С(2) - Институт монокристаллов НАН Украины

РК СНГ-2012
КОНФЕРЕНЦИЯ СТРАН СНГ ПО РОСТУ КРИСТАЛЛОВ
ОРГАНИЗАТОРЫ КОНФЕРЕНЦИИ







Научно-технологический комплекс «Институт монокристаллов» НАН
Украины
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт
кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Открытое
акционерное
общество
«Государственный
научноисследовательский
и
проектный
институт
редкометаллической
промышленности «Гиредмет»
Украинская ассоциация по росту кристаллов
Национальный комитет кристаллографов России
ПРИ ПОДДЕРЖКЕ






Национальной академии наук Украины
Российской академии наук
Государственного
агентства
по
вопросам
науки,
инноваций
информатизации Украины
Государственного фонда фундаментальных исследований Украины
Украинского научно-технологического Центра
Термо-Техно
и
НАУЧНЫЕ СЕССИИ
A. Создание и исследование кристаллических материалов:
А(1) фундаментальные проблемы образования и роста кристаллов;
А(2) функциональные кристаллические материалы – рост и физические
свойства
В. Интегрированные технологии (нано-, био-, информационные и
когнитивные технологии):
В(1) низкоразмерные структуры (гибридные структуры, поверхностные слои и
пленки, жидкие кристаллы и др.);
В(2) нанокристаллы и наносистемы – формирование, строение и свойства;
С. Вопросы коммерциализации технологий:
С(1) современные методы характеризации и сертификации кристаллических
материалов;
С(2) инновационные разработки в области создания и применения
кристаллических материалов
ОРГКОМИТЕТ
СОПРЕДСЕДАТЕЛИ КОНФЕРЕНЦИИ
Ковальчук М.В. – Россия (ИК РАН, НИЦ КИ)
Семиноженко В.П. – Украина (НТК «ИМК» НАНУ)
Председатель оргкомитета конференции
Пузиков В.М. – Украина (НТК «ИМК» НАНУ)
Председатели Локальных комитетов конференции
Каневский В.М. – Россия (ИК РАН)
Космына М.Б. – Украина (НТК «ИМК» НАНУ)
Ученые секретари конференции
Волошин А.Э. – Россия (ИК РАН)
Притула И.М. – Украина (НТК «ИМК» НАНУ
ОРГКОМИТЕТ
Благов А.Е.
Будников А.Т.
Данко В.В.
Гектин А.В.
Гнатченко С.Л.
Забродский А.Г.
Каневский В.М.
Кашкаров П.К.
Кведер В.В.
Коваленко Н.О.
Козлова Н.С.
Космына М.Б.
Литвак А.Г.
Любутин И.С.
Нарайкин О.С.
Новикова Н.Н.
Освенский В.Б.
Панченко В.Я.
Салащенко Н.Н.
Сипатов А.Ю.
Яновский В.В.
ИК РАН
ИМК НАНУ
ИОФ РАН
ИСМА НАНУ
ФТИНТ НАНУ
ФТИ РАН
ИК РАН
НИЦ КИ
ИФТТ РАН
ИМК НАНУ
НИТУ "МИСиС"
ИМК НАНУ
ИПФ РАН
ИК РАН
ИК РАН
НИЦ КИ
ГНЦ РФ ГИРЕДМЕТ
РФФИ
ИФМ РАН
НТУ «ХПИ»
ИМК НАНУ
2
ПРОГРАММНЫЙ КОМИТЕТ
Сопредседатели Программного комитета
Пархоменко Ю.Н. – Россия (ОАО «Гиредмет», НИТУ «МИСиС»)
Толмачев А.В. – Украина (НТК «ИМК» НАНУ)
ПРОГРАММНЫЙ КОМИТЕТ
Акчурин Р.Х.
Белогорохов А.И.
Валах М.Я.
Гречнев Г.Е.
Гринев Б.В.
Дашевский М.Я.
Загоруйко Ю.А.
Жариков Е.В.
Ивлева Л.И.
Илюшин А.С.
Литвинов Л.А.
Мелихов И.В.
Палто С.П.
Писаревский Ю.В.
Прихна Т.А.
Простомолотов А.И.
Саввин Ю.Н.
Стрелов В.И.
Туник С.П.
Туркевич В.З.
Федоров П.П.
Фочук П.М.
МИТХТ
ГИРЕДМЕТ
ИФП НАНУ
ФТИНТ НАНУ
ИСМА НАНУ
НИТУ "МИСиС"
ИМК НАНУ
РХТУ
ИОФ РАН
МГУ
ИМК НАНУ
МГУ
ИК РАН
ИК РАН
ИСМ НАНУ
ИПМех РАН
ИМК НАНУ
ИК РАН
СПбГУ
ИСМ НАНУ
ИОФ РАН
ЧНУ
им. Ю.Федьковича
НТУ «ХПИ»
Хрипунов Г.С.
3
1 ОКТЯБРЯ, ПОНЕДЕЛЬНИК
10.00-14.00
14.00-15.00
15.00-15.30
15.30-16.00
16.00-16.20
16.20-16.50
16.50-17.20
18.00
Регистрация участников конференции
Открытие конференции
В.П. Семиноженко. Вступительное слово.
М.В. Ковальчук. Вступительное слово. Доклад.
А.В. Толмачев «Структурно-фазовое состояние и функциональный отклик
оксидных наноматериалов»
(Институт монокристаллов НАН Украины, Харьков)
И.С. Любутин «Выращивание кристаллов белков в условиях
микрогравитации на российском сегменте МКС»
(ФГБУН Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, Москва)
Перерыв
С.Н. Чвалун «Структура и фазовое поведение низкоразмерных
самоорганизующихся систем на основе дендронов различной природы и
функциональности»
(Институт синтетических полимерных материалов
им. Н.С. Ениколопова РАН, Москва)
Б.В. Гринев, О.Ц. Сидлецкий «Новые сцинтилляторы на основе сложных
оксидов»
(Институт сцинтилляционных материалов НАН Украины, Харьков)
Фуршет
4
2 ОКТЯБРЯ, ВТОРНИК
9.30-11.00
9.30-10.05
10.05-10.40
10.40-11.00
Пленарная сессия
В.В. Квардаков «Курчатовский источник синхротронного излучения как
междисциплинарный центр коллективного пользования»
(НИЦ "Курчатовский институт", Москва)
В.З. Туркевич «Термодинамические и кинетические аспекты
формирования сверхтвердых фаз при высоких давлениях»
(Институт сверхтвердых материалов им. В.Н. Бакуля НАН Украины, Киев)
Перерыв
11.00-13.00
Устные доклады
Секция А
Секция В
(1) Фундаментальные проблемы
образования и роста кристаллов.
(2) Функциональные
кристаллические материалы:
рост и физические свойства
(1) Низкоразмерные структуры
(гибридные структуры,
поверхностные слои и пленки,
жидкие кристаллы и др.)
(2) Нанокристаллы и наносистемы:
формирование, строение и
свойства
11.00-11.15
А(1)1 Г.А.Емельченко
11.00-11.15
11.15-11.30
11.30-11.45
11.45-12.00
12.00-12.15
12.15-12.30
12.30-12.45
А(1)2 О.Л.Шпилинская
А(1)3 А.Н.Шеховцов
А(1)4 В.И.Луцык
А(1)5 М.Ш.Акчурин
А(1)6 В.С.Бердников
А(1)7 П.С.Терентьев
13.00-14.30
14.30-15.40
14.30-15.05
15.05-15.40
15.40-17.10
11.15-11.30
11.30-11.45
11.45-12.00
12.00-12.15
12.15-12.30
12.30-12.45
Обед
17.30-19.00
В(1)2 А.Г. Багмут
В(1)3 А.Г.Дорошенко
В(1)4 Д.В.Филь
В(1)5 Н.В.Васильева
В(1)6 В.Э.Поднек
В(1)7 Р.Е.Бродский
Пленарная сессия
Г.Е. Гречнев «Электронная структура, магнитные и сверхпроводящие
свойства новых ВТСП соединений FeSe(Te)»
(ФТИНТ им. Б.И. Веркина НАН Украины. Харьков)
А.Е. Благов «Новые возможности изучения кристаллов
рентгенодифракционными методами»
(ФГБУН Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, Москва)
Устные доклады
Секция А
17.10-17.30
В(1)1 С.А.Башкиров
Секция В
15.40-15.55
А(1)8 В.В.Гребенев
15.40-15.55
15.55-16.10
16.10-16.25
16.25-16.40
16.40-16.55
16.55-17.10
А(1)9 П.П.Федоров
15.55-16.10
А(1)10 А.П.Гуськов
16.10-16.25
А(1)11 С.С.Баскакова
16.25-16.40
А(1)12 В.Ф.Демченко
16.40-16.55
А(1)13 В.Н.Курлов
16.55-17.10
Перерыв
В(2)1 В.М.Каневский
В(2)2 М.А.Щербина
В(2)3 Д.М.Фреик
В(2)4 Р.П.Явецкий
В(2)5 В.Б.Кравченко
В(2)6 Н.А.Матвеевская
Стендовая сессия: Р1А – Р63А
5
3 ОКТЯБРЯ, СРЕДА
9.30-11.00
Пленарная сессия
А.Э. Волошин «Восстановление условий роста кристаллов по данным о
9.30-10.05
распределении примеси»
(ФГБУН Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, Москва)
Т.А. Прихна «Улучшение функциональных характеристик сверхпроводящих
монодоменных ПТ-YBCO материалов за счет создания двойниковой
10.05-10.40
наноструктуры в процессе насыщения кислородом»
(Институт сверхтвердых материалов им. В.Н. Бакуля НАН Украины, Киев)
10.40-11.00
Перерыв
Устные доклады
11.00-13.00
Секция А
(1) Фундаментальные проблемы
образования и роста кристаллов.
