механизм формирования и свойства кислородных димеров в

МЕХАНИЗМ ФОРМИРОВАНИЯ И СВОЙСТВА КИСЛОРОДНЫХ
ДИМЕРОВ В КРЕМНИИ
Л.И. Мурин, В.П. Маркевич, Дж.Л. Линдстрем 1 )
Введение. Базовым материалом современной полупроводниковой
микроэлектроники
по-прежнему
остается
кремний
(на
его
основе
выпускается более 90% всех полупроводниковых приборов) и по всем
прогнозам он останется таковым в течение ближайших десятилетий. Важной
технологической примесью в кремнии является кислород [1, 2]. Он
присутствует в высоких концентрациях ( 1018 см-3) как в исходных
кристаллах Si, полученных методом Чохральского (Cz-Si), так и эффективно
вводится на различных высокотемпературных технологических операциях
(окисление, диффузия и т. д.). Являясь электрически неактивной примесью,
кислород тем не менее способен оказывать существенное влияние на
характеристики материала. Уже длительное время преципитация кислорода
используется для внутреннего геттерирования быстро диффундирующих
металлических примесей (меди, железа и др.). Кроме того, присутствие
кислорода приводит к улучшению механических свойств (упрочнению)
кремниевых пластин и снижению их коробления, что особенно важно на
современном этапе, когда предстоит переход к производству СБИС на
пластинах большого диаметра (300–400 мм). С другой стороны, даже
кратковременные термообработки (ТО) кислородсодержащих кристаллов Si
в интервале температур 300–700 С приводят к образованию различного
рода электрически активных центров (термодоноров и т.д.). В результате
таких
ТО,
обычно
используемых
_____________
1)
Университет Лунда, Лунд, Швеция
365
на
заключительных
стадиях
технологического
цикла,
может
происходить
заметное
изменение
электрических свойств материала и, соответственно, рабочих характеристик
изготавливаемых приборов. В связи с этим поведение примесных атомов
кислорода в кремнии уже в течение ряда лет интенсивно исследуется. Об
этом свидетельствуют как многочисленные публикации, так и специально
проводимые международные конференции и семинары (см., например, [2]).
Однако, несмотря на большой объѐм работ в данной области и
использование самых различных методов исследований, ряд ключевых
моментов до последнего времени оставался не выясненным. Относится это
прежде всего к механизму образования термодоноров (ТД), а также к
процессам in- и out-диффузии кислорода при Т
700 С. Если в интервале
температур 700–1300 С процессы массопереноса и преципитации кислорода
лимитируются обычной (нормальной) диффузией междоузельных атомов Оi,
то при Т = 300–700 С ситуация является более сложной. В данной области
температур, как образование кислородных агломератов, так и формирование
диффузионных профилей происходит ускоренно и может быть описано
лишь с использованием эффективного коэффициента диффузии кислорода,
превышающего нормальный на несколько порядков по величине [1-6]. В
связи с этим практически во всех моделях начальной стадии преципитации
кислорода в Si при Т < 700 оС предполагалось существование быстро
диффундирующих частиц (БДЧ), связанных с кислородом. Природа таких
БДЧ длительное время оставалась одной из главных загадок в проблеме
диффузии и преципитации кислорода в Cz-Si. Еще в 1982 году Гѐзеле и Тан
[7] предположили, что БДЧ представляют собой молекулы кислорода,
формирующиеся в междоузлиях решетки кремния и обладающие высокой
подвижностью.
Однако
последующие
366
теоретические
расчеты
[8-11]
показали, что молекула кислорода не стабильна в решетке Si и только димер,
представляющий собой два атома Оi, связанные с общим атомом Si, может
быть стабильным в определенной конфигурации. Было найдено, что энергия
связи комплексов О2i находится в интервале 0,1-1,0 эВ а их миграционная
способность может заметно превышать таковую для Оi.
Согласно данным [8-11], комплекс О2i электрически неактивен, но он
должен вызывать появление локальных колебательных мод (ЛКМ). Такие
моды были обнаружены и исследованы в наших работах [5, 12-20].
1. Методика эксперимента. Исследовались кристаллы n- и p-Сz-Si с
различным исходным содержанием примесных атомов кислорода [Oi] = (415) 1017 см-3 и углерода [Cs] = (1-300) 1015 см-3. Содержание данных примесей
определялось по интенсивности полос ИК-поглощения при 1107 и 605 см-1, с
использованием градуировочных коэффициентов 3.14 1017 и 0.94 1017 см-2
для Оi и Сs, соответственно. Исследовались также кристаллы Si,
обогащенные изотопом 18О, при этом соотношение [18О]/ [16О] изменялось от
0,2% (природный состав) до 99%.
