память - Симметрон

ПАМЯТЬ
Память EEPROM
EEPROM с последовательным доступом, шина I2C
Наимено
вание
M241283B
M241283BW
M241283W
M242563A
M242563B
M242563BV
M242563BW
M242563W
M245123W
M24C01
M24C013R
M24C013W
M24C02
M24C023R
M24C023W
M24C04
M24C043R
M24C043W
M24C08
M24C083R
M24C083S
M24C083W
M24C16
M24C163R
M24C163W
M24C32
M24C323R
M24C323W
M24C64
M24C643R
M24C643W
M34D643R
M34D643W
Объем Организация
памяти,
памяти
кбайт
128
128
128
256
256
256
256
256
512
1
1
1
2
2
2
4
4
4
8
8
8
8
16
16
16
32
32
32
64
64
64
64
64
16384 × 8
16384 × 8
16384 × 8
32768 × 8
32768 × 8
32768 × 8
32768 × 8
32768 × 8
65536 × 8
128 × 8
128 × 8
128 × 8
256 × 8
256 × 8
256 × 8
512 × 8
512 × 8
512 × 8
1024 × 8
1024 × 8
1024 × 8
1024 × 8
2048 × 8
2048 × 8
2048 × 8
4096 × 8
4096 × 8
4096 × 8
8192 × 8
8192 × 8
8192 × 8
8192 × 8
8192 × 8
Напряжение питания
В мин
В макс
1,8
2,5
2,5
2,5
4,5
2,7
2,5
2,5
2,5
4,5
1,8
2,5
4,5
1,8
2,5
4,5
1,8
2,5
4,5
1,8
1,8
2,5
4,5
1,8
2,5
4,5
1,8
2,5
1,8
1,8
2,5
1,8
2,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
3,6
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
3,6
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
Частота
SCL,
МГц
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
Корпус
DIP38;SO38;TSSOP8
DIP38;SO38;TSSOP8
SO38;TSSOP14
SO38
DIP38;SO 8;SO38
SO 8;SO38
DIP38;SO 8;SO38
SO 8
LGA 8;SO 8
SO38
DIP38;SO38;TSSOP8
DIP38;SO38;TSSOP8
DICE;SO38
SO38;TSSOP8
DICE;DIP38;SO38;TSSOP8
SO38
DIP38;SO38;TSSOP8
DICE;DIP38;SO38;TSSOP8
SO38
DIP38;SO38;TSSOP8
SO38
DIP38;SO38;TSSOP8
SO38
DIP38;SO38;TSSOP8
DICE;DIP38;SO38;TSSOP8
DIP38;SO38
TSSOP8
DIP38;SO38;TSSOP8
DIP38;SO38
SO38
DIP38;SO38;TSSOP8
SO38;TSSOP8
SO38
Доступность
Доступно
Доступно
В разработке
В разработке
Доступно
Доступно
Доступно
В разработке
Доступно
В разработке
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
В разработке
В разработке
В разработке
В разработке
Доступно
Доступно
Доступно
В разработке
Доступно
В разработке
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
В разработке
Доступно
Доступно
Ток потреб Ток потреб Ток потреб Время
ления
ления
ления
цикла
в режиме в режиме
в режиме записи,
записи,
Standby
чтения,
мс
мА
мкА
мА
0,8–2
1
1
1
2
2
1–2
1
1
3
0,8
1
3
0,8
1–3
3
0,8
1–3
2–3
0,8
0,8
1–3
2–3
0,8
1–3
2
0,8
1
0,8–2
0,8
1
0,8
1
1–10
2
2
2
10
2
2
2
2
5
0,3
0,5
5
0,3
0,5–2
5
0,3
0,5–5
1–5
0,3
0,3
0,5–5
1–5
0,3
0,5–2
10
0,2
2
0,2–10
0,2
2
0,2
2
0,8–2
1
1
1
2
2
132
1
1
3
0,8
1
3
0,8
1–3
3
0,8
1–3
2–3
0,8
0,8
1–3
2–3
0,8
1–3
2
0,8
1
0,8—2
0,8
1
0,8
1
5–10
5
10
10
5
10
5
10
10
10
5–10
5
5–10
5
5
10
5
5
5–10
5
10
5
5–10
5
5
5
10
5
5–10
10
5
10
5
Колво Гарантиро
циклов
ванное
стирания/
время
записи, хранения
KCycles данных, год
100
100
100
100
1000
1000
1000
100
100
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
EEPROM с последовательным доступом, шина MICROWIRE
Наимено
вание
Объем
памяти,
кбайт
Организация
памяти
M93C46
1
M93C463W
M93C56
M93C563R
M93C563W
M93C66
1
2
2
2
4
M93C663W
M93C76
M93C763W
M93C86
M93C863R
M93C863W
M93S46
M93S463W
M93S56
M93S563W
M93S66
M93S663W
4
8
8
16
16
16
1
1
2
2
4
4
64×16; 128×8;
64×16; 128×8
64×16; 128×8
128×16; 256×8
128×16; 256×8
128×16; 256×8
256×16. 512×8;
256×16; 512×8
256×16; 512×8
512×16; 1024×8
512×16; 1024×8
1024×16; 2048×8
1024×16; 2048×8
1024×16; 2048×8
64×16
64×16
128×16
128×16
256×16
256×16
Группа компаний Симметрон
Напряжение питания
Частота
Serial
Clock, МГц
Корпус
Доступность
Ток потреб Ток потреб Ток потреб Время
ления
ления
ления
цикла
в режиме в режиме
в режиме записи,
записи,
Standby
чтения,
мс
мА
мкА
мА
Колво Гарантиро
циклов
ванное
стирания/
время
записи, хранения
KCycles данных, лет
В мин
В макс
4,5
5,5
2
DIP38;SO38
В разработке
1,5–2
15–50
1,5–2
5–10
1000
40
2,5
4,5
1,8
2,5
4,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
2
2
1
2
2
DIP38;SO38;TSSOP8
DIP38;SO38
SO38;TSSOP8
DIP38;SO38;TSSOP8
DIP38;SO38
В разработке
В разработке
В разработке
Доступно
В разработке
1
1,5–2
1
1
1,5–2
5–10
15–50
2
5
15
1
1,5–2
1
1
1,5–2
5–10
5–10
10
5
5–10
1000
1000
1000
1000
1000
40
40
40
40
40
1,8
4,5
2,5
4,5
1,8
2,5
4,5
2,5
4,5
2,5
4,5
2,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
2
2
2
2
1
2
2
2
2
2
2
2
DIP38;SO38;TSSOP8;VFQFPN 8
SO38
DIP38;SO38;TSSOP8
DIP38;SO38
TSSOP8
DIP38;SO38;TSSOP8
DIP38;SO38
DIP38;SO38
DIP38;SO38
DIP38;SO38
DIP38;SO38