(2) Функциональные
кристаллические материалы: рост
и физические свойства
11.00-11.15
А(2)1 Е.Б.Руднева
11.15-11.30
11.30-11.45
11.45-12.00
12.00-12.15
12.15-12.30
12.30-12.45
А(2)2 А.В.Косинова
11.15-11.30
А(2)3 Н.А.Дятлова
11.30-11.45
А(2)4 В.Л.Маноменова
11.45-12.00
А(2)5 А.П.Воронов
12.00-12.15
А(2)6 В.Я.Гайворонский
12.15-12.30
А(2)7 Н.А.Васильева
12.30-12.45
Обед
13.00-14.30
14.30-15.40
Секция В
(1) Низкоразмерные структуры
(гибридные структуры,
поверхностные слои и пленки,
жидкие кристаллы и др.
(2) Нанокристаллы и наносистемы:
формирование, строение и
свойства
11.00-11.15
В(2)7 Т.С.Пирожкова
В(2)8 Ю.В.Ермолаева
В(2)9 С.В.Зайцев
В(2)10 Н.А.Дулина
В(2)11 И.А.Журавель
В(2)12 А.А.Козловский
В(2)13 О.В.Соболь
15.40-16.00
Пленарная сессия
Н.Н. Новикова «Нанодиагностика органических и биоорганических тонких
пленок на основе спектрально-селективных рентгеновских методов»
(ФГБУН Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, Москва)
Л.А. Литвинов «Сапфир в медицине»
(Институт монокристаллов НАН Украины, Харьков)
Перерыв
16.00-17.30
Устные доклады
14.30-15.05
15.05-15.40
16.00-16.15
16.15-16.30
16.30-16.45
16.45-17.00
17.00-17.15
17.15-17.30
Секция А
А(2)8 М.Е.Дорошенко
А(2)9 А.М.Самойлов
А(2)10 Е.Ф.Долженкова
А(2)11 П.А.Герус
А(2)12 С.В.Беленко
А(2)13 Н.Н. Смирнов
6
16.00-16.15
16.15-16.30
16.30-16.45
16.45-17.00
17.00-17.15
17.15-17.30
Секция В
В(2)14 В.В.Волобуев
В(2)15 А.Ю.Сипатов
В(2)16С.В.Слипушенко
В(2)17 Ю.Н.Саввин
В(2)18 А.Г.Белов
В(2)19 О.Н.Безкровная
4 ОКТЯБРЯ, ЧЕТВЕРГ
9.30-11.00
10.40-11.00
Пленарная сессия
А.С.Авилов «Структурная характеризация и сертификация наночастиц и
тонких пленок»
(ФГБУН Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, Москва)
П.М. Фочук «Проблемы получения, исследования и использования
монокристаллов CdTe и твердых растворов на их основе»
(Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича,
Черновцы)
Перерыв
11.00-13.00
Устные доклады
9.30-10.05
10.05-10.40
Секция А
(1) Фундаментальные проблемы
образования и роста кристаллов.
(2) Функциональные
кристаллические материалы: рост
и физические свойства
11.00-11.15
А(2)14 С.И.Ковалев
11.15-11.30
11.30-11.45
11.45-12.00
12.00-12.15
12.15-12.30
12.30-12.45
А(2)15 Ю.С.Оселедчик
11.15-11.30
А(2)16 Т.А.Романова
11.30-11.45
А(2)17 Л.И.Ивлева
11.45-12.00
А(2)18 Н.О.Коваленко
12.00-12.15
А(2)19 В.Н.Маслов
12.15-12.30
А(2)20 А.А.Голошумова
12.30-12.45
Обед
13.00-14.30
14.30-15.40
14.30-15.05
15.05-15.40
15.40-17.10
17.30-19.00
11.00-11.15
С(1)1 В.В.Калаев
С(1)2 М.А.Смирный
С(1)3 Ю.В.Шалдин
С(1)4 Н.В.Бабаевская
С(1)5 М.С.Лясникова
С(1)6 Е.В.Кривоносов
С(1)7 И.Е.Таланин
Пленарная сессия
Г.С. Хрипунов «Физико-технологические основы оптимизации солнечных
элементов на основе CdS/CdTe»
(Национальный технический университет «ХПИ», Харьков)
М.В. Горкунов «Оптика наноструктур металл-диэлектрик – от
дифракционных решеток к метаматериалам»
(ФГБУН Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, Москва))
Устные доклады
15.40-15.55
15.55-16.10
16.10-16.25
16.25-16.40
16.40-16.55
16.55-17.10
17.10-17.30
Секция С
(1) Современные методы
характеризации и сертификации
кристаллических материалов.
(2) Инновационные разработки в
области создания и применения
кристаллических материалов
Секция А
Секция С
А(2)21 Т.Ф.Веремейчик
С(2)1 Л.А.Гринь
С(2)2 С.Н.Шевчук
С(2)3 Д.С.Софронов
С(2)4 В.Н.Канищев
С(2)5 Ю.А.Загоруйко
С(2)6 Ю.М.Епифанов
15.40-15.55
А(2)22 Т.Ф.Веремейчик
15.55-16.10
А(2)23Л.П.Гальчинецкий
16.10-16.25
А(2)24А.З.Калуш
16.25-16.40
А(2)25 Е.А.Вовк
16.40-16.55
А(2)26 А.Т.Будников
16.55-17.10
Перерыв
Стендовая сессия: Р64А–Р93А, Р94В–Р121В, Р122С–Р131С
7
5 ОКТЯБРЯ, ПЯТНИЦА
9.30-11.15
11.15-11.30
Пленарная сессия
Б.А. Гурович «Радиационно-индуцированное создание кристаллических
композитных наноструктур произвольной геометрии»
(НИЦ "Курчатовский институт", Москва)
С.П. Палто «Фотоника хиральных жидких кристаллов»
(ФГБУН Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, Москва)
Ю.Н. Пархоменко «Современные проблемы и достижения в области
выращивания кристаллов полупроводников»
(ОАО «Гиредмет», Москва)
Перерыв
11.30-12.45
Устные доклады
9.30-10.05
10.05-10.40
10.40-11.15
13.00-14.30
14.30
Секция А, В
Секция С
Объединенная сессия
(1) Современные методы
характеризации и сертификации
кристаллических материалов.
(2) Инновационные разработки в
области создания и применения
кристаллических материалов
11.30-11.45
А(2)27 М.М.Яцкин
11.30-11.45
11.45-12.00
12.00-12.15
12.15-12.30
12.30-12.45
12.45-13.00
А(2)28 В.Л.Чергинец
11.45-12.00
А(2)29С.В.Нижанковский 12.00-12.15
В(2)20 Г.М.Кузьмичева
12.15-12.30
В(2)21 Р.Н.Жуков
12.30-12.45
В(2)22 Д.М.Наплеков
12.45-13.00
Обед
С(2)7 С.В.Карпенко
С(2)8 Х.Х.Муминов
С(2)9 С.Ю.Курин
С(2)10 А.И.Лалаянц
С(2)11 А.В.Волошин
С(2)12 К.А.Кудин
Принятие решения. Закрытие конференции
8
1 ОКТЯБРЯ
УСТНЫЕ ДОКЛАДЫ
1 ОКТЯБРЯ, ПОНЕДЕЛЬНИК
10.00-14.00
14.00-15.00
РЕГИСТРАЦИЯ УЧАСТНИКОВ КОНФЕРЕНЦИИ
Открытие конференции
В.П. Семиноженко. Вступительное слово.
М.В. Ковальчук. Вступительное слово. Доклад.
15.00-15.30 ПЛЕНАРНОЕ ЗАСЕДАНИЕ
15.00-15.30
15.30-16.00
16.00-16.20
16.20-16.50
16.50-17.20
18.00
А.В. Толмачев «Структурно-фазовое состояние и
функциональный отклик оксидных наноматериалов»
(Институт монокристаллов НАН Украины, Харьков)
И.С. Любутин «Выращивание кристаллов белков в
условиях микрогравитации на российском сегменте МКС»
(ФГБУН Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова
РАН, Москва)
Перерыв
С.Н. Чвалун «Структура и фазовое поведение
низкоразмерных самоорганизующихся систем на основе
дендронов различной природы и функциональности»
(Институт синтетических полимерных материалов
им. Н.С. Ениколопова РАН, Москва)
Б.В. Гринев, О.Ц. Сидлецкий «Новые сцинтилляторы на
основе сложных оксидов»
(Институт сцинтилляционных материалов НАН Украины,
Харьков)
Фуршет
9
2 ОКТЯБРЯ
УСТНЫЕ ДОКЛАДЫ
УТРЕННЯЯ СЕССИЯ
09.30-10.40 ПЛЕНАРНОЕ ЗАСЕДАНИЕ
В.В. Квардаков «Курчатовский источник синхротронного
излучения как междисциплинарный центр коллективного
пользования»
(НИЦ "Курчатовский институт", Москва)
10.05-10.40 В.З. Туркевич «Термодинамические и кинетические аспекты
формирования сверхтвердых фаз при высоких давлениях»
(Институт сверхтвердых материалов им. В.Н. Бакуля НАН
Украины, Киев)
9.30-10.05
10.40-11.00 перерыв
11.00-12.45 заседание секций
Секция А
(1) Фундаментальные проблемы образования и роста кристаллов.
(2) Функциональные кристаллические материалы: рост и физические
свойства
11.00 А(1)1
А.А. Жохов, Э.А. Штейнман, И.И. Тартаковский, А.А. Максимов,
Г.А. Емельченко. Выращивание объемных монокристаллов 6НSiC сублимационным методом и характеризация их
дефектной структуры
11.15 А(1)2
Шпилинская О.Л., Кулик Т.В. Уменьшение дисперсии по
размерам выделений новой фазы изменением пересыщенности
раствора
11.30 А(1)3
А.Н. Шеховцов, М.Б. Космына, П.В. Матейченко, Б.П. Назаренко,
В.М. Пузиков, П.А. Лойко, А.С. Ясюкевич, В.Э. Кисель,
Н.В. Кулешов, К.В. Юмашев, А.Е. Гулевич, М.П. Демеш.
