РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ОТДЕЛЕНИЕ ХИМИИ И НАУК О МАТЕРИАЛАХ

РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК
ОТДЕЛЕНИЕ ХИМИИ И НАУК О МАТЕРИАЛАХ
НАУЧНЫЙ СОВЕТ ПО ХИМИИ ВЫСОКОЧИСТЫХ ВЕЩЕСТВ
НАУЧНЫЙ СОВЕТ ПО АНАЛИТИЧЕСКОЙ ХИМИИ
ИНСТИТУТ ХИМИИ ВЫСОКОЧИСТЫХ ВЕЩЕСТВ РАН
НИЖЕГОРОДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
им. Н.И. ЛОБАЧЕВСКОГО
ВЫСОКОЧИСТЫЕ ВЕЩЕСТВА
И МАТЕРИАЛЫ.
ПОЛУЧЕНИЕ, АНАЛИЗ, ПРИМЕНЕНИЕ
XII КОНФЕРЕНЦИЯ
ПРИГЛАСИТЕЛЬНЫЙ БИЛЕТ
И ПРОГРАММА
НИЖНИЙ НОВГОРОД, 2004
УВАЖАЕМЫЙ КОЛЛЕГА!
Оргкомитет XII конференции «Высокочистые вещества и
материалы. Получение, свойства, применение» приглашает Вас принять
участие в работе конференции, которая состоится 31 мая - 3 июня 2004
года в Институте химии высокочистых веществ РАН (603950, Нижний
Новгород, ГСП-75, ул. Тропинина, 49)
Организационный комитет
Девятых Г.Г.
Дианов Е.М.
Золотов Ю.А.
Карпов Ю.А.
Федоров В.А.
Чурбанов М.Ф.
Лазукина О.П.
Аристов В.В.
Бурханов Г.С.
Гаврищук Е.М.
Грибов Б.Г.
Гурьянов А.Н.
Гусев А.В.
Елютин А.В.
Ковалев И.Д.
Крылов В.А.
Кутепов А.М.
Кузнецов Н.Т.
Максимов Г.А.
Моисеев А.Н.
Рябенко Е.А.
Плотниченко В.Г.
Севастьянов В.Г.
Степанов В.М.
Черноруков Н.Г.
академик, ИХВВ РАН - председатель
академик, НЦВО при ИОФ им. А.М. Прохорова РАН сопредседатель
академик, ИОНХ им. Н.С. Курнакова РАН сопредседатель
чл.-корр. РАН, ФГУП«ГИРЕДМЕТ» -зам.председателя
д.т.н., профессор, ИОНХ им. Н.С. Курнакова РАН - зам.
председателя
чл.-корр. РАН, ИХВВ РАН - зам. председателя
д.х.н., ИХВВ РАН - ученый секретарь
чл.-корр. РАН, ИПТМ РАН
чл.-корр. РАН, ИМЕТ им. А.А. Байкова РАН
д.х.н., ИХВВ РАН
чл.-корр. РАН, НИИОСЧМ
чл.-корр. РАН, ИХВВ РАН
д.х.н., ИХВВ РАН
академик, ФГУП «ГИРЕДМЕТ»
д.х.н., ИХВВ РАН
д.х.н., профессор, ИХВВ РАН
академик, МГУ ИЭ
академик, ИОНХ им. Н.С. Курнакова РАН
д.х.н., профессор, ННГУ им. Н.И. Лобачевского
д.х.н., ИХВВ РАН
д.т.н., профессор, ФГУП «ИРЕА»
д.ф.-м.н., профессор, НЦВО при ИОФ им. А.М.
Прохорова РАН
д.х.н., профессор, МГАТХТ им. М.В. Ломоносова
д.х.н., профессор, ННГУ им Н.И. Лобачевского
д.х.н., профессор, ННГУ им. Н.И. Лобачевского
К СВЕДЕНИЮ УЧАСТНИКОВ!
Регистрация участников будет проводиться с 8 до 20 часов 30 мая 2004 года
и с 8 до 10 часов 31 мая в Институте химии высокочистых веществ РАН.
Проезд: от железнодорожного вокзала автобусами 43, 66, маршрутными
такси 3, 103, 66, 166, 144, на автолайне 143 «Московский вокзал –
Щербинки» до остановки «конечная Щербинки»; от аэропорта автобусами
«экспресс» или маршрутными такси до проспекта Гагарина или проспекта
Ленина, а далее транспортом, идущим в Щербинки.
Командировки оформлять в Институт химии высокочистых веществ РАН
(ИХВВ РАН). Билеты на обратный проезд просим приобретать
самостоятельно.
Заявки на бронирование мест в гостинице необходимо направить в адрес
оргкомитета до 15 апреля. Места в гостинице будут бронироваться в
соответствии с заявками.
К СВЕДЕНИЮ ДОКЛАДЧИКОВ!
Время устного сообщения - 15 минут. Иллюстрационный материал к
устным докладам представлять на дискетах или дисках CD-R и CD-RW,
подготовленных в программе MS-power point, или на прозрачных пленках.
Все материалы стендовых докладов должны быть вывешены на стенде до
начала стендовой сессии (стендовый доклад - 6-8 листов формата А4 или
стандартный лист 600 ммх800 мм).
Просим авторов представлять стендовые доклады с 17.00 до 19.00 часов
31 мая и присутствовать на обсуждении стендовых докладов.
ПРОГРАММА КОНФЕРЕНЦИИ
ОТКРЫТИЕ КОНФЕРЕНЦИИ
31 мая
Пленарное заседание
10.00-13.00
Председатель заседания – академик Г.Г. Девятых
1.
Академик Г.Г. Девятых. Вступительное слово.
2.
Г.Г. Девятых, М.Ф. Чурбанов. Современные задачи
химии высокочистых веществ.
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
3.
Е.М. Дианов. Стеклянный волоконный световод –
неисчерпаемый источник для исследований и разработок.
НЦВО при ИОФ им. А.М. Прохорова РАН, Москва
4.
Ю.А. Карпов. Диалектика чистоты. Десять заповедей.
ФГУП «ГИРЕДМЕТ», Москва
Перерыв
5.
11.40-12.00
Б.Г. Грибов. Критически важные материалы электронной
техники.
НИИОСЧМ, Москва, Зеленоград
6.
Г.С. Бурханов. Высокочистые металлические вещества
для фундаментальных исследований и разработки
функциональных материалов.
ИМЕТ им. А.А. Байкова РАН, Москва
Секция
ПОЛУЧЕНИЕ ВЫСОКОЧИСТЫХ ВЕЩЕСТВ
31 мая
Вечернее заседание
14.00-17.00
Председатель заседания – чл.-корр. РАН Б.Г. Грибов
1.
Нисельсон Л.А. Высокочистое вещество: физикохимический аспект.
ФГУП «ГИРЕДМЕТ», Москва
2.
А.Д. Буланов, О.Ю. Трошин, В.В. Балабанов, А.Н.
Моисеев. Синтез и глубокая очистка моноизотопного
силана.
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
3.
4.
Е.А. Созонтов1, А.Ю. Казимиров2, В.Г. Кон3, J. Zegenhagen4. Изотопный состав и параметр решётки Ge, Si.
1
НИЦ КМ ИКАН, Калуга,
2
CHESS, Cornell University, Итака, Нью-Йорк, США
3
РНЦ «Курчатовский институт», Москва;
4
ESRF, Гренобль, Франция
В.И. Лаврентьев, В.В. Соколов, Л.Н. Трушникова, В.В.
Мухин, Е.П. Муратов. Получение силана взаимодействием
силицидов лития с водой.
ИНХ им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск
5.
А.П. Котков, Н.Д. Гришнова, С.А. Адамчик, Ю.М.
Салганский, О.Ю. Чернова, Н.З. Сагдатуллин, А.Д.
Буланов, Н.Х. Аглиулов. Оптимизация процесса глубокой
очистки моносилана методом низкотемпературной
ректификации.
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
6.
Н.А. Потолоков1, В.А. Федоров2, В.Н. Потолоков2.
Нестационарный режим ректификации в колоннах со
средним резервуаром.
1
ОАО «НИИМЭТ», Калуга
2
ИОНХ им Н.С. Курнакова РАН, Москва
Перерыв
15.40-16.00
Председатель заседания – д.х.н. А.Н. Моисеев
7.
8.
И.Л. Селиваненко1, С.П. Соловьев1, И.А. Помыткин1,
Н.П. Винская1, Б.М. Андреев2. Получение и свойства
моноизотопной воды.
1
ООО НТЦ «Тонкие Технологии»,
2
РХТУ им. Д.И. Менделеева, Москва
А.П. Котков. Получение высокочистых гидридов мышьяка
и фосфора.
ФГУП «НПП «Салют», Нижний Новгород
9.
