1 - Корпоративный портал ТПУ - Томский политехнический
advertisement
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ федеральное государственное автономное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский Томский политехнический университет» Институт неразрушающего контроля Кафедра промышленной и медицинской электроники УТВЕРЖДАЮ Директор ИНК ______________ В.Н. Бориков «___» ______________ 2014 г. ОТЧЕТ* О САМООБСЛЕДОВАНИИ ОСНОВНОЙ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ ПРОГРАММЫ ПОДГОТОВКИ БАКАЛАВРОВ ПО НАПРАВЛЕНИЮ 210100 ЭЛЕКТРОНИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА Заведующий кафедрой ____ ______________ Г.С. Евтушенко Обсуждено на заседании кафедры Протокол № ____ от «___» ______________ 2014 г. Томск - 2014 * - отчет составляется за период с 2009 по 2014 гг., либо с момента начала реализации ООП (по всем формам обучения) СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА О САМООСБЛЕДОВАНИИ: I. Общие сведения о направлении подготовки 1.1. Общая характеристика кафедры II. Структура подготовки специалистов III. Качество содержания подготовки (Приложение № 1) 3.1. Качество рабочих программ учебных дисциплин 3.2. Качество программ практик 3.3. Качество диагностических и оценочных средств 3.4. Возможность продолжения образования IV. Организация учебного процесса V. Качество подготовки специалистов 5.1. Оценка уровня подготовки абитуриентов (Приложение № 2) 5.2. Оценка качества освоения образовательных программ (Приложения №№ 3, 4) 5.3. Оценка результатов итоговой аттестации (Приложения №№ 5) 5.4. Качество знаний по степени подготовленности выпускников к выполнению требований СОС / ФГОС/ГОС (результаты тестирования в период самообследования) 5.5. Результаты академической активности студентов (специальные стипендии, участие в грантах, конкурсах и т.п.) VI. Условия, определяющие качество подготовки специалистов 6.1. Кадровый потенциал (Приложение №№ 6.1, 6.2) 6.2. Качество-учебно-методического, информационного и библиотечного обеспечения ООП (Приложение №№ 7.1, 7.2) 6.3. Качество материально-технической базы (Приложение № 8) VII. Качество результатов научно-исследовательской деятельности 7.1. Научно-исследовательская деятельность и научно-методической VIII. Востребованность и трудоустройство выпускников (Приложение 9) IX. Международная деятельность Х. Уровень организации воспитательного процесса XI. Информация об устранении недостатков, отмеченных в ходе предыдущей аккредитации XII. Направления и пути совершенствования деятельности кафедры 2 I. Общие сведения о направлении подготовки 1.1. Общая характеристика кафедры Информация о выпускающей кафедре: Кафедра промышленной и медицинской электроники (ПМЭ). Заведующий кафедрой Губарев Фёдор Александрович, к.ф.-м.н. Тел./факс: 8 (3822) 41-98-69, 60-63-88 e-mail: ime@tpu.ru Кафедра осуществляет подготовку Бакалавров по направлениям: 201000 Биотехнические системы и технологии 210100 Электроника и наноэлектроника 200300 Биомедицинская инженерия Магистров техники и технологии по направления/магистерским программам: 201000 Биотехнические системы и технологии Медико-биологические аппараты, системы и комплексы 210100 Электроника и наноэлектроника Электронные приборы и устройства Электронные системы контроля, управления, диагностики в технике и медицине Аспирантов по научным специальностям: 05.09.12 Силовая электроника 05.11.13 Приборы и методы контроля природной среды, веществ, материалов и изделий 05.11.17 Приборы, системы и изделия медицинского назначения Докторантов по научной специальности: 05.11.13 Приборы и методы контроля природной среды, веществ, материалов и изделий Краткая историческая справка Открыта в 1959 году. Основателем и руководителем кафедры в течение 30 лет был Заслуженный деятель науки и техники СССР, профессор Ананьев Л.М. Исторически является одной из первых кафедр электроники за Уралом, причем по ее инициативе впервые (с 1968 г.) была начата подготовка инженеров медико-технического профиля. За прошедшие годы защищено около 100 кандидатских и докторских диссертаций, подготовлено свыше 2200 инженеров. Только за последний год защищено 3 кандидатские диссертации. При кафедре функционируют курсы переподготовки инженеров по современной медицинской рентгеновской технике. В 2001 году получен и установлен уникальный рентгеновский аппарат compact DIAGNOST, изготовленный по лицензии фирмы Philips. В области научных исследований разработаны и внедрены: преобразователи напряжения для индукционного нагрева (выпускаются мелкосерийно); источник питания привода постоянного тока; источник питания мощных магнетронных распылительных систем; источник тока для электрохимических технологий; прибор контроля твердости колец железнодорожных подшипников; ультразвуковой измеритель плотности пива; ультразвуковая система количественного учета пива в форфасных танках. 3 На промышленные испытания поставлены уровнемеры нефтепродуктов в резервуарах. На протяжении ряда последних лет кафедра ПМЭ совместно с родственными кафедрами Сибирского медицинского университета и Новосибирского технического университета проводит ежегодные студенческие предметные олимпиады по электронике. С 2002 года кафедра является организатором Всероссийской студенческой олимпиады по электронике. Студенты и преподаватели активно занимаются научно-исследовательской работой, результаты которой отмечены медалями и дипломами Российской академии наук, Союза научных и инженерных организаций России, администрацией Томской области. 1 июня 2010 г. в соответствии с утвержденной приказом Минобрнауки от 17 ноября 2009 г. № 613 Программой развития ГОУ ВПО "Томский политехнический университет" на 2009-2018 годы кафедра была выведена из структуры электрофизического факультета (ЭФФ) и введена в состав Института неразрушающего контроля (ИНК). По результатам деятельности в 2009 г. специальность 210106, обеспечиваемая кафедрой, заняла 2 место (из 23) в рейтинге аналогичных специальностей в РФ. По результатам деятельности в 2010г. направление 200300 и специальность 210106, обеспечиваемые кафедрой, заняли соответственно 1 (из 10) и 2 (из 15) места в РФ. Решением правления АИОР (май 2013 г) Основная образовательная программа по направлению подготовки бакалавров 201000.62 «Биотехнические системы и технологии» аккредитована Аккредитационным центром Ассоциации инженерного образования России на срок 5 лет с присвоением международного знака EUR-ACE label. Руководитель ООП – доцент Огородников Д.Н. Кафедра регулярно участвует в организации научных конференций, а также Всероссийских и региональных студенческих олимпиадах по промышленной и медицинской электронике. Организация управления кафедрой ПМЭ соответствует требованиям Устава Национального исследовательского Томского политехнического университета (ТПУ). Кафедра ПМЭ как выпускающая кафедра взаимодействует со структурными подразделениями ТПУ, обеспечивающими подготовку специалистов по направлению 210100 Электроника и наноэлектроника. В частности, взаимодействие с кафедрами университета заключается в согласовании рабочих учебных программ, организации использование учебных лабораторий и т.д. В рамках учебной и научной деятельности кафедра находится в постоянном контакте с учебно-методическим и научно-организационным отделами Института неразрушающего контроля, соответственно. Организация управления кафедрой ПМЭ соответствует системе менеджмента качества (СМК) вуза, в частности: цели развития кафедры соответствуют целям университета и института (2014 год); регулярно разрабатывается план основных мероприятий по реализации целей кафедры в виде Программы инновационного развития (ПИР) кафедры, выполнен план основных мероприятий по реализации целей кафедры за 2013/2014 учебный год. Организация и состояние делопроизводства на кафедре – в удовлетворительном состоянии. Разработана и при необходимости актуализируется документация СМК кафедры в соответствии с требованиями ISO 9001 и СМК ТПУ. Регулярно проходят внутренний и внешний аудиты. По результатам аудита составляется план корректирующих мероприятий. В настоящее время в институте реализуется Программа развития системы менеджмента качества Института неразрушающего контроля на 20132015гг. Наличие, своевременность и полнота ведения планирующей, организационнораспорядительной и отчетной документации, соответствующая требованиям университета согласно приложению к отчету (материалы, предоставляемые кафедрой при аккредитационной экспертизе), в том числе: 4 комплекты документов по каждой ООП всех форм обучения (СОС/ФГОС, рабочий учебный план, полный комплект рабочих учебных программ по всем дисциплинам рабочего учебного плана; материалы, устанавливающие содержание и порядок проведения промежуточных и итоговых аттестаций; полный комплект методических и организационно-методических материалов по практикам и ГИА); планы работы кафедры (за последние 6 лет); протоколы заседаний кафедры (за последние 6 лет) и их соответствие планам работы кафедры; периодичность и полнота рассмотрения на заседаниях кафедры вопросов: совершенствования качества подготовки выпускников по направлениям подготовки (специальностям); обновления содержания подготовки выпускников по каждой ООП; формирования перечня дисциплин, устанавливаемых университетом, в том числе по выбору; совершенствования методического обеспечения по реализуемым кафедрой ООП; внесения изменений и дополнений в рабочие программы дисциплин и программы практик; введения новых тем курсовых работ (проектов), выпускных квалификационных работ и т.д.; наличие и полнота заполнения индивидуальных планов работы преподавателей; наличие отчетов выполнения индивидуальных планов работы преподавателей, с указанием положительных и отрицательных сторон; отчет кафедры по видам деятельности (за последние 6 лет); отчеты студентов о прохождении производственной и преддипломной практик; организация взаимодействия кафедры с другими подразделениями вуза, других вузов, научными и коммерческими организациями в рамках внутривузовской и межвузовской кооперации и интеграции науки, образования и бизнеса. Структура образовательной и научной деятельности кафедры, ее соответствие реализуемым дисциплинам по направлениям подготовки. Направления подготовки высшего образования, реализуемые на кафедре (численность обучающихся на кафедре студентов по очной, очно-заочной и заочной формам обучения) (табл. 1.1): Таблица 1.1 Контингент обучающихся по направлению подготовки 210100 Электроника и наноэлектроника Контингент обучающихся Очно-заочная форма обучения договор бюджет договор Очная форма обучения бюджет договор в т.ч., СНГ всего в т.ч., СНГ по состоянию на 01.10.2012 года 0 0 - - по состоянию на 01.10.2011 года - - - - - - - - - 18 в т.ч., СНГ - 8 всего - 3 всего - 71 2010 ДЗ - всего - ДЗ - СНГ - всего 210100 Электроника и наноэлектроника бюджет В том числе в т.ч., СНГ В том числе Заочная форма обучения всего Год начала подготов ки СНГ Код и наименование направления (специальности) по состоянию на 01.10.2014 года 0 16 - - по состоянию на 01.10.2013 года 10 2 6 4 13 77 4 6 2 56 3 2 2 0 0 9 0 - - - - - - - - - по состоянию на 01.10.2010 года 27 1 0 2 0 5 0 - - - - - Таблица 1.1.1 Контингент студентов по состоянию на 01.10.2014 г. по курсам Наименование направления, специальности Код направления, специальности Электроника и 210100 наноэлектроника В том числе, по формам обучения: Очная форма Очно-заочная форма Заочная форма Экстернат 1 курс 2 курс 3 курс 22 0 0 0 24 0 0 0 28 0 0 0 Контингент 4 курс 25 0 0 0 5 курс 6 курс 7 курс 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 В результате анализа таблицы 1.1 можно сделать вывод о соотношении студентов, обучающихся по договорам с оплатой стоимости обучения и за счет бюджетного финансирования. За последние годы доля студентов, обучающихся по договорам с оплатой стоимости обучения выросла в основном за счет студентов из дальнего зарубежья (ДЗ). За четыре года количество иностранных граждан, обучающихся по направлению 210100 Электроника и наноэлектроника, выросло с 1 до 19, при этом доля граждан СНГ увеличилась с 5 до 16%, а доля граждан ДЗ возросла до 84% (от общего количества иностранных граждан по данным 2014 года). Подготовка бакалавров по направлению 210100 Электроника и наноэлектроника проводится на основании лицензии, выданной Федеральной службой по надзору в сфере образования и науки от 04.08.2014 г. регистрационный номер - № 1069, серия 90Л01 № 0008046. Лицензия действует бессрочно. Сведения о профессорско-преподавательском составе кафедры (на 2014 год). Таблица 1.2. Сведения о ППС кафедры ПМЭ В том числе: Всего ставок Внутренние Внешние Штатные Почасовики совместители совместители Численность профессорско-преподавательского состава (физ. лиц), всего 48 18 8 8 14 В том числе, численность профессорско-преподавательского состава с учёной степенью и/или званием (физ. лиц) 39 16 6 6 11 В том числе, численность профессорско-преподавательского состава с учёной степенью доктора наук и/или званием профессора (физ. лиц) 6 3 2 1 Объём учебной нагрузки (в часах), выполненный ППС в 2013/2014 учебном году: общий: 14 433 часов в том числе o с учёной степенью и/или званием: 11 289 часов o с учёной степенью доктора наук и/или званием профессора: 1 638 часов Число защит диссертаций, выполненных штатными сотрудниками и внутренними совместителями из числа научно-педагогического персонала вуза за 6 лет: 18. 6 100% штатных преподавателей по каждой образовательной программе принимают участие в научной и/или научно-методической, творческой деятельности. Из числа преподавателей кафедры, ведущих учебный процесс по направлению 210100 Электроника и наноэлектроника, доценты А.Ф. Глотов, О.С. Вадутов и Е.В. Ярославцев награждены нагрудным знаком «Почетный работник высшего профессионального образования РФ». 7 сотрудников кафедры награждено Почетными грамотами Министерства образования и науки РФ. Профессор И.П. Чучалин и профессор В.Ф. Тарасенко имеют звание заслуженных деятелей науки. Общая характеристика УВП кафедры (количественный состав штатных работников, совместителей): Таблица 1.3. Структура УВП кафедры ПМЭ Штатные Внутренние совместители Внешние совместители Зав. лаб. Инженер Техник Техникпроектировщик Специалист по УМР 2 0,4 3,2 2 1 0,5 1 0,8 Ведущий научный сотрудник Всего 9,2 1,4 0,5 1 1,8 Наличие системы, формы и результаты повышения квалификации ППС. Сведения о повышении квалификации преподавателей представлены в таблице 1.4.: Таблица 1.4. Повышение квалификации ППС кафедры ФИО ППС Аристов Александр Александрович Арышева Галина Владиславовна Буркин Евгений Юрьевич Вадутов Олег Самигулович Васенькин Александр Ильич Глотов Анатолий Филиппович Гребенников Виталий Владимирович Евтушенко Геннадий Сергеевич Киселева Екатерина Юрьевна Кожемяк Олеся Анатольевна Вид ПК (стажировка (на предприятии, в организации, в вузе), ПК, защита кандидатской диссертации, защита докторской диссертации) Курсы повышения квалификации при ТПУ «Система графического программирования для экспериментальных исследований LabView» Курсы повышения квалификации при ТПУ «Организация самостоятельной образовательной деятельности студентов», 72 часа Стажировка в НИИ ПХ Место прохождения (страна, город, наименование организации (предприятия)) г. Томск Реквизиты документа (номер, дата выдачи и др.) Удостоверение № ИСПК-01656, 2013 г. г. Томск г.Сергиев Посад Удостоверение № 70АВ 000931, с 31.03 по 26.04.2014 г. 2013 г. Стажировка на кафедре промышленной электроники ТУСУР Стажировка в ОАО «Медтехника» г. Томск 10.10.2013–09.11.2013 г. Томск 2012 г. Стажировка по тематике: «Автоматизированное проектирование электронных схем». Курсы повышения квалификации при ТПУ «Организация деятельности куратора в исследовательском университете», 72 часа Участие в конференции-конгрессе по телемедицине в Германии (Берлин) и совместных работах с ФИ РАН и ИОФ РАН ОАО «НПЦ «Полюс», г.Томск 2012 г. г.Томск (ТПУ) Удостоверение № 7567, с 30.05 по 29.06.2011 г. 14.04 – 27.04. 2013 г. Стажировка без отрыва от производства Курсы повышения квалификации при ТПУ «Управление бизнес-процессами и инновационными проектами» в объеме 72 часа; Стажировка в Королевский технологический институт Стокгольма для участия в работе организационного совета Института инженеров по 7 Учреждение Российской академии наук Институт общей физики им. А.М. Прохорова (г. Москва, РОССИЯ) Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН (г. Москва, РОССИЯ) Форум КохаМечникова (г. Берлин, ГЕРМАНИЯ) г.Томск, ООО «Диагностика+» г.Томск (ТПУ); г.Стокгольм (Швеция) С 12.11.2014 по 21.11.2014 (приказ №3935/к от 13.11.14) Удостоверение ЦДПО № 4904, с 28.11 по 10.12.2011 г.; с 20 по 27 мая 2014 г. Мутовин Юрий Васильевич Нам Ирина Феликсовна Огородников Дмитрий Николаевич Солдатов Алексей Иванович Торгаев Станислав Николаевич Фокин Александр Васильевич электротехнике и радиоэлектронике. Общество электронных приборов. Стажировка в ЗАО «Научно-производственное объединение НИКОР» Стажировка в ООО «МедКонтрастСинтез» по теме: «Изучение способов внедрения инновационных разработок в области биомедицинской инженерии в промышленное производство» Курсы повышения квалификации при ТПУ «Теория и практика внедрения стандарта ISO 9001:2008 в вузе. Уполномоченный по качеству» Стажировка для проведения научных исследований (Фраунгоферовский институт неразрушающих методов контроля) Стажировка по теме: «Конструирование и производство радиоэлектронной аппаратуры в ракетно-космической отрасли» в объеме 72 часа. Защита кандидатской диссертации Стажировка без отрыва от производства г. Томск 2014 г. г.Томск с 12.11.2014 21.11.2014 по г.Томск (ТПУ) Удостоверение 7700, 2012 г. № г. Саарбрюкен, Германия; 21.03-25.03.2013 ОАО «НПЦ «Полюс», г.Томск 2014 год г. Томск 14.02.2013 РОССИЯ, обл.Томская, г.Томск, Диагностика+ ООО С 17.11.2014 по 27.11.2014 (приказ №3937/к от 13.11.14) Чучалин Иван Петрович Ярославцев Евгений Витальевич преподаватель самой старшей возрастной группы Стажировка без отрыва от производства ОАО «НПЦ «Полюс», г.