ВОПРОСЫ ДЛЯ ТЕСТОВ поглощения и вынужденного излучения:

ВОПРОСЫ ДЛЯ ТЕСТОВ
1. Справедливо следующее соотношение между вероятностями вынужденного
поглощения и вынужденного излучения:
а) эти величины равны;
б) вероятность вынужденного поглощения равна сумме вероятностей вынужденного
и спонтанного излучения;
в) эти величины равны на одно невырожденное состояние.
2. Коэффициент Эйнштейна для спонтанного излучения:
а) пропорционален третьей степени частоты спонтанно испущенного фотона;
б) обратно пропорционален частоте спонтанно испущенного фотона;
в) не зависит отчастоты спонтанно испущенного фотона.
3. Вероятность вынужденных переходов:
а) равна коэффициенту Эйнштейна для соответствующего перехода;
б) равна произведению коэффициента Эйнштейна для соответствующего перехода
на плотность энергии поля;
в) равна сумме коэффициентов Эйнштейна для соответствующего перехода и
спонтанного излучения.
4. Процесс вынужденного излучения является:
а) двухквантовым;
б) двухступенчатым;
в) одноквантовым.
5. В случае вынужденного излучения испущенный и падающий фотоны имеют:
а) произвольные фазы, направления распространения и поляризации;
б) произвольные фазы и одинаковые направления распространения и поляризации;
в) одну и ту же фазу, направление распространения и поляризацию.
6. Столкновительная ширина линии пропорциональна:
а) давлению газа;
б) температуре;
в) концентрации газа.
7. Контур однородно уширенной линии описывается:
а) функцией Лоренца;
б) функцией Гаусса;
в) функцией Фойгта.
8. Контур неоднородно уширенной линии описывается:
а) функцией Лоренца;
б) функцией Гаусса;
в) функцией Фойгта.
9. Уширение спектральных линий в газе:
а) однородное;
б) неоднородное;
в) является результатом и однородного, и неоднородного механизмов.
10. В газах:
а) вклад однородного уширения в ширину линии всегда больше неоднородного;
б) вклады неоднородного и однородного уширений в ширину линии могут быть
существенно разными;
в) вклад неоднородного уширения в ширину линии всегда больше однородного.
11. В состоянии термодинамического равновесия коэффициент усиления:
а) всегда положителен;
б) может быть как положительным, так и отрицательным;
в) всегда отрицателен.
12. Наличие инверсной населенности:
а) является достаточным условием для работы лазера в непрерывном режиме;
б) для работы лазера наличие инверсии несущественно;
в) не является достаточным условием для работы лазера в непрерывном режиме.
13. Величина порогового коэффициента усиления определяется:
а) суммарным уровнем потерь;
б) параметром насыщения, определяемым свойствами среды;
в) коэффициентами отражения зеркал резонатора.
14.
В
условиях
насыщения
двухуровневой
квантовой
системы
разность
населенностей:
а) близка к нулю, при этом населенность нижнего уровня все же меньше;
б) близка к нулю, при этом населенность нижнего уровня все же больше;
в) равна нулю.
15.
В
условиях
насыщения
двухуровневой
квантовой
системы
разность
населенностей:
а) близка к нулю, при этом населенность нижнего уровня все же меньше;
б) близка к нулю, при этом населенность нижнего уровня все же больше;
в) равна нулю.
16. Уменьшение интенсивности проходящего через среду излучения, обусловленное
рассеянием на неоднородностях среды, называется:
а) внутренними или распределенными потерями;
б) дифракционными потерями;
в) полезными потерями.
17. Уменьшение интенсивности излучения при его распространении в резонаторе,
обусловленное конечными размерами зеркал, называется:
а) внутренними или распределенными потерями;
б) дифракционными потерями;
в) полезными потерями.
18. Величина пороговой мощности накачки при прочих равных условиях:
а) больше в случае 4-х уровневой схемы по сравнению с 3-х уровневой;
б) больше в случае 3-х уровневой схемы по сравнению с 4-х уровневой;
в) одинакова как в случае 4-х уровневой схемы, так и в случае 3-х уровневой схемы.