Н.А. Потолоков, А.В. Серов, В.Н. Потолоков, А.В.
Журавлев, В.А. Федоров, В.П. Колганов. Термодинамика
и кинетика восстановления трихлорида мышьяка
водородом.
ОАО «НИИМЭТ», Калуга
ИОНХ им. Н.С. Курнакова РАН, Москва
МСХА им. К.А. Тимирязева (КФ), Калуга
А.М. Бессарабов, А.В. Авсеев, М.Ю. Гафитулин, А.В.
Трефилов, А.Ю. Демьянюк. Развитие информационных
технологий в подотрасли химических реактивов и особо чистых
веществ.
10.
ФГУП «ИРЕА», Москва
Общая стендовая сессия конференции
17.00-19.00
1июня
Утреннее заседание
9.00-13.00
Председатель заседания – проф. Л.А. Нисельсон
1.
2.
В.А. Федоров1, Н.А. Потолоков2, Е.А. Рябенко3, А.В.
Сметанин4 В.И. Холстов4. Продукты детоксикации
химического оружия - сырьевая база для производства
высокочистых мышьяксодержащих веществ и
материалов.
1
ИОНХ им. Н.С. Курнакова РАН, Москва
2
ОАО «НИИМЭТ», Калуга
3
ФГУП «ИРЕА», 4ГосНИИОХТ, Москва
В.И. Горшков, В.А. Иванов. О возможности
двухпараметрического ионообменного разделения при
глубокой очистке веществ.
МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва
3.
Г.Р. Аллахвердов. Термодинамические свойства
высококонцентрированных растворов электролитов.
ФГУП «ИРЕА», Москва
4.
В.В. Якшин, О.М. Вилкова. Перспективы применения
макроциклических экстрагентов для получения
высокочистых солей металлов.
ФГУП «ВНИИХТ», Москва
5.
И.В. Миронов, Е.В. Макотченко, В.А. Афанасьева.
Экстракционные способы получения высокочистого золота.
ИНХ им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск
Перерыв
10.30-10.50
Председатель заседания – д.х.н. А.В. Гусев
6.
7.
В.Г. Майоров1, Н.В. Зоц2, А.И. Николаев1, И.В.
Бакланова1. Высокочистые соединения ниобия и тантала
при переработке лопаритового, перовскитового и
колумбито-танталитовых концентратов.
1
ИХТРЭМС им. И.В. Тананаева КНЦ РАН, Апатиты
2
ЗАО «Росредмет», Санкт-Петербург
В.И. Иваненко, И.А. Удалова, Э.П. Локшин, В.Т.
Калинников. Сорбционная очистка водных растворов
щелочных и щелочноземельных элементов гидрофосфатом
титанила.
ИХТРЭМС им. И.В. Тананаева КНЦ РАН, Апатиты
8.
С.С. Бердоносов, И.В. Мелихов. Детальное изучение
элементарных стадий сублимационно-десублимацион-ного
процесса как путь повышения чистоты десублимата.
МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва
9.
Л.И. Осипова (ученый секретарь Выставки-коллекции). 30
лет Выставке-коллекции веществ особой чистоты.
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
Обсуждение стендовых докладов
Посещение Выставки-коллекции
веществ особой чистоты
14.00-14.30
3 июня
Утреннее заседание
9.00-12.30
Председатель заседания – проф. В.А. Федоров
1.
В.М. Ажажа1, И.И. Папиров1, В.А. Шкуропатенко1, А.Г.
Лавренович2, В.Д. Вирич1. Получение селена высокой
чистоты из вторичного сырья.
1
ННЦ «Харьковский физико-технический институт»,
ИФТТМТ, 2ХНУ им. В.Н. Каразина, Харьков, Украина
2.
В.М. Ажажа, П.Н. Вьюгов, Г.П. Ковтун, И.М. Неклюдов.
Получение и применение некоторых высокочистых редких
металлов.
ННЦ «Харьковский физико-технический институт»,
ИФТТМТ, Харьков, Украина
3.
О.Н. Калашник. Получение материалов особой чистоты
пирогидролизным методом.
ОАО «НИИ супер ЭВМ», Москва
4.
5.
П.В. Аноров1, И.Д. Зарцын1, А.В. Наумов1, А.Ю.
Завражнов1, В.П. Зломанов2. Регулирование состава
конденсированных тел методом ХТР в условиях
минимальной рекристаллизации.
1
ВГУ, Воронеж
2
МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва
Ф.Д. Манилевич, Л.Ф. Козин, А.К. Богданова, Б.И.
Данильцев. Разработка гидроэлектрохимического метода
получения высокочистого никеля.
ИОНХ им. В.И. Вернадского НАНУ, Киев, Украина
6.
О.Г. Громов, Э.П. Локшин, А.П. Кузьмин, Г.Б. Куншина,
Е.Б. Сейтенова, Ю.А. Савельев. Получение
поликристаллического вольфрамата свинца PbWO4.
ИХТРЭМС им. И.В. Тананаева КНЦ РАН, Апатиты
Перерыв
11.00-11.20
Председатель заседания - чл.-корр. НАНУ В.М. Ажажа
7.
П.П. Федоров. Зависимость равновесного коэффициента
распределения от ионного радиуса примесного катиона при
кристаллизации неорганических веществ из расплава.
НЦЛМТ при ИОФ им. А.М. Прохорова РАН, Москва
8.
Е.В. Жариков1 В.Б. Дудникова2, В.С. Урусов2.
Коэффициент распределения примесей при кристаллизации
форстерита Mg2SiO4.
1
НЦЛМТ при ИОФ им. А.М. Прохорова РАН,
2
9.
ГЕОХИ им. В.И. Вернадского РАН, Москва
А.Н. Золотников, Р.М. Малышев, В.Е. Бомштейн, А.Е.
Круглик, А.А. Седов, А.А. Факеев. Получение формиата
кальция особой чистоты методом пульсационной
изотермической кристаллизации.
ФГУП «ИРЕА», Москва
10.
В.И. Стафеев. О квазинеоднородности чистых веществ.
ФГУП «НПО «Орион», Москва
11.
В.М. Степанов, И.Г. Шестаков. Теория формирования
примесного состава природных и техногенных объектов.
ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
Секция
АНАЛИЗ ВЫСОКОЧИСТЫХ ВЕЩЕСТВ
И ОПРЕДЕЛЕНИЕ СЛЕДОВ ЭЛЕМЕНТОВ
1 июня
Вечернее заседание
15.00-19.30
Председатель заседания - д.х.н. И.Д. Ковалев
1.
Г.А. Максимов, Д.Е. Николичев, Д.О. Филатов, В.Г.
Шенгуров. Исследование состава нанокластеров GeSi/Si
методом растровой Оже-микроскопии.
ННГУ им. Н.И. Лобачевского
2.
В.А. Крылов. Тенденции развития современных методов
анализа высокочистых летучих веществ.
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
3.
И.Р. Шелпакова, А.И. Сапрыкин. Аналитические
возможности современных атомно-спектральных методов
многоэлементного анализа твердых высокочистых веществ
с предварительным концентрированием примесей.
ИНХ им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск
4.
В.Г. Пименов. Концентрирование примесей отгонкой
матрицы при анализе высокочистых полупроводниковых и
оптических материалов.
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
5.
6.
Д.Е. Максимов1, С.В. Ошемков2, А.А. Петров2, А.Н.
Рудневский1. Плазменно-лазерный флуоресцентный анализ
высокочистых веществ в импульсном горячем полом
катоде.
1
ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
2
НИИФ при С-ПбГУ, Санкт-Петербург
М.Н. Филиппов. Локальный анализ и анализ поверхности
высокочистых веществ и материалов.
ИОНХ им. Н.С. Курнакова РАН
7.
Л.А. Кеткова. Лазерная ультрамикроскопия высокочистых
сред с цифровой фоторегистрацией.
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
Перерыв
17.00-17.20
Председатель заседания – проф. М.Н. Филиппов
8.
С.Б. Шубина, Л.А. Смирнов. Исследование и аттестация
стандартного образца меди с низким содержанием
кислорода.
ГНЦ РФ ОАО «УИМ», Екатеринбург
9.
Г.Г. Главин, С.В. Овчинников. Влияние молекулярных
ионов на правильность определения изотопного состава
высокообогащенных изотопов.
ФГУП «ГИРЕДМЕТ», Москва
10.
Т.В. Котерева1, А.Г. Курганов1, П.Г. Сенников1, Б.А.
Андреев2, Н. Ниман3, Д. Шиль3. Определение кислорода и
углерода в изотопно обогащённом кремнии методом
абсорбционной ИК спектроскопии.
1
ИХВВ РАН, 2ИФМ РАН, Нижний Новгород
3
Physikalisch-Technische Bundesanstalt, Брауншвайг,
Германия
11.
