03.06.01 Программы вступительных испытаний по специальной

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение
высшего профессионального образования
«Дальневосточный федеральный университет»
(ДВФУ)
ШКОЛА ЕСТЕСТВЕННЫХ НАУК
ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ
по образовательной программе высшего образования – программе подготовки научнопедагогических кадров в аспирантуре
по специальной дисциплине
Направление подготовки - 03.06.01 Физика и астрономия
Профиль - Физика конденсированного состояния
Форма подготовки (очная/заочная)
Школа естественных наук
Кафедра теоретической и экспериментальной физики
Программа вступительных испытаний составлена в соответствии с требованиями федерального
государственного образовательного стандарта высшего образования (уровень подготовки кадров
высшей квалификации), утвержденного приказом министерства образования и науки РФ от 30
июля 2014г. № 867
Программа вступительных испытаний обсуждена на заседании кафедры теоретической и
экспериментальной физики, протокол № 5 от « 2» декабря 2014 г.
Заведующий (ая) кафедрой: В.И. Белоконь
Составитель (ли): д-р. физ.- мат. наук, профессор, профессор каф. теоретической и
экспериментальной физики Л.Л. Афремов.
I. Программа вступительных испытаний пересмотрена на заседании кафедры:
Протокол от «_____» _________________ 20__ г. № ______
Заведующий кафедрой _______________________ В.И. Белоконь
(подпись)
(И.О. Фамилия)
II. Программа вступительных испытаний пересмотрена на заседании кафедры:
Протокол от «_____» _________________ 20__ г. № ______
Заведующий кафедрой _______________________ В.И. Белоконь
(подпись)
(И.О. Фамилия)
АННОТАЦИЯ
Программа вступительных испытаний предназначена для поступающих
на
образовательную
программу
высшего
образования
-
программу
подготовки научно-педагогических кадров в аспирантуре по направлению
(код, название), профилю (название).
Цель вступительных испытаний - выявление среди поступающих в
аспирантуру
наиболее
способных
и
подготовленных
к
освоению
образовательных программ высшего образования - программ подготовки
научно-педагогических кадров в аспирантуре.
Вступительные испытания проводятся в форме устного экзамена.
Особенность построения программы связана с тем, что фактически
подготовка аспирантов проходит в двум направлениях: теория магнетизма
наноструктурированных
систем
и
экспериментальное
исследование
электрических и магнитных свойств наноструктур. Этим и обусловлен
перечень вопросов, вынесенных на вступительный экзамен.
Программа вступительных испытаний включает в себя:
• аннотацию;
• требования к поступающим;
• содержание вступительных испытаний;
• вопросы к экзамену;
• список рекомендуемой литературы и источников.
I. ТРЕБОВАНИЯ К ПОСТУПАЮЩИМ
Поступающий в аспирантуру должен продемонстрировать знания и
умения
по
физике
конденсированных
сред,
соответствующие
предшествующему уровню подготовки. Иметь определенный научный задел
по данному направлению подготовки, который будет учтен при участии в
конкурсе, в случае одинакового количества баллов поступающих.
II.
СОДЕРЖАНИЕ ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ
МОДУЛЬ 1. СТРУКТУРА ТВЕРДЫХ ТЕЛ
Раздел 1. Симметрия кристаллических твердых тел
Классификация кристаллических твердых тел. Молекулярные кристаллы, ионноковалентные. Кристаллы с металлической связью. Понятие о водородной связи.
Основные положения структурной кристаллографии: прямая и обратная решетки,
связь между ними, сингония и пространственная группа кристалла, индексы
плоскостей решетки, зависимость межплоскостных расстояний от индексов
плоскостей и параметров решетки.
Элементы симметрии кристаллических многогранников (международный символ,
обозначение по формуле симметрии, изображение в стереографической проекции).
Невозможность осей симметрии V порядка. Принцип Кюри. Элементы симметрии II
рода. Матричные представления элементов симметрии. Теоремы о сочетании
элементов симметрии. Вывод классов симметрии кристаллов средней и низшей
категорий (простейшего, центрального, планального, аксиального, инверсионнопримитивного, планаксиального). Вывод классов симметрии кристаллов высшей
категории.
Понятие группы. Абелева группа, циклическая группа. Четверная группа Клейна D2,
четверная циклическая группа С4. Точечные группы (Cn, S2n, Cnh, Cnv, Dn, Dnh,
Dnd, T, Td, Th, O, Oh).
