Патентный формуляр

Рекомендации специалистам патентных служб к содержанию и
последовательности действий по приобретению интеллектуальных прав
(сохранение сведений в режиме конфиденциальности, получение
патентов на изобретения, полезные модели и промышленные образцы,
приобретение исключительных прав на программы для ЭВМ, базы
данных, топологии интегральных микросхем) на результаты научноисследовательских, проектно-конструкторских и технологических работ.
Введение
Обеспечение правовой охраны
создаваемых нанотехнологий и
продукции является одним из показателей реализации Программы развития
наноиндустрии в Российской Федерации до 2015 года, разработанной в
соответствии с поручением Правительства Российской Федерации от 12
июля 2007 г.
Только наличие правовой
охраны
созданных результатов
интеллектуальной деятельности обеспечивает возможность их легального
использования и введения в гражданский оборот. Наряду с правовой
охраной изобретений, полезных моделей и промышленных образцов,
необходима регистрация программ для ЭВМ, баз данных и топологий
интегральных микросхем, а также охрана ноу-хау в режиме коммерческой
тайны. Государственная регистрация обеспечивает
возможность
предоставления права на использование для ЭВМ, баз данных и топологий
интегральных микросхем на лицензионной основе , в том числе, в
соответствии с требованиями законодательства, для государственных нужд.
Режим коммерческой тайны для ноу-хау позволяет включать их в
гражданский оборот точно так же, как
любые другие объекты
интеллектуальной собственности.
Для подачи заявки на выдачу охранного документа необходимо
проведение
патентных исследований, подтверждающих новизну и
изобретательский уровень разработки. Патентные исследования также
позволяют обеспечить высокую конкурентоспособность результатов научнотехнической деятельности (далее – РНТД) путем постоянного отслеживания
мировых
тенденций
развития определённой области техники
и
сопоставления достигнутых
показателей
собственных разработок с
последними мировыми достижениями. Определение научно-технического
уровня разработок на основе патентной информации
представляется
чрезвычайно важным
как в рамках деятельности организаций –
разработчиков в сфере нанотехнологий, так и при проведении комплексной
научной и технологической экспертизы проектов и программ . Однако при
проведении
патентных исследований необходимо учитывать
многоотраслевой характер нанотехнологий и
ряд их специфических
особенностей, требующих особого подхода при проведении патентного
поиска.
2
Поэтому
работы по определению
патентоспособности
разработок, технического уровня, тенденций развития, патентной чистоты
и конкурентоспособности разработок в сфере нанотехнологий требуют
создания специальной нормативно-правовой и методологической базы.
В настоящей работе поставлена задача создания методического,
технологического и организационного обеспечения работ, связанных с
патентно-лицензионной деятельностью в государственном научнообразовательном секторе и организациях, образующих национальную
нанотехнологическую сеть. В части методического обеспечения таких работ
разработан комплект
методических рекомендаций по осуществлению
патентно-лицензионной деятельности. В этот комплект, во-первых, входят
методические рекомендации к содержанию и последовательности действий
по осуществлению правовой охраны результатов научно-исследовательских,
опытно-конструкторских и технологических работ.
Здесь необходимо отметить, что в техническом задании к проведению
настоящей работы эти рекомендации названы как
методические
рекомендации к содержанию и последовательности действий по
приобретению интеллектуальных прав. Однако такое название не совсем
корректно, поскольку под приобретением прав в соответствии с нормами
Гражданского кодекса Российской Федерации понимается их получение по
договору. В тоже время для организаций, образующих национальную
нанотехнологическую сеть, первостепенное значение имеет правовая охрана
разработок, созданных собственными силами. В этой связи название
разработанных в настоящей работе методических рекомендаций
откорректировано при полном сохранении сформулированного в
техническом задании
их существа. Рекомендации
определены как
«Методические рекомендации к содержанию и последовательности действий
по осуществлению правовой охраны результатов научно-исследовательских,
опытно-конструкторских и технологических работ». При этом, в
соответствии с техническим заданием к работе, они включают описание
содержания и последовательности действий по правовой охране результатов
научно-исследовательских, опытно-конструкторских и технологических
работ, в том числе по сохранению сведений в режиме конфиденциальности,
получению патентов на изобретения, полезные модели промышленные
образцы, оформлению прав на программы ЭВМ и топологии интегральных
микросхем.
В рамках Программы
развития
наноиндустрии в Российской
Федерации до 2015 года, Роспатенту поручено, в частности, обеспечение
нормативно-правовой и методической базы
проведения
патентных
исследований по определению технического уровня и тенденций развития,
патентоспособности, патентной чистоты и конкурентоспособности
разработок
в сфере нанотехнологий.
Для реализации этой задачи
разработаны «Методические рекомендации
по обеспечению высокого
технического уровня разработок и создания конкурентоспособной продукции
3
на основе патентной информации», а также «Руководство по проведению
исследований объектов техники на патентную чистоту».
Использование разработанного комплекта методических документов
позволит осуществлять все необходимые процедуры, связанные с правовой
охраной результатов интеллектуальной деятельности, создаваемых
организациями национальной нанотехнологической сети, а также
обеспечивать
требуемый
высокий
технический
уровень
и
конкурентоспособность разработок в сфере нанотехнологий, что будет
способствовать развитию наноиндустрии и поддержанию научнотехнического паритета Российской Федерации с ведущими странами мира.
4
Методические рекомендации к содержанию и последовательности
действий по осуществлению правовой охраны результатов научноисследовательских, опытно-конструкторских и технологических работ
(Методические рекомендации к содержанию и последовательности действий
по приобретению интеллектуальных прав)
1.1. Общие положения
Рекомендации к содержанию и последовательности действий по
осуществлению
правовой
охраны
результатов
интеллектуальной
деятельности, созданных в ходе выполнения научно-исследовательских,
опытно-конструкторских и технологических работ (НИОКР), проводимых
организациями, образующими национальную нанотехнологическую сеть,
основаны на положениях действующего законодательства, в первую очередь
на положениях Гражданского кодекса Российской Федерации, (далее - ГК
РФ).
Рекомендации предназначены для оказания методической помощи при
осуществлении правовой охраны полученных результатов интеллектуальной
деятельности, в том числе при выборе процедуры патентования, принятию
мер по правовой охране объектов в режиме коммерческой тайны,
обеспечении прав на программы для ЭВМ и топологии интегральных
микросхем.
В настоящих рекомендациях под результатами интеллектуальной
деятельности (РИД) в научно-технической сфере, в отношении которых в
соответствии с ГК РФ возможна правовая охрана, понимаются следующие
результаты:
объекты патентных прав, отвечающие установленным требованиям к
изобретениям и полезным моделям, и результаты интеллектуальной
деятельности в сфере художественного конструирования, отвечающие
установленным требованиям к промышленным образцам (ст.1349 ГК РФ);
объекты авторских прав, отвечающие требованиям, установленным к
программам для ЭВМ и базам данных (ст.1259-1261 ГК РФ);
секреты производства (ноу-хау), которыми признаются сведения любого
характера (производственные, технические и другие), имеющие
действительную или потенциальную коммерческую ценность в силу
неизвестности их третьим лицам, к которым у третьих лиц нет свободного
доступа на законном основании и в отношении которых обладателем таких
сведений введен режим коммерческой тайны (ст.1465 ГК РФ);
топологии
интегральных
микросхем,
которыми
признается
зафиксированное
на
материальном
носителе
пространственногеометрическое расположение совокупности элементов интегральной
микросхемы и связей между ними (ст.1448 ГК РФ).
Следует отметить, что возможность легального использования прав на
результаты интеллектуальной деятельности при их вовлечении в
5
гражданский оборот
обеспечивается только при наличии их правовой
охраны. Наряду с правовой охраной изобретений, полезных моделей и
промышленных образцов , необходима регистрация программ для ЭВМ, баз
данных и топологий интегральных микросхем, а также охрана ноу-хау в
режиме коммерческой тайны. Государственная регистрация обеспечивает
возможность предоставления права на использование для ЭВМ, баз данных
и топологий интегральных микросхем на лицензионной основе, в том числе,
в соответствии с требованиями законодательства, для государственных нужд.
Режим коммерческой тайны для ноу-хау позволяет включать их в
гражданский оборот точно так же, как
любые другие объекты
интеллектуальной собственности.
Правообладателями исключительных прав на созданные в организациях
результаты интеллектуальной деятельности при соблюдении определённых
законом условий могут являться:
-автор ( работник, выполняющий свои трудовые обязанности или
конкретное задание работодателя) );
-работодатель ( подрядчик, исполнитель работ по договору подряда
или по договору на выполнение НИОКР) ;
-заказчик работ по договору подряда или по договору на выполнение
НИОКР, при выполнении которых получен охраноспособный РИД, и/или
организация, финансирующая (полностью или частично) работы, при
выполнении которых получен РИД;
- Российская
Федерация, субъект
Российской Федерации или
муниципальное образование при выполнении работ по государственному или
муниципальному контракту;
- третьи лица , в том числе любые физические и юридические лица,
обладающие исключительными правами на результаты интеллектуальной
деятельности на законных основаниях, в том числе получившие
исключительные права по договору отчуждения или в порядке
универсального правопреемства (наследования, реорганизации юридического
лица) и при обращении взыскания на имущество.
Распределение прав на результаты интеллектуальной деятельности,
созданные по договору или государственному контракту, регулируется
нормами Гражданского кодекса Российской Федерации. Раздел VII ГК РФ
регламентирует распределение прав на результаты работ, которым
предоставляется правовая охрана как результатам интеллектуальной
деятельности (интеллектуальная собственность). При этом распределение
прав на результаты, созданные за счёт бюджетных средств, имеет
дополнительные особенности по определению обладателя интеллектуальных
прав.
Эти особенности
определены нормами
Постановления
Правительства РФ от 17 ноября 2005 г. N 685 "О порядке распоряжения
правами на результаты научно-технической деятельности" и Постановления
Правительства РФ от 29сентября 1998г. №1132 «О первоочередных мерах
по правовой защите интересов государства в процессе экономического и
гражданско-правового оборота результатов научно-исследовательских,
6
опытно-конструкторских и технологических работ военного, специального и
двойного назначения».
1.2.Порядок и содержание действий по осуществлению правовой охраны
создаваемых результатов интеллектуальной деятельности
1.2.1. Установление авторства и определение охраноспособности
созданного результата интеллектуальной деятельности.
Согласно статье 1228 ГК РФ, автором результата интеллектуальной
деятельности признается гражданин, творческим трудом которого создан
такой результат. Исключительное право на этот результат интеллектуальной
деятельности первоначально возникает у его автора. Это право может быть
передано автором другому лицу по договору, а также может перейти к
другим лицам по иным основаниям, установленным законом.
Результаты
интеллектуальной
деятельности,
создаваемые
в
организациях научно-технической сферы, как правило, являются
служебными, т.е. создаются при выполнении работником его трудовых
обязанностей или конкретного задания работодателя, в том числе при
выполнении работ по договорам на выполнение научно-исследовательских,
опытно-технологических и конструкторских работ. Служебными могут
признаваться также РИД, полученные при осуществлении трудовой
деятельности при участии в конкурсах и выполнении конкурсных заданий,
если участие работника в конкурсе определено как конкретное задание
работодателя.
В этом случае по закону, а именно, в соответствии со ст.1370 ГКРФ,
исключительные права на все служебные РИД принадлежат работодателю,
если трудовым или иным договором между работником и работодателем не
предусмотрено иное. Работодатель имеет право на получение охранного
документа на служебный РИД, на установление режима коммерческой тайны
в отношении РИД , на отчуждение права на получение охранного документа
другому лицу, на предоставление права использования РИД другому лицу и
на использование такого результата любым не противоречащим закону
способом.
С каждым работником, должностные обязанности которого
предусматривают творческую деятельность, организация-работодатель
заключает договор (контракт), положения которого должны определять
условия, порядок создания и использования созданных РИД.
Договор, в частности, должен содержать обязательство работника
письменно информировать работодателя о каждом созданном в ходе работы
охраноспособном результате. (Это обязательство предусмотрено пунктом 4
статьи 1370 ГК РФ). Работникам, уже состоящим к моменту вступления в
силу новой редакции ГК РФ в трудовых отношениях с работодателем,
должно быть предложено заключить дополнение к трудовому договору,
7
регулирующее вопросы создания и использования объектов исключительных
прав.
Информируя работодателя о создании способного к правовой охране
РИД, автор представляет в соответствующее уполномоченное подразделение
организации, занимающееся вопросами интеллектуальной собственности
(патентную службу), следующие материалы:
• заявление о создании служебного или созданного по личной
инициативе РИД, способного к правовой охране;
• краткое техническое описание РИД (сущность, сравнение с лучшими
известными аналогами, преимущества, сведения о предполагаемом
использовании), для программ для ЭВМ или базы данных – сведения о
созданном объекте; в описании ноу-хау должны быть приведены его
существенные признаки, совокупность которых необходима и достаточна для
получения ожидаемого от его использования результата;
• сведения о договоре на НИОКР, при выполнении работ по которому
получен РИД.
Патентная служба регистрирует полученные материалы на
предположительно охраноспособный РИД с указанием даты их получения.
Дата регистрации материалов является датой уведомления автором
работодателя о получении РИД, способного к правовой охране. Копия
заявления с проставленной датой регистрации выдается автору.
Уполномоченное подразделение организации (патентная служба)
рассматривает представленные материалы, совместно с автором проводит
патентные исследования и составляет предварительное заключение о
патентоспособности РИД, возможном объекте интеллектуальных прав,
целесообразности его патентования в РФ и за рубежом или сохранении в
режиме коммерческой тайны в качестве ноу-хау.
1.2.2. Процедура установления обладателя прав на
результат интеллектуальной деятельности.
созданный
Существо данного
этапа проведения работ заключается в
информировании сторон договора и заинтересованных лиц в факте создания
охраноспособного результата, проверки
соблюдения сторонами
предписанных законом сроков принятия решений, касающихся закрепления
прав, и установления на этом основании обладателя прав на созданный
объект исключительных прав.
Процедура
выполняемых организацией-работодателем
действий
зависит от распределения прав на созданный охраноспособный результат.
Для результатов работ, созданных по договорам или контрактам,
действуют следующие законодательные нормы.
Права на результаты интеллектуальной деятельности, созданные при
выполнении договора подряда или договора на выполнение научноисследовательских, опытно-конструкторских или технологических работ, в
том числе на объекты, способные к правовой охране, могут принадлежать
8
как заказчику, так и исполнителю работ, или заказчику и исполнителю
одновременно. При этом под исполнителем имеется в виду организация,
являющаяся исполнителем работ по договору, которая для автора-создателя
охраноспособного результата интеллектуальной деятельности, является
работодателем.
В случае выполнения работ по государственным контрактам интересы и
правомочия Российской Федерации, субъекта Российской Федерации или
муниципального образования представляет государственный заказчик. При
этом в соответствии с нормами закона и/или условиями государственных
контрактов права на результаты интеллектуальной деятельности могут
принадлежать:
организации, выполняющей государственный или муниципальный
контракт (исполнителю, он же работодатель);
- Российской Федерации, субъекту Российской Федерации или
муниципальному
образованию,
от
имени
которых
выступает
государственный или муниципальный заказчик;
- совместно исполнителю и Российской Федерации, исполнителю и субъекту
Российской Федерации или исполнителю и муниципальному образованию.
Таким образом, можно выделить следующие случаи:
(А)-права на результаты работ принадлежат организации-исполнителю
работ, т.е.работодателю;
(В)- права на результаты работ принадлежат заказчику или Российской
Федерации, субъекту Российской Федерации или муниципальному
образованию;
(С)- права на результаты работ принадлежат заказчику и исполнителю
совместно, или Российской Федерации, субъекту Российской Федерации или
муниципальному образованию и организации –исполнителю работ
совместно.
В случае (А), когда
права на созданные
РИД принадлежат
организации - работодателю, руководитель организации
с учетом
заключения патентной службы, принимает решение о получении на него
охранного документа, о сохранении в качестве ноу-хау или о возможном
отчуждении права на данный РИД третьим лицам.
При выполнении работ по государственному контракту работодатель
информирует государственного заказчика о созданном охраноспособном
результате, если это предусмотрено условиями государственного контракта.
В течение четырех месяцев подается заявка на получение патента на объекты
патентного права на имя работодателя или принимается решение о
сохранении этих сведений в тайне (охрана в режиме коммерческой тайны), о
чем информируются автор и государственный заказчик.
Конкретные сроки рассмотрения заявления автора о создании
программы для ЭВМ, базы данных, топологии интегральных микросхем и
принятия решения о форме их правовой охраны законом не установлены.
Они могут быть введены внутренними нормативными документами
9
организации и не должны превышать аналогичные сроки, установленные
для объектов патентного права. По закону регистрация программ для ЭВМ
и баз данных осуществляется по желанию правообладателя. Однако наличие
государственной регистрации не только упрощает процедуру лицензионной
передачи прав при введении этих объектов в хозяйственный оборот, но и
обеспечивает возможность предоставления права на их использование для
государственных нужд в случае выполнения работ по государственным
контрактам.
Автор должен быть извещен о принятом решении в отношении
созданного им РИД в срок не позднее 4-х месяцев с даты уведомления им
работодателя о получении результата, способного к правовой охране. Если в
указанный срок работодатель не примет соответствующего решения, то
право на получение патента на объект патентных прав переходит работнику
(автору).
В зависимости от принятого решения в отношении созданного РИД,
работодатель или осуществляет их регистрацию в федеральном органе
исполнительной власти по интеллектуальной собственности, или принимает
меры для сохранении этих объектов в тайне (охрана в режиме коммерческой
тайны). О намерении осуществить определённые действия по правовой
охране созданных результатов информируется автор и государственный
заказчик.
Исключительное право на секрет производства (ноу-хау) принадлежит
исполнителю и в отношении него вводится режим коммерческой тайны.
В случае (В)- когда права на результаты работ принадлежат заказчику
или Российской Федерации, субъекту Российской Федерации или
муниципальному образованию,
руководитель организации-исполнителя
(работодатель)
незамедлительно
информирует
заказчика
или
государственного заказчика о созданном охраноспособном результате, а
также сообщает об этом автору.
Заказчик работ по
договору, которому принадлежат права на
созданные результаты, как правило, осуществляет все действия, связанные с
правовой
охраной созданных результатов,
получением охранных
документов на свое имя и/или введением режима коммерческой тайны на
своём предприятии
самостоятельно, с привлечением к проведению
указанных работ автора. По условиям договора к проведению таких работ
может привлекаться
патентная служба
организации- исполнителя
(работодателя) .
Если же результаты работ подлежат закреплению за Российской
Федерацией, субъектом Российской Федерации или муниципальным
образованием, государственный заказчик должен принять решение о
получении охранных документов на созданные РИД или решение о
сохранении сведений в тайне. Если государственный заказчик в течение
установленного законом шестимесячного срока (п.2 ст.1373 ГК РФ) не
подаст заявку на получение патента, право на получение патента переходит
10
работодателю, который принимает решение о форме и порядке правовой
охраны и сообщает об этом государственному заказчику и автору. Для
программ для ЭВМ, баз данных, топологий интегральных микросхем срок
принятия решения не установлен .
Случай (С) определяет совместное обладание сторон договора или
контракта правами на результаты работ. Если права на результаты работ
принадлежат заказчику и исполнителю совместно, или Российской
Федерации, субъекту Российской Федерации или муниципальному
образованию и организации –исполнителю работ совместно, руководитель
организации-работодателя информирует
заказчика (государственного
заказчика) о создании охраноспособного РИД и направляет ему
предложения о возможном распределении прав и предполагаемой форме
правовой охраны.
В сроки, установленные договором или государственным контрактом,
эти предложения должны быть рассмотрены заказчиком (государственным
заказчиком), а результаты рассмотрения и принятое решение доведены до
сведения руководителя организации-работодателя, о чем уведомляется
автор.
Таким образом, информирование сторон договора и заинтересованных
лиц в факте создания охраноспособного результата, анализ принятых ими
решений и проверка соблюдения сторонами предписанных законом сроков
принятия решений, позволяет определить обладателя прав на созданный
результат интеллектуальной деятельности. Подготовка материалов о
патентоспособности РИД, предполагаемой форме правовой охраны, о
возможном распределении долей сторон при совместном обладании правами,
контроль за соблюдением установленных законом сроков, оформление
соответствующих предложений в адрес сторон договоров (контрактов) и
заинтересованных лиц осуществляется уполномоченным подразделением
организации –работодателя и является важнейшим этапом работ по
осуществлению правовой охраны полученных результатов.
2.3. Оформление прав на
созданные результаты
интеллектуальной деятельности
После того, как определён обладатель прав на созданные результаты
интеллектуальной деятельности, начинается процедура оформления и
подачи заявок на выдачу охранных документов и регистрацию прав.
В случае выполнения работ по контракту или договору, согласно
которому права на полученные результаты принадлежат исполнителю работ
(организации –работодателю), патентная служба организации –работодателя
производит их регистрацию в федеральном органе исполнительной власти
по интеллектуальной собственности, о чем информируется автор и
государственный заказчик. Заявки на получение охранных документов
оформляются на имя организации- работодателя. В случае выполнения работ
по контракту в соответствующей графе заявления отмечается, что данный
11
результат получен в рамках выполнения работ по государственному
контракту.
Если принято решение о сохранении этих объектов в тайне, патентная
служба организации –работодателя обеспечивает необходимые меры для
сохранении этих объектов в режиме коммерческой тайны.
При выполнении работ по контракту, порядок правовой охраны и
использования прав на
полученные результаты обычно определяется
отдельным соглашением сторон, являющимся неотъемлемой частью
государственного контракта. Даже если права по государственному
контракту принадлежат заказчику работ, обязанности по оформлению
правовой охраны, как правило, возлагаются на исполнителя. Поэтому , по
указанию государственного заказчика,
организация –исполнитель
(работодатель) в
соответствии с условиями контракта осуществляет
процедуру правовой охраны и подает заявки на выдачу охранного
документа на имя Российской Федерации. Введение и соблюдение режима
коммерческой тайны в отношении полученных по контракту результатов
также
осуществляет
организация-исполнитель
(работодатель),
а
распоряжение этими результатами осуществляется государственным
заказчиком.
При совместном праве сторон на созданные по договору или контракту
результаты интеллектуальной деятельности, подачу заявок на выдачу
патентов (свидетельств) осуществляет сторона, указанная в договоре, а при
выполнении работ по государственному контракту, как правило, организация
–исполнитель (работодатель). Исключительное право на секрет производства
(ноу-хау)
принадлежит
совместно
исполнителю
и
заказчику
(государственному заказчику, выступающему от имени Российской
Федерации). Мероприятия по введению и соблюдению режима коммерческой
тайны в отношении полученных по контракту результатов осуществляет как
организация –исполнитель (работодатель), так и заказчик (государственный
заказчик).
Таким
образом,
патентная
служба
организации-работодателя
осуществляет процедуру подачи заявок на получение охранных документов
и их регистрацию в федеральном органе исполнительной власти по
интеллектуальной собственности, практически по всем охраноспособным
объектам, созданным работниками этой организации.
Необходимо указать на
особенности, связанные с получением
исключительных прав на программы для ЭВМ, базы данных и топологии
интегральных микросхем.
Как известно, исключительные права на созданные служебные
программы для ЭВМ, базы данных и топологии интегральных микросхем
принадлежат работодателю по закону (ст.1295,1461 ГК РФ), при наличии
упоминавшегося выше соответствующего договора между работником и
работодателем.
Их государственная регистрация
осуществляется
организацией-работодателем, которая в дальнейшем может распоряжаться
12
ими по своему усмотрению при соблюдении условий договоров и контрактов
. Если же по договору с работодателем исключительные права на такие
объекты принадлежат автору, или же договор о распределении прав на
созданные результаты между автором и работодателем вообще отсутствует,
то при
проведении всех
работ по договору или по контракту
работодатель вынужден приобрести эти права у автора.
Такая необходимость возникает при создании РИД по договору заказа,
когда права на созданные результаты принадлежат заказчику. В этом случае
для передачи созданных результатов заказчику необходимо оформить
передачу прав договором. В принципе возможно заключение договора на
передачу результатов непосредственно между автором –создателем
результата и заказчиком работы по договору. Однако в этом случае автор не
имеет оснований для получения вознаграждения, поскольку все выплаты
вознаграждения
автору за создание результатов интеллектуальной
деятельности в соответствии с нормами ГК РФ производит работодатель.
Это касается
использования
РИД работодателем, передачи
исключительного права другому лицу, принятии решения о сохранении
РИД в тайне и неиспользовании в установленный законом срок. Поэтому
договор о передаче прав на созданный РИД автору следует заключать с
работодателем.
Точно такая же ситуация возникает при проведении работ по договору,
когда права на результаты работ могут принадлежать заказчику или третьим
лицам. Для осуществления действий по передаче исключительных прав на
созданные результаты работодатель должен иметь правоустанавливающие
документы на эти объекты, оформленные на его имя. Для передачи автором
прав работодателю требуется заключение договора.
В случае, если права на результаты работ по контракту принадлежат
исполнителю (организации – работодателю), государственный заказчик
может потребовать предоставления
указанному им лицу простой
безвозмездной
лицензии на использование этих результатов для
государственных нужд ( ст. 1298,1373,1464 ГК РФ). Для осуществления этих
действий от лица организации-работодателя, работодатель должен иметь
правоустанавливающие документы на эти объекты.
Если права на результаты работ по контракту принадлежат Российской
Федерации, субъекту Российской Федерации или муниципальному
образованию, исполнитель
( организация –работодатель) обязан путем
заключения соответствующих договоров со своими работниками и третьими
лицами приобрести все права или обеспечить их приобретение для передачи
соответственно Российской Федерации, субъекту Российской Федерации или
муниципальному образованию. Для этого работодатель должен обеспечить
процедуру приобретения прав на созданные результаты путём заключения
договоров с авторами программ
для ЭВМ, баз данных и топологий
интегральных микросхем об отчуждении исключительных прав
для
передачи их государственному заказчику. В этом случае организация-
13
работодатель по закону имеет право на возмещение затрат, понесенных им в
связи с приобретением соответствующих прав.
Таким образом, наличие договора с работником о том, что
исключительное право на все служебные результаты интеллектуальной
деятельности и право на получение охранного документа принадлежат
работодателю,
позволяет
организации-работодателю
распоряжаться
результатами интеллектуальной деятельности для
выполнения условий
договоров и государственных контрактов . При отсутствии договора с
работником о распределении
прав
на служебные результаты
интеллектуальной деятельности работодатель , для выполнения условий
государственных контрактов, должен заключать с авторами программ для
ЭВМ, баз данных и топологий интегральных микросхем договора об
отчуждении прав на созданные результаты.
Заключение договоров с авторами о приобретении прав целесообразно
производить на этапе передачи
материалов о созданных РИД
руководителю организации для принятия им решения решение о получении
на него охранного документа, о сохранении в тайне, охраны в качестве ноухау или о возможном отчуждении права на данный РИД третьим лицам.
1.2.4.Сохранение сведений о созданных результатах интеллектуальной
деятельности в режиме конфиденциальности.
В случае принятия решения о патентовании созданных
охраноспособных результатов интеллектуальной деятельности, на весь
период с даты подачи автором заявления о создании такого РИД вплоть до
предусмотренной федеральным законодательством публикации сведений о
заявке, в отношении существа созданных результатов организацией
работодателем устанавливается режим конфиденциальности.
В случае принятия руководителем организации - работодателя решения
о сохранении созданных результатов интеллектуальной деятельности в
тайне, организация - работодатель квалифицирует эти результаты как ноухау и принимает меры по обеспечению в отношении этого объекта режима
коммерческой тайны.
Согласно ст.1465 ГК РФ секретом производства (ноу-хау) признаются
сведения любого характера (производственные, технические, экономические,
организационные и другие), в том числе о результатах интеллектуальной
деятельности в научно-технической сфере, а также сведения о способах
осуществления
профессиональной
деятельности,
которые
имеют
действительную или потенциальную коммерческую ценность в силу их
неизвестности третьим лицам, к которым у третьих лиц нет свободного
доступа на законном основании и в отношении которых обладателем таких
сведений введен режим коммерческой тайны.
Применительно к научно-технической сфере в целом важное значение
имеет возможность отнесения к ноу-хау, например, конструкторской и
технологической документации и информации, а применительно к сфере
14
нанотехнологий - параметров технологических процессов, данных об
условиях осуществления различных операций и способов, соотношений
компонентов веществ .
Включение
ноу-хау
в число охраняемых результатов
интеллектуальной деятельности – объектов интеллектуальной собственности
обеспечивает условия для его легального оборота.
Согласно
Федеральному закону «О коммерческой
тайне»
коммерческая тайна - режим конфиденциальности информации,
позволяющий ее обладателю при существующих или возможных
обстоятельствах увеличить доходы, избежать неоправданных расходов,
сохранить положение на рынке товаров, работ, услуг или получить иную
коммерческую выгоду.
Таким образом, введение режима коммерческой тайны предполагает
обеспечение режима конфиденциальности информации об охраняемых
объектах. Такое же требование неявно предписывается и ст.1465 ГК РФ, где
определено, что исключительное право на секрет производства действует до
тех пор, пока сохраняется конфиденциальность сведений, составляющих его
содержание. С момента утраты конфиденциальности соответствующих
сведений исключительное право на секрет производства прекращается у всех
правообладателей.
Для обеспечения конфиденциальности сведений о созданных
результатах интеллектуальной деятельности в организации должен
выполняться комплекс правовых, технических и организационных
мероприятий.
Правовые меры включают:
- издание внутренних нормативных документов, определяющих
содержание защищаемой информации и принимаемые меры защиты:
а) порядок отнесения информации к секретам производства (ноу-хау),
порядок доступа и ознакомления с ней, порядок ее хранения и
использования, сроки действия режима коммерческой тайны;
б) конкретный перечень конфиденциальной информации, которая
относится к секретам производства (ноу-хау);
в) перечень лиц, имеющих право на ознакомление с конфиденциальной
информацией, составляющей секреты производства (ноу-хау), и лиц,
обеспечивающих ее сохранность.
Это может быть утвержденное руководством и введенное в действие
положение (инструкция) об информации, в отношении к которой вводится
режим коммерческой тайны, содержащее установленный на предприятии
порядок отнесения информации к секретам производства (ноу-хау),
оформления, хранения и использования этих сведений;
- оформление обязательства сотрудников о неразглашении информации,
в отношении к которой введен режим коммерческой тайны, в виде записей в
текстах трудовых договоров или отдельных документов. Это относится ко
всем лицам, кто состоит с обладателем такой информации в трудовых
отношениях или имеет доступ к такой информации по другим основаниям.
15
Если вопросы, связанные с секретами производства (ноу-хау), выносятся на
рассмотрение коллегиальных органов управления юридического лица, то
каждого члена этих органов, участвующего в работе, следует письменно под
расписку предупредить о том, что в ходе заседания будет раскрыта
информация, в отношении к которой введен режим коммерческой тайны;
- включение в договоры с контрагентами положений о неразглашении
секретов производства (ноу-хау), сведения о которых передаются им в связи
с выполнением договорных обязательств;
- обязательство стороны, не обеспечившей в соответствии с условиями
договора конфиденциальность переданной информации, возместить другой
стороне убытки, если иное не предусмотрено договором.
Технические меры по охране конфиденциальности, в частности,
предусматривают физическое ограничение доступа лиц, не имеющих права
на ознакомление с информацией, составляющей секреты производства (ноухау), к носителям данной информации. К техническим мерам относится
также
проставление на материалах грифа «коммерческая тайна» и
реквизитов обладателя такой информации, оборудование рабочих мест
средствами защиты информации, ознакомление с документами и
материалами, содержащими сведения о секретах производства (ноу-хау), под
расписку, учет лиц, пользующихся такими документами и материалами,
использование
систем,
предотвращающих
несанкционированное
прослушивание телефонных разговоров.
Организационные меры должны быть направлены на обеспечение
охраны сведений, содержащих секреты производства (ноу-хау), от
несанкционированного раскрытия. Они предусматривают активную работу с
кадрами по вопросам подбора, расстановки и воспитания в целях
обеспечения сохранности такой информации, устранения излишнего
раскрытия этой информации в ходе деловых переговоров, в рекламе товаров
(работ, услуг), в процессе изготовления (выполнения, оказания),
демонстрации объектов на выставках и в производственных условиях.
С учетом изложенного в каждой организации
должна быть
предусмотрена следующая система
действий по обеспечению режима
коммерческой тайны.
1.Должен быть определён и приказом руководителя организации
утверждён перечень информации, составляющей коммерческую тайну. В
этот перечень, в частности, должны быть включены сведения о существе всех
созданных охраноспособных результатов интеллектуальной деятельности, в
том числе о ноу-хау.
2. Приказом руководителя организации должен быть утвержден
порядок отнесения сведений, к категории сведений составляющих
коммерческую тайну.
3. Приказом руководителя
организации с учетом положений
Федерального закона о коммерческой тайне должен быть утвержден порядок
обращения сведений, составляющих коммерческую тайну, в организации.
16
4. Работодатель обязан обеспечить контроль за соблюдением такого
порядка, в частности, вести учет лиц, получивших доступ к информации,
составляющей коммерческую тайну, и (или) лиц, которым такая информация
была предоставлена или передана.
5. В целях охраны конфиденциальности информации работодатель
обязан под расписку знакомить работника, доступ которого к информации,
составляющей коммерческую тайну, необходим для выполнения им своих
трудовых обязанностей, с перечнем информации, составляющей
коммерческую тайну, с установленным работодателем режимом
коммерческой тайны и с мерами ответственности за его нарушение.
6.
Работодатель обязан
обеспечить нанесение на материальные
носители
(документы),
содержащие
информацию,
составляющую
коммерческую тайну, грифа "Коммерческая тайна" с указанием обладателя
этой информации (полное наименование и место нахождения организации).
7. Работодатель обязан включать в трудовые договора (контракты),
заключаемые организацией-работодателем с работником, чьи
трудовые
функции
связаны с использованием сведений, составляющих
коммерческую тайну,
обязанность работника
соблюдать
конфиденциальность
таких
сведений, выполнять установленный
работодателем режим коммерческой тайны, и без согласия работодателя не
использовать эту информацию в личных целях. Предусматривать в
индивидуальных трудовых контрактах также обязанность работников не
разглашать конфиденциальные сведения, ставшие им известными в силу
служебного положения, в течение определенного срока после прекращения
трудовых отношений.
8. Работодатель обязан создать работнику необходимые условия для
соблюдения им установленного работодателем режима коммерческой тайны.
9. Работодатель обязан вносить в текст выполняемых государственных
контрактов и договоров на создание, передачу и использование научнотехнической продукции, оказание научных, научно-технических, инженерноконсультационных и иных услуг
обязательства сторон по соблюдению
режима конфиденциальности для сведений, относящихся к числу
конфиденциальных. Перечень таких сведений определяется сторонами при
заключении договора. Обязательства по соблюдению конфиденциальности
могут быть оформлены в виде дополнительного соглашения к основному
договору (контракту). Соглашение должно включать состав, объем и
способы использования этой информации, а также способы её защиты и
ответственность участников договора за ущерб, причиненный другой
стороне разглашением конфиденциальной информации.
Режим коммерческой тайны считается установленным после принятия
обладателем информации, составляющей коммерческую тайну, мер,
содержащихся
в
вышеперечисленных
пунктах
1-8.
Наряду с указанными мерами, обладатель информации, составляющей
коммерческую тайну, вправе применять при необходимости средства и
17
методы технической защиты конфиденциальности этой информации, а
также другие, не противоречащие законодательству Российской Федерации,
меры.
Меры по охране конфиденциальности информации признаются разумно
достаточными, если исключается доступ к информации, составляющей
коммерческую тайну, любых лиц без согласия ее обладателя, и одновременно
обеспечивается возможность использования информации, составляющей
коммерческую тайну, работниками и передачи ее контрагентам без
нарушения режима коммерческой тайны.
Перечень нормативно-правовых актов, использованных при подготовке
настоящих рекомендаций.
Гражданский кодекс Российской Федерации часть первая от 30 ноября
1994 г. № 51-ФЗ, часть вторая от 26 января 1996 г. № 14-ФЗ, часть третья от
26 ноября 2001 г. № 146-ФЗ, часть четвертая от 18 декабря 2006 г. № 230-ФЗ
(с изменениями от 23 июля 2008 г.);
Федеральный закон от 26 июля 2006 г. № 135-ФЗ «О защите
конкуренции» (с изменениями от 30 июня 2008 г.);
Федеральный закон от 29 июля 2004 г. № 98-ФЗ «О коммерческой
тайне»
(с изменениями от 24 июля 2007 г.);
Федеральный закон от 23 августа 1996 г. № 127-ФЗ «О науке и
государственной научно-технической политике» (с изменениями от 23 июля
2008 г.);
Федеральный закон от 21 июля 2005 г. № 94-ФЗ «О размещении заказов
на поставки товаров, выполнение работ, оказание услуг для государственных
и муниципальных нужд» (с изменениями от 23 июля 2008 г.);
Постановление Правительства РФ от 17 ноября 2005 г. № 685 «О
порядке распоряжения правами на результаты научно-технической
деятельности;
Постановление Правительства РФ № 1132 от 29 сентября 1998г. «О
первоочередных мерах по правовой защите интересов государства в процессе
экономического и гражданско-правового оборота результатов научноисследовательских, опытно-конструкторских и технологических работ
военного, специального и двойного назначения».
18
Методические рекомендации по обеспечению высокого технического
уровня разработок и создания конкурентоспособной продукции на
основе патентной информации
Одной из задач Программы
развития
наноиндустрии в Российской
Федерации до 2015 года [1] является создание конкурентных преимуществ
России на мировом рынке высоких технологий и формирование научнотехнического потенциала России, адекватного современным тенденциям
мирового технологического развития.
Для организаций, составляющих нанотехнологическую сеть, в настоящее
время главной задачей является обеспечение высокого научно-технического
уровня разработок, их соответствие мировым тенденциям развития отрасли,
обеспечение их новизны, способности к правовой охране, удовлетворения
потребительских качеств, технико-экономической эффективности и
конкурентоспособности.
Только при этих условиях возможно рассчитывать и на успешное
выполнение конкретных целей и задач развития наноиндустрии, и на
устойчивое коммерческое положение фирмы на рынке научно-технической
продукции.
Для обеспечения высокого научно-технического уровня разработок
чрезвычайно важным является использование патентной информации и
проведение основанных на патентной информации исследований
технического уровня и
конкурентоспособности создаваемой научнотехнической продукции. Правительственная комиссия по противодействию
нарушениям в сфере интеллектуальной собственности, ее правовой охране и
использованию приняла 19 апреля 2007 г решение о разработке мер по
стимулированию патентной деятельности. В частности, в ближайшее время
будет подготовлен соответствующий проект постановления Правительства
Российской Федерации, регламентирующий организацию и проведение
патентных исследований
как работ особой важности, определяющих
технический уровень, тенденции развития, патентоспособность, патентную
чистоту и конкурентоспособность разработок, создаваемых в научнотехнической сфере.
Настоящие методические рекомендации разработаны в исполнение
Программы развития наноиндустрии в Российской Федерации до 2015
года
с целью создания нормативно-правовой и методической базы
проведения патентных исследований по определению технического уровня
и
тенденций развития, патентоспособности, патентной чистоты и
конкурентоспособности разработок в сфере нанотехнологий.
Настоящие рекомендации разработаны на основе нормативных и
методических материалов по проведению исследований на базе патентной
информации, среди которых в первую очередь следует отметить работы [25].
В рекомендациях рассмотрена методика проведения основных видов
патентных
исследований,
в
том
числе
по
определению
19
конкурентоспособности и технического уровня создаваемой продукции,
определения тенденций и перспектив развития выбранных направлений
разработок,
отбора
наиболее
конкурентоспособных
результатов
интеллектуальной деятельности.
1. Общие положения
Согласно ГОСТ Р.15.011-96 [2] патентные исследования представляют
собой исследования технического уровня и тенденций развития объектов
техники,
их
патентоспособности,
патентной
чистоты
и
конкурентоспособности на основе патентной и другой информации.
Патентные исследования по своему содержанию и характеру относятся к
прикладным научно-исследовательским работам, которые проводятся в
процессе создания, освоения и реализации объектов техники и технологий с
целью
обеспечения
их
высокого
технического
уровня
и
конкурентоспособности, а также сокращения затрат на их создание за счет
исключения дублирования исследований и разработок.
Патентные
исследования проводятся на основе патентной информации с привлечением
других видов научно-технической и рекламно-экономической информации и
документации, содержащих сведения о последних научно-технических
достижениях.
Проведение патентных исследований, согласно ГОСТ
Р.15.011-96, является обязательным, нормативно закрепленным этапом
проведения НИОКР для всех хозяйствующих субъектов.
Важнейшими видами патентных исследований являются :
1.Определение технического уровня разрабатываемой и производимой
продукции и её конкурентоспособности на основе патентной информации.
2.Определение патентно-лицензионной ситуации, состояния рынков,
характера национального производства в странах исследования и условий
возможного экспорта конкретного вида продукции.
3.Исследование требований потребителей к продукции и услугам,
подбор изделий и технических объектов для конкретного технического
направления или вида производства, удовлетворяющих условиям высокого
технического и потребительского уровня.
4.Обоснование перспективности выбранного направления разработок
или
объекта производства, научно-технического проекта или
программы в случае наличия новых инвестиций в производство.
5.Выбор оптимальных направлений и перспектив развития
научнотехнической,
производственной
и
коммерческой
деятельности
хозяйствующего субъекта, определение его патентной и технической
политики и обоснование мероприятий по их реализации.