А.П. Леушина1, Е.В. Маханова1, В.П. Зломанов2. Влияние
типа дефектной структуры и отклонения от стехиометрии на
работу твёрдоэлектролитных датчиков.
1
2
12.
ВятГУ, Киров
МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва
А.И. Сапрыкин, Я.В. Васильев. Аналитическое
обеспечение качества получения монокристаллов
ортогерманата висмута.
ИНХ им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск
Обсуждение стендовых докладов
Секция
ВЫСОКОЧИСТЫЕ МАТЕРИАЛЫ
2 июня
Утреннее заседание
9.00-13.00
Председатель заседания - чл.-корр. РАН М.Ф. Чурбанов
1.
А.Н. Гурьянов. Получение световодов на основе
высокочистого кварцевого стекла для волоконных лазеров.
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
2.
3.
В.А. Аксенов1, И.Л. Воробьев1, И.И. Долгов2 , Г.А.
Иванов1, В.А. Исаев1, А.О. Колосовский1 , С.К.
Моршнев1, Ю.К. Чаморовский1 , М.Я. Яковлев3.
Одномодовые волоконные световоды с кварцевой
сердцевиной и повышенной радиационной стойкостью.
1
ФИРЭ РАН, 2ЗАО «ЛИД»,
3
ЗАО ЦНИТИ «Техномаш-ВОС», Фрязино
В.А. Аксенов1, Г.А. Иванов1, В.А. Исаев1, Е.Б. Крюкова2,
В.Г. Плотниченко2, В.О. Соколов2. Распределение
примесных гидроксильных групп в заготовках волоконных
световодов, полученных методом MCVD.
1
ФИРЭ РАН, Фрязино
2
НЦВО при ИОФ им. А.М. Прохорова РАН, Москва
4.
5.
6.
И.И. Черемисин1, С.А. Попов1, Т.А. Ермоленко1, И.К.
Евлампиев2, А.Н. Трухин3, П.К. Туроверов1. Влияние
легирования фтором на структуру, спектральные и
люминесцентные характеристики высокочистого
кварцевого стекла типа КС-4В.
1
ИХС им. И.В. Гребенщикова РАН,
2
ООО “Силика Гласс Продактс”, Санкт-Петербург
3
ИФТТ Латвийского университета, Рига, Латвия
А.Н. Гурьянов1, М.В. Яшков1, И.А. Буфетов2, М.А.
Мелькумов2. Оптимизация состава фосфоросиликатного
стекла, легированного иттербием, для создания мощных
волоконных лазеров.
1
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
2
НЦВО при ИОФ им. А.М. Прохорова РАН
В.Г. Артюшенко1, П.Б. Басков2, В.В. Сахаров2, В.Д.
Федоров2, Г.М. Кузьмичева3, Т.В. Сахарова3, М.Д.
Мусина4, И.С. Лисицкий5, В.Ф. Голованов5, Г.В.
Полякова5.. Свойства твердых растворов Ag(Cl1-хBrх)
х=0.60÷0.85 в связи со свойствами полученных из них
поликристаллических оптических волокон.
1
A.R.T. Photonics GmbH, Берлин, Германия
ФГУП «ВНИИХТ», 3МГАТХТ им. М.В. Ломоносова, 4ИОФ
им. А.М. Прохорова РАН, 5ФГУП «ГИРЕДМЕТ», Москва
2
7.
Г.Е. Снопатин1, В.Г. Плотниченко2, В.С. Ширяев1,
М.Ф. Чурбанов1. Волоконные световоды из
высокочистых халькогенидных стекол с малыми
оптическими потерями в среднем ИК-диапазоне.
1
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
2
НЦВО при ИОФ им. А.М. Прохорова РАН, Москва
Перерыв
11.00-11.20
Председатель заседания – чл.-корр. РАН Г.С. Бурханов
8.
Г.Г. Девятых, Е.М. Гаврищук. Оптические элементы из
высокочистых CVD-ZnSe и CVD-ZnS.
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
9.
Э.Г. Жуков, В.А. Федоров. Физико-химические основы
выращивания монокристаллов магнитных полупроводников
– халькогенидных шпинелей.
ИОНХ им. Н.С. Курнакова РАН, Москва
10.
В.П. Зломанов. Проблемы регулирования нестехиометрии
полупроводниковых соединений.
МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва
11.
К.О. Болтарь1, В.И. Стафеев1, Л.Д. Сагинов1, И.Д.
Бурлаков1, Н.И. Яковлева1, А.Н. Моисеев2, А.П. Котков2,
В.В. Дорофеев2, Н.Д. Гришнова2. Исследование свойств
эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe, выращенных методом
химического осаждения из паров МОС и ртути на GaAs, и
МФП на их основе.
1
2
ФГУП «НПО «Орион», Москва
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
2 июня
Вечернее заседание
14.00-17.30
Председатель заседания – проф. В.Г. Плотниченко
1.
В.Г. Шенгуров1, С.П. Светлов1, Д.А. Павлов2, В.Ю.
Чалков1, С.А. Денисов2, П.А. Шиляев2, Н.И. Петуров3,
Ю.А. Кабальнов3, В.Д. Скупов3, Л.А. Синегубко3, В.Е.
Костюков3, Л.В. Красильникова4, М.В. Степихова4, З.Ф.
Красильник4. Гетероэпитаксиальные слои кремния,
выращенные на сапфире методом молекулярно-лучевой
эпитаксии.
НИФТИ ННГУ, 2ННГУ им Н.И. Лобачевского, 3НИИИС им.
Ю.Е. Седакова, 4ИФМ РАН, Нижний Новгород
1
2.
3.
Н.В. Личкова1, В.Н. Загороднев1, Л.Н. Бутвина2, А.Г.
Охримчук2. Материалы для твёрдотельных лазеров
среднего ИК-диапазона на основе галогенидов свинца и
щелочных металлов.
1
ИПТМ РАН
2
НЦВО при ИОФ им. А.М. Прохорова РАН, Москва
В.И. Арбузов. Влияние примесей железа на
функциональные свойства неодимовых лазерных и
радиационно-стойких стекол.
НИТИОМ ФГУП ВНЦ «ГОИ им. С.И. Вавилова»,
Санкт-Петербург
4.
В.В. Колташев1, И.А. Гришин2, В.Г. Плотниченко1, М.Ф.
Чурбанов2,3, Е.М. Дианов2. Измерение сечения
комбинационного рассеяния света в теллуритных стеклах
различного состава.
5.
1
НЦВО при ИОФ им. А.М. Прохорова РАН
2
ННГУ им. Н.И. Лобачевского,
3
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
Л.А. Калинина, Е.Г. Фоминых, Г.И. Широкова, Ю.Н.
Ушакова. Электрохимическое получение
нестехиометрических сульфидов с контролируемым
составом и свойствами.
ВятГУ, Киров
Перерыв
15.30-15.50
Председатель заседания - д.х.н. Е.М. Гаврищук
6.
В.В. Безруков, М.А. Гурьянов, И.Д. Ковалев, Д.К.
Овчинников. Определение газообразующих примесей в
высокочистом кремнии на тандемном лазерном массрефлектроне.
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
7.
8.
О.И. Запорожец1, Н.А. Дордиенко1, В.В. Жолудь1, Г.С.
Бурханов2, А.В. Бочко2. Влияние внешних воздействий на
упругие свойства монокристаллов W и Mo различной
степени чистоты.
1
ИМФ им. Г.В. Курдюмова НАНУ, Киев, Украина
2
ИМЕТ им. А.А. Байкова РАН, Москва
И.В. Беляев1, Е.В.Сидоров1, Г.С. Бурханов2.
Монокристаллические постоянные магниты.
9.
1
ОАО НПО «Магнетон», Владимир
2
ИМЕТ им. А.А. Байкова РАН, Москва
В.И. Лаврентьев. Полиэдрические олигосилсесквиоксаны
как фото-, рентгеновские и электронные резисты для сухой
микро- и нанолитографии.
ИНХ им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск
Обсуждение стендовых докладов
ЗАКРЫТИЕ КОНФЕРЕНЦИИ
3 июня
Пленарное заседание
14.00-17.00
Председатель заседания – академик Г.Г. Девятых
1.
Х.-Й. Поль. Монокристаллы
проекта АВОГАДРО.
28
Si для международного
VITCON Projectconsult GmbH, Йена, Германия
2.
Г.Г. Девятых, А.В. Гусев. Высокочистый моноизотопный
кремний. Получение, свойства, применение.
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
3.
И.Д. Ковалев. Методы анализа высокочистых
ретроспектива, возможности, перспективы.
веществ:
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
4.
А.А. Алякин, А.М. Бессарабов, А.В. Поляков. Анализ
отраслевых интеллектуальных ресурсов в научном
направлении «Химические реактивы и особо чистые
вещества» за период 1990-2002 гг.
