Nn-volkov2популярный!
advertisement
ДОКЛАД «Принципы организации системы испытаний интегральных микросхем, изготавливаемых на основе базовых технологических процессах» Волков С.И., Темников Е.С., Подъяпольский С.Б. – НИИСИ РАН Криницкий А.В. – ФГУ «22 ЦНИИИ Минобороны России» 25-26 февраля 2010 г. г. Нижний Новгород НОРМАТИВНО-МЕТОДИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ПРОЦЕССОВ РАЗРАБОТКИ И ПРОИЗВОДСТВА ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ В УСЛОВИЯХ СОВРЕМЕННЫХ ПРОИЗВОДСТВ Система НД МО РФ в области качества испытаний и сертификации ? Изделия микроэлектроники Разработка и изготовление СБИС общего применения в условиях массового производства 1 Методики проектирования контроля качества, испытаний, сертификации ? Разработка и изготовление системноориентированных субмикронных сложнофункциональных СБИС, СФБ и СнК в условиях «кремниевых фабрик» Изготовление СБИС за рубежом Новые участники системы управления качеством и номенклатурой СБИС - центры изготовления фотошаблонов - центры проектирования и ведения библиотек СФБ - отечественные и зарубежные «кремниевые фабрики» - сборочные производства - испытательные центры Новые объекты системы управления качеством и номенклатурой СБИС - библиотеки СФБ - базовые технологические процессы - топологическая документация на изготовление заказанных элементов - пластины с кристаллами заказанных элементов - «технологические серии» - СБИС иностранного производства ПРАВИЛА ПРИЕМКИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ 2 ГРУППЫ ИСПЫТАНИЙ ПЕРИОДИЧЕСКИЕ КВАЛИФИКАЦИОННЫЕ Цель: подтверждение соответствия разработанного изделия требованиям Заказчика (утверждение типа) Цель: проверка качества интегральных микросхем, подтверждение стабильности технологического процесса их изготовления и способности изготовителя продолжить их выпуск ПРИЕМО-СДАТОЧНЫЕ Цель: подтверждение соответствия каждой отгружаемой партии интегральных микросхем требованиям установленным в ТУ ПРАВИЛА ФОРМИРОВАНИЯ КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ГРУПП 3 Действующая система для интегральных микросхем общего применения На основе объединения интегральных микросхем, принадлежащих к одной группе типов. Группа типов совокупности типов интегральных микросхем в пределах одной серии; - совокупности типов интегральных микросхем, обладающих конструктивной, электрической и, при необходимости, информационной и программной совместимостью и предназначенных для совместного применения Н Е Д О Принцип объединения по функциональному признаку не содержит критериев конструктивных и технологических особенностей проектирования и изготовления На основе одного типа корпуса, одинакового количества выводов, одинакового способа монтажа кристалла и герметизации С Т А Т К И Отсутствуют особенности материалов корпуса и технологических процессов конкретного изготовителя ПРИНЦИПЫ ФОРМИРОВАНИЯ КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ГРУПП ДЛЯ СЛОЖНО-ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ, ИЗГОТАВЛИВАЕМЫХ В БАЗОВЫХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССАХ 4 Группы испытаний, предназначенные для провоцирования развития дефектов характерных для соответствующих особенностей изготовления кристаллов Группы испытаний, предназначенные для провоцирования дефектов характерных для операций сборки, качества посадки кристалла и качества корпуса Использование единых правил проектирования Корпус одного и того же типа Близкое количество активных элементов на кристалле Количество выводов и шаг между выводами Обработка пластин в рамках одного базового технологического процесса Единые параметры, условия проведения технологических операций, использованных материалов Конструкционные материалы корпуса и материал покрытия Изготовитель корпусов Единый участок сборочного производства и средства технологического оснащения Один и тот же изготовитель Единый технологический процесс операций сборки Близкий уровень стойкости к воздействию статического электричества Единый технологический процесс операций монтажа кристалла КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ГРУППЫ ДЛЯ СЛОЖНО-ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ, ИЗГОТАВЛИВАЕМЫХ В БАЗОВЫХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССАХ (начало таблицы) Подгр уппа Вид и последовательность испытаний испыт аний С 1 1 Проверка внешнего вида 2 Проверка