Патентные исследования играют решающую роль также при решении
следующих вопросов:
-выявлении
охраноспособных
технических,
художественноконструкторских, программных и других решений, созданных в процессе
20
выполнения НИОКР, и обоснования целесообразности их патентной охраны
в стране и за рубежом или обеспечение иной формы охраны;
-обосновании
целесообразности
использования
объектов
интеллектуальной собственности в разрабатываемых объектах техники, для
достижения показателей, предусмотренных в техническом задании (тактикотехническом задании);
-исследовании патентной чистоты объектов техники
(экспертиза
объектов техники на патентную чистоту, обосновании мер по обеспечению
их патентной чистоты и беспрепятственному производству и реализации
объектов техники в стране и за рубежом);
-выявлении и отборе объектов лицензий и услуг типа инжиниринг;
-анализе коммерческой деятельности организаций и фирм-производителей
(поставщиков) продукции для выявления конкурентов, потенциальных
контрагентов, лицензиаров и лицензиатов, партнеров по сотрудничеству.
Работы по определению
патентоспособности
разработок, по
определению технического уровня, тенденций развития, патентной чистоты
и конкурентоспособности разработок в сфере нанотехнологий имеют ряд
специфических особенностей, требующих особого подхода при проведении
патентного поиска.
Нанотехнологии
можно характеризовать как область знаний,
ориентированную на изучение,
применение и использование так
называемых
наноструктурированных материалов, имеющих размер
частиц от 1 до 100 нанометров (нано – 10-9 ), свойства которых отличаются
от свойств свободных атомов или молекул, а также от объемных свойств
вещества, состоящего из этих атомов или молекул, для создания более
совершенных материалов, приборов, систем, реализующих эти новые
свойства.
Как известно,
существуют различные уровни изучения материи,
которые учитывают зависимость свойств твердых тел от так называемых
характерных размеров: макродиапазон, когда изучаются образцы объемных
материалов с размерами от миллиметров до километров, микродиапазон,
которому отнесены объекты с размерами в интервале от 10 -4 до 10-7м,
нанодиапазон от 1 нм до 100 нм (где 1 нм = 10 – 9); ниже нанодиапазона
лежит атомарный масштаб, примерно 0,1 нм, а еще ниже ядерный, порядка
фемтометра (10-15 м). При постепенном уменьшении размеров образца от
макроскопических
значений до сверхмалых
свойства материальных
объектов (механические, сегнетоэлектрические и ферромагнитные,
химические и биологические ) сначала остаются неизменными, затем
начинают медленно меняться, а при размерах менее 100 нм могут меняться
радикально.
Примерами элементарных базовых наноматериалов являются:
- 0-мерные: квантовые точки;
- 1-мерные: квантовые нити, нанотрубки, нановолокна, линейные
полимеры;
21
- 2-мерные: квантовые ямы, сверхрешетки, пленки
ЛенгмюраБлоджетта, биомембраны;
-3-мерные: нанокомпозиты, фуллерены, фуллероиды, астралены, 3D
фотонные кристаллы, мицеллы, биоорганические полимеры.
Таким образом, нанотехнологии в целом представляют собой
искусственно выделенное понятие, которое включает огромный набор
разнородных способов, инструментов и объектов в различных отраслях
науки и техники и промышленности, объединенных только контролируемым
получением в объектах структурных элементов с размером, хотя бы в одном
измерении, менее 100 нм.
В историческом плане развития наук
нанотехнологии
взаимосвязаны с коллоидной химией, изучающей
объективные физические и химические закономерности гетерогенного
ультрадисперсного состояния вещества, высокомолекулярных соединений и
межфазовых поверхностей.
При проведении патентных исследований необходимо учитывать
многоотраслевой характер нанотехнологий, при котором одно и то же
явление, обусловленное масштабным эффектом, может быть использовано в
различных отраслях экономики, в частности: сельское хозяйство,
диагностика болезней на ранних стадиях, экология, медицина,
фармакология,
информационно-телекоммуникационные
технологии,
производство новых материалов и материаловедение, и многое другое. Эти
особенности нанотехнологий обуславливают различную терминологию и
различные исследовательские, технологические и измерительные подходы и
методы, используемые в различных отраслях научными центрами и лабораториями.
В соответствии с [1] используются следующие определения:
Нанообъект – объект, линейный размер которого хотя бы в одном
направлении составляет порядка 1-100 нм.
Наносистема – система, содержащая структурные элементы размером
порядка 1-100 нм, определяющие ее основные свойства и характеристики в
целом. К разряду наносистем относятся, в том числе, наноустройства и
наноматериалы.
Нанотехнологии – технологии, направленные на создание и
эффективное практическое использование нанообъектов и наносистем с
заданными свойствами и характеристиками.
Наноиндустрия
–
интегрированный
межотраслевой
и
междисциплинарный комплекс бизнес-структур, промышленных, научных,
образовательных, финансовых и иных предприятий различных форм
собственности, обеспечивающих и осуществляющих целенаправленную
деятельность по разработке и коммерциализации нанотехнологий.
Продукция наноиндустрии (нанотехнологическая продукция) высококонкурентоспособная
продукция
(товары,
работы,
услуги),
произведенная с использованием нанотехнологий и обладающая вследствие
этого ранее недостижимыми технико-экономическими показателями.
22
Национальная нанотехнологическая сеть (ННС) – совокупность
предприятий различных организационно-правовых форм, обеспечивающих и
осуществляющих скоординированную кооперативную деятельность по
разработке и коммерциализации нанотехнологий, включая проведение
фундаментальных и прикладных исследований, подготовку кадров, развитие
инфраструктуры
наноиндустрии,
организацию
производства
и
непосредственное производство нанотехнологической продукции.
Наноматериалы могут существовать в виде порошков, кристаллических
структур, сверхтонких пленок и т.п. Типичным примером наноматериалов
являются углеродные нанотрубки, которые в зависимости от их структуры
обладают рекордными механическими характеристиками (прочность,
жесткость), уникальными тепло- и электропроводностью, оптическими и
магнитными свойствами. В зависимости от геометрических параметров они
могут иметь металлическую или полупроводниковую проводимость.
Подобное сочетание создает для них широчайший потенциал применений:
сверхпрочные волокна, пряжа, ткань; композиционные материалы; чипы
памяти;
логические
схемы;
наносенсоры;
полевые
эмиттеры;
наноэлектромеханические системы (НЭМС); искусственные мускулы;
топливные элементы; хранилища для газов; солнечные батареи; электродный
материал ион-литиевых батарей; суперконденсаторы; адсорбенты;
биодатчики; средства для внутриклеточной доставки лекарств; материалы
для имплантов и протезов; источники рентгеновского излучения;
электромагнитные экраны; материалы оптоэлектроники; материалы для
катализа; элементы будущих наномашин.
Таким образом, в процессе проведения патентных исследований
при разработке и создании объектов нанотехнологий - наноматериалов и
наноустройств, необходимо учитывать не только принципы создания
таких объектов, но и широчайшую сферу их применения.
В настоящих рекомендациях даются методические основы проведения
патентных исследований по определению тенденций развития конкретной
области техники, технического уровня, обеспечению патентоспособности и
конкурентоспособности создаваемых разработок.
2. Определение
тенденций развития области техники
патентных исследований
на основе
Анализ тенденций развития техники является одним из наиболее
распространенных и наиболее важных видов патентных исследований.
Изучение тенденций развития техники позволяет оценить потребности
рынка в создаваемой продукции, выявить альтернативные направления
научно-технического развития, определить качественно новые пути создания
разработок, соответствующих лучшим мировым достижениям.
23
Исследования тенденций и закономерностей развития конкретных
видов или областей техники представляют собой один из видов научнотехнического
прогнозирования. При этом под прогнозом развития
исследуемой области понимается определение направлений, которые будут
иметь преимущественное развитие в будущем. Оценки, полученные на
основе патентной информации, можно рассматривать как краткосрочные и
среднесрочные прогнозы развития техники, рассчитанные на период 5-10
лет.
Методика определения тенденций развития
техники включает
следующие последовательные стадии:
1.На основе всей доступной научно-технической информации делается
аналитический обзор области техники. Целью данного этапа работы является
изучение процесса развития исследуемого объекта, выяснение основных
факторов и противоречий, стимулирующих и тормозящих его развитие или
специфическим образом влияющих на ход развития. Особую ценность
представляет анализ совершенствования или изменения
исследуемого
объекта
по сравнению с различными альтернативными объектами и
системами.
2.На основе проведенных исследований и полученных аналитических
представлений составляется структурная модель прогнозируемого объекта,
учитывающая все возможные направления его совершенствования.
3. Проводится систематизация патентной и научно-технической
документации
по
рубрикам
структуры
модели.
Определяются
классификационные рубрики Международной патентной классификации
(МПК), соответствующие направлениям развития исследуемого объекта.
Формируются
информационные
массивы
патентных
документов,
соответствующие
всем
конкурирующим
направлениям
развития
исследуемого объекта.
4. На основе статистических методов анализа информационных потоков
определяются тенденции и перспективы развития различных направлений.
5. На основании полученных данных определяются наиболее
перспективные тенденции развития
техники и делаются выводы об
актуальности разработок в конкретных направлениях техники.
Следует отметить, что результаты
такого анализа, основанного на
патентной статистике, как и любые другие прогнозные исследования, носят
вероятностный характер. Достоверность
выводов
по этому методу
определяется рядом факторов. Важнейшими из этих факторов являются
правильное составление модели развития исследуемого объекта и полнота
информации. С другой стороны, нельзя не отметить и важное преимущество
использования патентной информации, которое заключается в возможности
проведения оценки без наличия сведений о конкретных
значениях
технико-экономических параметров. Оценка на основе определения
тенденций развития техники может проводиться на самых ранних этапах
реализации новшеств - даже на стадии идеи, и позволяет дать достаточно
24
объективную оценку технического уровня рассматриваемого объекта с
позиции перспектив его использования.
Наибольшее значение, безусловно, имеет составление модели
прогнозируемой технической области или вида техники.
2.1. Отражение нанотехнологий в патентных классификациях
В настоящее время действует восьмая редакция Международной
патентной классификации (МПК), сокращенно обозначаемая как МПК-8 или
МПК(2006). Новая редакция МПК разделена на два уровня – базовый
(укрупненный) и расширенный (более подробный). Базовый уровень
включает в себя только наиболее крупные рубрики МПК: разделы, классы,
подклассы и основные группы (около 18 000 рубрик). В некоторых
технических областях в него включены также отдельные наиболее часто
используемые подгруппы. Расширенный уровень, включающий в себя
полностью рубрики базового уровня, представляет собой его детализацию,
включая соответственно все подгруппы МПК.
Базовый уровень МПК применяется для классифицирования
сравнительно небольших объемов патентных документов , а также для таких
целей как избирательное распределение информации, комплектование
тематических подборок, публикации в бюллетенях и т.п.
Расширенный
уровень применяется для детального классифицирования и более
дифференцированного поиска патентных документов, входящих так
называемый
Минимум документации стран РСТ, который включает
Россию.
Подробная информация о структуре МПК, аппарате отсылок и
примечаний, используемой терминологии, принципах и правилах
классифицирования приводится во Введении в МПК. Введение содержит
общую характеристику функционально-ориентированных и отраслевых
подразделов МПК, их использования для повышения эффективности поиска,
наряду с обязательным классифицированием информации об изобретении,
приводятся рекомендации по необязательному (дополнительному)
классифицированию (или кодированию) дополнительной информации.
Специальный класс В82 «Нанотехнология» был введен в
Международную патентную классификацию (МПК) в 2000 г. В определении
данного класса,
содержащего две основные группы, касающиеся
наноструктур, их изготовления или обработки,
указывается, что он
предназначен для классифицирования и поиска изобретений, которые
относятся собственно к нанотехнологиям. При этом
указывается на
разграничение данного класса с классами для традиционных областей, к
которым относились подававшиеся ранее и по-прежнему подающиеся ныне
заявки на изобретения, которые в той или иной мере можно отнести к
нанотехнологиям. В первую очередь, это касается химических или
биологических структур (соответственно классы МПК С08 и С12).
25
Основными признаками для отнесения изобретения к классу нанотехнологий
являются наличие у вещества особой атомарной или молекулярной
структуры в нанодиапазоне, которая обусловливает особые физикохимические свойства (сверхпрочность, сверхпроводимость, гигантское
магнитное сопротивление и т. д.), а также манипуляция веществом в
нанодиапазоне с целью получения или обработки особых наноструктур.
В связи с тем, что в большинстве случаев нанотехнологии либо тесно
связаны с традиционными областями техники, либо используют
применяемые в этих областях способы и устройства, МПК содержит
многочисленные рубрики
для изобретений, относящиеся по сути к
нанотехнологиям, хотя признак «нано» не всегда выражен в явном виде.
Это, например, нанокапсулы для медицинских препаратов - А61К 9/51,
способы нанесения жидкостей или других текучих веществ на поверхность B05D 1/00; получение углерода (углеродные наноструктуры – баккиболлы,
нанотрубки, наноспирали и т.п.) - С01В 31/02; исследование или анализ
поверхностных структур в атомном диапазоне с использованием техники
сканирующего зонда G01N 13/10; измерение размеров с использованием
техники сканирующего зонда G01B; конструктивные элементы устройств,
использующих метод сканирующего зонда G12B 21/00; оптические
квантовые колодцы - G02F 1/017; многослойные структуры со спиновой
связью, например наноструктурированные сверхрешетки -H01F 10/32;
способы и устройства для нанесения наноструктур, например, посредством
молекулярно-пучковой эпитаксии (MBE) - H01F 41/30; квантуемый по
проводам полевой транзистор с каналом с кристаллическим газ-носителем
при подаче на затвор напряжения одной полярности (квантовые проводники)
- H01L 29/775 и т.д.
Примерный перечень рубрик МПК, в которых могут содержаться
патенты по нанотехнологиям, приводится в Приложении 1.
Необходимость проведения патентного поиска для
нанотехнологий
по широкому спектру традиционных областей техники, не имеющих в
своем названии прямого указания на нанообъекты, хорошо видна на
примере
американской патентной классификации.
Перечень рубрик,
входящих в класс
977 американской патентной классификации,
посвященный собственно нанотехнологиям, приведён в Приложении 2.
Кроме того, в рамках этой классификации уже давно существует класс 257
«Активные твердотельные устройства», который исчерпывающим образом
отражает такую тематику, как квантовые источники, квантовые барьеры,
суперрешетки, устройства, имеющие буферные слои в виде нанолистов,
нанолисты, используемые в качестве светоотражающих, рефракционных
слоев, электронно-полевые эмиттеры и т.д. При этом специалистам США,
проводящим экспертизу изобретений в области нанотехнологий,
рекомендовано для целей классифицирования и поиска, помимо основного
использовать и просматривать множество других классов и подклассов,
которые могут содержать объекты и процессы, относящиеся к
нанотехнологиям.
26
Во-первых, это классы, которые наряду с характеристикой общих свойств
и состава материалов, могут касаться материалов, содержащих наночастицы
и наноструктуры (например, включение в сплавы различных легирующих
добавок,
добавки в ламинаты, композиты
или
слоистые изделия
тонкопленочных слоев, включение в расплавы различных материалов
нанопорошков, нанесение покрытий толщиной в несколько атомов и т.п.), т.
е. при изготовлении которых могут использоваться наночастицы и
наноматериалы.
Во-вторых, сюда относятся классы, характеризующие способ и средства
изготовления или обработки материалов, например, поверхностная обработка
металлов (путем напыления, эпитаксии, осаждения слоев толщиной в один
атом); выращивание кристаллов, использование процессов термолиза и
химической декомпозиции и т.д.
В-третьих, это классы и подклассы, посвященные способам и средствам
измерения, тестирования и диагностики материалов, в том числе
наноматериалов. Сюда относятся, например, подкласс 105-73, - измерения с
помощью атомно-силовых микроскопов; подкласс 310-311,
–
пьезоэлектрические
устройства,
используемые
для
обеспечения
позиционирования сканирующих микроскопов с наноточностью; подклассы
324-244, 260, 300-322, – соответственно магнитно-силовые и электронные
микроскопы на основе парамагнитного резонанса; подклассы 250-306 и 307,
сканирующие туннельные микроскопы и способы их использования, и др.
Наконец,
имеется
много
классов,
отражающих
применение
наноматериалов и нанообъектов в различных устройствах и областях
технологии. Сюда, в первую очередь, относятся подклассы, посвященные
элементарным наноструктурам,
например,
подкласс
423–445,
предназначенный для классифицирования как
фуллеренов, так и
соединений, их включающих (например, металлоорганических). Сюда
относятся также классы для изобретений, в которых лишь частично
применяются
наноструктуры, например,
класс 372, посвященный
генераторам когерентного света, использующим квантовые колодцы и
барьеры; класс 385 для оптических волноводов, содержащих нанолисты,
обеспечивающие функции рефракции, отражения и светозащиты; класс 502
для катализаторов, твердых сорбентов, в которых используется свойство
нанопор.
Обширной областью применения нанотехнологий стала медицина: классы
514 (лекарственные составы, содержащие радионуклидные включения в виде
микрокапсул, микросфер); класс 600 (хирургия), включающий подклассы,
посвященные измерению и обнаружению составляющих элементов в
физиологических жидкостях и крови; протезирование и т.п.
Перечень часто используемых способов получения или обработки
нанообъектов можно найти в рамках класса 977 американской патентной
классификации, (см. приложение 2). Этот перечень, а также приведённые
выше примеры рубрик американской патентной классификации, могут быть
27
использованы для ориентира при отборе отечественных и зарубежных
изобретений, относящихся к нанотехнологиям.
Европейским патентным ведомством (ЕПВ) введен новый
классификационный индекс Y01N для выделения патентов по
нанотехнологиям в базах данных esp@cenet. Данная классификационная
рубрика детализирована следующим образом:
Y01N2 – нанобиотехнологии;
Y01N4 – нанотехнологии для обработки, хранения и передачи
информации;
Y01N6 – нанотехнологии для материалов и покрытий;
Y01N8 – нанотехнологии для взаимодействия, индикации и
приведения в действие;
Y01N10 – нанооптика;
Y01N12 – наномагнетизм.
Кроме того, ЕПВ была подготовлена ориентировочная тематическая
таблица, в первой колонке которой дается название широкой области
применения, а во второй примеры применения или узкие области
(Приложение 3). Представляется также, что определенную помощь при
проведении патентного поиска может оказать и перечень тематик,
относящихся к нанотехнологиям (Приложение 4).
2.2.Составление модели прогнозируемой технической области или вида
техники
Построение модели развития исследуемой технической области или
вида техники начинается с декомпозиции объекта на функциональные
подсистемы, которые в свою очередь также расчленяются на элементы. За
основу при этом принимаются
конструктивные особенности или
физический (химический, биологический и т.п.) принцип действия. На рис.1
показан фрагмент структуры технической области - биотехнологии. На
каждом уровне декомпозиции, например, на уровне области техники или
технического направления, выделяется набор функциональных подсистем,
т.е. элементов, выполняющих разные функции. И только на самом нижнем
уровне структуры - уровне технических объектов следует производить
расчленение элементов модели структуры по принципу действия.
Следующим этапом проведения патентных исследований тенденций
развития техники является распределение массива патентных документов
по
соответствующим элементам построенной модели. С этой целью
устанавливается соответствие между каждым структурным элементом
технической области и
рубриками международной патентной
классификации (МПК). При проведении этого этапа работы необходимо
принимать во внимание особенности проведения патентного поиска в
сфере нанотехнологий, описанные в предыдущем разделе.
28
29
После систематизации отобранной патентной информации по различным
структурным элементам модели развития исследуемой области, для всего
объекта исследования в целом и для его составных частей проводится
выявление целей входящих в массив информации технических решений и
средств достижения этих целей. В качестве целей при этом должны быть
использованы конкретные направления совершенствования
различных
характеристик соответствующего элемента.
Так, например, повышение точности измерения может быть достигнуто
различными путями - исключением влияния колебаний температуры на
детектор, снижением количества необходимых проб, повышением скорости
анализа и т.д. Такой подход к выявлению цели необходим для дальнейшего
исследования целей, разработки их обобщенных формулировок и переходу к
анализу общих технических принципов, позволяющих достичь реализации
различных целей.
На основе выполненного анализа проводится группировка охранных
документов по целям. Наиболее удобной формой систематизации массива
охранных документов является построение для каждого структурного
элемента модели и для всего исследуемого объекта в целом матриц описания
технических решений в терминах "цель - средство достижения цели". По
вертикали в такой матрице записывают цели изобретения( полезной модели),
а по горизонтали - средства достижения целей. Матрица включает сведения
о технических решениях, записываемые на пересечении строк и столбцов,
соответствующих определенной цели и средствам ее достижения.
Количество охранных документов, относящихся к одной цели,
характеризует ее важность в решении общей технической проблемы. Чем
чаще эта проблема ставилась различными изобретателями в разных странах,
тем больше действительная потребность в ее решении.
Цели изобретения
Средства достижения
цели
1. Автопогрузчик с единичной
разгрузкой каждого барабана
2. Автопогрузчик с
откидывающимся назад кузовом со
стеллажами для барабанов
3. Автопогрузчик с кузовом из двух
половин, разворачиваемых в разные
стороны вместе с стеллажами
4. Гидравлический привод для
размотки на ходу машины одного
ускорение
погрузкиразгрузки
кабельных
барабанов
ускорение
намотки-размотки
кабелей
пат.США
№ 4007844 з-ка
Великобритании
№1378134
з-ка
ФРГ , №2119390 и
др.
пат.США
№3282528 и др.
а.с.СССР
№664862
и др.
пат.США
№3788575
обеспечение
постоянства
натяжения
кабеля
30
кабельного барабана
5. Механический привод для
размотки
на
ходу
машины
одновременно
нескольких
барабанов
6.Гидравлический
привод
для
размотки
на
ходу
машины
нескольких барабанов
7.Обратная связь по нагрузке
электромотора привода кабельного
барабана
8.
Датчик-гидроцилиндр,
управляющий
кинематическим
приводом кабельного барабана
9.
Датчик-гидроцилиндр,
управляющий
рабочим
гидромотором
№4004750
пат.США
№3520489
пат.США
№3912225
а.с. СССР
№319020
акц.заявка
Японии
№50-37867
а.с. СССР
№319020
пат.США
№3788575
№4004750
а.с. СССР
№229639
Простейший пример заполнения таблицы "цель - средства достижения цели"
приведен в таблице. В этой таблице представлено условное распределение
охранных документов, относящихся к тематике
автопогрузчиков для
кабельных барабанов по целям изобретений с указанием средств достижения
цели.
На основе подсчета количества технических решений, относящихся к
каждой цели, можно провести ранжирование целей по их значимости.
Действительно, очевидно, что чем чаще улучшение какого-либо техникоэкономического показателя исследуемого объекта являлось целью
проведения работ на протяжении длительного промежутка времени, тем в
большей степени улучшение этого параметра отвечает действительной
общественной потребности и тем, следовательно, выше значение этого
параметра при оценке технического уровня объекта.
Матрица "цель - средства" отражает практически все существующие
технические направления разработки объекта исследования. Однако очень
часто большое количество изобретений, направленных на достижение какойлибо цели, показывают лишь важность, актуальность её решения. Для
выявления
действительно
перспективных
технических
решений,
обладающих наибольшей эффективностью, необходимо проанализировать,
за счёт каких технических приемов, средств, принципов происходит
совершенствование функциональных и технических
характеристик
объектов, т.е. достижение одной и той же цели.
Такой анализ, выявляющий
различные подходы к решению
изобретательских задач, позволяет сгруппировать технические решения по
используемым в них конструктивным, технологическим и техническим
принципам, заложенным в основу изобретений и создать систему « цель –
методы достижения цели». Выявление общности используемых для
достижения одной цели технических, конструктивных, технологических
31
приемов или принципов и проводимое на разных уровнях иерархии модели
сопоставление целей и различных основанных на разных принципах средств
и является основой исследований тенденций развития. Именно оно
позволяет выявить конкурирующие, альтернативные направления научнотехнического развития
и сравнить существующие в настоящее время
различные научные и технические подходы к решению одной и той же
задачи или проблемы, к достижению определенной цели.
На рис.2 приведён пример фрагмента структуры, относящейся к разработке
трансмиссий. Альтернативные направления разработок выделены на разных
уровнях - на уровне самого объекта исследования - гидрообъемные и
гидромеханические,
механические
и
электромеханические
типы
трансмиссий, на уровне блоков и узлов - одноприводные и многоприводные,
однопоточные и многопоточные, на уровне деталей - по способу
подключения насосов и суммирования потоков.
32
33
На рис.3 приведён пример выявленных технических средств,
направленных на решение основных целевых задач в области порошковой
металлургии.
Описанный подход к определению тенденций развития техники дает
возможность
оценки
и
сравнения
различных
альтернативных
конструктивных и технологических подходов к решению поставленной
задачи и выбора наиболее перспективного направления разработок.
Результатом работ по созданию структурной модели прогнозируемого
объекта является формулирование альтернативных, конкурирующих
направлений разработок в исследуемой области.
2.3.Определение перспективности отдельных направлений техники
Для получения количественных характеристик преимущественного
развития отдельных направлений техники используются статистические
методы обработки массивов патентной информации.
Коэффициенты, характеризующие интенсивность патентования по
отдельным выбранным альтернативным направлениям разработок,
определяются по формуле :
Qi
Ii = ------- , где
 Qi
Ii- коэффициент интенсивности патентования;
Qi- общее количество охранных документов, относящихся
к i -ому
направлению разработок ;
 Qi - общее количество охранных документов по всем направлениям
развития объекта исследования без учета патентов-аналогов.
Этот вид коэффициентов характеризует в обобщенной форме
изобретательскую активность, "популярность" каждого из направлений, но
не несет информации о тенденциях их развития.
Анализ
динамики
патентования проводится на основе
так
называемых рядов
патентования, которые показывают распределение
патентных документов во времени.
Как правило, исследование динамики патентования проводится для
каждого выбранного направления и для области в целом, отдельно для
каждой из стран поиска. Кроме того, динамика патентования определяется
отдельно по отечественным охранным документам, а также в целом, по
"мировым" данным.
Определение количественных характеристик динамики
развития
исследуемой области может проводится разными методами, наиболее
известным
из
которых
является вычисление так называемых
34
коэффициентов
динамичности,
величина
которых
характеризует
интенсивность развития конкретного направления.
Методика
вычисления коэффициентов динамичности достаточно сложна, трудоемка и
подробно описана в [5].
Более простой и наглядный способ анализа кривых динамики
изобретательской активности по каждому техническому направлению,
заключается
в
построении
кумулятивных
рядов
патентования,
характеризуемых возрастанием суммарного числа патентов, относящихся к
отдельному направлению [4].
Если суммарное количество патентов возрастает по годам по
восходящей прямой, то это означает, что данное направление развивается
стабильно. Если суммарное количество
запатентованных изобретений
увеличивается из года в год по экспоненте, то это свидетельствует о
значительном интересе исследователей и разработчиков к данному
техническому направлению. В некоторых случаях график роста общего
количества изобретений,
относящихся к конкретному техническому
направлению, может иметь форму кривой насыщения. Это свидетельствует о
том, что максимум изобретательской активности в разработке данного
направления уже пройден.
Для кумулятивных рядов патентования интенсивность развития
исследуемого направления определяется углом наклона кривой динамики
патентования к временной оси, что позволяет оценить перспективы
развития каждого из направлений без каких-либо сложных расчетов.
Для получения количественной оценки могут быть использованы
участки кривых динамики изобретательской активности, построенных по
кумулятивному принципу, соответствующие последним семи-восьми годам
исследуемого периода времени. К средним точкам этих участков кривых для
каждого направления развития проводят касательные и определяют тангенс
угла наклона касательной, который и принимают в качестве количественного
показателя перспективности исследуемого направления (рис.4).
Результатом работы по исследованию динамики развития
исследуемой области техники является расчет весовых коэффициентов и
определение коэффициентов динамичности для каждого из выявленных
конкурирующих направлений.
При проведении данного этапа работ следует четко представлять, что,
с одной стороны, коэффициенты динамичности являются основными
количественными показателями,
определяющими тенденции развития
отдельных направлений техники. В то же время рассчитанные значения
коэффициентов динамичности нельзя рассматривать как решающий фактор,
определяющий выводы по состоянию техники в данной области. Полученные
на основе статистического анализа численные значения коэффициентов
должны сопровождаться
аналитическим исследованием выявленных
тенденций.
35
36
Окончательные выводы должны представлять обоснованные данные о
сравнительных тенденциях развития отдельных направлений техники, о
наличии принципиально новых, перспективных направлений и об уровне
исследуемой области техники.
Исследование тенденций развития техники, полученных на основе
патентной информации, позволяет оценить уровень создаваемых разработок,
оценить изменения потребностей рынка в создаваемой продукции, выявить
альтернативные научно-технические направления, определить качественно
новые пути создания разработок, соответствующих лучшим мировым
достижениям.
3.Определение технического уровня разработок на основе патентных
исследований
Оценка технического уровня создаваемой научно-технической
продукции проводится на основе анализа объекта разработки в процессе его
создания, производства и коммерческой реализации.
Особую остроту проблема оценки
технического уровня
разрабатываемой продукции
приобретает при
отборе
наиболее
эффективных научно-технических результатов, в том числе изобретений,
полезных моделей, промышленных образцов, когда необходимо оценить
последствия использования разработанного или заимствованного объекта
техники на технический уровень разрабатываемой продукции. Оценка
технического уровня влияет на установление продажной цены на освоенную
в производстве или намечаемую к коммерческой реализации продукцию.
Необходимость в оценке технического уровня возникает при заключении
лицензионных соглашений и определении стоимости лицензии.
Понятие технического уровня объекта включает в себя сопоставление
его показателей с показателями соответствующей базы сравнения.
Метод оценки уровня реальных объектов техники в сравнении с
перспективным, реально достижимым технико-экономическим уровнем
включает следующие процедуры:
-определение номенклатуры показателей, необходимой для оценки;
-формирование группы аналогов и установление значения их
показателей;
-выделение лучших образцов из группы аналогов;
-сопоставление оцениваемого объекта с выбранными
аналогами
(оценка технического уровня).
Однако, методы оценки технического уровня промышленно освоенной
продукции в общем случае неприменимы для оценки научно-технических
результатов.
Попытки использования таких
методов для
оценки
технического уровня объектов,
находящихся на начальных стадиях
разработки, на практике вызывают значительные трудности и приводят к
недостоверным и ошибочным результатам. Несмотря на то, что оценка
технического уровня результатов научно-технической деятельности и
37
объектов техники должны базироваться на общих, единых принципах,
следует принимать во внимание
принципиальные различия
между
результатами научно-технической деятельности и реально существующими
объектами техники.
Так, для большинства результатов научно-технической деятельности
характерна качественная, а не количественная форма определения
преимуществ. Результат научно-технической деятельности, как правило,
имеет вид нематериального объекта, раскрытого часто на уровне общего
технического замысла. Все это
делает невозможным сопоставление
конкретных технических показателей.
Для оценки технического уровня объектов НИОКР на этапах
формирования плана исследования и разработки и утверждения технического
задания ГОСТ Р15.011-96 предусматривает анализ тенденций развития
данного вида объектов или вида техники.
Оценка технического
уровня объекта устанавливается на основании его принадлежности к
тому или иному направлению развития исследуемой области техники.
Принадлежность разработки к наиболее перспективным направлениям
развития техники свидетельствует о её высоком техническом уровне.
Таким образом, оценка технического уровня разработок на основе патентной
информации включает следующие виды работ.
1. Составление структурной модели прогнозируемого объекта,
учитывающей все возможные направления его совершенствования.
2.Определение
тенденций и перспектив развития различных
направлений совершенствования области техники, к которой относится
разработка, на основе патентных исследований
( в соответствии с
методикой, изложенной в разделе 2).
3.Определение соответствия выбранного направления разработок или
разрабатываемого объекта выявленным перспективным тенденциям развития
техники.
Меры по обеспечению технического уровня осуществляются на
стадии научно-исследовательских, опытно-конструкторских (включая
технические предложения, эскизный и технический проекты), проектноконструкторских, проектных, изыскательских и технологических работ
(НИОКР), в процессе разработки продукции, а также постановки её на
производство. Они включают проведение следующих видов работ.
1.Изучение достигнутого в мире уровня техники в отношении
разрабатываемого объекта и отслеживание его динамики путем
систематического проведения соответствующих патентно-информационных
исследований.
2. Постоянное прогнозирование возможного изменения уровня
техники на перспективу (в зависимости от периода сменяемости и
возможных сроков освоения продукции) на основе анализа патентных
документов, соответствующих конкурирующим направлениям развития
исследуемого объекта.
38
3.Выявление на основе патентной информации лучших отечественных
и зарубежных аналогов разрабатываемого объекта и , по возможности, его
технико-экономических показателей.
4. Разработка принципиально новых решений, превосходящих лучшие
отечественные и зарубежные аналоги с учетом перспектив развития
области техники.
5. Обеспечение мероприятий по правовой охране и защите созданных
разработок.
4. Обеспечение патентоспособности разработки
Согласно нормам Гражданского кодекса Российской Федерации [6],
условия патентоспособности
для изобретений (ст.1350 ГК РФ)
тождественны условиям предоставления им правовой охраны и
предполагают наличие новизны, изобретательского уровня и промышленной
применимости. Для иных способных к правовой охране результатов
интеллектуальной деятельности
возможности их правовой охраны
устанавливаются соответствующими требованиями ГК РФ. Поэтому, строго
говоря, термин «патентоспособность» применим только к объектам
патентного
права.
Однако
в
настоящих
рекомендациях
под
патентоспособностью разработок понимается их способность к правовой
охране.
Предоставление
правовой охраны является важнейшим условием
эффективного использования объектов интеллектуальной собственности в
хозяйственной деятельности. Новейшая конкурентоспособная продукция
должна содержать в своей основе объекты интеллектуальной собственности.
Использование объектов интеллектуальной собственности обеспечивает
наиболее полное удовлетворение потребностей пользователей, высокий
уровень спроса и, соответственно, более высокий доход патентообладателя.
Меры по обеспечению патентоспособности проводятся на всех стадиях
НИОКР по разработке продукции и постановке её на производство.
При этом на стадии разработки технического предложения и
эскизного проекта должно осуществляться обеспечение патентоспособности
технических решений, положенных в основу принципиальных, схемных,
конструктивных и технологических решений.
На стадии разработки технического проекта осуществляется
обеспечение
патентоспособности
элементов,
узлов,
деталей
и
комплектующих
изделий,
влияющих
на
технико-экономические
характеристики разрабатываемого объекта.
Каждое вновь создаваемое решение по совершенствованию машин,
приборов, оборудования и технологий, а также по улучшению внешнего вида
разрабатываемых объектов техники
оценивается с точки зрения его
преимуществ по сравнению с лучшими аналогами. По каждому из вновь
созданных
технических или художественно-конструкторских решений
незамедлительно должна проводиться оценка его новизны.
и
39
эффективности. Новизна решения устанавливается на основании проведения
тематического поиска по доступным фондам патентной и научнотехнической информации. Оценка эффективности технических решений изобретений или полезных моделей, а также секретов производства (ноу-хау)
должна осуществляться с учётом [7] , на основе определения влияния
оцениваемого
решения
на
технико-экономические
показатели
разрабатываемого объекта техники и на прибыль, ожидаемую от
коммерческой реализации продукции с использованием оцениваемой
разработки.
Действия, предпринимаемые организацией – разработчиком по
обеспечению патентоспособности создаваемых объектов, заключаются в
следующем.
Необходимо обеспечить создание, выявление и своевременную правовую
охрану в Российской Федерации и, в случае целесообразности, за рубежом
,технических решений, относящихся как к объекту в целом, так и к его
составным частям, которые могут быть признаны изобретениями, полезными
моделями, промышленными образцами и иными охраноспособными
объектами интеллектуальной собственности.
Во-вторых, в случае
использования в объекте разработки
заимствованных
технических
решений,
относящихся
как
к
разрабатываемому объекту в целом, так и к его составным частям,
необходимо принимать во внимание и оценивать не только возможность (в
том числе и финансовые затраты) отчуждения прав , но и такие процедуры,
как опротестование патента, использование аналогичного, но неохраняемого
технического решения, затраты на собственную разработку оригинальной
конструкции и т.п..
Для реализации обеспечения патентной или иных форм охраны
разрабатываемых объектов необходимо :
-проведение патентных исследований для выявления охраноспособных
объектов интеллектуальной собственности;
-определение целесообразности их патентной охраны в стране и за
рубежом;
-обеспечение мероприятий по сохранению сведений о созданных
результатах научно-технической деятельности в режиме коммерческой
тайны;
-своевременная подача заявок на выдачу патентов и иных охранных
документов;
-получение временной охраны экспонируемых на международных
выставках объектов в соответствии с Парижской конвенцией по охране
промышленной собственности.
Важность
оформления
правовой
охраны
интеллектуальной
собственности, находящейся в распоряжении у производителя продукции,
заслуживает особого внимания. Заключение лицензионных соглашений как
на объекты патентной охраны, так и на объекты, охраняемые в режиме
коммерческой тайны, является обязательным условием эффективного
40
коммерческого использования созданных разработок. Следует иметь в виду
и возможность пресечения нарушений исключительных прав.
5.Обеспечение конкурентоспособности
основе патентной информации.
создаваемых
разработок
на
Определяющим фактором при анализа и отбора результатов научнотехнической деятельности с целью их дальнейшей коммерциализации
является их конкурентоспособность.
Конкурентоспособность объекта техники - совокупность свойств
объекта, определяющая его способность как товара отвечать требованиям
рынка в определенный период времени. Конкурентоспособность объекта
техники, как правило,
обеспечивается в том случае, когда объект
характеризуется высоким техническим уровнем, соответствием требованиям
и стандартам стран-импортёров и фирм-покупателей, правовой охраной и
патентной чистотой, экономической эффективностью и т.п.
Оценка конкурентоспособности заключается в определении набора
показателей, характеризующих оцениваемый объект, и в их содержательном
анализе.
Работа по отбору лучших объектов разработок должна осуществляться
на всех стадиях жизненного цикла объекта, начиная со стадии планирования
НИОКР. Информационные и ресурсные предпосылки обеспечения
конкурентоспособности объектов техники определяются в процессе
выполнения патентных исследований при анализе технического уровня,
анализе новизны и патентоспособности разрабатываемых технических
решений и их патентной чистоты.
В настоящем разделе приводится методика комплексной оценки и
отбора наиболее эффективных конкурентоспособных объектов разработки,
базирующаяся, в основном, на качественных показателях оценки. Система
критериев отбора учитывает такие общепринятые показатели, как новизна
разработки, правовая охрана и готовность к использованию, а также
включает
результаты
технико-экономических
и
маркетинговых
исследований. Система базируется на следующих основополагающих
принципах:
1) основу приоритетных разработок должны составлять способные к
правовой охране результаты интеллектуальной деятельности;
2) приоритетная технология должна соответствовать
мировому уровню
техники, лучшим научно-техническим показателям;
3) приоритетная технология должна иметь
высокие характеристики
экономической эффективности.
Система оценки содержит следующий набор показателей.
41
I. Критерии, характеризующие правовую защищенность. Эта группа
показателей определяет качество и объем патентной охраны по отношению
к объекту техники, в котором может использоваться данная разработка.
I-1) Качество и объем патентной охраны по отношению к объекту
техники, в котором используется данная разработка:
 патенты защищают основные элементы объекта;
 разработка защищена в режиме коммерческой тайны; имеются результаты
предварительного патентного поиска, подтверждающие потенциальную
новизну разработки;
 разработка защищена в режиме коммерческой тайны ; имеются
существенные секреты производства и/или сведения типа ноу-хау;
 патенты защищают второстепенные элементы объекта;
 правовая охрана отсутствует.
II. Критерии технико-экономической значимости . Эта группа содержит
показатель
перспективности
разработки, показатель готовности в
использованию и оценку предполагаемого дохода от реализации объекта.
II-1) Перспективность разработки .
Перспективность, в зависимости от стадии разработанности объекта,
определяется или на основании принадлежности разработки к
перспективным тенденциям развития данного вида техники или, для реально
существующих образцов, - на основании технических преимуществ объекта
по сравнению с лучшими мировыми достижениями в соответствующей
области техники.
Разработчиками должно быть
представлено подробное описание
исследованных тенденций и дано обоснование перспективности разработки,
или представлены результаты оценки технического уровня на основании
сравнения технических характеристик с лучшими мировыми образцами.
II-2)
Готовность
к
использованию.
Показатель
отражает
принадлежность к определенной стадии разработки продукции:
-теоретические исследования, стадия НИР;
-опытно-конструкторские и экспериментальные исследования ;
-прикладные исследования по совершенствованию отдельных элементов
объекта или технологии при наличии проработанной технологии
производства;
-готовность к передачи в промышленное использование.
II-3) Наличие опытного или демонстрационного образца.
- имеется ;
-не имеется.
II-4) Предполагаемый доход от использования
разработанного
объекта.
Определяется на основе проведения стоимостной оценки
объекта интеллектуальной собственности с учётом
имеющихся
возможностей продажи лицензии или промышленного использования. В
качестве оценочных показателей условно могут быть выбраны следующие
величины предполагаемого дохода:
42
-от 10 тыс. до 100 тыс. долларов США;
-от 100тыс. до 300 тыс. долларов США;
-от 300тыс. до 1 млн. долларов США;
-свыше 1 млн. долларов США.
III. Коммерческие характеристики объекта .
Для определения критериев и показателей данного раздела желательно
привлечение фирм и организаций, занимающихся
конъюнктурой
зарубежных рынков, особенно для получения
сведений о
конкурентоспособности данной продукции на рынке и возможных объемах
экспорта готовой продукции.
Учитываются реальные сведения
о
намерениях к сотрудничеству со стороны зарубежных партнеров,
предполагаемые продажи продукции или продажа лицензий, цена объекта по
сравнению с конкурирующими аналогами, ожидаемая острота конкуренции.