DIP38;SO38
В разработке
Доступно
Доступно
Доступно
В разработке
Доступно
Доступно
В разработке
Доступно
В разработке
Доступно
Доступно
1
1,5–2
1–2
1,5–2
1
1
1,5–2
1
1,5–2
1
1,5–2
1
2–5
15–50
5–15
15–50
2
5
15–50
5
15–50
5
15–50
5
1
1,5–2
1–2
1,5–2
1
1
1,5–2
1
1,5–2
1
1,5–2
1
5–10
5–10
5
5–10
10
5
5–10
5
5–10
5
5–10
5
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
www.symmetron.ru
ПАМЯТЬ
Память EEPROM
EEPROM с последовательным доступом, шина SPI
Наимено
вание
M95010
M950103W
M95020
M950203W
M95040
M950403W
M95080
M950803W
M95128
M95160
M951603W
M95256
M952563V
M952563W
M95320
M953203W
M95640
M956403W
Объем Организация
памяти,
памяти
кбайт
1
1
2
2
4
4
8
8
128
16
16
256
256
256
32
32
64
64
Напряжение питания
128×8
128×8
256×8
256×8
256×8;512×8
512×8
1024×8
1024×8
16384×8
2048×8
2048×8
32768×8
32768×8
32768×8
4096×8
4096×8
8192×8
8192×8
В мин
В макс
4,5
2,5
4,5
2,5
2,5
2,5
2,5
2,5
2,5
4,5
2,5
4,5
2,7
2,5
4,5
2,5
4,5
2,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
3,6
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
Частота
Serial
Clock, МГц
5
2
5
2
5
2
10
5
10
10
5
10
5
5
10
5
10
5
Корпус
Доступность
SO38
В разработке
DIP38;SO38;TSSOP8
Доступно
SO38
В разработке
DIP38;SO38;TSSOP8
Доступно
SO38
Доступно
DIP38;SO38;TSSOP8
Доступно
DIP38;SO38;TSSOP8
Доступно
SO38
Доступно
DIP38;SO38
В разработке
SO38
Доступно
DIP38;SO38;TSSOP14;TSSOP8 Доступно
SO 8;SO38
Доступно
SO 8
Доступно
DIP38;SO 8;SO38
Доступно
SO38
Доступно
DIP38;SO38;TSSOP14;TSSOP8 Доступно
SO38
Доступно
DIP38;SO38;TSSOP14;TSSOP8 Доступно
Ток потреб Ток потреб Ток потреб Время
ления
ления
ления
цикла
в режиме в режиме
в режиме записи,
записи,
Standby
чтения,
мс
мА
мкА
мА
5
2
5
2
2–5
2
1–5
1
2–5
3–5
1–2
4–5
3
3
2–5
3
2–5
3
10
2
10
2
2–10
2
0.6–5
0.6–2
2
2–10
1–2
2–5
2
1–2
2–20
1–2
2–20
1–2
5
2
5
2
2–5
2
1–5
1
2
3–5
1–2
4–5
3
3
2–5
3
2–5
3
Колво Гарантиро
циклов
ванное
стирания/
время
записи, хранения
KCycles данных, лет
10
10
10
10
10
10
5
5
5–10
5–10
5–10
5
10
5
5–10
5
5–10
5
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
100
1000
1000
100
100
100
100
100
100
100
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
Память EPROM и OTP (однократно программируемые)
Напряжение питания 3,3 В
Наимено
вание
M27V160
M27V320
M27V322
Описание
Низковольтное OTP EPROM
OTP EPROM
Низковольтное OTP EPROM;UV EPROM
Объем
памяти,
Мбит
16
32
32
Напряжение
питания
В мин
В макс
3
3
3
3,6
3,6
3,6
Корпус
PDIP 42;PLCC 44
TSOP 48
CDIP 42;PDIP 42
Время Доступность
Задержка
доступа,
от Chip Enable
нс
до начала
считывания, ns
100
100
100
Доступно
Доступно
Доступно
100
100
100
Задержк
Напряжение
от Output
программи
Enable до
рования, В
начала
считывания, нс
50
45
50
12,5
_
12
Ток
потребления
в режиме
программи
рования, мА
50
12
50
Напряжение питания 5 В
M27C1001
Описание
OTP EPROM;UV EPROM
Объем
памяти,
Мбит
1
Напряжение
питания
В мин
В макс
4,5
5,5
M27C1024
OTP EPROM;UV EPROM
1
4,5
5,5
M27C160
M27C2001
OTP EPROM;UV EPROM
OTP EPROM;UV EPROM
16
2
4,5
4,5
5,5
5,5
M27C202
OTP EPROM;UV EPROM
2
4,5
5,5
M27C256B
OTP EPROM;UV EPROM
0
4,5
5,5
M27C322
M27C4001
OTP EPROM;UV EPROM
OTP EPROM;UV EPROM
32
4
4,5
4,5
5,5
5,5
M27C4002
OTP EPROM;UV EPROM
4
4,5
5,5
M27C512
OTP EPROM;UV EPROM
1
4,5
5,5
M27C64A
M27C800
M27C801
UV EPROM
OTP EPROM;UV EPROM
OTP EPROM;UV EPROM
0
8
8
4,5
4,5
4,5
5,5
5,5
5,5
Корпус
CDIP 32;PDIP 32;
PLCC 32;TSOP 32
CDIP 40;PDIP 40;
PLCC 44
CDIP 42;PDIP 42
CDIP 32;PDIP 32;
PLCC 32
CDIP 40;PDIP 40;
PLCC 44
CDIP 28;PDIP 28;
PLCC 32
CDIP 42;PDIP 42
CDIP 32;PDIP 32;
PLCC 32;TSOP 32
CDIP 40;PDIP 40;
PLCC 44
CDIP 28;PDIP 28;
PLCC 32;TSOP 28
CDIP 28
CDIP 42;PDIP 42
CDIP 32;PDIP 32;
PLCC 32
Время Доступность
Задержка
доступа,
от Chip Enable
нс
до начала
считывания, нс
Задержк
Напряжение
от Output
программи
Enable до
рования, В
начала
считывания, нс
Ток
потребления
в режиме
программи
рования, мА
35–120
Доступно
35–120
15–60
12,75
50
35–120
Доступно
35–120
20–50
12,75
50
90–100
55–100
Доступно
Доступно
90–100
55–100
45–50
30–50
12,5
12,75
50
50
70–100
Доступно
70–100
40–50
12,75
50
45–120
Доступно
45–120
25–60
12,75
50
100
55–100
Доступно
Доступно
100
35–100
50
20–50
12
12,75
50
50
70–120
Доступно
45–120
25–60
12,75
50
45–120
Доступно
45–120
20–50
12,75
50
–
100
50–100
Доступно
Доступно
Доступно
100
90–100
50–100
50
45–50
30–50
12,5
