Тест по модулю 2

Тест по модулю 2 – Контактные явления
1 Электронно-дырочным переходом называется переход:
a) между двумя полупроводниками одинаковой химической природы и одинакового
типа электропроводности, но с различными уровнями легирования;
b) между двумя полупроводниками одинаковой химической природы, но с
различными типами проводимости контактирующих областей;
c) между металлом и полупроводником
2 Контактная разность потенциалов обусловлена:
a) разностью уровней Ферми;
b) различием работ выхода;
c) скоростью генерации и рекомбинации
3 Высота потенциального барьера p-n перехода с ростом температуры будет:
a) расти;
b) уменьшаться;
c) не будет изменяться
4 В каком случае n-p переход будет иметь наименьшую толщину обедненной области
a) оба полупроводника (n и p-типа) сильнолегированные
b) оба полупроводника слаболегированные
c) один сильнолегированный, а другой слаболегированный
d) оба полупроводника собственные
5 Как подать обратное смещение на p-n переход?
a) на обе области подать «-»;
b) на обе области подать «+»;
c) «+» на p-область, «-» на n-область;
d) «-» на p-область, «+» на n-область
6 Обедненная область p-n перехода:
a) обладает небольшим удельным сопротивлением;
b) уменьшается при подаче обратного смещения;
c) обеднена примесями;
d) содержит нескомпенсированные заряды ионов примеси
7 При прямом включении p-n перехода:
a) подвижность носителей возрастает;
b) через p-n переход проходят электроны из n-области в p-область, а дырки из p в n;
c) внутреннее электрическое поле p-n перехода препятствует прохождению основных
носителей заряда;
8 При обратном включении p-n перехода:
a) потоки основных носителей через переход уравновешивают друг друга;
b) потенциальный барьер возрастает и носители заряда не могут перейти через
барьер;
c) неосновные носители подхватываются внутренним электрическим полем p-n
перехода и перебрасываются в соседнюю область
9 Барьерную емкость p-n перехода образуют:
a) заряды электронов и дырок в p-n переходе;
b) заряды доноров и акцепторов в p-n переходе;
c) заряды инжектированных в соседнюю область носителей;
d) заряды на обкладках конденсатора.
10 Диффузионную емкость p-n перехода образуют:
a) заряды электронов и дырок в p-n переходе;
b) заряды доноров и акцепторов в p-n переходе;
c) заряды инжектированных в соседнюю область носителей;
d) заряды на обкладках конденсатора.
11 Барьерная емкость
a) растет с ростом обратного напряжения;
b) падает с ростом обратного напряжения;
c) растет с ростом прямого напряжения;
d) падает с ростом прямого напряжения.
12 Полупроводниковые приборы с электрически управляемой ёмкостью:
a) стабисторы;
b) стабилитроны;
c) туннельные диоды;
d) варикапы.
13 Как называется явление резкого возрастания концентрации неосновных носителей
заряда в прилежащих к переходу областях при подаче на него прямого смещения:
a) пробой;
b) инжекция;
c) диффузия;
d) дрейф.
14 Лавинный пробой:
a) наблюдается в «тонких» p-n переходах;
b) является необратимым;
c) с ростом температуры напряжение пробоя увеличивается;
d) происходит в результате ударной ионизации атомов.
15 Туннельный пробой:
a) с ростом температуры напряжение пробоя уменьшается;
b) наблюдается в «тонких» p-n переходах;
c) наступает при больших напряжениях, чем лавинный пробой;
d) может произойти в p-n переходах, изготовленных на основе высоколегированных
полупроводников.
16 Полупроводниковые приборы, где используется пробой:
a) стабисторы;
b) стабилитроны;
c) туннельные диоды;
d) варикапы.