Document 232195

Список научных трудов Чернышова Виктора Николаевича
№
Название
Печатный Издательство,журнал (название, ноили на мер, год) или номер авт. св-ва
правах рукописи
1 Поверхностные состояния в полупроводниках
Печ.
2 Таммовские состояния в арсениде
галлия
3 Поверхностные состояния в Ge и
Si
Печ.
4 К поверхностным состояниям в
Ge
Печ.
5 Комплексная зонная структура
GaAs
Печ.
6 Комплексная зонная структура Ge
и Si
Печ.
7 Применение комплексной зонной
структуры к расчету поверхностных состояний методом функций
Грина
8 О возможности существования в
области энергий объемного спектра состояний, локализованных у
поверхности
Печ.
9 Поверхностная функция Грина
системы, состоящей из трех сред
10 Поверхностные состояния в полупроводниках
Печ.
11 Надбарьерные состояния в ограниченных твердых телах
Печ.
12 Теория поверхностных состояний
в полупроводниках
Печ.
13 Поверхностные состояния в
кремнии
14 Поверхностные состояния арсенида галлия на плоскости (111)
Печ.
15 Поверхностные состояния в области разрешенных зон кристалла
Печ.
16 Поверхностные состояния в арсениде галлия
17 Расчет поверхностных состояний
в германии
Печ.
18 Одноэлектронные волновые
Печ.
Печать
Печ.
Печ.
Печ.
Печ.
Печ.
Тезисы докладов 4 Всесоюзного совещания по электронным явлениям
на поверхности полупроводников.
Киев,1971, с. 38
Физика и техника полупроводников,
1973, т.7, №9, с. 1745-1749
Физика и техника полупроводников,
1975, т.9, №5, с. 1042. (депонировано,
ДЭ-2546/74)
Материалы первой конференции молодых ученых ТГУ, Томск, 1975,
вып.3, с. 135-137
Известия вузов. Физика. 1975, №11,
с.158, (депонировано в ВИНИТИ,
№2820-75 деп.)
Известия вузов. Физика. 1975, №11,
с.158, (депонировано в ВИНИТИ,
№2821-75 деп.)
Известия вузов. Физика. 1975, №10,
с.97-102
Кол-во Фамилии соавтостраниц ров
1
Степанов В.Е.
Чалдышев В.А.
5
Степанов В.Е.
Чалдышев В.А.
7
Чалдышев В.А
3
Чалдышев В.А
35
Чалдышев В.А
30
Чалдышев В.А
6
Чалдышев В.А
Горюнов В.А.
Материалы
научно-практической
конференции «Молодые ученые и
специалисты Томской области в девятой пятилетке» Томск, 1975, с.141145
Там же, с.145-147
4
Чалдышев В.А
4
Горюнов В.А.
Тезисы докладов 8 Всесоюзного совещания по теории полупроводников.
Киев,1975, с. 169
Тезисы докладов 6 Всесоюзного совещания по физике поверхностных
явлений в полупроводниках. Киев,1977, ч.2, с.120
Монография «Проблемы физ. химии
поверхности полупроводников». Новосибирск, из-во Наука, 1978, с.5-43
1
Чалдышев В.А
Горюнов В.А.
1
Степанов В.Е.
Чалдышев В.А
Горюнов В.А.
38
Степанов В.Е.
Чалдышев В.А
Физика и техника полупроводников,
1978, т.12, №10, с.1898-1903
Тезисы докладов 4 Всесоюзного совещания по исследованию арсенида
галлия. Томск, 1978, с.65
Тезисы докладов 9 Всесоюзного совещания по теории полупроводников.
Тбилиси,1978, с. 137
Известия вузов. Физика. 1979, №2,
с.124-126
Известия вузов. Физика. 1980, №4,
с.114-116
6
Горюнов В.А.
Чалдышев В.А
Горюнов В.А.
Чалдышев В.А
Известия вузов. Физика. 1980, №4,
19
Соискатель
Ученый секретарь
Дата
1
1
1
Горюнов В.А.
Чалдышев В.А
3
Горюнов В.А.
Чалдышев В.А
Горюнов В.А.
Чалдышев В.А
3
Чалдышев В.А
Чернышов В.Н.
