Вакуумно-плазменные процессы и технологии

advertisement
1. Цели и задачи дисциплины «Вакуумно-плазменные процессы и технологии»
Предметом изучения дисциплины «Вакуумно-плазменные процессы и технологии»
являются современные интенсивные плазмохимические технологии, применяемые в
производстве или имеющие перспективы применения в производстве материалов и изделий
электронной техники и смежных областях техники.
2. Место дисциплины «Вакуумно-плазменные процессы и технологии» в структуре
ООП магистратуры
Дисциплина «Вакуумно-плазменные процессы и технологии» базируется на результатах
изучения дисциплин естественно-научного цикла, в том числе математики, физики, химии,
информатики, а так же дисциплин профиля: «Физика конденсированного состояния»,
«Материалы электронной техники», «Техника высокого вакуума», «Технология тонких
пленок и покрытий», «Вакуумные технологические установки», «Введение в
нанотехнологии». Для успешного усвоения дисциплины студент должен
знать:
 основные понятия и методы математического анализа, линейной алгебры, дискретной
математики, теории дифференциальных уравнений и элементов теории уравнений
математической физики, теории вероятностей и математической статистики,
математических методов решения профессиональных задач;
 технические и программные средства реализации информационных технологий, основы
работы в локальных и глобальных сетях, типовые численные методы решения
математических задач и алгоритмы их реализации, один из языков программирования
высокого уровня;
 законы Ньютона и законы сохранения, принципы специальной теории относительности
Эйнштейна, элементы общей теории относительности, элементы механики жидкостей,
законы термодинамики, статистические распределения, законы электростатики, природу
магнитного поля и поведение веществ в магнитном поле, законы электромагнитной
индукции;
 электронное строение атомов и молекул, основы теории химической связи в соединениях
разных типов, строение вещества в конденсированном состоянии, основные
закономерности протекания химических процессов и характеристики равновесного
состояния, химические свойства элементов различных групп Периодической системы и их
важнейших соединений;
уметь:
 проводить анализ функций, решать основные задачи теории вероятности и
математической статистики, решать уравнения и системы дифференциальных уравнений
применительно к реальным процессам, применять математические методы при решении
типовых профессиональных задач;
 работать в качестве пользователя персонального компьютера, использовать внешние
носители информации для обмена данными между машинами, создавать резервные копии
и архивы данных и программ, использовать численные методы для решения
математических задач, использовать языки и системы программирования для решения
профессиональных задач, работать с программными средствами общего назначения;
 решать типовые задачи связанные с основными разделами физики, использовать
физические законы при анализе и решении проблем профессиональной деятельности;
 использовать основные химические законы, термодинамические справочные данные и
количественные соотношения неорганической химии для решения профессиональных
задач;
2
владеть:
 методами построения математической модели типовых профессиональных задач и
содержательной интерпретации полученных результатов;
 методами поиска и обмена информацией в глобальных и локальных компьютерных сетях,
техническими и программными средствами защиты информации при работе с
компьютерными системами;
 методами проведения физических измерений, методами корректной оценки погрешностей
при проведении физического эксперимента
 теоретическими методами описания свойств простых и сложных веществ на основе
электронного строения их атомов и положения в Периодической системе химических
элементов,
экспериментальными
методами
определения
физико-химических
неорганических соединений;
Освоение данной дисциплины как предшествующей необходимо при изучении следующих
дисциплин:
 Технология и оборудование производства изделий электронной техники.
3. Компетенции обучающегося, формируемые в результате освоения дисциплины
«Вакуумно-плазменные процессы и технологии»
-
-
-
способностью и готовностью к профессиональной эксплуатации современного
оборудования и приборов в соответствии с направлением и профилем подготовки
(ПК- 1);
оценивать эффективность и внедрять в производство новые технологии (ПК-7);
находить оптимальные решения при создании продукции с учетом требований
качества, надежности и стоимости, а также сроков исполнения, безопасности
жизнедеятельности и экологической чистоты (ПК-10);
Способен анализировать возможности современных нанотехнологий и оценивать
эффективность их внедрения в производство материалов и изделий электронной
техники (ПК-26).