19. В режиме стационарной генерации:
а) величина инверсной населенности всегда больше порогового значения;
б) величина инверсной населенности всегда меньше порогового значения;
в) величина инверсной населенности всегда равна пороговому значению.
20. При прочих равных условиях предпочтительным является:
а) использование 3-х уровневой схемы накачки;
б) использование 4-х уровневой схемы накачки;
в) обе схемы накачки одинаковы.
21. Время жизни фотона в резонаторе определяется:
а) спонтанным временем жизни верхнего лазерного уровня;
б) суммарным уровнем потерь;
в) интенсивностью поля в резонаторе.
22. С увеличением спонтанного времени жизни верхнего лазерного уровня пороговая
мощность накачки:
а) возрастает;
б) уменьшается;
в) не меняется.
23. При увеличении времени жизни нижнего лазерного уровня эффективность 4-х
уровневой схемы накачки:
а) возрастает;
б) уменьшается;
в) не меняется.
24. В лазерах используются:
а) закрытые резонаторы;
б) открытые резонаторы;
в) как открытые, так и закрытые резонаторы.
25. С увеличением длины резонатора частотное расстояние между продольными
модами:
а) увеличивается;
б) уменьшается;
в) остается неизменным, однако сами моды смещаются.
26. С увеличением длины резонатора продольные моды:
а) смещаются в область больших длин волн;
б) смещаются в область меньших длин волн;
в) не меняются по частоте.
27. Модой резонатора называется:
а) стационарное пространственное распределение поля в резонаторе;
б) частота стоячей электромагнитной волны в резонаторе;
в) стационарное пространственное распределение в резонаторе поля с определенной
частотой.
28. Поперечные моды определяют:
а) число узлов поля вдоль оси резонатора между его зеркалами;
б) пространственную конфигурацию поля в плоскости, перпендикулярной оси
резонатора;
в) пространственную конфигурацию поля в плоскости, совпадающей с осью
резонатора.
29. Гауссовым пучком называется:
а) стационарная конфигурация поля в резонаторе;
б) спектр частот поля в резонаторе;
в) спектр всех поперечных мод.
30. Продольные моды определяют:
а) число узлов поля вдоль оси резонатора между его зеркалами;
б) пространственную конфигурацию поля в плоскости, перпендикулярной оси
резонатора;
в) пространственную конфигурацию поля в плоскости, совпадающей с осью
резонатора.
31. Конфокальный резонатор:
а) устойчив;
б) неустойчив;
в) в зависимости от соотношений между длиной резонатора и радиусами кривизны
зеркал может быть как устойчивым, так и неустойчивым.
32. Лазеры с неустойчивыми резонаторы могут работать:
а) только в непрерывном режиме;
б) только в импульсном режиме;
в) как в импульсном, так и в непрерывном режиме.
33. Лазеры с устойчивыми резонаторы могут работать:
а) только в непрерывном режиме;
б) только в импульсном режиме;
в) как в импульсном, так и в непрерывном режиме.
34. При прочих равных условтях уровень потерь для поперечных мод:
а) больше, чем для продольных мод;
б) меньше, чем для продольных мод;
в) не связан с уровнем потерь продольных мод.
35. При прочих равных условтях расходимость поперечных мод:
а) больше, чем расходимость продольных мод;
б) меньше, чем расходимость продольных мод;
в) не связана с расходимостью продольных мод.
36. Для реализации режима модулированной добротности необходимо, чтобы лазер
работал:
а) на одной продольной моде;
б) модовый состав несущественен;
в) на нескольких продольных модах.
37. Для реализации режима модулированной добротности необходимо, чтобы
длительность импульса накачки была:
а) большей по сравнению со временем релаксации верхнего уровня;
б) много большей по сравнению со временем релаксации верхнего уровня;
в) меньшей или сравнимой со временем релаксации верхнего уровня.
