841. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, В.В.Калугин

1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
В.И.Гольданский, А.В.Иванова, Е.П.Прокопьев. Об аннигиляции позитронов в
гидридах щелочных металлов. Журнал экспериментальной и теоретической
физики. 1964. Т.47. Вып.8. С.659-666.
А.В.Иванова, Е.П.Прокопьев. Аннигиляция позитронов из связанных состояний
системы е+Н-. Тезисы доклада «Симпозиум по ядерной химии высоких энергий».
М.: ИХФ АН СССР. 1963. С.6.
В.И.Гольданский, Е.П.Прокопьев. Об аннигиляции позитронов в
щелочногалоидных кристаллах. Физика твердого тела. 1964. Т.6. Вып.11. 3301-3306.
А.В.Иванова, Е.П.Прокопьев. Об аннигиляции медленных позитронов в гидридах
щелочных металлов. Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1965.
Т.48. Вып.4. С.1155-1158.
Гольданский В.И., Иванова А.В., Прокопьев Е.П. Применение метода Хартри-Фока
к задачам аннигиляции позитронов в конденсированных средах ионного типа // В
кн.: Ядерная химия М.: Наука, 1965. С.249-267.
Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов из поляронных
состояний в щелочно-галоидных кристаллах // В кн: Ядерная химия. М.: Наука,
1965. С.282-289.
Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Захват позитронов дефектами в щелочногалоидных кристаллах // В кн.: Ядерная химия. М.: Наука, 1965. С.290-297.
Прокопьев Е.П. Об аннигиляции медленных позитронов в ионных кристаллах // В
кн.: Тезисы докладов 4 Всесоюзного совещания по квантовой химии. Киев:
Наукова Думка, 1966. С.70.
Прокопьев Е.П. Об аннигиляции термализованных позитронов в ионных
кристаллах. Применение метода аннигиляции для характеристики поляронных
состояний // В кн.: Тезисы докладов 4 Всесоюзного совещания по квантовой
химии. Киев: Наукова Думка, 1966. С.71.
Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Прокопьев Е.П. и др. Квантовые свойства атомов и
ионов и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1975. 242 с.
Арефьев К.П., Арифов П.У., Прокопьев Е.П. и др. Позитронсодержащие системы и
позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1978. 192 с.
19. Прокопьев Е.П. Применение метода аннигиляции для характеристики
поляронных состояний в ионных кристаллах // Физика твердого тела. 1966. Т.8.
Вып.2. С.464-466.
Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Об аннигиляции медленных позитронов в
ионных средах // Физика твердого тела. 1966. Т.8. Вып.2. С.515-524.
Прокопьев Е.П. Об аннигиляции медленных позитронов в гелии // Теоретическая и
экспериментальная химия. 1966. Т.2. Вып.4. С.543-545.
Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Об аномалиях аннигиляции позитронов в
ионных кристаллах // Письма в ЖЭТФ. 1966. Т.4. Вып.5. С.422--425.
Прокопьев Е.П. О локализованных состояниях электронов на неидеальной
поверхности полупроводника // Физика твердого тела. 1966. Т.8. Вып. 11. С.27702772.
Иванова А.В., Прокопьев Е.П. О взаимодействии медленных позитронов с ионами
H  в гидридах щелочных металлов // Теоретическая и экспериментальная химия.
1967. Т.3. Вып.4. С.471-477.
Прокопьев Е.П. Атом позитрония в твердых телах // Физика твердого тела. 1967.
Т.9. Вып.7. С.1266-1268.
Прокопьев Е.П. Влияние хемосорбции свободных атомов на электрофизические
свойства тонких окисных полупроводниковых пленок // Кинетика и катализ. 1968.
Т.9. №2. С.450-451.
20.
21.
22.
23.
24.
25.
26.
27.
28.
29.
30.
31.
32.
33.
34.
35.
36.
37.
38.
Цыганов А.Д., Варисов А.З., Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция
позитронов в окислах металлов // Физика твердого тела. 1969. Т.11. Вып.8. С.20792087.
Бартенев Г.М., Цыганов А.Д. Варисов А.З., Прокопьев Е.П. Аннигиляция
позитронов в кварце, облученном быстрыми нейтронами // Журнал
экспериментальной и теоретической физики. 1970. Т.58. Вып.6. С.1904-1910.
Прокопьев Е.П. О возможности применения метода аннигиляции позитронов для
характеристики экситонных состояний в ионных кристаллах // Известия ТСХА.
1970. №1. С.227-230.
Бартенев Г.М., Плетнев М.Н., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Образование и
динамическая стабильность атома позитрония в ионных кристаллах // Физика
твердого тела. 1970. Т.12. Вып.6. С.2733-2735.
Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. О возможности применения
методов аннигиляции позитронов для исследования процессов хемосорбции //
Кинетика и катализ. 1970. Т.11. Вып.3. С.808-809.
Прокопьев Е.П. Аномальное тушение триплетного позитрония магнитным полем в
конденсированной фазе // Известия ТСХА. 1970. №5. С.197-203.
Бартенев Г.М., Цыганов А.Д., Прокопьев Е.П., Варисов А.З. Атом позитрония в
ионных кристаллах // Известия вузов. Физика. 1970. №7. С.71-75.
Гольданский В.И., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Определение эффективных
зарядов отрицательных ионов по временам жизни позитронов //
Журнал
структурной химии. 1970. №6. С.1123-1124.
Бартенев Г.М., Варисов А.З., Гольданский В.И., Плетнев М.Н., Прокопьев Е.П.,
Цыганов А.Д.
Атом позитрония в окисных полупроводниках с развитой
поверхностью // ДАН СССР. 1970. Т.197. №2. С.560-563.
Бартенев Г.М., Плетнев М.Н., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Аннигиляция
позитронов из связанных состояний системы О2-е+ в кристаллах // Физика
твердого тела.1971. Т.13. С.1211-1213.
Бартенев Г.М., Варисов А.З., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Термализация
позитронов в ионных кристаллвх // Известия вузов. Физика. 1971. №4. С.68-72.
Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в идеальных ионных
кристаллах // Физика твердого тела. 1971. Т.13. Вып.10. С.2955-2964.
Гольданский В.И., Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Слабо связанные
поверхностные состояния атома позитрония // Физика твердого тела. 1971. Т.13.
Вып.11. С.3194-3198.
Бартенев Г.М., Цыганов А.Д., Прокопьев Е.П., Варисов А.З. Аннигиляция
позитронов в ионных кристаллах // Успехи физических наук. 1971. Т.103. Вып.2.
С.339-354.
Бартенев Г.М., Варисов А.З., Иванова А.В., Плетнев М.Н., Прокопьев
Е.П., Цыганов А.Д. Атом позитрония в ионных кристаллах с решегкой типа NaCl
// Физика твердого тела 1972. Т.14. Вып.3. С.715-717.
Варисов А.З., Прокопьев Е.П. Позитронные центры в дефектных ионных
кристаллах // Физика твердого тела. 1972. Т.14. С.588-590.
Прокопьев Е.П. О свойствах F+ - центров в дефектных кристаллах с ионным
типом связи // Физика твердого тела. 1972. Т.14. Вып.10. С.2924-2926.
Бартенев Г.М., Варисов А.З., Гольданский В.И., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д.
Определение эффективных зарядов анионов в средах ионного типа позитронным
методом // Успехи химии. 1972. Т.41. Вып.4. С.585-599.
ПрокопьевЕ.П. Энергетический спектр и аннигиляционные характеристики атома
позитрония в ионных кристаллах // Оптика и спектроскопия. 1974. Т.36. Вып.2.
С.361-367.
39.
40.
41.
42.
43.
44.
45.
46.
47.
48.
49.
50.
51.
52.
53.
54.
55.
56.
57.
Варисов А.З., Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в ионных
кристаллах // Химия высоких энергий. 1974. Т.8. Вып.4. С.368. - Деп. в ВИНИТИ.
№59-74 Деп., 47 с.
Прокопьев Е.П. Атом позитрония в полупроводниках // Известия вузов. Физика.
1974. №4. С.38-40.
Прокопьев Е.П. Об аннигиляции позитронов на глубоких примесных уровнях в
полупроводниках // Физика твердого тела. 1974. Т.16. Вып.3. С.730-732.
Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях в
щелочно-галоидных кристаллах // Известия вузов. Физика. 1974. №10. С.76-79.
Прокопьев Е.П. О диффузии и кинетике распада ортопозитрония в пористых
ионных системах с развитой поверхностью // Кинетика и катализ. 1977. Т.18.
С.776-779.
Прокопьев Е.П. Влияние фононов решетки на энергетический спектр и
аннигиляционные характеристики атома позитрония в ионных кристаллах. М.,
1975. 6 с. Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1456. РИ.75.15.3799.
http://www.erjournal.ru/journals_n/1351429142.pdf
52. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Воробьев С.А. Аномально сильное магнитное
тушение интенсивности долгоживущей компоненты времени жизни позитрона I2
в ионных кристаллах // Известия вузов. Физика. 1975. №6. С.147-148.
53. Прокопьев Е.П. О применении метода аннигиляции позитронов в
спектроскопии твердых тел. М., 1975. 15 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1454.
РИ.75.3800.
54. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. О полиэлектронных системах Уилера в
дефектных кристаллах // Оптика и спектроскопия. 1975. Т.39. С.998-999.
Прокопьев Е.П. О механизме аннигиляции позитронов в ионных кристаллах. М.,
1975. 11с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1455. РИ.75.15.3797.
Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н. О применении метода аннигиляции позитронов
для изучения электронной структуры и физико-химических характеристик
материалов. М., 1975. 29 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1422. РИ.75.09.2278.
Прокопьев Е.П. О таммовских позитронных состояниях в полупроводниках. М.,
1975. 8 с. - Деп. в ЦНИИ ”Электроника”. Р-1452. РИ.75.15.3795.
Прокопьев Е.П. Многоэлектронная теория моттовского состояния позитрония в
ионных кристаллах. М., 1975. 8 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1457.
РИ.75.15.3796.
Прокопьев Е.П. Теория аннигиляции позитронов в ионных кристаллах. М., 1975.
11 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1453. РИ.75.15.3798.
Прокопьев Е.П. Позитроны и атом позитрония в идеальных ионных кристаллах // В
кн.: Квантовые свойства атомов и ионов и позитронная диагностика. Ташкент:
ФАН, 1975. Гл.3-4. С. 117-136.
Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Кинетические схемы процесса аннигиляции
позитронов в ионных кристаллах // В кн.: Тезисы докладов “3 Всесоюзное
совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов”. Саласпилс,
1975. С.275.
Прокопьев Е.П. Краткие сведения о возможной классификации и свойствах
позитронных состояний в ионных кристаллах // В кн.: “3 Всесоюзное совещание
по радиационной физике и химии ионных кристаллов”. Саласпилс, 1975. С.271.
Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. О кинетике аннигиляционного распада позитронных
состояний в реальных ионных кристаллах // Известия вузов. Физика. 1977. №9.
С.50-55.
Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Стародубов В.Г. О поверхностных
позитронных и позитрониевых состояний в ионных кристаллах // Известия вузов.
Физика. 1978. №1. с.76-80.
58.
59.
60.
61.
62.
63.
64.
65.
66.
67.
68.
69.
70.
71.
72.
Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. , Разумовская И.В., Хашимов Ф.Р., Кузнецов
Ю.Н., Маркова Т.И. Аннигиляция позитронов в монокристаллах арсенида галлия //
В кн.: Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН,
1978. С.118-122.
Varisov A.Z., Prokopiev E.P. Positronium in ionic crystals and semiconductors // In
book: Abstracts of papers 4 Internat. Conf. on Positron Annihilation. Helsingor,
Denmark. 23-26 august 1976. P.2. F-3.
Прокопьев Е.П. Об аномальных свойствах атома позитрония (Ps) в ионных
кристаллах и полупроводниках // Физика твердого тела. 1977. Т.19. Вып.2. С.472475.
Прокопьев Е.П.
Особенности позитронных аннигиляционных спектров
полупроводников с глубокими примесными центрами // В кн.: Тезисы докладов “23
Всесоюзная конференция по люминесценции”. Кишинев: Штиница. 1976. С.5.
Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Батавин В.В. Феноменологическая теория
глубоких примесных центров и оптические переходы в полупроводниках. М.,
1976. 17 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1717. РИ.76.12.3940.
Прокопьев Е.П. Позитронные и позитрониевые состояния в реальных ионных
кристаллах // В кн.: Квантовые свойства атомов и ионов и позитронная
диагностика. Ташкент: ФАН, 1975. С.137-167.
Прокопьев Е.П. Метод квантового дефекта в применении к задачам аннигиляции
термализованных позитронов на глубоких примесных центрах в полупроводниках
// В кн.: Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика. Ташкент:
ФАН, 1978. С.100-103.
Прокопьев Е.П. О процессах распада и превращений позитронных состояний в
полупроводниках с глубокими примесными центрами //
В кн.:
Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1978.
С.95-100.
Прокопьев Е.П. О взаимодействии термализованных позитронов с глубокими
примесными центрами в полупроводниках // В кн.: Тезисы докладов “28
Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1978.
С.550.
Прокопьев Е.П. О влиянии температуры на позитронные аннигиляционные
спектры дефектных ионных кристаллов // В кн.: Тезисы докладов “28 Совещание
по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1978. С.551.
Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Арефьев В.П. О сопоставлении свойств
позитронных и электронных центров окраски // В кн.: Тезисы докладов “4
Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов”.
Саласпилс, 1978. С.101.
Прокопьев Е.П. О свойствах атомов мюония и позитрония в полупроводниках и
ионных кристаллах // В кн.: Тезисы докладов “28 Совещание по ядерной
спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1978. С.552.
Прокопьев Е.П. Некоторые вопросы теории позитронных состояний и механизм
аннигиляции позитронов в реальных кристаллах. М., 1976. 15 с. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-1664. РИ.76.07.2280.
Прокопьев Е.П. Применение метода позитронной аннигиляции для исследования
сорбционных процессов // В кн.: “Ионный обмен и хроматография. Рефераты и
краткие сообщения”. Воронеж: Изд-во ВГУ, 1976. С.333.
Прокопьев Е.П. О роли исследования позитронных и позитрониевых состояний в
науке и технике // В кн.: “Cимпозиум по взаимодействию атомных частиц с
поверхностью твердого тела, посвященного памяти академика АН УзССР
У.А.Арифова”. Ташкент : ФАН, 1979. С.113.
73.
74.
75.
76.
77.
78.
79.
80.
81.
82.
83.
84.
85.
86.
87.
88.
Прокопьев Е.П. Позитронные состояния и механизм процессов аннигиляции
позитронов в реальных полупроводниках // Тезисы докладов 4 Всесоюзного
совещания “Физика и технические применения полупроводников А 2В6 “. Киев:
Наукова Думка, 1976. С.165.
Прокопьев Е.П. Определение эффективных зарядов атомов по позитронным
аннигиляционным спектрам полупроводниковых соединений А2В6”. Киев: Наукова
Думка, 1976. С.166.
Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Цой А.А. Аннигиляция позитронов
в облученном электронами кристалле кремния // Физика твердого тела. 1977.
Т.19. С.1339-1344.
Прокопьев Е.П. Теория атома позитрония (Ps) в ионных кристаллах и
полупроводниках. М.,1977. 15 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1974.
РИ.77.01.542.
Прокопьев Е.П. О влиянии поверхностных состояний на границе раздела
полупроводник n-типа - металл на величину барьера Шоттки // Электронная
техника. Сер.3. Микроэлектроника. 1979. Вып.1. С.93-95.
Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Хашимов Ф.Р. Основы позитроники
полупроводников. М.,1976. 343 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2073.
РИ.77.06.3412.
Прокопьев Е.П., Батавин В.В. Применение феноменологической теории РайссаКауса к оптическим переходам в полупроводниках с участием примесных центров
с глубоким уровнем. М., 1978. 5 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2543. МРС
ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №6. 1979. Сер. “ЭР”.
Мокрушин А.Д., Кузнецов Ю.Н., Ольховикова Т.И., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р.
Аннигиляция позитронов в монокристаллах полупроводниковых соединений А 3В5
// Физика твердого тела. 1977. Т.19. Вып.11. С.3339-3344.
Annihilation of Positrons in Single Crystals of III-V Semiconductors Mokrushin, A D |
Kuznetsov, Y U N | Olkhovikova, T I | Prokopev, E P | Khashimov, F R Soviet PhysicsSolid State. Vol. 19, no. 11, pp. 1949-1952. Nov. 1977
Воробьев А.А., Арефьев К.П., Воробьев С.А., Каретников А.С., Прокопьев Е.П.,
Кузнецов Ю.Н., Хашимов Ф.Р. Маркова Т.И. Исследование процесса аннигиляции
позитронов в нарушенных поверхностных слоях GaAs // Физика и техника
полупроводников. 1977. Т.11. Вып.4. С.651-655.
Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н. К вопросу обоснования оптической модели атома
позитрония в ионных кристаллах // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1978.
Вып.1. С.64-67.
Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н. О применении метода аннигиляции для
исследования свойств полупроводниковых материалов при высоких давлениях //
Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1977. Вып.2. С.114-116.
Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Термализация позитронов в атомных
полупроводниках // Известия вузов. Физика. 1978. №7. С.152-153.
Батавин В.В., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. О форме спектров
фотолюминесценции на глубоких примесных центрах сложного состава в арсениде
галлия. М., 1978. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2367. Сб. ВИМИ “Военная
техника и экономика”. Сер. общетехническая. №14. 1978.
Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Ильясов А.З., Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н.,
Иванютин Л.А. Исследование аннигиляции позитронов в полупроводниковых
соединениях GaAs и GaP // Физика и техника полупроводников. 1978. Т.12. Вып.5.
С.891-894.
Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях на поверхности и в нарушенных
поверхностных слоях полупроводников // В кн.: Тезисы докладов “6 Всесоюзное
совещание по физике поверхностных явлений в полупроводниках”. Киев: Наукова
Думка. 1977. С.88.
89. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Арефьев В.П., Воробьев С.А. Влияние температуры
на позитронные аннигиляционные спектры дефектных ионных кристаллов //
Известия вузов. Физика. 1980. №11. С.118-120.
90. Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Исследование механизма и динамики релаксации
неустойчивых процессов в электронном материаловедении //
Электронная
техника. Сер.6. Материалы. 1978. Вып.7. С.35-39.
91. Арефьев К.П., Батавин В.В., Воробьев С.А., Кузнецов Ю.Н., Погребняк А.Д.,
Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в эпитаксиальных слоях GaAs // Физика
и техника полупроводников. 1978. Т.12. С.803-806.
92. Прокопьев Е.П. Позитроний и его свойства в полупроводниках и щелочногалоидных кристаллах // Химия высоких энергий. 1978. Т.12. Вып.2. С.172-174.
93. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Этин Г.И. Анизотропия
импульсного распределения электронов полупроводников по данным аннигиляции
позитронов // Известия вузов. Физика. 1978. №7. С.153-155.
94. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Ильясов А.З., Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н.,
Иванютин Л.А., Хряпов В.Т., Литош А.Г., Бочкарев С.Э. Исследование методом
аннигиляции позитронов свойств глубоких акцепторных уровней в арсениде и
фосфиде галлия // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1978. Вып.7. С.46-52.
95. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Кузнецов Ю.Н., Маркова Т.И., Погребняк А.Д.,
Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Взаимодействие позитронов с дислокациями в
полупроводниках GaAs n-типа // Физика твердого тела. 1979. Т.21. Вып.1. С.278280.
96. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Арефьев В.П., Погребняк А.Д.
Исследование структурных дефектов (пленка-подложка) полупроводников
методом аннигиляции позитронов // В кн: Тезисы докладов “5 Симпозиум по
процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов”. Новосибирск: Изд-во
АН СССР, 1978. С.157.
97. Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П., Варисов А.З. Основы теории позитронных
состояний в ионных кристаллах. М., 1978. 292 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”, Р2382. Сб. ВИМИ “Военная техника и экономика”. Сер. общетехническая. №14.
1978.
98. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Арефьев В.П. О позитронных состояниях на
поверхности и в дефектных поверхностных слоях полупроводников // Известия
вузов. Физика. 1979. №7. С.71-75.
99. Варисов А.З., Арефьев К.П., Воробьев А.А., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П.
Позитроны в конденсированных средах. М., 1977. 489 с. - Деп. в
ЦНИИ
“Электроника”. Р-2317. Сб. ВИМИ “ Военная техника и экономика”. Сер.
общетехническая. №9. 1978.
100. Варисов А.З., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Почему в полупроводниках
наблюдается одно короткое время жизни позитронов // ДАН СССР. 1978. Т.239.
№5. С.1082-1085.
101. Варисов А.З., Прокопьев Е.П. Рассеяние атомов позитрония на оптических
фононах в ионных кристаллах. Термализация позитрония // Известия вузов.
Физика. 1979. №5. С.66-70.
102. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Цой А.А., Этин Г.А., Погребняк
А.Д. Исследование полупроводниковых материалов методом аннигиляции
позитронов // В кн: Тезисы докладов Всесоюзной конференции “Радиационные
дефекты в твердых телах”. Ашхабад: Изд-во ТГУ, 1977. С.63.
103. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Погребняк А.Д. Использование
метода аннигиляции позитронов для исследования примесных и деформированных
образцов GaAs // В кн: Тезисы докладов “8 Всесоюзная конференция по
микроэлектронике”. М.: Ред.-изд. отдел МИЭТ, 1978. С.71.
104. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Погребняк А.Д. Исследование аннигиляции
позитронов в
GaAs п-типа с различной плотностью дислокаций и в
эпитаксиальных слоях // В кн.: Тезисы докладов “28 Совещание по ядерной
спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1978. С.542.
105. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Ильясов А.З., Прокопьев Е.П. Некоторые
особенности аннигиляции позитронов в соединениях А3В5 // В кн.: Тезисы
докладов Всесоюзной конференции “Физика соединений А3В5”. Л.: Изд.-во ЛПИ,
1978. С.43.
106. Прокопьев Е.П. О новом ядерно-физическом методе
исследования свойств
веществ // В кн.: Тезисы докладов “4 Всесоюзная конференция по радиационной
физике и химии ионных кристаллов”. Саласпилс, 1978. С.409.
107. Прокопьев Е.П. О
возможности исследования поверхностных свойств
полупроводников и процесса адсорбции атомов и молекул методом аннигиляции
позитронов // Тезисы докладов 3 Всесоюзного совещания “Дефекты структуры в
полупроводниках”. Новосибирск: Изд-во СО АН СССР, 1978. С.258.
108. Прокопьев Е.П. О применении теории Райсса-Кауса к оптическим переходам и
аннигиляции позитронов в полупроводниках с участием глубоких примесных
центров // В кн.: Тезисы докладов 3 Всесоюзного совещания “Дефекты структуры в
полупроводниках”. Новосибирск: Изд-во СО АН СССР, 1978. С.150.
109. Варисов А.З., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в
полимерах. М., 1978. 126 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2501. Сб. ВИМИ
“Военная техника и экономика”. Сер. общетехническая. №24. 1978.
110. Аршакуни Р.Г., Захарянц А.Г., Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Аннигиляция
позитронов в иттрий-алюминиевом гранате, облученном жестким гаммаизлучением // В кн.: Тезисы докладов “4 Всесоюзное совещание по радиационной
физике и химии ионных кристаллов”. Саласпилс, 1978. С.367.
111. Дружков А.П., Кузнецов В.П., Прокопьев Е.П., Чистяков Ю.Д. Исследования
сверхпроводящих поликристаллических пленок ниобия и ГЭС ниобия на  - Al2O3
методом аннигиляции позитронов // В кн.: Тезисы докладов “20 Всесоюзное
совещание по физике низких температур”. М.: Изд-во МГУ, 1979. Т.3.
“Cверпроводимость”. С.77.
112. Дружков А.П., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П., Федоров В.А. Исследование
аннигиляции позитронов в кремнии, содержащем дефекты, возникающие в
процессе эпитаксиального наращивания пленок // Физика и техника
полупроводников. 1980. Т.14. С.200-202.
113. Прокопьев Е.П. Комплексы Уилера в полупроводниках. М., 1979. 12 с. - Деп. в
ЦНИИ “Электроника”. Р-2757. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”.
№28. 1979. Сер. “ЭР”.
114. Прокопьев Е.П. Особенности позитронной спектроскопии широкозонных
полупроводников // Тезисы докладов “3 Всесоюзное совещание по широкозонным
полупроводникам”. Л.: Изд-во ЛЭТИ, 1978. С.32.
115. Прокопьев Е.П. К теории аннигиляционного распада позитронных и
позитрониевых состояний внутри разупорядоченных областей (РО) и других
макродефектах в полупроводниках // В кн.: Тезисы докладов “29 Совещание по
ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1979. С.499.
116. Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Ильясов А.З., Кузнецов Ю.Н., Иванов
Г.А., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в фосфиде галлия, легированном
атомами переходных элементов // Физика и техника полупроводников. 1979. Т.13.
С.1810-1815.
117. Мокрушин
А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в соединениях A2B6 //
Физика твердого тела. 1979. Т.21. Вып.8. С.2452-2454.
118. Прокопьев Е.П. Об аннигиляции позитронов и атома позитрония в
разупорядоченных областях и других макродефектах в полупроводниках. М., 1979.
15 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2648. МРС ВИМИ “Техника, технология,
экономика”. №19. 1979. Сер.”ЭР”.
119. Гарнак А.Е., Мокрушин А.Д., Прилипко В.И., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р.
Исследование методом аннигиляции позитронов полупроводниковых соединений //
Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1979. Вып.5. С.62-66.
120. Прокопьев
Е.П. Аннигиляционный распад связанных позитронных и
позитрониевых состояний на донорно-акцепторных парах в полупроводниках // В
кн.: Тезисы докладов “30 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре
атомного ядра”. Л.: Наука, 1980. С.555.
121. Прокопьев Е.П., Батавин В.В., Хашимов Ф.Р. О механизме захвата позитронов 60 0
дислокациями в полупроводниках п- и р-типа // В кн.: Тезисы докладов
“Cимпозиум по взаимодействию атомных частиц с поверхностью твердого тела,
посвященного памяти академика АН УзССР У.А.Арифова”. Ташкент: ФАН, 1979.
С.145.
122. Антуфьев Ю.П., Мищенко В.М., Иванютин Л.А., Мокрушин А.Д., Попов А.И.,
Прокопьев Е.П., Сторижко В.Е. Трехквантовая аннигиляция позитронов в
полупроводниковых соединениях фосфиде и арсениде галлия // Тезисы докладов
“Cимпозиум по взаимодействию атомных частиц с поверхностью твердого тела,
посвященного памяти академика АН УзССР У.А.Арифова”. Ташкент: ФАН, 1979.
С.143-144.
123. Дружков А.П., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в автоэпитаксиальных
структурах (АЭС) кремния // В кн.: Тезисы докладов “Cимпозиум по
взаимодействию атомных частиц с поверхностью твердого тела, посвященного
памяти академика АН УзССР У.А.Арифова”. Ташкент: ФАН, 1979. С.122-123.
124. Прокопьев Е.П. Введение в теорию позитронных процессов в полупроводниках и
ионных кристаллах. М., 1979. 384 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2837. МРС
ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №27. 1980. Сер.”ЭР”.
125. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в алмазоподобных
полупроводниках // Тезисы докладов “30 Совещание по ядерной спектроскопии и
структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1980. С.553.
126. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Влияние Оже-процессов на аннигиляционный
распад комплексов Уилера в полупроводниках // Тезисы докладов “30 Совещание
по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1980. С.556.
127. Прокопьев Е.П. Об аннигиляционном распаде позитронных и позитрониевых
состояний в сильно компенсированных полупроводниках // Тезисы докладов “30
Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1980.
С.554.
128. Батавин В.В., Дружков А.П., Гарнак А.Е., Мокрушин А.Д,, Прокопьев Е.П.,
Хашимов Ф.Р. Исследование дефектов в эпитаксиальных структурах кремния,
возникающих в процессе термообработки, методом аннигиляции позитронов //
Микроэлектроника. 1980. Т.9. С.120-122.
129. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Минаев В.С., Бадру Киссека, Куприянова Р.М.
Аннигиляция позитронов в халькогенидных полупроводниковых материалах //
Физика и техника полупроводников. 1980. Т.14. Вып.7. С.1271-1275.
130. Прокопьев Е.П. Особенности позитронной спектроскопии полупроводников // В
кн.: “Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников. 2-е
Всесоюзное совещание по широкозонным полупроводникам. Ленинград, 1979”. Л.:
ФТИ им. А.Ф. Иоффе. 1979. С.265-269.
131. Мокрушин
А.Д., Прокопьев Е.П., Разумовская И.В., Григорович С.М. Аннигиляция
позитронов в кристаллах со структурой граната // Физика твердого тела. Т.22.
Вып.4. С.1252-1253.
132. Varisov A.Z., Prokopiev E.P. Positron- and positronium atom-phonon scatterring in ionic
crystals and semiconductors // In book: Abstracts of the Fifth International Conference on
Positron Annihilation. Lake Yamanaka. Japan 8-11 april. 1979. NL-21. P.208.
133. Varisov A.Z., Prokopiev E.P., Kuznetsov Yu.N. The foundations of positronics of real
ionic crystals and semiconductors // In book: Abstracts of the Fifth International
Conference on Positron Annihilation. Lake Yamanaka. Japan. 8-11 april. 1979. NL-22.
P.208.
134. Варисов А.З., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П., Филипьев А.И. Физика и химия
превращений позитронов и позитрония в полимерах // Успехи химии. 1980. Т.50.
Вып.4. С.1892-1922.
135. Антуфьев Ю.П., Мищенко В.М., Иванютин Л.А., Попов А.И., Прокопьев Е.П.,
Сторижко В.Е. Исследование трехквантовой аннигиляции позитронов в
полупроводниках GaP и GaAs // Украинский физический журнал. 1980. Т.25.
С.1396-1398.
136. Варисов А.З., Прокопьев Е.П. Особенности магнитного тушения позитрония в
полупроводниках // Известия вузов. Физика. 1980. №11. С.75-78.
137. Прокопьев Е.П. Исследование механизма захвата 60-градусными дислокациями в
полупроводникапх п- и р-типов атомов пара-Ps. Определение параметров 60градусных дислокаций // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1980. Вып.1.
С.71-74.
138. Захарянц А.Г., Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в области рп перехода в кремнии // Известия АН Армянской ССР. Физика. 1980. Т.14. С.14141418.
139. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Образование и распад позитронных состояний в
полупроводниках // В кн.: Тезисы докладов “31 Совещание по ядерной
спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1981. С.569.
140. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. О рассеянии позитронов на точечных и линейных
дефектах в полупроводниках. Время термализации позитрона при низких
температурах // В кн.: Тезисы докладов “31 Совещание по ядерной спектроскопии
и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1981. С.568.
141. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Стародубов В.Г., Цой А.А., Минаев В.С., Семенов
Ю.С., Хряпов В.Т. Аннигиляция позитронов в кристаллических и стеклообразных
материалах тройных систем Tl-Ge-Te и Tl-Si-Te //
Физика
и техника
полупроводников. 1980. Т.14. С.1904-1907.
142. Арефьев К.П., Боев О.В., Прокопьев Е.П. Влияние экранирования свободными
носителями на свойства атома позитрония в реальных полупроводниках // Физика
и техника полупроводников. 1981. Т.15. С.2089. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р3135. М., 1981. 6 с.
143. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Нурмагамбетов С.Б. Комплексы Уилера в
кристаллах // Известия вузов. Физика. 1981. №4. С.16-17.
144. Халваши Х.Т., Прокопьев Е.П., Арефьев К.П. К вопросу теории термализации
позитронов // Известия вузов. Физика. 1981. №4 . С.16-17.
145. Прилипко
В.И., Прокопьев Е.П. Позитронная аннигиляция - новый
неразрушающий метод контроля качества материалов // Электронная
промышленность. 1980. №11-12. С.20-22.
146. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Хвостов Д.В., Кузнецов Ю.Н., Хашимов Ф.Р.,
Гарнак А.Е., Дементьев Ю.С. Анализ дефектности стандартных пластин кремния
методом аннигиляции позитронов // Журнал технической физики. 1981. Т.51.
С.1938-1941.
147. Мокрушин
А.Д., Прокопьев Е.П., Хвостов Д.В., Кузьмин А.А. Исследование
эпитаксиальных структур КНС и подложек сапфира методом аннигиляции
позитронов // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1981. Вып.2. С.32-34.
148. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П. Позитроника в радиационном
материаловедении ионных структур и полупроводников. М.: Энергоатомиздат,
1983. 88 с.
149. Бочкарев С.Э., Иванютин Л.А., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М.,
Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В. Исследование радиационных нарушений,
возникающих при облучении протонами GaAs п-типа, методом позитронной
аннигиляции // Физика твердого тела. 1981. Т.23. Вып.1. С.211-214.
150. Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т., Арефьев К.П. К вопросу теории термализации
позитронов в твердых телах // В кн.: Тезисы докладов “31 Совещание по ядерной
спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1981. С.556.
151. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Цой А.А. Исследование примесных атомов в
полупроводниковых кристаллах методом аннигиляции позитронов // Тезисы
докладов “31 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”.
Л.: Наука, 1981. С.552.
152. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в реальных
полупроводниках // В сб.: Прикладная ядерная спектроскопия. М.:
Энергоатомиздат, 1982. Т.11. С.236-238.
153. Бочкарев С.Э., Иванютин Л.А., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М.,
Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В. Исследование радиационных нарушений в
полупроводниковых соединениях A3B5, облученных гамма-квантами и протонами,
методом позитронной аннигиляции. Препринт ИТЭФ-133. М.: Изд-во ОНТИ
ИТЭФ, 1980. 18 с.
154. Арефьев К.П., Блецкан Н.И., Кузнецов П.В., Прокопьев Е.П. Захват позитронов
радиационными дефектами в Si п- и р-типа // Физика твердого тела. 1981. Т.23.
С.1542-1545.
155. Батавин В.В., Прокопьев Е.П., Салманов А.Р., Фунтиков Ю.В. К вопросу
определения зарядовых состояний атомов кислорода в кремнии методом
аннигиляции позитронов // Электронная техника. Сер.3. Микроэлектроника. 1981.
Вып.3. С.95-97.
156. Прокопьев Е.П. О природе позитронных состояний в кремнии // Электронная
техника. Сер.6. Материалы. 1981. Вып.9. С.47-48.
157. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Прокопьев Е.П. Исследование дефектной структуры
материалов первой стенки разрядной камеры термоядерных реакторов методом
аннигиляции позитронов // В кн.: Тезисы докладов “31 Совещание по ядерной
спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1981. С.601.
158. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Образование и распад позитронных состояний в
полупроводниках // В сб.: Прикладная ядерная спектроскопия. Л.:
Энергоатомиздат, 1984. Т.13. С.87-89.
159. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Рассеяние позитронов на точечных и линейных
дефектах в полупроводниках. Время термализации позитронов при низких
температурах // В сб.: Прикладная ядерная спектроскопия. Л.: Энергоатомиздат,
1984. Т.13. С.82-84.
160. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Цой А.А., Дерябин А.Н., Хряпов В.Т. Исследование
примесных атомов в полупроводниковых соединениях A3B5 методом позитронной
аннигиляции // Физика и техника полупроводников. 1982. Т.16. Вып.1. С.147-149.
161. Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Крупышев Р.С., Прокопьев Е.П.
Аннигиляция позитронов в фосфиде галлия, легированном медью // Электронная
техника. Сер.6. Материалы. 1982. Вып.11. С.27-28.
162. Абагян
С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Иванов Г.А., Прокопьев Е.П.
Аннигиляция позитронов в фосфиде галлия, легированном марганцем // Физика и
техника полупроводников. 1981. Т.15. С.708-711.
163. Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. К теории термализации позитронов в веществах //
Труды педагогических институтов Грузинской ССР. 1980. Т.7. С.141-146.
164. Прокопьев Е.П. О влиянии дефектов структуры тригонального селена на степень
локализации позитрония и анализ его дефектности // Электронная техника. Сер.6.
Материалы. 1981. Вып.11. С.48-50.
165. Прокопьев Е.П. Исследование процессов физической адсорбции и хемосорбции с
помощью медленных позитронов // В кн.: Краткие сообщения “18 Всесоюзная
конференция по эмиссионной электронике”. М.: Наука, 1981. С.314-315.
166. Прокопьев Е.П. Исследование поверхности полупроводниковых материалов с
помощью медленных позитронов // В кн.: Краткие сообщения “18 Всесоюзная
конференция по эмиссионной электронике”. М.: Наука, 1981. С.313.
167. Арефьев К.П., Минаев В.С., Прокопьев Е.П. Цой А.А. К вопросу исследования
стеклообразного состояния методом позитронной аннигиляции // В кн.: Тезисы
докладов “7 Совещание по стеклообразному состоянию”. Л.: Изд-во АН СССР,
1981. С.46.
168. Арифов П.У., Прокопьев Е.П., Арутюнов Н.Ю. К вопросу исследования дефектов
структуры материалов первой стенки разрядной камеры термоядерных реакторов
методом позитронной аннигиляции // В кн.: Тезисы докладов “32 Совещание по
ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Самарканд: Наука, 1981.
С.601.
169. Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Особенности аннигиляции медленных позитронов в
металлах и образование атома позитрония // Труды педагогических институтов
Грузинской ССР. 1981. Т.9. С.63-64.
170. Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Аннигиляция позитрония в ионных кристаллах //
Труды педагогических институтов Грузинской ССР. 1981. Т.9. С.65-68.
171. Варисов А.З., Прокопьев Е.П., Арефьев К.П. Природа магнитного тушения
позитрония в полупроводниках // В кн.: Тезисы докладов “32 Совещание по
ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1982. С.515.
172. Арефьев К.П., Стародубов В.Г., Цой А.А., Этин Г.И., Прокопьев Е.П., Минаев В.С.,
Куприянова Р.М., Хряпов В.Т. Аннигиляция позитронов в кристаллических и
стеклообразных As2S3 и As2Se3 // Физика и техника полупроводников. 1980. Т.14.
Вып.11. С.2163-2166.
173. Прилипко В.И., Прокопьев Е.П., Федоров В.А., Арефьев К.П. Применение
позитронной аннигиляции в качестве неразрушающего метода контроля качества
материалов // Известия вузов. Физика. 1982. №5. С.40-43.
174. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Позитроны и атом позитрония в ионных кристаллах //
В кн.: Тезисы докладов “32 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре
атомного ядра”. Л.: Наука, 1982. С.514.
175. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Исследование свойств атома
позитрония в полупроводниках по методу Фока // Межвузовский сборник научных
работ. Тбилиси: Изд-во ТГПИ им. А.С.Пушкина. 1982. С.50-54.
176. Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Крупышев Р.С., Прокопьев Е.П.,
Тращаков В.Ю. Исследование подложек фосфида галлия, легированных медью,
методом аннигиляции позитронов // В кн.: Тезисы докладов “6 Конференция по
процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов
и
пленок”.
Новосибирск: ИНХ СО АН СССР, 1982. С.67-68.
177. Прокопьев Е.П. Термализация позитронов в германии и кремнии // Электронная
техника. Сер.6. Материалы. 1983. Вып.8. С.75-76.
178. Прокопьев
Е.П. Исследование позитронсодержащих атомов и ионов методом
Хартри-Фока. М., 1982. 32 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3413. МРС ВИМИ
“Техника, технология, экономика”. №17. 1982. Сер.”О”.
179. Kobrin B.V., Kuprijanova R.M., Minaev V.S., Prokopiev E.P., Shantarovich V.P. Study
of imperfections in Ge-Te semiconductors by the positron annihilation technique //
Phys. status solidi (a). 1982. V.73. №2. P.321-324.
180. Прокопьев Е.П. Позитронная томография - новый метод неразрушающего контроля
качества материалов // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1982. С.36-37.
181. Kobrin B.V., Kuprijanova R.M., Minaev V.S., Prokopiev E.P., Shantarovich V.P. Study
of imperfections in semiconductors by positron annihilation technique // Proc. of the
internat. conf. “Amorphous Semiconductors” - 82. Bucharest. 30 august - 4 semtember,
1982. P.189-191.
182. Kobrin B.V., Kuprijanova R.M., Minaev V.S., Prokopiev E.P., Shantarovich V.P.
Influence of Tl small admixtures on the structure of glassy As-S-Se semiconductors
(Positron annihilation technique) // Proc. of the
internat. conf. “Amorphous
Semiconductors” - 82. Bucharest. 30 august - 4 semtember, 1982. P.191-193.
183. Прокопьев Е.П. О новых методах исследования материалов электронной техники с
помощью позитронной аннигиляции // Электронная техника. Сер.6. Материалы.
1983. Вып.1. С.72-73.
184. Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Иванов Г.А., Прокопьев Е.П.,
Тращаков В.Ю. Аннигиляция позитронов в GaP, легированном атомами Mn и Cu //
В кн.: Тезисы докладов “32 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре
атомного ядра”. Л.: Наука. С.591.
185. Прокопьев Е.П. Позитроны и позитроний в кристаллах. М., 1982. 138 с. - Деп. в
ЦНИИ “Электроника”. Р-3475. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”.
№8. 1983. Сер.”ЭР”.
186. Прокопьев Е.П. О динамике позитрония и позитронов в кристаллах // Электронная
техника. Сер.6. Материалы. 1983. Вып.8. С.29-30.
187. Прокопьев Е.П. Простая модель связанного состояния позитрона на вакансиях
металлов // В кн.: “Радиационные дефекты в металлах. Материалы 2 Всесоюзного
совещания. Алма-Ата. 1980”. Алма-Ата: Наука, 1981. С.59-62.
188. Прокопьев Е.П. Исследование технически важных материалов с помощью
медленных позитронов. М., 1982. 64 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534. МРС
ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1983. №16. Сер.”ЭР”.
189. Прокопьев Е.П. Ps-поляроны в ионных кристаллах // В кн.: Тезисы докладов
“33 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука.
1983. С.557.
190. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. О модели Фрелиха поляронного состояния позитрона
в кристалле // В кн.: Тезисы докладов “33 Совещание по ядерной спектроскопии и
структуре атомного ядра. Л.: Наука. 1983. С.543.
191. Прокопьев Е.П. Исследования позитронных процессов в кристаллах. М., 1982. 60 с.
- Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3556. МРС ВИМИ “Техника, технология,
экономика”. 1983. Сер.”ЭР”.
192. Арефьев К.П., Прилипко В.И., Прокопьев Е.П., Федоров В.А. Применение метода
аннигиляции позитронов для определения параметров точечных дефектов в
полупроводниках // Известия вузов. Физика. 1983. №8. С.117-118.
193. Прокопьев Е.П. Ps, локализованный в кристалле. М., 1983. 8 с. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-3634. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1983. №9.
Сер.”О”.
194. Kobrin B.V., Kuprijanova R.M., Minaev V.S., Prokopiev E.P., Shantarovich V.P.
Microstructure and Imperfections of Glassy and Glass-Ceramic Telluride
Semiconductors on the Bases of Positron Annihilation // Phys. status solidi (a). 1983.
V.78. №2. P.385-389.
195. Прокопьев Е.П. Позитроний в кристаллах // В кн.: Тезисы докладов “34 Совещание
по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1984. С.529.
196. Прокопьев Е.П., Тарасов В.Д., Фокина Л.А., Шантарович В.П. Исследование
квазиатомных систем позитрон-анион в полярных веществах. М., 1984. 23 с. - Деп.
в ЦНИИ “Электроника”. Р-3845. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”.
1984. №9. Сер.”О”.
197. Прокопьев Е.П. О механизмах переноса позитрония в кристалле // В кн.: Тезисы
докладов “34 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”.
Л.: Наука, 1984. С.530.
198. Прокопьев Е.П. Некоторые проблемы позитронной аннигиляции в веществах. М.,
1984. 15 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870. МРС ВИМИ “Техника,
технология, экономика”. 1984. №11. Сер.”О”.
199. Прокопьев Е.П. Исследование свойств позитрония в кристаллах. М., 1984. 30 с. Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3826. 30 с. МРС ВИМИ “Техника, технология,
экономика”. 1984. №8. Сер.”О”.
