Порядок изучения дисциплин и распределение преподавателей

ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТЬ
изучения дисциплин профиля
Профиль "Химическая технология материалов и изделий электроники
и наноэлектроники"
- Основы научных исследований и инженерного творчества – 4 сем. полностью.
Титов В.А.
- Материаловедение 5 сем., Иванов А.Н.
- Физическая химия твердого тела 6 сем., Шутов Д.А.
- Физическая электроника и электронные приборы – 5 семестр полностью.
Светцов В.И.
- Технология тонких пленок и покрытий – 6 сем. Холодкова Н.В.
- Техника высокого вакуума (вакуумные технологические установки) – 6
семестр полностью Холодков И.В.
- Технология материалов электронной техники – 7 семестр. Шикова Т.Г.
- Вакуумно-плазменные процессы и технологии – 7 семестр. Ефремов А.М.
- Процессы микро и нанотехнологий – 7 семестр. Ситанов Д.В.
- Технология и оборудование производства ИЭТ – 8 семестр. Шикова Т.Г.
- Моделирование химико-технологических процессов – 7 семестр. Холодкова
Н.В.
- Корпускулярно-фотонные процессы и технологии (технология наноструктур)
– 8 семестр. Смирнов С.А.
Магистратура.
1. Теоретические и экспериментальные методы исследования в химии- 2 сем.
2. Процессы массопереноса с участием твердой фазы -1 сем.
3. Актуальные проблемы электроники и наноэлектроники
(химической
технологии) – 1 сем. Титов В.А.
4. Научные основы нанотехнологических процессов – 2 сем. Ефремов А.М.
5. Физическая химия поверхности – 1 сем. Рыбкин В.В.
6. Компьютерные технологии в науке и производстве – 1 сем. Смирнов С.А.
7. Методы экспериментального исследования поверхности – 3 сем. Титов В.А.
8. Методы математического моделирования (Автоматизированные системы
научных исследований) – 1 сем. Смирнов С.А.
9. Приборы и технологии наноэлектроники (Физхимия неравновесных
процессов) – 3 сем. Ефремов А.М.
10.Проектирование и технология электронной компонентной базы – Холодков
И.В.3 сем.
I.
Профиль "Микроэлектроника и твердотельная электроника"
- Основы научных исследований и инженерного творчества 4 сем. Титов
В.А.
- Материалы электронной техники – 3 сем.Титов В.А.
- Физика конденсированного состояния – 4 сем. Рыбкин В.В.
- Физическая химия материалов и процессов эл. техники – 5 сем. Рыбкин
В.В.
- Физические основы электроники – 6 сем. Светцов В.И., 5 сем. Холодков
И.В.
- Введение в нанотехнологии – 5 семестр, Ефремов А.М.
- Наноэлектроника – 6 сем. Ситанов Д.В.
- Схемотехника – 7 сем. Холодков И.В.
- Основы проектирования электронной компонентной базы – 7 сем.
Холодков И.В.
- Техника высокого вакуума – 6 сем. Холодков И.В.
- Основы технологии электронной компонентной базы – 6 сем. Иванов
А.Н.
- Технология материалов твердотельной электроники – 5-6 сем.
Холодкова Н.В.
- Процессы микро и нанотехнологий – 7 сем. Ситанов Д.В.
- Технология и оборудование производства ИЭТ – 8 сем. Шутов Д.А.
- Технология тонких пленок и покрытий – 6 сем. Холодкова Н.В.
- Вакуумно-плазменные процессы и технологии – 7 сем. Ефремов А.М.
- Корпускулярно-фотонные процессы и технологии – 8 сем. Смирнов С.А.
- Математическое моделирование технологических процессов – 7 сем.
Холодкова Н.В.
- Нанотехнологии в электронике (Основы наноэлектроники) – 8 семестр,
Ефремов А.М.
Магистратура.
1. История и методология науки и техники в области электроники – 1 сем.
Титов В.А.
2. Методы математического моделирования – 1 сем.Смирнов С.А.
3. Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники – 2 сем.
Титов В.А.
4. Проектирование и технология электронной компонентной базы – Холодков
И.В.3 сем.
5. Компьютерные технологии в науке и производстве – 1 сем.Смирнов С.А.
6. Научные основы нанотехнологических процессов – 2 сем. Ефремов А.М.
7. Физическая химия поверхности – 1 сем. Рыбкин В.В.
8. Методы экспериментального исследования поверхности – 3 сем. Титов В.А.
9. Технология профессионально-ориентир. обучения – 2 сем.
10. Приборы и технологии наноэлектроники (Физхимия неравновесных
процессов) – 3 сем. Ефремов А.М.
11. Микро и нанотехнологические процессы в электронике – 3 семестр, Ситанов
Д.В.
Лекционная нагрузка преподавателей
1. Светцов В.И. 1 семестр.
Физическая электроника и электронные приборы 51 час.
2 семестр.
Физические основы электроники 45 час.
2. Рыбкин В.В. 1 семестр.
Физическая химия материалов и процессов эл. техники 51 час.
Физическая химия поверхности 34 часа.
2 семестр.
Физика конденсированного состояния 51 час.
3. Ефремов А.М. 1 семестр.
Введение в нанотехнологии 17 час
Вакуумно-плазменные процессы и технологии 51 час.
2 семестр.
Научные основы нанотехнологических процессов 34 часа
4. Титов В.А. 1 семестр.
Материалы электронной техники 34 час.
Методы экспериментального исследования поверхности 34 час.
Методология научного и инженерного творчества 17 + 34 час.
2 семестр.
История и методология науки и техники в области электроники 17 час.
Основы научных исследований и инженерного творчества 17 час. + 68 час.
5. Смирнов С.А. 1 семестр.
Компьютерные технологии в науке и производстве 34 час.
Методы математического моделирования 34 час.
2 семестр.
Корпускулярно-фотонные процессы и технологии 42 час.
Современные проблемы химической технологии 17 (34 ПЗ)
6. Ситанов Д.В. 1 семестр.
Процессы микро и нанотехнологий 34 час.
Микро и нанотехнологические процессы в электронике – 3 семестр, 17 час.
2 семестр.
Наноэлектроника 30 час.
7. Шикова Т.Г. 1 семестр.
Технология материалов электронной техники 34 час. 10 гр.
2 семестр.
Технология и оборудование производства ИЭТ. 35 (70)час. 10 гр.
8. Холодков И.В. 1 семестр.
Физические основы электроники 34 час.
Схемотехника 34 час.
2 семестр.
Техника высокого вакуума 6 с. 30 час.
Проектирование и технология электронной компонентной базы 34 час.
9. Холодкова Н.В. 1 семестр.
Технология материалов твердотельной электроники 9 гр. 34 час.
2 семестр.
Технология материалов твердотельной электроники 9 гр. 30 час.
Технология тонких пленок и покрытий 30 час.
10. Шутов Д.А. 1 семестр.
Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники 17 час.
Основы проектирования электронной компонентной базы 34 час.
2 семестр.
Технология и оборудование производства ИЭТ 35 (70) час.
Физическая химия твердого тела 45 час.
11. Иванов А.Н. 1 семестр.
Основы технологии электронной компонентной базы 38 час.
Материаловедение 36 час
2 семестр.