12,5
12,75
30
50
50
СЕНТЯБРЬ 2006
Наимено
вание
ПАМЯТЬ
FlexibleROM
FlexibleROM
Наимено
вание
M27W016
M27W032
M27W064
Объем Напряжение питания
памяти,
Мбит
16
32
64
В мин
В макс
2,7
2,7
2,7
3,6
3,6
3,6
Организация
памяти
Корпус
Время
доступа,
нс
Доступность
Задержка
от Chip Enable
до начала
считывания,
ns
Задержка
от Output Enable
до начала
считывания,
нс
Напряжение
программи
рования, В
Ток потребления
в режиме
программиро
вания, мА
1x16
2x16
4x16
PDIP 42;SO 44;TSOP 48
SO 44;TSOP 48
SO 44;TSOP 48
100
100
100
Доступно
Доступно
Доступно
100
100
100
35
35
35
12,6
12,6
12,6
10
10
10
Tiger Range, напряжение питания 3 В
Наимено
вание
M27W101
M27W102
M27W201
Описание
Объем
памяти,
Мбит
Напряжение
питания
В мин
В макс
1
1
2
3
3
3
3,6
3,6
3,6
M27W202
M27W401
Низковольтный OTP EPROM
Низковольтный OTP EPROM
Низковольтный OTP EPROM;
низковольтный UV EPROM
Низковольтный OTP EPROM
Низковольтный OTP EPROM
2
4
3
3
3,6
3,6
M27W402
M27W512
M27W800
Низковольтный OTP EPROM
Низковольтный OTP EPROM
Низковольтный OTP EPROM
4
1
8
3
3
2,7
3,6
3,6
3,6
Корпус
Время Доступность
Задержка
доступа,
от Chip Enable
нс
до начала
считывания, нс
PLCC 32;TSOP 32
PLCC 44;TSOP 40
CDIP 32;PDIP 32;
PLCC 32;TSOP 32
PLCC 44
PDIP 32;PLCC 32;
TSOP 32
PDIP 40;PLCC 44
PLCC 32;TSOP 28
PLCC 32;PLCC 44
Задержк
Напряжение
от Output
программи
Enable до
рования, В
начала
считывания, нс
Ток
потребления
в режиме
программи
рования, мА
80
80
80
Доступно
Доступно
Доступно
80
80
80
50
50
50
12,75
12,75
12,75
50
50
50
100
80
Доступно
Доступно
100
80
60
50
12,75
12,75
50
50
100
100
100
Доступно
Доступно
Доступно
100
100
100
60
60
50
12,75
12,75
12,5
50
50
50
Flash>память
Flashпамять, Boot block, 1.8 В
Наимено
вание
Объем Организация
памяти,
памяти
кбайт
Напряжение
питания
V мин
V макс
Корпус
Доступность
Boot
Block
Время
цикла
чтения
Время
стирания
сектора
Время
записи
слова,
мкс
Младшие
адреса
Младшие
адреса
Старшие
адреса
120
1000
10
50
20
20
100000
20
120
1000
10
50
20
20
100000
20
120
1000
10
50
20
20
100000
20
Boot
Block
Время
цикла
чтения,
нс
Время
стирания
сектора,
мс
Время
записи
слова,
мкс
Младшие
адреса
70–80
1500
30
Режим
Boot
Block
M28R400CB
4
256K×16
1,65
2,2
BGA 46
Доступно
M28R400CB3KGD
4
256K×16
1,65
2,2
DICE
В разработке
M28R400CT
4
256K×16
1,65
2,2
BGA 46
Доступно
Напряжение
питания
Корпус
Доступность
Ток потреб Ток потреб Ток потреб Колво
ления
ления
ления
циклов
в режиме
в режиме
в режиме стирания/
Standby,
стирания,
програм записи,
мкА
мкА
мА
мирования
Гаранти
рованное
время
хранения
данных,
лет
Flashпамять, Burst Mode
Наимено
вание
M58BW016BB
Объем Организация
памяти,
памяти
кбайт
16
512K×32
В мин
В макс
2,7
3,6
PQFP 80 В разработке
Ток потреб Ток потреб Ток потреб Колво Гаранти
ления
ления
ления
циклов рованное
в режиме
в режиме
в режиме стирания/ время
Standby,
стирания,
програм
записи хранения
мкА
мА
мирования,
данных,
мА
лет
60
30
30
100000
20
Flash память, Dual Bank Page Mode
Наимено
вание
M59DR032A
M59DR032EA
Объем Организация
памяти,
памяти
кбайт
32
32
2M×16
2M×16
Группа компаний Симметрон
Напряжение
питания
Корпус
Доступность
Доступно
Время
Время
цикла стирания
чтения, сектора,
нс
мс
В мин
В макс
1,65
2,2
BGA 48
2,2
адреса
BGA 48 В разработке Страничный Старшие 85–100
адреса
1,65
www.symmetron.ru
Страничный Старшие
120
Время
записи
слова,
мкс
Ток потреб Ток потребТок потреб Гаранти
ления
ления
ления
рованное
в режиме
в режиме в режиме время
Standby,
стирания, програм хранения
мкА
мА
мирования данных,
мА
лет
1000
10
50
20
20
20
800
10
50
20
20
20
ПАМЯТЬ
Flash>память
Flash память, High Performance
Наимено
вание
Объем Организация
памяти,
памяти
кбайт
Напряжение
питания
В мин
В макс
M58LW032C
32
2M×16
2,7
3,6
M58LW064C
64
4M×16
2,7
3,6
Корпус
Доступность
Режим
BGA 64; В разработке
TSOP 56
BGA 64; Доступно
TSOP 56
Boot
Block
Burst
Время
Время
цикла стирания
чтения, сектора,
нс
мс
Универса3 90 3 110
льный
Универса3 110
льный
Burst
Время
записи
слова,
мкс
Ток потреб Ток потребТок потреб Гаранти
ления
ления
ления
рованное
в режиме
в режиме в режиме время
Standby,
стирания, програм хранения
мкА
мА
мирования данных,
мА
лет
1200
16
40
30
30
20
1200
16
40
30
30
20
Flashпамять, Light Flash
Наимено
вание
Объем Организация
памяти,
памяти
кбайт
Напряжение
питания
В мин
В макс
Корпус
Доступность
M29KW016E
16
1M×16
2,7
3,6
TSOP 48