Томск с 22.11.09 г. по 21.12.09.г. (приказ № 7018 от 09.12.09) Болотина Ирина Олеговна Краткосрочное повышение квалификации по программе «Формирование и развитие управленческих компетенций» в объеме 72 часа; стажировка «Менеждмент в информационной сфере» г.Томск, ТПУ 2013-2014 Стажировка в Университете Маккуори Томск (ТПУ) Удостоверение № 7997 2012 г. г. Сидней, Австралия 11.05-09.08 2013 Защита кандидатской диссертации г.Томск Диплом ДКН №194057 2013 г Стажировка по теме: «Изучение достижений в области разработки современных источников ультрафиолетового (УФ) излучения – эксиламп» Подготовка кандидатской диссертации в Лаборатории Оптических излучений ИСЭ СО РАН, г. Томск Томск (ТПУ) с 28.10 по 28.11.13 Приказ №3386/к от 24.10.2013 Защита 25.11.14 IZFP г.Саарбрюкен, Германия 2012 г. Защита кандидатской диссертации Томск (ТПУ) Стажировка по теме: «Конструирование и производство радиоэлектронной аппаратуры в ракетно-космической отрасли» в объеме 72 часа. «Модульная программа изучения английского языка» ОАО «НПЦ «Полюс», г.Томск Диплом ДКН №200046 от 19.11.2013 2014 год Томск (ИМОЯК, ТПУ) 2014-15 учебный год Томск (ИМОЯК, ТПУ) Сертификат№1767ИСПК от 16 декабря 2014 года В 2012 году Губарев Федор Александрович Мартемьянов Сергей Михайлович Пономарев Сергей Викторович Солдатов Андрей Алексеевич Сорокин Павел Владимирович Тригуб Максим Викторович Шульгина Юлия Викторовна Бразовский Константин Станиславович Жданов Дмитрий Сергеевич Мазур Владимир Геннадьевич Михайлов Максим Валентинович Пеккер Яков Семенович Пестунов Дмитрий Александрович Тарасенко Виктор Федотович стаж работы составляет менее 3 лет стаж работы составляет менее 3 лет «Модульная языка» программа изучения английского Повышение квалификации по программе «Применение специализированных программных пакетов и средств Интернет для моделирования физических процессов» Курсы повышения квалификации при ТПУ «Формирование и развитие управленческих компетенций» в объеме 72 часа Участие во Всероссийской (с международным участием) конференции «Физика низкотемпературной плазмы» ФНТП-2014. С.21-25 с одним приглашенным и тремя стендовыми докладами. Участие в XXII Europhysics conference on Atomic and Molecular Physics of Ionized Gases. с одним устным и двумя стендовыми докладами. Участие в “International Congress on Energy Fluxes 8 ГОУ ВПО «Томский государственный университет», г. Томск г.Томск (ТПУ) Казань Удостоверение 8028, с 14.05 30.11.2012 г. 20-23 мая 2014 Greifswald, Germany July 15-19, 2014 № по Толмачев Иван Владиславович and Radiation Effects” с двумя устными и одним стендовым докладами. Защита кандидатской диссертации Томск 21-26 сентября 2014 Томск Диплом ДКН №175469 от 26.04.2012 Данные этой таблицы показывают, что все преподаватели проходят повышение квалификации в соответствии с требованиями (раз в три года). Исключение составляют преподаватели - женщины, находившиеся или находящиеся в отпуске по уходу за ребенком, преподавателей, стаж работы которых составляет менее 3 лет и преподавателей самой старшей возрастной группы. (100% штатных научнопедагогических работников имеет документ о повышении квалификации или диплом, подтверждающий получение ученой степени (полученный за последние 3 года)). (Взаимодействие с другими структурными подразделениями университета в обеспечение образовательной программы, в том числе привлечение сотрудников научных подразделений к учебному процессу) Взаимодействие с другими структурными подразделениями университета осуществляется в следующих формах: 1. Специалисты научных подразделений участвуют в проведении учебных занятий. Сведения об этой форме работы могут быть продемонстрированы материалами таблицы (таблица 1.5) Таблица 1.5. Название учреждения Кафедра техники и электрофизики высоких напряжений Института физики высоких технологий Кафедра теоретической и экспериментальной физики Физикотехнического института Кафедра точного приборостроения Институт неразрушающего контроля Дисциплина (модуль) Форма занятий Микропроцессорные системы ЛК, ПР, ЛБ Наноэлектроника ЛК, ПР Основы технологии ЛК, ПР, ЛБ электронной компонентной базы, Основы проектирования электронной компонентной базы научно- Физика конденсированного ЛК, ПР состояния Международная образовательная лаборатория неразрушающего контроля Кол-во студентов 35 Условия проведения в/в. совм. 35 Штатный сотрудник 35, 35 в/в. совм. 25 в/в. совм. 2. На базе научно-исследовательских подразделений проводится производственная практика. На базе кафедры ЭАФУ ФТИ ТПУ в рамках производственной практики студенты получают рабочую профессию "Слесарь КИПиА". Перечень кафедр университета, реализующих циклы дисциплин учебного плана по направлению подготовки бакалавров 210100 Электроника и наноэлектроника: гуманитарный, социальный и экономический цикл: кафедра экономики; кафедра философии; кафедра истории; кафедра социологии; кафедра менеджмента; кафедра иностранного языка Института неразрушающего контроля; 9 математический и естественнонаучный цикл или в ряде стандартов общепрофессиональный цикл: кафедра высшей математики и математической физики; кафедра экологии и безопасности жизнедеятельности; кафедра общей физики; кафедра общей и неорганической химии; кафедра прикладной математики; кафедра промышленной и медицинской электроники; профессиональный цикл: кафедра промышленной и медицинской электроники кафедра инженерной графики и промышленного дизайна; кафедра экологии и безопасности жизнедеятельности; кафедра компьютерных измерительных систем и метрологии; кафедра точного приборостроения. раздел физическая культура: кафедра физического воспитания; Отмечаемые недостатки и пути их устранения. Выводы по разделу: работа на кафедре промышленной и медицинской электроники планируется, анализируется, соответствует целям развития института и университета, ведется в рамках принятой системы менеджмента качества; за отчетный период доля студентов-иностранных граждан возросла в основном за счет иностранных граждан из дальнего зарубежья; все 100% преподавателей принимают участие в научной и/или научно-методической, творческой деятельности; действует система повышения квалификации ППС. 100% штатных научнопедагогических работников имеют документ о повышении квалификации или диплом, подтверждающий получение ученой степени; прослеживается взаимодействие кафедры с другими подразделениями института и университета а рамках подготовки бакалавров по направлению 210100 Электроника и наноэлектроника. II. Структура подготовки специалистов Структура подготовки специалистов, динамика ее изменения, ориентация на региональные потребности и перспектива ее развития проводится за последние 6 лет на основе анализа данных приема и выпуска специалистов по всем формам обучения, реализуемым направлениям подготовки (специальностям), в том числе на основе целевой и целевой контрактной подготовки, приводится соотношение между планом приема за счет средств бюджетных ассигнований федерального бюджета и приемом на платной основе. На протяжении многих лет в Томском политехническом университете действует многоуровневая система образования: довузовское образование реализуется в Центре управления контингентом студентов, а также в профильных школах, действующих при научно-образовательных институтах; высшее образование (ВО), реализуется в научно-образовательных институтах и в свою очередь имеет две ступени: ВО (бакалавриат) с присвоением степени бакалавра и ВО 10 (специалитет) с присвоением квалификации специалиста – 1 ступень; ВО (магистратура) с присвоением степени магистра – 2 ступень; послевузовское профессиональное образование: аспирантура, докторантура. В соответствии с Программой повышения конкурентоспособности Национального исследовательского Томского политехнического университета до 2020 года вуз будет преобразован в университет преимущественно магистерскоаспирантского типа. Доля магистрантов, аспирантов и докторантов в общем числе обучающихся по очной форме обучения составит 55% (плановый показатель в 2014 году – 24%). В связи с этим подготовку кадров по направлениям бакалавриата ожидает существенное сокращение. Программа повышения конкурентоспособности НИ ТПУ опубликована на: http://tpu.ru/today/programs/viu/. Направление подготовки "Электроника и наноэлектроника" является приоритетным направлением модернизации и технологического российской экономики (Распоряжение Правительства РФ от 3 ноября 2011 г. N 1944-р ). В рамках этого направления кафедра промышленной и медицинской электроники осуществляет подготовку по профилю "Промышленная электроника". Выпускник данного профиля обладает следующими ключевыми компетенциями: готовностью выполнять расчет и проектирование электронных приборов в соответствии с ТЗ с использованием средств автоматизации проектирования, разрабатывать проектную и техническую документацию, оформлять законченные проектно-конструкторские работы; способностью собирать, обрабатывать, анализировать и систематизировать научнотехническую информацию по тематике исследования; способностью строить простейшие физические и математические модели приборов, схем, устройств и установок электроники и наноэлектроники различного функционального назначения, а также использовать стандартные программные средства их компьютерного моделирования; способностью налаживать, испытывать, проверять работоспособность измерительного, диагностического, технологического оборудования, используемого для решения различных научно-технических, технологических и производственных задач в области электроники и наноэлектроники. Отмечаемые недостатки и пути их устранения. Выводы по разделу. 11 III. Качество содержания подготовки В организации и проведении учебной, методической и научной работы кафедра руководствуется Уставом ТПУ и локальными нормативными актами ТПУ (приказами и распоряжениями ректора и проректоров). Соответствие содержания ООП ФГОС1 Разработанные учебные планы соответствуют Федеральному государственному образовательному стандарту (приказ № 743 от 21.12.2009г.) / собственному образовательному стандарту (СОС) ТПУ (введен 13.12.2010г.) по структуре: по всем циклам и разделам в соответствии с требованиями стандартов. По трудоемкости циклов и разделов рабочие учебные планы полностью соответствуют требованиям ФГОС (СОС). Сопоставление трудоемкости по ФГОС / СОС и учебного плана направления 210100 Электроника и наноэлектроника, разработанного кафедрой, представлено в таблице 3.1.: Таблица 3.1. Сведения о трудоемкости по циклам и разделам учебного плана направления 210100 Электроника и наноэлектроника в сопоставлении с Федеральным государственным образовательным стандартом Б.1 Б.2 Б.3 Б.4 Б.5 Б.6 Всего ФГОС / СОС РУП ФГОС / СОС РУП ФГОС / СОС РУП ФГОС / СОС РУП ФГОС / СОС РУП ФГОС / СОС РУП ФГОС / СОС РУП Всего 30-40/ 36 36 65-75/ 62 62 117 2/2 2 12-15/ 11 11 12 12 240 240 В т.ч., базовая часть 15-20/ 15-20 18 32-38/ 30-35 35 105115/ 117 52-62/ 55-60 55 В соответствии с ФГОС / СОС представлены дисциплины базовой части и факультативные дисциплины, дисциплины по выбору вариативной части блока Б1: Культурология, Социология, Психология, Политология, Логистика, Маркетинг инноваций, Правовое регулирование и охрана результатов интеллектуальной собственности (реализуются в 5, 6, 7, 8 семестрах; студент вправе выбрать одну из них только один раз за весь период обучения); дисциплины блока Б2: Спецглавы математики. Теория вероятностей (3 сем.), Спецглавы математики. Численные методы анализа (4 сем.); дисциплины по выбору блока Б3: Аналоговые измерительные устройства (6 сем.), Цифровые измерительные устройства (7 сем.), Компьютерные и вычислительные средства в измерительной технике (8 сем.). Для оптимального освоения образовательной программы содержание рабочих программ и последовательность изучения дисциплин учебного плана тщательным образом согласованы. Вопросы содержания рабочих программ и их согласование с другими дисциплинами регулярно рассматриваются на методических семинарах кафедры. Состав и содержание вариативных дисциплин (вузовская компонента) обусловлены набором компетенций, которыми должен обладать выпускник данной образовательной программы в соответствии с ФГОС. Введение дисциплин профиля (Промышленная электроника) основано на современных тенденциях построения и развития электроники для промышленных предприятий и базируется на сочетании цифровых систем управления и устройств преобразования электрической энергии, однако набор дисциплин по выбору вариативной и профильной частей учебного плана позволяет обучающемуся сформировать траекторию обучения в направлении освоения устройств измерительной техники. Дисциплины по 1 Таблицы, отражающие соответствие ГОС, заполняются по приложению № 1 12 выбору в в вариативной части блока ГСЭЦ (Б1) призваны сформировать у обучающихся общекультурные компетенции. Перечень факультативных дисциплин в объеме, не превышающем требований в ФГОС, направлен на формирование компетенций в области военной подготовки, коммуникации на русском и иностранном языках, ресурсоэффективности, деловой коммуникации, инженерного предпринимательства, позволяющих обучающимся приобрести конкурентные преимущества в будущей профессиональной деятельности. Учебным планом предусмотрено различные формы промежуточного контроля, такие как зачет, дифференцированный зачет и экзамен. Количество экзаменов и зачетов в одном учебном году не превышает 10 и 12 соответственно. Кроме того, отсутствует дублирование зачета и экзамена по одной дисциплине в одном семестре. Формы контроля по дисциплине разрабатываются в соответствии с результатами изучения дисциплины. В рабочей программе каждой дисциплины указываются четко сформулированные конечные результаты обучения в увязке с осваиваемыми знаниями, умениями, навыками и приобретаемыми компетенциями (общекультурными и профессиональными). Все дисциплины, вошедшие в состав рабочих учебных планов, представлены аудиторной нагрузкой и самостоятельной работой. Сведения о соотношении аудиторной и самостоятельной работы, доле занятий, проводимых в активных и интерактивных формах, доле занятий лекционного типа представлены в таблицах 3.2.-3.4.: Таблица 3.2. Соотношение аудиторной и самостоятельной нагрузки в РУП Код/Направление 210100 Электроника и наноэлектроника Б.1 ауд. (час) Б.2 сам. раб (час) 600 115% 690 ауд. (час) Б.3 сам. раб (час) 1017 104,1% 1059 ауд. (час) сам. раб (час) 1689 97,5% 1647 Таблица 3.3. Выполнение требований к проценту занятий, проводимых в интерактивных формах Код/Направление 210100 Электроника и наноэлектроника Б.1 Аудиторн ые (час) 690 Б.2 Интеракти вные (час) 546 79,1% Аудиторн ые (час) 1059 Б.3 Интеракти вные (час) 318 30% Аудиторн ые (час) 1647 Интеракти вные (час) 501 30,4% Таблица 3.4. Выполнение требований к проценту занятий лекционного типа по отношению к объему аудиторных занятий Код/Направление 210100 Электроника и наноэлектроника Б.1 аудиторн ые (час) 690 Б.2 из них лекционн ые (час) 276 40% аудиторн ые (час) 1059 Б.3 из них лекционн ые (час) 474 44,8% аудиторн ые (час) 1647 из них лекционн ые (час) 768 46,6% Аудиторная часть нагрузки для большинства дисциплин включает как лекционную, так и практическую составляющие (практические и лабораторные занятия). В дисциплинах цикла Б.1. соотношение лекционных и практических занятий составляет 79,1%, Б.2. – 30%, Б.3 – 30,4%. Средняя недельная нагрузка студентов (за период теоретического обучения) направления 210100 Электроника и наноэлектроника составляет 54 часа в неделю, что соответствует ФГОС, в котором максимальная аудиторная нагрузка определена в 27 часов в неделю. Содержательная часть рабочих программ всех учебных дисциплин, включенных в рабочий учебный план полностью соответствуют требованиям ФГОС. 13 Продолжительность теоретического обучения (138 недель), продолжительность практик (8 недель), продолжительность каникул (34 недель), экзаменационных сессий (20 недель) соответствуют требованиям ФГОС. 3.1. Качество рабочих программ учебных дисциплин Анализ рабочих программ дисциплин учебного плана показал, что рабочие программы соответствуют содержанию подготовки по данному направлению, определенными ФГОС. Периодичность пересмотра (обновления содержания) рабочих программ по всем дисциплинам, программ практик и промежуточного контроля происходит в год приема на обучение и в учебном году, в котором изучается дисциплина. Содержание итоговой государственной аттестации пересматривается ежегодно. Рабочие программы отдельных дисциплин (Энергетическая электроника, Физические основы электроники и др.) включают в себя результаты научной работы кафедры. Рабочие программы блока гуманитарных и социально-экономических дисциплин предусматривают необходимые юридические, социальные, экономические, этические компетенции специалиста в области техники и технологии, формируют приверженность к самостоятельному обучению и повышению квалификации в течение всего срока профессиональной деятельности. Студенты готовятся к работе в новых социальноэкономических условиях, развивают коммуникативные качества, способность работать в команде. Выпускные квалификационные работы студентов содержат экономическую часть, в которой проводится экономический анализ разрабатываемого продукта. При изучении дисциплин профессионального цикла студенты демонстрируют умение применять естественнонаучные и математические знания в инженерной практике. Знания, полученные при изучении иностранного и профессионального иностранного языка, позволяют студенту пользоваться мировыми информационными ресурсами, расширяя возможности получения актуальной научно-технической информации по дисциплинам профессионального цикла. Содержание рабочих программ дисциплин согласуется с руководителем ООП, что исключает какое-либо дублирование в содержании дисциплин. Актуальность содержания рабочих программ дисциплин определяется современностью и достаточностью источников учебной информации. Основная рекомендуемая литература, приведенная в рабочей программе по дисциплинам профессионального цикла подбирается не старше 10 лет, а по дисциплинам гуманитарного, социального и экономического цикла – не старше 5 лет, что соответствует требованиям ФГОС. Дисциплины учебного плана ООП 210100 Электроника и наноэлектроника обеспечены печатной учебно-методической литературой и электронными изданиями, доступными в корпоративной сети ТПУ. Кроме этого, ТПУ имеет доступ к электронным библиотечным системам через корпоративную сеть университета. Количество экземпляров рекомендуемой литературы с учетом электронных изданий соответствует требованиям ФГОС (не менее 25 экземпляров на 100 человек). Студенты имеют доступ к бесплатному программному обеспечению (ПО) по системе международной программы MSDN Academic Alliance. Лекции читаются в аудиториях с использованием мультимедийной техники и специализированного программного обеспечения (Microsoft Power Point). Большинство программ используемых в учебном процессе доступно в сетевой версии. Кроме того, используется ПО, поставляемое вместе с лабораторным оборудованием, а также собственное ПО, разработанное на кафедре. Информационная поддержка дисциплин также осуществляется через персональный сайт преподавателя по адресу: portal.tpu.ru. 14 Таблица 3.5 Перечень используемого программного обеспечения по циклам дисциплин учебного плана Цикл Программное обеспечение Гуманитарный, социальный и – Операционная система Windows экономический цикл – Microsoft Office Математический и естественнонаучный – Операционная система Windows цикл – Microsoft Office Профессиональный цикл – Операционная система Windows – Microsoft Office – Mathcad 14, 15 – Matlab R2012в (или R2013a) – Corel Draw X4 – LTSpice – Cadence OrCAD 16.3 – Multisim 13.0 – Silicon Laboratories (для МК51) – CooCox (для МК STM 32) – D-device (собственное ПО) – С++Builder 2007 Таблица 3.6. Сведения об учебниках и учебных пособиях, монографиях, изданных за последние 6 лет № Год Автор(ы) 1. 