY). V Международная научная конференция «Прочность и разрушение материалов и
конструкций»: Материалы конференции.- Т. 1. 12-14 марта 2008 г. Оренбург, Россия / Науч. ред. С.Н.
Летута, Г.В. Клевцов: Изд-во ГОУ ОГУ, 2008.- 434 с. С.227-236.
1074.
Е.П.Прокопьев. О возможных синергетических подходах к проблемам эволюции свойств
материалов и наноматериалов. Сборник докладов 9-ой международной научно-технической конференции
«Кибернетика и высокие технологии XXI века». (C&T-2008), 13-15 мая 2008 г. Воронеж. Секция 4.
С.970-982. http://www.cht.sakv.ru/cht-2008.htm
1075.
А.Г.Залужный, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков, С.П.Тимошенков. К вопросу
исследования дефектов структуры материалов первой стенки разрядной камеры термоядерных реакторов
методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Тезисы докладов. XXXV Международная
(Звенигородская) конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу. г. Звенигород
Московской обл. 11 - 15 февраля 2008 года. (Залужный А.Г., Графутин В.И., Прокопьев Е.П., Фунтиков
Ю.В., Тимошенков С.П. (ФГУП ГНЦ РФ Институт теоретической и экспериментальной физики им. А.И.
Алиханова, 117218, Москва, Россия) К вопросу исследования дефектов структуры материалов первой
стенки разрядной камеры термоядерных реакторов методом позитронной аннигиляционной спектроскопии.
http://www.fpl.gpi.ru/Zvenigorod/XXXV/M.html#Sekcija%20MU).
1076.
В.И.Графутин, А.Ф.Захаров, Е.П.Прокопьев, Т.Л.Разинкова, С.П.Тимошенков Ю.В.Фунтиков.
Позитроны в пылевой космической плазме. Научная сессия МИФИ-2008. Секция 13. Прикладная ядерная
физика.
.Сборник
научных
трудов.
М.:
МИФИ,
2008.
http://www.mephi.ru/ns2008/default.asp?page=34&part=null&doc=246
1077.
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, В.В.Калугин, Е.И.Артемов,
О.М.Бритков, Ан.С.П.Тимошенков, И.М.Бритков, Ю.Я.Лапицкий, Ал.С.Тимошенков. Лазерно-химические
методы осаждения пленок кремния в гидридном и хлоридных процессах. Тезисы докладов XXIII
Международной конференции «УРАВНЕНИЯ СОСТОЯНИЯ ВЕЩЕСТВА», 1-6 марта 2008 г., п. Эльбрус,
Кабардино-Балкарская
республика,
Россия.
КБГУЖ:
Нальчик,
2008.
http://www.ihed.ras.ru/elbrus08/ru/program/program.php?section=5
1078.
А.З.Варисов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, С.П
Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. О диффузии позитронов и позитрония в наноматериалах. Поверхность. 2008.
№11. С.73-80.
1079.
Е.П.Прокопьев, В.И.Графутин, Т.Л. Разинкова. Аннигиляция позитронов в пылевой космической
плазме. Тезисы доклада. V Всероссийская конференция по физической электронике. ФЭ-2008. (26-30
октября 2008 г). Махачкала: ДГУ, 2008. С.47-50.
1080.
В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков,
Ю.А.Чаплыгин. Возможности изучения нанообъектов в пористом кремнии и подложках кремния,
облученных протонами, методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Доклад на I
Международной конференции «Функциональные материалы и высокочистые вещества». г. Суздаль, 29
сентября - 3 октября 2008 г. М.: Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова РАН.
http://www.fnm2008.ruconf.ru/prog.pdf
1081.
В.И Графутин, О.В. Илюхина, В.В. Калугин, Г.Г. Мясищева, Е.П. Прокопьев, С.П.Тимошенков.
Исследование пористых систем и наноматериалов методом позитронной аннигиляционной спектроскопии.
Тезисы доклада Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» 2008 года. ИФМ РАН: Новгород, 2008.
С.231. http://www.ipm.sci-nnov.ru/rus/CONFERENCES/astands.doc
1082.
С.П. Тимошенков, Е.П. Прокопьев, В.В.Калугин, В.И. Графутин, О.М Бритков; С.С.Евстафьев.
Позитроника и нанотехнологии: Определение радиусов нанообъектов в пористых системах и некоторых
дефектных материалах методом ПАС. Часть I. Оборонный комплекс – научно-техническому прогрессу
России. 2008. №4. С.28-36.
1083.
С.П. Тимошенков, Е.П. Прокопьев, В.И. Графутин, И.М Бритков; Ю.В.Фунтиков. Позитроника и
нанотехнологии: Определение радиусов нанообъектов в пористых системах и некоторых дефектных
материалах методом ПАС. Часть 2. Оборонный комплекс – научно-техническому прогрессу России. 2008.
№4. С.36-43.


1084.
E.P. Prokopiev. Quasiatom systems e F ( PsF ) in fluorides of metals and to low temperature
plasma. 3rd INTERNATIONAL CONFERENCE ON PHYSICS OF ELECTRONIC MATERIALS. PHYEM’08.
Kaluga, Russia. October 1-4, 2008. С2-3.
1085.
Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков. Возможное влияние свободных объемов нанообъектов
пустоты на эволюцию свойств наноматериалов. Тезисы докладов 7-ой международной конференции
«Авиация и космонавтика». 20-23 октября 2008 года. Москва, Россия. М.: МАИ. http://af5-2.mail.ru/cgibin/readmsg/Programma_AiK_2008.doc?id=12234749320000001460;0;1&mode=attachment&channel=
1086.
Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П. Почему наноматериалы на основе кремния имеют высокие
эксплуатационные характеристики. Тезисы докладов. I Всероссийская конференция. ММПСН-2008.
Многомасштабное моделирование процессов и структур в нанотехнологиях. 12-14 марта 2008 г., Москва,
Московский инженерно-физический институт, 2008. http://www.mmpsn.mephi.ru/index.htm#reps
1087.
Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П.Л.М.Павлова. Влияние свободных объемов нанообъектов
пустоты на эволюцию свойств наноматериалов. Тезисы докладов I Всероссийской конференции. ММПСН2008. Многомасштабное моделирование процессов и структур в нанотехнологиях. 12-14 марта 2008 г.,
Москва, Московский инженерно-физический институт, 2008. http://www.mmpsn.mephi.ru/index.htm#reps
1088.
Прокопьев Е.П., Графутин В.И., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В. Возможности исследования
пористых систем и наноматериалов методом позитронной аннигиляционной спектроскопии.
Дефектоскопия. 2008. Т.44. №10. С.55-70.
1089.
С.А.Гаврилов, В.И.Графутин, Л.М.Павлова, В.К.Неволин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков.
Возможность применения синергетических методов для исследования влияния нанообъектов пустоты на
свойства и эволюцию свойств полупроводников и диэлектрических наноматериалов. Тезисы докладов.
Одиннадцатая международная конференция "ФИЗИКА ДИЭЛЕКТРИКОВ" (ДИЭЛЕКТРИКИ - 2008).
Санкт-Петербург. 3-7 июня 2008. http://physics.herzen.spb.ru/conference/icd/program.pdf
1090.
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Л.М.Павлова. Влияние нанообъектов на свойства
наноматериалов. Международная научная конференция «Наноструктурные материалы-2008»: БеларусьРоссия-Украина.
НАНО-2008.
Минск.
22-25
апреля
2008
г.
http://ifttp.basnet.by/ru/NANO2008/files/s1stend.doc
1091.
Шарков
Б.Ю.,
Графутин
В.И.,
Залужный
А.Г.,
Илюхина
О.В.,
Мясищева
Г.Г.,
Прокопьев
Е.П.,
Тимошенков
С.П.,
Фунтиков
Ю.В.О
Возможности
исследования
пористых
систем
и
наноматериалов
методом
позитронной аннигиляционной спектроскопии.Cборник материалов Международной конференции
"Актуальные проблемы прочности", 1-5 июля 2008 г. г. Нижний Новгород . Нижегородский
государственный университет им. Н.И.Лобачевского, 2008. Том 2. С. 123-125.
1092.
Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Павлова Л.М., Григорьев Д.К., Тимошенков Ан.С. О
возможности неравновесных фазовых переходов в системе радиационных дефектов кремния и германия.
"Molecular Self-Organization in Micro-, Nano-, and Macro-Dimensions: From Molecules to Water, to
Nanoparticles, DNA and Proteins" dedicated to Alexander S. Davydov's 95th birthday June 8 - 12, 2008, Kiev,
Ukraine. Bogolyubov Institute for Theoretical Physics
National Academy of Sciences of Ukraine.
http://arw2008.bitp.kiev.ua/program.html
,
http://arw2008.bitp.kiev.ua/Arw2008Programme.pdf,
http://arw2008.bitp.kiev.ua/program.html (B10. E. P. Prokopiev. About a possibility of nonequilibrium phase
transitions in a system of radiating defects of silicon and germanium).
1093.
V.I.Grafutin, E.P.Prokopiev, S.P.Timoshenkov, Yu.V.Funtikov. About possibility of research of porous
systems and nanomaterials by method of positron annihilation spectroscopy. 3rd INTERNATIONAL
CONFERENCE ON PHYSICS OF ELECTRONIC MATERIALS. PHYEM’08. Kaluga, Russia. October 1-4,
2008. С.6-2.
1094.
В.И.Графутин, Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков. Исследование свободных объемов
вакансий, пор, пустот в пористых системах и наноматериалах. Тезисы докладов 7-ой международной
конференции «Авиация и космонавтика». 20-23 октября 2008 года. Москва, Россия. М.: МАИ. http://af52.mail.ru/cgibin/readmsg/Programma_AiK_2008.doc?id=12234749320000001460;0;1&mode=attachment&channel=
1095.
Е.П.Светлов-Прокопьев. Синтез антивещества из света. Тезисы докладов 7-ой международной
конференции «Авиация и космонавтика». 20-23 октября 2008 года. Москва, Россия. М.: МАИ. http://af52.mail.ru/cgibin/readmsg/Programma_AiK_2008.doc?id=12234749320000001460;0;1&mode=attachment&channel=
1096.
В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева,
О.М.Бритков, В.В.Калугин, Ал.С.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков, Д.К.Григорьев, Ан.С.Тимошенков.
Применение позитронной аннигиляционной спектроскопии для определения энтальпии образования
вакансий в технически важных материалах. Труды международного симпозиума «НАДЕЖНОСТЬ И
КАЧЕСТВО-2008». Пенза: Изд-во ПГУ, 2008. http://www.nika-penza.ru/index.php?action=s_reports
1097.
Бритков О.М., Графутин В.И., Залужный А.Г., Калугин В.В., Илюхина О.В., Мясищева Г.Г.,
Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В., Шарков Б.Ю., Чаплыгин Ю.А. Размеры нанообъектов в
пористых системах и некоторых дефектных материалах по данным метода позитронной аннигиляционной
спектроскопии. Труды международного симпозиума «НАДЕЖНОСТЬ И КАЧЕСТВО-2008». Пенза: Изд-во
ПГУ, 2008. http://www.nika-penza.ru/index.php?action=s_reports
1098.
