AS “АLFA RPAR” Рижский завод полупроводниковых

AS “АLFA RPAR”
Рижский завод полупроводниковых приборов
Рига, Латвия www.alfarzpp.lv; alfa@alfarzpp.lv
2Т392А-2
Бескорпусной кремниевый высокочастотный р-п-р транзистор малой мощности
Типовое значение граничной частоты передачи тока fГР = 450 МГц
Максимальная рассеиваемая мощность коллектора РКmax= 120 мВт
Максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер UКэmax=40В
Тип изделия
НомерТУ
Тип корпуса
2T392A-2
ХМ3.365.022 ТУ
Без корпуса,
сопроводительная тара
ТС4, ТС1б
Бескорпусные на диэлектрической подложке с гибкими выводами и защитным покрытием
кремниевые планарно-эпитаксиальные р-п-р высокочастотные усилительные транзисторы 2Т392А-2
предназначены для использования в неремонтируемых гибридных схемах, микромодулях, узлах и
блоках радиоэлектронной аппаратуры.
Маркировка транзисторов соответствует техническим условиям ХМ3.365.022 ТУ.
Знаком Н обозначаются изделия повышенной надежности. Размеры кристалла 0,5 х 0,5 мм.
Схема расположения выводов
Сопроводительная тара
2Т392А-2
ТС4
ТС1б
Основные электрические параметры при температуре: 0°C ÷ + 70°С
Буквенное
обозначение
Наименование параметра,
(режим измерения), единица измерения
2Т392А-2
не менее
не более
Обратный ток коллектора (UКБ=40В), мкА
IКБО
0,5
Обратный ток эмиттера
(UЭБ=4 В), мкА
IЭБО
0,5
Статический коэффициент передачи тока
(UКБ= 5 В, IЭ= 2,5 мА, tИ ≤2 мс, f ≤ 50 Гц)
Модуль коэффициента передачи тока на высокой
частоте (UКБ=5 В, IЭ= 2,5 мА, f =100 МГц)
Граничная частота коэффициента передачи тока
(UКБ= 5 В, IЭ= 2,5 мА), МГц
Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте (UКБ=5 В, IЭ=2,5 мА, f=30 МГц), пс
Емкость коллекторного перехода
(UКБ= 5 В, f = 5 МГц), пФ
Емкость эмиттерного перехода
(UЭБ= 1 В, f = 5 МГц), пФ
Коэффициент шума
(IК=100 мА, IБ=1 мА), дБ
* - типовое
1
2014 v1
h21Э
40
│h21Э│
3
fГР
300
180
τK
120
СК
2,5
СЭ
5
КШ
4,3*- 4,8*
AS “АLFA RPAR”
Рижский завод полупроводниковых приборов
Рига, Латвия www.alfarzpp.lv; alfa@alfarzpp.lv
2Т392А-2
Предельные значения допустимых электрических режимов эксплуатации
Наименование параметра,
единица измерения
Максимально – допустимое постоянное напряжение
коллектор-база, В
Максимально – допустимое постоянное напряжение
коллектор-эмиттер при RЭБ≤10кОм, В
Максимально – допустимое постоянное напряжение
эмиттер-база, В
Максимально – допустимый постоянный ток коллектора,
мА
Буквенное
обозначение
2Т392А-2
UКБmax
40
UКЭmax
40
UЭБmax
4
IКmax
10
Импульсный ток коллектора при tИ ≤ 10 мкс, Q  2, мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора в
условной микросхеме, мВт
о
при Т≤+65 С
о
при Т=+85 С
Тепловое сопротивление переход - кристаллодержатель,
о
С/Вт
о
Общее тепловое сопротивление, С/Вт
о
Температура перехода, С
IKИmax
20
Iэ =2,5 мА
0,7
0,7
0,5
2
100
RТп-с
Тп
450
125
1,1
0,9
0
RТп-к
h21э/h' 21э
0,9
0,5
120
88
Основные типовые зависимости параметров транзисторов
h21э/h' 21э
1,1
РКmax
Примечание
4
6
8
10 UКБ,В
Зависимость относительного статического
коэффициента передачи тока от напряжения
коллектор-база
UКБ = 5В
0
4
8
12
16
20 Iэ, мА
Зависимость относительного статического
коэффициента передачи тока от тока
эмиттера.
Kш, дБ
5,2
Kш, дБ
5
5
4,8
Iэ = 2,5 мА
f = 100 МГц
Rг = 75 Ом
4,4
UКБ = 5 В
f = 100 МГц
Rг = 75 Ом
4,8
4,4
4
0
4
8
12
16
20 UКБ, В
0
Зависимость коэффициента шума
от напряжения коллектор-база
2
2014 v1
2
4
6
8
10 Iэ ,мА
Зависимость коэффициента шума
от тока эмиттера