III-1) Документально подтвержденные сведения о намерениях к
сотрудничеству со стороны зарубежных партнеров
 имеются запросы со стороны потенциальных покупателей
продукции или лицензии ;
 потенциальные покупатели не известны.
III-2) Предполагаемые объемы продаж:
-при продаже продукции:
 рынок, охватывающий несколько стран и имеющий большое
разнообразие потребителей;
 большое количество потребителей, но в пределах одной страны;
 узкоспециализированный рынок с небольшим числом потребителей.
-при продаже лицензии :
 передаётся пакет документов (пакет лицензий, пакет договоров на
технические услуги);
 продажа
лицензии
сопровождается договором на поставку
оборудования и комплектующих частей, на оказание помощи типа
«инжиниринг» и др.;
 продажа лицензии; помощь
в
организации производства не
предполагается.
III-3) Цена объекта по сравнению с конкурирующими аналогами:
 цена
объекта ниже цен всех сходных объектов, имеющих
аналогичное качество и технические характеристики;
 цена объекта примерно совпадает с ценой сходных объектов;
 цена объекта выше цены сходных объектов.
III-4) Ожидаемая острота конкуренции:
 выход на рынок конкурентов с аналогичным товаром затруднен
(создание аналогичного продукта требует больших затрат времени на
исследования и разработки, освоение производства и т.д.);
 возможно появление ограниченного числа конкурентов с
аналогичным товаром;
 возможно появление неограниченного числа конкурентов .
43
IY. Прочие критерии.
IY- 1) Соответствие международным стандартам качества :
-соответствует, имеется сертификат;
-соответствует, но сертификат отсутствует;
-не соответствует.
IY-2) Соответствие экологическим нормам и требованиям в странах
предполагаемого патентования:
-соответствует, имеется сертификат;
-соответствует, но сертификат отсутствует;
-не соответствует .
IY-3) Возможность контроля за использованием изобретения за
рубежом по готовому продукту, изделию:
-имеется возможность контроля;
-использованный технологический цикл не обнаруживается в готовом
изделии;
-возможность контроля отсутствует.
Приведенная система критериев оценки характеризует патентноправовое положение объекта, его технико-экономические особенности и
особенности конъюнктуры рынка.
Итогом проведенной оценки должно быть заключение, содержащее
перечень использованных критериев и показателей, характеризующих
оцениваемый объект, а также развернутое обоснование возможностей его
реализации. При этом в первую очередь должны быть приняты во внимание
качество и объем патентной охраны, готовность объекта к использованию,
возможность продажи лицензии, предполагаемый объем денежных
поступлений. Важным дополнительным фактором является оценка
экономических затрат, связанных с освоением технологии или продукта в
производстве и расчёт стоимости соответствующего инвестиционного
проекта [7 ].
Предложенная система критериев наиболее полно и объективно
отражает возможности потенциальных лицензиаров, позволяет им принять
правильное решение об эффективности того или иного созданного объекта
и его потенциальной значимости, заранее определить необходимые для
успешной коммерции показатели и в итоге более успешно функционировать
на рынке технологий.
Перечень источников, использованных при подготовке настоящих
рекомендаций
1. Программа развития наноиндустрии в Российской Федерации до 2015
года. Разработана в
соответствии с
президентской инициативой
«Стратегия развития наноиндустрии» №Пр-688 от 24 апреля 2007г.
44
2.ГОСТ Р15.011-96 «Государственный стандарт Российской Федерации
«Система разработки и постановки продукции на производство. Патентные
исследования» (ГОСТ Р15.011-96)
3.Методические рекомендации по проведению патентных исследований. –
М.:ВНИИПИ. -1988
4.Скорняков Э.П., Омарова Т.Б., Челышева О.В. Методические
рекомендации по проведению патентных исследований. – М.:ИНИЦ
Роспатента. – 2000.
5.Орлова Н.С. Рекомендации по исследованию уровня и тенденций
развития техники на основе патентной информации. – М.:ВНИИПИ,1988.
6.Гражданский кодекс Российской Федерации части первая (от 30.11.1994 №
51-ФЗ), вторая (от 26.01.1996 № 14-ФЗ), третья (от 26.11.2001 № 146-ФЗ),
четвертая (от 18.12.2006 № 230-ФЗ)
7.Методические рекомендации по оценке эффективности инвестиционных
проектов (2-ая редакция) / Официальное издание. Утверждены
Минэкономики России, Минфин России, Государственным комитетом РФ по
строительной, архитектурной и жилищной политике № ВК 477 от 21.06.1999.
- М.: Экономика,2000 г.
45
Приложение 1
Примерный перечень рубрик Международной патентной
классификации, в которых могут содержаться патенты по
нанотехнологиям
Раздел А.
A01K 51/00; A01N 25/14; A01N 25/28; A01N 53/00; A01N 59/16; A21D 8/02;
A22C 13/00; A23C 21/00; A23D 7/00; A23G 3/00; A23J 1/10; A23K 1/00; A23L
1/00; A23L 1/0524; A23L 1/30; A24D 1/02; A24D 3/00; A24D 3/06; A44C 17/00;
A47J 36/02; A61B 10/00; A61B 17/00; A61B 17/32; A61B 17/42; A61B 17/56;
A61B 17/58; A61B 17/72; A61B 5/00; A61B 5/05; A61B 6/00; A61C 8/00; A61F
13/00; A61F 13/15; A61F 9/00; A61F 9/06; A61J 1/00; A61K 31/355; A61K
31/38; A61K 31/395; A61K 31/405; A61K 31/42; A61K 31/4709; A61K 31/553;
A61K 31/663; A61K 31/683; A61K 31/685; A61K 31/7105; A61K 31/717; A61K
31/722; A61K 31/734; A61K 33/00; A61K 33/04; A61K 33/06; A61K 33/26;
A61K 33/44; A61K 35/14; A61K 35/76; A61K 35/78; A61K 36/185; A61K 36/28;
A61K 38/00; A61K 38/13; A61K 38/16; A61K 38/17; A61K 38/28; A61K 38/31;
A61K 38/39; A61K 38/43; A61K 39/00; A61K 39/02; A61K 39/04; A61K 39/118;
A61K 39/12; A61K 39/135; A61K 39/145; A61K 39/187; A61K 39/23; A61K
39/235; A61K 39/245; A61K 39/275; A61K 39/39; A61K 41/00; A61K 47/14;
A61K 47/34; A61K 47/48; A61K 49/00; A61K 49/04; A61K 49/08; A61K 6/00;
A61K 6/02; A61K 6/08; A61K 6/09; A61K 7/00; A61K 7/021; A61K 7/06; A61K
7/075; A61K 7/11; A61K 7/13; A61K 7/135; A61K 7/40; A61K 7/42; A61K 7/48;
A61K 8/19; A61K 8/25; A61K 8/28; A61K 8/72; A61K 8/97; A61K 8/98; A61K
9/00; A61K 9/06; A61K 9/08; A61K 9/10; A61K 9/107; A61K 9/12; A61K 9/127;
A61K 9/14; A61K 9/16; A61K 9/20; A61K 9/50; A61K 9/51; A61K 9/72;
A61K36/15; A61L 15/00; A61L 15/18; A61L 15/44; A61L 17/00; A61L 2/10;
A61L 2/14; A61L 2/16; A61L 24/00; A61L 27/00; A61L 27/02; A61L 27/10;
A61L 27/14; A61L 27/24; A61L 27/30; A61L 27/32; A61L 9/01; A61M 1/14;
A61M 1/34; A61M 1/38; A61M 16/00; A61M 27/00; A61M 5/32; A61N 1/08;
A61N 1/16; A61N 1/26; A61N 1/44; A61N 2/00; A61N 5/00; A61N 5/06; A61N
5/067; A61P 27/16; A61Q 19/04.
Раздел B.
B01D 11/02; B01D 17/00; B01D 17/06; B01D 19/00; B01D 29/48; B01D 3/00;
B01D 37/04; B01D 39/00; B01D 39/02; B01D 39/06; B01D 39/08; B01D 39/14;
B01D 39/16; B01D 46/10; B01D 46/52; B01D 53/14; B01D 53/86; B01D 53/92;
B01D 53/94; B01D 59/00; B01D 61/00; B01D 61/14; B01D 61/18; B01D 63/06;
B01D 63/08; B01D 63/10; B01D 63/16; B01D 65/08; B01D 67/00; B01D 69/00;
B01D 69/10; B01D 71/02; B01D 71/06; B01D 71/32; B01D 71/64; B01F 17/28;
B01F 3/18; B01F 7/28; B01J 13/00; B01J 13/02; B01J 13/02; B01J 13/14; B01J
19/00; B01J 19/08; B01J 20/06; B01J 20/08; B01J 20/10; B01J 20/16; B01J 20/20;
46
B01J 20/26; B01J 21/04; B01J 21/06; B01J 21/08; B01J 21/18; B01J 23/02; B01J
23/04; B01J 23/22; B01J 23/26; B01J 23/40; B01J 23/40; B01J 23/42; B01J 23/44;
B01J 23/46; B01J 23/56; B01J 23/58; B01J 23/656; B01J 23/72; B01J 23/74; B01J
23/75; B01J 23/755; B01J 23/84; B01J 23/89; B01J 27/18; B01J 27/188; B01J
29/40; B01J 29/46; B01J 29/48; B01J 29/80; B01J 3/08; B01J 31/02; B01J 31/12;
B01J 31/14; B01J 32/00; B01J 35/02; B01J 37/00; B01J 37/02; B01J 37/03; B01J
37/04; B01J 37/08; B01J 37/16; B01J 37/18; B01J 37/34; B01J 8/04; B01J 8/08;
B03B 1/00; B03B 7/00; B03C 3/00; B03C 3/02; B03C 7/00; B04C 3/06; B05B
1/00; B05B 1/24; B05D 1/20; B05D 1/34; B05D 3/02; B05D 5/08; B05D 7/04;
B05D 7/14; B21B 1/26; B21C 23/14; B21C 25/00; B21D 51/02; B21F 19/00; B21J
5/00; B21J 5/06; B22C 9/00; B22D 11/06; B22D 18/00; B22D 27/20; B22F 1/00;
B22F 1/02; B22F 3/08; B22F 3/11; B22F 3/18; B22F 3/20; B22F 3/23; B22F 9/02;
B22F 9/12; B22F 9/14; B22F 9/16; B22F 9/18; B22F 9/22; B22F 9/24; B22F 9/28;
B22F 9/30; B23B 1/00; B23B 27/14; B23D 13/00; B23D 5/02; B23H 7/22; B23H
9/00; B23K 1/00; B23K 20/08; B23K 9/173; B23P 15/00; B23P 15/28; B23Q 1/26;
B23Q 11/10; B23Q 15/22; B24B 1/00; B24B 49/12; B24B 7/17; B24D 17/00;
B24D 3/06; B24D 3/32; B25J 7/00; B27K 3/15; B27M 3/06; B27N 3/04; B28B
1/52; B28B 3/00; B29C 39/00; B29C 55/06; B29C 70/06; B29D 11/00; B29D
7/01; B32B 15/04; B32B 15/20; B32B 17/00; B32B 27/00; B32B 27/08; B32B
27/20; B32B 27/36; B32B 27/38; B32B 33/00; B32B 7/12; B32B 9/04; B41M
5/30; B41N 3/03; B42D 15/00; B44C 1/165; B44C 1/17; B44D 5/00; B44F 1/10;
B60C 1/00; B60N 3/02; B64C 23/00; B64C 3/10; B65D 35/08; B65D 65/40; B65D
75/66; B65D 83/14; B81B 1/00; B81B 7/04; B81C 1/00; B82B 1/00; B82B 3/00.
Раздел C.
C01B 13/14; C01B 13/18; C01B 13/28; C01B 13/32; C01B 13/34; C01B 15/029;
C01B 21/072; C01B 21/14; C01B 3/00; C01B 3/26; C01B 3/38; C01B 3/56; C01B
31/00; C01B 31/02; C01B 31/04; C01B 31/06; C01B 31/08; C01B 31/10; C01B
31/12; C01B 31/34; C01B 31/36; C01B 33/00; C01B 33/02; C01B 33/12; C01B
33/14; C01B 33/143; C01B 33/145; C01B 33/158; C01B 33/16; C01B 33/18;
C01B 33/193; C01B 33/20; C01B 33/32; C01B 33/40; C01B 35/10; C01B 37/02;
C01B 37/08; C01B 39/00; C01B 39/48; C01B31/08; C01F 11/18; C01F 11/46;
C01F 17/00; C01F 5/30; C01F 7/02; C01F 7/42; C01G 1/00; C01G 23/00; C01G
23/047; C01G 23/053; C01G 23/07; C01G 3/00; C01G 31/02; C01G 49/00; C01G
51/04; C01G 9/02; C02F 1/00; C02F 1/24; C02F 1/28; C02F 1/46; C02F 1/461;
C02F 1/467; C02F 1/52; C02F 11/14; C02F 5/00; C02F 9/00; C02F 9/04; C02F
9/12; C03B 33/09; C03B 5/235; C03C 1/00; C03C 10/02; C03C 10/12; C03C
17/00; C03C 17/02; C03C 17/245; C03C 17/34; C03C 17/36; C03C 17/38; C03C
19/00; C03C 25/42; C03C 3/06; C03C 4/08; C04B 22/04; C04B 24/18; C04B
28/00; C04B 28/02; C04B 28/04; C04B 28/24; C04B 28/26; C04B 28/34; C04B
33/28; C04B 35/00; C04B 35/14; C04B 35/48; C04B 35/52; C04B 35/571; C04B
35/58; C04B 35/622; C04B 35/624; C04B 35/632; C04B 35/638; C04B 35/65;
C04B 35/80; C04B 38/10; C04B 41/65; C04B 41/87; C06B 21/00; C06B 25/04;
C07C 13/465; C07C 15/085; C07C 17/06; C07C 2/00; C07C 2/12; C07C 2/66;
47
C07C 2/70; C07C 209/48; C07C 211/27; C07C 211/48; C07C 255/40; C07C
309/80; C07C 31/125; C07C 319/06; C07C 319/20; C07C 33/02; C07C 37/60;
C07C 407/00; C07C 46/06; C07C 5/10; C07C 5/23; C07C 5/333; C07C 51/235;
C07C 53/124; C07C 7/144; C07C 7/163; C07D 201/04; C07D 201/08; C07D
201/16; C07D 207/27; C07D 239/38; C07D 253/10; C07D 301/10; C07D 307/08;
C07D 401/12; C07D 487/22; C07D 493/04; C07D 501/12; C07F 5/00; C07F 7/18;
C07F 9/38; C07H 19/00; C07H 21/02; C07K 1/14; C07K 14/16; C07K 14/18;
C07K 14/415; C07K 14/62; C07K 17/04; C08B 37/00; C08B 37/08; C08C 19/14;
C08F 10/00; C08F 14/00; C08F 14/18; C08F 2/16; C08F 2/18; C08F 2/22; C08F
2/54; C08F 210/02; C08F 22/14; C08F 224/00; C08F 257/02; C08F 259/04; C08F
265/00; C08F 265/04; C08F 275/00; C08F 287/00; C08F 4/651; C08F 6/24; C08F
8/46; C08G 18/08; C08G 18/32; C08G 61/02; C08G 63/12; C08G 63/85; C08G
65/26; C08G 65/329; C08G 65/40; C08G 69/20; C08G 73/10; C08G 77/44; C08G
77/58; C08G 79/08; C08J 3/03; C08J 3/12; C08J 3/24; C08J 5/00; C08J 5/04; C08J
5/16; C08J 5/18; C08J 9/00; C08J 9/14; C08K 3/06; C08K 3/16; C08K 3/34; C08L
101/00; C08L 19/00; C08L 23/02; C08L 23/04; C08L 23/20; C08L 25/10; C08L
27/12; C08L 27/16; C08L 27/18; C08L 33/00; C08L 33/12; C08L 33/20; C08L
5/16; C08L 61/10; C08L 63/00; C08L 67/02; C08L 67/06; C08L 7/00; C08L
71/02; C08L 75/14; C08L 77/00; C08L 77/02; C08L 77/10; C08L 83/04; C09C
1/00; C09C 1/24; C09C 1/44; C09C 1/48; C09C 1/50; C09C 1/52; C09C 1/54;
C09C 1/56; C09C 1/64; C09C 3/04; C09D 1/02; C09D 109/08; C09D 11/00; C09D
11/16; C09D 169/00; C09D 175/06; C09D 177/00; C09D 177/02; C09D 201/02;
C09D 5/00; C09D 5/03; C09D 5/08; C09D 5/14; C09D 5/32; C09G 1/02; C09G
1/12; C09J 11/04; C09J 167/02; C09J 201/10; C09J 9/02; C09K 11/00; C09K
17/00; C09K 19/12; C09K 3/10; C09K 3/14; C09K 5/08; C09K 5/10; C09K 8/506;
C10G 45/02; C10G 45/08; C10G 45/10; C10G 45/58; C10G 45/60; C10G 45/64;
C10G 47/02; C10G 47/22; C10G 65/02; C10G 65/04; C10G 65/08; C10G 65/12;
C10G 9/00; C10L 1/12; C10L 1/222; C10M 103/02; C10M 125/00; C10M 125/02;
C10M 125/04; C10M 159/12; C10M 161/00; C10M 169/04; C10M 169/06; C10M
173/02; C10M 177/00; C11B 3/10; C11C 3/12; C11D 3/08; C12G 3/00; C12G
3/06; C12G 3/08; C12H 1/048; C12M 1/12; C12N 1/20; C12N 15/00; C12N 15/10;
C12N 15/44; C12N 15/87; C12N 5/00; C12N 7/00; C12N 9/00; C12N 9/14; C12P
19/42; C12P 21/02; C12Q 1/48; C13D 1/08; C13D 3/16; C13K 11/00; C14C 7/00;
C21B 13/00; C21B 5/02; C21D 1/04; C21D 6/02; C21D 7/00; C21D 8/00; C21D
8/10; C21D 8/12; C22B 1/00; C22B 1/243; C22B 11/00; C22B 11/02; C22B 3/00;
C22B 3/20; C22B 34/12; C22C 1/02; C22C 1/04; C22C 1/05; C22C 1/10; C22C
14/00; C22C 16/00; C22C 19/03; C22C 21/00; C22C 21/06; C22C 21/12; C22C
33/02; C22C 38/00; C22C 38/40; C22C 9/00; C22C 9/06; C22F 1/053; C22F 1/18;
C22F 3/02; C23C 10/20; C23C 14/00; C23C 14/06; C23C 14/08; C23C 14/14;
C23C 14/20; C23C 14/22; C23C 14/24; C23C 14/26; C23C 14/34; C23C 14/35;
C23C 14/48; C23C 14/58; C23C 16/00; C23C 16/06; C23C 16/12; C23C 16/24;
C23C 16/27; C23C 16/30; C23C 16/40; C23C 18/30; C23C 18/32; C23C 24/04;
C23C 26/00; C23C 28/00; C23C 4/00; C23C 4/10; C23C 8/36; C23C16/00; C23F
11/00; C25B 1/00; C25B 11/08; C25B 11/12; C25C 3/06; C25C 3/08; C25C 5/02;
C25D 1/10; C25D 11/02; C25D 11/06; C25D 11/26; C25D 15/00; C25D 15/02;
48
C25D 3/10; C25D 3/22; C25D 3/48; C25D 5/02; C25F 3/14; C30B 11/00; C30B
15/00; C30B 19/12; C30B 23/00; C30B 25/00; C30B 25/02; C30B 28/02; C30B
29/16; C30B 29/22; C30B 29/34; C30B 29/38; C30B 29/48; C30B 29/62; C30B
31/22; C30B 33/02; C30B 33/04; C30B 33/10.
Раздел D.
D01D 5/34; D01F 1/10; D01F 6/06; D01F 6/90; D01F 9/08; D01F 9/12; D01F
9/127; D06M 11/83; D06M 13/395; D06P 1/673; D06P 3/14; D21F 11/00; D21H
11/00; D21H 17/69; D21H 19/00; D21H 21/10; D21H 21/14; D21H 21/16; D21H
21/40; D21H 23/02; D21H 23/04; D21H 23/76.
Раздел E.
E02B 15/04; E04F 15/10; E21B 33/138; E21B 43/24; E21B 43/32; E21B 49/00.
Раздел F.
F01D 25/24; F01K 25/00; F01N 1/00; F02B 51/00; F02M 27/04; F03G 7/00; F03H
1/00; F04D 17/02; F16C 17/14; F16C 33/04; F16C 33/12; F16C 33/14; F16C
33/64; F16F 13/00; F16F 5/00; F16J 15/18; F16K 17/00; F16L 59/02; F16L 59/06;
F17C 1/16; F17C 11/00; F21V 8/00; F21V 9/00; F24C 15/00; F25B 21/00; F25B
9/00; F25B 9/02; F25B 9/14; F25D 3/10; F25J 1/00; F25J 1/02; F28D 15/02; F42B
1/032; F42B 39/26; F42B 5/145.
Раздел G.
G01B 1/00; G01B 11/06; G01B 11/14; G01B 11/26; G01B 15/00; G01B 15/02;
G01B 21/00; G01B 5/00; G01B 5/28; G01B 7/00; G01B 7/34; G01C 19/56; G01F
1/00; G01F 23/24; G01H 9/00; G01J 1/42; G01J 3/00; G01J 3/42; G01J 3/44;
G01J 5/12; G01J 9/02; G01K 11/20; G01K 7/00; G01L 1/00; G01L 9/12; G01N
13/00; G01N 13/10; G01N 13/12; G01N 15/02; G01N 19/02; G01N 21/00; G01N
21/21; G01N 21/35; G01N 21/43; G01N 21/64; G01N 21/67; G01N 21/85; G01N
21/88; G01N 22/00; G01N 23/00; G01N 23/04; G01N 23/20; G01N 23/225; G01N
25/30; G01N 27/00; G01N 27/02; G01N 27/12; G01N 27/22; G01N 27/327; G01N
27/333; G01N 27/40; G01N 27/42; G01N 27/447; G01N 27/62; G01N 3/00; G01N
3/08; G01N 3/22; G01N 3/40; G01N 30/08; G01N 30/48; G01N 30/56; G01N
33/48; G01N 33/483; G01N 33/487; G01N 33/49; G01N 33/52; G01N 33/53;
G01N 33/533; G01N 33/543; G01N 33/558; G01N 33/569; G01N 33/573; G01N
33/58; G01N 35/00; G01P 15/00; G01R 15/22; G01R 15/24; G01R 19/00; G01R
27/26; G01R 29/02; G01R 31/12; G01R 33/035; G01R 33/05; G01R 33/07; G01R
33/09; G01R 33/12; G01T 1/185; G01W 1/02; G02B 1/00; G02B 1/06; G02B
21/00; G02B 21/24; G02B 21/26; G02B 21/32; G02B 27/22; G02B 5/02; G02B
5/08; G02B 5/128; G02B 5/18; G02B 5/20; G02B 5/24; G02B 5/28; G02B 5/30;
G02B 6/13; G02F 1/00; G02F 1/017; G02F 1/13; G02F 1/133; G02F 1/153; G02F
49
1/35; G02F 1/355; G03C 1/72; G03F 7/20; G03F 9/00; G03H 1/18; G06F 3/02;
G06G 7/60; G06K 19/00; G06K 19/06; G06K 9/68; G06N 3/06; G06Q 90/00;
G07F 13/00; G09B 23/20; G09F 3/00; G09G 5/00; G11B 5/00; G11B 5/133; G11B
5/66; G11B 5/716; G11B 5/84; G11B 7/00; G11B 7/09; G11B 7/24; G11B 9/00;
G11B 9/14; G11B5/84; G11C 11/00; G11C 11/06; G11C 11/15; G11C 11/21;
G11C 11/22; G11C 11/40; G11C 14/00; G11C 16/00; G11C 16/04; G12B 13/00;
G12B 17/00; G12B 17/02; G12B 21/00; G12B 21/02; G12B 21/20; G12B 21/22;
G21B 1/00; G21C 3/28; G21C 3/62; G21F 9/04; G21F 9/06; G21F 9/12; G21G
1/00; G21G 4/02; G21G 4/04.
Раздел H.
H01B 1/00; H01B 12/06; H01B 7/00; H01B 9/02; H01C 10/10; H01C 17/00;
H01C 17/06; H01F 1/00; H01F 1/053; H01F 1/11; H01F 1/113; H01F 1/153; H01F
1/37; H01F 1/44; H01F 10/00; H01F 10/08; H01F 10/10; H01F 10/32; H01F
27/24; H01F 27/25; H01F 36/00; H01F 41/30; H01G 2/22; H01G 4/10; H01G
7/06; H01G 9/00; H01G 9/004; H01G 9/04; H01G 9/042; H01G 9/058; H01H
41/00; H01J 1/02; H01J 1/30; H01J 1/304; H01J 1/34; H01J 1/35; H01J 1/62;
H01J 19/02; H01J 21/00; H01J 21/10; H01J 21/20; H01J 27/02; H01J 29/18; H01J
29/48; H01J 3/02; H01J 31/12; H01J 31/15; H01J 31/50; H01J 35/00; H01J 37/04;
H01J 37/26; H01J 37/28; H01J 49/40; H01J 49/44; H01J 61/35; H01J 9/02; H01J
9/22; H01J 9/227; H01L 21/00; H01L 21/02; H01L 21/18; H01L 21/20; H01L
21/203; H01L 21/205; H01L 21/208; H01L 21/26; H01L 21/263; H01L 21/265;
H01L 21/268; H01L 21/28; H01L 21/283; H01L 21/30; H01L 21/306; H01L
21/3065; H01L 21/316; H01L 21/322; H01L 21/324; H01L 21/335; H01L 21/336;
H01L 21/338; H01L 21/363; H01L 21/461; H01L 21/477; H01L 21/66; H01L
21/76; H01L 21/762; H01L 21/768; H01L 21/82; H01L 21/8238; H01L 21/8239;
H01L 21/8246; H01L 23/34; H01L 25/18; H01L 27/00; H01L 27/06; H01L
27/108; H01L 27/115; H01L 27/12; H01L 27/146; H01L 29/00; H01L 29/15;
H01L 29/41; H01L 29/72; H01L 29/76; H01L 29/772; H01L 29/775; H01L 29/78;
H01L 29/786; H01L 29/88; H01L 29/92; H01L 31/00; H01L 31/04; H01L 31/042;
H01L 31/06; H01L 31/09; H01L 31/18; H01L 33/00; H01L 35/18; H01L 35/30;
H01L 37/02; H01L 39/00; H01L 39/12; H01L 39/14; H01L 39/16; H01L 39/18;
H01L 39/22; H01L 39/24; H01L 41/00; H01L 41/08; H01L 41/083; H01L 41/09;
H01L 43/08; H01L 43/12; H01L 51/40; H01L21/268; H01L31/06; H01M 10/40;
H01M 12/06; H01M 4/00; H01M 4/02; H01M 4/04; H01M 4/40; H01M 4/48;
H01M 4/62; H01M 4/86; H01M 4/90; H01M 8/02; H01M 8/04; H01M 8/10;
H01M 8/10; H01Q 17/00; H01S 3/00; H01S 3/02; H01S 3/09; H01S 3/10; H01S
3/16; H01S 5/00; H01S 5/022; H01S 5/024; H01S 5/042; H01S 5/32; H01S 5/343;
H02K 1/00; H02K 19/08; H02N 11/00; H02N 2/00; H02N 2/02; H02N 2/04;
H02N 2/10; H03F 1/42; H03K 19/00; H03K 3/53; H03K 5/04; H04L 12/28; H04N
5/66; H05B 3/06; H05B 3/34; H05B 3/84; H05B 33/12; H05B 33/26; H05H 1/00;
H05H 1/42; H05H 1/44; H05H 13/00; H05H 3/04 ;H05K 9/00.
50
Приложение 2
КЛАССИФИКАЦИЯ США
КЛАСС 977 «НАНОТЕХНОЛОГИЯ»
Подкласс
700
701
702
703
704
705
706
707
708
709
710
711
712
713
714
715
716
717
718
719
720
722
723
724
725
726
727
728
Название
НАНОСТРУКТУРЫ
. интегрированные с другими структурами на общей подложке
.. из материала с биологическим компонентом
… клеточным
… нуклеиновыми кислотами (например, ДНК или РНК и т.д.)
…протеинами или пептидами
… углеводами
.. содержащие различные типы наноразмерных структур или
устройств на общей подложке
.. с отдельным переключающим устройством
… с «молекулярным» переключающим устройством
…. работающим по принципу биологического переключения
….. с помощью нуклеиновых кислот
.. образованные из нескольких слоев, состоящих из
«наноразмерного» материала (например, многоуровневые или
стопочные структуры и т.д.)
… имеющие жировой слой
… содержащие белок
.. на органической подложке
... с поверхностью, представляющей собой биологический
клеточный материал
… с подложкой из жирового материала
… на углеводородной подложке
… на подложке из нуклеиновых кислот
..
на
электропроводной,
полупроводниковой
или
полуизоляционной подложке
721
…на силиконовой подложке
…на металлической подложке
.. на электрически изолированной подложке
. устройства с гибким или подвижным элементом
.. нанодвигатели или наноактюаторы
… использующие химическую реакцию или биологическую
энергию (например, с аденазин-трифосфатом)
.. образованные из биологического материала
… из нуклеиновых кислот (например, ДНК или РНК и т.д.)
51
729
730
731
732
733
734
735
736
737
738
739
740
741
742
743
744
745
746
747
748
749
750
751
752
753
754
… из протеинов или протеиновых комплексов (например,
ферментов, или карбоксильных групп и т.д.)
… для целей, связанных с электрическими аспектами
.. образованными из одного атома, молекулы или кластера
.. наноконсоли, нанокантилеверы
.. нанодиафрагма
. фуллерены ( т.е. структуры на основе графенов, такие как
наноконусы, нанококоны, наноспирали и т.д.) или
фуллереноподобные структуры (например, нанотрубки из
WS2 или MoS2, планары из материала типа C3N4 и т.д.)
.. углеродные бакиболлы, т.е. сферообразные молекулы
углерода (С60, С70 и т.д. и их производные и модификации)
... с атомами внутри углеродной клетки
… с модифицированной поверхностью
…. модифицированной биологическим, органическим или
углеводородным материалом
…..модифицированной ферментами
….модифицированной атомами или молекулами, связанными
с поверхностью
…. модифицированной с помощью инородного атома или
молекулы, замещающими атомы углерода в шарообразной
структуре бакиболла (например, допирование (легирование)
примесями, или композиционное замещение)
.. углеродные нанотрубки (CNT)
… со специфической концевой структурой (например, в виде
замкнутой раковины или открытой с концов трубки и т.д.)
… с атомами внутри углеродной клетки
… с модифицированной поверхностью
…. модифицированной биологическим, органическим или
углеродным материалом
….. модифицированной ферментами
…. модифицированной атомами или молекулами, связанными
с поверхностью
…. модифицированной с помощью инородных атомов или
молекул, замещающих атомы углерода в структуре
углеродной
нанотрубки
(например,
допирование
(легирование) примесями, или композиционное замещение и
т.д.)
… с одной стенкой, т.е. однослойные
….
со
специфической
хиральностью
и/или
электропроводностью (например, с хиральностью (5,4), (5,5),
(10,5) и т.д.)
… с несколькими стенками, т.е. многослойные
.. с полимерным или органическим связующим
. дендримеры (т.е. ветвистые или древоподобные структуры)
52
755
756
757
758
759
760
761
762
763
764
765
766
767
768
769
770
771
772
773
774
775
776
777
778
. нанолисты или квантовые барьеры, квантовые ямы (т.е.
структура в виде листа толщиной не более 100 нм)
.. в виде жирового слоя
... содержащего протеин
.. с моноатомным слоем на дельта-допированном листе
.. квантово-размерные ямы для обеспечения межзонных
электронных переходов (например, для использования в
униполярных светоизлучающих эмиттерах или квантоворазмерных инфракрасных фотодетекторах и т.д.)
.. сверхрешетки с переменной эффективной шириной
запрещенной зоны (например, сверхрешетки с линейно
изменяющейся характеристикой и т.д.)
.. сверхрешетки с толщиной барьера или ямы,
обеспечивающей увеличение отражения, передачи или
фильтрации носителей, обладающие энергией, превышающей
уровень энергии зоны проводимости или валентной зоны ямы
или барьера
. нанопроволока или квантовая проволока (аксиально
вытянутые двухразмерные структуры, причем оба размера не
превышают 100 нм)
.. в виде террасных или гребешковых кристаллографических
структур
.. с особой плотностью упаковки
.. с особым профилем поперечного сечения (например,
лентовидным и т.д.)
.. лентовидная проволока (т.е. имеющая нелинейную
продольную ось)
… петлеобразной структуры
… проволока спиралевидной формы
…. образованная из нуклеиновых кислот
…. образованная из полиамидных полимеров
… нанокольца
…. образованные из кольцевых наномолекул (например, ДНК,
небелковой части гемоглобина, хелаторов и т.д.)
. наночастицы (объемные структуры, три размера которых
составляют не более 100 nm)
.. представляющие собой трехмерную несущую конструкцию
(например, квантовые точки, и т.д.)
.. порошки или хлопья из наноразмерных частиц (например,
катализаторы и т.д.)
… керамическая пудра или хлопья
… металлическая пудра или хлопья
. материал внутренней части подложки или матрицы (
например, нанокомпозитные пленки, и т.д.)
53
779
780
781
782
783
784
785
786
787
788
789
790
791
792
793
794
795
796
797
798
799
800
801
802
803
804
805
806
807
808
.. содержащий наночастицы, порошки, хлопья или кластеры
иные, чем просто легированные примесями атомов
.. содержащие полностью замкнутые наноразмерные лакуны
или физические пустоты
.. имеющие наноразмерные дыры на поверхности, которые
углублены внутрь или проходят насквозь через материал
основы или подложки
.. имеющие наноразмерные физические выступы, ребра,
выпуклости , выступающие над поверхностью основы или
матрицы
.. с основой или подложкой из органического материала
(например, жирового)
.. материалом подложки является электропроводный или
полупроводниковый материал
.. материалом подложки является электрический изолятор
.. с подложкой или матрицей из текучего материала,
содержащего нанокомпоненты
… с подложкой или матрицей из вязкого текучего материала,
содержащего нанокомпоненты
. на органической или углеродсодержащей основе
.. в формате решетки
… с гетерогенными наноструктурами
…. молекулярные решетки
….. решетки из нуклеиновых кислот (например, решетки
генома человека и т.д.)
….. белковые матрицы
…. матрицы химических библиотек
.. из биологического материала
… для электрических аспектов или для применения в области
электроники
.. содержащей жировые частицы
… с интернализированным материалом
…. включающим биологический материал
….. нуклеиновые кислоты (например, ДНК или РНК и т.д.)
….. лекарства
.. содержащей частицы на основе вирусов
… с внутренней частью из биологического материала
…. из нуклеиновых кислот
…. содержащей лекарства
… с химическим наружным прикреплением
….когда
наружное
прикрепление
обеспечивает
детектирование
….когда
наружное прикрепление используется для
нанесения метки (например, метки лекарственного препарата,
и т.д.)
54
809
810
811
812
813
814
815
816
817
818
819
820
821
822
823
824
825
826
827
828
.. органические пленки на силиконе
. особого состава из металлов или их сплавов
. особого состава из оксидов металлов (например,
электропроводные составы или полупроводниковые составы,
такие как ITO, ZnOx и т.д.)
.. перовскиты и составы, обеспечивающие сверхпроводимость
(например, BaxSr1-xTio3 и т.д.)
. из особых неорганических полупроводниковых составов
(например, из IV-VI групп периодической системы и т.д.)
.. на основе элементов IV группы или соединений из
элементов этой группы (например, CxSiyGez, пористый
силикон и т.д.)
.. на основе соединений из элементов III-V группы (например,
AlaGabIncNxPyAsz, и т.д.)
… на основе соединений азота и элементов III группы
(например, AlxGayInzN, и т.д.)
…. группа соединений или кластеры с высоким содержанием
индия типа InGaN
… на основе соединений фосфора и элементов III группы
(например, AlxGayIn2P и т.д.)
… на основе соединений мышьяка и элементов III группы
(напрмер, AlxGayInzAs и т.д.)
… на основе соединений сурьмы и элементов III группы
(например, AlxGayInzSb и т.д.)
… на основе смешанных соединений элементов из групп III-V
c элементами группы V (например, III-NxPy и т.д.)
… борсодержащие соединения
… талийсодержащие или висмутсодержащие соединения
.. неоксидные соединения элементов групп II-VI (например,
CdxMnYTe, и т.д.)
..
когда
гетеропереход
образуется
между
полупроводниковыми материалами, которые отличаются тем,
что принадлежат различным группам периодической системы
(например, Ge (группа IV) – GaAs (группы III-V) или InP
(группы Ш-V) – CdTe (группы II-V) и т.д.
.. нестехиометрические соединения с полупроводниковыми
свойствами (например, соединения типа IIIxVy, где III и V
номера групп периодической системы и где x не равен y, и
т.д.)
..
образованные
из
полупроводниковых
гибридных
композиционных материалов, содержащих как органические,
так и неорганические соединения
..
биологические
композиции,
взаимосвязанные
с
неорганическим материалом
55
829
830
831
832
833
834
835
836
837
838
.. когда сердцевина из органического или биологического
материала покрыта неорганической оболочкой
.. когда сердцевина или кластер из неорганического материала
покрыты оболочкой из органического или биологического
материала
. образованные из особого керамического материала или из
электроизоляционного композиционного материала
. обладающие особыми свойствами (например, периодом
кристаллической решетки,
коэффициентом теплового
расширения и т.д.)
.. тепловыми свойствами наноматериала (например,
теплопроводностью, теплоизоляцией или эффектом Пельтье,
эффектом Сибека и т.д.)
.. оптическими свойствами наноматериала (например, особой
прозрачностью,
светонепроницаемостью
или
особым
показателем преломления и т.д.)
.. особой химической или ядерной реакционной активностью
или стабильностью композиционного наноматериала или
соединений, из которых образован наноматенриал
… обладающие способностью вступать в биологическую
реакцию
… особыми пьезоэлектрическими свойствами наноматериала
.. особыми магнитными свойствами наноматериала
839
МАТЕМАТИЧЕСКИЕ
ПРГРАММЫ,
например,
КОМПЬЮТЕРНОЕ
ПРОГРАМНОЕ
ОБЕСПЕЧЕНИЕ,
СПЕЦИАЛЬНО
ПРЕДНАЗНАЧЕННОЕ
ДЛЯ
МОДЕЛИРОВАНИЯ КОНФИГУРАЦИИ ИЛИ СВОЙСТВ
НАНОСТРУКТУР
840
ПРОИЗВОДСТВО. ОБРАБОТКА ИЛИ ДЕТЕКТИРОВАНИЕ
НАНОСТРУКТУР
. локализация распространения или удаление материала
наноструктур из окружающей среды
. углеродных нанотрубок или фуллеренов
.. методом каталитического выращивания в газовой фазе (т.е.
химического осаждения из паровой фазы)
.. выращиванием путем испарения или разложения
углеродсодержащего
источника
с
использованием
высокоэнергетического
источника
тепла
(например,
электрической дуги, лазера, плазмы, электронного пучка и
т.д.)
.. очистка или разделение фуллеренов или нанотрубок
.. внутренние модификации (например, наполнение,
образование внутренних граней, и т.д.)
841
842
843
844
845
846
56
847
848
849
850
851
852
853
854
855
856
857
858
859
860
861
862
863
864
865
866
867
868
869
870
871
872
873
874
875
876
877
878
879
880
881
882
883
884
..модификации поверхности (функционализация, покрытие, и
т.д.)
..модификации концов трубок (кэппирование, соединение,
сращивание и т.д.)
.. с помощью сканирующего зонда
.. способы управления сканирующим зондом
…
обеспечение
необходимого
перемещения
или
позиционирования сканирующего наконечника
.. для детектирования специфических образцов наноструктур
или свойств, обусловленных наноструктурами
… биологических образцов
… образцов из полупроводникового материала
.. изготовление наноструктур
.. с применением травления или резания
… с применением покрытия
…
позиционирование
(размещение)
или
крепление
наноструктур
… обработка подложки
.. конструкция сканирующего зонда
... для туннельного сканирования
… зонд ближнего поля
… зонд атомно-силового микроскопа
… электростатический зонд
… зонд магнитно-силового микроскопа
… сканирующий емкостной зонд
… сканирующий тепловой зонд
… с оптическими устройствами
…. оптический микроскоп
…. оптический рычаг для отраженного света
… со средствами регулировки параметров окружающей среды
… приспособления для позиционирования
… держатели наконечника
… с несколькими наконечниками
… конструкция наконечника
…. в виде нанотрубки
…. с химической функционализацией
…. формы наконечников, заостренные части
…. материал
. устройства, приспособления или способы тестирования
.. микроскопия или спектроскопия (например, SEM,TEM и
т.д.)
. сборка отдельных компонентов (напрмер, путем
прикрепления )
.. самосборка в текучей среде (“FSA”)
.. собираемых с помощью биораспознаваемого комплекса
57
885
886
887
888
889
890
891
892
893
894
895
896
897
898
899
900
901
902
902
903
904
905
906
907
908
909
910
911
912
913
914
… посредством гибридизации нуклеиновой кислоты
… посредством распознавание белка
. литография с получением нанооттиска
. формообразование или удаление материала (например,
травлением и т.д.)
.. с помощью лазерной абляции ( уноса массы)
. нанесение материалов (например покрытие, CVD или ALD
ит.д.)
.. осаждением в паровой фазе
.. осаждением в жидком растворе
.. отливкой в поры с последующим удалением формы
. способы изготовления со стадией или средствами
биологического роста
. способы изготовления или средства, использующие
химические свойства
.. использующие химический синтез (например, химическое
связывание или разрыв связей и т.д.)