Е.П.Светлов-Прокопьев. Исследование свойств атома позитрония в кристаллах.Труды XVIII
Международного совещания "Радиационная физика твердого тела". (Севастополь, 7 - 12 июля 2008 г.), под
редакцией заслуженного деятеля науки РФ, д.ф.-м.н., проф. Бондаренко Г.Г. М.: ГНУ «НИИ ПМТ», 2008 г.,
C.679-709. http://www.niipmt.ru/index.php?p=6 http://www.niipmt.ru/index.php?p=61
1099.
.П.Светлов-Прокопьев. Позитроны и атом позитрония в пористых системах с развитой
поверхностью. Труды XVIII Международного совещания "Радиационная физика твердого тела".
(Севастополь, 7 - 12 июля 2008 г.), под редакцией заслуженного деятеля науки РФ, д.ф.-м.н., проф.
Бондаренко Г.Г. М.: ГНУ «НИИ ПМТ», 2008 г., C.650-678. http://www.niipmt.ru/program2008.doc
http://www.niipmt.ru/index.php?p=61
1100.
В.И.Графутин,А.Г.Залужный, С.П.Тимошенков, О.М.Бритков, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева,
Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков. Исследование позитронных состояний и нанообъектов в монокристаллах
кварца, облученных протонами, и порошках кварца. Инновационные технологии в проектировании и
производстве изделий машиностроения. КАЗАНЬ– 2008 (ИТМ-2008) III Международная научнопрактическая конференция. К 50-летию ОАО «КНИАТ» и 100-летию основателя института А.И.Гренькова.
17-19
сентября
2008
г.
г.Казань
(www.fasie.ru).
http://win.mail.ru/cgibin/readmsg?id=12214598440000004060.2-Программа_ИТМ_2008
1101.
О.М.Бритков, С.А.Гаврилов, В.И.Графутин, А.В.Грушевский, А.Г.Залужный, О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева, В.К.Неволин, Светлов-Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков, Ю.А.Чаплыгин. О
возможности исследования некоторых дефектных и пористых систем методом позитронной
аннигиляционной спектроскопии. Сборник "Тезисы докладов V Международной конференции и IV школы
молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и
диагностики кремния нанометровых структур и приборов на его основе" ("Кремний-2008"). Черноголовка.
2008. С.225.
1102.
Светлов-Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин. Возможности исследования свойств
наноматериалов синергетическими методами. Сборник "Тезисы докладов V Международной конференции
и IV школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения,
технологии и диагностики кремния нанометровых структур и приборов на его основе" ("Кремний-2008").
Черноголовка. 2008. С.60.
1103.
В.И. Графутин, С.П. Тимошенков, Ю.В. Фунтиков, Ал.С. Тимошенков, Е.П. Прокопьев, Ан.С.
Тимошенков. Исследование порошков кварца методом позитронной аннигиляционной спектроскопии.
Ультрамелкозернистые и наноструктурные материалы». Открытая школа-конференция стран СНГ. Уфа,
Республика Башкортостан, Россия. 4-9 августа 2008 г. Уфа: Башкирский государственный университет,
2008. С.264,265.
1104.
С.П.Тимошенков,
И.М.Бритков,
Ал.С.Тимошенков,
О.М.Бритков,
Д.К.Григорьев,
Ан.С.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Моделирование процессов роста слоев кремния и пленок
диэлектриков из парогазовой фазы . Тезисы докладов Пятой Международной конференции «Материалы
и покрытия в экстремальных условиях: исследования, применение, экологически чистые технологии
производства и утилизации изделий». 22-26 сентября 2008 г.Большая Ялта, Жуковка. Автономная
республика Крым, Украина. http://www.materials.kiev.ua/science/servlet/
1105.
В.И. Графутин, А.Г.Залужный, О.В. Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П. Прокопьев,С.П. Тимошенков,
Ю.В.Фунтиков, // Размеры нанодефектов в пористых системах и некоторых дефектных материлах по
данным метода позитронной аннигиляционной спектроскопии.// Сборник материалов. XVIII
Петербургские чтения по проблемам прочности и роста кристаллов,посвященные100-летию со дня
рождения члена-корреспондента АН СССР профессора А.В.Степанова 21 - 24 октября 2008 г. СанктПетербург, ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербургский государственный университет, 2008. Ч 1,
C.251-253.
1106.
Е.П. Прокопьев, С.П. Тимошенков. Возможности исследования поведения и свойств материалов и
наноматериалов синергетическими методами. Сборник материалов. XVIII Петербургские чтения по
проблемам прочности и роста кристаллов,посвященные100-летию со дня рождения члена-корреспондента
АН СССР профессора А.В.Степанова 21 - 24 октября 2008 г. Санкт-Петербург, ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН,
Санкт-Петербургский государственный университет, 2008.Ч.1 C 248-251.
1107.
Е.П.Светлов-Прокопьев. Возможность получения антивещества в космическом пространстве с
использованием и концентрированием энергии солнца. 7-я Международная научная конференция
“ЭКОЛОГИЯ ЧЕЛОВЕКА И ПРИРОДА». Москва-Плёс, 27 июня - 2 июля 2008. ИГУ: Иваново, 2008.
http://www.fasi.gov.ru/news/action/1291/
1108.
П.Светлов-Прокопьев. Проблема физики и химии антивещества: о позитронной астрофизике,
природе позитронных источников и состояний в галактической среде с низкой плотностью. 7-я
Международная научная конференция “ЭКОЛОГИЯ ЧЕЛОВЕКА И ПРИРОДА». Москва-Плёс, 27 июня - 2
июля 2008. ИГУ: Иваново, 2008. http://www.fasi.gov.ru/news/action/1291/
1109.
В.И. Графутин, О.В. Илюхина, Г.Г. Мясищева, Е.П. Светлов-Прокопьев,, И.В.Калугин, О.М.
Бритков, С.П. Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Определение размеров нанообъектов в дефектных и пористых
системах методом позитронной аннигиляционной спектроскопии.Сборник трудов VI Международной
конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». (7-9 июля 2008 года. СанктПетербург: ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, 2006) Санкт-Петербург: Изд-во СПбГПУ, 2006.
http://www.ioffe.ru/AMS/AMS6
1110.
С.П.Тимошенков,
И.М.Бритков,
Ал.С.Тимошенков,
О.М.Бритков,
Д.К.Григорьев,
Ан.С.Тимошенков, С.С.Евстафьев, Е.П.Светлов-Прокопьев.
Моделирование процессов роста и
легирования эпитаксиальных слоев кремния в хлоридных и гидридном процессах. Сборник трудов VI
Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». (7-9 июля 2008
года. Санкт-Петербург: ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, 2006) Санкт-Петербург: Изд-во СПбГПУ, 2006.
http://www.ioffe.ru/AMS/AMS6
1111.
Е.П.Светлов-Прокопьев. Гипотеза о высоких эксплуатационных характеристиках наноматериалов.
Сборник трудов VI Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники».
(7-9 июля 2008 года. Санкт-Петербург: ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, 2006) Санкт-Петербург: Изд-во
СПбГПУ, 2006. http://www.ioffe.ru/AMS/AMS6
1112.
Е.П.Светлов-Прокопьев. О проблеме физики и химии антивещества: возможности исследования
свойств, поиска во вселенной, синтеза и применений. В кн.: «Актуальные проблемы современной физики».
Материалы Всероссийской дистанционной научно-практической конференции с международным участием.
Россия, г. Краснодар, 5 июня 2008 года. Краснодар: Федеральное агенство по образованию Российской
Федерации. Кубанский государственный университет. Физико-технический факультет. Кафедра
оптоэлектроники, 2008. С.15-30.
1113.
E.P. Prokop’ev, V.I. Grafutin, S.P. Timoshenkov, Yu.V. Funtikov. Opportunities of research of porous
systems and nanomaterials by a method of positron annihilation spectroscopy.Russian Journal of Nondestructive
Testing, 2008, Vol. 44, No. 10, pp. 700–711.
1114.
Графутин В.И., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В. Позитроника и
нанотехнологии : размеры нанообъектов в пористых системах и облученном протонами кремнии по
данным метода ПАС /Сборник материалов четвертого международного научного семинара "Современные
методы анализа дифракционных данных (топография, дифрактометрия, электронная микроскопия)",
Великий Новгород, 6-11 секнтября 2008 г. ВНГУ: ВНовгород, 2008. С.91-94.
1115.
Графутин В.И., Тимошенков С.П., Бритков И.М., Тимошенков Ал.С., Светлов-Прокопьев Е.П.,
Фунтиков Ю.В., Бритков О.М., Тимошенков Ан.С., Евстафьев С.С. Определение размеров свободных
объемов в пористых системах методом ПАС. Тезисы докладов Международной конференции "Опто, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы" Ульяновск, 23 – 26 июня 2008 г. Ульяновск: УГУ,
2008. http://www.uni.ulsu.ru/Konferences/innov.php
1116.
Е.П.Прокопьев. Комплексы Уиллера в полупроводниках. Высокие технологии, фундаментальные
и прикладные исследования, образование. Сборник трудов Пятой международной научно-практической
конференции “ Исследование, разработка и применение высоких технологий в промышленности“. 0205.10.2007, Санкт-Петербург, Россия. Под ред. А.П. Кудинова, Г.Г. Матвиенко. СПб.: Изд-во Политехн. унта, 2007. Highe Technologies. Том 13. Раздел 3.47. С.220. http://htfi.org/index.php?p=71
1117.
Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков, Л.М.Павлова. О влиянии свободных объемов
нанообъектов пустоты на эволюцию свойств наноматериалов Статья для Х Международной конференции
«Проблемы эволюции открытых систем». 6-8 октября. Алматы. 2008 г. Алматы: КазНУ им. Аль-Фараби,
2008. http://ietp.kazsu.kz/Base/Book_04/programm-listReports_08ru.doc
1118.
Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков, Л.М.Павлова. О влиянии свободных объемов
нанообъектов пустоты на эволюцию свойств наноматериалов Тезисы доклада для для Х Международной
конференции «Проблемы эволюции открытых систем». 6-8 октября. Алматы. 2008 г. Алматы: КазНУ им.
Аль-Фараби, 2008. http://ietp.kazsu.kz/Base/Book_04/programm-listReports_08ru.doc
1119.
Е.П.Светлов-Прокопьев. Возможность неравновесных фазовых переходов в системе
радиационных дефектов кремния и германия. Статья для Х Международной конференции «Проблемы
эволюции открытых систем». 6-8 октября. Алматы. 2008 г. Алматы: КазНУ им. Аль-Фараби, 2008.
http://ietp.kazsu.kz/Base/Book_04/programm-listReports_08ru.doc
1120.
Е.П.Светлов-Прокопьев. Возможность неравновесных фазовых переходов в системе
радиационных дефектов кремния и германия. Тезисы доклада для Х Международной конференции
«Проблемы эволюции открытых систем». 6-8 октября. Алматы. 2008 г. Алматы: КазНУ им. Аль-Фараби,
2008. http://ietp.kazsu.kz/Base/Book_04/programm-listReports_08ru.doc
1121.