Выращивание и свойства монокристаллов Ca9La(VO4)7:Nd
В.И. Луцык. Конструирование схем кристаллизации расплава
11.45 А(1)4
3D и 4D моделями фазовых диаграмм
12.00 А(1)5
М.Ш.
Акчурин,
Р.В.
Гайнутдинов,
Р.М.
Закалюкин,
А.А. Каминский. Механосинтез сложных оксидов
12.15 А(1)6
Бердников В.С., Винокуров В.А., Винокуров В.В., Гапонов В.А.,
Митин К.А. Общие закономерности теплообмена в методе
Чохральского
Терентьев П.С., Мартюшев Л.М. Закономерности роста
12.30 А(1)7
кристаллов NH4Cl различных морфологий при свободном
неравновесном росте
10
2 ОКТЯБРЯ
УСТНЫЕ ДОКЛАДЫ
Секция В
(1) Низкоразмерные структуры (гибридные структуры, поверхностные
слои и пленки, жидкие кристаллы и др.)
(2) Нанокристаллы и наносистемы: формирование, строение и свойства
С.А. Башкиров, В.Ф. Гременок. Физические свойства тексту11.00 В(1)1
рированных пленок SnS
А.Г. Багмут. О классификации реакций кристаллизации
11.15 В(1)2
аморфных пленок и принципе Гюйгенса - Френеля
11.30 В(1)3
А.Г. Дорошенко, И.А. Петруша, А.В. Толмачев, В.З. Туркевич,
О.Л. Шпилинская, Р.П. Явецкий. Консолидация моноразмерных
наносфер Y2O3:Eu3+ в условиях фазового превращения при
высоком давлении
Д.В.Филь, К.В.Гермаш. Сверхтекучесть пространственно11.45 В(1)4
непрямых экситонов в гетероструктурах на основе
топологических изоляторов
12.00 В(1)5
Н.В. Васильева, И.В. Рандошкин, Д.А. Спасский, В.О. Соколов,
В.Г. Плотниченко, А.В. Хахалин, Е.М. Еcанова, А.А. Дудин,
А.М. Галстян, М.А. Иванов. Эпитаксиальный рост и спектроскопические исследования пленок Gd3(Al,Ga)5O12:Ce
12.15 В(1)6
В.Э. Поднек, В.П. Воронов, Е.Е. Городецкий, Е.С. Пикина,
В.А.
Кузьмин.
Калориметрическое
исследование
предплавление льда в пористой матрице синтетического
опала
Р.Е. Бродский, В.В. Яновский, А.В. Тур. Слабая фрагментация
12.30 В(1)7
пластин в изотропном и анизотропном случаях
13.00-14.30 обед
ВЕЧЕРНЯЯ СЕССИЯ
14.30-15.40 ПЛЕНАРНОЕ ЗАСЕДАНИЕ
14.30-15.05
15.05-15.40
Г.Е. Гречнев «Электронная структура, магнитные и
сверхпроводящие свойства новых ВТСП соединений
FeSe(Te)»
(ФТИНТ им. Б.И. Веркина НАН Украины. Харьков)
А.Е. Благов «Новые возможности изучения кристаллов
рентгенодифракционными методами»
(ФГБУН Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова
РАН, Москва)
11
2 ОКТЯБРЯ
УСТНЫЕ ДОКЛАДЫ
15.40-17.10 заседание секций
Секция А
(1) Фундаментальные проблемы образования и роста кристаллов.
(2) Функциональные кристаллические материалы: рост и физические
свойства
15.40 А(1)8
Гребенев В.В., Макарова И.П., Черная Т.С., Верин И.А.,
Долбинина В.В. Исследование механизма возникновения
высокой проводимости в кристаллах K9H7(SO4)8Н2О
П.П. Федоров. Низкотемпературный синтез нанофторидов
15.55 А(1)9
16.10 А(1)10 А.П. Гуськов, Л.П. Некрасова, А.Е. Ершов, О.А. Костенкова.
Вытеснение компонента при кристаллизации растворов
красителей
16.25 А(1)11 А.Э. Волошин, С.И. Ковалев, М.С. Лясникова, С.С. Баскакова,
Л.Н. Рашкович, Э.Х. Мухамеджанов, М.В. Ковальчук. Влияние
примесей на структурное совершенство кристаллов
лизоцима
16.40 А(1)12 Демченко В.Ф., Федоров О.П. Исследование нестационарных
эффектов при кристаллизации бинарного сплава
16.55 А(1)13 Курлов В.Н., Шикунова И.А. Профилированные кристаллы
сапфира для лазерной медицины
Секция В
(1) Низкоразмерные структуры (гибридные структуры, поверхностные
слои и пленки, жидкие кристаллы и др.)
(2) Нанокристаллы и наносистемы: формирование, строение и свойства
15.40 В(2)1
В.М. Каневский, А.В. Буташин, В.П. Власов, А.Э. Муслимов,
В.Е. Асадчиков. Наноразмерные эффекты на сверхгладкой
кристаллической поверхности
М.А. Щербина. Влияние условий кристаллизации на форму
15.55 В(2)2
полимерных
монокристаллов,
экспериментальный
и
теоретический подходы
16.10 В(2)3
Д.М. Фреик, И.К. Юрчишин, Я.С. Яворский, В.Ю. Потяк.
Квантово-размерные еффекты в наноструктурах на основе
соединений IV-VI и их термоэлектрические свойства
16.25 В(2)4
Р.П. Явецкий, Н.А. Дулина, С.В. Пархоменко, А.В. Толмачев.
Формирование оптических нанокерамик (Lu0,95Eu0,05)2O3 в
процессе высокотемпературного спекания нанапорошков
16.40 В(2)5
Ю.Л. Копылов, И.М. Котелянский, В.Б. Кравченко, В.А. Лузанов.
Твердофазный рост кристаллов Y3Al5O12 в керамиках
16.55 В(2)6
Н.А. Матвеевская, Д.Ю. Косьянов, О.М. Вовк, А.В. Толмачев.
Дизайн ультрадисперсных порошков Al2O3 и Y2O3
12
2 ОКТЯБРЯ
УСТНЫЕ ДОКЛАДЫ
17.10-17.30 перерыв
17.30-19.00 Стендовая сессия: Р1А – Р63А
13
3 ОКТЯБРЯ
УСТНЫЕ ДОКЛАДЫ
УТРЕННЯЯ СЕССИЯ
09.30-10.40 ПЛЕНАРНОЕ ЗАСЕДАНИЕ
А.Э. Волошин «Восстановление условий роста кристаллов по
данным о распределении примеси»
(ФГБУН Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова
РАН, Москва)
10.05-10.40 Т.А. Прихна «Улучшение функциональных характеристик
сверхпроводящих монодоменных ПТ-YBCO материалов за
счет создания двойниковой наноструктуры в процессе
насыщения кислородом»
(Институт сверхтвердых материалов им. В.Н. Бакуля НАН
Украины, Киев)
9.30-10.05
10.40-11.00 перерыв
11.00-12.45 заседание секций
Секция А
(1) Фундаментальные проблемы образования и роста кристаллов.
(2) Функциональные кристаллические материалы: рост и физические
свойства
11.00 А(2)1
Руднева Е.Б., Маноменова В.Л., Степнова М.Н.,Гребенев В.В.,
Волошин А.Э. Рост монокристаллов CuSO45H2O и
исследование некоторых их свойств
11.15 А(2)2
А.В. Косинова, И.М. Притула, Д.А. Воронцов, М.И. Колыбаева,
В.Ф. Ткаченко. Процессы формирования композитного
материала на основе монокристалла KDP и наночастиц
Al2O3·nH2O
11.30 А(2)3
Дятлова Н.А., Маноменова В.Л., Волошин А.Э., Гребенев В.В.
Оценка
влияния
условий
выращивания
кристаллов
гексагидрата
сульфата
калия-кобальта
на
их
функциональные свойства
11.45 А(2)4
Маноменова В.Л., Руднева Е.Б., Гребенев В.В, Лясникова М.С.,
Волошин
А.Э.
Выращивание
кристаллов
ряда
кристаллогидратов сульфатов переходныхметаллов и
исследование некоторых их свойств
12.00 А(2)5
А.П. Воронов, В.М. Пузиков, В.Ф. Ткаченко, Г.Н. Бабенко,
А.Д. Рошаль. Влияние примесей таллия и салицилата
аммония на рост и свойства кристаллов ADP
14
3 ОКТЯБРЯ
12.15 А(2)6
12.30 А(2)7
УСТНЫЕ ДОКЛАДЫ
В.Я. Гайворонский, М.А. Копыловский, М.С. Бродин,
М.И. Колыбаева, В.М. Пузиков, В.Ф. Ткаченко, А.В. Косинова,
О.Н. Безкровная, И.М. Притула. Нелинейно-оптические
композитные материалы на основе кристаллов KDP c
инкорпорированными наночастицами металлоксидов
Васильева Н.А., Григорьева М.С., Гребенев В.В., Волошин А.Э.,
Маноменова В.Л., Руднева Е.Б. Получение и некоторые
свойства смешанных кристаллов K2NixCo(1-x)(S04)2·6H2O
Секция В
(1) Низкоразмерные структуры (гибридные структуры, поверхностные
слои и пленки, жидкие кристаллы и др.)