2009 Карась С.И., Пеккер Я.С. 2. 2010 Ярославцев Е.В. 3. 2010 Воробьева Г.С., Бычков В.В., Сорокин П.В., Чурилов И.М., Яковлев В.В. 4. 2011 Аристов А. А. 5. 2011 Вадутов О. С. 6. 2011 Мутовин Ю. В. 7. 2011 Глотов А. Ф. 8. 2011 Мутовин Ю. В. 9. 2011 10. 2011 11. 2011 12. 2011 Воробьева Г. С. , Дичев Н. В. , Солдатов А. И. , Ткаченко И. Ю. , Ткаченко Н. Ю. Бычков В. В. , Пестунов Д. А. , Фокин А. В. , Яковлев В. В. Евтушенко Г. С. , Губарев Ф. А. Казанцев Ю. М. Название работы Гриф Тираж Объем, п.л. учебное пособие нет 100 126 Томск: Изд. ТПУ учебное пособие нет 100 130 Томск: Изд. ТПУ учебнометодическое пособие нет 100 90 Томск: Изд. ТПУ Учебное пособие нет 100 154 Томск: Изд. ТПУ Учебное пособие нет 100 212 Томск: Изд. ТПУ Учебное пособие нет 100 160 Томск: Изд. ТПУ Учебное пособие нет 100 152 Томск: Изд. ТПУ Учебное пособие нет 100 80 Томск: Изд. ТПУ Учебное пособие нет 100 90 Томск: Изд. ТПУ Учебное пособие нет 100 100 Томск: Изд. ТПУ Учебное пособие Учебное пособие Гриф УМО Гриф УМО 100 88 100 127 Вид Принятие решений в медицине: алгоритмы и эвристики Техническое описание приборов, используемых при выполнении лабораторных работ на кафедре промышленной и медицинской электроники. Программы лабораторных работ по дисциплинам «Теория электрических цепей», «Электроника» Функции DOS и BIOS. Таймеры. Коммуникационные порты Технические методы диагностических исследований. Практикум Математические основы обработки сигналов Вакуумная, плазменная и твердотельная электроника: практикум Математическое моделирование электронных схем Питающие устройства рентгеновских аппаратов и комплексов медицинского назначения Многоразрядные микроконтроллеры с ядром ARM7 в устройствах управления и контроля Стандарт RS-232 и его реализация в устройствах на микроконтроллерах семейств PIC, AVR, MCS-51 Квантовая и оптическая электроника. Практикум Динамика управляемых преобразовательных устройств 15 Издатель Томск: Изд. ТПУ Томск: Изд. ТПУ 13. 2012 Глотов А. Ф. 14. 2012 Буркин Е. Ю. 15. 2012 16. 2012 17. 2012 Аристов А. А. , Киселева Е. Ю. , Пайгин Д. В. Губарев Ф. А. , Андрющенко О. И. Воробьева Г. С. , Селезнев А. И. Солдатов А. И. , Евтушенко Н. В. , Кушик Н. Г. , Селезнев А. И., Солдатов А. А. Gubarev F. A., Nakonechnaya M. E. 18. 2013 19. 2013 20. 2013 Малышенко А. М., Вадутов О. С. 21. 2013 Голованова И. С. 22. 2013 Гребенников В. В., Ярославцев Е. В. 23. 2010 24. 2010 25. 2011 26. 2011 27. 2011 28. 2012 Гейнц Ю. Э. , Землянов А. А. , Кабанов А. М. , Матвиенко Г. Г. Апексимов Д. В. , Багаев С. Н. , Гейнц Ю. Э. , Землянов А. А. , Кабанов А. М. Солдатов А. И. , Сорокин П. В. , Макаров В. С. Батенин В. М. , Бохан П. А. , Бучанов В. В. , Евтушенко Г. С. , Казарян М. А. , Карпухин В. Т. , Климовский И. И. , Маликов М. М. Бойченко А. М. , Ломаев М. И. , Панченко А. Н. , Соснин Э. А. , Тарасенко В. Ф. Lipatov E. I. , Lisitsyn V. M. , Oleshko V. I. , Polisadova E. F. , Tarasenko V. F. , Baksht E. K Математическое моделирование электронных схем Лабораторный практикум по силовой электронике Биотехнические системы медицинского назначения. Практикум Гриф УМО 100 168 нет 100 88 Учебное пособие нет 100 95 Томск: Изд. ТПУ Цифровые устройства. Практикум Учебное пособие нет 100 108 Томск: Изд. ТПУ Интерфейс I2C в семействах микроконтроллеров PIC, AVR и MCS-51 Учебное пособие нет 100 187 Томск: Изд. ТПУ Основы проектирования и верификации цифровых схем Учебное пособие нет 100 187 Томск: Изд. ТПУ Digital Devices. Practical Course Textbook нет 100 112 Томск: Изд. ТПУ Учебное пособие Гриф УМО 100 366 Томск: Изд. ТПУ Учебное пособие нет 100 173 Томск: Изд. ТПУ Учебное пособие нет 100 172 Томск: Изд. ТПУ Монография - 250 212 Томск : Издательство ИОА СО РАН Фемтосекундная атмосферная оптика/под общ. ред. С.Н.Багаева, Г.Г.Матвиенко Монография - 300 238 Новосибирск : СО РАН Приборы контроля на основе акустических волноводов Монография - 500 124 Томск: Изд. ТПУ Лазеры на самоограниченных переходах атомов металлов - 2. В 2т. Монография - 300 616 Москва : Физматлит Ультрафиолетовые и вакуумноультрафиолетовые эксилампы: физика, техника и применение Монография - 100 512 Томск : STT Pulsed Cathodoluminescence of Natural and Synthetic Diamonds Excited by Nanosecond and Subnanosecond Electron Beams // Cathodoluminescence Монография - 100 324 Rijeka : InTech Сборник тестовых задач по теории автоматического управления. 2-е издание, переработанное Методы обработки биомедицинских данных. Лабораторный практикум Методы и средства экспериментального исследования электрических цепей и сигналов Нелинейная фемтосекундная оптика атмосферы / Под общей редакцией д. ф-м. н., профессора А.А. Землянова Учебное пособие Учебное пособие Томск: Изд. ТПУ Томск: Изд. ТПУ Монография - 100 252 Saarbrucken : LAP LAMBERT Academic Publishing GmbH & Co. KG 2012 Жданеев О. В. Моделирование процессов в лазерах на парах меди с модифицированной кинетикой 30. 2012 Tarasenko V. F. , Lisitsyn V. M. , Polisadova E. F. , Valiev D. T. , Burachenko A. G. , Baksht E. K. Luminescence of the Calcite under EBeam Excitation // Calcite: Formation, Properties and Applications Монография - 100 319 New York : Nova Science Publishers, Inc. 31. 2012 Губарев Ф. А. , Евтушенко Г. С. Лазеры на парах галогенидов металлов с накачкой емкостным разрядом Монография - 100 180 Германия : LAP LAMBERT Academic Publishing 32. 2012 - 500 276 Томск: Изд. ТПУ 2013 Лазеры на парах металлов с высокими частотами следования импульсов. 2-е изд. Новые направления в научных исследованиях и применение эксиламп Монография 33. Евтушенко Г. С. , Шиянов Д. В. , Губарев Ф. А. Автаева С. В. , Жданова О. С. , Пикулев А. А. , Монография - 300 246 Томск : STT 29. 16 Соснин Э. А. , Тарасенко В. Ф. 34. 2014 Торгаев С. Н. , Евтушенко Г. С. , Бойченко А. М. 35. 2014 Вадутов О. С. 36. 2014 37. 2014 38. 2014 Богомолов Е. Н. , Глушков Г. С. , Жданов Д. С. , Сырямкин В. И. , Сунцов С. Б. Торгаев С. Н. , Мусоров И. С. , Чертихина Д. С. , Тригуб М. В. , Рыбаков А. Н. Торгаев С. Н. , Воробьева Г. С. , Мусоров И. С. , Чертихина Д. С. Saarbrucken : LAP LAMBERT Academic Publishing GmbH & Co. KG Томск: Изд. ТПУ Кинетика активной среды лазера на парах бромида меди Монография - 100 169 Математические основы обработки сигналов Учебное пособие - 100 102 Метрология и сертификация диагностического оборудования и материалов Учебное пособие - 100 164 Изд-во ТГУ Основы микропроцессорной техники: микроконтроллеры STM8S Учебное пособие - 100 130 Изд-во ТПУ Основы микропроцессорной техники: микропроцессор INTEL 8080 Учебное пособие - 100 208 Изд-во ТПУ *Работа выполнена штатными преподавателями Сведения об учебниках и учебных пособиях, монографиях, изданных за последние 6 лет штатными сотрудниками кафедры, представлены в таблице 3.6. Из данных этой таблицы видно, что за последние 6 лет штатными преподавателями кафедры, участвующими в реализации учебного процесса по направлению 210100 Электроника и наноэлектроника издано 0 учебников, 21 учебных пособия и 12 монографий. 3.2. Качество программ практик Раздел основной образовательной программы (цикл Б.5) «Учебная и производственная практика» является обязательным и представляет собой вид учебных занятий, непосредственно ориентированных на профессионально-практическую подготовку обучающихся. Объем практик в кредитах по РУП составляет 11, что несущественно отличается от требований ФГОС и полностью соответствует требованиям СОС ТПУ. Общая продолжительность практик – 8 недель. Учебная практика организуется в лабораториях и компьютерных классах кафедры. Прохождение производственной практики осуществляется на профильных предприятиях. По каждому виду практик имеются рабочие программы, содержание которых увязано с получением компетенций, предусмотренных ФГОС по направлению 210100 Электроника и наноэлектроника, а также дополнительных компетенций. Цели практик ориентированы на достижение целей основной образовательной программы. По каждому виду практик имеются учебно-методические пособия, содержащие необходимые теоретические сведения и программы работ по учебной практике, индивидуальные задания на производственную практику. На время прохождения производственной практики студентам выдается «Дневник», который заполняется руководителем практики на предприятии. По выбору студента в рамках производственной практики предусмотрено получение рабочей профессии «Слесарь КИПиА» с выдачей документа государственного образца. 3.3. Качество диагностических и оценочных средств Для оценки знаний, умений и уровня приобретенных компетенций по каждой дисциплине учебного плана для проведения текущего и промежуточного контроля имеется фонд оценочных средств, включающий в себя типовые задания, контрольные работы, тесты и другие формы контроля. Материалы фонда оценочных средств ориентированы на условия будущей профессиональной деятельности. К разработке оценочных средств по дисциплине дополнительно привлекаются преподаватели, обеспечивающие смежные дисциплины. Таким образом, средства текущего и промежуточного контроля соответствуют требованиям ФГОС. 17 3.4. Возможность продолжения образования После завершения обучения по данному направлению выпускники имеют возможность продолжить обучение магистратуре ТПУ или другом высшем учебном заведении. При этом полученные компетенции позволяют выпускникам продолжить свое обучение в магистратуре как по программе «Электроника и наноэлектроника», так и по другим образовательным программам. Кроме этого, по выбору студента в рамках производственной практики предусмотрена возможность получения дополнительного образования – освоение рабочей профессии «Слесарь КИПиА» с получением документа государственного образца. Отмечаемые недостатки и пути их устранения. Выводы по разделу: разработанные учебные планы соответствуют Федеральному государственному образовательному стандарту (приказ № 743 от 21.12.2009г.) / собственному образовательному стандарту (СОС) ТПУ (введен 13.12.2010г.) по всем циклам и разделам; в соответствии с ФГОС / СОС во блоках Б1 (ГСЭЦ), Б2 (МЕЦ) и Б3 (ПЦ) учебного плана представлены дисциплины базовой части, а в вариативной части предусмотрены дисциплины по выбору студентов. Кроме того, студентам предоставлена возможность изучения факультативных дисциплин; содержание рабочих программ и последовательность изучения дисциплин учебного плана тщательным образом согласованы. Вопросы содержания рабочих программ и их согласование с другими дисциплинами регулярно рассматриваются на методических семинарах кафедры; формы контроля по дисциплине разрабатываются в соответствии с результатами изучения дисциплины. Для проведения текущего и промежуточного контроля имеется фонд оценочных средств, ориентированных на условия будущей профессиональной деятельности в соответствии с ФГОС; рабочие программы дисциплин учебного плана соответствуют содержанию подготовки по данному направлению, определенными ФГОС. Содержание рабочих программ по всем дисциплинам, программ практик, промежуточного контроля и итоговой аттестации пересматривается (или обновляется) регулярно; рекомендуемая литература, приведенная в рабочей программе по своей актуальности и количеству соответствует требованиям ФГОС. Дисциплины учебного плана обеспечены печатной учебно-методической литературой и электронными изданиями, доступными в корпоративной сети ТПУ. Студентам предоставляется доступ к электронным библиотечным системам через корпоративную сеть университета; учебная практика организуется в лабораториях и компьютерных классах кафедры. Прохождение производственной практики осуществляется на профильных предприятиях; по каждому виду практик имеются рабочие программы, содержание которых увязано с достижением целей основной образовательной программы. 18 IV. Организация учебного процесса Анализ уровня организации учебного процесса. Учебный план выполняется обучающимися в полном объёме. Студентам также предоставляется возможность обучаться по индивидуальному плану. Основанием для обучения по индивидуальному плану являются участие в программах академической мобильности, перевод студент из другого вуза, желание обучаться по индивидуальной траектории и т.д. В настоящее время в ТПУ сроки и формы аттестационных испытаний регламентируются «Руководящими материалами по текущему контролю успеваемости, промежуточной и итоговой аттестации студентов Томского политехнического университета» (приказ №88/од от 27.12.2013г.). Практическому обучению в ООП уделяется достаточное внимание. Лабораторные работы по большинству дисциплин выполняются на специализированных стендах и профессиональном измерительном оборудовании. Организация практик направлена получение студентами практических навыков, связанных с будущей профессиональной деятельностью. Курсовые проекты и работы в виде кейсов построены на междисциплинарном взаимодействии и решают реальные практические задачи. С целью активизации познавательной деятельности студентов используются различные методы, такие как применение компьютеров и новых информационных технологий (методы IT), работа в команде, case-study, проблемное, контекстное и индивидуальное обучение, обучение на основе опыта, междисциплинарное обучение, опережающая самостоятельная работа студентов. Данные методы интересны студентам, поскольку в более свободной, привлекательной форме позволяют самостоятельно достичь какого-либо результата как лично, так и в составе команды, при этом расширяется диапазон знаний, умений и опыта, полученного при изучении дисциплин учебного плана. Эффективность такого подхода очевидна – познавательный процесс становится более интересным, студенты лучше осваивают дисциплины учебного плана, и тем самым повышается качество образовательного процесса. Использование современных образовательных технологий. На кафедре проводится работа по внедрению в учебный процесс современных технологий обучения. Ведущими технологиями обучения являются развивающие проблемно-ориентированные технологии, главной целью которых является подготовка специалиста, способного проблемно мыслить, видеть и формулировать проблемы, выбирать способы и средства их решения. Предпочтительными являются педагогические технологии, способствующие развитию творческой самостоятельности обучающихся в приобретении новых знаний, такие как творческий проект, учебно-исследовательская и научно-исследовательская работа студентов. Большие возможности по развитию самостоятельного мышления студентов дают семинарские занятия. Здесь преподаватели кафедры используют такие формы обучения как дискуссия, пресс-конференция, ролевые игры, обсуждение малыми группами. Деловые игры и решение ситуационных задач применяются в ходе семинарских занятий по дисциплинам Экономика предприятия, Цифровые устройства, Основы микропроцессорной техники, Материалы и элементы электронной техники, Магнитные элементы электронных устройств и других. Преподавание спецкурсов требует иного подхода, в этом случае наиболее приемлемыми является технология предполагающая самостоятельное обучение. Важным результатом такого обучения является развитие определенных качеств личности открытость новому опыту, большая степень доверия к самому себе, внутренняя свобода и т.