Графутин В.И., Светлов-Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В. Позитроника и
нанотехнологии:определение нанообъектов пустоты в пористых системах и ремнии, облученном
протонами, методом ПАС. Статья для Х Международной конференции «Проблемы эволюции открытых
систем».
6-8
октября.
Алматы.
2008
г.
Алматы:
КазНУ
им.
Аль-Фараби,
2008.
http://ietp.kazsu.kz/Base/Book_04/programm-listReports_08ru.doc
1122.
Графутин В.И., Светлов-Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В. Позитроника и
нанотехнологии:определение нанообъектов пустоты в пористых системах и ремнии, облученном
протонами, методом ПАС. Тезисы доклада для Х Международной конференции «Проблемы эволюции
открытых систем». 6-8 октября. Алматы. 2008 г. Алматы: КазНУ им. Аль-Фараби, 2008.
http://ietp.kazsu.kz/Base/Book_04/programm-listReports_08ru.doc
1123.
С.П.Тимошенков, Е.И.Артемов, А.И.Виноградов, Е.П.Прокопьев.Осаждение диэлектрических
слоев BaO - SiO2 - Al2O3 и ультра- и мелкодисперсных порошков кремния в плазменной высокочастотной
индукционной установке. Тезисы доклада на 5 Международном симпозиуме по общей и прикладной химии
(ISTAPC-2008),
3-8
сентября
2008
г.
Иваново,
Россия.
Иваново:
ИГТХУ,
2008..
http://www.isuct.ru/istapc2008/program.pdf
1124.
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Анализ массопереноса в гидридных и хлоридных процессах
наращивания слоев кремния и GexSi1-x при быстром импульсном нагреве подложек некогерентными
источниками света. Тезисы доклада XIV Симпозиума по горению и взрыва. Черноголовка. 13-17 октября
2008. Черноголовка: ИПХФ, 2008. http://www.icp.ac.ru/conferences/comb2008/index.html/Prog_ CE2008/
1125.
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Анализ массопереноса в гидридных и хлоридных процессах
наращивания слоев кремния и GexSi1-x при быстром импульсном нагреве подложек некогерентными
источниками света. Статья на компакт-диске XIV Симпозиума по горению и взрыва. Черноголовка. 13-17
октября 2008. Черноголовка: ИПХФ, 2008.http://www.icp.ac.ru/conferences/comb2008/index.html/
1126.
Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков. Определение
размеров нанообъектов пустоты в пористых системах и кремнии, облученном протонами. Энергетика –
2008: Инновации, решения, перспективы. Международная научно-техническая конференция, Посвященная
40-летию Казанского государственного энергетического университета. 15 – 19 сентября 2008 года. Казань.
Казань: ГОУ ВПО КГЭУ, 2008. http://www.kgeu.ru/?q=ru/node/287
1127.
Е.П.Прокопьев. Возможность получения антивещества в космическом пространстве с
использованием и концентрированием энергии солнца. Энергетика – 2008: Инновации, решения,
перспективы. Международная научно-техническая конференция, Посвященная 40-летию Казанского
государственного энергетического университета. 15 – 19 сентября 2008 года. Казань. Казань: ГОУ ВПО
КГЭУ, 2008. http://www.kgeu.ru/?q=ru/node/287
1128.
В.И.Графутин, А.Г.Залужный, С.П.Тимошенков, О.М.Бритков, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева,
Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков. Исследование позитронных состояний и нанообъектов в монокристаллах
кварца, облученных протонами, и порошках кварца. Статья. Инновационные технологии в проектировании
и производстве изделий машиностроения. КАЗАНЬ– 2008. (ИТМ-2008). III Международная научнопрактическая конференция. К
50-летию ОАО «КНИАТ» и 100-летию основателя института А.И.Гренькова 17-19 сентября 2008 года. Казань: ООО «Научно исследовательский центр высоких
технологий» www.nicvt.ru , 2008. http://www.kniat.ru/index/3
1129.
Viktor I.Grafutin, Tat’yane L.Razinkova, Eugene P.Prokop’ev. About peculiarity of Positron
Annihilation on Atoms and Particles of Dust Space Plasma of Galactic Center. 61st Annual Gaseous Electronics
Conference. 14-17 October, 2008. Dallas/Allison Mariott Quorum by the Galleria, Dallas, Texas. 2008.
http://absimage.aps.org/image/MWS_GEC08-2008-020007.pdf
,
http://meetings.aps.org/Meeting/GEC08http://meetings.aps.org/Meeting/GEC08/SessionIndex3/?SessionEventID=
91231 http://flux.aps.org/meetings/YR08/GEC08/all_GEC08.pdf
1130.
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков; О.М.Бритков, Ал.С.Тимошенков, И.М.Бритков, С.С.Евстафьев,
Д.К.Григорьев, Ан.С.Тимошенков. Возможности исследования свойств материалов и наноматериалов
синергетическиьи методами. Тезисы докладов. Международная научно-техническая конференция
«Управление, автоматизация и окружающая среда» 8-13 сентября 2008 г.г. Севастополь. Севастопольский
национальный технический университет (г. Севастополь, Украина) г. Севастополь. http://af2-2.mail.ru/cgibin/readmsg/Program.pdf?id=12199479490000023268;0;1&mode=attachment&channel=
1131.
Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков.
Определение радиусов нанообъектов пустоты в пористых системах и кремнии, облученном протонами.
Rusnanotech-08. Международный форум по нанотехнологиям. 3-5.12. Сборник тезисов докладов научнотехнологических секций. Том 2. М.: Роснано, 2008. С. 65,66. http://www.rusnanoforum.ru/cgibin/show.pl?option=r_cat&id=8
1132.
Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Залужный А.Г., Нестерович А.В., В.В.Калугин,
Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков. О применении ядерно-физических методов исследований и технологий в
нано- и микроэлектронике. Rusnanotech-08. Международный форум по нанотехнологиям. 3-5.12. Сборник
тезисов докладов научно-технологических секций. Том 2. М.: Роснано, 2008. С. 70,71.
1133.
С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев. Определение методом ПАС радиусов
нанообъектов в пористом кремнии и кремнии, облученном протонами. Микроэлектроника и
наноинженерия – 2008. Международная научно-техническая конференция: Тезисы докладов. – М.: МИЭТ,
2008. 188 с. С.146.
1134.
Светлов-Прокопьев Е.П. Физика, химия и технология антивещества: возможности синтеза,
применений, хранения и поиска во Вселенной. Петербургский журнал электроники.2009. Вып.2. С.41-46.
1135.
Е.П.Светлов-Прокопьев. О перспективах развития проблемы физики, химии и технологии
антивещества. Пылевая космическая плазма. Научная сессия-конференция секции ЯФ ОФН РАН «Физика
фундаментальных взаимодействий». г. Москва, 23 - 27 ноября 2009 г. Секция ядерной физики Отделения
физических наук Российской академии наук и Институт теоретической и экспериментальной физики имени
А.И. Алиханова. ИТЭФ: Москва, 2009. http://matras.itep.ru/npd2k09/programm.rtf
1136.
Прокопьев Е.П., Графутин В.И., Тимошенков С.П., С.С. Евстафьев, Фунтиков Ю.В. Позитроника
и нанотехнологии: Возможности изучения нанообъектов в технически важных материалах методом
позитронной аннигиляционной спектроскопии. Микроэлектроника. 2009. Т.38. №6. С.464-475.
1137.
V. I. Grafutin, E. P. Prokop’ev, S. P. Timoshenkov, S. S. Evstaf’ev and Yu. V. Funtikov. Positronics and
nanotechnologies: Possibilities of studying nanoobjects in critical engineering materials using positron annihilation
spectrometry.
Russian
Microelectronics.
2009.
Vol.
38,
№6.
P.418-428.
http://www.springerlink.com/content/x83kn214822422r8/
1138.
Yu.A. Chaplygin, V.I. Grafutin, E.P. Svetlov-Prokopiev, S.P. Timoshenkov. Positronics and
Nanotechnologies: Possibilities of Studying Nano-objects in Technically Important Materials and Nanomaterials. (
Moscow State Institute of electronic Technology (MIET), Moscow, Russia, and others). Advances in
Nanotecynology. Vol.1. 2009. Nova Science Publishers. Copyrigt 2004-2009.
1139.
Е.П.Прокопьев. Возможные проблемы физики, химии и технологии антивещества: синтез и
применения. Философские вопросы естественных, технических и гуманитарных наук. Сборник статей
Международной научной конференции. Вып.4. Том 2. С.18-25. (Доклад на IV Всероссийской научной
конференции «ФИЛОСОФСКИЕ ВОПРОСЫ ЕСТЕСТВЕННЫХ, ТЕХНИЧЕСКИХ И ГУМАНИТАРНЫХ
НАУК». 23-24 апреля 2009 г. Магнитогорск: Магнитогорский государственный университет, 2009.)
1140.
Е.П.Светлов-Прокопьев. Позитроника и антивещество: получение и применение в
нанотехнологиях. Тезисы докладов. II Всероссийская конференция. ММПСН-2009. Многомасштабное
моделирование процессов и структур в нанотехнологиях. 28-30 мая 2009 г., Москва, Московский
инженерно-физический
институт,
2009.
См.
сайт
конференции:
http://www.mmpsn.mephi.ru/files/file/Spisok%20dokladov.pdf
1141.
Прокопьев Е.П. Позитроника и антивещество: Возможные аспекты проблемы физики, химии и
технологии и практических применений. Тезисы докладов Второй Всероссийской конференции с
международным Интернет – участием «От наноструктур, наноматериалов и нанотехнологий к
Наноиндустрии».
Ижевск:
ИПМ
Уро
РАН,
2009.
Материалы
на
лазерном
диске:
http://nanoizh.org/materials/2009-03-31-11-09-18.html
1142.
Гаврилов С.А., Графутин В.И., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П.Определение методом УРАФ
радиусов пор и их концентраций в пористых системах. Модель цилиндрической поры. Тезисы докладов
Второй Всероссийской конференции с международным Интернет – участием «От наноструктур,
наноматериалов и нанотехнологий к Наноиндустрии». Ижевск: ИПМ Уро РАН, 2009. См. сайт
конференции: http://nanoizh.org/materials/2009-03-31-11-09-18.html.
1143.
Е.П.Прокопьев. Перспективы развития проблемы физики, химии и технологии антивещества.
Тезисы докладов 2-й Всероссийской конференции ученых, молодых специалистов и студентов
«Информационные технологии в авиационной и космической технике-2009». М.: МАИ, 2009. См. сайт
конференции:
http://af14-2.mail.ru/cgi-bin/readmsg/PROGRAMMA_IT_v_AkT-2009novaya.doc?id=12397926240000015811;0;1&mode=attachment&channel.
1144.
Vinogradov A.I., Zaryankin N.M., Mihajlov Yu.A., Prokopiev E.P., Timoshenkov S.P. Optimization of
Process of Deep Plasmachemical Etching Silicon for MEMS Elements. Flucome 2009. 10 th International
Conferenct on Fluid Control, Measurements, and Vizualization. August 17-21. Moscow, Russia. Flucome:
Moscow, 2009. Статья на лазерном диске: http://www.ihed.ras.ru/flucome10/rus/ (см. пункт Program).
http://www.ihed.ras.ru/flucome10/cd/papers/515.pdf
1145.