Список научных трудов Чернышова Виктора Николаевича
№
Название
Печатный Издательство,журнал (название, ноили на мер, год) или номер авт. св-ва
правах рукописи
функции системы полупроводник-вакуум
19 Поверхностные состояния в кристаллах с алмазоподобной структурой
20 Вычисление двухцентровых интегралов
Печ.
Печ.
18
14
1
Гриняев С.Н.
Нявро А.В.
Чалдышев В.А
Печ.
Там же, с.163
1
Горюнов В.А.
Чалдышев В.А
Печ.
Известия вузов. Физика. 1986, №8,
с.130. (депонировано в ВИНИТИ,
№4200-86 деп.)
Тезисы докладов 6-го Всесоюзного
совещания по исследованию арсенида галлия. Томск, 1987, с.155
Тезисы докладов 13 Всесоюзного совещания по теории полупроводников.
Ереван,1987, с. 102
Тезисы докладов 20-й Всесоюзной
конференции по эмиссионной электронике. Киев, 1987, тю2, с.13
13
Гриняев С.Н.
Нявро А.В.
1
Горюнов В.А.
1
Горюнов В.А.
1
Горюнов В.А.
Томск, 1987, из-во ТГУ
16
Печ.
Известия вузов. Физика. 1988, №1,
с.119-121
3
Гриняев С.Н.
Чалдышев В.А
Печ.
Томск, 1988, из-во ТГУ
116
Тютерев В.Г.
Печ.
Изв. АН СССР, сер. Физическая,
1988, т.52, №8, с.1953-1957
5
Горюнов В.А.
Печ.
Тезисы докладов 1-й Всесоюзной
конференции по физическим основам
твердотельной электроники. Ленинград, 1989, с.275-276
Тезисы докладов 14 Всесоюзного совещания по теории полупроводников.
Донецк,1989, с. 54
Известия вузов. Физика. 1990, №3,
с.42-46
2
Горюнов В.А.
1
Горюнов В.А.
5
Горюнов В.А.
Тезисы докладов Всесоюзного семи-
2
Гриняев С.Н.
Печ.
24 Рассеяние электронов поверхностью GaAs
Печ.
25 Влияние поверхности на междолинное рассеяние в арсениде галлия
26 Вычисление коэффициентов прохождения для поверхностей (111)
и (110) арсенида галлия
27 Потенциальная энергия кристаллической решетки и элементы
теории упругости (методическое
пособие)
28 Использование линейной комбинации псевдоатомных орбиталей
к расчету электронной структуры
кристаллов
29 Введение в теорию кристаллических твердых тел (учебное пособие)
30 Расчет коэффициентов прохождения для поверхностей (111) и
(110) арсенида галлия
31 Отражение свободных электронов
поверхностью арсенида галлия
Печ.
Печать
Кол-во Фамилии соавтостраниц ров
Известия вузов. Физика. 1985, №10,
с.126. (депонировано в ВИНИТИ,
№4971-85 деп.)
Тезисы докладов 2-ой Всесоюзной
конференции по квантовой химии
твердого тела. Рига, 1985, с.72
21 Изучение электронной структуры
кристаллов методом линейной
комбинации псевдоатомных орбиталей
22 Вычисление угловой и энергетической зависимости коэффициентов прохождения электрона через
границу кристалла
23 Решение уравнения Шредингера
для псевдоатома
Отражение электронов, падаю32 щих на поверхность арсенида
галлия из вакуума
Расчет вероятности внутридолин33 ных и междолинных переходов
при отражении электронов поверхностью арсенида галлия
Трехдолинная модель резонанс34 ного туннелирования в системах
с.122. (депонировано в ВИНИТИ,
№534-80 деп.)
Автореферат кандидатской диссертации. Томск, ТГУ, 1982
2
Печ.
Печ.
Печ.
Печ.
Печ.
Соискатель
Ученый секретарь
Дата
Чернышов В.Н.