В результате освоения дисциплины обучающийся должен
знать: роль и возможности интенсивных технологий, в том числе вакуумноплазменных в производстве материалов и изделий твердотельной электроники и смежных
областях техники; основные понятия и процессы взаимодействия лазерного излучения,
ионных и электронных потоков с твердым телом; особенности кинетики неравновесных
гетерогенных процессов и их технологические возможности; физические основы работы
современных плазмохимических и ионнохимических технологических установок.
уметь: применять полученные знания при теоретическом анализе, компьютерном
моделировании и экспериментальном исследовании физических процессов, лежащих в
основе технологии изготовления современных приборов электроники;
рассчитывать
основные технологические параметры и характеристики процессов обработки материалов
электронной техники концентрированными потоками высокоэнергетичных частиц; оценить
характер и направление влияния внешних факторов на скорость и другие параметры
технологических процессов плазменной обработки.
владеть: информацией об областях применения и перспективах развития
корпускулярно-фотонных технологий; навыками выбора методов и условий обработки
материалов различной природы; навыками анализа взаимосвязи технологических режимов и
качества обработки.
3
4. Структура дисциплины «Вакуумно-плазменные процессы и технологии»
Общая трудоемкость дисциплины составляет 5 зачетных единиц, 180 часов.
Вид учебной работы
Всего
Семестры
часов
1
2
3
51
51
Аудиторные занятия (всего)
В том числе:
Лекции
Практические занятия (ПЗ)
Семинары (С)
Лабораторные работы (ЛР)
Самостоятельная работа (всего)
В том числе:
Курсовой проект (работа)
Расчетно-графические работы
Реферат
Оформление отчетов по лабораторным работам
Подготовка к текущим занятиям, коллоквиумам
Подготовка к экзамену
Вид промежуточной аттестации (зачет, экзамен)
Общая трудоемкость
час
зач. ед.
17
34
-
17
34
-
129
129
40
60
29
экз
180
40
60
29
экз
180
5
5
4
5. Содержание дисциплины «Вакуумно-плазменные процессы и технологии»
5.1. Содержание разделов дисциплины
Модуль 1. Физико-химические основы плазмохимических процессов. Место и роль
плазменных процессов в технологии. Неравновесная низкотемпературная газоразрядная
плазма пониженного давления: терминология, общая характеристика, параметры. Активные
частицы плазмы, классификация активных частиц. Процессы под действием электронного
удара и их кинетические характеристики. Функция распределения электронов по энергиям.
Гомогенная и гетерогенная рекомбинация активных частиц. Транспорт активных частиц,
амбиполярная диффузия, плавающий потенциал. Общий подход к описанию гетерогенных
плазмохимических процессов.
Модуль 2. Технология плазмохимической очистки и травления неорганических
материалов. Классификация процессов плазменного травления и очистки. Технологические
требования и параметры, характеризующие процесс травления. Технологические газы.
Теория, технология и оборудование ионного травления. Теория, технология и оборудование
плазмохимического и радикального травления. Теория,
технология и оборудование
реактивно-ионного травления.
Модуль 3. Технология плазменной обработки полимерных материалов.
Применение органических веществ в технологии материалов и изделий электронной техники
и требования к ним с точки зрения плазмохимических процессов. Свойства кислородной
плазмы и ее воздействие на полимеры. Кинетические закономерности и выбор оптимальных
режимов проведения процесса.
Модуль 4. Контроль и управление плазменными процессами. Способы генерации
плазмы. Периодические разряды. Взаимосвязи между внешними и внутренними
параметрами плазмы. Методы контроля внутренних параметров и состава плазмы: метод
зондов Лангмюра, масс-спектральные методы, оптико-спектральные методы (абсорбционная
спектроскопия, эмиссионная спектроскопия, актинометрия, лазерно-индуцированная
4
флуоресценция).
Методы контроля скорости травления и состояния обрабатываемой
поверхности. Принципы автоматизированного управления плазменными процессами.
Модуль 5. Перспективы применения плазменных процессов в технологии.
Технология изготовления интегральных микросхем на пороге нового тысячелетия.
Плазменные процессы в производстве вакуумных и газоразрядных приборов. Плазменные
процессы в машиностроении и металлообработке. Плазмохимические технологии в
текстильной и легкой промышленности. Плазма и охрана окружающей среды.