… полимеризацию
… ферментативный синтез
… электролитический синтез
. способы изготовления со стадией или средствами,
использующими механические или тепловые свойства
(например, давление, тепло и т.д.)
. способы изготовления со стадией или средствами,
использующими электромагнитные свойства (например,
оптические, рентгенолучевые, электроннолучевые и т.д.)
СПЕЦИФИЧЕСКОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ НАНОСТРУКТУР
. для конверсии, локализации или разрушения вредоносного
материала
. для медицинских, иммунологических, или диагностических
целей
.. специально предназначенные для движения в системе
циркуляции крови
.. для доставки лекарства в нужную точку тела
… липосом
.. при проведении хирургического вмешательства или
механического воздействия
… для устранения препятствий, например для увеличения
проходимости в трубчатых органах
… для усиления клеток или тканей
… для разрушения раковых клеток
… для лечения раковых клеток
… для имплантации стволовых клеток
… белковая инженерия
58
915
916
917
918
919
920
921
922
923
924
925
926
927
928
929
930
931
932
933
934
935
936
937
938
939
940
941
942
943
944
945
946
.. для создания терапевтических или фармацевтических
композиций
… генная терапия
… вакцины
.. для иммунологических целей
.. для стоматологических целей
..
обнаружение,
выявление
или
детектирование
биохимических соединений
… токсических химических соединений
… являющихся взрывчатым материалом
.. использование клеточных культур
.. использование наноструктуры
в качестве опоры для
проведения анализа ДНК
.. для осуществления биоэлектрического воздействия
.. для химических веществ местного действия (например,
косметические или солнцезащитные средства и т.д.)
.. в качестве контрастного вещества для диагностических
целей
… в качестве рентгеноконтрастного вещества
... в качестве контрастного вещества для ультразвукового
исследования
… в качестве контрастного вещества для магниторезонансной
томографии
.. в качестве материалов покрытия для медицинских устройств
или приборов
. для применения в области электроники или оптоэлектроники
.. спинтроника или квантовые вычисления
… гигантская магнеторезистентность (GMR)
… туннельный переход, зависящий от электронного спина
(например, магнеторезистентный и т.д.)
.. в транзисторах или трехполюсных устройствах
… в одноэлектронных транзисторах
… в полевых транзисторах, использующих нанопроволоку или
нанотрубку для создания канальной области
.. электронный эмиттер (например, с наконечником эмиттера
Шпиндта, покрытым наночастицами)
.. в логических схемах
.. с использованием логического элемента в виде молекулы
или молекул ДНК
… содержащих логический элемент в виде белка
.. использование наноструктур для хранения или нахождения
информации
… с помощью биохимической памяти
…. белковая память
…. память нуклеиновых кислот
59
947
948
949
950
951
952
953
954
955
956
957
958
959
960
961
962
963
… с помощью сканирующего зонда
.. получение или хранение энергии с помощью наноструктур
(например, топливные элементы, батарейки и т.д.)
.. радиационные эмиттеры, использующие наноструктуру
… излучающие электромагнитную энергию
…. лазеры
.. дисплеи
.. детекторы, использующие наноструктуры
… детекторы лучистой энергии
… детекторы, использующие тепловые свойства
… детекторы, использующие механические свойства
… детекторы на химических веществах или использующие
химические свойства
…. детекторы, использующие биомолекулярные свойства
….. детекторы, определяющие состояние болезни
… детекторы, использующие магнитные свойства
. для обработки текстильных или тканых материалов
. для перемещения или транспортировки
РАЗНОЕ
60
Приложение 3
Ориентировочная таблица тематик, относящихся к нанотехнологиям
(подготовлена ЕПВ)
Название
широкой Название узко тематических областей,
тематической области
связанных с данной широкой областью
нанотехнологии
Нанобиотехнология
* Нанокапсулы в качестве систем
транспортировки
лекарств
для
терапевтического и фармацевтического
лечения
* Биомолекулярные моторы
*
Молекулярные образования для
биокатализаторов
* Предварительная обработка пептидами
или антителами
* Комплексы «Хозяин-гость» в лекарствах
направленного действия
* Ультразвуковое отображение или
радиоактивные
фармацевтические
препараты
Нанотехнология
для *
Вычислительные
системы
с
обработки, хранения и использование ДНК
передачи информации
* Квантовая вычислительная техника
* Логика с использованием одиночных
электронов
* Дисплеи с использованием нанотрубок
*
Биомолекулы,
используемые
в
электронике и для хранения данных
* Считывающие головки с точностью нм
Нанотехнология
в *
Наночастицы,
нанокомпозиты,
материаловедении
и дендримеры, нанотрубки и фуллерены
обработки поверхностей
* супрамолекулярные системы
*ультратонкие функциональные пленки
*
самообразующиеся
(создаваемые)
монослои
* хранение водорода в наноструктурных
материалах
Нанотехнология
для *Измерение физических, химических,
обеспечения
биологических свойств на поверхности с
взаимодействия,
нм-разрешением
регистрации или активации *
измерение
взаимодействий
с
частиц
поперечным разрешением в нм-диапазоне
*
направления нормализации для
61
наноаналитических структур
* измерения распределения размерности
для наночастиц
*
средства
для
ультраточного
конструирования , как например, с
помощью сканирующего
зондового
микроскопа
* использование меток из квантовых точек
для анализа биологического материала
Нанооптика
* Оптические структуры квантовых
источников (колодцев)
* фотонные кристаллы
* квантовая оптика
*оптические поверхности с точностью в
нм-диапазоне
Наномагнетизм
* магнетизм низких величин
*
технологии
XMR,
основанные,
например, на магнитном импедансе,
анизотропном магнитном сопротивлении,
сверх-магнитном
сопротивлении,
туннельном магнитном сопротивлении
62
Приложение 4
Термины по нанотехнологиям
Адсорбционный слой – Адсорбция – процесс концентрирования
вещества из объема фаз (например, твердой и газообразной) на границе их
раздела. Поглощаемое вещество, еще находящееся в объеме фазы,
называется адсорбтив, поглощенное – адсорбат. В более узком смысле под
адсорбцией часто понимают поглощение примесей из газов или жидкостей
твердым веществом – адсорбентом. Для определения толщины
адсорбционного слоя применяются различные методы, для поверхностноактивных веществ (ПАВ) толщина подобного слоя составляет 10-20 нм и
уменьшается в результате вытеснения воды по мере заполнения поверхности
адсорбента молекулами ПАВ, достигая минимального значения
(характерного для каждого конкретного ПАВ) при насыщении
адсорбционного слоя.
Актюатор - исполнительное устройство, передающее воздействие на
объект. В технике под актюатором обычно понимается преобразователь
входного сигнала (электрического, оптического, механического или др.) в
выходной сигнал (например, в движение), действующий на объект
управления. Актюаторами являются: электродвигатели, электрические,
пневматические или гидравлические приводы, релейные устройства и т.д.
Анизотропия - неодинаковость свойств среды (вещества, материи) по
различным направлениям внутри этой среды.
Ассемблер - молекулярная машина, способная к саморепликации,
которая может быть запрограммирована строить любую молекулярную
структуру или устройство из более простых химических строительных
блоков.
Атом - наименьшая часть химического элемента, являющаяся
носителем его свойств. Атом состоит из ядра, содержащего положительно
заряженные протоны и нейтральные нейтроны, и отрицательно заряженных
электронов. Химические свойства атома, как носителя свойств элемента
таблицы Менделеева, определяются конфигурацией электронной оболочки,
описываемой квантовой теорией. Положение элемента в таблице Менделеева
определяется количеством протонов в ядре, количество нейтронов в ядре не
влияет на химические свойства, но оказывает влияние на массу атома. Массу
атома принято измерять в атомных единицах массы, равных 1/12 массы
изотопа углерода 12С. 1 А.е.м. ~ 1,6605402(10) х 10-27 кг.
Атомно-силовой микроскоп - сканирующий зондовый микроскоп
высокого разрешения, основанный на взаимодействии иглы кантилевера
(зонда) с поверхностью исследуемого образца. Таким взаимодействием
может быть притяжение или отталкивание кантилевера от поверхности из-за
сил Ван-дер-Ваальса. При использовании специальных кантилеверов можно
также изучать электрические и магнитные свойства исследуемой
поверхности. Атомно-силовой микроскоп был изобретён в 1986 году Гердом
63
Биннигом и Кристофом Гербером в США. Атомно-силовой микроскоп
применяется для снятия профиля поверхности и для изменения её рельефа, а
также для манипулирования объектами, вплоть до отдельных атомов, на
поверхности.
Атомно-силовая микроскопия – одна из разновидностей
сканирующей зондовой микроскопии. Метод основан на неразрушающем
контакте зонда (атомно-острой иглы) с поверхностью образца в высоком
вакууме. Зонд закрепляют на гибкой балке, называемой кантилевером,
отклонения кантилевера под воздействием поверхности образца
регистрируются при использовании емкостных датчиков, интерферометров,
систем отклонения светового луча или пьезоэлектрических датчиков. АСМ
регистрирует не только топографию поверхности, но и электростатическое
или магнитное взаимодействие зонда с образцом, позволяет модифицировать
поверхность, проводить наночеканку, выдавливать на поверхности
крошечные орнаменты, исследовать биологические объекты.
Аэрогель - (от лат. aer — воздух и gelatus — замороженный) — класс
материалов, представляющих собой гель, в котором жидкая фаза полностью
замещена газообразной. Благодаря этому такие материалы обладают
рекордно низкой плотностью и демонстрируют уникальные свойства:
прозрачность, твёрдость, низкую теплопроводность, жаропрочность.
Распространены аэрогели на основе аморфного диоксида кремния,
глинозёмов, а также оксидов хрома и олова.
Бактериофаг - вирус, избирательно поражающий бактериальные
клетки. Бактериофаги широко используются в биотехнологии для переноса
генетического материала и внедрения его в геном бактерий.
Биомиметика - (от лат. bios - жизнь и mimesis - подражание) — подход
к созданию технологических устройств, при котором идея и основные
элементы устройства заимствуются из живой природы. Одним из удачных
примеров биомиметики является широко распространенная «липучка»,
прототипом которой стали плоды репейника, цеплявшиеся за одежду.
Блок-сополимер - особый вид полимеров, содержащий два и более
участка полимерных цепей из разных мономеров, объединенные друг с
другом ковалентной связью.
Вирус - (от лат. virus - яд) — микроскопическая частица, способная
инфицировать клетки живых организмов. Вирусы представляют собой
молекулы нуклеиновых кислот (РНК или ДНК), заключенные в защитную
белковую оболочку. Неспособны размножаться вне клетки, используют для
размножения их в генетическом аппарате.
Гетероструктура - структура, состоящая из двух и более слоев
полупроводника с различными параметрами кристаллической решетки и
разной зонной структурой.
Графен - монослой атомов углерода, собранных в гексагональную
решетку.
Дендример - полимерные молекулы, имеющие большое количество
повторяющихся разветвлений.
64
Дизассемблер - наномашина, способная разбирать объект на атомы с
записью его структуры на молекулярном уровне.
Единицы измерения в нанотехнологии – величины, в которых
выражаются характеристики наноструктурных элементов, в частности
наночастиц, стандартизируются на базе принципов нанометрологии. Исходя
из того факта, что атомная единица массы (а.е.м.) равна 1,66 ×10 -24г, зная
линейные размеры объекта и число атомов, можно оценить массу и объем
различных наноструктур. Так, кластеры из 30-500 атомов имеют массу
примерно от 1 до 100 × 10-21 г и объем 10-24 л.
Жидкие кристаллы - (сокр. - ЖК) — вещества, проявляющие как
свойства жидкостей (текучесть), так и кристаллов (анизотропия). ЖК
содержат молекулы, определенным образом упорядоченные в объеме.
Наиболее характерным свойством ЖК является их способность изменять
пространственную ориентацию молекул под воздействием электрических
полей. Также ЖК используются в качестве датчиков температуры,
детекторов излучения и вредных химических веществ.
Закон Холла-Петча в наномеханике – при переходе материала от
объемного состояния к наноструктурному была обнаружена неочевидная
закономерность: при уменьшении диаметра стержня, его механическая
прочность возрастает, причем значительно. Дефекты структуры при таком
переходе все легче и легче выходят на поверхность, приводя к образованию
практически идеальной решетки. Согласно закону Холла-Петча твердость
материала возрастает при уменьшении размера частиц обратно
пропорционально корню уменьшения размера зерна. Чем меньше размер
зерна, тем меньше сила трения между ними, при размерах зерен менее 50 нм
керамика, например, может переходить в сверхпластичное состояние,
деформируемое без разрушения.
Золь-гель технология - технология получения микро- и
наноструктурированных материалов из коллоидного раствора в процессе
конденсации и образования полимерной пространственной сети с жидкой
фазой (геля). Дальнейшее применение этой технологии позволяет, в
частности, получать аэрогели.
Инструментарий нанотехнологий – набор технологических приемов
и устройств для изучения наносистем (электронный микроскоп,
сканирующий
зондовый
микроскоп
и
др.)
с
системами
нанопозиционирования, создания наноструктур, например методами
нанолитографии. В 2007 г. создан первый наношприц на базе углеродной
нанотрубки, используются и другие инструменты (нановесы, нанопинцеты и
пр.).
Кантилевер - (англ. cantilever, буквально — консоль) — устоявшееся
название распространенной конструкции микроэлектромеханического зонда
атомно-силового микроскопа.
Катализ - изменение скорости химической или биохимической
реакции в присутствии веществ, количество и состояние которых в ходе
реакции не изменяются (катализаторов). Термин «катализ» был введён в 1835
65
году шведским учёным Йёнсом Якобом Берцелиусом. Явление катализа
распространено в природе (большинство процессов, происходящих в живых
организмах, являются каталитическими) и широко используется в технике (в
нефтепереработке и нефтехимии, в производстве серной кислоты, аммиака,
азотной кислоты и др.). Большая часть всех промышленных реакций —
каталитические.
Квант - (от лат. quantus - сколько) — в физике: минимальное
дискретное (скачкообразное) изменение какой-либо величины. В основе
понятия лежит представление квантовой механики о том, что некоторые
физические величины могут принимать только определенные стабильные
значения — в этом случае говорят, что данная величина квантуется. В
некоторых важных частных случаях эта величина может быть только целым
кратным некоторого фундаментального значения, которое и называют
квантом.
Квантовая механика - раздел теоретической физики, изучающий
квантовые закономерности движения. Основным объектом изучения
квантовой механики выступают наночастицы, однако, основные уравнения
теории справедливы и для макроскопических тел, но квантовые эффекты для
последних проявляются слишком слабо для обнаружения. Основное
уравнение квантовой механики — уравнение Шредингера, математический
аппарат — теория матриц, теория групп, операторы, теория вероятностней.
Квантовая
точка
пространственная
неоднородность
кристаллической структуры, обычно — на поверхности полупроводника или
проводника. Характерный размер неоднородности d должен быть настолько
малым (обычно — от нескольких нанометров до нескольких десятков
нанометров), чтобы были существенны квантовые эффекты.
Квантово-размерные эффекты – в частицах, имеющих характерные
размеры менее 10 нм, электроны ведут себя подобно электронам в
изолированном атоме, т.е. как квантовые объекты. Кроме того, уменьшение
размера наночастиц сопровождается уменьшением ширины энергетических
зон, что приводит к росту энергии оптических переходов.
Квантовые нити – представляют собой одномерные структуры, в
которых в силу ограничений возможностей движения носителей заряда
(например, электронов) в определенном направлении проявляются квантоворазмерные эффекты. Анизотропия электронных свойств, т.е. сужение нити до
размеров в несколько десятков атомов, приводит к квантованию
энергетического спектра: электрон может перемещаться вдоль оси нанонити,
если он находится на полузаполненном электронном уровне (уже сейчас
углеродные нанотрубки используются для создания дисплеев и лазеров с
высокой плотностью фотонов).
Квантовые точки – изолированные нанообъекты, свойства которых
существенно отличаются от свойств объемного материала тождественного
состава. Пару электрон-дырка, т.е. место покидания электрона, заряженное
положительно, называют экситоном (от английского слова «excited»,
означающего «возбужденный»). Поведение электрона в квантовой точке
66
отвечает нехарактерному для макроскопических объектов дискретному
энергетическому спектру, что приводит к созданию лазеров и дисплеев
нового поколения.
Коллоидные частицы – настолько малы (от 1 нм до нескольких
микрометров), чтобы вклад силы тяжести был сопоставим с энергией
«броуновского движения», что приводит в случае диспергирования этих
частиц в среде (жидкости, газе) к практически очень длительному
неоседанию таких частиц, т.е. созданию неклассических «растворов» (для
жидкостей) или «аэрогелей» (для газовых сред).
Коллоидный раствор - раствор, размер частиц которого составляет от
-9
10 до 5х10-7 м (1-500 нм). В частности, отличается от истинного раствора
(размер частиц менее 10-9 м) большей оптической активностью (как правило
— непрозрачен). Выделяют коллоидные растворы газа в жидкости (пена),
жидкости в жидкости (эмульсия), твердого тела в жидкости (суспензия) и др.
Лазерная абляция – термин «абляция» появился задолго до создания
лазеров для обозначения удаления вещества в электрическом разряде, потоке
горячего газа, плазмы. Испарение лазером позволяет получить тонкие пленки
наноразмеров, которые другими методами создать не удается. Этот метод
также называют импульсным лазерным напылением.
Метаматериал - материал, обладающий свойствами, обычно не
встречающимися в природе. Метаматериалы выделены в отдельный класс
материалов, так как их свойства зависят не от их химического состава, а от
микроструктуры, упорядоченной особым образом. В частности, такими
свойствами могут быть отрицательная диэлектрическая и магнитная
проницаемость и, как следствие, отрицательный (или левосторонний)
коэффициент преломления. Одним из практических применений
метаматериалов является создание средств маскировки, делающих почти
невозможным их обнаружение в определенном диапазоне частот
электромагнитного излучения.
Микроэлектромеханическая система - (сокр. — МЭМС) —
миниатюрная система, содержащая электронные и механические компоненты
с характерным размером от 1 до 100 мкм. Обычно состоит из электронного
модуля — микропроцессора и/или микроконтроллера и набора
микроскопических
механоэлектрических
датчиков
и/или
электромеханических преобразователей (актюаторов). МЭМС нередко
являются составной частью интегральных схем (ИС). Благодаря малым
размерам, МЭМС демонстрируют уникальные свойства, не выраженные для
макроскопических (или классических) тел в силу более высокого отношения
площади поверхности к объему: повышенную чувствительность к
статическому (поверхностному) электричеству и смачиваемость (действие
сил поверхностного натяжения).
Мицелла - частица в коллоидной системе, состоящая из
нерастворимого
ядра,
окруженного
стабилизирующей
оболочкой
адсорбированных ионов и молекул растворителя. К мицеллам также относят
частицы поверхностно-активных веществ в растворах.
67
Молекула - стабильная группа из двух и более атомов, удерживаемых
вместе химическими связями. Молекула — наименьшая частица вещества,
полностью сохраняющая его свойства.
Молекулярно-лучевая
эпитаксия
–
основным
элементом
молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) является ростовая камера, в которой
испарение материалов осуществляется из нагреваемых до высокой
температуры полых цилиндров с крошечным отверстием в крышке –
эффузионных ячеек (эффузия – медленное истечение газов через малые
отверстия). Испаряемый материал осаждается на подложку, формируя
наноструктурную пленку, анализируемая структура которой контролируется
дифрактометром отраженных электронов. Входящие в состав комплекса
МЛЭ модули соединяются шлюзовыми устройствами и системами
перемещения подложек в вакууме.
Наноактюатор - миниатюрный актюатор, имеющий характерный
размер от нескольких нанометров до нескольких микрон.
Нанобатарейки – при создании микро и нанобатареек не обязательно
используются наночастицы (наноионика), а может формироваться «пачка»
двумерных планарных гетероструктур. Чередующиеся слои состоят из катода
(манганата лития), электролита – пленки в виде оксинитрида – фосфида
лития и анода – оксинитрида олова- кремния. Геометрическая плотность
энергии в таких нанобатарейках достигает 0,3 мА· ч/см2, что в 10-100 раз
эффективнее обычных батареек.
Нановолокно - волокно, имеющее диаметр менее 100 нм. Обычно
такие волокна получаются методом интерфейсной полимеризации.
Наножидкости – наноэмульсии (равномерно распределенные
нанокапельки одной несмешивающейся жидкости в другой) наиболее
известные примеры наножидкостей. Равномерно распределенные твердые
наночастицы в жидкости называют нанозолем или коллоидным раствором.
Дисперсная фаза магнитных наножидкостей представляет собой
однодоменные магниты, равномерно распределенные в объеме дисперсной
фазы. Подобные системы могут управляться магнитным полем для
обеспечения герметизации механических вводов вакуумных систем при
производстве полупроводников, в вакуумных печах, электронных
микроскопах и других вакуумных установках.
Наноиндентор – (от англ. to indent - выдалбливать) - анализатор
поверхности, позволяющий измерять твердость и другие характеристики на
микроуровне. Трехгранные (индентор Берковича) и четырехгранные
(индентор Виккерса) алмазные пирамидки, прилагаемое усилие к которым
постоянно регистрируется, позволяют получать информацию о твердости
поверхностных слоев материала вплоть до нескольких нанометров в
широком диапазоне нагрузок.
Нанокерамика – можно определить как керамический материал,
получаемый спеканием глин или порошков неорганических веществ,
размеры кристаллитов которых составляют менее 100 нм. Отдельные
образцы нанокерамики – прочной, хорошо проводящей тепло и стойкой к
68
резкому перепаду температур, можно уже сейчас увидеть на нагреваемой
поверхности домашней электроплиты. В дальнейшем можно ожидать
широкого применения подобных систем в различных технических системах.
Нанокластер - разновидность наночастиц, представляющая собой
аморфную или поликристаллическую наноструктуру, хотя бы один
характерный размер которой находится в пределах 1-10 нм.
Нанокольца – существует два способа получения наноколец:
самосборка и свертка из наностержней или нанотрубок. В США получены
первые образцы наноколец из кобальта, обладающих магнитными
свойствами, позволяющими на из основе создавать системы магнитной
записи информации, устойчивой к помехам и наводкам извне.
Нанокомпозиты – композитами в материаловедении именуют
материалы, состоящие из смеси или комбинации двух или более
составляющих, различных по форме, химическому составу и свойствам.
Наноструктурные композиты имеют повышенные механические и иные
свойства из-за уменьшения среднего размера кристаллитов и уплотнения
материалов. Широким классом композитных материалов являются
армированные или упрочненные нановолокнами пластики, керамика и
другие материалы.
Нанокристаллы – под нанокристаллом понимают любую
наночастицу, характеризующуюся упорядоченным строением и четко
выраженной, как и у обычных кристаллов, огранкой. Для примера можно
указать, что нанокристаллы селенида кадмия перспективны как активные
элементы электролюминесцентных панелей, флюоресцентные маркеры
различных биологических объектов.
Нанолитография - в полупроводниковой технике — процесс
производства интегральных микросхем, размер отдельных элементов
которых составляет менее 100 нм.
Наноматериалы - разновидность продукции наноиндустрии в виде
материалов, содержащих структурные элементы с нанометровыми
размерами, наличие которых обеспечивает существенное улучшение или
появление качественно новых механических, химических, физических,
биологических
и
других
свойств,
определяемых
проявлением
наномасштабных факторов.
Наномембраны – наномембранами называют мембраны, имеющие
диаметр пор доли микрометра и менее. В частности, материалы, в которых
размеры пор строго контролируются и составляют от 1 до 50 нм, называют
мезопористыми ситами, которые способны задерживать микробы, вирусы и
отдельные клетки. В настоящее время наномембраны эффективно
используются для очистки газовых и жидких сред от твердых частиц и
микроорганизмов.
Нанометрология – метрология – наука о том, с помощью каких
способов и какими средствами нужно проводить различные измерения,
чтобы обеспечить их единство и добиться требуемой точности.
Метрологические инструменты для работы в нанодиапазоне (например,
69
нанолинейки) создают с помощью интерферометров и детектирования
изменения картин интерференции трех световых потоков от одного
лазерного источника, погрешность таких систем от 0,5 до 3 нм.
Нанонити – нанонити или вискеры (от англ. whisker – ус, волос) –
нитевидные кристаллы диаметром от нескольких нанометров до долей
микрометра с отношением длины к диаметру более 1000. Такие системы
обладают малым содержанием микромтруктурных дефектов, рекордно
высокой плотностью и часто используются в качестве упрочняющих
волокон, например в композитах.
Нанообъект – объект, линейный размер которого хотя бы в одном
направлении составляет порядка 1-100 нм.
Нанополирование – в большинстве нанотехнологических систем
нужна атомная гладкость поверхности изделий или шероховатость, не
превышающая нескольких атомных слоев. Нанополирование может быть
механическим (абразивом с высокой твердостью наночастиц, например
частицами наноалмаза крупностью 2-50 нм), химическим или
комбинированным. Поверхности с высокой степенью гладкости
используются в микроэлектронике, оптике и других системах.
Нанопорошок - агломерат некристаллических наноструктурных
единиц, хотя бы один характерный размер которых менее 100 нм.
Нанопроволока - наноструктура, в которой два характерных размера
находятся в диапазоне 1-100 нм, в то время как один (линейный) размер
может быть неограничен.
Наносенсор - физический, химический или биологический сенсор,
транслирующий информацию о наночастицах в виде, доступном для
восприятия макроскопическими объектами, в частности, органами чувств
человека.
Наносистема – система, содержащая структурные элементы размером
порядка 1-100 нм, определяющие ее основные свойства и характеристики в
целом. К разряду наносистем относятся, в том числе, наноустройства и
наноматериалы.
Наностекло – группа разнообразных материалов, состоящих из
стеклянной матрицы, в которой распределены наночастицы, обозначается
обобщенным термином «наностекло». Свойства (чаще всего оптические)
характеризуются свойствами как матрицы, так и наночастиц. Известный
пример – рубиновые звезды на Кремлевских башнях, матрица которых
состоит из бесцветного силикатного стекла, а рубиновый цвет им придают
распределенные наночастицы золота вследствие проявления плазменного
резонанса.
Наностержень - наночастица, все характерные размеры которой
составляют от 1 до 100 нм, при этом отношение наибольшего (длины) к
наименьшему (ширины) составляет от 3 до 5.
Наноструктуры – исследователи используют термин «наноструктура»
для обозначения наноразмерных объектов, которые получены впервые и не
имеют известных в литературе аналогов. В классификации наноструктур
70
используют несколько подходов, наиболее часто используемые – по составу,
по размерности или протяженности и по способу получения.
Наноструктурные
проводники
–
основная
особенность
сверхпроводников (материалов с нулевым электрическим сопротивлением
при определенной температуре) заключается в том, что в них возникает
взаимное притяжение электронов с образованием электронных пар (так
называемые куперовские пары). Причиной этого притяжения является
дополнительное к кулоновскому отталкиванию взаимодействие между
электронами, осуществляемое под воздействием кристаллической решетки и
проводящее к притяжению электронов. Эти эффекты проявляются на
наноразмерном уровне, и в наноструктурных сверхпроводниках
формируются подобные структуры. К достижениям 2007 г.следует отнести в
первую очередь выполнение российских обязательств в проекте ИТЭР, где, в
частности, усилиями ФГУП ВНИИНМ и ОАО ТВЭЛ разработаны и
испытаны
наноструктурные
сверхпроводники,
организуется
их
промышленное производство. Изготовлены экспериментальные партии
ниобий-оловянных стрендов общей массой 500 кг, впервые в России получен
ниобий-оловянный стренд с длиной единого куска более 18 км.
Нанотехнологии – технологии, направленные на создание и
эффективное практическое использование нанообъектов и наносистем с
заданными свойствами и характеристиками.
Нанотоксичность
–
характерная
особенность
веществ
в
наносостоянии – способность проникать через защитные системы организма.
Например, частицы порядка сотен нанометров свободно проникают во
внутрилегочное пространство, а нанометровые частицы – в кровоток из
легких. Примерно таким образом в организм попадет вирус гриппа,
являющийся сложной природной наноразмерной системой.
Нанотрубка - протяженная цилиндрическая структура диаметром от
одного до нескольких десятков нанометров. Известны различные типы
нанотрубок, из которых наиболее распространенным являются углеродные
нанотрубки: одно- и многостенные, состоящие из одной или нескольких
гексагональных графитовых (графеновых) плоскостей, свернутых в кольцо.
Углеродные нанотрубки были открыты в 1991 году. Современные
технологии позволяют получать нанотрубки длиной до нескольких
сантиметров.
Наночастица - аморфная или полукристаллическая структура,
имеющая хотя бы один характерный размер в диапазоне 1-100 нм.
Наноэлектромеханическая
система
(НЭМС)
микроэлектромеханическая система, имеющая размер менее 100 нм.
Например, с использованием НЭМС созданы нанорезонаторы с собственной
частотой колебаний 10 ГГц, что нашло применение в сканирующей зондовой
микроскопии, при создании нановесов (систем определения массы
нанообъектов) и наносенсеров для биологически активных молекул и ДНК.
Наноэлектроника
–
формирующаяся
область
техники,
обеспечивающая физические и технологические основы создания
71
интегральных электронных схем с характеристическими размерами менее
100 нм. Использование квантово-размерных эффектов позволит в будущем
перейти в сферу квантовых чипов и квантовых компьютеров в
наноэлектронике.
Плазмонный резонанс – коллективные колебания электронов
относительно ионов металлов на поверхности наночастиц при попадании
света при определенных угле падения и длине волны называются
поверхностными плазмонами, а само явление называются поверхностными
плазмонами, а само явление специфического поглощения света –
плазменным резонансом. Интенсивность эффекта, связанная с плазмонным
резонансом, достигает существенных величин только в случае попадания
света на наночастицы и не играет заметной роли для объемных тел.
Рубиновые звезды Кремля имеют именно этот цвет за счет селективного
поглощения в коллоидных наночастицах золота, распределенных в
бесцветной стеклянной матрице, зеленой части спектра (максимум
поглощения плазменного резонанса для наночастиц золота – 520 нм).
Пленки Ленгмюра-Блоджетт – монослой или последовательность
монослоев вещества, нанесенных на подложку. В 1930-х годах физик Ирвинг
Люнгмер и его ученица Катарина Блоджетт впервые использовали ванну с
водой и ПАВ для нанесения тонких пленок на различные подложки.
Ленгмюровсие пленки не только на основе ПАВ, но и на базе других
молекулярных систем, а также нанокомпозиты на их основе нашли
применение в настоящее время в качестве дифракционных рентгеновских
решеток, резисторов, газовых сенсоров и других наноструктурных
компонентов формирующейся наноиндустрии.
Поверхностно-активное вещество - (сокр. — ПАВ) — химические
соединения, которые, концентрируясь на поверхности раздела фаз, вызывают
снижение поверхностного натяжения. Как правило, ПАВ — органические
вещества, содержащие как гидрофильный, так и гидрофобный компонент.
Физико-химические свойства ПАВ используются для изготовления мыла,
эмульгации, в полиграфии.
Пьезодвигатели – системы, в которых механическое перемещение
осуществляется за счет пьезоэлектрического (изменение линейных размеров
материалов в электрическом поле) или пьезомагнитного (такое же изменение
под влиянием магнитного поля) эффектов. В настоящее время разработано
более 50 различных конструкций подобных двигателей. Которые
применяются в системах нанопозиционирования (погрешность до нескольких
долей нанометра) различных устройств для осуществления нанотехнологий.
Размерные эффекты – при переходе от макроразмерных объектов к
наноразмерным свойства материалов изменяются. Наиболее ярко
проявляются физические размерные эффекты: уменьшение температуры
плавления нанометериалов по сравнению с объемным состоянием за счет
увеличения поверхностной энергии, резкое изменение электрических и
магнитных свойств, возрастание твердости и пределов упругости при
72
уменьшении среднего размера кристаллитов в поликристалличесих
материалах.
Самоорганизация
–
анализ
самопроизвольных
процессов
упорядочения систем позволяет разделить самоорганизованные системы на
консервативные и диссипативные. Консервативная самоорганизация является
результатом эволюции закрытых (обменивающихся со средой энергией, но
не веществом) систем в направлении уменьшения термодинамической
энергии Гиббса с диссипацией избыточной энергии (уменьшением
температуры) и приближением системы к состоянию равновесия. В случае
интенсивного притока энергии извне оказывается возможным образование
диссипативных структур, движущей силой самоорганизации, которых
является стремление к увеличению в системе беспорядка или энтропии.
Серая слизь - термин, введенный Эриком Дрекслером, в книге
«Машины Созидания» (1986 г.). Обозначает гипотетический сценарий конца
света в результате поглощения биомассы планеты неуправляемыми
самовоспроизводящимися нанороботами.
Синхротронное
излучение
электромагнитное
излучение,
испускаемое заряженными частицами, движущимися по искривленным
магнитным полем траекториям с релятивистскими скоростями. Для
релятивистских частиц с E>>mc2, где m — масса покоя частицы,
синхротронное излучение в области высоких гармоник обладает практически
непрерывным спектром и сосредоточено в направлении мгновенной скорости
в узком конусе (с малым углом расхождения), что позволяет использовать
синхротронное излучение для получения структурной информации о
наночастицах методами упругого и неупругого рассеяния.
Синхротрон - (от греч. Sy’nchronos - одновременный) — один из видов
ускорителей элементарных
частиц с орбитой постоянного радиуса,
растущим во времени магнитным полем, определяющим этот радиус, и
постоянной частотой ускоряющего электрического поля. Синхротрон
позволяет достичь кинетической энергии элементарных частиц до 20 ГэВ, а
также используется в качестве специального синхротронного излучения.
Системы нанопозиционирования – перемещение объектов с
нанометровой погрешностью. Применяется в сканирующих зондовых
микроскопах для исследования поверхности наносистем и в других
устройствах формирующейся наноиндустрии. Одной из наиболее
распространенных систем нанопозиционирования является пьезосканер –
устройство, в котором каждый из отдельных пьезодвигателей перемещает
платформу в своем направлении.
Сканирующая зондовая микроскопия – зонд – микроскопический
черезвычайно чувствительный щуп на базе использования кантилевера,
который сканирует шероховатости поверхности атомного размера.
Возникающие силы межатомного взаимодействия между щупом и
поверхностью
изменяют
положение
щупа,
что
определяется
чувствительными детекторами. Процесс сканирования осуществляется путем
линейной (прострочной) развертки прямоугольного участка поверхности;
73
изеряемый сигнал и получаемый массив данных отображают реальную
картину топографии поверхности на наноструктурном уровне.
Сканирующий туннельный микроскоп - (сокр. — СТМ) —
сканирующий зондовый микроскоп, использующий туннельный эффект в
системе образец + игла для определения пространственной структуры
поверхности образца с точностью до атома. СТМ обладает рядом
ограничений, накладываемых на образец (должен быть проводящим), на
методику изготовления иглы (на кончике иглы должен быть только один
атом), и не всегда способен различать близлежащие атомы друг от друга.
Супрамолекулярная химия – супрамолекулы представляют собой
отдельные крупные образования, состоящие из большого, но обязательно
конечного числа молекулярных олигомеров. Супермолекулярные ансамбли, к
которым относятся мицеллы, блоксополимеры, дендримеры и другие
системы, обладают пространственной организацией, с которой часто связаны
уникальные физико-химические свойства. В случае слабых связей в
ансамблях (энергия взаимодействия на 1-2 порядка ниже энергииваленитных
связей) за счет их боьшого числа образуются устойчивые и способные
быстро и обратимо реагировать на внешние воздействия ассоциаты, что
является характерной чертой всех биологических молекулярных систем:
нуклеиновых кислот, ферментов, белков.
Тонкие пленки – нанесение тонкой пленки кристаллического вещества
на монокристаллическую подложку позволяет осуществить явление
эпитаксии – ориентирование кристаллитов наносимой пленки в соответствии
с ориентацией монокристалла подложки. Так, взаимодействие протекающего
через сверхпроводящую нанопленку тока с поверхностью раздела «пленкаподложка», что называется пиннингом магнитных вихрей, позволяет
получить на тонких пленках критические токи, не достижимые ни
нанокристаллах, ни на керамических образцах.
Трибология - наука и отрасль техники, изучающие трение, износ и
смазку твердых тел.
Туннельный эффект - эффект преодоления микрочастицей
потенциального барьера в случае, когда полная энергия (после преодоления
барьера) меньше высоты потенциального барьера. Туннельный эффект не
может быть объяснен в рамках классической теории и требует привлечения
рассуждений квантовой теории. Туннельный эффект нашел применение во
многих областях техники, в частности, на основе этого эффекта построена
широко распространенная флэш-память.
Углеродная нанотрубка – представляет собой графитовую плоскость,
свернутую вокруг продольной оси. Бывают одно- и многостенные (несколько
плоскостей) нанотрубки. Диаметр таких объектов варьируется от 0,4 до 100
нм, а длина – от 1 дм 100 мкм. Разнообразие применения таких нанообъектов
уникально: используются механические, электрические и иные свойства
подобных систем для проектирования различных устройств на их основе.
Фотоника - наука и раздел техники, изучающие генерацию,
управление и детектирование фотонов. Исторически фотоника зародилась в
74
видимом (длина волны света от 400 до 800 нм) и ближнем инфракрасном
(длина волны 800 нм — 10 мкм) диапазонах. С развитием методик генерации
света, появлением новых типов модуляторов света (электрооптических,
акустооптических и др.), а также с развитием полупроводниковой техники,
фотоника использует свет с длиной волны от ближнего ультрафиолетового
(200 нм) до терагерцового диапазонов (75-150 мкм или 2-4 ТГц).
Фотонный кристалл - структуры с периодическим изменением
коэффициента преломления, влияющие на движение фотонов по аналогии с
периодичностью кристаллической решетки обычных кристаллов. Обычно
период фотонных кристаллов составляет порядка половины длины волны
света, от нескольких десятков до сотен нанометров.
Фрактал - бесконечная самоподобная геометрическая фигура, каждый
фрагмент которой повторяется при уменьшении масштаба. Фракталами
также называют самоподобные множества нецелой размерности.
Самоподобное множество — множество, представимое в виде объединения
одинаковых непересекающихся подмножеств, подобных исходному
множеству.
Фуллерен - аллотропная форма углерода (наряду с другими: алмазом,
карбином, графитом). Фуллерены представляют собой выпуклые замкнутые
многогранники, составленные из четного числа трехкоординированных
атомов углерода. Классический (или бакминстер-) фуллерен С60, открытый в
1985 вместе с фуллереном С70, своим названием обязан инженеру и
дизайнеру Р. Бакминстеру Фуллеру, чьи геодезические конструкции
построены по этому принципу и содержат 12 пятиугольных граней и 20
шестиугольных граней, напоминая футбольный мяч. Позднее были открыты
фуллерены, состоящие из большего количества атомов углерода.
Фуллерит - молекулярный кристалл, в узлах решетки которого находятся
молекулы фуллерена.
Хиральность - отсутствие симметрии относительно правой и левой стороны.
Хиральность определяет ключевые физико-химические свойства нанотрубок:
так, углеродные нанотрубки разной хиральности могут быть проводниками
или полупроводниками.
Цеолиты – в переводе с греческого означает «кипящий камень», что
отражает структуру минерала с очень тонкими порами, способными
поглощать и удерживать молекулы различных веществ. Свойства и
структуры цеолитов (природных и синтетических) весьма разнообразны, их
применение в катализе общеизвестно. В общем перечне нанопористых
материалов цеолиты имею свое наименование – мезопористые молекулярные
сита.
Экситоны – связанное состояние возбужденной системы «электрондырка» (место, откуда электрон вылетел) в твердом теле называется
экситоном (от лат. еxcito - возбуждаю). Энергия связи дырки и электрона
определяет радиус экситона, который является характеристической
75
величиной для каждого вещества. Например, для сульфида и селенида
свинца эта величина составляет 2,0 и 4,6 нм, а для сульфида кадмия на
превышает 0,6 нм.
Электронная микроскопия – в устройстве оптического и
электронного микроскопов много общего, но в последнем длина волны
ускоренных электронов может быть порядка 1012 м, что резко превышает
разрешающую способность микроскопа. Различают просвечивающие и
растровые электронные микроскопы. В первом случае ускоренные электроны
проходят образец насквозь, а потом детектируются на флуоресцентном
экране. Во втором случае ускоренные электроны отражаются от поверхности
образца под разными углами и позволяют визуализировать картину
распределения электронной плотности в образце, т.е. практически «увидеть»
отдельные атомы.
Электронный микроскоп - микроскоп, позволяющий получать сильно
увеличенное изображение объектов, используя рассеяние электронов. В
отличие от оптических микроскопов, электронные микроскопы используют
потоки электронов, ускоренные с помощью электрического поля и
фокусируемые с помощью магнитных линз.
«Электронный нос» - наносенсоры, которые изменяют свои свойства
(например, электропроводность) в зависимости от молекул окружающей
среды, могут объединяться в аналитические системы, одна из которых имеет
наименование «электронный нос». Подобные системы при большом числе
разнородных сенсоров и соответствующей технологии обработки откликов
позволяют заменить обонятельную систему, ориентируя подобные
аналитические возможности на поиски конкретных веществ в ультрамалых
количествах (например, наркотиков, взрывчатых веществ и пр.).
Ядерный магнитный резонанс (ЯМР) – основывается на квантовомеханических свойствах ядра атомов. С помощью анализа спектров ядер в
сильных магнитных полях (ЯМР спектрометрия) можно изучать структуру
наноразмерных объектов. Нобелевская премия 2002 г. была вручена Курту
Вютриху за исследование трехмерной наноструктуры белка с помощью
метода ЯМР.
Gd@C60@SWNT- Gd (гадолиний) внутри C60 внутри однослойной
нанотрубки (Single Wall Nano Tube).
