Министерство образования и науки Российской Федерации Национальный исследовательский университет «МИЭТ»

Министерство образования и науки Российской Федерации
Национальный исследовательский университет «МИЭТ»
Электроника - 2015
Международная научно-техническая конференция
(Зеленоград, 19 - 20 ноября 2015 г.)
ПРОГРАММА КОНФЕРЕНЦИИ
Москва 2015
1
В материалах конференции представлены результаты научных
исследований по следующим направлениям: «Функциональные
материалы и структуры электроники», «Электронная компонентная
база: проектирование, моделирование, технология», «Микро- и
наносистемная техника», «Радиоэлектронные устройства и системы»,
«Биомедицинская инженерия».
Сопредседатели: Гуляев Ю.В., академик РАН, ИРЭ РАН
Красников Г.Я., академик РАН, НИИМЭ и Микрон
Чаплыгин Ю.А., чл.-корр. РАН, МИЭТ
Программный комитет
Алферов Ж.И., академик РАН, вице-президент РАН
Бархоткин В.А., чл.-корр. РАРАН, МИЭТ
Беспалов В.А., профессор, МИЭТ
Бугаев А.С., академик РАН, ИРЭ РАН
Быков ВА., профессор, НТ-МДТ
Вернер В.Д., профессор, МИЭТ
Горбацевич А.А., чл.-корр. РАН, МИЭТ
Зверев А.В., ОАО «Российская электроника»
Каляев И.А., чл.-корр. РАН, НИИ МВС ЮФУ
Лабунов В.А., академик НАН Беларуси, БГУИР
Мальцев П.П., профессор, ИСВЧПЭ РАН
Меликян В.Ш., профессор, чл.-корр. НАН Армении, Синопсис, Армения
Орликовский А.А., академик РАН, ФТИ РАН
Панченко В.Я., академик РАН, НИЦ «Курчатовский институт»
Петросянц К.О., профессор, НИУ ВШЭ
Сауров А.Н., чл.-корр. РАН, НПК ТЦ
Сигов А.С., академик РАН, МИРЭА
Стемпковский А.Л., академик РАН, ИППМ РАН
Сурис Р.А., академик РАН, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
Таиров Ю.М., профессор, СПбЭТУ «ЛЭТИ»
Филачев А.М., чл.-корр. РАН, НПО «Орион»
Юртов Е.В., чл.-корр. РАН, профессор, РХТУ им. Д.И. Менделеева
2
ПРОГРАММА КОНФЕРЕНЦИИ
19 ноября 2015 г.
10.00 – 12.00 Пленарное заседание (актовый зал МИЭТ)
«МИЭТ – 50 лет: научные исследования и достижения»
Чаплыгин Юрий Александрович, чл.-корр. РАН,
МИЭТ
«Транзисторные структуры современной микрои наноэлектроники»
Красников Геннадий Яковлевич, академик РАН,
ОАО «НИИМЭ и Микрон»
«Квантовые каскадные лазеры: исходная концепция
и её развитие»
Сурис Роберт Арнольдович, академик РАН,
ФТИ им. А.Ф. Иоффе
12.00 – 14.00 Обед
14.15 – 19.00 Секционные заседания
20 ноября 2015 г.
10.00 – 13.00 Секционные заседания
3
Содержание
Секция 1. Функциональные материалы и структуры
электроники ......................................................................
5
Секция 2. Электронная компонентная база:
проектирование, моделирование, технология ................
7
Секция 3. Микро- и наносистемная техника .......................................
9
Секция 4. Радиоэлектронные устройства и системы .......................
12
Секция 5. Биомедицинская инженерия ...........................................
14
4
Секция 1
ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ И СТРУКТУРЫ
ЭЛЕКТРОНИКИ
Руководители: Гаврилов Сергей Александрович, д.т.н., профессор, МИЭТ
Горбацевич Александр Алексеевич, чл.-корр. РАН, МИЭТ
Уч. секретарь: Силибин Максим Викторович, к.т.н., доцент, МИЭТ
Секционные заседания
19 ноября, 14.15 – 19.00, ауд. 1200, (Библиотека)
20 ноября, 10.00 – 13.00, ауд. 1200, (Библиотека)
Юртов Е.В. Механизмы образования нанокристаллов ZnO из
мицеллярных растворов. РХТУ, Москва.