Спектры оптического поглощения измерялись при температурах 10 и
295 К с разрешением 0.5 или 1.0 см-1 на Фурье-спектрометре Bruker IFS113v.
2. Идентификация локальных колебательных мод кислородного
димера.
Наше
исследование
было
сфокусировано
на
некоторых
малоинтенсивных полосах ИК поглощения, связанных с кислородными
комплексами, которые наблюдаются после высокотемпературных ТО.
Хорошо известно [1], что малые кислородные кластеры в области
температур выше 550 С не стабильны и их стационарная концентрация
очень низка. Однако в случае кислородных димеров ситуация отличается.
Уникальной особенностью этих комплексов является их способность
существовать в заметных концентрациях при высоких температурах. Это
367
можно объяснить следующим. Очевидно, что при Т > 550 С должно иметь
место динамическое равновесие между атомами Оi и их парами. Захват
димеров (кластеризация) не может быть доминирующим процессом по
сравнению с их диссоциацией. В противном случае имело бы место быстрое
исчезновение междоузельного кислорода, что никогда не наблюдалось
экспериментально. Следовательно, если достигнуто состояние равновесия
между Оi и О2i, то в таком случае легко оценить концентрацию кислородных
димеров (N2eq), используя стандартные принципы статистической механики.
Поскольку типичное значение концентрации кислорода в кристаллах Cz-Si
(N1~1018 cм-3) значительно ниже, чем плотность их возможных состояний в
решетке кремния (NSО = 1023 cм-3), то значение N2eq может быть найдено как:
N2eq = (N12g2/NSОg1)exp(Еb2/kT),
(1)
где g1 и g2 – числа возможных состояний Оi и О2i в элементарной ячейке
(g1=4 и g2= 12) и Еb2 - энергия связи димеров. Таким образом, если даже
значение Еb2 очень мало (~0.1 эВ), кислородный димер может существовать
в Cz-Si в заметных концентрациях ( 1014 см-3) при высоких температурах
вплоть до температуры плавления.
Анализ литературных данных показал [5, 12-14], что с кислородными
парами в кристаллах Si могут быть связаны полосы ИК-поглощения,
расположенные у 1012.4, 1059.8 и 1105.3 см-1. Эти полосы наблюдались
ранее как в исходных кристаллах Cz-Si, так и в кристаллах, прошедших
высокотемпературные ТО, однако не были идентифицированы. В связи с
этим нами были проведены детальные исследования данных полос.
Было обнаружено, что в образцах, легированных изотопом
18
О, эти
полосы сдвигаются к 969.2, 1011.8 и 1057.1 см-1, соответственно, что
однозначно свидетельствует о их связи с кислородными комплексами. Для
установления числа атомов кислорода, входящих в состав таких комплексов,
нами исследовалась зависимость интенсивности полос у 1012, 1060, и 1105
368
см-1 от содержания кислорода в образцах, прошедших термообработки в
интервале температур 550-1000
С. Было найдено, что равновесная
интенсивность полос достигается уже при начальных временах ТО (
30
минут), когда не было преципитации кислорода. При этом в соответствии с
выражением (1) интенсивность полос у 1012, 1060 и 1105 см -1 четко
проявляла квадратичную зависимость от концентрации
Oi, которая
изменялась в пределах от 4 1017 до 1.5 1018 см-3. Эти результаты показали, что
изучаемые полосы обусловлены комплексами, включающими в состав два
атома О, т. е., кислородными димерами.
Одной из наиболее важных характеристик димера является его энергия
связи. Для определения значения Еb2 нами была изучена температурная
зависимость равновесного значения коэффициента поглощения для полос у
1012, 1060 и 1105 см-1 в диапазоне 550-800
наблюдался
экспоненциальный
рост
С. Для всех трех полос
интенсивности
с
уменьшением
температуры. Однако энергии активации для полос у 1012 и 1060 см -1 и
полосы у 1105 см-1 несколько отличались и составляли 0.3 и ~0.2 эВ,
соответственно. Было сделано заключение [14]:, что существуют два типа
(две конфигурации) димеров с энергиями связи Еb2 = 0,3 эВ и Еb2 ~ 0,2 эВ.