76
Руководство по проведению исследований объектов техники на
патентную чистоту.
Введение
Возможность введения результатов научно-технической деятельности
в гражданский оборот зависит от их технического уровня, потребительских
свойств
и конкурентоспособности. При этом важнейшим условием
конкурентоспособности реально существующего продукта или технологии
(объекта техники) является патентная чистота, понимаемая как возможность
свободного использования этих объектов в какой-либо стране без нарушения
действующих на её территории исключительных прав третьих лиц.
Актуальность обеспечения патентной чистоты объектов техники
связана с развитием рынка объектов нанотехнологий, увеличением объемов
производства и продаж отечественной продукции наноиндустрии, как в
России, так и за рубежом.
Однако нормативные документы, регламентирующие порядок
экспертизы объектов техники на патентную чистоту при осуществлении
инновационной деятельности и введении научно-технической продукции в
хозяйственный оборот, в настоящее время отсутствуют. Действующий ГОСТ
Р 15.011-96 [1] декларирует требование по исследованию патентной чистоты
объектов техники в общем составе работ по патентным исследованиям , но
не содержит описания процедуры проведения этих работ.
Введённая в
действие в 1975 году Инструкция по экспертизе объектов техники на
патентную чистоту [2] по вполне очевидным причинам не может
использоваться в современных условиях.
В то же время реализация Программы развития
наноиндустрии в
Российской Федерации до 2015 года [3], разработанной в соответствии с
поручением
Правительства Российской Федерации от 12 июля 2007г.,
требует разработки нормативно-методического документа, раскрывающего
организационные и методические принципы исследования патентной
чистоты объектов техники в условиях рыночной экономики.
Настоящее руководство основано на нормах действующего
законодательства, в частности , новой редакции Гражданского кодекса
Российской Федерации [4]. При разработке руководства использовались
материалы, содержащиеся в [5-7].
77
Цель руководства - дать создателям научно - технической продукции,
специалистам и всем хозяйствующим субъектам в сфере интеллектуальной
собственности и инновационной деятельности необходимые сведения о
принципах организации и методических основах исследования патентной
чистоты при создании объектов техники и введении их в хозяйственный
оборот.
1. Определение понятия нанотехнологий
Специфической
особенностью
нанотехнологий
является
их
межотраслевой характер, при котором одно и то же явление, обусловленное
масштабным эффектом, может быть использовано в различных отраслях
экономической жизни общества, в частности: сельское хозяйство,
диагностика болезней на ранних стадиях, экология, медицина,
фармакология,
информационно-телекоммуникационные
технологии,
производство новых материалов и материаловедение, и многое другое. Эти
особенности нанотехнологий обуславливают различную терминологию и
различные исследовательские, технологические и измерительные подходы и
методы, используемые в различных отраслях научными центрами и лабораториями.
Поэтому существует достаточно много определений нанотехнологий,
в том числе и среди узких специалистов. Приведем одно из них. По
мнению декана факультета наук о материалах МГУ, академика
Ю.Д.Третьякова «Нанотехнологии – это область знания, ориентированная
на изучение и применение материалов, которые наноструктурированы и
имеют размер частиц от 1 до 100 нанометров (нано – 10-9 )».
В утвержденной приказом Минобрнауки России от 03 июня 2008 г.
№ 165 Программе развития наноиндустрии в Российской Федерации до 2015
года даны следующие определения:
Нанообъект – объект, линейный размер которого хотя бы в одном
направлении составляет порядка 1-100 нм.
Техническим комитетом ИСО (Международной организации по
стандартизации) — ИСО/ТК 229 "Нанотехнологии", область деятельности
которого стандартизация в нанотехнологиях, под нанотехнологиями
подразумевается следующее:
• знание и управление процессами, как правило, в масштабе I нм, но
не исключающее масштаб менее 100 нм, в одном или более измерениях,
когда ввод в действие размерного эффекта (явления) приводит к
возможности новых применений;
• использование свойств объектов и материалов в нанометровом
масштабе, которые отличаются от свойств свободных атомов или
молекул, а также от объемных свойств вещества, состоящего из этих атомов
или молекул, для создания более совершенных материалов, приборов, систем, реализующих эти новые свойства.
Наносистема – система, содержащая структурные элементы размером
порядка 1-100 нм, определяющие ее основные свойства и характеристики в
78
целом. К разряду наносистем относятся, в том числе, наноустройства и
наноматериалы.
Нанотехнологии – технологии, направленные на создание и
эффективное практическое использование нанообъектов и наносистем с
заданными свойствами и характеристиками.
Наноиндустрия
–
интегрированный
межотраслевой
и
междисциплинарный комплекс бизнес-структур, промышленных, научных,
образовательных, финансовых и иных предприятий различных форм
собственности, обеспечивающих и осуществляющих целенаправленную
деятельность по разработке и коммерциализации нанотехнологий.
Продукция наноиндустрии (нанотехнологическая продукция) высококонкурентоспособная
продукция
(товары,
работы,
услуги),
произведенная с использованием нанотехнологий и обладающая вследствие
этого ранее недостижимыми технико-экономическими показателями.
Национальная нанотехнологическая сеть (ННС) – совокупность
предприятий различных организационно-правовых форм, обеспечивающих и
осуществляющих скоординированную кооперативную деятельность по
разработке и коммерциализации нанотехнологий, включая проведение
фундаментальных и прикладных исследований, подготовку кадров, развитие
инфраструктуры
наноиндустрии,
организацию
производства
и
непосредственное производство нанотехнологической продукции.
Характеризуя нанотехнологии в целом, можно сказать, что это
искусственно выделенное понятие, которое включает в себя огромный набор
разнородных способов, инструментов и объектов в различных отраслях
науки и техники и промышленности, объединенных только контролируемым
получением в объектах структурных элементов с размером, хотя бы в одном
измерении, менее 100 нм. В историческом плане развития наук можно
указать на взаимосвязь нанотехнологий с коллоидной химией, изучающей
объективные физические и химические закономерности гетерогенного
ультрадисперсного состояния вещества, высокомолекулярных соединений и
межфазовых поверхностей.
При этом известно, что существуют различные уровни изучения
материи, которые учитывают зависимость свойств твердых тел от так
называемых характерных размеров: макродиапазон, когда изучаются
образцы объемных материалов с размерами от миллиметров до километров,
микродиапазон, которому отнесены объекты с размерами в интервале от 10 -4
до 10-7м, нанодиапазон от 1 нм до 100 нм (где 1 нм = 10 – 9); ниже
нанодиапазона лежит атомарный масштаб, примерно 0,1 нм, а еще ниже
ядерный, порядка фемтометра (10-15 м). При постепенном уменьшении
размеров образца от макроскопических значений до сверхмалых свойства
материальных
объектов
(механические,
сегнетоэлектрические
и
ферромагнитные, химические и биологические )
сначала остаются
неизменными, затем начинают медленно меняться, а при размерах менее 100
нм могут меняться радикально.
Примерами элементарных базовых наноматериалов являются:
79
- 0-мерные: квантовые точки;
- 1-мерные: квантовые нити, нанотрубки, нановолокна, линейные
полимеры;
- 2-мерные: квантовые ямы, сврехрешетки, пленки ЛенгмюраБлоджетт, биомембраны;
-3-мерные: нанокомпозиты, фуллерены, фуллероиды, астралены, 3D
фотонные кристаллы, мицеллы, биоорганические полимеры.
Наноматериалы могут существовать в виде порошков, кристаллических
структур, сверхтонких пленок и т.п. Типичным примером наноматериалов
являются углеродные нанотрубки, которые в зависимости от их структуры
обладают рекордными механическими характеристиками (прочность,
жесткость), уникальными тепло- и электропроводностью, оптическими и
магнитными свойствами. В зависимости от геометрических параметров они
могут иметь металлическую или полупроводниковую проводимость.
Подобное сочетание создает для них широчайший потенциал применений:
сверхпрочные волокна, пряжа, ткань; композиционные материалы; чипы
памяти;
логические
схемы;
наносенсоры;
полевые
эмиттеры;
наноэлектромеханические системы (НЭМС); искусственные мускулы;
топливные элементы; хранилища для газов; солнечные батареи; электродный
материал ион-литиевых батарей; суперконденсаторы; адсорбенты;
биодатчики; средства для внутриклеточной доставки лекарств; материалы
для имплантов и протезов; источники рентгеновского излучения;
электромагнитные экраны; материалы оптоэлектроники; материалы для
катализа; элементы будущих наномашин.
2.Общие положения
Настоящее Руководство по проведению исследований объектов
техники на патентную чистоту содержит основные понятия об экспертизе
объектов техники на патентную чистоту, её содержании и методике
проведения, об организации обеспечения патентной чистоты объектов
техники.
Патентная чистота (в других странах «патентная неуязвимость»,
«свобода от охраняемых патентных прав» и др.) характеризует объект
техники с точки зрения возможности его применения или использования
независимо от интеллектуальных прав третьих лиц.
Патентная чистота - это юридическое свойство объекта,
заключающееся в том , что он может быть свободно использован в данной
стране без
нарушения действующих на ее территории патентов
исключительного права, принадлежащих третьим лицам. Из определения
следует, что обладающими патентной чистотой в отношении какой-либо
страны являются такие объекты, которые не подпадают под действие
официально действующих в данной стране патентов на изобретения,
полезные модели или промышленные образцы. Кроме того, эти объекты не
должны нарушать права
на охраняемые товарные знаки и знаки
80
обслуживания, наименования мест происхождения товаров и фирменные
наименования.
Экспертиза объектов техники на патентную чистоту в отношении
одной или нескольких стран - это процесс исследования всех составляющих
данный объект технических или иных решений на независимость от
действующих на территории данных стран охранных документов на объекты
интеллектуальной собственности.
Цель экспертизы патентной чистоты заключается в выявлении всех
действующих на территории данной страны охранных документов
исключительного права, под которые подпадает объект техники в целом или
отдельные, составляющие его технические решения и которые могут быть
нарушены при реализации этого объекта в данной стране (экспонировании,
лицензировании, технологическом обмене и др.).
Результатом экспертизы на патентную чистоту является
установление возможности реализации (введения в хозяйственный оборот)
данного объекта в конкретной стране или группе стран и определение мер,
обеспечивающих эту реализацию без нарушения патентов и других охранных
документов исключительного права, принадлежащих третьим лицам.
Объектами экспертизы на патентную чистоту являются все объекты
техники, которые содержат либо используют технические или иные решения,
относящиеся к объектам интеллектуальной собственности (изобретениям,
полезным моделям, промышленным образцам, ноу-хау).
Экспертизе на патентную чистоту подлежат также и товарные знаки и
наименования мест происхождения товаров. Однако в рамках настоящего
Руководства, предназначенного в первую очередь для продуктов
нанотехнологий, эти объекты нами не рассматриваются.
Экспертиза патентной чистоты объектов техники проводится в
случаях:
-введения объекта техники в гражданский оборот;
-поставки объекта техники на экспорт;
-сооружения на территории России объектов капитального
строительства;
-сооружения за рубежом при содействии России объектов
комплексных поставок (заводов, фабрик, дорог, аэродромов и др.);
-передачи научно-технической документации, в т.ч. в порядке
международного научно-технического сотрудничества;
-продажи лицензий на производство товарной продукции, содержащей
объекты интеллектуальной собственности, и оказании услуг типа
инжиниринг;
-экспонировании продукции и/или технологии на выставках и ярмарках
в стране и за рубежом;
разработки проектов стандартов, регламентирующих конструкцию
устройств, состав веществ, последовательность операций и параметры
технологических процессов, а также другие требования и нормы, которые
могут быть объектом прав интеллектуальной собственности.
81
С целью обеспечения патентной чистоты вновь создаваемых объектов
техники исследование патентной чистоты осуществляется на всех стадиях
разработки.
Экспертиза патентной чистоты объектов техники является одним из
видов патентных исследований и может проводиться как в их составе, так и
самостоятельно в зависимости от практической потребности.
Обязанность проведения патентных исследований ГОСТ Р15.011-96
возложена на хозяйствующих субъектов, в числе которых:
-исполнители(разработчики)
программ
(межгосударственных,
государственных, региональных, отраслевых и других) создания, развития
производства и использования объектов техники;
-исполнители фундаментальных исследований с практическим
выходом продукции и исследований прикладного характера;
-исполнители НИР и ОКР;
-заказчики
(основные
потребители
объектов
хозяйственной
деятельности);
-изготовители (поставщики) объектов хозяйственной деятельности.
Проведение патентных исследований (исследований патентной
чистоты) и представление их результатов согласно ГОСТу предусматривают
в договорной и/или планово-технической документации на выполнение
работ.
В этой документации предусматривают необходимость применения
требований данного стандарта при организации, проведении, оформлении и
использовании патентных исследований. В договорной документации на
проведение работ (в т.ч. по государственным контрактам) при определении
прав и обязанностей сторон, указываются также права и обязанности в
отношении результатов исследований патентной чистоты, а также
ответственность сторон за последствия, вызванные выполнением их в
ограниченном объеме либо без надлежащего качества, отказом от
использования или игнорированием их результатов и т.д.
Поставщики и разработчики комплектующих изделий, оборудования,
материалов, технологии, созданных (создаваемых) не по единому исходному
техническому документу (техническому, тактико-техническому заданию), а в
ином порядке, представляют результаты исследований патентной чистоты
этих объектов головному исполнителю (исполнителям) работ, заказчику,
изготовителю конечной продукции по их запросам по отдельному
договору(п. 4.7 ГОСТ Р15.011-96).
За нарушение патентов на изобретение, полезную модель,
промышленный образец предусматривается ответственность нарушителя в
соответствии с национальными законодательствами стран. Конкретные
санкции к нарушителю определяются судом с учетом характера нарушения и
нанесенного патентообладателю ущерба. В общем случае эти санкции могут
повлечь:
-требование о прекращении нарушения патента(ов);
82
- возмещение убытков или выплату компенсации за нарушение права;
запрещение ввоза в страну контрафактной продукции;
- изъятие из оборота и уничтожение контрафактной продукции и др.
В случае, если в результате экспертизы будет установлено, что объект
не обладает патентной чистотой в отношении одной или нескольких стран, с
целью возможного использования этого объекта в странах с мешающими
патентами, рекомендуется рассмотреть следующие меры:
- возможность применения права преждепользования (послепользования);
- возможность обхода мешающего патента;
- возможность опротестования или оспаривания мешающего патента;
- возможность использования объекта при отсутствии патентной чистоты в
отношении данной страны отдельных его элементов;
-необходимость приобретения лицензии на мешающий патент.
При рассмотрении возможности применения права преждепользования
(послепользования) следует учесть практику предоставления такого права в
данной стране (требования к характеру приготовлений и т. д.).
При анализе возможности обхода мешающего патента следует иметь в
виду, что обход может быть достигнут лишь при не использовании (с учетом
теории эквивалентов) в объекте одного или нескольких существенных
признаков того пункта формулы мешающего патента, под действие которого
подпадает данный объект. Следует учитывать, что обходом патента не
является такое решение, которое, хотя и не использует один или несколько
признаков по патенту, однако является худшим по сравнению с
запатентованным.
При оценке возможности опротестования или оспаривания мешающего
патента следует, прежде всего, исходить из перспектив и масштабов
реализации объекта в данной стране (экспорт крупных партий, продажа
лицензий, строительство объекта комплектной поставки и т. п.), а также из
значения мешающего патента для объекта в целом. Как правило, нет
необходимости опротестовывать, а тем более оспаривать в суде (за
исключением
случаев
предъявления
встречного
иска)
патенты,
распространяющиеся на второстепенные для данного объекта элементы.
До принятия решения опротестовать либо оспорить мешающий патент
необходимо проанализировать имеющиеся основания для таких действий
(например, наличие нарушений процедуры рассмотрения заявки при выдаче
патента или отсутствие новизны изобретения на дату приоритета патента), а
также рассмотреть все конкретные источники и материалы (патентные и
общетехнические, включая открытое применение, экспонирование,
предшествующие поставки и т. п.), которые могут быть противопоставлены
этому патенту.
Рекомендации о необходимости приобретения лицензии, как правило,
могут иметь место лишь в случае,
когда речь идет о получении
значительных финансовых выгод. Например, если в данной стране
предполагается строительство предприятия с использованием технологии по
мешающему патенту, если намечена организация производства данного
83
объекта или использование запатентованной в нашей стране технологии,
если намечается крупная экспортная поставка и т. д. Во всех случаях следует
оценить возможную стоимость лицензии и экономическую целесообразность
ее приобретения.
3.Основные методические положения экспертизы патентной чистоты
2.1. Анализ объекта экспертизы
Анализ
подлежащего
проверке
объекта
техники
является
подготовительным этапом экспертизы, от тщательности проведения которого
зависят затраты на экспертизу, ее длительность и достоверность результатов.
В общем случае содержание анализа объекта экспертизы сводится к
следующему:
-определяются обстоятельства, вызвавшие необходимость экспертизы, т.е.
в связи с чем она проводиться (экспортная поставка, экспонирование,
введение в хозяйственный оборот внутри страны и т.п.) и страны, в
отношении которых она будет проводиться;
-подбирается необходимая техническая документация на объект.
Для законченных разработкой объектов следует использовать рабочие
чертежи (исполнительную документацию), а для объектов, находящихся в
стадии разработки, - документацию, завершенную ко времени начала
проверки. Все подлежащие проверке технические решения должны быть
показаны или описаны в отобранной документации так, чтобы можно было
получить исчерпывающую информацию об их технической сущности,
формах выполнения, связях между ними и всех других элементах,
подлежащих проверке.
Дополнительная или более подробная техническая документация
может потребоваться на стадии отбора и анализа патентов. В этом случае
привлекается такая документация, где достаточно полно показаны или
описаны те признаки проверяемого объекта, которые подлежат
сопоставлению с соответствующими признаками изобретения по
отобранному для анализа патенту.
При экспертизе на патентную чистоту устройств, как правило,
используют общие виды, сборочные чертежи, а также конструктивные
чертежи узлов, механизмов и других подлежащих проверке элементов. Для
электрических устройств используют функциональные и принципиальные
электрические схемы устройства в целом, а также соответствующие схемы
подлежащих проверке элементов, а для механических устройств - их
кинематические схемы.
Применительно к нанотехнологиям особое значение имеет экспертиза
способов (технологий) и веществ.
Для способов используют описания (регламент) соответствующего
технологического процесса, способа измерений и т.п., а также имеющиеся
схемы и другие вспомогательные материалы, в том числе относящиеся к
применяемой аппаратуре
84
Для веществ используют рецептуру проверяемого вещества и описание
способа его получения.
Используя подобранную техническую документацию, осуществляют
первичную структуризацию объекта, выделяя в нем все основные части
(составляющие), каждая из которых необходима, а вместе взятые достаточны
для выполнения объектом предусмотренных функций и проявления заданных
свойств.
Такая укрупненная структуризация целесообразна для сложных,
многофункциональных устройств с целью сокращения времени и средств на
проведение экспертизы.
В случае обнаружения в процессе поиска патентов, под которые
возможно подпадание одной или нескольких частей проверяемого объекта,
осуществляется дальнейшая структуризация этих частей до уровня,
обусловленного содержанием найденных патентов.
Для способов в качестве подлежащих проверке технических решений
следует выделить последовательность операций (технологического процесса,
способа измерений и т.д.), параметры и режимы процесса, а также
технические решения, относящиеся к применяемым приемам, использованию
определенных исходных или вспомогательных материалов и т.д.
При экспертизе вещества следует выделить технические решения,
относящиеся к качественному (наличие ингредиентов или компонентов) и к
количественному (их процентное содержание или соотношение) составу
данного вещества.
Общеизвестные технические решения, входящие в состав объекта, по
странам с мировой новизной проверке не подлежат. Экспертиза патентной
чистоты таких технических решений осуществляется только в отношении
стран с локальной новизной изобретений и, как правило, только в случаях
комплектных поставок, экспорта уникального оборудования или крупных
партий продукции в эти страны.
При проведении структуризации объекта необходимо выделить
используемые в нем комплектующие изделия для оценки их влияния на
патентную чистоту объекта в целом.
Сведения о патентной чистоте комплектующих изделий предприятиеизготовитель продукции получает от предприятия-разработчика.
После проведения структуризации осуществляется классификация
объекта в целом и каждого технического решения (структурного элемента),
подлежащего экспертизе.
Если предусмотрено введение объекта техники в хозяйственный оборот
только на территории России, классификацию проводят по Международной
патентной классификации, которую используют большинство стран мира.
Вместе с тем, целый ряд стран используют национальные системы
классификации изобретений, например, США, Великобритания.
В зависимости от характера технического решения классификационные
индексы проставляются также по смежным классам и рубрикам. При
проведении
классификации
следует
учитывать
особенности
85
классификационных рубрик МПК в сфере нанотехнологий, руководствуясь
Приложениями 5-7.
Проведение классификации должно осуществляться при обязательном
участии патентоведа, поскольку правильное индексирование объектов
проверки является одним из решающих факторов достоверности экспертизы.
С учетом характера проверяемого объекта техники необходимо
определить - патентная документация каких объектов промышленной
собственности должна быть исследована при проведении экспертизы.
Так, при экспертизе устройства совершенно необходима проверка не
только патентной документации на изобретения, но и на полезные модели, а
в случаях компоновочных решений объекта или отдельных его блоков - на
промышленные образцы.
Особенности проверяемого устройства иногда могут вызвать
необходимость исследования патентной документации на способы и
вещества, также как при экспертизе последних не исключено исследование
патентной документации на устройства или соответственно на вещество или
способ.
Результаты
выполнения
указанных
выше
работ,
в
систематизированном виде должны содержать:
- сведения об организации, разработавшей подлежащий проверке
объект техники, о времени его разработки, сведения о предприятииизготовителе и начале производства;
- цель(технический результат) изобретения, страны, занимающие
ведущее место в данной отрасли техники, а также те страны, в отношении
которых будет производиться экспертиза объекта (в отношении России
экспертиза во всех случаях обязательна);
- краткую характеристику проверяемого объекта, включающую данные
об отечественных и зарубежных изобретениях (полезных моделях,
промышленных образцах), использованных при разработке объекта, данные
об изобретениях, созданных в процессе разработки, а также сведения об
иностранных фирмах, разрабатывающих или выпускающих аналогичную
продукцию;
- перечень технических решений, подлежащих проверке, с указанием
реквизитов технической документации и классификационных индексов для
каждого из них;
- перечень технических решений, не подлежащих проверке ввиду их
известности, с указанием сроков и источников известности;
- перечень комплектующих изделий, сведения о патентной чистоте
которых необходимо получить;
- указание об объектах промышленной собственности, которые наряду
с изобретениями должны быть учтены при экспертизе (полезные модели,
промышленные образцы, товарные знаки и т.д.).
86
3.2. Анализ особенностей патентных законодательств стран
экспертизы
Анализ патентных законодательств стран, по которым будет
проводиться экспертиза объекта техники на патентную чистоту,
рекомендуется начинать с установления участия страны проверки в
международных конвенциях, договорах или соглашениях. Следующим
важным обстоятельством, которое может повлиять на результаты
экспертизы, является дата вступления в силу действующего в настоящее
время патентного закона данной страны для соответствующего вида
промышленной собственности с тем, чтобы определить, нужно ли принимать
во внимание предшествующий закон (в случае, если изменение закона
произошло в пределах срока действия патентов).
Необходимо также учитывать, что даже если формально закон остался
прежним, то во многих случаях в него мог быть внесен ряд существенных
изменений, которые официально оформлены в виде дополнений, новой
редакции закона и т.д.
Например, наряду с патентным законом Германии, необходимо
проанализировать “Закон о распространении действия охранных документов
на промышленную собственность”, вступивший в силу 01.05.92 года и
регулирующий вопросы поддержания в силе и распространения действия
охранных документов, которые были получены или заявлены до 03.10.90, т.е.
до вступления в силу Договора об объединении ФРГ и ГДР.
Далее необходимо установить какие объекты промышленной
собственности охраняются патентами исключительного права и какие
объекты не признаются патентоспособными.
В результате для каждой из стран в отдельности определяется,
подлежит ли данный объект техники экспертизе на патентную чистоту и если
да, то в отношении каких объектов промышленной собственности.
Следует рассмотреть также требования к новизне изобретений (или
других видов промышленной собственности, в отношении которых будет
проверяться данный объект) и источникам, ее порочащим, для того, чтобы,
во-первых, правильно определить подлежащие проверке технические
решения с точки зрения сроков их известности и, во-вторых, чтобы
установить, какие источники известности могут быть противопоставлены
мешающему патенту. При этом следует иметь в виду, что во внимание
принимаются только такие источники (публикация, экспонирование,
открытое применение и т.п.), которые доступны для ознакомления
неограниченному кругу лиц.
По характеру требований к новизне изобретений страны мира можно
разделить на три группы:
- страны, где изобретение должно обладать мировой новизной по
любым источникам известности независимо от их вида - публикации,
открытое применение в стране и за рубежом, экспонирование и т.д.;
- страны, где изобретение должно удовлетворять требованиям мировой
новизны по открытым публикациям (включая экспонирование), однако
87
открытое применение порочит новизну лишь тогда, когда оно имело место на
территории данной страны;
- страны, где изобретение должно удовлетворять требованиям только
местной новизны по любым источникам известности;
Кроме того, следует установить, какие льготы по новизне предоставляются законом, если сущность изобретения до подачи заявки была
раскрыта заявителем или другими лицами.
Какие
специальные
виды
патентов,
помимо
основных
(дополнительные, зависимые, ввозные и т.д.), и порядок их выдачи предусмотрены законодательством данной страны.
В отдельных случаях (например, при экспорте крупных партий товаров
или проектировании объектов комплектных поставок) следует установить,
предусмотрена ли законом выдача предварительных патентов (в основном
это имеет место в странах Латинской Америки).
Сроки действия патентов следует установить для того, чтобы
правильно определить глубину поиска, т.е. периода времени, за который
должны быть изучены патенты данной страны. При этом необходимо для
каждой из стран в отдельности установить:
- дату, с которой исчисляется срок действия патента;
- возможно ли и по каким основаниям продление срока действия
патента и в каких пределах;
- порядок уплаты пошлины за поддержание патента в силе.
Кроме того, следует установить, предусматривает ли закон
возможность восстановления патента, утратившего силу из-за неуплаты
очередной пошлины, и каковы условия такого восстановления;
- какие установлены сроки действия и порядок уплаты пошлины для
дополнительных, зависимых, ввозных и других специальных видов патентов,
предусмотренных законодательством данной страны.
Наличие или отсутствие в законе постановлений о косвенной защите
изделий следует установить для того, чтобы определить необходимость при
проверке патентной чистоты данного изделия учитывать также и патенты,
выданные на способ его изготовления. При этом следует принять во
внимание как судебную практику, так и другие постановления, в силу
которых в данной стране возможно фактическое установление косвенной
защиты изделий (хотя она, и не предусмотрена патентным законом).
Процедура рассмотрения заявок, установленная законом, должна быть
изучена для того, чтобы установить, нужно ли принимать во внимание при
экспертизе на патентную чистоту опубликованные (выложенные) заявки на
патенты, оценить значение данного патента в зависимости от того,
проводилась или нет при его выдаче экспертиза на новизну патентным
ведомством страны (исследовательская или явочная система), а также для
выявления обстоятельств, дающих возможность при необходимости
опротестовать или оспорить патент по процедурным соображениям.
Помимо основных положений патентных законов следует, по
возможности, ознакомиться с судебной практикой соответствующих стран,
88
касающейся вопросов, имеющих непосредственное отношение к экспертизе
объектов на патентную чистоту и, в частности, следующих вопросов:
- объем прав, предоставляемых судами при рассмотрении патентных
споров и споров о нарушении патентов;
- применение в данной стране прецедентного права;
- рассмотрение дел о нарушениях прав патентовладельцев, в том числе
и связанных с косвенной защитой изделий;
- рассмотрение дел об аннулировании патентов (полностью или
частично) и о признании их недействительными.
Наличие в стране права преждепользования (послепользования) и
порядок его осуществления следует устанавливать в случаях, когда
проверяемый объект выпущен, подготовлен к выпуску, сооружен,
спроектирован или сделаны другие необходимые приготовления ранее
приоритетной даты мешающего патента.
Право послепользования может возникнуть в случае, когда
использование (применение) объекта или подготовка к этому происходили в
промежуток времени между утратой патентом силы за неуплату пошлины (с
учетом льготного срока для уплаты очередной пошлины) и восстановлением
действия этого патента, если такое восстановление предусмотрено законом
страны.
Особое внимание следует обратить на то, какие обстоятельства
законодательство страны признает нарушающими исключительное право
патентообладателя.
3.3.Поиск и систематизация патентной документации
Поиск патентной документации направлен на обнаружение всех
патентов, которые могут повлиять на патентную чистоту проверяемого
объекта техники, и проводится в соответствии с регламентом поиска,
предусматривающим наличие в нем следующих данных:
- название предмета поиска (объект в целом, его часть или конкретное
техническое решение);
- страны поиска, в том числе Россия в обязательном порядке;
- индексы классификации каждого предмета поиска по МПК, МКПО
(для промышленных образцов), национальным классификационным
системам по странам поиска;
- виды патентной документации;
- каналы информации (патентные фонды, базы данных и т.д.);
- глубина поиска, которая определяется установленным в данной
стране сроком действия патентов. с учетом возможности их продления;
- виды поиска, которые могут быть использованы.
Чаще всего при экспертизе объектов техники на патентную чистоту
используются следующие виды поиска:
Предметный или тематический поиск, который является основным
видом поиска при экспертизе на патентную чистоту и проводится, как
89
правило, по странам с достаточно большим фондом патентов. При
отсутствии выверенных на полноту патентных фондов или баз данных на
электронных носителях проведение предметного поиска патентной
документации начинают с просмотра патентных бюллетеней.
Предметный поиск в каждой из намеченных к просмотру
классификационных рубрик первоначально ведут по наименованиям
изобретений. При этом для дальнейшего анализа отбираются патенты на
изобретения, которые по наименованию могут иметь отношение к
проверяемому объекту. Следует учитывать, что в европейских странах,
применяющих германскую систему составления описания изобретения,
наименование изобретения входит в качестве одного из признаков в первый
(независимый) пункт патентной формулы. Поэтому при поиске по этим
странам можно отбирать лишь патенты на те изобретения, которые по
наименованию непосредственно касаются проверяемого объекта.
Однако необходимо учитывать, что возможны исключения из этого
правила.
В патентах стран, применяющих другие системы составления описаний
изобретений, не требуется точного совпадение наименования изобретения с
началом текста первого пункта патентной формулы, вследствие чего
наименование изобретения не всегда точно характеризует его сущность.
Если имеющиеся источники, по которым ведется поиск, содержат
только наименования изобретений, следует во всех сомнительных случаях
ознакомиться с полным описанием изобретения. Если при первоначальном
поиске это сделать нельзя (например, ввиду отсутствия полных описаний в
фонде), то такой патент нужно внести в перечень для дальнейшего
исследования.
Именной или фирменный поиск проводится, когда известно, что
работами в соответствующей области занято ограниченное число фирм,
причем перечень таких фирм практически носит исчерпывающий характер,
благодаря чему изучение патентов других фирм не увеличивает объема
патентного поиска.
Необходимо иметь в виду, что поиск по именам изобретателей
проводится значительно реже, поскольку эти имена часто бывают заранее
неизвестными и могут быть установлены лишь после того, как будут
найдены соответствующие патенты.
В качестве патентной документации, необходимой и достаточной для
проведения именного поиска, используются именные алфавитные указатели
(специальные или помещаемые в патентных бюллетенях), в которых в
алфавитном порядке перечислены наименования фирм-патентообладателей с
указанием номеров выданных им в данной стране патентов, а в ряде стран
годовые указатели, в которых, кроме наименования фирм, приводятся
фамилия, имя (инициалы) изобретателя.
Смешанный или комбинированный поиск проводится, когда
предметный поиск, проводимый по ограниченному кругу стран (как правило,
наиболее развитых в данной отрасли), дополняется фирменным поиском,
90
проводимым с целью отыскания патентов определенных фирм, полученных
ими в других странах.
В ходе такого поиска иногда можно обнаружить патенты, которые в
силу
различных
причин
были
проиндексированы
по
другим
классификационным рубрикам, не учтенным ранее. Если подобные патенты
обнаруживаются, следует незамедлительно расширить сферу предметного
поиска с тем, чтобы в этих новых классификационных рубриках найти
патенты, относящиеся к проверяемому объекту. Наоборот, если в ходе
предметного поиска выявляются патенты новых, не известных ранее фирм,
то следует дополнительно провести именной поиск по наименованиям таких
фирм с целью получения исчерпывающей информации обо всех патентах,
затрагивающих проверяемый объект.
Расширение границ предметного поиска следует провести и в тех
случаях, когда в обнаруженных патентах стран, где на описаниях
изобретений указано несколько классификационных рубрик, выявляются
рубрики, не учтенные ранее, причем эти рубрики либо повторяются в
нескольких патентах (т.е. не являются случайными), либо к ним отнесены
патенты на существенно важные для данного объекта технические решения.
Кроме того, расширение границ поиска может быть произведено на
основании учета новых классификационных рубрик ссылочных патентов,
указываемых в конце патентных описаний ряда стран, в том числе и России.
Систематизацию и предварительную оценку патентов, обнаруженных в
ходе патентного поиска, лучше осуществлять после ознакомления с полными
текстами описаний изобретений к патентам.
Для удобства дальнейшего рассмотрения и оценки в зависимости от
количества обнаруженных патентов производится их систематизация по
странам, фирмам, техническим решениям и другим признакам. При
небольшом числе подлежащих первоначальному рассмотрению патентов (в
пределах 3-8 по каждой из стран) можно ограничиться систематизацией
только по странам. При значительном количестве патентов (более 10 в
данной стране) целесообразно провести их дальнейшую систематизацию
внутри каждой из стран в такой последовательности:
по фирмам (патентовладельцам);
по защищаемым техническим решениям;
по оставшимся срокам действия;
по приоритетным датам.
Систематизация по фирмам (патентообладателям) позволяет объединить
запатентованные технические решения, относящиеся к сфере деятельности
данной фирмы (фирм), и определить область, на которую могут
распространяться ее патентные права. Чем больше затрагивающих объект
патентов принадлежит одной фирме, тем более вероятно предъявление ею
претензий в случае нарушения этих патентов и тем тщательнее и глубже
должен быть проведен их анализ.
Систематизация по техническим решениям позволяет установить
количественное распределение патентов по основным группам элементов
91
(технических решений) проверяемого объекта и определить, какие конкретно
технические решения (основные или второстепенные) затрагиваются
наибольшим числом патентов. Рекомендуется группировать патенты по
следующим категориям технических решений:
Для устройств:
- способы (технологические процессы), реализуемые с помощью данного
устройства;
- принципиальная схема (электрическая или кинематическая) устройства;
- общая компоновка устройства и его важнейших агрегатов (узлов, блоков);
- конструкция основных агрегатов (узлов, блоков);
- вспомогательные и второстепенные агрегаты, узлы, блоки (схема,
компоновка, конструкция);
-материалы, из которых выполнено устройство, его узлы и детали;
-способы (технологические процессы) изготовления устройства и его
важнейших частей;
Для способов:
- состав и последовательность выполнения этапов, стадий, операций,
приемов;
- режимы, параметры и другие характеристики способа (технологического
процесса) в целом или его стадий, а также особенности их выполнения;
- применяемое оборудование и аппаратура (в том числе контрольноизмерительная) ;
- применяемые материалы и вещества (исходное сырье, полуфабрикаты,
катализаторы, присадки и т. д.);
-продукция, получаемая с помощью данного способа.
Для веществ:
- качественный и количественный состав вещества;
- способы получения данного вещества;
- применение данного вещества.
Систематизация по оставшимся срокам действия патентов позволяет
установить те патенты, которые еще могут быть действующими ко времени
последующего изготовления и реализации объекта в стране и за рубежом.
Систематизация по приоритетным датам позволяет оценить время
появления изобретений, относящихся к основным техническим решениям
проверяемого объекта. Она проводится внутри каждой группы технических
решений, причем патенты располагаются, начиная с наиболее ранней
приоритетной даты, что, дает возможность судить о развитии
запатентованных решений.
При рассмотрении полного патентного описания для определения
необходимости его дальнейшего детального анализа следует, прежде всего,
ознакомиться с вводной частью, где указывается область, к которой
относится данное изобретение, и с целями изобретения, которые обычно
перечисляются вслед за изложением известных решений технической задачи
и тех их недостатков, на преодоление которых направлено данное
изобретение. Если цели применения изобретения по патенту совпадают с
92
целями применения проверяемого технического решения, следует
ознакомиться с разделом описания, излагающим сущность изобретения.
Если, судя по рассмотренным разделам описания, патент имеет
непосредственное отношение к проверяемому объекту, его узлам и другим
элементам, следует включить в перечень для дальнейшего детального
анализа даже в том случае, если область применения изобретения по патенту
не совпадает с областью применения проверяемого объекта, однако его
техническая сущность достаточно близка к соответствующим техническим
решениям объекта.
Внешние различия в формах выполнения изобретения, показанные на
чертежах патентного описания по сравнению с чертежами проверяемого
объекта, как правило, не могут служить основанием для исключения данного
патента из дальнейшего рассмотрения, поскольку различные конкретные
формы выполнения изобретения (в том числе и не показанные на чертежах
патентного описания, где обычно дается один или несколько из возможных
вариантов выполнения изобретения) могут охватываться пунктами патентной
формулы, что можно установить лишь при детальном анализе патента.
В результате предварительного рассмотрения и отбора составляется
перечень патентов, подлежащих дальнейшему детальному анализу. Кроме
номера патента или опубликованной заявки в перечне указывается
наименование изобретения, страна, патентообладатель, автор (ы), с каким
техническим решением проверяемого объекта следует сопоставить
результаты проверки действия патента. Перед включением в перечень
необходимо проверить действие патента по соответствующим базам данных
правового статуса патентов.
По каждому из оставшихся в перечне патентов следует проверить
достаточность для
сопоставительного
анализа
той
технической
документации, которая была отобрана на предварительном этапе экспертизы.
При этом исходят из технической сущности защищенного патентом
изобретения и степени подробности его раскрытия в тексте патентного
описания и на чертежах. Необходимо обеспечить, чтобы каждый из
признаков этого изобретения, включенных в патентную формулу, либо был
четко показан (изображен или описан) в технической документации на
проверяемый объект, либо можно было достоверно установить отсутствие
данного признака в проверяемом объекте. Если ранее отобранная
техническая документация не позволяет этого сделать, необходимо
дополнительно привлечь такую официальную документацию (детальные
чертежи, схемы, описания и пр.), которая удовлетворяла бы указанным выше
требованиям.
3.4. Использование баз данных для поиска патентных документов
Общие сведения о Международной патентной классификации.
В настоящее время действует восьмая редакция Международной
патентной классификации (МПК), сокращенно обозначаемая как МПК-8 или
93
МПК(2006). Несмотря на то, что новая редакция в целом базируется на
предыдущих редакциях и ранее используемых принципах построения, в нее
добавлены существенно новые элементы, а также существенно меняется
способ ее использования.
В текст МПК было внесено значительное количество изменений,
которые коснулись всех разделов МПК. Введено 1326 новых рубрик, в том
числе новые подклассы A01P, A61Q, A99Z, В99Z, C40B, C99Z, D99Z, E99Z,
F99Z, G99Z, H99Z. Аннулировано 250 рубрик, в том числе подклассы С07М,
С22К.
Новая редакция МПК разделена на два уровня – базовый
(укрупненный) и расширенный (более подробный). Базовый уровень
включает в себя только наиболее крупные рубрики МПК: разделы, классы,
подклассы и основные группы (около 18 000 рубрик). В некоторых
технических областях в него включены также отдельные наиболее часто
используемые подгруппы. Расширенный уровень, включающий в себя
полностью рубрики базового уровня, представляет собой его детализацию,
включая соответственно все подгруппы МПК. В соответствии с каждым
уровнем опубликованы две версии МПК-8 на русском языке: сокращенная
версия (или МПК базового уровня) и полная версия (или МПК расширенного
уровня). Публикация осуществлена на бумаге, на оптических дисках
CD-ROM и в Интернет. В будущем МПК расширенного уровня будет
публиковаться только в электронном виде.
Предусмотрен различный порядок пересмотра и применения
указанных двух версий МПК. Базовый уровень применяется для
классифицирования патентных документов в национальных коллекциях
сравнительно небольшого объема, а также для некоторых общих целей:
избирательного распределения информации, комплектования тематических
подборок, публикации в бюллетенях и т.п. С учетом относительной
стабильности базового уровня пересмотр его рубрик и публикация будут
происходить раз в три года. Расширенный уровень применяется для
детального классифицирования и более дифференцированного поиска
патентных документов, включенных в Минимум документации стран РСТ,
включая Россию. Применение расширенного уровня ведомствами других
стран осуществляется по их усмотрению. Предусматривается, что рубрики
расширенного уровня, не входящие в базовый уровень, будут
пересматриваться по мере необходимости в непрерывном режиме и
вводиться в действие через три месяца после их одобрения. Затем новые
рубрики будут включаться в электронную версию на сайте ВОИС на
английском и французском языках и после их перевода на русский язык в
русскоязычную версию на сайте Роспатента. Для визуального различения
результатов классифицирования документов с помощью каждой из новых
версий МПК вводится различное графическое представление индексов. Так,
индексы базового уровня печатаются обычным шрифтом, индексы
расширенного уровня – курсивом. Все индексы записываются в табличной
форме (в одной или более колонках) по одному в каждой строке. В начале
94
приводятся индексы, представляющие информацию об изобретении
(печатаются жирным шрифтом); индекс, наиболее полно отражающий
сущность изобретения, ставится на первом месте. Индексы классификации,
представляющие дополнительную информацию к предмету изобретения,
следуют за индексами информации об изобретении и печатаются обычным
(нежирным ) шрифтом. В случае наличия индексов кодирования они даются
в самом конце. Указатель версии для базового уровня помещается в круглых
скобках после аббревиатуры «МПК». Указатель версии для расширенного
уровня помещается на документе в круглых скобках после каждого
классификационного индекса и индекса кодирования с помощью указания
даты (года и месяца), когда был введен в действие данный индекс.