Список научных трудов Чернышова Виктора Николаевича
№
Название
Печатный Издательство,журнал (название, ноили на мер, год) или номер авт. св-ва
правах рукописи
GaAs/AlxGa1-xAs
Расчет коэффициентов прохож35 дения электронов в многобарьерных полупроводниковых структурах методом матрицы рассеяния
Изучение резонансного туннелирования электронов в многоба36 рьерных полупроводниковых
структурах GaAs/AlxGa1-xAs
37
38
39
40
Трехдолинная модель для коэффициентов прохождения в системах GaAs/AlxGa1-xAs
Квантовые процессы распространения электронной волны в слоистых структурах
Рассеяние электронов в многобарьерных структурах GaAs/AlxGa1xAs
Анализ квантовых процессов в
гетероструктурах и сверхрешетках на основе AlGaAs
Влияние тепловлажностных факторов на распространение широ45 кополосного сигнала в капилярно-пористых средах
Исследование динамики пространственного распределения
46 влажности, температуры и диэлектрических характеристик в
капилярно-пористых средах
Модель для описания взаимодействия электронных волн с гетеро47 границами в GaAs/AlAs(001)
Печать
Кол-во Фамилии соавтостраниц ров
Караваев Г.Ф.
2
Гриняев С.Н.
Тезисы докладов Всесоюзного семинара «Нелинейные высокочастотные
явления в полупроводниках и полупроводниковых структурах и проблема их применения в электронике».
Навои,1991, с.5
Там же, с.6
1
Гриняев С.Н.
1
Гриняев С.Н.
Караваев Г.Ф.
Печ.
Известия вузов России. Физика. 1992,
т.35, №9, с.64-76
13
Гриняев С.Н.
Караваев Г.Ф.
Печ.
Физика и техника полупроводников,
1992, т.26, с.2057-2067
11
Гриняев С.Н.
Печ.
Тезисы докладов 1-ой Всероссийской
конференции по физике полупроводников. Нижний Новгород, 1993, с.247
1
Гриняев С.Н.
Караваев Г.Ф.
Тютерев В.Г.
Чуприков Н.Л.
Печ.
Там же, с.300
1
Гриняев С.Н.
Караваев Г.Ф.
Печ.
Abstract Second Intern. Conf. on Nanometer scale and Technology. Moscow, 1993, p.49
Тезисы докладов Всероссийской
межвузовской научно-практической
конференции «Конверсия вузов - защите окружающей среды». Екатеринбург, 1994, с.14
Abstracts of invited lectures and contributed papers. Intern. Symposium
Nanostructures: Physics and Technology. St-Petersburg, 1994, 62-64
Тезисы докладов 4-ой Междунарн.
научно-техн. конференции «Распространение и дифракция электромагнитных волн в неоднородных средах», Москва, 1994, с.136
Известия вузов России. Физика. 1994,
т.37, 11, с.10-17
1
Grinyaev S.N.
Karavaev G.F.
1
Загоскин В.В.
Катаев С.Г.
Тюльков Г.И.
3
Grinyaev S.N.
Karavaev G.F.
1
Загоскин В.В.
Катаев С.Г.
Тюльков Г.И.
8
Загоскин В.В.
Катаев С.Г.
Тюльков Г.И.
Физика и техника полупроводников,
10
Гриняев С.Н.
Печ.
Печ.
Междолинное рассеяние электронов в многобарьерных квантовых
41 структурах
Model for interaction of electron
waves in GaAs/AlAs(001)
42
Влияние тепловлажностных факторов на точность радиоволновой
43 подповерхностной диагностики
засоленности почв
Crucial role of X-mixing of
GaAs/AlAs heterointerfaces in mul44 tilayers with AlAs electrodes
Печ.
нара «Энергетическая структура неметаллических кристаллов с разным
типом химической связи», Ужгород,
1991, с.63-64
Там же, с.177-178
3
Печ.
Печ.
Печ.
Печ.
Печ.
Соискатель
Ученый секретарь
Дата
Чернышов В.Н.
Список научных трудов Чернышова Виктора Николаевича
№
Название
Прогнозирование радиоволновых
параметров подстилающей по48 верхности территорий по данным
текущих метеонаблюдений
Методы и модели радиоволнового мониторинга состояния поч49 вогрунтов
Печатный Издательство,журнал (название, ноили на мер, год) или номер авт. св-ва
правах рукописи
Тезисы докладов Сибирского совещания по климато-экологическому
мониторингу. Томск, 1995, с.50
1
Загоскин В.В.
Катаев С.Г.
Тюльков Г.И.
Печ.
Тезисы докладов Междунарн. Конференции «Фундаментальные и прикладные проблемы охраны окружающей среды» Томск, 1995, с.39
Там же, с.61
1
Загоскин В.В.
Катаев С.Г.
Тюльков Г.И.