С. П. Тимошенков, Е. П. Прокопьев Получение мелкодисперсных порошков в высокочастотной
плазме. Технология металлов. 2005. №9. С.16-24.
1146.
E.P.Prokopiev. Сonfinement of positrons in vacancies and complexes of vacancies in metals and alloys.
Восьмой Международный Уральский Семинар «РАДИАЦИОННАЯ ФИЗИКА МЕТАЛЛОВ И СПЛАВОВ».
Тезисы докладов. 23 февраля – 1 марта 2009. The Eighth International Ural Seminar RADIATION DAMAGE
PHYSICS OF METALS AND ALLOYS. Abstracts. February 23 – March 1. С.83.
1147.
V.I.Grafutin, E.P.Prokopiev, S.P.Timoshenkov, Yu.V.Funtikov, N.O.Khmelevskii. Study of nanoobjects
in the irradiated metals and alloys by method of positron annihilation spectroscopy. Восьмой Международный
Уральский Семинар «РАДИАЦИОННАЯ ФИЗИКА МЕТАЛЛОВ И СПЛАВОВ». Тезисы докладов. 23
февраля – 1 марта. The Eighth International Ural Seminar RADIATION DAMAGE PHYSICS OF METALS
AND ALLOYS. Abstracts. February 23 – March 1. С.84.
1148.
Е.П.Прокопьев. О влиянии свободных объемов нанообъектов пустоты на эволюцию свойств
наноматериалов. Тезисы доклада Международной научной конференции по механике “ПЯТЫЕ
ПОЛЯХОВСКИЕ ЧТЕНИЯ”. 2009. Санкт-Петербург: СПбГУ, 2009. См. Сайт конференции:
http://www.math.spbu.ru/ru/Archive/Polyakhov/Polyakhov2009/reports/reports1.html.
1149.
Е.П.Прокопьев. Атом позитрония в атмосфере фононов кристалла. Тезисы докладов. VII
КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ВЫСОКИХ ЭНЕРГИЙ, ЯДЕРНОЙ ФИЗИКЕ И УСКОРИТЕЛЯМ
ХАРЬКОВ, ННЦ ХФТИ, 25-29 февраля 2009 г. Харьков: ХФТИ, 2009. C.8.06. Статья на лазерном диске:
http://www.kipt.kharkov.ua/conferences/ihepnp/2009/programme.pdf
1150.
Е.П.Прокопьев. Магнитопозитроний в полупроводниках и ионных кристаллах. Тезисы докладов.
VII КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ВЫСОКИХ ЭНЕРГИЙ, ЯДЕРНОЙ ФИЗИКЕ И УСКОРИТЕЛЯМ
ХАРЬКОВ, ННЦ ХФТИ, 25-29 февраля 2009 г. Харьков: ХФТИ, 2009. C.8.05. Статья на лазерном диске:
http://www.kipt.kharkov.ua/conferences/ihepnp/2009/programme.pdf=.
1151.
Е.П.Прокопьев. Комплексы Уиллера в ионных кристаллах. Тезисы докладов. VII
КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ВЫСОКИХ ЭНЕРГИЙ, ЯДЕРНОЙ ФИЗИКЕ И УСКОРИТЕЛЯМ
ХАРЬКОВ, ННЦ ХФТИ, 25-29 февраля 2009 г. Харьков: ХФТИ, 2009. C.8.07. Статья на лазерном диске:
http://www.kipt.kharkov.ua/conferences/ihepnp/2009/programme.pdf = .
1152.
Прокопьев Е.П. Позитроний в анизотропных слоях полупроводников и ионных кристаллах в
сильном магнитном поле (Prokop’ev E.P. POSITRONIUM IN ANISOTROPIC LAYERS OF
SEMICONDUCTORS AND IONIC CRYSTALS IN A STRONG MAGNETIC FIELD). Высокие технологии,
фундаментальные и прикладные исследования, образование. Т.2: Сборник трудов Шестой международной
научно-практической конференции “Исследование, разработка и применение высоких технологий в
промышленности“, Санкт-Петербург, Россия. Под ред. А.П. Кудинова, Г.Г. Матвиенко. СПб.: Изд-во
Политехн. ун-та, 2009. С.147.
1153.
V.I.Grafutin, T.L.Razinkova, E.P.Prokopiev, A.F.Zakharov. Peculiarity of Positron Annihilation on
Atoms and Particles of Dust Space Plasma of Galactic Center. A Science Workshop to celebrate «SEVEN YEARS
OF INTEGRAL. The Extreme sky: Sampling the Universe above 10 keV». 13th – 17th October 2009. Otranto
(Lecce) Italy, Castello Aragonese. See: http://www.iasf-roma.inaf.it/extremesky2009/Participants.htm.
1154.
Прокопьев Е.П, Тимошенков С.П., Графутин В.И.Определение размеров и концентраций
нанообъектов в пористых системах методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Кремний2009. Тезисы докладов VI Международной конференции и V школы молодых ученых и специалистов по
актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых
структур и приборов на его основе. Новосирск-2009>>, 7-10 июля 2009 г. Новосибирск: ИНХ СО РАН,
2009. С.148,149.http://silicon2009.che.nsk.su/rus/cprogramr.htm#s1.
1155.
Тимошенков С.П., Калугин В.В., Бритков О.М., Тимошенков Ал.С., Прокопьев Е.П. , Тимошенков
Ан.С., Евстафьев С.С., Бритков И.М. Физико-химическая модель скорости роста пленок a  Si : H в
силановых плазменных смесях пониженного давления. Кремний-2009. Тезисы докладов VI
Международной конференции и V школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам
физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его
основе. Новосибирск-2009, 7-10 июля 2009 г. Новосибирск: ИНХ СО РАН, 2009. С.157.
http://silicon2009.che.nsk.su/rus/cprogramr.htm#s1.(С\ТезДокл\2009\Кремний
1156.
В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков,
Р.Бурцл. Позитроника и нанотехнологии: возможности изучения нанообъектов в материалах и
наноматериалах методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Ядерная физика. Т.72. №10. 2009.
C.1730-1739.
1157.
Y A Chaplygin, S A Gavrilov, V I Grafutin, E Svetlov-Prokopiev, and S P Timoshenkov. Positronics and
nanotechnologies: possibilities of studying nano-objects in technically important materials and nanomaterials. Proc.
IMechE. Part N: J. Nanoengineering and Nanosystems. 2007. Vol. 221. №4. P.125-132.
V. I. Grafutin, E. P. Prokop’ev, S. P. Timoshenkov, S. S. Evstaf’ev and Yu. V. Funtikov.
Positronics and nanotechnologies: Possibilities of studying nanoobjects in critical engineering materials
using positron annihilation spectrometry. Russian Microelectronics. 2009. Vol. 38, №6. P.418-428.
http://www.springerlink.com/content/x83kn214822422r8/
1158.
1159.
Графутин В.И., Илюхина О.В., Мясищева Г.Г., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Фунтиков
Ю.В. Позитроника нанообъектов в пористых и дефектных системах на основе кремния и кварца.
Украинский
физический
журнал.
2009.
Т.54.
№5.
С.443-453.
http://www.ujp.bitp.kiev.ua/index.php?item=j&id=103
1160.
Графутин В.И., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В., Позитроника и
нанотехнологии: Определение размеров нанообъектов в пористых системах, наноматериалах и некоторых
дефектных материалах методом позитронной аннигиляционной спектроскопии (обзор). Заводская
лаборатория. 2009. Т.75. №6. С.27-36.
1161.
В.И. Графутин, А.В.Грушевский, А.Г.Залужный, И.В.Калугин, Е.П. Светлов- Прокопьев, С.П.
Тимошенков, Ю.В. Фунтиков. Определение размеров нанообъектов в некоторых дефектных и пористых
системах методом позитронной аннигиляции. Журнал «Проблемы черной металлургии и
материаловедения». 2009. №2. С.74-80.
1162.
В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Определение радиусов
нанообъектов в пористых системах и некоторых дефектных материалах методом позитронной
аннигиляционной спектроскопии. Поверхность. Рентгеновские, Синхротронные и нейтронные изучения.
2009. №12. С.24-32.
1163.
V. I. Grafutin, E. P. Prokop’ev, S. P. Timoshenkov, Yu. V. Funtikov. Determination of Radii of Nanoobjects in Porous Systems and Some Defective Materials by Positron Annihilation Spectroscopy. Journal of
Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2009, Vol. 3, No. 6, pp. 917–925.
1164.
Е.П.Светлов-Прокопьев. Возможные космические технологии будущего. Сборник докладов X
международной научно-технической конференции «Кибернетика и высокие технологии XXI века». (C&T2009), 13-15 мая 2009 г. Воронеж. Секция 4. С.894-901. http://www.cht.sakv.ru/sbornic_cht-2009.htm
1165.
Чаплыгин Ю.А., Тимошенков С.П., Графутин В.И., Прокопьев Е.П. , Фунтиков Ю.В.
Исследования нанообъектов в пористых системах и некоторых дефектных материалов методом
позитронной аннигиляционной спектроскопии. Сборник докладов X международной научно-технической
конференции «Кибернетика и высокие технологии XXI века». (C&T-2009), 13-15 мая 2009 г. Воронеж.
Секция 4. С.717-736. http://www.cht.sakv.ru/sbornic_cht-2009.htm
1166.
С.П. Тимошенков, Б.М.Симонов, В.И. Графутин, Е.П. Прокопьев, Ал.С.Тимошенков, О.М
Бритков, Ан.Тимошенков, И.М.Бритков, С.С.Евстафьев. Определение энтальпий образования вакансий в
технически важных материалах методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Оборонный
комплекс – научно-техническому прогрессу России. 2009. №3. С.33-37.
1167.
Р.Бурцл, В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков,
Ю.В.Фунтиков, Возможности изучения нанообъектов в пористом кремнии и подложках кремния,
облученных протонами, методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Физика твердого тела.
2010. Т.52. Вып.4. С.651-654.
1168.
Е.П.Прокопьев, В.И.Графутин, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Определение размеров
нанообъектов в пористых системах и дефектных твердых телах. Часть I. Интеграл. 2008. №6(44). С.4-6.
1169.
Е.П.Прокопьев, В.И.Графутин, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Определение размеров
нанообъектов в пористых системах и дефектных твердых телах. Часть II. Интеграл. 2009. №1(45). С.10-12.
1170.
Графутин В.И., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В. Оценки размеров
нанообъектов в пористых системах методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Тезисы
докладов 59 Международной конференции "Ядро-2009. Фундаментальные проблемы и прикладные
аспекты ядерной физики: от космоса до нанотехнологий" (59 Совещания по ядерной спектроскопии и
структуре атомного ядра). Чебоксары, 15 - 19 июня 2009 г. Организаторы Конференции: Секция ядерной
физики отделения физических наук РАН, Санкт-Петербургский государственный университет. СанктПетербург: СПбГУ, 2009. С.326.
1171.