5.2 Разделы дисциплины и междисциплинарные связи с обеспечиваемыми
(последующими) дисциплинами
№
п/п
№ разделов данной дисциплины, необходимых
для изучения обеспечиваемых (последующих)
дисциплин
1
2
3
4
5
Наименование обеспечиваемых
(последующих) дисциплин
Технология и оборудование
производства
изделий
твердотельной электроники и
наноэлектроники
1.
+
+
+
+
5.3. Разделы дисциплины «Вакуумно-плазменные процессы и технологии» и виды
занятий
№
п/п
1.
2.
3.
4.
5.
Наименование раздела дисциплины
Физико-химические
основы
плазмохимических процессов
Технология плазмохимической
очистки и травления материалов
Технология
плазменной
обработки
полимерных
материалов
Контроль
и
управление
плазменными процессами
Перспективы
применения
плазменных
процессов
в
технологии
Лекц
П.З.
Л.Р.
Сем.
СРС
4
8
-
-
30
Вс.
час.
42
4
8
-
-
30
42
2
6
-
-
25
33
4
6
-
-
24
34
3
6
-
-
20
29
6. Лабораторный практикум по дисциплине «Вакуумно-плазменные процессы и
технологии»
Лабораторный практикум
технологии» не предусмотрен.
по
дисциплине
«Вакуумно-плазменные процессы и
7. Практические занятия (семинары) по дисциплине «Вакуумно-плазменные процессы
и технологии»
Практические занятия по дисциплине «Вакуумно-плазменные процессы и технологии»
объемом 34 часа выполняется в виде:
 учебно-исследовательского практикума по плазмохимической тематике на научноисследовательских установках кафедры (14 час.);
 выполнения индивидуальных расчетно-аналитических заданий по моделированию
кинетики плазмохимических процессов (14 час.);
5
 обсуждения материалов рефератов (6 час.)
8. Примерная тематика курсовых проектов (работ) по дисциплине «Вакуумноплазменные процессы и технологии»
Курсовые проекты или работы данной дисциплине не планируются
9. Образовательные технологии и методические рекомендации по организации
изучения дисциплины «Вакуумно-плазменные процессы и технологии»
Чтение лекций по данной дисциплине проводится с использованием мультимедийных
презентаций. Слайд-конспект курса лекций включает более 200 слайдов. Презентация
позволяет преподавателю четко структурировать материал лекции, экономить время,
затрачиваемое на рисование на доске схем, написание формул и других сложных объектов,
что дает возможность увеличить объем излагаемого материала. Кроме того, презентация
позволяет очень хорошо иллюстрировать лекцию не только схемами и рисунками которые
есть в учебном пособии, но и полноцветными фотографиями, рисунками, портретами ученых
и т.д. Электронная презентация позволяет отобразить физические и химические процессы в
динамике, что позволяет улучшить восприятие материала. Студентам предоставляется
возможность копирования презентаций для самоподготовки и подготовки к экзамену.
Поскольку лекции читаются для одной группы студентов (10 – 15 чел.) непосредственно в
аудитории контролируется усвоение материала основной массой
студентов путем
тестирования по отдельным модулям дисциплины. При работе в мало контингентной группе,
сформированной из достаточно успешных студентов, целесообразно использовать
диалоговую форму ведения лекций с использованием элементов практических занятий,
постановкой и решением проблемных задач и т.д. В рамках лекционных занятий можно
заслушать и обсудить подготовленные студентами рефераты.
Лабораторные занятия проводятся в виде выполнения реальных и виртуальных
лабораторных работ. Реальные лабораторные работы по плазмохимической тематике
выполняются в виде учебно-исследовательского практикума на научно-исследовательских
установках кафедры под руководством преподавателей, являющихся руководителями
квалификационной работы бакалавра. Виртуальные лабораторные работы проводятся в
дисплейном классе кафедры на ПЭВМ.
Внеаудиторная самостоятельная работа по данной дисциплине организуется в
следующих формах:
 работа с электронным учебником, включая тестирование для самопроверки усвоенных
знаний
 подготовка и написание рефератов, докладов, очерков и других письменных работ на
заданные темы;
 выполнение домашних заданий разнообразного характера. Это - решение задач; подбор и
изучение литературных источников; подбор иллюстративного и описательного материала
по отдельным разделам курса в сети Интернет;
 выполнение индивидуальных заданий, направленных на развитие у студентов
самостоятельности и инициативы. Индивидуальное задание может получать как каждый
студент, так и часть студентов группы;
10.