Астахов М.В. Фазовая устойчивость наночастиц сегнетоэлектриков.
МИСИС, Москва.
Мальцев П.П., Федоров Ю.В. Технологические особенности
изготовления МИС на GaN. ИСВЧПЭ РАН, Москва.
Галкин Н.Г., Галкин К.Н., Горошко Д.Л., Доценко С.А., Чернев И.М.,
Шевлягин А.В., Маслов А.М., Dozsa L., Pecz B., Osváth Z.
Полупроводниковые пленки станнидо-силицидов и германида магния на
кремнии для термоэлектрических преобразователей: структура,
оптические и электрические свойства. ИАПУ ДВО РАН, Владивосток,
Institute of Technical Physics and Material Sciences Hungarian Academy of
Sciences, Hungary.
Мишина Е.Д., Шестакова А.П., Лавров С.Д., Ильин Н.А., Брехов К.А.,
Гришунин К.А., Сигов А.С. Оптические эффекты в наноразмерных
слоях дихалькогенидов переходных металлов. МИРЭА, Москва.
Шерстюк Н.Э., Гришунин К.А., Брехов К.А., Мишина Е.Д.
Светоиндуцированная динамика и фемтосекундное возбуждение фононных
мод в сегнетоэлектрике-полупроводнике Sn2P2S6. МИРЭА, Москва.
Троянчук И.О., Карпинский Д.В., Силибин М.В., Неклюдов К.Н.,
Гаврилов С.А. Ферромагнетизм в магнитных полупроводниках. МИЭТ,
Москва, НПЦ НАН Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь.
Горбацевич А.А., Шубин Н.М. Взаимодействие резонансов в
полупроводниковых
гетероструктурах
и
теория
катастроф.
ФИ им. П.Н. Лебедева РАН, МИЭТ, Москва.
5
Чепурнов В.И., Долгополов М.В., Гурская А.В., Подгорнов С.Н.,
Щербаков А.Н. Гетероструктура por-SiC/Si для прикладных целей.
СамГУ, Самара.
Федотов С.Д., Емельянов А.В., Тимошенков С.П. Исследование
технологичности методов газофазной гетероэпитаксии кремния на
сапфире. МИЭТ, Москва.
Андрианова Н.Н., Борисов А.М., Казаков В.А., Машкова Е.С.,
Пальянов Ю.Н., Питиримова Е.А., Попов В.П., Ризаханов Р.Н.,
Сигалаев С.К. Модификация поверхности алмаза при высокодозной
ионной бомбардировке. НИИЯФ им. Д.В. Скобельцына, МГУ
им. М.В. Ломоносова,
МАТИ,
Исследовательский
центр
им. М.В. Келдыша, Москва, ННГУ, Нижний Новгород, ИГМ СО РАН,
ИФП им. А.В. Ржанова, Новосибирск.
Агеев О.А., Блинов Ю.Ф., Ильина М.В., Смирнов В.А. Разработка
мемристорной структуры на основе вертикально ориентированной
углеродной нанотрубки. ИНЭП ЮФУ, Таганрог.
Плюснин Н.И. Спиновые инжекторы и транзисторы для кремниевой
спинтроники. ИАПУ ДВО РАН, Владивосток.
Белов А.Н., Гаврилов С.А., Терашкевич И.М., Тузовский В.К. Пути
повышения энергоэффективности солнечных батарей: перспективные
технологии и оборудование. МИЭТ, Москва.
Федоров И.В., Емельянов А.В., Ромашкин А.В., Неволин В.К.,
Бобринецкий И.И. Узкоспектральные фоточувствительные структуры
на основе J-агрегатов цианиновых красителей. МИЭТ, Москва.