Е.П.Прокопьев. Возможности исследования свойств, синтеза и применений антиматерии. Тезисы
докладов 59 Международной конференции "Ядро-2009. Фундаментальные проблемы и прикладные
аспекты ядерной физики: от космоса до нанотехнологий" (59 Совещания по ядерной спектроскопии и
структуре атомного ядра). Чебоксары, 15 - 19 июня 2009 г. Организаторы Конференции Секция ядерной
физики отделения физических наук РАН,Санкт-Петербургский государственный университет. СанктПетербург: СПбГУ, 2009. С.336.
1172.
E.P. Prokopiev. Research of nanoobjects in semiconductors, porous systems and nanomaterials by
method of positron annihilation spectroscopy 25 Международная конференция «Дефекты в полупроводниках»
(ICDS-25)
20–24 июля
2009 года,
Санкт-Петербург,
Санкт-петербургский
государственный
политехнический университет. Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН. (ФТИ РАН), СПб2009.
Статья
опубликована
на
сайте
конференции:
http://www.ioffe.ru/icds25/main_menu/Programme/tuep_en.html, http://www.ioffe.ru/ICDS-25/index.php?row=11&subrow=0&lang=en .
1173.
Grafutin V.I., Timoshenkov S.P., Ilyukhina O.V., Myasishcheva G.G., Timoshenkov Al.S., SvetlovProkop’ev E.P., Funtikov Yu.V., Britkov O.M., Timoshenkov Al.S., Kalugin V.V. Nanoobject sizes of defects in
porous systems and defective materials according ADAP method. Porous Silicon and SOI Structures. Научнотехническая конференция «Методы создания, исследования микро-, наносистем и экономические аспекты
микро-, наноэлектроники». Пенза, 26 мая – 29 мая 2009г. Пенза: ИИЦ ПГУ, 2009. С.167-170.
http://micro.pnzgu.ru/public/images/files/programmIInano(3).pdf.
1174.
Prokopiev E.P., Timoshenkov S.P., Timoshenkov Al.S., Grigoriev D.K., Timoshenkov An.S.About a
possibility of nonequilibrium phase transitions in a system of radiating defects of silicon and germanium. Paper.
Международная IEEE-Сибирская конференция по управлению и связи (SIBCON-2009) 27-28 марта 2009 г.
Томск, Россия. Томск: Сибирская секция Института инженеров по электротехнике и электронике, 2009.
http://www.comsoc.org/tomsk/sibcon/program.htm
1175.
С.П.Тимошенков, Л.М.Павлова, С.А.Гаврилов, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков.
Определение методом УРАФ радиусов пор в пористых системах. Тезисы докладов. II Всероссийская
конференция. ММПСН-2009. Многомасштабное моделирование процессов и структур в нанотехнологиях.
28-30 мая 2009 г., Москва, Московский инженерно-физический институт, 2009. See cайт конференции:
http://www.mmpsn.mephi.ru/files/file/Spisok%20dokladov.pdf.
1176.
Е.П.Прокопьев. Комплексы Уиллера в полупроводниках. Высокие технологии, фундаментальные
и прикладные исследования, образование. Сборник трудов Пятой международной научно-практической
конференции «Исследование, разработка и применение высоких технологий в промышленности“. 0205.10.2007, Санкт-Петербург, Россия. Под ред. А.П. Кудинова, Г.Г. Матвиенко. СПб.: Изд-во Политехн. унта, 2008. Highe Technologies. Том 13. Раздел 3.47. С.220. http://htfi.org/index.php?p=71
1177.
Е.П.Прокопьев, С.А.Гаврилов, В.И.Графутин, С.П.Тимошенков, Определение методом ПАС
радиусов пор и их концентраций в пористом кремнии и кремнии, облученном протонами. Модель
цилиндрической поры. Нанотехника. 2009. В печати.
1178.
Е.П.Прокопьев. Определение размеров вакансий и пор в металлах методом позитронной
аннигиляционной спектроскопии. Нанотехника. 2009. В печати
1179.
Е.П.Прокопьев. Cинергетические подходы к проблемам эволюции свойств материалов и
наноматериалов на основе кремния. Статья. Международная конференция “Фазовые переходы,
критические и нелинейные явления в конденсированных средах”. 7-10 сентября 2009 г., Махачкала,
Республика Дагестан, Россия. С,Б3-18. См. сайт конференции: http://www.dagphys.ru/papers.htm,
http://www.dagphys.ru/download/2009_Conference_Program.pdf
1180.
E.P.Prokopiev, S.P.Timoshenkov, V.V.Kalugin. Models of growth of semiconductor and dielectric layers
in flowing isothermal reactors. Тезисы докладов XVII Международной конференции по химической
термодинамике (RCCT 2009), 29 июня - 3 июля 2009, г. Казань. Казань: КГТУ, 2009.
http://rcct2009.kstu.ru/ru/conf_tez.jsp.
1181.
В.И. Графутин, А.Ф. Захаров, Е.П. Прокопьев, Т.Л. Разинкова, С.П. Тимошенков, Ю.В. Фунтиков.
Возможности использования позитронной диагностики для исследования пылевой космической плазмы.
Тезисы докладов. XXXVI Международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и
управляемому термоядерному синтезу. г. Звенигород Московской обл. 9 - 13 февраля 2009 года. Статья на
лазерном диске: http://www.fpl.gpi.ru/Zvenigorod/XXXVI/Lt/ru/IM-Grafutin.doc.
1182.
Е.П. Прокопьев, С.П. Тимошенков. Построение гибридной модели роста пленок
a  Si : H в
силановой плазме ВЧ тлеющего разряда в газовой смеси SiH 4  H 2 . Тезисы докладов. XXXVI
Международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу.
г. Звенигород Московской обл. 9 - 13 февраля 2008 года. Статья на лазерном диске:
http://www.fpl.gpi.ru/Zvenigorod/XXXVI/Lt/ru/IN-Timoshenko.doc .
1183.
А.И.Виноградов, Н.М.Зарянкин, Е.П.Прокопьев. С.П. Тимошенков. Исследование некоторых
аспектов процесса глубокого травления кремния для элементов МЭМС. Тезисы докладов. XXXVI
Международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу.
г. Звенигород Московской обл. 9 - 13 февраля 2008 года. Статья на лазерном диске:
http://www.fpl.gpi.ru/Zvenigorod/XXXVI/Pt/ru/ML-Vinogradov.doc .
1184.
Е.П.Прокопьев. Позитроний в анизотропных слоях полупроводников и ионных кристаллах в
сильном магнитном поле. 6-я Зимняя школа по механике сплошных сред. Россия, Пермь, с 24 по 27
февраля
2009
года.
Пермь:
ПГУ,
2009.
См.
сайт
конференции:
http://school2009.icmm.ru/resources/files/program2.pdf .
1185.
Е.П.Прокопьев, В.И.Графутин, С.П.Тимошенков, И.М.Бритков, О.М.Бритков, С.С.Евстафьев. О
позитронных состояниях в тонких полупроводниковых слоях. Научная сессия МИФИ-2009. Секция Э-7.
«Ультрадисперсные
(нано-)
материалы».
См.
сайт
конференции:
http://ns2009.mephi.ru/default.asp?page=34&part=null&doc=247.
1186.
Е.П.Прокопьев, В.И.Графутин, С.П.Тимошенков, И.М.Бритков, О.М.Бритков, С.С.Евстафьев.
Энергетический спектр и аннигиляционные характеристики атома позитрония в малых сферических
частицах полупроводников. Научная сессия МИФИ-2009. Секция Э-7. «Ультрадисперсные (нано-)
материалы». См. сайт конференции: http://ns2009.mephi.ru/default.asp?page=34&part=null&doc=247.
1187.
Е.П.Прокопьев. Магнитопозитроний в полупроводниках и ионных кристаллах. Научная сессия
МИФИ-2009.
Секция
13.
Прикладная
ядерная
физика.
См.
сайт
конференции:
http://ns2009.mephi.ru/default.asp?page=34&part=null&doc=246.
1188.
Прокопьев Е.П., Графутин И.И., Тимошенков С.П. Возможный спектр позитронных состояний в
квантовых ямах полупроводниковых сверхструктур. Научная сессия МИФИ-2009. Секция 13. Прикладная
ядерная физика. См. сайт конференции: http://ns2009.mephi.ru/default.asp?page=34&part=null&doc=246.
1189.
В.И., Прокопьев Е.П., Тимошенков Влияние свободных объемов нанообъектов пустоты на
эволюцию свойств наноматериалов. Тезисы докладов. Третья Всероссийская конференция по
наноматериалам (НАНО2009), г. Екатеринбург, 20-24 апреля 2009 г. Екатеринбург: ИФМ РАН, 2009. С2 2311.
См.
сайт
конференции:
http://conference.imp.uran.ru/UserFiles/File/ProgNano2009.doc,
http://conference.imp.uran.ru/UserFiles/File/ProgNano080409.doc.
1190.
Eugene P.Prokopiev. Possibilities of presence of Schlögl quasichemical reactions in an atmosphere of
own silicon defects. Abstracts. 2nd Chaotic Modeling and Simulation International Conference (CHAOS2009),
Chania,
Crete,
Greece,
June
1-5,
2009.
P.63.
См.
сайт
конференции:
http://www.chaos2009.net/programabstracts.html.
1191.
Прокопьев Е.П., Графутин В.И., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В.Размеры нанообъектов в
пористых системах по данным метода позитронной аннигиляционной спектроскопии. Тезисы докладов.
ВИП-2009. XIX Международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью». 21 - 25 августа
2009 г.,
Звенигород
,
Россия.
М.:
МАИ,
2009.
См.
сайт
конференции:
http://www.spbstu.ru/isi2009/rus/frst_rus.html , п.5.16.
1192.
В.И.Графутин,
В.П.Колотушкин,
В.Ю.
Милосердин,
О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева,
Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков, Н.О.Хмелевский. Исследование структурных изменений в сплавах на
основе Ni-Cr при различном содержании хрома методом УРАФ. Тезисы докладов. ВИП-2009. XIX
Международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью». 21 - 25 августа 2009 г., Звенигород
, Россия. М.: МАИ, 2009. См. сайт конференции: http://www.spbstu.ru/isi2009/rus/frst_rus.html, п.3.7. Секция
№3. Эмиссия ионов, электронов, фотонов и рентгеновского излучения при ионной бомбардировке.
1193.
В.И.Графутин, А.Г.Залужный, В.С.Хмелевская, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев,
Н.О.Хмелевский, Ю.В.Фунтиков. Исследования конструкционных материалов ядерно-физическими
методами. Тезисы докладов. ВИП-2009. XIX Международная конференция «Взаимодействие ионов с
поверхностью». 21 - 25 августа 2009 г., Звенигород , Россия. М.: МАИ, 2009. См. сайт конференции:
http://www.spbstu.ru/isi2009/rus/frst_rus.html, п.6.6
1194.
Sergei A. Gavrilov, Viktor I. Grafutin, Eugene P. Prokopiev, Sergei P. Timoshenkov. Radiuses and
concentration of pores in porous silicon according to a method the PAS. Abstracts. VIII International Conference
Mechanisms of Catalytic Reactions (MCR-2009)Dedicated to the 70th anniversary of Professor Kirill I. Zamaraev.