ФГУП «ИРЕА», Москва
Обсуждение итогов конференции.
Принятие решения.
СТЕНДОВЫЕ ДОКЛАДЫ
Секция
ПОЛУЧЕНИЕ ВЫСОКОЧИСТЫХ ВЕЩЕСТВ
1.
2.
Н.А. Потолоков1, В.А. Федоров2. Особенности очистки
сжиженных газов методом простой перегонки.
1
ОАО «НИИМЭТ», Калуга
2
ИОНХ им. Н.С. Курнакова РАН, Москва
Н.А. Потолоков1, В.А. Федоров2, В.Н. Потолоков2.
Ректификационная очистка хлористого водорода в
интервале температур 193 - 293 К.
3.
1
ОАО «НИИМЭТ», Калуга
2
ИОНХ им. Н.С. Курнакова РАН, Москва
П.Н. Дроздов, Е.Ю. Колотилов, Д.В. Муравьев.
Получение хлористого водорода высокой чистоты
мембранными и дистилляционными методами.
НГТУ, Нижний Новгород
4.
В.Г. Резчиков, Т.С. Кузнецова. Очистка водорода от
углеродсодержащих примесей с использованием искрового
разряда.
ФГУП «НПП «Салют», Нижний Новгород
5.
Н.А. Салтыкова. Электролитическое получение чистых
благородных металлов из хлоридных расплавов.
ИВЭХ УрО РАН, Екатеринбург
6.
А.П. Томилов1, В.А. Федоров2, И.Н. Черных1, В.В.
Турыгин1. Получение высокочистого арсина
электрохимическим методом.
1
2
7.
ГосНИИОХТ, Москва
ИОНХ им. Н.С. Курнакова РАН, Москва
В.М. Воротынцев, Г.М. Мочалов, С.С. Балабанов.
Получение фосфина методом электрохимического
восстановления фосфора.
НГТУ, Нижний Новгород
ООО «Фирма «ХОРСТ», Москва
8.
А.П. Котков, Н.Д. Гришнова, С.А. Адамчик, Ю.М.
Салганский. Очистка моносилана методом
криофильтрации.
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
9.
А. В. Губинов, Д. В. Исаев, И. А. Краев, А. Н. Моисеев.
Получение хладона-113 и четырёххлористого углерода
высокой чистоты для волоконной оптики.
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
10.
А.В. Губинов, А.Н. Моисеев, Н.Х. Аглиулов. Получение
высокочистого оксихлорида фосфора.
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
11.
В. Н. Потолоков, С. В. Николашин, Т. К. Менщикова, В.
А. Федоров. Равновесие жидкость-пар в системе AsCl3-HClH2O.
ИОНХ им. Н.С. Курнакова РАН, Москва
12.
В.Н. Потолоков, С.В. Николашин, Т.К. Менщикова.
Равновесие жидкость – пар в бинарных системах на основе
трихлорида мышьяка.
ИОНХ им. Н.С. Курнакова РАН, Москва
13.
14.
В.М. Воротынцев1, П.Н. Дроздов1, Е.Ю. Колотилов1, В.В.
Волков2, В.С. Хотимский2, Д.В. Муравьев1. Глубокая
очистка четырёхфтористого углерода на мембранах из
политриметилсилилпропина.
1
НГТУ, Нижний Новгород
2
ИНХС им. А.В. Топчиева РАН, Москва
В.М. Воротынцев, В.М. Малышев, П.Г. Тарабуров, И.В.
Козырев. Глубокая очистка тетрафторида углерода для
микроэлектроники методом газогидратной кристаллизации.
НГТУ, Нижний Новгород
ООО «Фирма «ХОРСТ», Москва
15.
П.Н. Дроздов, И.В. Воротынцев. Механизм проницаемости
аммиака через мембрану из ацетата целлюлозы.
НГТУ, Нижний Новгород
16.
В.М. Воротынцев, Г.М. Мочалов, М.А. Колотилова.
Исследование термодинамического равновесия жидкость –
пар в системах дихлорсилан – микропримесь органических
и кремнийорганических веществ.
НГТУ, Нижний Новгород
17.
Л.А. Нисельсон, А.В. Елютин, Е.Л. Чувилина, А.А.
Гасанов. Разделение и очистка циркония и гафния
методами, основанными на летучести их тетрахлоридов.
ФГУП «ГИРЕДМЕТ», Москва
18.
Л.А. Нисельсон, Е.Л. Чувилина, А.А. Гасанов, Г.Ю.
Щербинина. Пентахлориды ниобия и тантала – исходная
форма для синтеза других соединений этих металлов.
ФГУП «ГИРЕДМЕТ», ООО «Ланхит», Москва
19.
Л.А. Нисельсон, Г.Ю. Щербинина, А.А. Гасанов.
Развитие технологии получения высокочистых
пентахлоридов ниобия и тантала.
ФГУП «ГИРЕДМЕТ», ООО «Ланхит», Москва
20.
Е. В. Курилова, А. Ю. Завражнов, Д.Н. Турчен, А. В.
Наумов, П. В. Аноров, Е. Г. Гончаров. Неразрушающий
химический транспорт в управлении составом сульфидов
индия.
ВГУ, Воронеж
21.
В.Н. Колосов, В.М. Орлов, М.Н. Мирошниченко, Т.Ю.
Прохорова. Исследование микролегирования порошков
тантала и ниобия из газовой атмосферы в процессе
металлотермического восстановления.
ИХТРЭМС им. И.В. Тананаева КНЦ РАН, Апатиты
22.
23.
24.
А.Г. Касиков1, Б.Э. Затицкий2, К.А. Демидов3, О.А.
Хомченко3. Промышленное получение опытных партий
высокомарочного электролитного кобальта из гидратных
концентратов кобальта (III).
1
ИХТРЭМС им. И.В. Тананаева КНЦ РАН, Апатиты
2
ОАО «Институт Гипроникель» Санкт-Петербург
3
ОАО «Кольская ГМК», Мончегорск
Г.С. Бурханов1, И.В. Беляев2, О.Д. Чистяков1, Н.Б.
Кольчугина1, А.В.Кутепов2. Очистка неодима методом
зонной перекристаллизации.
1
ИМЕТ им. А.А. Байкова РАН, Москва
2
ОАО НПО «Магнетон», Владимир
В.М. Орлов, В.В. Сухоруков, Э.С. Матыченко. Очистка
скрапа танталовых конденсаторов.
ИХТРЭМС им. И.В. Тананаева КНЦ РАН, Апатиты
25.
Н.М. Барбин, Г.Ф. Казанцев. Получение кадмия
повышенной чистоты электроэкстракцией из щелочного
расплава.
ИМет УрО РАН, ИВЭХ УрО РАН, Екатеринбург
26.
Н.А. Потолоков1, В.А. Федоров2, В.П. Колганов3. Очистка
теллура и кадмия дистилляционными и
кристаллизационными методами.
27.
1
ОАО «НИИМЭТ», Калуга
2
ИОНХ им. Н.С. Курнакова РАН, Москва
3
МСХА им. К.А. Тимирязева (КФ), Калуга
О.Н. Калашник. Получение сурьмы особой чистоты
вакуумной дистилляцией.
ОАО «НИИ супер ЭВМ», Москва
28.
29.
В.Н. Абрютин1, О.Н. Калашник2, Л.А. Нисельсон3.
Возможные методы переработки отходов производства
теллуридов висмута и сурьмы.
1
ООО «АДВ-Инжиниринг», 2ОАО «НИИ супер ЭВМ»,
3
ФГУП «ГИРЕДМЕТ», Москва
Е.Л. Тихонова1, П.Е. Гайворонский , Ю.Е. Еллиев1,
Е.М. Гаврищук2, С.М. Мазавин2. Получение
высокочистого селена из отходов производства селенида
цинка.
1
ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2ИХВВ РАН,
Нижний Новгород
30.
М.П. Аганичев, Н.А. Потолоков, С.А. Козлов.
Технологический комплекс для получения галлия высокой
чистоты из отходов производства полупроводниковых
материалов типа AIIIBV.
ОАО «НИИМЭТ», Калуга
31.
32.
33.
Н.А. Потолоков1, С.А. Козлов1, И.О. Петрухин1, М.В.
Сажин1, В.А. Федоров2. Исследование процесса выделения
галлия и мышьяка из отходов производства арсенида
галлия.
1
ОАО «НИИМЭТ», Калуга
2
ИОНХ им. Н.С. Курнакова РАН, Москва
Н.А. Потолоков1, С.А. Козлов1, М.В. Сажин1, Е.А.
Жукова1, В.Л. Крюков1, В.А. Федоров2. Исследование
начальных стадий выделения галлия из отходов
жидкофазной эпитаксии полупроводниковых соединений
АIIIBV.