Раздел 2. Основы рентгенофизики
1.
Сплошной
и
характеристический
спектр
рентгеновского
излучения,
взаимодействие рентгеновского излучения с веществом. Рассеяние рентгеновских
лучей электроном, полярная диаграмма рассеяния. Фактор поляризации. Рассеяние
рентгеновских лучей атомом, атомная амплитуда рассеяния, полярная диаграмма
рассеяния.
2.
Рассеяние рентгеновских лучей кристаллом, интерференционная функция
Лауэ. Способы нахождения положения дифракционных максимумов: метод сферы
Эвальда и метод Вульфа-Брэгга. Структурная амплитуда и законы погасания для
объемо- и гранецентрированных решеток Браве. Метод Дебая, объяснение вида
дебаеграмм и применение метода. Методы вращения монокристалла и их
применение.
3.
Дифракция электронов; особенности получения и виды электронограмм от
монокристаллов, поликристаллов
и текстур. Основные задачи, решаемые
электронографическим методом.
4.
Структура реальных кристаллов. Типы дефектов в кристаллах.
5.
Методы получения тонких пленок на неориентирующие подложки в вакууме
(термическое испарение, катодное и ионно-плазменное распыление).
МОДУЛЬ 2. ЯВЛЕНИЯ ПЕРЕНОСА В ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ
Раздел 1. Диффузия в кристаллах
1.
.Движущая
сила
и
механизм
диффузии.
Математическая
теория
диффузионных процессов. Окисление кремния.
2.
Функции распределения Максвелла-Больцмана, Ферми-Дирака. Концентрация
носителей в слаболегированных полупроводниках.
3.
Броуновское движение в теории Эйнштейна – Смолуховского. Броуновское
движение по Ланжевену и Н.Винеру. Фрактальный характер броуновских
траекторий. Элементы теории флуктуаций.
4.
Элементы кинетической теории процессов переноса. Некоторые виды
кинетических уравнений. Краткий анализ кинетического уравнения Больцмана.
Раздел 2. Перенос носителей заряда в твердых телах
1. Механизмы переноса носителей заряда в тонких пленках. Токи в диэлектрических
и полупроводниковых пленках, ограниченные пространственным зарядом.
Туннельное прохождение электронов сквозь тонкие металлические пленки.
2.
Стационарная дрейфовая скорость, междолинный переброс, эффект убегания
электронов.
3.
Всплеск
дрейфовой
скорости
в
длинных
и
коротких
структурах,
баллистический пробег.
МОДУЛЬ. 3. КВАНТОВАЯ ТЕОРИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА
Раздел 1. Полупроводниковые и металлические материалы
1. Квантовые размерные эффекты в полупроводниковых и металлических пленках.
Основные типы квантовых структур. Квантовый эффект Холла.
2.
Понятие о методе квазичастиц. Дисперсионные соотношения для фононов,
электронов. Некоторые примеры квазичастиц в полупроводниковых, магнитных
системах.
3.
Понятие о зонах Бриллюэна. Методика построения простейших зон
Бриллюэна. Фонон-электронное рассеяние как источник электрического, теплового
сопротивления.
4.
Идеальная фононная система. Теория Дебая. Закон Дебая. Зависимость
температуры Дебая от температуры. Область применимости теории Дебая.
Наложение бриллюэновской периодичности на фононные ансамбли. Процессы
переброса Пайерлса.
Раздел 2. Зонная теория
1.
Элементы зонной теории. Симметрийные требования, которые приводят к
зонной структуре энергетических спектров. Задача Кронига – Пенни. Понятие о
поверхностных уровнях. Зонная схема в случае слабой и сильной связи.
2.
Электронная система как система Ферми – Дирака. Энергия Ферми. Уровень
Ферми. Импульс Ферми. Поверхность Ферми. Оценка зависимости энергии Ферми
от температуры в методике Бланкенбеклера. Наложение условий Бриллюэна на
идеальную электронную систему. Особенности Ван Хова.
МОДУЛЬ. 4. ГЕТЕРОФАЗНЫЕ СОСТОЯНИЯ
Раздел 1. Термодинамика гетерофазных материалов
1.
Основные термодинамические потенциалы (энергия Гиббса, энергия
Гельмгольца, химический потенциал). Условия равновесия для них. Правило фаз
Гиббса.
2.
Двухкомпонентные системы. Энтропия смешения. Структура твердых
растворов.
Закон
Вегарда.
Растворимость.