Novosibirsk Scientific Centre, Russia, June 29 - July 2, 2009. См. сайт конференции: http://wwwsbras.nsc.ru/ws/MCR-ZAM/Program_MCR.doc
1195.
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Тезисы докладов. Анализ физико-химических моделей
скорости роста пленок a  Si : H в силановых плазменных смесях. XXII - Международная научная
конференция. МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ В ТЕХНИКЕ И ТЕХНОЛОГИЯХ - ММТТ-22. Псков. 25-30
мая 2009 г. ППИ. ППИ: Псков, 2009. См. сайт конференции:
http://mmtt22.sstu.ru/mmtt22.nsf/8ae8cfae522c332ac3257075005cab5e/f41a4b0beab4c580c32574e80059066f/$FILE/%D0%9F%D1%80%D
0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D0%BC%D0%BC%D0%B0%20%D0%BA%D0%BE%D0%BD%D1%84%
D0%B5%D1%80%D0%B5%D0%BD%D1%86%D0%B8%D0%B8.doc
;
http://mmtt22.sstu.ru/mmtt22.nsf/Papers_R?OpenView&Start=3 (cc. 7).
1196.
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Статья. Анализ физико-химических моделей скорости роста
пленок a  Si : H в силановых плазменных смесях. XXII - Международная научная конференция.
МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ В ТЕХНИКЕ И ТЕХНОЛОГИЯХ - ММТТ-22. Псков. 25-30 мая 2009 г.
ППИ.
ППИ:
Псков,
2009.
См.
сайт
конференции:
http://mmtt22.sstu.ru/mmtt22.nsf/8ae8cfae522c332ac3257075005cab5e/f41a4b0beab4c580c32574e80059066f/$FILE/%D0%9F%D1%80%D
0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D0%BC%D0%BC%D0%B0%20%D0%BA%D0%BE%D0%BD%D1%84%
D0%B5%D1%80%D0%B5%D0%BD%D1%86%D0%B8%D0%B8.doc;
http://mmtt22.sstu.ru/mmtt22.nsf/Papers_R?OpenView&Start=3 (cc. 7).
1197.
С.П.Тимошенков, Н.М.Зарянкин, Е.П.Прокопьев. Статья. Гибридные модели процессов роста и
легирования эпитаксиальных слоев полупроводников и получения пленок a  Si : H в силановой плазме
ВЧ тлеющего разряда в газовой смеси SiH 4  H 2 . XXII - Международная научная конференция.
МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ В ТЕХНИКЕ И ТЕХНОЛОГИЯХ - ММТТ-22. Псков. 25-30 мая 2009 г.
ППИ.
ППИ:
Псков,
2009.
См.
сайт
конференции:
http://mmtt22.sstu.ru/mmtt22.nsf/8ae8cfae522c332ac3257075005cab5e/f41a4b0beab4c580c32574e80059066f/$FILE/%D0%9F%D1%80%D
0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D0%BC%D0%BC%D0%B0%20%D0%BA%D0%BE%D0%BD%D1%84%
D0%B5%D1%80%D0%B5%D0%BD%D1%86%D0%B8%D0%B8.doc;
http://mmtt22.sstu.ru/mmtt22.nsf/Papers_R?OpenView&Start=9 (ссылка 13).
1198.
С.П.Тимошенков, Н.М.Зарянкин, Е.П.Прокопьев. Тезисы. Гибридные модели процессов роста и
легирования эпитаксиальных слоев полупроводников и получения пленок a  Si : H в силановой плазме
ВЧ тлеющего разряда в газовой смеси SiH 4  H 2 . XXII - Международная научная конференция.
МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ В ТЕХНИКЕ И ТЕХНОЛОГИЯХ - ММТТ-22. Псков. 25-30 мая 2009 г.
ППИ.
ППИ:
Псков,
2009.
См.
сайт
конференции:
http://mmtt22.sstu.ru/mmtt22.nsf/8ae8cfae522c332ac3257075005cab5e/f41a4b0beab4c580c32574e80059066f/$FILE/%D0%9F%D1%80%D
0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D0%BC%D0%BC%D0%B0%20%D0%BA%D0%BE%D0%BD%D1%84%
D0%B5%D1%80%D0%B5%D0%BD%D1%86%D0%B8%D0%B8.doc;
http://mmtt22.sstu.ru/mmtt22.nsf/Papers_R?OpenView&Start=9 (ссылка 13).
1199.
E.P.Prokopiev. About Opportunities of positron diagnostics for research of dust space plasma. Тезисы
доклада XIV Международной Ломоносовской конференции по физике элементарных частиц. 19 - 25
августа 2009 г. Москва, МГУ. М.: 2009. См. сайт конференции: http://www.icas.ru/english/index.htm.
1200.
Графутин В.И., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В. Определение нанообъектов в
пористых системах методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Первая всероссийская
конференция. ПРОБЛЕМЫ МЕХАНИКИ И АКУСТИКИ СРЕД С МИКРО- И НАНОСТРУКТУРОЙ:
НАНОМЕХ-2009. Н.Новгород, 21-23 сентября 2009 г.Н. Новгород: Институт проблем механики им. А.Ю.
Ишлинского
РАН,
2009.
См.
сайт
конференции:
http://www.nntu.scinnov.ru/RUS/naych_konf/nanomech2009/predprogr.doc
,
п.15
http://www.nntu.scinnov.ru/RUS/naych_konf/.http://www.nntu.sci-nnov.ru/RUS/naych_konf/nanomech2009/programma.pdf
1201.
Prokopiev E.P. About a Problem of Reception of Antimatter: Possibility of Research of Properties,
Synthesis and Applications. Abstracts. The Seventh International Conference M O D E R N P R O B L E M S O F
N U C L E A R P H Y S I C S September 22-25, 2009 Tashkent, Republic of Uzbekistan CONFERENCE
ORGANIZER Institute of Nuclear Physics of Uzbekistan Academy of Sciences Dedicated to 50th anniversary of
commissioning research nuclear reactor WWR-SM of Institute of Nuclear Physics (Uzbekistan Academy of
Sciences).
Tashkent:
Institute
of
Nuclear
Physics,
2009.
P-08.
http://www.inp.uz/index2.php?option=com_docman&task=doc_view&gid=71&Itemid=471,
http://www.inp.kz/indexeng.php
1202.
V.I.Grafutin, O.V.Ilyukhina, G.G.Myasishcheva, E.P.Prokopiev, S.P.Timoshenkov, Yu.V.Funtikov.
Definition of Radiuses of free Volumes of Pores and their Concentration in Powders of Quartz.. Abstracts. The
Seventh International Conference M O D E R N P R O B L E M S O F N U C L E A R P H Y S I C S September
22-25, 2009 Tashkent, Republic of Uzbekistan CONFERENCE ORGANIZER Institute of Nuclear Physics of
Uzbekistan Academy of Sciences Dedicated to 50th anniversary of commissioning research nuclear reactor WWRSM of Institute of Nuclear Physics (Uzbekistan Academy of Sciences). Tashkent: Institute of Nuclear Physics,
2009. P-2.12. http://www.inp.uz/index2.php?option=com_docman&task=doc_view&gid=71&Itemid=471 .
1203.
Графутин В.И., Прокопьев Е.П.,Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В. Определение нанообъектов в
пористых системах методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Международная Конференция
по физической мезомеханике, компьютерному конструированию и разработке новых материалов 8–11
сентября 2009 г. Томск, Россия. Томск: ИФП и М СО РАН, 2009. См. сайт конференции: http://af62.mail.ru/cgibin/readmsg/Program_MESO2009.doc?id=12519603110000000920;0;1&mode=attachment&channel=,
http://conference.tsk.ru/files/Program_MESO2009.doc,
HTTP://HOSTING.TOMSK.NET/FILES/CONFERENCE/PROGRAM_MESO2009.DOC
1204.
Графутин В.И., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В. Определение нанообъектов в
пористых системах методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Тезисы докладов.IV
Всероссийская конференция (с международным участием) "Химия поверхности и нанотехнология"СанктПетербург-Хилово 28 сентября - 04 октября 2009" . Санкт-Петербург-Хилово: СПбГТИ, 2009. См. сайт
конференции:
http://www4.lti-gti.ru/kv/hilovo2009/Lists/List9/AllItems.aspx.
http://www.ltigti.ru/kv/hilovo2009/Lists/List9/DispForm.aspx?ID=3
1205.
Prokopiev E.P., Grafutin V.I., Zakharov A.F., Razinkova T.L., About opportunities of positron
diagnostics for research of dust space plasma. Abstracts. XXIV International Conference on Interaction of Intense
Energy Fluxes with Matter March 1-6, 2009, Elbrus, Kabardino-Balkaria, Russia (С\ПапкаD\Тез
Докл\200\Eldrus-2009 Flux\Plasma Elbrus Abstracts.doc). Abstract (57 Kb).
1206.
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, И.М.Бритков, О.М.Бритков, С.С.Евстафьев.
Oпределение природы и плотности дислокаций в полупроводниках методом ПАС. Обзор». Труды
международного симпозиума «НАДЕЖНОСТЬ И КАЧЕСТВО-2009». Пенза: Изд-во ПГУ, 2009. См. сайт
конференции http://www.nika-penza.ru/index.php?action=s_reports
1207.
Графутин В.И., Калугин В.В., Прокопьев Е.П., 2Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В. Определение
нанообъектов в пористых системах и дефектных твердых телах методом позитронной аннигиляционной
спектроскопии. Статья. Определение нанообъектов в пористых системах и дефектных твердых телах
методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. IV Международная научно-техническая
конференяия «СОВРЕМЕННЫЕ МЕТОДЫ И ТЕХНОЛОГИИ СОЗДАНИЯ И ОБРАБОТКИ
МАТЕРИАЛОВ». 19 – 21 октября 2009 г., г. Минск. Республика Беларусь. Минск: Физтех, 2009.
http://www.phti.belhost.by/prog4MNTK.pdf
1208.
В.И.Графутин, Ю.В.Фунтиков, Г.И.Савельев, Г.Г.Мясищева, О.В.Илюхина, С.П.Тимошенков,
Е.П.Прокопьев. Определение размеров нанообъектов в облученных металлах и сплавах методом УРАФ.
Тезисы докладов XVII Международной Конференции “Физика прочности и пластичности материалов”. 2325 июня 2009 года. Самара, Россия. Самара: СГУ, 2009. С.145.
1209.
Е.П.Прокопьев, В.И.Графутин, С.П.Тимошенков. Тезисы. Доклад. Определение методом ПАС
радиусов пор и их концентраций в пористом кремнии и кремнии, облученном протонами. Модели
сферической и цилиндрической пор. ICNRP ′09 7-я Международная конференция. ЯДЕРНАЯ И
РАДИАЦИОННАЯ ФИЗИКА. 08-11 сентября 2009 года. Алматы, Республика Казахстан. Алматы: ИЯФ РК,
2009. http://www.inp.kz/conference/index.php?part=12.
1210.