(2) Нанокристаллы и наносистемы: формирование, строение и свойства
А.И. Тюрин, Т.С. Пирожкова. Исследование физико11.00 В(2)7
механических свойств монокристаллов LiF в микро- и
субмикрообьёмах
методами
динамического
наноиндентирования
Ю.В. Ермолаева, А.В. Толмачев. Cтруктурно-фазовое
11.15 В(2)8
состояние нанослоев оксидов редкоземельных металлов на
SiO2 темплатах
11.30 В(2)9
С.В. Зайцев, А.Н. Грузинцев, Н.А. Дулина, Ю.В. Ермолаева,
А.В. Толмачев, Е.А. Кудренко, Г.А. Омельченко. Синтез,
структура
и
оптические
свойства
монодисперсных
сферических наночастиц Y2O3 – ZnO, Eu2O3
11.45 В(2)10 Н.А. Дулина, Ю.В. Ермолаева, А.В. Толмачев. Структурноморфологические
характеристики
композитных
нанопорошков Y2O3/ZnO на основе мезопористых сферических
частиц оксида иттрия
12.00 В(2)11 И.А. Журавель, Е.А. Бугаев, Л.Е. Конотопский, Е.Н. Зубарев,
В.А. Севрюкова, В.В. Кондратенко. Структура и термическая
стабильность многослойных периодических композиций C/Si
12.15 В(2)12 А.А. Козловский, А.В. Семенов, В.М. Пузиков. Фотоэлектрические свойства гетероструктуры p-SiC/p-Si
12.30 В(2)13 О.В. Соболь, А.А. Андреев, В.А. Столбовой, Н.В. Киданова,
В.Е. Фильчиков. Условия формирования высокотвердых наносистем на основе вакуумно-дуговых нитридных покрытий
13.00-14.30 обед
ВЕЧЕРНЯЯ СЕССИЯ
15
3 ОКТЯБРЯ
УСТНЫЕ ДОКЛАДЫ
14.30-15.40 ПЛЕНАРНОЕ ЗАСЕДАНИЕ
14.30-15.05
15.05-15.40
Н.Н. Новикова «Нанодиагностика органических и
биоорганических тонких пленок на основе спектральноселективных рентгеновских методов»
(ФГБУН Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова
РАН, Москва)
П.М. Фочук «Проблемы получения, исследования и
использования монокристаллов CdTe и твердых растворов
на их основе»
(Черновицкий национальный университет им. Юрия
Федьковича, Черновцы)
15.40-17.10 заседание секций
Секция А
(1) Фундаментальные проблемы образования и роста кристаллов.
(2) Функциональные кристаллические материалы: рост и физические
свойства
15.40 А(2)8
М.Е. Дорошенко, Т.Т. Басиев, В.В. Осико, Ю.А. Загоруйко,
Н.О. Коваленко, А.С. Герасименко, В.М. Пузиков, Х. Желинкова,
М. Желинек. Спектроскопические и генерационные свойства
двухвалентного железа в кристаллах ZnMgSe
15.55 А(2)9
Samoylov A.M., Belenko S.V., Siradze B.A., Dontsov A.I., Ievlev
V.M. The synthesis of GayPb1y layers with predicted chemical
composition by modified “hot wall” epitaxy technique
16.10 А(2)10 Долженкова Е.Ф., Коневский П.В., Литвинов Л.А., Дуб С.Н.,
Белоус В.А., Толмачева Г.Н. Анизотропия деформационных
процессов монокристаллов корунда различного структурного
совершенства
16.25 А(2)11 П.А. Геруc, Н.В. Васильева, В.О. Соколов, В.Г. Плотниченко,
А.В. Хахалин, Е.М. Еганова, А.А. Дудин, А.М. Галстян,
М.А. Иванов. Эпитаксиальный рост и оптическое поглощение
ионов Ni2+ и Ni3+ в гадолиний-галлиевых гранатовых пленках
16.40 А(2)12 Belenko S.V., Samoylov A.M., Siradze B.A., Toreev A.S., Ievlev
V.M. The real microstructure of PbTe films prepared by modified
HWE technique on Si (100) and BaF2 (100) substrates
16.55 А(2)13 Смирнов Н.Н., Смирнов Т.Н. Условие температурной
устойчивости площади межфазной границы «расплавкристалл» в поле аксиального температурного градиента и
новые методы выращивания
16
3 ОКТЯБРЯ
УСТНЫЕ ДОКЛАДЫ
Секция В
(1) Низкоразмерные структуры (гибридные структуры, поверхностные
слои и пленки, жидкие кристаллы и др.)
(2) Нанокристаллы и наносистемы: формирование, строение и свойства
15.40 В(2)14 В.В. Волобуев, П. Дзява, А.Н. Стеценко, Е.Н. Зубарев, А. Резка,
Т. Стори, A.Ю. Сипатов. Рост нитевидных нанокристаллов
висмута из композитных тонких пленок
15.55 В(2)15 A.Ю. Сипатов, В.В. Волобуев, Т.А. Самбурская, Е.Н. Зубарев,
П. Дзява, А. Резка, М. Шот, Л. Ковальчик, Т. Стори. Квантовые
точки PbTe на основе эпитаксиальных гетероструктур
16.10 В(2)16 С.В. Слипушенко, В.В. Яновский. Столкновения частиц с
малым числом степей свободы
16.25 В(2)17 Ю.Н. Саввин, О.О. Матвиенко, O.М. Вовк, М.В. Добротворская.
Эффекты
фазового
разделения
в
полимерных
нанокомпозитах с полупроводниковыми нанокристаллами
16.40 В(2)18 А.Г. Белов, М.А. Блудов. Люминесценция твердых смесей
ксенона и криптона с молекулярным дейтерием
16.55 В(2)19 О.Н. Безкровная, И.М. Притула, А.Г. Плаксий, В.В. Маслов.
Активные среды на основе наноструктурированных SiO2
матриц с инкорпорированными молекулами красителей
17
4 ОКТЯБРЯ
УСТНЫЕ ДОКЛАДЫ
УТРЕННЯЯ СЕССИЯ
09.30-10.40 ПЛЕНАРНОЕ ЗАСЕДАНИЕ
А.С.Авилов «Структурная характеризация и сертификация
наночастиц и тонких пленок»
(ФГБУН Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН,
Москва)
10.05-10.40 Л.А. Литвинов «Сапфир в медицине»
(Институт монокристаллов НАН Украины, Харьков)
9.30-10.05
10.40-11.00 перерыв
11.00-12.45 заседание секций
Секция А
(1) Фундаментальные проблемы образования и роста кристаллов.
(2) Функциональные кристаллические материалы: рост и физические
свойства
11.00 А(2)14 С.И. Ковалёв, А.Е. Смирнов, А.Э. Волошин. Температура
равновесия кристаллов и растворов KDP, ADP+KDP как
функция их предварительной магнитной обработки
11.15 А(2)15 Ю.С. Оселедчик, В.Ю. Луценко. Филаментация и коническая
эмиссия в нелинейных боратных кристаллах LBO, CBO, CLBO,
BBO, SBO в поле фемтосекундной накачки
11.30 А(2)16 М.В. Голубков, Ю.И. Горина, Г.А. Калюжная, В.В. Родин,
Т.А. Романова, Н.Н. Сентюрина, С.Г. Черноок. Структура и
сверх-проводящие свойства кристаллов FeSe
11.45 А(2)17 Л.И. Ивлева, Н.В. Богодаев, И.С. Воронина, П.Г. Зверев,
П.А. Лыков. Влияние гетеровалентных примесей на
оптические свойства кристаллов ниобата бария-стронция
12.00 А(2)18 Коваленко Н.О., Загоруйко Ю.А., Сорокин Е.В., Софронов Д.С.,
Баумер В.Н. Оптическое поглощение в ближнем ИК диапазоне
в монокристаллах Zn1-xMgxSe:TM2+
12.15 А(2)19 Маслов В.Н., Бахолдин С.И., Носов Ю.Г. Особенности
морфологии и распределения газовых включений в
монокристаллических лентах сапфира, выращенных способом
Степанова
12.30 А(2)20 Голошумова А.А., Исаенко Л.И., Пашков В.М., Лобанов С.И.,
Елисеев А.П. Рост и исследование сцинтилляционных
кристаллов SrI2, SrAlF5, легированных редкоземельными
элементами
18
4 ОКТЯБРЯ
УСТНЫЕ ДОКЛАДЫ
Секция С
(1) Современные методы характеризации и сертификации
кристаллических материалов.
(2) Инновационные разработки в области создания и применения
кристаллических материалов
В.В. Калаев. Компьютерное моделирование роста кристаллов
11.00 С(1)1
кремния и сапфира
Чижов П.С., Смирный М.А. Современное оборудование
11.15 С(1)2
компании «ТЕРМО ТЕХНО» для проведения исследований в
области материаловедения
Шалдин Ю.В., Матыясик С., Бабаев В.А. Пироэлектрическая
11.30 С(1)3
дефектоскопия
нестехиометричных кристаллов
типа
вюрцита: CdSe
11.45 С(1)4
Н.В. Бабаевская, Ю.Н. Саввин, П.В. Матейченко, О.М. Вовк,
М.В. Добротворская, А.В. Толмачев. Изучение условий
формирования вертикально ориентированных стержней
монокристаллического ZnO
12.00 С(1)5
Ковалёв С.И., Лясникова М.С., Волошин А.Э., Крамаренко В.А.,
Баскакова С.С., Шишков В.А., Дымшиц Ю.М., Задорожная Л.А.,
Ковальчук М.В. Устройства для кристаллизации белков в
космосе
Е.В. Кривоносов, П.В. Коневский, Д.Е. Кривонсов. Динамических
12.15 С(1)6
анализ процесса кристаллизации метода Киропулоса
В.И. Таланин, И.Е. Таланин, Н.Ф. Устименко. Управление
12.30 С(1)7
дефектной структурой бездислокационных монокристаллов
кремния во время их роста и изготовления приборов на их
основе
13.00-14.30 обед
ВЕЧЕРНЯЯ СЕССИЯ
14.30-15.40 ПЛЕНАРНОЕ ЗАСЕДАНИЕ
14.30-15.05
15.05-15.40
Г.С. Хрипунов «Физико-технологические основы оптимизации
солнечных элементов на основе CdS/CdTe»
(Национальный технический университет «ХПИ», Харьков)
М.В. Горкунов «Оптика наноструктур металл-диэлектрик – от
дифракционных решеток к метаматериалам»
(ФГБУН Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова
РАН, Москва))
19
4 ОКТЯБРЯ
УСТНЫЕ ДОКЛАДЫ
15.40-17.10 заседание секций
Секция А
(1) Фундаментальные проблемы образования и роста кристаллов.