Захаров П.С. Модели переключения электрической проводимости в
структурах резистивной памяти на основе оксида кремния. АО «НИИМЭ»,
Москва.
Гаврилов С.А., Гавриш С.В., Пучнина С.В., Сурдо А.В. Профилированный
сапфир - перспективный материал для оболочек разрядных источников
оптико-электронных устройств. МИЭТ, АО «СКБ «ЗЕНИТ», Москва.
Рощин В.М., Петухов И.Н., Осипенкова Н.Г., Сеньченко К.С.
Технология формирования профилированных контактных структур для
высокоплотного монтажа кристаллов ИС. МИЭТ, Москва.
Бардушкин В.В., Кириллов Д.А., Сорокин А.И., Яковлев В.Б. Локальные
физико-механические характеристики пространственно неоднородных
материалов функциональной электроники. МИЭТ, Москва.
Герасименко Н.Н., Турьянский А.Г., Смирнов Д.И. Новые подходы к
рентгеновской метрологии объектов наноэлектроники. МИЭТ,
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Москва.
6
Секция 2
ЭЛЕКТРОННАЯ КОМПОНЕНТНАЯ БАЗА: ПРОЕКТИРОВАНИЕ,
МОДЕЛИРОВАНИЕ, ТЕХНОЛОГИЯ
Руководители: Путря Михаил Георгиевич, д.т.н., профессор, МИЭТ
Крупкина Татьяна Юрьевна, д.т.н., профессор, МИЭТ
Шелепин Николай Алексеевич, д.т.н., профессор,
ОАО «НИИМЭ и Микрон»
Уч. секретарь: Лосев Владимир Вячеславович, д.т.н., профессор, МИЭТ
Секционные заседания
19 ноября, 14.15 – 19.00, ауд. 3103, зал Ученого Совета
20 ноября, 10.00 – 13.00, ауд. 3103, зал Ученого Совета
Меликян В.Ш., Галстян В.А. Интегральный понижающий
преобразователь мощности с цифровым контролем обратной связи и
коэффициента преобразования. «Synopsys Armenia CJSC», Ереван,
Армения.
Агеев О.А., Светличный А.М., Коломийцев А.С., Житяев И.Л.
Формирование структур автоэмиссионной наноэлектроники методом
фокусированных ионных пучков на поверхности карбида кремния с
пленками графена. ИНЭП ЮФУ, Таганрог.
Чаплыгин Ю.А., Крупкина Т.Ю., Красюков А.Ю., Артамонова Е.А.
Разработка методов приборно-технологического моделирования
элементов интегральной электроники с повышенной стойкостью к
внешним воздействиям. МИЭТ, Москва.
Коноплев Б.Г., Рындин Е.А. Быстродействующие интегральные
коммутаторы с пространственной передислокацией максимумов
плотности носителей заряда. ИНЭП ЮФУ, Таганрог.
Усанов Д.А., Никитов С.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В.,
Латышева Е.В. Измерения параметров полупроводниковых структур с
использованием СВЧ фотонных кристаллов. СГУ им. Н.Г. Чернышевского,
Саратов, ИРЭ РАН, Москва.
Боргардт Н.И., Волков Р.Л. Применение метода фокусированного
ионного пучка и электронной микроскопии для анализа структуры
СБИС. МИЭТ, Москва.
Усанов Д.А., Горбатов С.С., Фадеев А.В. Определение характеристик
полупроводниковых СВЧ диодов по результатам измерения ближнеполевым СВЧ-микроскопом. СГУ им. Н.Г. Чернышевского, Саратов.
7
Адамов Д.Ю., Адамов Ю.Ф., Балака Е.С. Сравнительный анализ
устойчивости КМОП дифференциальных усилителей к воздействию
накопленной дозы ионизирующих излучений. ИППМ РАН,
ООО «Юник Ай Сиз», Москва.
Тимошенков В.П., Ефимов А.Г. Выбор элементной базы для приемопередающего модуля АФАР. МИЭТ, Москва, Филиал ДООО "Ижевский
радиозавод", Ижевск.