Доступно
M29KW032E
M29KW064E
4
64
×16
4M×16
–
2,7
–
3,6
TSOP 48
TSOP 48
Доступно
Доступно
M59PW016
M59PW032
16
32
1M×16
2M×16
2,7
2,7
3,6
3,6
Доступно
Доступно
M59PW064
64
4M×16
2,7
3,6
M59PW1282
128
2×(4M×16)
2,7
3,6
SO 44
SO 44;
TSOP 48
SO 44;
TSOP 48
SO 44
Режим
Boot
Block
Асинхрон3 Универса3
ный
льный
–
–
Асинхрон3 Универса3
ный
льный
–
–
–
–
Время
Время
цикла стирания
чтения, сектора,
нс
мс
Время
записи
слова,
мкс
Ток потреб Ток потребТок потреб Гаранти
ления
ления
ления
рованное
в режиме
в режиме в режиме время
Standby,
стирания, програм хранения
мкА
мА
мирования данных,
мА
лет
90
1500
9
100
20
20
20
90
90
–
1500
9
9
–
100
–
20
–
20
–
20
–
–
1500
1500
9
9
100
100
20
20
20
20
20
20
Доступно
–
–
–
1500
9
100
20
20
20
Доступно
–
–
–
1500
9
100
20
20
20
Корпус
Доступность
Режим
Boot
Block
Старшие
адреса
Младшие
адреса
Старшие
адреса
Старшие
адреса
Младшие
адреса
Старшие
адреса
Младшие
адреса
Старшие
адреса
Flash память, Multiple Bank Burst Mode
Наимено
вание
Объем Организация
памяти,
памяти
кбайт
Напряжение
питания
В мин
В макс
M58CR032C
32
2M×16
1,65
2
BGA 56
Доступно
Burst
M58CR032D
32
2M×16
1,65
2
BGA 56
Доступно
Burst
M58CR064C
64
4M×16
1,65
2
BGA 56
Доступно
Burst
M58CR064P
64
4M×16
1,65
2
BGA 56
Доступно
Burst
M58WR032EB
32
2M×16
1,65
2,2
VFBGA 56
Доступно
_
M58WR032ET
32
2M×16
1,65
2,2
VFBGA 56
Доступно
_
M58WR064EB
64
4M×16
1,65
2,2
VFBGA 56
Доступно
Burst
M58WR064ET
64
4M×16
1,65
2,2
VFBGA 56
Доступно
Burst
Время
Время
цикла стирания
чтения, сектора,
нс
мс
Время
записи
слова,
мкс
Ток потреб Ток потребТок потреб Гаранти
ления
ления
ления
рованное
в режиме
в режиме в режиме время
Standby,
стирания, програм хранения
мкА
мА
мирования данных,
мА
лет
100
1100
10
50
20
20
20
100
1100
10
50
20
20
20
90
1100
10
50
20
20
20
90
1100
10
50
20
20
20
70
1100
10
50
20
20
20
70
1100
10
50
20
20
20
70
1100
10
50
20
20
20
70
1100
10
50
20
20
20
Flashпамять, Flash NAND, страница 528 байт
Организация
массива
Напряжение
питания
Корпус
Доступность
В мин В макс
NAND01GW3A
1024
NAND128W4A
NAND256R3A
128
256
NAND256W3A
256
NAND512W3A
512
Страница 528 байт,
для шины 8 бит
_
Страница 528 байт,
для шины 8 бит
Страница 528 байт,
для шины 8 бит
Страница 528 байт,
для шины 8 бит
Время Время Время
Время
Ток
Ток потреб Ток потреб Ток потреб Колво
цикла цикла стирания записи потреб
ления
ления
ления
циклов
чтения, записи, блока, страницы, ления
в режиме в режиме в режиме стирания/
нс
нс
мс
мкс
в режиме Standby,
стирания, програм
записи
чтения,
мА
мкА
мА
мирования
мА
Гаранти
рованное
время
хранения
данных,
лет
2,7
3,6
TSOP 48 В разработке
50
50
2
200
20
100
20
20
100000
10
2,7
1,7
3,6
1,95
TSOP 48 В разработке
CDIP 32 В разработке
50
60
50
60
2
2
200
200
20
15
50
50
20
15
20
15
100000
100000
10
10
2,7
3,6
TSOP 48 В разработке
50
50
2
200
20
50
20
20
100000
10
2,7
3,6
TSOP 48; В разработке
VFBGA 63
50
50
2
200
20
50
20
20
100000
10
СЕНТЯБРЬ 2006
Наименование Объем
памяти,
Мбайт
ПАМЯТЬ
Flash>память
Flash память (индустриальный стандарт), Boot Block, 3 В
Наимено
вание
Объем Организация
памяти,
массива
Мбит
Напряжение
питания
В мин
В макс
M28W160BB
16
1M×16
2,7
3,6
M28W160BT
16
1M×16
2,7
3,6
M28W160CB
16
1M×16
2,7
3,6
M28W160CT
16
1M×16
2,7
3,6
M28W160EC
M28W160ECB
M28W320CB
16
16
32
–
–
2M×16
2,7
2,7
2,7
3,6
3,6
3,6
M28W320CT
32
2M×16
2,7
3,6
M28W320EBT
32
2M×16
2,7
3,6
M28W320ECB
32
2M×16
2,7
3,6
M28W320ECT
32
2M×16
2,7
3,6
M28W640ECB
64
4M×16
2,7
3,6
M28W640ECT
64
4M×16
2,7
3,6
M28W800BB
8
521K×16
2,7
3,6
M28W800CB
8
521K×16
2,7
3,6
M28W800CT
8
521K×16
2,7
3,6
Корпус
Доступность
BGA 46 В разработке
Режим
Boot
Block
Время
Время
цикла стирания
записи, сектора,
нс
мс
–
Младшие
100
адреса
BGA 46; 46 Доступно
–
Старшие 90–100
MICRO
адреса
BGA 46; Доступно Асинхронный Младшие 70–100
TSOP 48
адреса
BGA 46; Доступно Асинхронный Старшие 70–90
TSOP 48
адреса
TSOP 48 В разработке
–
–
–
BGA 46
Доступно
–
–
–
TSOP 48 Доступно Асинхронный Младшие 70–90
адреса
BGA 47; Доступно Асинхронный Старшие 70–90
TSOP 48
адреса
BGA 47
Доступно Асинхронный Старшие 70–100
адреса
BGA 47
Доступно Асинхронный Младшие
70
адреса
BGA 47
Доступно Асинхронный Старшие
70
адреса
BGA 48; В разработке Асинхронный Младшие
70
TSOP 48
адреса
BGA 48; Доступно Асинхронный Старшие
70
TSOP 48
адреса
BGA 46 В разработке Асинхронный Младшие 85–90
адреса