Результаты классифицирования по расширенному и базовому
уровню выглядят следующим образом:
Расширенный уровень
Базовый уровень
(51) МПК
(51) МПК (2006)
B65G 15/16 (2006.01)
B65G 15/10
F27B 21/06 (2007.06)
F27B 21/10
G01G 13/08 (2007.04)
G01G 13/00
Для удобства классифицирования и нахождения подходящей рубрики
в 8-й редакции МПК, наряду с ранее существовавшими средствами
ориентации (подзаголовками, отсылками, указаниями о преимуществе и
примечаниями) в текст классификации расширенного уровня были включены
электронные средства или так называемый «электронный слой». К этим
средствам относятся: указания изменений по отношению к предыдущей
редакции (то есть, является ли рубрика новой, претерпела ли она изменения,
была ли она аннулирована), классификационные определения (в основном
для подклассов), информативные отсылки (для указания связанной или
родственной тематики), химические формулы и графические иллюстрации.
Кроме того, электронное представление расширенного уровня позволяет,
наряду с записью подчиненных рубрик в виде нумерационной
(нестандартизованной)
последовательности
представлять
их
в
стандартизованном виде (от сложной или специализированной тематики к
менее сложной или менее специализированной).
Указанные средства, подробно описаны во Введении в МПК, и
включены полностью, за некоторыми исключениями, в англоязычную или
франкоязычную
версии
(См.
сайт
ВОИС:
www.wipo.int/classifications/ipc/ipc8/lang=en ). В данную
русскоязычную версию они будут включены несколько позже. Кроме того,
англоязычная и франкоязычная версии МПК на сайте ВОИС содержат
дополнительные средства поиска необходимой рубрики c помощью
ключевых слов или технических терминов: Алфавитно-предметный
указатель к МПК (АПУ).
Для обеспечения поиска патентных документов с помощью новой
редакции МПК создана общая база данных, содержащая результаты
реклассификации документов стран Минимума документации РСТ, включая
95
документы России, на МПК-8. Данная база, называемая «Мастерклассификация»
(МСD),
содержит
все
основные
элементы
библиографических данных (включая индексы МПК, рефераты и
информацию о семействах патентов-аналогов). Предусматривается, что при
изменении
или
введении
новых
классификационных
рубрик
соответствующие документы, включенные в базу данных, будут постоянно
реклассифицироваться в соответствии с самой последней редакцией
расширенного уровня МПК. Доступ к указанной базе данных обеспечивается
на согласованных условиях через веб-сайты ВОИС или Роспатента.
Подробная информация о структуре МПК, аппарате отсылок и
примечаний, электронном слое, используемой терминологии, принципах и
правилах классифицирования приводится во Введении в МПК (том 9 для
расширенного уровня МПК и том 5 для базового уровня). Введение содержит
общую характеристику функционально-ориентированных и отраслевых
подразделений МПК, их использования для повышения эффективности
поиска, наряду с обязательным классифицированием информации об
изобретении,
приводятся
рекомендации
по
необязательному
(дополнительному) классифицированию (или кодированию) дополнительной
информации.
Классификационные рубрики представлены в виде томов.
Расширенный уровень состоит из 8 томов, каждый из которых соответствует
разделу МПК, то есть:
Том 1 – Раздел А «Удовлетворение жизненных потребностей
человека»
Том 2 – Раздел В
«Различные технологические процессы;
транспортирование»
Том 3 – Раздел С «Химия; металлургия»
Том 4 – Раздел D «Текстиль; бумага»
Том 5 – Раздел E «Строительство; горное дело»
Том 6 – Раздел F
«Механика; освещение; отопление; двигатели
оружие и боеприпасы; взрывные работы»
Том 7 – Раздел G «Физика»
Том 8 – Раздел H «Электричество».
Базовый уровень МПК–8 представлен в 4 томах: 1 том содержит
разделы А и В; том 2 содержит разделы С и D ; том 3 – разделы E и F; и,
наконец, том 4 содержит разделы G и H.
Обеспечение большинством патентных ведомств ведущих стран мира
бесплатного доступа к своим патентным базам данных через Интернет,
дополняемого патентно-информационными интернет-услугами различных
коммерческих центров типа Derwent, STN, Questel – Orbit и другими
способствует тому, что Интернет становится одним из распространенных
средств доступа к мировым патентно-информационным ресурсам.
96
Наибольший интерес для российских пользователей могут представить
базы данных (БД) ФИПС Роспатента, патентных ведомств США и Японии,
Европейского патентного ведомства (ЕПВ) и Всемирной организации
интеллектуальной собственности (ВОИС).
ФИПС Роспатента предлагает пользователям Интернета по адресу
http://www.fips.ru три созданные на основании официальных публикаций
Роспатента БД:
БД с рефератами описаний изобретений к заявкам и патентам России
на русском (RUABRU) и английском (RUABEN) языках с 1994 г. с
бесплатным доступом;
БД описаний изобретений на русском языке (RURAT) к российским
патентам с 1994 г. с доступом по подписке;
БД с русскоязычными рефератами описаний полезных моделей
(RUABUI) с 1994 г. с доступом по подписке.
Поиск в первой бесплатной БД может вестись по запросу в виде
ключевых слов (словосочетаний) с использованием логических операторов,
индексов МПК, имени заявителя, изобретателя, патентовладельца, номеру
документа и др. Выдаваемая информация о документе может содержать
помимо библиографии и реферата также и рисунок (чертеж), если он имеется
в базе данных. По результатам поиска можно заказать полное описание
найденного изобретения.
Патентное ведомство США предлагает по адресу www.uspto.gov в
режиме свободного доступа две БД: БД выданных патентов с 1976 г. и БД
заявок на выдачу патентов с 15 марта 2001 г.
Поиск в БД может вестись по 31 реквизиту, включая любые
библиографические элементы, а также по ключевым словам с
использованием операторов. По результатам поиска на экране монитора
может быть выведен полный текст найденного описания изобретения. При
использовании специальной программы, которую можно бесплатно получить
по адресу http://www.cartesianinc.com/, можно получить полную копию
патента США.
Европейское патентное ведомство предлагает в режиме свободного
доступа
по
адресу
http://www.european-patent-office.org
или
www.ep.espacenet.com:
БД заявок на выдачу патентов ЕПВ и международных заявок РСТ на
рабочих языках ЕПВ (английском, немецком и французском);
БД о мировом патентном фонде объемом 30 млн документов на
глубину до 1920 г. с рефератами на английском языке (с 1970 г.);
БД заявок Японии с рефератами на английском языке.
Патентные документы ЕПВ, Германии, Франции, Швейцарии, Англии,
США и ВОИС представлены библиографическими данными, рефератами и
полным описанием изобретения, Китая и Японии – библиографическими
данными и рефератами, а 50 остальных стран – только библиографическими
данными.
97
ЕПВ предоставляет возможность ускоренного поиска по трем
реквизитам (ключевым словам, номеру патентного документа и заявителю) и
с расширенными поисковыми возможностями. Последняя разновидность
включает две категории поиска:
поиск публикаций национальных патентных документов, патентных
заявок ЕПВ и РСТ за последние два года; по результатам поиска можно
ознакомиться с полным текстом документа (если таковой имеется);
поиск по опубликованным патентным документам более 50 стран и
организаций мира, с названиями и рефератами (если они имеются) на
английском языке.
Патентное ведомство Японии предлагает по адресу www.jpo-miti.go.jp
свободный доступ к англоязычной реферативной БД японских заявок с 1993
г. и БД товарных знаков.
Поиск в первой БД ведется по ключевым словам, дате публикации
заявки, классу МПК и номеру документа, а по результатам поиска выводятся
библиографические данные, реферат, основной чертеж и информация о
статусе документа, возможен также доступ и к полному описанию
найденного изобретения или его конкретным частям (формула изобретения,
его технический эффект, средства осуществления, чертежи и т.д.).
Всемирная организация интеллектуальной собственности предлагает
по адресу http://www.wipo.org свободный доступ к двум БД: международных
заявок, подаваемых по процедуре РСТ, и JOPAL (журнал патентноассоциированной литературы).
БД РСТ содержит информацию, представленную на титульных листах
описаний к международным патентным заявкам (библиографическую
информацию, реферат и основной чертеж), опубликованным с 1 января 1997
г.
БД JOPAL содержит библиографическую информацию о статьях,
опубликованных в научно-технической периодике, входящей в «минимум
документации» согласно правилу 34 инструкции РСТ, с 1981 г. по настоящее
время.
Допускается возможность просмотра публикаций в конкретных
номерах бюллетеней РСТ и JOPAL либо за определенный промежуток
времени по ключевым словам, индексу МПК, номеру документа и др. с
использованием логических операторов, систематизацией результатов поиска
в хронологическом порядке, по релевантности и др.
Базы данных (БД) Великобритании, содержащие судебные решения с
1998 г. по делам о патентах, товарных знаках и промышленных образцах
можно найти по адресам:
http://www.patent.gov.uk/patent/legal/decisions/index.htm;
http://www.patent.gov.uk/tm/legal/decisions/index.htm
и
http://www.patent. gov.uk/design/legal /decisions/index.htm.
Поскольку экспертиза на патентную чистоту проводится по
патентному фонду анализируемых стран на глубину, равную сроку действия
патентов, то поиск по патентным фондам
США предпочтителен с
98
использованием Интернета, обеспечивающего бесплатный доступ к полным
описаниям изобретений с 1976 г. По России и ряду других стран поиск с
использованием Интернета целесообразен лишь как предварительный,
поскольку информация представлена только библиографией, рефератами и
на ограниченную ретроспективную глубину.
3.5.Отражение нанотехнологий в патентных классификациях
В Международную патентную классификацию специальный класс В82
«Нанотехнология» был введен сравнительно поздно – лишь в 2000 г. В
определении данного класса,
содержащего две основные группы,
касающиеся наноструктур, их изготовления или обработки, указывается,
что он предназначен для классифицирования и поиска изобретений, которые
относятся собственно к нанотехнологиям. При этом
указывается на
разграничение данного класса с классами для традиционных областей, к
которым относились подававшиеся ранее и по-прежнему подающиеся ныне
заявки на изобретения, которые в той или иной мере можно отнести к
нанотехнологиям. В первую очередь, это касается химических или
биологических структур (соответственно классы МПК С08 и С12).
Основными признаками для отнесения изобретения к классу нанотехнологий
являются наличие у вещества особой атомарной или молекулярной
структуры в нанодиапазоне, которая обусловливает особые физикохимические свойства (сверхпрочность, сверхпроводимость, гигантское
магнитное сопротивление и т. д.), а также манипуляция веществом в
нанодиапазоне с целью получения или обработки особых наноструктур.
В связи с тем, что в большинстве случаев нанотехнологии либо тесно
связаны с традиционными областями, либо используют применяемые в этих
областях способы и устройства, МПК содержит многочисленные рубрики
для изобретений, относящиеся по сути к нанотехнологиям, хотя не всегда
признак «нано» выражен в явном виде. Это, например, нанокапсулы для
медицинских препаратов - А61К 9/51, способы нанесения жидкостей или
других текучих веществ на поверхность - B05D 1/00; получение углерода
(углеродные наноструктуры – баккиболлы, нанотрубки, наноспирали и т.п.) С01В 31/02; исследование или анализ поверхностных структур в атомном
диапазоне с использованием техники сканирующего зонда - G01N 13/10;
измерение размеров с использованием техники сканирующего зонда - G01B;
конструктивные элементы устройств, использующих метод сканирующего
зонда G12B 21/00; оптические квантовые колодцы - G02F 1/017;
многослойные
структуры
со
спиновой
связью,
например
наноструктурированные сверхрешетки -H01F 10/32; способы и устройства
для нанесения наноструктур, например посредством молекулярно-пучковой
эпитаксии (MBE) - H01F 41/30; квантуемый по проводам полевой транзистор
с каналом с кристаллическим газ-носителем при подаче на затвор
напряжения одной полярности (квантовые проводники) - H01L 29/775 и т.д.
99
Взаимосвязь нанотехнологий
с традиционными областями хорошо
видна на примере развития американской патентной классификации. Так в
рамках этой классификации уже давно существует класс 257 «Активные
твердотельные устройства», который исчерпывающим образом отражает
такую тематику,
как
квантовые источники, квантовые барьеры,
суперрешетки, устройства, имеющие буферные слои в виде нанолистов,
нанолисты, используемые в качестве светоотражающих, рефракционных
слоев, электронно-полевые эмиттеры и т.д.
Поэтому
экспертам
патентного ведомства специалистам США,
проводящим экспертизу изобретений в области нанотехнологий,
рекомендовано для целей классифицирования и поиска, помимо основного
класса 977, посвященного нанотехнологиям, (см. Приложение 6)
использовать и просматривать множество других классов и подклассов,
которые могут содержать объекты и процессы, относящиеся к
нанотехнологиям.
Во-первых, это классы, которые наряду с характеристикой общих свойств
и состава материалов, могут касаться материалов, содержащих наночастицы
и наноструктуры (например, включение в сплавы различных легирующих
добавок,
добавки в ламинаты, композиты
или
слоистые изделия
тонкопленочных слоев, включение в расплавы различных материалов
нанопорошков, нанесение покрытий толщиной в несколько атомов и т.п.), т.
е. при изготовлении которых могут использоваться наночастицы и
наноматериалы.
Во-вторых, сюда относятся классы, характеризующие способ и средства
изготовления или обработки материалов, например, поверхностная обработка
металлов (путем напыления, эпитаксии, осаждения слоев толщиной в один
атом); выращивание кристаллов, использование процессов термолиза и
химической декомпозиции и т.д.
В-третьих, это классы и подклассы, посвященные способам и средствам
измерения, тестирования и диагностики материалов, в том числе
наноматериалов. Сюда относятся, например, подкласс 105-73, - измерения с
помощью атомно-силовых микроскопов; подкласс 310-311,
–
пьезоэлектрические
устройства,
используемые
для
обеспечения
позиционирования сканирующих микроскопов с наноточностью; подклассы
324-244, 260, 300-322, – соответственно магнитно-силовые и электронные
микроскопы на основе парамагнитного резонанса; подклассы 250-306 и 307,
сканирующие туннельные микроскопы и способы их использования, и др.
Наконец,
имеется
много
классов,
отражающих
применение
наноматериалов и нанообъектов в различных устройствах и областях
технологии. Сюда, в первую очередь, относятся подклассы, посвященные
элементарным наноструктурам,
например,
подкласс
423–445,
предназначенный для классифицирования как
фуллеренов, так и
соединений, их включающих (например, металлоорганических). Сюда
относятся также классы для изобретений, в которых лишь частично
применяются
наноструктуры, например,
класс 372, посвященный
100
генераторам когерентного света, использующим квантовые колодцы и
барьеры; класс 385 для оптических волноводов, содержащих нанолисты,
обеспечивающие функции рефракции, отражения и светозащиты; класс 502
для катализаторов, твердых сорбентов, в которых используется свойство
нанопор.
Обширной областью применения нанотехнологий стала медицина: классы
514 (лекарственные составы, содержащие радионуклидные включения в виде
микрокапсул, микросфер); класс 600 (хирургия), включающий подклассы,
посвященные измерению и обнаружению составляющих элементов в
физиологических жидкостях и крови; протезирование и т.п.
Перечень часто используемых способов получения или обработки
нанообъектов можно найти в рамках класса 977 Американской патентной
классификации (см. приложение 6). Этот перечень может быть использован
для ориентации при отборе отечественных изобретений, относящихся к
нанотехнологиям.
Европейским патентным ведомством (ЕПВ) введен в классификацию
ECLA новый классификационный индекс Y01N для выделения патентов по
нанотехнологиям в базах данных esp@cenet(см.www.fips.ru).
Данная классификационная рубрика была детализирована посредством
разбивки ее на шесть основных групп (от Y01N2 доY01N12):
Y01N2 – нанобиотехнологии;
Y01N4 – нанотехнологии для обработки, хранения и передачи
информации;
Y01N6 – нанотехнологии для материалов и покрытий;
Y01N8 – нанотехнологии для взаимодействия, индикации и
приведения в действие;
Y01N10 – нанооптика;
Y01N12 – наномагнетизм.
Кроме того, ЕПВ была подготовлена ориентировочная тематическая
таблица, в первой колонке которой дается название широкой области
применения, а во второй примеры применения или узкие области
(Приложение 7). Кроме этого, представляется, что определенную помощь
может оказать и список терминов, отнесенных к нанотехнологиям
(Приложение 8).
3.6.Детальный анализ отобранных патентов
Анализ патента, проводимый в рамках экспертизы объектов техники на
патентную чистоту, заключается в выполнении следующих операций:
- выявлении частей описания изобретения к патенту, имеющих правовое
значение для установления объема прав патентообладателя (права из
патента);
- определении системы построения патентной формулы (формулы
изобретения);
101
- определении пунктов патентной формулы, анализ которых необходим для
выявления максимальных границ, объема прав из патента;
- выявлении всех признаков изобретения и их совокупности по каждому из
подлежащих анализу пунктов патентной формулы;
- сопоставлении признаков защищенного патентом (раздельно по каждому
пункту патентной формулы) изобретения с соответствующими признаками
проверяемого объекта;
- определении существенности каждого из неиспользованных в проверяемом
объекте признаков защищенного патентом изобретения;
- изучении возможности расширительного толкования формулы на основе
признания эквивалентным каждого из неиспользованных в объекте
существенных признаков защищенного патентом изобретения;
- выводе о распространении действия пункта патентной формулы и патента в
целом на проверяемый объект (или его часть).
Основой для анализа патента может являться только точный перевод на
русский язык полного текста патентного описания. Как правило, нельзя вести
анализ патента по сокращенному переводу, за исключением тех случаев, если
рассмотрение патентной формулы дает исчерпывающие основания для
выводов об отношении данного патента к проверяемому объекту, когда
заведомо не требуется обращения к другим частям патентного описания для
толкования или разъяснения примененных в формуле терминов.
Главной правовой частью патентного описания, имеющей основное
значение для определения объема прав из патента, является патентная
формула. Как правило, объем прав из патента определяется на основании
патентной формулы, назначение которой заключается именно в
установлении точных границ, в пределах-которых действует исключительное
право патентообладателя и за которые оно выходить не может. Однако в
большинстве стран мира на практике патентная формула, являющаяся во
всех случаях основой для определения объема прав из патента, толкуется не
обособленно, а с учетом и других разделов патентного описания, которые, не
изменяя по существу и не увеличивая число признаков изобретения,
охватываемых патентной формулой (или ее пунктом), иногда дают
возможность расширенного толкования применяемых в ней терминов и
определений. Это в ряде случаев может существенно изменить границы
применения изобретения и должно быть учтено при определении объема
прав из патента. Разделы описания, предусматривающие такое расширенное
толкование терминов патентной формулы, иногда носят название
“расширительных”.
Помимо “расширительных” разделов патентного описания, важных для
правильного толкования патентной формулы, правовое значение имеет
раздел, в котором указываются цели, на осуществление которых направлено
данное изобретение, поскольку при решении вопроса о нарушении патента
учитывается совпадение проверяемого объекта с запатентованным не только
по его выполнению и способу работы (в соответствии с патентной
формулой), но и по создаваемому техническому результату и функциям, т.е.
102
по общности (эквивалентности) целей, которые достигаются как с помощью
проверяемого объекта, так и тех целей, на достижение которых направлено
изобретение по патенту. Как правило, патент распространяется на
проверяемый объект в тех случаях, когда этот объект, во-первых, подпадает
под действие патентной формулы, и, во-вторых, выполняет те же функции,
тем же способом и с тем же техническим результатом.
Кроме того, во всех сомнительных случаях, а также для более точного
толкования патентной формулы, следует привлекать при необходимости и
другие разделы патентного описания, в частности те, где указано на
преодоление каких недостатков известных устройств, способов или веществ
направлено данное изобретение.
Определить систему построения патентной формулы требуется для
того, чтобы правильно выбрать необходимую последовательность и
методику анализа пунктов патентной формулы.
Хотя системы изложения патентной формулы в различных странах
мира отличаются, однако большинство из них по принципу своего
построения может быть сведено к двум основным системам - германской (ее
называют также европейской) и американской.
При определении системы построения формулы необходимо по
законодательным актам и практике патентных ведомств учитывать текущие
изменения в структуре построения формулы.
Определив систему, в которой изложена патентная формула
рассматриваемого патента, следует выделить в ней те пункты, анализ
которых необходим для выявления максимально возможных прав из данного
патента. При этом исходят из того принципа, что объем защиты данного
пункта обратно пропорционален числу включенных в него признаков
изобретения, благодаря чему введение любого дополнительного признака
уменьшает объем защиты изобретения. По указанной причине в
многозвенных патентных формулах, построенных по германской или
американской системе в зависимой форме, объем защиты главного,
независимого пункта патентной формулы всегда больше, чем любого другого
пункта, зависящего от него (прямо или косвенно, через любой
промежуточный зависимый пункт). В силу этого при анализе патентов,
формула которых построена в зависимой форме, как правило, можно
ограничиться анализом только независимых пунктов - первого (главного) и
других независимых пунктов формулы (если они имеются, например, в
патентах на вещество и способ его получения, на способ и устройство для его
осуществления и т. п.). При этом необходимо убедиться, что все остальные
пункты патентной формулы действительно зависят от них.
Однако из приведенного правила возможны исключения в тех случаях,
когда в зависимых пунктах формулы указываются такие признаки, которые
не развивают, а заменяют один (или несколько) из признаков первого
(главного) пункта (альтернативные признаки). При этих условиях
необходимо подвергнуть анализу такие
зависимые
пункты
с
103
альтернативными признаками, несмотря на то, что проверяемый объект не
затрагивается первым (либо предыдущим) пунктом.
В многопозиционных патентных формулах, построенных по
американской системе в независимой форме, анализу подлежат все без
исключения пункты патентной формулы, поскольку каждый из них имеет
самостоятельное правовое знамение, защищает данную конкретную форму
(или способ) выполнения изобретения и может не содержать одного или
нескольких признаков, включенных в предшествующие пункты формулы,
что может увеличить (либо изменить, не уменьшая объема) общий объем
защиты изобретения по сравнению с предшествующими пунктами патентной
формулы.
Выявление всех без исключения признаков изобретения по каждому из
подлежащих анализу пунктов патентной формулы осуществляется с целью
их последующего сопоставления с соответствующими признаками
проверяемого технического решения.
Учитывая, что число признаков, которые могут быть выделены в
проверяемом объекте и его элементах, могут во много раз превышать число
признаков по анализируемому патенту, начинать следует с выявления
признаков по патенту, и лишь после этого выделить аналогичные им
признаки в проверяемом объекте.
Если при сопоставительном анализе будет установлено, что один или
несколько признаков, включенных в данный пункт патентной формулы, не
использованы в проверяемом объекте, необходимо рассмотреть вопрос о
существенности
неиспользованных
признаков
для
осуществления
запатентованного изобретения и о том, не могут ли быть признаны
эквивалентами технические решения, примененные в объекте вместо
упомянутых неиспользованных признаков. Объект лишь в том случае может
считаться не подпадающим под пункт патентной формулы, если
неиспользованные в нем признаки данного пункта являются существенными
для изобретения по патенту и в то же время не могут быть признаны
эквивалентами этих признаков.
На основании результатов сопоставления признаков запатентованного
изобретения с соответствующими признаками проверяемого объекта и
выявления тех признаков по патенту, которые следует считать
использованными в объекте, устанавливают те пункты патентной формулы,
под действие которых подпадает проверяемый объект, т.е. пункты, которые
могут быть нарушены в случае реализации или применения объекта.
При этом исходят из того, что объем защиты данного пункта патентной
формулы, определяется полной совокупностью всех признаков, включенных
в этот пункт. Для патентной формулы, изложенной по германской системе,
эта совокупность представляет собой общую сумму всех признаков
ограничительной и отличительной ее частей. В силу этого пункт патентной
формулы считается нарушенным, если в проверяемом объекте использованы
все без исключения существенные признаки, включенные в данный пункт,
независимо от того, в какую его часть они входят - в ограничительную или
104
отличительную. Таким образом, не может считаться нарушенным пункт
патентной формулы, составленной по германской системе, если в
проверяемом объекте использованы только признаки его отличительной
части.
Пункт патентной формулы считается нарушенным, если использованы
все без исключения его существенные признаки, независимо оттого, что
проверяемый объект может содержать любое количество других, не
упоминаемых в формуле признаков, даже если эти новые признаки объекта
улучшают его по сравнению с запатентованными. В силу этого добавление
любых новых признаков не может вывести объект из-под действия
нарушенного пункта патентной формулы, если в этом объекте использованы
все существенные признаки, включенные в данный пункт.
Если нарушен хотя бы один из независимых пунктов патентной
формулы, то это означает, что нарушен и патент в целом, вне зависимости от
того, нарушены или нет остальные пункты патентной формулы. Таким
образом, объект, подпадающий под действие хотя бы одного из независимых
пунктов патентной формулы, подпадает под действие данного патента.
Однако при анализе патента должны быть установлены все без исключения
пункты патентной формулы - как независимые, так и зависимые, под
действие которых подпадает проверяемый объект. Это необходимо для
оценки степени нарушения патента и выработки соответствующих
рекомендаций о возможности обхода патента или применения иных мер
(приобретение лицензии, оспаривание патента и пр.).
Результаты анализа патентов в некоторых случаях предопределяют
необходимость поиска патентов-аналогов. Такая необходимость возникает в
случае подпадания проверяемого объекта под действие одного или
нескольких патентов в странах, по которым проводилась экспертиза его
патентной чистоты для того, чтобы установить в каких еще странах, помимо
упомянутых, имеются действующие патенты, выданные на те же
изобретения, и тем самым определить наиболее полный круг стран, в
отношении которых данный объект не обладает патентной чистотой.
Поиск патентов-аналогов при экспертизе на патентную чистоту
рекомендуется проводить, как правило, в следующих случаях:
- экспорт или реализация объекта в другой форме возможны не только в
странах, относительно которых проводится его проверка, но и в ряде других
стран, перечень которых заранее не определен.
- обнаружены патенты, под действие которых подпадают существенные,
дорогостоящие изделия в объектах экспорта, осуществляемого большими
партиями изделий широкого распространения.
Провести поиск патентов-аналогов можно по фирменным указателям,
которые в большинстве стран издаются ежегодно с включением в них
сведений о патентах, опубликованных за истекший год.
Фирменный поиск патента-аналога следует начинать с даты, отстоящей
примерно на год после приоритетной даты первичного патента с
105
добавлением минимального (но не среднего) срока рассмотрения заявок в
соответствующей стране.
Наряду с этим возможны случаи, когда публикация о выдаче патентованалогов появляется раньше выдачи патента в стране первоначальной заявки,
если срок рассмотрения заявок в ней сравнительно велик.
Идентификация патентов-аналогов (установление факта их выдачи на
одно и то же изобретение, а не на другое), производится на основании
определения тождественности наименования патентовладельца (заявителя),
изобретателя (изобретателей), а также приоритетной даты и номера
первоначальной заявки. Идентификацию начинают с выявления
идентичности патентовладельцев (заявителей) по первичному патенту и по
патентам-аналогам.
Сверка по приоритетным датам и номерам первоначальных заявок
возможна лишь для патентов-аналогов, выданных с истребованием
конвенционного приоритета в странах - участницах Парижской конвенции по
охране промышленной собственности. Совпадение указанных дат и номеров
первоначальной заявки является, как правило, наиболее достоверным и
исчерпывающим фактором для правильной идентификации патентованалогов. Некоторую трудность представляет идентификация патентов,
выданных по нескольким конвенционным заявкам (например, если один
патент-аналог выдан по двум разным первичным заявкам, поданным на
данное изобретение и его усовершенствование, или если патент-аналог выдан
на устройство и способ его осуществления на основании двух первичных
заявок, поданных раздельно на способ и устройство).
При выявлении и идентификации патентов-аналогов следует
учитывать, что наименования изобретений по патентам, выданным в разных
странах, могут не совпадать между собой.
Идентичность аналога первичному патенту по тексту описаний
изобретений следует устанавливать с учетом различных правил составления
этих описаний в разных странах, а также возможности неодинакового объема
защиты по патентам-аналогам.
Если будет установлено, что объем защиты по одному или нескольким
патентам-аналогам меньше, чем по первичным патентам, выявленным в ходе
экспертизы в отношении стран, по которым проверяется данный объект,
такие патенты-аналоги могут быть в отдельных случаях использованы для
ограничения
объема
защиты
упомянутых
первичных
патентов,
обнаруженных ранее. Равным образом, эти ранее обнаруженные патенты
могут быть использованы для ограничения объема защиты патентованалогов, если объем зашиты последних окажется шире. Различия в объеме
защиты могут быть использованы также для ограничения неправомерного
объема защиты патентов-аналогов, выданных в странах с мировой новизной
изобретений и распространяющихся на объекты экспорта и объекты
комплектных поставок.
При обнаружении в результате экспертизы мешающих патентов
следует оценить значение каждого из них для проверяемого объекта техники
106
и изучить возможность опротестования или его оспаривания, аннулирования,
признания недействительным либо ограничения объема его защиты по
основаниям,
предусмотренным
патентным
законодательством
соответствующей страны.
При подготовке материалов к оспариванию мешающего патента
следует различать протест (возражение) против выдачи патента в сроки и по
основаниям, предусмотренным законом, и оспаривание патента в суде (иски
об аннулировании патента, признании его недействительным или
ограничении объема защиты).
Под протестом против выдачи патента (опротестованием патента)
понимаются действия, предпринятые заинтересованным лицом в пределах
установленных патентным законом сроков и по указанным в нем основаниям
и заключающиеся в подаче обоснованного возражения (протеста) против
выдачи патента в патентное ведомство или его соответствующие органы
(например, в суд патентного ведомства).
Если предусмотренные патентным законом сроки для подачи в
патентное ведомство протеста против выдачи мешающего патента или
заявления об его отмене истекли, то при необходимости может быть
возбуждено в суде дело об аннулировании патента, признании его
недействительным (полностью или частично) или об ограничении объема
защиты, причем соответствующий иск может быть заявлен в течение всего
срока действия патента. Как правило, оспаривать патент, т.е. возбуждать в
суде иск об аннулировании патента, признании его недействительным либо
об ограничении объема защиты, следует лишь в порядке встречного иска в
случаях, если патентовладелец заявит иск о нарушении его патента. Однако
возможности предъявления такого встречного иска должны быть изучены
заблаговременно, в ходе экспертизы объекта на патентную чистоту, а также
подготовлены необходимые для этого материалы и документы.
Во всех странах при рассмотрении в судах дел об аннулировании
патентов, ограничении объема их зашиты и т.п. во внимание принимаются,
как правило, те же обстоятельства, которые могли по закону
воспрепятствовать выдаче патента при первоначальном рассмотрении заявок
в патентном ведомстве.
В соответствии со сложившейся практикой, главным основанием
опротестования или оспаривания патента является отсутствие новизны
изобретения на его приоритетную дату. Если нет возможности оспорить
мешающий патент по новизне, следует рассмотреть вопрос о возможности
оспорить его по другим указанным в законе основаниям, в том числе по
неиспользованию в установленный срок (неосуществление изобретения в
стране, выдавшей патент), недостаточности описания для осуществления
изобретения (дефектность описания), нарушении процедуры рассмотрения
заявки или выдачи патента и пр.
107
3.7.Проверка объектов техники в отношении полезных моделей и
промышленных образцов
Прежде чем делать общие выводы о патентной чистоте объекта
техники по результатам его экспертизы в отношении изобретений, следует
проанализировать целесообразность его проверки в отношении других
объектов промышленной собственности и при необходимости провести
такую проверку.
В отношении полезных моделей проверке подлежат устройства,
которые подпадают под нормативное определение этого объекта
промышленной собственности и отвечают условиям его патентоспособности
в соответствии с патентным законодательством данной страны.
Методика экспертизы устройств на патентную чистоту в отношении
полезных моделей аналогична методике экспертизы в отношении
изобретений, поскольку защита полезных моделей в основных чертах
аналогична защите изобретений. Основная особенность при проверке в
отношении полезных моделей заключается в том, что выбор подлежащих
проверке технических решений проводится с учетом малых сроков охраны
полезных моделей.
В отношении промышленных образцов на патентную чистоту следует
проверять машины, приборы и другие устройства как бытового
(магнитофоны, холодильники, пылесосы), так и производственнотехнического назначения (станки, измерительные приборы, электровозы),
предназначенные к самостоятельной поставке потребителю.
Устройства, которые подлежат экспертизе на патентную чистоту в
отношении промышленных образцов, должны быть проверены при их
разработке, экспорте, экспонировании в стране и за границей, а также при
передаче за границу технической документации или продаже лицензии на их
изготовление.
При изучении законодательства, относящегося к охране промышленных
образцов, следует установить, какая система их охраны применяется в
данной стране (в рамках патентного либо авторского права), какие изделия
подлежат защите, срок охраны и начало его действия, возможность
продления этого срока, а также процедуру рассмотрения заявок
(исследовательская. явочная) и требования к новизне (мировая, местная).
Выявление в объекте элементов технической эстетики, подлежащих
проверке в отношении промышленных образцов, проводят с учетом того, что
охране могут подлежать:
- общий внешний вид изделия;
- самостоятельные элементы его внешнего оформления;
- внешний вид отдельных частей объекта;
- внешний вид (элементы оформления) тех его внутренних частей (деталей),
которые видны при обычном употреблении объекта.
Внешние формы объекта подлежат проверке в том виде, как они
воспринимаются при обозрении объекта в целом, без выделения в нем
108
отдельных деталей, не имеющих самостоятельного значения (например,
форма углов - прямоугольная или округлая, расположение ручек и т. д.).
В качестве самостоятельных элементов внешнего оформления объекта
могут быть выделены рисунки на нем.
Выделенные для проверки элементы технической эстетики следует
проиндексировать по принятой в большинстве стран-участниц Парижской
конвенции международной системе классификации промышленных
образцов(МКПО), а также по национальной системе классификации, если
такая система применяется в данной стране для регистрируемых
промышленных образцов (например, в США и Индии),
Поиск охраняемых промышленных образцов осуществляется по
соответствующему официальному источнику, в котором публикуются
сведения о зарегистрированных в данной стране образцах за полный
номинальный срок их действия, установленный законом, с учетом
возможного продления. Ведется поиск по классификационной рубрике, к
которой относится проверяемый объект в целом, а в случае, если для
проверки выделены кроме общего внешнего вида и другие элементы
технической эстетики, то по всем классификационным рубрикам, к которым
отнесен каждый из элементов.
При решении вопроса о том, подпадает или нет проверяемый объект
под действие рассматриваемого патента на промышленный образец, следует
иметь в виду, что зарегистрированный образец понимается как целый,
нераздельный объект, но не как совокупность его отдельных частей. В силу
этого использование лишь отдельных элементов внешнего оформления
зарегистрированного образца не рассматривается как нарушение патента.
Нарушение будет иметь место лишь в том случае, если используемая часть
зарегистрированного
образца
защищена
независимо
от
него
самостоятельным патентом.
3.8. Документальное оформление результатов экспертизы объекта техники
на патентную чистоту
Основанием для окончательного вывода о патентной чистоте объекта
являются только результаты анализа патентов на изобретения (а также
патентов или свидетельств на другие виды промышленной собственности),
если они были обнаружены в ходе его проверки.
Выявленная возможность оспорить мешающий патент либо ограничить
объем защиты не может повлиять на вывод о патентной чистоте объекта,
если он подпадает под действие данного патента. Однако на такую
возможность необходимо указать в рекомендациях о возможности
использования объекта.
Объект считается обладающим патентной чистотой в отношении
данной страны только в следующих двух случаях:
109
- при экспертизе не было выявлено ни одного действующего патента,
имеющего отношение к объекту в целом, его узлам, механизмам, составным
частям и другим элементам;
- упомянутые выше патенты были обнаружены, однако их анализ (см. пункт
3.4) показал, что они на данный объект и его элементы не распространяются.
Если объект не обладает патентной чистотой в отношении одной или
нескольких стран - в заключении необходимо дать рекомендации о мерах,
которые следует предпринять для возможного использования объекта в
странах, где действуют мешающие патенты.
Документальное оформление результатов экспертизы на патентную
чистоту осуществляется в соответствии с требованиями ГОСТ Р 15.011-96
«Патентные исследования» и ГОСТ 15.012 84 “Патентный формуляр” [8].
Для ознакомления с характером и особенностями представления
результатов экспертизы патентной чистоты объекта техники, форма
титульного
листа и разделы Патентного формуляра приведены в
приложении 1,
соответствующие разделы и таблицы ГОСТ Р15.011-96
представлены в приложении 2, формы информационной карточки и справки
о выпуске продукции согласно лицензионному договору даны
соответственно в приложениях 3 и 4.
Перечень источников, использованных при подготовке настоящих
рекомендаций
8.
1.
ГОСТ Р15.011-96 «Государственный стандарт Российской
Федерации «Система разработки и постановки продукции на производство.
Патентные исследования» (ГОСТ Р15.011-96)
2.
Инструкция по экспертизе объектов техники на патентную
чистоту. – М.: ЦНИИПИ. – 1975.
3.
Программа развития
наноиндустрии в Российской Федерации
до 2015 года. Разработана в соответствии с президентской инициативой
«Стратегия развития наноиндустрии» №Пр-688 от 24 апреля 2007г.
4.
Гражданский кодекс Российской Федерации части первая (от
30.11.1994 № 51-ФЗ), вторая (от 26.01.1996 № 14-ФЗ), третья (от 26.11.2001
№ 146-ФЗ), четвертая (от 18.12.2006 № 230-ФЗ)
5.
Методические рекомендации по проведению патентных
исследований. – М.:ВНИИПИ. -1988
6.
Скорняков Э.П., Омарова Т.Б., Челышева О.В. Методические
рекомендации по проведению патентных исследований. – М.:ИНИЦ
Роспатента. – 2000.
7.
Фейгельсон В.М. Методика и практика экспертизы объектов
техники на патентную чистоту. – М.: М.:ИНИЦ Роспатента. – 2001.
ГОСТ 15.012-84 «Патентный формуляр»
110
Приложение 1
ТИТУЛЬНЫЙ ЛИСТ ПАТЕНТНОГО ФОРМУЛЯРА
__________________________________________________________________
Наименование или условное обозначение организации (предприятия)
М.П.
ПАТЕНТНЫЙ ФОРМУЛЯР
На___________________________________________________________________________
(наименование и условное обозначение объекта техники)
(обозначение документа)
Составлен
на
основании
отчета
о
патентных
исследованиях_________________________________________________________________
(номер и дата)
На________ листах.
Руководитель организации__________________/__________________/
(подпись)
(фамилия, и.о.)
Составитель патентного формуляра__________________/__________________/
(подпись)
(фамилия, и.о
Год
ФОРМЫ РАЗДЕЛОВ ПАТЕНТНОГО ФОРМУЛЯРА
Таблица 1
Общие сведения
Назначение и область применения объекта
Дата окончания разработки
Дата освоения объекта в производстве
Перечень стран, ведущих в данном виде техники
Таблица 2
Патентный формуляр
Раздел
Результаты проверки патентной
чистоты
Охранные документы, под действие
которых подпадает объект техники
Правовая охрана объекта техники
Граф
а
1
2
4
5
1
2
Отчет о патентных
исследованиях по
ГОСТ Р 15.011-96
Форма Графа
(см.
приложение 2)
Д.3.1.3.
1
Д.3.1.3.
2
Д.3.1.1.
4
Д.3.1.1.
5
Д.3.1.2.
1
Д.3.1.2.
2
111
Приложение 2
Д.3 Исследование патентной чистоты объекта техники
Д.3.1 Экспертиза на патентную чистоту
Д.3.1.1 Объект техники, его составные части (в том числе технические,
художественно-конструкторские решения), подлежащие экспертизе на патентную чистоту
Источники известности
Наименовани
е
объект
а
техник
и и его
составных
частей
Обозна
-чение
(чертежей,
ГОСТ,
ТУ и
т.д.)
Дата
утверж
-дения
чертеж
а
Страна,
в
отноше
нии
которо
й
проводится
исследовани
е
патентной
чистот
ы
Научнотехническая
документ
ация
(наименование
источника, дата
публикации)
1
2
3
4
Охранные
Действующи
документы:
е охранные
патенты,
документы
выложенные и
(в том числе
акцептованные
патентызаявки (номер
аналоги,
документа, дата выложенные
приоритета и
и
название объекта акцептованн
промышленной
ые заявки),
собственности,
подлежащие
другие
анализу
библиографичес
кие данные)
5
Необходимость
проведения
сопоставите
льного
анализа с
объектом
промышлен
-ной
собственнос
ти
(«Подлежит
» – «Не
подлежит»)
6
Примечание
7
8
Д.3.1.2 Сопоставительный анализ объекта техники с охраняемыми объектами
промышленной собственности
Наименование
использованных в
объекте
технических
и
художественноконструкторских
решений,
подлежащих
анализу
(обозначение
чертежей, ГОСТ и
т.д.)
