список пришедших и заявленных

advertisement
Перечень докладов на Вторую Российско-белорусскую научно-техническую конференцию
«Элементная база отечественной радиоэлектроники: импортозамещение и применение» им. О. В. Лосева
Направление 1. Электрические, оптические, структурные и химические свойства полупроводниковых материалов. Физика полупроводниковых
приборов. Приборы на квантовых эффектах. Моделирование на суперЭВМ методом молекулярной динамики физических процессов в материалах
и компонентах электронной техники. Наноструктуры и нанотехнологии в микроэлектронике. Моделирование сложных наносистем, в том числе
на суперЭВМ.
№
Диоды Шоттки с барьером из силицида платины,
сформированным низкотемпературным методом
Авторы доклада
Член-корреспондент НАН
Беларуси, профессор, д. т. н.
ГУРСКИЙ Л.И. 1,
к.ф.-м.н. Крылов Г.Г.2,
к.ф.-м.н. Крылова Г.В.2
Я.А.Соловьев,
В.А.Солодуха
3
Особенности проектирования и изготовления микросхем
лавинных фотоприёмников ближнего ИК диапазона
В.С.Малышев, В.Б.Залесский,
В.А.Солодуха, В.С.Цымбал,
С.В.Шведов
4
РАСШИРЕНИЕ РАБОЧЕЙ ОБЛАСТИ ЧАСТОТ
ФОТОПРИЕМНИКОВ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА ОСНОВЕ
КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО ЗОЛОТОМ, ПРИ ИХ
ИСПОЛЬЗОВАНИИ ДЛЯ ВОССТАНОВЛЕНИЯ
ВРЕМЕННОЙ ЗАВИСИМОСТИ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ
ОПТИЧЕСКИХ ИМПУЛЬСОВ
1
2
5
Название доклада
МОДЕЛИРОВАНИЕ РАСЩЕПЛЕНИЯ ДИРАКОВСКИХ
ЗОН ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ПЕРОВСКИТОПОДОБНЫХ
СЛОЖНЫХ ОКСИДОВ
ПЕРСПЕКТИВЫ ПРИМЕНЕНИЯ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ
ПОДЛОЖЕК ПОЛУИЗОЛИРУЮЩЕГО SiC В СВЧ
ДИАПАЗОНЕ ОТ 6 ДО 450 ГГЦ
Структуры
Белорусский государственный
университет информатики и
радиоэлектроники, Минск;
2
Белорусский государственный
университет, Минск
ОАО «ИНТЕГРАЛ»-управляющая
компания холдинга «ИНТЕГРАЛ»,
Минск
ОАО «ИНТЕГРАЛ»-управляющая
компания холдинга «ИНТЕГРАЛ»,
Минск; Институт физики им. Б. И.
Степанова НАН Беларуси, Минск
1
к.ф.-м.н Никишин Е.В.,
к.ф.-м.н. Гришаев В.Я.,
Пескова Е.Е.
Мордовский государственный
университет им. Н.П.Огарева,
Саранск
к. ф.-м. н. Вьюгинов В.Н.1, Волков
В.В.1, Ребров А.Н.1, Травин Н.К.1,
Венедиктов О.В.1,
Коровкина М.М. 1, проф. Григорьев
А.Д.1, Козырева О.А.1, д.т.н.
Паршин В.В.2, Серов Е.А 2, д.т.н
Гарин Б.М.3, Серов Н.В.4
1
ЗАО «Светлана-Электронприбор»,
Санкт-Петербург; 2ФИЦ Институт
прикладной физики РАН;
3
Фрязинский филиал Института
радиотехники и электроники им. В.А.
Котельникова РАН; 4АО «НИИ
Феррит-Домен», Санкт-Петербург
1
№
6
7
8
9
Название доклада
РАСЧЁТ И МОДЕЛИРОВАНИЕ НАПРЯЖЕНИЯ ПРОБОЯ
ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ФОТОТИРИСТОРА СО
ВСТРОЕННОЙ ЗАЩИТОЙ ОТ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЯ,
ПОЛУЧЕННОЙ С ПОМОЩЬЮ ПРОТОННОГО
ОБЛУЧЕНИЯ
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
СОЕДИНЕНИЙ МЕТОДАМИ ЯКР И ЯМР В
ЛОКАЛЬНОМ ПОЛЕ
Масс-спектрометрическая комплексная методика
исследования полевых и термических свойств
нанокомпозиционных материалов
Название доклада будет объявлено
Авторы доклада
к.ф.-м.н. Падеров В.П.,
Силкин Д.С.
к. ф.-м. н. Погорельцев А.И.,
к. ф.-м. н. Гавриленко А.Н.,
д. ф.-м. н. Матухин В.Л.,
к. ф.-м. н. Шмидт Е.В.
к. ф.-м. н. Попов Е. О., к. ф.-м. н.
Колосько А. Г., Филиппов С. В.,
Романов П. А., Федичкин И. Л.
д. ф.-м. н. Шастин В. Н.
10 Численно-аналитическое моделирование прохождения
сверхширокополосных сигналов через p-n переход
11 Название доклада будет объявлено
Рассадин А. Э.
12 Про квантовохимические параллельные вычисления в пакете
Gaussiana для наноэлектроники и нанофотоники
к. х. н. А. Я. Фрейдзон
к. ф.-м. н. Строганова С. А.
Структуры
Мордовский государственный
университет им. Н.П.Огарева,
Саранск
Казанский государственный
энергетический университет
Физико-технический институт им.
А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
Институт физики микроструктур
РАН, Нижний Новгород
НРО РНТОРЭС им. А. С. Попова
Нижегородский государственный
университет им. Н. И. Лобачевского
Центр фотохимии РАН, Москва
¹ Институт физики микроструктур
РАН, Нижний Новгород;
1,2
13 Про болометры и эффект Джозефсона
от д. ф-м. н. А. Л. Панкратова
² Нижегородский государственный
технический университет им. Р.Е.