Проведенные позднее теоретические расчеты показали [15, 21]:, что такими
конфигурациями являются так называемые staggered (Si-O-Si-O-Si) и skewed
(Si-O-Si-Si-O-Si) конфигурации. Согласно [25], в Ge кислородные димеры
также могут находиться в двух конфигурациях.
3. Кинетика накопления димеров. Кинетика накопления сомплексов
O2i при условии, что они обладают более высокой подвижностью чем
одиночные
атомы
O i,
может
быть
дифференциальных уравнений [5, 12]:
369
описана
следующей
системой
dN 2
dt
k1 N12
k 2 N2
N2
k dn N n
k dx N 2 N x
k
n 1
dN n
dt
2
( n 2)
N (n
k
2)
dx
N dx ,
n 1
k dn N 2 N n k d ( n
2)
N2 Nn
2
k
( n 2)
Nn
k
2
( n 4)
Nn
4
,
где Nn - концентрации кластеров, содержащих n атомов кислорода (n
(2)
1); Nx
- концентрация дополнительных центров захвата для димеров (например,
атомов С); k1, kdn, kdx и k-2, k-n, k-dx - соответствующие константы скоростей
прямых и обратных реакций.
Квазиравновесную концентрацию димеров, а также время их жизни
можно найти путем численного решения данной системы уравнений. Однако
в общем случае достаточно сложно предсказать точно поведение димеров,
так как имеется слишком много неизвестных параметров. Тем не менее, в
некоторых температурных интервалах ситуация значительно упрощается и
система уравнений (2) может быть решена достаточно однозначно.
3.1. Область высоких температур (> 550
кислорода при Т > 550
C). Cкорость потерь
C [1] значительно ниже расчетной скорости
генерации димеров [8, 15]. Это предполагает, что процесс диссоциации
димеров доминирует над процессами их захвата (кластеризации). Таким
образом, при T > 550 C квазиравновесная концентрация димеров N2eq и
d
время их жизни
2
(по отношению к диссоциации) могут быть описаны
следующими простыми выражениями:
N2
с k1 = 4 r1D1 и k-2 =
k1 N 12 k
2exp[-(Em1
2
,
d
2
k 2
1
(3)
+Eb2)/kT], где r1 – радиус захвата Oi при
формировании O2i, D1 – коэффициент диффузии Oi, Em1 – энергия активации
миграции Oi, и
2
представляет собой так называемый частотный фактор.
Величину этого фактора можно оценить следующим образом. Поскольку
370
диссоциация O2i должна включать по крайней мере реориентацию одного
атома Oi, то разумно полагать, что в первом приближении
d
2
где
Oi
0.5
Oi exp
Eb2 kT ,
(4)
- характеристическое время переориентации Oi. Эта характеристика
хорошо известна и может быть взята как
Oi
=2.12 10-15exp(2.54 eV/kT) s [23].
Принимая r1 = 5 10-8 см и D1 =0.17exp(-2.54 eV/kT) cm2s-1 [23], находим
d
2
106
.
10
11
. 10
N eq
2
15
exp 2.54eV
22
(5)
Eb2 kT , s
N 12 exp Eb2 kT ,cm 3 .
(6)
С другой стороны, величину N2eq можно оценить на основе
стандартных
принципов
статистической
механики,
т.е.,
используя
выражение (1). Следует отметить, что оба подхода дают довольно близкие
значения предэкспоненциального фактора в выражениях (1) и (6).
3.2. Область низких температур (< 400
o
C). В этой области
температур скорости потери междоузельного кислорода и формирования ТД
следуют реакциям второго порядка [4]. Из этого факта следует, что при T <
400 oC вероятность диссоциации димеров незначительна по сравнению с
вероятностью их захвата на ловушки с последующим формированием
стабильных комплексов. Естественно полагать, что такими ловушками в
первую очередь являются междоузельные атомы кислорода (согласно
современным представлениям [24], в образовании ТД не участвуют другие
примеси и дефекты помимо кислорода). В этом случае квазистационарная
концентрация димеров должна определяться отношением коэффициентов
диффузии Oi и O2i и линейно зависеть от концентрации кислорода:
N2eq = N1D1/D2 cm-3.
371
(7)
Такая линейная зависимость действительно наблюдалась экспериментально
при T = 370 oC [13]. При этом оцененное отношение коэффициентов
диффузии O2i и Oi составило около 104, что соответствует энергии активации
миграции димеров 1.9-2.0 eV. Согласно полученным данным и в
соответствии с выражением (7) квазистационарная концентрация димеров
должна уменьшаться с понижением температуры при T < 400 oC, что также
наблюдалось экспериментально [14].