Страна выдачи
охранного
документа,
номер
документа, вид
промышленной
собственности,
число пунктов
патентной
формулы,
подлежащих
анализу
1
2
Сопоставляемые признаки
По
охранному По объекту
документу
(по техники
каждому
из
признаков
пункта
патентной
формулы)
Номер
пункта
патентной
формулы
3
По
каждому
признаку
пункта
формулы
4
Выводы
По
пункту
формулы
5
6
По
охранно
му документу в
целом
7
Д.3.1.3 Выводы о патентной чистоте
Страна
проверки
1
Результаты
проверки
(обладает или не
обладает
патентной
чистотой),
с
указанием даты
публикации
последних
просмотренных
материалов
Вид
промышленной
собственности,
номер
охранного
документа,
лишающего
объект
патентной
чистоты,
дата
начала срока его
действия
Патентыаналоги,
лишающие
объект техники
патентной
чистоты
(страна,
вид
промышленной
собственности,
номер,
дата
начала
действия)
Значимость
составной
части
объекта (в том
числе
по
комплектующим),
использующей
объект
промышленной
собственности (в %
от
стоимости
объекта,
в
абсолютном
исчислении)
2
3
4
5
Примечание
6
112
Приложение 3
ФОРМА ИНФОРМАЦИОННОЙ КАРТОЧКИ
Лицевая сторона (формат 210 х 297 мм)
ИНФОРМАЦИОННАЯ КАРТОЧКА (01)__________________________
(02)_______________ на патентный формуляр (03)____________________
(индекс МПК)
(номер формуляра)
(04)____________________________________________________________
(наименование и условное обозначение объекта)
(05)_____________________________________________________________
(дата начала и окончания разработки)
(06)_____________________________________________________________
(дата утверждения формуляра)
(07)_____________________________________________________________
(цель проверки: экспорт, новая разработка, усовершенствование и т.п.)
Оборотная сторона
После пункта (07) за номером индекса указываются следующие данные:
(08) - Страны, в отношении которых продукция обладает патентной чистотой, и
даты последних просмотренных материалов
(09) - Страны, в отношении которых продукция не обладает патентной чистотой, и
даты последних просмотренных материалов
(10) - Наименования составных элементов продукции, не обладающих патентной
чистотой, с указанием стран, номеров патентов (свидетельств) и вида промышленной
собственности.
(11) - Наименования разработанных другими организациями комплектующих
изделий, не обладающих патентной чистотой, с их обозначением, указанием стран,
номеров патентов (свидетельств) и вида промышленной собственности.
(12) - Патенты (свидетельства), полученные российскими организациями в РФ и в
других странах и использованные в продукции, с указанием стран, номеров свидетельств
и патентов, их приоритета, вида промышленной собственности и заявителя.
(13) - Номера заявок, поданных организацией в связи с созданием продукции, с
указанием вида промышленной собственности,
(14)____________________________________________________________________
(наименование и адрес организации - составителя карточки, принадлежность
министерству, ведомству)
Руководитель организации __________________/__________________/
(подпись)
(фамилия, и.о.)
Составитель патентного формуляра __________________/__________________/
(подпись)
(фамилия, и.о.)
(15) «_____»_______________20___г.
(дата составления карточки)
Основные требования к заполнению. Информационная карточка - официальный
документ, поэтому заполнение всех пунктов с указанием их индексов и наличие подписей,
заверенных печатью, строго обязательно. Прочерки не допускаются. Карточка
составляется организацией, разработавшей патентный формуляр.
113
ПРИЛОЖЕНИЕ 4
СПРАВКА
_______________________________________________выпускается в точном соответствии
(наименование продукции)
с технической документацией, полученной от ______________________________________
(наименование лицензиара)
___________________________по лицензионному соглашению_______________________
_____________________________________________________________________________
(номер и дата лицензионного соглашения, наименование лицензиата)
Никаких усовершенствований, дополнений и других изменений в полученную от
лицензиара в техническую документацию не вносилось.
Экспорт (реализация) ___________________________________________________
(наименование продукции)
в
соответствии
с
лицензионным
соглашением
целесообразен
в
_____________________________________________________________________________
(наименование стран)
и нецелесообразен в __________________________________________________________
(наименование стран)
_____________________________________________________________________________
(наименование и адрес организации - составителя справки, принадлежность министерству, ведомству)
Главный инженер (главный конструктор) _________________________
(фамилия, подпись)
Составитель ___________________/________________________/
(подпись)
«____»______________20___г.
М. П.
(фамилия, и.о.)
114
Приложение 5
Примерный перечень рубрик Международной патентной классификации,
в которых могут содержаться патенты по нанотехнологиям
Раздел А.
A01K 51/00; A01N 25/14; A01N 25/28; A01N 53/00; A01N 59/16; A21D 8/02; A22C 13/00;
A23C 21/00; A23D 7/00; A23G 3/00; A23J 1/10; A23K 1/00; A23L 1/00; A23L 1/0524; A23L
1/30; A24D 1/02; A24D 3/00; A24D 3/06; A44C 17/00; A47J 36/02; A61B 10/00; A61B 17/00;
A61B 17/32; A61B 17/42; A61B 17/56; A61B 17/58; A61B 17/72; A61B 5/00; A61B 5/05;
A61B 6/00; A61C 8/00; A61F 13/00; A61F 13/15; A61F 9/00; A61F 9/06; A61J 1/00; A61K
31/355; A61K 31/38; A61K 31/395; A61K 31/405; A61K 31/42; A61K 31/4709; A61K 31/553;
A61K 31/663; A61K 31/683; A61K 31/685; A61K 31/7105; A61K 31/717; A61K 31/722; A61K
31/734; A61K 33/00; A61K 33/04; A61K 33/06; A61K 33/26; A61K 33/44; A61K 35/14; A61K
35/76; A61K 35/78; A61K 36/185; A61K 36/28; A61K 38/00; A61K 38/13; A61K 38/16; A61K
38/17; A61K 38/28; A61K 38/31; A61K 38/39; A61K 38/43; A61K 39/00; A61K 39/02; A61K
39/04; A61K 39/118; A61K 39/12; A61K 39/135; A61K 39/145; A61K 39/187; A61K 39/23;
A61K 39/235; A61K 39/245; A61K 39/275; A61K 39/39; A61K 41/00; A61K 47/14; A61K
47/34; A61K 47/48; A61K 49/00; A61K 49/04; A61K 49/08; A61K 6/00; A61K 6/02; A61K
6/08; A61K 6/09; A61K 7/00; A61K 7/021; A61K 7/06; A61K 7/075; A61K 7/11; A61K 7/13;
A61K 7/135; A61K 7/40; A61K 7/42; A61K 7/48; A61K 8/19; A61K 8/25; A61K 8/28; A61K
8/72; A61K 8/97; A61K 8/98; A61K 9/00; A61K 9/06; A61K 9/08; A61K 9/10; A61K 9/107;
A61K 9/12; A61K 9/127; A61K 9/14; A61K 9/16; A61K 9/20; A61K 9/50; A61K 9/51; A61K
9/72; A61K36/15; A61L 15/00; A61L 15/18; A61L 15/44; A61L 17/00; A61L 2/10; A61L 2/14;
A61L 2/16; A61L 24/00; A61L 27/00; A61L 27/02; A61L 27/10; A61L 27/14; A61L 27/24;
A61L 27/30; A61L 27/32; A61L 9/01; A61M 1/14; A61M 1/34; A61M 1/38; A61M 16/00;
A61M 27/00; A61M 5/32; A61N 1/08; A61N 1/16; A61N 1/26; A61N 1/44; A61N 2/00; A61N
5/00; A61N 5/06; A61N 5/067; A61P 27/16; A61Q 19/04.
Раздел B.
B01D 11/02; B01D 17/00; B01D 17/06; B01D 19/00; B01D 29/48; B01D 3/00; B01D 37/04;
B01D 39/00; B01D 39/02; B01D 39/06; B01D 39/08; B01D 39/14; B01D 39/16; B01D 46/10;
B01D 46/52; B01D 53/14; B01D 53/86; B01D 53/92; B01D 53/94; B01D 59/00; B01D 61/00;
B01D 61/14; B01D 61/18; B01D 63/06; B01D 63/08; B01D 63/10; B01D 63/16; B01D 65/08;
B01D 67/00; B01D 69/00; B01D 69/10; B01D 71/02; B01D 71/06; B01D 71/32; B01D 71/64;
B01F 17/28; B01F 3/18; B01F 7/28; B01J 13/00; B01J 13/02; B01J 13/02; B01J 13/14; B01J
19/00; B01J 19/08; B01J 20/06; B01J 20/08; B01J 20/10; B01J 20/16; B01J 20/20; B01J 20/26;
B01J 21/04; B01J 21/06; B01J 21/08; B01J 21/18; B01J 23/02; B01J 23/04; B01J 23/22; B01J
23/26; B01J 23/40; B01J 23/40; B01J 23/42; B01J 23/44; B01J 23/46; B01J 23/56; B01J 23/58;
B01J 23/656; B01J 23/72; B01J 23/74; B01J 23/75; B01J 23/755; B01J 23/84; B01J 23/89; B01J
27/18; B01J 27/188; B01J 29/40; B01J 29/46; B01J 29/48; B01J 29/80; B01J 3/08; B01J 31/02;
B01J 31/12; B01J 31/14; B01J 32/00; B01J 35/02; B01J 37/00; B01J 37/02; B01J 37/03; B01J
37/04; B01J 37/08; B01J 37/16; B01J 37/18; B01J 37/34; B01J 8/04; B01J 8/08; B03B 1/00;
B03B 7/00; B03C 3/00; B03C 3/02; B03C 7/00; B04C 3/06; B05B 1/00; B05B 1/24; B05D 1/20;
B05D 1/34; B05D 3/02; B05D 5/08; B05D 7/04; B05D 7/14; B21B 1/26; B21C 23/14; B21C
25/00; B21D 51/02; B21F 19/00; B21J 5/00; B21J 5/06; B22C 9/00; B22D 11/06; B22D 18/00;
B22D 27/20; B22F 1/00; B22F 1/02; B22F 3/08; B22F 3/11; B22F 3/18; B22F 3/20; B22F 3/23;
B22F 9/02; B22F 9/12; B22F 9/14; B22F 9/16; B22F 9/18; B22F 9/22; B22F 9/24; B22F 9/28;
B22F 9/30; B23B 1/00; B23B 27/14; B23D 13/00; B23D 5/02; B23H 7/22; B23H 9/00; B23K
1/00; B23K 20/08; B23K 9/173; B23P 15/00; B23P 15/28; B23Q 1/26; B23Q 11/10; B23Q
115
15/22; B24B 1/00; B24B 49/12; B24B 7/17; B24D 17/00; B24D 3/06; B24D 3/32; B25J 7/00;
B27K 3/15; B27M 3/06; B27N 3/04; B28B 1/52; B28B 3/00; B29C 39/00; B29C 55/06; B29C
70/06; B29D 11/00; B29D 7/01; B32B 15/04; B32B 15/20; B32B 17/00; B32B 27/00; B32B
27/08; B32B 27/20; B32B 27/36; B32B 27/38; B32B 33/00; B32B 7/12; B32B 9/04; B41M
5/30; B41N 3/03; B42D 15/00; B44C 1/165; B44C 1/17; B44D 5/00; B44F 1/10; B60C 1/00;
B60N 3/02; B64C 23/00; B64C 3/10; B65D 35/08; B65D 65/40; B65D 75/66; B65D 83/14;
B81B 1/00; B81B 7/04; B81C 1/00; B82B 1/00; B82B 3/00.
Раздел C.
C01B 13/14; C01B 13/18; C01B 13/28; C01B 13/32; C01B 13/34; C01B 15/029; C01B 21/072;
C01B 21/14; C01B 3/00; C01B 3/26; C01B 3/38; C01B 3/56; C01B 31/00; C01B 31/02; C01B
31/04; C01B 31/06; C01B 31/08; C01B 31/10; C01B 31/12; C01B 31/34; C01B 31/36; C01B
33/00; C01B 33/02; C01B 33/12; C01B 33/14; C01B 33/143; C01B 33/145; C01B 33/158; C01B
33/16; C01B 33/18; C01B 33/193; C01B 33/20; C01B 33/32; C01B 33/40; C01B 35/10; C01B
37/02; C01B 37/08; C01B 39/00; C01B 39/48; C01B31/08; C01F 11/18; C01F 11/46; C01F
17/00; C01F 5/30; C01F 7/02; C01F 7/42; C01G 1/00; C01G 23/00; C01G 23/047; C01G
23/053; C01G 23/07; C01G 3/00; C01G 31/02; C01G 49/00; C01G 51/04; C01G 9/02; C02F
1/00; C02F 1/24; C02F 1/28; C02F 1/46; C02F 1/461; C02F 1/467; C02F 1/52; C02F 11/14;
C02F 5/00; C02F 9/00; C02F 9/04; C02F 9/12; C03B 33/09; C03B 5/235; C03C 1/00; C03C
10/02; C03C 10/12; C03C 17/00; C03C 17/02; C03C 17/245; C03C 17/34; C03C 17/36; C03C
17/38; C03C 19/00; C03C 25/42; C03C 3/06; C03C 4/08; C04B 22/04; C04B 24/18; C04B
28/00; C04B 28/02; C04B 28/04; C04B 28/24; C04B 28/26; C04B 28/34; C04B 33/28; C04B
35/00; C04B 35/14; C04B 35/48; C04B 35/52; C04B 35/571; C04B 35/58; C04B 35/622; C04B
35/624; C04B 35/632; C04B 35/638; C04B 35/65; C04B 35/80; C04B 38/10; C04B 41/65; C04B
41/87; C06B 21/00; C06B 25/04; C07C 13/465; C07C 15/085; C07C 17/06; C07C 2/00; C07C
2/12; C07C 2/66; C07C 2/70; C07C 209/48; C07C 211/27; C07C 211/48; C07C 255/40; C07C
309/80; C07C 31/125; C07C 319/06; C07C 319/20; C07C 33/02; C07C 37/60; C07C 407/00;
C07C 46/06; C07C 5/10; C07C 5/23; C07C 5/333; C07C 51/235; C07C 53/124; C07C 7/144;
C07C 7/163; C07D 201/04; C07D 201/08; C07D 201/16; C07D 207/27; C07D 239/38; C07D
253/10; C07D 301/10; C07D 307/08; C07D 401/12; C07D 487/22; C07D 493/04; C07D 501/12;
C07F 5/00; C07F 7/18; C07F 9/38; C07H 19/00; C07H 21/02; C07K 1/14; C07K 14/16; C07K
14/18; C07K 14/415; C07K 14/62; C07K 17/04; C08B 37/00; C08B 37/08; C08C 19/14; C08F
10/00; C08F 14/00; C08F 14/18; C08F 2/16; C08F 2/18; C08F 2/22; C08F 2/54; C08F 210/02;
C08F 22/14; C08F 224/00; C08F 257/02; C08F 259/04; C08F 265/00; C08F 265/04; C08F
275/00; C08F 287/00; C08F 4/651; C08F 6/24; C08F 8/46; C08G 18/08; C08G 18/32; C08G
61/02; C08G 63/12; C08G 63/85; C08G 65/26; C08G 65/329; C08G 65/40; C08G 69/20; C08G
73/10; C08G 77/44; C08G 77/58; C08G 79/08; C08J 3/03; C08J 3/12; C08J 3/24; C08J 5/00;
C08J 5/04; C08J 5/16; C08J 5/18; C08J 9/00; C08J 9/14; C08K 3/06; C08K 3/16; C08K 3/34;
C08L 101/00; C08L 19/00; C08L 23/02; C08L 23/04; C08L 23/20; C08L 25/10; C08L 27/12;
C08L 27/16; C08L 27/18; C08L 33/00; C08L 33/12; C08L 33/20; C08L 5/16; C08L 61/10;
C08L 63/00; C08L 67/02; C08L 67/06; C08L 7/00; C08L 71/02; C08L 75/14; C08L 77/00;
C08L 77/02; C08L 77/10; C08L 83/04; C09C 1/00; C09C 1/24; C09C 1/44; C09C 1/48; C09C
1/50; C09C 1/52; C09C 1/54; C09C 1/56; C09C 1/64; C09C 3/04; C09D 1/02; C09D 109/08;
C09D 11/00; C09D 11/16; C09D 169/00; C09D 175/06; C09D 177/00; C09D 177/02; C09D
201/02; C09D 5/00; C09D 5/03; C09D 5/08; C09D 5/14; C09D 5/32; C09G 1/02; C09G 1/12;
C09J 11/04; C09J 167/02; C09J 201/10; C09J 9/02; C09K 11/00; C09K 17/00; C09K 19/12;
C09K 3/10; C09K 3/14; C09K 5/08; C09K 5/10; C09K 8/506; C10G 45/02; C10G 45/08; C10G
45/10; C10G 45/58; C10G 45/60; C10G 45/64; C10G 47/02; C10G 47/22; C10G 65/02; C10G
65/04; C10G 65/08; C10G 65/12; C10G 9/00; C10L 1/12; C10L 1/222; C10M 103/02; C10M
125/00; C10M 125/02; C10M 125/04; C10M 159/12; C10M 161/00; C10M 169/04; C10M
169/06; C10M 173/02; C10M 177/00; C11B 3/10; C11C 3/12; C11D 3/08; C12G 3/00; C12G
116
3/06; C12G 3/08; C12H 1/048; C12M 1/12; C12N 1/20; C12N 15/00; C12N 15/10; C12N 15/44;
C12N 15/87; C12N 5/00; C12N 7/00; C12N 9/00; C12N 9/14; C12P 19/42; C12P 21/02; C12Q
1/48; C13D 1/08; C13D 3/16; C13K 11/00; C14C 7/00; C21B 13/00; C21B 5/02; C21D 1/04;
C21D 6/02; C21D 7/00; C21D 8/00; C21D 8/10; C21D 8/12; C22B 1/00; C22B 1/243; C22B
11/00; C22B 11/02; C22B 3/00; C22B 3/20; C22B 34/12; C22C 1/02; C22C 1/04; C22C 1/05;
C22C 1/10; C22C 14/00; C22C 16/00; C22C 19/03; C22C 21/00; C22C 21/06; C22C 21/12;
C22C 33/02; C22C 38/00; C22C 38/40; C22C 9/00; C22C 9/06; C22F 1/053; C22F 1/18; C22F
3/02; C23C 10/20; C23C 14/00; C23C 14/06; C23C 14/08; C23C 14/14; C23C 14/20; C23C
14/22; C23C 14/24; C23C 14/26; C23C 14/34; C23C 14/35; C23C 14/48; C23C 14/58; C23C
16/00; C23C 16/06; C23C 16/12; C23C 16/24; C23C 16/27; C23C 16/30; C23C 16/40; C23C
18/30; C23C 18/32; C23C 24/04; C23C 26/00; C23C 28/00; C23C 4/00; C23C 4/10; C23C 8/36;
C23C16/00; C23F 11/00; C25B 1/00; C25B 11/08; C25B 11/12; C25C 3/06; C25C 3/08; C25C
5/02; C25D 1/10; C25D 11/02; C25D 11/06; C25D 11/26; C25D 15/00; C25D 15/02; C25D
3/10; C25D 3/22; C25D 3/48; C25D 5/02; C25F 3/14; C30B 11/00; C30B 15/00; C30B 19/12;
C30B 23/00; C30B 25/00; C30B 25/02; C30B 28/02; C30B 29/16; C30B 29/22; C30B 29/34;
C30B 29/38; C30B 29/48; C30B 29/62; C30B 31/22; C30B 33/02; C30B 33/04; C30B 33/10.
Раздел D.
D01D 5/34; D01F 1/10; D01F 6/06; D01F 6/90; D01F 9/08; D01F 9/12; D01F 9/127; D06M
11/83; D06M 13/395; D06P 1/673; D06P 3/14; D21F 11/00; D21H 11/00; D21H 17/69; D21H
19/00; D21H 21/10; D21H 21/14; D21H 21/16; D21H 21/40; D21H 23/02; D21H 23/04; D21H
23/76.
Раздел E.
E02B 15/04; E04F 15/10; E21B 33/138; E21B 43/24; E21B 43/32; E21B 49/00.
Раздел F.
F01D 25/24; F01K 25/00; F01N 1/00; F02B 51/00; F02M 27/04; F03G 7/00; F03H 1/00; F04D
17/02; F16C 17/14; F16C 33/04; F16C 33/12; F16C 33/14; F16C 33/64; F16F 13/00; F16F 5/00;
F16J 15/18; F16K 17/00; F16L 59/02; F16L 59/06; F17C 1/16; F17C 11/00; F21V 8/00; F21V
9/00; F24C 15/00; F25B 21/00; F25B 9/00; F25B 9/02; F25B 9/14; F25D 3/10; F25J 1/00; F25J
1/02; F28D 15/02; F42B 1/032; F42B 39/26; F42B 5/145.
Раздел G.
G01B 1/00; G01B 11/06; G01B 11/14; G01B 11/26; G01B 15/00; G01B 15/02; G01B 21/00;
G01B 5/00; G01B 5/28; G01B 7/00; G01B 7/34; G01C 19/56; G01F 1/00; G01F 23/24; G01H
9/00; G01J 1/42; G01J 3/00; G01J 3/42; G01J 3/44; G01J 5/12; G01J 9/02; G01K 11/20; G01K
7/00; G01L 1/00; G01L 9/12; G01N 13/00; G01N 13/10; G01N 13/12; G01N 15/02; G01N
19/02; G01N 21/00; G01N 21/21; G01N 21/35; G01N 21/43; G01N 21/64; G01N 21/67; G01N
21/85; G01N 21/88; G01N 22/00; G01N 23/00; G01N 23/04; G01N 23/20; G01N 23/225; G01N
25/30; G01N 27/00; G01N 27/02; G01N 27/12; G01N 27/22; G01N 27/327; G01N 27/333;
G01N 27/40; G01N 27/42; G01N 27/447; G01N 27/62; G01N 3/00; G01N 3/08; G01N 3/22;
G01N 3/40; G01N 30/08; G01N 30/48; G01N 30/56; G01N 33/48; G01N 33/483; G01N 33/487;
G01N 33/49; G01N 33/52; G01N 33/53; G01N 33/533; G01N 33/543; G01N 33/558; G01N
33/569; G01N 33/573; G01N 33/58; G01N 35/00; G01P 15/00; G01R 15/22; G01R 15/24; G01R
19/00; G01R 27/26; G01R 29/02; G01R 31/12; G01R 33/035; G01R 33/05; G01R 33/07; G01R
33/09; G01R 33/12; G01T 1/185; G01W 1/02; G02B 1/00; G02B 1/06; G02B 21/00; G02B
21/24; G02B 21/26; G02B 21/32; G02B 27/22; G02B 5/02; G02B 5/08; G02B 5/128; G02B
117
5/18; G02B 5/20; G02B 5/24; G02B 5/28; G02B 5/30; G02B 6/13; G02F 1/00; G02F 1/017;
G02F 1/13; G02F 1/133; G02F 1/153; G02F 1/35; G02F 1/355; G03C 1/72; G03F 7/20; G03F
9/00; G03H 1/18; G06F 3/02; G06G 7/60; G06K 19/00; G06K 19/06; G06K 9/68; G06N 3/06;
G06Q 90/00; G07F 13/00; G09B 23/20; G09F 3/00; G09G 5/00; G11B 5/00; G11B 5/133; G11B
5/66; G11B 5/716; G11B 5/84; G11B 7/00; G11B 7/09; G11B 7/24; G11B 9/00; G11B 9/14;
G11B5/84; G11C 11/00; G11C 11/06; G11C 11/15; G11C 11/21; G11C 11/22; G11C 11/40;
G11C 14/00; G11C 16/00; G11C 16/04; G12B 13/00; G12B 17/00; G12B 17/02; G12B 21/00;
G12B 21/02; G12B 21/20; G12B 21/22; G21B 1/00; G21C 3/28; G21C 3/62; G21F 9/04; G21F
9/06; G21F 9/12; G21G 1/00; G21G 4/02; G21G 4/04.
Раздел H.
H01B 1/00; H01B 12/06; H01B 7/00; H01B 9/02; H01C 10/10; H01C 17/00; H01C 17/06; H01F
1/00; H01F 1/053; H01F 1/11; H01F 1/113; H01F 1/153; H01F 1/37; H01F 1/44; H01F 10/00;
H01F 10/08; H01F 10/10; H01F 10/32; H01F 27/24; H01F 27/25; H01F 36/00; H01F 41/30;
H01G 2/22; H01G 4/10; H01G 7/06; H01G 9/00; H01G 9/004; H01G 9/04; H01G 9/042; H01G
9/058; H01H 41/00; H01J 1/02; H01J 1/30; H01J 1/304; H01J 1/34; H01J 1/35; H01J 1/62; H01J
19/02; H01J 21/00; H01J 21/10; H01J 21/20; H01J 27/02; H01J 29/18; H01J 29/48; H01J 3/02;
H01J 31/12; H01J 31/15; H01J 31/50; H01J 35/00; H01J 37/04; H01J 37/26; H01J 37/28; H01J
49/40; H01J 49/44; H01J 61/35; H01J 9/02; H01J 9/22; H01J 9/227; H01L 21/00; H01L 21/02;
H01L 21/18; H01L 21/20; H01L 21/203; H01L 21/205; H01L 21/208; H01L 21/26; H01L
21/263; H01L 21/265; H01L 21/268; H01L 21/28; H01L 21/283; H01L 21/30; H01L 21/306;
H01L 21/3065; H01L 21/316; H01L 21/322; H01L 21/324; H01L 21/335; H01L 21/336; H01L
21/338; H01L 21/363; H01L 21/461; H01L 21/477; H01L 21/66; H01L 21/76; H01L 21/762;
H01L 21/768; H01L 21/82; H01L 21/8238; H01L 21/8239; H01L 21/8246; H01L 23/34; H01L
25/18; H01L 27/00; H01L 27/06; H01L 27/108; H01L 27/115; H01L 27/12; H01L 27/146; H01L
29/00; H01L 29/15; H01L 29/41; H01L 29/72; H01L 29/76; H01L 29/772; H01L 29/775; H01L
29/78; H01L 29/786; H01L 29/88; H01L 29/92; H01L 31/00; H01L 31/04; H01L 31/042; H01L
31/06; H01L 31/09; H01L 31/18; H01L 33/00; H01L 35/18; H01L 35/30; H01L 37/02; H01L
39/00; H01L 39/12; H01L 39/14; H01L 39/16; H01L 39/18; H01L 39/22; H01L 39/24; H01L
41/00; H01L 41/08; H01L 41/083; H01L 41/09; H01L 43/08; H01L 43/12; H01L 51/40;
H01L21/268; H01L31/06; H01M 10/40; H01M 12/06; H01M 4/00; H01M 4/02; H01M 4/04;
H01M 4/40; H01M 4/48; H01M 4/62; H01M 4/86; H01M 4/90; H01M 8/02; H01M 8/04; H01M
8/10; H01M 8/10; H01Q 17/00; H01S 3/00; H01S 3/02; H01S 3/09; H01S 3/10; H01S 3/16;
H01S 5/00; H01S 5/022; H01S 5/024; H01S 5/042; H01S 5/32; H01S 5/343; H02K 1/00; H02K
19/08; H02N 11/00; H02N 2/00; H02N 2/02; H02N 2/04; H02N 2/10; H03F 1/42; H03K 19/00;
H03K 3/53; H03K 5/04; H04L 12/28; H04N 5/66; H05B 3/06; H05B 3/34; H05B 3/84; H05B
33/12; H05B 33/26; H05H 1/00; H05H 1/42; H05H 1/44; H05H 13/00; H05H 3/04 ;H05K 9/00.
118
Приложение 6
КЛАССИФИКАЦИЯ США
КЛАСС 977 «НАНОТЕХНОЛОГИЯ»
Подкласс
964
965
966
967
968
969
970
971
972
973
974
975
976
977
978
979
980
981
982
983
984
986
987
988
989
990
991
992
Название
НАНОСТРУКТУРЫ
. интегрированные с другими структурами на общей подложке
.. из материала с биологическим компонентом
… клеточным
… нуклеиновыми кислотами (например, ДНК или РНК и т.д.)
…протеинами или пептидами
… углеводами
.. содержащие различные типы наноразмерных структур или
устройств на общей подложке
.. с отдельным переключающим устройством
… с «молекулярным» переключающим устройством
…. работающим по принципу биологического переключения
….. с помощью нуклеиновых кислот
.. образованные из нескольких слоев, состоящих из
«наноразмерного» материала (например, многоуровневые или
стопочные структуры и т.д.)
… имеющие жировой слой
… содержащие белок
.. на органической подложке
... с поверхностью, представляющей собой биологический
клеточный материал
… с подложкой из жирового материала
… на углеводородной подложке
… на подложке из нуклеиновых кислот
..
на
электропроводной,
полупроводниковой
или
полуизоляционной подложке
985
…на силиконовой подложке
…на металлической подложке
.. на электрически изолированной подложке
. устройства с гибким или подвижным элементом
.. нанодвигатели или наноактюаторы
… использующие химическую реакцию или биологическую
энергию (например, с аденазин-трифосфатом)
.. образованные из биологического материала
… из нуклеиновых кислот (например, ДНК или РНК и т.д.)
119
993
994
995
996
997
998
999
1000
1001
1002
1003
1004
1005
1006
1007
1008
1009
1010
1011
1012
1013
1014
1015
1016
1017
1018
… из протеинов или протеиновых комплексов (например,
ферментов, или карбоксильных групп и т.д.)
… для целей, связанных с электрическими аспектами
.. образованными из одного атома, молекулы или кластера
.. наноконсоли, нанокантилеверы
.. нанодиафрагма
. фуллерены ( т.е. структуры на основе графенов, такие как
наноконусы, нанококоны, наноспирали и т.д.) или
фуллереноподобные структуры (например, нанотрубки из
WS2 или MoS2, планары из материала типа C3N4 и т.д.)
.. углеродные бакиболлы, т.е. сферообразные молекулы
углерода (С60, С70 и т.д. и их производные и модификации)
... с атомами внутри углеродной клетки
… с модифицированной поверхностью
…. модифицированной биологическим, органическим или
углеводородным материалом
…..модифицированной ферментами
….модифицированной атомами или молекулами, связанными
с поверхностью
…. модифицированной с помощью инородного атома или
молекулы, замещающими атомы углерода в шарообразной
структуре бакиболла (например, допирование (легирование)
примесями, или композиционное замещение)
.. углеродные нанотрубки (CNT)
… со специфической концевой структурой (например, в виде
замкнутой раковины или открытой с концов трубки и т.д.)
… с атомами внутри углеродной клетки
… с модифицированной поверхностью
…. модифицированной биологическим, органическим или
углеродным материалом
….. модифицированной ферментами
…. модифицированной атомами или молекулами, связанными
с поверхностью
…. модифицированной с помощью инородных атомов или
молекул, замещающих атомы углерода в структуре
углеродной
нанотрубки
(например,
допирование
(легирование) примесями, или композиционное замещение и
т.д.)
… с одной стенкой, т.е. однослойные
….
со
специфической
хиральностью
и/или
электропроводностью (например, с хиральностью (5,4), (5,5),
(10,5) и т.д.)
… с несколькими стенками, т.е. многослойные
.. с полимерным или органическим связующим
. дендримеры (т.е. ветвистые или древоподобные структуры)
120
1019
1020
1021
1022
1023
1024
1025
1026
1027
1028
1029
1030
1031
1032
1033
1034
1035
1036
1037
1038
1039
1040
1041
1042
. нанолисты или квантовые барьеры, квантовые ямы (т.е.
структура в виде листа толщиной не более 100 нм)
.. в виде жирового слоя
... содержащего протеин
.. с моноатомным слоем на дельта-допированном листе
.. квантово-размерные ямы для обеспечения межзонных
электронных переходов (например, для использования в
униполярных светоизлучающих эмиттерах или квантоворазмерных инфракрасных фотодетекторах и т.д.)
.. сверхрешетки с переменной эффективной шириной
запрещенной зоны (например, сверхрешетки с линейно
изменяющейся характеристикой и т.д.)
.. сверхрешетки с толщиной барьера или ямы,
обеспечивающей увеличение отражения, передачи или
фильтрации носителей, обладающие энергией, превышающей
уровень энергии зоны проводимости или валентной зоны ямы
или барьера
. нанопроволока или квантовая проволока (аксиально
вытянутые двухразмерные структуры, причем оба размера не
превышают 100 нм)
.. в виде террасных или гребешковых кристаллографических
структур
.. с особой плотностью упаковки
.. с особым профилем поперечного сечения (например,
лентовидным и т.д.)
.. лентовидная проволока (т.е. имеющая нелинейную
продольную ось)
… петлеобразной структуры
… проволока спиралевидной формы
…. образованная из нуклеиновых кислот
…. образованная из полиамидных полимеров
… нанокольца
…. образованные из кольцевых наномолекул (например, ДНК,
небелковой части гемоглобина, хелаторов и т.д.)
. наночастицы (объемные структуры, три размера которых
составляют не более 100 nm)
.. представляющие собой трехмерную несущую конструкцию
(например, квантовые точки, и т.д.)
.. порошки или хлопья из наноразмерных частиц (например,
катализаторы и т.д.)
… керамическая пудра или хлопья
… металлическая пудра или хлопья
. материал внутренней части подложки или матрицы (
например, нанокомпозитные пленки, и т.д.)
121
1043
1044
1045
1046
1047
1048
1049
1050
1051
1052
1053
1054
1055
1056
1057
1058
1059
1060
1061
1062
1063
1064
1065
1066
1067
1068
1069
1070
1071
1072
.. содержащий наночастицы, порошки, хлопья или кластеры
иные, чем просто легированные примесями атомов
.. содержащие полностью замкнутые наноразмерные лакуны
или физические пустоты
.. имеющие наноразмерные дыры на поверхности, которые
углублены внутрь или проходят насквозь через материал
основы или подложки
.. имеющие наноразмерные физические выступы, ребра,
выпуклости , выступающие над поверхностью основы или
матрицы
.. с основой или подложкой из органического материала
(например, жирового)
.. материалом подложки является электропроводный или
полупроводниковый материал
.. материалом подложки является электрический изолятор
.. с подложкой или матрицей из текучего материала,
содержащего нанокомпоненты
… с подложкой или матрицей из вязкого текучего материала,
содержащего нанокомпоненты
. на органической или углеродсодержащей основе
.. в формате решетки
… с гетерогенными наноструктурами
…. молекулярные решетки
….. решетки из нуклеиновых кислот (например, решетки
генома человека и т.д.)
….. белковые матрицы
…. матрицы химических библиотек
.. из биологического материала
… для электрических аспектов или для применения в области
электроники
.. содержащей жировые частицы
… с интернализированным материалом
…. включающим биологический материал
….. нуклеиновые кислоты (например, ДНК или РНК и т.д.)
….. лекарства
.. содержащей частицы на основе вирусов
… с внутренней частью из биологического материала
…. из нуклеиновых кислот
…. содержащей лекарства
… с химическим наружным прикреплением
….когда
наружное
прикрепление
обеспечивает
детектирование
….когда
наружное прикрепление используется для
нанесения метки (например, метки лекарственного препарата,
и т.д.)
122
1073
1074
1075
1076
1077
1078
1079
1080
1081
1082
1083
1084
1085
1086
1087
1088
1089
1090
1091
1092
.. органические пленки на силиконе
. особого состава из металлов или их сплавов
. особого состава из оксидов металлов (например,
электропроводные составы или полупроводниковые составы,
такие как ITO, ZnOx и т.д.)
.. перовскиты и составы, обеспечивающие сверхпроводимость
(например, BaxSr1-xTio3 и т.д.)
. из особых неорганических полупроводниковых составов
(например, из IV-VI групп периодической системы и т.д.)
.. на основе элементов IV группы или соединений из
элементов этой группы (например, CxSiyGez, пористый
силикон и т.д.)
.. на основе соединений из элементов III-V группы (например,
AlaGabIncNxPyAsz, и т.д.)
… на основе соединений азота и элементов III группы
(например, AlxGayInzN, и т.д.)
…. группа соединений или кластеры с высоким содержанием
индия типа InGaN
… на основе соединений фосфора и элементов III группы
(например, AlxGayIn2P и т.д.)
… на основе соединений мышьяка и элементов III группы
(напрмер, AlxGayInzAs и т.д.)
… на основе соединений сурьмы и элементов III группы
(например, AlxGayInzSb и т.д.)
… на основе смешанных соединений элементов из групп III-V
c элементами группы V (например, III-NxPy и т.д.)
… борсодержащие соединения
… талийсодержащие или висмутсодержащие соединения
.. неоксидные соединения элементов групп II-VI (например,
CdxMnYTe, и т.д.)
..
когда
гетеропереход
образуется
между
полупроводниковыми материалами, которые отличаются тем,
что принадлежат различным группам периодической системы
(например, Ge (группа IV) – GaAs (группы III-V) или InP
(группы Ш-V) – CdTe (группы II-V) и т.д.
.. нестехиометрические соединения с полупроводниковыми
свойствами (например, соединения типа IIIxVy, где III и V
номера групп периодической системы и где x не равен y, и
т.д.)
..
образованные
из
полупроводниковых
гибридных
композиционных материалов, содержащих как органические,
так и неорганические соединения
..
биологические
композиции,
взаимосвязанные
с
неорганическим материалом
123
1093
1094
1095
1096
1097
1098
1099
1100
1101
1102
.. когда сердцевина из органического или биологического
материала покрыта неорганической оболочкой
.. когда сердцевина или кластер из неорганического материала
покрыты оболочкой из органического или биологического
материала
. образованные из особого керамического материала или из
электроизоляционного композиционного материала
. обладающие особыми свойствами (например, периодом
кристаллической решетки,
коэффициентом теплового
расширения и т.д.)
.. тепловыми свойствами наноматериала (например,
теплопроводностью, теплоизоляцией или эффектом Пельтье,
эффектом Сибека и т.д.)
.. оптическими свойствами наноматериала (например, особой
прозрачностью,
светонепроницаемостью
или
особым
показателем преломления и т.д.)
.. особой химической или ядерной реакционной активностью
или стабильностью композиционного наноматериала или
соединений, из которых образован наноматенриал
… обладающие способностью вступать в биологическую
реакцию
… особыми пьезоэлектрическими свойствами наноматериала
.. особыми магнитными свойствами наноматериала
1103
МАТЕМАТИЧЕСКИЕ
ПРГРАММЫ,
например,
КОМПЬЮТЕРНОЕ
ПРОГРАМНОЕ
ОБЕСПЕЧЕНИЕ,
СПЕЦИАЛЬНО
ПРЕДНАЗНАЧЕННОЕ
ДЛЯ
МОДЕЛИРОВАНИЯ КОНФИГУРАЦИИ ИЛИ СВОЙСТВ
НАНОСТРУКТУР
1104
ПРОИЗВОДСТВО. ОБРАБОТКА ИЛИ ДЕТЕКТИРОВАНИЕ
НАНОСТРУКТУР
. локализация распространения или удаление материала
наноструктур из окружающей среды
. углеродных нанотрубок или фуллеренов
.. методом каталитического выращивания в газовой фазе (т.е.
химического осаждения из паровой фазы)
.. выращиванием путем испарения или разложения
углеродсодержащего
источника
с
использованием
высокоэнергетического
источника
тепла
(например,
электрической дуги, лазера, плазмы, электронного пучка и
т.д.)
.. очистка или разделение фуллеренов или нанотрубок
.. внутренние модификации (например, наполнение,
образование внутренних граней, и т.д.)
1105
1106
1107
1108
1109
1110
124
1111
1112
1113
1114
1115
1116
1117
1118
1119
1120
1121
1122
1123
1124
1125
1126
1127
1128
1129
1130
1131
1132
1133
1134
1135
1136
1137
1138
1139
1140
1141
1142
1143
1144
1145
1146
1147
1148
..модификации поверхности (функционализация, покрытие, и
т.д.)
..модификации концов трубок (кэппирование, соединение,
сращивание и т.д.)
.. с помощью сканирующего зонда
.. способы управления сканирующим зондом
…
обеспечение
необходимого
перемещения
или
позиционирования сканирующего наконечника
.. для детектирования специфических образцов наноструктур
или свойств, обусловленных наноструктурами
… биологических образцов
… образцов из полупроводникового материала
.. изготовление наноструктур
.. с применением травления или резания
… с применением покрытия
…
позиционирование
(размещение)
или
крепление
наноструктур
… обработка подложки
.. конструкция сканирующего зонда
... для туннельного сканирования
… зонд ближнего поля
… зонд атомно-силового микроскопа
… электростатический зонд
… зонд магнитно-силового микроскопа
… сканирующий емкостной зонд
… сканирующий тепловой зонд
… с оптическими устройствами
…. оптический микроскоп
…. оптический рычаг для отраженного света
… со средствами регулировки параметров окружающей среды
… приспособления для позиционирования
… держатели наконечника
… с несколькими наконечниками
… конструкция наконечника
…. в виде нанотрубки
…. с химической функционализацией
…. формы наконечников, заостренные части
…. материал
. устройства, приспособления или способы тестирования
.. микроскопия или спектроскопия (например, SEM,TEM и
т.д.)
. сборка отдельных компонентов (напрмер, путем
прикрепления )
.. самосборка в текучей среде (“FSA”)
.. собираемых с помощью биораспознаваемого комплекса
125
1149
1150
1151
1152
1153
1154
1155
1156
1157
1158
1159
1160
1161
1162
1163
1164
1165
1166
902
1167
1168
1169
1170
1171
1172
1173
1174
1175
1176
1177
1178
… посредством гибридизации нуклеиновой кислоты
… посредством распознавание белка
. литография с получением нанооттиска
. формообразование или удаление материала (например,
травлением и т.д.)
.. с помощью лазерной абляции ( уноса массы)
. нанесение материалов (например покрытие, CVD или ALD
ит.д.)
.. осаждением в паровой фазе
.. осаждением в жидком растворе
.. отливкой в поры с последующим удалением формы
. способы изготовления со стадией или средствами
биологического роста
. способы изготовления или средства, использующие
химические свойства
.. использующие химический синтез (например, химическое
связывание или разрыв связей и т.д.)
… полимеризацию
… ферментативный синтез
… электролитический синтез
. способы изготовления со стадией или средствами,
использующими механические или тепловые свойства
(например, давление, тепло и т.д.)