Алексеева
от члена-корреспондента РАН
Институт физики полупроводников
14 5 докладов
А. В. Двуреченского
им. А. В. Ржанова СО РАН,
Новосибирск
Ответственные за направление: А. Л. Асеев (СО РАН), А. В. Двуреченский (ИФП СО РАН), В. В. Кведер (ИФТТ РАН), А. К. Муртазаев (ИФ
ДНЦ РАН), К. А. Марков (ННГУ), А. Э. Рассадин (НРО РНТОРЭС).
2
Направление 2. Радиационностойкая и высоконадёжная микроэлектроника. Космические электронные компоненты и вопросы их
сертификации. Доминирующие эффекты в полупроводниковой электронной компонентной базе при воздействии импульсных и стационарных
ионизирующих излучений. Математические модели электронной компонентной базы при воздействии ионизирующих излучений и внешних
электромагнитных импульсов. Проектирование современных радиационностойких интегральных схем и радиационностойкой радиоэлектронной
аппаратуры. Имитационное моделирование на суперЭВМ при проектировании современных радиационностойких интегральных схем.
№
Название доклада
Авторы доклада
1
Комплементарный радиационно-стойкий биполярный
техпроцесс для высокочастотных аналоговых интегральных
микросхем.
О.А.Божаткин, О.В.Дворников,
И.В.Малый, В.А.Солодуха,
С.В.Шведов
2
Моделирование времени наработки до отказа подзатворного
диэлектрика субмикронных микросхем по величине
пробивного напряжения при различных скоростях развертки
Г.Г.Чигирь, член-корр НАНБ
А.И.Белоус, А.К.Панфиленко,
А.Н.Петлицкий, В.А.Солодуха,
С.В.Шведов
д.т.н. Гаврилов С.В., Иванова Г.А.,
акад. РАН Стемпковский А.Л.
3
4
5
6
7
8
Оптимизация схем кодирования в целях повышения
помехозащищенности интегральных схем при воздействии
внешних дестабилизирующих факторов
Программа физико-топологического моделирования переноса
носителей заряда в полупроводниковых приборах с учетом
радиационного воздействия на основе многочастичного
алгоритма Монте-карло
Анализ влияния последовательного гамма и гамманейтронного излучения на вольт-фарадные характеристики
n+/n- GaAs структуры
Оценка радиационной стойкости и транспорт электронов в
планарных диодах Ганна
Метод оценки тепловых полей для анализа радиационной
стойкости полупроводниковых диодов
Масс-спектрометрические методы контроля качества
электронной продукции для космических систем
Структуры
ОАО «ИНТЕГРАЛ»-управляющая
компания холдинга «ИНТЕГРАЛ»,
Минск; ОАО «Минский научноисследовательский
приборостроительный институт».
ОАО «ИНТЕГРАЛ»-управляющая
компания холдинга «ИНТЕГРАЛ»,
Минск
Институт проблем проектирования в
микроэлектронике РАН, Зеленорград
Забавичев И.Ю., Потехин А.А.,
к. ф.-м. н. Пузанов А.С.,
д. т. н. Оболенский С.В.
Нижегородский государственный
университет им. Н. И. Лобачевского
Тарасова Е.А.,
Хананова А.В.
Нижегородский государственный
университет им. Н. И. Лобачевского
Е. С. Оболенская
Нижегородский государственный
университет им. Н. И. Лобачевского
Нижегородский государственный
университет им. Н. И. Лобачевского
А. А. Потехин
Федичкин И. Л., к. ф.-м. н. Попов Е.
О., Тюкальцев Р. В., Романов П. А.,
Филиппов С. В., к. ф.-м. н.
Колосько А. Г.
Физико-технический институт им.
А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
3
№
Название доклада
9 Методика разнесения регистров КМОП СБИС для
преодоления многократных сбоев при воздействии ТЗЧ
10 Моделирование реакции системы чтения регистрового файла
на одиночное событие
11
И ещё 2-3 доклада
Авторы доклада
Скоробогатов А. П.
Структуры
ФНЦ НИИ системных исследований
РАН, Москва
Балбеков А. О.
ФНЦ НИИ системных исследований
РАН, Москва
от д. т. н. С. Г. Бобкова
ФНЦ НИИ системных исследований
РАН, Москва
от чл-корр РАН В. В. Кондратьева
ФГУП «Российский федеральный
12
9-10 докладов
и д. т. н. В. Е. Костюкова
ядерный центр - Всероссийский НИИ
экспериментальной физики», Саров
1- Воронежская государственная
13
10 докладов
д. т. н. Зольников В.К. 1,2 & C.
лесотехническая академия,
2- ОАО НИИ электронной техники,
Воронеж
14
1-2 доклада
от д. т. н. Е. М. Гейфмана
ЗАО «Электровыпрямитель»,
Саранск
Ответственные за направление: А. И. Белоус (ОАО «Интеграл»), С. Г. Бобков (НИИСИ РАН), С. А. Булохов (НИИ ИС), Е. М. Гейфман (ЗАО
«Электровыпрямитель»), В. К. Зольников (ОАО «НИИЭТ»), В. А. Лабунов (БГУИР), С. В. Катин (НИИ ИС), С. В. Оболенский (ННГУ).
4
Направление 3. Оптоэлектроника, в том числе оптоэлектронные приборы на гетероструктурах, гетероструктурная СВЧ-электроника,
волоконная оптика, фотоника, акустоэлектроника, спинтроника, фрактальные радиоэлементы, пассивная элементная база: устройства и
материалы, в том числе магнитные материалы и метаматериалы. Квантовые компьютеры.