д. 19 Инновационные методы, используемые в образовательном процессе Использование информационных ресурсов и баз знаний: в дисциплинах Творческий проект, Схемотехника, Магнитные элементы электронных устрйоств, Цифровые устройства, Основы микропроцессорной техники, Микроэлектроника, и др. Применение электронных мультимедийных учебников и учебных пособий: в дисциплинах Теория автоматического управления, Вакуумная плазменная и твердотельная электроника, Схемотехника и др. Ориентация содержания на лучшие отечественные и зарубежные аналоги образовательных программ: Национальный исследовательский университет Московский энергетический институт: http://www.mpei.ru/lang/rus/main/aboutuniversity/trainingwork/learnprogs/ean/programs_ b/programs04/ean04_wp.pdf Stanford University, Electrical Engineering: http://web.stanford.edu/group/ughb/cgibin/handbook/index.php/Electrical_Engineering_Program Применение предпринимательских идей в содержании курсов: Микроэлектроника, Основы микропроцессоной техники, Микропроцессорные системы и др. Использование проблемно-ориентированного междисциплинарного подхода к изучению наук: в дисциплинах Микроэлектроника, Основы микропроцессорной техники, Энергетическая электроника. Применение активных методов обучения, «контекстного обучения» и «обучения на основе опыта»: в дисциплинах Профессиональный иностранный язык, Методы анализа и расчета электронных схем, Информационные технологии, Информатика и др. Использование методов, основанных на изучении практики (case-study): в дисциплинах Экономика, Микроэлектроника, Схемотехника, Цифровые устройства, Основы микропроцессорной техники, Микропроцессорные системы, и др. Использование проектно-организованных технологий обучения работе в команде над комплексным решением практических задач: в дисциплинах Творческий проект, Основы микропроцессорной техники. В соответствии с Руководящими материалами по текущему контролю успеваемости, промежуточной и итоговой аттестации студентов (утв. приказом ректора от 27 декабря 2013 г. № 88/од) система оценивания результатов обучения студентов университета подразумевает непрерывный мониторинг и комплексную оценку качества учебной деятельности студентов в рамках конкретной дисциплины в соответствии с графиком контрольных мероприятий при освоении студентами основной образовательной программы с использованием балльно-рейтинговых оценок. Главными задачами балльно-рейтинговой оценки при проведении текущего контроля учебных достижений студентов в семестре являются: повышение уровня организации учебного процесса через интенсификацию текущей работы студента в семестре; повышение мотивации учебной деятельности студентов; стимулирование самостоятельной работы студентов; -активизация работы профессорско-преподавательского состава по обновлению, совершенствованию содержания и методов обучения, в том числе с использованием современных компьютерных образовательных технологий; повышение эффективности приобретения знаний, умений и опыта в процессе обучения; усиление систематического контроля освоения студентами основных образовательных программ и учебной дисциплины студентов; 20 равномерное распределение учебной нагрузки студентов и преподавателей в течение семестра. Принципы балльно-рейтинговой системы оценивания учебных достижений студентов университета: неизменность требований, предъявляемых к учебной работе студентов университета; регулярность оценивания результатов работы студентов в ходе текущего контроля путём выставления рейтинговых баллов; соблюдение учебной и трудовой дисциплины всеми участниками образовательного процесса. Балльно-рейтинговая оценка при проведении текущего контроля учебных достижения студентов в семестре вводится по всем программам подготовки бакалавров, специалистов и магистров. При этом на все оценивающие мероприятия отводится: при изучении дисциплин - 60 баллов; при выполнении курсовых проектов и работ, проведении НИРС и УИРС – 40 баллов. Результаты оценивающих мероприятий в течение семестра заносятся в журнал преподавателя (в т.ч. с использованием ИПК «Успеваемость» - модуль «Журнал преподавателя»). В течение учебного семестра производится 2 рубежных аттестации по контрольным точкам (в рамках конференц-недели). Результаты текущего контроля учебных достижений студентов в семестре по каждой контрольной точке в обязательном порядке вносятся преподавателем в ИПК «Успеваемость» - модуль «Текущая и сессионная успеваемость» (при ведении преподавателем электронного журнала (модуль «Электронный журнал преподавателя») результаты в модуль «Текущая и сессионная успеваемость» проставляются автоматически). На первую конференц-неделю может быть вынесен зачет (экзамен) по дисциплине, если изучение дисциплины заканчивается в первом полусеместре (до первой конференцнедели семестра). Подводя итог, можно перечислить используемые на кафедре технологии обучения: IT-методы, работа в команде, case-study, проблемное, контекстное и индивидуальное обучение, обучение на основе опыта, междисциплинарное обучение, опережающая самостоятельная работа студентов. Степень соответствия учебно-лабораторной базы, используемой при реализации образовательной программы демонстрируется Приложением 8. Для кафедры традиционной является тесная связь обучения с научными исследованиями. Довольно часто результаты научной деятельности кафедры включаются в учебный процесс в виде новых лабораторных работ, лекций, тем для УИРС и ВКР. Кроме этого, организуются экскурсии на такие предприятия как ЗАО «ЭлеСи», ОАО «НПЦ «Полюс», Институт оптики атмосферы СО РАН, Институт сильноточной электроники СО РАН, лаборатории Института неразрущающего контроля и др., ряд ВКР выполняется на ба базе научно-исследовательских и научно-производных организаций (из выше указанного списка), привлечении к учебному процессу специалистов-практиков В.Ф. Тарасенко (ИСЭ СО РАН), Ф.А. Губарев, С.Н. Торгаев, М.В. Тригуб, Д.А. Пестунов (ИАО СО РАН), М.В. Михайлов, П.В. Сорокин, К.Г. Гордеев, В.С. Гладышев (ОАО «НПЦ «Полюс»), Д.В. Пайгин (ЗАО «НИКОР»), И.Ф. Нам (ООО «МедКонтрастСинтез»), Я.С. Пеккер, К.С. Бразовский, И.В. Толмачев (СибГМУ), О.С. Уманский, В.И. Янковский (ОАО «Медтехника»), И.В. Целебровский, В.Д. Семенов (ТУСУР). Расширение сферы знакомства студентов с различными областями науки, знакомство студентов с практическим применением способствует формированию знаний и компетенций. Отмечаемые недостатки и пути их устранения. 21 Выводы по разделу: учебный план выполняется в полном объёме. Студентам предоставляется возможность обучаться по индивидуальному плану; сроки и формы аттестационных испытаний регламентируются «Руководящими материалами по текущему контролю успеваемости, промежуточной и итоговой аттестации студентов Томского политехнического университета» в действующей редакции; с целью активизации познавательной деятельности студентов используются различные современные методы: IT-методы, работа в команде, case-study, проблемное, контекстное и индивидуальное обучение, обучение на основе опыта, междисциплинарное обучение, опережающая самостоятельная работа студентов; ведущими технологиями обучения являются развивающие проблемноориентированные технологии, главной целью которых является подготовка специалиста, способного проблемно мыслить, видеть и формулировать проблемы, выбирать способы и средства их решения; система оценивания результатов обучения студентов университета подразумевает непрерывный мониторинг и комплексную оценку качества учебной деятельности студентов с использованием балльно-рейтинговых оценок в соответствии с Руководящими материалами по текущему контролю успеваемости, промежуточной и итоговой аттестации студентов в действующей редакции; дисциплины учебного плана обеспечены соответствующей учебно-лабораторная базой; результаты научной деятельности кафедры включаются в учебный процесс в виде новых лабораторных работ, лекций, тем для УИРС и ВКР. 22 V. Качество подготовки специалистов 5.1. Оценка уровня подготовки абитуриентов Прием по направлению подготовки бакалавров 210100 Электроника и наноэлектроника впервые осуществлен в 2010 г. Количество студентов, отобранных для обучения по направлению подготовки бакалавров 210100 Электроника и наноэлектроника составляло в 2014 г. (указать крайний год приема) - 20 человек (в т.ч. – иностранных граждан 4 чел.), в 2013 г. - 30 человек (в т.ч. – иностранных граждан 0 чел.) и т.д. Сведения о проходном балле за отчетный период представлены в Приложении 2. В 2013 г. проходной балл составил 194, средний балл ЕГЭ 75. 50% студентов имели балл выше среднего. В 2014 г. проходной балл составил 178, средний балл ЕГЭ 70. 40% студентов имели балл выше среднего (направление 11.03.04 Электроника и наноэлектроника). Коллектив кафедры заинтересован в том, чтобы на обучение поступали абитуриенты, имеющие способности к обучению, личностные убеждения в правильности выбранной профессии и доверие к учебному заведению. Достижение данных целей осуществляется проведением профориентационной работы с абитуриентами. Формы профориентационной работы, реализуемые на кафедре: участие в днях открытых дверей ИНК и ТПУ, подготовка рекламных материалов (буклеты, информация для тематических сборников, презентации и т.д.), распространение информации о направлении и кафедре через студентов, обучающихся на кафедре (распространение буклетов), наличие постоянных контактов с общеобразовательными учреждениями, доведение информации о кафедре и ее направлениях до родителей школьников на родительских собраниях, взаимодействие с центрами досуга школьников (Дворец творчества детей и молодежи), online работа с абитуриентами через личный кабинет абитуриента, организация выездных встреч в общеобразовательных учреждениях, участие выставках ярмарках и фестивалях профессий, организация экскурсий на кафедру с демонстрацией разработок студентов, привлечение старшеклассников к научной работе кафедры – сотрудник кафедры является научным руководителем школьника, и т.д. Таким образом, профориентационная работа представляет собой комплекс мероприятий, позволивший за последний годы привлекать к обучению абитуриентов, в большей степени заинтересованных в обучении на данном направлении, со средним баллом ЕГЭ не ниже 70 баллов. 5.2. Оценка качества освоения образовательных программ Оценка качества освоения программ подготовки студентами в соответствии с требованиями собственного образовательного стандарта ТПУ (СОС) / ФГОС осуществляется по циклам дисциплин путем анализа эффективности текущего и промежуточного контроля знаний (уровень требований при проведении текущего и промежуточного контроля (наличие и использование фондов оценочных средств (контрольных заданий): тесты, контрольные и домашние задания, экзаменационные билеты и т.д.) и контроля остаточных знаний, проводимого по всем циклам дисциплин (по дисциплинам, изучение которых завершено в предыдущем и/или предшествующем семестре (но не более одного года назад). Приложение 3. Аналитический отчет - оценка степени достижения результатов ООП со стороны студентов (Приложение 4). Итоговые данные контроля знаний студентов по результатам аттестаций по циклам дисциплин представлены в Приложении 3. 23 промежуточных Из материалов таблиц видно, что успеваемость студентов в 2010 - 2014 гг. составляла от 58 до 84,85%. Показатель качества успеваемости в отчетные годы составлял от 38 до 71,21%. Процент отчисленных в динамике за 6 лет Среди студентов, обучающихся по направлению 210100 Электроника и наноэлектроника, бакалавриат за отчетный период отчислено 32 студента (табл. 5.2.-5.3.) (примечание – общий контингент по всем курсам в соответствии с таблицей 1.1.): Таблица 5.2. Отчисление студентов в 2014/2015 учебном году (осенний семестр) Курс Студенты, обучающиеся на бюджетной основе контингент на 01.10.2014 г. отчислено за период с 01.10.2014 г. по 31.12.2014 г. кол-во % Студенты, обучающиеся на платной основе ВСЕГО отчислено за период с отчислено за период с контингент на 01.10.2014 г. по 31.12.2014 г. контингент на 01.10.2014 г. по 31.12.2014 г. 01.10.2014 г. 01.10.2014 г. кол-во % кол-во % 1 22 0 0 0 0 0 22 0 0 2 24 0 0 0 0 0 24 0 0 3 29 0 0 0 0 0 29 0 0 4 23 0 0 2 0 0 25 0 0 Всего: 98 0 0 2 0 0 100 0 0 в 2013/2014 учебном году Курс Студенты, обучающиеся на бюджетной основе контингент на 01.10.2013 г. отчислено за период с 01.10.2013 г. по 30.09.2014 г. кол-во % Студенты, обучающиеся на платной основе ВСЕГО отчислено за период с отчислено за период с контингент на 01.10.2013 г. по 30.09.2014 г. контингент на 01.10.2013 г. по 30.09.2014 г. 01.10.2013 г. 01.10.2013 г. кол-во % кол-во % 1 21 4 19,05 1 1 100,00 22 5 22,73 2 31 2 6,45 0 0 0,00 31 2 6,45 3 24 1 4,17 2 0 0,00 26 1 3,85 4 24 0 0,00 1 0 0,00 25 0 0,00 Всего: 100 7 7,00 4 1 25,00 104 8 7,69 в 2012/2013 учебном году Курс Студенты, обучающиеся на бюджетной основе контингент на 01.10.2012 г. отчислено за период с 01.10.2012 г. по 30.09.2013 г. кол-во % Студенты, обучающиеся на платной основе ВСЕГО отчислено за период с отчислено за период с контингент на 01.10.2012 г. по 30.09.2013 г. контингент на 01.10.2012 г. по 30.09.2013 г. 01.10.2012 г. 01.10.2012 г. кол-во % кол-во % 1 31 2 6,45 0 0 0,00 31 2 6,45 2 28 6 21,43 1 0 0,00 29 6 20,69 3 26 2 7,69 1 0 0,00 27 2 7,41 85 10 11,76 2 0 0,00 87 10 11,49 4 Всего: 24 в 2011/2012 учебном году Курс Студенты, обучающиеся на бюджетной основе контингент на 01.10.2011 г. отчислено за период с 01.10.2011 г. по 30.09.2012 г. кол-во % Студенты, обучающиеся на платной основе ВСЕГО отчислено за период с отчислено за период с контингент на 01.10.2011 г. по 30.09.2012 г. контингент на 01.10.2011 г. по 30.09.2012 г. 01.10.2012 г. 01.10.2012 г. кол-во % кол-во % 1 31 7 22,58 1 0 0,00 32 7 21,88 2 31 5 16,13 2 0 0,00 33 5 15,15 62 12 19,35 3 0 0,00 65 12 18,46 3 4 Всего: в 2010/2011 учебном году Курс Студенты, обучающиеся на бюджетной основе контингент на 01.10.2010 г. 1 отчислено за период с 01.10.2010 г. по 30.09.2011 г. кол-во % 31 2 6,45 31 2 6,45 Студенты, обучающиеся на платной основе ВСЕГО отчислено за период с отчислено за период с контингент на 01.10.2010 г. по 30.09.2011 г. контингент на 01.10.2010 г. по 30.09.2011 г. 01.10.2010 г. 01.10.2010 г. кол-во % 2 0 0,00 2 0 0,00 кол-во % 33 2 6,06 33 2 6,06 2 3 4 Всего: Таблица 5.3. Основные причины отчисления студентов в 2013/2014 учебном году Бюджет 7 3 Договор 1 0 Всего 8 3 % 100 % По собственному желанию 3 0 3 37,5 % За нарушение учебной дисциплины Другие причины, в том числе: 0 1 0 1 0 2 0% 25 % не прошедшие итоговой государственной аттестации 0 0 0 0% перевод в другие вузы 1 1 2 25 % в связи с призывом в Вооруженные силы 0 0 0 0% Причины отчисления Академическая неуспеваемость 37,5 % 5.3. Оценка результатов итоговой аттестации Комиссии предоставляются: Положение об итоговой государственной аттестации выпускников, Приказы об утверждении председателей итоговых аттестационных комиссий (с 2014 года – экзаменационных), государственных аттестационных комиссий (с 2014 года – экзаменационных), государственных экзаменационных комиссий за последние 6 лет и их отчеты по результатам работы. 25 Уровень подготовленности выпускников к выполнению профессиональных обязанностей определяют по результатам анализа качества итоговой государственной аттестации. Качество итоговой государственной аттестации выпускников оценивается по: наличию и качеству содержания комплекса организационно-методических и методических материалов по итоговой государственной аттестации выпускников в составе: o программа преддипломной практики; o программа итогового государственного экзамена по направлению подготовки (специальности); o методические рекомендации о порядке проведения междисциплинарного государственного экзамена по направлению подготовки (специальности); o экзаменационные билеты к междисциплинарному государственному экзамену по направлению подготовки (специальности); o диагностические и оценочные средства для проведения междисциплинарного государственного экзамена и защиты выпускных квалификационных работ по направлению подготовки (специальности); o протоколы ГЭК по междисциплинарному государственному экзамену по направлению подготовки (специальности); o протоколы ГАК (ГЭК) по защите выпускных квалификационных работ по направлению подготовки (специальности); результатам междисциплинарного экзамена и защиты ВКР за последние 6 лет (уровень требований к содержанию междисциплинарного экзамена и выпускной квалификационной работе, ее тематике и соответствия профиля подготовки) (Приложение 5); утвержденному составу ГАК (ГЭК) по направлению подготовки (специальности); качеству методических материалов, диагностических средств и порядку организации государственной аттестации выпускников (принципы формирования содержания экзаменационных билетов, тематика выпускных квалификационных работ, содержание отзывов научных руководителей и внешних рецензентов); итогам анализа отчетов председателей ГАК (ГЭК), содержанию замечаний председателей ГАК (ГЭК) и принятых мерах по устранению отмеченных недостатков за последние 6 лет. Формат приема Государственного экзамена оценивает не только компетенции выпускников (ФГОС). знания и Результаты ГАК (ГЭК) при имеющихся выпусках за последние 6 лет Результаты ГАК (ГЭК) за период 2010-2014 годы представлены в таблице 5.3.1 Результаты ГАК 2010 г. таковы: - "государственный экзамен" (междисциплинарный): отличных оценок 40% хороших - 13,3%, 33,4% удовлетворительных и 13,3% неудовлетворительных оценок; "выпускная квалификационная работа" - отличных оценок 62%. В 2011 г. по итогам государственного экзамена (междисциплинарного) получено 51,4% отличных оценок и 24,3% хороших оценок, 18,9% удовлетворительных и 5,4% неудовлетворительных оценок. В 2012 г. по итогам государственного экзамена (междисциплинарного) получено 47,6% отличных оценок и 28,4% хороших оценок, 23,8% удовлетворительных и 0% неудовлетворительных оценок. В 2013 г. по итогам государственного экзамена (междисциплинарного) получено 14,3% отличных оценок и 14,3% хороших оценок, 71,4% удовлетворительных и 0% неудовлетворительных оценок. 26 В 2014 г. по итогам государственного экзамена (междисциплинарного) получено 22,7% отличных оценок и 22,7% хороших оценок, 54,5% удовлетворительных и 0% неудовлетворительных оценок. Таблица 5.3.1. Результаты итоговой государственной аттестации Код и наименование направления Полный выпуск (чел.) Процент, получивших оценку на защите ВКР отл. хор. удовл. неуд. Полный выпуск (чел.) Процент получивших оценку на государственном экзамене отл. хор. удовл. неуд. 2014 год 210100 Электроника и наноэлектрони ка 22 45,5 50 4,5 0 22 22,7 22,7 54,5 0 14 14,3 14,3 71,4 0 21 47,6 28,6 23,8 0 37 51,4 24,3 18,9 5,4 15 40 13,3 33,4 13,3 2013 год 210100 Электроника и наноэлектрони ка 14 42,9 50 7,1 0 2012 год 210100 Электроника и наноэлектрони ка 21 47,6 42,9 9,5 0 2011 год 210100 Электроника и наноэлектрони ка 35 57,1 34,3 8,6 0 2010 год 210100 Электроника и наноэлектрони ка 13 62 23 15 0 Председатель ГЭК по направлению 210100 Электроника и наноэлектроника отмечает, что выпускники грамотно отвечали на сложные проблемные вопросы по разработке и создания новых схем, моделей, исследования технологий производства преобразовательной техники, разработки и создания новых схем моделей в области микро- и наноэлектроники, что свидетельствует о глубоких профессиональных знаниях. Отмечается современность проблематики выпускных работ, направленных на решение научно-технических проблем по таких предприятий как ОАО «НПЦ «Полюс», г.