Типовой расчет
Преобразователь частоты обеспечивает стабилизацию синусоидального
(частота 50 Гц) напряжения на нагрузке путем изменения угла регулирования
 выпрямителя в схеме 1 и коэффициента заполнения D импульсного
преобразователя в схеме 2. Рассчитать необходимый диапазон изменения
угла  и коэффициента заполнения D.
Произвести выбор силовых полупроводниковых приборов и теплового
сопротивления охладителей. Рассчитать индуктивности и емкости фильтров.
Входное
напряжение
VRMS , В
Напряжение
на нагрузке
VнRMS , В
Диапазон
изменения
мощности нагрузки
Pн, кВт
Температура
охлаждающей
среды ТAMB, 0C
Амплитуда
пульсации 1-ой
гармоники тока в
реакторе L1 в %,
не более
Амплитуда
пульсации 1-ой
гармоники
напряжения на
конденсаторе С1 в
%, не более
Пульсации тока в
реакторе L2 в %, не
более
Пульсации
напряжения на
конденсаторе С2 в
%, не более
Частота работы
импульсного
преобразователя,
кГц
1
220
2
220
3
220
4
220
5
220
6
220
7
127
8
127
9
127
10
127
200
250
300
450
350
400
200
150
250
200
5-15
10-20
20-30
20-40
10-30
20-30
5-10
10-20
5-20
5-15
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
10
15
20
5
10
15
20
5
10
Схема 1.
Схема 2.
Справочные данные на тиристоры
Т45
URRM,В
Т70
Т100
Т130
Т240
Т320
T400
(600, 700, 800, 900, 1000, 1100, 1200)
IТAV,А
45
70
100
130
240
320
400
IТRMS,А
80
150
200
260
500
700
700
VT,В
0,85
0,85
0,85
0,85
0,85
0,8
0,9
rT,Ом
0,005
0,003
0,0018
0,0013
0,0006
0,00045
0,0005
TJ, С
180
180
180
180
180
180
180
Rthjc,оС/Вт
0,85
0,55
0,45
0,35
0,20
0,16
0,11
Rthch,оС/Вт
0,25
0,2
0,08
0,08
0,09
0,015
о
0,1
Справочные данные на диоды
Д45
VRRM,B
100-1000
Д70
Д100
100-1000 100-1000
Д130
100-1000
Д240
Д320
100-1000 100-1000
IFAV,A
45
70
100
130
240
320
IRMS,A
80
150
200
260
500
700
0,85
0,85
0,85
0,85
0,8
0,8
0,005
0,003
0,0018
0,0013
0,0006
0,0005
180
180
180
180
180
180
Rthjc, oC/Bт 0,85
0,55
0,45
0,35
0,20
0,16
Rthch, oC/Вт 0,25
0,2
0,08
0,08
0,03
0,01
VT,B
rT
Tj, oC
Справочные данные на транзисторы МДП
T50
VDS,B
100-1200
T75
T100
100-1200 100-1200
T150
T200
T300
100-1200
100-1200 100-1200
ID,A
50
75
100
150
200
300
IDm,A
100
150
200
300
400
600
RDS(ON), Ом
0,009
0,008
0,007
0,006
0,005
0,004
Tj, oC
150
150
150
150
150
150
Rthjc, oC/Bт
0,5
0,4
0,31
0,21
0,16
0,11
Rthch, oC/Вт
0,15
0,15
0,15
0,13
0,13
0,09
ton, ns
200
200
200
300
300
300
toff , ns
400
400
400
600
600
600
Справочные данные на транзисторы IGBT
T50
VCE,B
100-1200
T75
T100
100-1200 100-1200
T150
T200
T300
100-1200
100-1200 100-1200
Ic,A
50
75
100
150
200
300
ICM,A
100
150
200
300
400
600
VT,B
1,6
1,6
1,7
1,7
1,8
rT, Ом
0,009
0,008
Tj, oC
150
Rthjc, oC/Bт
1,6
0,007
0,006
0,005
0,004
150
150
150
150
150
0,5
0,4
0,31
0,21
0,16
0,11
Rthch, oC/Вт
0,15
0,15
0,15
0,13
0,13
0,09
ton, ns
200
200
200
300
300
300
toff , ns
400
400
400
600
600
600