статических параметров, отнесенных в ТУ к приемосдаточным, в диапазоне температур 3 Проверка динамических параметров, отнесенных в ТУ к приемо-сдаточным и периодическим испытаниям, в диапазоне температур 4 Функциональный контроль, отнесенный в ТУ к приемо-сдаточным и периодическим испытаниям, в диапазоне температур 5 Проверка электрических параметров, отнесенных в ТУ к периодическим испытаниям, при нормальных климатических условиях С 2 1 Кратковременные испытания на безотказность С3 С4 1 Испытание на воздействие изменения температуры среды 2 Испытание на воздействие линейного ускорения 3 Испытание на влагостойкость в циклическом режиме 4 Испытания на герметичность 5 Проверка внешнего вида 6 Проверка электрических параметров в нормальных условиях 1 Испытание на воздействие одиночных ударов 2 Испытание на вибропрочность 3 Испытание на виброустойчивость 4 Испытание на воздействие повышенной влажности воздуха (кратковременное) 5 Проверка внешнего вида 6 Проверка электрических параметров в 5 Конструктивно-технологическая группа по ОСТ В 11 0998-99 Правила объединения в группу для современных функционально сложных СБИС Микросхемы одной серии, имеющие Испытание проводится для тех микросхем, на аналогичное функциональное назначение и которых проводятся испытания по подгруппам С2 принцип действия, свойства которых – С6 и D1 – D6 описываются одинаковыми или близкими по составу электрическими параметрами (п. 3.5.4.2, первый абзац) Микросхемы одной серии, имеющие аналогичное функциональное назначение и принцип действия, свойства которых описываются одинаковыми или близкими по составу электрическими параметрами (п. 3.5.4.2, первый абзац) Микросхемы одной степени интеграции, спроектированные с использованием одних правил проектирования и изготовленные одним изготовителем, пластины с кристаллами которых прошли обработку на одной технологической линии в рамках одного базового технологического процесса Микросхемы в корпусе одного типа, с одним Микросхемы, прошедшие операции сборки на количеством выводов, одними методами одной технологической линии, с использованием монтажа и кристалла и герметизации одних и тех же материалов и методов монтажа (п. 3.5.4.2, второй и третий абзацы) межсоединений и кристалла и одних и тех же методов герметизации, в корпусах одного подтипа и с одним количеством выводов, изготовленных одним изготовителем из одних и тех же материалов и с применением одних и тех же конструктивно-технологических решений Микросхемы в корпусе одного типа, с одним количеством выводов, одними методами монтажа и кристалла и герметизации (п. 3.5.4.2, второй и третий абзацы) Микросхемы, прошедшие операции сборки на одной технологической линии, с использованием одних и тех же материалов и методов монтажа межсоединений и кристалла и одних и тех же методов герметизации, в корпусах одного подтипа и с одним количеством выводов, изготовленных одним изготовителем из одних и тех же материалов и с применением одних и тех КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ГРУППЫ ДЛЯ СЛОЖНО-ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ, ИЗГОТАВЛИВАЕМЫХ В БАЗОВЫХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССАХ (продолжение таблицы) 6 Подгр Конструктивно-технологическая группа уппа Вид и последовательность испытаний Правила объединения в группу для современных испыт по ОСТ В 11 0998-99 функционально сложных СБИС аний С 5 1 Испытание выводов на воздействие Микросхемы в корпусе одного типа, с одним Микросхемы в корпусах одного подтипа и с одним растягивающей силы количеством выводов, одними методами монтажа количеством выводов, изготовленных одним и кристалла и герметизации (п. 3.5.4.2, второй и изготовителем из одних и тех же материалов и с 2 Испытание гибких проволочных и третий абзацы) применением одних и тех же конструктивноленточных выводов на изгиб технологических решений 3 Испытание гибких лепестковых выводов на изгиб 4 Испытание на теплостойкость при пайке 5 Испытание на герметичность С 6 1 Испытание на подтверждение допустимых Микросхемы одной серии, имеющие аналогичное Микросхемы одного уровня стойкости к уровней статического электричества функциональное назначение и принцип действия, воздействию разряда статического спроектированные с 2 Проверка статических параметров при свойства которых описываются одинаковыми или электричества, близкими по составу электрическими использованием