. способы изготовления со стадией или средствами,
использующими электромагнитные свойства (например,
оптические, рентгенолучевые, электроннолучевые и т.д.)
СПЕЦИФИЧЕСКОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ НАНОСТРУКТУР
. для конверсии, локализации или разрушения вредоносного
материала
. для медицинских, иммунологических, или диагностических
целей
.. специально предназначенные для движения в системе
циркуляции крови
.. для доставки лекарства в нужную точку тела
… липосом
.. при проведении хирургического вмешательства или
механического воздействия
… для устранения препятствий, например для увеличения
проходимости в трубчатых органах
… для усиления клеток или тканей
… для разрушения раковых клеток
… для лечения раковых клеток
… для имплантации стволовых клеток
… белковая инженерия
126
1179
1180
1181
1182
1183
1184
1185
1186
1187
1188
1189
1190
1191
1192
1193
1194
1195
1196
1197
1198
1199
1200
1201
1202
1203
1204
1205
1206
1207
1208
1209
1210
.. для создания терапевтических или фармацевтических
композиций
… генная терапия
… вакцины
.. для иммунологических целей
.. для стоматологических целей
..
обнаружение,
выявление
или
детектирование
биохимических соединений
… токсических химических соединений
… являющихся взрывчатым материалом
.. использование клеточных культур
.. использование наноструктуры
в качестве опоры для
проведения анализа ДНК
.. для осуществления биоэлектрического воздействия
.. для химических веществ местного действия (например,
косметические или солнцезащитные средства и т.д.)
.. в качестве контрастного вещества для диагностических
целей
… в качестве рентгеноконтрастного вещества
... в качестве контрастного вещества для ультразвукового
исследования
… в качестве контрастного вещества для магниторезонансной
томографии
.. в качестве материалов покрытия для медицинских устройств
или приборов
. для применения в области электроники или оптоэлектроники
.. спинтроника или квантовые вычисления
… гигантская магнеторезистентность (GMR)
… туннельный переход, зависящий от электронного спина
(например, магнеторезистентный и т.д.)
.. в транзисторах или трехполюсных устройствах
… в одноэлектронных транзисторах
… в полевых транзисторах, использующих нанопроволоку или
нанотрубку для создания канальной области
.. электронный эмиттер (например, с наконечником эмиттера
Шпиндта, покрытым наночастицами)
.. в логических схемах
.. с использованием логического элемента в виде молекулы
или молекул ДНК
… содержащих логический элемент в виде белка
.. использование наноструктур для хранения или нахождения
информации
… с помощью биохимической памяти
…. белковая память
…. память нуклеиновых кислот
127
1211
1212
1213
1214
1215
1216
1217
1218
1219
1220
1221
1222
1223
1224
1225
1226
1227
… с помощью сканирующего зонда
.. получение или хранение энергии с помощью наноструктур
(например, топливные элементы, батарейки и т.д.)
.. радиационные эмиттеры, использующие наноструктуру
… излучающие электромагнитную энергию
…. лазеры
.. дисплеи
.. детекторы, использующие наноструктуры
… детекторы лучистой энергии
… детекторы, использующие тепловые свойства
… детекторы, использующие механические свойства
… детекторы на химических веществах или использующие
химические свойства
…. детекторы, использующие биомолекулярные свойства
….. детекторы, определяющие состояние болезни
… детекторы, использующие магнитные свойства
. для обработки текстильных или тканых материалов
. для перемещения или транспортировки
РАЗНОЕ
128
Приложение 7
Ориентировочная таблица тематик, относящихся к нанотехнологиям
(подготовлена ЕПВ)
Название
области
широкой
Нанобиотехнология
тематической Название
узко
тематических
областей,
связанных с данной
широкой областью нанотехнологии
* Нанокапсулы в качестве систем
транспортировки
лекарств
для
терапевтического
и
фармацевтического лечения
* Биомолекулярные моторы
* Молекулярные образования для
биокатализаторов
*
Предварительная
обработка
пептидами или антителами
* Комплексы «Хозяин-гость» в
лекарствах направленного действия
* Ультразвуковое отображение или
радиоактивные
фармацевтические
препараты
Нанотехнология
для
обработки, * Вычислительные системы с
хранения и передачи информации
использование ДНК
* Квантовая вычислительная техника
*
Логика
с
использованием
одиночных электронов
*
Дисплеи
с
использованием
нанотрубок
* Биомолекулы, используемые в
электронике и для хранения данных
* Считывающие головки с точностью
нм
Нанотехнология в материаловедении * Наночастицы, нанокомпозиты,
и обработки поверхностей
дендримеры,
нанотрубки
и
фуллерены
* супрамолекулярные системы
*ультратонкие
функциональные
пленки
* самообразующиеся (создаваемые)
монослои
*
хранение
водорода
в
наноструктурных материалах
129
Нанотехнология для обеспечения *Измерение физических, химических,
взаимодействия, регистрации или биологических
свойств
на
активации частиц
поверхности с нм-разрешением
* измерение взаимодействий с
поперечным разрешением в нмдиапазоне
* направления нормализации для
наноаналитических структур
*
измерения
распределения
размерности для наночастиц
* средства для ультра- точного
конструирования , как например, с
помощью сканирующего зондового
микроскопа
* использование меток из квантовых
точек для анализа биологического
материала
Нанооптика
* Оптические структуры квантовых
источников (колодцев)
* фотонные кристаллы
* квантовая оптика
*оптические
поверхности
с
точностью в нм-диапазоне
Наномагнетизм
* магнетизм низких величин
* технологии XMR, основанные,
например, на магнитном импедансе,
анизотропном
магнитном
сопротивлении,
сверх-магнитном
сопротивлении,
туннельном
магнитном сопротивлении
130
Приложение 8
Термины по нанотехнологиям
Адсорбционный слой – Адсорбция – процесс концентрирования
вещества из объема фаз (например, твердой и газообразной) на границе их
раздела. Поглощаемое вещество, еще находящееся в объеме фазы,
называется адсорбтив, поглощенное – адсорбат. В более узком смысле под
адсорбцией часто понимают поглощение примесей из газов или жидкостей
твердым веществом – адсорбентом. Для определения толщины
адсорбционного слоя применяются различные методы, для поверхностноактивных веществ (ПАВ) толщина подобного слоя составляет 10-20 нм и
уменьшается в результате вытеснения воды по мере заполнения поверхности
адсорбента молекулами ПАВ, достигая минимального значения
(характерного для каждого конкретного ПАВ) при насыщении
адсорбционного слоя.
Актюатор - исполнительное устройство, передающее воздействие на
объект. В технике под актюатором обычно понимается преобразователь
входного сигнала (электрического, оптического, механического или др.) в
выходной сигнал (например, в движение), действующий на объект
управления. Актюаторами являются: электродвигатели, электрические,
пневматические или гидравлические приводы, релейные устройства и т. д.
Анизотропия - неодинаковость свойств среды (вещества, материи) по
различным направлениям внутри этой среды.
Ассемблер - молекулярная машина, способная к саморепликации,
которая может быть запрограммирована строить любую молекулярную
структуру или устройство из более простых химических строительных
блоков.
Атом - наименьшая часть химического элемента, являющаяся
носителем его свойств. Атом состоит из ядра, содержащего положительно
заряженные протоны и нейтральные нейтроны, и отрицательно заряженных
электронов. Химические свойства атома, как носителя свойств элемента
таблицы Менделеева, определяются конфигурацией электронной оболочки,
описываемой квантовой теорией. Положение элемента в таблице Менделеева
определяется количеством протонов в ядре, количество нейтронов в ядре не
влияет на химические свойства, но оказывает влияние на массу атома. Массу
атома принято измерять в атомных единицах массы, равных 1/12 массы
изотопа углерода 12С. 1 А.е.м. ~ 1,6605402(10) х 10-27 кг.
Атомно-силовой микроскоп - сканирующий зондовый микроскоп
высокого разрешения, основанный на взаимодействии иглы кантилевера
(зонда) с поверхностью исследуемого образца. Таким взаимодействием
может быть притяжение или отталкивание кантилевера от поверхности из-за
сил Ван-дер-Ваальса. При использовании специальных кантилеверов можно
также изучать электрические и магнитные свойства исследуемой
поверхности. Атомно-силовой микроскоп был изобретён в 1986 году Гердом
131
Биннигом и Кристофом Гербером в США. Атомно-силовой микроскоп
применяется для снятия профиля поверхности и для изменения её рельефа, а
также для манипулирования объектами, вплоть до отдельных атомов, на
поверхности.
Атомно-силовая микроскопия – одна из разновидностей
сканирующей зондовой микроскопии. Метод основан на неразрушающем
контакте зонда (атомно-острой иглы) с поверхностью образца в высоком
вакууме. Зонд закрепляют на гибкой балке, называемой кантилевером,
отклонения кантилевера под воздействием поверхности образца
регистрируются при использовании емкостных датчиков, интерферометров,
систем отклонения светового луча или пьезоэлектрических датчиков. АСМ
регистрирует не только топографию поверхности, но и электростатическое
или магнитное взаимодействие зонда с образцом, позволяет модифицировать
поверхность, проводить наночеканку, выдавливать на поверхности
крошечные орнаменты, исследовать биологические объекты.
Аэрогель - (от лат. aer — воздух и gelatus — замороженный) — класс
материалов, представляющих собой гель, в котором жидкая фаза полностью
замещена газообразной. Благодаря этому такие материалы обладают
рекордно низкой плотностью и демонстрируют уникальные свойства:
прозрачность, твёрдость, низкую теплопроводность, жаропрочность.
Распространены аэрогели на основе аморфного диоксида кремния,
глинозёмов, а также оксидов хрома и олова.
Бактериофаг - вирус, избирательно поражающий бактериальные
клетки. Бактериофаги широко используются в биотехнологии для переноса
генетического материала и внедрения его в геном бактерий.
Биомиметика - (от лат. bios - жизнь и mimesis - подражание) — подход
к созданию технологических устройств, при котором идея и основные
элементы устройства заимствуются из живой природы. Одним из удачных
примеров биомиметики является широко распространенная «липучка»,
прототипом которой стали плоды репейника, цеплявшиеся за одежду.
Блок-сополимер - особый вид полимеров, содержащий два и более
участка полимерных цепей из разных мономеров, объединенные друг с
другом ковалентной связью.
Вирус - (от лат. virus - яд) — микроскопическая частица, способная
инфицировать клетки живых организмов. Вирусы представляют собой
молекулы нуклеиновых кислот (РНК или ДНК), заключенные в защитную
белковую оболочку. Неспособны размножаться вне клетки, используют для
размножения их в генетическом аппарате.
Гетероструктура - структура, состоящая из двух и более слоев
полупроводника с различными параметрами кристаллической решетки и
разной зонной структурой.
Графен - монослой атомов углерода, собранных в гексагональную
решетку.
Дендример - полимерные молекулы, имеющие большое количество
повторяющихся разветвлений.
132
Дизассемблер - наномашина, способная разбирать объект на атомы с
записью его структуры на молекулярном уровне.
Единицы измерения в нанотехнологии – величины, в которых
выражаются характеристики наноструктурных элементов, в частности
наночастиц, стандартизируются на базе принципов нанометрологии. Исходя
из того факта, что атомная единица массы (а.е.м.) равна 1,66 ×10 -24г, зная
линейные размеры объекта и число атомов, можно оценить массу и объем
различных наноструктур. Так, кластеры из 30-500 атомов имеют массу
примерно от 1 до 100 × 10-21 г и объем 10-24 л.
Жидкие кристаллы - (сокр. - ЖК) — вещества, проявляющие как
свойства жидкостей (текучесть), так и кристаллов (анизотропия). ЖК
содержат молекулы, определенным образом упорядоченные в объеме.
Наиболее характерным свойством ЖК является их способность изменять
пространственную ориентацию молекул под воздействием электрических
полей. Также ЖК используются в качестве датчиков температуры,
детекторов излучения и вредных химических веществ.
Закон Холла-Петча в наномеханике – при переходе материала от
объемного состояния к наноструктурному была обнаружена неочевидная
закономерность: при уменьшении диаметра стержня, его механическая
прочность возрастает, причем значительно. Дефекты структуры при таком
переходе все легче и легче выходят на поверхность, приводя к образованию
практически идеальной решетки. Согласно закону Холла-Петча твердость
материала возрастает при уменьшении размера частиц обратно
пропорционально корню уменьшения размера зерна. Чем меньше размер
зерна, тем меньше сила трения между ними, при размерах зерен менее 50 нм
керамика, например, может переходить в сверхпластичное состояние,
деформируемое без разрушения.
Золь-гель технология - технология получения микро- и
наноструктурированных материалов из коллоидного раствора в процессе
конденсации и образования полимерной пространственной сети с жидкой
фазой (геля). Дальнейшее применение этой технологии позволяет, в
частности, получать аэрогели.
Инструментарий нанотехнологий – набор технологических приемов
и устройств для изучения наносистем (электронный микроскоп,
сканирующий
зондовый
микроскоп
и
др.)
с
системами
нанопозиционирования, создания наноструктур, например методами
нанолитографии. В 2007 г. создан первый наношприц на базе углеродной
нанотрубки, используются и другие инструменты (нановесы, нанопинцеты и
пр.).
Кантилевер - (англ. cantilever, буквально — консоль) — устоявшееся
название распространенной конструкции микроэлектромеханического зонда
атомно-силового микроскопа.
Катализ - изменение скорости химической или биохимической
реакции в присутствии веществ, количество и состояние которых в ходе
реакции не изменяются (катализаторов). Термин «катализ» был введён в 1835
133
году шведским учёным Йёнсом Якобом Берцелиусом. Явление катализа
распространено в природе (большинство процессов, происходящих в живых
организмах, являются каталитическими) и широко используется в технике (в
нефтепереработке и нефтехимии, в производстве серной кислоты, аммиака,
азотной кислоты и др.). Большая часть всех промышленных реакций —
каталитические.
Квант - (от лат. quantus - сколько) — в физике: минимальное
дискретное (скачкообразное) изменение какой-либо величины. В основе
понятия лежит представление квантовой механики о том, что некоторые
физические величины могут принимать только определенные стабильные
значения — в этом случае говорят, что данная величина квантуется. В
некоторых важных частных случаях эта величина может быть только целым
кратным некоторого фундаментального значения, которое и называют
квантом.
Квантовая механика - раздел теоретической физики, изучающий
квантовые закономерности движения. Основным объектом изучения
квантовой механики выступают наночастицы, однако, основные уравнения
теории справедливы и для макроскопических тел, но квантовые эффекты для
последних проявляются слишком слабо для обнаружения. Основное
уравнение квантовой механики — уравнение Шредингера, математический
аппарат — теория матриц, теория групп, операторы, теория вероятностней.
Квантовая
точка
пространственная
неоднородность
кристаллической структуры, обычно — на поверхности полупроводника или
проводника. Характерный размер неоднородности d должен быть настолько
малым (обычно — от нескольких нанометров до нескольких десятков
нанометров), чтобы были существенны квантовые эффекты.
Квантово-размерные эффекты – в частицах, имеющих характерные
размеры менее 10 нм, электроны ведут себя подобно электронам в
изолированном атоме, т.е. как квантовые объекты. Кроме того, уменьшение
размера наночастиц сопровождается уменьшением ширины энергетических
зон, что приводит к росту энергии оптических переходов.
Квантовые нити – представляют собой одномерные структуры, в
которых в силу ограничений возможностей движения носителей заряда
(например, электронов) в определенном направлении проявляются квантоворазмерные эффекты. Анизотропия электронных свойств, т.е. сужение нити до
размеров в несколько десятков атомов, приводит к квантованию
энергетического спектра: электрон может перемещаться вдоль оси нанонити,
если он находится на полузаполненном электронном уровне (уже сейчас
углеродные нанотрубки используются для создания дисплеев и лазеров с
высокой плотностью фотонов).
Квантовые точки – изолированные нанообъекты, свойства которых
существенно отличаются от свойств объемного материала тождественного
состава. Пару электрон-дырка, т.е. место покидания электрона, заряженное
положительно, называют экситоном (от английского слова «excited»,
означающего «возбужденный»). Поведение электрона в квантовой точке
134
отвечает нехарактерному для макроскопических объектов дискретному
энергетическому спектру, что приводит к созданию лазеров и дисплеев
нового поколения.
Коллоидные частицы – настолько малы (от 1 нм до нескольких
микрометров), чтобы вклад силы тяжести был сопоставим с энергией
«броуновского движения», что приводит в случае диспергирования этих
частиц в среде (жидкости, газе) к практически очень длительному
неоседанию таких частиц, т.е. созданию неклассических «растворов» (для
жидкостей) или «аэрогелей» (для газовых сред).
Коллоидный раствор - раствор, размер частиц которого составляет от
-9
10 до 5х10-7 м (1-500 нм). В частности, отличается от истинного раствора
(размер частиц менее 10-9 м) большей оптической активностью (как правило
— непрозрачен). Выделяют коллоидные растворы газа в жидкости (пена),
жидкости в жидкости (эмульсия), твердого тела в жидкости (суспензия) и др.
Лазерная абляция – термин «абляция» появился задолго до создания
лазеров для обозначения удаления вещества в электрическом разряде, потоке
горячего газа, плазмы. Испарение лазером позволяет получить тонкие пленки
наноразмеров, которые другими методами создать не удается. Этот метод
также называют импульсным лазерным напылением.
Метаматериал - материал, обладающий свойствами, обычно не
встречающимися в природе. Метаматериалы выделены в отдельный класс
материалов, так как их свойства зависят не от их химического состава, а от
микроструктуры, упорядоченной особым образом. В частности, такими
свойствами могут быть отрицательная диэлектрическая и магнитная
проницаемость и, как следствие, отрицательный (или левосторонний)
коэффициент преломления. Одним из практических применений
метаматериалов является создание средств маскировки, делающих почти
невозможным их обнаружение в определенном диапазоне частот
электромагнитного излучения.
Микроэлектромеханическая система - (сокр. — МЭМС) —
миниатюрная система, содержащая электронные и механические компоненты
с характерным размером от 1 до 100 мкм. Обычно состоит из электронного
модуля — микропроцессора и/или микроконтроллера и набора
микроскопических
механоэлектрических
датчиков
и/или
электромеханических преобразователей (актюаторов). МЭМС нередко
являются составной частью интегральных схем (ИС). Благодаря малым
размерам, МЭМС демонстрируют уникальные свойства, не выраженные для
макроскопических (или классических) тел в силу более высокого отношения
площади поверхности к объему: повышенную чувствительность к
статическому (поверхностному) электричеству и смачиваемость (действие
сил поверхностного натяжения).
Мицелла - частица в коллоидной системе, состоящая из
нерастворимого
ядра,
окруженного
стабилизирующей
оболочкой
адсорбированных ионов и молекул растворителя. К мицеллам также относят
частицы поверхностно-активных веществ в растворах.
135
Молекула - стабильная группа из двух и более атомов, удерживаемых
вместе химическими связями. Молекула — наименьшая частица вещества,
полностью сохраняющая его свойства.
Молекулярно-лучевая
эпитаксия
–
основным
элементом
молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) является ростовая камера, в которой
испарение материалов осуществляется из нагреваемых до высокой
температуры полых цилиндров с крошечным отверстием в крышке –
эффузионных ячеек (эффузия – медленное истечение газов через малые
отверстия). Испаряемый материал осаждается на подложку, формируя
наноструктурную пленку, анализируемая структура которой контролируется
дифрактометром отраженных электронов. Входящие в состав комплекса
МЛЭ модули соединяются шлюзовыми устройствами и системами
перемещения подложек в вакууме.
Наноактюатор - миниатюрный актюатор, имеющий характерный
размер от нескольких нанометров до нескольких микрон.
Нанобатарейки – при создании микро и нанобатареек не обязательно
используются наночастицы (наноионика), а может формироваться «пачка»
двумерных планарных гетероструктур. Чередующиеся слои состоят из катода
(манганата лития), электролита – пленки в виде оксинитрида – фосфида
лития и анода – оксинитрида олова- кремния. Геометрическая плотность
энергии в таких нанобатарейках достигает 0,3 мА· ч/см2, что в 10-100 раз
эффективнее обычных батареек.
Нановолокно - волокно, имеющее диаметр менее 100 нм. Обычно
такие волокна получаются методом интерфейсной полимеризации.
Наножидкости – наноэмульсии (равномерно распределенные
нанокапельки одной несмешивающейся жидкости в другой) наиболее
известные примеры наножидкостей. Равномерно распределенные твердые
наночастицы в жидкости называют нанозолем или коллоидным раствором.
Дисперсная фаза магнитных наножидкостей представляет собой
однодоменные магниты, равномерно распределенные в объеме дисперсной
фазы. Подобные системы могут управляться магнитным полем для
обеспечения герметизации механических вводов вакуумных систем при
производстве полупроводников, в вакуумных печах, электронных
микроскопах и других вакуумных установках.
Наноиндентор – (от англ. to indent - выдалбливать) - анализатор
поверхности, позволяющий измерять твердость и другие характеристики на
микроуровне. Трехгранные (индентор Берковича) и четырехгранные
(индентор Виккерса) алмазные пирамидки, прилагаемое усилие к которым
постоянно регистрируется, позволяют получать информацию о твердости
поверхностных слоев материала вплоть до нескольких нанометров в
широком диапазоне нагрузок.
Нанокерамика – можно определить как керамический материал,
получаемый спеканием глин или порошков неорганических веществ,
размеры кристаллитов которых составляют менее 100 нм. Отдельные
образцы нанокерамики – прочной, хорошо проводящей тепло и стойкой к
136
резкому перепаду температур, можно уже сейчас увидеть на нагреваемой
поверхности домашней электроплиты. В дальнейшем можно ожидать
широкого применения подобных систем в различных технических системах.
Нанокластер - разновидность наночастиц, представляющая собой
аморфную или поликристаллическую наноструктуру, хотя бы один
характерный размер которой находится в пределах 1-10 нм.
Нанокольца – существует два способа получения наноколец:
самосборка и свертка из наностержней или нанотрубок. В США получены
первые образцы наноколец из кобальта, обладающих магнитными
свойствами, позволяющими на из основе создавать системы магнитной
записи информации, устойчивой к помехам и наводкам извне.
Нанокомпозиты – композитами в материаловедении именуют
материалы, состоящие из смеси или комбинации двух или более
составляющих, различных по форме, химическому составу и свойствам.
Наноструктурные композиты имеют повышенные механические и иные
свойства из-за уменьшения среднего размера кристаллитов и уплотнения
материалов. Широким классом композитных материалов являются
армированные или упрочненные нановолокнами пластики, керамика и
другие материалы.
Нанокристаллы – под нанокристаллом понимают любую
наночастицу, характеризующуюся упорядоченным строением и четко
выраженной, как и у обычных кристаллов, огранкой. Для примера можно
указать, что нанокристаллы селенида кадмия перспективны как активные
элементы электролюминесцентных панелей, флюоресцентные маркеры
различных биологических объектов.
Нанолитография - в полупроводниковой технике — процесс
производства интегральных микросхем, размер отдельных элементов
которых составляет менее 100 нм.
Наноматериалы - разновидность продукции наноиндустрии в виде
материалов, содержащих структурные элементы с нанометровыми
размерами, наличие которых обеспечивает существенное улучшение или
появление качественно новых механических, химических, физических,
биологических
и
других
свойств,
определяемых
проявлением
наномасштабных факторов.
Наномембраны – наномембранами называют мембраны, имеющие
диаметр пор доли микрометра и менее. В частности, материалы, в которых
размеры пор строго контролируются и составляют от 1 до 50 нм, называют
мезопористыми ситами, которые способны задерживать микробы, вирусы и
отдельные клетки. В настоящее время наномембраны эффективно
используются для очистки газовых и жидких сред от твердых частиц и
микроорганизмов.
Нанометрология – метрология – наука о том, с помощью каких
способов и какими средствами нужно проводить различные измерения,
чтобы обеспечить их единство и добиться требуемой точности.
Метрологические инструменты для работы в нанодиапазоне (например,
137
нанолинейки) создают с помощью интерферометров и детектирования
изменения картин интерференции трех световых потоков от одного
лазерного источника, погрешность таких систем от 0,5 до 3 нм.
Нанонити – нанонити или вискеры (от англ. whisker – ус, волос) –
нитевидные кристаллы диаметром от нескольких нанометров до долей
микрометра с отношением длины к диаметру более 1000. Такие системы
обладают малым содержанием микромтруктурных дефектов, рекордно
высокой плотностью и часто используются в качестве упрочняющих
волокон, например в композитах.
Нанообъект – объект, линейный размер которого хотя бы в одном
направлении составляет порядка 1-100 нм.
Нанополирование – в большинстве нанотехнологических систем
нужна атомная гладкость поверхности изделий или шероховатость, не
превышающая нескольких атомных слоев. Нанополирование может быть
механическим (абразивом с высокой твердостью наночастиц, например
частицами наноалмаза крупностью 2-50 нм), химическим или
комбинированным. Поверхности с высокой степенью гладкости
используются в микроэлектронике, оптике и других системах.
Нанопорошок - агломерат некристаллических наноструктурных
единиц, хотя бы один характерный размер которых менее 100 нм.
Нанопроволока - наноструктура, в которой два характерных размера
находятся в диапазоне 1-100 нм, в то время как один (линейный) размер
может быть неограничен.
Наносенсор - физический, химический или биологический сенсор,
транслирующий информацию о наночастицах в виде, доступном для
восприятия макроскопическими объектами, в частности, органами чувств
человека.
Наносистема – система, содержащая структурные элементы размером
порядка 1-100 нм, определяющие ее основные свойства и характеристики в
целом. К разряду наносистем относятся, в том числе, наноустройства и
наноматериалы.
Наностекло – группа разнообразных материалов, состоящих из
стеклянной матрицы, в которой распределены наночастицы, обозначается
обобщенным термином «наностекло». Свойства (чаще всего оптические)
характеризуются свойствами как матрицы, так и наночастиц. Известный
пример – рубиновые звезды на Кремлевских башнях, матрица которых
состоит из бесцветного силикатного стекла, а рубиновый цвет им придают
распределенные наночастицы золота вследствие проявления плазменного
резонанса.
Наностержень - наночастица, все характерные размеры которой
составляют от 1 до 100 нм, при этом отношение наибольшего (длины) к
наименьшему (ширины) составляет от 3 до 5.
Наноструктуры – исследователи используют термин «наноструктура»
для обозначения наноразмерных объектов, которые получены впервые и не
имеют известных в литературе аналогов. В классификации наноструктур
138
используют несколько подходов, наиболее часто используемые – по составу,
по размерности или протяженности и по способу получения.
Наноструктурные
проводники
–
основная
особенность
сверхпроводников (материалов с нулевым электрическим сопротивлением
при определенной температуре) заключается в том, что в них возникает
взаимное притяжение электронов с образованием электронных пар (так
называемые куперовские пары). Причиной этого притяжения является
дополнительное к кулоновскому отталкиванию взаимодействие между
электронами, осуществляемое под воздействием кристаллической решетки и
проводящее к притяжению электронов. Эти эффекты проявляются на
наноразмерном уровне, и в наноструктурных сверхпроводниках
формируются подобные структуры. К достижениям 2007 г.следует отнести в
первую очередь выполнение российских обязательств в проекте ИТЭР, где, в
частности, усилиями ФГУП ВНИИНМ и ОАО ТВЭЛ разработаны и
испытаны
наноструктурные
сверхпроводники,
организуется
их
промышленное производство. Изготовлены экспериментальные партии
ниобий-оловянных стрендов общей массой 500 кг, впервые в России получен
ниобий-оловянный стренд с длиной единого куска более 18 км.
Нанотехнологии – технологии, направленные на создание и
эффективное практическое использование нанообъектов и наносистем с
заданными свойствами и характеристиками.
Нанотоксичность
–
характерная
особенность
веществ
в
наносостоянии – способность проникать через защитные системы организма.
Например, частицы порядка сотен нанометров свободно проникают во
внутрилегочное пространство, а нанометровые частицы – в кровоток из
легких. Примерно таким образом в организм попадет вирус гриппа,
являющийся сложной природной наноразмерной системой.
Нанотрубка - протяженная цилиндрическая структура диаметром от
одного до нескольких десятков нанометров. Известны различные типы
нанотрубок, из которых наиболее распространенным являются углеродные
нанотрубки: одно- и многостенные, состоящие из одной или нескольких
гексагональных графитовых (графеновых) плоскостей, свернутых в кольцо.
Углеродные нанотрубки были открыты в 1991 году. Современные
технологии позволяют получать нанотрубки длиной до нескольких
сантиметров.
Наночастица - аморфная или полукристаллическая структура,
имеющая хотя бы один характерный размер в диапазоне 1-100 нм.
Наноэлектромеханическая
система
(НЭМС)
микроэлектромеханическая система, имеющая размер менее 100 нм.
Например, с использованием НЭМС созданы нанорезонаторы с собственной
частотой колебаний 10 ГГц, что нашло применение в сканирующей зондовой
микроскопии, при создании нановесов (систем определения массы
нанообъектов) и наносенсеров для биологически активных молекул и ДНК.
Наноэлектроника
–
формирующаяся
область
техники,
обеспечивающая физические и технологические основы создания
139
интегральных электронных схем с характеристическими размерами менее
100 нм. Использование квантово-размерных эффектов позволит в будущем
перейти в сферу квантовых чипов и квантовых компьютеров в
наноэлектронике.
Плазмонный резонанс – коллективные колебания электронов
относительно ионов металлов на поверхности наночастиц при попадании
света при определенных угле падения и длине волны называются
поверхностными плазмонами, а само явление называются поверхностными
плазмонами, а само явление специфического поглощения света –
плазменным резонансом. Интенсивность эффекта, связанная с плазмонным
резонансом, достигает существенных величин только в случае попадания
света на наночастицы и не играет заметной роли для объемных тел.
Рубиновые звезды Кремля имеют именно этот цвет за счет селективного
поглощения в коллоидных наночастицах золота, распределенных в
бесцветной стеклянной матрице, зеленой части спектра (максимум
поглощения плазменного резонанса для наночастиц золота – 520 нм).
Пленки Ленгмюра-Блоджетт – монослой или последовательность
монослоев вещества, нанесенных на подложку. В 1930-х годах физик Ирвинг
Люнгмер и его ученица Катарина Блоджетт впервые использовали ванну с
водой и ПАВ для нанесения тонких пленок на различные подложки.
Ленгмюровсие пленки не только на основе ПАВ, но и на базе других
молекулярных систем, а также нанокомпозиты на их основе нашли
применение в настоящее время в качестве дифракционных рентгеновских
решеток, резисторов, газовых сенсоров и других наноструктурных
компонентов формирующейся наноиндустрии.
Поверхностно-активное вещество - (сокр. — ПАВ) — химические
соединения, которые, концентрируясь на поверхности раздела фаз, вызывают
снижение поверхностного натяжения. Как правило, ПАВ — органические
вещества, содержащие как гидрофильный, так и гидрофобный компонент.
Физико-химические свойства ПАВ используются для изготовления мыла,
эмульгации, в полиграфии.
Пьезодвигатели – системы, в которых механическое перемещение
осуществляется за счет пьезоэлектрического (изменение линейных размеров
материалов в электрическом поле) или пьезомагнитного (такое же изменение
под влиянием магнитного поля) эффектов. В настоящее время разработано
более 50 различных конструкций подобных двигателей. Которые
применяются в системах нанопозиционирования (погрешность до нескольких
долей нанометра) различных устройств для осуществления нанотехнологий.
Размерные эффекты – при переходе от макроразмерных объектов к
наноразмерным свойства материалов изменяются. Наиболее ярко
проявляются физические размерные эффекты: уменьшение температуры
плавления нанометериалов по сравнению с объемным состоянием за счет
увеличения поверхностной энергии, резкое изменение электрических и
магнитных свойств, возрастание твердости и пределов упругости при
140
уменьшении среднего размера кристаллитов в поликристалличесих
материалах.
Самоорганизация
–
анализ
самопроизвольных
процессов
упорядочения систем позволяет разделить самоорганизованные системы на
консервативные и диссипативные. Консервативная самоорганизация является
результатом эволюции закрытых (обменивающихся со средой энергией, но
не веществом) систем в направлении уменьшения термодинамической
энергии Гиббса с диссипацией избыточной энергии (уменьшением
температуры) и приближением системы к состоянию равновесия. В случае
интенсивного притока энергии извне оказывается возможным образование
диссипативных структур, движущей силой самоорганизации, которых
является стремление к увеличению в системе беспорядка или энтропии.
Серая слизь - термин, введенный Эриком Дрекслером, в книге
«Машины Созидания» (1986 г.). Обозначает гипотетический сценарий конца
света в результате поглощения биомассы планеты неуправляемыми
самовоспроизводящимися нанороботами.
Синхротронное
излучение
электромагнитное
излучение,
испускаемое заряженными частицами, движущимися по искривленным
магнитным полем траекториям с релятивистскими скоростями. Для
релятивистских частиц с E>>mc2, где m — масса покоя частицы,
синхротронное излучение в области высоких гармоник обладает практически
непрерывным спектром и сосредоточено в направлении мгновенной скорости
в узком конусе (с малым углом расхождения), что позволяет использовать
синхротронное излучение для получения структурной информации о
наночастицах методами упругого и неупругого рассеяния.
Синхротрон - (от греч. Sy’nchronos - одновременный) — один из видов
ускорителей элементарных
частиц с орбитой постоянного радиуса,
растущим во времени магнитным полем, определяющим этот радиус, и
постоянной частотой ускоряющего электрического поля. Синхротрон
позволяет достичь кинетической энергии элементарных частиц до 20 ГэВ, а
также используется в качестве специального синхротронного излучения.
Системы нанопозиционирования – перемещение объектов с
нанометровой погрешностью. Применяется в сканирующих зондовых
микроскопах для исследования поверхности наносистем и в других
устройствах формирующейся наноиндустрии. Одной из наиболее
распространенных систем нанопозиционирования является пьезосканер –
устройство, в котором каждый из отдельных пьезодвигателей перемещает
платформу в своем направлении.
Сканирующая зондовая микроскопия – зонд – микроскопический
черезвычайно чувствительный щуп на базе использования кантилевера,
который сканирует шероховатости поверхности атомного размера.
Возникающие силы межатомного взаимодействия между щупом и
поверхностью
изменяют
положение
щупа,
что
определяется
чувствительными детекторами. Процесс сканирования осуществляется путем
линейной (прострочной) развертки прямоугольного участка поверхности;
141
изеряемый сигнал и получаемый массив данных отображают реальную
картину топографии поверхности на наноструктурном уровне.
Сканирующий туннельный микроскоп - (сокр. — СТМ) —
сканирующий зондовый микроскоп, использующий туннельный эффект в
системе образец + игла для определения пространственной структуры
поверхности образца с точностью до атома. СТМ обладает рядом
ограничений, накладываемых на образец (должен быть проводящим), на
методику изготовления иглы (на кончике иглы должен быть только один
атом), и не всегда способен различать близлежащие атомы друг от друга.
Супрамолекулярная химия – супрамолекулы представляют собой
отдельные крупные образования, состоящие из большого, но обязательно
конечного числа молекулярных олигомеров. Супермолекулярные ансамбли, к
которым относятся мицеллы, блоксополимеры, дендримеры и другие
системы, обладают пространственной организацией, с которой часто связаны
уникальные физико-химические свойства. В случае слабых связей в
ансамблях (энергия взаимодействия на 1-2 порядка ниже энергииваленитных
связей) за счет их боьшого числа образуются устойчивые и способные
быстро и обратимо реагировать на внешние воздействия ассоциаты, что
является характерной чертой всех биологических молекулярных систем:
нуклеиновых кислот, ферментов, белков.
Тонкие пленки – нанесение тонкой пленки кристаллического вещества
на монокристаллическую подложку позволяет осуществить явление
эпитаксии – ориентирование кристаллитов наносимой пленки в соответствии
с ориентацией монокристалла подложки. Так, взаимодействие протекающего
через сверхпроводящую нанопленку тока с поверхностью раздела «пленкаподложка», что называется пиннингом магнитных вихрей, позволяет
получить на тонких пленках критические токи, не достижимые ни
нанокристаллах, ни на керамических образцах.
Трибология - наука и отрасль техники, изучающие трение, износ и
смазку твердых тел.
Туннельный эффект - эффект преодоления микрочастицей
потенциального барьера в случае, когда полная энергия (после преодоления
барьера) меньше высоты потенциального барьера. Туннельный эффект не
может быть объяснен в рамках классической теории и требует привлечения
рассуждений квантовой теории. Туннельный эффект нашел применение во
многих областях техники, в частности, на основе этого эффекта построена
широко распространенная флэш-память.
Углеродная нанотрубка – представляет собой графитовую плоскость,
свернутую вокруг продольной оси. Бывают одно- и многостенные (несколько
плоскостей) нанотрубки. Диаметр таких объектов варьируется от 0,4 до 100
нм, а длина – от 1 дм 100 мкм. Разнообразие применения таких нанообъектов
уникально: используются механические, электрические и иные свойства
подобных систем для проектирования различных устройств на их основе.
Фотоника - наука и раздел техники, изучающие генерацию,
управление и детектирование фотонов. Исторически фотоника зародилась в
142
видимом (длина волны света от 400 до 800 нм) и ближнем инфракрасном
(длина волны 800 нм — 10 мкм) диапазонах. С развитием методик генерации
света, появлением новых типов модуляторов света (электрооптических,
акустооптических и др.), а также с развитием полупроводниковой техники,
фотоника использует свет с длиной волны от ближнего ультрафиолетового
(200 нм) до терагерцового диапазонов (75-150 мкм или 2-4 ТГц).
Фотонный кристалл - структуры с периодическим изменением
коэффициента преломления, влияющие на движение фотонов по аналогии с
периодичностью кристаллической решетки обычных кристаллов. Обычно
период фотонных кристаллов составляет порядка половины длины волны
света, от нескольких десятков до сотен нанометров.
Фрактал - бесконечная самоподобная геометрическая фигура, каждый
фрагмент которой повторяется при уменьшении масштаба. Фракталами
также называют самоподобные множества нецелой размерности.
Самоподобное множество — множество, представимое в виде объединения
одинаковых непересекающихся подмножеств, подобных исходному
множеству.
Фуллерен - аллотропная форма углерода (наряду с другими: алмазом,
карбином, графитом). Фуллерены представляют собой выпуклые замкнутые
многогранники, составленные из четного числа трехкоординированных
атомов углерода. Классический (или бакминстер-) фуллерен С60, открытый в
1985 вместе с фуллереном С70, своим названием обязан инженеру и
дизайнеру Р. Бакминстеру Фуллеру, чьи геодезические конструкции
построены по этому принципу и содержат 12 пятиугольных граней и 20
шестиугольных граней, напоминая футбольный мяч. Позднее были открыты
фуллерены, состоящие из большего количества атомов углерода.
Фуллерит - молекулярный кристалл, в узлах решетки которого находятся
молекулы фуллерена.
Хиральность - отсутствие симметрии относительно правой и левой стороны.
Хиральность определяет ключевые физико-химические свойства нанотрубок:
так, углеродные нанотрубки разной хиральности могут быть проводниками
или полупроводниками.
Цеолиты – в переводе с греческого означает «кипящий камень», что
отражает структуру минерала с очень тонкими порами, способными
поглощать и удерживать молекулы различных веществ. Свойства и
структуры цеолитов (природных и синтетических) весьма разнообразны, их
применение в катализе общеизвестно. В общем перечне нанопористых
материалов цеолиты имею свое наименование – мезопористые молекулярные
сита.
Экситоны – связанное состояние возбужденной системы «электрондырка» (место, откуда электрон вылетел) в твердом теле называется
экситоном (от лат. еxcito - возбуждаю). Энергия связи дырки и электрона
определяет радиус экситона, который является характеристической
143
величиной для каждого вещества. Например, для сульфида и селенида
свинца эта величина составляет 2,0 и 4,6 нм, а для сульфида кадмия на
превышает 0,6 нм.
Электронная микроскопия – в устройстве оптического и
электронного микроскопов много общего, но в последнем длина волны
ускоренных электронов может быть порядка 1012 м, что резко превышает
разрешающую способность микроскопа. Различают просвечивающие и
растровые электронные микроскопы. В первом случае ускоренные электроны
проходят образец насквозь, а потом детектируются на флуоресцентном
экране. Во втором случае ускоренные электроны отражаются от поверхности
образца под разными углами и позволяют визуализировать картину
распределения электронной плотности в образце, т.е. практически «увидеть»
отдельные атомы.
Электронный микроскоп - микроскоп, позволяющий получать сильно
увеличенное изображение объектов, используя рассеяние электронов. В
отличие от оптических микроскопов, электронные микроскопы используют
потоки электронов, ускоренные с помощью электрического поля и
фокусируемые с помощью магнитных линз.
«Электронный нос» - наносенсоры, которые изменяют свои свойства
(например, электропроводность) в зависимости от молекул окружающей
среды, могут объединяться в аналитические системы, одна из которых имеет
наименование «электронный нос». Подобные системы при большом числе
разнородных сенсоров и соответствующей технологии обработки откликов
позволяют заменить обонятельную систему, ориентируя подобные
аналитические возможности на поиски конкретных веществ в ультрамалых
количествах (например, наркотиков, взрывчатых веществ и пр.).
Ядерный магнитный резонанс (ЯМР) – основывается на квантовомеханических свойствах ядра атомов. С помощью анализа спектров ядер в
сильных магнитных полях (ЯМР спектрометрия) можно изучать структуру
наноразмерных объектов. Нобелевская премия 2002 г. была вручена Курту
Вютриху за исследование трехмерной наноструктуры белка с помощью
метода ЯМР.
Gd@C60@SWNT- Gd (гадолиний) внутри C60 внутри однослойной
нанотрубки (Single Wall Nano Tube)
144