1
ОАО «НИИМЭТ», Калуга
2
ИОНХ им. Н.С. Курнакова РАН, Москва
П.С. Галкин, И.В. Ермолаев, С. Ю. Вильчек, А.А.
Кукулевич, Т.А Чанышева, А.И. Сапрыкин.
Электрохимическая переработка сплавов индий-оловосвинец с целью выделения индия.
ИНХ им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск
34.
Ю.В. Шевцов, И.И. Новосёлов, Е.Н. Дульцев, Т.А.
Чанышева, Д.Ю. Троицкий. Аппаратурное оформление
процесса рафинирования металлического висмута и
получение висмута высокой чистоты.
ИНХ им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск
35.
В.А. Шкуропатенко1, А.Г. Лавренович2, А.П.
Петриченко3, С.Г. Руденький1. Дистилляционное
оборудование для очистки вторичного селенового сырья.
ННЦ «Харьковский физико-технический институт»,
ИФТТМТ, 2ХНУ им. В.Н. Каразина, 3ООО «Технокор»,
Харьков, Украина
1
36.
Г.Г. Девятых1, А.В. Гусев1, О.Ф. Удалов1, В.С.
Красильников1, Г.А. Максимов2, О.А. Кузнецов2, А.В.
Корнаухов2, Е.А. Ускова2, В.Б. Шмагин3. Эпитаксиальные
слои кремния, полученные CVD методом из высокочистого
силана.
ИХВВ РАН, 2НИФТИ ННГУ, 3ИФМ РАН,
Нижний Новгород
1
37.
В.А. Гавва, О.Ф. Удалов, Н.Х. Аглиулов. Тигли для
выращивания высокообогащенных монокристаллов 28Si, 29Si
и 30Si методом Чохральского.
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
38.
Г.З. Блюм, А.М. Ярошенко, Е.А. Рябенко. Физикохимические аспекты процесса отмывки фторполимерных
поверхностей в технологии высокочистых реактивов.
ФГУП «ИРЕА», Москва
39.
М.М. Воробец, В.Т. Билоголовка, А.Г. Волощук, Я.Ю.
Тевтуль. Получение высокочистой поверхности
полупроводниковых подложек для микро- и
наноэлектроники.
ЧНУ, Черновцы, Украина
40.
Н.В. Ганина, В.Б. Уфимцев, В.И. Фистуль. Очистка
полупроводников АIIIBV от химических примесей
изовалентным легированием.
МГАТХТ им. М.В. Ломоносова, Москва
41.
М.А. Баженова, В.А. Шалыгин. Получение
дейтерированных органических соединений методом
изотопного обмена.
РХТУ им. Д.И. Менделеева, Москва
42.
О.В. Неёлова. Получение борцирконсилоксана для
применения в высокочистых композициях,
предназначенных для пассивации и защиты
полупроводниковых приборов.
Северо-Осетинский госуниверситет
им. К.Л. Хетагурова, Владикавказ
43.
А.Ф. Голота, И.Ю. Уклеина, В.И. Гончаров. Особо
чистый тетрафторид церия.
СГУ, Ставрополь
44.
45.
Г.П. Вальнин1, А.В. Беляков2, Е.Е. Гринберг1, Ю.И.
Левин1, Н.Я. Турова3. Получение тонкодисперсных
порошков оксида иттрия методом алкоксотехнологии.
1
ФГУП «ИРЕА»,
2
РХТУ им. Д.И. Менделеева,
3
МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва
И.Е. Стрельникова1, Е.Е. Гринберг1, А.В. Беляков2, Ю.В.
Ивлева2, Ю.И. Левин1, Н.Я. Турова3, Е.В. Жариков2.
Получение высокочистого форстерита методом
алкоксотехнологии.
46.
47.
1
ФГУП «ИРЕА»,
2
РХТУ им. Д.И. Менделеева,
3
МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва
Л.Г. Герасимова1, М.М. Лухтон2, А.И. Николаев1, В.Б.
Петров1. Получение диоксида титана с повышенной
термостойкостью.
1
ИХТРЭМС им. И.В. Тананаева КНЦ РАН, Апатиты
2
ООО «Титановые пигменты», Нижний Новгород
И.И. Новосёлов, Ю.В. Шубин, Н.И. Иванникова, Г.Н.
Кузнецов. Синтез Bi2O3 окислением расплава висмута
кислородом.
ИНХ им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск
48.
C.В. Шемякин, И.В. Шемякина, В.В. Мухин, А.А .Богаев.
Получение высокочистого фторида лития.
OАО «Новосибирский завод химконцентратов»,
Новосибирск
49.
И.В. Шемякина, С.В. Шемякин, В.В. Мухин, А.А. Богаев.
Получение особочистых солей лития.
OАО «Новосибирский завод химконцентратов»,
Новосибирск
50.
Г.И. Смирнов, Л.М. Димова, Н.В. Чебунина. Физикохимические взаимодействия при сорбционной глубокой
очистке солей натрия.
ИГУ, Иркутск
51.
52.
Н.В. Лапин1, Н.Я. Дьянкова1, Т.Л. Кулова2, Е.И.
Карсеева2, А.М. Скундин2. Катодные материалы.
Кобальтит лития: синтез и электрохимические свойства.
1
ИПТМ РАН, Черноголовка
2
ИЭЛАН им. А.Н. Фрумкина
А.А. Факеев, А.И. Сухановская, Б.В. Жданов, Л.Д.
Исхакова, Е.А. Рябенко. Технология метасиликата
стронция особой чистоты.
ФГУП «ИРЕА», Москва
53.
М.С. Кузнецов, И.С. Лисицкий, А.М. Волкова, С.В.
Сафонкин. Получение кристаллов бромида таллия для
датчиков X и γ излучения.
ФГУП «ГИРЕДМЕТ», Москва
54.
П. В. Аноров, А. Ю. Завражнов, В. И. Сидей, Е. Г.
Гончаров, Д.Н. Турчен, Е. В. Курилова. Получение
кристаллов GaSe с заранее заданным составом при помощи
неразрушающего химического транспорта.
ВГУ, Воронеж
55.
И.А. Фещенко, Ю.Н. Циновой, Ю.Н. Новоторов, А.В.
Тайнов. Получение высокочистого ацетата цинка
(кристаллогидрата и безводного продукта).
НИИХ ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
56.
Ю.Н. Циновой, Ю.Н. Новоторов, И.А. Фещенко.
Получение высокочистого тетраацетата свинца.
НИИХ ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
57.
О.Г. Громов, Э.П. Локшин, А.П. Кузьмин, Г.Б.
Куншина. Получение метаниобатов щелочных металлов и
твердых растворов на их основе.
ИХТРЭМС им. И.В. Тананаева КНЦ РАН, Апатиты
58.
В.М. Зыскин, И.А. Кравцова, А.Г. Верижникова. К
вопросу о получении и анализе карбоната кадмия «ОСЧ–74» для производства оптического стекла.
ОАО «Уральский завод химических реактивов»,
Верхняя Пышма
59.
М.А. Абдуллаев, Н.И. Борисов, А.М. Даукенов, А.И.
Прилипко, Д.К. Сулеев, К.Б. Тыныштыкбаев.
Получение технического кремния повышенной чистоты
из суперкварцитов Актасского и Сарыкольского
месторождений Казахстана.
КНТУ им. К.И. Сатпаева, Алматы, Казахстан
60.
П.К. Дорхаут1, П.Г. Бережко2, В.В. Мокрушин2, В.Ф.
Проскудин2, М.В. Царев2, Е.Н. Беляев2, Е.Г. Орликова2,
Н.М. Крекнина2, А.Г. Лещинская2. Особенности синтеза и
термического разложения иодида скандия для получения
компонентов наполнения металлогалогенидных ламп.
1
Университет штата Колорадо, Форт-Коллинз, США
2
61.
РФЯЦ-ВНИИЭФ, Саров
И.Я. Кузнецова, И.С. Ковалева, В.А. Федоров.
Взаимодействие в тройной системе CdBr2-PbBr2-CsBr.
ИОНХ им. Н.С. Курнакова РАН, Москва
62.
Ю.П. Кириллов, А.Н. Моисеев, Д.В. Исаев.
Математическая модель процесса глубокой очистки веществ
в двухсекционной ректификационной колонне со средним
питающим резервуаром в отборном режиме.
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
63.
А.А. Сибиркин, М.И. Малышева. Разделительная
способность неадиабатической противоточной
кристаллизационной колонны.
ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
64.
А.П. Котков, Н.Д. Гришнова, С.А. Адамчик. Расчет
тепловых потерь колонн для низкотемпературной
ректификации гидридных газов.
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
65.
Н.К. Булатов, Л.В. Жукова, В.В. Жуков, С.М. Копытов.
Термодинамическое исследование равновесий в
гетерогенных системах при химическом синтезе
высокочистых галогенидов металлов для ИК-волоконной
оптики.