№
Название доклада
1
Оптоэлектронное направление на ОАО Интеграл – состояние
и перспективы развития
2
ОПТИМИЗАЦИЯ СПЕКТРАЛЬНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК
СВЕТОДИОДОВ СРЕДНЕГО ИНФРАКРАСНОГО
ДИАПАЗОНА НА ОСНОВЕ InAs(Sb,P) ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЙ
КОНЦЕНТРАЦИИ CH4
3
4
5
6
Авторы доклада
В.С.Цымбал, В.Б.Залесский,
В.А.Солодуха, С.В.Шведов
к.ф.-м.н. Кижаев С.С., к.ф.-м.н.
Калинина К.В., к.ф.-м.н. Петухов
А.А., Гурина Т.И., Миронова А.Н.,
к.ф.-м.н. Черняев А.В., к.ф.-м.н.
Стоянов Н.Д., д.ф.-м.н. Салихов
Х.М.
АВТОМАТИЗИРОВАННОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ
к.т.н. Пугачёв А.А.1, Иванова Г.А.1,
ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ СБИС ПО КРИТЕРИЮ
Пузырьков Д.В.2, к.ф.-м.н. Щелоков
РАЗРЕШАЮЩЕЙ СПОСОБНОСТИ
А.Н.1, д.т.н.Гулякович Г.Н.1, д.т.н.
Северцев В.Н.1
к. ф.-м. н. Н.Д. Ильинская1, С.А.
ОДНО- И МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЕ СРЕДНЕВОЛНОВЫЕ ИК Карандашев1, Н.Г.Карпухина1,2,
ФОТОДИОДЫ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР
А.А.Лавров1, д. ф.-м. н. Б.А.
p-InAsSbP/n-InAs(Sb)
Матвеев1,2, к. ф.-м. н. М. А.
Ременный1,2, Н.М. Стусь1,
к. ф.- м. н. А.А. Усикова1
к.т.н. Максимов К.О.1,
РАЗРАБОТКА СИСТЕМЫ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ
Тарасов А.В.2,
ЭЛЕМЕНТОВ С ФРАКТАЛЬНЫМ ИМПЕДАНСОМ
д.т.н. Ушаков П.А.2
Расчёт размеров гребенчатого резистора
д. т. н. Спирин В. Г.
Структуры
ОАО «ИНТЕГРАЛ»-управляющая
компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», ,
Минск; Институт физики им. Б. И.
Степанова НАН Беларуси, Минск
ООО «Микросенсор Технолоджи»,
Санкт-Петербург
Институт проблем проектирования в
микроэлектронике РАН, Зеленоград;
2
Институт прикладной математики
им. М.В. Келдыша РАН, Москва
1
Физико-технический институт им.
А.Ф.Иоффе РАН, Санкт-Петербург;
2
ООО «ИоффеЛЕД», СанктПетербург
1
ООО «ИРЗ ТЕСТ», Ижевск;
Ижевский государственный
технический университет имени М.Т.
Калашникова
Арзамасский политехнический
институт — (филиал) НГТУ им. Р. Е.
Алексеева
1
2
5
№
7
Название доклада
КОМБИНИРОВАННЫЕ СЛОИ AL2O3 И HFO2 В КАЧЕСТВЕ
ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА ДЛЯ GaAs- СТРУКТУР
Авторы доклада
Калентьева И.Л.,
к.ф.-м.н. Здоровейщев А.В.,
к.ф.-м.н. Кудрин А.В.
Структуры
Нижегородский государственный
университет им. Н.И. Лобачевского
Казанский физико-технический
институт им. Е.К. Завойского
Казанского научного центра РАН;
2
Белорусский государственный
университет, Минск
ОАО ФНПЦ «Нижегородский
научно-исследовательский
приборостроительный институт им.
А. П. Горшкова»
¹Институт физики микроструктур
РАН, Нижний Новгород;
²ОАО ФНПЦ «Нижегородский
научно-исследовательский
приборостроительный институт им.
А. П. Горшкова»
Нижегородский государственный
университет им. Н. И. Лобачевского
Нижегородский государственный
университет им. Н. И. Лобачевского
1
8
Создание напряженных и сильно легированных слоев
германия для кремниевой оптоэлектроники
к.ф.-м.н. Баталов Р.И.1, д.ф.-м.н.
Баязитов Р.М.1, к.ф.-м.н. Ивлев
Г.Д.2
9
Программно-аппаратные средства и методы в современной
измерительной технике СВЧ, КВЧ и оптического диапазонов
к. т. н. П. Д. Моисеев,
д. т. н. А. М. Щитов
10 Технология производства криогенной микросхемы
«Эталон 1-го Вольта»
д.ф.-м. н. Клушин А. М.¹,
к. ф.-м. н. Грязнов Ю. М ²,
Хорышев ²
11 Название доклада будет объявлено
к. ф.-м. н. Карзанов В. В.
Про численное моделирование резонансно-туннельного диода
12 на основе гетероперехода AlxGa1-xAs/GaAs и барьера
Шоттки
А. С. Абросимов,
к. ф.-м. н. В. Н. Агарев
13 Про наличие отсутствия элементной базы для
оптоэлектроники в России
к. ф.-м. н. М. А. Новиков¹,
д. ф.-м. н. В. М. Геликонов²
14 3-4 доклада
от академика РАН Е. М. Дианова
15 3-4 доклада по спинтронике
от член-корр РАН С. А. Никитова
¹Институт физики микроструктур
РАН, Нижний Новгород;
²Институт прикладной физики РАН,
Нижний Новгород
Научный центр волоконной оптики
РАН, Москва
Институт радиотехники и
электроники им. В.А. Котельникова
РАН, Москва
6
№
Название доклада
Авторы доклада
Структуры
Фрязинский филиал Института
16 4-5 докладов
от д. ф.-м. н. А. И. Панаса
радиотехники и электроники им. В.А.
Котельникова РАН
17 4-5 докладов
от д. ф.-м. н. А. М. Бобрешова
Воронежский государственный
университет
18 Название доклада будет объявлено
д. т. н. Баранов А. В.