4. Особенности кинетики накопления димеров в кристаллах
Si<O,H>. Примесные атомы водорода оказывают существенное влияние на
поведение кислорода в кремнии. В частности, в кристаллах Si<O,H> имеет
место значительное ускорение потерь Оi из твердого раствора и генерации
термодоноров при отжиге в области температур 350-450
С [4, 25-28].
Предполагается, что это ускорение связано с существенным возрастанием
подвижности атомов кислорода в результате их взаимодействия с
быстродиффундирующими атомами Н. Поскольку формирование димеров
является
начальным
представляло
интерес
этапом
процесса
выяснить
преципитации
особенности
их
кислорода,
поведения
в
гидрогенизированных кристаллах Si.
Водород вводился в образцы Cz-Si посредством высокотемпературных
(1200-1300
С) обработок в атмосфере Н2. Гидрогенизированные и
контрольные (исходные) образцы отжигались изотермически при различных
температурах в интервале 280-450 С. Поведение димеров контролировалось
по интенсивности соответствующих полос ИК прглощения.
Было найдено [17, 18], что насыщение кристаллов Si водородом
приводит не только к резкому возрастанию коэффициента диффузии
кислорода, но и существенно повышает квазистационарную концентрацию
кислородных димеров. Причем, в исследованном температурном интервале
наблюдалось значительное возрастание N2eq с понижением температуры, в то
372
время как в исходном материале имела место противоположная зависимость.
Кроме того, в кристаллах Si<O,H> зависимость N2eq от N1 была близка к
квадратичной. Это означает, что в гидрогенизированных кристаллах процесс
диссоциации кислородных димеров ускоряется сильнее чем процесс их
захвата, т.е., k-2 >> k2N1 даже при таких низких температурах как 280-300 С.
Этот эффект можно объяснить следующим образом. Согласно принципу
детального равновесия
k
2
k1
Так как k1 = 4 r1D1eff, то и k-2
N SO g1
g2
exp(
Eb2
kT )
.
(8)
D1eff. Т.е., величина скорости обратной
реакции возрастает в такой же мере как и скорость прямой реакции,
пропорционально
возрастанию
коэффициента
диффузии
кислорода.
Присутствие водорода приводит и к росту коэффициента диффузии димеров,
однако в значительно меньшей степени, чем это имеет место для одиночных
атомов кислорода. В связи с этим в гидрогенизированных кристаллах
процесс захвата димеров на Oi не является доминирующим.
5. Радиационно-стимулированное формирование димеров. Одним
из основных радиационных дефектов в кристаллах Cz-Si, облученных
быстрыми электронами или -квантами
60
Со, является комплекс вакансия-
кислород VO (А-центр). Отжигается А-центр в области температур 300-350
С преимущественно путем миграции как целое на стоки. Такими стоками, в
силу их высокой концентрации, в первую очередь являются междоузельные
атомы кислорода, и отжиг VO приводит к формированию комплексов VO2
[29], где два атома кислорода находятся в вакансии и образуют валентные
связи с 4 ближайшими атомами Si.
Можно ожидать, что комплекс VO2, как и VO, будет являться
ловушкой для собственных междоузельных атомов кремния (I) и при
повторном облучении кристаллов, содержащих VO2, будет идти реакция
373
I + VO2
O2i.
(9)
Некоторый рост концентрации O2i действительно наблюдался при облучении
кристаллов Si, содержащих VO2 (рис. 1, спектры 1, 2). Однако накопить
димеры в большой концентрации таким способом не удается, с ростом дозы
облучения быстро растет концентрация А-центров и они становятся
1.6
T = 10 K
1.4
18
-3
16
-3
18
-3
15
-3
1,2 - [Oi] = 1x10 cm , [Cs] = 4x10 cm
-1
Коэффициент поглощения, cм
O2i
VO2
3 - [Oi] = 1.3x10 cm , [Cs] = 5x10 cm
1.2
O2i
VO
1.0
0.8
0.6
3
0.4
2
0.2
1
0.0
800
850
900
950
-1
Волновое число, cм
1000
1050
Рис. 1. Спектры поглощения Cz-Si: 1 - после облучения быстрыми электронами
18
-2
(Е = 2 МэВ, F = 1.3x10 cм ) и отжига при 320 °С в течение 30 часов, 2 - после
17
-2
повторного облучения при комнатной температуре (F = 3.5x10 cм ), 3 - после
18
-2
облучения при 350 °С (F = 4x10 cм ).