Системы
с
неограниченной
растворимостью в жидком и твердом состояниях. Правило отрезков. Системы с
ограниченной растворимостью в твердом состоянии.
3.
Кристаллизация в точке эвтектики, в точке перитектики. Системы с
промежуточными фазами. Превращения в твердом состоянии.
Раздел 2. Термодинамика роста кристаллов
1.
Гомогенная кристаллизация. Гетерогенное зародышеобразование. Атомная
теория роста кристаллов: формы роста, анизотропия роста.
2.
Гетеропереходы. Их типы, способы получения, применение. Зонные
диаграммы гетеропереходов разных типов. Полезные свойства гетеропереходов и
гетероструктур.
3.
Селективное легирование. Двумерный электронный газ. Двумерный
дырочный газ.
4.
Резонансное туннелирование через двойной барьер с квантовой ямой и
сверхрешетку. Транзисторы с ДБКС-эмиттером. Биполярные транзисторы с
резонансным туннелированием.
МОДУЛЬ. 5. МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ ТЕЛ
Раздел 1. Виды магнетиков
1.
Магнитные характеристики диа-, пара- , ферри- , антиферро – и
ферромагнетиков.
2.
Молекула водорода (или атом гелия). Энергия кулоновского и обменного
взаимодействия. Критерий ферромагнетизма.
3.
Энергия магнитной анизотропии. Кристаллографическая, магнитоупругая,
анизотропия формы, наведенная магнитная анизотропия.
Раздел 2. Процессы намагничивания
1.
Доменные границы, доменная структура. Задача Ландау-Лифшица.
2.
Теория критического поля. Процессы смещения доменных границ и
вращения вектора намагниченности.
3.
Влияние дефектов кристаллической решетки на процессы намагничивания.
Коэрцитивная сила поликристаллических, монокристаллических и аморфных
пленок.
МОДУЛЬ. 6. ТОНКИЕ ПЛЕНКИ
Раздел 1. Основы теории образования пленок
1. Термодинамическая, статистическая и микрокинетическая теории конденсации.
2. Методы получения пленок (гетероэпитаксиальное наращивание, термическое
нанесение в вакууме, твердофазная эпитаксия в вакууме, нанесение пленок
соединений, метод дискретного испарения, метод катодного распыления, метод
магнетронного распыления).
3. Формирование
монокристаллических
пленок
(теория
эпитаксиального
наращивания, влияние технологических условий, виды эпитаксии, границы
сопряжения, дефекты кристаллического строения).
Раздел 2. Особенности формирования тонких пленок
1. Морфологическая эволюция островковых пленок. Взаимодействие островков с
подложкой на границе раздела. Основные типы морфологических изменений
(механизмы конденсации пленок, коалесценция, коагуляция, образование). Роль
контактного угла и несовершенства подложки.
2. Влияние температуры, скорости и поверхностной диффузии на процесс
формирования пленки.
3. Формирование эпитаксиальных пленок. Теория эпитаксиального наращивания.
Влияние технологических условий на эпитаксиальный рост пленок. Виды
эпитаксии и типы границ сопряжения. Дефекты эпитаксиальных пленок. Структура
границ сопряжения
Раздел 3. Ионное внедрение. Литография.
1. Ядерное и электронное торможение при ионной имплантации. Длина пробега
ионов. Глубина залегания р-n перехода. Эффект каналирования. Профили
концентрации радиационных дефектов и ионов.
2. Физико-химические основы
литографических процессов. Фоторезисты и
предъявляемые к ним требования. Основные операции литографии. Фотошаблоны,
их изготовление и предъявляемые к ним требования.
3. Молекулярно-лучевая и твердофазная эпитаксия.
Модуль 7. ФИЗИКА ПОВЕРХНОСТИ
Раздел 1. Поверхности твердых тел и поверхностных фазы
1.
Типы поверхностных кристаллических решеток
2.
Поверхностная диффузия. Диффузионные константы и их определение.
3.
Общие представления об адсорбции.
4.
Гомо- и гетероэпитаксия.
5.
Типы поверхностных дефектов.
Раздел 2. Современные методы исследования поверхности твердого тела
1.
Представления о высоком и сверхвысоком вакууме.
2.
Современные методы исследования поверхности твердого тела и их
классификация.
3.
Физические основы ЭОС. Анализ состава поверхности твердого тела
методом ЭОС. Послойный анализ с применением метода ЭОС.
4.