УГТУ, Екатеринбург
66.
Е.Д. Тотчасов, А.В. Ладанов, М.Ю. Никифоров, Г.А.
Альпер. Расчёт предельных коэффициентов активности
неэлектролитов в бинарных смесях н-алканол–н-алкан.
ИХР РАН, Иваново
67.
М.Ю. Никифоров, Е.Д. Тотчасов, А.В. Ладанов, Г.А.
Альпер. Энергия Гиббса растворения неэлектролитов в
неводных смешанных растворителях в рамках теории
молекулярной ассоциации.
ИХР РАН, Иваново
68.
М.Я. Иванов, А.М. Бессарабов, Д.А. Баранов, С.В.
Комкова. Моделирование плазмохимического синтеза
ультрадисперсного оксида олова особой чистоты.
LOHR PLASMA, Страсбург, Франция
ФГУП «ИРЕА», МГУ ИЭ, Москва
69.
70.
В.П. Колганов1, Н.А. Потолоков2, В.А. Федоров3. Расчёт
энергий адсорбции и коэффициентов аффинности
уравнения Дубинина-Радушкевича для систем газ (пар) –
цеолит.
1
МСХА им. К.А. Тимирязева (КФ),
2
ОАО «НИИМЭТ», Калуга,
3
ИОНХ им. Н.С. Курнакова РАН, Москва
А.Н. Колесников. Расчёт химического состава осаждённого
стеклообразного материала в проточном реакторе.
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
71.
О.В. Билевич, В.М. Степанов. Распространённость
элементов в природных объектах.
ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
72.
А.А. Алякин, Г.Р. Аллахвердов. Экономические аспекты
производства особо чистых веществ.
ФГУП «ИРЕА», Москва
Секция
АНАЛИЗ ВЫСОКОЧИСТЫХ ВЕЩЕСТВ
И ОПРЕДЕЛЕНИЕ СЛЕДОВ ЭЛЕМЕНТОВ
1.
В.А. Хвостиков, С.С. Гражулене. Исследование процессов
формирования оксидов металлов в газовой фазе тлеющего
разряда комбинированным эмиссионно-флуоресцентным
методом.
ИПТМ РАН, Черноголовка
2.
Н.П. Заксас, Л.Н. Комиссарова, С.В. Ковалевский, И.Р.
Шелпакова. ДДП-АЭС анализ высокочистого диоксида
теллура.
ИНХ им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск
3.
И. А. Краев, Е. И. Мишина, А. Н. Моисеев, В. Г.
Пименов. Анализ высокочистого диэтилтеллура атомноэмиссионным методом с концентрированием примесей
отгонкой матрицы.
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
4.
Д.Н. Лазарев, М.М. Липатова, В.Г. Пименов. Анализ
высокочистого диоксида теллура атомно-эмиссионным
методом с концентрированием примесей отгонкой матрицы
в автоклаве.
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
5.
И.В. Николаева, Л.Н. Комиссарова, Е.В. Полякова, А.И.
Сапрыкин. ИСП-МС анализ высокочистого теллура и его
диоксида с предварительным концентрированием
микропримесей.
ИНХ им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск
6.
О.М. Вилкова. Анализ особочистого пара-молибдата
аммония методом атомно-эмиссионной спектрометрии с
индуктивно-связанной плазмой.
ФГУП «ВНИИХТ», Москва
7.
В.Г. Резчиков. Генераторы электрических разрядов для
плазмохимических реакций в анализе чистых веществ.
НГСХА, Нижний Новгород
8.
И.Д. Ковалев, В.Г. Пименов, А.М. Потапов. Анализ
высокочистого кремния методом лазерной массспектрометрии с концентрированием примесей на
поверхности пробы отгонкой матрицы.
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
9.
Д.Б. Лакеев, В.В. Якшин. Определение содержания
микропримесей методом масс-спектрометрии с индуктивно
связанной плазмой (ИСП-МС) в процессах экстракции
металлов.
ФГУП «ВНИИХТ», Москва
10.
В.Т. Билоголовка, А.Г. Волощук, В.В. Дийчук, П.М.
Фочук. Определение неконтролируемых примесей в
монокристаллах CdTe методом послойного атомноабсорбционного анализа.
ЧНУ, Черновцы, Украина
11.
В.Г. Меркулов, Г.Г. Глухов. Нейтронно-активационное
определение примесных элементов в полупроводниковом
кремнии различных производителей.
ГНУ «НИИ ядерной физики при ТПУ», Томск
12.
В.А. Крылов, Ю.М. Салганский, О.Ю. Чернова.
Газохро-матографический анализ силана на
органических и кремнийорганических веществ.
примеси
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
13.
В.А. Крылов1,2, О.Ю. Чернова2, А.Ю. Созин1. Хроматомасс-спектрометрический
анализ
высокочистого
тетрахлорида германия на примеси органических веществ.
1
ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
2
14.
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
В.А. Крылов, Т.Г. Сорочкина. Газохроматографическое
определение углеводородов С1- С4 в тетрафториде кремния
высокой чистоты.
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
15.
В.М. Воротынцев, Г.М. Мочалов, С.С. Суворов.
Газохромато-графическое определение
микропримесей в высокочистом трифториде азота.
НГТУ, Нижний Новгород
16.
А.Д. Буланов, Л.А. Кеткова, В.А. Крылов, О.П.
Лазукина, В.В. Балабанов. Субмикронные частицы
диоксида кремния в силане как источник примеси
кислорода в кремнии.
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
17.
К.В. Кондакова, Г.Г. Сихарулидзе. Роль криогенного
концентратора примесей кислорода, углерода, азота и
аргона при их вакуум-экстракционном масс-спектральном
определении в высокочистых материалах.
ИПТМ РАН, Черноголовка
18.
А.А. Федоров. Кулонометрическое определение мышьяка.
ЧНУ, Черновцы, Украина
19.
А.П. Леушина1, Л.А. Колесникова2, В.П. Зломанов3
Кулонометрическое титрование при электрохимическом
исследовании селенида меди(I)
20.
1
ВятГУ,
2
Кировский авиационный техникум, Киров
3
МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва
Р.Д. Балашов, В.М. Ищенко, А.В. Аксенов, Д.В.
Балашов, А.А. Михалев. Е.П. Плотникова. Определение
микропримесей потенциометрическим методом при синтезе
кальцийвольфраматного рентгенолюминофора.
СГУ, Ставрополь
21.
А.М. Бессарабов, О.А. Жданович, К.К. Булатицкий,
Е.Д. Шигина. CALS-технологии при разработке
компьютерной системы по методам анализа особо чистых
веществ.
ФГУП «ИРЕА», Москва
22.
А.Н. Колесников1, В.М. Степанов2. Проверка гипотез о
виде функции распределения примесей при малом числе
данных
1
2
23.
ИХВВ РАН,
ННГУ им. Лобачевского, Нижний Новгород
В.В. Безруков, М.А. Гурьянов, И.Д. Ковалев, Д.К.
Овчинников. Создание системы автоматизированного
управления тандемным лазерным масс-рефлектроном.
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
24.
А.В. Юхневич. Некоторые особенности структурной
диагностики высокосовершенных монокристаллов кремния
методом селективного травления.
НИИ ФХП БГУ, Минск, Белоруссия
25.
С.В. Дрогобужская, О.Л. Власова, В.С. Басков. Определение
примесей в чистых солях лития.
ИХТРЭМС им. И.В. Тананаева КНЦ РАН, Апатиты
26.
Л.А. Чупров1, С.К. Игнатов2, П.Г. Сенников1, А.Г.
Разуваев2. ИК-спектроскопическое и квантовохимическое
исследование газофазного взаимодействия SiH4 и H2O.
1
ИХВВ РАН,
2
ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
27.
Л.А. Чупров1, П.Г. Сенников 1, В.Л. Вакс2, Е.Г.
Домрачева2, Н.В. Клюева2, М.Б. Черняева2. Исследование
примесного состава тетрафторида кремния методами ИКфурье-спектроскопии высокого разрешения и
нестационарной микроволновой спектроскопии
1
2
ИХВВ РАН
ИФМ РАН, Нижний Новгород
Секция
ВЫСОКОЧИСТЫЕ МАТЕРИАЛЫ
1.
В.В. Григорьянц, Л.Ю. Кочмарев, И.П. Шилов.
Высокоапертурные оптические волноводы из кварцевого
стекла, полученные в СВЧ-плазме пониженного давления.
ФИРЭ РАН, Фрязино
2.
3.
А.Н. Гурьянов1, А.А. Умников1, Н.Н. Вечканов1, А.Е.
Розенталь1, А.А. Рыбалтовский2, И.А. Буфетов2.
Получение волоконных световодов на основе
высокочистого кварцевого стекла, легированного иттербием
методом пропитки.