1
Лукьянов С.П.
Ильюшенко В.Н.
Загоскин В.В.
Катаев С.Г.
Тюльков Г.И.
4
Karavaev G.F.
1
Лукьянов С.П.
Загоскин В.В.
Катаев С.Г.
Тюльков Г.И.
The electron subbands in
GaAs/Al0.3Ga0.7As(001) superlattic51 es
Печ.
Эффекты Х-взаимодействия в
57 GaAs/AlAs- структурах с различным числом слоев
Обнаружение и идентификация
58 малоконтрастных и малоразмерных объектов из данных подповерхностного зондирования
XL - смешивание при туннелиро-
Печать
Караваев Г.Ф.
Печ.
Печ.
Влияние тепловлажностных фак53 торов на распространение широкополосных сигналов в почвогрунтах и комплекс аппаратуры
для настройки и диагностики
подстилающей поверхности
Влияние физического состояния
54 подстилающей поверхности на
характеристики электромагнитных полей радиопередающих систем в приповерхностном пространстве
Влияние тепловлажностных фак55 торов на пространственное распределение диэлектрических характеристик в капилярнопористых средах с проводящим
компонентом
Methods and models for radiowave
56 investigation of the soil
Кол-во Фамилии соавтостраниц ров
1994, т.28, с.1393-1402
Комплекс аппаратуры для диагностики подстилающей поверх50 ности
Портативный радиолокационный
52 комплекс для обнаружения и
оценки запасов затопленной древесины
4
Печ.
Abstracts of invited lectures and contributed papers. Intern. Symposium
Nanostructures: Physics and Technology. St-Petersburg, 1995, 126-129
Тезисы докладов Межрегиональной
научно-техн. конференции, Братск,
1996, с.101
Печ.
Сборник докладов Российской научно-техн. конференции по распространению и дифракции волн. Улан-Удэ,
1996, с.188-189
2
Лукьянов С.П.
Ильюшенко В.Н.
Загоскин В.В.
Катаев С.Г.
Тюльков Г.И.
Печ.
Там же, с.189-192
4
Ильюшенко В.Н.
Загоскин В.В.
Катаев С.Г.
Тюльков Г.И.
Печ.
Известия вузов России. Физика. 1996,
т.39, №10, с.50-54
5
Загоскин В.В.
Катаев С.Г.
Тюльков Г.И.
Печ.
Targets superresolution in subsurface
radar. Progress in Electromagnetic Research. Proceeding of Symposium
(PIERS), Innsbruck, Austria, 1996, p.30
Известия вузов России. Физика. 1997,
т.40, №1, с.63-69
1
Kataev S.G.
Tyulkov G.I.
Zagoskin V.V.
7
Караваев Г.Ф.
Воронков А.А.
Тезисы докладов 3-го Сибирского
Конгресса по индустриальной математике. (ИНПРИМ-98), ч.5, Новосибирск, 1998, с.96
1
Катаев С.Г.
Печ.
Печ.
Соискатель
Ученый секретарь
Дата
Чернышов В.Н.
Список научных трудов Чернышова Виктора Николаевича
№
Название
Печатный Издательство,журнал (название, ноили на мер, год) или номер авт. св-ва
правах рукописи
59 вании электронов в структурах
AlAs/GaAs(111).
Взаимодействие Х-долин при
60 туннелировании электронов в
структурах AlAs/GaAs(100)
Унитарность матрицы рассеяния
61 для квантовых многослойных систем
Резонансное туннелирование Х62 электронов AlAs/GaAs(111).
Псевдопотенциальный расчет и
модель
Смешивание электронных состо63 яний ХХ и ХУ – долин в
AlAs/GaAs(001)
Минизонные спектры в сверхре64 шетках (AlAs)m(GaAs)n(111)
Кол-во Фамилии соавтостраниц ров
Материалы 7-ой Российской конференции "Арсенид галлия", Томск,
1999, с.83-84.
Тезисы докладов IV Всероссийской
конференции по физике полупроводников. Новосибирск, 1999, с.182
Известия вузов России, Физика,2000,
т.43, №8, с.36-42
2
Караваев Г.Ф.
1
Караваев Г.Ф.
Печ.
Физика и техника полупроводников,
2001, т.35, в.1, с.105-109
5
Караваев Г.Ф.
Печ.