основной ловушкой для I, т. е. эффективно идет непрямая аннигиляция V и I
T = 10 K
Коэффициент поглощения, cм
-1
VO2
I + VO
VO
1.0
Oi.
18
-3
16
-3
Cz-Si, [Oi] = 1x10 cm , [Cs] = 4x10 cm
(10)
Оказалось,
что наиболее эффективным способом генерации димеров в
0.8
больших
концентрациях
является
облучение
кристаллов
Cz-Si
при
0.6
повышенных
температурах (320-370 С) [16, 20]. В этом случае уже в
O2i
0.4
O2i
2
0.2
374
0.0
800
850
900
1
950
1000
1050
процессе облучения идет трансформация А-центров в VO2 и параллельно
идет реакция (9). В образцах, облученных достаточно высокими дозами
быстрых электронов ( 1018 см-2), удается накопить кислородные димеры в
концентрациях, практически на два порядка превышающих таковые в
исходных кристаллах (рис. 1, спектр 3). Важным следствием разработанного
метода
создания
исследовать[16]
димеров
более
явилась
слабые
возможность
ЛКМ,
обнаружить
и
димерами
и
обусловленные
расположенные у 556 и 690 см-1, которые в обычных кристаллах не
детектировались. Использование “горячего” облучения позволило также
обнаружить смешанные моды димеров в образцах, легированных изотопами
16
О (50%) и
18
О (50%). Эти данные явилось основой при разработке
структурных моделей димеров [15, 21]. Кроме того, при исследовании
процессов радиационного дефектообразования в кристаллах, обогащенных
димерами, удалось обнаружить ряд новых дефектов.
6. Взаимодействие собственных междоузельных атомов Si с
димерами. Одиночные атомы кислорода являются ловушками не только для
вакансий, но и для междоузельных атомов Si [1, 2]. Однако комплексы ISiOi
наблюдались
только
температурах (Т
в
кристаллах
Cz-Si,
облученных
при
низких
150 К). В процессе отжига этих дефектов при Т = 180-250
К возможна их частичная трансформация в комплексы I2O, которые
стабильны до 300-350 К [30].
Дефекты I2O как правило не наблюдаются в кристаллах Cz-Si,
облученных при комнатной температуре. В этом случае основной ловушкой
для междоузельных атомов Si обычно является углерод замещения, который
всегда присутствует в концентрациях
кристаллах,
обогащенных
углеродосодержащими
1015-1016 см-3. Оказалось, что в
кислородными
комплексами,
димерами,
эффективно
наряду
образуются
с
новые
радиационные дефекты. Эти дефекты проявляются как в спектрах ИК
375
поглощения (полосы при 922 и 1037 см-1), так и в электрических измерениях
(уровень ЕС – 0.11 эВ). Их образование сопровождается удалением димеров,
а отжиг при Т
400 К приводит к восстановлению O2i и дообразованию
других дефектов междоузельного типа. Совокупность данных, полученных
оптическими и электрическими методами, позволила достаточно надежно
идентифицировать обнаруженные центры как комплексы IO2i [22. 23]. Кроме
того, было найдено, что эти дефекты также являются эффективными
центрами захвата междоузельных атомов Si и на их основе происходит
формирование комплексов I2O2i, стабильных до 500 К.
Заключение. Приведенные выше результаты свидетельствуют, что
кислородные димеры играют важную роль в процессах как термического,
так и радиационного дефектообразования в кремнии. Их формирование
является первым этапом всех процессов, связанных с преципитацией
кислорода. Обладая более высокой подвижностью, чем одиночные атомы
кислорода, димеры активно участвуют в формировании кислородных
тримеров, термодоноров и т.д. Димеры являются эффективной ловушкой для
собственных междоузельных атомов кремния и комплекс IO2i является
одним из основных радиационных дефектов в безуглеродных кристаллах CzSi, облученных при комнатной температуре.
Список литературы
1. Oxygen in Silicon, ed. by F. Shimura. Semiconductors and Semimetals Vol.
42. Academic Press Inc., San Diego. (1994).
2. Early Stages of Oxygen Precipitation in Silicon, ed. by R. Jones, NATO ASI
Series (3. High Technology) Vol. 17. Kluwer, Dordrecht. (1996).