Томск; ООО «Сиам», г.Томск; ООО «Рекламный парк», г.Томск; ГРЭС-2, г.Томск. Работы выпускников имеют как теоретическое, так и практическое значение, их результаты рекомендованы для внедрения в образовательный процесс. Защита выпускных работ продемонстрировала наличие у выпускников прочных знаний и компетенций по направлению 210100 Электроника и наноэлектроника. 5.4. Качество знаний по степени подготовленности выпускников к выполнению требований СОС/ ФГОС (результаты тестирования в период самообследования) Результаты тестирования в период самообследования представлены в таблице 5.4.1. Итоги тестирования бакалавров оказались равными 58%. 27 Таблица 5.4.1. Результаты тестирования ФГОС ФЭПО 2012 (сентябрь 2012 – январь 2013) Цикл дисциплин (объем часов, отводимых на изучение цикла) ГСЭЦ МЕЦ (2076) Дисциплина (объем часов, отводимых на изучение дисциплины) Философия Информатика (108) Объем выборки студентов, принявших участие в тестировании Показатель освоения дисциплины 210100 Электроника и наноэлектроника 1А01 9 44% 1А11 6 56% Выполнение критерия освоения дисциплины + ФЭПО 2013 (сентябрь 2013 – январь 2014) Цикл дисциплин (объем часов, отводимых на изучение цикла) ГСЭЦ ГСЭЦ (1376) МЕЦ (1840) ПЦ (2905) Дисциплина (объем часов, отводимых на изучение дисциплины) Правоведение История (108) Математика (560) Метрология, стандартизация и сертификация (96) Объем выборки студентов, принявших участие в тестировании Показатель освоения дисциплины 210100 Электроника и наноэлектроника 1А01 9 83% 1А31 7 70% 1А21 24 42% 1А21 Выполнение критерия освоения дисциплины + + - 25 48% - Объем выборки студентов, принявших участие в тестировании Показатель освоения дисциплины Выполнение критерия освоения дисциплины ФЭПО 2014 (сентябрь 2014 – январь 2015) Цикл дисциплин (объем часов, отводимых на изучение цикла) ГСЭЦ (1290) ГСЭЦ (1228) ГСЭЦ (1376) ГСЭЦ (1290) МЕЦ (2070) Дисциплина (объем часов, отводимых на изучение дисциплины) Философия (108) Философия (96) История (108) Экономика и организация производства (270) Химия (108) 210100 Электроника и наноэлектроника 1А11 20 65% 1А21 1А31 1А11 1А31 6 16 73% 80% + + 21 41% - 14 37% - ГСЭЦ гуманитарный, социальный и экономический цикл МЕЦ математический и естественнонаучный цикл ПЦ профессиональный цикл Модели ПИМ 28 + В рамках компетентностного подхода используется уровневая модель педагогических измерительных материалов (ПИМ), представленная в трех взаимосвязанных блоках. Первый блок – задания на уровне «знать», в которых очевиден способ решения, усвоенный студентом при изучении дисциплины. Задания этого блока выявляют в основном знаниевый компонент по дисциплине и оцениваются по бинарной шкале «правильно-неправильно». Второй блок – задания на уровне «знать» и «уметь», в которых нет явного указания на способ выполнения, и студент для их решения самостоятельно выбирает один из изученных способов. Задания данного блока позволяют оценить не только знания по дисциплине, но и умения пользоваться ими при решении стандартных, типовых задач. Результаты выполнения этого блока оцениваются с учетом частично правильно выполненных заданий. Третий блок – задания на уровне «знать», «уметь», «владеть». Он представлен кейсзаданиями, содержание которых предполагает использование комплекса умений и навыков, для того чтобы студент мог самостоятельно сконструировать способ решения, комбинируя известные ему способы и привлекая знания из разных дисциплин. Кейсзадание представляет собой учебное задание, состоящее из описания реальной практической ситуации и совокупности сформулированных к ней вопросов. Выполнение студентом кейс-заданий требует решения поставленной проблемы (ситуации) в целом и проявления умения анализировать конкретную информацию, прослеживать причинноследственные связи, выделять ключевые проблемы и методы их решения. В отличие от первых двух блоков задания третьего блока носят интегральный (summative) характер и позволяют формировать нетрадиционный способ мышления, характерный и необходимый для современного человека. Решение студентами подобного рода нестандартных практико-ориентированных заданий свидетельствует о степени влияния процесса изучения дисциплины на формирование у студентов общекультурных и профессиональных компетенций в соответствии с требованиями ФГОС. Это принципиально отличает новую, уровневую модель от инвариантной, применяемой при традиционном подходе. Модели оценки В рамках компетентностного подхода используется модель оценки обучения, в основу которой положена методология В.П. Беспалько. Объект оценки Показатель оценки результатов обучения студента Менее 70% баллов за задания каждого из блоков 1, 2 и 3 Студент Не менее 70% баллов за задания блока 1 и меньше 70% баллов за задания каждого из блоков 2 и 3 или Не менее 70% баллов за задания блока 2 и меньше 70% баллов за задания каждого из блоков 1 и 3 или Не менее 70% баллов за задания блока 3 29 результатов Уровни обученности Первый Второй Объект оценки Показатель оценки результатов обучения студента Уровни обученности и меньше 70% баллов за задания каждого из блоков 1 и 2 Не менее 70% баллов за задания каждого из блоков 1 и 2 и меньше 70% баллов за задания блока 3 или Не менее 70% баллов за задания каждого из блоков 1 и 3 и меньше 70% баллов за задания блока 2 или Не менее 70% баллов за задания каждого из блоков 2 и 3 и меньше 70% баллов за задания блока 1 Не менее 70% баллов за задания каждого из блоков 1, 2 и 3 Третий Четвертый Предложенные показатели оценки результатов обучения позволяют сделать выводы об уровне обученности каждого отдельного студента и дать ему рекомендации для дальнейшего успешного продвижения в обучении. Данная модель, являясь студентоцентрированной, позволяет сфокусировать внимание на результатах каждого отдельного студента. Показатели и критерии оценки результатов обучения для студента и для выборки студентов направления подготовки (специальности) на основе предложенной модели представлены в таблице: Объект оценки Показатель оценки результатов обучения Критерий оценки результатов обучения Студент Достигнутый уровень результатов обучения Уровень обученности не ниже второго Выборка студентов направления подготовки (специальности) Процент студентов на уровне обученности не ниже второго 60% студентов на уровне обученностине ниже второго* *Образовательным организациям, направления подготовки которых удовлетворяют данному критерию, направляются сертификаты качества. 30 5.5. Результаты академической активности студентов (специальные стипендии, участие в грантах, конкурсах и т.п.) Формы поощрения лучших студентов представлены: назначением повышенной академической стипендии по 5 номинациям (учебная, научная, спортивная, общественная, творческая); участием в грантах институтов; участием в конференциях; участием в языковых стажировках и т.д.; Привести краткое описание имеющихся стипендий, в том числе именных. Сколько человек было назначено на каждую из стипендий в динамике за последние 6 лет. Стипендии студентов, обучающихся по направлению наноэлектроника Наименование стипендии 2009 Повышенная государственная академическая стипендия (по номинациям: учебная, научная, спортивная, общественная, творческая) Правительства Российской Федерации Кол-во стипендиатов по годам: 2010 2011 2012 2013 1 Стипендии Президента Российской Федерации Стипендия ректора Таблица 5.5.1. 210100 Электроника и 2014 6 9 4 1 4 4 1 1 Государственная академическая стипендия Ученого совета университета Государственная академическая стипендия Ученого совета института Стипендия Ученого совета университета за достижения в области спорта I и II степени Отмечаемые недостатки и пути их устранения. Результаты тестирования в период самообследования оказались равными 58%. показатель качества успеваемости в отчетные годы составлял от 38 до 71,21%. Выводы по разделу: проводится профориентационная работа, позволяющая привлекать к обучению абитуриентов, в большей степени заинтересованных в обучении на данном направлении, со средним баллом ЕГЭ не ниже 70 баллов; проведена оценка и анализ степени достижения результатов ООП со стороны студентов. Некоторыми студентами (в соответствии с предложенными критериями) недостигнуты отдельные результаты обучения по ООП, что в основном обусловлено малым числом студентов, участвовавших в анкетировании; защита выпускных работ квалификационных работ продемонстрировала наличие у выпускников прочных знаний и компетенций. 31 резултаты академической деятельности студентов Формы поощрения лучших студентов представлены: назначением повышенной академической стипендии по 5 номинациям (учебная, научная, спортивная, общественная, творческая); участием в грантах институтов; участием в конференциях; участием в языковых стажировках и т.д.; 32 VI. Условия, определяющие качество подготовки специалистов 6.1. Кадровый потенциал В этом подразделе необходимо проанализировать состояние кадрового обеспечения образовательного процесса по ООП. Дать оценку кадрового потенциала по циклам дисциплин (характеристика ППС по всем циклам дисциплин, анализ базового образования ППС кафедры и других кафедр, участвующих в подготовке специалистов и соответствие его профилю преподаваемых дисциплин, научно-педагогическая квалификация ППС, наличие опыта работы на производстве по профилю преподаваемой дисциплины, возрастная структура ППС. Списки преподавателей с указанием учебной нагрузки Приложение 6.1. и 6.2. Характеристика кадрового потенциала по основной образовательной программе подготовки бакалавров 210100 Электроника и наноэлектроника приведена в Приложении 6.1., которым подтверждаются требования п. 7.16. Федерального государственного образовательного стандарта высшего профессионального образования по направлению подготовки 210100 Электроника и наноэлектроника (степень «бакалавр») (утв. приказом Минобрнауки РФ от 22.12.2009 N 780). В реализации учебного процесса по направлению 210100 Электроника и наноэлектроника за отчетный период участвовало 66 преподавателей. Количество докторов наук составило _2_ (3_%), количество кандидатов наук - _33__ (_50_%), общее число остепененных преподавателей - _35__ (_53__%), преподавателей, не имеющих ученой степени - _31_ (_47_%), по дисциплинам профессионального цикла общее число остепененных преподавателей - _22_ (_33__%), привлечено не менее пяти процентов преподавателей из числа действующих руководителей и работников профильных организаций, предприятий и учреждений и творческих союзов. Базовое образование соответствует профилю преподаваемой дисциплины у 100 % преподавателей. Среди преподавателей, имеющих ученую степень, _12_ человек (_18_%) моложе 35 лет, среди докторов наук - 0 преподавателя (_0_ %) моложе 50 лет. В реализации ООП направления принимают участие _6_ представителей предприятий, организаций, специалистов-практиков (_9_%). Кадровый состав сотрудников кафедры, осуществляющих подготовку бакалавров по направлению 210100 Электроника и наноэлектроника, характеризуется следующими показателями; общее количество преподавателей – 18, докторов наук - 1 (5,6%), кандидатов наук - 14 (77,8%), неостепененных преподавателей - 3 (16,6%). В числе докторов наук - 0 (0%) моложе 50 лет, число остепененных преподавателей моложе 35 лет - 6 (33,3%), доля лиц моложе 35 лет в целом - 7 (38,9%). В преподавательской деятельности участвуют - на правах совместителей - _2_ научных сотрудника, все они имеют ученую степень кандидата наук. В целом показатели возрастного состава профессорско-преподавательского состава кафедры можно считать вполне оптимальными: больше половины преподавателей относится к возрастной группе - до 55 лет. Возрастной состав кафедры приведен в таблице 6.1.1. Таблица 6.1.1. Структура, возрастной состав ППС Институт неразрушающего контроля Ка фед ра ПМ Э Основное место Всего ППС Проф., доктор. наук Доцент, кандидат наук Без степени и звания 18 0 3 0 13 0 2 0 от 0,5 до 1 ставки менее 0,5 ставки 33 Институт неразрушающего контроля работы Всего ППС Проф., доктор. наук Доцент, кандидат наук Без степени и звания 18 3 13 2 50,7 70,6 45,8 53 7 1 0 0 5 1 2 0 8 0 6 2 36,2 0 39,6 26 2 6 8 0 2 2 2 2 4 0 2 2 43,3 71 37,2 28 45,6 70,8 42,7 35,6 Штатные ППС Средний возраст шт. ППС от 0,5 до 1 ставки менее 0,5 ставки В/в совм. Штатные ППС Средний возраст шт. ППС от 0,5 до 1 ставки менее 0,5 ставки Внешние Штатные ППС сов. Средний возраст шт. ППС Средний возраст ППС по кафедре: 6.2. Качество-учебно-методического, информационного и библиотечного обеспечения ООП Качество учебно-методического, информационного и библиотечного обеспечения ООП оценивается на основании анализа: количество экземпляров рекомендуемой учебной и учебно-методической литературы, находящейся в библиотечном фонде, по циклам дисциплин на одного студента; современность источников учебной информации по всем дисциплинам рабочего учебного плана ООП (по картам обеспеченности основной и дополнительной учебной и учебнометодической литературой дисциплин всех циклов рабочего учебного плана, современность основной учебной литературы в процентах); наличие и качество учебно-методических материалов (комплексов) разработанных преподавателями для изучения конкретной ООП (учебники и учебные пособия с грифами Минорбнауки РФ и УМО, методические разработки по сопровождению учебного процесса при теоретическом обучении, прохождении обучающимися семинарских, практических и лабораторных практикумов, по самостоятельной работе студентов, курсовым проектам и работам, проведению практик, итоговой государственной аттестации и др.); использование периодических изданий, в том числе зарубежных; уровень программно-информационного обеспечения всех видов дисциплин рабочего учебного плана (использование пакетов прикладных программ в учебном процессе, наличие электронных учебников, доступа к базе данных и др.); применение Internet-технологий. Информация о библиотечных фондах и динамике их обновления. Приложение 7.1. и 7.2. 34 Таблица 6.2. Осуществление методической деятельности по профилю реализуемой образовательной программы УГНС 210100 Количество учебников по профилю данной УГНС, выпущенных штатными преподавателям и кафедры за последние 6 лет Количество учебных пособий по профилю данной УГНС, выпущенных штатными преподавателями кафедры за последние 6 лет 0 22 Количество штатных преподавателей кафедры, закончивших курсы повышения квалификации или прошедших переподготовку по профилю данной УГНС за последние 6 лет Наличие методическо й школы 18 (за 3 нет года) Представители методической школы нет Наличие педагогической школы нет Представители педагогической школы нет Учебно-методическое обеспечение, информационное обеспечение, электроннобиблиотечные системы, лицензионные программы, договора В ТПУ функционирует электронно-библиотечная система, содержащая издания по основным изучаемым дисциплинам. Сведения об учебно-методическом обеспечении учебного процесса представлены в приложении 5.1. Материалы этой таблицы показывают, что обеспечение учебниками базовых дисциплин циклов …… (печатными и/или электронными изданиями) соответствует требованиям ФГОС………….. 6.3. Качество материально-технической базы Проводится анализ достаточности материально-технической базы для ведения образовательной деятельности по заявленным направлениям подготовки. Анализу подвергается состояние материально-технической базы по каждой реализуемой ООП и динамике ее обновления (состав, стоимость машин и оборудования, объем средств на приобретение учебного оборудования за последние 6 лет, уровень оснащенности дисциплин учебного плана лабораторной базой, уровень информатизации и обеспеченность новых технологий обучения техническими средствами (компьютеры – всего, из них используемых в учебном процессе, научной деятельности, управлении), число компьютеров, объединенных в локальные сети, имеющих выход в Internet; видеотехника, мультимедийные средства и др. Состояние учебно-лабораторного оборудования, наличие экспериментальных установок и других технических средств на кафедре. Комиссии предоставляется: Перечень учебных кабинетов, лабораторий и информация об их использовании в учебном процессе. Наличие и использование площадей зданий, используемых для организации и ведения образовательного процесса. Сведения об обеспечении образовательного процесса специальным оборудованием приведены в Приложении 8. Описание материально-технического обеспечения – описать комплектацию учебных лабораторий, аудиторий, компьютерных классов (в соответствии с Приложением 8). 35 Обеспечение образовательного процесса специальным оборудованием, компьютерами Для обеспечения организации и проведения занятий на всех формах обучения используются компьютеры (стационарные и ноутбуки) с установленным лицензионным стандартным программным обеспечением: Операционная система Windows XP, Windows 7; Офисные пакеты Microsoft Office 2003, 2007, 2010; Acrobat Reader; Cadence OrCAD 16.3. Количество компьютерного оборудования, принадлежащего кафедре и используемого в преподавании различных дисциплин направления 210100 Электроника и наноэлектроника (бакалавриат), характеризуется следующими показателями: Компьютеры: системные блоки + мониторы - 46 ед. Ноутбуки - 2 ед. презентационные мобильные комплексы - 2 ед. В целом учебно-методическое обеспечение учебного процесса находится на достаточно высоком уровне. 