Бабкин С.И., Голишников А.А., Есенкин К.С., Шевяков В.И.
Исследование и разработка процесса плазменного травления
высокотемпературной системы металлизации на основе вольфрама.
ФНЦ НИИСИ РАН, МИЭТ, АО ЗНТЦ, Москва.
Орлов О.М. Особенности разработки элементов энергонезависимой
памяти FRAM, ReRAM на основе использования процессов ALD.
ОАО «НИИМЭ и Микрон», АО «НИИМЭ», Москва.
Сафонов С.О., Путря М.Г. Методика определения электромиграционных
параметров металлических проводников при ускоренных испытаниях.
АО «Ангстрем-Т», МИЭТ, Москва.
Яфаров Р.К., Горнев Е.С., Орлов С.Н., Тимошенков С.П.,
Тимошенков В.П. Метод формирования автоэмиссионных эмиттеров с
использованием
микроволнового
плазмохимического
синтеза
наноуглеродных структур. ИРЭ РАН, ОАО «НИИМЭ», МИЭТ, Москва.
Тимошенков В.П., Хлыбов А.И., Родионов Д.В. 3-5 ГГц двухканальный
малошумящий усилитель для сверхширокополосных СВЧ систем.
МИЭТ, Москва.
Матюшкин И.В., Теплов Г.С., Горнев Е.С. Особенности реализации
микросхем с клеточно-автоматной архитектурой на основе эффекта
резистивного переключения. АО «НИИМЭ», МФТИ, Москва.
Зайцев А.А., Лаврентьев К.К., Розанов Р.Ю., Царик К.А. Разработка
технологического маршрута мощного СВЧ транзистора на основе
гетероструктуры AlN/GaN. МИЭТ, Москва.
Поперечный П.С., Беляев А.А., Колесникова И.Ю. Верификация
аппаратных описаний алгебраических блоков в среде MatLab.
ОАО НПЦ «ЭЛВИС», Москва.
Новиков А.А., Ильин С.А., Кочанов С.К., Ласточкин О.В.
Модифицированный маршрут автоматизированного поиска структур
схем статической и динамической защиты СБИС от электростатического
разряда. АО «НИИМЭ», Москва.
Новак А.В. Зависимость шероховатости поверхности пленок
поликристаллического кремния от условий формирования. МИЭТ, Москва.
8
Секция 3
МИКРО- И НАНОСИСТЕМНАЯ ТЕХНИКА
Руководители: Сауров Александр Николаевич, чл.-корр. РАН,
ИНМЭ РАН, НПК «ТЦ»
Мальцев Петр Павлович, д.т.н., профессор, ИСВЧПЭ РАН
Тимошенков Сергей Петрович, д.т.н., профессор, МИЭТ
Уч. секретарь: Калугин Игорь Владимирович, д.т.н., профессор, МИЭТ
Секционные заседания
19 ноября, 14.15 – 19.00, ауд. 7206, зал НТС
20 ноября, 10.00 – 13.00, ауд. 7206, зал НТС
Тимошенков С.П. Разработка и изготовление инерциальных сенсоровмикроакселерометров и микрогироскопов. МИЭТ, Москва
Анцев И.Г., Богословский С.В., Сапожников Г.А. Датчики на ПАВ
большой дальности. АО «НПП «Радар ммс», Санкт-Петербург.
Зарянкин Н.М., Виноградов А.И., Брыкин А.В., Плис Н.И.
Исследование процесса параллельного утонения кремния при
изготовлении структур МЭМС. МИЭТ, ОАО «Ангстрем», Москва.
Коноплев Б.Г., Агеев О.А., Лысенко И.Е., Гусев Е.Ю., Житяева Ю.Ю.,
Быков А.В., Бондарев Ф.М., Бесполудин В.В. Конструкция и
технологический
маршрут
изготовления
микромеханического
гироскопа с двумя осями чувствительности. ИНЭП ЮФУ, Таганрог.