3. V.P. Markevich, L.F. Makarenko, L.I. Murin. Mater. Sci. Forum. 38-41, 589
(1989).
376
4. S.A. McQuaid, M.J. Binns, C.A. Londos, J.H. Tucker, A.R. Brown, R.C.
Newman. J. Appl. Phys. 77, 1427 (1995).
5. L.I. Murin, V.P. Markevich. In ref. 2, p. 329.
6. S.A. McQuaid, B.K. Johnson, D. Gambaro, R. Falster, M.J. Ashwin, J.H.
Tucker. J. Appl. Phys. 86, 4, 1878 (1999).
7. U. Gosele, T.Y. Tan. Appl. Phys. A28, 1, 79 (1982).
8. L.C.Snyder, J.W. Corbett, P. Deak, R. Wu. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 104,
179 (1988).
9. M. Needels, J.D. Jonnopoulos, Y. Bar-Yam, S.T. Pantelides. Phys. Rev. B43,
5, 4208 (1992).
10. D.J. Chadi. Phys. Rev. Lett. 77, 5, 861 (1996).
11. C.P. Ewels, R. Jones, S. Oberg. In Ref. [2], p. 141.
12. L.I. Murin, V.P. Markevich. Proc. 7th Intern. Conf. on Shallow-Level Centers
in Semicond., ed. by C.A.J. Ammerlaan and B.Pajot (World Scientific,
Singapore, 1997), p.339.
13. T. Hallberg, J.L. Lindstrom, L.I. Murin, V.P. Markevich. Mater. Sci. Forum.
258-263, Part 1, 361 (1997).
14. L.I. Murin, T. Hallberg, V.P. Markevich, J.L. Lindstrom. Phys. Rev. Lett. 80,
1, 93 (1998).
15. S. Oberg, C.P. Ewels, R. Jones, T. Hallberg, J.L Lindstrоm, L.I. Murin, P.B.
Briddon. Phys. Rev. Lett. 81, 14, 2930 (1998).
16. J.L. Lindstrom, T. Hallberg, J. Hermansson, L.I. Murin, V.P. Markevich, M.
Kleverman, B.G. Svensson. Solid State Phenomena. 69-70, 297 (1999).
17. В.П. Маркевич, Л.И. Мурин, J.L. Lindstrom, M. Suezawa. ФТП 34, 9, 1039
(2000).
377
18. L.I. Murin, V.P. Markevich, M. Suezawa, J.L. Lindstrom, M. Kleverman, T.
Hallberg. Physica B. 302-303, 180 (2001).
19. J.L. Lindström, T. Hallberg, J. Hermansson, L.I. Murin, B.A. Komarov, V.P.
Markevich, M. Kleverman, B.G. Svensson. Physica B. 308-310, 284 (2001).
20. J.L. Lindstrom, L.I. Murin, T. Hallberg, V.P. Markevich, B.G. Svensson, M.
Kleverman, J. Hermansson. Nuclear Inst. and Methods in Physics Research B.
186, 121 (2002).
21. M. Pesola, J von Boehm, R. Nieminen. Phys. Rev. Lett. 82, 20, 4022 (1999).
22. В.В. Литвинов, Л.И. Мурин, J.L. Lindstrom, В.П Маркевич, А.А. Клечко.
ФТП 35, 8, 900 (2001).
23. M. Stavola, J.R. Patel, L.C. Kimerling, P.E. Freeland. Appl. Phys. Lett. 42, 1,
73 (1983).
24. J. Coutinho, R. Jones, L.I. Murin, V.P. Markevich, J.L. Lindstrom, P.R.
Briddon, S. Oberg. Phys. Rev. Lett. 87, 23, 235501 (2001).
25. R.C. Newman, J.H. Tucker, A.R. Brown, S.A. McQuaid. J. Appl. Phys. 70, 6,
3061 (1991).
26. H.J. Stein, S. Hahn. J. Appl. Phys. 75, 7, 3477 (1994).
27. В.П. Маркевич, Л.И. Мурин. ФТП 30, 2, 265 (1996).
28. V.P. Markevich, I.F. Medvedeva, L.I. Murin. In Ref. 2, p. 103.
29. J.L. Lindström, L.I. Murin, V.P. Markevich, T. Hallberg, B.G. Svensson.
Physica B. 273-274, 291 (1999).
30. L.I.Khirunenko, L.I.Murin, J.L.Lindstrom, M.G.Sosnin, Yu.V. Physica B. 308310, 458 (2001).
378