(2) Функциональные кристаллические материалы: рост и физические
свойства
Веремейчик.
Корреляции
некоторых
15.40 А(2)21 Т.Ф.
кристаллохимических
свойств
кристаллов
семейства
лангасита и параметров ячейки
15.55 А(2)22 Т.Ф. Веремейчик Связь длин химических связей и величины
пъезоэлектрической константы d11 кристаллов семейства
лангасита
16.10 А(2)23 Л.П. Гальчинецкий, С.Н. Галкин. Влияние температуры ТО в
водороде на характер взаимодействия водорода с
кристаллами ZnSe(X)
16.25 А(2)24 Парасюк О.В., Калуш А.З., Билинский Ю.М. Кристаллизация
поликристаллических слоев селенида цинка
16.40 А(2)25 Е.А. Вовк, А.Т. Будников, М.В. Добротворская, С.И. Кривоногов.
Механизм взаимодействия Al2O3 и SiO2 в процессе химикомеханического полирования сапфира диоксидом кремния
16.55 А(2)26 А.Т. Будников, Е.А. Вовк, В.Н. Канищев, С.И. Кривоногов,
В.Ф. Ткаченко. Исследование характеристик нарушенного
приповерхностного слоя сапфира при механической и химикомеханической обработке
Секция С
(1) Современные методы характеризации и сертификации
кристаллических материалов.
(2) Инновационные разработки в области создания и применения
кристаллических материалов
15.40 С(2)1
Гринь Л.А., Будников А.Т., Адонкин Г.Т., Калтаев Х.Ш-о.,
Кривоногов С.И. Оптимизация температурных условий при
выращивании
крупногабаритных
кристаллов
сапфира
методом ГНК
С.Н. Шевчук. Выращивание крупных монокристаллов алмаза в
15.55 С(2)2
области предельно высоких температур роста
16.10 С(2)3
Д.С. Софронов,
Е.М. Софронова, Н.О. Коваленко, А.С.
Герасименко. Получение шихты селенида цинка в водных
растворах
В.Н. Канищев, С.В. Баранник. О возможности растить
16.25 С(2)4
кристаллы из расплава с повышенными скоростями
Ю.А. Загоруйко, Н.О. Коваленко. Особенности физических
16.40 С(2)5
свойств монокристаллической матрицы Zn1-xMgxSe для
активных элементов перестраиваемых лазеров среднего ИК
диапазона
20
4 ОКТЯБРЯ
16.55 С(2)6
УСТНЫЕ ДОКЛАДЫ
Ю.М. Епифанов, В.С. Суздаль, А.В. Соболев, Н.Н. Тимошенко.
Выращивание кристаллов CsI методом Киропулоса с
системой управления параметрами роста
17.10-17.30 перерыв
17.30-19.00 Стендовая сессия: Р64А–Р93А, Р94В–Р121В, Р122С–Р127С
21
5 ОКТЯБРЯ
УСТНЫЕ ДОКЛАДЫ
УТРЕННЯЯ СЕССИЯ
09.30-11.15 ПЛЕНАРНОЕ ЗАСЕДАНИЕ
9.30-10.05
10.05-10.40
10.40-11.15
Б.А.
Гурович
«Радиационно-индуцированное
создание
кристаллических композитных наноструктур произвольной
геометрии»
(НИЦ "Курчатовский институт", Москва)
С.П. Палто «Фотоника хиральных жидких кристаллов»
(ФГБУН Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова
РАН, Москва)
Ю.Н. Пархоменко «Современные проблемы и достижения в
области выращивания кристаллов полупроводников»
(ОАО «Гиредмет», Москва)
11.15-11.30 перерыв
11.00-12.45 заседание секций
Секция А, В
(1) Фундаментальные проблемы образования и роста кристаллов.
(2) Функциональные кристаллические материалы: рост и физические
свойства
(1) Низкоразмерные структуры (гибридные структуры, поверхностные
слои и пленки, жидкие кристаллы и др.
(2) Нанокристаллы и наносистемы: формирование, строение и свойства
11.30 А(2)27 Яцкин М.М., Струтинская Н.Ю., Затовский И.В., Баумер В.Н.,
Слободяник Н.С., Кузьмин Р.Н. Получение, строение и
электропроводные свойства новых тройных фосфатов
Na4MIIMIII(PO4)3 семейства NASICON
11.45 А(2)28 Дацько Ю.Н., Реброва Т.П., Косинов Н.Н., Педаш В.Ю.,
Чергинец В.Л., Явецкий Р.П. Люминесцентные свойства
монокристаллов CsI:Men+ (Me=Eu2+, Y3+, Mg2+)
12.00 А(2)29 Нижанковский
С.В.,
Жиляев
Ю.В.,
Крухмалев
А.А.,
Сидельникова Н.С., Калтаев Х.Ш.-о., Пантелеев В.Н., Щеглов
М.П.,
Будников
А.Т.,
Ткаченко
В.Ф.
Получение
модифицированных подложек сапфира для эпитаксии
нитридных гетероструктур
12.15 В(2)20 Г.М. Кузьмичева, Л.Н. Оболенская, Е.В. Савинкина, А.М.
Зыбинский. Наноразмерные модификации диоксида титана со
структурами анатаза и -TiO2, сочетающие высокую
фотоактивность и эффективную адсорбцию
22
5 ОКТЯБРЯ
12.30 В(2)21
12.45 В(2)22
УСТНЫЕ ДОКЛАДЫ
Р.Н. Жуков, А.С. Быков, Д.А. Киселев, М.Д. Малинкович, Ю.Н.
Пархоменко.
Исследование
доменного
состояния
на
наномасштабном уровне в тонких пленках LiNbO3 методами
сканирующей зондовой микроскопии
Д.М. Наплеков, С.В. Найденов, В.В. Яновський. Хаос в
треугольных биллиардах
Секция С
(1) Современные методы характеризации и сертификации
кристаллических материалов.
(2) Инновационные разработки в области создания и применения
кристаллических материалов
11.30 С(2)7
Карпенко С.В., Николенко М.В., Шипилов В.М., Брагин А.А.,
Перфильев А.А., Николенко В.А. Декантация фронта
кристаллизации при выращивании кристаллов лейкосапфира
11.45 С(2)8
А. Холов, Д.М. Шарифов, Х.Х. Муминов, Г.М. Кемельбекова.
Дилатометрические
исследования
монокристаллов
семейства двойных молибдатов и вольфраматов
12.00 С(2)9
C.Ю. Курин, А.А. Антипов, И.С. Бараш, А.Д. Роенков, Х. Хелава,
Ю.Н. Макаров. Применение метода хлоридно-гидридной
эпитаксии
для
производства
ультрафиолетовых
светодиодов и приборов силовой электроники
А.И.,
Галкин
С.Н.
Способ
выращивания
12.15 С(2)10 Лалаянц
сцинтилляционных кристаллов селенида цинка
12.30 С(2)11 А.В. Волошин, Е.Ф. Долженкова, Л.А. Литвинов, А.А. Петухов,
Е.В.
Слюнин.
Влияние
pH
смазочно-охлаждающей
технологической среды на производительность механической
обработки сапфира
12.45 С(2)12 А.В. Колесников, А.М. Кудин, А.И. Митичкин, В.П. Семиноженко,
К.А. Кудин. Механизм образования включений в кристаллах
NaI:Tl и его экспериментальная проверка
13.00-14.30 обед
14.30 ПРИНЯТИЕ РЕШЕНИЯ. ЗАКРЫТИЕ КОНФЕРЕНЦИИ
23
2 ОКТЯБРЯ
СТЕНДОВЫЕ ДОКЛАДЫ
2 ОКТЯБРЯ , ВТОРНИК
СТЕНДОВАЯ СЕССИЯ: Р1А – Р63А
17.30-19.00
Секция А (1) Фундаментальные проблемы образования и роста
кристаллов
Р1(А1)
Р2(А1)
Р3(А1)
Р4(А1)
Р5(А1)
Р6(А1)
Р7(А1)
Р8(А1)
Р9(А1)
Р10(А1)
Р11(А1)
Р12(А1)
Р13(А1)
Р14(А1)
М.М. Асадов, Ф.М. Мамедов, А.Ч. Мирзоев, О.М. Алиев. Т-х фазовая
диаграмма систем FeSe–GeTe, GeSe2–CdTe
В.Н.
Матросов,
Т.А.
Матросова.
Выращивание
методом
Чохральского
инконгруэнтно
плавящихся
соединений
из
собственного расплава на примере гексаалюмината бериллия
Кварталов В.Б.,
Каневский В.М., Naritsuka S., Муслимов А.Э.
Исследование начальных стадий роста пленок теллурида кадмия на
рельефных подложках лейкосапфира
Ефремова Е.П., Охрименко Т.М., Лященко А.К. Кинетика роста
кристаллов KDP из водных растворов с добавками ацетона,
диметилмочевины и мочевины
Белов С.Д., Чан Конг Кхань, Садовский А.П., Можевитина Е.Н.,
Аветисов И.Х. Влияние аксиальных низкочастотных вибраций на
свойства монокристаллов (LiNO3)Х (NaNO3)1-Х выращенных в
конфигурации Чохральского
Шутов А.В., Малеев А.В., Шишкин О.В. Спектр многогранников
роста и поиск кристаллических синтонов в молекулярных
кристаллах
Е.Л. Ким, В.Н. Портнов, Т.И. Овсецина, А.А. Талова. Кристаллизация
NaClO3 из водных растворов в присутствии примесей сульфатов
натрия и калия
Магомедов
М.Н.