200. З.Р.Абдурасулев, П.У.Арифов, Н.Ю.Арутюнов, С.Н.Вассерман, А.Р.Группер,
Н.Н.Емелин, Г.И.Журавлева, П.А.Кебель, Ю.П.Кочерга, М.В.Кремков, Ф.Ли,
В.М.Мальян, А.А.Пайзиев, В.А.Пикут, Е.П.Прокопьев, С.А.Скопинов, С.А.Тишин,
С.В.Шевелев, А.В.Шевченко. Методы позитронной диагностики и расшифровки
спектров аннигиляции позитронов. Ташкент: Изд-во «ФАН», 1985. 312 с.
201. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на нейтральных атомах. М., 1984. 13 с. Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3973. “Сборник рефератов НИОКР, обзоров,
переводов и депонированных рукописей”. 1985. №4. Сер.”МФ”.
202. Прокопьев Е.П. Исследование модели оптического позитрона. М., 1984. 8 с. - Деп.
в ЦНИИ “Электроника”. Р-3974. “Сборник рефератов НИОКР, обзоров, переводов
и депонированных рукописей”. 1985. №4. Сер.”МФ”.
203. Прокопьев Е.П. Позитронные примесные центры в кристаллах. М., 1984. 31 с. Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3897. МРС ВИМИ “Техника, технология,
экономика”. 1984. №30. Сер.”ЭР”.
204. Прокопьев Е.П. О позитронных поляронах в ионных кристаллах. М., 1985. 8 с. Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4071. “Сборник рефератов НИОКР, обзоров,
переводов и депонированных рукописей”. 1985. №7. Сер.”МФ”.
205. Прокопьев Е.П. Некоторые вопросы позитронной метрики полупроводников и
наращивания полупроводниковых слоев.
М., 1985. 30 с. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-4164.
206. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на атомах и отрицательных ионах // В
кн.: Тезисы докладов “35 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре
атомного ядра”. Л.: Наука, 1985. С.528.
207. Прокопьев Е.П. Позитронные процессы в молекулярных веществах // В кн.: Тезисы
докладов семинара “Позитронная аннигиляция в твердых телах”. Киев: Ин-т
металлофизики АН УССР, 1985. С.5.
208. Прокопьев Е.П. К вопросу аннигиляции позитронов и атома позитрония в
анизотропных слоях полупроводников // В кн.: Тезисы докладов “36 Совещание по
ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1986. С.562.
209. Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Фундаментальные проблемы физики атома
позитрония и перспективы ее развития // В кн.: Межвузовский сборник научных
трудов. Тбилиси: ТГПИ им. А.С. Пушкина, 1984. С.152-157.
210. Прокопьев Е.П., Урбанович С.А. Позитроний в газе фононов // Весцi АН БССР.
Серия физико-математических наук. 1987. №5. С.92-94.
211. Прокопьев
Е.П., Тимошенко В.И., Хашимов Ф.Р. Времена жизни фейнмановских
позитронных поляронов в ионных кристаллах // Известия вузов . Физика. 1985. №8.
С.92-94.
212. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Френкелевская модель атома позитрония малого
радиуса. М., 1988. 5 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4939.
213. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на А-центрах в кремнии // Тезисы
докладов“37 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.:
Наука, 1987. С.591.
214. Гребинник В.Г., Гуревич И.И., Жуков В.А., Кузнецов Ю.Н., Маныч А.П., Марков
Е.В., Никольский Б.А., Пирогов А.В., Пономарев А.Н., Прокопьев Е.П.,
Селиванов В.И., Суэтин В.А., Хашимов Ф.Р., Хряпов В.Т. Деполяризация мюмезонов в полупроводниках CdS и ZnS // Препринт. ИАЭ-3019. Москва, 1978. 13 с.
http://www.iaea.org/inis/collection/NCLCollectionStore/_Public/10/446/10446621.pdf
215. Прокопьев Е.П. Исследование механизма и динамики релаксации неустойчивых
процессов в электронном материаловедении методом позитронной аннигиляции //
Программа и тезисы докладов “Всесоюзная школа по физики-химическим основам
электронного материаловедения”. Ашхабад: ТГУ. 1977. С.3.
216. Прокопьев Е.П. Атом позитрония в РО полупроводников // В кн.: Тезисы докладов
37 Совещания “Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра”. Л.: Наука,
1987. С.595.
217. Арефьев К.П., Кузнецов Ю.Н., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М.,
Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В. Применение метода аннигиляции позитронов для
изучения радиационных нарушений быстрыми протонами в Si, GaAs n-типа // В
кн.: Тезисы докладов “Широкозонные материалы для полупроводниковых
детекторов ядерного излучения”. Новосибирск: ИЯФ СО АН СССР, 1980. С.3.
218. Прокопьев Е.П. Простая модель связанного состояния позитрона на вакансиях
металлов // В кн.: Тезисы докладов 2 Всесоюзного совещания “Радиационные
дефекты в металлах”. Алма-Ата: ИЯИ АН КазССР, 1980. С.5.
219. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Исследование методом позитронной аннигиляции
электронной структуры и дефектности монокристаллов полупроводниковых
соединений A2B6 // Отчет ТПИ . № гос. регистрации 78048301. Томск: ТПИ. 1979.
1979. 60 с.
220. Дружков А.П., Петров С.В., Прокопьев Е.П. Исследование эпитаксиальных и
ионно-имплантированных структур кремния методом аннигиляции позитронов //
Приложение к отчету НИИМВ. Инв. №3635. 1980. 70 с.
221. Прокопьев Е.П. Об использовании энергии аннигиляции для передачи информации
в космическом пространстве. М., 1980. 6 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника. Р-2993.
222. Прокопьев Е.П. О роли исследования аннигиляции медленных позитронов и
антипротонов в веществе в целях возможности создания аннигиляционных
двигателей в космической технике будущего // Программа и доклад на 9
Гагаринских чтениях. М.: МАИ. 1979.
223. Прокопьев Е.П. О проблеме использования антиводорода в космической технике
будущего. М., 1980. 4 с. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-2994.
224. Бочкарев С.Э., Иванютин Л.А., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М.,
Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В. Исследование радиационных нарушений в
монокристаллах GaP, облученных протонами, методом позитронной аннигиляции.
М., 1982. С.110. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3475.
225. Батавин В.В., Прокопьев Е.П., Салманов А.Р., Фунтиков Ю.В. О проблеме
определения зарядовых состояний кислорода в кремнии методом позитронной
аннигиляции. М., 1982. С.111. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3475.
226. Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В., Хашимов Ф.Р.,
Хряпов В.Т. Исследование влияния дефектной структуры монокристаллов
полупроводников, выращенных в условиях микрогравитации, на импульсное
распределение валентных электронов методом аннигиляции позитронов // Тезисы
доклада и доклад на 11 Гагаринских чтениях. М.: МАИ. 1981.
227. Кузнецов
Ю.Н., Прокопьев Е.П. Исследование дефектов структуры
монокристаллов методом аннигиляции позитронов. М., 1982. С.40. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-3534.
228. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Исследование методом аннигиляции позитронов
электронной структуры и дефектности монокристаллов полупроводниковых
соединений A2B6 // Отчет ТПИ. № гос. регистрации 780483301. Томск: ТПИ. 1980.
60 с.
229. Иванова А.В., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов из связанных состояний
квазиатомных систем позитрон-анион // Доклад на 3 Всесоюзном совещании по
квантовой химии. Кишинев: КГУ, 1963.
230. Иванова А.В., Прокопьев Е.П. Исследование аннигиляции и радиационных
процессов в гидридах щелочных металлов методом Хартри-Фока // Доклад на 4
Всесоюзном совещании по квантовой химии. Киев: Наукова Думка, 1966.
231. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Позитроны и позитроний в ионных кристаллах. М.,
1985. С.6-10. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4164.
232. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Прокопьев Е.П. Позитроника дефектов в
полупроводниках. М., 1982. С.113. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3475.
233. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. О новом механизме
аннигиляции позитронов в металлах. М., 1982. С.115. - Деп. в
ЦНИИ”Электроника”. Р-3475.
234. Комлев В.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В.,
Марков Е.В.,
Прокопьев Е.П., Рыгылина Е.А., Хашимов Ф.Р., Хряпов В.Т. Исследование
аннигиляции позитронов в кристаллах антимонида индия, выращенных на борту
орбитальной станции “Салют-6” // Доклад на 11 Гагаринских чтениях. М.: МАИ.
1981.
235. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Исследование свойств атома
позитрония в полупроводниках по методу Фока. М., 1982. С.33-38. - Деп. в
ЦНИИ”Электроника”. Р-3534.
236. Бартенев Г.М., Варисов А.З., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Атом позитрония в
ионных кристаллах // Доклад на 6 Всесоюзном семинаре “Экситоны в кристаллах”.
Черноголовка: ИФТТ АН СССР, 1970.
237. Прокопьев Е.П. О квантовополевой теории вселенной. Модель анизотропного
минисуперпространства. М., 1992. С.91-95. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-5482.
Доклад на международном совещании по ядерной спектроскопии и структуре
атомного ядра. Минск,1991.
238. Прокопьев Е.П. О возможности рождения вселенной посредством квантового
туннелирования. М., 1992. С.90. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-5482.
239. Прокопьев Е.П. Применение позитронной томографии для исследования дефектов
структуры технически важных материалов. М., 1982. С.23. - Деп. в ЦНИИ
”Электроника”. Р-3534.
240. Батавин В.В., Комлев В.П., Марков Е.В., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов
В.Г., Фунтиков Ю.В., Хашимов Ф.Р., Хряпов В.Т. Исследование кристаллов
антимонида индия, выращенных в условиях невесомости, и состояния кислорода в
кремнии методом позитронной аннигиляции. М., 1982. С.127. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-3475.
241. Прокопьев Е.П. Об исследовании технически важных материалов методом
аннигиляции позитронов. М., 1985. С.3-10. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4164.
242. Прокопьев Е.П. О проекте использования аннигиляционных источников энергии.
М., 1982. С.118-126. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3475.
243. Прокопьев
Е.П. О применении позитронной томографии для иследования дефектов
структуры технически важных материалов. М., 1982. С.24-27. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-3534.
244. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Свойства позитронов и атома позитрония в ионных
кристаллах. М., 1982. С.32. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
245. Прокопьев Е.П. Применение позитронной томографии для исследования дефектов
структуры технически важных материалов // Тезисы докладов “13 Гагаринские
чтения”. М.: ИПМ АН СССР, 1983. С.38.
246. Батавин В.В., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Салманов А.Р., Самойлов В.М.,
Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В. Исследование методом аннигиляции позитронов
состояния кислорода в кремнии. М., 1982. С.39. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р3534.
247. Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Новый метод исследования поверхности
материалов с помощью медленных позитронов. М., 1982. С.28-31. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-3534.
248. Прокопьев Е.П. Использование метода аннигиляции позитронов для определения
энтальпий образования вакансий в полупроводниках. М., 1982. С.14. - Деп. в
ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
249. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Динамика позитрона и позитрония в кристаллах //
Доклад на сессии Ученого совета ИФИ АН АрмССР. Аштарак. 1982.
250. Прокопьев Е.П. Исследование методом аннигиляции позитронов искусственного
графита, используемого в ядерной энергетике. М., 1982. С.45. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-3534.
251. Прокопьев Е.П. Исследование полимерных и металлоорганических пленок
методом аннигиляции позитронов. М., 1982. С.46. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”.
Р-3534.
252. Прокопьев Е.П. О квантовополевой теории Вселенной. Модель анизотропного
минисуперпространства // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного
ядра. Тезисы докладов 41 Международного совещания. Л.: Наука, 1991. С.454.
253. Прокопьев Е.П. Применение метода аннигиляции позитронов для исследования
частиц ультрамалых размеров. М., 1982. С.47. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р3534.
254. Прокопьев Е.П. Квантовополевая теория Вселенной. Обзор. М., 1991. 34 с. - Деп. в
ВИНИТИ. 15.03. 91. №1133-В91.
255. Прокопьев Е.П. Об использовании метода аннигиляции позитронов в качестве
метода контроля в проблемах экологии. М., 1982. С.48. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-3534.
256. Прокопьев Е.П. Связанные состояния позитронов на вакансиях металлов. М., 1982.
С.49.- Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
257. Минаев В.С., Прокопьев Е.П. Общие проблемы исследования стеклообразного
состояния методом аннигиляции позитронов. М., 1982. С.50. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-3534.
258. Прокопьев Е.П. К вопросу о классификации и свойствах позитронных состояний в
ионных кристаллах. М., 1982. С.51-54. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
259. Прокопьев Е.П. Представление с помощью диаграмм Фейнмана спонтанного и
индуцированного испускания и поглощения фононов позитронием в кристалле. М.,
1982. С.55. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
260. Прокопьев Е.П. Применение метода функций Грина к решению задач позитронных
процессов в кристалле. М., 1982. С.56. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
261. Прокопьев Е.П. Эффективное взаимодействие между электронным и позитронным
поляронами. Атом позитрония в полярных кристаллах. М., 1982. С.57-59. - Деп. в
ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.
262. Прокопьев
Е.П. Исследование окисных пленок и пленок нитрида кремния с
помощью медленных позитронов. М., 1982. С.60. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р3534.
263. Прокопьев Е.П. Фундаментальные проблемы физики атома позитрония. М., 1982.
С.50-52. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3556.
264. Прокопьев Е.П. О проблеме получения интенсивных потоков позитронов. М., 1982.
С.53-54. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3556.
265. Прокопьев Е.П. Особенности действия позитронной радиации на технически
важные материлы. М., 1982. С.55. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3556.
266. Прокопьев Е.П. Об аннигиляционных гразерах. М., 1982. С.57. - Деп. в ЦНИИ
”Электроника”. Р-3556.
267. Прокопьев Е.П. Программа исследований радиационных дефектов в металлах,
полупроводниках, полимерах и других высокомолекулярных веществах с помощью
позитронной диагностики. М., 1982. С.58. - Деп в ЦНИИ”Электроника”. Р-3556.
268. Прокопьев Е.П. Программа исследований материалов электронной техники с
помощью позитронной диагностики. М., 1982. С.59-60. Р-3556.
269. Прокопьев Е.П. Программа исследований адсорбентов и катализаторов методом
позитронной диагностики. М., 1982. С.56. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3556.
270. Прокопьев Е.П. О познании сложных систем. I . Квантовополевая теория
анизотропной вселенной. М., 1991. С.30-34. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5436.
271. Прокопьев Е.П. Применение модели гармонического осциллятора для расчета
свойств позитронных центров окраски в кристаллах. М., 1983. С.9. - Деп. в
ЦНИИ”Электроника”. Р-3634.
272. Прокопьев Е.П. К вопросу позитронной метрики дефектов структуры твердого
тела. М., 1985. С.12-17. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4164.
273. Прокопьев Е.П. Космические энергетические проблемы в свете современных
достижений
физики
высоких энергий. М., 1983. С.10-11. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-3634.
274. Прокопьев Е.П. Позитронная томография - новый метод неразрушающего контроля
качества технически важных материалов. М., 1984. С.14. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-3870.
275. Прокопьев Е.П. Некоторые вопросы теории электронного материаловедения. М.,
1984. С.14. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3870.
276. Прокопьев Е.П. Определение энтальпий образования вакансий в полупроводниках
методом аннигиляции позитронов. М., 1983. С.12-14. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-3870.
277. Прокопьев Е.П. Ps в полупроводниках A2B6. М., 1984. С.4-5. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-3870.
278. Кобрин Б.В., Прокопьев Е.П., Шантарович В.П. Аннигиляция позитронов в
халькогенидных стеклообразных полупроводника. М., 1984. 37 с. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-3924.
279. Прокопьев Е.П. Позитронная томография - новый метод исследования
поверхности. М., 1984. С.10. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.
280. Прокопьев Е.П. Тяжелые комплексы Уилера в ЩГК. М., 1984. С.2-4. - Деп. в
ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.
281. Прокопьев Е.П. Квазиатомные системы е+F- во фторидах щелочных металлов. М.,
1984. С.6-8. - Деп. в ЦННИ”Электроника”. Р-3870.
282. Прокопьев Е.П. Обзор современных достижений в физике атома позитрония. М.,
1984. С.1-2. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.
283. Прокопьев Е.П. Исследование сложных систем на примере стохастических
моделей химических реакций в твердых телах и модели Минна рождения и
эволюции вселенной и/или вселенных. М., 1992. 29 с. - Деп. в ВИНИТИ. 06.04.92.
№1162-В92.
284. Прокопьев Е.П. Определение энтальпий образования вакансий в технически
важных материалах методом аннигиляции позитронов // В кн.: Тезисы докладов
“14 Гагаринские чтения”. М.: ИПМ АН СССР, 1984. С.77.
285. Prokop’ev E.P. “Gas” of Universes and Eternity. М., 1994. С.96-101. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-5500.
286. Прокопьев Е.П. “Газ” вселенных и вечный Мир. М., 1995. С.142-149. - Деп. в
ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.
287. Прокопьев Е.П. Позитроний в полупроводниковой квантовой яме и сильном
магнитном поле. I. М., 1994. С.130-138. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5500.
288. Прокопьев Е.П. О поверхностных состояниях на границе раздела полупроводникметалл. М., 1985. 5 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4290.
289. Прокопьев Е.П. О позитронии Френкеля. М., 1985. С.17-18. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-4164.
290. Прокопьев Е.П. Динамика позитронов в идеальных кристаллах. М., 1995. С.63-72. Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.
291. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на анионах в полярных веществах. М.,
1985. С.19-20. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4164.
292. Прокопьев Е.П. Комплексы Ex-Ps в молекулярных кристаллах. М., 1984. С.5-6. Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.
293. Прокопьев Е.П. Позитронная томография. Физические основы. Применения. М.,
1984. С.10-11. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.
294. Прокопьев Е.П. Теория позитронных примесных центров малого радиуса в ионных
кристаллах. М., 1995. С.89.- Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.
295. Прокопьев Е.П. Вычислительная томография в электронном материаловедении //
Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1987. Вып.1. С.78-80.
296. Прокопьев Е.П. Позитроний в полупроводниковой квантовой яме и сильном
магнитном поле. М., 1995. С.90-97. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р - 5501.
297. Прокопьев Е.П. Времена жизни магнитопозитрония в полупроводниковых
квантовых ямах. М., 1995. С.98-107. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.
298. Прокопьев Е.П. Соединения позитрония Х-е+ и Х=е+ в ионных средах: развитие
модели оптического позитрона. Эффективные заряды анионов. М., 1995. С.121-129.
- Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-5501.
299. Shantarovich V.P., Kobrin B.V., Prokopiev E.P. Positron Annihilation in chalcogenids
Glassy Semiconductors // The Report on “Sixteen Polish Seminar on Positron
Annihilation”. Pechoviche, 4-8 october , 1983.
300. Прокопьев Е.П. Соединения позитрония Х--е+ в ионных кристаллах: развитие
модели оптического позитрона. Эффективные заряды анионов. 1. М., 1995. С.109119. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.
301. Прокопьев Е.П. Времена жизни позитронов в полупроводниковом шаре. М., 1995.
С.132-140. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-5501.
302. Прокопьев Е.П. “Позитронные” эффективные заряды анионов в полярных
веществах. I . М., 1995. С.149-164. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.
303. Прокопьев Е.П. “Позитронные” эффективные заряды анионов в полярных
веществах. М., 1995. С.150-164. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.
304. Агафонов А.В., Лукичев А.В., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. К вопросу
определения эффективных зарядов атомов по данным фотоэлектронной и ожеспектроскопии // В кн.: Тезисы докладов 9 Всесоюзной научно-технической
конференции “Локальные рентгеноспектральные исследования и их применения”,
10-13 сентября 1985 г. Устинов: ФТИ УНЦ АН СССР, 1985. С.111-112.
305. Агафонов
А.В., Лукичев А.В., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Определение
эффективных зарядов атомов по данным фотоэлектронной и оже-спектроскопии //
Электронная техника. Сер.3. Микроэлектроника. 1986. Вып.1. С.3-5.
306. Прокопьев Е.П. Исследования в области физики медленных позитронов.
Позитронная аннигиляция - новый метод изучения строения вещества. М., 1986. 86
с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4367. Сб. реф. НИОКР, обзоров, переводов и
деп. рукописей. Сер.”ИМ”. №12. 1987.
307. Заболотный В.Д., Матяш П.П., Прокопьев Е.П. Исследование времен жизни
позитронов в полупроводниках А3В5 // Электронная техника. Сер.6. Материалы.
1990. Вып.7. С.60-61.
308. Прокопьев Е.П. Термализация позитронов и атома позитрония в молекулярных
вществах. М., 1987. 10 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4419. Сб. реф. НИОКР,
обзоров, переводов и деп. рукописей. Сер.”РТ”. №27. 1987.
309. Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в анизотропных слоях полупроводников.
М., 1987. 13 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4420. Сб. реф. НИОКР, обзоров,
переводов и деп. рукописей. Сер.”РТ”. №27. 1987.
310. Прокопьев Е.П. Элементарная теория атома позитрония в веществах. М., 1987. 8 с.
- Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-4421. Сб. реф. НИОКР, обзоров, переводов и деп.
рукописей. Сер.”РТ”. №27. 1987.
311. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на примесных атомах щелочных
металлов в кристаллах. М., 1987. 13 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4625. Сб.
реф. деп. рукописей. 1986. Вып.1.
312. Прокопьев Е.П. О позитрониевых состояниях в полупроводниках. М., 1987. 10 с. Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4474. Сб. реф. НИОКР, обзоров, переводов и деп.
рукописей. Сер.”РТ”. №47. 1987.
313. Прокопьев Е.П. О применениях метода аннигиляции позитронов для исследований
электронной и дефектной структуры ВТСП // Прогр. и доклад на 1 Всесоюзном
совещании “Физикохимия и технология высокотемпературных сверпроводящих
материалов”. М. ИМЕТ АН СССР, 1988. С.34.
314. Прокопьев
Е.П.
Аннигиляция
позитронов
в
высокотемпературных
сверхпроводящих материалах. М., 1989. 29 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р5090. Электронная техника. Сер.6. Материалы Вып.3. С.2.
315. Прокопьев Е.П. Определение энтальпий образования вакансий в полупроводниках
позитронным методом // В кн.: Тезисы докладов 4 Всесоюзной конференции
“Термодинамика и материаловедение полупроводников”. М.: Изд-во МИЭТ, 1989.
С.5.
316. Прокопьев Е.П. О применениях метода аннигиляции позитронов для исследований
электронной и дефектной структуры ВТСП // В кн.: Физикохимия и технология
высокотемпературных сверхпроводящих материалов. М.: Наука, 1989. С.474-475.
317. Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях в кремнии. М., 1989. 60 с. - Деп. в
ЦНИИ “Электроника”. Р-5154. Электронная техника. Сер.6. Материалы. Вып.4.
С.78.
318. Прокопьев Е.П. Исследование кремния, содержащего дефекты и кислород,
методом аннигиляции позитронов. М., 1989. 37 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р5472. Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1989. Вып.4. С.78.
319. Прокопьев Е.П. Физически адсорбированный атом позитрония на поверхности
твердых тел // В кн.: Тезисы докладов 4 семинара “Физическая химия поверхности
монокристаллических полупроводников”. Новосибирск: ИФП СО АН СССР,1989.
С.9.
320. Прокопьев Е.П. Позитроний и позитронная аннигиляция в твердых телах //
Программа и доклад на семинаре “Позитронная аннигиляция в твердых телах”.
Киев: ИМФ АН УССР, 1989. С.1.
321. Прокопьев
Е.П. Модифицированная модель оптического позитрона // В кн.:
Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 39 совещания.
Ташкент, 18-21 апреля 1989. Л.: Наука, 1989. С.501.
322. Заболотный В.Д., Матяш П.П., Прокопьев Е.П. Времена жизни позитронов в InP,
InSb и GaAs // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы
докладов 39 совещания . Ташкент, 18-21 апреля 1989. Л.: Наука, 1989. С.502.
323. Прокопьев Е.П. Определение эффективных зарядов атомов кислорода в ВТСП
материалах позитронным методом // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура
атомного ядра. Тезисы докладов 39 совещания. Ташкент, 18-21 апреля 1989. Л.:
Наука, 1989. С.503.
324. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в ионных средах и
оптическая модель позитрона // Известия вузов. Физика. 1990. №5. С.52-56.
325. Прокопьев
Е.П.
Аннигиляция
позитронов
и
высокотемпературная
сверхпроводимость // Химия высоких энергий. 1990. Т.24. №3. С.278-280.
326. Прокопьев Е.П. Общие принципы взаимодействия вещества и антивещества.
Нерелятивистская теория. М., 1990. 8 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5313.
Электронная техника. Сер.11. 1990. Вып.2. С.6.
327. Прокопьев Е.П. Исследование параметров дефектов в a-Si:H позитронным
методом. М., 1990. С.34. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5413.
328. Прокопьев Е.П. Диффузионно-аннигиляционная модель распада позитронных
состояний в полупроводниках. М., 1990. С.52. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р5413.
329. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на Н-связях в a-Si:H. М., 1990. С.35. Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5413.
330. Прокопьев Е.П. Общие принципы взаимодействия атомов с антиатомами.
Нерелятивистская теория. М., 1990. С.37. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5413.
331. Прокопьев Е.П. Исследование дефектов структуры ВТСП материалов методом
позитронной аннигиляции. М., 1990. С.36. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5413.
332. Прокопьев Е.П. О процессе аннигиляции позитронов в галактической среде с
низкой плотностью. М., 1990. С.39. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5413.
333. Прокопьев Е.П. Диффузионно-аннигиляционная модель распада позитронных
состояний на сферических дефектах в металлах // Письма в ЖТФ. 1990. Т.16.
Вып.24. С.6-10.
334. Прокопьев Е.П. Взаимодействие вещества и антивещества: системы p -Н и р- H .
М., 1991. С.55-59. - Деп. в ВИНИТИ. 5.07.91. №2886-В91.
335. Прокопьев Е.П. Позитронная аннигиляция и космическая гамма-астрономия. М.,
1991. С.58-59. - Деп. в ВИНИТИ. 5.07.91. №2886-В91.
336. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов и проблема суператомов в
полупроводниковых сверхструктурах. М., 1991. С.62-65. - Деп. в ВИНИТИ. 5.07.91.
№2886-В91.
337. Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях в квантовых ямах полупроводниковых
сверструктур. М., 1991. С.66-67. - Деп. в ВИНИТИ. 5.07.91. №2886-В91.
338. Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях в тонких полупроводниковых слоях.
М., 1991. С.68 - 69. - Деп. в ВИНИТИ. 5.07.91. №2886-В91.
339. Прокопьев Е.П. Энергетический спектр атома позитрония в малых сферических
частицах. М., 1991. С.70-71. - Деп. в ВИНИТИ. №2886-В91.
340. Прокопьев Е.П. О процессе аннигиляции позитронов в галактической среде с
низкой плотностью // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра.
Тезисы докладов 41 Международного совещания. Л.: Наука, 1991. С.453.
341. Прокопьев Е.П. Исследование дефектов структуры ВТСП материалов методом
аннигиляции позитронов // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного
ядра. Тезисы докладов 41 Международного совещания. Л.: Наука, 1991. С.475.
342. Прокопьев
Е.П. Исследование ВТСП материалов методом аннигиляции
позитронов. М., 1991. 51 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5451. Электронная
техника. Сер.6. Материалы. 1991. Вып.8. С.80.
343. Прокопьев Е.П. Позитроны зондируют сверхпроводимость // В кн.: Ядерная
спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 42 Международного
совещания. Санкт-Петербург: Наука, 1992. С.408.
344. Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях в полупроводниковых сверхрешетках //
В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 42
Международного совещания. Санкт-Петербург: Наука, 1992. С.408.
345. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов, связанных с отрицательными ионами в
диэлектрической среде. М., 1992. С.53-60. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5482.
346. Прокопьев Е.П. О позитронной метрике дефектов структуры твердого тела. М.,
1992. С.61-65. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5482.
347. Прокопьев Е.П. Позитроны и позитроний в квантовых ямах полупроводниковых
сверхструктур. М., 1992. С.66. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5482.
348. Прокопьев Е.П. Позитронная аннигиляция и суператомы в полупроводниковых
сверхрешетках. М., 1992. С.67-72. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-5482.
349. Прокопьев Е.П. Позитронная аннигиляция и суператомы в полупроводниковых
сверхрешетках. 11. М., 1992. С.73-77. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-5482.
350. Прокопьев Е.П. Энергия связи позитрона с вакансиями в конденсированных
средах: модельный потенциал V(r) = - Ze /(+ r) . М., 1992. С.78. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-5482.
351. Прокопьев Е.П. Позитронная астрофизика и позитронные состояния в
галактической среде с низкой плотностью. М., 1992. С.79-84. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-5482.
352. Прокопьев Е.П. О процессе аннигиляции позитронов в галактической среде с
низкой плотностью. М., 1992. С.85-89. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5482.
Доклад на 42 Международном совещании по ядерной спектроскопии и структуре
атомного ядра. Минск, 1991.
353. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов, связанных с отрицательными ионами в
диэлектрической среде // Физика твердого тела. 1992. Т.34. №6. С.1671-1675.
354. Прокопьев Е.П. Позитроний в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами
// Физика и техника полупроводников. 1992. Т.26. Вып.10. С.1681-1687.
355. Прокопьев Е.П. О взаимодействии вещества и антивещества. Системы p -Н, ри Н- H . Приложения в электронике // Электронная техника. Сер.3.
H
Микроэлектроника. 1992. Вып.4. С.65-68.
356. Прокопьев Е.П. Поляронные свойства позитрония при локализации в квантовых
ямах // Химия высоких энергий. 1992. Т.26. №5. С.395-397.
357. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на F- центрах в ионных кристаллах //
Химия высоких энергий. 1994. Т.28. №4. С.366-368.
358. Прокопьев Е.П. О позитронной метрике дефектов структуры твердого тела //
Поверхность. 1993. №10. С.91-94.
359. Прокопьев Е.П. Позитронная аннигиляция и суператомы в полупроводниковых
сверхрешетках // Химия высоких энергий. 1994. Т.28. №3. С.286-288.
360. Прокопьев Е.П. Позитронная астрофизика и позитронные состояния в
галактической среде с низкой плотностью // Астрономический журнал. 1994. Т.70.
№3. С.906-908.
361. Прокопьев Е.П., Шантарович В.П., Тарасов В.Д., Фокина Л.А., Кобрин Б.В.
Механизм аннигиляции при облучении позитронами полярных веществ // Химия
высоких энергий. 1995. Т.29. №1. С.66-69.
362. Прокопьев
Е.П. Аннигиляция позитронов на примесях с глубокими уровнями в
полупроводниках // Физика и техника полупроводников. 1993. Т.27. Вып.9. С.15691572.
363. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов и комплексы Уилера в полупроводниках
// Химия высоких энергий. 1995. Т.29. №5. С.394-396.
364. Прокопьев Е.П. О влиянии внешнего магнитного поля на свойства позитрония в
полупроводниках // Поверхность. 1994. №4. С.117-120.
365. Прокопьев Е.П. Термализация позитронов и атома позитрония в молекулярных
веществах // Поверхность. 1994. №5. С.5-7.
366. Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в новой физике полупроводников. М.,
1993. С.15. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5490.
367. Прокопьев Е.П. Новые представления об аннигиляции позитронов и позитронных
состояниях в полупроводниках // Химия высоких энергий. 1994. Т.28. №5. С.426428.
368. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на примесях с глубокими уровнями в
полупроводниках. М., 1994. С.184-191. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5497.
369. Прокопьев Е.П. Исследования позитронных состояний и позитронной аннигиляции
в новой физике полупроводников. М., 1994. С.192-194. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-5497.
370. Prokop’ev E.P. Positron annihilation in a new Semiconductor Physics // Abstracts of 10
th International Conference on Positron Annihilation. Beijing, China, May 23-29, 1994.
P2-10.
371. Prokop’ev E.P. Positron annihilation and positron states in galactic medium with low
density // Abstracts of 10 th International Conference on positron annihilation. Beijing,
China, May 23-29, 1994. C24-2.
372. Прокопьев Е.П. Позитроний в квантовой яме и сильном магнитном поле в
полупроводниковых сверхструктурах // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура
атомного ядра. Тезисы докладов 44 Международного совещания. Санкт-Петербург:
Наука, 1994. С.367.
373. Прокопьев Е.П. Исследования в области технологии получения слоев кремния и
сложных систем. М., 1994. 138 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5500.
374. Прокопьев Е.П. Исследования в области электронного материаловедения и
физических методов исследования материалов электронной техники. М., 1994. 196
с. - Отчет НИИМВ. №2858 инф.
375. Прокопьев Е.П. Позитроний в резко анизотропных слоях полупроводников и
сильном магнитном поле // Поверхность. 1994. №12. С.54-59.
376. Прокопьев Е.П. О локализованных позитронных и позитрониевых состояниях на
дефектах структуры кристаллов // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура
атомного ядра. Тезисы докладов 45 Международного совещания. Санкт-Петербург:
Изд-во ПИЯФ, 1995. С.407.
377. Прокопьев Е.П. Применение метода функций Грина к исследованию позитронных
процессов в кристаллах // Поверхность. 1995. №7-8. С.5-11.
378. Prokop’ev E.P. Investigations of defect parametres in a-Si:H by positron annihilation
method // Abstracts of 8 Internat. Conf. on the Physics of Non-Crystalline Solids. Turku,
Finland. 1995. P.92.
379. Prokop’ev E.P. Investigations by positron annihilation method of chalcogenide glassy
semiconductors // Abstracts of 8 Inernat. Conf. on the Physics of Non-Crystaline Solids.
Turku, Finland. 1995. P.92.
380. Prokop’ev E.P. Structure defects in chalcogenide semiconductor glasses on date of
positron annihilation // Proc. of “12 Internat. Congress on Glass”. 1995. Vol.7. P.174
(Beijing, 9-14 october 1995).
381. Прокопьев
Е.П., Петров С.В., Соколов Е.М. Некоторые вопросы теории технологии
получения аморфных и эпитаксиальных слоев кремния, физики медленных
позитронов и сложных систем. М., 1995. 149 с. - Деп. в ЦННИ “Электроника”. Р5501.
382. Прокопьев Е.П. Магнитопозитроний в полупроводниках // Химия высоких энергий.
1996. Т.30. №2. С.141-144.
383. Прокопьев Е.П. Особенности определения свободных объемов и их распределение
по радиусам в технически важных материалах методом ПАВ спектроскопии // В
кн.: Международное совещание по физике ядра (46 Совещание по ядерной
спектроскопии и структуре атомного ядра. Москва, 18-21 июня 1996 г.). Тезисы
докладов. Санкт-Петербург: Изд-во ПИЯФ, 1996. С.377.
384. Прокопьев Е.П. Некоторые вопросы теории позитроники полупроводников и
ионных кристаллов. М., 1996. 128 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.
385. Прокопьев Е.П., Шантарович В.П. Квантовополевая теория позитронных
состояний в твердых телах, содежащих электроны, позитроны, дырки, экситоны,
атом позитрония и комплесы Уилера // Химия высоких энергий. 1996. Т.30. №4.
С.300-303.
386. Prokop’ev E.P. Investigations in area of slow positron physics, complex systems and
material science. М., 1995. С.49. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.
387. Prokop’ev E.P. Investigations of defect parametres in a-Si:H by positron annihilation
method.М., 1995. С.130. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.
388. Prokop’ev E.P. Investigations by positron annihilation method of chalcogenide glassy
semiconductors. М., 1995. С.131. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.
389. Прокопьев Е.П. Теория атома позитрония в кристаллах. М., 1996. С.1-15. - Деп. в
ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.
390. Прокопьев Е.П. Теория атома позитрония в полупроводниках и ионных
кристаллах. М., 1996. С.16-25. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.
391. Прокопьев Е.П. Теория позитронных F’+ - центров в ионных кристаллах. М.,
1996. С.26-37. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.
392. Прокопьев Е.П., Шантарович В.П. Оптическая модель позитрона и эффективные
заряды ионов кислорода в окислах металлов. М., 1996. С.39-56. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-5502.
393. Прокопьев Е.П. “Позитронные” эффективные заряды анионов в средах ионного
типа. М., 1996. С.57-77. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.
394. Прокопьев Е.П. Позитроны и атом позитрония, локализованные на дефектах
структуры кристаллов. М., 1996. С.78-87. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.
395. Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в кремнии i-типа. М., 1996. С.88-100. Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.
396. Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в бездефектных кристаллах кремния. М.,
1996. С.113-128. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.
397. Prokop’ev E.P., Shantarovich V.P., Minaev V.S. Structure defects in chalcogenide
semiconductor glasses on data of positron annihilation. М., 1996. С.101-102. - Деп. в
ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.
398. Прокопьев Е.П. Позитронсодержащие системы Х-е+ и X=e+ : учет поляризации
анионов // Химическая физика. 1997. Т.16. №5. С.65-71.
399. Прокопьев Е.П. Позитроны и атом позитрония, локализованные на дефектах
структуры кварца и кремния // Химия высоких энергий. 1997. Т.31. №2. С.158-160.
400. Прокопьев Е.П. “Позитронные” эффективные заряды анионов в полярных
веществах // Известия вузов. Физика. 1997. №2. С.23-29.
401. Прокопьев Е.П. О познании сложных систем. II. Самоорганизация в неравновесных
твердых телах. М., 1991. С.35-47. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5436.
402. Прокопьев
Е.П. О геттерировании и синергетическом подходе в проблеме кремния.
М., 1991. 71 с. - Деп. в ВИНИТИ. №2886-В91.
403. Прокопьев Е.П. Анализ математических моделей скорости роста аморфных
пленок a-Si:H в силановых плазменных смесях пониженного давления и
синергетические эффекты в проблеме окисления кремния. М., 1992. 74 с. - Деп. в
ЦНИИ “Электроника”. Р-5476.
404. Прокопьев Е.П. О возможности синергетического подхода к эволюции свойств
технически важных материалов. М., 1992. С.35-41. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”.
Р-5482.
405. Прокопьев Е.П. Модели Лоттки-Вольтерра, брюсселятора и орегонатора и научные
основы синтеза и эксплуатации материалов электронной техники. М., 1992. С.4252. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5482.
406. Прокопьев Е.П. Возможные химические реакции для случая неравновесных
фазовых переходов в атмосфере дефектов кремния // Физика и химия обработки
материалов. 1992. №4. С.107-111.
407. Прокопьев Е.П. О возможности синергетического подхода к эволюции свойств
технически важных материалов // Письма в ЖТФ. 1992. Т.18. Вып.21. С.80-84.
408. Прокопьев Е.П. Феноменологическая модель эволюции свойств пленок SiO 2 на
поверхности кремния // Журнал прикладной химии. 1993. Т.66. №6. С.1242-1245.
409. Прокопьев Е.П. Возможность самоорганизации в атмосфере собственных дефектов
кремния // Известия вузов. Химия и химическая технология. 1993. Т.36. №11. С.2225.
410. Прокопьев Е.П. Исследования в области технологии получения слоев кремния и
сложных систем. М., 1994. 138 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5500.
411. Прокопьев Е.П. Неравновесные фазовые переходы в квазихимических реакциях в
ансамблях дефектов кремния в процессе ионной имплантации // Известия вузов.
Химия и химическая технология. 1994. Т.37. №7-9. С.18-22.
412. Прокопьев Е.П. О возможности неравновесных фазовых переходов в атмосфере
собственных дефектов кремния при протекании квазихимических реакций //
Высокочистые вещества. 1995. №5. С.24-29.
413. Прокопьев Е.П. Модель неравновесных фазовых переходов в системе
радиационных дефектов кремния и германия // Химическая физика. 1996. Т.15.
№10. С.107-111.
414. Прокопьев Е.П. Позитронсодержащие системы Х-е+ и Х=е+: учет поляризации
анионов // Химическая физика. 1997. Т.16. №5. С.65-71.
415. Прокопьев Е.П. Позитроны и атом позитрония, локализованные на дефектах
структуры кварца и кремния // Химия высоких энергий. 1997. Т.31. №2. С.158-160.
416. Прокопьев Е.П. “Позитронные” эффективные заряды анионов в полярных
веществах // Известия вузов. Физика. 1997. №2. С.23-29.
417. Прокопьев Е.П. Теория позитронных F+ - центров в ионных кристаллах // Химия
высоких энергий. 1998. Т.32. №1. С.60-62.
418. Прокопьев Е.П., Шантарович В.П. Оптическая модель позитрона и эффективные
заряды ионов кислорода в окислах металлов // Химическая физика. 1998. Т.17. №4.
С.3-7.
419. Прокопьев Е.П. Об аномалиях аннигиляции атома позитрония в кристаллах //
Химическая физика. 1998. Т.17. №7. С.122-124.
420. Прокопьев Е.П. Времена жизни магнитопозитрония в полупроводниковых
квантовых ямах // Письма в ЖТФ. 1998. Т.24. №12. С.82-84.
421. Е.П.Прокопьев, В.И.Графутин С.П.Тимошенков.О возможности использования
атома позитрония в проблеме квантовой телепортации. В кн.: Международный
научно-технический семинар “Проблемы передачи и обработки информации в
сетях и системах телекоммуникаций”. Материалы семинара. Рязань: Изд-во
Рязанской государственной радиотехнической академии, 1999. С.138-140.
422. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.П.Шантарович. Времена жизни
магнитопозитрония в квантовых ямах полупроводниковых сверхструктур
GaAs|Al0,3Ga0,7As. Химическая физика. 2001. Т.20. №3. С.27-30.
423. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Особенности
механизма аннигиляции позитронов в металлах. Физика твердого тела. 1999. Т.41.
Вып.6. С.929-934.
GETTERRING
424. E.P.Prokop'ev. Problem of getterring in silicon. Moscow. 1991. P.1-34. Deposited
paper. VINITI. 5.07.91. No 2886-B91.
425. E.P.Prokop'ev, one co-author. A simple analytical model of getterring of gold in silicon.
Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1991. No 8. P.78-80.
426. E.P.Prokop'ev. Mathematical model of getterring of metal impurities in silicon based on
intrinsic atom model. Vysokochistye veshchestva. 1992. No 4. P.47-53.
EXPERIMENTAL AND INDUSTRIAL SILICON EPITAXY
427. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Mathematical description of process of epitaxial silicon
growth. I. Total organization of problem of optimization of epitaxial growth reactors.
Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1972. No 5. P.58-63.
428. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Mathematical description of process of epitaxial silicon
growth. II. Analytical formula of growth rate function. Elektronnaya tekhnika. Ser.6.
Materialy. 1972. No 7. P.44-52.
429. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Mathematical description of process of epitaxial silicon
growth. III. Non-stationary process of growth. Ibidem 1973. No 1. P.44-50.
430. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Mathematical description of silicon epitaxial growth
process. IV. Calculation of longitudional diffusion. Ibidem. 1973. No 2. P.27-31.
431. E.P.Prokop'ev, four co-author. Mathematical description of silicon epitaxial growth
process in cylindrical circular canal of variable section. Ibidem. 1973. No 3. P.43-51.
432. E.P.Prokop'ev, two co-authors. A simple analytical model of silicon epitaxial growth in
tetrachloride process. Ibidem. 1973. No 7. P.64-70.
433. E.P.Prokop'ev, three co-authors. About regimes of silicon epitaxial growth from vapour
gas phase. Teoreticheskie osnovy khimicheskoi tekhnologii. 1975. V.9. No 8. P.448-452.
434. E.P.Prokop'ev, seven co-authors. Elementary theory of growth and doping of epitaxial
silicon films. In book: Rep. thes. "V Symposium on processes of growth and synthesis of
semiconductor crystals and wafers". Novosibirsk. Publ. INC SO AN USSR. P.29.
435. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Calculation of sensibilities of growth rate function G(x)
and function of distribution of doping impurities N(x) for chloride and hydride processes
in vertical reactor. Elektronnaya teknika. Ser.6. Materialy. 1973.No 8. P.25-31.
436. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Optimization of growth and doping of silicon in hydride
epitaxial process. Ibidem. 1974. No 1. P.34-41.