36 VII. Качество результатов научно-исследовательской и научно-методической деятельности 7.1. Научно-исследовательская деятельность В этом разделе необходимо указать: состояние и динамику развития основных научных направлений на кафедре в целом, их соответствие профилю подготовки специалистов и опыт использования в учебном процессе; наличие научных школ на кафедре и эффективность их работы; объем выполняемых госбюджетных, хоздоговорных научно-исследовательских работ (по годам за последние 6 лет); проведение научно-методических конференций, участие в международных, федеральных, региональных выставках: результаты научно-исследовательской деятельности (по годам за последние 6 лет) количество работ по Грантам и другим целевым программам; число монографий; процент участия в НИР ППС кафедры, обучающихся студентов; участие ППС и студентов в работе научно-технических, научно-методических конференций различных уровней; количество публикаций результатов научной деятельности, в т.ч. со студентами; число статей в реферативных изданиях; число докладов на конференциях; количество и наименование изданий научной литературы; подготовка кадров высшей квалификации; эффективность работы аспирантуры и докторантуры (число защит по годам за 6 лет); организация и результаты научно-методической работы (количество публикаций по проблемам организации и методикам образовательной деятельности); о результатах сотрудничества с промышленными предприятиями по реализации инновационных проектов в рамках международных фондов и программ; об основных итогах зарубежных командировок сотрудников кафедры и приема иностранцев на кафедре: основные результаты, перспективы и предложения по развитию международной кооперации. Кроме того, в данном подразделе отражается информация о научных разработках, получивших патенты и свидетельства об официальной регистрации программных продуктов. Сведения по научно-исследовательским работам, выполненным кафедрой за последние 6 лет На кафедре разрабатываются несколько научных направлений. В целом для кафедры характерно комплексное проведение научных исследований, участие специалистов разных направлений в научных исследованиях разной тематики. В данном отчете приведены сведения по научно-исследовательской работе кафедры. Таблица 7.1. Сведения по научно-исследовательским работам, выполненным за последние 6 лет № Год Руководитель Название темы Вид 37 Источник Объем Научно-исслед. исследований 1. 2014 2016 Евтушенко Геннадий Сергеевич 2. 2014 2016 Евтушенко Геннадий Сергеевич 3. 2012 -2013 Евтушенко Геннадий Сергеевич 4. 2013 Евтушенко Геннадий Сергеевич 5. 2013 Свиридов Виталий Владимирович 6. 2012 -2013 Губарев Федор Александрович 7. 2012 Аристов Александр Александрович 8. 2012 Тригуб Максим Викторович 9. 2011 Тригуб Максим Викторович 10. 2011 Фокин Александр Васильевич Скоростные усилители яркости на переходах в парах металлов (мал. гр.) Разработка методов неразрушающего контроля и диагностики быстропротекающих процессов в условиях мощной фоновой засветки Аппаратно-программный комплекс на основе лазерного монитора для неразрушающего контроля и диагностики Научный проект по организации III Всероссийской научнопрактической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых "Электронные приборы, системы и технологии" Разработка и создание источника питания постоянного тока для электродуговой плазменной установки. Скоростные лазерные мониторы для неразрушающего контроля изделий и диагностики быстропротекающих процессов Биотехническая система экспресс-оценки гематологических и иммунных показателей организма с использованием микрообъемных проб (мер.1.2.2) Научный проект: " Лазерный монитор в задачах диагностики быстропротекающих процессов " для представления на научном симпозиуме «Лазеры на парах металлов» (ЛПМ-2012) Оптимизация параметров высокоскоростного лазерного монитора и исследование их влияния на качественные характеристики получаемого изображения Разработка программноаппаратного комплекса оценки состояния функций головного мозга человека методом финан. финан. (тыс. р.) программа, в рамках которой выполняется тема НИР РНФ 8 000 5.1390.С.2014 НИР Гос. задание 5 700 (2014 год – 1,9) 5.1307.2014 НИР Базовая часть. Госзадание «Наука» 6600 5.47..2012 Организация конференции РФФИ 200 5.1142.С.2013 НИР Х/д 1000 5-111/13 НИР Грант Президента РФ 1800 5.795..2012 НИР ГК ФЦП «Кадры» 2500 1.360.С.2010 Участие в конференции РФФИ 14,449 5.1081.С.2012 НИР Грант № 119/10 200 У.М.Н.И.К. НИР Грант № 45-26/2010 200 У.М.Н.И.К. 38 11. 2011 Киселева Екатерина Юрьевна 12. 2011 Солдатов Алексей Иванович 13. 2011 Кожемяк Олеся Анатольевна 14. 2011 Пестунов Дмитрий Александрович 2010 15. 2011 Солдатов Алексей Иванович 16. 2010 -2011 2009 17. 2011 18. 20102012 2010 19. 2011 Шульгина Юлия Викторовна электроимпедансной томографии, основанной на зондировании исследуемого объекта слабым электрическим током... Разработка программноаппаратного комплекса для неинвазивной оценки состояния плода на основе анализа интервалометрических характеристик фетального сердечного ритма, а также разработка модели гемодинамики... Исследование возможностей подземной газификации горючих сланцев «Электронное приборостроение, системы и технологии» Контроль и диагностика программных и аппаратных модулей в автоматизированных управляющих системах. «Создание международной научнообразовательной лаборатории неразрушающего контроля» Разработка акустического скважинного глубиномера нового поколения для измерения глубины скважин на предприятиях горнодобывающей промышленности НИР Грант № 613/10 200 У.М.Н.И.К. НИР Х/д 600 Контракт 14332/2010 Организация и проведение Всероссийской научнопрактической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых Грант РФФИ 1108-01702э_г. 250 У.М.Н.И.К. НИР Грант 210 Межвузовский конкурс исследовательских проектов НИР Грант 20000 ГК 5.621С- 2010 Грант правительства РФ НИР Грант№911/2010 400 У.М.Н.И.К. Солдатов Алексей Иванович «Электронная компонентная база на основе многомерной однократно- и перепрограммируемой коммутационной среды» НИР Грант ГК 3500 Аристов Александр Александрович «Биотехническая система экспресс оценки гематологических и иммунных параметров организма» НИР Грант ГК 2500 Аристов Александр Александрович Разработка макета программно-аппаратного комплекса НИР Грант №79/09 400 39 1.423С-2009 Грант ФЦП «Научные и научнопедагогические кадры инновационной России» на 20092013 годы 1.360С-2010 Грант ФЦП «Научные и научнопедагогические кадры инновационной России» на 20092013 годы У.М.Н.И.К. 2010 20. 2011 Торгаев Станислав Николаевич 21. 2010 Солдатов Алексей Иванович 22. 2010 Киселева Екатерина Юрьевна 2010 23. 2011 Нам Ирина Феликсовна 24. 2010 Фокин Александр Васильевич 25. 2010 Тригуб Максим Викторович 2009 26. 2011 Евтушенко Геннадий Сергеевич фотометрического исследования биожидкостей на основе оценки рассеивания оптического излучения биофизических процессов... Разработка программноаппаратного комплекса для ультразвукового обеззараживания молока проточного типа, работающего в режиме автоматической подстройки частоты резонанса Исследование возможностей и создание системы дистанционного измерения электрофизических параметров импульсных электроразрядных установок (шифр «Светолечение-ТПУ-2») Разработка программноаппаратного комплекса для неинвазивной оценки состояния плода на основе анализа интервалометрических характеристик фетального сердечного ритма, а также разработка модели гемодинамики... Разработка блока детектирования на основе полупроводниковых детекторов для малодозовых маммографических аппаратов Разработка программноаппаратного комплекса оценки состояния функций головного мозга человека методом электроимпедансной томографии, основанной на зондировании исследуемого объекта слабым электрическим током... Оптимизация параметров высокоскоростного лазерного монитора и исследование их влияния на качественные характеристики получаемого изображения Активные среды на парах галогенидов металлов, для создания скоростных лазерных мониторов НИР Грант №94/2010 453 У.М.Н.И.К. НИР Х/д 600 Контракт 14-300/10 НИР Грант № 613/10 200 У.М.Н.И.К. НИР Грант№3 400 У.М.Н.И.К. НИР Грант№ 4526/2010 200 У.М.Н.И.К. НИР Грант № 119/10 200 У.М.Н.И.К. ГК АВЦПф 2 423,6 1.314..2009 40 В приведенной ниже таблице суммированы общие показатели исследовательской работы за период с 2009 по 2014 г. (таблица 7.2.). научно- Таблица 7.2. Показатели научно-исследовательской работы кафедры за 2009 - 2014 гг. 2009 0 2010 0 2011 0 2012 0 2013 0 2014 0 Итого 0 Учебные пособия 2 2 5 5 5 4 23 Монографии 0 2 3 5 1 1 12 0,1 0,1 1 1 4 2 6,3 36 49 53 67 89 79 371 62 60 115 110 139 159 645 57 35 65 64 84 52 357 5 12 42 34 48 72 213 0 13 8 12 7 32 72 Учебники Сборники Статьи в рецензируемых журналах Тезисы Участие в международных конференциях Участие в всероссийских конференциях Участие в региональных конференциях Таблица 7.2.1 1 2 Физика, техник а примене ния импульс ных лазеров, рук-ль проф. Евтуше нко Г.С. Инфор мацион ные технол огии в биомед ицине, рук-ль проф. Пеккер Я.С. Ш ко ла Т П У 20 09 Фок ин А.В. , Ари сто в А.А. , Кис елев а 1 (Глущук С.Ф.) 6 (Торгаев С.Н., Тригуб М.В., Жданов Д.С., Нам И.Ф., Пестунов Д.А., Кушик Н.Г.) 3 (Фокин А.В., Киселева Е.Ю., Толмачев И.В.) 11 50% 25% 2-3 2 25% 25% 5 41 Кол-во международных и (или) всероссийских научных и (или) научно-практических конференций в течение 6 лет 3 (Кабано в А.М., Романо вский О.А., Панина Е.К.) Кол-во свидетельств о регистрации объекта интеллектуальной собственности, выданных за последние 6 лет Губ арев Ф.А. , Торг аев С.Н. , Триг уб М.В. Кол-во патентов, полученных на разработки за последние 6 лет : российских, зарубежных кандидат ских Кол-во изданных и принятых к публикации статей в изданиях, рекомендованных ВАК для публикации научных работ за последние 6 лет докторс ких Кол-во изданных монографий по данному направлению за последние 6 лет Кол-во защищенных диссертаций основного научнопедагогического персонала ТПУ по данному научному направлению за последние 6 лет Ведущие ученые в данной области Код Название научного направления (научной школы) № п/п Основные научные направления (научные школы) на кафедре 3 Е.Ю ., Тол мач ев И.В. , Бра зовс кий К.С. Сор оки н П.В. , Мак аров В.С. , Мар тем ьяно в С.М ., Сол дат ов А.А. Акусти ческая локация с цифров ой обрабо ткой эхосигнало ви микроп роцессо рные систем ы управле ния сложны х объект ов в технике и медици не, рукль профес сор Солдат ов А.И. 1 (Солда тов А.И.) 3 (Сорокин П.В., Солдатов А.А, Мазур В.Г..) 1 25% 50% 2? Таблица 7.3 3 1 4 42 1 1 1 2 2 1 договор заочная Бюджет договор бюджет договор Очная Кол-во соискателей Четвертого года заочная бюджет договор бюджет договор очная 1 3 8 заочная бюджет договор очная бюджет 05.09.12 1 договор 3. 4 заочная бюджет 05.11.17 11 договор 2. Приборы и методы контроля природной среды, веществ, материалов и изделий Приборы, системы и изделия медицинского назначения Силовая электроника очная бюджет 05.11.13 Всего по специальности Код специальности 1. Кол-во аспирантов Второго года Третьего года Первого года Наименование специальности № п/п Сведения по аспирантуре Таблица 7.4 Эффективность работы аспирантуры Год Кол-во окончивших аспирантуру Из них кол-во защитившихся в срок до одного года после завершения обучения Кол-во защитившихся в срок свыше одного года, но до двух лет после завершения обучения 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2 1 2 8 7 3 1 0 1 1 4 2 1 1 1 1 0 1 Таблица 7.5 Сведения по докторантуре № п/п Код специальн ости Наименование специальности Кол-во докторантов 05.11.13 Приборы и методы контроля природной среды, веществ, материалов и изделий 1 1. Кол-во защищенных докторских диссертаций по годам 2009 2010 2011 2012 2013 2014 0 0 1 0 0 0 Реквизиты приказа об открытии докторантуры (номер, дата выдачи, дата окончания срока действия) Пр№41 от 30.12.1992 Таблица 7.6 Сведения о монографиях, изданных за последние 6 лет № Год Автор(ы) Название работы 1. 2010 Гейнц Ю. Э. , Землянов А. А. , Кабанов А. М. , Матвиенко Г. Г. Нелинейная фемтосекундная оптика атмосферы / Под общей редакцией д. ф-м. н., профессора А.А. Землянова Фемтосекундная атмосферная оптика/под общ. ред. С.Н.Багаева, Г.Г.Матвиенко 2. 2010 3. 2011 4. 2011 5. 6. 7. 8. 9. 2011 2012 2012 2012 2012 10. 2012 11. 2013 12. 2014 Апексимов Д. В. , Багаев С. Н. , Гейнц Ю. Э. , Землянов А. А. , Кабанов А. М. Солдатов А. И. , Сорокин П. В. , Макаров В. С. Батенин В. М. , Бохан П. А. , Бучанов В. В. , Евтушенко Г. С. , Казарян М. А. , Карпухин В. Т. , Климовский И. И. , Маликов М. М. Бойченко А. М. , Ломаев М. И. , Панченко А. Н. , Соснин Э. А. , Тарасенко В. Ф. Lipatov E. I. , Lisitsyn V. M. , Oleshko V. I. , Polisadova E. F. , Tarasenko V. F. , Baksht E. K Жданеев О. В. Tarasenko V. F. , Lisitsyn V. M. , Polisadova E. F. , Valiev D. T. , Burachenko A. G. , Baksht E. K. Губарев Ф. А. , Евтушенко Г. С. Евтушенко Г. С. , Шиянов Д. В. , Губарев Ф. А. Автаева С. В. , Жданова О. С. , Пикулев А. А. , Соснин Э. А. , Тарасенко В. Ф. Торгаев С. Н. , Евтушенко Г. С. , Бойченко А. М. Тираж Приборы контроля на основе акустических волноводов Лазеры на самоограниченных переходах атомов металлов - 2. В 2т. Ультрафиолетовые и вакуумноультрафиолетовые эксилампы: физика, техника и применение Pulsed Cathodoluminescence of Natural and Synthetic Diamonds Excited by Nanosecond and Subnanosecond Electron Beams // Cathodoluminescence Моделирование процессов в лазерах на парах меди с модифицированной кинетикой Luminescence of the Calcite under E-Beam Excitation // Calcite: Formation, Properties and Applications Лазеры на парах галогенидов металлов с накачкой емкостным разрядом Лазеры на парах металлов с высокими частотами следования импульсов. 2-е изд. Новые направления в научных исследованиях и применение эксиламп Кинетика активной среды лазера на парах бромида меди 43 Объем, п.л. Издатель 250 212 Томск : Издательство ИОА СО РАН 300 238 Новосибирск : СО РАН 500 124 Томск: Изд. ТПУ 300 616 Москва : Физматлит 100 512 Томск : STT 100 324 Rijeka : InTech 100 252 Saarbrucken : LAP LAMBERT Academic Publishing GmbH & Co. KG 100 319 New York : Nova Science Publishers, Inc. 100 180 Германия : LAP LAMBERT Academic Publishing 500 276 Томск: Изд. ТПУ 300 246 Томск : STT 100 169 Saarbrucken : LAP LAMBERT Academic Publishing GmbH & Co. KG *Работа выполнена штатными преподавателями НИР студентов (организационные формы, процент вовлеченности студентов в НИР кафедры и их результаты), основные научные направления (научные школы) кафедры Участие студентов в научно-исследовательской работе проявляется в различных формах: 1. Исследования студентов для подготовки курсовых и выпускных квалификационных работ входят в состав тематики научной работы кафедры (в том числе и инициативных тем), а результаты этих исследований поступают в «копилку» кафедры, таким образом, в этой формы работы участвуют все студенты 3-4 курсов. 2. Участие студентов в проведении хоздоговорных и/или грантовых исследований характеризовалось следующими показателями (таблица 7.7.): Таблица 7.7 Год 2014 2014 2014 2013 2013 Название хоздоговора или гранта Индивидуальный грант по программе «У.М.Н.И.К.» Грант РНФ, тема «Скоростные усилители яркости на переходах в парах металлов» 5.1390.С.2014 двое студентов кафедры имели индивидуальные гранты по программе «У.М.Н.И.К.» Грант ТПУ на мобильность молодых ученых Грант РФФИ № 13-08-06810 (мол_г), «Научный проект по организации III Всероссийской научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Электронные приборы, системы и технологии» 2013 пятеро студентов и молодых ученых кафедры имели индивидуальные гранты по программе «У.М.Н.И.К.» 2012 пятеро студентов и молодых ученых кафедры имели индивидуальные гранты по программе «У.М.Н.И.К.» 2011 2011 2010 2009 двое студентов кафедры имели индивидуальные гранты по программе «У.М.Н.И.К.» Грант РФФИ: (№11-08-01702-э_г) Организация и проведение Всероссийской научно-практической конференции «Электронные приборы, системы и технологии». двое студентов кафедры выиграли индивидуальные гранты по программе «У.М.Н.И.К.» г\б 1.314.2009 ФИО студентов Тимченко К.А. Федоров К.В., Мусоров И.С., Чертихина Д.С. Блынский Ф.Ю., Двуреченская М.Г. Губарев Ф.А. Кожемяк О.А. Торгаев С.Н., Мартемьянов С.М., Блынский Ф.Ю., Двуреченская М.Г., Селезнев А.И. Торгаев С.Н., Шульгина Ю.В., Дерусова Д.А., Мартемьянов С.М., Блынский Ф.Ю. Дерусова Д.А, Шульгина Ю.В. Кожемяк О.А. Дерусова Д.А, Шульгина Ю.В. Тригуб М.В., Селезнев А.И., Чиглинцева Ю.В, Мартемьянов С.М., Буй Ван Донг, Фадеев И.С., Ковальский С.С., Васильев А.С., Шестаков С.А., Бейков М.В. 3. Участие студентов в научных студенческих конференциях может быть охарактеризовано следующим образом ……. 4. Участие студентов в научных конференциях российского уровня (таблица 7.8.): 44 Таблица 7.8. Год 2014 2014 2014 2014 2014 2014 2013 2013 Название конференции, место проведения, сроки проведения II Российская с международным участием научнопрактическая конференция: «Лингвистика и межкультурная коммуникация: теоретические и методологические проблемы современного образования» с участием студентов, аспирантов и молодых ученых, Томск 14-16 мая 2014 II Всероссийский форум школьников, студентов, аспирантов и молодых ученых с международным участием «Космическое приборостроение»: Томск, 1012 Апреля 2014 V Всероссийская научно-практическая конференция студентов, аспирантов и молодых ученых «Неразрушающий контроль: электронное приборостроение, технологии, безопасность", Томск, 26-30 Мая 2014 XI Международная конференция студентов и молодых ученых «Перспективы развития фундаментальных наук»: Томск, 22-25 Апреля 2014 Х Российская конференция с международным участием «Новые информационные технологии в исследовании сложных структур»: Катунь, 9-11 Июня 2014. Симпозиум «Лазеры на парах металлов (ЛПМ - 2014)»: Верхнее Лоо, 22-26 Сентября 2014. - Ростов-на-Дону: ЮФУ Научная конференция, посвященная 25-летию кафедры медицинской и биологической кибернетики «Медицинская кибернетика и междисциплинарная подготовка специалистов для медицины»: Томск, 14-15 Ноября 2013 IV Всероссийская конференция студентов Элитного технического образования «Ресурсоэффективным технологиям - энергию и энтузиазм молодых»:, Томск, 45 ФИО студентов Блынский Ф.