Изменение
размерных
зависимостей
нанокристаллов алмаза при вариации изотопного состава при
различных температурах
Guskov S.S., Faddeev M.A. Model of colloidal particles ordered
incorporation in KDP monocrystal growth from solution
Серебряков Ю.А., Сидоров В.С., Прохоров И.А., Коробейникова Е.Н.,
Власов В.Н., Артемьев В.К., Фоломеев В.И., Шульпина И.Л., Паханов
Н.А. Рост высокооднородных монокристаллов GaSb:Te для создания
высокоэффективных термофотоэлектрических преобразователей
энергии
А.П. Гуськов, С.Л. Соболев, А.Д. Орлов, С.Н. Россоленко. Влияние
межфазного слоя на захват компонентов раствора при
направленной кристаллизации
Таратин Н.В., Молодцова Е., Гликин А.Э. Влияние этаноламина на
кристаллизацию рацемата миндальной кислоты
А.Е Вихарев, С.Н. Бочаров. Новый тип зональности в кристаллах
Na(Cl,Br,)O3, выращенных в областях температурных аномалий
скорости роста («кинетических аномалий»)
Кульков А.М., Гликин А.Э. Фазовые переходы и процессы замещения
кристаллов в системе NiSO4 – CoSO4 – Н2О
24
2 ОКТЯБРЯ
СТЕНДОВЫЕ ДОКЛАДЫ
Р15(А1) А.И. Исаков, Е.Н. Котельникова, Л.Ю. Крючкова, Х. Лоренц. Влияние
способа получения и кинетики кристаллизации на полиморфное
разнообразие RS-рацемата яблочной кислоты
Р16(А1) С.Н. Бочаров. Особенности кинетических аномалий роста
смешанных кристаллов
Р17(А1) Л.А. Хазикова, С.Н. Бочаров. Количественный анализ морфологии
электрохимического осадка меди в температурных областях
кинетических аномалий роста кристаллов
Р18(А1) Артемьев В.К., Безбах И.Ж., Серебряков Ю.А., Федюшкин А.И.,
Фоломеев В.И., Чернова А.Д. Исследование влияния тепловых
условий на процессы выращивания кристаллов антимонида галлия
вертикальным методом Бриджмена
Р19(А1) А.В. Григорьев, В.А. Игонин, А.В. Малеев, Е.Н. Куркумова.
Локализация молекул растворителя при расшифровке структуры
молекулярных кристаллов
Р20(А1) Постников В.А., Александров В.Д., Дремов В.В., Щебетовская Н.В.,
Покинтелица Е.А. Рост сферического зародыша кристалла из
переохлаждённого расплава в ограниченном объеме
Р21(А1) Соболь О.В., Александров В.Д., Соболев А.Ю. Расчет активностей
молекул в водных растворах кристаллогидратов
Р22(А1) Щебетовская Н.В., Александров В.Д., Александрова О.В. Реальная
структура нанозародышей при гомогенной кристаллизации
Р23(А1) Александров В.Д., Щебетовская Н.В. Сравнение перегрева
кристаллов при плавлении и переохлаждения расплавов при
кристаллизации
Р24(А1) Л.Н. Безматерных, И.А. Гудим, Г.А. Звягина, М.С. Молокеев, В.Л.
Темеров. Рацемия тригональных редкоземельных оксиборатов и
влияние условий синтеза
Р25(А1) Соболев А.Ю., Александров В.Д., Соболь О.В. Исследование
кинетики кристаллизации системы десятиводный гидрат
карбоната натрия – тиосульфат натрия
Р26(А1) В.А. Федоров, Д.В. Костомаров, E.В. Антонов. Взаимодействия в
системе Al2O3─Mo в условиях слабо восстановительной
контролируемой атмосферы
Р27(А1) В.А. Федоров, Д.В. Костомаров, Е.В. Антонов. Химические процессы в
системе Al2O3─W в восстановительных условиях
Р28(А1) Беляев П. В. Влияния процессов теплообмена в зоне роста на
форму фронта кристаллизации при выращивании сапфировых
профилей методом Степанова
Р29(А1) Yu.P. Virchenko, M.A. Saprykin. Nonequilibrium thermodynamics of heat
radiation conduction in semi-transparent dielectric medium
25
2 ОКТЯБРЯ
СТЕНДОВЫЕ ДОКЛАДЫ
Секция А (2) Функциональные кристаллические материалы: рост и
физические свойства
Р30(А2) Sh.O. Eminov, E.A. Mamedova. Growth and characterization of LPE grown
InSb and InSbBi epitaxial layers
Р31(А2) И.Р. Нуриев, А.М. Назаров, Р.М. Садыгов. Изопериодические
эпитаксиальные
гетеропереходы
Pb1-xMnxSе/PbSе1-хSх
и
многоэлементные фоточувствительные структуры на их основе
Р32(А2) С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, Д.Т. Гусейнов. Влияние легирования
железом
на
рентгендозиметрические
характеристики
монокристалла CdIn2S4
Р33(А2) Труханова Е.Л., Левченко В.И., Постнова Л.И. Получение твердого
раствора ZnSe1-xSx в виде моно- и поликристаллов в условиях
минимального давления собственного пара
Р34(А2) Лугинец А.М., Гурецкий С.А., Колесова И.М., Кравцов А.В., Митьковец
А.И. Синтез и свойства кристаллов KTi 1-хZrхOPO4
Р35(А2) А.Э. Муслимов, Ю.М. Иванов, В.М. Каневский, В.И. Михайлов,
А.В. Буташин, В.П. Власов. Выращивание подложечных кристаллов и
пленок на основе CdTe
Р36(А2) Гришечкин М.Б., Аветисов И.Х., Белов А.Г., Денисов И.А.,
Можевитина Е.Н., Смирнова Н.А., Перепелицын Ю.Н., Шматов Н.И.
Получение и исследование свойств нелегированных кристаллов Cd1xZnxTe, выращенных методом Бриджмена
Р37(А2) Кравецкий Д.Я., Алексеев С.В., Бучнева А.А., Выбыванец В.И.,
Конарев С.А., Турчин В.Н. Исследование трещиностойкости
изделий из лейкосапфира в зависимости от условий получения
кристаллов по способу Степанова
Р38(А2) Кравецкий Д.Я., Выбыванец В.И., Бочков Н.А., Конарев С.А., Королев
Л.А., Соколов В.А. Зависимость термопрочности изоляторов из
лейкосапфира, полученных способом Степанова, от условий
выращивания
Р39(А2) Кравецкий Д.Я., Выбыванец В.И., Бочков Н.А., Конарев С.А., Соколов
В.А., Цецхладзе Д.Л. Влияние условий выращивания трубок из
лейкосапфира на прочность изготовленных из них изоляторов
Р40(А2) Гребенев В.В., Макарова И.П., Черная Т.С., Верин И.А., Долбинина
В.В. Исследование механизма возникновения высокой проводимости
в кристаллах K9H7(SO4)8Н2О
Р41(А2) Шотаев А.Н., Выбыванец В.И., Родягина Ю.В., Степанов В.А.
Выращивание монокристаллов тугоплавких металлов и сплавов
методом бестигельной зонной плавки с автоматической системой
управления процессом роста
Р42(А2) Н.А. Мамаев, А.В. Перминов. Формирование кристаллов кварца на
составной затравочной пластине
Р43(А2) Галашов Е.Н., Шлегель В.Н., Галкин П.С., Плюснин П.Е. Особенности
фазообразования, синтеза и роста кристаллов ZnMoO4
Р44(А2) Д.Ю. Цуканова, Д.Н. Каримов, Н.И. Сорокин, В.В. Гребенев, Б.П.
Соболев. Выращивание и исследование свойств кристаллов
фторида скандия
26
2 ОКТЯБРЯ
СТЕНДОВЫЕ ДОКЛАДЫ
Р45(А2) Н.И. Сорокин, Д.Н. Каримов, Е.А. Сульянова, Б.П. Соболев.
Концентра-ционная зависимость ионной проводимости кристаллов
флюоритовой фазы Ca1–xYxF2+x (0.02 ≤ x ≤ 0.16)
Р46(А2) Б.П. Соболев, Д.Н. Каримов, Е.А. Кривандина, З.И. Жмурова, Н.И.
Сорокин, Е.А. Сульянова, С.Н. Сульянов. Наноструктурированные
кристаллы флюоритовых фаз Sr1–xRxF2+x (0 < x ≤ 0.5, R –
редкоземельные элементы)
Р47(А2) Д.Н. Каримов, Е.А. Сульянова, Д.Ю. Цуканова, С.П. Чернов, Б.П.
Соболев. Выращивание кристаллов твердого раствора Sr1–xCexF2+x
и изучение их свойств
Р48(А2) Московских В.А., Касимкин П.В., Шлегель В.Н., Васильев Я.В.,
Гридчин В.А., Бердинский А.С., Подкопаев О.И., Жданков В.Н.
Изучение возможности выращивания монокристаллов германия в
условиях низких градиентов температуры
Р49(А2) М.А. Гоник. Рост кремния бестигельным ОТФ методом
Р50(А2) Артемов В.В., Лавриков А.С. Точечные полевые катоды на основе
кристаллов ZnO, полученные методом высокотемпературного
пиролиза
Р51(А2) Иванникова Н.В., Шлегель В.Н., Васильев Я.В. Влияние cкорости
кристаллизации на качество кристаллов BGO
Р52(А2) Маслов В.Н., Бахолдин С.И., Носов Ю.Г. Особенности морфологии и
распределения газовых включений в монокристаллических лентах
сапфира, выращенных способом Степанова
Р53(А2) Бахолдин С.И., Крымов В.М., Маслов В.Н., Носов Ю.Г., Шульпина И.Л.
Блочная
структура
стержней
сапфира
различной
кристаллографической ориентации, выращиваемых способом
Степанова
Р54(А2) О.В. Малышкина, К.Н. Бойцова, Ю.В. Кузнецова, Б.Б. Педько,
И.И.