38. В режиме модулированной добротности переключение потерь должно быть:
а) меньшим по сравнению со временем развития импульса;
б) большим по сравнению со временем развития импульса;
в) сравнимым со временем развития импульса.
39. При прочих равных условиях наиболее короткие импульсы получаются:
а) в режиме свободной генерации;
б) в режиме модулированной добротности;
в) в режиме синхронизации мод.
40. При прочих равных условиях в режиме модулированной добротности наиболее
короткие импульсы получаются:
а) при использовании электрооптического метода;
б) при использовании акустооптического метода;
в) при использовании механических методов.
41. Методы модулированной добротности и синхронизации мод предназначены для:
а) для получения большой частоты повторения импульсов;
б) получения коротких мощных импульсов;
в) для стабилизации частоты излучения.
42. В режиме синхронизации мод длительности импульса:
а) обратно пропорциональна квадрату ширины линии генерации;
б) обратно пропорциональна ширине линии генерации;
в) обратно пропорциональна расстоянию между продольными модами.
43. В режиме синхронизации мод временное расстояние между соседними
импульсами:
а) равно времени одинарного прохода через резонатор;
б) обратно пропорциональна ширине линии генерации;
в) равно времени двойного прохода через резонатор.
44. Режимые синхронизации мод и модулированной добротности могут быть
реализованы:
а) только в устойчивых резонаторах;
б) только в неустойчивых резонаторах;
в) как в устойчивых, так и в неустойчивых резонаторах.
45. Эффект провала Лэмба наблюдается:
а) в газовых лазерах, работающих на одной продольной моде;
б) в газовых лазерах с неоднородно уширенной за счет доплеровского эффекта
линией усиления, работающих на одной продольной моде;
в) в газовых лазерах с однородно уширенной за счет столкновений линией усиления,
работающих на одной продольной моде.
46. Наиболее широко распространенным механизмом накачки в газовых лазерах
является:
а) накачка в электрическом разряде;
б) оптическая накачка;
в) электронно-лучевая накачка.
47. Лазер на двуокиси углерода работает:
а) на электронных переходах в молекуле углекислого газа;
б) на колебательных переходах в молекуле углекислого газа;
в) ) на колебательно-вращательных переходах в молекуле углекислого газа.
48. Азотный лазер работает:
а) на электронных переходах в молекуле азота;
б) на колебательных переходах в молекуле азота;
в) на колебательно-вращательных переходах в молекуле азота.
49. В гелий-неоновом лазере основным механизмом опустошения нижнего лазерного
уровня является:
а) безызлучательня релаксация при соударениях;
б) излучательная релаксация;
в) вклады излучательной и безызлучательной релаксации сопоставимы.
50. В гелий-неоновом лазере линия генерации с длиной волны 0.63 мкм уширена,
главным образом:
а) однородно;
б) неоднородно;
в) вклады однородного и неоднородного уширения сопоставимы.
51. Лазер на парах меди может работать в режиме:
а) непрерывном;
б) импульсном ;
в) в непрерывном и импульсном.
52. В аргоновом лазере основным механизмом опустошения нижнего лазерного
уровня является:
а) безызлучательня релаксация при соударениях;
б) излучательная релаксация;
в) вклады излучательной и безызлучательной релаксации сопоставимы.
53. Аргоновый лазер может работать в режиме:
а) непрерывном;
б) импульсном;
в) в непрерывном и импульсном.
54. В аргоновом лазере охлаждение активной среды:
а) воздушное;
б) водяное;
в) может быть как воздушным, так и водяным.
55. В гелий-неоновом лазере основным механизмом накачки является:
а) резонансная передача энергии от возбужденных атомов гелия;
б) прямые столкновения атомов неона с электронами разряда;
в) реакция Пеннинга.
56. В гелий-кадмиевом лазере основным механизмом накачки является:
а) резонансная передача энергии от возбужденных атомов гелия;
б) прямые столкновения атомов кадмия с электронами разряда;
в) реакция Пеннинга.