Ю., Тимофеев В.Ю., Красильникова Ю.Д., Шутова Е.С., Топоев А.Б., Пожидаева И.А., Сагалакова К.А. ,Генке Е.А., Kozhevnikov D. S. , Timkina K. V. Gornykh E. P. Бадмацыренов Б. Б., Бай Я., Барило А. Е., Безносов А. А., Бикбулатов А. С., Блынский Ф. Ю., Гончарова Н. А., Ван Я. -., Васильев И. М., Воюш Н. Н., Гагарина (Хоменко) С. О., Гатауллин А. А., Горбачёва А. С., Дашинимаева Е.З., Демидов С. С., Дегтярев А. Е., Дмитирев Д.В., Дорошенко И. В., Евдокимов Д. Е., Жирков А. В., Иванова А. А., Иващенко В. Е., Идимешева Н. Н., Казазаев Е.Ф., Китаева Н. М., Краева (Васиченко) Н. Н., Красноцветов В. Е., Кутергина Е. С., Лашук А. С., Литвинов О. Г., Мельников П. А., Мурзина С. С., Мусоров И. С. , Обач И. И., Ованенко К.Г., Пасько В. А., Петров А.Д., Потапенко А.А., Путин И.В., Солдатова М. А. , Спиридонова А. К., Такачакова А. К., Тимофеев В. Ю., Тимченко К.А., Комюстюрова А.С., Цверова А.С., Фролов М. С., Ходыревская Ю. И., Царёва Т. В., Чертихина Д. С. , Мусоров И. С., Штайнбрехер А. А. Gornykh E. P. Кожевников Д. С., Кулагин А. Е., Дашинимаева Е. З., Власов В.В., Дегтярев А. Е., Тимченко К. А., Кулагин А. Е., Федоров К. В. , Чертихина Д. С. , Мусоров И. С. Блынский Ф. Ю. Волков А.В., Старшинов В. С., Кулагин А. Е., Шаклунов А.А., Отто Е. О. , Фатькина Н. С. 2013 2013 2013 24-27 Апреля 2013. II Региональная студенческая научная конференция «Наука и молодежь в XXI веке»: Омск, 13-15 Ноября 2013. - Омск Всероссийская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых ученых. Томск, 15-17 Мая 2013 IX Международная научно-практическая конференция «Электронные средства и системы управления»: Томск, 30-31 Октября 2013 2013 II Всероссийская научно-практическая конференция студентов, аспирантов и молодых ученых «Неразрушающий контроль: электронное приборостроение, технологии, безопасность» 2013 III Всероссийская научно-практическая конференция студентов, аспирантов и молодых ученых «Электронные приборы, системы и технологии» 2012 II Всероссийская научно-практическая конференция студентов, аспирантов и молодых ученых «Неразрушающий контроль: электронное приборостроение, технологии, безопасность» 2012 II Всероссийская научно-практическая конференция студентов, аспирантов и молодых ученых «Электронные приборы, системы и технологии» 2011 I Всероссийская научно-практическая конференция студентов, аспирантов и молодых ученых «Электронные приборы, системы и технологии» 46 Волков А.В. Бейков М.В. , Королёв А.В. Чертихина Д.С. Солдатова М.А. , Сурненко Е.,Чинь Ван Бак Милгадаев А.М., Белик Д.А., Власов В.В., Гусев И.В., Дашинимаева Е.З., Дерусова Д.А., Карюгин К.Л., Карюгин Д.Л., Кожевников Д.С., Нужный Е.А., Петухов Т.Д., Порохов Е.С., Слободчиков Р.С., Соловьев Р.И., Сухарников К.В., Тимкина К.В., Хохлова Л.А., Цаер Л.А., Кайгородов П.А., Малахов А.С., Волков А.В., Поляков К.Ю. Белик Д.А., Блынский Ф.Ю., Васильев И.М., Власов В.В., Волков А.В., Дашинимаева Е.З., Дерусова Д.А., Дьякина М.Е., Игнатовский В.В., Кайгородов П.А., Карюгин К.Л., Королёв А.В., Красников И.В., Лагутин Н.Н., Малахов А.С., Мальцева Н.А., Порохов Е.С., Рябушкин А.П., Соловьев Р.И., Сухарников К.В., Тимченко К.А. Зыков С. В., Мельников П. А., Смолин И. К. Соловьев Р. И., Такачакова А. К., Бухаркин А. А., Дашинимаева Е. З., Дорошенко И. В., Красников И. В., Лю Д. С., Рогожин К. В. Blynsky F. Y., Dvurechenskaya M. G., Khokhlova L. A., Kutergina E. S., Surnenko E. A., Timkina K. V., Горбачев Д. А., Малышкина Е. Г., Потапенко А. А., Файбусович А. С., Шушеначев А. Ю., Dashinimaeva E. Z., Сухарников К. В. Зенкина Е.В., Иващенко В.Е., Кайгородов П.А., Карюгин К.Л., Кондрашов Д.А., Коробова А.А., Королёв А.В., Лагутин Н.К., Малахов А.С., Мальцева Н.А., Мельников П.А., Резниченко И.А., Сахарина Я.В., Соловьев Р.И., Солошенко И.С., Сурненко Е.А., Тимкина К.В., Тургунова Н.Д., Файбусович А.С., Федоров К.В., Хохлова Л.А., Шкуратов А.В., Шушеначев А.Ю., Нехорошев В.О. 5. Участие студентов в научных конференциях международного уровня (таблица 7.9.): Таблица 7.9. Год 2014 Название конференции, место проведения, сроки проведения VIII Международная научно-техническая конференция «Современные проблемы машиностроения», Томск, ТПУ, октябрь 2014 2014 15th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM2014): proceedings, Алтай, 30 June-4 July 2014. – Novosibirsk: NSTU 2014 XX Международная научно-практическая конференция студентов, аспирантов и молодых ученых «Современные техника и технологии»: Томск, 14-18 Апреля 2014 2014 2013 2013 2013 2013 2013 2013 2012 2012 Международная научно­практическая конференция «Актуальные проблемы гуманитарных и социальных наук»: Санкт-Петербург, 3 Февраля 2014. Международная научно-практическая конференция «Актуальные вопросы обучения иностранным языкам в вузах неязыкового профиля»: Minsk, November 22, 2013 XI Международная научно-практическая конференция студентов, аспирантов и молодых ученых «Молодежь и современные информационные технологии»: Томск, 1316 Ноября 2013 IX Международная научно-практическая конференция. Электронные средства и системы управления: Томск, 30-31 Октября 2013 11-th Russian-Chinese Symposium on Laser Physics and Laser Technologies, Томск, 9-13 Мая 2013 Международная конференция школьников, студентов, аспирантов, молодых ученых «Ресурсоэффективные системы в управлении и контроле»: взгляд в будущее: Томск, 8-12 Октября 2013 XIX Международная научно-практическая конференция студентов и молодых ученых «Современные техника и технологии» (СТТ-2013) X Международная конференция «Импульсные лазеры на переходах атомов и молекул» XVIII Международная научно-практическая конференция студентов и молодых ученых «Современные техника и технологии» (СТТ-2012) 47 ФИО студентов Chertikhina D. S. , Musorov I. S., Блынский Ф.Ю. Chertikhina D. S. , Musorov I. S. , Dashinimaeva E. Z., Degtyaryov A. E., Fedorov K. V. , Kulagin A. E. , Timchenko K. A. , Musorov I. S. Адиева Ю. Р., Бикбулатов А. С., Буй В. -., Волков А.В., Дорошенко И. В., Иванова А. А., Кожевников Д. С., Кулагин А. Е., Литвинова С. А. , Мусоров И. С. , Горбачёва А. С. , Ходыревская Ю. И., Арсланова А.Р. Арсланова А.Р., Мусоров И. С. Бахарев Д. В., Кочеткова Е. А. , Вусик А. Ю. Блынский Ф. Ю. Чертихина Д. С., Шаклунов А. А. Дашинимаева Е.З. Жогло Е. В. , Двуреченская М. Г., Блынский Ф. Ю.Федоров К. В. Файбусович А. С. Солошенко И. С. Рогожин К. В. Педина (Петренко) А. Б. Красников И. В., В., Lyu D. S., Djyakina M. E., Degtyaryov A. E. , Komarov S. E, Dashinimaeva E. Z., Хохлова Л. А. , Иванова Л. Ю., Тимкина К. В., Иванова А. А., Федоров К. В. Васильев А.С., Федоров К. В. Файбусович А. С. Солошенко И. С. Рогожин К. В. Педина 2011 XVII Международная научно-практическая конференция студентов и молодых ученых «Современные техника и технологии» (СТТ-2011) 2010 XVI Международная научно-практическая конференция студентов и молодых ученых «Современные техника и технологии» (СТТ-2010) 2009 XV Международная научно-практическая конференция студентов и молодых ученых «Современные техника и технологии» (СТТ-2009) (Петренко) А. Б. Красников И. В., Ефтеев Г. А., Гайдышева Е. В., Lyu D. S., Djyakina M. E., Degtyaryov A. E. , Komarov S. E, Dashinimaeva E. Z., Щёголев Ю. А. , Шамрин А. М., Шрейбер Д. А. , Назырова З. А. , Мороков И. А., Шинкаренко (Зенкина) Е. В. , Зенкин С. П., Щёголев Ю. А., Хохлова Л. А. , Иванова Л. Ю., Тимкина К. В., Иванова А. А., Жогло Е. В. , Рафальский А. С. , Двуреченская М. Г., Воробьев В. А., Блынский Ф. Ю. Белоусов В.О., Васильев А.С., Федоров К. В., Гайдышева Е. В., Добриков А.И., Жогло Е.В., Зыков С.В., Красников И. В., Кривенок Е.А., Маканков М.В., Педина А.Б., Солошенко И.С., Рябушкин А.П., Ткаченко И.Ю., Ткаченко Н.Ю., Шушеначев А.Ю. Юрченков В.А., Жогло Е.В., Петренко А.Б., Ткаченко Н.Ю., Ткаченко И.Ю., Белоусов В.О., Дичев Н.В., Астахова Н.В., Скорик Д.А., Маркелова Е.П., Камартдинова А.Р., Валекжанин П.С., Андрющенко О.И. Бейков М.В., Васильев А.С. Мартемьянов С.М., Упадышев Д.П., Юрченков В.А., Бредер О.В., Прусов Е.П., Левитова Д.И., Москвич М.А., Нтуен Тхи Ань Дуонг, Петренко А.Б., Ситашкевич А.Н., Сербина А.В., Шиховцева С.Б., Маркелова Е.П., Камартдинова А.Р., Валекжанин П.С., Журавлев М.В., Калимулин Р.М., Шестаков С.А., Селезненв А.И., Попова Е.В. 6. Показатели публикации студенческих научно-исследовательских работ: в данном разделе для иллюстрации интенсивности этой формы работы приведены сведения о публикациях научных работ студентов за период 2009 – 2014 гг. (таблица 7.10.): Таблица 7.10. опубликовано работ студентов за период 2009-2014 гг. 2009 2010 2011 2012 2013 2014 46 68 149 43 96 112 Подводя общий итог характеристике участия студентов в научноисследовательской работе, можно отметить, что показатели участия этой категории студентов в научной работе …………. Основными направлениями научно-исследовательской работы кафедры: 1. Промышленная и медицинская электроника 48 2. Акустическая локация с цифровой обработкой эхо-сигналов микропроцессорные систему управления сложных объектов 3. Высокоэффективные преобразователи электрической энергии 4. Физика, техника и применение импульсных газовых лазеров 49 и VIII. Востребованность и трудоустройство выпускников Наличие служб развития карьеры, ответственных за мониторинг трудоустройства выпускников Проводится анализ по следующим позициям: доля выпускников, трудоустроившихся по заявкам организаций и предприятий; целевая бюджетная/контрактная подготовка; востребованность выпускников, их профессиональное продвижение; отзывы работодателей; наличие рекламаций на подготовку выпускников и информации регионального отделения службы занятости о стоящих на учете выпускниках данного направления (специальности) подготовки; формы взаимодействия и интеграции с предприятиями (организациями) в реализации образовательного процесса; реализация практической подготовки студентов, организация всех видов практик: o состояние баз практик, наличие договоров с предприятиями, учреждениями и организациями; o использование собственной базы для организации практик (учебные мастерские, лаборатории и т.д.); o виды контроля прохождения практик (отчеты, характеристики студентов); o использование современных информационных технологий в процессе проведения практики. Анализ эффективности взаимодействия с работодателями по ООП согласно Приложению 9. Одним из ключевых факторов, обеспечивающих конкурентоспособность молодого специалиста на рынке труда, является существующая в ТПУ система содействия трудоустройству выпускников, одним из компонентов которой является Центр содействия трудоустройству и развитию карьеры (ЦСТК) ИСПК. Центр содействия трудоустройству и развитию карьеры ИСПК создан приказом ректора от 06.08.2014г. № 79/од путем реорганизации отдела организации практик и трудоустройства, который был создан приказом ректора № 4/од от 13.02.2009 г.. Центр содействия трудоустройству и развитию карьеры ИСПК на основании маркетинговых исследований рынка труда, мониторинга востребованности выпускников ТПУ и удовлетворенности работодателей уровнем их подготовки осуществляет следующие виды работ: устанавливает связи с потенциальными работодателями, осуществляет заключение договоров на практики и стажировки (в том числе с возможностью последующего трудоустройства) с организациями по направлениям подготовки вуза (ежегодно заключается более 2000 догов оров на практики и трудоустройство); привлекает работодателей к участию в учебном процессе и научно исследовательских работах с участием студентов (проведение на базе научных и научно-производственных учреждений учебных занятий; участие в проведении занятий специалистов научных и научно производственных учреждений); в защите выпускных квалификационных работ; 50 организует временную занятость студентов, ежегодно 3000 - 3500 студентов работает в студенческих строительных отрядах, на предприятиях - местах прохождения практик; организует проведение мероприятий, направленных на содействие трудоустройству (Дни карьеры, ярмарки вакансий; презентации работодателей; конференции, форумы, круглые столы по вопросам развития молодежного рынка труда и взаимодействия с работодателями); реализует систему адаптации выпускников к рынку труда через проведение тренингов, обучение студентов технике ведения собеседования при найме на работу, составлению резюме на спецкурсах и занятиях по курсу «Введение в инженерную деятельность»; оказывает содействие в трудоустройстве студентам -выпускникам ТПУ, организуя персональное рассмотрение трудоустройства студентов (распределение); аккумулирует данные о вакансиях по направлениям подготовки в вузе и размещает банк данных на сайте ЦСТК; осуществляет взаимодействие со студенческой аудиторией через электронные средства коммуникации (корпоративный портал, личный кабинет студентов, социальные сети, мобильные сети и т.д.), расширяя возможности молодых специалистов в сфере планирован ия и развития карьеры, профессиональной и социальной адаптации молодых специалистов. Сведения о результатах трудоустройства выпускников представлены в таблице 7.12. Данные этой таблицы показывают, что в период 2009 – 2014 г.г. …. Наличие отзывов работодателей о качестве подготовки выпускников Отзывы о качестве подготовки выпускников по ООП: работодатели дают высокую оценку уровню подготовленности выпускников, их квалификации и профессиональным качествам. Такие отзывы представлены: ОАО «НПЦ «Полюс»; Институт оптики атмосферы СО РАН. Наличие рекламаций на подготовку выпускников Рекламаций на подготовку реализации ООП не поступало. выпускников университета по ООП за все время Количество договоров и соглашений о стратегическом партнерстве с потенциальными работодателями Виды взаимодействия с потенциальными работодателями Сотрудничество с предприятиями и организациями, выступающими в качестве потенциальных работодателей для студентов и выпускников подразделения, представлено в Таблицах 7.11.-7.12.: 51 Таблица 7.11. Перечень основных предприятий, с которыми имеются договора на подготовку выпускников и распределение специалистов № п/п 1. 2. Наименование вида практики в соответствии с учебным планом Место проведения практики (наименование предприятия/ организации) Реквизиты и сроки действия договоров (номер документа; организация, с которой заключен договор; дата документа; дата окончания срока действия) Учебная Производственная Кафедра ПМЭ ИНК ТПУ Кафедра ЭАФУ ФТИ ТПУ, г.Томск ОАО «НПЦ «Полюс», г.Томск с 07.07.14 по 26.07.14г. с 07.07.14 по 26.07.14г. ООО "Центр по развитию и внедрению инновационных технологий", г.Улан-Удэ № 557-1/пп от 11.04.14 с 07.07.14 по 08.08.14г. ФГУП «Российская телевизионная и радиовещательная сеть», Томская обл., пос. Александровское № 414-1/пп от 28.02.14 с 07.07.14 по 08.08.14г. ОАО «НПЦ «Полюс», г.Томск ФГБУ ИОА им. В.Е. Зуева СО РАН, г.Томск № 900-1/пп от 16.05.14 с 07.07.14 по 08.08.14г. № 802-1/пп от 13.05.14 с 07.07.14 по 08.08.14г. ГБУЗ Городская клиническая больница скорой медицинской помощи им.В.В. Ангапова, г.Улан-Удэ ФГУП «РФЯЦ-ВНИИТФ им.академика Е.И.Забабахина», г.Снежинск Филиал ООО «Кузбасская энергосетевая компания», Кемеровская область, районный посёлок Тяжинский ООО «РИПС+», г.Томск ОАО «Югпроммонтаж», г. Новокузнецк ОАО «Сибнефтепровод» филиал Нижневартовское УМН, г.Нижневартовск Инвестиционно-строительная компания «Чыонгфат», г.Ханой, Вьетнам № 738-1/пп от 06.05.14 с 07.07.14 по 08.08.14г. № 907-1/пп от 16.05.14 с 07.07.14 по 08.08.14г. № 550-1/пп от 10.04.14 с 07.07.14 по 08.08.14г. № 514-1/пп от 02.04.14 с 07.07.14 по 08.08.14г. № 906-1/пп от 16.05.14 с 07.07.14 по 08.08.14г. № 911-1/пп от 19.05.14 с 07.07.14 по 08.08.14г. № 781-1/пп от 12.05.14 с 07.07.14 по 08.08.14г. Письмо-согласие от с 07.07.14 по 08.08.14г. Таблица 7.12 Выпуск и трудоустройство по ООП Код и наименование направления подготовки (специальности) – бакалавриат, специалитет, магистратура Код Наименование направления подготовки (специальности) Выпуск Очная форма обучения Очно-заочная форма обучения 52 Заочная форма обучения Количество трудоустроенны х выпускников (%) В т.ч., по заявкам работодателей (%) Очная форма обучения Очная форма обучения - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 2014 год 2013 год 2012 год 2011 год 2010 год 2009 год - догово р бюдже т - бюдже т догово р - догово р бюдже т - бюдже т догово р - - догово р бюдже т 210100 100 - - - 100 - - - 100 - - - 100 - - - 100 - - - - - - - В процедуре трудоустройства бакалавры направления 210100 Электроника и наноэлектроника участия не принимали в связи с тем, что были рекомендованы к поступлению в магистратуру для продолжения работы над тематикой ВКР. Участие представителей предприятий и организаций, выступающих в качестве работодателей для студентов и выпускников, представлено (таблицы 7.13.-7.14.): заключением договоров о сотрудничестве……… проведением стажировок и практик, предусмотренных учебным планом…………. привлечение работодателей к подготовке и участию в защите выпускных квалификационных работ …………… привлечение работодателей к участию в учебном процессе и научно-исследовательских работах с участием студентов ……. Таблица 7.13. Проведение учебных занятий на базе предприятий и учреждений города и области (20**/20** уч. г) Название учреждения Учебный курс Форма занятий Кол-во студентов Усл. проведения договор общ. начала оплата входных билетов …….. Таблица 7.14. Участие сотрудников производственных, научных и научно-производственных учреждений в проведении занятий (2013/2014 уч. г.) Наименование дисциплины Микропроцессорные системы Фамилия И.О. сотрудника Пестунов Д.А. Место работа и должность ИОА СО РАН, м.н.с. 53 Название учебного курса 4 курс бакалавриата по направлению 210100 Форма занятий Кол- Условия. во работы часов Лб 147 вн.