Фотоэлектронная эмиссия. Источники фотонов. Спектры РФЭС для анализа
состава поверхности. Изучение наружной энергетической полосы проводников
методом РФЭС. РФЭС - как спектроскопия для анализа состава поверхности.
5.
Физические основы метода спектроскопии ХПЭ. Плазмоны. Спектроскопия
ХПЭ для анализа поверхности.
6.
Определение структуры поверхности методами ДМЭ.
7.
Физические основы метода ДОБЭ. Применение метода ДОБЭ для изучения
эпитаксиального роста полупроводников и других процессов на многослойных
поверхностях.
8.
УФЭС как метод исследования электронной структуры твердых тел.
9.
Физические основы метода СТМ. Концепция сканирования. СВВ установка
для
сканирующей
туннельной
микроскопии
OMICRON
MULTIPROBЕ.
Применение метода СТМ для анализа структуры поверхности твердого тела и
поверхностных фаз.
III.
1.
ВОПРОСЫ К ВСТУПИТЕЛЬНОМУ ИСПЫТАНИЮ
Классификация кристаллических твердых тел. Основные положения
структурной кристаллографии.
2.
Сплошной и характеристический спектр рентгеновского излучения,
взаимодействие
рентгеновского
излучения
с
веществом.
Рассеяние
рентгеновских лучей атомом, атомная амплитуда рассеяния, полярная
диаграмма рассеяния. Рассеяние рентгеновских лучей кристаллом. Способы
нахождения положения дифракционных максимумов.
3.
Дифракция электронов.
4.
Элементы симметрии кристаллических многогранников.
5.
Принцип Кюри. Элементы симметрии II рода. Вывод классов
симметрии кристаллов средней и низшей категорий Вывод классов
симметрии кристаллов высшей категории.
6.
Понятие группы. Абелева группа, циклическая группа. Четверная
группа Клейна D2, четверная циклическая группа С4. Точечные группы (Cn,
S2n, Cnh, Cnv, Dn, Dnh, Dnd, T, Td, Th, O, Oh).
7.
Структура реальных кристаллов. Типы дефектов в кристаллах.
8.
Методы получения тонких пленок на неориентирующие подложки в
вакууме (термическое испарение, катодное и ионно-плазменное распыление).
9.
Диффузия в кристаллах. Движущая сила и механизм диффузии.
10.
Функции
распределения
Максвелла-Больцмана,
Ферми-Дирака.
Концентрация носителей в слаболегированных полупроводниках.
11.
Механизмы переноса носителей заряда в тонких пленках.
12.
Элементы кинетической теории процессов переноса. Краткий анализ
кинетического уравнения Больцмана.
13.
Броуновское движение в теории Эйнштейна – Смолуховского, по
Ланжевену и Н.Винеру. Фрактальный характер броуновских траекторий.
Элементы теории флуктуаций.
14.
Стационарная дрейфовая скорость, междолинный переброс, эффект
убегания электронов.
15.
Всплеск дрейфовой скорости в длинных и коротких структурах,
баллистический пробег.
16.
Квантовые размерные эффекты в полупроводниковых и металлических
пленках. Основные типы квантовых структур. Квантовый эффект Холла.
17.
Понятие о методе квазичастиц. Дисперсионные соотношения для
фононов,
электронов.
Некоторые
примеры
квазичастиц
в
полупроводниковых, магнитных системах.
18.
Понятие о зонах Бриллюэна. Методика построения простейших зон
Бриллюэна. Фонон-электронное рассеяние как источник электрического,
теплового сопротивления.
19.
Элементы
зонной
теории.
Симметрийные
требования,
которые
приводят к зонной структуре энергетических спектров. Задача Кронига –
Пенни. Понятие о поверхностных уровнях. Зонная схема в случае слабой и
сильной связи.
20.
Идеальная фононная система. Теория, область применимости Дебая.
Закон Дебая. Зависимость температуры Дебая от температуры. Наложение
бриллюэновской
периодичности
на
фононные
ансамбли.
Процессы
переброса Пайерлса.
21.
Электронная система как система Ферми – Дирака. Энергия Ферми.
Уровень Ферми. Импульс Ферми. Поверхность Ферми. Оценка зависимости
энергии Ферми от температуры в методике Бланкенбеклера. Наложение
условий Бриллюэна на идеальную электронную систему. Особенности Ван
Хова.
22.
Основные термодинамические потенциалы (энергия Гиббса, энергия
Гельмгольца, химический потенциал). Условия равновесия для них. Правило
фаз Гиббса.