BGA 46;T Доступно Асинхронный Младшие 70–90
SOP 48
адреса
BGA 46; Доступно Асинхронный Старшие 70–90
TSOP 48
адреса
Время
записи
слова,
мкс
Ток потреб Ток потребТок потреб Гаранти
ления
ления
ления
рованное
в режиме
в режиме в режиме время
Standby,
стирания, програм хранения
мкА
мА
мирования данных,
мА
лет
–
10
50
20
20
20
1–1000
10
50
20
20
20
1000
10
50
20
20
20
1000
10
50
20
20
20
–
–
1000
–
–
10
–
–
50
–
–
20
–
–
20
–
–
20
1000
10
50
20
20
20
1000
10
50
20
20
20
–
10
50
20
20
20
–
10
50
20
20
20
–
10
50
20
20
20
–
10
50
20
20
20
–
10
50
20
20
20
1000
10
50
20
20
20
1–1000
10
50
20
20
20
Flash память (индустриальный стандарт), High Performance
Наимено
вание
Объем Организация
памяти,
памяти
Мбит
Напряжение
питания
В мин
В макс
M58LW032D
32
2M×16, 4M×8
2,7
3,6
M58LW064D
64
4M×16, 8M×8
2,7
3,6
M58LW128H
128
8M×16
2,7
3,6
Корпус
Доступность
Режим
Boot
Type
BGA 64; Доступно
Асинхрон3 Универ3
TSOP 56
ный
сальный
BGA 64; Доступно
Асинхрон3 Универ3
TSOP 56
ный
сальный
BGA 64 В разработке
Burst
Универ3
сальный
Время
Время
цикла стирания
чтения, сектора,
нс
мс
Время
записи
слова,
мкс
Ток потреб Ток потребТок потреб Гаранти
ления
ления
ления
рованное
в режиме
в режиме в режиме время
Standby,
стирания, програм хранения
мкА
мА
мирования данных,
мА
лет
90–110
1200
16
40
30
30
20
110
1200
16
40
30
30
20
115
1200
16
40
30
30
20
Flashпамять (индустриальный стандарт), 3 В
Наимено
вание
Объем Организация
памяти,
памяти
Мбит
Напряжение
питания
В мин
В макс
Корпус
Доступность
Доступно
Режим
Boot
Type
Время
записи
слова,
мкс
Ток потреб Ток потребТок потреб Гаранти
ления
ления
ления
рованное
в режиме
в режиме в режиме время
Standby,
стирания, програм хранения
мкА
мА
мирования данных,
мА
лет
M29DW323DB
32
2M×16, 4M×8
2,7
3,6
BGA 48;
TSOP 48
70–90
800
10
100
20
20
20
M29DW323DT
32
2M×16, 4M×8
2,7
3,6
800
10
100
20
20
20
M29DW324DB
32
2M×16, 4M×8
2,7
3,6
800
10
100
20
20
20
M29DW324DT
32
2M×16, 4M×8
2,7
3,6
800
10
100
20
20
20
M29DW640D
64
4M×16, 8M×8
2,7
3,6
800
10
100
20
20
20
M29W004BB
4
512K×8
2,7
3,6
800
10
100
20
20
20
M29W004BT
4
512K×8
2,7
3,6
800
10
100
20
20
20
M29W008AB
8
1M×8
2,7
3,6
1500
10
100
20
20
20
M29W010B
1
128K×8
2,7
3,6
BGA 48; В разработке Асинхронный Старшие
70
BGA 63;
адреса
TSOP 48
BGA 48; В разработке Асинхронный Младшие
70
TSOP 48
адреса
BGA 63; В разработке Асинхронный Старшие
70
TSOP 48
адреса
TSOP 48 Доступно Асинхронный Универ3
90
сальный
TSOP 40 Доступно Асинхронный Младшие 90–120
адреса
TSOP 40 В разработке Асинхронный Старшие 70–120
адреса
TSOP 40 Saturation Асинхронный Младшие
90
адреса
PLCC 32; Доступно Асинхронный Универ3 70–90
TSOP 32
сальный
400
10
100
20
20
20
Группа компаний Симметрон
www.symmetron.ru
Асинхронный Младшие
адреса
Время
Время
цикла стирания
чтения, сектора,
нс
мс
ПАМЯТЬ
Flash>память
Flashпамять (индустриальный стандарт), 3 В
Наимено
вание
Объем
памяти,
Мбит
Организация
памяти
Напряжение
питания
В мин
В макс
Корпус
Доступность
Доступно
Доступно
M29W040B
4
512K×8
2,7
3,6
M29W102BB
1
64K×16
2,7
3,6
PLCC 32;
TSOP 32
TSOP 40
M29W160DB
16
1M×16, 2M×8
2,7
3,6
TSOP 48
M29W160DT
16
1M×16, 2M×8
2,7
3,6
TSOP 48 В разработке
M29W160EB
16
1M×16, 2M×8
2,7
3,6
M29W160ET
16
1M×16, 2M×8
2,7
3,6
M29W200BB
2
128K×16, 256K×8
2,7
3,6
M29W200BT
2
128K×16, 256K×8
2,7
3,6
M29W320DB
32
2M×16, 4M×8
2,7
3,6
M29W320DT
32
2M×16, 4M×8
2,7
3,6
M29W400BB
4
256K×16, 512K×8
2,7
3,6
M29W400BT
4
256K×16, 512K×8
2,7
3,6
M29W400DB
4
256K×16, 512K×8
2,7
3,6
M29W400DT
4
256K×16, 512K×8
2,7
3,6
M29W640DB
64
4M×16, 8M×8
2,7
3,6
M29W640DT
64
4M×16, 8M×8
2,7
3,6
M29W800DB
8
512K×16, 1M×8
2,7
3,6
M29W800DT
8
512K×16, 1M×8
2,7
3,6
BGA 48;
TSOP 48
BGA 48;
TSOP 48
SO 44;
TSOP 48
SO 44;
TSOP 48
BGA 63;
TSOP 48
BGA 63;
TSOP 48
SO 44;
TSOP 48
SO 44;
TSOP 48
BGA 48;
SO 44;
TSOP 48
SO 44;
TSOP 48
BGA 63;
TSOP 48
BGA 63;
TSOP 48
SO 44;8
TSOP 4
SO 44;
TSOP 48
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
В разработке
В разработке
Доступно
Доступно
В разработке
Режим
Boot
Type
Время
Время
цикла стирания
чтения, сектора,
нс
мс
Асинхронный Универ3 55–120
сальный
Асинхронный Младшие 50–70
адреса
Асинхронный Младшие
90
адреса
Асинхронный Старшие 70–90
адреса
Асинхронный Младшие 70–90
адреса
Асинхронный Старшие 70–90
адреса
Асинхронный Младшие 55–90
адреса
Асинхронный Старшие 55–90
адреса