437. E.P.Prokop'ev, one co-author. About possibility to carry out vacuum silicon epitaxy in
space. Ibidem. 1974. No 1. P.53-61.
438. E.P.Prokop'ev, one co-author. About phenomenological theory of growth processes of
semiconductor materials. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1974. No 2.
P.43-47.
439. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Basis of growth and doping theory of epitaxial silicon
films in tetrachloride process. Zhurnal fizicheskoi khimii. 1976. V.50. No 7. P.29412946.
440. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Growth and doping of epitaxial silicon layers in
tetrachloride process for case of vertical reactor. Elektronnaya teknika. Ser.6. Materialy.
1977. No 2. P.62-74.
441. E.P.Prokop'ev.
Regimes of growth and doping processes of epitaxial silicon films in
tetrachloride process. In book: Rep. thes. "III All-union conf. on physical and chemical
bases of doping of semiconductor materials. Moscow. Nauka. 1975. P.1.
442. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Anomalies of epitaxial silicon growth rate in vertical
reactor. Elektronnaya teknika. Ser.6. Materialy. 1974. No 8. P.52-57.
443. E.P.Prokop'ev. About processes of growth and doping of epitaxial silicon films in
tetrachloride process. Zhurnal prikladnoi khimii. 1976. V.49. No 7. P.1924-1932.
444. E.P.Prokop'ev. Connection between statistical and analytical methods of description of
growth and doping processes of epitaxial silicon layers. Elektronnaya teknika. Ser.6.
Materialy. 1977. No 8. P.122-125.
445. E.P.Prokop'ev, four co-authors. To theory of growth and doping of epitaxial
semiconductor layers from vapour and gas phase in conditions of microgravitation.
Progr. and rep. thes. "Conf. country-participation "Interkosmos" on questions of space
technology". Moscow. Publ. IKI AN USSR. 1978. P.6.
446. E.P.Prokop'ev, six co-authors. Gybride models of processes of growth and doping of
epitaxial semiconductor layers. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1976. No 10.
P.9-26.
447. E.P.Prokop'ev, three co-authors. To question of carring out vacuum epitaxy of elementary
semiconductors in space. In book: "Production and behaviour of materials in space".
Moscow. Nauka. 1973. P.8-15.
448. The problem of performing vacuum epitaxy on elementary semiconductors of the type
germanium and silicon under space-flight conditions. A.Yu.Malinin, Yu.N.Kusnetsov,
E.P.Prokopev, V.T.Khryapov, V.V.Smirnov. Manufacturing and behavior of materials in
space.(A 79-10476 01-12) Moscow,Izdatel'stvo Nauka, pp.8-13, 1978.
449. MALININ, A. Yu., KUZNETSOV, Yu. N., KHRYAPOV, V. T. PROKOPEV, E. P.
SMIRNOV, V. V. TATARINOV, V. A. RYGALINA, E. A. Characteristics of crystal
growth from the liquid phase under conditions of weightlessness Manufacturing and
behavior of materials in space. (A79-10476 01-12) Moscow, Izdatel'stvo Nauka , pp. 3-8.
1978
450. E.P.Prokop'ev, six co-authors. To theory of processes of epitaxial growth and doping of
silicon layers in hydride process in conditions of homogenic monosilane decomposition
in volume of gas mixture in vertical reactor. Zhurnal prikladnoi khimii. 1979. V.52. No 2.
P.512-516.
451. E.P.Prokop'ev, fife co-authors. Calculation of stability of growth rate function G(x) and
doping level function N(x) of epitaxial silicon layers in hydride process. Moscow. 1978.
5 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-2369.
452. E.P.Prokop'ev, six co-authors. Peculiarities of processes of growth and doping of
epitaxial silicon layers in hydride process. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy.
1978. No 2. P.47-55.
453. E.P.Prokop'ev, fife co-authors. Principal criterial dependences for processes of
epitaxial silicon growth from vapour gas phase in condition of microgravitation.
Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1978. No 6. P.28-34.
454. E.P.Prokop'ev, seven co-authors. In coll.: Growth problems of semiconductor crystals
and films. Moscow. VINITI. V.1, No 158-80; V.2, No. 159-80. 565 p.
455. E.P.Prokop'ev, four co-authors.
The theory of LPCVD method of growth of
polycrystaline silicon layers. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1979. No 2. P.3438.
456. E.P.Prokop'ev, six co-authors. Possibility of construction of hybride model of growth
processes and doping of epitaxial silicon layers in tetrachloride process. In book: Rep.
thes. "VIII All-union conf. on microelectronics ". Moscow. MIET Publ. 1978. P.53.
457. E.P.Prokop'ev,
seven co-authors. Growth and doping theory of epitaxial semiconductor
layers from vapour gas phase in conditions of microgravitation. Fizika i tekhnika
poluprovodnikov. 1979. V.13. No 7. P.2075.
458. E.P.Prokop'ev, eight co-authors. Report of theory of growth and doping of epitaxial
silicon layers from vapour gas phase in flowing systems. Moscow. 1979. 50 p.
Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-2621.
459. E.P.Prokop'ev. Peculiriaties of growth and doping of epitaxial semiconductor layers in
flowing systems. In book: Rep. thes. "IV All-union conf. on physical and chemical
bases of doping of semiconductor materials". Moscow. Nauka. 1979. P.121.
460. E.P.Prokop'ev, one co-author. The theory of growth processes of semiconductor and
dielectric films in diffusion furnaces at low pressure. I. Diffusion-kinetic regimes.
Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1980. No. 3. P.53-57.
461. E.P.Prokop'ev. Theory of growth processes of semiconductor and dielectric films in
diffusion furnaces at low pressure. II. Kinetic and diffusion regimes of processes.
Ibidem. 1980. No 5. P.78-81.
462. E.P.Prokop'ev. Theory of epitaxial silicon growth in tetrachloride process including
molecular diffusion processes and thermodiffusion in stationary boundary layer. Zhurnal
prikladnoi khimii. 1981. V.54. No 7. P.1468-1473.
463. E.P.Prokop'ev. Calculation of thermodiffusion influence on growth of epitaxial silicon
layers in hydride process. Zhurnal prikladnoi khimii. 1981. V.54. No 7. P.1599-1601.
464. E.P.Prokop'ev, six co-authors. Investigation of growth of epitaxial silicon layers in
hydride process. Zhurnal prikladnoi khimii. 1981. V.54. No 9. P.1963-1966.
465. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Investigation of process of growth of epitaxial silicon
layers in tetrachloride process. Zhurnal prikladnoi khimii. 1981. V.54. No.9. P.21332137.
466. E.P.Prokop'ev.
Effussion and space electron material science and technology.
Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1981. No.1. P.3-5.
467. E.P.Prokop'ev. Investigation of novel type convective flows in space materil science.
Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1981. No 1. P.6-8.
468. E.P.Prokop'ev. Investigation of novel type convective flows in microgravitation
conditions and their possible role in space electron material science. Moscow. 1981. 5 p.
Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-3291.
469. E.P.Prokop'ev. To question of epitaxial silicon growth theory. Elektronnaya tekhnika.
Ser.3. Mikroelektronika. 1981. No 5. P.8-10.
470. E.P.Prokop'ev. About calculation of influence of Stephan flow at silicon epitaxy in
tetrachloride process. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1981. No 2. P.51-53.
471. E.P.Prokop'ev, three co-authors. About gas dynamics of growth of epitaxial silicon layers
in system SiH4-SiCl4-H2. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1981. No 3. P.30-33.
472. E.P.Prokop'ev, one co-author. Mathematical description of epitaxial silicon growth. VI.
Calculation of rotation of pyramide. Moscow. 1981. 5 p. Deposited paper. TSNII
"Elektronika". P-3078.
473. E.P.Prokop'ev. About masstransfer in processes of growth of semiconductor layers.
Teoreticheskie osnovy khimicheskoi tekhnologii. 1983. V.17. No 5. P.599-603.
474. E.P.Prokop'ev,
six co-authors. Investigation of mass transfer in condition
microgravitation in stationary bound layer for process of epitaxial growth of
semiconductor layers. Progr. and rep. thes. "11 Gagarinskie chteniya". Moscow. MAI
Publ.1981. P.5.
475. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Investigation of process of growth of epitaxial silicon
layers in dichlorsilane process. Zhurnal prikladnoi khimii.. 1983. V.56. No 2. P.410-412.
476. E.P.Prokop'ev, three co-authors. About gas dynamics of growth of epitaxial silicon layers
in system SiH4-SiCl4-H2. II. Calculation of gas phase decomposition of monosilane.
Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1981. No 6. P.42-45.
477. E.P.Prokop'ev.
About gas dynamics of growth of epitaxial silicon layers in system SiH4SiCl4-H2. III. The theory of general case of transition regime of process. Ibidem. 1981.
No 7. P.51-52.
478. E.P.Prokop'ev, three co-authors. About gas dynamics of growth of epitaxial silicon
layers. IV. Optimization of process. Ibidem. 1981. No 8. P.38-40.
479. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Analysis of stability of processes of growth and doping
of epitaxial silicon layers in hydride process. Moscow. 1982. P.41. Deposited paper.
TSNII "Elektronika". P-3534.
480. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Modern state of technology of production of
semiconductor materials and perspectives her development in space conditions. Progr.
and rep. thes. on science and technical seminar "Problems of space industry and
technology". Kaliningrad, Moscow region, 18-20 April 1977. P.10.
481. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Peculiriaties of growth of epitaxial silicon layers from
dichlorsilane process. Coll. work of All-union seminare "Application of epitaxial
technology in industry of semiconductor power devices". Ellaste. Publ. AN Est.SSR.
1981. P.6-10.
482. E.P.Prokop'ev,two co-authors. Analysis of mass transfer in conditions microgravitation in
stationary boundary layer for processes of epitaxial growth of semiconductor layers.
Elektronnaya tehknika. Ser.6. Materialy. 1982. No. 1. P.29-31.
483. E.P.Prokop'ev, two co-authors. About calculation of contribution of natural convection
in growth process of epitaxial silicon layers in tetrachloride process. Elektronnaya
tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1982. No 6. P.86-87.
484. E.P.Prokop'ev. Role of diffusion processes in space material science and technology. In
book: Nauchnye chteniya po aviatsii i kosmonavtike. Moscow. Nauka. 1980. P.290.
485. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Peculiriaties of mathematical modeling of processes of
growth and doping of monocrystals and epitaxial semiconductor layers from gas and
vapour phase in conditions microgravitation. Progr. and rep. thes. "16 nauchnye chteniya
po aviatsii i kosmonavtike". Kaluga. Publ. IET. 1981. P.24.
486. E.P.Prokop'ev, two co-authors. To question of mathematical description of industrial
vertical reactors for growth f epitaxial silicon layers. Elektronnaya tehknika. Ser.6.
Materialy. 1982. No 1. P.41-43.
487. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Investigation of process of industrial silicon epitaxy in
vertical cylinder reactor. Ibidem. 1982. No. 2. P.6-10.
488. E.P.Prokop'ev, four co-authors. The theory of surface processes determining growth
rate of epitaxial silicon layers in system SiH4-H2 at low pressures. Moscow. 1982. P.44.
Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-3534.
489. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Analysis of surface reactions determinig growth rate of
epitaxial silicon layers in systems SiH4-SiCl4-H2 and SiH4-SiH2Cl2-H2. Moscow. 1982.
P.43. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-3534.
490. E.P.Prokop'ev, two co-authors. About gas dynamics of growth of epitaxial silicon layers
in system SiH4-SiCl4-H2. V. Surface reactions determining growth rate. Moscow. 1982.
6 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-3640.
491. E.P.Prokop'ev, one co-author. Investigation of non-stationary growth processes of
epitaxial silicon layers. Zhurnal prikladnoi khimii. 1983. V.55. No 5. P.1135-1136.
492. E.P.Prokop'ev. The chemical hydrodynamics of growth processes of epitaxial silicon
layers. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1983. No. 7. P.70-71.
493. E.P.Prokop'ev, one co-author. Analysis of hydrodynamics of diffusion regime of growth
processes of epitaxial silicon layers. Zhurnal prikladnoi khimii. 1985. V.58. No 2.
P.455-457.
494. E.P.Prokop'ev. Investigation of growth process of epitaxial silicon layers in vertical
reactors. Teoreticheskie osnovy khimicheskoi tekhnologii. 1986. V.20. No 3. P.698701.
495. E.P.Prokop'ev.
Peculiriaties of chemical hydrodynamics of growth processes of epitaxial
silicon layers. Zhurnal prikladnoi khimii. 1983. V.56. No 7. P.1636-1638.
496. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Application of Boreskov-Slin'ko reactor model for
calculation of growth of epitaxial silicon layers in conditions microgravitation at low
pressures. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1982. No 8. P.21-24.
497. E.P.Prokop'ev, one co-author. Application of non-stationary Frank-Kamenetskii
diffusion model to investigation of growth processes of epitaxial silicon layers. Ibidem.
1982. No 9. P.33-35.
498. E.P.Prokop'ev.
Investigation in materials science region. Theory, methods of
investigations, applications. Moscow. 1984. 52 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika".
P-3870.
499. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Investigation of surface reactions determining growth
rate of epitaxial silicon layers in system SiH4-SiH2Cl2-H2. Zhurnal prikladnoi khimii.
1985. V.58. No. 5. P.1057-1061.
500. E.P.Prokop'ev. Investigation of hydrodynamics of growth processes of epitaxial silicon
layers. Moscow. 1985. P.22-25. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-4164.
501. E.P.Prokop'ev. To question of mass transfer theory in processes of epitaxial silicon
growth for the case of hydride process in conditions of disintegration of monosilane.
Zhurnal prikladnoi khimii. 1986. V.59. No. 7. P.659.
502. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Application of theory of boundary Landau layer for
investigation of chemical hydrodynamics of growth of monocrystals and films in
conditions of microgravitation. In book: "3 All-union seminar on problems of
hydrodynamics and heat- and mass-transfer in conditions of microgravitation". Moscow.
Publ. IPM AN USSR. 1984. P.67.
503. E.P.Prokop'ev. Investigation of chemical hydrodynamics in epitaxial reactors. Moscow.
1987. 6 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-4321.
504. E.P.Prokop'ev, one co-author. Mathematical models of growth processes of epitaxial
silicon layers in industrial tetrachloride and hydride processes. In book: Rep. thes. 1
All-union conf. "Physical methods of investigations of surface and diagnostics of
materials and elements of computer technique on base of silicon". Kishinev. Shtinitsa.
1986. P.61.
505. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Peculiriaties of mathematical modelling of growth and
doping processes of epitaxial silicon layers from vapour gas phase in conditions of
microgravitation. In book: K.E.Tsiolkovskii and problems of space industry. Moscow.
Publ. IIET AN USSR. 1982. P.105-109.
506. E.P.Prokop'ev, one co-author. Peculiriaties of growth process of epitaxial silicon layers in
system SiH4-H2 at low pressures. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1988. No 5.
P.40-43.
507. E.P.Prokop'ev, two co-authors. About local chacteristics of chemical hydrodynamics of
growth processes of epitaxial silicon layers in industrial reactors of vertical type. Ibidem.
1985. No 12. P.73-75.
508. E.P.Prokop'ev. About possible fractal structure of whilrewind in epitaxial reactors of
semiconductor growth. Ibidem. 1991. No. 1. P.60-61.
509. E.P.Prokop'ev. About possibilities of process of vapour gas levitation in silicon epitaxy.
Zhurnal prikladnoi khimii. 1990. V.63. No.6. P.1401-1403.
510. E.P.Prokop'ev. About hydrodynamics of growth processes of epitaxial silicon layers in
vertical reactor. Ibidem. 1992. V.65. No. 5. P.1811-1812.
511. E.P.Prokop'ev. About processes of masstransfer and kinetics of deposition of silicon
films by LICVD method. Moscow. 1992. P.64. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P5476.
512. E.P.Prokop'ev, three co-authors. To question of masstransfer theory in processes of
epitaxial semiconductor layer growth. Ibidem. P.65-74.
513. E.P.Prokop'ev,
two co-authors. Peculiriaties of masstransfer in hydride and chloride
processes of growth of silicon layers at speed impulse heating of wafers by noncoherent
light sources. Moscow. 1992. 14 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5490.
514. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Model of non-stationary diffusion kinetics of silicon
layer growth in hydride and tetrachloride processes at speed impulse thermal
heating.Vysokochistye veshechestva. 1993. No. 5. P.165-173.
515. E.P.Prokop'ev. Catalysis of layer growth GexSi(1-x) by german in mixture hydride and
dichlorsilane processes. Moscow. 1992. 9 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P5482.
516. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Modelling of process of silicon layer growth in hydride
and tetrachloride processes at speed impulse heating by light. Vysokochistye
veshechestva. 1994. No 1. P.39-47.
517. E.P.Prokop'ev. About diffusion and recombination of point defects in
silicon.
Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1990. No 4. P.39-47.
518. E.P.Prokop'ev. About possibilities of growth of monocrystals and thin films of high
temperature superconductor materials in conditions of microgravitation. Elektronnaya
tekhnika. Ser.6. Materialy. 1991. No.1. P.45-50.
519. E.P.Prokop'ev. About possibility of receipt of information bit with help of modification
of properties of artifical atoms in semiconductor superstructures. Moscow. 1994.
P.178-183. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5497.
520. E.P.Prokop'ev. Possibility of receipt of infomation bit with help of modification of
properties of artifical atoms in semiconductor superstructures. Mikroelektronika. 1994. In
press.
521. E.P.Prokop'ev. Mathematical model of laser photochemical deposition of silicon films in
hydride process. Moscow. 1992. P.63. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5476.
522. E.P.Prokop'ev. About applications of kinetical Chen theory to photochemical method of
silicon deposition in hydride process. Moscow. 1992. 48 p. Deposited paper. VINITI. No
2462-B92.
523. E.P.Prokop'ev. Mathematical models of laser chemical method of deposition of silicon
layers in hydride process. Moscow. 1992. P.12-19. Deposited paper. TSNII
"Elektronika". P-5482.
524. E.P.Prokop'ev. Mathematical model of impulse laser chemical method of deposition of
silicon layers in hydride process. Moscow. 1992. P.20-27. Deposited paper. TSNII
"Elektronika". P-5482.
525. E.P.Prokop'ev. About calculation of growth rate of laser chemical method of silicon layer
deposition in hydride process. Fizika i khimiya obrabotki materialov. 1993. No 3. P.105108.
526. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Novel investigations of some perspective technological
processes of growth and doping of silicon layers. Moscow. 1994. 195 p. Deposited
paper. TSNII "Elektronika". P-5497.
527. E.P.Prokop'ev. To question of modelling and optimization of production of epitaxial
silicon layers in tetrachloride process. Ibidem. P.36-57.
528. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Modelling of processes of growth and doping of silicon
layers in tetrachloride process at speed impulse heating of wafers by noncoherent
radiation. Ibidem. P.58-85.
529. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Analitical model of growth rate and doping level of
epitaxial silicon layers in chloride and hydride processes. Ibidem. P.86-113.
530. E.P.Prokop'ev, two co-authors. About modelling of processes of silicon layer growth at
speed impulse heating of wafers by noncoherent radiation. Ibidem. P.137-145.
531. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Nonstationary diffusion kinetics of rapid thermal CVD
process of silicon. P.146-147.
532. E.P.Prokop'ev,
two co-authors. Theory of doping of silicon layers deposited at rapid
heating of wafers by noncoherent radiation. Ibidem. P.148-158.
533. E.P.Prokop'ev. A model of deposition of semiconductor layers in flowing epitaxial
reactor. Ibidem. P.159-166.
DIAMOND FILMS
534. E.P.Prokop'ev. A simple mathematical model of growth of diamond layers in gas
mixture CH4+H2 at low pressure using heating filament. Moscow. 1992. P.28-34.
Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5482.
535. E.P.Prokop'ev. Modelling of process of diamond layer growth in gas mixture CH 4+H2 of
low pressure using heating filament method. Fizika i khimiya obrabotki materialov. 1993.
No 6. P.48-52.
536. a-SiH:H FILMS
537. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Some aspects of silane plasma chemistry. Moscow.
1988. 35 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-4676.
538. E.P.Prokop'ev, two co-authors. In book: Rep. thes. "3 All-union conf. on physics and
technology of thin semiconductor films". Ivanovo-Frankovsk. Publ. IFPI. 1990. P.77.
539. E.P.Prokop'ev. Ibidem. P.14.
540. E.P.Prokop'ev. Simulation of silane rf glow discharge plasma. Moscow. 1990. 30 p.
Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5404.
541. E.P.Prokop'ev. Elementary theory of growth of a-Si:H films. Moscow. 1990. P.36-41.
Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5413.
542. E.P.Prokop'ev. About theory of growth of a-Si:H films. Ibidem. P.33.
543. E.P.Prokop'ev. About theory of growth of a-Si:H films in conditions of rf glow discharge
in gas mixtures SiH4-H2 and SiH4-He. Ibidem. P.53-60.
544. E.P.Prokop'ev. About theory of growth process amorphous a-Si:H films in conditions
of rf glow discharge in silane gas mixtures. Ibidem. P.40-52.
545. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Elementary theory of a-Si:H film deposition in glowdischarge conditions. Moscow. 1990. P.1-33. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P5413.
546. Boundary layer model of a-Si:H film deposition process in rf glow-discharge
conditions. Ibidem. P.42-51.
547. E.P.Prokop'ev. Application of nuclear Fliorov filters in the technology of a-Si:H film
production. Ibidem. P.30-31.
548. E.P.Prokop'ev. The a-Si:H film deposition in rf glow-discharge process in SiH4-H2
mixture. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1990. No. 3. P.9-11.
549. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Study of a-Si:H film deposition rf glow-discharge in
SiH4-H2 mixture. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1990. No 4. P.14-17.
550. E.P.Prokop'ev. Mathematical model of a-Si:H film deposition in rf glow-discharge in
silane mixtures. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1990. No 5. P.68-72.
551. E.P.Prokop'ev. Simulation and optimization of a-Si:H film deposition in silane gas
mixtures at low pressure. Moscow. 1991. P.2-29. Deposited paper. TSNII "Elektronika".
P-5436.
552. E.P.Prokop'ev. Elementary analytical model of a-Si:H film deposition in rf glowdischarge conditions in SiH4-H2 gas mixtures. Ibidem P.48-57.
553. E.P.Prokop'ev. Boundary layer model of a-Si:H film deposition in rf glow-discharge
conditions in SiH4-H2 gas mixtures. Vysokochistye veshechestva. 1991. No 2. P.180184.
554. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Optimization of a-Si:H film deposition in silane rf glowdischarge. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1991. No 2. P.71-73.
555. E.P.Prokop'ev, two co-authors. The a-Si:H film deposition in silane glow discharge at
low pressure. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1991. No 2. P.51-54.
556. E.P.Prokop'ev.
Model of a-Si:H film deposition in rf glow-discharge conditions in SiH4H2 and SiH4-He gas mixture. Izvestiya vuzov. Ser. khimiya i khimicheskaya
tekhnologiya. 1991. V.34. No.10. P.109-115.
557. E.P.Prokop'ev. Elementary theory of a-Si:H film deposition in rf glow-discharge.
Khimiya vysokikh energii. 1992. V.26. No 2. P.169-172.
558. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Analysis of the mathematical model of a-Si:H film
deposition rate in silane plasma miztures at low pressure. Moscow. 1992. P.2-39.
Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5476.
559. E.P.Prokop'ev. Elementary analytical model of a-Si:H film deposition in rf glowdischarge conditions in SiH4-H2 gas mixture. Vysokochistye veshechestva. 1992. No 3.
P.67-71.
560. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Hybrid model of a-Si:H film deposition in rf glowdischarge in SiH4-H2 gas mixture. Fizika i khimiya obrabotki materialov. 1993. No 2.
P.85-90.
561. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Analysis of regimes of growth process of amorphous aSi:H films in silane plasma mixtures at low pressure. Moscow. 1994. P.85-95.
Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5500.
562. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Analysis of amorphous silicon deposition conditions in
plasma silane mixtures at low pressure. Nuovo Cimento. D. 1997. Vol.19. №6. P.817826.
563. E.P.Prokop'ev. A model of deposition of semiconductor layers in flowing epitaxial
reactor. Zhurnal tekhnicheskoi fiziki. 1995. Т.68. Вып.2. С.22-29.
564. E.P.Prokop'ev. Mathematical model of impulse laser chemical method of deposition of
silicon layers in hydride process. Fizika i khimiya obrabotki materialov. 1994. №4-5.
С.121-125.
565. E.P.Prokop'ev. Analysis of regimes of growth process of diamond layers in gas mixture
CH4+H2 at low pressure using a heating filament. Moscow. 1992. P.73-84. Deposited
paper. TSNII "Elektronika". P-5476.
566. E.P.Prokop'ev. Analysis of diffusion-controlled reaction I + V  O in silicon in regimes
of excitement and extenguishment. Moscow. 1992. P.85-95. Deposited paper. TSNII
"Elektronika". P-5476.
567. E.P.Prokop'ev. Simulation of growth layer diamond process in gas mixture CH 4+H2 at
low pressure using a heating filament. Fizika i khimiya obrabotki materialov. 1994. №6.
С.48-52.
568. E.P.Prokop'ev. Investigation of impulse laser chemical method of silicon layer
deposition. Electronnaya promyshlennost’. 1994. №6. З.58,59.
569. E.P.Prokop'ev. Simulation of silicon layer growth at rapid impulse heating of wafers by
noncoherent radiation. Zhurnal prikladnoi khimii. 1994.Т.67. №3, С.503,504.
570. E.P.Prokop'ev. Simulation of growth layer diamond process in gas mixture CH 4+H2 at
low pressure using a heating filament. . Electronnaya promyshlennost’. 1994. №6. С.60.
571. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Simulation of growth and doping processes of silicon
layers in tetrachloride and hydride processes at rapid impulse heating of wafers by
noncoherent radiation. Vysokochistye veshechestva. 1994. №6. С.63-76.
572. E.P.Prokop'ev. To question of simulation and optimization of epitaxial silicon layer
growth in tetrachloride process. Moscow. 1994. P.38-57. Deposited paper. TSNII
"Elektronika". P-5497.
573. E.P.Prokop'ev. A simple analytical model of diamond layer growth in gas mixture
CH4+H2 at low pressure using a heating filament. Izvestiya vuzov. Ser. khimiya i
khimicheskaya tekhnologiya. 1995. V.38. Вып.4-5. С.45-51.
574. E.P.Prokop'ev. Novel analytical model of growth rate and doping level of epitaxial
silicon layers in chloride and hydride processes. Fizika i khimiya obrabotki materialov.
1996. №1. С.76-87.
575. E.P.Prokop'ev,
two co-authors. Investigation a-Si:H film growth process in gas mixture
SiH4-H2. I,II. Moscow. 1994. P.1-35. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5497.
576. E.P.Prokop'ev. Simulation of growth silicon process in flowing systems. I. Silane
process. Vysokochistye veshechestva. 1995. №3. С.57-65.
577. E.P.Prokop'ev. Simulation of semiconductor growth process in flowing systems. II.
Dichlorsilane, german and mixtture german-dichlorsilane processes. Vysokochistye
veshechestva. 1994. №3. С.66-77.
KINETICS AND CATALYSIS
578. Б.И.Попов, Е.П.Прокопьев, Л.Н.Шкуратова. Авторское свидетельство на
изобретение «Способ получения кобальт- молибденового катализатора для
окисления метанола в формальдегид». № 147581 Комитет по делам изобретений и
открытий при Совете Министров СССР, 1962.
579. Е.П.Прокопьев, Л.Н.Шкуратова. Кинетика и механизм окисления метанола в
формальдегид на окисных катализаторах. Сборник «Труды II конференции
молодых ученых СО АН СССР». Новосибирск, 1960. С.12.
580. Б.И.Попов, Е.П.Прокопьев, Л.Н.Шкуратова. Усовершенствование катализатора в
производстве формальдегида из метанола. 0-881. Отчет Института Катализа СО АН
СССР, 1960. 21 с.
581. Б.И.Попов, Е.П.Прокопьев, Л.Н.Шкуратова. Исследование рентгеновскими
методами окисных катализаторов в производстве формальдегида на основе
молибдена. 0-881. Отчет Института Катализа СО АН СССР, 1960. 9 с.
582. Б.И.Попов, Е.П.Прокопьев, Л.Н.Шкуратова. Исследование окисления метанола в
формальдегид на окисных катализаторах. 0-881. Отчет Института Катализа СО АН
СССР, 1960. 30 с.
583. E.P.Prokop'ev, one co-author. Kinetics and mechanism of methanol oxidation in
formaldegid on oxide catalysts. In book: Reports II conf. jung scientists of SO AN USSR.
Novosibirsk. 1960. P.6.
584. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Patent USSR. 1962. No 147581.
585. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Rep. IC SO AN USSR. 1960. No. O-881. 21 p.
586. E.P.Prokop'ev, one co-author. Rep. IC SO AN USSR. 1960. No. O-881. 9 p.
587. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Rep. IC SO AN USSR. 1960. No. O-881. 30 p.
588. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Diffusion calculation of reaction rate of the first order on
granules of various form. Kinetika i Kataliz. 1968. V.9. P.404.
589. E.P.Prokop'ev. Calculation of diffusion influence in porous catalysts in case of arbitrary
kinetics. Ibidem. 1968. V.9. P.707.
590. E.P.Prokop'ev, co-authors. Rep. NIFKHI im. Karpova. No 635. 1968. 50 p.
591. E.P.Prokop'ev, two co-authors. About kinetics of chemical reaction... Zhurnal fizicheskoi
khimii. 1968. V.41. P.2313.
592. E.P.Prokop'ev, co-authors. Report IMBP. Moscow. 1967. No. 582. 40 p.
593. E.P.Prokop'ev, co-authors. Report IMBP. Moscow. 1968. No. 280. 80 p.
594. E.P.Prokop'ev, co-authors. Report IMBP. Moscow. 1968. No. 635. 100 p.
595. E.P.Prokop'ev, co-authors. Report NIIMV. Moscow. 1973. No.756. 100 p.
596. E.P.Prokop'ev, co-authors. Report NIIMV. 1973. No 1823. 125 p.
597. E.P.Prokop'ev, co-authors. Report NIIMV. 1973. No 2079. 157 p.
598. E.P.Prokop'ev, co-authors. Report NIIMV. 1974. No 2772. 300 p.
599. E.P.Prokop'ev, co-authors. Report NIIMV. 1974. No 832. 200 p.
600. E.P.Prokop'ev, co-authors. Report NIIMV 1977. No 3338. 150 p.
601. E.P.Prokop'ev, co-authors. Report NIIMV 1977. No 1200. 250 p.
602. E.P.Prokop'ev, one co-author. Report NIIMV 1982. No 2528. 7 p.
603. E.P.Prokop'ev. Study of equation of isoterm reaction of the first order at porous
catalysts. Zhurnal prikladnoi khimii. 1969. V.42. P.354.
604. E.P.Prokop'ev,
four co-authors. Study of mathematical model of conversion of CO with
vapour H2O. Khimicheskaya promyshlennost'. 1967. No 4. P.302.
605. E.P.Prokop'ev, one co-author. Joint influence of external and internal diffusion on rate
of the first order reaction. Zhurnal prikladnoi khimii. 1973. V.46. P.565.
606. G.K.Boreskov, A.D. Tsyganov, E.P.Prokop'ev, B.M.Popov et al. Study of oxide Fe-Mo
catalysts of oxidation of methanol in formaldegide. III. Mossbauer spectrums. Kinetika i
Kataliz. 1972. V.13. P.240.
607. E.P.Prokop'ev, six co-authors. Study of ferrogel formation process at heating by
mossbauer spectroscopy method. Kolloidnyi zhurnal. 1974. V.35. P.133.
608. E.P.Prokop'ev, one co-author. About theory of dynamical C-V characterictics of MOS
structures. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1974. No 1. P.62.
609. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Investigation of surface polish etching of silicon wafers
by HCl. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1977. No 3. P.45.
610. E.P.Prokop'ev, four co-authors. About theory of Al2O3 film deposition on silicon wafers
by pyrolise of Al-isopropilate in N2 medium. Zhurnal prikladnoi khimii. 1979. V.52.
P.282.
611. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Investigation of Al2O3 film deposition on silicon wafers
by pyrolise of Al-isopropilate in N2 medium. Zhurnal prikladnoi khimii. 1979. V.52.
P.277.
612. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Investigation of surface properties of mechanically
processed silicon wafers. In book: Rep. thes. 3 All-union conf. "Structure defects in
semiconductors". Novosibirsk. Publ. IFP SO AN USSR. 1978. P.265.
613. E.P.Prokop'ev, co-authors. NIIMV Report. Moscow. 1980. No. 3576. 150 p.
SPACE TECHNOLOGY AND MATERIAL SCIENCE
614. E.P.Prokop'ev, one co-author. About possibilities of carring out vacuum silicon epitaxy
in space. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1972. No 1. P.53.
615. E.P.Prokop'ev. To theory of growth and doping of epitaxial semiconductor layers from
gas vapour phase in conditions microgravitation. Progr. and rep. thes. "Conf. of Stateparticip. "Interkosmos" on questions of space echnology". Publ. IKI AN USSR.
Moscow. 1978. P.3.
616. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Modelling investigations of crystals PbTe on apparatus
"Kristall". Ibidem. P.4.
617. E.P.Prokop'ev, three co-authors. To question of conduction of vacuum epitaxy of
elementary semiconductors in space. In book: The production and behaviour of materials
in space. Moscow. Nauka. 1978. P.8.
618. E.P.Prokop'ev. Peculiarities of liquid phase crystal growth in conditions of
microgravitation. Ibidem. P.3.
619. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Simulation of process of Ge, InSb, InAs monocrystal
growth in conditions of microgravitation. See /579/. P.5.
620. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Modelling of PbSe1-xTex crystal growth from gas phase
on apparatus "Kristall". See /579/. P.6.
621. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Peculiriaties of GaAs monocrystal growth in conditions
of microgravitation. Ibidem. P.7.
622. E.P.Prokop'ev, seven co-authors. About influence of accidental momentums on growth of
monocrystals from liquid phase. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1978. No 2.
P.51.
623. E.P.Prokop'ev, five co-authors.
Computer simulation and selection of optimal
algorithmes of temperature control in heating apparatus "Kristall". Progr. and rep. thes.
"Gagarinskie chteniya". Moscow. Publ. MAI. 1979. P.10.
624. .P.Prokop'ev, four co-authors. One dimensional mathematical model of heat apparatus
"Kristall". Ibidem. 1979. P.7.
625. E.P.Prokop'ev,
four co-authors. Mathematical model of tecnological apparatus "Korund".
Ibidem. 1980. P.7.
626. E.P.Prokop'ev. One dimensional digital model of cylinder heat unit. Moscow. 1982.
P.129-138. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-3475.
627. E.P.Prokop'ev. About concept of world mind. Moscow. 1982. P.116-117. Deposited
paper. TSNII "Elektronika". P-3475.
628. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Computer simulation and selection of optimal
algorithmes of temperature control in heating apparatus "Kristall". In book: Nauchnye
chteniya po aviatsii i kosmonavtikt. Moscow. Nauka. 1980. P.285.
629. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Investigations in area of technology of space electron
material science on apparatus "Kristall". Pep. thes. "17 Chteniya of K.E. Tsiolkovskogo".
Kaluga. 1982. P.10.
630. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Application of Landau boundary layer theory for
investigation of chemical hydrodynamics of monocrystal growth process in conditions of
microgravitation. Rep. thes. "3 All-union seminar on problems of hydodynamics and
heat- and mass-transfer in conditions microgravitation”. Moscow. Publ. IPM AN
USSR. 1984. P.67.
631. E.P.Prokop'ev. About possibilities of growth of monocrystals and thin films of high
temperature superconductors in conditions of microgravitation. Elektronnaya tekhnika.
Ser.6. Materialy. 1989. No. 1. P.45-50.
632. OTHER SCIENTIFIC WORKS
633. E.P.Prokop'ev. Possible models of coherent behaviour of defect atmosphere in
semiconductor crystals.
Moscow. 1994. P.102-115. Deposited paper. TSNII
"Elektronika". Р-5500.
634. E.P.Prokop'ev. Non-equilibrium phase transitions in chemical reactions in ensembles of
solid defects in process ion implantation. Moscow. 1994. P.116-122. Р-5500.
635. E.P.Prokop'ev, two co-authors. About peculiriaties of determination of concentration of
imperfection centres in semiconductors by C-V method. Rep. thes. "8 All-union conf.
on microelectronics". Moscow. Publ. MIET. 1978. P.53.
636. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Distribution of concentration of charge carries in sharp nn+ transitions. Moscow. 1978. 4 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-2368.
637. E.P.Prokop'ev. About influence of surface states on n-type semiconductors-metals
interface on height of Schottky barrier. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika.
1979. No 1. P.93.
638. E.P.Prokop'ev, one co-author. Calculation of concentration imperfection profile in
epitaxial structures by Garrett-Braittan method from experimental C-V characteristics.
Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1972. No.10. P.89.
639. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Determination of concentration imperfection profile in
thin semiconductor layers by C-V method. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy.
1973. No 5. P.120.
640. E.P.Prokop'ev, two co-authors.
Influence of deep imperfection levels on C-V
characteristics of Schottky barrier. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1974.
No2. P.16.
641. E.P.Prokop'ev. Investigations in area of production of silicon layers and complex
systems. Moscow. 1994. 138 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". Р-5500.
642. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Determination of concentration imperfection profile in
thin epitaxial layers by C-V and I-V characteristics. Elektronnaya tekhnika. Ser.3.
Mikroelektronika. 1974. No. 5. P.117.
643. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Some peculiriaties of determination of concentration
imperfection profile in semiconductor layers by C-V characteristics of Schottky
barrier. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1976. №5. P.66.
644. E.P.Prokop'ev.
Investigations in area of production of silicon layers and complex
systems. Moscow. 1994. 138 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". Р-5500.
645. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Determination of concentration imperfection profile in
thin epitaxial layers by C-V and I-V characteristics. Elektronnaya tekhnika. Ser.3.
Mikroelektronika. 1974. No. 5. P.117.
646. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Some peculiriaties of determination of concentration
imperfection profile in semiconductor layers by C-V characteristics of Schottky
barrier. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1976. Mo 5. P.67.
647. Е.П.Прокопьев, В.В.Зотов, В.Н.Стаценко. Моделирование процессов наращивания
слоев кремния в гидридном и тетрахлоридном процессах при быстром импульсном
нагреве светом. Высокочистые вещества. 1994. №1. С.39-47.
648. Е.П.Прокопьев.
Процесс роста аморфных пленок a-Si:Н в условиях
высокочастотного разряда в силановых газовых смесях. Теоретические основы
химической технологии. 1994. Т.28. №1. С.43-47.
649. Е.П.Прокопьев. . Моделирование и оптимизация скорости роста и уровня
легирования эпитаксиальных слоев кремния в гидридном и тетрахлоридном
процессах. Высокочистые вещества. 1994. №6. С.63-76.
650. Е.П.Прокопьев. Анализ режимов процесса роста слоев алмаза в газовой смеси
CH4+H2 пониженного давления в методе нагретой нити. Химическая физика. 1994.
Т.13. №11. С.65-69.
651. Е.П.Прокопьев. Модель осаждения полупроводниковых слоев в проточном
газоэпитаксиальном реакторе. Журнал технической физики. 1995. Т.65. Вып.2.
С.22-29.
652. Е.П.Прокопьев, В.В.Зотов, В.Н.Стаценко. Моделирование процессов роста и
легирования слоев кремния в тетрахлоридном процессах при быстром импульсном
нагреве подложек некогерентным излучением. Высокочистые вещества. 1995. №4.
С.54-66.
653. Е.П.Прокопьев. О процессах массопереноса и кинетике роста пленок кремния
LICVD методом. Тез. докл. 5-ой Всероссийской конференции по лазерной химии
(Лазаревское, 30 сентября – 5 октября 1992 г.). М.: ИХФ РАН. С.47.
654. Е.П.Прокопьев, С.В.Петров, Е.М.Соколов. Анализ режимов процесса роста
аморфных пленок a-Si:Н в силановых плазменных смесях пониженного давления.
М., 1995. С.1-11. Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р-5501.
655. Е.П.Прокопьев, В.В.Зотов, В.Н.Стаценко. Нестационарная кинетика роста слоев
кремния в тетрахлоридном процессе при быстром импульсном нагреве подложек
некогерентным излучением. М., 1995. С.26-39. Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р5501.
656. Е.П.Прокопьев. О возможности получения слоев кремния в тетрафторидном
процессе. М., 1995. С.40 -48. Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р-5501.
657. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Analysis of regimes of growth process of amorphous aSi:H films in silane plasma mixtures at low pressure. I. Moscow. 1994. P.12-17.
Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5501.
658. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Analysis of regimes of growth process of amorphous aSi:H films in silane plasma mixtures at low pressure. Moscow. 1994. P.18-25.
Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5501.
659. Е.П.Прокопьев. Простая аналитическая модель роста слоев алмаза в газовой смеси
CH4+H2 пониженного давления с использованием метода нагретой нити. Известия
вузов. Серия химия и химическая технология.. 1995. Т.38. №11. С.48-51.
660. Е.П.Прокопьев. Аналитическая модель скорости роста и уровня легирования
эпитаксиальных слоев кремния в хлоридных и гидридном процессах. Физика и
химия обработки материалов. 1996. №1. С.76-87.
661. Е.П.Прокопьев,
С.В.Петров, В.И.Белоусов. Опытно-промышленная эпитаксия
кремния: новая аналитическая модель. Петербургский журнал электроники. 1996.
№1. С.29-40.
662. Е.П.Прокопьев, С.В.Петров. Модель сращивания пластин кремния по данным
газовыделения. М., 1996. С.103-112. Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р-5502.
663. Е.П.Прокопьев,
С.В.Петров, Е.М.Соколов. Слои кремния:в импульсном
тетрахлоридном процессе. Петербургский журнал электроники. 1996. №4. С.30-34.
664. Е.П.Прокопьев, С.В.Петров, Е.М.Соколов. Анализ режимов процесса роста
аморфных пленок a-Si:Н в силановых плазменных смесях пониженного давления.
Физика и химия обработки материалов. 1997. №2. С.70-74.
665. Е.П.Прокопьев, С.В.Петров, Е.М.Соколов. Пленки a-Si:Н :в ВЧ тлеющем разряде
газовой смеси SiH4-H2 . Петербургский журнал электроники. 1997. №2. С.14-19.
666. Е.П.Прокопьев. Аналитическая модель роста эпитаксиальных слоев кремния в
тетрахлоридном процессе. Теоретические основы химической технологии. 1997.
Т.31. №5. С.505-509.
667. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.В.Зотов. Модель осаждения
кремния в
проточном газоэпитаксиальном реакторе. Петербургский журнал электроники.
1998. №2. С.17-21.
668. Е.П.Прокопьев, В.В.Зотов, С.П.Тимошенков. Модель осаждения слоев кремния на
стенках капилляров и пор из парогазовых смесей. Материаловедение. 1998 .№3.
C.2-4.
669. С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. Исследование плазменного высокочастотного
осаждения частиц оксидов с целью получения многокомпонентных стекловидных
диэлектрических слоев на подложках кремния. Химия высоких энергий. 1998. Т.32.
№6. С.475-477.
670. С.П.Тимошенков
Е.П.Прокопьев.
ВЧИ
плазменный
метод
получения
многокомпонентных диэлектрических слоев на подложках кремния. Техника
машиностроения. 1999. №1. С.48-50.
671. С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. Особенности процесса прямого соединения
пластин кремния. Материаловедение. 1999. №5. С.43-45.
672. С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. Особенности термической обработки частиц
BaO,
SiO2,
Al2O3 в воздушной и аргон-кислородной ВЧИ плазме.
Материаловедение. 1999. № 1. С.54-56.
673. В.З.Петрова,
С.П.Тимошенков
Е.П.Прокопьев.
Эксперимент:
синтез
диэлектрических порошков SiO2 - Al2O3 - BaO в плазме. Петербургский журнал
электроники. 1999. №1. С.17-23.
674. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, В.В.Дягилев. О движении и залечивании пор и
полостей вблизи границы сращивания стандартных пластин кремния. Известия
вузов. Электроника. 1998. №5. С.39-44.
675. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Осаждение материалов на стенках пор и
капилляров из паро-газовых смесей. Теоретические основы химической
технологии. 2001. Т.35. № 1. С.80-84.
676. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Возможность прямого соединения пластин
кремния с использованием химической сборки поверхности методом
молекулярного наслаивания. Материаловедение. 1999. №4. С.49-51.
677. В.З.Петрова , Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Исследование плазменного
процесса получения сплошных стекловидных диэлектрических слоев на
поверхности подложек кремния. Химия высоких энергий. 1999. Т.33. №6. С.471475.
678. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков.
Обработка твердых частиц оксидных
материалов в воздушной и аргон-кислородной высокочастотной индукционной
плазме. Сб. “Оборонный комплекс -научно-техническому прогрессу России”. 1999.
№2. С.18-20.
679. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков.
Позитроника ионных кристаллов, полупроводников и металлов. М.: Ред.-изд. отдел
МИЭТ (ТУ), 1999. 176 с. http://prokopep.narod.ru/prosetronik.htm
680. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. К вопросу определения энергии связи прямого
соединения пластин кремния методом генерации (вскрытия) трещины между
поверхностями сращивания. Материаловедение. 2000. №8. С.25-28.
681. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Определения энергии связи прямого соединения
пластин кремния методом генерации (вскрытия) трещины между поверхностями
сращивания (обзор). Сб. “Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу
России”. 1999. №3. С.45-49.
682. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Некоторые вопросы теории сращивания
стандартных пластин кремния. Сб. “Оборонный комплекс -научно-техническому
прогрессу России”. 1999. №3. С.35-44.
683. В.З.Петрова , Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, С.А.
Дьячков. Термическая
обработка частиц SiO2, Al2O3, BaO в воздушной и аргон-кислородной ВЧИ плазме.
Известия вузов. Электроника. 2000. №2. С.12-20.
684. Е.П.Прокопьев, С.В.Петров, Е.М.Соколов. Пленки a-Si:Н :в ВЧ тлеющем разряде
газовой смеси SiH4-H2 . Экспериментальные данные. Петербургский журнал
электроники. 1997. №3. С.31-38.
685. Е.П.Прокопьев, В.В.Зотов. К модели осаждения материалов на стенках капилляров
из парогазовых смесей при импульсном нагреве. Журнал технической физики.
1998. Т.68. Вып.8. С.141,142.
686. Е.П.Прокопьев.Модели роста полупроводниковых и диэлектрических слоев в
проточных изотермических реакторах. Теоретические основы химической
технологии. 1998. Т.32. №5. С.558-562.
687. Е.П.Прокопьев, В.М.Суворов. Особенности процесса роста эпитаксиальных слоев
кремния в системе SiH4+H2 при пониженном давлении. Теоретические основы
химической технологии. 1998. Т.32. №6. С.617-620.
688. Е.П.Прокопьев. О возможном спектре позитронных состояний в бездефектных
кристаллах кремния. Химическая физика. 1999. Т.18. №5. С.45-48.
689. Е.П.Прокопьев. Возможные неравновесные фазовые переходы в полупроводниках
и полупроводниковых сверхструктурах в скрещенных электрическом и магнитном
полях. Письма в ЖТФ. 1999. Т.25. Вып.16. С.39-44.
690. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Investigation a-Si:H film growth process in gas mixture
SiH4-H2. I,II. Moscow. 1994. P.1-35. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5497.
691. E.P.Prokop'ev. Simulation of growth silicon process in flowing systems. I. Silane
process. Moscow. 1994. P.2-18. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5500.
692. E.P.Prokop'ev. Simulation of semiconductor growth process in flowing systems. II.
Dichlorsilane, german and mixtture german-dichlorsilane processes. Moscow. 1994.
P.19-45. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5500.
693. Е.П.Прокопьев. Модель осаждения полупроводниковых слоев в проточном
газоэпитаксиальном реакторе. II. М., 1994. С.45-58. Деп. в ЦНИИ «Электроника».
Р-5500.
694. Е.П.Прокопьев, В.В.Зотов, В.Н.Стаценко. Элементарная теория легирования слоев
кремния, осаждаемых в гидридном и хлоридных процессах при скоростном
нагреве подложек некогерентным излучением. М., 1994. С.59-72. Деп. в ЦНИИ
«Электроника». Р-5500.
695. Е.П.Прокопьев. Анализ режимов процесса роста слоев алмаза в газовой смеси
CH4+H2 пониженного давления в методе нагретой нити. М., 1994. С.73-84. Деп. в
ЦНИИ «Электроника». Р-5500.
696. Е.П.Прокопьев,
В.В.Зотов, В.Н.Стаценко. Анализ режимов процессов роста
аморфных пленок a-Si:H в силановых плазменных смесях пониженного давления. I.
. М., 1994. С.85-95. Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р-5500.
697. Е.П.Прокопьев. Сборник статей: исследования в области электронного
материаловедения и физических методов изучения материалов электронной
техники. М.: НИИМВ, 1994. 196 с. Отчет НИИМВ №2858 инф.
698. .П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков.
Модель
прямого
низкотемпературного
соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности
методом молекулярного наслаивания (обзор). Материаловедение. 2001. №1.С.4452.
699. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков.
Возможности наблюдения фазовых переходов на поверхности пористого кремния
методом позитронной аннигиляции. Международная конференция по ядерной
физике. Кластеры в ядерной физике. L Совещание по ядерной спектроскопии и
структуре атомного ядра. Тезисы докладов Международной конференции. 14-17
июня 2000 г. Санкт-Петербург. Изд-во ПИЯФ РАН. 2000 . С.380.
700. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков.
Атом позитрония в пористом кремнии. Международная конференция по ядерной
физике. Кластеры в ядерной физике. L Совещание по ядерной спектроскопии и
структуре атомного ядра. Тезисы докладов Международной конференции. 14-17
июня 2000 г. Санкт-Петербург. Изд-во ПИЯФ РАН. 2000 . С.381.
701. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков.
Возможный спектр позитронных состояний в пористом кремнии. Физика твердого
тела. 2001. Т.43. Вып.8. С.1376-1380.
702. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков.
Исследование дефектов в SiO2 - Si методом позитронной аннигиляционной
спектроскопии. Тезисы доклада на 3-ей Международной научно-технической
конференции “Электроника и информатика - XXI век”. Москва: МГИЭТ (ТУ),
2000. С.142.
703. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Прямое соединения пластин кремния с
использованием химической сборки поверхности методом молекулярного
наслаивания в технологии получения КНИ структур. Тезисы докладов
Всероссийской конференции с международным участием СЕНСОР-2000. Сенсоры
и микросистемы 21-23 июня 2000. Санкт-Петербург.. Изд-во НИИ химии СПбГУ,
2000. С.208.
704. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.В.Калугин. Технология КНИ структур.
Петербургский журнал электроники. 2000. №1.С.8-25.
705. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, С.А. Дьячков. Исследование процесса синтеза
мелкодисперсных порошков оксидов и диэлектрического стекловидного материала
SiO2 - Al2O3 - BaO в высокочастотной воздушной и аргон-кислородной плазме..
Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России. 2000. №3. С.57-68.
706. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Модель фазовых переходов на
поверхности пористого кремния по данным метода позитронной аннигиляции.
Четвертая международная научная конференции по математическому
моделированию. 27 июня - 1 июля 2000. Москва: Изд-во Станкин. 2000. С.37
(Математические модели нелинейных возбуждений, переноса, управления. в
конденсированных системах и других средах). Тезисы докладов.
707. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, С.А.Дьячков, В.В.Калугин. Очистка и активация
поверхности в методе прямого соединения пластин кремния с использованием
химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания с целью
получения КНИ структур. Оборонный комплекс -научно-техническому прогрессу
России. 2000. №3. C.75-84.
708. В.И.Графутин,
А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, В.Ф.Реутов, А.Л.Суворов,
С.П.Тимошенков, Б.Ю.Шарков, Ю.А.Чаплыгин. Основы технологии связывания
(сращивания) протонированных пластин кремния с гидрофильными подложками с
целью получения структур кремний на изоляторе, многослойных структур Ge/Si,
(GexSi1-x)/Si и тонких монокристаллических слоев кремния и германия,
полупроводников A3B5 и A2B6 для производства новой элементной базы опто-,
нано- и микроэлектроники, создания современных суперкомпьютеров,
специальных ИС и приборов, микромеханических устройств, сенсоров и датчиков
и солнечных элементов. Сайт журнала “Экономика и производство” в интернете
(http://www.mte.ru/conf). Журнал депонированных рукописей, №9 октябрь. Труды
научно-технической конференции «Новые технологии и научно-технические
достижения промышленности
– человеку, обществу, государству «ПРОМТЕХЭКСПО XXI». 2001. 60 с. (файл: D\Soi\Sci BondingUkr.doc).
709. А.Л.Суворов,
В.П.Бабаев, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев,
Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков. Возможные синергетические подходы к
проблемам ядерного и электронного материаловедения (включая случаи облучения
материалов протонами). Сайт журнала “Экономика и производство” в интернете
(http://www.mte.ru/conf). Журнал депонированных рукописей, №9 октябрь. Труды
научно-технической конференции «Новые технологии и научно-технические
достижения промышленности
– человеку, обществу, государству «ПРОМТЕХЭКСПО XXI».. 2001. 45 с. (файл: D\Soi\ReportUkr.doc).
710. S.P. Timoshenkov, E.P.Prokopiev. Possibility of silicon wafers bonding with chemical
assembling of surface by molecular layers arrangement method. Abstracts on NATO
Advanced Research Workshop (NATO ARW). Ukraine. Kyiv (Sanatorium <<Puscha
Ozerna>>, October 2 - 5, 2000. C.23,24.
711. С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, С.А.Дьячков, Е.П.Прокопьев. Прямое соединения
пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом
молекулярного наслаивания. Труды международной научно-технической
конференции “Актуальные проблемы твердотельной электроники и
микроэлектроники”. (ПЭМ-2000) Пос. Дивногорское, Россия. 2000. Ч.1. С.15.-17
712. С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, С.А.Дьячков, Е.П.Прокопьев. О возможности
прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки
поверхности методом молекулярного наслаивания. Тезисы доклада на 3-ей
Международной научно-технической конференции “Электроника и информатика XXI век”. Москва: МГИЭТ (ТУ), 2000. С.201.
713. С.П.Тимошенков, В.И. Графутин, С.А.Дьячков Е.П.Прокопьев. Использование
химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания в
нанотехнологии и инженерии поверхности. Всероссийская научно-техническая
конференция “НОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ И ТЕХНОЛОГИИ”. 24-25 октября 2000 г.
г.Москва. ”МАТИ” - Российский государственный технологический университет
им. К.Э.Циолковского. Тезисы докладов.М.: МАТИ, 2000. С.248.
714. С.П.Тимошенков, В.И. Графутин, С.А.Дьячков Е.П.Прокопьев. Моделирование и
оптимизация ВЧИ плазменного метода получения многокомпонентных
диэлектрических слоев на подложках кремния. Всероссийская научная
конференция “Математическое моделирование в научных исследованиях”. Тезисы
докладов. 27-30 сентября 2000 г. Ставрополь. Ставропольский государственный
университет. С.53.
715. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, С.А.Гаврилов, Г.Г.Мясищева,
Ю.В.Фунтиков. Возможности наблюдения позитронных состояний на поверхности
пористого кремния. Украинский физический журнал. 2001. Т.46. № 8. С.870-877.
716. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, А.Л.Суворов, Б.Ю.Шарков, А.Г.Залужный,
В.И.Графутин, М.А.Козодаев. Особенности технологии изготовления КНИ
структур прямым сращиванием пластин кремния и контроля их качества //
Препринт ИТЭФ 24 - 00. M., 2000. 20 с.
717. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, С.А.Дьячков,
А.Г.Залужный, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев, В.Ф.Реутов, Б.Ю.Шарков. Анализ
преимуществ, перспектив применений и технологий производства структур КНИ.
Препринт ИТЭФ 27 – 00. М., 2000. 51 с.
718. Е.П.Прокопьев. Позитронные состояния в реальных кристаллах кремния.
Украинский физический журнал. 2000. Т.45. №7. С.881-884.
719. С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев и др. Теоретические и
экспериментальные исследования процессов формиирования многослойных
структур КНИ с целью создания нового поколения радиационностойкой
элементной базы специального назначения. Отчет МГИЭТ (ТУ). Москва, 2000. 71
с.
720. S.P.Timoshenkov, A.L.Suvorov, V.F.Reutov, V.I.Grafutin, E.P.Prokop`ev. Production
of thin plates, membranes and silicon on insulator structures by direct splicing of wafers
of silicon by proton implantation. 7-я научная и деловая конференция по технологии
кремния, фотогальванике и оптике ИК-диапазона. Рожнов-под-Радгостем, Чешская
республика, 7-10 ноября 2000 г. С.12.
721. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, А.Г.Залужный,
Е.П.Прокопьев, Б.Ю.Шарков. Smart-cut технология получения структур КНИ с
использованием методов химической сборки поверхности. НАУЧНАЯ СЕССИЯ
МИФИ-2001 года. СБОРНИК НАУЧНЫХ ТРУДОВ. ТОМ 9. М.: МИФИ, 2001.
C.22, 23.
722. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, А.Г.Залужный,
Е.П.Прокопьев, Б.Ю.Шарков. Радиационные свойства smart-cut структур КНИ.
НАУЧНАЯ СЕССИЯ МИФИ-2001 года. СБОРНИК НАУЧНЫХ ТРУДОВ. ТОМ 9.
М.: МИФИ, 2001. C.24, 25.
723. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, П.В.Крамер, С.А.Гаврилов,
О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Позитронные состояния и фазовые
переходы в пористом кремнии. Химическая физика. 2004. Т.23. №5. С.22-28.
724. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков.
Исследование дефектов в SiO2 - Si методом позитронной аннигиляционной
спектроскопии. Доклад на 3-ей Международной научно-технической конференции
“Электроника и информатика - XXI век”. Москва: МГИЭТ (ТУ), 2000. С.142.
725. С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, С.А.Дьячков, Е.П.Прокопьев О возможности
прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки
поверхности методом молекулярного наслаивания. Доклад на 3-ей Международной
научно-технической конференции “Электроника и информатика - XXI век”.
Москва: МГИЭТ (ТУ), 2000. С.201.
726. В.И.Графутин,
О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, В.Г.Фирсов,
Ю.В.Фунтиков. Особенности процесса аннигиляции позитронов в водных
растворах солей галогенидов щелочных металлов. Химия высоких энергий. 2000.
Т.34. №6. С.460-466.
727. В.И.Графутин, В.Л.Гришкин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев,
Ю.В.Фунтиков. Захват позитронов ионами галогенов: Эффективные заряды ионов.
Химическая физика. 2000. Т.19. №4. С.36-40.
728. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев и др. Теоретические и экспериментальные
исследования процессов формиирования многослойных структур КНИ с целью
создания нового поколения радиационностойкой элементной базы военного
назначения (Этап II). № гос. Регистрации 01200008756.Отчет МГИЭТ (ТУ).
Москва, 2000. 83 с.
729. А.Л.Суворов,
С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев
Физико-химическая теория smart-cut технологий структур КНИ. Тезисы докладов
XV Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью 2001».(ВИП-2001) (27 – 31 августа) 2001 г. Звенигород..2000. М.: МАИ, 2001 Том.
С.202-204.
730. С.П.Тимошенков, А.Л.Суворов, В.З.Петрова, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, П.В.
Крамер. Исследование процесса сращивания стандартных пластин кремния по
данным выделения паров воды с использованием метода молекулярного
наслаивания. I. Технологический маршрут, физико-химические основы smart-cut
технологий и особенности процессов сращивания.Оборонный комплекс-научнотехническому прогрессу России. 2001 №3. С.15-29.
731. С.П.Тимошенков, А.Л.Суворов, В.З.Петрова, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, П.В.
Крамер. Исследование процесса сращивания стандартных пластин кремния по
данным выделения паров воды с использованием метода молекулярного
наслаивания. II. Технология процессов обработки структур КНИ. Оборонный
комплекс-научно-техническому прогрессу России. 2001 №3. С.29-37.
732. А.Л.Суворов,
Ю.А.Чаплыгин,
С.П.Тимошенков,
В.И.Графутин,
П.В.Крамер,А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, Б.Ю.Шарков. Smart-cut технология
получения структур КНИ. В кн.: ВОДОРОДНАЯ ОБРАБОТКА МАТЕРИАЛОВ.
ТРУДЫ Третьей Международной Конференции «ВОМ-2001». Украина. Донецк.
14 – 18 мая 2001 г. Ч.1,2. Донецк – 2001. С.262-264.
733. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Соединение протонированных пластин кремния
с гидрофильными подложками с целью получения монокристаллических слоев
кремния для производства солнечных элементов. Тезисы доклада Пятого
Международного семинара
«Российские технологии для индустрии».
«Нетрадиационные и возобновляемые источники энергии» (из цикла «Результаты
фундаментальных исследований для инвестиций). (28-30) мая 2001 г., С.Петербург.
Научно-исследовательский центр ФТИ им.А.Ф.Иоффе, С.Петербург. С.157,158.
734. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Возможность соединения протонированных
пластин кремния с гидрофильными подложками с целью получения
монокристаллических слоев кремния для производства солнечных элементов.
«МАТЕРИАЛЫ И ТЕХНОЛОГИИ XXI ВЕКА». Сборник материалов
Всероссийской научно-технической конференции.Ч.Ш. Пенза, 2001. C.54-56.
735. Timoshenkov
S.P., Prokop'ev E.P. Obtaining of thin single-crystal silicon layers for
production of solar cells by the smart-cut technology. Russian technologies for industry.
RENEWABLE ENERGY. ABSTRACTS. May 28-30, 2001. Saint-Petersburg., Russia.
(“Results of Fundamental Research for Investments”). P.144,145.
736. Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков .Использование тонких монокристаллических
слоев кремния, получаемых связыванием пластин, для производства
полупроводниковых приборов, ИС, сенсоров и микромеханических устройств.
Тезисы доклада Пятого Международного семинара «Российские технологии для
индустрии». «Нетрадиационные и возобновляемые источники энергии» (из цикла
«Результаты фундаментальных исследований для инвестиций). (28-30) мая 2001 г.,
С.Петербург. Научно-исследовательский центр ФТИ им.А.Ф.Иоффе, С.Петербург.
С.146,147.
737. Timoshenkov
S.P., Prokop'ev E.P. The thin silicon single-crystalline layers fabricated by
bonding of wafers for production of semiconductor devices, ULSI, sensors,
micromecanical devices. Russian technologies for industry. RENEWABLE ENERGY.
ABSTRACTS. May 28-30, 2001. Saint-Petersburg., Russia. (“Results of Fundamental
Research for Investments”). P.133,134.
738. E.P.Prokop`ev,
V.I.Grafutin, S.P.Timoshenkov , Yu.V.Funtikov, G.G.Myasishcheva,
O.V.Ilyukhina. Effective charges of oxygen ions in metal oxides. Abstracts of 3rd
International Conference. NUCLEAR AND RADIATION PHYSICS (ICNRP ’01). 4-7
June 2001. Almaty: Institute of Nuclear Physics, Republic of Kazakstan, 2001. P.199.
739. E.P.Prokop`ev, V.I.Grafutin, S.P.Timoshenkov , Yu.V.Funtikov, G.G.Myasishcheva,
O.V.Ilyukhina. Positronium in semiconductors and ionic crystals. Abstracts of 3rd
International Conference NUCLEAR AND RADIATION PHYSICS (ICNRP ’01). 4-7
June 2001. Almaty: Institute of Nuclear Physics, Republic of Kazakstan, 2001. P.213.
740. V.F.Reutov,
A.L,Suvorov,
A.G.Zaluzhnyi,
V.I.Grafutin,
S.P.Timoshenkov,
E.P.Prokop`ev. Technology development and production of thin plates, membranes and
silicon-on-insulator (SOI) structures by the bonding of silicon wafers using the radiationinduced gas-simulated splitting. Abstracts of 3rd International Conference NUCLEAR
AND RADIATION PHYSICS (ICNRP ’01). 4-7 June 2001. Almaty: Institute of Nuclear
Physics, Republic of Kazakstan, 2001.P.186.
741. В.Ф.Реутов, А.Л.Суворов, А.Г.Залужный, В.И.Графутин, С.П.Тимошенков,
Е.П.Прокопьев. Развитие технологии и получения тонких пластинок, мембран и
структтур кремний-на-изоляторе (КНИ) с использованием метода газового
скалывания. 3 Международная конференция «Ядерная и радиационная физика»,
Алматы, 4 – 7 июня 2001. Т.2. Радиационная физика. Алматы: Изд-во ИЯФ НЯЦ
Р.К. 2001. С.489-503.
E.P.Prokop'ev, A.G.Zaluzhnyi, V.I.Grafutin, A.L,Suvorov,
B.Yu.Sharkov. Peculiarities of silicon-on-insulator structures manufacturung. Report on
4-th Moscow International ITEP School of Physics (29-th ITEP Winter School of
Physics). Modern Condensed Matter Physics: Experimental Methods and Devices,
Related Topics. Zvenigorod, Moscow region, Februari 5 - 16, 2001. 10 c.
743. Е.П.Прокопьев, A.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, С.П.Тимошенков. О
когерентном поведении атмосферы дефектов и научных основах синтеза и
эксплуатации материалов. Тезисы докладов 3-ей Всероссийской научной
конференции «Молекулярная физика неравновесных систем» (ВНКМФНС),
Иваново-Плёс, ИГХТУ, 28 мая – 1 июня 2001. С.105,106.
744. Е.П.Прокопьев, A.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, С.П.Тимошенков. О
возможных моделях когерентного поведения атмосферы дефектов в
полупроводниковых кристаллах. Статьи (Тезисы докладов) на 3-ей Всероссийской
научной конференции «Молекулярная физика неравновесных систем»
(ВНКМФНС), Иваново-Плёс, ИГХТУ, 28 мая – 1 июня 2001. С.106-111.
745. Е.П.Прокопьев, A.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, С.П.Тимошенков. О
возможных моделях когерентного поведения атмосферы дефектов в материалах
атомной техники (обзор). Оборонный комплекс-научно техническому прогрессу
Российской Федерации. 2002. №1. С.3-7.
746. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, В.Г.Фирсов, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Новые
типы химической связи и ее особенности в галогенидах позитрония. Report on LI
meeting on nuclear spectroscopy and nuclear structure “Features of nuclear exitation
states and mechanisms of nuclear reactions”. Russia, Sarov, RFNC-VNIIEF. September
3-8, 2001.
747. V.I.Grafutin, E.P.Prokop`ev, V.G.Firsov, S.P.Timoshenkov, ,G.G.Myasishcheva,
V.S.Minaev, Yu.V.Funtikov. Investigations by positron annihilation method of
chalcogenide glassy semiconductors. Abstracts of LI meeting on nuclear spectroscopy
and nuclear structure “Features of nuclear exitation states and mechanisms of nuclear
reactions”. Russia, Sarov, RFNC-VNIIEF. September 3-8, 2001. P.335,336.
748. А.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев. О когерентном
поведении атмосферы дефектов и научных основах эксплуатации материалов
атомной техники: Обзор. 3 Международная конференция «Ядерная и радиационная
742. S.P.Timoshenkov,
физика», Алматы, 4 – 7 июня 2001. Т.2. Радиационная физика. Алматы: Изд-во
ИЯФ НЯЦ Р.К. 2001. С.415-425.
749. В.И.Графутин,
Прокопьев Е.П. Применение позитронной аннигиляционной
спектроскопии для изучения строения вещества. Успехи физических наук. 2002.
Т.172. №1. С.67-83.
750. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, A.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, В.И.Графутин,
А.Г.Залужный, Smart-cut технология получения структур КНИ во влажных
условиях c использованием методов химической сборки поверхности. I. Модель
сращивания пластин кремния по данным выделения паров воды.
Материаловедение. 2002. №3. С.11-20.
751. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, A.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, В.И.Графутин,
А.Г.Залужный, Smart-cut технология получения структур КНИ во влажных
условиях c использованием методов химической сборки поверхности.
Материаловедение. II. Теория и экспериментальные результаты 2002. №4. С.10-20.
752. A.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев. О когерентном
поведении атмосферы дефектов и научных основах синтеза и эксплуатации
материалов (обзор). Abstracts of 3rd International Conference NUCLEAR AND
RADIATION PHYSICS (ICNRP ’01). 4-7 June 2001. Almaty: Institute of Nuclear
Physics, Republic of Kazakstan, 2001. P.193.
753. А.Л.Суворов,
В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. О
возможности синергетического подхода к рассмотрению эволюции свойств
материалов, используемых в ядерном материаловедении. Оборонный комплекснаучно техническому прогрессу России. 2002. №1. С.8-11.
754. Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков,
Ю.А.Чаплыгин.
.О
возможности
синергетического подхода к рассмотрению эволюции свойств материалов,
используемых в электронном материаловедении. Материаловедение. 2002. №6.
С.17-20.
755. Ю.А.Чаплыгин,
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Синергетический подход к
проблеме производства и эксплуатации структур кремний на диэлектрике.
Химическая технология. 2002. №6. С.9-13.
756. А.Л.Суворов,
Е.П.Прокопьев, В.И.Графутин, С.П.Тимошенков. Синергетический
подход к проблеме окисления технически важных материалов атомной техники.
Оборонный комплекс-научно техническому прогрессу России. 2002. №1. С.40-42.
757. Ю.А.Чаплыгин, В.З.Петрова, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Возможные
синергетические подходы к исследованиям эволюции свойств структур кремний на
диэлектрике. Известия вузов. Электроника. 2001. № 2. С.44-50.
758. Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков. О возможности синергетического подхода к
проблеме окисления структур кремний на изоляторе (структур КНИ). Вторая
Российская школа ученых и молодых специалистов по материаловедению и
технологиям получения легированных кристаллов кремния (КРЕМНИЙ, ШКОЛА2001). 2 июля – 6 июля 2001 г. Московский государственный институт стали и
сплавов (технологический университет). Тезисы докладов. М.: МГИСиС. 2001.
С.71,72.
759. Ю.А.Чаплыгин,
А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, В.З.Петрова, В.И.Графутин,
E.П.Прокопьев. Возможные синергетические подходы к исследованиям эволюции
свойств структур кремний на диэлектрике и проблемы их надежности и качества. В
кн.: НАДЕЖНОСТЬ И КАЧЕСТВО. Труды международного симпозиума. Под
ред. А.Н.Андреева, В.И.Волчихина, Е.А.Мокрова, А.В.Блинова, Н.К.Юркова,
В.А.Трусова. Пенза: Изд-во Пенз. гос. ун-та, 2001. С.384-389. (об`ем – 481 с., илл. –
274, табл.96, библ. – 817 назв.).
760. А.Л.Суворов,
Ю.А.Чаплыгин, В.З.Петрова, С.П.Тимошенков, А.Г.Залужный,
В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев. Воэможный синергетический подход к проблеме
окисления структур КНИ (A.L. Suvorov , Yu.A.Chaplygin,V.Z.Petrova, S.P.
Timoshenkov , A.G.Zalughnyi, V.I. Grafutin , E.P. Prokop'ev.. Possible synergetic
approach to problem of soi-structure oxidation). Тезисы доклада на Всероссийской
научно-технической конференции “МИКРО- и НАНОЭЛЕКТРОНИКА-2001”
(МНЭ-2001) с участием зарубежных ученых. 1-5 октября 2001 г. г. Звенигород. М.:
2001. Р3-41.
761. В.И.Графутин, А.Г.Залужный, В.З.Петрова,
Е.П.Прокопьев, А.Л.Суворов,
С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин. Использование соединения протонированных
пластин кремния с гидрофильными подложками с целью получения тонких
монокристаллических слоев кремния для производства солнечных элнментов.
Reports on 3rd International Conference NUCLEAR AND RADIATION PHYSICS
(ICNRP ’01). 4-7 June 2001. Almaty: Institute of Nuclear Physics, Republic of
Kazakstan, 2001.P.105.
762. V.I.Grafutin, E.P.Prokop’ev, S.P.Timoshenkov, G.G.Myasishcheva, Yu.V.Funtikov.
Physics of the Solids. 2001. Vol.43. №8. P.1433-1437 (ФТТ. 2001. Т.43. №8. С.13761380).
763. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков,
В.Г.Фирсов, Ю.В.Фунтиков. Исследование дефектов в SiO2 – Si методом
позитронной аннигиляционной спектроскопии. Оборонный комплекс-научнотехническому прогрессу России. 2002. №1. С.63-68.
764. А.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, М.А. Козодаев, Е.П.Прокопьев,
Б.Ю.Шарков, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.Ф.Реутов. Технология
сращивания пластин кремния с использованием химической сборки поверхности
методами молекулярного наслаивания и газового скалывания. Атомная энергия.
2001. Т.91. Вып.4. С.255-263.
765. Е.П.Прокопьев. 2D Позитроны и атом позитрония в квантовых ямах
полупроводниковых сверхструктур. Тезисы докладов Всероссийской конференции
«Физика полупроводников и полуметаллов» (ФПП-2002). МО РФ Росс. гос. унив.
им. А.И.Герцена. Санкт-Петербург, 2002. С.41,42.
766. Е.П.Прокопьев, A.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, С.П.Тимошенков. О
возможных моделях когерентного поведения атмосферы дефектов в материалах
атомной техники (обзор). Оборонный комплекс-научно техническому прогрессу
Российской Федерации. 2002. №1. С.3-7.
767. А.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. О
возможности синергетического подхода к рассмотрению эволюции свойств
материалов, используемых в ядерном материаловедении. Оборонный комплекснаучно техническому прогрессу России. 2002. №1. С.8-11.
768. А.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков.
Синергетический подход к проблеме окисления технически важных материалов
атомной техники. Оборонный комплекс-научно техническому прогрессу России.
2002. №1. С.40-42.
769. В.З.Петрова, С.П.Тимошенков, Ю.А., Чаплыгин, Е.П.Прокопьев. Возможные
синергетические подходы к исследованиям эволюции свойств структур кремний на
изоляторе. Известия вузов. Электроника. 2002. № 2. С.44-50.
770. С.П.Тимошенков,
Е.П.Прокопьев,
А.Л.Суворов, В.Ф.Реутов, Б.Ю.Шарков,
Ю.А.Чаплыгин, А.Г.Залужный, В.И.Графутин, М.А.Козодаев. Получение КНИ
структур с использованием методов химической сборки поверхности и газового
скалывания. Электронная промышленность. 2002. №1. С.51-59.
771. В.И.Графутин,
А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, В.Ф.Реутов, А.Л.Суворов,
С.П.Тимошенков, Б.Ю.Шарков, Ю.А.Чаплыгин. Сращивание протонированных
пластин кремния с гидрофильными подложками для получения структур кремния
на изоляторе. Научная сессия МИФИ-2002. Научно-техническая конференция
«Научно-инновационное сотрудничество». Сборник научных трудов. Часть 3. М.:
МИФИ, 2002. С.39-41.
772. В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков,
Ю.А.Чаплыгин. Получение тонких слоев кремния на изоляторе (КНИ) для
солнечных элементов. Научная сессия МИФИ-2002. Научно-техническая
конференция «Научно-инновационное сотрудничество». Сборник научных трудов.
Часть 3.. М.: МИФИ, 2002. С.64,65.
773. В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков,
Ю.А.Чаплыгин. Получение структур кремния на изоляторе методом газового
скалывания лдля создания интегральных схем с повышенной радиационной и
термической стойкостью. Научная сессия МИФИ-2002. Научно-техническая
конференция «Научно-инновационное сотрудничество»..Сборник научных трудов.
Часть 3.. М.: МИФИ, 2002. С.37,38.
774. В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков. О
синергетическом подходе в проблеме кремния и материалов на основе кремния.
Научная сессия МИФИ-2002. Научно-техническая конференция «Научноинновационное сотрудничество». Сборник научных трудов. Часть 3.. М.: МИФИ,
2002. С.42,43.
775. .И.Графутин,
Е.П.Прокопьев, К.Н.Зайцев, А.А.Портнов, Ю.В.Фунтиков,
В.Г.Фирсов. Изучение электронных свойств металлов методом позитронной
аннигиляционной спектроскопии. Научная сессия МИФИ-2002. Научнотехническая конференция «Научно-инновационное сотрудничество». Сборник
научных трудов. Часть 2.. М.: МИФИ, 2002. С.70,71.
776. V.I.Grafutin, E.P.Prokop'ev Yu.A.Novikov, V.P.Shantarovich.. Application of positronic
annihilation spectroscopy for study in solids. Report on 4-th Moscow International ITEP
School of Physics (29-th ITEP Winter School of Physics). Modern Condensed Matter
Physics: Experimental Methods and Devices, Related Topics. Zvenigorod, Moscow,
Februari 5 - 16, 2001. Proceedings of the 4th Moscw International ITEP School of
Physics Editors: A.L.Suvorov, Yu.G.Abov, V.G.Firsov. “Академпринт». 2002, c.207227. (D\ТезДокл\RadPhys2002.doc).
777. S.P.Timoshenkov,
E.P.Prokop'ev, A.G.Zaluzhnyi, V.I.Grafutin, A.L,Suvorov,
B.Yu.Sharkov. Peculiarities of silicon-on-insulator structures manufacturung. Report on
4-th Moscow International ITEP School of Physics (29-th ITEP Winter School of
Physics). Modern Condensed Matter Physics: Experimental Methods and Devices,
Related Topics. Zvenigorod, Moscow, Februari 5 - 16, 2001. Proceedings of the 4th
Moscw International ITEP School of Physics Editors: A.L.Suvorov, Yu.G.Abov,
V.G.Firsov. “Академпринт». 2002, c.274-280.
778. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, A.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, В.И.Графутин,
А.Г.Залужный, Smart-cut технология получения структур КНИ во влажных
условиях c использованием методов химической сборки поверхности. I. Модель
сращивания пластин кремния по данным выделения паров воды.
Материаловедение. 2002. №3. С.11-20.
779. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, A.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, В.И.Графутин,
А.Г.Залужный, Smart-cut технология получения структур КНИ во влажных
условиях c использованием методов химической сборки поверхности.
Материаловедение. II. Теория и экспериментальные результаты 2002. №4. С.10-20.
780. А.Л.Суворов, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков,
В.И.Графутин, .Г.Залужный.
Smart-cut технологии связывания (сращивания) протонированных пластин кремния
с гидрофильными подложками с целью получения структур кремний на изоляторе,
многослойных структур Ge/Si, (GexSi1-x)/Si и тонких монокристаллических слоев
кремния, германия, полупроводников A3B5 И A2B6 для производства новой
элементной базы опто-, нано- и микроэлектроники, создания современных
суперкомпьютеров,
специальных
интегральных
схем
и
приборов,
микромеханических устройств, сенсоров, датчиков и солнечных элементов.
Вопросы атомной науки и техники (ВАНиТ) (Саров). 2002. Вып.1,2. С.217-219.
781. А.Л.Суворов, В.П.Бабаев,
В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев О
возиожности когерентного поведения атмосферы дефектов в материалах ядерной
техники. Вопросы атомной науки и техники (ВАНиТ) (Саров). 2002. Вып. 1,2.
C.220-224.
782. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, В.Г.Фирсов, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков,
О.В.Илюхина. Новые типы химической связи и ее особенности в галогенидах
позитрония: Препринт ИТЭФ-19-01. ИТЭФ. Москва, 2001, с.3-11.
783. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, В.Г.Фирсов, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков,
О.В.Илюхина. Новые типы химической связи и ее особенности в галогенидах
позитрония. Вопросы атомной науки и техники (ВАНиТ) (Саров). 2002. Вып.1,2.
С.225-228.
784. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, А.Г.Залужный, С.П.Тимошенков. В.И.Графутин,
Е.П.Прокопьев. Структуры КНИ и информационные технологии: перспективы,
применения. Труды конференции. XXIX Международная конференция
«Информационные технологии в науке, образовании, телекоммуникации и
бизнесе». IT + SE’ 2002 Майская сессия. Украина, Крым, Ялта-Гурзуф с 20 по 30
мая 2002 г. 2002 г. Секция А. Высокопроизводительные вычислительные
комплексы. Адрес в Интернет: http://webcenter.ru/~glorioz/procSE02.htm.
785. Е.П.Прокопьев, В.И.Графутин. Исследование свойств металлов методом
позитронной аннигиляционной спектроскопии. Физика электронных материалов.
Материалы Международной конференции – ФИЭМ’02. 1-4 октября 2002 года,
Калуга, Россия, 2002. С.20.
786. E.P.Prokop’ev, V.I.Grafutin. Investigations of metal properties by method of positron
annihilation spectroscopy. Physics of Electronic materials. International Conference
Proceedings. Kaluga, Russia, October 1-4, 2002. Kaluga: KSPU Press, 2002. P.21.
787. В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков,
Ю.А.Чаплыгин. Применение ELTRAN процесса с целью получения тонких
монокристаллических слоев кремния для производства солнечных элементов. .
Физика электронных материалов. Материалы Международной конференции –
ФИЭМ’02. 1-4 октября 2002 года, Калуга, Россия, 2002. С.298.
788. V.I.Grafutin,
A.G.Zaluzhnyi, E.P.Prokop’ev, A.L.Suvorov, S.P.Timoshenkov,
Yu.A.Chaplygin. Application ELTRAN process with purpose
of otaining thin
monocrystalline silicon layers for solar cells processing. Physics of Electronic materials.
International Conference Proceedings. Kaluga, Russia, October 1-4, 2002. Kaluga: KSPU
Press, 2002. P.299.
789. А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, C.Н.Новиков, Е.П.Прокопьев,
П.В.Крамер. Оптимизация процесса сращивания пластин кремния по данным
выделения паров воды. Физика электронных материалов. Материалы
Международной конференции – ФИЭМ’02. 1-4 октября 2002 года, Калуга, Россия,
2002. С.60.
790. A.L.Suvorov,
S.P.Timoshenkov, V.I.Grafutin,
S.N.Novikov, E.P.Prokop’ev,
P.V.Kramer. Optimazation of slitting silicon wafers process on datas of water vapour
selections. Physics of Electronic materials. International Conference Proceedings.
Kaluga, Russia, October 1-4, 2002. Kaluga: KSPU Press, 2002. P.61.
791. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин,
В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков. О перспективах и применениях структур КНИ. Оптимизация
процесса сращивания пластин кремния по данным выделения паров воды. Физика
электронных материалов. Материалы Международной конференции – ФИЭМ’02.
1-4 октября 2002 года, Калуга, Россия, 2002. С.358,359.
792. A.L.Suvorov, Yu.A.Chaplygin, A.G.Zaluzhnyi, S.P.Timoshenkov, V.I.Grafutin,
E.P.Prokop’ev. On perspectives and applications of SOI structures. Physics of Electronic
materials. International Conference Proceedings. Kaluga, Russia, October 1-4, 2002.
Kaluga: KSPU Press, 2002. P.359, 360.
793. В.И.Графутин,
А.Г.Залужный, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев, В.Ф.Реутов,
А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, Б.Ю.Шарков.
Физико-химические
основы
получения структур кремний на изоляторе с использованием метода газового
скалывания. Перспективные материалы. 2002. №3. С.5-12.
794. С.П.Тимошенков,
В.В.Калугин, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев.
Производство
структур кремний на изоляторе и сенсоров на их основе. «ДАТЧИКИ И
СИСТЕМЫ». Сборник докладов международной конференции. Том I. СанктПетербург: Издательство СПбГПУ, 2002. С.205-209.
795. Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков. Возможность исследования эволюции свойств
структур кремний на изоляторе синергетическими методами. Оборонный
комплекс-научно-техническому прогрессу России. 2002. №3. С.34-41.
796. С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев. Анализ процессов
подготовки поверхности кремниевых пластин при изготовлении структур кремний
на изоляторе. Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России. 2002. .
№3. С.28-34.
797. В.И.Графутин, А.Л.Суворов, Е.П.Прокопьев. Применение метода позитронной
аннигиляции для исследования дефектов структуры материалов ядерной и
термоядерной техники. Тезисы докладов 52 Международного Совещания по
ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра (ЯДРО-2002). 18-22 июня 2002.
Россия, Москва. МГУ им. М.В.Ломоносова. НИИЯФ им Д.В.Скобельцына. 2002.
С.335,336.
798. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, Ю..В.Фунтиков.
Применение позитронной спектроскопии для определения оптимальных условий
обработки пластин кремния, облученных протонами. Тезисы докладов 52
Международного Совещания по ядерной спектроскопии и структуре атомного
ядра (ЯДРО-2002). 18-22 июня 2002. Россия, Москва. МГУ им. М.В.Ломоносова.
НИИЯФ им Д.В.Скобельцына. 2002. С.334.
799. А.Л.Суворов, А.Г.Залужный, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев.
Перспективы и применения структур КНИ. Совещание по росту кристаллов,
пленок и дефектам структуры кремния (с участием иностранных ученых).
КРЕМНИЙ 2002. 9 – 12 июля 2002. Тезисы докладов. Новосибирск,
Академгородок. ИФП СО РАН, 2002. C.75,76.
800. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков.Возможность синергетического подхода к
эволюции свойств аморфных пленок SiO2 в структурах КНИ. «Аморфные и
микрокристаллические полупроводники». Сборник трудов Ш Международной
конференции. (2-4 июля 2002 года. Санкт-Петербург: ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН,
2002) Санкт-Петербург: Изд-во СПбГПУ, 2002. С.87,88.
801. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, А.Г.Залужный, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин,
Е.П.Прокопьев. Структуры
КНИ в микроэлектронике. «Аморфные и
микрокристаллические полупроводники». Сборник трудов Ш Международной
конференции. (2-4 июля 2002 года. Санкт-Петербург: ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН,
2002) Санкт-Петербург: Изд-во СПбГПУ, 2002. С.241,242.
802. В.В.Калугин,
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. О технологии структур кремний на
изоляторе. Химическая технология. 2002. №12. С.3-12.
803. Е.П.Прокопьев.Возможный синергетический подход к проблеме окисления
структур КНИ. Тезисы доклада четвертого международного семинара
«Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном
материаловедении». 3-5 октября 2002. Астрахань, Россия. АГПУ: Астрахань, 2002.
С.62.
804. Е.П.Прокопьев. Возможные синергетические эффекты в эволюции свойств
структур КНИ. Тезисы доклада четвертого международного семинара
«Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном
материаловедении». 3-5 октября 2002. Астрахань, Россия. АГПУ: Астрахань, 2002.
С.74.
805. В.И.Графутин, А.Г.Залужный, А.Л.Суворов, Е.П.Прокопьев. Применение метода
позитронной аннигиляции для исследования дефектов структуры в радиационной
физике материалов. Статья на XII-ом Международном совещании «Радиационная
физика твердого тела». Севастополь, 30 июня-7 июля 2002 г. М.: МИЭМ, 2002.
C.398-401.
806. А.Л.Суворов,
В.И.Графутин, А.Г.Залужный, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева,
Прокопьев Е.П., Фунтиков Ю.В. Исследование радиационных нарушений в
структурах КНИ методом позитронной аннигиляции (ОБЗОР). Сборник докладов
XII Международного совещания «Радиационная физика твердого тела».
Севастополь, 30 июня-7 июля 2002 г. М.: МИЭМ (ТУ), 2002. C.22-25.
807. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Smart-cut технология получения
тонких слоев кремния, германия и слоев кремний/германий на различных
подложках полупроводников и изоляторов. Труды восьмая международной научнотехнической конференция "Актуальные проблемы твердотельной электроники и
микроэлектроники" (ПЭМ-2002). Пос. Дивногорское, РОССИЯ, Таганрог. 2002.
Ч.1. С.109,110.
808. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, С.А. Дьячков Моделирование и оптимизация
процесса
синтеза
мелкодисперсных
порошков
оксидов,
кремния
и
диэлектрического стекловидного материала состава SiO2 - Al2O3 - BaO в
высокочастотной индукционной воздушной и аргон-кислородной плазме.
