Инновационные технологии исследований в области

Научно-практический семинар
28 мая 2012 года
Время
11.00-11.10
Вступительное слово
11.10-11.20
Welcome and “About Raith company”
11.20-11.30
ОПТЭК представляет высокотехнологичные решения для науки
11.30-12.15
Raith product portfolio and applications
12.15-12.30
12.30-13.00
Coffee break
Основные достижения Учреждения Российской академии наук Института
сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН (ИСВЧПЭ
РАН) в области создания монолитных интегральных схем КВЧ диапазона
Resistless Lithography with Raith ionLiNE. Instrument concept and applications
13.00-13.30
Доклад
13.30-14.30
Разработка технологии изготовления матрицы линз Френеля с помощью
Raith QUANTUM
14.00-14.20
Методы экспонирования без стыковки полей
Докладчик
Мальцев Петр Павлович
д.т.н., профессор, директор ИСВЧПЭ
РАН, Москва
Dirk Brueggemann
Director Sales New Markets, Raith
GmbH, Germany
Власенко Вячеслав Сергеевич
Руководитель направления
материаловедения, ООО «ОПТЭК»,
Москва
Martin Kirchner
Director Sales New Markets, Raith
GmbH, Germany
Федоров Юрий Владимирович
Зав.Лаб. ИСВЧПЭ РАН, Москва
Sven Bauerdick
Product Manager, Raith GmbH,
Germany
Гончаров Антон Сергеевич
инженер НИИ РЛ МГТУ им. Н.Э.
Баумана, Москва
Леонид Владимирович Литвин
application scientist, Raith GmbH,
Germany
Время
Доклад
Докладчик
14.20 -15.30
Обед
15.30-16.00
Особенности применения электронно-лучевого литографа Raith 150TWO
фирмы Raith GmbH при изготовлении Т-образных затворов полевых
транзисторов для монолитных интегральных схем диапазона 30-90 ГГц.
Галиев Ринат Радифович
м.н.с. ИСВЧПЭ РАН, Москва
16.00-16.45
Ерофеев Евгений Викторович
к.т.н, инженер ЗАО "НПФ "Микран" , Томск
16.45-17.15
Опыт применения электронно-лучевого литографа Raith 150TWO для
мелкосерийного производства GaAs pHEMT и СВЧ МИС на пластинах
диаметром 100 мм
Методы изготовления наноструктур на основе Кремния-на-Изоляторе
17.15-18.00
Круглый стол
Преснов Денис Евгеньевич
к.ф-м.н., с.н.с. Лаборатория
Криоэлектроники,
МГУ им. М.В.Ломоносова, Москва
Дискуссия-обсуждение
Дата
Время
Группа
29 мая
11.00-12.00
Группа 1
30 мая
11.00-12.00
Группа 2
31 мая
11.00-12.00
Группа 3
1 июня
11.00-12.00
Группа 4
2 июня
11.00-12.00
Группа 5