Оценочные средства для текущего контроля успеваемости, промежуточной
аттестации по итогам освоения дисциплины и учебно-методическое обеспечение
самостоятельной работы студентов
Всего по текущей работе студент может набрать 50 баллов, в том числе:
- практические занятия – 15 баллов;
- лабораторный практикум – 15 баллов;
- итоговая контрольная работа - 10 баллов;
6
- домашнее задание или реферат – 10 баллов.
Зачет проставляется автоматически, если студент набрал по текущей работе не менее
26 баллов. Минимальное количество баллов по каждому из видов текущей работы составляет
половину от максимального.
Тематика рефератов по дисциплине «Вакуумно-плазменные процессы и технологии»
1. Вакумно-плазменное травление алюминия
2. Вакумно-плазменное травление меди
3. Вакумно-плазменное травление арсенида галлия
4. Вакумно-плазменное травление кремния и его соединений
5. Плазма кислорода и ее применение в технологии
6. Плазма воздуха и ее применение в технологии
7. Плазма хлора и ее применение в технологии
8. Спектральные методы исследования плазмы
9. Принципы математического моделирования плазмы
10. Применение эмиссионных спектров для исследования и контроля плазмохимических
процессов.
11. Зондовые методы исследования плазмы.
12. Масс-спектрометрия в исследовании плазмохимических процессов.
13. Методы измерения концентрации нейтральных активных частиц в плазме.
15.Плазмохимическая обработка полимерных материалов.
16. Плазмохимическая обработка текстильных матеориалов.
Комплект контрольно-измерительных материалов для промежуточного и итогового
контроля
Промежуточный контроль по лекционному курсу осуществляется в виде тестовых
экзаменов по каждому модулю дисциплины. Всего подготовлено около 200 тестовых
заданий.
Итоговый контроль по дисциплине осуществляется в виде письменного экзамена.
Экзаменационные билеты формируются из перечня вопросов, приводимого ниже.
Программа использования инновационных технологий в преподавании дисциплины
«Вакуумно-плазменные процессы и технологии»
1) По дисциплине имеется электронный гипертекстовый учебник, предназначенный для
самостоятельной работы студентов. Учебник позволяет после изучения каждого раздела
проводить самоконтроль по тестовым заданиям. В случае неверного ответа студент
отсылается к той части теоретического курса, который ему необходимо дополнительно
проработать.
2) В обучении используется база данных по электровакуумным и газоразрядным приборам,
созданная на кафедре. Студенты активно привлекаются к пополнению этой базы с
использованием сети Интернет.
3) Сформирован банк тестовых заданий по дисциплине, который используется для
самоподготовки студентов, а так же при промежуточном контроле по дисциплине.
4) При выполнении заданий на самостоятельную работу студенты могут использовать
имеющиеся в дисплейном классе кафедры расчетные и моделирующие программы.
5) При подготовке отчетов по лабораторным работам студенты проводят обработку
результатов эксперимента необходимые расчеты на ПЭВМ.
Итоговый экзамен по дисциплине проводится в две ступени:
 Тестовый экзамен (20 закрытых заданий), на котором студент должен набрать не менее 26
баллов (оценка «удовлетворительно»);
7
 Письменный экзамен, который проводится
по вопросам, приводимым ниже.
Экзаменационный билет включает два вопроса из приводимого ниже перечня. Студент на
письменном экзамене может набрать до 24 баллов.
Результат экзамена (максимум 50 баллов) определяется как сумма тестовой и
письменной частей.