Теоретические основы химичеcкой технологии. 2002. Т.36. №5. С.500-505.
809. S.P.Timoshenkov, E.P.Prokop'ev, V.I.Grafutin About a Possibility of Usage of SmartCut Process for Obtaining of Thin Monocrystalline Silicon Carbide Layers // Abstracts of
the IV International Seminar on Silicon Carbide and Related Materials. - May 30-31,
2002. - p.30. (International seminar " Silicon Carbide and Related Materials" (ISSCRM2002). Great Novgorod, May 30-31, 2002, Novgorod Yaroslav Mudryi State University,
2002).
810. Е.П.Прокопьев,
C.П.Тимошенков, В.И.Графутин, В.В.Калугин. Smart-cut
технология получения тонких слоев германия, кремния и слоев кремний/германий
на различных подложках полупроводников и изоляторов. Электроника и
информатика-2002. IV Международная научно-техническая конференция. МИЭТ,
19-21 ноября 2002 г. Тезисы докладов. Часть 1. Москва, 2002. C.272.
811. Е.П.Прокопьев, C.П.Тимошенков, В.И.Графутин, В.В.Калугин.Исследование
процесса сращивания пластин кремния по данным выделения паров воды. Тезисы
докладов Всероссийской научно-технической конференции (НМТ-2002) “Новые
материалы и технологии” «МАТИ» 22-23 октября 2002 года.- Российский
государственный технологический университет им. К. Э. Циолковского. 2002.
C.52,53.
812. Е.П.Прокопьев Возможные синергетические эффекты в проблеме окисления
кремния в атмосфере влажного кислорода и воздуха. Электроника и информатика-
2002. IV Международная научно-техническая конференция. МИЭТ, 19-21 ноября
2002 г. Тезисы докладов. Часть 1. Москва, 2002. C.270, 271.
813. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков,
В.К.Мингазов, Ю.В.Фунтиков. Исследование радиационных нарушений в
структурах КНИ методом позитронной аннигиляции. Электроника и информатика2002. IV Международная научно-техническая конференция. МИЭТ, 19-21 ноября
2002 г. Тезисы докладов. Часть 1. Москва, 2002. C.200, 201.
814. С.П.Тимошенков,
Е.П.Прокопьев, С.А.Дьячков. Синтез мелкодисперсных
порошков в высокочастотной плазме. Физика и химия обработка материалов. 2002.
№5. С.26-31.
815. Е.П.Прокопьев .О возможности исследования технологий природных процессов с
целью их практического использования (для разработки новых процессов).
Abstracts International conference «Organization of Structure in Open Systems». Тезисы
докладов шестой международной конференции. Almaty, October, 21-24, 2002. C.85.
816. Е.П.Прокопьев.
Возможные синергетические эффекты в эволюции свойств
структур КНИ. Abstracts International conference «Organization of Structure in Open
Systems». Тезисы докладов шестой международной конференции. Almaty, October,
21-24, 2002. C.47-49.
817. Е.П.Прокопьев. Возможный синергетический подход к проблеме окисления
структур КНИ. Abstracts International conference «Organization of Structure in Open
Systems». Тезисы докладов шестой международной конференции. Almaty, October,
21-24, 2002. C.46-47.
818. Е.П.Прокопьев. Особенности процесса окисления кремния в атмосфере влажного
воздуха и кислорода. Материаловедение. 2002. №12. С.24-29.
819. Е.П.Прокопьев. Исследование процесса окисления кремния в атмосфере влажного
воздуха и кислорода синергетическими методами. Оборонный комплекс-научно
техническому прогрессу России. 2002. №4. С.27-32.
820. Е.П.Прокопьев. О синергетическом подходе к проблеме окисления кремния.
Материалы докладов на 6-й Международной конференции «Молекулярная
биология, химия и физика неравновесных систем» (МК МБХиФНС), ИвановоПлёс, ИГХТУ, 27 мая – 2 июня 2002, Иваново: Издательство ИвГУ,2002. С.301-304.
821. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков,
В.К.Мингазов, Ю.В.Фунтиков. Исследование радиационных нарушений в
структурах КНИ методом позитронной аннигиляции. Электроника и информатика2002. IV Международная научно-техническая конференция. МИЭТ, 19-21 ноября
2002 г. Тезисы докладов. Часть 1. Москва, 2002. C.200, 201.
822. Е.П.Прокопьев. О синергетическом подходе к проблеме окисления кремния.
Материалы докладов на 6-й Международной конференции «Молекулярная
биология, химия и физика неравновесных систем» (МК МБХиФНС), ИвановоПлёс, ИГХТУ, 27 мая – 2 июня 2002, Иваново: Издательство ИвГУ,2002. С.301-304.
823. С.П.Тимошенков,
Е.П.Прокопьев, С.А.Дьячков. Синтез мелкодисперсных
порошков в высокочастотной плазме. Физика и химия обработка материалов. 2002.
№5. С.26-31.
824. А.В.Нестерович, Ю.Я.Лапицкий, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков. Разработка источников ионов водорода с энергией 60 - 150 КэВ
для производства структур КНИ методом газового скалывания. Научная сессия
МИФИ-2003. II Научно-техническая конференция «Научно-инновационное
сотрудничество». Сборник научных трудов. Часть 2. М.: МИФИ, 2003. С.87-89.
825. В.И.Графутин,
А.Г.Залужный, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев, А.Л.Суворов,
С.П.Тимошенков. Производство структур КНИ методами газового скалывания:
развитие технологии и новые перспективные использования. Научная сессия
МИФИ-2003. II Научно-техническая конференция «Научно-инновационное
сотрудничество». Сборник научных трудов. Часть 2. М.: МИФИ, 2003. С.90-92.
826. Е.П.Прокопьев. Возможные динамические эффекты эффекты в проблеме
окисления кремния в атмосфере влажного кислорода и воздуха. Научная сессия
МИФИ-2003. Сборник научных трудов. Том 9. М.: МИФИ, 2003. С.92-94.
827. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Д.К.Григорьев, В.В.Калугин, Ал.С.Тимошенков.
Научные основы технологии структур кремний на изоляторе. Петербургский
журнал электроники. 2002. №2. С.15-28.
828. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Д.К.Григорьев, В.В.Калугин, А.С.Тимошенков.
Научные основы технологии структур кремний на изоляторе (продолжение).
Петербургский журнал электроники. 2002. №3. С.16-32.
829. С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев. Исследование технологии очистки
поверхности пластин кремния в процессе изготовления структур КНИ и
микроэлектронных изделий. Микросистемная техника. 2003. №1. С.13-22.
830. Е.П.Прокопьев,С.П.Тимошенков. О процессе роста слоев GexSi1-x на изоляторе в
смешанных гидридном и дихлорсилановом процессах. Третья Российская
конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий
получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе.
КРЕМНИЙ-2003. 26 мая – 30 мая 2003. Тезисы докладов. Москва. МИСиС, 2003.
C.256-259.
831. Е.П.Прокопьев,В.И.Графутин, С.П.Тимошенков. О возможности разработки нового
LI smart-cut процесса для производства структур КНИ. Третья Российская
конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий
получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе.
КРЕМНИЙ-2003. 26 мая – 30 мая 2003. Тезисы докладов. Москва. МИСиС, 2003.
C.344.
832. Е.П.Прокопьев, Д.К.Григорьев. Исследования процессов окисления германия и
структур ГНИ в атмосфере влажного воздуха и кислорода синергетическими
методами. Петербургский журнал электроники. 2002. №4. С.21-26.
833. Графутин В.И., Илюхина О.В., Мясищева Г.Г., Новиков Ю.А., Тимошенков С.П.,
Прокопьев Е.П., Фунтиков Ю.В. Аннигиляции позитронов в кремнии, облученном
протонами. Программа и доклад на Конференции по химической физике к 80летию со дня рождения академика В.И.Гольданского. 17-19 июня 2003 года,
Москва-Черноголовка, 2003.
834. Е.П.Прокопьев. Особенности процесса окисления кремния в атмосфере влажного
воздуха и кислорода. Материаловедение. 2002. №12. С.24-29.
835. Е.П.Прокопьев. Исследование процесса окисления кремния в атмосфере влажного
воздуха и кислорода синергетическими методами. Оборонный комплекс-научно
техническому прогрессу России. 2002. №4. С.27-32.
836. Е.П.Прокопьев. О синергетическом подходе к проблеме окисления кремния.
Материалы докладов на 6-й Международной конференции «Молекулярная
биология, химия и физика неравновесных систем» (МК МБХиФНС), ИвановоПлёс, ИГХТУ, 27 мая – 2 июня 2002, Иваново: Издательство ИвГУ,2002. С.301-304.
837. Е.П.Прокопьев. О возможности анигиляционных источников энергии. Оборонный
комплекс-научно-техническому прогрессу России. 2003. №2. С.10-14.
838. Е.П.Прокопьев. Получение интенсивных потоков позитронов и их применение.
Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России. 2003. №2. С.17-19.
839. Е.П.Прокопьев. О проблеме использования антиводорода в космической технике
будущего. Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России. 2003.
№2. С.15-16.
840. Е.П.Прокопьев. Возможность получения энергии и антивещества при низких
энергиях: вероятный физический механизм самоорганизации при ядерном синтезе,
трансформации элементов и синтезе антивещества. Оборонный комплекс научно-техническомк прогрессу России. 2003. №3. С.39,40.
841. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, В.В.Калугин. О процессе роста
слоев GexSi1-x на изоляторе в смешанных гидридном и дихлорсилановом процессах.
Оборонный комплекс - научно-техническомк прогрессу России. №3. С.25,26.
842. Б.Ю.Богданович, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, В.В.Калугин, А.В.Нестерович,
Е.П.Прокопьев, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин. Технологии и
методы исследования структур кремний на изоляторе. М.: МИЭТ, 2003. 288 с.
http://prokopep.narod.ru/SOI.htm
843. Б.Ю.Богданович,
А.В.Нестерович,
С.П.Тимошенков,
В.И.Графутин,
Е.П.Прокопьев, П.В.Алферов, В.В.Калугин,
Ю.Я.Лапицкий. Возможности
создания источников ионов водорода для технологических установок имплантации
протонов в полупроводниковые пластины большого диаметра с целью создания
многослойных структур. Материалы шестнадцатой Международной конференции
«Взаимодействие ионов с поверхностью». ВИП-2003. (Ion-Surface Interactions. ISI2003). 25 – 29 августа 2003 г. Звенигород..Россия. М.: МАИ, 2003. Том 2. С. 318321.
844. В.И.Графутин, О.В.Илюхина,Г.Г.Мясищева,
Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков.
Исследование дефектов структуры облученных материалов методом позитронной
аннигиляции.
Материалы
шестнадцатой
Международной
конференции
«Взаимодействие ионов с поверхностью». ВИП-2003. (Ion-Surface Interactions. ISI2003). 25 – 29 августа 2003 г. Звенигород..Россия. М.: МАИ, 2003. Том 2. С. 121124.
845. С.П.Тимошенков,
В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев. Разработка методов химической
обработки Si пластин, предназначенных для получения структур КНИ. I.
Химические взаимодействия на поверхности при жидкостных обработках пластин
кремния. Материаловедение. 2002. №8. С.10-16.
846. С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев. Разработка методов химической
обработки Si пластин, предназначенных для получения структур КНИ. II.
Разработка процессов химической обработки Si пластин Материаловедение. 2003.
№9. С.19-24.
847. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Ю.А.Новиков,
Е.П.Прокопьев,
Ю..В.Фунтиков. Аннигиляция позитронов в многослойных структурах. Сборник
докладов XШ Международного совещания «Радиационная физика твердого тела».
Севастополь, 30 июня-5 июля 2003 г. М.: МИЭМ (ТУ), 2003. С.382-384.
848. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Ю.М.Литвинов, В.К.Мингазов,
Г.Г.Мясищева,
Ю.А.Новиков, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Применение ПАС
для исследования протонированных пластин кремния, используемых в
производстве структур КНИ. Сборник докладов XШ Международного совещания
«Радиационная физика твердого тела». Севастополь, 30 июня-5 июля 2003 г. М.:
МИЭМ (ТУ), 2003. C.502-505.
849. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Ю.М.Литвинов, В.К.Мингазов,
Г.Г.Мясищева,
Ю.А.Новиков, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. изучение
линейных и точечных дефектов и их агломератов, возникающих в процессе
обработки пластин кремния, методом ПАС. Сборник докладов XШ
Международного совещания «Радиационная физика твердого тела». Севастополь,
30 июня-5 июля 2003 г. М.: МИЭМ (ТУ), 2003. C.498-501.
850. С.А.Гаврилов, В.И.Графутин, О.В.Илюхина, В.К.Мингазов,
Г.Г.Мясищева,
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Исследование природы и
топологии нанопористых материалов методом ПАС Сборник докладов XШ
Международного совещания «Радиационная физика твердого тела». Севастополь,
30 июня-5 июля 2003 г. М.: МИЭМ (ТУ), 2003. C.385-387.
851. Е.П.Светлов-Прокопьев. Обзор о рождении Вселенной посредством квантового
туннелирования. Тезисы доклада 3-й Международной конференции «Современные
достижения физики и фундаментальное физическое образование». Казахстан,
Алматы, 1-3 октября 2003 г. С.105.
852. Е.П.Светлов-Прокопьев. Об особенностях рождения ранних вселенных ХартлаХокинга. Тезисы доклада 3-й Международной конференции «Современные
достижения физики и фундаментальное физическое образование». Казахстан,
Алматы, 1-3 октября 2003 г. С.106.
853. E.P.Prokop’ev, S.P.Timoshenkov, V.V.Kalugin, V.I.Grafutin. Possibility of SOI structure
production using wet surface treatment (chemical assembling) and smart-technique.
Abstracts of International Conference «Micro- and nanoelectronics-2003” (ICMNE2003). Zvenigorod, Moscow discrict, October 6-10, 2003. P.O1-14.
854. Графутин В.И., Илюхина О.В., В.К.Мингазов, Мясищева Г.Г.,
Прокопьев Е.П.,
Фунтиков Ю.В.Исследование аннигиляции позитронов в кремнии, облученном
протонами. Тезисы докладов 53 Международного Совещания по ядерной
спектроскопии и структуре атомного ядра (ЯДРО-2003). 7-10 октября 2003. Россия,
Москва. МГУ им. М.В.Ломоносова. НИИЯФ им Д.В.Скобельцына. 2003. C.271,272.
855. Е.П.Прокопьев. Энергия связи позитрона с вакансиями в конденсированных
средах: модельный потенциал: . Тезисы докладов 53 Международного Совещания
по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра (ЯДРО-2003). 7-10 октября
2003. Россия, Москва. МГУ им. М.В.Ломоносова. НИИЯФ им Д.В.Скобельцына.
2003. C.273.
856. С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, А.Н.Бойко, Е.П.Прокопьев, В.И.Графутин.
Технологии производства структур кремний на изоляторе. Оборонный комплекснаучно-техническому прогрессу России. 2003. №4. С.51-55.
857. Е.П.Светлов-Прокопьев. Возможные синергетические подходы к проблемам
современного
материаловедения. Материалы 7-й Международной научной
конференции «Молекулярная биология, химия и физика гетерогенных систем».
(МБХ и ФГС), Москва-Плес, 7-13 сентября 2003. М.: Изд-во «Юнона», 2003.
С.109-112.
858. Е.П.Прокопьев. Возможные синергетические подходы к проблемам радиационной
физики материалов. Abstracts of 4-th International Conference. NUCLEAR AND
RADIATION PHYSICS (ICNRP ’03). 15-17 September 2003. Almaty: Institute of
Nuclear Physics, Republic of Kazakstan, 2003. C.266.
859. Е.П.Прокопьев. Возможные синергетические подходы к проблемам радиационной
физики материалов. 4 Международная конференция «Ядерная и радиационная
физика», Алматы,.15-17 сент., 2003: ICNP’03. Т.2. Радиационная физика твердого
тела и проблемы материаловедения. Алматы: Изд-во ИЯФ НЯЦ Р.К. 2004, с.103133. Библиогр. 65.
Possible synergetic approaches to problems of materials and
science (report). Abstracts of International Silk Road Conference “Quantum theory,
partial differential equations of mathematical physics and their application”. Tashkent,
Uzbekistan, September 30 – October 3, 2003. P.64,65.
860. E.P.Svetlov-Prokop’ev.
861. В.И.Графутин,
О.В.Илюхина, Ю.М.Литвинов, В.К.Мингазов,
Г.Г.Мясищева,
Ю.А.Новиков, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Исследование
линейных и точечных дефектов и их агломератов, возникающих в процессе
обработки пластин кремния. Abstracts of 4-th International Conference. NUCLEAR
AND RADIATION PHYSICS (ICNRP ’03). 15-17 September 2003. Almaty: Institute of
Nuclear Physics, Republic of Kazakstan, 2003. C.282.
862. С.А.Гаврилов,
В.И.Графутин, О.В.Илюхина, В.К.Мингазов,
Г.Г.Мясищева,
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Исследование природы и
топологии нанопористых материалов методом ПАС. Abstracts of 4-th International
Conference. NUCLEAR AND RADIATION PHYSICS (ICNRP ’03). 15-17 September
2003. Almaty: Institute of Nuclear Physics, Republic of Kazakstan, 2003. C.290.
863. Е.П.Прокопьев.
О возможности получения антивещества при низких энергиях:
вероятный физический механизм самоорганизация при ядерном (термоядерном)
синтезе и синтезе антивещества. Abstracts of 4-th International Conference.
NUCLEAR AND RADIATION PHYSICS (ICNRP ’03). 15-17 September 2003.
Almaty: Institute of Nuclear Physics, Republic of Kazakstan, 2003. C.144.
864. С.П.Тимошенков,
В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев. Исследование процессов
подготовки поверхности пластин кремния в процессе изготовления структур КНИ
и микроэлектронных изделий. Микроэлектроника. 2003. Т.32. №6.С.459-465.
865. С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев. Получение приборных структур
КНИ с использованием методов химической обработки и сращивания пластин
кремния. Микроэлектроника. 2004. Vol.33. №4. С.241-246.
866. А.Л.Суворов, В.И.Графутин,. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.В. Калугин.
Разработка процессов химической обработки сращиваемых подложек. Атомная
энергия. 2003. Т.95. Вып.5. С.359-363.
867. В.П.Бабаев, С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, Ан.С.Тимошенков, В.В.Калугин,
Д.К.Григорьев, Ал.С.Тимошенков. Возможные синергетические подходы к
проблемам электронного материаловедения. Петербургский журнал электроники.
2003. №3. С.21-39.
868. С.П.Тимошенков,
Е.П.Прокопьев,
В.В.Калугин,
Ан.С.Тимошенков,
М.Н.Талесников.
Smart-cut
технологии
изготовления
КНИ
структур.
Петербургский журнал электроники. 2003. №6. С.31-39.
869. С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев. Разработка методов химической
обработки Si пластин, предназначенных для получения структур КНИ. I.
Химические взаимодействия на поверхности при жидкостных обработках пластин
кремния. Материаловедение. 2003. №8. С.10-16. (D\Калугин\Paper4Калугин.doc).
870. С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев. Разработка методов химической
обработки Si пластин, предназначенных для получения структур КНИ. II.
Разработка процессов химической обработки Si пластин Материаловедение. 2003.
№9. С.19-24.
871. E.P.Svetlov-Prokop’ev. Possible synergetic approaches to problems of materials and
science (report). Abstracts of International Silk Road Conference “Quantum theory,
partial differential equations of mathematical physics and their application”. Tashkent,
Uzbekistan, September 30 – October 3, 2003. P.64,65.
872. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, В.В.Калугин. Особенности
процесса роста слоев GexSi1-x на изолирующих и полупроводниковых подложках в
смешанных гидридном и дихлорсилановом процессах. Материаловедение. 2004.
№6. С.8-12.
873. Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков,
В.И.Графутин,
В.В.Калугин..
Анализ
массопереноса в гидридных и хлоридных процессах наращивания слоев кремния и
GexSi1-x при быстром импульсном нагреве подложек некогерентными источниками
света. Материаловедение. 2004. №5. С.18-23.
874. Е.П.Светлов-Прокопьев. Возможные синергетические подходы к проблемам
современного
материаловедения. Материалы 7-й Международной научной
конференции «Молекулярная биология, химия и физика гетерогенных систем».
(МБХ и ФГС), Москва-Плес, 7-13 сентября 2003. М.: Изд-во «Юнона», 2003.
С.109-112.
875. Б.Ю.Богданович., А.В. Нестерович, С.П.Тимошенков, В.И Графутин,.
Е.П
Прокопьев, П.В. Алферов, В.В.Калугин, Ю.Я.Лапицкий, Ю.Б.Стасевич.
.Возможности создания источников ионов водорода для технологических
установок имплантации протонов в полупроводниковые пластины большого
диаметра с целью создания многослойных структур. Оборонный комплекс-научнотехническому прогрессу России. 2004. №1. С.55-61.
876. E.P.Prokop’ev, S.P.Timoshenkov, V.V.Kalugin, V.I.Grafutin. Possibility of SOI structure
production using wet surface treatment (chemical assembling) and smart-technique.
Abstracts of International Conference «Micro- and nanoelectronics-2003” (ICMNE2003). Zvenigorod, Moscow discrict, October 6-10, 2003. P.O1-14.
877. А.Л.Суворов, Е.П.Прокопьев, А.Г.Залужный, В.И.Графутин, С.П.Тимошенков,
В.В.Калугин.Исследование процесса очистки поверхности подложек с
использованием методов термообработки во влажных условиях при получении
структур кремний на изоляторе. Известия вузов. Электроника. 2002. №3. С.24-29.
. Anomalies of positronium atom annihilation in crystals. Тезисы
докладов 8-й Международной Конференции по физике твердого тела Казахстан,
Алматы, 23-26 августа 2004 г. С.104.
878. E.P.Svetlov-Prokop’ev
879. Е.П.Светлов-Прокопьев.
Особенности рождения ранних вселенных и позитронная
аннигиляция. Вестник КазНУ, сер. физ., 2003. Т.2(15). С.7-10. (Материалы
докладов 3-й Международной конференции «Современные достижения физики и
фундаментальное физическое образование». Казахстан, Алматы, 1-3 октября 2003
г.).
880. S.P.
Timoshenkov, E.P. Svetlov-Prokop'ev, V.V.Kalugin, A.A.Zaharov. Possibility of
Silicon-on-Insulator (SOI) Structure Production Using Wet Surface Treatment and
Smart Technique. Тезисы докладов 8-й Международной Конференции по физике
твердого тела, Казахстан, Алматы, 23-26 августа 2004 г. С.115.
881. Е.П.Светлов-Прокопьев.
Вероятный физический механизм самоорганизации при
ядерном синтезе и синтезе антивещества при низких энергиях. Тезисы доклада.
«Вторая междисциплинарная (биология, медицина, физика, химия…) конференция,
посвященная 300-летию г.Петрозаводска «Новые биокибернетические и
телемедицинские технологии 21 века» («НБИТТ-21»). 23-25 июня 2003 г.
Петрозаводск: ПетрГУ, 2003. С.51.
882. Е.П.Светлов-Прокопьев. О рождении антиматерии при столкновениях атомных
ядер с Z>85 в «тяжелой» высокотемпературной плазме и возможная схема
аннигиляционного двигателя. Тезисы доклада. «Вторая междисциплинарная
(биология, медицина, физика, химия…) конференция, посвященная 300-летию
г.Петрозаводска «Новые биокибернетические и телемедицинские технологии 21
века» («НБИТТ-21»). 23-25 июня 2003 г. Петрозаводск: ПетрГУ, 2003. С.50,51.
883. С.П.Тимошенков,
Е.П.Светлов-Прокопьев,
В.В.Калугин,
В..И.Графутин.
Разработка и изготовление структур КНИ сращиванием пластин кремния для
производства радиационно-стойких ИС. Научная сессия МИФИ-2004. IV Научно-
техническая конференция «Научно-инновационное сотрудничество». Сборник
научных трудов. Часть 2. М.: МИФИ, 2004. С.47.
884. С.П.Тимошенков, В.В. Калугин, .П.Светлов-Прокопьев, В.И.Графутин. Физикохимические основы производства микромеханических чувствительных элементов
гироскопов и акселерометров. Научная сессия МИФИ-2004. IV Научнотехническая конференция «Научно-инновационное сотрудничество». Сборник
научных трудов. Часть 2. М.: МИФИ, 2004. С.48,49.
885. Б.Ю.Богданович, В.В.Дягилев, В.И.Графутин, А.В.Нестерович, Е.П.СветловПрокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Применение ПАС в радиационной
физике материалов. Научная сессия МИФИ-2004. Сборник научных трудов. Том 7.
М.: МИФИ, 2004. С.185.
886. С.П.Тимошенков,
В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев. Исследование процессов
подготовки поверхности пластин кремния в процессе изготовления структур КНИ
и микроэлектронных изделий. Микроэлектроника. 2003. Т.32. №6.С.459-465.
887. А.Л.Суворов, Е.П.Прокопьев, А.Г.Залужный, В.И.Графутин, С.П.Тимошенков,
В.В.Калугин. Исследование процесса очистки поверхности подложек с
использованием методов термообработки во влажных условиях при получении
структур кремний на изоляторе. Известия вузов. Электроника. 2002. №3. С.24-29.
888. Б.Ю.Богданович., А.В. Нестерович, С.П.Тимошенков, В.И Графутин,.
Е.П
Прокопьев, П.В. Алферов, В.В.Калугин, Ю.Я.Лапицкий, Ю.Б.Стасевич.
.Возможности создания источников ионов водорода для технологических
установок имплантации протонов в полупроводниковые пластины большого
диаметра с целью создания многослойных структур. Оборонный комплекс-научнотехническому прогрессу России. 2004. №1. С.55-61.
889. Тимошенков С.П., Лапицкий Ю.Я., Графутин В.И., Прокопьев Е.П., Калугин В.В.,
Стасевич Ю.Б., Захаров А.А. Разработка источников ионов водорода для
имплантации протонов в полупроводниковые пластины с целью создания
многослойных структур. Оборонный комплекс - научно-техническомк прогрессу
России. 2004. №4. С.45-49.
890. А.Л.Суворов, В.И.Графутин,. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.В. Калугин.
Разработка процессов химической обработки сращиваемых подложек. Атомная
энергия. 2003. Т.95. Вып.5. С.359-363.
891. В.П.Бабаев, С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, Ан.С.Тимошенков, В.В.Калугин,
Д.К.Григорьев, Ал.С.Тимошенков. Возможные синергетические подходы к
проблемам электронного материаловедения. Петербургский журнал электроники.
2003. №3. С.21-39.
892. Е.П.Светлов-Прокопьев,
С.П.Тимошенков. ELTRAN процесс в производстве
солнечных элементов. . Петербургский журнал электроники. 2003. №4. С.18-24.
893. Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков,
В.И.Графутин,
В.В.Калугин..
Анализ
массопереноса в гидридных и хлоридных процессах наращивания слоев кремния и
GexSi1-x при быстром импульсном нагреве подложек некогерентными источниками
света. Материаловедение. 2004. №5. С.18-23.
894. Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, В.В.Калугин. Особенности
процесса роста слоев GexSi1-x на изолирующих и полупроводниковых подложках в
смешанных гидридном и дихлорсилановом процессах. Материаловедение. 2004.
№6. С.8-12.
895. В.И.Графутин,
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, П.В.Крамер, С.А.Гаврилов,
Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Позитронные состояния и фазовые переходы в
пористом кремнии. Химическая физика. 2004. Т.23. №5. С.22-28.
896. Б.Ю.Богданович,
В.В.Дягилев, В.И.Графутин, О.В.Илюхина, В.В.Калугин,
Г.Г.Мясищева,
А.В.Нестерович,
Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков,
Ю.В.Фунтиков.Изучение протонированных пластин кремния, используемых для
производства структур КНИ, методом позитронной аннигиляционной
спектроскопии. I. Теория и методика эксперимента. Оборонный комплекс научно-техническомк прогрессу России. 2004. №2. С.19-25.
897. Б.Ю.Богданович, В.В.Дягилев, В.И.Графутин, О.В.Илюхина, В.В.Калугин,
Г.Г.Мясищева,
А.В.Нестерович,
Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков,
Ю.В.Фунтиков.Изучение протонированных пластин кремния, используемых для
производства структур КНИ, методом позитронной аннигиляционной
спектроскопии. . II. Теория позитронных состояний в кремнии, облученном
протонами. Определение средних
концентраций радиационных дефектов.
Оборонный комплекс - научно-техническомк прогрессу России. 2004. №3. С.37-43.
898. С.А.Гаврилов, В.И.Графутин, В.В.Калугин,
О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева,
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Исследование нанопористых
материалов методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Доклад и
тезисы докладов 54 Международного Совещания по ядерной спектроскопии и
структуре атомного ядра (ЯДРО-2004) 22-26 июня 2004. Россия, Белгород.
БелгорГУ. 2004. C.297.
899. Светлов-Прокопьев
Е.П. Проблема физики и химии антивещества и возможности
его синтеза. Доклад и тезисы докладов 54 Международного Совещания по ядерной
спектроскопии и структуре атомного ядра (ЯДРО-2004) 22-26 июня 2004. Россия,
Белгород. БелгорГУ. 2004. C. 264, 265.
Е.П. Возможности получения интенсивных потоков
позитронов и их применение. Доклад и тезисы докладов 54 Международного
Совещания по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра (ЯДРО-2004) 2226 июня 2004. Россия, Белгород. БелгорГУ. 2004. C. 266, 267.
900. Cветлов-Прокопьев
901. Е.П.Светлов-Прокопьев.
Анализ математических моделей процесса роста
пленок a  Si : H в силановых плазменных смесях пониженного давления. Сборник
трудов IV Международной конференции. (5-8 июля 2004 года. Санкт-Петербург:
ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, 2004) Санкт-Петербург: Изд-во СПбГПУ, 2004. С. 33,
34.
902. С.П.Тимошенков,
В.И.Графутин, В.В.Калугин, Е.П.Светлов-Прокопьев.
Исследование свойств структур КНИ методом позитронной аннигиляционной
спектроскопии. Сборник трудов IV Международной конференции. (5-8 июля 2004
года. Санкт-Петербург: ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, 2004) Санкт-Петербург: Изд-во
СПбГПУ, 2004. С.316, 317.
903. Е.П.Светлов-Прокопьев.
Возможная концепция Мирового Разума. Тезисы доклада.
«Третья междисциплинарная (биология, медицина, физика, химия, математика,
образование,…) конференция «Новые биокибернетические и телемедицинские
технологии 21 века» («НБИТТ-21»). 21-23 июня 2004 г. Петрозаводск: ПетрГУ,
2004. С.48.
904. С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, Е.П.Светлов-Прокопьев. Подготовка кремниевых
пластин для структур КНИ: химическая обработка. Петербургский журнал
электроники. 2004. №1. С.13-19.
905. С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, Е.П.Светлов-Прокопьев. Подготовка кремниевых
пластин для структур КНИ: Физико-химические основы методов обработки.
Петербургский журнал электроники. 2004. №2. С.24-33.
906. С.П.Тимошенков,
В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев. Получение приборных структур
КНИ с использованием методов химической обработки и сращивания пластин
кремния. Микроэлектроника. 2004. Vol.33. №4. С.296-301.
907. Е.П.Светлов-Прокопьев. О проблемe физики и химии антивещества и возможности
его синтеза. Тезисы доклада. «Третья междисциплинарная (биология, медицина,
физика,
химия,
математика,
образование,…)
конференция
«Новые
биокибернетические и телемедицинские технологии 21 века» («НБИТТ-21»). 21-23
июня 2004 г. Петрозаводск: ПетрГУ, 2004. С.49,50.
908. С.П.Тимошенков,
В.В.Калугин,
В.И.Графутин,
Е.П.Светлов-Прокопьев,
О.М.Бритков. Получение приборных структур КНИ с использованием методов
химической обработки и сращивания пластин кремния. ПЛЕНКИ – 2004.
Материалы Международной научно-практической конференции «Тонкие пленки и
наноструктуры». 7-10 сентября 2004 г., Москва-2004. Часть 2. М.: МИРЭА (ТУ),
2004. С.145-148.
909. С.П.Тимошенков,
Е.П.Светлов-Прокопьев, В.И.Графутин, В.В.Калугин, А.Н.Бойко.
Разработка и изготовление структур КНИ для производства интегральных схем и
микроэлектромеханических систем. . INTERMATIC – 2004. Матермалы
Международной научно-практической конференции «Фундаментальные проблемы
радиоэлектронного приборостроения». 7-10 сентября 2004 г., Москва-2004. Часть
2. М.: МИРЭА (ТУ), 2004. С.52-55
910. Е.П.Светлов-Прокопьев,
С.П.Тимошенков, В.В.Калугин. Учет вклада действия
ударной волны в общий процесс массопереноса в гидридных и хлоридных
процессах наращивания слоев кремния и GexSi1-x при быстром импульсном нагреве
подложек некогерентными источниками света. INTERMATIC – 2004. Материалы
Международной научно-практической конференции «Фундаментальные проблемы
радиоэлектронного приборостроения». 7-10 сентября 2004 г., Москва-2004. Часть
2. М.: МИРЭА (ТУ), 2004. С.127-129
911. С.П.Тимошенков,
В.В.Дягилев, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, В.В.Калугин.
Исследование, разработка и изготовление структур КНИ для производства
интегральных схем и различных приборов микроэлектроники. Материалы 14-й
Международной
конференции
«СВЧ-техника
и
телекоммуникационные
технологии» (КрыМиКо”2004). Севастополь, Крым, Украина – 13 – 17 сентября
2004 г. Черномор. Филиал МГУ и СевНТУ, 2004. C.545,546.
912. В.В.Дягилев,
В.И.Графутин, О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Исследование облученных протонами пластин
кремния, используемых для производства структур КНИ, методом позитронной
аннигиляционной спектроскопии. Материаловедение. 2004. №11. С.16-19. №12.
С.14-21.
913. В.В.Дягилев, В.И.Графутин, О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Исследование облученных протонами пластин
кремния, используемых для производства структур КНИ, методом позитронной
аннигиляционной спектроскопии. ЧастьII. Материаловедение. 2004. №12. С.29-35.
914. Б.Ю.Богданович, А.В.Нестерович, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Е.П.СветловПрокопьев,. П.В.Алферов, В.В.Калугин. Радиационные свойства структур КНИ.
Труды XIV Международного совещания «Радиационная физика твердого тела».
(Севастополь, 5 - 11 июля 2004 г.), ред. проф. Бондаренко Г.Г. М.: МИЭМ (ТУ),
2004. С.396-400.
915. В.И.Графутин, С.П.Тимошенков,
О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.СветловПрокопьев, Ю.В.Фунтиков, О.М.Бритков. Применение ПАС для определения
концентраций радиационных дефектов в пластинах кремния, облученных
протонами. Труды XIV Международного совещания «Радиационная физика
твердого тела». (Севастополь, 5 - 11 июля 2004 г.), ред. проф. Бондаренко Г.Г. М.:
МИЭМ (ТУ), 2004. С.537-541.
916. В.И.Графутин,
О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева,
Е.П.Светлов-Прокопьев,
С.П.Тимошенков,А.А.Голубский, Ю.В.Фунтиков, П.В.Тимошенков. Исследование
структур кремний на изоляторе
методом позитронной аннигиляционной
спектроскопии. Труды XIV Международного совещания «Радиационная физика
твердого тела». (Севастополь, 5 - 11 июля 2004 г.), ред. проф. Бондаренко Г.Г. М.:
МИЭМ (ТУ), 2004. С.542-546.
917. Е.П. Светлов-Прокопьев Возможность неравновесных фазовых переходов в
ансамблях дефектов кремния в процессе ионной имплантации. Тезисы докладов
Совещания «КРЕМНИЙ - 2004». 5 – 9 июля 2004 Иркутск. Иркутск:Изд-во
Института географии, 2004. С.149.
918. С.П.Тимошенков,
Е.П.Cветлов-Прокопьев,
В.В.Калугин,
В.И.Графутин,
Ю.Я.Лапицкий, Б.Ю.Стасевич. Разработка модифицированного источника ионов
водорода для технологических установок имплантации протонов в
полупроводниковые пластины с целью создания многослойных структур. Тезисы
докладов Совещания «КРЕМНИЙ - 2004». 5 – 9 июля 2004 Иркутск. Иркутск:Издво Института географии, 2004. С.187.
919. Е.П.Cветлов-Прокопььев.
Лазерно-химические методы осаждения слоев кремния в
гидридном и хлоридных процессах в стационарном и импульсном режимах. Тезисы
докладов Совещания «КРЕМНИЙ - 2004». 5 – 9 июля 2004 Иркутск. Иркутск:Издво Института географии, 2004. С.88.
920. С.П.Тимошенков,
Е.П.Светлов-Прокопьев. Радиационные свойства структур КНИ.
Тезисы докладов Совещания «КРЕМНИЙ - 2004». 5 – 9 июля 2004 Иркутск.
Иркутск:Изд-во Института географии, 2004. С.123.
921. Б.Ю.Богданович,
А.В.Нестерович, С.П.Тимошенков, Е.П.Светлов-Прокопьев,
П.В.Алферов, В.В.Калугин, В.И.Графутин, Ю.Я.Лапицкий, Б.Ю.Стасевич.
Разработка и исследование модифицированного источника ионов водорода для
технологических установок имплантации протонов в полупроводниковые
пластины большого диаметра с целью создания многослойных структур.
Материалы научно-практической конференции материаловедческих обществ
России “Создание материалов с заданными свойствами: методология и
моделирование”. Ершово, 22 – 26 ноября 2004 г. Ершово, Россия. М.: МИФИ,
2004. С.53,54.
922. Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, В.И.Графутин. Лазернохимические методы осаждения слоев кремния в гидридном и хлоридных процессах
в стационарном и импульсном режимах. Материалы научно-практической
конференции материаловедческих обществ России “Создание материалов с
заданными свойствами: методология и моделирование”. Ершово, 22 – 26 ноября
2004 г. Ершово, Россия. М.: МИФИ, 2004. С.110,111.
923. С.П.Тимошенков, Е.П.Светлов-Прокопьев, В.В.Калугин. Технологии получения
многослойных структур и структур КНИ с использованием стеклообразных
материалов. Материалы научно-практической конференции материаловедческих
обществ России “Создание материалов с заданными свойствами: методология и
моделирование”. Ершово, 22 – 26 ноября 2004 г. Ершово, Россия. М.: МИФИ,
2004. С.126,127.
924. Е.П.Светлов-Прокопьев. Проблема физики и химии антивещества и возможности
его синтеза. Материалы VIII Всерос. науч. конф. с междунар. участием, посвящ. 80летию со дня рождения генерального конструктора ракетно-космических систем
академика М.Ф. Решетнева (11-12 нояб 2004, г.Красноярск)/СибГАУ.Красноярск,2004.-302 с.). С.102, 103.
925. Б.Ю.Богданович,
А.В.Нестерович, С.П.Тимошенков, Е.П.Светлов-Прокопьев,
П.В.Алферов, В.В.Калугин, В.И.Графутин, Ю.Я.Лапицкий, Б.Ю.Стасевич.
Разработка и исследование модифицированного источника ионов водорода для
технологических установок имплантации протонов в полупроводниковые
пластины большого диаметра с целью создания многослойных структур.
Материалы научно-практической конференции материаловедческих обществ
России “Создание материалов с заданными свойствами: методология и
моделирование”. Ершово, 22 – 26 ноября 2004 г. Ершово, Россия. М.: МИФИ,
2004. С.53,54.
926. Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, В.И.Графутин. Лазернохимические методы осаждения слоев кремния в гидридном и хлоридных процессах
в стационарном и импульсном режимах. Материалы научно-практической
конференции материаловедческих обществ России “Создание материалов с
заданными свойствами: методология и моделирование”. Ершово, 22 – 26 ноября
2004 г. Ершово, Россия. М.: МИФИ, 2004. С.110,111.
927. С.П.Тимошенков, Е.П.Светлов-Прокопьев, В.В.Калугин. Технологии получения
многослойных структур и структур КНИ с использованием стеклообразных
материалов. Материалы научно-практической конференции материаловедческих
обществ России “Создание материалов с заданными свойствами: методология и
моделирование”. Ершово, 22 – 26 ноября 2004 г. Ершово, Россия. М.: МИФИ,
2004. С.126,127.
928. Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков. Возможность синергетического подхода
к проблеме окисления
поверхности германия в
микроэлектронике.
НАДЕЖНОСТЬ И КАЧЕСТВО. Труды международного симпозиума. Под ред.
А.Н.Андреева, В.И.Волчихина, Е.А.Мокрова, А.В.Блинова, Н.К.Юркова,
В.А.Трусова. Пенза: Изд-во Пенз. гос. ун-та, 2004. С.184-189. (об`ем – 481 с., илл. –
274, табл.96, библ. – 817 назв.).
929. Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, В.В.Калугин. Учет
вклада действия ударной волны в общий процесс массопереноса в гидридных и
хлоридных процессах наращивания слоев кремния и GexSi1-x при быстром
импульсном нагреве подложек некогерентными источниками света. Тезисы
доклада Международной научной конференции «Химия твердого тела и
современные микро- и нанотехнологии». 19-24 октября 2004 г. Кисловодск, Россия,
2004. С.121.
930. Светлов-Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П. Получение слоев GexSi1-x на изоляторе
в смешанных гидридном и дихлорсилановом процессах. Тезисы докладов девятой
научно-технической конференции «Актуальные проблемы твердотельной
электроники и микроэлектроники». ПЭМ-2004. ТРТУ, пос. Дивноморское,
Краснодарский край, Россия, 12-17 сентября 2004 г. 2004. С.98.
931. S.P.Timoshenkov, E.P.Prokop'ev, V.I.Grafutin, V.V.Kalugin. Research and manufacture
of SOI structures to produce integrated circuits and micro-electromechanical systems.
Modern problems of nuclear physics and physics and chemistry of condensed matter.
Proceedings of the 7th Moscw International ITEP School of Physics. (32-th ITEP Winter
School of Physics). «Otradnoe», Moscow region, Februari 16-26, 2004. Editors:
A.L.Suvorov,
F.S.Dzeparov,
M.A.Kozodaev,
S.V.Stepanov.
2004.
M.,
Академпринт.2004. 224 c., с.191- 195.
932. V.
I. Grafutin, G. G. Myasishcheva, E. P. Prokop’ev, S. P. Timoshenkov, and Yu. V.
Funtikov. The Study of Imperfections in Solids by Positronic Annihilation Spectroscopy.
Modern problems of nuclear physics and physics and chemistry of condensed matter.
Proceedings of the 7th Moscw International ITEP School of Physics. (32-th ITEP Winter
School of Physics). «Otradnoe», Moscow region, Februari 16-26, 2004. Editors:
A.L.Suvorov,
F.S.Dzeparov,
M.A.Kozodaev,
Академпринт.2004. 224 c., с.92-96.
S.V.Stepanov.
2004.
M.,
933. V.
I. Grafutin, Yu. A. Novikov, and E. P. Prokop’ev. On the Positron Annihilation in
Metals. Modern problems of nuclear physics and physics and chemistry of condensed
matter. Proceedings of the 7th Moscw International ITEP School of Physics. (32-th ITEP
Winter School of Physics). «Otradnoe», Moscow region, Februari 16-26, 2004. Editors:
A.L.Suvorov,
F.S.Dzeparov,
M.A.Kozodaev,
S.V.Stepanov.
2004.
M.,
Академпринт.2004. 224 c., с.97-100.
934. Е.П.Прокопьев.
Возможность исследования процесса окисления кремния в
атмосфере влажного воздуха и кислорода синергетическими методами.
Химическая технология. 2004. №11. С.2-5.
935. С.П.Тимошенков,
В.В.Калугин,
Е.П.Прокопьев.
Химическая
обработка
поверхности полупроводниковых пластин в процессе изготовления структур КНИ
и микроэлектронных изделий. Химическая технология. 2004. №12. С.3-11.