Асинхронный Младшие 70–90
адреса
Асинхронный Старшие 70–90
адреса
Асинхронный Младшие 55–120
адреса
Асинхронный Старшие 55–120
адреса
Асинхронный Младшие 45–70
адреса
В разработке Асинхронный Старшие
адреса
В разработке Асинхронный Младшие
адреса
В разработке Асинхронный Старшие
адреса
Доступно Асинхронный Младшие
адреса
Доступно Асинхронный Старшие
адреса
Время
записи
слова,
мкс
Ток потреб Ток потребТок потреб Гаранти
ления
ления
ления
рованное
в режиме
в режиме в режиме время
Standby,
стирания, програм хранения
мкА
мА
мирования данных,
мА
лет
800
10
100
20
20
20
800
10
100
20
20
20
800
13
100
20
20
20
800
13
100
20
20
20
800
13
100
20
20
20
800
13
100
20
20
20
800
10
100
20
20
20
800
10
100
20
20
20
800
10
100
20
20
20
800
10
100
20
20
20
800
10
100
20
20
20
800
10
100
20
20
20
800
10
100
20
20
20
45–70
800
10
100
20
20
20
90
800
10
100
20
20
20
90
800
10
100
20
20
20
70–90
800
10
100
20
20
20
70–90
800
10
100
20
20
20
Flashпамять (индустриальный стандарт), 5 В
Объем
памяти,
Мбит
Организация
памяти
Напряжение
питания
В мин
В макс
M29F002BB
2
256K×8
4,5
5,5
M29F002BT
2
256K×8
4,5
5,5
M29F010B
1
128K×8
4,5
5,5
M29F016D
16
2M×8
4,5
5,5
M29F032D
32
4M×8
4,5
5,5
M29F040B
4
512K×8
4,5
5,5
M29F080D
8
1M×8
4,5
5,5
M29F100BB
1
64K×16,128K×8
4,5
5,5
M29F100BT
1
64K×16,128K×8
4,5
5,5
M29F102BB
1
64K×16
4,5
5,5
M29F200BB
2
128K×16, 256K×8
4,5
5,5
M29F200BT
2
128K×16, 256K×8
4,5
5,5
M29F400BB
4
256K×16, 512K×8
4,5
5,5
Корпус
Доступность
PDIP 32; Доступно
PLCC 32;
TSOP 32
PLCC 32; Доступно
TSOP 32
PLCC 32; Доступно
TSOP 32
SO 44;
Доступно
TSOP 40
TSOP 40 В разработке
Режим
Boot
Type
Асинхрон3 Младшие
ный
адреса
Время
Время
цикла стирания
чтения, сектора,
нс
мс
Время
записи
слова,
мкс
Ток потреб Ток потребТок потреб Гаранти
ления
ления
ления
рованное
в режиме
в режиме в режиме время
Standby,
стирания, програм хранения
мкА
мА
мирования данных,
мА
лет
70–90
600
8
100
20
20
20
Асинхрон3 Старшие 45–70
ный
адреса
Асинхрон3 Универ3 45–120
ный
сальный
Асинхрон3 Универ3 55–90
ный
сальный
Асинхронный Универ3
70
сальный
Асинхрон3 Универ3 45–120
ный
сальный
600
8
100
20
20
20
300
8
100
20
20
20
800
10
150
20
20
20
800
10
150
20
20
20
600
8
100
20
20
20
800
10
150
20
20
20
600
8
100
20
20
20
600
8
100
20
20
20
600
8
100
20
20
20
600
8
100
20
20
20
600
8
100
20
20
20
600
8
100
20
20
20
PDIP 32; Доступно
PLCC 32;
TSOP 32
SO 44;
Доступно
Асинхрон3 Универ3 55–90
TSOP 40
ный
сальный
SO 44; В разработке Асинхрон3 Младшие
90
TSOP 48
ный
адреса
SO 44 В разработке Асинхрон3 Старшие
90
ный
адреса
TSOP 40 Доступно
Асинхрон3 Младшие 35–70
ный
адреса
SO 44;
Доступно
Асинхрон3 Младшие 45–90
TSOP 48
ный
адреса
SO 44;
Доступно
Асинхрон3 Старшие 45–70
TSOP 48
ный
адреса
SO 44;
Доступно
Асинхрон3 Младшие 45–120
TSOP 48
ный
адреса
СЕНТЯБРЬ 2006
Наимено
вание
ПАМЯТЬ
Flash>память
Flashпамять (индустриальный стандарт), 5 В
Наимено
вание
Объем
памяти,
Мбит
Организация
памяти
Напряжение
питания
В мин
В макс
M29F400BT
4
256K×16, 512K×8
4,5
5,5
M29F800DB
8
512K×16, 1M×8
4,5
5,5
M29F800DT
8
512K×16, 1M×8
4,5
5,5
Корпус
Доступность
SO 44;
TSOP 48
SO 44;
TSOP 48
SO 44;
TSOP 48
Доступно
Доступно
Доступно
Режим
Boot
Type
Время
Время
цикла стирания
чтения, сектора,
нс
мс
Асинхронный Старшие
адреса
Асинхронный Младшие
адреса
Асинхронный Старшие
адреса
Время
записи
слова,
мкс
Ток потреб Ток потребТок потреб Гаранти
ления
ления
ления
рованное
в режиме
в режиме в режиме время
Standby,
стирания, програм хранения
мкА
мА
мирования данных,
мА
лет
45—90
600
8
100
20
20
20
55–90
800
10
150
20
20
20
55–70
800
10
150
20
20
20
Flashпамять, для BIOS персональных ПК и серверов
Наименование
Объем
памяти,
Мбит
M50FLW040A
M50FLW040B
M50FLW080A
M50FLW080B
M50FW002
M50FW016
M50FW040
M50FW080
M50LPW040
M50LPW080
M50LPW116
4
4
8
8
2
16
4
8
4
8
16
Организация памяти
Напряжение
питания
{2×(16×4K)+(5×64K)+1×(16×4K)}×8
{1×(16×4K)+(5×64K)+2×(16×4K)}×8
{2×(16×4K)+(13×64K)+1×(16×4K)}×8
{1×(16×4K)+(13×64K)+2×(16×4K)}×8
256K×8
(32×64K)×8
(8×64K)×8
(16×64K)×8
(8×64K)×8
(16×64K)×8
((16K+(2×8K)+32K+(30×64K)+(16×4K))×8
В мин
В макс
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3,6
3,6
3,6
3,6
3,6
3,6
3,6
3,6
3,6
3,6
3,6
Корпус
Доступность
Время
цикла
чтения,
нс
Время
стирания
сектора,
мс
PLCC 32;TSOP 40
PLCC 32;TSOP 40
TSOP 32
TSOP 32
PLCC 32
TSOP 40
PLCC 32;TSOP 40
PLCC 32;TSOP 40