Лысенко И.Е., Ткаченко А.В. Модель микромеханического
акселерометра с тремя осями чувствительности. ИНЭП ЮФУ, Таганрог.
Итальянцев А.Г., Шульга Ю.В., Константинов В.С., Буканов А.Г.
Формирование
информационного
сигнала
пьезоэлектрического
акселерометра при комбинированных инерционных перегрузках.
АО «НИИМЭ», МФТИ, Москва.
Пудонин Ф.А., Болтаев А.П., Шерстнев И.А. Процессы
намагничивания сенсорных структур на основе «наноостровковых
сверхрешеток» в слабых магнитных полях. Физический институт
им. П.Н. Лебедева РАН, Москва.
Афанасьев А.С., Полушкин В.М. О снижении зависимости
перспективных образцов ВВСТ от импортных изделий микросистемной
техники. Филиал ФГБУ «46 ЦНИИ» МО РФ, Мытищи.
9
Тимошенков С.П., Калугин В.В., Разживалов П.Н. Тепловое
исследование высокоточного звездного датчика для определения его
угловой погрешности. МИЭТ, НПП «ОПТЭКС», Москва.
Кравцова В.Д., Искаков Р., Коробова Н.Е., Тимошенков С.П. ,
А.В. Брыкин, Плис Н.И. Новые возможности пластичных
нанокомпозитов в МЭМС технологии. Институт химии им. А.Б. Бектурова,
Казахстанско - Британский технический университет, Алматы, Казахстан,
МИЭТ, Москва.
Умбетова К.Б., Кравцова В.Д., Искаков Р., Коробова Н.Е.
Электропроводные материалы на основе металлизированных
полиимидов как элементы солнечных батарей и микросистемной
техники. Казахстанско - Британский технический университет,
Институт химии им. Бектурова, Алматы, Казахстан, МИЭТ, Москва.
Тимошенков А.С., Михеев А.В., Косолапов А.А. Исследование
характеристик
и
оптимизация
работы
микромеханического
инерциального измерительного модуля. МИЭТ, Москва.
Орлов С.Н., Бобовников П.Г., Буканов А.Г. Разработка двухопорных
балочных элементов для энергонезависимого МЭМС-коммутатора.
АО «НИИМЭ», Москва.
Захаров П.С., Орлов С.Н. Формирование вакуумированных структур
резистивной памяти на основе оксида кремния с использованием
технологий микромеханики. АО «НИИМЭ», Москва.
Жуков А.А., Гребенюк Е.И., Сагитов Г.М. Дифракционный контроль
сквозных отверстий в кремнии для МЭМС-технологий. МАИ, Москва.
Рискин Д.Д., Жукова С.А., Обижаев Д.Ю., Турков В.Е. Измерение
прочностных свойств адгезионных соединений, полученных методом
термокомпрессионного сращивания. ЦНИИ им. Д.И. Менделеева, Москва.
Гаев Д.С., Бойко А.Н. Интегральные конденсаторы повышенной
емкости для МЭМС. КБГУ, Нальчик, МИЭТ, Москва.
Борисов М.В., Михеев П.А., Раховский В.И., Челюбеев Д.А., Черник В.В.,
Шамаев А.С. Голографическая литография как метод создания
изображений произвольных топологий на развитых поверхностях.
Nanotech SWHL GmbH, Москва.
Амеличев В.В., Генералов С.С., Никифоров С.В., Соловьева Г.П.,
Смехова
М.И.,
Платонов
В.В.
Технология
изготовления
диэлектрических мембран с низким остаточным уровнем механических
напряжений. НПК «Технологический центр», Москва.
10
Крупнов Ю.А., Ковриго Е.М. Разработка архитектуры модульного
программно-аппаратного комплекса автоматизированного управления
системами вентиляции. МИЭТ, ООО «МЭК», Москва.
Крупнов Ю.А., Орешкин Г.И., Ковриго Е.М. Анализ особенностей
формирования термоэлектрических детекторов ИК-излучения по
МЭМС технологии. МИЭТ, АО «ЗИТЦ», Москва.