936. Б.Ю.Богданович,
В.В.Дягилев, В.И.Графутин, А.В.Нестерович, Е.П.СветловПрокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Применение ПАС в радиационной
физике кремния. Научная сессия МИФИ-2005. Сборник научных трудов. Том 7. М.:
МИФИ, 2005. С.113,114.
937. В.В.Дягилев,
В.И.Графутин, О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Исследование облученных протонами пластин
кремния, используемых для производства структур КНИ, методом позитронной
аннигиляционной спектроскопии. Материаловедение. 2004. №11. С.16-19. №12.
С.14-21.
938. С.А.Гаврилов,
В.И.Графутин, О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Прямое экспериментальное наблюдение атома
позитрония в пористом кремнии методом позитронной аннигиляционной
спектроскопии. Письма в ЖЭТФ. 2005. Т.81. Вып.11-12. С.680-682.
939. О.М.Бритков,
С.А.Гаврилов,
В.И.Графутин,
В.В.Дягилев,
В.В.Калугин,
О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева,
Е.П.Светлов-Прокопьев,
С.П.Тимошенков,
Ю.В.Фунтиков. Применение метода позитронной аннигиляционной спектроскопии
для исследования дефектов структуры твердого тела. Вопросы атомной науки и
техники (ВАНТ) (Саров). Серия теоретическая и прикладная физика. 2004. Вып.3.
С.40-50.
940. В.И.Графутин,
О.В. Илюхина, Г.Г.Мясищева, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков, Н.О.Хмелевский, Ю.В.Фунтиков. Исследования
методом
позитронной аннигиляционной спектроскопии дефектов в облученном протонами
кремнии. Микроэлектроника. 2005. Т.34. №3. С.218-224.
941. А.Л.Суворов, Т.Л.Разинкова, Е.П.Светлов-Прокопьев и др. Некоторые вопросы
проблемы физики, химии и технологии антивещества: возможности синтеза,
хранения, исследования свойств, поиска во Вселенной и применений. Программа и
доклад на Юбилейной научной сессии-конференции секции ЯФ ОФН РАН
«Физика фундаментальных взаимодействий», посвященной 60 летию ИТЭФ (5 – 9
декабря 2005 г.). Москва: ФГУП ГНЦ РФ ИТЭФ им. А.И.Алиханова, 2005. С.11.
942. А.Л.Суворов,
Т.Л.Разинкова,
Е.П.Светлов-Прокопьев,
В.И.Графутин,
Ю.В.Фунтиков. Исследование позитронных состояний в космической плазме.
Программа и доклад на Юбилейной научной сессии-конференции секции ЯФ ОФН
РАН «Физика фундаментальных взаимодействий», посвященной 60 летию ИТЭФ
(5 – 9 декабря 2005 г.). Москва: ФГУП ГНЦ РФ ИТЭФ им. А.И.Алиханова, 2005.
С.11.
943. Т.Л.Разинкова,
Е.П.Светлов-Прокопьев. Позитронсодержащие атомные системы в
космической плазме. Программа и доклад на Юбилейной научной сессииконференции секции ЯФ ОФН РАН «Физика фундаментальных взаимодействий»,
посвященной 60 летию ИТЭФ (5 – 9 декабря 2005 г.). Москва: ФГУП ГНЦ РФ
ИТЭФ им. А.И.Алиханова, 2005. С.22.
944. Е.П.Светлов-Прокопьев.
Возможные проблемы высоких космических технологий
будущего. «РЕШЕТНЕВСКИЕ ЧТЕНИЯ». Материалы IX Международной
научной конференции, посвященной 45-летию Сибирского государственного
аэрокосмического университета имени академика М.Ф.Решетнева (10—12 ноября
2005, г.Красноярск)/СибГАУ.-Красноярск, 2005). С.5,6.
945. S.A.
Gavrilov, V.I. Grafutin, O.V. Ilyukhina, G.G. Myasishcheva, T.L. Razinkova, E.P.
Svetlov-Prokop’ev, S.P. Timoshenkov, Yu.V. Funtikov,
N.O. Khmelevsky. Direct
experimental observation of positronium atom in porous silicon. LV National conference
on nuclear physics of nucleus. Frontiers in the physics of nucleus. June 28-July 1, 2005.
Saint-Petersburgs, Russia. BOOK OF ABSTRACTS. Saint-Petersburgs, 2005. P.335.
946. В.И.Графутин,
О.В.Илюхина, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков. Аннигиляция
позитронов в водно-спиртовых растворах нитратов. Химическая физика. 2005.
Т.25. №4. С.13-16.
947. А.Л.Суворов,
В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев. О когерентном
поведении атмосферы дефектов и научных основах эксплуатации материалов
атомной техники: Обзор. 3 Международная конференция «Ядерная и радиационная
физика», Алматы, 4 – 7 июня 2001. Т.2. Радиационная физика. Алматы: Изд-во
ИЯФ НЯЦ Р.К. 2001. С.415-425.
948. В.Ф.Реутов,
А.Л.Суворов, А.Г.Залужный, В.И.Графутин, С.П.Тимошенков,
Е.П.Прокопьев. Развитие технологии и получения тонких пластинок, мембран и
структур кремний-на-изоляторе (КНИ) с использованием метода газового
скалывания. 3 Международная конференция «Ядерная и радиационная физика»,
Алматы, 4 – 7 июня 2001. Т.2. Радиационная физика. Алматы: Изд-во ИЯФ НЯЦ
Р.К. 2001. С.489-503.
949. Е.П.Прокопьев.
Возможные синергетические подходы к проблемам радиационной
физики материалов. 4 Международная конференция «Ядерная и радиационная
физика», Алматы,.15-17 сент., 2003: ICNP’03. Т.2. Радиационная физика твердого
тела и проблемы материаловедения. Алматы: Изд-во ИЯФ НЯЦ Р.К. 2004, с.103133. Библиогр. 65.
950. Е.П.Прокопьев.
Возможность исследования процесса окисления кремния в
атмосфере влажного воздуха и кислорода синергетическими методами.
Химическая технология. 2004. №11. С.2-5.
951. С.П.Тимошенков,
В.В.Калугин,
Е.П.Прокопьев.
Химическая
обработка
поверхности полупроводниковых пластин в процессе изготовления структур КНИ
и микроэлектронных изделий. Химическая технология. 2004. №12. С.3-11.
952. Б.Ю.Богданович,
В.В.Дягилев, В.И.Графутин, А.В.Нестерович, Е.П.СветловПрокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Применение ПАС в радиационной
физике кремния. Научная сессия МИФИ-2005. Сборник научных трудов. Том 7. М.:
МИФИ, 2005. С.113,114.
953. В.В.Дягилев,
В.И.Графутин, О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Исследование облученных протонами пластин
кремния, используемых для производства структур КНИ, методом позитронной
аннигиляционной спектроскопии. Материаловедение. 2004. №11. С.16-19. №12.
С.14-21.
954. Е.П.Прокопьев.
Возможные синергетические подходы к окислению и деградации
структур кремний на изоляторе. Коррозия: материалы, защита. 2005. №2. C.32-36.
955. Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков, В.В.Калугин. Определение по динамическим
вольт-фарадным характеристикам электрофизических свойств и однородности
толщин структур кремний на изоляторе. Оборонный комплекс научнотехническомк прогрессу России. 2005. №2. С.45-49.
956. В.И.Графутин,
А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, В.Ф.Реутов, А.Л.Суворов,
С.П.Тимошенков, Б.Ю.Шарков, Ю.А.Чаплыгин.Основы технологии связывания
(сращивания) протонированных пластин кремния с гидрофильными подложками
при получении структур кремний на изоляторе, многослойных структур Ge/Si,
(GexSi1-x)/Si
тонких
монокристаллических
слоев
кремния,
германия,
3 5
2 6
полупроводников A B И A B для производства новой элементной базы опто-,
нано- и микроэлектроники с целью создания современных суперкомпьютеров,
специальных ИС и приборов, микромеханических устройств, сенсоров, датчиков и
солнечных элементов. www.itep.ru/lowenergy/Grafutin/Review_for_MIET.doc - 18
АПР 2005
957. В.И.Графутин,
А.A.Захаров, О.В.Илюхина, В.В.Калугин, Г.Г.Мясищева,
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков,
Ю.В.Фунтиков.. Изучение методом ПАС
пластин кремния с различными методами обработки поверхности. Оборонный
комплекс - научно-техническомк прогрессу России. 2005. №2. С.68-74.
958. С.П.Тимошенков, Ю.Я.Лапицкий, Ю.Б.Стасевич, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев,
В.В.Калугин, А.А.Захаров, О.М.Бритков. Разработка макета имплантера для
имплантации протонов в полупроводниковые пластины в целях создания
многослойных структур. Оборонный комплекс - научно-техническомк прогрессу
России. 2005. №3. С.28-32.
959. S.A.Gavrilov,
V.I.Grafutin, O.V.Ilyukhina, G.G.Myasishcheva, E.P.Prokop’ev,
S.P.Timoshenkov, Yu.V.Funtikov. Direct Experimental Observation of the Positronium
Atom in Porous Silicon by Positron Annihilation Spectroscopy. JETP Letters. 2005.
Vol.81. №11. P.680-682.
960. С.П.Тимошенков,
Е.П.Светлов-Прокопьев, Ан.С.Тимошенков, В.В.Калугин.
Исследование по динамическим вольт-фарадным характеристикам свойств
структур КНИ. ТЕЗИСЫ ЛЕКЦИЙ И ДОКЛАДОВ Третьей Российской школы
ученых и молодых специалистов по физике, материаловедению и технологии
получения кремния и приборных структур на его основе. «Кремний, Школа-2005».
4 июля – 7 июля 2005 г. Москва: МИСиС, 2005. С.228-231.
961. С.П.Тимошенков,
О.М.Бритков, В.И.Графутин2, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева,
Е.П.Светлов-Прокопьев,
Ю.В.Фунтиков,
В.В.Калугин,
Ан.С.Тимошенков.
Применение позитронной аннигиляционной спектроскопии
в радиационной
физике кремния. ТЕЗИСЫ ЛЕКЦИЙ И ДОКЛАДОВ Третьей Российской школы
ученых и молодых специалистов по физике, материаловедению и технологии
получения кремния и приборных структур на его основе. «Кремний, Школа-2005».
4 июля – 7 июля 2005 г. Москва: МИСиС, 2005. С.226,227.
962. Ю.А.Чаплыгин,
С.П.Тимошенков,
Е.П.Светлов-Прокопьев,
В.В.Калугин.
Геттерирование примесей в структурах КНИ. ТЕЗИСЫ ЛЕКЦИЙ И ДОКЛАДОВ
Третьей Российской школы ученых и молодых специалистов по физике,
материаловедению и технологии получения кремния и приборных структур на его
основе. «Кремний, Школа-2005». 4 июля – 7 июля 2005 г. Москва: МИСиС, 2005.
С.194,195.
963. Е.П.Светлов-Прокопьев,
С.П.Тимошенков,
Т.Л.Разинкова,
В.В.Калугин,
Ан.C.Тимошенков. К вопросу неравновесных фазовых переходов в атмосфере
собственных дефектов кремния. ТЕЗИСЫ ЛЕКЦИЙ И ДОКЛАДОВ Третьей
Российской школы ученых и молодых специалистов по физике, материаловедению
и технологии получения кремния и приборных структур на его основе. «Кремний,
Школа-2005». 4 июля – 7 июля 2005 г. Москва: МИСиС, 2005. С.171,172.
964. С.П.Тимошенков,
В.В.Калугин, Е.П.Светлов-Прокопьев. Подготовка кремниевых
пластин для структур КНИ: Физико-химические основы сухих методов обработки.
Петербургский журнал электроники. 2005. №2. С.15-19.
965. О.М.Бритков,
В.И.Графутин,
В.В.Дягилев,
А.A.Захаров,
О.В.Илюхина,
В.В.Калугин,
Г.Г.Мясищева,
Т.Л.Разинкова,
Е.П.Светлов-Прокопьев,
С.П.Тимошенков,
Ю.В.Фунтиков.
Изучение методом позитронной
аннигиляционной спектроскопии пластин кремния c различными методами
обработки поверхности. Материалы семнадцатой Международной конференции
«Взаимодействие ионов с поверхностью - 2005». ВИП-2005. (Ion-Surface
Interactions. ISI-2005). 25 – 29 августа 2005 г. Звенигород..Россия. М.: МАИ, 2005.
Том 2. С.130-133.
966. О.М.Бритков,
С.А.Гаврилов,
В.И.Графутин,
В.В.Дягилев,
В.В.Калугин,
О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева,
Е.П.Светлов-Прокопьев,
С.П.Тимошенков,
Ю.В.Фунтиков. Исследование дефектов структуры кремния методом позитронной
аннигиляционной спектроскопии. Труды 5-ой Международной конференции
"Ядерная и радиационная физика". 26-29 сентября 2005 года. Алматы, Республика
Казахстан. ИЯФ НЯЦ РК: 2005. С.346.
967. Е.П.Светлов-Прокопьев,
Т.Л.Разинкова,
В.И.Графутин,
Ю.В.Фунтиков.
Исследование позитронных состояний в космической плазме. Труды 5-ой
Международной конференции "Ядерная и радиационная физика". 26-29 сентября
2005 года. Алматы, Республика Казахстан. ИЯФ НЯЦ РК: 2005. С.147.
968. В.И.Графутин,
Т.Л.Разинкова,
Е.П.Светлов-Прокопьев,
Ю.В.Фунтиков.
Позитронная аннигиляция и космическая гамма - астрономия. Труды 5-ой
Международной конференции "Ядерная и радиационная физика". 26-29 сентября
2005 года. Алматы, Республика Казахстан. ИЯФ НЯЦ РК: 2005. С.169.
969. Е.П.Светлов-Прокопьев.
О возможности исследования технологий природных
процессов с целью их практического использования. Труды 5-ой Международной
конференции "Ядерная и радиационная физика". 26-29 сентября 2005 года.
Алматы, Республика Казахстан. ИЯФ НЯЦ РК: 2005. С.612.
970. Т.Л.Разинкова,
Е.П.Светлов-Прокопьев Проблема физики и химии антивещества:
возможности исследования свойств, поиска во Вселенной, синтеза и применений.
Труды 5-ой Международной конференции "Ядерная и радиационная физика". 26-29
сентября 2005 года. Алматы, Республика Казахстан. ИЯФ НЯЦ РК: 2005. С.172.
971. В.И.Графутин,
О.В.Илюхина, О.М.Бритков, В.В.Калугин, Г.Г.Мясищева,
Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков, Н.О.Хмелевский.
Определение концентраций радиационных дефектов в пластинах кремния p-типа
по разностным значениям интенсивностей компонент Iр и Ig в спектрах УРАФ.
Тезисы доклада Международной научной конференции «Химия твердого тела и
современные микро- и нанотехнологии». 18-23 сентября 2005 г. КисловодскСтаврополь. Сев Кав ГТУ, 2005. С.368. (www.ncstu.ru).
972. Е.П.Светлов-Прокопьев,
С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, В.В.Калугин. Учет
вклада действия ударной волны в общий процесс массопереноса в гидридных и
хлоридных процессах наращивания слоев кремния и GexSi1-x при быстром
импульсном нагреве подложек некогерентными источниками света. Тезисы
доклада Международной научной конференции «Химия твердого тела и
современные микро- и нанотехнологии». 18-23 сентября 2004 г. КисловодскСтаврополь. Сев Кав ГТУ, 2004. С.492. (www.ncstu.ru).
973. В.И.Графутин,
А.Г.Залужный, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев, А.Л.Суворов,
С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин. О перспективах и применениях структур КНИ.
Наукоемкие технологии. 2005. Т.6. №3-4. С.151.
974. E.P.Svetlov-Prokop’ev, S.P.Timoshenkov, V.V.Dyagilev, V.V.Kalugin. Possible
noneequilibrium phase transitions in an atmosphere of own silicon imperfections.
International Conference «Micro- and nanoelectronics – 2005». 2005. IC MNE. IC
Micro- and nanoelectronics. Book of Abstracts. October 3th-7th, 2005.Moscow,
Zvenigorod, Russia. P.03-07.
975. Yu.A.Chaplygin,
S.P.Timoshenkov, E.P.Svetlov-Prokop’ev, V.V.Kalugin. Gettering of
imperfections in SOI structures. International Conference «Micro- and nanoelectronics –
2005». 2005. IC MNE. IC Micro- and nanoelectronics. Book of Abstracts. October 3th7th, 2005.Moscow, Zvenigorod, Russia. P.01-52.
976. Б.Ю.Богданович,
А.В.Нестерович, С.П.Тимошенков, Е.П.Светлов-Прокопьев,
П.В.Алферов, В.В.Калугин, В.И.Графутин, Ю.Я.Лапицкий, Б.Ю.Стасевич. Новый
модифицированный источник ионов водорода для имплантации протонов в
полупроводниковые пластины с целью создания многослойных структур. Труды и
тезисы докладов 34-ой Международной конференция по физике взаимодействия
заряженных частиц с кристаллами. М.: Изд-во МГУ, 2004. С.128. см. также
(http://danp.sinp.msn.ru// abstracts 2004.pdf).
977. С.П.Тимошенков,
А.Н.Бойко, О.М.Бритков, В.В.Калугин, Ан.С.Тимошенков,
Е.П.Светлов-Прокопьев. Получение мелкодиспесных порошков стекловидных
диэлектрических материалов в высокочастотной индукционной плазме. Тезисы
докладов VII Всероссийской конференции «Физикохимия ультрадисперсных
(нано-) систем. 22-24 ноября,
2005 год. Ершово, Московская обл. МИФИ: М.,
2005. 316 с. С.99.
978. С.П.Тимошенков,
О.М.Бритков, В.В.Калугин, Е.П.Светлов-Прокопьев. Получение
мелкодиспесных высокореактивных порошков кремния в высокочастотной
индукционной плазме. Тезисы докладов VII Всероссийской конференции
«Физикохимия ультрадисперсных (нано-) систем. 22-24 ноября,
2005 год.
Ершово, Московская обл. МИФИ: М., 2005. 316 с. С.100.
979. В.И.Графутин,
О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков,
Ан.С.Тимошенков,
Д.К.Григорьев,
Ал.С.Тимошенков,
С.П.Тимошенков.
Применение метода позитронной аннигиляционной спектроскопии для
исследования дефектов структуры кремния. Петербургский журнал электроники.
2005. №3(44), С.39-54.
980. Е.П.Прокопьев , С.П.Тимошенков, В.В.Калугин. Геттерирование примесей
металлов в структурах кремний на изоляторе. Оборонный комплекс - научнотехническомк прогрессу России. 2005. №4. С.89-91.
981. С.П.Тимошенков,
В.В. Калугин, В.Г.Рубчиц, О.М.Бритков, Е.П.СветловПрокопьев.. Исследование движения и залечивания пор на границе сращивания
кремниевых пластин, используемых для изготовления многослойных структур и
МЭМС. «РЕШЕТНЕВСКИЕ ЧТЕНИЯ». Материалы IX Международной научной
конференции,
посвященной
45-летию
Сибирского
государственного
аэрокосмического университета имени академика М.Ф.Решетнева (10—12 ноября
2005, г.Красноярск)/СибГАУ.-Красноярск, 2005). С.6,7.
982. С.А.Гаврилов,
В.И.Графутин, О.В.Илюхина,
В.В.Калугин, Г.Г.Мясищева,
Т.Л.Разинкова, Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков, Н.О.Хмелевский,
.В.Фунтиков. Применение метода аннигиляции позитронов для определения
концентраций радиационных дефектов в протонированных пластинах кремния.
Труды XV Международного совещания «Радиационная физика твердого тела».
(Севастополь, 4 - 9 июля 2005 г.), ред. проф. Бондаренко Г.Г. М.: МИЭМ (ТУ),
2005. С.403-409.
983. Е.П.Светлов-Прокопьев,
С.П.Тимошенков. Возможность синергетического подхода
к эволюции атмосферы собственных дефектов кремния. Труды XV
Международного совещания «Радиационная физика твердого тела». (Севастополь,
4 - 9 июля 2005 г.), ред. проф. Бондаренко Г.Г. М.: МИЭМ (ТУ), 2005. С.122-128.
984. С.П.Тимошенков,
С.А.Зотов, В.В. Калугин, В.Г.Рубчиц, О.М.Бритков,
Е.П.Светлов-Прокопьев.. Исследование движения и залечивания пор на границе
сращивания кремниевых пластин, используемых для изготовления многослойных
структур и МЭМС. Материалы V Международной научно-технической
конференции «Электроника и информатика – 2005», Москва, 23 – 25 ноября 2005
г. М.: МИЭТ. 2005. С.83,84.
985. Светлов-Прокопьев
Е.П., Дягилев В.В., Т.Л.Разинкова, Тимошенков С.П.
Возможные неравновесные фазовые переходы в атмосфере собственных дефектов
кремния. Труды Международной конференции «АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ
ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА» (ФТТ-2005). 2005. С.119.
986. Е.П.Светлов-Прокопьев,
Т.Л.Разинкова,
В.И.Графутин,
Ю.В.Фунтиков.
Позитронная аннигиляция и космическая гамма – астрономия.. Тезисы доклада 4-й
Международной
конференции
«Современные
достижения
физики
и
фундаментальное физическое образование». Казахстан, Алматы, 5-7 октября 2005
г. С.115,116.
987. Чаплыгин
Ю.А., Тимошенков С.П., Прокопьев Е.П., Калугин В.В. Проблема
структур
КНИ:
перспективы
и
применения.
Высокие
технологии,
фундаментальные и прикладные исследования, образование. Том 3. Сборник
трудов первой Международной научно-практической конференции «Исследование,
разработка и применение высоких технологий в промышленности».Под редакцией
А.П.Кудинова, Г.Г.Матвиенко, В.Ф.Самохина. Санкт-Петербург: Изд-во
Политехнического университета, 2005. С.464-467. См. также http://htfi.ru/
988. О.М.Бритков,
В.И.Графутин, О.В.Илюхина, В.В.Калугин, Г.Г.Мясищева,
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Исследование дефектов
структуры
кремния,
облученного
протонами,
методом
позитронной
аннигиляционной спектроскопии. Материаловедение. 2005. №12. С.7-13.
989. Е.П.Прокопьев.
Возможность получения антивещества в космическом
пространстве с использованием энергии Солнца. Оборонный комплекс - научнотехническому прогрессу России. 2006. №2. С.63-65.
990. А.Л.Суворов,
Е.П.Светлов-Прокопьев,
Т.Л.Разинкова,
В.И.Графутин,
С.П.Тимошенков. Получение антивещества в космическом пространстве для
использования энергии солнца. Петербургский журнал электроники. 2005. №4.
С.59-61.
991. А.Л.
Суворов,
Е.П.Светлов-Прокопьев,
Т.Л.Разинкова,
В.И.Графутин,
Ю.В.Фунтиков. Исследование позитронных состояний в космической плазме.
Вестник КазНУ, серия физическая. 2006, №1(21). С.155-158.
992. Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков. Модель геттерирования примесей металлов в
структурах кремний на изоляторе. Материаловедение. 2006. №3. С.2-7.
993. В.И.Графутин,
В.В.Калугин,
Г.Г.Мясищева,
Е.П.Светлов-Прокопьев,
С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков, Ал.С.Тимошенков, Н.О.Хмелевский. Позитроны
и атом позитрония в пористых системах. Х Международная конференция
«Теоретические проблемы химии поверхности, адсорбции и хроматографии».
ТЕЗИСЫ. 24-28 апреля 2006 года. Москва-Клязьма, ИФХиЭ РАН, 2006. С.153,154.
994. С.П.Тимошенков,
В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев. Исследование процессов
соединения подложек для получения структур КНИ. Химическая технология. 2006.
№3. С.2-8.
995. С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, А.В.Клочко, И.В.Калугина, Е.П.Прокопьев.
Влияние технологических процессов на полупроводниковую поверхность в
процессе получения приборов СВЧ. Материалы 15-й Международной конференции
«СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо”2005).
Севастополь, Крым, Украина – 12 – 16 сентября 2005 г. Moscow-Kiev-MinskSevastopol, 2005. C.657,658.
996. С.П.Тимошенков;
О.М.Бритков,
С.А.Зотов,
В.Г.Рубчиц,
В.В.Калугин,
Е.П.Прокопьев. Исследования и разработка технологических процессов
изготовления
элементов микромеханики. Оборонный комплекс научнотехническому прогрессу России. 2006. №2. С.3-7.
997. С.П.Тимошенков,
С.А.Зотов, В.В.Калугин, В.Г.Рубчиц, А.А.Воротников,
Е.П.Светлов-Прокопьев. Анализ влияния поверхностных слоев на изгибную
жесткость подвеса микромеханического устройства. Оборонный комплекс научно-техническомк прогрессу России. 2006. №2. С..19-24.
998. С.П.Тимошенков,
В.В. Калугин, В.Г.Рубчиц, О.М.Бритков, Е.П.Прокопьев.
Исследование движения и залечивания пор на границе сращивания кремниевых
пластин, используемых для изготовления многослойных структур и МЭМС.
Материаловедение. 2005. №5. С.15-19.
999. E.
P. Prokop'ev, S. P. Timoshenkov, V. V. Kalugin, V. I. Grafutin. Possibility of silicon
on insulator structure production using wet surface treatment (chemical assembling) and
smart technique. Proc. SPIE Vol. 5401, p. 155-161, Micro- and Nanoelectronics 2003;
Kamil A. Valiev, Alexander A. Orlikovsky; Eds.
A.L.Suvorov, Yu.V.Funtikov, V.I.Grafutin, T.L.Razinkova, E.P.SvetlovProkop’ev, A.F.Zakharov. Research of positron states in space. Abstracts of the 6th
INTEGRAL Workshop «The Obscured Universe». 2-8 July 2006. Space Research
Institute Russian Academy of Sciences. Moscow. P.28.
1000.
Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков, О.М.Бритков, В.И.Графутин,
С.А.Зотов, В.В.Калугин, Ю.Я.Лапицкий, Ал.С.Тимошенков. Изучение режимов
процесса роста слоев алмаза в газовой смеси CH 4  H 2 пониженного давления в
методе нагретой нити. Сборник трудов V Международной конференции
«Аморфные и микрокристаллические полупроводники». (7-9 июля 2006 года.
Санкт-Петербург: ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, 2006) Санкт-Петербург: Изд-во
СПбГПУ, 2006. С.110, 111.
1001.
С.П.Тимошенков, О.М.Бритков, В.И.Графутин, С.А.Зотов, В.В.Калугин,
Ю.Я.Лапицкий, Е.П.Светлов-Прокопьев, Ан.С.Тимошенков. Рост и легирование
эпитаксиальных слоев кремния, осаждаемых в гидридном и хлоридных процессах,
при скоростном нагреве подложек некогерентным излучением в производстве
структур КНИ. Сборник трудов V Международной конференции «Аморфные и
микрокристаллические полупроводники». (7-9 июля 2006 года. Санкт-Петербург:
ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, 2006) Санкт-Петербург: Изд-во СПбГПУ, 2006. С.263,
264.
1002.
С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, Е.П.Светлов-Прокопьев. Применение
ELTRAN процесса для получения тонких монокристаллических слоев кремния.
«ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ, ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ И ПРИКЛАДНЫЕ
ИССЛЕДОВАНИЯ, ОБРАЗОВАНИЕ». Том 6. Сборник трудов второй
международной научно-технической конференции «Исследование, разработка и
применение высоких технологий в промышленности» 07-09.2006, СанктПетербург, Россия. Под ред. А.П.Кудинова, Г.Г.Матвиенко, В.Ф.Самохина. СанктПетербург: Изд-во Политехнического ун-та, 2006. С.125,126.
1003.
Е.П.Светлов-Прокопьев. Возможные проблемы высоких космических
технологий будущего. «ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ, ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ И
ПРИКЛАДНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ, ОБРАЗОВАНИЕ». Том 6. Сборник трудов
второй международной научно-технической конференции «Исследование,
разработка и применение высоких технологий в промышленности» 07-09.2006,
Санкт-Петербург, Россия. Под ред. А.П.Кудинова, Г.Г.Матвиенко, В.Ф.Самохина.
Санкт-Петербург: Изд-во Политехнического ун-та, 2006. С.20-23. (\D\Тез
Докл\2005МНПКСп. doc).
1004.
С.П.Тимошенков, С.А.Зотов, В.В.Калугин, В.Г.Рубчиц, О.М.Бритков,
Е.П.Светлов-Прокопьев. Влияние пор и поверхностных нанослоев на изгибную
жесткость подвеса чувствительных элементов МЭМС. Микросистемная техника.
2006. №7. С.11-16.
1005.
V.I.Grafutin, V.V.Kalugin, E.P.Svetlov-Prokop’ev , S.P.Timishenkov. Possible
properties of positron states in physics and chemistry of a surface and in semiconductor
nanotechnologies.
Papers Abstracts of XI-th European Workshop on Quantum System
in Chemistry and Physics (QSCP-XI). Sanct-Petersburg, August 20-26, 2006. Ioffe FTI
RAN, 2006. C.119-125.
1006.
Е.П.Прокопьев, Т.Л.Разинкова. Позитронная аннигиляция на атомах
космической плазмы. Сборник тезисов докладов 56 Международной конференции
«Ядро-2006» по проблемам ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра.
Россия, Саров, 4-8 сентября 2006 г. Саров: МПК ФГУП «РФЯЦ-ВНИИЭФ», 2006.
С.267,268.
1007.
О.М.Бритков, В.И.Графутин, В.В.Калугин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева,
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков, Н.О.Хмелевский. Изучение
методом позитронной аннигиляционной спектроскопии сплавов Pb – Sn. Сборник
тезисов докладов 56 Международной конференции «Ядро-2006» по проблемам
ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. Россия, Саров, 4-8 сентября
2006 г. Саров: МПК ФГУП «РФЯЦ-ВНИИЭФ», 2006. С.319,320.
1008.
В.И.Графутин, О.В.Илюхина, .В.В.Калугин, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков, .Ю.В.Фунтиков. Возможные свойства позитронных состояний в
мезофизике полупроводников и наноэлектронике. Сборник тезисов докладов 56
Международной конференции «Ядро-2006» по проблемам ядерной спектроскопии
1009.
и структуре атомного ядра. Россия, Саров, 4-8 сентября 2006 г. Саров: МПК ФГУП
«РФЯЦ-ВНИИЭФ», 2006. С.320-322.
В.И.Графутин,
О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева,
Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Свойства атома позитрония в кварце. Сборник
тезисов докладов 56 Международной конференции «Ядро-2006» по проблемам
ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. Россия, Саров, 4-8 сентября
2006 г. Саров: МПК ФГУП «РФЯЦ-ВНИИЭФ», 2006. С.323,324.
1010.
Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П. Возможные свойства позитронных
состояний в химии поверхности и нанотехнологиях полупроводников // Третья
Всероссийская
конференция
(с
международным
участием) "Химия поверхности и нанотехнология". Тезисы докладов., 24 сентября1 октября 2006, Санкт-Петербург-Хилово, Псковская обл. - СПб.:ООО "ИК
Синтез",2006. - С.203-204.
1011.
V.I.Grafutin, E.P.Svetlov-Prokop'ev, T.L.Razinkova, A.F.Zakharov. Positron
nnihilation on atoms of space plasma. The 6-th International Conference "Modern
Problems of Nuclear Physics", Book of Abstracts. Tashkent. 19-22 September, 2006. P.
40-41.
1012.
В.И.Графутин, О.В.Илюхина, В.В.Калугин, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков, Н.О.Хмелевский, Ю.В.Фунтиков, О.М.Бритков. Исследование
дефектов структуры в полупроводниках A3B5
методом позитронной
аннигиляционной спектроскопии.: Сборник «Девятая конференция «Арсенид
галлия и полупроводниковые соединения группы III-V» (3-5 октября 2006 г.,
Томск, Россия) "GaAs 2006»: Материалы конференции".- Томск: Томский
госуниверситет, 2006.- 571 с.» Томск: Изд-во ТГУ, 2006. С.92-95.
1013.
О.М.Бритков, В.Л.Бугаенко,С.А.Гаврилов, В.И.Графутин, В.Л.Гришкин,
В.В.Калугин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков,
Т.Л.Разинкова, Ю.В.Фунтиков.Исследование пористого кремния методом
аннигиляции позитронов. Труды XVI Международного совещания "Радиационная
физика твердого тела". (Севастополь, 3 - 8 июля 2006 г.), под редакцией
заслуженного деятеля науки РФ, д.ф.-м.н., проф. Бондаренко Г.Г. М.: ГНУ «НИИ
ПМТ», 2006 г., C. 460-469.
1014.
А.Л.Суворов, Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков,.В.И.Графутин,
О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Т.Л.Разинкова, Ю.В.Фунтиков. Возможности
исследования позитронных состояний в мезофизике полупроводников и
наноэлектронике. Труды XVI Международного совещания "Радиационная физика
твердого тела". (Севастополь, 3 - 8 июля 2006 г.), под редакцией заслуженного
деятеля науки РФ, д.ф.-м.н., проф. Бондаренко Г.Г. М.: ГНУ «НИИ ПМТ», 2006 г.,
C.496-503.
1015.
А.Л.Суворов,
С.П.Тимошенков,
Ю.Я.Лапицкий,
Ю.Б.Стасевич,
В.И.Графутин,Е.П.Светлов-Прокопьев, В.В.Калугин, А.А.Захаров, О.М.Бритков.
Разработка макета имплантера для имплантации протонов в полупроводниковые
пластины в целях создания многослойных структур. Труды XVI Международного
совещания "Радиационная физика твердого тела". (Севастополь, 3 - 8 июля 2006 г.),
под редакцией заслуженного деятеля науки РФ, д.ф.-м.н., проф. Бондаренко Г.Г.
М.: ГНУ «НИИ ПМТ», 2006 г., C.504-509.
1016.
О.М.Бритков, В.Л.Бугаенко, В.И.Графутин, В.Л.Гришкин , В.В.Дягилев,
А.A.Захаров, О.В.Илюхина, В.В.Калугин, Г.Г.Мясищева, Т.Л.Разинкова,
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Изучение методом позитронной
1017.
аннигиляционной спектроскопии пластин кремния c различными
обработки поверхности. Поверхность. 2006. №10. С.5-9.
методами
С. П. Тимошенков, О.М.Бритков, С. А. Зотов, В.Г.Рубчиц, В. В. Калугин,
Ал.С.Тимошенков, Е.П.Светлов-Прокопьев. Применение низкотемпературного
электростимулированного сращивания чувствительных элементов МЭМС. Тезисы
докладов 5-ой международной конференции «Авиация и космонавтика». 23-26
октября
2006
года.
Москва,
Россия.
М.:
МАИ.
С.160.
http://www.mai.ru/conf/aerospace/internetconf/modules.php?name=Forums&file=viewto
pic&t=1227
1018.
С. П. Тимошенков, О.М.Бритков, С. А. Зотов, В.Г.Рубчиц, В. В. Калугин,
Ан.С.Тимошенков, Е.П.Светлов-Прокопьев. Исследования и разработка процессов
изготовления элементов микромеханики. Тезисы докладов 5-ой международной
конференции «Авиация и космонавтика». 23-26 октября 2006 года. Москва, Россия.
М.:
МАИ.
С.161.
http://www.mai.ru/conf/aerospace/internetconf/modules.php?name=Forums&file=viewto
pic&t=1226
1019.
Е.П.Светлов-Прокопьев, Т.Л.Разинкова, В.И.Графутин, С.П.Тимошенков.
Возможность получения антивещества в космическом пространстве с
использованием энергии солнца. Тезисы докладов 5-ой международной
конференции «Авиация и космонавтика». 23-26 октября 2006 года. Москва, Россия.
М.:
МАИ.
С.324,325.
http://www.mai.ru/conf/aerospace/internetconf/modules.php?name=Forums&file=viewto
pic&t=1055
1020.
Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков. Об эволюции фундаментальных
характеристик материалов электронной и ядерной техники. Тезисы докладов
Третьей Международной конференции по физике кристаллов «Кристаллофизика
21-го века». Черноголовка, Россия. 2006. C.150,151.
1021.
Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков .. Возможный сценарий эволюции
фундаментальных характеристик материалов электронной техники. Тезисы
докладов 11-ой научно-технической конференции «Актуальные проблемы
твердотельной электроники и микроэлектроники». ПЭМ-2006. ТРТУ, пос.
Дивноморское, Краснодарский край, Россия, 12-17 сентября 2006 г. 2006.
C.126,127.
1022.
С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, О.В.Илюхина, О.М.Бритков, В.В.Калугин,
Г.Г.Мясищева, Е.П.Светлов-Прокопьев, Ал.С.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков,
Ан.С.Тимошенков.
Возможности
исследования
методом
позитронной
аннигиляционной
спектроскопии
суператомов
в
полупроводниковых
сверхрешетках. Тезисы доклада VI Международной научной конференции «Химия
твердого тела и современные микро- и нанотехнологии». 17-22 сентября 2006 г.
Кисловодск, Россия. Сев Кав ГТУ, 2006. C.43,44. (www.ncstu.ru).
1023.
С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, О.В.Илюхина, О.М.Бритков, В.В.Калугин,
Г.Г.Мясищева, Е.П.Светлов-Прокопьев, Ал.С.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков,
Ан.С.Тимошенков.О свойствах позитронных состояний в мезофизике
полупроводников и наноэлектронике. Тезисы доклада VI Международной научной
конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии». 1722 сентября 2006 г. Кисловодск, Россия. Сев Кав ГТУ, 2006. C.41,42.
(www.ncstu.ru).
1024.
С.П.Тимошенков,
Е.П.Прокопьев,
Ал.С.Тимошенков,
О.М.Бритков,
Ан.С.П.Тимошенков, В.В.Калугин. Лазерно-химические методы осаждения слоев
1025.
кремния в гидридном процессе в баллистическом режиме. Тезисы доклада VIII
Международной
конференции
«ОПТО-,
НАНОЭЛЕКТРОНИКА.
НАНОТЕХНОЛОГИИ И МИКРОСИСТЕМЫ». 26 - 30 июня 2006. г. Ульяновск,
2006. C.29,30.
С.П.Тимошенков,
Е.П.Прокопьев,
Ал.С.Тимошенков,
О.М.Бритков,
Ан.С.П.Тимошенков, В.В.Калугин. Лазерно-химические методы осаждения слоев
кремния в гидридном процессе, лимитирумого диффузией ключевых реагентов.
Тезисы
доклада
VIII
Международной
конференции
«ОПТО-,
НАНОЭЛЕКТРОНИКА. НАНОТЕХНОЛОГИИ И МИКРОСИСТЕМЫ». 26 - 30
июня 2006. г. Ульяновск, 2006. C.31-32.
1026.
С.П.Тимошенков, С.А.Зотов, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев, А.А.Воротников,
В.Г.Рубчиц. Влияние пор и поверхностных слоев на изгибную жесткость ЧЭ
МЭМС, изготавливаемых на основе структур КНИ. Известия вузов. Электроника.
2006. №6. С.9-12. .
1027.
С.П.Тимошенков,
Е.П.Прокопьев,
О.М.Бритков,
В.И.Графутин,
В.В.Калугин, Ю.Я.Лапицкий. Лазерно-химические методы осаждения слоев
кремния в гидридном и хлоридных процессах в стационарном и импульсном
режимах. I. Лазерно-химический метод осаждения пленок кремния в гидридном
процессе в баллистическом режиме. Химическая технология. 2006. №10. С.3-5.
1028.
С.П.Тимошенков,
Е.П.Прокопьев,
О.М.Бритков,
В.И.Графутин,
В.В.Калугин, Ю.Я.Лапицкий. Лазерно-химические методы осаждения слоев
кремния в гидридном и хлоридных процессах в стационарном и импульсном
режимах. II. Осаждение пленок кремния, лимитируемого диффузией ключевых
реагентов. Химическая технология. 2006. №11. С.3,4.
1029.
В.И.Графутин, О.В.Илюхина, В.В.Калугин, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев,
Ю.В.Фунтиков, Ан.С.Тимошенков, Д.К.Григорьев, С.П.Тимошенков. Исследование
позитронных состояний и дефектов в кремнии, облученном протонами. Физика и
химия обработки материалов. 2006. №5. С.5-12.
1031.
С.П.Тимошенков, О.М.Бритков, В.И.Графутин, С.А.Зотов, В.В.Калугин,
Ю.Я.Лапицкий, Е.П.Прокопьев, Ан.С.Тимошенков. Легирование слоев кремния,
осаждаемых в гидридном и хлоридных процессах роста эпитаксиальных слоев при
скоростном нагреве подложек некогерентным излучением в производстве структур
КНИ. Материаловедение. 2006. №10. С.17-20.
1030.
E.P.Svetlov-Prokop’ev,
S.P.Timishenkov
,V.I.Grafutin,
V.V.Kalugin,.E.I.Artemov. Possible properties of positron states in physics and
chemistry of a surface and in semiconductor nanotechnologies. Papers
for
XI-th
European Workshop on Quantum System in Chemistry and Physics (QSCP-XI). SanctPetersburg, August 20-26, 2006. Ioffe FTI RAN, 2006. C.119-125.
1032.
О.М.Бритков, С.А.Гаврилов, В.И.Графутин, В.В.Калугин, О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Исследование
пористого кремния методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Химия
высоких энергий. 2007. Т.41. №1. С.1-6.
1033.
С.П.Тимошенков, С.А.Зотов, В.В.Калугин, О.М.Бритков, В.Г.Рубчиц,
А.А.Воротников, Е.П.Светлов-Прокопьев. Залечивание пор на границе сращивания
подложек в структурах КНИ.. Петербургский журнал электроники. 2007. №1. С.2129.
1034.
Е.П. Светлов-Прокопьев, Т.Л Разинкова О проблеме физики, химии и
технологии антивещества: возможности исследования свойств, поиска во
1035.
вселенной, синтеза и применений". 5 Международная конференции "Ядерная и
радиационная физика". 26-29 сентября 2005: ICNP’05. Т.1. Ядерная физика.
Алматы: Изд-во ИЯФ НЯЦ РК. 2006, с. 334-346.
1036.
О.М.Бритков, С.А.Гаврилов, В.И.Графутин, В.В.Калугин, О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Исследование
пористого кремния методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Химия
высоких энергий. 2007. Т.41. №1. С.1-6.
В.И.Графутин,
Е.П.Прокопьев,
Ю.В.Фунтиков.
Позитронная
аннигиляционная спектроскопия в ИТЭФ. Инженерная физика. Специальный
выпуск. 2007. №1. С.33-39.
1037.
С.П.Тимошенков, С.А.Зотов, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев, А.А.Воротников,
В.Г.Рубчиц. Влияние пор и поверхностных слоев на изгибную жесткость ЧЭ
МЭМС, изготавливаемых на основе структур КНИ. Известия вузов. Электроника.
2006. №6. С.9-12. .
1038.
С.П.Тимошенков,
Е.П.Прокопьев,
О.М.Бритков,
В.И.Графутин,
В.В.Калугин, Ю.Я.Лапицкий. Лазерно-химические методы осаждения слоев
кремния в гидридном и хлоридных процессах в стационарном и импульсном
режимах. I. Лазерно-химический метод осаждения пленок кремния в гидридном
процессе в баллистическом режиме. Химическая технология. 2006. №10. С.3-5.
1039.
С.П.Тимошенков,
Е.П.Прокопьев,
О.М.Бритков,
В.И.Графутин,
В.В.Калугин, Ю.Я.Лапицкий. Лазерно-химические методы осаждения слоев
кремния в гидридном и хлоридных процессах в стационарном и импульсном
режимах. II. Осаждение пленок кремния, лимитируемого диффузией ключевых
реагентов. Химическая технология. 2006. №11. С.3,4.
1040.
В.И.Графутин, О.В.Илюхина, В.В.Калугин, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев,
Ю.В.Фунтиков, Ан.С.Тимошенков, Д.К.Григорьев, С.П.Тимошенков. Исследование
позитронных состояний и дефектов в кремнии, облученном протонами. Физика и
химия обработки материалов. 2006. №5. С.5-12.
1042.