одних правил проектирования и нормальных климатических условиях параметрами (п. 3.5.4.2, первый абзац) изготовленные одним изготовителем, пластины с кристаллами которых прошли обработку на одной технологической линии в рамках одного базового технологического процесса D 1 Испытание упаковки Микросхемы в корпусе одного типа, с одним Микросхемы в корпусе одного типа с количеством выводов, одними методами монтажа одинаковыми габаритными и 1 Проверка габаритных размеров и кристалла и герметизации (п. 3.5.4.2, второй и присоединительными размерами потребительской дополнительной и третий абзацы) транспортной тары 2 Испытание на прочность при свободном падении D 2 1 Испытание на воздействие повышенной Микросхемы в корпусе одного типа, с одним Микросхемы, прошедшие операции сборки на влажности воздуха (длительное) количеством выводов, одними методами монтажа одной технологической линии, с использованием и кристалла и герметизации (п. 3.5.4.2, второй и одних и тех же методов герметизации, в корпусах третий абзацы) одного подтипа и с одним количеством выводов, изготовленных одним изготовителем из одних и тех же материалов и с применением одних и тех же конструктивно-технологических решений D 3 1 Контроль содержания паров воды внутри Микросхемы одной серии в корпусе одного типа, с Микросхемы, прошедшие операции сборки на корпуса одним количеством выводов, одними методами одной технологической линии, с использованием монтажа и кристалла и герметизации (п. 3.5.4.2, одних и тех же материалов и методов монтажа второй абзац) кристалла и одних и тех же методов герметизации, в корпусах одного подтипа и с одним количеством выводов, изготовленных одним изготовителем из одних и тех же материалов и с применением одних и тех же КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ГРУППЫ ДЛЯ СЛОЖНО-ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ, ИЗГОТАВЛИВАЕМЫХ В БАЗОВЫХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССАХ (окончание таблицы) Подгр уппа Вид и последовательность испытаний испыт аний D 4 1 Подтверждение теплового сопротивления D5 D6 7 Конструктивно-технологическая группа по ОСТ В 11 0998-99 Правила объединения в группу для современных функционально сложных СБИС Микросхемы одной серии, имеющие аналогичное Результаты функциональное назначение и принцип действия, подлежат свойства которых описываются одинаковыми или близкими по составу электрическими параметрами (п. 3.5.4.2, первый абзац) испытаний распространению не 2 Подтверждение запасов устойчивости к воздействию механических, тепловых и электрических нагрузок (граничные испытания): вид 1 Воздействие одиночных ударов Микросхемы одной серии в корпусе одного типа, с Микросхемы, прошедшие операции сборки на одним количеством выводов, одними методами одной технологической линии, с использованием монтажа и кристалла и герметизации (п. 3.5.4.2, одних и тех же материалов и методов монтажа второй абзац) межсоединений и кристалла и одних и тех же методов герметизации, в корпусах одного подтипа и с одним количеством выводов, изготовленных одним изготовителем из одних и тех же материалов и с применением одних и тех же конструктивно-технологических решений вид 2 Подтверждение значений предельных Микросхемы одной серии, имеющие аналогичное Микросхемы одной степени интеграции, электрических режимов эксплуатации. функциональное назначение и принцип действия, спроектированные с использованием одних свойства которых описываются одинаковыми или правил проектирования и изготовленные одним близкими по составу электрическими изготовителем, пластины с кристаллами которых параметрами (п. 3.5.4.2, первый абзац) прошли обработку на одной технологической линии в рамках одного базового технологического процесса 1 Обобщенная оценка эс с периодичностью Микросхемы одной серии (примечание 18 к Микросхемы, спроектированные с 2 или 3 года таблице 11) использованием одних правил проектирования и изготовленные одним изготовителем, пластины с кристаллами которых прошли обработку на одной технологической линии в рамках одного базового технологического процесса 1 Проверка способности к пайке облуженных Микросхемы одного типа (п. 3.5.4.2, четвертый Микросхемы в корпусах одного типа, выводов без дополнительного облуживания абзац) изготовленных одним изготовителем из одних и после хранения в течение 12 месяцев тех же материалов и с применением одних и тех