Пример тестового задания по дисциплине «Вакуумно-плазменные процессы и
технологии»
1. Квазинейтральность плазмы – это:
1) равенство концентраций ионов и нейтральных частиц
2) равенство концентраций отрицательных ионов и электронов
3) равенство концентраций положительно и отрицательно заряженных частиц
4) доминирование концентрации электронов над ионами
5) доминирование концентрации нейтральных частиц над заряженными
2. Какой из перечисленных параметров не относится к внешним параметрам плазмы
1) давление плазмообразующего газа
2) концентрация электронов
3) скорость потока газа
4) мощность, вкладываемая в плазму
5) состав плазмообразующего газа
3. Какое соотношение между температурами электронов (Te), ионов (Ti) и нейтральных
частиц (Tn) характерно для неизотермической низкотемпературной плазмы
1) Te = Ti = Tn
2) Te = Ti > Tn
3) Te < Ti = Tn
4) Te < Ti < Tn
5) Te > Ti = Tn
4. Какой из перечисленных процессов носит название диссоциативного прилипания:
1) AB + e → A + B + e
2) AB + e → A + B+ + 2e
3) AB + e → AB- + e
4) AB + e → A- + B+ + e
5) AB + e → A- + B
5. Какой из перечисленных процессов носит название рекомбинации:
1) AB + e → A- + B
2) AB + e → AB+ + 2e
3) A+ + B → B+ + A
4) A- + B → A + B + e
5) A- + B+ → A + B
6. Процесс рекомбинации заряженных частиц в плазме идет:
1) с выделением энергии
2) с поглощением энергии
3) без изменения энергии
4) с выделением или с поглощением, в зависимости от типа частиц
5) с выделением или с поглощением, в зависимости от вида рекомбинации
7. Плавающий потенциал – это:
1) положительный потенциал плазмы относительно стенок реактора
8
2) отрицательный потенциал плазмы относительно стенок реактора
3) избыточный отрицательный потенциал одного электрода относительно другого
4) отрицательный потенциал, возникающий на поверхности, контактирующей с плазмой
5) положительный потенциал, возникающий на поверхности, контактирующей с плазмой
8. Амбиполярная диффузия – это:
1) диффузия электронов
2) совместная диффузия электронов и положительных ионов
3) совместная диффузия электронов и отрицательных ионов
4) диффузия под действием внешнего электрического поля
5) совместная диффузия электронов и нейтральных частиц
9. Коэффициент амбиполярной диффузии электронов:
1) равен коэффициенту их свободной диффузии
2) ниже коэффициента их свободной диффузии
3) выше коэффициента их свободной диффузии
4) может быть выше и ниже в зависимости от типа газа
5) может быть выше и ниже в зависимости от давления газа
10. Зависимость коэффициента распыления от энергии ионов - это:
1) прямая, выходящая из центра координат
2) кривая с насыщением
3) кривая с минимумом
4) экспонента с отрицательным показателем
5) кривая с максимумом
11. В процессе ионно-плазменного травления основными активными частицами являются:
1) все частицы плазмы
2) положительные ионы и нейтральные возбужденные частицы
3) положительные и отрицательные ионы
4) отрицательные ионы
5) положительные ионы
12. При протекании процесса травления в кинетическом режиме, его скорость:
1) не зависит от температуры подложки
2) экспоненциально возрастает с ростом температуры
3) линейно возрастает с ростом температуры
4) линейно снижается с ростом температуры
5) характер изменения зависит от типа газа
13. При протекании процесса травления в диффузионном режиме, его скорость
лимитируется:
1) скоростью хим. реакции на поверхности
2) скоростью доставки активных частиц из объема к поверхности
3) скоростью адсорбции активных частиц
4) скоростью десорбции продуктов реакции
5) величиной температуры обрабатываемой поверхности.
14. В процессе радикального травления основными активными частицами являются:
1) все частицы плазмы
2) нейтральные частицы
3) нейтральные частицы и электроны
4) нейтральные частицы и положительные ионы
5) нейтральные частицы и отрицательные ионы
9
15. Загрузочный эффект – это:
1) невоспроизводимость результатов травления от партии к партии пластин
2) влияние примесей атмосферного воздуха на результат травления
3) зависимость скорости травления от числа одновременно обрабатываемых пластин
4) зависимость скорости травления от размеров реактора
5) зависимость скорости травления от давления газа
16. Для какого вида травления характерно образование радиационных дефектов:
1) радикальное
2) плазменное
3) ионно-плазменное
4) фотостимулированное газовое
5) жидкостное
17. Какой из видов травления наиболее чувствителен к примесям кислорода в рабочем газе:
1) радикальное
2) плазменное
3) ионно-плазменное
4) фотостимулированное газовое
5) реактивное ионное
18. Скорость ионно-плазменного травления с ростом давления газа
1) монотонно снижается
2) монотонно возрастает
3) не изменяется
4) проходит через минимум
5) проходит через максимум
19. Анизотропия травления количественно характеризуется отношением:
1) скоростей травления в центре и на краю пластины
2) скоростей травления в пластины в двух взаимно перпендикулярных направлениях
3) скоростей травления пластины и маски
4) скоростей травления пластины и образования активных частиц плазмы
5) шероховатостей поверхности до и после травления
20. Селективность травления количественно характеризуется отношением:
1) скоростей травления в центре и на краю пластины
2) скоростей травления в пластины в двух взаимно перпендикулярных направлениях
3) скоростей травления пластины и маски
4) скоростей травления пластины и образования активных частиц плазмы
5) шероховатостей поверхности до и после травления
Вопросы для письменного экзамена по дисциплине «Вакуумно-плазменные процессы и
технологии»
1.