Сорокина.
Формирование
доменной
структуры
в
поверхностных слоях легированных кристаллов стронций-барий
ниобата АСМ методом
Р55(А2) Малышкина О.В., Каплунов И.А., Колесников А.И. Выращивание
крупногабаритных монокристаллов германия для инфракрасной
оптики
Р56(А2) Малышкина О.В., Каплунов И.А., Колесников А.И., Гречишкин Р.М.,
Каплунова Е.И.
Структура
поверхности
крупногабаритных
монокристаллов германия
Р57(А2) О.В. Пилипенко, В.В. Мальцев, Н.И. Леонюк, А.Б. Козлов, А.В.
Шестаков.
Раствор-расплавная
кристаллизация
и
теплопроводность
кристаллов
редкоземельно-алюминиевых
ортоборатов
Р58(А2) Коморников В.А., Зимина Г.В. Фазы в системе CsHSO4 – CsH2PO4 –
H2O: рост кристаллов и протонпроводяще свойства
Р59(А2) Gazhulina A.P., Labutina M.L., Marychev M.O., Chuprunov E.V. Crystals
of some metal tartrates: growth and ab initio calculations of the linear
optical properties
27
2 ОКТЯБРЯ
СТЕНДОВЫЕ ДОКЛАДЫ
Р60(А2) Красильников С.В., Ворончихина М.Е., Горащенко Н.Г. Влияние
условий
получения
на
спектральные
и
электрические
характеристики стекол и стеклокерамических материалов, в
системе Bi2O3–SiO2–GeO2
Р61(А2) Labutina M.L., Marychev M.O., Somov N.V., Chuprunov E.V. Growth of
Copper and Zinc Tartrate Crystals in Silica Gel
Р62(А2) A.E. Egorova, M.A. Faddeev, D.N. Titaev, D.S. Nuzhdin, V.A. Ivanov,
E.V. Chuprunov. Determination of manganese content in KDP crystals
while growing them from solutions with KMnO4 presence
Р63(А2) П.В. Ефремова, Б.Б. Педько. Управление оптической однородностью
кристаллов ниобата лития с помощью SEM
28
4 ОКТЯБРЯ
СТЕНДОВЫЕ ДОКЛАДЫ
4 ОКТЯБРЯ , ЧЕТВЕРГ
Стендовая сессия: Р64А–Р93А, Р94В–Р121В, Р122С–Р126С
17.30-19.00
Секция А (2) Функциональные кристаллические материалы: рост и
физические свойства
В.Б.,
Кашин
В.В.,
Русанов
С.Я.
Выращивание
Р64(А2) Цветков
монокристаллических волокон
Р65(А2) Яковенко А.Г., Силина А.А., Смирнова Н.А., Денисов И.А.
Исследование структурного совершенства CdZnTe (211) методом
селективного травления
Р66(А2) А. Холов, А.Г. Джаборов, Дж.А. Холлов. Получение и
кристаллическая структура искусственной и природной шпинели из
месторождения кухи лал (памира)
Р67(А2) Коневский П.В., Курбатов А.В., Непов А.А. Оцифровка профиля
кристалла выращенного методом Киропулоса
Р68(А2) В.Ф. Ткаченко, С.В. Нижанковский, Баранов В.В., А.Т. Будников,
А.В. Толмачев. Совершенство структуры монокристаллов
Ti:сапфира, выращенных методом ГНК в восстановительных
условиях
Р69(А2) Таранюк В.И., Гектин А.В., Колесников А.В., Ляхов В.В.
Экспериментальное определение влияния газовой атмосферы на
температурные градиенты при выращивании кристаллов NaI(Tl)
гарнисажным методом
Р70(А2) А.К. Капустник, О.А. Федоренко, Ю.А. Загоруйко, Н.О. Коваленко.
Механические свойства монокристаллов ZnSe:Cr2+ и ZnMgSe:Cr2+
Р71(А2) Kovalenko T.V., Katrusha A.N., Ivakhnenko S.A. Defect-impurity content of
diamond single crystals grown in magnesium-based systems
Р72(А2) Блецкан М.М., Грабар А.А. Влияние катионных вакансий и примеси
сурьмы на электронную структуру и фотоэлектрические свойства
SnS
Р73(А2) Крухмалев А.А., Нижанковский С.В., Кривоногов С.И., Сидельникова
Н.С., Будников А.Т. Морфология поверхности темплейтов
AlN/сапфир, полученных методом термохимической нитридизации
Р74(А2) А.S. Kravtsova, Z.F. Tomashyk, І.B. Stratiychuk, V.М. Tomashyk,
S.М. Galkin. Effective methods of mechanical and chemical treatments of
undoped and doped ZnSe crystals by H2O2–HBr–Oxalic acid compositions
Р75(А2) В.В. Баранов, С.В. Нижанковский, А.Г. Трушковский. Устойчивость
границы раздела фаз при выращивании кристаллов Ti:сапфира
методом ГНК
Р76(А2) Христьян В.А., Загоруйко Ю.А., Коваленко Н.О., Матейченко П.В.
Лазерная абляция поверхности монокристаллов Cd1-xZnxTe
Р77(А2) Мирошниченко М.Ю., Теребиленко Е.В., Хижный Ю.А., Недилько С.Г.,
Слободяник Н.С. Синтез и фотолюминесценция K2Bi(PO4)(MoO4):Pr3+
29
4 ОКТЯБРЯ
СТЕНДОВЫЕ ДОКЛАДЫ
Р78(А2) Сафронов Р.И., Андреев Е.П., Литвинов Л.А. Исследование процессов
теплообмена в системе формообразователь-расплав-кристалл при
выращивания массивных сапфировых профилей
Р79(А2) А.С. Безкровный, О.М. Вовк, М.В. Добротворская, Ю.В. Ермолаева,
А.В. Толмачев. Особенности размерной зависимости морфологии
нано-кристаллов PbS, полученных методом коллоидного синтеза
Р80(А2) В.А. Цуриков, В.Ф. Ткаченко, В.М. Пузиков. Остаточные напряжения
и аномальная двуосность в кристаллах KDP
А.И.,
Кохан
А.П.
Выращивание
монокристаллов
Р81(А2) Погодин
суперионных медьсодержащих аргиродитов Cu6PS5Х (Х – Br, I)
Р82(А2) И. Дубцов, Л. Гудзенко, О. Зеленская, Д. Софронов, Н. Тимошенко,
Л.Трефилова. Характеризация абсорбционных и сцинтилляционных
свойств крупногабаритного кристалла LiF(WO3)
Р83(А2) П.М. Фочук, Е.С. Никонюк,
М.А. Ковалец, З.И. Захарук.
Неустойчивость дефектно-примесной системы кристаллов CdTeSi
Р84(А2) Науменко В.А., Реброва Т.П., Пономаренко Т.В., Чергинец В.Л.
Особенности протекания процесса очистки расплавов на основе
хлоридов щелочных металлов в реактивной газовой среде
Р85(А2) В. Кононец, О. Сидлецкий, К. Леббу, С. Нейчева, Н. Старжинский.
Выращивание и характеризация сцинтилляционных кристаллов
LGSO:Ce методом micro-pulling down
Р86(А2) Романчук В.В., Галенин Е.П., Васюков С.А., Софронов Д.С., Гектин
А.В. Выращивание и характеризация кристаллов йодистого
стронция активированного кислородсодержащими примесями
Р87(А2) Воронина И.С., Ивлева Л.И., Зверев П.Г., Дунаева Е.Э., Лыков П.А.
Кристалл SrMoO4:Nd3+ - активная среда ВКР-лазеров
Р88(А2) В.А. Ломонов, Ю.В. Писаревский, А.В. Виноградов, А.Е. Благов,
П.А. Просеков, Н.А. Марченков. Исследование особенностей
выращивания кристаллов парателлурита
Р89(А2) А.Э. Муслимов, Ю.М. Иванов, В.М. Каневский, В.И. Михайлов,
А.В. Буташин, В.П. Власов. Выращивание подложечных кристаллов и
пленок на основе CdTe
Р90(А2) А.С. Быков, Р.Н. Жуков, Д.А. Киселев, М.Д. Малинкович, Ю.Н.
Пархоменко. Формирование бидоменной структуры в пластинах
монокристаллов ниобата лития градиентным температурным
полем
Р91(А2) Наконечный И.И., Фочук П.М, Панчук О.Э. Прыжкообразное
изменение электропроводности в кристаллах Cd1-xZnxTe во время
термообработки
Р92(А2) Ю.Н. Горобец, М.Б. Космына, Б.П. Назаренко, В.М. Пузиков,
А.Н. Шеховцов, Г.М. Кузьмичева, И.А. Каурова, В.Б. Рибаков.
Зависимость
диэлектрических
характеристик
кристаллов
3+
PbMoO4:Nd от условий выращивания
Р93(А2) М.Б. Космына, Б.П. Назаренко, А.Н. Шеховцов, Ю.А. Бороденко,
В.А. Тарасов, Е.М. Селегенев, А.В. Диденко. Детекторы на основе
вольфрамата
кадмия
для
радиационных
мониторов
и
спектрометров
30
4 ОКТЯБРЯ
СТЕНДОВЫЕ ДОКЛАДЫ
Секция В (1) Низкоразмерные структуры (гибридные структуры,
поверхностные слои и пленки, жидкие кристаллы и др.)
Р94(В1) О.Б. Петрова, Р.И. Аветисов, И.Х. Аветисов, О.А. Мушкало, А.В.
Хомяков, А.Г. Чередниченко. Гибридный материал на основе
боратного стекла, содержащего органический люминофор Alq3
Р95(В1) Е.А. Степанцов. Выращивание тонких пленок со сверхрешетками
на
основе
оксидных
ферромагнетиков
в
системе
{La0.7(Ca,Ba,Sr)0.3MnO3/SrRuO3}x10
Р96(В1) В.В. Ратников, Р.Н. Кютт, К.С. Журавлев, В.Ю. Давыдов, М.П.