Физика и техника полупроводников,
2001, т.35, в.7, с.841-849
9
Караваев Г.Ф.
Печ.
Труды международной конференции
«Оптика, оптоэлектроника и технологии». Ульяновск,2001, с.32
Труды 8-ой международной конференции «Физико-химические процессы в неорганических материалах»,
Кемерово, 2001, т.2, с.153-154
Там же, с.176
1
Караваев Г.Ф.
Егунов Р.М.
2
Гриняев С.Н.
Караваев Г.Ф.
1
Караваев Г.Ф.
Егунов Р.М.
Печ
Физика и техника полупроводников,
2002, т.36, в.5, с.558-564
7
Караваев Г.Ф.
Егунов Р.М.
Печ.
Физика и техника полупроводников,
2002, т.36, в.6, с.709-713
5
Караваев Г.Ф.
Егунов Р.М.
69 Минизонные спектры и оптические характеристики в сверхрешетках (AlAs)M(AlXGa1-XAs)N(110)
70 Туннелирование электронов в гетероструктурах AlAs/AlXGa1-XAs
(110). Псевдопотенциальные расчеты и модель.
71 Минизонные спектры и оптические переходы в сверхрешетках
(AlAs)M(AlXGa1-XAs)N(110)
Печ.
Труды международной конференции
«Оптика, оптоэлектроника и технологии». Ульяновск,2002, с.74
Материалы Восьмой Российской
конференции "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы
III-V", Томск, 2002, с.118-120.
Там же, с.140-142.
1
Караваев Г.Ф.
Егунов Р.М.
3
Караваев Г.Ф.
3
Караваев Г.Ф.
Егунов Р.М.
72 The Electronic and Optical Properties of (AlAs)M(AlxGa1-xAs)N(111)
and (110) Superlattices
73 Особенности рассеяния электронов на гетерограницах
AlxGa1-xAs/AlAs(001)
74 Электронные и оптические свойства сверхрешеток AlAs/AlXGa1XAs(110)
75 Метод огибающих функций для
гетероструктур. Модели сшива-
Печ.
Lithuanian Journal of Physics, 2002, v.
42, No 3, pp 179-183
5
Karavaev G.F.
Egunov R.M.
Печ.
Физика и техника полупроводников,
2003, т.37, в.4, с.435-442
8
Гриняев С.Н.
Караваев Г.Ф.
Печ.
Физика и техника полупроводников,
2003, т.37, в.5, с.592-598
7
Караваев Г.Ф.
Егунов Р.М.
Печ
Известия вузов России, Физика,2003,
т.46, №6, с.51-58
8
Караваев Г.Ф.
Многодолинные эффекты в про65 цессах рассеяния электронов на
гетерограницах полупроводников
Печ.
Печ.
Печ.
Электронные минизоны в сверх66 решетках (AlAs)m(AlxGa1-xAs)n
(111)
Минизонные спектры в сверхре67 шетках (AlAs)m(GaAs)n(111)
Печ.
Электронные состояния в сверх68 решетках(AlAs)m(AlxGa1xAs)n(111)
Печать
Печ.
5
Печ.
Печ.
Соискатель
Ученый секретарь
Дата
7
Чернышов В.Н.
Список научных трудов Чернышова Виктора Николаевича
№
Название
Печатный Издательство,журнал (название, ноили на мер, год) или номер авт. св-ва
правах рукописи
ния и применение для
AlAs/AlXGa1-XAs(110)
76 Сверхрешетки с Х–электронами
для ИК-фотоприемников
Печ.
77 Электронные процессы в гетероструктурах AlAs/AlxGa1-xAs(110)
Печ.
78 Модели рассеяния дырок на гетерограницах GaAs/AlAs..
Печ.
79 The model of hole scatterjng by
GaAs/AlAs heterobaundary
Печ.
80 Рассеяние дырок на гетерограницах GaAs/AlAs(001).
81 Алгоритмы обнаружения малоконтрастных объектов из данных
подповерхностного зондирования
Печ.
82 Метод обнаружения по отраженному сверхширокополосному
сигналу людей за стенами
Печ
83 Исследование электронных процессов в наноструктурах
Печ
84 Модель для описания рассеяния
дырок на гетерограницах
GaAs/AlAs(001)
85 Рассеяние дырок гетерограницами GaAs/AlAs(111) и (110).
