TCAD программа - Программа повышения квалификации

Приборно-технологическое
проектирование компонентной
базы микро- и наноэлектроники
УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС
ФГБОУ ВПО «ВОРОНЕЖСКИЙ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ»
Краткое описание УМК
 Цель обучения:
 Прошедший подготовку и итоговую аттестацию должен
быть готов к профессиональной деятельности по
сквозному проектированию компонентной базы микро- и
наноэлектроники с применением современных методов и
средств САПР TCAD в качестве инженера-технолога,
инженера конструктора изделий электронной техники
Краткое описание УМК
 Целевая аудитория:
 инженер-технолог;
 инженер-конструктор;
 Освоение видов профессиональной (трудовой)
деятельности:


проектно-технологическая;
проектно-конструкторская
Требования к поступающим
 Лица, поступающие на обучение, должны иметь
диплом о высшем образовании по направлению
Электронная техника, радиотехника и связь, а
также следующие компетенции для освоения
программы повышения квалификации:



способность привлекать физико-математический аппарат
для решения задач профессиональной деятельности;
способность владеть основными методами и средствами
получения и переработки информации, работать с
компьютером как средством управления информацией;
способность осуществлять сбор и анализ исходных данных
для расчета и проектирования электронных приборов.
Компетенции,
которые
получит
специалист
1.
2.
3.
в рамках
проектноБудет способен обосновано
технологическ
выбирать и применять ой
физикопрофессиональн
математические модели
и
ой деятельности:
экспериментальные методы
при
проектировании технологии
приборов микро- и
наноэлектроники
Сможет проводить
экспериментальные исследования
в области технологического
проектирования с применением
современных методов и средств
САПР TCAD
Будет разрабатывать и проводить
сквозное моделирование
технологии и электрофизических
параметров элементов электронной
компонентной базы
Компетенции,
которые
получит
специалист
4.
5.
6.
в рамках
проектноБудет готов обоснованоконструкторск
выбирать и
применять физикоой
профессиональн
математические модели
и
ой деятельности:
экспериментальные методы
при
проектировании конструкции
приборов микро- и
наноэлектроники
Будет проводить
экспериментальные исследования
в области конструкторскотопологического проектирования с
применением современных
методов и средств САПР TCAD
Сможет разрабатывать и проводить
сквозное приборнотехнологическое моделирование
элементов электронной
компонентной базы
Структура УМК
Модуль 1: Физикоматематические
модели
технологических
процессов
в микро- и
наноэлектронике
Модуль 2: Основы
работы в среде
приборнотехнологической
САПР TCAD
технологических
процессов
в микро- и
наноэлектронике
Модуль 3. Сквозное
моделирование
технологии и
электрофизических
параметров
элементов
электронной
компонентной базы
Модуль 1: Физико-математические модели технологических
процессов в микро- и наноэлектронике
 Раздел 1. Физическое и математическое моделирование




процессов в микроэлектронике как инструмент оптимизации
параметров ИС и фундамент современных систем
математического моделирования
Раздел 2. Модели термического окисления
Раздел 3. Аналитические методы расчета диффузионных
профилей на основе уравнений Фика
Раздел 4. Физико-математические модели процесса ионной
имплантации
Раздел 5. Методы расчетов параметров легированных структур
Модуль 2: Основы работы в среде приборно-технологической САПР
TCAD
 Раздел 1. Введение в проектирование и технологию элементной




базы микроэлектроники и твердотельной электроники
Раздел 2.Основы приборно-технологического проектирования
в специализированном пакете TCAD
Раздел 3. Моделирование технологии элементной база
микроэлектроники и твердотельной электроники в
специализированном пакете Sentaurus (ISETCAD)
Раздел 4. Создание и моделирование приборов
микроэлектроники и твердотельной электроники в
специализированном пакете Sentaurus (ISE TCAD)
Раздел 5. Проектирование элементов и технологических
процессов изготовления сверх- и ультрабольших интегральных
схем
Модуль 3. Сквозное моделирование технологии и электрофизических
параметров элементов электронной компонентной базы
 Раздел 1. Физические и схемотехнические основы




проектирования элементной базы твердотельной электроники
Раздел 2.Проектирование биполярных структур в САПР ТCAD
приборно-технологического моделирования
Раздел 3. Проектирование МОП структур в САПР ТCAD
приборно-технологического моделирования
Раздел 4. Проектирование КМОП структур в САПР ТCAD
приборно-технологического моделирования
Раздел 5. Проектирование структур с субмикронными
размерами в САПР ТCAD приборно-технологического
моделирования
Стажировка
Цели стажировки:
• Обучение инженеров-технологов и инженеровконструкторов современным методам и средствам
проектирования компонентной базы
• Формирование практических навыков проектирования
конкретных полупроводниковых приборов в разрезе
производимой базовым предприятием продукции
• Изучение опыта внедрения и использования современных
средств автоматизированного проектирования на базе
ведущих зарубежных инновационных центров и
предприятий
Стажировка
В России
 «Методы проектирования
полупроводниковых
приборов и технологии их
создания» (на базе
Инжинирингового центра
Технопарка ВГУ)
За рубежом
 «Опыт внедрения и
использования современных
средств автоматизированного
проектирования
компонентной базы микро- и
наноэлектроники в ведущих
зарубежных инновационных
центрах и предприятиях» (на
базе Инновационного парка
MINATEC, Гренобль,
Франция)
Контактная информация
Название: Федеральное государственное
бюджетное образовательное
учреждение высшего
профессионального образования
«Воронежский государственный
университет» (ФГБОУ ВПО «ВГУ»)
Адрес:
Университетская пл., 1, Воронеж,
394006
Тел./Факс: +7 (473) 220-87-55
Сайт:
http://www.vsu.ru