57. В лазере на двуокиси углерода содержащийся в смеси азот нужен для:
а) опустошения нижнего лазерного уровня;
б) накачки верхнего лазерного уровня;
в) поддержания разряда.
58. В лазере на окиси углерода к инверсии приводят процессы:
а) столкновения молекул СО с электронами разряда;
б) VV-обмена;
в) столкновения молекул СО с электронами разряда с последующим VV-обменом;
г) резонансная передача энергии от молекулярного азота.
59. Лазер на окиси углерода излучает:
а) в видимой области спектра;
б) в ультрафиолетовой области спектра;
в) в инфракрасной области спектра.
60. Водородный лазер излучает излучает:
а) в видимой области спектра;
б) в ультрафиолетовой области спектра;
в) в инфракрасной области спектра.
61. Эксимером называется:
а) двухатомная молекула, образованная из атомов разных веществ;
б) молекула, находящаяся в возбужденном электронном состоянии;
в) молекула, которая может существовать только в возбужденном электронном
состоянии.
62. Механизм накачки лазеров на красителях:
а) соответствует 3-х уровневой схеме;
б) соответствует 4-х уровневой схеме;
в) не соответствует ни 3-х, ни 4-х уровневой схеме.
63. Лазеры на красителях могут работать в режиме:
а) непрерывном;
б) импульсном;
в) в непрерывном и импульсном.
64. В лазерах на красителях используется:
а) накачка в электрическом разряде;
б) оптическая накачка;
в) электронно-лучевая накачка;
г) химическая накачка.
65. Механизм накачки рубинового лазера:
а) соответствует 3-х уровневой схеме;
б) соответствует 4-х уровневой схеме;
в) не соответствует ни 3-х, ни 4-х уровневой схеме.
66. Механизм накачки неодимового лазера:
а) соответствует 3-х уровневой схеме;
б) соответствует 4-х уровневой схеме;
в) не соответствует ни 3-х, ни 4-х уровневой схеме.
67. В рубиновом лазере используется:
а) накачка в электрическом разряде;
б) оптическая накачка;
в) электронно-лучевая накачка.
68. В неодимовом лазере основным механизмом опустошения нижнего лазерного
уровня является:
а) безызлучательня релаксация;
б) излучательная релаксация;
в) вклады излучательной и безызлучательной релаксации сопоставимы.
69. В химическом HF-лазере генерация возникает:
а) на колебательно-вращательных уровнях молекулы HF;
б) на электронных уровнях молекулы HF;
в) на уровнях атома фтора;
г) на уровнях атома водорода.
70. HBr-лазер излучает:
а) в видимой области спектра;
б) в УФ области спектра;
в) в ИК области спектра.
71. Активной средой в лазерах на центрах окраски являются:
а) диэлектрические кристаллы;
б) металлы;
в) аморфные структуры.
72. Основным механизмом накачки лазеров на центрах окраски является:
а) накачка в электрическом разряде;
б) оптическая накачка;
в) электронно-лучевая.
73. Характерные мощности излучения лазеров на центрах окраски в непрерывном
режиме составляют:
а) единицы мВт;
б) единицы Вт;
в) сотни Вт.
74. Механизм накачки лазеров на центрах окраски:
а) соответствует 3-х уровневой схеме;
б) соответствует 4-х уровневой схеме;
в) не соответствует ни 3-х, ни 4-х уровневой схеме.
75. Характерные мощности излучения полупроводникового лазера на GaAs в
непрерывном режиме составляют:
а) несколько Вт;
б) несколько мВт;
в) десятки Вт;
г) сотни Вт.
76. Характерные величины порогового тока накачки полупроводникового лазера на
GaAs составляют:
а) несколько мА;
б) несколько А;
в) десятки мА;
г) сотни А.
77. Технология лазерного отжига заключается:
а) в надрезании лазерным излучением полупроводниковых пластин с последующим
механическим разломом;
б) в очистке поверхности полупроводника;
в) в удалении дефектов из полупроводников после ионной имплантации;
г) в окислении поверхности материала при его нагреве лазерным излучением в
атмосфере.