Щеглов. Влияние легирования кремнием на дефектную структуру
и напряжения в монокристаллических слоях AlxGa1-xN (x = 0 ÷ 0.6),
полученных методом молекулярно пучковой эпитаксии (МПЭ)
Р97(В1) В.В. Сафронов, В.И. Стрелов, Н.В. Кривоногова, И.Г. Великотская.
Оптические pH-сенсоры на основе золь-гель пленок
Р98(В1) Р.М. Закирова, П.Н. Крылов, К.С. Лебедев, И.В. Федотова. Влияние
ионной обработки на свойства плёнок In2O3:Sn
Р99(В1) В.А. Литичевский, А.Д. Ополонин, С.Н. Галкин, А.И. Лалаянц,
Е.Ф. Воронкин. Композитные сцинтилляционные элементы для
двух-энергетических детекторов рентгеновского излучения
Р100(В1) С.В. Нижанковский, Ю.В. Жиляев, В.Н. Пантелеев, М.П. Щеглов,
А.А. Крухмалев, Н.С. Сидельникова, А.Т. Будников. Эпитаксия GaN
на подложки AlN/cапфир, полученные методом термохимической
нитридизации
Р101(В1) А.В. Семенов, А.В. Лопин, В.М. Пузиков, О.Н. Вовк. Оптические
свойства плёнок нанокристаллического карбида кремния,
осаждённых на различные подложки
Р102(В1) А.В. Семенов, А.В. Лопин, В.М. Пузиков, П.В. Матейченко. Рассеяние
света в плёнках нанокристаллического карбида кремния (nc-SIC)
Секция В (2) Нанокристаллы и наносистемы: формирование, строение и
свойства
Р103(В2) К.А. Горшков, В.Г. Рау, М.В. Руфицкий, К.В. Скворцов, Т.Ф. Рау,
В.В. Решетняк. Модели наноструктур анодированного оксида
алюминия
Р104(В2) М.Н. Магомедов. О размерном сжатии нанокристаллов алмаза,
кремния и германия при различных температурах
Р105(В2) И.А. Белогорохов, М.С. Котова, А.С. Ильин, М.А. Дронов, Е.В.
Тихонов, Ю.В. Рябчиков, А.С. Воронцов, М.Н. Мартышов, П.А. Форш,
В.Е. Пушкарёв, Л.И. Белогорохова, Л.Г. Томилова, Д.Р. Хохлов,
А.И. Белогорохов. Фотовольтаические свойства органических
полу-проводниковых систем на основе фталоцианиновых и
полимерных молекул
Р106(В2) И.А. Белогорохов, М.С. Котова, А.С. Ильин, М.А. Дронов, Е.В.
Тихонов, Ю.В. Рябчиков, А.С. Воронцов, М.Н. Мартышов, П.А. Форш,
В.Е. Пушкарёв, Л.Г. Томилова, Д.Р. Хохлов, А.И. Белогорохов.
Описание
основных
физических
свойств
органических
полупроводников на основе нафталоцианина с помощью методов
квантовой химии
31
4 ОКТЯБРЯ
СТЕНДОВЫЕ ДОКЛАДЫ
Р107(В2) И.А. Белогорохов, М.С. Котова, А.С. Ильин, М.А. Дронов, Е.В.
Тихонов, Ю.В. Рябчиков, А.С. Воронцов, М.Н. Мартышов, П.А. Форш,
В.Е. Пушкарёв, Л.Г. Томилова, Д.Р. Хохлов, А.И. Белогорохов.
Особенности проводимости композиционного материала на
основе [2-метокси-5-(2'-этилгексилокси)-1,4-фенилен-винилена]
Р108(В2) И.А. Белогорохов, М.С. Котова, А.С. Ильин, М.А. Дронов, Е.В.
Тихонов, Ю.В. Рябчиков, А.С. Воронцов, М.Н. Мартышов, П.А. Форш,
В.Е. Пушкарёв, Л.Г. Томилова, Д.Р. Хохлов, А.И. Белогорохов.
Создание мемристора из полимерных молекул [2-метокси-5-(2'этилгексилокси)-1,4-фенилен-винилена]
Р109(В2) Л.Н. Ромашев, М.А. Миляев, И.Г. Григоров, Б.А. Логинов, А.А.
Саранин, Н.И. Солин, В.В. Устинов. Влияние поверхности подложки
и буферного слоя на структуру и магнитотранспортные
свойства магнитной сверхрешетки
Р110(В2) Д.Ю. Косьянов, О.М. Вовк, А.Г. Дорошенко, Ю.Л. Копылов,
В.Б. Кравченко, Н.А. Матвеевская, А.В. Толмачев, Р.П. Явецкий.
Влияние SO42--ионов на структурно-морфологические свойства
осажденных нанопорошков Y2O3
Р111(В2) О.А. Капуш, Л.И. Трищук, В.Н. Томашик, З.Ф. Томашик. Влияние
стабилизаторов на формирование нанокристаллов AIIBVI в
коллоидных растворах
Р112(В2) С.В. Пархоменко, А.Г. Дорошенко, П.В. Матейченко, А.В. Толмачев,
Р.П.
Явецкий.
Маршрут
спекания
стабилизированных
нанопорошков Y3Al5O12
Р113(В2) А.А. Пикалов, Д.В. Филь. Электронные свойства графинов и
электрон-дырочное спаривание в гетероструктурах на их основе
Р114(В2) А.Г. Плаксий, О.Н. Безкровная, И.М. Притула. Органические
красители и наночастицы TiO2 в нанопористых SiO2 матрицах
Р115(В2) А.М. Прудников,
А.И. Линник,
Р.В. Шалаев,
Т.А. Линник,
В.В. Бурховецкий.
Синтез
и
магнитные
свойства
наноструктурных пленок Ni-N: влияние термообработки
Безбах,
В.И.
Стрелов,
Б.Г.
Захаров.
Разработка
Р116(В2) И.Ж.
автоматизированной установки выращивания биокристаллов с
разделением стадий процессов кристаллизации
Р117(В2) С.А. Кузнецов, В.И. Тимофеев, В.Х. Акпаров, И.П. Куранова.
Выращивание
кристаллов
карбоксипептидазы
Т
из
thermoactynomyces vulgaris и ее комплексов в невесомости
методом встречной диффузии
Р118(В2) А.И. Малышенко, И.П. Ворона, И.В. Затовский, Н.С. Слободяник,
С.С. Ищенко, М.П. Баран, В.В. Носенко. Влияние термообработки
на возникновение парамагнитных центров в - и УФ-облученных
синтетических гидроксиапатитах
Р119(В2) Л.Н. Ромашев, М.А. Миляев, И.Г. Григоров, Б.А. Логинов, А.А.
Саранин,
Н.И. Солин, В.В. Устинов. Влияние поверхности
подложки
и
буферного
слоя
на
структуру
и
магнитотранспортные свойства магнитной сверхрешетки
32
4 ОКТЯБРЯ
СТЕНДОВЫЕ ДОКЛАДЫ
Р120(В2) V.V. Volobuev, H. Groiss, A. Halilovic, A. Khiar and G. Springholz.
Growth peculiarities of ZnTe nanowires formed by vapor-liquid-solid MBE
process
Р121(В2) О.О. Матвиенко, Ю.Н. Саввин, O.М. Вовк, М.В. Добротворская,
М.Ф. Проданов, В.В. Ващенко. Эволюция фазового состояния
нанокомпозитных пленок на основе поливинилкарбазола (ПВК) и
нанокристаллов СdZnSeS в зависимости от их типа лигандной
оболочки
Секция С (1) Современные методы характеризации и сертификации
кристаллических материалов
Р122(С1) О.В. Малышкина, А.И. Колесников, И.А. Каплунов, А.И. Иванова,
С.А. Третьяков, Р.М. Гречишкин. Определение дислокационной
структуры
в
монокристаллах
парателлурита
методом
фотоупругости
Секция С (2) Инновационные разработки в области создания и
применения кристаллических материалов
Р123(С2) Тавровский И.И, Суздаль В.С., Козьмин Ю.С., Стрельников Н.И.
Прецизионное управление мощностью в системах выращивания
монокристаллов
Р124(С2) Литвинов Л.А., Шупиков А.Н., Угримов С.В., Сотрихин С.Ю.,
Ярещенко В.Г. Теоретические и экспериментальные исследования
волновых процессов в сапфировых стержнях при ударном
нагружении
Р125(С2) Колесников А.В. Инфраструктура комплексной автоматизации
промышленного производства кристаллов
Р126(С2) С.С. Новосад, И.С. Новосад, Б.М. Каливошка, И.М. Матвиишин,
В.Е. Гончарук, И.М. Кравчук. Спектральные характеристики
функциональных материалов, полученных на основе йодистого
кадмия
Р127(С2) А.П. Гуськов, Л.П. Некрасова, А.С. Горнакова, И.А. Шикунова.
Кристаллохемилюминесценция растворов
Р128(С2) А. К. Капустник, В. А. Христьян, Ю.А. Загоруйко, Н. О. Коваленко.
Теплопроводность и удельная теплоемкость монокристаллов
Zn1-хMgхSe;
термические
характеристики
просветленных
активных элементов ZnMgSe:Cr2+ и ZnSe:Cr2+ – лазеров
Р129(С2) Фочук П.М., Канак А.И., Копач В.В., Копач О.В. Исследование
методом
ДТА
влияния
давления
пара
Cd
на параметры плавления и кристаллизации CdTe
Р130(С2) И. А. Иванов. Особенности выращивания методом Чохральского
монокристаллов соединений гранатов больших размеров
Р131(С2) А.Э. Волошин, А.И. Простомолотов, Н.А. Верезуб. Аналитические
подходы и численное моделирование для оценки эффективного
коэффициента распределения примесей при кристаллизации
полупроводниковых материалов из расплава
33