С.П.Тимошенков, О.М.Бритков, В.И.Графутин, С.А.Зотов, В.В.Калугин,
Ю.Я.Лапицкий, Е.П.Прокопьев, Ан.С.Тимошенков. Легирование слоев кремния,
осаждаемых в гидридном и хлоридных процессах роста эпитаксиальных слоев при
скоростном нагреве подложек некогерентным излучением в производстве структур
КНИ. Материаловедение. 2006. №10. С.17-20.
1041.
С.П.Тимошенков, С.А.Зотов, В.В.Калугин, О.М.Бритков, В.Г.Рубчиц,
А.А.Воротников, Е.П.Светлов-Прокопьев. Залечивание пор на границе сращивания
подложек в структурах КНИ. Петербургский журнал электроники. 2007. №1. С.2129.
1043.
Е.П.Прокопьев. Возможные космические технологии будущего и проблемы
устойчивого развития общества. Программа XXXI академических чтений по
космонавтике, посвященные 100-летию академика С.П.Королева (Москва, 30
января – 1 февраля 2007 г.). Москва: Комиссия РАН. Секция 9. Космонатика и
проблемы устойчивого развития общества. С.23-25. Тезисы докладов.
http://www.ihst.ru/~akm/31.htm. Секция 9. Космонатика и проблемы устойчивого
развития общества. См. Интернет: http://www.ihst.ru/~akm/9t31.htm.
1044.
В.И.Графутин, А.Г.Залужный, О.В.Илюхина, .В.В.Калугин, Г.Г.Мясищева,
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, .Ю.В.Фунтиков. Возможные свойства
позитронных состояний в мезофизике полупроводников и наноэлектронике.
Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика ядерных реакторов. 2006.
Вып.2. С.16-18.
1045.
В.И.Графутин,
А.Г.Залужный,
С.П.Тимошенков,
О.М.Бритков,
О.В.Илюхина, .В.В.Калугин, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев,.Ю.В.Фунтиков.
Свойства атома позитрония в кварце. Вопросы атомной науки и техники. 2007.
Серия: Физика ядерных реакторов. 2006. Вып.2. С.10-15.
1046.
1047.
О.М.Бритков, В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Т.Л.Разинкова,
Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков, Н.О.Хмелевский.
Изучение методом позитронной аннигиляционной спектроскопии сплавов Pb – Sn.
Вопросы атомной науки и техники (ВАНТ). Серия: Физика ядерных реакторов.
2005. Вып.2. С.25–29.
1048.
С.П.Тимошенков, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев,О.М.Бритков, В.И.Графутин,
В.В.Калугин, Н.Г.Осипенкова, Ал.С.Тимошенков, Е.И.Артемов, Ан.С.Тимошенков.
Каталитический эффект ускорения роста слоев GexSi1-x в смешанных гидридном и
дихлорсилановом процессах Научная сессия МИФИ-2007. Секция
Э-2.
«Наукоемкие технологии». Сборник научных трудов. Т.9.. М.: МИФИ, 2007. С.7881.
1049.
E.P.Svetlov-Prokop’ev , S.P.Timishenkov ,V.I.Grafutin, V.V.Kalugin,.E.I.Artemov.
Possible properties of positron states in physics and chemistry of a surface and in
semiconductor nanotechnologies. International Journal of Quantum Chemistry. 2007.
Volume 107. Issue 14. Pages 2844-2848.
1050.
Графутин В.И., Залужный А.Г., Илюхина О.В., Мясищева Г.Г., Прокопьев Е.П.,
Тимошенков С.П., Калугин В.В., Малюков Б.А., Фунтиков Ю.В. Позитроний в
пористых системах. Научная сессия МИФИ-2007. Секция Э-7. «Ультрадисперсные
(нано-) материалы». Сборник научных трудов. Т.9. М.: МИФИ, 2007. С.187-189.
А.Л.Суворов,
Е.П.Светлов-Прокопьев,
Т.Л.Разинкова.
Получение
антивещества для использования в современной науке, технике и
микроэлектронике. Петербургский журнал электроники. 2007. №2. С.4-16.
1051.
А.Л.Суворов, Е.П.Прокопьев, В.И.Графутин, А.Ф.Захаров, Т.Л.Разинкова,
С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Позитронные состояния в пылевой космической
плазме. Украинский физический журнал. 2007. Т.52. №9. С.843-848.
1052.
С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, О.М.Бритков, А.Н. Бойко, Е.П.СветловПрокопьев. Исследование процессов соединения при получении структур КНИ.
Электронная промышленность. 2005. №2. С.13-19.
1053.
В.И.Графутин,
А.Г.Залужный,
С.П.Тимошенков,
О.М.Бритков,
О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков. Исследование
позитронных состояний и нанообъектов в монокристаллах кварца, облученных
протонами. Атом позитрония в кварце. ЖЭТФ. 2008. Т.133. Вып.4. C.723-734.
1054.
В.И.Графутин,
О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева,
Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков, Р.Бурцл. Возможности изучения нанообъектов в
наноматериалах и материалах методом позитронной аннигиляционной
спектроскопии. Ядерная физика. 2009. №7. Принята к печати.
1055.
Е. П. Прокопьев. О физике, химии и технологии антивещества: возможности
исследования свойств, поиска в природе, синтеза и применений. Оборонный
комплекс – научно-техническому прогрессу России. 2008. №1. С.49-54.
1056.
Е.П.Светлов-Прокопьев. О проблеме физики и химии антивещества:
возможности исследования свойств, поиска в природе, синтеза и применений.
Перспективы использования новых технологий и научно-технических решений в
ракетно-космической
и
авиационной
промышленности.
Материалы
1057.
международной конференции. Под ред Е.И.Артамонова. М.: Институт проблем
управления РАН. - 2008. С.100,101.
Е.П.Светлов-Прокопьев. О возможности получения и накопления
антивещества в космическом пространстве с использованием и концентрированием
энергии солнца в целях экологической безопасности. Высокие технологии,
фундаментальные и прикладные исследования, образование. Т. 11: Сборник трудов
Четвертой международной научно-практической конференции “ Исследование,
разработка и применение высоких технологий в промышленности“. 02-05.10.2007,
Санкт-Петербург, Россия. Под ред. А.П. Кудинова, Г.Г. Матвиенко. СПб.: Изд-во
Политехн. ун-та, 2007. С. 392 .
1058.
С.П.Тимошенков,
Ю.А.Чаплыгин,
В.И.Графутин,
Е.П.Прокопьев,
Ю.В.Фунтиков. Позитроника и нанотехнологии: определение радиусов
нанообъектов пустоты в пористом кремнии и кремнии, облученном протонами.
Нанотехника.
2008.
№3(15).
C.
82-84.
http://www.nanotech.ru/journal/,
http://www.nanotech.ru/journal/word/cont08-3.pdf
1059.
В.И. Графутин, Т.Н.Мамедов, И.Н.Мешков, В.Н Павлов, Е.П. Прокопьев,
С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков, Н.О.Хмелевский, Ю.А.Чаплыгин, С.Л.Яковенко.
Возможности изучения пористых систем и наноматериалов методом позитронной
аннигиляционной спектроскопии. В кн.: Ядерная физика и нанотехнологии.
Ядерно-физические аспекты формирования, изучения и применения наноструктур.
Под общей редакцией А.Н.Сисакяна. Дубна: ОИЯИ, 2008. С.223-241.
1060.
А.Г.Залужный, А.З.Варисов, В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева,
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Термализация позитронов и
атома позитрония в полупроводниках и ионных кристаллах. Поверхность.
Рентгеновские, Синхротронные и нейтронные изучения. 2008. №2. С.15-20.
1061.
A.G. Zaluzhnyi, A.Z. Varisov, V.I. Grafutin, O.V. Ilyukhina, G.G. Myasishcheva,
E.P. Prokop’ev, S.P. Timoshenkov, Yu.V. Funtikov, Journal of Surface. Investigation. Xray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2008, Vol. 2, No. 1, pp. 92–97.
1062.
V. I. Grafutin, A. G. Zaluzhnyi, S. P. Timoshenkov, O. M. Britkov, O. V.
Ilyukhina,G.G. Myasishcheva, E. P. Prokop’ev and Yu. V. Funtikov. Study of Radiation
Damage in Quartz Single Crystals Irradiated With Protons. Journal of Surface
Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2008, Vol. 2, No. 4, pp. 518–
526. © Pleiades Publishing, Ltd., 2008. (Original Russian Text © V.I. Grafutin, A.G.
Zaluzhnyi, S.P. Timoshenkov, O.M. Britkov, O.V. Ilyukhina, G.G. Myasishcheva, E.P.
Prokop’ev, Yu.V. Funtikov, 2008 )
1063.
С.А.Гаврилов,
В.И.Графутин,
Л.М.Павлова,
Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков. Возможность определения нанообъектов пустоты в
наноматериалах позитронным методом. Тезисы докладов. VI КОНФЕРЕНЦИИ ПО
ФИЗИКЕ ВЫСОКИХ ЭНЕРГИЙ, ЯДЕРНОЙ ФИЗИКЕ И УСКОРИТЕЛЯМ
ХАРЬКОВ, ННЦ ХФТИ, 25-29 февраля 2008 г. Харьков: ХФТИ, 2008. С.70.
1064.
В.И.Графутин,
А.Г.Залужный,
С.П.Тимошенков,
О.М.Бритков,
О.В.Илюхина, В.П.Комлев, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков.
Исследование радиационных нарушений в монокристаллах кварца, облученных
протонами. Поверхность. Рентгеновские, Синхротронные и нейтронные изучения.
2008. №7. С.10-18.
1065.
Е.П. Светлов-Прокопьев. Комплексы Уилера в полупроводниках // Вестник
КазНУ, серия физическая. №1(25), 2008. С.52-57.
1066.
V. I. Grafutin, A. G. Zaluzhnyi, V. V. Kalugin, O. V. Ilyukhina, G. G.
Myasishcheva, E. P. Prokop’ev, S. P. Timoshenkov, Yu. V. Funtikov, N. O.
Khmelevskii. On the Feasibility of Investigation of Some Defect and Porous Systems by
Means of Positron Annihilation Spectroscopy. High Energy Chemistry 2008. Vol. 42. №
6. Р. 478–484.
1067.
В. И Графутин, А. Г. Залужный, В. В. Калугин, О. В. Илюхина, Г. Г.
Мясищева, Е.П.Прокопьев, С. П. Тимошенков, Ю. В.Фунтиков, Н.О.Хмелевский. О
возможности исследования некоторых дефектных и пористых систем методом
позитронной аннигиляционной спектроскопии. Химия высоких энергий. 2008. Т.
42, №6 С.528–535.
1068.
Графутин В.И., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В.
Возможности изучения нанообъектов в технически важных материалах методом
позитронной
аннигиляционной
спектроскопии.
Тезисы
докладов
58
Международной конференции «Ядро-2008. Проблемы фундаментальной ядерной
физики. Разработка ядерно-физических методов для нанотехнологий, медицинской
физики и ядерной энергетики». (58 Совещания по ядерной спектроскопии и
структуре атомного ядра). Москва, 23 – 27 июня 2008 г. Санкт-Петербург: НИИЯФ
МГУ. 2008. С.310.
1069.
Прокопьев Е.П., Тяжелые комплексы Уиллера. Тезисы докладов 58
Международной конференции «Ядро-2008. Проблемы фундаментальной ядерной
физики. Разработка ядерно-физических методов для нанотехнологий, медицинской
физики и ядерной энергетики». (58 Совещания по ядерной спектроскопии и
структуре атомного ядра). Москва, 23 – 27 июня 2008 г. Санкт-Петербург: НИИЯФ
МГУ, 2008. С.311.
1070.
Прокопьев Е.П., Квазиатомные системы e  F  ( PsF ) во фторидах металлов
и низкотемпературной плазме. Тезисы докладов 58 Международной конференции
«Ядро-2008. Проблемы фундаментальной ядерной физики. Разработка ядернофизических методов для нанотехнологий, медицинской физики и ядерной
энергетики». (58 Совещания по ядерной спектроскопии и структуре атомного
ядра). Москва, 23 – 27 июня 2008 г. Санкт-Петербург: НИИЯФ МГУ, 2008. С.326.
1071.
Тимошенков С.П., Прокопьев Е.П., Графутин В.И. О высоких
эксплуатационных характеристиках наноматериалов. Научная сессия МИФИ-2008.
Секция Э-7. «Ультрадисперсные (нано-) материалы». Сборник научных трудов.
Т.?.
М.:
МИФИ,
2008.
http://www.mephi.ru/ns2008/default.asp?page=34&part=null&doc=247
1072.
В.И. Графутин, Мьо Зо Хтут, Е.П. Прокопьев, Ю.В. Фунтиков, Н.О.
Хмелевский, Ю.В. Штоцкий. Исследования позитронной аннигиляции в порошках
кварца Том 3. «Медицинская физика». Сборник научных трудов. Т.3. М.: МИФИ,
2008. С.29,30. (http://www.library.mephi.ru/data/scientific-sessions/2008/t3/0-1-9.doc
1073.
С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, В.В.Калугин, О.М.Бритков, И.М.Бритков,
Ал.С.Тимошенков, Ан.С.Тимошенков. Возможная стохастическая модель
неравновесновесных фазовых переходов при протекании химических реакций в
ансамблях дефектов кремния. Оборонный комплекс – научно-техническому
прогрессу России. 2008. №1. С.35-37.
1074.
С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев, О.М.Бритков, И.М.Бритков,
Ал.С.Тимошенков, Ан.С.Тимошенков. Лазерно-термический метод осаждения
пленок кремня в гидридном процессe. Оборонный комплекс – научнотехническому прогрессу России. 2008. №1. С.41-44.
1075.
С.П.Тимошенков,
Е.П.Прокопьев,
В.В.Калугин,
И.М.Бритков,
Ал.С.Тимошенков, О.М.Бритков, Ан.С.Тимошенков. О свойствах мелких
примесных центров на границе раздела полупроводник-металл. Научная сессия
МИФИ-2008. Секция Э-7. «Ультрадисперсные (нано-) материалы». Сборник
научных
трудов.
М.:
МИФИ,
2008.
http://www.mephi.ru/ns2008/default.asp?page=34&part=null&doc=247
1076.
Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков. Возможные синергетические
подходы к проблемам материаловедения наноматериалов. Петербургский журнал
электроники. 2007. Вып.4. С.3-11.
1077.
Светлов-Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П. (Москва) Возможные синергетические подходы к проблемам материаловедения кремния (Svetlov-Prokop’ev
E.P., Timoshenkov S.P. Possible synergetic approaches to problems of silicon
materiology). V Международная научная конференция «Прочность и разрушение
материалов и конструкций»: Материалы конференции.- Т. 1. 12-14 марта 2008 г.
Оренбург, Россия / Науч. ред. С.Н. Летута, Г.В. Клевцов: Изд-во ГОУ ОГУ, 2008.434 с. С. 217-226.
1078.
Светлов-Прокопьев Е.П., Тимошенков
С.П. (Москва) ВОЗМОЖНЫЕ
СИНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ПОДХОДЫ К ПРОБЛЕМАМ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ
НАНОМАТЕРИАЛОВ (Svetlov-Prokop’ev E.P., Timoshenkov S.P. POSSIBLE
SYNERGETIC APPROACHES TO PROBLEMS OF NANOMATERIAL
MATERIOLOGY). V Международная научная конференция «Прочность и
разрушение материалов и конструкций»: Материалы конференции.- Т. 1. 12-14
марта 2008 г. Оренбург, Россия / Науч. ред. С.Н. Летута, Г.В. Клевцов: Изд-во ГОУ
ОГУ, 2008.- 434 с. С.227-236.
1079.
Е.П.Прокопьев. О возможных синергетических подходах к проблемам
эволюции свойств материалов и наноматериалов. Сборник докладов 9-ой
международной научно-технической конференции
«Кибернетика и высокие
технологии XXI века». (C&T-2008), 13-15 мая 2008 г. Воронеж. Секция 4. С.970982. http://www.cht.sakv.ru/cht-2008.htm
1080.
А.Г.Залужный,
В.И.Графутин,
Е.П.Прокопьев,
Ю.В.Фунтиков,
С.П.Тимошенков. К вопросу исследования дефектов структуры материалов первой
стенки разрядной камеры термоядерных реакторов методом позитронной
аннигиляционной спектроскопии. Тезисы докладов. XXXV Международная
(Звенигородская) конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному
синтезу. г. Звенигород Московской обл. 11 - 15 февраля 2008 года. (Залужный А.Г.,
Графутин В.И., Прокопьев Е.П., Фунтиков Ю.В., Тимошенков С.П. (ФГУП ГНЦ
РФ Институт теоретической и экспериментальной физики им. А.И. Алиханова,
117218, Москва, Россия) К вопросу исследования дефектов структуры материалов
первой стенки разрядной камеры термоядерных реакторов методом позитронной
аннигиляционной
спектроскопии.
http://www.fpl.gpi.ru/Zvenigorod/XXXV/M.html#Sekcija%20MU).
1081.
В.И.Графутин,
А.Ф.Захаров,
Е.П.Прокопьев,
Т.Л.Разинкова,
С.П.Тимошенков Ю.В.Фунтиков. Позитроны в пылевой космической плазме.
Научная сессия МИФИ-2008. Секция 13. Прикладная ядерная физика. .Сборник
научных
трудов.
М.:
МИФИ,
2008.
http://www.mephi.ru/ns2008/default.asp?page=34&part=null&doc=246
1082.
Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков,
В.И.Графутин,
А.Г.Залужный,
В.В.Калугин, Е.И.Артемов, О.М.Бритков, Ан.С.П.Тимошенков, И.М.Бритков,
Ю.Я.Лапицкий, Ал.С.Тимошенков. Лазерно-химические методы осаждения пленок
1083.
кремния в гидридном и хлоридных процессах. Тезисы докладов XXIII
Международной конференции «УРАВНЕНИЯ СОСТОЯНИЯ ВЕЩЕСТВА», 1-6
марта 2008 г., п. Эльбрус, Кабардино-Балкарская республика, Россия. КБГУЖ:
Нальчик, 2008. http://www.ihed.ras.ru/elbrus08/ru/program/program.php?section=5
А.З.Варисов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева,
Е.П.Прокопьев, С.П Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. О диффузии позитронов и
позитрония в наноматериалах. Поверхность. 2008. №11. С.73-80.
1084.
Е.П.Прокопьев, В.И.Графутин, Т.Л. Разинкова. Аннигиляция позитронов в
пылевой космической плазме. Тезисы доклада. V Всероссийская конференция по
физической электронике. ФЭ-2008. (26-30 октября 2008 г). Махачкала: ДГУ, 2008.
С.47-50.
1086.
В.И.Графутин,
О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева,
Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков, Ю.А.Чаплыгин. Возможности изучения
нанообъектов в пористом кремнии и подложках кремния, облученных протонами,
методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Доклад на I
Международной конференции «Функциональные материалы и высокочистые
вещества». г. Суздаль, 29 сентября - 3 октября 2008 г. М.: Институт металлургии и
материаловедения им. А.А. Байкова РАН. http://www.fnm2008.ruconf.ru/prog.pdf
1085.
В.И Графутин, О.В. Илюхина, В.В. Калугин, Г.Г. Мясищева, Е.П.
Прокопьев, С.П.Тимошенков. Исследование пористых систем и наноматериалов
методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Тезисы доклада
Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» 2008 года. ИФМ РАН: Новгород,
2008. С.231. http://www.ipm.sci-nnov.ru/rus/CONFERENCES/astands.doc
1087.
С.П. Тимошенков, Е.П. Прокопьев, В.В.Калугин, В.И. Графутин, О.М
Бритков; С.С.Евстафьев. Позитроника и нанотехнологии: Определение радиусов
нанообъектов в пористых системах и некоторых дефектных материалах методом
ПАС. Часть I. Оборонный комплекс – научно-техническому прогрессу России.
2008. №4. С.28-36.
1088.
С.П. Тимошенков, Е.П. Прокопьев, В.И. Графутин, И.М Бритков;
Ю.В.Фунтиков. Позитроника и нанотехнологии: Определение радиусов
нанообъектов в пористых системах и некоторых дефектных материалах методом
ПАС. Часть 2. Оборонный комплекс – научно-техническому прогрессу России.
2008. №4. С.36-43.
1089.
E.P. Prokopiev. Quasiatom systems e  F  ( PsF ) in fluorides of metals and to
low temperature plasma. 3rd INTERNATIONAL CONFERENCE ON PHYSICS OF
ELECTRONIC MATERIALS. PHYEM’08. Kaluga, Russia. October 1-4, 2008. С2-3.
1090.
Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков. Возможное влияние свободных
объемов нанообъектов пустоты на эволюцию свойств наноматериалов. Тезисы
докладов 7-ой международной конференции «Авиация и космонавтика». 20-23
октября 2008 года. Москва, Россия. М.: МАИ. http://af5-2.mail.ru/cgibin/readmsg/Programma_AiK_2008.doc?id=12234749320000001460;0;1&mode=attach
ment&channel=
1091.
Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П. Почему наноматериалы на основе
кремния имеют высокие эксплуатационные характеристики. Тезисы докладов. I
Всероссийская конференция. ММПСН-2008. Многомасштабное моделирование
процессов и структур в нанотехнологиях. 12-14 марта 2008 г., Москва, Московский
инженерно-физический институт, 2008. http://www.mmpsn.mephi.ru/index.htm#reps
1092.
Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П.Л.М.Павлова. Влияние свободных
объемов нанообъектов пустоты на эволюцию свойств наноматериалов. Тезисы
докладов I Всероссийской конференции. ММПСН-2008. Многомасштабное
моделирование процессов и структур в нанотехнологиях. 12-14 марта 2008 г.,
Москва,
Московский
инженерно-физический
институт,
2008.
http://www.mmpsn.mephi.ru/index.htm#reps
1093.
Прокопьев Е.П., Графутин В.И., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В.
Возможности исследования пористых систем и наноматериалов методом
позитронной аннигиляционной спектроскопии. Дефектоскопия. 2008. Т.44. №10.
С.55-70.
1094.
С.А.Гаврилов, В.И.Графутин, Л.М.Павлова, В.К.Неволин, Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков. Возможность применения синергетических методов для
исследования влияния нанообъектов пустоты на свойства и эволюцию свойств
полупроводников и
диэлектрических наноматериалов. Тезисы докладов.
Одиннадцатая международная конференция "ФИЗИКА ДИЭЛЕКТРИКОВ"
(ДИЭЛЕКТРИКИ
2008).
Санкт-Петербург.
3-7
июня
2008.
http://physics.herzen.spb.ru/conference/icd/program.pdf
1095.
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Л.М.Павлова. Влияние нанообъектов на
свойства
наноматериалов.
Международная
научная
конференция
«Наноструктурные материалы-2008»: Беларусь-Россия-Украина. НАНО-2008.
Минск. 22-25 апреля 2008 г. http://ifttp.bas-net.by/ru/NANO2008/files/s1stend.doc
1096.
Шарков Б.Ю., Графутин В.И., Залужный А.Г., Илюхина О.В.,
Мясищева Г.Г., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В.О
Возможности исследования пористых систем и наноматериалов методом
позитронной
аннигиляционной
спектроскопии.Cборник
материалов
Международной конференции "Актуальные проблемы прочности", 1-5 июля 2008
г. г. Нижний Новгород . Нижегородский государственный университет им.
Н.И.Лобачевского, 2008. Том 2. С. 123-125.
1097.
Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Павлова Л.М., Григорьев Д.К.,
Тимошенков Ан.С. О возможности неравновесных фазовых переходов в системе
радиационных дефектов кремния и германия. "Molecular Self-Organization in
Micro-, Nano-, and Macro-Dimensions: From Molecules to Water, to Nanoparticles,
DNA and Proteins" dedicated to Alexander S. Davydov's 95th birthday June 8 - 12, 2008,
Kiev, Ukraine. Bogolyubov Institute for Theoretical Physics National Academy
of Sciences
of Ukraine.
http://arw2008.bitp.kiev.ua/program.html
,
http://arw2008.bitp.kiev.ua/Arw2008Programme.pdf,
http://arw2008.bitp.kiev.ua/program.html (B10. E. P. Prokopiev. About a possibility of
nonequilibrium phase transitions in a system of radiating defects of silicon and
germanium).
1098.
V.I.Grafutin, E.P.Prokopiev, S.P.Timoshenkov, Yu.V.Funtikov. About possibility
of research of porous systems and nanomaterials by method of positron annihilation
spectroscopy. 3rd INTERNATIONAL CONFERENCE ON PHYSICS OF
ELECTRONIC MATERIALS. PHYEM’08. Kaluga, Russia. October 1-4, 2008. С.6-2.
1099.
В.И.Графутин, Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков. Исследование
свободных объемов вакансий, пор, пустот в пористых системах и наноматериалах.
Тезисы докладов 7-ой международной конференции «Авиация и космонавтика».
20-23 октября 2008 года. Москва, Россия. М.: МАИ. http://af5-2.mail.ru/cgibin/readmsg/Programma_AiK_2008.doc?id=12234749320000001460;0;1&mode=attach
ment&channel=
1100.
Е.П.Светлов-Прокопьев. Синтез антивещества из света. Тезисы докладов 7ой международной конференции «Авиация и космонавтика». 20-23 октября 2008
года.
Москва,
Россия.
М.:
МАИ.
http://af5-2.mail.ru/cgibin/readmsg/Programma_AiK_2008.doc?id=12234749320000001460;0;1&mode=attach
ment&channel=
1101.
В.И.Графутин,
А.Г.Залужный,
Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков,
О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, О.М.Бритков, В.В.Калугин, Ал.С.Тимошенков,
Ю.В.Фунтиков, Д.К.Григорьев, Ан.С.Тимошенков. Применение позитронной
аннигиляционной спектроскопии для определения энтальпии образования вакансий
в технически важных материалах. Труды международного симпозиума
«НАДЕЖНОСТЬ И КАЧЕСТВО-2008». Пенза: Изд-во ПГУ, 2008. http://www.nikapenza.ru/index.php?action=s_reports
1102.
Бритков О.М., Графутин В.И., Залужный А.Г., Калугин В.В., Илюхина О.В.,
Мясищева Г.Г., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В., Шарков Б.Ю.,
Чаплыгин Ю.А. Размеры нанообъектов в пористых системах и некоторых
дефектных материалах по данным метода позитронной аннигиляционной
спектроскопии. Труды международного симпозиума «НАДЕЖНОСТЬ И
КАЧЕСТВО-2008».
Пенза:
Изд-во
ПГУ,
2008.
http://www.nikapenza.ru/index.php?action=s_reports
1103.
Е.П.Светлов-Прокопьев. Исследование свойств атома позитрония в
кристаллах.Труды XVIII Международного совещания "Радиационная физика
твердого тела". (Севастополь, 7 - 12 июля 2008 г.), под редакцией заслуженного
деятеля науки РФ, д.ф.-м.н., проф. Бондаренко Г.Г. М.: ГНУ «НИИ ПМТ», 2008 г.,
C.679-709. http://www.niipmt.ru/index.php?p=6 http://www.niipmt.ru/index.php?p=61
1104.
.П.Светлов-Прокопьев. Позитроны и атом позитрония в пористых системах
с развитой поверхностью. Труды XVIII Международного совещания
"Радиационная физика твердого тела". (Севастополь, 7 - 12 июля 2008 г.), под
редакцией заслуженного деятеля науки РФ, д.ф.-м.н., проф. Бондаренко Г.Г. М.:
ГНУ «НИИ ПМТ», 2008 г., C.650-678. http://www.niipmt.ru/program2008.doc
http://www.niipmt.ru/index.php?p=61
1105.
В.И.Графутин,А.Г.Залужный,
С.П.Тимошенков,
О.М.Бритков,
О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков. Исследование
позитронных состояний и нанообъектов в монокристаллах кварца, облученных
протонами, и порошках кварца. Инновационные технологии в проектировании и
производстве изделий машиностроения. КАЗАНЬ– 2008 (ИТМ-2008) III
Международная научно-практическая конференция. К 50-летию ОАО «КНИАТ» и
100-летию основателя института - А.И.Гренькова. 17-19 сентября 2008 г. г.Казань
(www.fasie.ru).
http://win.mail.ru/cgi-bin/readmsg?id=12214598440000004060.2Программа_ИТМ_2008
1106.
О.М.Бритков,
С.А.Гаврилов,
В.И.Графутин,
А.В.Грушевский,
А.Г.Залужный,
О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева,
В.К.Неволин,
СветловЕ.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков, Ю.А.Чаплыгин. О возможности
исследования некоторых дефектных и пористых систем методом позитронной
аннигиляционной спектроскопии. Сборник "Тезисы докладов V Международной
конференции и IV школы молодых ученых и специалистов по актуальным
проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния
нанометровых структур и приборов на его основе" ("Кремний-2008").
Черноголовка. 2008. С.225.
1107.
Светлов-Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин. Возможности
исследования свойств наноматериалов синергетическими методами. Сборник
"Тезисы докладов V Международной конференции и IV школы молодых ученых и
специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и
диагностики кремния нанометровых структур и приборов на его основе"
("Кремний-2008"). Черноголовка. 2008. С.60.
1108.
В.И. Графутин, С.П. Тимошенков, Ю.В. Фунтиков, Ал.С. Тимошенков, Е.П.
Прокопьев, Ан.С. Тимошенков. Исследование порошков кварца методом
позитронной аннигиляционной спектроскопии. Ультрамелкозернистые и
наноструктурные материалы». Открытая школа-конференция стран СНГ. Уфа,
Республика Башкортостан, Россия. 4-9 августа 2008 г. Уфа: Башкирский
государственный университет, 2008. С.264,265.
1109.
С.П.Тимошенков,
И.М.Бритков,
Ал.С.Тимошенков,
О.М.Бритков,
Д.К.Григорьев, Ан.С.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Моделирование процессов
роста слоев кремния и пленок диэлектриков из парогазовой фазы . Тезисы
докладов Пятой Международной конференции «Материалы и покрытия в
экстремальных условиях: исследования, применение, экологически чистые
технологии производства и утилизации изделий». 22-26 сентября 2008 г.Большая
Ялта,
Жуковка.
Автономная
республика
Крым,
Украина.
http://www.materials.kiev.ua/science/servlet/
1110.
В.И. Графутин, А.Г.Залужный, О.В. Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.
Прокопьев,С.П. Тимошенков, Ю.В.Фунтиков, // Размеры нанодефектов в пористых
системах и некоторых дефектных материлах по данным метода позитронной
аннигиляционной спектроскопии.// Сборник материалов. XVIII Петербургские
чтения по проблемам прочности и роста кристаллов,посвященные100-летию со
дня рождения члена-корреспондента АН СССР профессора А.В.Степанова 21 - 24
октября 2008 г. Санкт-Петербург, ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, СанктПетербургский государственный университет, 2008. Ч 1, C.251-253.
1111.
Е.П. Прокопьев, С.П. Тимошенков. Возможности исследования поведения и
свойств материалов и наноматериалов синергетическими методами. Сборник
материалов. XVIII Петербургские чтения по проблемам прочности и роста
кристаллов,посвященные100-летию со дня рождения члена-корреспондента АН
СССР профессора А.В.Степанова 21 - 24 октября 2008 г. Санкт-Петербург, ФТИ
им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербургский государственный университет,
2008.Ч.1 C 248-251.
1112.
Е.П.Светлов-Прокопьев. Возможность получения антивещества в
космическом пространстве с использованием и концентрированием энергии
солнца. 7-я Международная научная конференция “ЭКОЛОГИЯ ЧЕЛОВЕКА И
ПРИРОДА». Москва-Плёс, 27 июня - 2 июля 2008. ИГУ: Иваново, 2008.
http://www.fasi.gov.ru/news/action/1291/
1113.
П.Светлов-Прокопьев. Проблема физики и химии антивещества: о
позитронной астрофизике, природе позитронных источников и состояний в
галактической среде с низкой плотностью. 7-я
Международная научная
конференция “ЭКОЛОГИЯ ЧЕЛОВЕКА И ПРИРОДА». Москва-Плёс, 27 июня - 2
июля 2008. ИГУ: Иваново, 2008. http://www.fasi.gov.ru/news/action/1291/
1114.
В.И. Графутин, О.В. Илюхина, Г.Г. Мясищева, Е.П. Светлов-Прокопьев,,
И.В.Калугин, О.М. Бритков, С.П. Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Определение
размеров нанообъектов в дефектных и пористых системах методом позитронной
1115.
аннигиляционной
спектроскопии.Сборник
трудов
VI
Международной
конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». (7-9 июля
2008 года. Санкт-Петербург: ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, 2006) Санкт-Петербург:
Изд-во СПбГПУ, 2006. http://www.ioffe.ru/AMS/AMS6
С.П.Тимошенков,
И.М.Бритков,
Ал.С.Тимошенков,
О.М.Бритков,
Д.К.Григорьев, Ан.С.Тимошенков, С.С.Евстафьев, Е.П.Светлов-Прокопьев.
Моделирование процессов роста и легирования эпитаксиальных слоев кремния в
хлоридных и гидридном процессах. Сборник трудов VI Международной
конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». (7-9 июля
2008 года. Санкт-Петербург: ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, 2006) Санкт-Петербург:
Изд-во СПбГПУ, 2006. http://www.ioffe.ru/AMS/AMS6
1116.
Е.П.Светлов-Прокопьев.
Гипотеза
о
высоких
эксплуатационных
характеристиках наноматериалов. Сборник трудов VI Международной
конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». (7-9 июля
2008 года. Санкт-Петербург: ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, 2006) Санкт-Петербург:
Изд-во СПбГПУ, 2006. http://www.ioffe.ru/AMS/AMS6
1117.
Е.П.Светлов-Прокопьев. О проблеме физики и химии антивещества:
возможности исследования свойств, поиска во вселенной, синтеза и применений. В
кн.: «Актуальные проблемы современной физики». Материалы Всероссийской
дистанционной научно-практической конференции с международным участием.
Россия, г. Краснодар, 5 июня 2008 года. Краснодар: Федеральное агенство по
образованию Российской Федерации. Кубанский государственный университет.
Физико-технический факультет. Кафедра оптоэлектроники, 2008. С.15-30.
1118.
E.P. Prokop’ev, V.I. Grafutin, S.P. Timoshenkov, Yu.V. Funtikov. Opportunities
of research of porous systems and nanomaterials by a method of positron annihilation
spectroscopy.Russian Journal of Nondestructive Testing, 2008, Vol. 44, No. 10, pp. 700–
711.
1119.
Графутин В.И., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В.
Позитроника и нанотехнологии : размеры нанообъектов в пористых системах и
облученном протонами кремнии по данным метода ПАС /Сборник материалов
четвертого международного научного семинара "Современные методы анализа
дифракционных
данных
(топография,
дифрактометрия,
электронная
микроскопия)", Великий Новгород, 6-11 секнтября 2008 г. ВНГУ: ВНовгород,
2008. С.91-94.
1120.
Графутин В.И., Тимошенков С.П., Бритков И.М., Тимошенков Ал.С.,
Светлов-Прокопьев Е.П., Фунтиков Ю.В., Бритков О.М., Тимошенков Ан.С.,
Евстафьев С.С. Определение размеров свободных объемов в пористых системах
методом ПАС.
Тезисы докладов Международной конференции "Опто, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы" Ульяновск, 23 – 26 июня
2008 г. Ульяновск: УГУ, 2008. http://www.uni.ulsu.ru/Konferences/innov.php
1121.
Е.П.Прокопьев. Комплексы Уиллера в полупроводниках. Высокие
технологии, фундаментальные и прикладные исследования, образование. Сборник
трудов Пятой международной научно-практической конференции “ Исследование,
разработка и применение высоких технологий в промышленности“. 02-05.10.2007,
Санкт-Петербург, Россия. Под ред. А.П. Кудинова, Г.Г. Матвиенко. СПб.: Изд-во
1122.
Политехн. ун-та, 2007. Highe Technologies. Том 13. Раздел 3.47. С.220.
http://htfi.org/index.php?p=71
Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков, Л.М.Павлова. О влиянии
свободных объемов нанообъектов пустоты на эволюцию свойств наноматериалов
Статья для Х Международной конференции «Проблемы эволюции открытых
систем». 6-8 октября. Алматы. 2008 г. Алматы: КазНУ им. Аль-Фараби, 2008.
http://ietp.kazsu.kz/Base/Book_04/programm-listReports_08ru.doc
1123.
Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков, Л.М.Павлова. О влиянии
свободных объемов нанообъектов пустоты на эволюцию свойств наноматериалов
Тезисы доклада для для Х Международной конференции «Проблемы эволюции
открытых систем». 6-8 октября. Алматы. 2008 г. Алматы: КазНУ им. Аль-Фараби,
2008. http://ietp.kazsu.kz/Base/Book_04/programm-listReports_08ru.doc
1124.
Е.П.Светлов-Прокопьев. Возможность неравновесных фазовых переходов в
системе радиационных дефектов кремния и германия. Статья для Х
Международной конференции «Проблемы эволюции открытых систем». 6-8
октября. Алматы. 2008 г. Алматы: КазНУ им. Аль-Фараби, 2008.
http://ietp.kazsu.kz/Base/Book_04/programm-listReports_08ru.doc
1125.
Е.П.Светлов-Прокопьев. Возможность неравновесных фазовых переходов в
системе радиационных дефектов кремния и германия. Тезисы доклада для Х
Международной конференции «Проблемы эволюции открытых систем». 6-8
октября. Алматы. 2008 г. Алматы: КазНУ им. Аль-Фараби, 2008.
http://ietp.kazsu.kz/Base/Book_04/programm-listReports_08ru.doc
1126.
Графутин В.И., Светлов-Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В.
Позитроника и нанотехнологии:определение нанообъектов пустоты в пористых
системах и ремнии, облученном протонами, методом ПАС. Статья для Х
Международной конференции «Проблемы эволюции открытых систем». 6-8
октября. Алматы. 2008 г. Алматы: КазНУ им. Аль-Фараби, 2008.
http://ietp.kazsu.kz/Base/Book_04/programm-listReports_08ru.doc
1127.
Графутин В.И., Светлов-Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В.
Позитроника и нанотехнологии:определение нанообъектов пустоты в пористых
системах и ремнии, облученном протонами, методом ПАС. Тезисы доклада для Х
Международной конференции «Проблемы эволюции открытых систем». 6-8
октября. Алматы. 2008 г. Алматы: КазНУ им. Аль-Фараби, 2008.
http://ietp.kazsu.kz/Base/Book_04/programm-listReports_08ru.doc
1128.
С.П.Тимошенков, Е.И.Артемов, А.И.Виноградов, Е.П.Прокопьев.Осаждение
диэлектрических слоев BaO - SiO2 - Al2O3 и ультра- и мелкодисперсных порошков
кремния в плазменной высокочастотной индукционной установке. Тезисы доклада
на 5 Международном симпозиуме по общей и прикладной химии (ISTAPC-2008),
3-8 сентября 2008 г. Иваново, Россия. Иваново: ИГТХУ, 2008..
http://www.isuct.ru/istapc2008/program.pdf
1129.
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Анализ массопереноса в гидридных и
хлоридных процессах наращивания слоев кремния и GexSi1-x при быстром
импульсном нагреве подложек некогерентными источниками света. Тезисы
доклада XIV Симпозиума по горению и взрыва. Черноголовка. 13-17 октября 2008.
Черноголовка:
ИПХФ,
2008.
http://www.icp.ac.ru/conferences/comb2008/index.html/Prog_ CE2008/
1130.
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Анализ массопереноса в гидридных и
хлоридных процессах наращивания слоев кремния и GexSi1-x при быстром
импульсном нагреве подложек некогерентными источниками света. Статья на
компакт-диске XIV Симпозиума по горению и взрыва. Черноголовка. 13-17
октября
2008.
Черноголовка:
ИПХФ,
2008.http://www.icp.ac.ru/conferences/comb2008/index.html/
1131.
Ю.А.Чаплыгин,
С.П.Тимошенков,
В.И.Графутин,
Е.П.Прокопьев,
Ю.В.Фунтиков. Определение размеров нанообъектов пустоты в пористых системах
и кремнии, облученном протонами. Энергетика – 2008: Инновации, решения,
перспективы. Международная научно-техническая конференция, Посвященная 40летию Казанского государственного энергетического университета. 15 – 19
сентября
2008
года.
Казань.
Казань:
ГОУ
ВПО
КГЭУ,
2008.
http://www.kgeu.ru/?q=ru/node/287
1132.
Е.П.Прокопьев. Возможность получения антивещества в космическом
пространстве с использованием и концентрированием энергии солнца. Энергетика
– 2008: Инновации, решения, перспективы. Международная научно-техническая
конференция,
Посвященная
40-летию
Казанского
государственного
энергетического университета. 15 – 19 сентября 2008 года. Казань. Казань: ГОУ
ВПО КГЭУ, 2008. http://www.kgeu.ru/?q=ru/node/287
1133.
В.И.Графутин,
А.Г.Залужный,
С.П.Тимошенков,
О.М.Бритков,
О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков. Исследование
позитронных состояний и нанообъектов в монокристаллах кварца, облученных
протонами, и порошках кварца. Статья. Инновационные технологии в
проектировании и производстве изделий машиностроения. КАЗАНЬ– 2008. (ИТМ2008). III Международная научно-практическая конференция. К 50-летию ОАО
«КНИАТ» и 100-летию основателя института - А.И.Гренькова 17-19 сентября 2008
года. Казань: ООО «Научно исследовательский центр высоких технологий»
www.nicvt.ru , 2008. http://www.kniat.ru/index/3
1134.
Viktor I.Grafutin, Tat’yane L.Razinkova, Eugene P.Prokop’ev. About peculiarity
of Positron Annihilation on Atoms and Particles of Dust Space Plasma of Galactic
Center. 61st
Annual Gaseous Electronics Conference. 14-17 October, 2008.
Dallas/Allison Mariott Quorum by the Galleria, Dallas, Texas. 2008.
http://absimage.aps.org/image/MWS_GEC08-2008-020007.pdf
,
http://meetings.aps.org/Meeting/GEC08http://meetings.aps.org/Meeting/GEC08/SessionI
ndex3/?SessionEventID=91231
http://flux.aps.org/meetings/YR08/GEC08/all_GEC08.pdf
1135.
Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков;
О.М.Бритков,
Ал.С.Тимошенков,
И.М.Бритков, С.С.Евстафьев, Д.К.Григорьев, Ан.С.Тимошенков. Возможности
исследования свойств материалов и наноматериалов синергетическиьи методами.
Тезисы докладов. Международная научно-техническая конференция «Управление,
автоматизация и окружающая среда» 8-13 сентября 2008 г.г. Севастополь.
Севастопольский национальный технический университет (г. Севастополь,
Украина)
г.
Севастополь.
http://af2-2.mail.ru/cgibin/readmsg/Program.pdf?id=12199479490000023268;0;1&mode=attachment&channel
=
1136.
Ю.А.Чаплыгин,
С.П.Тимошенков,
В.И.Графутин,
В.В.Калугин,
Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков. Определение радиусов нанообъектов пустоты в
пористых системах и кремнии, облученном протонами. Rusnanotech-08.
Международный форум по нанотехнологиям. 3-5.12. Сборник тезисов докладов
научно-технологических секций. Том 2. М.: Роснано, 2008. С. 65,66.
http://www.rusnanoforum.ru/cgi-bin/show.pl?option=r_cat&id=8
1137.
Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Залужный А.Г.,
Нестерович А.В., В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков. О применении
ядерно-физических методов исследований и технологий в нано- и
микроэлектронике. Rusnanotech-08. Международный форум по нанотехнологиям.
3-5.12. Сборник тезисов докладов научно-технологических секций. Том 2. М.:
Роснано, 2008. С. 70,71.
1138.
С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев. Определение методом
ПАС радиусов нанообъектов в пористом кремнии и кремнии, облученном
протонами. Микроэлектроника и наноинженерия – 2008. Международная научнотехническая конференция: Тезисы докладов. – М.: МИЭТ, 2008. 188 с. С.146.
1140.
Светлов-Прокопьев Е.П. Физика, химия и технология антивещества:
возможности синтеза, применений, хранения и поиска во Вселенной.
Петербургский журнал электроники.2009. Вып.2. С.41-46.
1139.