2.
3.
4.
5.
Неравновесная низкотемпературная газоразрядная плазма: основные понятия,
определения, свойства.
Место и роль плазменных процессов в технологии микроэлектроники.
Активные частицы плазмы. Реакции под действием электронного удара, их типы и
кинетические характеристики.
Сечение процесса. Функция распределения электронов по энергиям и определяющие ее
параметры.
Гибель (рекомбинация) нейтральных и заряженных частиц.
10
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
Транспорт активных частиц плазмы. Амбиполярная диффузия, плавающий потенциал.
Уравнение непрерывности плотности потока частиц. Пространственные распределения
частиц в реакторе. Баланс вкладываемой мощности.
Классификация процессов взаимодействия активных частиц плазмы с поверхностью.
Закономерности ионного распыления материалов.
Основные подходы к анализу плазменных гетерогенных реакций. Многостадийность и
многоканальность. Диффузионный и кинетический режимы реакции.
Теория активных центров Лангмюра-Хиншельвуда. Кинетика адсорбционнодесорбционных процессов.
Феноменологическая модель процесса плазменного травления. Режимы травления и их
особенности.
Плазмохимическое травление: классификация, объекты, рабочие газы, технологические
параметры.
Способы генерации плазмы. Сравнительная характеристика различных систем.
Плазменное травление: область применения, типовые реакторы, зависимости скорости
от внешних параметров процесса.
Радикальное травление: область применения, типовые реакторы, зависимости скорости
от внешних параметров процесса.
Ионно-плазменное: область применения, типовые реакторы, зависимости скорости от
внешних параметров процесса.
Реактивное ионно-плазменное травление: область применения, типовые реакторы,
зависимости скорости от внешних параметров процесса.
Стимулированное травление: область применения, типовые реакторы, зависимости
скорости от внешних параметров процесса.
Методы контроля параметров плазмы и процессов плазменного травления.
11. Учебно-методическое и информационное обеспечение дисциплины «Вакуумноплазменные процессы и технологии»
а) основная литература:
1. Берлин, Е. В. Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии / Е. В. Берлин,
Л. А. Сейдман. - М. : Техносфера, 2010. - 528 с. (20 экз.)
2. Ефремов, А. М., Светцов, В. И., Рыбкин, В. В. Вакуумно-плазменные процессы и
технологии .- Иваново, 2006 .- 260 с. (49 экз)
3. Киреев В.Ю. Введение в технологии микроэлектроники и наноэлектроники. М.: ФГУП
«ЦНИИХМ». 2008. 428 с. (25 экз.)
4. Ефремов А.М., Светцов В.И. Неравновесная плазма хлора: свойства и применение. М.:
Физматлит. 2012. 216 с. (50 экз).
б) дополнительная литература:
1. Плазменная технология в производстве СБИС .— М.: Мир, 1987 .— 469 с. (2 экз.)
2. Данилин, Б. С., Киреев, В. Ю. Применение низкотемпературной плазмы для травления
мтериалов .— М.: Энергоатомиздат, 1987 .— 263 с. (2 экз.)
3. Ивановский, Г. Ф. , Петров, В. И. Ионно-плазменная обработка материалов .— М.:
Радио и связь, 1986 .— 232 стр. (1 экз.)
в) программное обеспечение
 Системные программные средства: Microsoft Windows XP, Microsoft Vista
 Прикладные программные средства: Microsoft Office 2007, Mozilla FireFox
 Специализированное программное обеспечение: СДО Moodle, SunRAV BookOffice Pro,
SunRAV TestOfficePro.
 программы для расчета кинетических коэффициентов процессов, протекающих при
электронных ударах,
11
Download