совм. Физические основы электроники, Теория автоматического управления Учебнопроизводственная практика Интерфейсы микропроцессорных систем Материалы и элементы электронной техники Цифровые устройства, Основы микропроцессорной техники Наноэлектроника, Творческий проект Физика конденсированного состояния Микропроцессорные системы Тригуб М.В. ИОА СО РАН, младший научный сотрудник Бадретдинов Т.Х. доцент, к.т.н. каф.ЭАФУ ФТИ ТПУ Хохлова Л.А. ООО «Диагностика+», инженер Киселева Е.Ю. ООО «Диагностика+», инженер Торгаев С.Н. ИОА СО РАН, младший научный сотрудник Арышева Г.В. ИФПМ СО РАН, инженер Болотина И.О. Международная научнообразовательная лаборатория неразрушающего контроля, с.н.с. Мартемьянов Институт физики С.М. высоких технологий Кафедра техники и электрофизики высоких напряжений 4, 3 курс бакалавриата по направлению 210100 1 курс бакалавриата по направлению 210100 1 курс магистратуры по направлению 210100 2 курс бакалавриата по направлению 210100 3,4 курс бакалавриата по направлениям 210100 2,3,4 курс бакалавриата по направлениям 210100 2 курс бакалавриата по направлению 210100 Лб 96, 72 вн.совм. Лк, Пр, 294 Лб поч. опл Лб 24 поч. опл Лк, Пр 24, 24 вн.совм. 4 курс бакалавриата по направлению 210100 Лк, Пр, 48,92 вн.совм. Лб Лк, Пр 16,16 вн.совм. Лк, Пр 48 вн.совм. Лк, Лб 77 в/в. совм. Таблица 7.15. Участие студентов в научных конференциях российского уровня (в том числе, организованных по инициативе работодателей) Год Название конференции, место проведения, сроки проведения 2010 XVIII научно-техническая конференция «Электронные и электромеханические системы и устройства» Томск, 22-23 Апреля 2010 ФИО студентов Реквизиты подтверждающих документов Организованы по инициативе работодателей (да/нет) Соболев С. В. , Бейков М. В. Сборник материалов конференции, Да, ОАО «НПЦ «Полюс» Договор о 54 сотрудничестве 2011 Научно-техническая конференции молодых специалистов ОАО "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва" посвященная 50-летию полёта в космос Ю.А. Гагарина «Разработка, производство, испытания и эксплуатация космических аппаратов и систем»: Красноярск, 1-4 Марта 2011. Красноярск Сборник материалов конференции, Бейков М. В. , Шульгина Ю. В. Договор о сотрудничестве Да, ОАО "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва" Таблица 7.16. Участие студентов в научных конференциях международного уровня (в том числе, организованных по инициативе работодателей) Год Название конференции, место проведения, сроки проведения ФИО студентов Реквизиты подтверждающих документов Организованы по инициативе работодателей (да/нет) Договор о сотрудничестве Протокол конференции ……… Организация практик, перечень основных предприятий, с которыми имеются договоры на подготовку выпускников, базы практик, программы практик, отчеты по практикам, отзывы руководителей и предприятий Комиссии предоставляются: Порядок организации проведения производственного обучения студентов, программы всех видов практик, договоры о базах практик, приказы по закреплению студентов за базами практик и отчеты студентов о прохождении практик. ООП направления 210100 Электроника и наноэлектроника следующие виды практик: - Учебная, 162 часа, 3 недели (2 семестр) - Производственная, 270 часов, 5 недель (6 семестр) предусматривает Прохождение практики, направление студентов на практику регламентируется специально издаваемыми приказами. На первом курсе учебная практика проводится на базе кафедры ПМЭ ИНК ТПУ. На втором курсе производственная практика проводится на базе лаборатории электроники и автоматики технологических установок кафедры ЭАФУ ФТИ ТПУ с получением рабочей профессии «Слесарь КИПиА» и на предприятиях города Томска и России по заключенным договорам. Программа учебной практики включает закрепление знаний и умений, полученных в процессе теоретического обучения и приобретение навыков при работе с контрольноизмерительными приборами и пакетами прикладных программ. На завершающей практику защите проверяется степень формирования компетенций студента в области практического использования профессиональных контрольно-измерительных приборов и 55 лабораторного оборудования и навыков работы с компьютером как средством управления информацией. Программа производственной практики включает формирование знаний по организационной структуре предприятия, по технологии изготовления узлов и приборов электронной аппаратуры, по оборудованию и приспособлениям, контрольно-испытательным стендам, используемым в технологическом процессе и способам контроля и испытания на электробезопасность на данном предприятии. На завершающей практику защите проверяется степень формирования компетенций студента в области отладки, испытаний, проверки работоспособности измерительного, диагностического, технологического оборудования, используемого для решения различных научно-технических, технологических и производственных задач в области электроники. По желанию студентов в рамках производственной практики возможно освоение рабочей профессии "Слесарь КИПиА". Программа производственной практики включает формирование знаний и умений по технике монтажа радиоэлектронной аппаратуры, по принципу работы, устройству и обслуживанию контрольно-измерительной аппаратуры. На завершающей практику защите студенты сдают экзамен и при успешной его сдаче получают удостоверение государственного образца, заверенное Ростехнадзором. На кафедре ежегодно разрабатываются программы всех видов практик и методические указания по практике, которые ежегодно утверждаются на заседаниях кафедры. Дневник студента, индивидуальные задания по практике и методические указания по соответствующей практике выдаются каждому студенту. Проверка результатов прохождения практики проводится на защите. По учебной практике отчеты проверяются руководителем практики, а по остальным видам практик – на утвержденных комиссиях (устный отчет студента, представление письменного отчета студента, презентации, дневника студента и отзыва руководителя практики от предприятия). Результат прохождения практики оцениваются дифференцированным зачетом. Местами прохождения производственной практики являются 1) кафедра ЭАФУ ФТИ ТПУ; 2) научно-исследовательские подразделения ТПУ. 3) базы практики ОАО НПЦ "Полюс", ОАО "ИСС им. М.Ф. Решетнёва"; 4) различные научно-исследовательские ИОА СО РАН. Основными базами производственных практик студентов направления 210100 Электроника и наноэлектроника являются: на условиях долгосрочных договоров: ОАО «НПЦ «Полюс», г. Томск; ОАО «ИСС им. М.Ф.Решетнёва», г. Железногорск; на условиях разовых договоров (часть из которых возобновляется ежегодно) проводится практика на следующих предприятиях: ООО «Магистраль НН» г. Нижний Новгород; ООО «СК Высота» г. Ачинск; Сервис-центр «Импульс», г. Абакан; ООО «Шерегеш-Энерго», пгт. Шерегеш; ОАО «Ростелеком», г .Томск; ООО «Эрмис +», г. Томск; ООО Завод ПСА «ЭлеСи», г. Томск; ОАО «НИИПП», г. Томск; ООО «Томская распределительная компания», г. Томск; ОАО «СК АКЕ» филиал РМЭС, г. Рубцовск; ООО «Уралприбор», г. Зеленогорск 56 Руководители практики на предприятиях всегда дают положительный отзыв о работе студента в ходе производственной практики (предоставляются отзывы по практике). 57 IX. Международная деятельность Состояние и качество международной и инновационной деятельности раскрываются путем анализа международных связей кафедры по различным формам сотрудничества, а именно: участие в международных образовательных и научных программах, конференциях, семинарах, симпозиумах, повышение квалификации научно-педагогических кадров за рубежом, учебно-методическая работа ППС за рубежом, стажировки, совместное обучение студентов, конференции и др., реализация Болонских соглашений. Кафедра достаточно активно и результативно осуществляет международную деятельность …………… Сотрудники кафедры участвуют в международных научных проектах. Сотрудники, студенты и аспиранты кафедры выиграли индивидуальные гранты международных фондов, организаций и программ, таких как… Среди публикаций за последние два года в зарубежных изданиях опубликовано __ статей сотрудников кафедры и ____ тезисов в сборниках конференций. Научные и образовательные международные семинары, конференции и другие мероприятия, проведенные на базе кафедры количес общее количество тво количество грантов в меропри участнико международны ятий в х программах с участием зарубежных партнеров Наличие партнерских связей (договоров) с зарубежными высшими учебными заведениями и научными организациями количест количест количест во во во зарубеж договоро научных ных вв договоро участник области в ов образова ния Выдача совместных дипломов (для DD-программ) количество образовательных программ, реализуемых совместно с зарубежными учебными заведениями перечень зарубежных университетов, совместно с которыми выдаются дипломы выпускникам Сотрудники кафедры активно участвовали в международных (или с международным участием) конференциях. Сделано … докладов. Сотрудники кафедры приняли участие в международных и зарубежных выставках… Солдатов А.И., Болотина И.О. В период с 2009 по 2014 гг. на кафедре прошли или проходят обучение иностранные студенты из Китая, Вьетнама, Египта, Франции. 58 Х. Уровень организации воспитательного процесса Высокий уровень организации воспитательного процесса на кафедре ПМЭ подтверждается: 1. наличием плана воспитательной работы и отчета за 2013-2014 учебный год (в папке зав. кафедрой ПМЭ); 2. ответственный за воспитательную работу на кафедре – Гребенников Виталий Владимирович, доцент каф. ПМЭ (доп. соглашение); 3. следующей организацией воспитательной работы с обучающимися и формированием стимулов развития личности: – каждый куратор 1 курса составляет план работы в начале учебного года, который согласуется с планом воспитательной работы на кафедре и старшим куратором ИНК (план в рабочей папке куратора); – отчет куратора заслушивается в конце каждого семестра на кафедральном заседании и выносится решение о признании работы куратора удовлетворительной или неудовлетворительной (отчет в рабочей папке куратора); – в целях воспитания широко используются возможности учебного процесса, так в ряде дисциплин, включенных в учебный план по направлению «Электроника и наноэлектроника», предусмотрено приобретение общекультурных компетенций, имеющих непосредственное отношение к воспитательному процессу (выпускники данной программы обладают): способностью стремиться к саморазвитию, повышению своей квалификации и мастерства (ОК-6); способностью критически оценивать свои достоинства и недостатки, намечать пути и выбирать средства развития достоинств и устранения недостатков (ОК-7); способностью уважительно и бережно относиться к историческому наследию и культурным традициям, толерантно воспринимать социальные и культурные различия (ОК-17); способностью понимать движущие силы и закономерности исторического процесса; роль насилия и ненасилия в истории, место человека в историческом процессе, политической организации общества (ОК-18); соответствие указанных компетенций изучаемым дисциплинам приведено в Матрице компетенций (в Фонде ООП 2011 года). Большое внимание воспитанию и адаптации студентов 1 курса в рамках профессиональной деятельности уделяется в дисциплине «Введение в инженерную деятельность», которую обеспечивает непосредственно заведующий кафедрой ПМЭ. В рамках педагогической практики в воспитательной работе задействованы студенты-магистранты, принимающие участие в проведении занятий совместно с преподавателем и в разработке методических материалов по дисциплинам; – воспитательный процесс также базируется на вовлечении студентов во внеучебные и адаптационные мероприятия (план восп. работы кафедры, план адаптационных мероприятий ТПУ, план работы куратора – в рабочей папке куратора); – на кафедре имеется косвенная оценка воспитательной работы посредством отчета кураторов на кафедральных заседаниях; – на кафедре сложился коллектив студентов-активистов, осуществляющих свою деятельность по следующим направлениям: культура и творчество, спорт, наука, общественная деятельность, учебно-профориентационная деятельность. Студентыактивисты являются организаторами и участниками кафедральных, институтских и университетских мероприятий. Они привлекают студентов кафедры к участию в указанных мероприятиях (в т.ч. студентов других кафедр). Кроме того, некоторые из них активно работают в органах студенческого самоуправления общежития, института, университета. Деятельность студентов-активистов отражена в подготовке и участии в кафедральных проектах: написание сценариев, подготовка творческих номеров, новогодних поздравлений, видеороликов, участие в разного рода олимпиадах и конкурсах, организации экскурсий и презентаций для студентов 1 курса и абитуриентов, принимают участие в организации 59 конференций и олимпиад, спортивных мероприятий, работают в студенческой комиссии по согласованию материалов ООП, поддерживают группу кафедры «ПМЭ ИНК» в социальной сети «Вконтакте». Традиционно приветствуется преемственность в рядах студентоворганизаторов. Активисты поощряются благодарностями, грамотами, подарками и имеют повышенные шансы на победу в конкурсе на получение повышенной стипендии. Студенческие организации, действующие на кафедре: Олимпийская команда (рук. Васнев Николай, гр. 1Д10), студенческая научно-исследовательская лаборатория (рук. Мусоров Илья, гр. 1АМ41), культурно-творческий сектор (рук. Нужный Евгений, гр. 1АМ31), спортсектор (рук. Красноцветов Владислав, гр. 1АМ41), редколлегия студенческой газеты «Пром и мед» (Мурзина Галина, гр. 1ДМ31, Красильникова Юлия, гр. 1Д21, Шутова Елена, гр. 1Д21). 4. Элементы системы воспитательной работы: – формами гражданского, патриотического и духовно-нравственного воспитания являются привлечение студентов к участию в мероприятиях (лектории, конкурсы, выставки, конференции), приуроченных к памятным датам (9 мая, 4 ноября и т.д.), посещение музеев ТПУ и города Томска, встречи с выдающимися творческими деятелями, посещение концертов МКЦ ТПУ и кафедральных творческих мероприятий с участием сотрудников и студентов; – формами научно-исследовательской и профориентационной работы являются организация Студенческой научно-исследовательской лаборатории, научные семинары, привлечение студентов к участию во Всероссийской студенческой олимпиаде по электронике и другим предметным конкурсам. Студенты имеют возможность для трудоустройства на время обучения на профильные предприятия (НПЦ «Полюс», ОАО «Медтехника» и др.). Кроме того, выпускникам кафедры по окончании гарантируется трудоустройство по заявкам от предприятий. В процессе обучения студенты вовлекаются в НИР и НИОКР кафедры, в том числе с оплатой труда. – Студенты активно принимают участие в спортивных мероприятиях института, университета и занимают призовые мест. Ежегодно проходит товарищеский волейбольный матч между студентами и сотрудниками кафедры. – со студентами Института неразрушающего контроля работает психолог, который совместно с кураторами групп 1 курса проводит тренинги и психологическое тестирование (в т.ч. для выявления опасных состояний и предупреждения асоциального поведения). По результатам тестирования со студентами проводятся индивидуальные консультации. Для адаптации первокурсников предусмотрена специальная университетская программа, которая на уровне кафедры реализуется куратором группы и психологом (план восп. работы кафедры, план адаптационных мероприятий ТПУ, план работы куратора – в рабочей папке куратора). – за достижения и участие в спортивной, научной учебной, культурно-творческой деятельности на кафедре предусмотрены следующие формы поощрения: благодарность, почетная грамота, нагрудный знак кафедры или памятный подарок. Кроме того, студенты имеют возможность принимать участие в различного рода конкурсах на получение дополнительных стипендий Ученого Совета ИНК, Ученого Совета ТПУ, повышенной стипендии по постановлению правительства РФ №945 от 18.11.11г. и т.д. Характеристика социокультурной среды Регулярно проводятся встречи студентов с администрацией института по вопросам проживания, организации воспитательной работы. Для обеспечения социальной помощи (в т.ч. материальной поддержки) обучающимся в университете, организации воспитательной работы функционирует Центр социальной работы. Все нуждающиеся студенты обеспечиваются общежитием. В общежитиях со студентами работают тьюторы и психологи, обеспечивающие консультационную поддержку. 60 Внеучебная работа заключается в организации кружков, секций, творческих коллективов, спортивных команд и т.д., проведении культурно-массовых мероприятий. Для учета мнения обучающихся созданы Совет студентов ТПУ и Совет студенческого городка. 61 XI. Информация об устранении недостатков, отмеченных в ходе предыдущей аккредитации XII. Направления и пути совершенствования деятельности кафедры На основании результатов самообследования подготовки специалистов по направлению подготовки 210100 Электроника и наноэлектроника комиссия пришла к следующим выводам: 1. Структура и содержание учебного плана, рабочих программ по дисциплинам учебного плана, обеспеченность учебниками и учебными пособиями, уровень квалификации ППС, его педагогический и научный потенциал, материальная обеспеченность учебного процесса, качество знаний обучающихся позволяют считать, что реализуемая ООП по направлению подготовки 210100 Электроника и наноэлектроника в полной мере соответствует требованиям ФГОС / собственного стандарта и обеспечивает высокий уровень качества подготовки. 2. При общей положительной оценке работы кафедры по подготовке специалистов по направлению подготовки 210100 Электроника и наноэлектроника необходимо отметить следующие недостатки: ________________(по усмотрению комиссии). Подписи членов комиссии по самообследованию направления подготовки 210100 Электроника и наноэлектроника Председатель: _____________________ / Гребенников В.В. / Члены комиссии: _____________________ / Копысова Н.В. / _____________________ / / _____________________ / 62 /