PLCC 32;TSOP 40
PLCC 32;TSOP 40
TSOP 40
В разработке
В разработке
В разработке
В разработке
В разработке
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
400
400
400
400
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
Время
Ток
Ток
записи потребления
потребления
слова,
в режиме
в режиме
мкс
стирания, программирования,
мА
мА
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
20
20
20
20
20
–
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
–
20
20
20
20
20
Flashпамять, с последовательным доступом для хранения программ
Наимено
вание
Объем
памяти,
байт
Организация
памяти
Напряжение
питания
Доступность
Корпус
В мин В макс
M25P053AV 65536
M25P103AV 131072
M25P163V 2097152
65536×8
131072×8
2097152×8
2,7
2,7
2,7
3,6
3,6
3,6
В разработке
Доступно
В разработке
M25P203V
M25P323V
262144
4194304
262144×8
4194304×8
2,7
2,7
3,6
3,6
Доступно
В разработке
M25P403V
524288
524288×8
2,7
3,6
В разработке
M25P803V
1048576
1048576×8
2,7
3,6
В разработке
Время
Время Частота
цикла
цикла
SCL,
записи
стирания
МГц
страницы, сектора,
мс
мс
SO38;VFQFPN 8
1,4–2
SO38;VFQFPN 8
1,4–2
MONTGOMERYVILLE 2; 1,4
SO316L
SO38;VFQFPN 8
1,4
MONTGOMERYVILLE 2; 1,4
SO316L
PowerFLAT (6x5 mm);
1,4
SO38;VFQFPN 8
SO 8;VFQFPN 8
1,4
Ток потреб
Размер
Размер
ления
сектора
страницы
в режиме (стирание), (запись)
Standby,
байт
записи,
мкА
байт
Колво Гарантирован
циклов
ное время
стирания/
хранения
данных, лет
800–2000
800–2000
1000
40
40
50
1–5
1–5
10
32768
32768
65536
256
256
256
100000
100000
100000
20
20
20
800
1000
40
50
5
10
65536
65536
256
256
100000
100000
20
20
1000
40
10
65536
256
100000
20
1000
40
10
65536
256
100000
20
Flashпамять, с последовательным доступом для хранения данных
Наимено
вание
Объем
памяти,
байт
Напряжение
питания
Доступность
Корпус
Время
цикла
записи
страницы,
мс
Время
цикла
стирания
сектора,
ммс
Частота
SCL,
МГц
Ток потреб
ления
в режиме
чтения,
мА
Ток потреб
ления
в режиме
Standby,
мкА
Размер
страницы,
байт
Размер
сектора,
байт
В разработке
В разработке
VFQFPN 8
VFQFPN 8
1,2
1,2
1000
1000
25
25
6
6
1
1
256
256
65536
65536
В мин В макс
M45PE403V 524288
M45PE803V 1048576
2,7
2,7
Группа компаний Симметрон
3,6
3,6
www.symmetron.ru
Колво Гарантирован
циклов
ное время
стирания/
хранения
данных, лет
100000
100000
20
20
ПАМЯТЬ
Память — NVRAM и часы реального времени
Часы реального времени с последовательным доступом
Наименование
M41ST84W
M41ST84Y
M41ST85W
M41ST85Y
M41ST87W
M41ST87Y
M41ST95W
M41T0
M41T00
M41T11
M41T256Y
M41T315V
M41T315Y
M41T50
M41T56
M41T60
M41T62
M41T65
M41T80
M41T81
M41T94
Организация памяти
512b (×8)
512b (×8)
512b (×8)
512b (×8)
1280b (×8)
1280b (×8)
512 бит (64 бит × 8)
–
64b (×8)
512b (×8)
32Kb (×8)
–
–
–
512b (×8)
–
–
–
512b (×8)
512b (×8)
512b (×8)
Особенности
Напряжение питания
Доступность
Корпус
Интерфейс
Ток потребления от батареи,
3,3
5,5
3,3
5,5
3,6
5,5
3,6
5,5
5,5
5,5
5,5
3,6
5,5
3,6
5,5
3,6
3,6
3,6
5,5
5,5
5,5
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
В разработке
Доступно
В разработке
В разработке
В разработке
Доступно
Доступно
Доступно
SO316
SO316
SO 28
SO 28
SO 28
SO 28
SO 28
SO38;TSSOP8
SO38
SO 28;SO38
SO 44
SO 28;SO316
SO316
QFN16 (3×3 мм)
SO 28;SO38
QFN16 (3×3 мм)
QFN16 (3×3 мм)
QFN16 (3×3 мм)
SO38
SO 28;SO38
SO 28;SO316
I2C
I2C
I2C
I2C
I2C
I2C
SPI
I2C
I2C
I2C
I2C;I2C (400 кГц)
Последовательный
Последовательный
I2C
I2C
I2C
I2C
I2C
I2C
I2C
I2C
500
500
500
500
700
700
700
–
1000
1000
–
500000
500000
–
550
–
–
–
–
1000
500
Доступность
Корпус
Интерфейс
Количество портов
В мин
В макс
2,7
4,5
2,7
4,5
2,7
4,5
2,7
2
2
2
4,5
3
4,5
1,7
4,5
1,3
1,3
1,3
2
2
2,7
Встроенный кварц
Встроенный кварц
Встроенный кварц
Встроенный кварц
Встроенный кварц
Встроенный кварц
Встроенный кварц
нА
TIMEKEEPER
Наименование
M440T1MV
M440T513Y
M48T02
M48T08
M48T08Y
M48T12
M48T128Y
M48T129V
M48T129Y
M48T18
M48T248Y
M48T251Y
M48T254V
M48T35
M48T35AV
M48T35Y
M48T37V
M48T37Y
M48T512Y
M48T559Y
M48T58
M48T58Y
M48T59Y
M48T86
Организация памяти
32 Mбит (1024 Kбит × 32)
16 Mбит (512 Kбит × 32)
2Kb×8
8Kб×8
8Kб×8
2Kб×8
128Kб×8
128Kб×8
128Kб×8
8Kб×8
1Mб×8
4Mб×8
16Mб×8
32Kб×8
32Kб×8
32Kб×8
32Kб×8
32Kб×8
512Kб×8
8Kб×8
8Kб×8
8Kб×8
8Kб×8
1Kб×8
Напряжение питания
В мин
В макс
3
4,5
4,75
4,75
4,5
4,5
4,75
3
4,5
4,5
4,5
4,5
3
4,75
3
4,5
3
4,5
4,5
4,5
4,75
4,5
4,5
4,5
3,6