ОАО «НПП «Салют»,
Нижний Новгород
19 4-5 докладов
от академика РАН
Физико-технологический институт
А. А. Орликовского
РАН, Москва
Институт сверхвысокочастотной
20 1 доклад
от д. т. н. П. П. Мальцева
полупроводниковой электроники
РАН, Москва
Ответственные за направление: А. А. Андронов (ИФМ РАН), С. Ю. Белозёров (ННИПИ «Кварц»), А. М. Бобрешов (ВГУ), В. С. Гутин (ЛЭТИ),
Е. М. Дианов (НЦ ВО РАН), А. П. Достанко (БГУИР), П. П. Мальцев (ИСВЧПЭ РАН), С. А. Никитов (ИРЭ РАН), М. А. Новиков (ИФМ РАН), А.
А. Орликовский (ФТИ РАН), А. И. Панас (ФИРЭ РАН), А. А. Потапов (ИРЭ РАН), А. С. Шалумов (НИИ «АСОНИКА»).
7
Направление 4. Технологии получения материалов для элементной базы отечественной радиоэлектроники, а также методы их исследования:
сканирующая зондовая микроскопия, рентгеноструктурный анализ и. т. д. Оптическая, рентгеновская, электронная и ионная литография.
Ионная имплантация. Моделирование на суперЭВМ технологических процессов микроэлектроники. Высокочистые материалы для микро- и
наноэлектроники, волоконной и силовой оптики, оптоэлектроники. Методы физического материаловедения.
№
1
Название доклада
Исследование методом ИК-Фурье спектрометрии
пространственного изменения кинетики преципитации
кислорода в кремнии в процессе изготовления ИМС
2
Анализ электрофизических параметров элементной базы
субмикронных ИМС с использованием четырехзондового
наноманипулятора
3
Высокочистые тугоплавкие металлы для тонкоплёночной
металлизации в микроэлектронике
Авторы доклада
А.Н.Петлицкий, Т.Н.Ещик,
Н.А.Крекотень, А.К.Панфиленко,
Т.В.Петлицкая, В.А.Солодуха,
С.В.Шведов
А.Н.Петлицкий, Д.В.Жигулин,
А.К.Панфиленко,Т.В.Петлицкая,
член-корр НАНБ В.А. Пилипенко,
В.А.Солодуха, В.А. Филипеня,
С.В.Шабалина,С.В.Шведов
Структуры
ОАО «ИНТЕГРАЛ»-управляющая
компания холдинга «ИНТЕГРАЛ»,
Минск
ОАО «ИНТЕГРАЛ»-управляющая
компания холдинга «ИНТЕГРАЛ»,
Минск
д. т. н. Глебовский В. Г. ,
к. ф.-м. н. Чепурнов А. С. 2
Институт физики твёрдого тела
РАН, Черноголовка; 2 НИИ ядерной
физики МГУ им. М. В. Ломоносова,
Москва
д. ф.-м. н. Резник А.Н.,
Королёв С.А.
Институт физики микроструктур
РАН, Нижний Новгород
И. Ю. Забавичев
Нижегородский государственный
университет им. Н. И. Лобачевского
Нижегородский государственный
университет им. Н. И. Лобачевского
1
Институт прикладной физики РАН,
Нижний Новгород;
2
Нижегородский государственный
университет им. Н. И. Лобачевского
1
4
5
6
7
ДИАГНОСТИКА ПЛАНАРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
СТРУКТУР ПРИ ПОМОЩИ МИКРОВОЛНОВОГО
БЛИЖНЕПОЛЬНОГО МИКРОСКОПА С МОНОПОЛЬНОЙ
АНТЕННОЙ
Влияние параметров измерительного сигнала на погрешность
измерений емкости
Магнетронно-инжекторные пушки для гиротронов с
эллиптическими и разрезными резонаторами
Неадиабатическая электронно-оптическая система
технологического гиротрона
1
А. Д. Кунцевич, К. А. Лещева,
д. ф.-м. н. В. Н. Мануилов
к. ф.-м. н. Гольденберг А.Л. 1,
д. ф.-м. н. Глявин М.Ю. 1,
Лещева К.А. 2,
д. ф.-м. н. Мануилов В.Н2
8
№
Название доклада
Авторы доклада
8
Релаксационные процессы в твёрдом теле и метод дробных
производных
Н. Д. Абросимова
9
Про высокочистые материалы для волоконной оптики
д. х. н. Родченков В. И.
10 Название доклада будет объявлено
д. ф.-м. н. Чхало Н. И.
11 Про магнетронное напыление плёнок для спинтроники
12 3-4 доклада
д. ф.-м. н. Е. С. Демидов,
А. А. Тронов
от чл-корр РАН А. Н. Гурьянова
13 3-4 доклада
д. т. н. А. В. Бородин & C
14 2-3 доклада
чл-корр РАН В. В. Аристов & C
15 4-5 докладов
от члена-корреспондента НАНБ
Ф. Ф. Комарова
16 4-5 докладов
от акад. РАН А. С. Сигова
Структуры
ФГУП ФНПЦ «Научноисследовательский институт
измерительных систем им. Ю.Е.
Седакова», Нижний Новгород
Институт прикладной физики РАН,
Нижний Новгород
Институт физики микроструктур
РАН, Нижний Новгород
Нижегородский государственный
университет им. Н. И. Лобачевского
Институт химии высокочистых
веществ РАН, Нижний Новгород
Экспериментальный завод научного
приборостроения со Специальным
конструкторским бюро РАН,
Черноголовка
Институт проблем технологий
микроэлектроники РАН,
Черноголовка
Белорусский государственный
университет, Минск
Московский государственный
университет информационных
технологий, радиотехники и
электроники (МИРЭА)
Ответственные за направление: Н. Д. Абросимова (НИИ ИС), В. В. Аристов (ИПТМ РАН), А. В. Бородин (ЭЗНП РАН), В. А. Быков (НТ-МДТ),
С. В. Гапонов (ИФМ РАН), А. Н. Гурьянов (ИХВВ РАН), Ф. Ф. Комаров (БГУ), А. В. Рогачёв (ГомГУ), Г. А. Самсонов (РНТОРЭС), А. С. Сигов
(МИРЭА).