Печ..
Печ.
86 Смешивание дырочных состояний на гетерогранице
GaAs/AlAs(110)
Печ.
Совещание “Актуальные проблемы
полупроводниковой фотоэлектроники. Фотоника –2003”. Тезисы докладов, Новосибирск, 2003, с. 85.
Материалы Международной конференции «Cовременные проблемы физики и высокие технологии», Томск,
из-во НТЛ, 2003 ,с.54
Там же, с. 69
Proceeding of 8th Korea-Russia International Symposium on Science and
Technology. KORUS-2004, Tomsk,
Russia, vol. 2, pp203-207
Доклады 9-ой международной конференции «Физико-химические процессы в неорганических материалах»,
Кемерово, 2004, т.1, с. 547-550
Сибирский поляризационный семинар. СибПол 2004. Доклады. 7-9
сентября 2004, Сургут. Россия, с 232237
Материалы докладов 7 Всероссийской научно-практической конференции Проблемы информационной
безопасности государства, общества
и личности16-18 февраля, 2005,
Томск, с.9-11
Вестник Томского государственного
университета, 2005, №285, серия
“Физика”, с53-62
Физика и техника полупроводников,
2005, т.39, в.3, с.336-342
Седьмая Российская конференция по
физике полупроводников, Москва,
19-23 сентября 2005 года. Тезисы докладов, с. 183
Труды VII международной конференции <Опто-, наноэлектроника,
нанотехнологии и микросистемы>,
Ульяновск, 2005, с.179.
6
Кол-во Фамилии соавтостраниц ров
1
Караваев Г.Ф.
Егунов Р.М.
1
Егунов Р.М
Караваев Г.Ф.
1
Караваев Г.Ф.
5
Karavaev G.F.
4
Караваев Г.Ф.
6
Загоскин В.В.
Ильюшенко В.Н.
Катаев С.Н.
3
Загоскин В.В.
Ильюшенко В.Н.
Катаев С.Н.
10
Караваев Г.Ф.
Гриняев С.Н.
7
Караваев Г.Ф.
1
Караваев Г.Ф.
1
Караваев Г.Ф.
Караваев Г.Ф.
87
Рассеяние дырок гетерограницами GaAs/AlAs(111) и (110)
88 Моделирование плавного потенциала на гетерогранице
GaAs/AlAs(001)
Печать
Печ.
Физика и техника полупроводников.
2006, т.40, в.5, с.549-556
8
Печ.
Труды VIII международной конференции <Опто-, наноэлектроника,
нанотехнологии и микросистемы>,
1
Соискатель
Ученый секретарь
Дата
Чернышов В.Н.
Список научных трудов Чернышова Виктора Николаевича
№
Название
Печатный Издательство,журнал (название, ноили на мер, год) или номер авт. св-ва
правах рукописи
89 Анализ матрицы сшивания на гетерогранице
.
Печ.
90 Анализ дырочных состояний в гетероструктурах GaAs/AlAs(110)
91 Использование теоретических и
эмпирических закономерностей
при анализе GPR-сигнала
Печ.
Печ.
Ульяновск, 2006, с.14.
Материалы Девятой Российской конференции "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы
III-V", Томск, 2006, с.318-321.
Доклады 10-ой международной конференции «Физико-химические процессы в неорганических материалах(ФХП-10)», Кемерово, 2007, т.2, с.
197-201
7
Кол-во Фамилии соавтостраниц ров
4
5
Доклады 3-ей международной научно-практической конференции «Инженерная и рудная геофизика-2007»,
Геленджик, 2007 г. с.78-80
3
Катаев С.Г.
Известия вузов России, Физика,2008,
т.51, №1, с.39-44
6
Печ.
Известия вузов России, Физика,2008,
т.51, №6, с.66-72
7
Катаев С.Г.
Загоскин В.В.
Печ..
Известия вузов России, Физика,2008,
т.51, №11, с.93-101
9
Катаев С.Г.
Загоскин В.В.
Печ
92 Анализ граничных условий в гетероструктурах
93 Исследование влияния профиля
влажности на электромагнитный
сигнал, отраженный от подповерхностного объекта
94 Об одном методе обнаружения
подповерхностных объектов из
данных сверхширокополосного
зондирования.
Печать
Соискатель
Ученый секретарь
Дата
Чернышов В.Н.