E.P.Prokopiev. Possibilities of presence of Schlögl quasichemical reactions in an atmosphere of own
silicon defects. 4th International Scientific Conference on Physics and Control. PYYSCON 2009. September 1-4,
2009. Facolta di Ingegneria Univesita degli Studi di Catania, Italy. 2009. Cм. Сайт конференции: Статья= 1D
32
PIN:
4057
PASSPORD:
Prokop
http://coms.physcon.ru/conf/10/mypapers.html,
/http://www.physcon2009.diees.unict.it/contact.htm, http://www.physcon2009.diees.unict.it/contact.htm (Scientific
Program).
1211.
Прокопьев Е.П., Графутин В.И., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В.Определение размеров
нанообъектов в пористых системах методом УРАФ. IV Украинская научная конференция по физике
полупроводников (УНКФП-4). Украина, Запорожье, 15 - 19 сентября 2009 р. Запорожье: ИФП НАН
Украины,
2009.
С.155.
http://af10.mail.ru/cgi-bin/readmsg/USCPS-4-programR.doc?id=12482517270000000997;0;1&mode=attachment&channel=
.
http://af14-2.mail.ru/cgibin/readmsg/USCPS-4-program-R.doc?id=12482517270000000997;0;1&mode=attachment&channel.
1212.
E.P.Prokopiev. Synergetic approaches to problems of evolution of properties of materials and
nanomaterials on the basis of silicon.4th International Scientific Conference on Physics and Control. PYYSCON
2009. September 1-4, 2009. Facolta di Ingegneria Univesita degli Studi di Catania, Italy. 2009. Cм. Сайт
конференции:
Paper
1D:69
(Статья
1D:70
PIN:7222 PASSWORD:
202426)'
http://coms.physcon.ru/conf/10/mypapers.html , http://www.physcon2009.diees.unict.it/contact.htm, (Scientific
Program).
1213.
Grafutin V.I., Timoshenkov S.P., Svetlov-Prokop’ev E.P. Nanoobject sizes of defects in porous systems
and defective materials according ADAP method. Part I, Part II. The International Conference «Micro- and
nanoelectronics – 2009». 2009 IC MNE. Book of Abstracts. October 5th-9th, 2009. Moscow, Zvenigorod, Russia.
P2-07. P2-08. http://www.icmne.ftian.ru/posters_r.shtml.
1214.
Vinogradov A.I., Zaryankin N.M., Mikhajlov Yu.A., Prokopiev E.P., Timoshenkov S.P. Optimization of
parameters of deep plasmachemical process of silicon etchings for elements MEMS. The International Conference
«Micro- and nanoelectronics – 2009». 2009 IC MNE. Book of Abstracts. October 5th-9th, 2009. Moscow,
Zvenigorod, Russia. P2-32. http://www.icmne.ftian.ru/posters_r.shtml.
1215.
Прокопьев Е.П., Графутин В.И., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В.Определение размеров
нанообъектов в пористых системах методом УРАФ. IV Украинская научная конференция по физике
полупроводников (УНКФП-4). Украина, Запорожье, 15 - 19 сентября 2009 р. Запорожье: ИФП НАН
Украины,
2009.
См.
http://af10.mail.ru/cgi-bin/readmsg/USCPS-4-programR.doc?id=12482517270000000997;0;1&mode=attachment&channel=
1216.
Прокопьев Е.П. Возможные проблемы физики, химии и технологии антивещества: синтез и
применения. Тезисы докладов IV Всероссийской научно-практической конференции «Энергетика в
современном мире». г. Чита. 24-25 марта 2009 г. Чита: ЧГУ, 2009. См. http://af14-2.mail.ru/cgibin/readmsg/USCPS-4-program-R.doc?id=12482517270000000997;0;1&mode=attachment&channel.
1217.
В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков.
возможности исследования нанообъектов в пористом кремнии и подложках кремния, облученных
протонами, методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Статья. Сарсембиновские чтения.
Современные проблемы физики конденсированного состояния, нанотехнологий и наноматериалов. 18-19
мая
2009
г.
г.
Алматы,
2009.
См.
http://af5-2.mail.ru/cgibin/readmsg/programma_%282%29.doc?id=12424563100000006768;0;1&mode=attachment&channel= .
1218.
Графутин В.И., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В. Определение радиусов
нанообъектов в пористых системах методом УРАФ. 1-я Всероссийская научная конференция. Методы
исследования состава и структуры функциональных материалов. МИССФМ-2009. Новосибирск, 11-16
октября 2009 года. Новосибирск: ИНХ СО РАН, 2009. См. Web-site: http://www-sbras.nsc.ru/ws/MISSFM,
http://popnano.ru/file/program-prelim.pdf
1219.
Е.П.Прокопьев, В.И.Графутин, С.П.Тимошенков. Тезисы. Доклад. Определение методом ПАС
радиусов пор и их концентраций в пористом кремнии и кремнии, облученном протонами. Модели
сферической и цилиндрической пор. ICNRP ′09 7-я Международная конференция. ЯДЕРНАЯ И
РАДИАЦИОННАЯ ФИЗИКА. 08-11 сентября 2009 года. Алматы, Республика Казахстан. Алматы: ИЯФ РК.
http://www.inp.kz/conference/index.php?part=12.
1220.
Графутин В.И., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В. Определение размеров
нанообъектов в пористых системах методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Красноярский
научный центр Сибирского отделения РАН. 15 – 16 октября 2009 г. Всероссийская научно-техническая
конференция с международным участием “Ультрадисперсные порошки, наноструктуры, материалы” (5
Ставеровские чтения). Красноярск: Красноярский федеральный университет, 2009. С.2. http://research.sfukras.ru/sites/research.sfu-kras.ru/files/Programma_Staver_2009.doc
1221.
Графутин В.И., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П. Определение размеров нанообъектов в
пористых системах методом УРАФ. Тезисы докладов. IX МЕЖДУНАРОДНАЯ НАУЧНАЯ
КОНФЕРЕНЦИЯ
«ХИМИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА: МОНОКРИСТАЛЛЫ, НАНОМАТЕРИАЛЫ,
НАНОТЕХНОЛОГИИ». 11  16 октября 2009 г. г. Кисловодск, Россия ГОУ ВПО «СЕВЕРОКАВКАЗСКИЙ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ
ТЕХНИЧЕСКИЙ
УНИВЕРСИТЕТ»
2009.
http://net.ncstu.ru/Science/conf/plan/htt09/htt09_progr.pdf
1222.
Е.П.Прокопьев. Аналитическая модель связанного состояния позитрона на вакансиях и порах в
металлах. ФТТ-2009. АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА.IV Международная
научная конференция. 20-23 октября 2009 г. НАЦИОНАЛЬНАЯ АКАДЕМИЯ НАУК БЕЛАРУСИ
НАУЧНО-ПРАКТИЧЕСКИЙ ЦЕНТР НАН БЕЛАРУСИ ПО МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЮ (ИНСТИТУТ
ФИЗИКИ
ТВЕРДОГО
ТЕЛА
И
ПОЛУПРОВОДНИКОВ)
НАН
Беларуси,
2009.
http://www.physics.by/e107_files/public/programma.pdf.
1223.
Е.П. Прокопьев, В.И.Графутин, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Определение методом ПАС
радиусов пор и их концентраций в пористом кремнии. ФТТ-2009. АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ФИЗИКИ
ТВЕРДОГО ТЕЛА.IV Международная научная конференция. 20-23 октября 2009 г. НАЦИОНАЛЬНАЯ
АКАДЕМИЯ НАУК БЕЛАРУСИ НАУЧНО-ПРАКТИЧЕСКИЙ ЦЕНТР НАН БЕЛАРУСИ
ПО
МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЮ (ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА И ПОЛУПРОВОДНИКОВ) НАН
Беларуси, 2009. http://www.physics.by/e107_files/public/programma.pdf.
1224.
Е.П.Прокопьев, В.И Графутин, С.П.Тимошенков.О связанных состояниях позитрона на вакансиях
и порах в металлах. Тезисы доклада (Статья). М е ж д ун а р о д н а я к о н ф е р е н ц и я. ХИМИЧЕСКАЯ И
РАДИАЦИОННАЯ ФИЗИКА (Мемориал О.И. Лейпунского), РОССИЯ, Москва, Президиум РАН,
Ленинский
проспект,
д.
32-а,
25
29
августа
2009
г.
ОИХФ
РАН,
2009.
http://www.ism.ac.ru/sgv/spisok_sekcii.doc
1225.
Е.П.Прокопьев. Связанные состояния позитрона на вакансиях и порах в металлах. Тезисы
докладов Третьей международной конференции «Деформация и разрушение материалов и
наноматериалов» DFMN 2009. 12 - 15 октября 2009 г. Москва Институт металлургии и материаловедения
им. А.А. Байкова РАН, 2009. С.906. http://dfmn-imetran.narod.ru/Files/SoderjanieDFMN2009.doc
1226.
Е.П. Прокопьев, В.И.Графутин, С.П.Тимошенков, Г.Г.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Г.И.Савельев,
Ю.В.Фунтиков. Определение методом ПАС радиусов пор и их концентраций в пористом кремнии. Тезисы
докладов Третьей еждународной конференции «Деформация и разрушение материалов и наноматериалов»
DFMN 2009. 12 - 15 октября 2009 г. Москва Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова
РАН, 2009. С.790. http://dfmn-imetran.narod.ru/Files/SoderjanieDFMN2009.doc
1227.
Grafutin V.I., Timoshenkov S.P., Ilyukhina O.V., Maysishcheva G.G., Svetlov-Prokop’ev E.P., Funtikov
Yu.V., Britkov O.M., Kalugin V.V. Nanoobject sizes of defects in porous systems and defective materials
according ADAP method. Porous Silicon and SOI Structures. Тезисы докладов Третьей еждународной
конференции «Деформация и разрушение материалов и наноматериалов» DFMN 2009. 12 - 15 октября 2009
г. Москва Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова РАН, 2009. С.724,725. http://dfmnimetran.narod.ru/Files/SoderjanieDFMN2009.doc (C:\Папка D\ТезДокл\2009/DFVN BARDIN Москва2009\1Prokopiev_vm1228.
Grafutin V.I., Timoshenkov S.P., Ilyukhina O.V., Maysishcheva G.G., Svetlov-Prokop’ev E.P., Funtikov
Yu.V., Britkov O.M., Kalugin V.V. Nanoobject sizes of defects in porous systems and defective materials
according ADAP method. Radiating defects in silicon. Тезисы докладов Третьей Международной конференции
«Деформация и разрушение материалов и наноматериалов» DFMN 2009. 12 - 15 октября 2009 г. Москва
Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова РАН, 2009. С.726.
imetran.narod.ru/Files/SoderjanieDFMN2009.doc
http://dfmn-
1229.
E. P. Prokopiev. Possibilities of positron diagnostics for research of dust space plasma. Abstracts. 19th
International Symposium on Plasma Chemistry (ISPC). Bochum, Germany, on July 26 - 31, 2009. Bochum. P.?
www.ispc-conference.org. .ispc19 programpeliminary.pdf. P.2.2.6 (С\ПапкаD\Тез Докл\2009\Германия-2009
Плазма\Plasma Prokopiev Abstracts.doc). http://www.ispc-conference.org/docs/ispc19program_complete.pdf
1230.