1
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
2
НЦВО при ИОФ им. А.М. Прохорова РАН, Москва
М.А. Ероньян, Л.Г. Левит, М.К. Цибиногина.
Особенности процесса взаимодействия кварцевого стекла с
фторсодержащими газами при высоких температурах.
ФГУП ВНЦ «ГОИ им. С.И. Вавилова»,
Санкт-Петербург
4.
В.Ф. Голованов, И.С. Лисицкий, В.В. Сахаров.
Исследование возможности получения
монокристаллических заготовок с переменным составом по
сечению для экструзии градиентных оптических волокон.
ФГУП «ГИРЕДМЕТ», Москва
5.
Е.М. Дианов, Ю.П. Яценко, А.Д. Прямиков, А.О.
Маврицкий. Параметрическое преобразование частоты в
маломодовых высоколегированных германосиликатных
световодах.
НЦВО при ИОФ им. А.М. Прохорова РАН, Москва
6.
В.С. Ширяев1; Ж. Люка2, Ж.-Л. Адам2, К. Буссар2.
Многомодовые и одномодовые световоды на основе стекол
системы As-Se-Te.
1
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
Лаборатория стекла и керамики, Реннский университет,
Ренн, Франция
2
7.
А.В. Маругин, А.И. Гордин. Формирование закрытого
оптического канала на основе каскадного лазера (λ = 8 мкм)
и халькогенидного волокна As-Se-Te.
ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
8.
И.В. Скрипачев1,2, Г.Ф. Братфиш1, Ю. Мессаддек1,
С.Ж.Л. Рибейро1. Исследование термомеханических
характеристик высокочистых сульфидно-мышьяковых
стекол.
1
UNESP, Араракуара, Бразилия
2
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
9.
10.
С.Х. Сантагнели1, И.В. Скрипачев1,3, Ж.Шнейдер2,
С.Ж.Л. Рибейро1, Ю. Мессаддек1. Исследование структуры
стекол в системе As2P2S8-Ga2S3.
1
UNESP, Араракуара, 2USP, Сан Карлос, Бразилия
3
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
Р.М. Шапошников, Г.Е. Снопатин, В.С. Ширяев.
Особенности течения расплава As2Se3 в каналах круглого и
кольцевого сечения..
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
11.
М.Ю. Матвеева1, Г.Е. Снопатин1, Е.Б. Крюкова.2, В.Г.
Плотниченко2. Изменение состава стеклообразующих
расплавов системы мышьяк-сера при вакуумной перегонке.
1
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
2
12.
13.
НЦВО при ИОФ им. А.М. Прохорова РАН, Москва
Г.Е. Снопатин1, В.Г. Плотниченко2, М.Ю. Матвеева1,
Е.Б. Крюкова2, М.Ф. Чурбанов1. Длинноволновый край
поглощения высокочистых стекол системы As-S.
1
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
2
НЦВО при ИОФ им. А.М. Прохорова РАН, Москва
С.В. Сметанин, В.С. Ширяев, Д.К. Овчинников, М.Ф.
Чурбанов, В.Г. Плотниченко, Е.Б. Крюкова.
Влияние примесей кислорода и углерода на
оптические потери в стекле As2Se3.
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
14.
Д.Д. Гусовский, Г.Е. Снопатин, В.Г. Пименов. Безводный
синтез оксидов теллура и вольфрама для волоконной
оптики.
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
15.
16.
И.А. Гришин1, Е.Б. Интюшин2, Ю.Е. Еллиев1, В.Г.
Плотниченко3, Ю.И. Чигиринский2. Исследование
оптических свойств вольфрам-теллуритного стекла и пленок
на его основе, полученных методом ВЧ-магнетронного
осаждения.
1
ННГУ им. Н.И. Лобачевского,
2
НИФТИ ННГУ, Нижний Новгород
3
НЦВО при ИОФ им. А.М. Прохорова РАН, Москва
В.Ф. Голованов, И.С. Лисицкий, Г.В. Полякова.
Некоторые новые результаты практики получения
кристаллов галогенидов серебра для волоконной оптики.
ФГУП «ГИРЕДМЕТ», Москва
17.
В.А. Федоров1, М.Н. Бреховских1, Н.Н. Виноградова2,
Л.Н. Дмитрук2, В.В. Осико2, Е.Е. Свиридова2. Синтез
высокочистых бинарных хлоридных соединений.
18.
1
ИОНХ им. Н.С. Курнакова РАН,
2
НЦЛМТ при ИОФ им. А.М. Прохорова РАН, Москва
А.А. Бабицына, Т.А. Емельянова, В.А. Федоров.
Стеклообразование в системе ZrF4 – PbF2 – LaF3 – NaF.
ИОНХ им Н.С. Курнакова РАН, Москва
19.
А.А. Бабицына, Т.А. Емельянова, В.А. Федоров.
Стеклообразование в системе ZrF4 – BaF2 – LaF3 – AlF3 –
NaF.
ИОНХ им Н.С. Курнакова РАН, Москва
20.
21.
И.А. Гришин1, В.В. Колташев2, Т.А. Петрова1, В.Г.
Плотниченко2, М.Ф. Чурбанов1,3, Е.М. Дианов2.
Галогенотеллуритные стекла.
1
ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
2
НЦВО при ИОФ им. А.М. Прохорова РАН, Москва
3
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
Э.В. Яшина. Получение сульфида цинка для ИК оптики.
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
22.
С.М. Мазавин1, В.Г. Плотниченко2, Е.М. Гаврищук1, Е.В.
Ефремова1, В.А. Шихов1. Получение халькогенидов цинка,
легированных ионами Cr+2 .
23.
24.
1
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
2
НЦВО при ИОФ им. А.М. Прохорова РАН, Москва
А.Ф. Щуров1, Т.А. Грачева1, Д.Н. Шеваренков1, С.П.
Степанов1, В.О. Писаревский1, Е.М. Гаврищук2, В.Б.
Иконников2, Э.В. Яшина2. Упруго-оптический эффект
газостатической обработки сульфида цинка.
1
ННГУ им. Н.И. Лобачевского,
2
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
Е.М. Гаврищук, Д.В. Савин, С.М. Мазавин, В.Б.
Иконников, А.И. Кирилов, А.И. Сучков. Получение
сульфоселенидов цинка ZnSxSe1-x CVD-методом.
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
25.
Е.М. Гаврищук, В.Б. Иконников, С.М. Мазавин, Д.В.
Савин, Э.В. Яшина. Высокотемпературная газостатическая
обработка CVD-халькогенидов цинка.
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
26.
Э.В. Яшина, Е.М. Гаврищук, В.Б. Иконников.
Исследование процесса рекристаллизации ZnS при
газостатической обработке.
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
27.
А.Ф. Голота, Е.Е. Тарасова, В.И. Гончаров. Фазовые
переходы и оптика сульфида цинка.
СГУ, Ставрополь
28.
Е.М. Гаврищук1, Л.А. Кузнецов2, С.М. Мазавин1.
Влияние температуры ростовой поверхности на
неоднородность слоев селенида цинка, полученных методом
химического осаждения из газовой фазы.
1
29.
Е.М. Гаврищук1, В.А. Шихов1, А.А. Перескоков1, А.А.
Погорелко1, А.Ю. Лукьянов2. Получение и исследование
свойств тонкослойных покрытий на подложках из
высокочистого CVD-ZnSe.
1
30.
ИХВВ РАН, 2ИФМ РАН, Нижний Новгород
В.И. Бредихин1, С.П. Кузнецов1, О.А. Мальшакова1, Е.М.
Гаврищук2, Э.В. Яшина2, В.Б. Иконников2. Оптические
потери в сульфиде цинка, полученном методом CVD-HIP.
1
31.
ИХВВ РАН, 2НГТУ, Нижний Новгород
ИПФ РАН, 2ИХВВ РАН, Нижний Новгород
С.Н. Мохов, В.И. Ковальков, А.Ф. Голота, В.М. Ищенко.
Влияние легирующих добавок элементов IIIА и VА-групп
на параметры электролюминофоров зеленого цвета
свечения на основе ZnS:Cu.
СГУ, Ставрополь
32.
33.
Н.К. Морозова1, В.В. Блинов1, С.М. Мазавин2, Э.В.
Яшина2. Оптика центров, обязанных присутствию
кислорода и меди в соединениях А2В6 (на примере ZnSe).
1
МЭИ (ТУ), Москва
2
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
Е.М. Гаврищук, О.В. Тимофеев. Исследование процесса
полирования поликристаллического селенида цинка.
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
34.
О.В. Тимофеев1, С.Р. Кушнир2, Е.М. Гаврищук1, Б.А.
Радбиль2. Разработка полировочных и наклеечных смол для
изготовления оптических элементов из CVD-ZnSe.