9
Направление 5. Исследование внедрения инноваций в микроэлектронике. Проблемы импортозамещения в микроэлектронике, в том числе с
применением математического моделирования. Вопросы экономики, качества, надежности, диагностики и стандартизации в производстве
элементной базы отечественной радиоэлектроники.
№
1
Название доклада
Микроэлектронная элементная база холдинга «ИНТЕГРАЛ» состояние и перспективы развития
2
Развитие радиоэлектронной промышленности России
Авторы доклада
Ю.А.Альшевский, А.В.Кетько,
А.К.Панфиленко, В.А.Солодуха,
С.В.Шведов
И. А. Покровский, ген. директор
3
Образование и экономическая динамика
к. ф.-м. н. Н. В. Белотелов 1,2
4
Нанокомпозитные светотрансформирующие укрывные
материалы в лесном и сельском хозяйстве
Храмов Р. Н., Бессчетнова Н. Н.,
Бессчетнов В. П., к. б. н. Гаврилова
А. А.
5
Расчет надежности печатных узлов блока со сроком хранения
30 лет
д. т. н. Н. П. Ямпурин & C
6
Название доклада будет объявлено
от д. т. н. С. Г. Бобкова
7
8
Про комплекс аппаратуры типа «АДИП» для испытания
силовых полупроводниковых приборов и измерения их
параметров
Про малогабаритную высокочастотную установку
индукционного нагрева для плавки, закалки и пайки металлов
и силовую электронику для неё
к. т. н. Н. Н. Беспалов
Доронин П. А.
Структуры
ОАО «ИНТЕГРАЛ»-управляющая
компания холдинга «ИНТЕГРАЛ» ,
Минск
«Центр современной электроники»,
Москва
1
Вычислительный центр имени А. А.
Дородницына РАН, Москва,
2
Московский физико-технический
институт, Долгопрудный
Нижегородская государственная
сельскохозяйственная академия
Арзамасский политехнический
институт — (филиал) НГТУ им. Р. Е.
Алексеева
ФНЦ НИИ системных исследований
РАН, Москва
Мордовский государственный
университет им. Н.П.Огарева,
Саранск
Нижегородская государственная
сельскохозяйственная академия
Ответственные за направление: В. А. Каширин (НРО НТОРЭС), Г. Г. Малинецкий (ИПМ РАН), В. П. Хранилов (НГТУ), Ю. В. Федько (НРО
НТОРЭС).
10
Направление 6. Интегрированные интеллектуальные системы радиолокации, гидролокации, навигации, робототехники и связи будущего.
Параллельные вычисления и грид-технологии в перспективных радиотехнических системах: системах дистанционного зондирования Земли,
ГЛОНАСС и. т. д., а также в гидроакустических и робототехнических системах. Микросистемная техника. Информационная безопасность.
№
1
2
Название доклада
Применение методов искусственного интеллекта при
обработке радиолокационной информации для объектов
сложной формы
ГИДРОЛОКАЦИОННЫЙ КОМПЛЕКС ДЛЯ
ИССЛЕДОВАНИЯ МОРСКОГО ДНА
Авторы доклада
д. т. н. И. Я.Львович¹, к. ф.-м. н. А.
П. Преображенский², д. т. н. О. Н.
Чопоров², Н. Г. Тюрин²,
И. А.Гащенко²
Элбакидзе А.В. , к.ф.м.н. Разманов
В.М., Смольянинов И.В., к.ф.м.н.
Кривцов А.П., Денисов Е.Ю.
к. т. н. Ракитин В. В.,
член-корр. РАН Русаков С. Г.
3
ОСОБЕННОСТИ ПРОЕКТИРОВАНИЯ БЕЗРЕАКТИВНЫХ
ГЕНЕРАТОРОВ НА МЕМРИСТОРАХ
4
Про мемристор на квантовом эффекте Холла
д.ф.-м. н. Потапов А.А.¹,
д. ф.-м. н. С. Ш. Рехвиашвили²
5
Про обработку изображений
к. т. н. Н. Л. Харина
6
Про распознавание образов в гидроакустике
к. т. н. В. Е. Гай
7
Про динамику спутниковых группировок
к. ф.-м. н. Д. Е. Бурланков
8
Фрактальные радиосистемы: новейшие результаты
д.ф.-м. н. Потапов А.А.
9
Водородные стандарты частоты: новейшие достижения
к. т. н. В. И. Васильев
Структуры
¹Панъевропейский университет
(Братислава, Словакия);
² Воронежский институт высоких
технологий
Фрязинский филиал Института
радиотехники и электроники им. В.А.
Котельникова РАН
Институт проблем проектирования в
микроэлектронике РАН, Зеленоград
¹Институт радиотехники и
электроники им. В.А. Котельникова
РАН, Москва; ²КабардиноБалкарский государственный
университет им. Х. М. Бербекова,
Нальчик
Вятский государственный
университет, Киров
Нижегородский государственный
технический университет им. Р.Е.
Алексеева
Нижегородский государственный
университет им. Н. И. Лобачевского
Институт радиотехники и
электроники им. В.А. Котельникова
РАН, Москва
ОАО ФНПЦ «Нижегородский
научно-исследовательский
приборостроительный институт им.
А. П. Горшкова»
11
№
Название доклада
Авторы доклада
10 Элементная база СВЧ миллиметрового диапазона
д. т. н. А. М. Щитов
11 Электромагнитная совместимость и системы анализа спектра
Анисимов Л. А.,
Майоров
12 Об анализе шумовых процессов в гидроакустике
С. В. Горовой
13 Про дистанционное зондирование Земли
д. т. н. О. В. Горячкин
14 Электродинамические характеристики антенны бегущей
волны в магнитоактивной плазме
Дерендяев Д. Н.