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
3,6
5,5
5,5
5,5
5,5
3,6
5,5
3,6
5,5
3,6
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
Наличие RTC
ввода/вывода
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
В разработке
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
BGA 168
BGA 168
PDIP 24
PDIP 28
SO 28
PDIP 24
MISC. 32
MISC. 32
MISC. 32
PDIP 28
MISC. 32
MISC. 32
BGA 168
PDIP 28
PDIP 28;SO 28
PDIP 28;SO 28
SO 44
SO 44
MISC. 32
SO 28
PDIP 28
PDIP 28;SO 28
PDIP 28;SO 28
PDIP 24;SO 28
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Параллельный
32
32
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
Да
Да
Да
Да
Да
Да
Да
Да
Да
Да
Да
Да
Да
Да
Да
Да
Да
Да
Да
Да
Да
Да
Да
Да
ZEROPOWER
M48Z02
M48Z08
M48Z12
M48Z128
M48Z128Y
M48Z129V
M48Z18
M48Z2M1V
M48Z2M1Y
M48Z32V
M48Z35
M48Z35AV
M48Z35Y
M48Z512A
M48Z512AY
M48Z58
M48Z58Y
Организация памяти
2Kb×8
8Kb×8
2Kb×8
128Kb×8
128Kb×8
128Kb×8
8Kb×8
2Mb×8
2Mb×8
32Kb×8
32Kb×8
32Kb×8
32Kb×8
512Kb×8
512Kb×8
8Kb×8
8Kb×8
Напряжение питания
В мин
В макс
4,75
4,75
4,5
4,75
4,5
3
4,5
3
4,5
3
4,75
3
4,5
4,75
4,5
4,75
4,5
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
3,6
5,5
3,6
5,5
3,6
5,5
3,6
5,5
5,5
5,5
5,5
5,5
Доступность
Корпус
Интерфейс
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
Доступно
PDIP 24
PDIP 28
PDIP 24
MISC. 32
MISC. 32
MISC. 32
PDIP 28
MISC. 36
MISC. 36
SO 44
PDIP 28
PDIP 28;SO 28
PDIP 28;SO 28
MISC. 32
MISC. 32
PDIP 28
PDIP 28;SO 28
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Параллельный
Количество портов
ввода/вывода
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
СЕНТЯБРЬ 2006
Наименование
ПАМЯТЬ
Память>SRAM
PSRAM, асинхронная, напряжение питания 1,8 В
Наименование
Объем
памяти,
Mбит
M69AR024B
M69AR048B
16
32
Организация памяти
1024k×16бит
2048k×16
Напряжение питания
В мин
В макс
1,65
1,65
1,95
1,95
Режим
Доступность
Время
цикла чтения,
нс
Корпус
Ток
потребления,
мА
Ток
потребления
в режиме Standby,
мкА
Асинхронный
Асинхронный
Доступно
Доступно
70
70
BGA 48
BGA 48
15
25
100
100
Режим
Доступность
Время
цикла чтения,
нс
Корпус
Ток
потребления,
мА
Ток
потребления
в режиме Standby,
мкА
Асинхронный
Асинхронный
Доступно
Доступно
60
70
BGA 48
BGA 48
20
30
100
100
Режим
Доступность
Время
цикла чтения,
нс
Корпус
Ток
потребления,
мА
Ток
потребления
в режиме Standby,
мкА
Асинхронный
Асинхронный
Асинхронный
Асинхронный
В разработке
В разработке
В разработке
В разработке
70
70
55
70
BGA 48
BGA 48
BGA 48
BGA 48
25
6
6
6
15
4
8
8
Режим
Доступность
Время
цикла чтения,
ns
Корпус
Ток
потребления,
mA
Ток
потребления
в режиме Standby,
uA
–
Асинхронный
Асинхронный
Асинхронный
Асинхронный
Асинхронный
Асинхронный
Асинхронный
Асинхронный
Доступно
В разработке
Доступно
Доступно
В разработке
В разработке
Доступно
Доступно
Доступно
–
55–70
70
55–70
70
55–70
70
55
70
SO 44
SO 28;TSOP 28
SO 32;TSOP 32
BGA 48;TSOP3II 44
TSOP3II 44
BGA 48;TSOP3II 44
SO 32;TSOP3II 32
BGA 48
TSOP3II 44
75
30
15
20
20
20
30
35
35
1000
10
15
10
10
10
10
20
20
Режим
Доступность
Время
цикла чтения,
нс
Корпус
Ток
потребления,
мА
Ток
потребления
в режиме Standby,
мкА
Асинхронный
Асинхронный
Асинхронный
В разработке
Доступно
Доступно
55–70
55–70
70
SO 28;TSOP 28
PDIP 32;SO 32;TSOP 32
SO 32;TSOP3II 32
50
15
55
10
15
10
PSRAM, асинхронная, напряжение питания 3 В
Наименование
Объем
памяти,
Mбит
M69AW024B
M69AW048B
16
32
Организация памяти
1024k×16
2048k×16
Напряжение питания
В мин
В макс
2,7
2,7
3,3
3,3
SRAM, 1,8 В
Наименование
Объем
памяти,
Mбит
M68AR024D
M68AR128M
M68AR256D
M68AR256M
16
2
4
4
Организация памяти
1M×16 бит
128k×16 бит
256K×16 бит
256K×16 бит
Напряжение питания
В мин
В макс
1,65
1,65
1,65
1,65
1,95
1,95
1,95
1,95
SRAM, 3 В
Наименование
Объем
памяти,
Mбит
M616Z08
M68AW031A
M68AW127B
M68AW128M
M68AW256D
M68AW256M
M68AW511A
M68AW512D
M68AW512M
0,128
0
1
2
4–32
4
4
8
1
Организация памяти
128 Kбит (8 Kбит×16)
32K×8 бит
128k×8 бит
128k×16 бит
256K×16 бит
256K×16 бит;256k×16 бит
512k×8 бит
512K×16 бит
512K×16 бит
Напряжение питания
В мин
В макс
2,34
2,7
2,7
2,7
2,7
2,7
2,7
2,7
2,7
3,6
3,6
3,6
3,6
3,6
3,6
3,6
3,6
3,6
SRAM, 5 В
Наименование
M68AF031A
M68AF127B
M68AF511A
Объем
памяти,
Mбит
0,256
1
4
Организация памяти
32K×8 бит
128k×8 бит
512k×8 бит
Группа компаний Симметрон
www.symmetron.ru
Напряжение питания
В мин
В макс
4,5
4,5
4,5
5,5
5,5
5,5