Исследование биполярного транзистора

Технологическая карта- инструкция по выполнению лабораторной работы
Исследование биполярного транзистора, включенного по схеме с общим
эмиттером
Цель работы: снятие и анализ входных и выходных характеристик;
определение по ним h-параметров.
Приборы и оборудование:
1.
2.
1.
2.
3.
Транзистор VТ1 типа МП42.
Резисторы R1 и R2.
Амперметр РА1 и РА2.
Вольтметры РV1 и РV2.
Проводники.
Схема опыта: Рис.1. Схема исследования транзистора.
Порядок работы
1. Зарисовать схему исследования, изображенную на рис. 1. Выписать из
справочника параметры транзистора VТ1 типа МП42: Fα, h21оэ, Uкэmax, Iкmax
Ркmax.
2. Включить питание и приборы.
3. Снять входную статическую характеристику транзистора Iб= f(Uбэ) для
двух значений Uкэ. Для этого установить необходимое значение Uкэ
потенциометром R2 по РV2 и поддерживать его неизменным при снятии
характеристики. Напряжение Uбэ изменять потенциометром R1 по РV1.
Следить за изменением тока Iб по РА1. Результаты измерений занести в
таблицу 1.
4. Снять входную статическую характеристику транзистора Iк= f(Uкэ) для
трех значений тока Iб. Для этого установить необходимое значение Iб
потенциометром R1 по РА1 и поддерживать его неизменным при снятии
характеристики. Напряжение Uкэ изменять потенциометром R2 по РV2.
Следить за изменением тока Iк по РА2. Результаты измерений занести в
таблицу 2.
5. По данным таблиц 1 и 2 построить в координатных осях графики входных
и выходных характеристик транзистора.
6. Выбрать рабочую точку на входных и выходных характеристиках.
7. Выполнить построения на входных и выходных характеристиках для
определения h-параметров транзистора.
Рассчитать по входным характеристикам h11, h12; по выходным h21, h22 по
формулам:
h11 =
𝛥𝑈бэ
𝛥𝐼б
; h12 =
𝛥𝑈бэ
𝛥𝑈кэ
; h21 =
𝛥𝐼к
𝛥𝐼б
; h22 =
𝛥𝐼к
𝛥𝑈кэ
.
8. Определить в рабочей точке электрические параметры: Iб0, Iк0, Uбэ0, Uкэ0.
9. Составить отчет.
Таблица 1. Результаты измерений Iб= f(Uбэ) при Uкэ = const.
Uкэ = 0 В
Uкэ = 9 В
Uбэ, B
Iб, мA
Uбэ, B
Iб, мA
0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
Таблица 2. Результаты измерений Iк= f(Uкэ) при Iб = const.
Iб = 0,1 мA
Iб = 0,2 мA
Iб = 0,3 мA
Uкэ, B
Iк, мA
Uкэ, B
Iк, мA
Uкэ, B
Iк, мA
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
Контрольные вопросы.
 Назовите особенности схемы включения с ОЭ.
 Почему h21э значительно больше 1?
 Чем объяснить увеличение входного сопротивления транзистора в
схемы с ОЭ.
 Какие параметры транзистора характеризуют его рабочую точку?
 Каков физический смысл h-параметров?
 Почему схема с ОЭ наиболее распространена?