15 Временная эволюция фрактального начального условия
снеговой поверхности
Китаев А. Е. ¹,
д. ф.-м. н. Потапов А. А.²,
Рассадин А. Э.³
16 Название доклада будет объявлено
к. т. н. А. O. Щирый
17 Про многопозиционный метеорологический радиолокатор
и его грид-систему обработки информации
к. ф.-м. н. А. Л. Умнов¹,
Л. Ф. Коротков ²
18 2-3 доклада про сети передачи информации
от академика РАН Н. А. Кузнецова
19 4-5 докладов по информационной безопасности
от д. т. н. Е. М. Сухарева
20 2 доклада
от д. т. н. Ю. М. Тулякова
Структуры
ОАО ФНПЦ «Нижегородский
научно-исследовательский
приборостроительный институт им.
А. П. Горшкова»
ОАО ФНПЦ «Нижегородский
научно-исследовательский
приборостроительный институт им.
А. П. Горшкова»
Дальневосточный федеральный
университет, Владивосток
Поволжский государственный
университет телекоммуникаций и
информатики, Самара
Нижегородский государственный
университет им. Н. И. Лобачевского
¹ ОАО «СКБ РИАП», Нижний
Новгород; ²Институт радиотехники и
электроники им. В.А. Котельникова
РАН, Москва; ³ НРО НТОРЭС им. А.
С. Попова, Нижний Новгород
Йошкар-Ола
¹ Нижегородский государственный
университет им. Н. И. Лобачевского;
² АО НПО «Горизонт», Нижний
Новгород
Московский физико-технический
институт, Долгопрудный.
Москва, Зеленоград
Волго-Вятский филиал Московского
технического университета связи и
информатики, Нижний Новгород
12
№
Название доклада
Авторы доклада
21 3-4 доклада
д. т. н. Н. П. Ямпурин & C
22 3-4 доклада
от члена-корреспондента РАН
И. А. Каляева
23 2-3 доклада
Структуры
Арзамасский политехнический
институт — (филиал) НГТУ им. Р. Е.
Алексеева
Таганрог
Балтийский федеральный
университет им. И. Канта,
Калининград
Ответственные за направление: И. Р. Ашурбейли (ОАО «КБ-1»), Ю. Б. Зубарев (ЗАО «МНИТИ»), И. А. Каляев (ТРТИ), Ф. Н. Ковалёв (НГТУ),
В. В. Кондратьев (НГТУ), И. В. Косяк (ВЭС ВКО), Е. М. Сухарев («Алмаз-Антей»), Ю. М. Туляков (ВВО МТУСИ), Д. М. Урманов (РАМЭМС), А.
В. Частиков (ВятГУ), В. А. Черепенин (ИРЭ РАН), Н. П. Ямпурин (АПИ-НГТУ).
13
Направление 7. Вопросы профессионального образования в нано-, микро- и радиоэлектронике. Автоматизация проектирования в в нано-,
микро- и радиоэлектронике. Проблемы обеспечения качества подготовки отечественных специалистов по элементной базе по дисциплинам
математического цикла.
№
1
2
3
Название доклада
ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ЕСТЕСТВОЗНАНИЯ –
ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ОСНОВА ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО
ОБРАЗОВАНИЯ СПЕЦИАЛИСТОВ ДЛЯ НАНО- МИКРО- И
РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ ПО ДИСЦИПЛИНАМ
МАТЕМАТИЧЕСКОГО ЦИКЛА (В 5-ТИ ЧАСТЯХ).
ЧАСТЬ 1: НАНОУСТРОЙСТВА НА КВАНТОВЫХ
ЭФФЕКТАХ КОГЕРЕНТНЫХ ПОЛЯРИТОННЫХ
СОСТОЯНИЙ
ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ЕСТЕСТВОЗНАНИЯ –
ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ОСНОВА ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО
ОБРАЗОВАНИЯ СПЕЦИАЛИСТОВ ДЛЯ НАНО- МИКРО- И
РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ ПО ДИСЦИПЛИНАМ
МАТЕМАТИЧЕСКОГО ЦИКЛА (В 5-ТИ ЧАСТЯХ).
ЧАСТЬ 2: ПЕРИОДИЧЕСКАЯ СИСТЕМА ЭЛЕМЕНТОВ
Д.И. МЕНДЕЛЕЕВА; ГРУППЫ СИММЕТРИИ В
ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ФИЗИКЕ; ОСНОВНЫЕ
ЗАКОНОМЕРНОСТИ, ОПРЕДЕЛЯЮЩИЕ СТРОЕНИЕ И
СВОЙСТВА МАТЕРИИ
ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ЕСТЕСТВОЗНАНИЯ –
ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ОСНОВА ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО
ОБРАЗОВАНИЯ СПЕЦИАЛИСТОВ ДЛЯ НАНО- МИКРО- И
РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ ПО ДИСЦИПЛИНАМ
МАТЕМАТИЧЕСКОГО ЦИКЛА (В 5-ТИ ЧАСТЯХ).
ЧАСТЬ 3: ГРУППА SO(4,2) И СИММЕТРИЙНЫЕ
СВОЙСТВА ПЕРИОДИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ ЭЛЕМЕНТОВ
Авторы доклада
Структуры
Член-корреспондент НАН
Беларуси, профессор, д. т. н.
ГУРСКИЙ Л.И.
Белорусский государственный
университет информатики и
радиоэлектроники, Минск
Член-корреспондент НАН
Беларуси, профессор, д. т. н.
ГУРСКИЙ Л.И.
Белорусский государственный
университет информатики и
радиоэлектроники, Минск
Член-корреспондент НАН
Беларуси, профессор, д. т. н.
ГУРСКИЙ Л.И.
Белорусский государственный
университет информатики и
радиоэлектроники, Минск
14
№
4
5
Название доклада
ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ЕСТЕСТВОЗНАНИЯ –
ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ОСНОВА ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО
ОБРАЗОВАНИЯ СПЕЦИАЛИСТОВ ДЛЯ НАНО- МИКРО- И
РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ ПО ДИСЦИПЛИНАМ
МАТЕМАТИЧЕСКОГО ЦИКЛА (В 5-ТИ ЧАСТЯХ).
