22 000смУв -сек). Методом газотранспортной реакции получены

760
СОВЕЩАНИЯ И КОНФЕРЕНЦИИ
Я. А. Агаев. И с с л е д о в а н и я
в
области
физики
полупроводников
в Физико-техническом
институте
АН
ТуркмССР.
В последнее десятилетие в Физико-техническом институте АН ТуркмССР
ведутся работы
по получению новых полупроводниковых материалов типа А 3 В 5 , А 2 В*С|
4
и А | В С | и твердых растворов на их основе.
17
9
Получены монокристаллы CdSnAs2 ρ- и η-типов (re, ρ ~ 10 см~ , и ~
~22 000 смУв -сек).
Методом газотранспортной реакции получены монокристаллы на основе
2GaAs —
ZnGeAs
, 2GaAs —2• ZnSiAs2 в широком интервале концентраций GaAs
2
18
3
(re ~ 10
см~ , μη « 2500 см /в-сек).
Проводились работы по получению и исследованию некоторых свойств соединений: Cu2GeSe3, CujSnSeg, Cu2GeTe3, Cu2SnTe3, Ag2GeSe3, Ag2SnSe3 и т. д.
Проведено комплексное исследование электрических, термоэлектрических,
гальвано-термомагнитных, оптических и фотоэлектрических свойств кристаллов GaP,
InP, AlSb, InSb и твердых растворов InSb — AlSb, InP — InAs.
В монокристаллических образцах игольчатого типа GaP обнаружена примесная
фото-э. д. с , являющаяся результатом прямых переходов электронов из валентной
зоны на уровни 0,1 и 0,4 эв или же двойных оптических переходов.
Обнаружен эффект Келдыша — Франца, связанный с непрямыми переходами
в GaP при
Г
15 ""*• Χι
и
Г
15 ~*" хз-
Исследование эффекта Келдыша — Франца и спектральной фоточувствительности в коротковолновой области позволило предложить возможную структуру основных зон.
В кристаллах InP на основе анализа температурной зависимости подвижности,
поперечного эффекта Нернста — Эттинсгаузена и термо-э. д. с. установлены механизмы рассеяния носителей заряда: при низких температурах подвижность ограничивается в основном комбинированным рассеянием на ионах примеси, нейтральных атомах, а при высоких температурах — на оптических и акустических колебаниях
решетки.
Получены высокоомные кристаллы InP (га ~ 1011—1012 см~3) диффузией меди,
ρ — re-переходы на их основе и исследованы электрические и фотоэлектрические свойства в широком интервале температур. В высокоомных кристаллах InP в области
примесной проводимости обнаружена отрицательная фотопроводимость при низких
температурах при hv « 0,9 — 0,55 эв, объяснимая на основе энергетического спектра
примесей. При комнатных температурах с внешней собственной подсветкой обнаружена примесная фоточувствительность в той же области спектра.
В кристаллах InP no спектрам поглощения в области hv < Eg обнаружен ряд.
полос, относящихся, по всей вероятности, к примесным уровням; аналогичные значения для примесных уровней были найдены по электрическим и фотоэлектрическим
свойствам.
По спектрам диффушого отра КРГЧШ получены значения энергий переходов
с hv > Е„, по которым построен ви.^кжный вариант зонной структуры.
По исследованию оптического поглощения, отражения и фотопроводимости
AlSb и твердых растворов InSb — AlSb дается возможная зонная структура AlSb.
По температурной зависимости холловской подвижности и поперечному эффекту
Нернста — Эттинсгаузена определены основные механизмы рассеяния в AlSb. При
низких температурах рассеяние происходит на ионизованных примесях, а при высоких (300—1000°К) — на акустических колебаниях решетки. В переходной области
(125—300 °К) идет совместное действие указанных механизмов рассеяния. Экспериментальная подвижность количественно сопоставляется с теоретической, рассчитанной
при учете различных механизмов рассеяния. В области низких температур обнаружено влияние фононного увлечения носителей на термо-э. д. с , термомагнитный эффект
Нернста — Эттинсгаузена и теплопроводность. По измерениям эффекта Холла и оптического поглощения в re-AlSb обнаружен внутризонный переход с энергией ~ 0,27 эв.
Исследованиями электрических, гальвано-термомагнитных и фотоэлектрических
свойств га- и p-InSb в широком интервале температур, концентрации носителей и магнитного поля показана возможность получения термодиффузией высокоомных кристаллов p-InSb, выяснена природа термоакцепторов в InSb, определены времена жизни
основных и неосновных носителей тока в p-InSb, а также получены длинные диоды
на базе p-InSb сплавным методом, чувствительные к внешнему магнитному полю.
Магнитная чувствительность диодов γ яг 70 —.
SC
Разработана технология получения высокочувствительных датчиков Холла
и магнитосопротивлений из InSb, InP — InAs и InSb — NiSb. На основе этих гальваномагнитных датчиков создан целый ряд приборов.
СОВЕЩАНИЯ И КОНФЕРЕНЦИИ
761
ЛИТЕРАТУРА
1
2
3.
4.
5.
6
7.
8.
9.
Я . А г а е в, Н. Г. Б е к м о д о в а, Изв АН ТуркмССР, сер. ФТХиГН, Х- 6, 30
(1968); № 5, 93 (1970).
Я- А г а е в , О. Г а з а к о в , С. В. С л о б о д ч и к о в , Изв. АН ТуркмССР, сер.
ФТХиГН, № 2, 23 (1965).
Я. А г а е в, О. И с м а и л о в, Изв. АН ТуркмССР, сер. ФТХиГН, № 6, 52 (1965)
А. Б е р к е л и е в , К. Д у р д ы е в , ФТП 5 (4), 738 (1971).
А. Б е р к е л и е в , Л И . В е р е д а , Изв. АН ТуркмССР, сер ФТХиГН, №5, 97(1970)Я - А г а е в , О. М о с а н о в , С С у х а н о в , в сборнике «Физические свойства
полупроводников A3BD и А3В6», Баку, Изд во АН АзССР, 1967.
Я . А г а е в , А. А л л а н а з а р о в , О. И с м а и л о в , там же.
Я. А г а е в, А. Р. Μ и χ а й л о в, там же.
О. G a s a k o v . D. N. N a s l e d o v , S V . J S l o b o d c h i k o v , Phys
Stat Sol
35, 139 (1969).
M. Беркелиев, Г. Г. Джемилев, А. Мурадов, О. Овезгельдыев, М. Ширмамедов. Н е к о т о р ы е
результаты изучения
физики ионосферы.
1. Проведено комплексное экспериментальное исследование закономерности
пространственно-временных вариаций спорадических образований Показано, что,.
72
Ζ/ июня
/\.
JO
8
D
о
Λ — /ί
b
1
4
ι
I
.„
I
1
I
>.
7 июля
70
8
6
A-A A
A A-A A-A
^
A-A
Π июля
л/
л
71 9 CO
V /°
7 at>
* r t * ^
-
Л
/1
*
n
i
l
*
5 1 -
0900
Π93Π
ЮОО
WW
Рис
HDD
1
Π3D
. 1 y.
7200
1.
в отличие от регулярных слоев ионосферы, временная вариация спорадических образований является случайным процессом. На рис. 1 в качестве примера приводятся три
непрерывных сеанса измерений, проведенных в одно и то же время разных суток.
Кружочки соответствуют fBEs*SL точки — i^E&. Видно, что характер временных вариаций частотных параметров в этих сеансах весьма различный и для любого фиксированного момента времени значения их являются случайными величинами. Кроме того,