1
ИХВВ РАН,
2
ООО «Научно-внедренческая фирма Лесма»
Нижний Новгород
35.
А.Н. Моисеев 1, А.В. Чилясов 1, А.П. Котков1,2, В.А.
Иванов2. Получение эпитаксиальных слоёв высокочистого
GaAs осаждением из паров триметилгаллия и арсина.
1
36.
ИХВВ РАН, 2ФГУП НПП «Салют», Нижний Новгород
Г.Г. Девятых, А.Н. Моисеев, А.П. Котков, Н.Д.
Гришнова, А.И. Сучков, Л.А. Чупров, Т.В. Котерева.
Получение многослойных гетероструктур на основе CdxHg1-
xTe
химическим осаждением из паров МОС и ртути на
подложках из GaAs.
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
37.
А.Н. Редькин, В.И. Таций, З.И. Маковей. Химический
синтез нитрида галлия с использованием высокочистого
металлического галлия и хлорида аммония в качестве
исходных компонентов.
ИПТМ РАН, Черноголовка
38.
Ю.Н. Ноздрин1, А.В. Окомельков1 А.П. Котков2, А.Н.
Моисеев2, Н.Д. Гришнова2. Электромагнитное излучение
из пленок CdxHg1-xTe высокой чистоты при оптической
накачке.
1
39.
40.
ИФМ РАН, 2ИХВВ РАН, Нижний Новгород
Н.В. Сидоров1, М.Н. Палатников1, Н.А. Голубятник1,
В.Т. Калинников1, Б.Н. Маврин2, В.В. Асонов2. Процессы
порядок-беспорядок в системах керамических твёрдых
растворов LixN1-xTayNb1-yO3 и их проявление в спектрах
комбинационного рассеяния света.
1
ИХТРЭМС им. И.В. Тананаева КНЦ РАН, Апатиты
2
ИСАН, Троицк
М.Н. Палатников, Н.В. Сидоров, И.В. Бирюкова, П.Г.
Чуфырев, В.Т. Калинников. Оптические характеристики
номинально чистых и легированных монокристаллов
ниобата лития.
ИХТРЭМС им. И.В. Тананаева КНЦ РАН, Апатиты
41.
Н.В. Сидоров, П.Г. Чуфырев, М.Н. Палатников, Ю.А.
Железнов, В.Т. Калинников. Процессы структурного
упорядочения в номинально чистых и легированных
кристаллах ниобата лития, их проявление в спектрах
комбинационного рассеяния света и влияние на
фоторефрактивные свойства.
ИХТРЭМС им. И.В. Тананаева КНЦ РАН, Апатиты
42.
А.Б. Васильев, В.И. Волошин, В.Л. Маноменова, Б.В.
Мчедлишвили, Е.Б. Руднева. Рост кристаллов KDP со
специально введёнными калиброванными коллоидными
частицами.
ИКАН им. А.В. Шубникова, Москва
43.
Н.В. Иванникова, В.Н. Шлегель, Н.И. Петрова, Н.Ф.
Бейзель, В.А. Гусев, А.И. Сапрыкин. Влияние примесей
хрома и железа на сцинтилляционные характеристики
ортогерманата висмута.
ИНХ им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск
44.
45.
О.В. Медведева1, Ю.Г. Метлин2, Л.А. Калинина1, Ю.Н.
Ушакова1. Синтез прекурсоров для получения фаз на
основе тиогадолината кальция.
1
ВятГУ, Киров
2
МГУ им М.В. Ломоносова, Москва
А.П. Леушина1, Д.Н. Данилов1, Е.Н. Третьякова1, В.П.
Зломанов2. Изучение эффективности легирования селенида
германия дийодидом германия электрохимическими
методами.
46.
47.
1
ВятГУ, Киров
2
МГУ им М.В. Ломоносова, Москва
А.В. Тюрин1, К.С. Гавричев1, В.П. Зломанов2.
Калориметрическое исследование некоторых
полупроводниковых материалов AIIIBVI: теплоёмкость и
термодинамические функции
1
ИОНХ им. Н.С. Курнакова РАН,
2
МГУ им М.В. Ломоносова, Москва
В.И. Штанов, К.Ю. Веремеев, Л.В. Яшина, А.А.
Волыхов, А.В. Маряшкин. Экспериментальное
исследование и термодинамическое моделирование Т-х-у
фазовых диаграмм систем Pb-Ge-Te и Sn-Ge-Te.
МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва
48.
В.И. Штанов, С.Н. Дедюлин, М.Е. Тамм. Фазовая
диаграмма системы PbTe-GaTe и свойства твердого
раствора Pb1-xGaxTe.
МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва
49.
В.Н. Колосов. Влияние материала подложки на чистоту и
сверхпроводящие характеристики покрытий станнида
ниобия, полученных совместным электрохимическим
осаждением.
ИХРТЭМС им. И.В. Тананаева КНЦ СО РАН, Апатиты
50.
51.
Л.В. Яшина1, В.И. Штанов1, Е.В. Тихонов1, Т.С. Зюбина2,
В.С. Неудачина1, С.П. Кобелева3, М.Е. Тамм1.
Экспериментальное исследование и квантово-химическое
моделирование взаимодействия поверхности соединений
A(IV)B(VI) с кислородом
1
МГУ им. М.В. Ломоносова,
2
ИПХФ РАН, 3ФГУП «ГИРЕДМЕТ», Москва
В.А. Авенян, А.В. Бочко, Г.С. Доронин, В.Л. Сущева.
Высокочистый вюрцитный нитрид бора.
ФГУП «ГНИИМ», Дзержинск
52.
Е.К. Копкова, Л.И. Склокин
Универсальная, малоотходная гидрохлоридная
экстрационная технология получения оксидов железа
высокой чистоты для ферритной промышленности и
электронной техники.
ИХТРЭМС им. И.В. Тананаева КНЦ РАН, Апатиты
53.
В.М. Ищенко. Модификация поверхности
титансодержащими материалами.
СГУ, Ставрополь
54.
Э.Г. Жуков, Т.К. Менщикова, Г.С. Варнакова, В.А.
Федоров. Выращивание монокристаллов тетраселенида
дихрома меди CuCr2Se4 методом химических транспортных
реакций.
ИОНХ им. Н.С. Курнакова РАН, Москва
55.
56.
Э.Г. Жуков1, Г.И. Виноградова2, Л.В. Анзина2, Т.К.
Менщикова1, В.А. Федоров1. Получение и свойства
монокристаллов магнитного полупроводника HgCr2Se4.
1
ИОНХ им. Н.С. Курнакова РАН,
2
ИОФ им. А.М. Прохорова РАН, Москва
О.И. Запорожец1, Н.А. Дордиенко1, В.В. Жолудь1, В.З.
Балан1, Г.С. Бурханов2, А.В. Бочко2. Изменение упругих
модулей монокристаллов Мо при малых добавках рения.
1
2
57.
ИМФ НАНУ, Киев, Украина
ИМЕТ им. А.А. Байкова РАН, Москва
С.В. Плющева, В.В. Старков, И.И. Ходос, Л.А. Фомин,
Г.М. Михайлов. Получение и исследование углеродных
нанотрубок.
ИПТМ РАН, Черноголовка
58.
В.В. Рябова1, Г.Е. Снопатин1, А.А. Сибиркин2.
Определение давления насыщенного пара тетраиодида
теллура методом потока.
1
ИХВВ РАН, 2ННГУ им. Н.И. Лобачевского,
Нижний Новгород
59.
О.П. Лазукина, Л.А. Кеткова. Микро- и
нанонеоднородности в высокочистых материалах для ИКоптики: источники и методы контроля.
ИХВВ РАН, Нижний Новгород
60.
В.М. Надутов, О.И. Запорожец, Н.А. Дордиенко, Е.А.
Свистунов. Влияние углерода на ультразвуковые и упругие
свойства инварных Fe–Ni сплавов.
ИМФ им. Г.В. Курдюмова НАНУ, Киев, Украина
61.
О.Л. Белоусова1 , Т.Ю. Чемекова2. Шпинель как материал
для керамических фильтров.
1
ИХС им. И.В. Гребенщикова РАН,
2
ФГУП ВНЦ «ГОИ им. С.И. Вавилова»,
Санкт-Петербург
62.
Н.Т. Кузнецов, А.В. Антипов, О.Н. Гиляров, В.Г.
Севастьянов. Нанокристаллический диоксид гафния
повышенной чистоты для хемосенсорики.
ИОНХ им Н.С. Курнакова РАН, Москва
63.
В.М. Надутов, О.И. Запорожец, Н.А. Дордиенко. Влияние
примесей углерода и азота на упругие свойства ГЦК-
сплавов Fe-Cr-Mn-C и Fe-Cr-Ni-Mn-N.
ИМФ им. Г.В. Курдюмова НАНУ, Киев, Украина