Соловьев В.С., Тимошенков А.С., Быков А.М. Измерение температуры
на эффекте интерференции соседних мод широкополосного лазерного
диода. МИЭТ, Москва.
11
Секция 4
РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА И СИСТЕМЫ
Руководители: Бархоткин Вячеслав Александрович, чл.-корр. РАРАН,
МИЭТ
Каляев Игорь Анатольевич, чл.-корр. РАН,
НИИ МВС ЮФУ
Гуреев Александр Васильевич, д.т.н., профессор, МИЭТ
Уч. секретарь: Переверзев Алексей Леонидович, д.т.н., доцент, МИЭТ
Секционные заседания
19 ноября, 14.15 – 19.00, ауд. 3104
20 ноября, 10.00 – 13.00, ауд. 3104
Каляев И.А Многопроцессорные вычислительные и управляющие
системы с реконфигурируемой архитектурой. НИИ МВС ЮФУ,
Таганрог.
Петричкович Я.Я. Семантические процессоры. Новая эра электроники.
ОАО «НПЦ «ЭЛВИС», Москва.
Минаков Е.И., Мацур И.Ю. Информационно-измерительная система
управления
дорожно-транспортной
обстановкой
на
основе
радиочастотной идентификации. ТулГУ, Тула.
Переверзев А.Л., Якунин А.Н., Янин В.И. Концепция построения
миниатюрных бортовых информационно-управляющих систем и
аппаратно-программных комплексов для их тестирования. МИЭТ,
ОАО «Завод «Компонент», Москва.
Сизов В.И., Гуреев А.В. Возможности и перспективы применения
просветных радиолокационных датчиков малой дальности. МИЭТ, Москва.
Соколов И.А., Скичко Д.Ю. Результаты проектирования и изготовления
приемоответчика
Х-диапазона.
АО
«НИИ
Микроприборов
им. Г.Я. Гуськова», Москва.
Горбунов С.Ф., Гришин В.Ю., Еремеев П.М. Бортовое запоминающее
устройство на основе технологии SpaceWire и отечественной
электронной компонентной базы. АО «НИИ «Субмикрон», Москва.
Гришин В.Ю., Еремеев П.М., Тарабаров П.А. Построение
отказоустойчивой бортовой ЦВМ на основе технологии SpaceWire и
отечественной электронной компонентной базы для перспективных КА.
АО «НИИ «Субмикрон», Москва.
12
Бахтин А.А., Кузнецов В.С., Солодков А.В. Многоканальный цифровой
приемник ТВ сигналов на основе ортогонального кода. МИЭТ, Москва.
Андрианов А.В. Верификация IP-блоков на RTL-модели и ПЛИСпрототипе при помощи высокоуровневого скриптового языка lua.
ЗАО НТЦ «НИИ «Модуль», Москва.
Гагарина Л.Г., Федоров П.А., Федоров А.Р. Повышение эффективности
методов 3D-рендеринга при анализе нарушений технологического
процесса производства изделий микроэлектроники в составе
автоматизированной системы контроля. МИЭТ, Москва.
Цветков В.К., Шеремет А.Ю., Лялин К.С., Орешкин В.И. Влияние
нелинейного режима работы усилителей приемника на корреляционные
характеристики BPSK модулированных сигналов. МИЭТ, Москва.
Миров Ф.Х., Янакова Е.С. Модель оценивания загруженности
проблемно-ориентированных ядер. МИЭТ, Москва.
Кузнецов В.С., Солодков А.В., Муратчаев С.С. Модуляция
ФМ16+АИМ4. МИЭТ, Москва.
Головинский
И.А.,
Тумаков
А.В.
Разработка
адаптивного
координирующего
устройства
для
оперативного
управления
переключениями в интеллектуальной электрической сети. МИЭТ,
ООО «ДЕЦИМА», Москва.