23.
Двухкомпонентные системы. Энтропия смешения. Структура твердых
растворов. Закон Вегарда. Растворимость. Системы с неограниченной
растворимостью в жидком
и твердом состояниях. Правило отрезков.
Системы
растворимостью
с
ограниченной
в
твердом
состоянии.
Кристаллизация в точке эвтектики, в точке перитектики. Системы с
промежуточными фазами. Превращения в твердом состоянии.
24.
Гомогенная
кристаллизация.
Гетерогенное
зародышеобразование.
Атомная теория роста кристаллов: формы роста, анизотропия роста.
25.
Гетеропереходы. Их типы, способы получения, применение. Зонные
диаграммы
гетеропереходов
разных
типов.
Полезные
свойства
гетеропереходов и гетероструктур (преимущества гетеропереходов по
сравнению с p-n переходами).
26.
Селективное легирование. Двумерный электронный газ. Двумерный
дырочный газ.
27.
Резонансное туннелирование через двойной барьер с квантовой ямой и
сверхрешетку. Транзисторы с ДБКС-эмиттером. Биполярные транзисторы с
резонансным туннелированием.
28.
Виды магнетиков. Магнитные характеристики диа-, пара- , ферри- ,
антиферро – и ферромагнетиков.
29.
Молекула водорода (или атом гелия). Энергия кулоновского и
обменного взаимодействия. Критерий ферромагнетизма.
30.
Энергия
магнитной
анизотропии.
Кристаллографическая,
магнитоупругая, анизотропия формы, наведенная магнитная анизотропия.
31.
Доменные границы, доменная структура. Задача Ландау-Лифшица.
32.
Теория критического поля. Процессы смещения доменных границ и
вращения вектора намагниченности.
33.
Влияние
дефектов
намагничивания.
кристаллической
Коэрцитивная
решетки
сила
на
процессы
поликристаллических,
монокристаллических и аморфных пленок.
34.
Основы
теории
образования
пленок.
Термодинамическая,
статистическая и микрокинетическая теории конденсации.
35.
Методы
получения
пленок
(гетероэпитаксиальное
наращивание,
термическое нанесение в вакууме, твердофазная эпитаксия в вакууме,
нанесение пленок соединений, метод дискретного испарения, метод
катодного распыления, метод магнетронного распыления).
36.
Формирование монокристаллических пленок (теория эпитаксиального
наращивания, влияние технологических условий, виды эпитаксии, границы
сопряжения, дефекты кристаллического строения).
37.
Морфологическая эволюция островковых пленок. Взаимодействие
островков
с
подложкой
на
границе
раздела.
Основные
типы
морфологических изменений. Роль контактного угла и несовершенства
подложки. Влияние температуры, скорости и поверхностной диффузии на
процесс формирования пленки.
38.
Формирование эпитаксиальных пленок. Теория, виды эпитаксии, типы
и структура границ сопряжения. Дефекты эпитаксиальных пленок.
39.
Ионное внедрение. Ядерное и электронное торможение при ионной
имплантации. Длина пробега ионов. Глубина залегания р-n перехода. Эффект
каналирования. Профили концентрации радиационных дефектов и ионов.
40.
Физико-химические основы литографических процессов. Фоторезисты
и предъявляемые к ним требования. Основные операции литографии.
Фотошаблоны, их изготовление и предъявляемые к ним требования.
41.
Молекулярно-лучевая и твердофазная эпитаксия.
42.
Представления о поверхности твердых тел и поверхностных фазах.
43.
Типы поверхностных кристаллических решеток
44.
Поверхностная диффузия.
45.
Диффузионные константы и их определение.
46.
Общие представления об адсорбции.
47.
Гомо- и гетероэпитаксия.
48.
Типы поверхностных дефектов.
49.
Представления о высоком и сверхвысоком вакууме.
50.
Современные методы исследования поверхности твердого тела и их
классификация.
51.
Физические основы ЭОС. Анализ состава поверхности твердого тела
методом ЭОС. Послойный анализ с применением метода ЭОС.
52.
Фотоэлектронная эмиссия. Источники фотонов. Спектры РФЭС для
анализа состава поверхности. РФЭС - как спектроскопия для анализа состава
поверхности.
53.
Физические
основы
метода
спектроскопии
ХПЭ.
Плазмоны.
Спектроскопия ХПЭ для анализа поверхности.
54.
Определение структуры поверхности методами ДМЭ.