ЧАСТЬ 4: ГРУППЫ СИММЕТРИИ В КЛАССИФИКАЦИИ
ЭЛЕМЕНТАРНЫХ ЧАСТИЦ; ДИНАМИЧЕСКОЕ ПРАВИЛО
ДЛЯ СОСТАВА ЭЛЕКТРОННЫХ ОБОЛОЧЕК
МНОГОЭЛЕКТРОННЫХ АТОМОВ
ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ЕСТЕСТВОЗНАНИЯ –
ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ОСНОВА ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО
ОБРАЗОВАНИЯ СПЕЦИАЛИСТОВ ДЛЯ НАНО- МИКРО- И
РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ ПО ДИСЦИПЛИНАМ
МАТЕМАТИЧЕСКОГО ЦИКЛА (В 5-ТИ ЧАСТЯХ).
ЧАСТЬ 5: ДИНАМИЧЕСКАЯ ГРУППА СИММЕТРИИ;
ВОДОРОДОПОДОБНЫЙ АТОМ И ГРУППА SO(4,2)
Авторы доклада
Структуры
Член-корреспондент НАН
Беларуси, профессор, д. т. н.
ГУРСКИЙ Л.И.
Белорусский государственный
университет информатики и
радиоэлектроники, Минск
Член-корреспондент НАН
Беларуси, профессор, д. т. н.
ГУРСКИЙ Л.И.
Белорусский государственный
университет информатики и
радиоэлектроники, Минск
6
Незавершённые работы О. В. Лосева
к. ф.-м. н. М. А. Новиков¹,
Гилёв С. А. ²
7
Автоматическая система тестов для оценки алгоритмов
увеличения надежности логических схем
к. т. н. Соловьев Р.А., к. т. н.
Тельпухов Д. В., Рухлов В. С.,
к.ф.-м. н. Щелоков А.Н.
8
Обобщённые соотношения неопределённости для движения
квантовой частицы в однородном поле
д. ф.-м.н. Потапов А.А.¹,
Рассадин А. Э.²
9
Магнитная модель атома и её применение в
микроэлектронике
Семиков С. А.
¹ Институт физики микроструктур
РАН, Нижний Новгород;
² Нижегородский государственный
университет им. Н. И. Лобачевского
Институт проблем проектирования в
микроэлектронике РАН, Зеленоград
¹Институт радиотехники и
электроники им. В.А. Котельникова
РАН, Москва; ²НРО НТОРЭС им. А.
С. Попова, Нижний Новгород
Нижегородский государственный
университет им. Н. И. Лобачевского
15
№
Название доклада
Потеря счётной устойчивости в алгоритмах вычисления
10 полиномов Чебышёва-Эрмита и обобщённых полиномов
Лаггера высокого порядка
Современные вопросы радиоэлектроники с позиции теории
11 аналитических функций
Семейство квазиинвариантных мер в пространстве
12 траекторий и связанные с ними представления группы
диффеоморфизмов
Асимптотические разложения интегралов Фейнмана от
13 экспонент с полиномами четвёртого порядка в показателе
14 Оценки скалярных произведений векторных полей и их
применение в проектировании СВЧ-устройств
15 Отечественные программы проектирования
акустоэлектронных, волоконнооптических и СВЧ устройств
на основе методов поисковой оптимизации
ПРОБЛЕМЫ МОДЕЛИРОВАНИЯ АВТОГЕНЕРАТОРНЫХ
16 СХЕМ В СИСТЕМАХ АВТОМАТИЗАЦИИ
СХЕМОТЕХНИЧЕСКОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ
17 Многофункциональный измерительный стенд для
лабораторных работ по курсу РТЦ
18 Методика численного моделирования электростатического
анализатора электронных пучков в гиротроне
Применение смешанной динамики ферромагнитных и
19 сегнетоэлектрических микроскопических кельтских камней
в микросистемной технике или возможен ли новый тип
квантового хаоса?
Авторы доклада
к. ф.-м. н. Бритенков А. К.
д. т. н. Н. П. Ямпурин & C
Романов Е. Д.
к. ф.-м. н. Кравцева А. К.,
д. ф.-м. н. Смолянов О. Г.,
д. ф.- м. н. Шавгулидзе Е. Т.
к. ф.-м. н. Калинин А. В. & C
к. т. н. Бугров В. Н.
к.т.н Гурарий М.М., к.т.н Жаров
М.М., чл-корр. РАН Русаков С.Г.,
д.т.н. Ульянов С.Л.
д. ф.-м. н. Денисов Б.Н.,
Зазулин Я.А.,
Козлов Н.Н.
А.В.Климов,
д. ф.-м. н. В.Н.Мануилов
д. ф.-м. н. С. В. Гонченко¹, к. ф.-м.
н. А. С. Гонченко¹, к. ф.-м. н. А. О.
Казаков¹, А. Э. Рассадин²
Структуры
НРО РНТОРЭС им. А. С. Попова,
Нижний Новгород
Арзамасский политехнический
институт — (филиал) НГТУ им. Р. Е.
Алексеева
Московский государственный
университет им. М. В. Ломоносова
Московский государственный
университет им. М. В. Ломоносова
Нижегородский государственный
университет им. Н. И. Лобачевского
Нижегородский государственный
университет им. Н. И. Лобачевского
Институт проблем проектирования в
микроэлектронике РАН, Зеленоград
Мордовский государственный
университет им. Н.П. Огарева,
Саранск
Нижегородский государственный
университет им. Н. И. Лобачевского
¹Нижегородский государственный
университет им. Н. И. Лобачевского;
²НРО РНТОРЭС им. А. С. Попова
16
№
Название доклада
20 Про дробные производные и случайные процессы
Авторы доклада
к. ф.- м. н. Дубков А. А. & C
21 Функции Гойна и контакт Джозефсона
чл-корр РАН В. М. Бухштабер 1,2
&С
22 Про грассмановы переменные и суперанализ ферми-систем
к. ф.-м. н. О. Е. Галкин
Учить специалистов по нано-, микро- и радиоэлектронике
23 топологическим методам в динамических системах
настоящим образом --- как А. А. Андронов, Л. С. Понтрягин и
Л. П. Шильников!