E.P.Prokopiev. Abstracts. analysis of physical and chemical models of growth OF amorphous silicon
Films on Wafers in Sylane plasma mixes. The fourth International Symposium on Non-equilibrium Processes,
Plasma, Combustion, and Atmospheric Phenomena , Russia October 5 - 9, 2009. Sochi (Dagomys), Russia.
Dagomys,
2009.
http://www.nepcap2009.ciam.ru/images/TENTATIVE_TECHNICAL_PROGRAM_NEPCAP2009_(last_version)(
2).doc
1231.
С.П. Тимошенков, Е.П. Прокопьев, Ал.С.Тимошенков, И.М.Бритков, О.М Бритков;
С.С.Евстафьев, Ан.С.Тимошенков. Анализ физико-химических моделей скорости роста аморфных пленок
a  Si : H в силановых плазменных смесях пониженного давления. Тезисы докладов 9 международной
конференции «ПЛЕНКИ И ПОКРЫТИЯ – 2009» (9 International conference of a «Films and Coatings - 2009»).
26 – 29 мая 2009. Санкт –Петербург: Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
2009.
http://209.85.129.132/search?q=cache:tCx5BXCtIiYJ:www.ipme.ru/ipme/conf/FC2009/programma2009.doc+%D0%9F%D1%80%D0%BE%D0%BA%D0%BE%D0%BF%D1%8C%D0%B5%D0
%B2+%D0%95.%D0%9F.+%D0%BF%D0%BB%D0%B0%D0%B7%D0%BC%D0%B0&cd=4&hl=ru&ct=clnk
&gl=ru п.12
1232.
С.П.Тимошенков,
О.М.Бритков,
Ал.С.Тимошенков,
С.С.Евстафьев,
Е.П.Прокопьев,
Ан.С.Тимошенков, И.М.Бритков. Гибридные модели процессов роста и легирования эпитаксиальных слоев
полупроводников и получения пленок a  Si : H в силановой плазме ВЧ тлеющего разряда в газовой
смеси SiH 4  H 2 . Тезисы докладов 9 международной конференции «ПЛЕНКИ И ПОКРЫТИЯ – 2009» (9
International conference of a «Films and Coatings - 2009»). 26 – 29 мая 2009. Санкт –Петербург: СанктПетербургский
государственный
политехнический
университет,
2009.
http://209.85.129.132/search?q=cache:tCx5BXCtIiYJ:www.ipme.ru/ipme/conf/FC2009/programma2009.doc+%D0%9F%D1%80%D0%BE%D0%BA%D0%BE%D0%BF%D1%8C%D0%B5%D0
%B2+%D0%95.%D0%9F.+%D0%BF%D0%BB%D0%B0%D0%B7%D0%BC%D0%B0&cd=4&hl=ru&ct=clnk
&gl=ru п13
1233.
В.И.Графутин, Ал.С.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Хмелевский Н.О,
Ан.С.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. определения энтальпий образования вакансий в материалах ядерной
техники методом Позитронной Аннигиляционной Спектроскопии (ПАС). Тезисы доклада\
Международный Семинар МНТ-X “ Структурные основы модифицирования материалов методами
нетрадиционных технологий. Обнинск: Обнинский государственный технический университет атомной
энергетики, 2009. http://www.asf.ural.ru/forum/viewthread.php?tid=2022&page=1
1234.
Е.П.Прокопьев, В.И Графутин, С.П.Тимошенков. Исследование вакансий и пор в металлах
методом ВРАФ. Статья. IV Международная школа «Физическое материаловедение». 14 - 18 сентября 2009.
года. Тольятти: ТГУ, 2009. http://www.mks-phys.ru/Cards.php?ConfId=7&type=rep,
1235.
Grafutin V.I., Zaluzhnyi A.G., Timoshenkov S.P., Ilyukhina O.V., Myasishcheva G.G., Prokop’ev E.P.,
Funtikov Yu.V., Britkov O.M. Nanoobject sizes of defects in porous systems and defective materials according
ADAP method. Radiating defects in silicon Статья. Пятая Российская научно-техническая конференция
Физические
свойства
металлов
и
сплавов,
(ФСМиС-V),
ноябрь
2009
г.
С.7.
http://www.kf.ustu.ru/conf09/FSMS5.pdf
1236.
Yu.A.Chaplygin, S.P.Timoshenkov, V.I.Grafutin, V.V.Kalugin, E.P.Prokopiev, Yu.V.Funtikov.
Nanoobject sizes of defects in porous systems and defective materials according ADAP method. 11 th International
Conference on Advenced Materials VIII Encontro SPBMat, Rio de Janeiro, September 20-25, ICAM-2009,
www.icam2009.com. Brazil: Rio de Janeiro, 2009. http://www.icam2009.com/submission/autor/index.php,
http://www.icam2009.com/program/posters.php?symposium=6
,
http://www.icam2009.com/submission/autor/arquivos/F501.pdf
1237. E.P.Prokopiev. Possibilities positron diagnostics for research of dust space plasma. 11th International Conference
on Advenced Materials VIII Encontro SPBMat, Rio de Janeiro, September 20-25, ICAM-2009,
www.icam2009.com. Brazil: Rio de Janeiro, 2009. http://www.icam2009.com/submission/autor/index.php
1238.
E.P.Prokopiev, V.I.Grafutin, S.P.Timoshenkov. ABOUT BOUND POSITRON STATES ON
VACANCIES AND PORES IN METALS. VI Международная конференция ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И
ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ (ФППТ – 6) МИНСК, БЕЛАРУСЬ, 28 сентября – 2 октября 2009 г..
http://ifanbel.bas-net.by/pppt-6/programme.pdf
1239.
В.И Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков. Размеры вакансий и пор в металлах
по данным метода Позитронной Аннигиляционной Спектроскопии. Статья. Пятая Российская научнотехническая конференция Физические свойства металлов и сплавов, (ФСМиС-V), ноябрь 2009 г.
http://www.kf.ustu.ru/conf09/FSMS5.pdf.
1240.
Е.П.Прокопьев. Эффективные заряды ионов кислорода в окислах металлов по данным метода
позитронной аннигиляционной спектроскопии. Статья. XII Международный междисциплинарный
симпозиум «Порядок, беспорядок и свойства оксидов». (ODPO-12). 17 - 22 сентября 2009 г. Ростов-на-Дону
- п. Лоо. (ФСМиС-V), ноябрь 2009 г. В печати. С.20. (C:\Папка D\ 2009/ODPO-12 РостовДон 2009/РЕР.doc).
http://209.85.129.132/search?q=cache:7iGY70BJow4J:ptosnm.ru/something/ODPO_prog_2009.pdf+%D0%B5.%
D0%BF.%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%BA%D0%BE%D0%BF%D1%8C%D0%B5%D0%B2+%D0%BC%
D0%B5%D1%82%D0%B0%D0%BB%D0%BB%D1%8B&cd=85&hl=en&ct=clnk,
http://ptosnm.ru/something/ODPO_prog_2009.pdf
1241.
Vinogradov A.I., Zaryankin N.M., Mihajlov Yu.A., Prokopiev E.P., Timoshenkov S.P. Optimization of
Process of Deep Plasmachemical Etching Silicon for MEMS Elements. Flucome 2009. 10 th International
Conferenct on Fluid Control, Measurements, and Vizualization. August 17-21. Moscow, Russia. Flucome:
Moscow, 2009. Статья на лазерном диске: http://www.ihed.ras.ru/flucome10/rus/ (см. пункт Program).
1242.
Виноградов А.И., Зарянкин Н.М., Михайлов Ю.А., Прокопьев Е.П., ТимошенковС.П.
Оптимизация процесса глубокого плазмохимического травления кремния для элементов МЭМС. Статья. ІIІ
Международная научная конференция «Физико-химические основы формирования и модификации микро и наноструктур». ФММН-2009. Харьковский национальный университет имени В.Н. Каразина: Харьков,
2009. С.18. http://www.scpt.org.ua/conferences_FMMN2008_Prog.htm
1243.
Yu.A.Chaplygin, V.I.Grafutin, E.P.Prokopiev, S.P.Timoshenkov. Possibilities of studying nanoobjects in
technically important materials and nanomaterials. Advanced Science Research Symposium 2009 (ASR2009). ~
Positron, Muon and other exotic particle beams for materials and atomic/molecular sciences. November10-12,
2009, P.43. Techno Community Square Ricotti, Japan, 2009. http://asrc.jaea.go.jp/asr_ja/co_p/ASR2009.htm (см.
пункт Program).
1244.
В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Применение и развитие
методов позитронной аннигиляционной спектроскопии для зондирования нанообъектов в материалах и
наноматериалах. Доклад на VII Национальной конференции "Рентгеновское, Синхротронное излучения,
Нейтроны и Электроны для исследования наносистем и материалов.Нано-Био-Инфо-Когнитивные
технологии" (РСНЭ-НБИК 2009), Москве 16-21 ноября 2009. http://www.crys.ras.ru/~rsne/
1245.
S.P.Timoshenkov , E.P.Prokopiev, V.I.Grafutin, Yu.V.Funtikov. Opportunities of research of carbon
materials and nanomaterials by positron annihilation spectroscopy. HYDROGEN MATERIALS SCIENCE AND
CHEMISTRY OF CARBON NANOMATERIALS. ICHMS'2009. XI International Conference. Yalta. Crimea.
UKRAINE. August 25-31, 2009. Yalta, 2009. http://www.ichms.com.ua/Library/ICHMS09/down/822-823.pdf
1246.
С.П.Тимошенков, Б.М.Симонов, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, Ал.С.Тимошенков, И.М.Бритков,
О.М.Бритков, С.С.Евстафьев. Возможности определение природы и плотности дислокаций в твердых телах
методом Позитронной аннигиляционной спектроскопии (обзор). ПЕРВЫЕ МОСКОВСКИЕ ЧТЕНИЯ по
проблемам прочности материалов посвященные 85-летию со дня рождения профессора В.Л. ИНДЕНБОМА
и 90-летию со дня рождения профессора Л.М. УТЕВСКОГО 1 – 3 декабря 2009 г. Москва. М.: Институт
кристаллографии им. А.В.Шубникова РАН, 2009. Р.43. http://www.crys.ras.ru/~strength/?q_id=_spis
1247.
Е.П.Прокопьев. Позитронсодержащие атомные системы в пылевой космической плазме. ICNRP
′09 7-я Международная конференция. ЯДЕРНАЯ И РАДИАЦИОННАЯ ФИЗИКА. 08-11 сентября 2009
года. Алматы, Республика Казахстан. Алматы: ИЯФ РК, 2009. См. сайт конференции:
http://www.inp.kz/conference/index.php?part=12.
и
Программу:
http://www.inp.kz/conference/conference/pub2.files/6.doc
1248.
Чаплыгин Ю.А., Графутин В.И., Тимошенков С.П., Прокопьев Е.П. Определение размеров
нанообъектов в пористых системах и дефектных материалах по методу УРАФ. Материалы VII
Международной научно-технической конференции, 7 – 11 декабря 2009 г. МОСКВА, INTERMATIC – 2 0 0
9, часть 2. МИРЭА. С.17-19.
1249.
Скачать

ALL LIST PUBLICATIONS (RUS)(ENG) ( Standard of the American Physical Society)