78. Технология скрайбирования заключается:
а) в надрезании лазерным излучением полупроводниковых пластин с последующим
механическим разломом;
б) в очистке поверхности полупроводника;
в) в удалении дефектов из полупроводников после ионной имплантации;
г) в окислении поверхности материала при его нагреве лазерным излучением в
атмосфере.
79. Наилучшие высокоточные стандарты частоты оптического диапазона получены
при использовании:
а) лазеров, излучающих в непрерывном режиме;
б) лазеров, излучающих в режиме модуляции добротности;
в) лазеров, излучающих в режиме синхронизации мод.
80. Одним из наиболее распространенных лазеров в хирургии является:
а) аргоновый лазер;
б) рубиновый лазер;
в) лазер на двуокиси углерода.
81. Одно из основных преимуществ лазерной сварки заключается в:
а) высокой скорости сварки;
б) обеспечении малого количества поверхностных дефектов сварного шва;
в) возможности высококачественной точечной сварки.
82. В лидарных установках используются:
а) непрерывные лазеры;
б) непрерывные лазеры;
в) как непрерывные, так и импульсные лазеры.
83. В лазерных устройствах детектирования веществ, основанных на регистрации
флуоресцентного излучения, используются:
а) непрерывные лазеры;
б) непрерывные лазеры;
в) как непрерывные, так и импульсные лазеры.
84. В результате процесса флуоресценции поглощенный электрон излучательно
релаксирует:
а) в исходное состояние;
б) в состояние с большей энергией;
в) в любое разрешенное правилами отбора состояние;
г) в состояние с меньшей энергией.
85. Вынужденное комбинационное рассеяние света соответствует ситуации, когда:
а) на систему воздействует мощное лазерное излучение;
б) энергия падающего кванта сильно отличается от расстояния между двумя
ближайшими электронными уровнями;
в) энергия кванта приблизительно соответствует энергии, необходимой для перевода
молекул из одного электронного состояния в другое.
86. Вынужденное комбинационное рассеяние света соответствует ситуации, когда:
а) на систему воздействует мощное лазерное излучение;
б) энергия падающего кванта сильно отличается от расстояния между двумя
ближайшими электронными уровнями;
в) энергия кванта приблизительно соответствует энергии, необходимой для перевода
молекул из одного электронного состояния в другое.
87. Сечения спонтанного комбинационного рассеяния обычно:
а) много больше сечений флуоресценции;
б) одинаковы по порядку величин с сечениями флуоресценции;
в) много меньше сечений флуоресценции.
88. В лидарных установках чаще всего используются:
а) твердотельныеи эксимерные лазеры;
б) полупроводниковые и химические лазеры;
в) химические лазеры и лазеры на красителях.
89. Метод селективной фотоионизации может быть использован:
а) для лазерного разделения изотопов атомов;
б) для лазерного разделения изотопов молекул;
в) для лазерного разделения изотопов атомов и молекул.
90. При реализации метода селективной фотоионизации столкновения частиц разных
изотопов между собой:
а) увеличивают эффективность метода;
б) уменьшают эффективность метода;
в) не влияют на эффективность метода.
91. В методе лазерного термоядерного синтеза излучение лазера:
а) разогревает мишень до высоких температур;
б) разогревает мишень до высоких температур и сжимает ее до высоких
плотностей;
в) сжимает мишень до больших плотностей.
92.
Какие
лазеры
являются
наиболее
предпочтительными
для
лазерного
термоядерного синтеза:
а) твердотельные;
б) газовые;
в) жидкостные.
93. Какие лазеры являются наиболее предпочтительными для очистки поверхностей:
а) Nd-лазер, химические и полупроводниковые лазеры;
б) CO2 -лазер, жидкостные и эксимерные лазеры;
в) CO2 -лазер, Nd-лазер и эксимерные лазеры.