М.Е. КОРОТЕЕВ Научный руководитель – А.В. ДЕМИДОВА, инженер НЕЛИНЕЙНОСТЬ ПЕРЕДАТОЧНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ
advertisement
М.Е. КОРОТЕЕВ Научный руководитель – А.В. ДЕМИДОВА, инженер Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» НЕЛИНЕЙНОСТЬ ПЕРЕДАТОЧНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДАТЧИКОВ TMP36FSZ ОТ ДОЗОВОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ В ДИАПАЗОНЕ ТЕМПЕРАТУР Проведено исследование радиационного поведения датчиков температуры TMP36FSZ. Обнаружены качественные различия деградации выходного напряжения при дозовом воздействии в зависимости от температуры окружающей среды. В ходе работы исследовалось радиационное поведение датчиков TMP36FSZ. Проводился полный функциональный контроль микросхем, снималась передаточная характеристика (зависимость выходного напряжения от температуры), измерялась интегральная нелинейность выходной характеристики (максимальное отклонение экспериментальной передаточной характеристики от паспортной). На рис. 1 приведена схема включения микросхем TMP36FSZ. Исследование микросхем проводилось при воздействии низкой интенсивности на установке «Гамма Панорама МИФИ» на изотопном источнике Co60 при нормальной температуре окружающей среды. Для данной микросхемы режим SHUTDOWN изменяет направление деградации. Проводилось исследование радиационной стойкости микросхем при повышенных и Г1, Г2 – источники питания, А – пониженных температурах амперметр, В – вольтметр или окружающей среды в процессе осциллограф облучения. Результаты представлены на рис. 2 и рис. 3 Рис. 1. Схема включения микросхем соответственно. TMP36FSZ при испытаниях Видно, что при повышении температуры зависимость приобретает линейный характер, а при понижении температуры - нелинейный характер с двумя точками перегиба. Анализ результатов показал, что наиболее критичном параметром при дозовом воздействии является интегральная нелинейность передаточной характеристики датчиков. Рис.2. Зависимости выходного напряжения микросхем TMP36FSZ от значения характеристики 7.И7(7.С4) при повышенной температуре Таким образом, для разных значений поглощенной дозы передаточные характеристики датчиков носят качественно разный вид зависимости при воздействии различных температур в процессе облучения. Поэтому желательно знать температурные условия применения датчика в составе электронной аппаратуры для проведения испытаний во всем данном диапазоне. Рис.3. Зависимости выходного напряжения микросхем TMP36FSZ от значения характеристики 7.И7(7.С4) при пониженной температуре Список литературы 1. http://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/TMP35_36_37.pdf