24 Описание сверхтекучести в рамках фрактальной парадигмы,
дробных производных и интегралов Фейнмана
д. ф.-м. н. Починка О. В.
д. ф.-м.н. Потапов А.А.¹,
Рассадин А. Э.²
Структуры
Нижегородский государственный
университет им. Н. И. Лобачевского
¹Математический институт им. В.А.
Стеклова РАН, Москва;
² Всероссийский научноисследовательский институт физикотехнических и радиотехнических
измерений, Москва
Нижегородский государственный
университет им. Н. И. Лобачевского
НИУ «Высшая школа экономики» в
Нижнем Новгороде
¹Институт радиотехники и
электроники им. В.А. Котельникова
РАН, Москва; ²НРО РНТОРЭС им.
А. С. Попова, Нижний Новгород
Ответственные за направление: А. С. Бугаёв (ИРЭ РАН), Л. И. Гурский (БГУИР), А. Л. Стемпковский (ИППМ РАН), Ю. А. Чаплыгин (МИЭТ),
А. Н. Щелоков (ИППМ РАН), А. Э. Рассадин (НРО РНТОРЭС).
17
Направление 8. Нано-, микро- и радиоэлектроника в медицине и микробиологии. Грид-технологии в телемедицине.
№
1
2
3
Название доклада
Радиометр для российско-белорусского медикодиагностического центра
Лазерный скальпель для российско-белорусского медикодиагностического центра
Прибор для неинвазивного определения внутричерепного
давления типа «Вибронейрон»
Авторы доклада
к. ф.-м. н. Ракуть И. В.
Галинский М. К.
к. м. н. Грибков А. В.,
Канышев А. С.
к. б. н. Гаврилова А. А. ¹,
к. т. н. Кревский М. А. ²,
Зинина Е. С. ²,
Доронин П. А. ¹
4
Портативные аппараты КВЧ-терапии
5
Методы радиоэлектронной диагностики и восстановительная
медицина
к. м. н. В. А. Балчугов 1,2
6
Про структуры, индуцированные нелокальной связью в
реакционно-диффузионных моделях для сердечной мышцы
от д. ф.-м. н. Г. В. Осипова1,2
7
О возможности применения моделей Ван-дер-Поля-Дуффинга Л. Б. Фомин¹,
при моделировании возбудимых биомембран
д. м. н. Борисов В. И. ²
8
Про генноинженерный нанотехнологический анализ
совместимости тканей
Про самоорганизацию вирусов
9
10 1-2 доклада по математической биологии и биоинформатике
чл-корр РАН Е. В. Пименов & C
к. ф.-м. н. М. Л. Тай,
Е. Ю. Кадина
от академика РАН Н. А. Кузнецова
Структуры
Научно-исследовательский
радиофизический институт,
Нижний Новгород
Нижегородский государственный
университет им. Н. И. Лобачевского
ОАО «ГлобалТест»,
Саров
¹Нижегородская государственная
сельскохозяйственная академия;
² ООО «Элм электроника-медицина»,
Нижний Новгород
¹ Нижегородский государственный
университет им. Н. И. Лобачевского,
² Нижегородская государственная
медицинская академия
¹ Нижегородский государственный
университет им. Н. И. Лобачевского;
² Институт прикладной физики РАН,
Нижний Новгород
¹ Нижегородский кардиоцентр;
² Нижегородская государственная
медицинская академия
Коми научный центр УрО РАН,
Сыктывкар
Нижегородский государственный
университет им. Н. И. Лобачевского
через Дисс. совет Д 002.077.04 при
Институте проблем передачи
информации им.А.А.Харкевича РАН,
Москва
18
№
Название доклада
Авторы доклада
Структуры
Институт математических проблем
биологии РАН, Пущино-на-Оке;
2
Пущинский государственный
естественно-научный институт
Нижегородская государственная
сельскохозяйственная академия
1
Поволжский государственный
университет телекоммуникаций и
информатики, Самара; 2 Самарский
государственный медицинский
университет
Мордовский государственный
университет им. Н.П. Огарева,
Саранск
Вятский государственный
университет, Киров
1
11 Об аппаратной реализации обобщённого спектральноаналитического метода
Махортых С. А. 1,2 ,
Панкратов А. Н. 1,2
12 СВЧ ТЕХНОЛОГИИ СВЕРХНИЗКОЙ ИНТЕНСИВНОСТИ
В СЕЛЬСКОМ ХОЗЯЙСТВЕ
к. б. н. Гаврилова А. А.,
к. б. н. Егорашин В. Г.
13 Про фрактальные методы анализа применительно к инфаркту
миокарда и энцефалограммам
д. ф.-м. н. О. И. Антипов1,
д. ф.-м. н. В. А. Неганов1,
П. А. Лебедев2
14 Про ионизаторы воздуха «Эффлювион» и «Аэроион-25У»
к. т. н. Н. Н. Беспалов
15 Про обработку медицинских изображений
д. т. н. Медведева Е. В.
16 1 доклад
от к. ф.-м. н. А. К. Бритенкова
Ответственные за направление: А. К. Бритенков (НРО РНТОРЭС), А. А. Гаврилова (НГСХА), Н. А. Кузнецов (ИРЭ РАН), И. В. Ракуть
(НИРФИ), С. Д. Снегирёв (НИРФИ), Е. В. Пименов (Коми НЦ УрО РАН), Л. Т. Сушкова (ВлГУ), И. Б. Фёдоров (МГТУ).
19
Download