Кочетков М.П. Тенденции совершенствования систем управления
мобильными роботизированными комплексами. МИЭТ. Москва.
Тихомиров А.В., Омельянчук Е.В., Семенова А.Ю., Михайлов В.Ю.
Использование четырехканальной системы передачи информации для
повышения пропускной способности радиолинии Космос - Земля до
2 Гбит/с. МИЭТ, Москва.
13
Секция 5
БИОМЕДИЦИНСКАЯ ИНЖЕНЕРИЯ
Руководители: Кавалеров Гений Иванович, д.т.н., профессор,
МНТО приборостроителей и метрологов
Селищев Сергей Васильевич, д.ф.-м.н., профессор, МИЭТ
Уч. секретарь: Данилов Арсений Анатольевич, к.ф.-м.н., доцент, МИЭТ
Секционные заседания
19 ноября, 14.15 – 19.00, ауд. 1205
20 ноября, 10.00 – 13.00, ауд. 1205
Заико В.М. Кафедре физики живых систем МФТИ - 50 лет. МФТИ,
Москва.
Иткин Г.П. Одиссея развития проблемы искусственного сердца в
России. ФНЦТИО им. ак. В.И. Шумакова, Москва.
Хубутия М.Ш., Шемякин С.Ю. Хирургия сердечной недостаточности.
НИИ скорой помощи им. Н.В. Склифосовского.
Белов С.В., Данилейко Ю.К., Осико В.В., Салюк В.А. Ударно-волновая
деструкция биотканей как новый метод лазерного хирургического
лечения дистрофических заболеваний в гинекологии. Институт общей
физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва.
Рычагов М.Н. Нейросетевые алгоритмы обработки изображений.
Исследовательский Центр Самсунг, Москва.
Селищев С.В. Фабрики имплантатов, искусственных тканей и органов.
МИЭТ, Москва.
Гринвальд В.М. Развитие методов и технических средств
искусственного очищения крови. МИЭТ, Москва.
Подгаецкий В.М. Лазерная наноинженерия преобразует медицину.
МИЭТ, Москва.
Терещенко С.А. Однофотонная эмиссионная вычислительная
томография в пропорциональной рассеивающей среде. МИЭТ, Москва.
Комаров И.А., Бобринецкий И.И., Рубцова Е.Н., Головин А.В.,
Залевский А.О., Айдарханов Р.Д. Технологические особенности
создания ДНК-модифицированных биологических сенсоров на основе
углеродных нанотрубок. МИЭТ, МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва.
14
Телышев Д.В. Исследование влияния роторных насосов крови на
сердечно-сосудистую систему. МИЭТ, Москва.
Базаев Н.А. Носимая аппаратура для внепочечного очищения крови.
МИЭТ, Москва.
Герасименко А.Ю. Лазерное наноструктурирование 3D-биоконструкций
водно-белковой дисперсии углеродных нанотрубок. МИЭТ, Москва.
Данилов А.А. Беспроводное энергообеспечение имплантируемых
медицинских приборов с помощью индуктивной связи. МИЭТ, Москва.
Долгушин С.А. Основные тенденции развития современных методов
иммунофлуоресцентной диагностики. МИЭТ, Москва.
Ичкитидзе Л.П. Комбинированный датчик ультраслабых магнитных
полей (≤ 1 пТл) с наноструктурированными элементами. МИЭТ, Москва.
Потапов Д.А. Магистерская программа «Биомедицинская инженерия
искусственных органов». МИЭТ, Москва.
Пьянов И.В. Профориентационная работа кафедры биомедицинских
систем НИУ МИЭТ. МИЭТ, Москва.
15
Программа конференции
Электроника – 2015. Международная научно-техническая конференция
Подписано в печать с оригинал-макета 11.11.2015. Формат 6084 1/16. Печать
офсетная. Бумага офсетная. Гарнитура Times New Roman. Усл. печ. л. 0,93.
Уч.-изд. л. 0,8. Тираж 170 экз. Заказ 83.
Отпечатано в типографии МИЭТ.
124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ.
16