55.
Физические основы метода ДОБЭ. Применение метода ДОБЭ для
изучения эпитаксиального роста полупроводников и других процессов на
многослойных поверхностях.
56.
УФЭС как метод исследования электронной структуры твердых тел.
57.
Физические основы метода СТМ. Концепция сканирования. СВВ
установка
для
MULTIPROBЕ.
сканирующей
Применение
туннельной
метода
СТМ
микроскопии
OMICRON
для
структуры
анализа
поверхности твердого тела и поверхностных фаз.
IV. СПИСОК РЕКОМЕНДУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ И ИСТОЧНИКОВ
Основная литература
1.
Старостин, В.В. Материалы и методы нанотехнологии [Электронный
ресурс] : учебное пособие / Под общ. редакцией Л.Н. Патрикеева. - М.:
БИНОМ. Лаборатория знаний, 2008. - 431с.
http://window.edu.ru/resource/622/64622
2.
Дубровский,
В.Г.
Теоретические
основы
технологии
полупроводниковых наноструктур [Электронный ресурс]: учебное пособие/
В.Г. Дубровский. - СПб.: СПбГПУ, 2006. - 347с.
http://window.edu.ru/resource/346/63346
3.
Боровик, Е.С. Лекции по магнетизму [Электронный ресурс]: учебное
пособие / Е. С. Боровик,
В.В. Еременко, А.С. – М.: Мильнер Физматлит.
2005. - 511с.
http://www.iprbookshop.ru/17301.
4.
Стрекалов, Ю.А. Физика твердого тела: учебное пособие [Электронный
ресурс] / Ю.А. Стрекалов, Н.А. Тенякова. - М.: ИЦ РИОР: НИЦ Инфра-М,
2013. - 307с.
http://znanium.com/bookread.php?book=363421
5.
Борисенко, В. Е. Наноэлектроника: теория и практика [Электронный
ресурс]: учебное пособие / В. Е. Борисенко, А. И. Воробьева, А. Л. Данилюк,
Е. А. Уткина.—3-е изд. (эл.).— М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2013. —
366с.
http://znanium.com/bookread.php?book=485670
6.
Оура, К. Введение в физику поверхности / К. Оура, В. Г. Лифшиц, А. А.
Саранин [и др.] – М.: Наука, 2006. – 490с.
http://lib.dvfu.ru:8080/lib/item?id=chamo:248486&theme=FEFU
Дополнительная литература
1.
Киттель, Ч. Введение в физику твердого тела: учебное руководство /
Ч. Киттель. - М.: Наука, 1978. – 791с.
http://lib.dvfu.ru:8080/lib/item?id=chamo:63726&theme=FEFU
2.
Займан, Дж. Принципы теории твердого тела / Дж. Займан. - М.: Мир,
1974. – 472с.
http://lib.dvfu.ru:8080/lib/item?id=chamo:57998&theme=FEFU
3.
Вонсовский, С. В. Магнетизм микрочастиц/ С. В. Вонсовский. – М.:
Наука, 1973. – 280с.
http://lib.dvfu.ru:8080/lib/item?id=chamo:83949&theme=FEFU
4.
Ашкрофт, Н. Физика твердого тела т.1 / Н. Ашкрофт, Н. Мермин. –
М.: Мир, 1979. – 400с.
http://lib.dvfu.ru:8080/lib/item?id=chamo:67373&theme=FEFU
5.
Кубо, Р. Статистическая механика: современный курс с задачами и
решениями / Р. Кубо. — М.: Мир, 1967. — 452с.
http://lib.dvfu.ru:8080/lib/item?id=chamo:68461&theme=FEFU
6.
Гинзбург, С. Л. Необратимые явления в спиновых стеклах / С. Л.
Гинзбург. — М.: Наука, 1989. — 152с.
http://lib.dvfu.ru:8080/lib/item?id=chamo:26673&theme=FEFU
7.
Афремов, Л. Л. Остаточная намагниченность ультрадисперсных
магнетиков / Л. Л. Афремов, А. В. Панов. – Вл-к.: изд-во Дальневосточного
университета, 2004. – 191с.
http://lib.dvfu.ru:8080/lib/item?id=chamo:7358&theme=FEFU
8.
Уэрт, Ч. Физика твердого тела/ Ч. Уэрт, Р. Томсон. - М.: Мир, 1969. –
560с.
http://lib.dvfu.ru:8080/lib/item?id=chamo:71064&theme=FEFU