Е.П.Светлов-Прокопьев. О перспективах развития проблемы физики, химии
и технологии антивещества. Пылевая космическая плазма. Научная сессияконференция секции ЯФ ОФН РАН «Физика фундаментальных взаимодействий».
г. Москва, 23 - 27 ноября 2009 г. Секция ядерной физики Отделения физических
наук Российской академии наук и Институт теоретической и экспериментальной
физики
имени
А.И.
Алиханова.
ИТЭФ:
Москва,
2009.
http://matras.itep.ru/npd2k09/programm.rtf
1141.
Прокопьев Е.П., Графутин В.И., Тимошенков С.П., С.С. Евстафьев,
Фунтиков Ю.В. Позитроника и нанотехнологии: Возможности изучения
нанообъектов в технически важных материалах методом позитронной
аннигиляционной спектроскопии. Микроэлектроника. 2009. Т.38. №6. С.464-475.
1142.
V. I. Grafutin, E. P. Prokop’ev, S. P. Timoshenkov, S. S. Evstaf’ev and
Yu. V. Funtikov. Positronics and nanotechnologies: Possibilities of studying nanoobjects
in critical engineering materials using positron annihilation spectrometry. Russian
Microelectronics.
2009.
Vol.
38,
№6.
P.418-428.
http://www.springerlink.com/content/x83kn214822422r8/
1143.
Yu.A. Chaplygin, V.I. Grafutin, E.P. Svetlov-Prokopiev, S.P. Timoshenkov.
Positronics and Nanotechnologies: Possibilities of Studying Nano-objects in Technically
Important Materials and Nanomaterials. ( Moscow State Institute of electronic
Technology (MIET), Moscow, Russia, and others). Advances in Nanotecynology. Vol.1.
2009. Nova Science Publishers. Copyrigt 2004-2009.
1144.
Е.П.Прокопьев. Возможные проблемы физики, химии и технологии
антивещества: синтез и применения. Философские вопросы естественных,
технических и гуманитарных наук. Сборник статей Международной научной
конференции. Вып.4. Том 2. С.18-25. (Доклад на IV Всероссийской научной
конференции «ФИЛОСОФСКИЕ ВОПРОСЫ ЕСТЕСТВЕННЫХ, ТЕХНИЧЕСКИХ
И ГУМАНИТАРНЫХ НАУК». 23-24 апреля 2009 г. Магнитогорск:
Магнитогорский государственный университет, 2009.)
1145.
Е.П.Светлов-Прокопьев. Позитроника и антивещество: получение и
применение в нанотехнологиях. Тезисы докладов. II Всероссийская конференция.
ММПСН-2009. Многомасштабное моделирование процессов и структур в
нанотехнологиях. 28-30 мая 2009 г., Москва, Московский инженерно-физический
институт,
2009.
См.
сайт
конференции:
http://www.mmpsn.mephi.ru/files/file/Spisok%20dokladov.pdf
1146.
Прокопьев Е.П. Позитроника и антивещество: Возможные аспекты
проблемы физики, химии и технологии и практических применений. Тезисы
докладов Второй Всероссийской конференции с международным Интернет –
участием «От наноструктур, наноматериалов и нанотехнологий к Наноиндустрии».
Ижевск: ИПМ Уро РАН, 2009. Материалы на лазерном диске:
http://nanoizh.org/materials/2009-03-31-11-09-18.html
1147.
Гаврилов С.А., Графутин В.И., Прокопьев Е.П., Тимошенков
С.П.Определение методом УРАФ радиусов пор и их концентраций в пористых
системах. Модель цилиндрической поры. Тезисы докладов Второй Всероссийской
конференции с международным Интернет – участием «От наноструктур,
наноматериалов и нанотехнологий к Наноиндустрии». Ижевск: ИПМ Уро РАН,
2009. См. сайт конференции: http://nanoizh.org/materials/2009-03-31-11-09-18.html.
1148.
Е.П.Прокопьев. Перспективы развития проблемы физики, химии и
технологии антивещества. Тезисы докладов 2-й Всероссийской конференции
ученых, молодых специалистов и студентов «Информационные технологии в
авиационной и космической технике-2009». М.: МАИ, 2009. См. сайт конференции:
http://af14-2.mail.ru/cgi-bin/readmsg/PROGRAMMA_IT_v_AkT-2009novaya.doc?id=12397926240000015811;0;1&mode=attachment&channel.
1149.
Vinogradov A.I., Zaryankin N.M., Mihajlov Yu.A., Prokopiev E.P., Timoshenkov
S.P. Optimization of Process of Deep Plasmachemical Etching Silicon for MEMS
Elements. Flucome 2009. 10 th International Conferenct on Fluid Control,
Measurements, and Vizualization. August 17-21. Moscow, Russia. Flucome: Moscow,
2009. Статья на лазерном диске: http://www.ihed.ras.ru/flucome10/rus/ (см. пункт
Program). http://www.ihed.ras.ru/flucome10/cd/papers/515.pdf
1150.
С. П. Тимошенков, Е. П. Прокопьев Получение мелкодисперсных порошков
в высокочастотной плазме. Технология металлов. 2005. №9. С.16-24.
1151.
E.P.Prokopiev. Сonfinement of positrons in vacancies and complexes of
vacancies in metals and alloys. Восьмой Международный Уральский Семинар
«РАДИАЦИОННАЯ ФИЗИКА МЕТАЛЛОВ И СПЛАВОВ». Тезисы докладов. 23
февраля – 1 марта 2009. The Eighth International Ural Seminar RADIATION
DAMAGE PHYSICS OF METALS AND ALLOYS. Abstracts. February 23 – March 1.
С.83.
1152.
V.I.Grafutin,
E.P.Prokopiev,
S.P.Timoshenkov,
Yu.V.Funtikov,
N.O.Khmelevskii. Study of nanoobjects in the irradiated metals and alloys by method of
positron annihilation spectroscopy. Восьмой Международный Уральский Семинар
«РАДИАЦИОННАЯ ФИЗИКА МЕТАЛЛОВ И СПЛАВОВ». Тезисы докладов. 23
февраля – 1 марта. The Eighth International Ural Seminar RADIATION DAMAGE
PHYSICS OF METALS AND ALLOYS. Abstracts. February 23 – March 1. С.84.
1154.
Е.П.Прокопьев. О влиянии свободных объемов нанообъектов пустоты на
эволюцию свойств наноматериалов. Тезисы доклада Международной научной
конференции по механике “ПЯТЫЕ ПОЛЯХОВСКИЕ ЧТЕНИЯ”. 2009. СанктПетербург:
СПбГУ,
2009.
См.
Сайт
конференции:
http://www.math.spbu.ru/ru/Archive/Polyakhov/Polyakhov2009/reports/reports1.html.
1153.
Е.П.Прокопьев. Атом позитрония в атмосфере фононов кристалла. Тезисы
докладов. VII КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ВЫСОКИХ ЭНЕРГИЙ, ЯДЕРНОЙ
ФИЗИКЕ И УСКОРИТЕЛЯМ ХАРЬКОВ, ННЦ ХФТИ, 25-29 февраля 2009 г.
Харьков:
ХФТИ,
2009.
C.8.06.
Статья
на
лазерном
диске:
http://www.kipt.kharkov.ua/conferences/ihepnp/2009/programme.pdf
1156.
Е.П.Прокопьев. Магнитопозитроний в полупроводниках и ионных
кристаллах. Тезисы докладов. VII КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ВЫСОКИХ
ЭНЕРГИЙ, ЯДЕРНОЙ ФИЗИКЕ И УСКОРИТЕЛЯМ ХАРЬКОВ, ННЦ ХФТИ, 2529 февраля 2009 г. Харьков: ХФТИ, 2009. C.8.05. Статья на лазерном диске:
http://www.kipt.kharkov.ua/conferences/ihepnp/2009/programme.pdf=.
1157.
Е.П.Прокопьев. Комплексы Уиллера в ионных кристаллах. Тезисы докладов.
VII КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ВЫСОКИХ ЭНЕРГИЙ, ЯДЕРНОЙ ФИЗИКЕ И
УСКОРИТЕЛЯМ ХАРЬКОВ, ННЦ ХФТИ, 25-29 февраля 2009 г. Харьков: ХФТИ,
2009.
C.8.07.
Статья
на
лазерном
диске:
http://www.kipt.kharkov.ua/conferences/ihepnp/2009/programme.pdf = .
1158.
Прокопьев Е.П. Позитроний в анизотропных слоях полупроводников и
ионных кристаллах в сильном магнитном поле (Prokop’ev E.P. POSITRONIUM IN
ANISOTROPIC LAYERS OF SEMICONDUCTORS AND IONIC CRYSTALS IN A
STRONG MAGNETIC FIELD). Высокие технологии, фундаментальные и
прикладные исследования, образование. Т.2: Сборник трудов Шестой
международной научно-практической конференции “Исследование, разработка и
применение высоких технологий в промышленности“, Санкт-Петербург, Россия.
Под ред. А.П. Кудинова, Г.Г. Матвиенко. СПб.: Изд-во Политехн. ун-та, 2009.
С.147.
1159.
V.I.Grafutin, T.L.Razinkova, E.P.Prokopiev, A.F.Zakharov. Peculiarity of
Positron Annihilation on Atoms and Particles of Dust Space Plasma of Galactic Center.
A Science Workshop to celebrate «SEVEN YEARS OF INTEGRAL. The Extreme sky:
Sampling the Universe above 10 keV». 13th – 17th October 2009. Otranto (Lecce) Italy,
Castello Aragonese. See: http://www.iasf-roma.inaf.it/extremesky2009/Participants.htm.
1160.
Прокопьев Е.П, Тимошенков С.П., Графутин В.И.Определение размеров и
концентраций нанообъектов в пористых системах методом позитронной
аннигиляционной спектроскопии. Кремний-2009. Тезисы докладов VI
Международной конференции и V школы молодых ученых и специалистов по
актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики
кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. Новосирск-2009>>, 710
июля
2009
г.
Новосибирск:
ИНХ
СО
РАН,
2009.
С.148,149.http://silicon2009.che.nsk.su/rus/cprogramr.htm#s1.
1155.
Тимошенков С.П., Калугин В.В., Бритков О.М., Тимошенков Ал.С.,
Прокопьев Е.П. , Тимошенков Ан.С., Евстафьев С.С., Бритков И.М. Физикохимическая модель скорости роста пленок a  Si : H в силановых плазменных
смесях пониженного давления. Кремний-2009. Тезисы докладов VI
Международной конференции и V школы молодых ученых и специалистов по
актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики
кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. Новосибирск-2009, 710 июля 2009 г. Новосибирск: ИНХ СО РАН, 2009. С.157.
http://silicon2009.che.nsk.su/rus/cprogramr.htm#s1.(С\ТезДокл\2009\Кремний
1161.
В.И.Графутин,
О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева,
Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков, Р.Бурцл. Позитроника и нанотехнологии:
возможности изучения нанообъектов в материалах и наноматериалах методом
позитронной аннигиляционной спектроскопии. Ядерная физика. Т.72. №10. 2009.
C.1730-1739.
1162.
Y A Chaplygin, S A Gavrilov, V I Grafutin, E Svetlov-Prokopiev, and S P
Timoshenkov. Positronics and nanotechnologies: possibilities of studying nano-objects in
technically important materials and nanomaterials. Proc. IMechE. Part N: J.
Nanoengineering and Nanosystems. 2007. Vol. 221. №4. P.125-132.
1163.
V. I. Grafutin, E. P. Prokop’ev, S. P. Timoshenkov, S. S. Evstaf’ev and
Yu. V. Funtikov. Positronics and nanotechnologies: Possibilities of studying nanoobjects
in critical engineering materials using positron annihilation spectrometry. Russian
Microelectronics.
2009.
Vol.
38,
№6.
P.418-428.
http://www.springerlink.com/content/x83kn214822422r8/
1164.
Графутин В.И., Илюхина О.В., Мясищева Г.Г.,
Прокопьев Е.П.,
Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В. Позитроника нанообъектов в пористых и
дефектных системах на основе кремния и кварца. Украинский физический журнал.
2009. Т.54. №5. С.443-453. http://www.ujp.bitp.kiev.ua/index.php?item=j&id=103
1165.
Графутин В.И., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В.,
Позитроника и нанотехнологии: Определение размеров нанообъектов в пористых
системах, наноматериалах и некоторых дефектных материалах методом
позитронной аннигиляционной спектроскопии (обзор). Заводская лаборатория.
2009. Т.75. №6. С.27-36. http://zldm.ru/upload/iblock/53b/20097506027.pdf
1166.
В.И. Графутин, А.В.Грушевский, А.Г.Залужный, И.В.Калугин, Е.П. СветловПрокопьев, С.П. Тимошенков, Ю.В. Фунтиков. Определение размеров
нанообъектов в некоторых дефектных и пористых системах методом позитронной
аннигиляции. Журнал «Проблемы черной металлургии и материаловедения». 2009.
№2. С.74-80.
1167.
В.И.Графутин,
Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков,
Ю.В.Фунтиков.
Определение радиусов нанообъектов в пористых системах и некоторых дефектных
материалах методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Поверхность.
Рентгеновские, Синхротронные и нейтронные изучения. 2009. №12. С.24-32.
1168.
V. I. Grafutin, E. P. Prokop’ev, S. P. Timoshenkov, Yu. V. Funtikov.
Determination of Radii of Nano-objects in Porous Systems and Some Defective Materials
by Positron Annihilation Spectroscopy. Journal of Surface Investigation. X-ray,
Synchrotron and Neutron Techniques, 2009, Vol. 3, No. 6, pp. 917–925.
1169.
Е.П.Светлов-Прокопьев. Возможные космические технологии будущего.
Сборник докладов X международной научно-технической конференции
«Кибернетика и высокие технологии XXI века». (C&T-2009), 13-15 мая 2009 г.
Воронеж. Секция 4. С.894-901. http://www.cht.sakv.ru/sbornic_cht-2009.htm
1171.
Чаплыгин Ю.А., Тимошенков С.П., Графутин В.И., Прокопьев Е.П. ,
Фунтиков Ю.В. Исследования нанообъектов в пористых системах и некоторых
дефектных материалов методом позитронной аннигиляционной спектроскопии.
Сборник докладов X международной научно-технической конференции
«Кибернетика и высокие технологии XXI века». (C&T-2009), 13-15 мая 2009 г.
Воронеж. Секция 4. С.717-736. http://www.cht.sakv.ru/sbornic_cht-2009.htm
1172.
С.П. Тимошенков, Б.М.Симонов, В.И. Графутин, Е.П. Прокопьев,
Ал.С.Тимошенков, О.М Бритков, Ан.Тимошенков, И.М.Бритков, С.С.Евстафьев.
Определение энтальпий образования вакансий в технически важных материалах
методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Оборонный комплекс –
научно-техническому прогрессу России. 2009. №3. С.33-37.
1170.
Р.Бурцл, В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков, Возможности изучения нанообъектов в пористом
кремнии и подложках кремния, облученных протонами, методом позитронной
1173.
аннигиляционной спектроскопии. Физика твердого тела. 2010. Т.52. Вып.4. С.651654.
Е.П.Прокопьев,
В.И.Графутин,
С.П.Тимошенков,
Ю.В.Фунтиков.
Определение размеров нанообъектов в пористых системах и дефектных твердых
телах. Часть I. Интеграл. 2008. №6(44). С.4-6.
1175.
Е.П.Прокопьев,
В.И.Графутин,
С.П.Тимошенков,
Ю.В.Фунтиков.
Определение размеров нанообъектов в пористых системах и дефектных твердых
телах. Часть II. Интеграл. 2009. №1(45). С.10-12.
1176.
Графутин В.И., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В. Оценки
размеров нанообъектов в пористых системах методом позитронной
аннигиляционной спектроскопии. Тезисы докладов 59 Международной
конференции "Ядро-2009. Фундаментальные проблемы и прикладные аспекты
ядерной физики: от космоса до нанотехнологий" (59 Совещания по ядерной
спектроскопии и структуре атомного ядра). Чебоксары, 15 - 19 июня 2009 г.
Организаторы Конференции: Секция ядерной физики отделения физических наук
РАН, Санкт-Петербургский государственный университет. Санкт-Петербург:
СПбГУ, 2009. С.326.
1177.
Е.П.Прокопьев. Возможности исследования свойств, синтеза и применений
антиматерии. Тезисы докладов 59 Международной конференции "Ядро-2009.
Фундаментальные проблемы и прикладные аспекты ядерной физики: от космоса до
нанотехнологий" (59 Совещания по ядерной спектроскопии и структуре атомного
ядра). Чебоксары, 15 - 19 июня 2009 г. Организаторы Конференции Секция
ядерной физики отделения физических наук РАН,Санкт-Петербургский
государственный университет. Санкт-Петербург: СПбГУ, 2009. С.336.
1174.
E.P. Prokopiev. Research of nanoobjects in semiconductors, porous systems and
nanomaterials by method of positron annihilation spectroscopy 25 Международная
конференция «Дефекты в полупроводниках» (ICDS-25) 20–24 июля 2009 года,
Санкт-Петербург, Санкт-петербургский государственный политехнический
университет. Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН. (ФТИ РАН),
СПб-2009. Статья опубликована на сайте конференции: http://www.ioffe.ru/icds25/main_menu/Programme/tuep_en.html,
http://www.ioffe.ru/ICDS25/index.php?row=11&subrow=0&lang=en .
1178.
Grafutin V.I., Timoshenkov S.P., Ilyukhina O.V., Myasishcheva G.G.,
Timoshenkov Al.S.,
Svetlov-Prokop’ev E.P., Funtikov Yu.V., Britkov O.M.,
Timoshenkov Al.S., Kalugin V.V. Nanoobject sizes of defects in porous systems and
defective materials according ADAP method. Porous Silicon and SOI Structures.
Научно-техническая конференция «Методы создания, исследования микро-,
наносистем и экономические аспекты микро-, наноэлектроники». Пенза, 26 мая –
29
мая
2009г.
Пенза:
ИИЦ
ПГУ,
2009.
С.167-170.
http://micro.pnzgu.ru/public/images/files/programmIInano(3).pdf.
1179.
Prokopiev E.P., Timoshenkov S.P., Timoshenkov Al.S., Grigoriev D.K.,
Timoshenkov An.S.About a possibility of nonequilibrium phase transitions in a system of
radiating defects of silicon and germanium. Paper. Международная IEEE-Сибирская
конференция по управлению и связи (SIBCON-2009) 27-28 марта 2009 г. Томск,
Россия. Томск: Сибирская секция Института инженеров по электротехнике и
электронике, 2009. http://www.comsoc.org/tomsk/sibcon/program.htm
1181.
С.П.Тимошенков,
Л.М.Павлова,
С.А.Гаврилов,
В.И.Графутин,
Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков. Определение методом УРАФ радиусов пор в
пористых системах. Тезисы докладов. II Всероссийская конференция. ММПСН2009. Многомасштабное моделирование процессов и структур в нанотехнологиях.
1180.
28-30 мая 2009 г., Москва, Московский инженерно-физический институт, 2009. See
cайт конференции: http://www.mmpsn.mephi.ru/files/file/Spisok%20dokladov.pdf.
Е.П.Прокопьев. Комплексы Уиллера в полупроводниках. Высокие
технологии, фундаментальные и прикладные исследования, образование. Сборник
трудов Пятой международной научно-практической конференции «Исследование,
разработка и применение высоких технологий в промышленности“. 02-05.10.2007,
Санкт-Петербург, Россия. Под ред. А.П. Кудинова, Г.Г. Матвиенко. СПб.: Изд-во
Политехн. ун-та, 2008. Highe Technologies. Том 13. Раздел 3.47. С.220.
http://htfi.org/index.php?p=71
1182.
Е.П.Прокопьев. Cинергетические подходы к проблемам эволюции свойств
материалов и наноматериалов на основе кремния. Статья. Международная
конференция “Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в
конденсированных средах”. 7-10 сентября 2009 г., Махачкала, Республика
Дагестан, Россия. С,Б3-18. См. сайт конференции: http://www.dagphys.ru/papers.htm,
http://www.dagphys.ru/download/2009_Conference_Program.pdf
1184.
E.P.Prokopiev, S.P.Timoshenkov, V.V.Kalugin. Models of growth of
semiconductor and dielectric layers in flowing isothermal reactors. Тезисы докладов
XVII Международной конференции по химической термодинамике (RCCT 2009),
29
июня
3
июля
2009,
г.
Казань.
Казань:
КГТУ,
2009.
http://rcct2009.kstu.ru/ru/conf_tez.jsp.
1185.
В.И. Графутин, А.Ф. Захаров, Е.П. Прокопьев, Т.Л. Разинкова, С.П.
Тимошенков, Ю.В. Фунтиков. Возможности использования позитронной
диагностики для исследования пылевой космической плазмы. Тезисы докладов.
XXXVI Международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и
управляемому термоядерному синтезу. г. Звенигород Московской обл. 9 - 13
февраля
2009
года.
Статья
на
лазерном
диске:
http://www.fpl.gpi.ru/Zvenigorod/XXXVI/Lt/ru/IM-Grafutin.doc.
1186.
Е.П. Прокопьев, С.П. Тимошенков. Построение гибридной модели роста
пленок a  Si : H в силановой плазме ВЧ тлеющего разряда в газовой смеси
SiH 4  H 2 . Тезисы докладов. XXXVI Международная (Звенигородская)
конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу. г.
Звенигород Московской обл. 9 - 13 февраля 2008 года. Статья на лазерном диске:
http://www.fpl.gpi.ru/Zvenigorod/XXXVI/Lt/ru/IN-Timoshenko.doc .
1187.
А.И.Виноградов, Н.М.Зарянкин, Е.П.Прокопьев. С.П. Тимошенков.
Исследование некоторых аспектов процесса глубокого травления кремния для
элементов МЭМС. Тезисы докладов. XXXVI Международная (Звенигородская)
конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу. г.
Звенигород Московской обл. 9 - 13 февраля 2008 года. Статья на лазерном диске:
http://www.fpl.gpi.ru/Zvenigorod/XXXVI/Pt/ru/ML-Vinogradov.doc .
1188.
Е.П.Прокопьев. Позитроний в анизотропных слоях полупроводников и
ионных кристаллах в сильном магнитном поле. 6-я Зимняя школа по механике
сплошных сред. Россия, Пермь, с 24 по 27 февраля 2009 года. Пермь: ПГУ, 2009.
См. сайт конференции: http://school2009.icmm.ru/resources/files/program2.pdf .
1189.
Е.П.Прокопьев,
В.И.Графутин,
С.П.Тимошенков,
И.М.Бритков,
О.М.Бритков, С.С.Евстафьев. О позитронных состояниях в тонких
полупроводниковых слоях. Научная сессия МИФИ-2009. Секция Э-7.
«Ультрадисперсные
(нано-)
материалы».
См.
сайт
конференции:
http://ns2009.mephi.ru/default.asp?page=34&part=null&doc=247.
1190.
Е.П.Прокопьев,
В.И.Графутин,
С.П.Тимошенков,
И.М.Бритков,
О.М.Бритков, С.С.Евстафьев. Энергетический спектр и аннигиляционные
характеристики
атома
позитрония
в
малых
сферических
частицах
1183.
полупроводников. Научная сессия МИФИ-2009. Секция Э-7. «Ультрадисперсные
(нано-)
материалы».
См.
сайт
конференции:
http://ns2009.mephi.ru/default.asp?page=34&part=null&doc=247.
1191.
Е.П.Прокопьев. Магнитопозитроний в полупроводниках и ионных
кристаллах. Научная сессия МИФИ-2009. Секция 13. Прикладная ядерная физика.
См.
сайт
конференции:
http://ns2009.mephi.ru/default.asp?page=34&part=null&doc=246.
1192.
Прокопьев Е.П., Графутин И.И., Тимошенков С.П. Возможный спектр
позитронных состояний в квантовых ямах полупроводниковых сверхструктур.
Научная сессия МИФИ-2009. Секция 13. Прикладная ядерная физика. См. сайт
конференции: http://ns2009.mephi.ru/default.asp?page=34&part=null&doc=246.
1193.
В.И., Прокопьев Е.П., Тимошенков Влияние свободных объемов
нанообъектов пустоты на эволюцию свойств наноматериалов. Тезисы докладов.
Третья Всероссийская конференция по наноматериалам (НАНО2009), г.
Екатеринбург, 20-24 апреля 2009 г. Екатеринбург: ИФМ РАН, 2009. С2 23-11. См.
сайт конференции: http://conference.imp.uran.ru/UserFiles/File/ProgNano2009.doc,
http://conference.imp.uran.ru/UserFiles/File/ProgNano080409.doc.
Eugene P.Prokopiev. Possibilities of presence of Schlögl quasichemical reactions
in an atmosphere of own silicon defects. Abstracts. 2nd Chaotic Modeling and
Simulation International Conference (CHAOS2009), Chania, Crete, Greece, June 1-5,
2009. P.63. См. сайт конференции: http://www.chaos2009.net/programabstracts.html.
1194.
Прокопьев Е.П., Графутин В.И., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В.Размеры
нанообъектов в пористых системах по данным метода позитронной
аннигиляционной
спектроскопии.
Тезисы
докладов.
ВИП-2009.
XIX
Международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью». 21 - 25
августа 2009 г., Звенигород , Россия. М.: МАИ, 2009. См. сайт конференции:
http://www.spbstu.ru/isi2009/rus/frst_rus.html , п.5.16.
1195.
В.И.Графутин, В.П.Колотушкин, В.Ю. Милосердин,
О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков, Н.О.Хмелевский. Исследование
структурных изменений в сплавах на основе Ni-Cr при различном содержании
хрома методом УРАФ.
Тезисы докладов. ВИП-2009. XIX Международная
конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью». 21 - 25 августа 2009 г.,
Звенигород
, Россия. М.:
МАИ, 2009. См. сайт
конференции:
http://www.spbstu.ru/isi2009/rus/frst_rus.html, п.3.7. Секция №3. Эмиссия ионов,
электронов, фотонов и рентгеновского излучения при ионной бомбардировке.
1196.
В.И.Графутин,
А.Г.Залужный,
В.С.Хмелевская,
О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, Н.О.Хмелевский, Ю.В.Фунтиков. Исследования
конструкционных материалов ядерно-физическими методами. Тезисы докладов.
ВИП-2009. XIX Международная конференция «Взаимодействие ионов с
поверхностью». 21 - 25 августа 2009 г., Звенигород , Россия. М.: МАИ, 2009. См.
сайт конференции: http://www.spbstu.ru/isi2009/rus/frst_rus.html, п.6.6
1197.
Sergei A. Gavrilov, Viktor I. Grafutin, Eugene P. Prokopiev, Sergei P.
Timoshenkov. Radiuses and concentration of pores in porous silicon according to a
method the PAS. Abstracts. VIII International Conference Mechanisms of Catalytic
Reactions (MCR-2009)Dedicated to the 70th anniversary of Professor Kirill I. Zamaraev.
Novosibirsk Scientific Centre, Russia, June 29 - July 2, 2009. См. сайт конференции:
http://www-sbras.nsc.ru/ws/MCR-ZAM/Program_MCR.doc
1198.
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Тезисы докладов. Анализ физикохимических моделей скорости роста пленок a  Si : H в силановых плазменных
смесях. XXII - Международная научная конференция. МАТЕМАТИЧЕСКИЕ
1199.
МЕТОДЫ В ТЕХНИКЕ И ТЕХНОЛОГИЯХ - ММТТ-22. Псков. 25-30 мая 2009 г.
ППИ. ППИ: Псков, 2009. См. сайт конференции: http://mmtt22.sstu.ru/mmtt22.nsf/8ae8cfae522c332ac3257075005cab5e/f41a4b0beab4c580c32574e80059066f/$FIL
E/%D0%9F%D1%80%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D0%BC%D0%BC%D0
%B0%20%D0%BA%D0%BE%D0%BD%D1%84%D0%B5%D1%80%D0%B5%D0%
BD%D1%86%D0%B8%D0%B8.doc
;
http://mmtt22.sstu.ru/mmtt22.nsf/Papers_R?OpenView&Start=3 (cc. 7).
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Статья. Анализ физико-химических
моделей скорости роста пленок a  Si : H в силановых плазменных смесях. XXII Международная научная конференция. МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ В
ТЕХНИКЕ И ТЕХНОЛОГИЯХ - ММТТ-22. Псков. 25-30 мая 2009 г. ППИ. ППИ:
Псков,
2009.
См.
сайт
конференции:
http://mmtt22.sstu.ru/mmtt22.nsf/8ae8cfae522c332ac3257075005cab5e/f41a4b0beab4c580c32574e80059066f/$FIL
E/%D0%9F%D1%80%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D0%BC%D0%BC%D0
%B0%20%D0%BA%D0%BE%D0%BD%D1%84%D0%B5%D1%80%D0%B5%D0%
BD%D1%86%D0%B8%D0%B8.doc;
http://mmtt22.sstu.ru/mmtt22.nsf/Papers_R?OpenView&Start=3 (cc. 7).
1200.
С.П.Тимошенков, Н.М.Зарянкин, Е.П.Прокопьев. Статья. Гибридные модели
процессов роста и легирования эпитаксиальных слоев полупроводников и
получения пленок a  Si : H в силановой плазме ВЧ тлеющего разряда в газовой
смеси
XXII
Международная
научная
конференция.
SiH 4  H 2 .
МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ В ТЕХНИКЕ И ТЕХНОЛОГИЯХ - ММТТ-22.
Псков. 25-30 мая 2009 г. ППИ. ППИ: Псков, 2009. См. сайт конференции:
http://mmtt22.sstu.ru/mmtt22.nsf/8ae8cfae522c332ac3257075005cab5e/f41a4b0beab4c580c32574e80059066f/$FIL
E/%D0%9F%D1%80%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D0%BC%D0%BC%D0
%B0%20%D0%BA%D0%BE%D0%BD%D1%84%D0%B5%D1%80%D0%B5%D0%
BD%D1%86%D0%B8%D0%B8.doc;
http://mmtt22.sstu.ru/mmtt22.nsf/Papers_R?OpenView&Start=9 (ссылка 13).
1201.
С.П.Тимошенков, Н.М.Зарянкин, Е.П.Прокопьев. Тезисы. Гибридные
модели процессов роста и легирования эпитаксиальных слоев полупроводников и
получения пленок a  Si : H в силановой плазме ВЧ тлеющего разряда в газовой
смеси
XXII
Международная
научная
конференция.
SiH 4  H 2 .
МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ В ТЕХНИКЕ И ТЕХНОЛОГИЯХ - ММТТ-22.
Псков. 25-30 мая 2009 г. ППИ. ППИ: Псков, 2009. См. сайт конференции:
http://mmtt22.sstu.ru/mmtt22.nsf/8ae8cfae522c332ac3257075005cab5e/f41a4b0beab4c580c32574e80059066f/$FIL
E/%D0%9F%D1%80%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0%B0%D0%BC%D0%BC%D0
%B0%20%D0%BA%D0%BE%D0%BD%D1%84%D0%B5%D1%80%D0%B5%D0%
BD%D1%86%D0%B8%D0%B8.doc;
http://mmtt22.sstu.ru/mmtt22.nsf/Papers_R?OpenView&Start=9 (ссылка 13).
1202.
E.P.Prokopiev. About Opportunities of positron diagnostics for research of dust
space plasma. Тезисы доклада XIV Международной Ломоносовской конференции
по физике элементарных частиц. 19 - 25 августа 2009 г. Москва, МГУ. М.: 2009.
См. сайт конференции: http://www.icas.ru/english/index.htm.
1203.
Графутин В.И., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В.
Определение нанообъектов в пористых системах методом позитронной
аннигиляционной
спектроскопии.
Первая
всероссийская
конференция.
ПРОБЛЕМЫ
МЕХАНИКИ
И
АКУСТИКИ
СРЕД
С
МИКРОИ
НАНОСТРУКТУРОЙ: НАНОМЕХ-2009. Н.Новгород, 21-23 сентября 2009 г.Н.
1204.
Новгород: Институт проблем механики им. А.Ю. Ишлинского РАН, 2009. См. сайт
конференции:
http://www.nntu.scinnov.ru/RUS/naych_konf/nanomech2009/predprogr.doc , п.15 http://www.nntu.scinnov.ru/RUS/naych_konf/.http://www.nntu.scinnov.ru/RUS/naych_konf/nanomech2009/programma.pdf
Prokopiev E.P. About a Problem of Reception of Antimatter: Possibility of
Research of Properties, Synthesis and Applications. Abstracts. The Seventh International
Conference M O D E R N P R O B L E M S O F N U C L E A R P H Y S I C S September
22-25, 2009 Tashkent, Republic of Uzbekistan CONFERENCE ORGANIZER Institute
of Nuclear Physics of Uzbekistan Academy of Sciences Dedicated to 50th anniversary of
commissioning research nuclear reactor WWR-SM of Institute of Nuclear Physics
(Uzbekistan Academy of Sciences). Tashkent: Institute of Nuclear Physics, 2009. P-08.
http://www.inp.uz/index2.php?option=com_docman&task=doc_view&gid=71&Itemid=4
71, http://www.inp.kz/indexeng.php
1205.
V.I.Grafutin,
O.V.Ilyukhina,
G.G.Myasishcheva,
E.P.Prokopiev,
S.P.Timoshenkov, Yu.V.Funtikov. Definition of Radiuses of free Volumes of Pores and
their Concentration in Powders of Quartz.. Abstracts. The Seventh International
Conference M O D E R N P R O B L E M S O F N U C L E A R P H Y S I C S September
22-25, 2009 Tashkent, Republic of Uzbekistan CONFERENCE ORGANIZER Institute
of Nuclear Physics of Uzbekistan Academy of Sciences Dedicated to 50th anniversary of
commissioning research nuclear reactor WWR-SM of Institute of Nuclear Physics
(Uzbekistan Academy of Sciences). Tashkent: Institute of Nuclear Physics, 2009. P-2.12.
http://www.inp.uz/index2.php?option=com_docman&task=doc_view&gid=71&Itemid=4
71 .
1206.
Графутин В.И., Прокопьев Е.П.,Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В.
Определение нанообъектов в пористых системах методом позитронной
аннигиляционной спектроскопии. Международная Конференция по физической
мезомеханике, компьютерному конструированию и разработке новых материалов
8–11 сентября 2009 г. Томск, Россия. Томск: ИФП и М СО РАН, 2009. См. сайт
конференции:
http://af6-2.mail.ru/cgibin/readmsg/Program_MESO2009.doc?id=12519603110000000920;0;1&mode=attachm
ent&channel=,
http://conference.tsk.ru/files/Program_MESO2009.doc,
HTTP://HOSTING.TOMSK.NET/FILES/CONFERENCE/PROGRAM_MESO200
9.DOC
1207.
Графутин В.И., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В.
Определение нанообъектов в пористых системах методом позитронной
аннигиляционной спектроскопии. Тезисы докладов.IV Всероссийская конференция
(с международным участием) "Химия поверхности и нанотехнология"СанктПетербург-Хилово 28 сентября - 04 октября 2009" . Санкт-Петербург-Хилово:
СПбГТИ,
2009.
См.
сайт
конференции:
http://www4.ltigti.ru/kv/hilovo2009/Lists/List9/AllItems.aspx.
http://www.ltigti.ru/kv/hilovo2009/Lists/List9/DispForm.aspx?ID=3
1208.
Prokopiev E.P., Grafutin V.I., Zakharov A.F., Razinkova T.L., About
opportunities of positron diagnostics for research of dust space plasma. Abstracts. XXIV
International Conference on Interaction of Intense Energy Fluxes with Matter March 1-6,
2009, Elbrus, Kabardino-Balkaria, Russia (С\ПапкаD\Тез Докл\200\Eldrus-2009
Flux\Plasma Elbrus Abstracts.doc). Abstract (57 Kb).
1209.
Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков,
В.И.Графутин,
И.М.Бритков,
О.М.Бритков, С.С.Евстафьев. Oпределение природы и плотности дислокаций в
полупроводниках методом ПАС. Обзор». Труды международного симпозиума
1210.
«НАДЕЖНОСТЬ И КАЧЕСТВО-2009». Пенза: Изд-во ПГУ, 2009. См. сайт
конференции http://www.nika-penza.ru/index.php?action=s_reports
Графутин В.И., Калугин В.В., Прокопьев Е.П., 2Тимошенков С.П., Фунтиков
Ю.В. Определение нанообъектов в пористых системах и дефектных твердых телах
методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Статья. Определение
нанообъектов в пористых системах и дефектных твердых телах методом
позитронной аннигиляционной спектроскопии. IV Международная научнотехническая
конференяия «СОВРЕМЕННЫЕ МЕТОДЫ И ТЕХНОЛОГИИ СОЗДАНИЯ И
ОБРАБОТКИ МАТЕРИАЛОВ». 19 – 21 октября 2009 г., г. Минск. Республика
Беларусь. Минск: Физтех, 2009. http://www.phti.belhost.by/prog4MNTK.pdf
1211.
В.И.Графутин, Ю.В.Фунтиков, Г.И.Савельев, Г.Г.Мясищева, О.В.Илюхина,
С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Определение размеров нанообъектов в
облученных металлах и сплавах методом УРАФ. Тезисы докладов XVII
Международной Конференции “Физика прочности и пластичности материалов”.
23-25 июня 2009 года. Самара, Россия. Самара: СГУ, 2009. С.145.
1212.
Е.П.Прокопьев, В.И.Графутин, С.П.Тимошенков. Тезисы. Доклад.
Определение методом ПАС радиусов пор и их концентраций в пористом кремнии и
кремнии, облученном протонами. Модели сферической и цилиндрической пор.
ICNRP ′09 7-я Международная конференция. ЯДЕРНАЯ И РАДИАЦИОННАЯ
ФИЗИКА. 08-11 сентября 2009 года. Алматы, Республика Казахстан. Алматы: ИЯФ
РК, 2009. http://www.inp.kz/conference/index.php?part=12.
1213.
E.P.Prokopiev. Possibilities of presence of Schlögl quasichemical reactions in an
atmosphere of own silicon defects. 4th International Scientific Conference on Physics and
Control. PYYSCON 2009. September 1-4, 2009. Facolta di Ingegneria Univesita degli
Studi di Catania, Italy. 2009. Cм. Сайт конференции: Статья= 1D 32 PIN: 4057
PASSPORD:
Prokop
http://coms.physcon.ru/conf/10/mypapers.html,
/http://www.physcon2009.diees.unict.it/contact.htm,
http://www.physcon2009.diees.unict.it/contact.htm (Scientific Program).
1214.
Прокопьев Е.П., Графутин В.И., Тимошенков С.П., Фунтиков
Ю.В.Определение размеров нанообъектов в пористых системах методом УРАФ. IV
Украинская научная конференция по физике полупроводников (УНКФП-4).
Украина, Запорожье, 15 - 19 сентября 2009 р. Запорожье: ИФП НАН Украины,
2009.
С.155.
http://af10.mail.ru/cgi-bin/readmsg/USCPS-4-programR.doc?id=12482517270000000997;0;1&mode=attachment&channel=
.
http://af142.mail.ru/cgi-bin/readmsg/USCPS-4-programR.doc?id=12482517270000000997;0;1&mode=attachment&channel.
1215.
E.P.Prokopiev. Synergetic approaches to problems of evolution of properties of
materials and nanomaterials on the basis of silicon.4th International Scientific Conference
on Physics and Control. PYYSCON 2009. September 1-4, 2009. Facolta di Ingegneria
Univesita degli Studi di Catania, Italy. 2009. Cм. Сайт конференции: Paper 1D:69
(Статья
1D:70
PIN:7222 PASSWORD:
202426)'
http://coms.physcon.ru/conf/10/mypapers.html
,
http://www.physcon2009.diees.unict.it/contact.htm, (Scientific Program).
1216.
Grafutin V.I., Timoshenkov S.P., Svetlov-Prokop’ev E.P. Nanoobject sizes of
defects in porous systems and defective materials according ADAP method. Part I, Part
II. The International Conference «Micro- and nanoelectronics – 2009». 2009 IC MNE.
Book of Abstracts. October 5th-9th, 2009. Moscow, Zvenigorod, Russia. P2-07. P2-08.
http://www.icmne.ftian.ru/posters_r.shtml.
1217.
Vinogradov A.I., Zaryankin N.M., Mikhajlov Yu.A., Prokopiev E.P.,
Timoshenkov S.P. Optimization of parameters of deep plasmachemical process of silicon
etchings for elements MEMS. The International Conference «Micro- and nanoelectronics
– 2009». 2009 IC MNE. Book of Abstracts. October 5th-9th, 2009. Moscow, Zvenigorod,
Russia. P2-32. http://www.icmne.ftian.ru/posters_r.shtml.
1218.
Прокопьев Е.П., Графутин В.И., Тимошенков С.П., Фунтиков
Ю.В.Определение размеров нанообъектов в пористых системах методом УРАФ. IV
Украинская научная конференция по физике полупроводников (УНКФП-4).
Украина, Запорожье, 15 - 19 сентября 2009 р. Запорожье: ИФП НАН Украины,
2009.
См.
http://af10.mail.ru/cgi-bin/readmsg/USCPS-4-programR.doc?id=12482517270000000997;0;1&mode=attachment&channel=
1219.
Прокопьев Е.П. Возможные проблемы физики, химии и технологии
антивещества: синтез и применения. Тезисы докладов IV Всероссийской научнопрактической конференции «Энергетика в современном мире». г. Чита. 24-25 марта
2009 г. Чита: ЧГУ, 2009. См. http://af14-2.mail.ru/cgi-bin/readmsg/USCPS-4-programR.doc?id=12482517270000000997;0;1&mode=attachment&channel.
1220.
В.И.Графутин,
О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева,
Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. возможности исследования нанообъектов в
пористом кремнии и подложках кремния, облученных протонами, методом
позитронной аннигиляционной спектроскопии. Статья. Сарсембиновские чтения.
Современные проблемы физики конденсированного состояния, нанотехнологий и
наноматериалов. 18-19 мая 2009 г. г. Алматы, 2009. См. http://af5-2.mail.ru/cgibin/readmsg/programma_%282%29.doc?id=12424563100000006768;0;1&mode=attach
ment&channel= .
1221.
Графутин В.И., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В.
Определение радиусов нанообъектов в пористых системах методом УРАФ. 1-я
Всероссийская научная конференция. Методы исследования состава и структуры
функциональных материалов. МИССФМ-2009. Новосибирск, 11-16 октября 2009
года. Новосибирск: ИНХ СО РАН, 2009. См. Web-site: http://wwwsbras.nsc.ru/ws/MISSFM, http://popnano.ru/file/program-prelim.pdf
1222.
Е.П.Прокопьев, В.И.Графутин, С.П.Тимошенков. Тезисы. Доклад.
Определение методом ПАС радиусов пор и их концентраций в пористом кремнии и
кремнии, облученном протонами. Модели сферической и цилиндрической пор.
ICNRP ′09 7-я Международная конференция. ЯДЕРНАЯ И РАДИАЦИОННАЯ
ФИЗИКА. 08-11 сентября 2009 года. Алматы, Республика Казахстан. Алматы: ИЯФ
РК. http://www.inp.kz/conference/index.php?part=12.
1223.
Графутин В.И., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В.
Определение размеров нанообъектов в пористых системах методом позитронной
аннигиляционной спектроскопии. Красноярский научный центр Сибирского
отделения РАН. 15 – 16 октября 2009 г. Всероссийская научно-техническая
конференция с международным участием “Ультрадисперсные порошки,
наноструктуры, материалы” (5 Ставеровские чтения). Красноярск: Красноярский
федеральный университет, 2009. С.2. http://research.sfu-kras.ru/sites/research.sfukras.ru/files/Programma_Staver_2009.doc
1224.
Графутин В.И., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П. Определение размеров
нанообъектов в пористых системах методом УРАФ. Тезисы докладов. IX
МЕЖДУНАРОДНАЯ НАУЧНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ «ХИМИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА:
МОНОКРИСТАЛЛЫ,
НАНОМАТЕРИАЛЫ,
НАНОТЕХНОЛОГИИ».
11  16 октября 2009 г. г. Кисловодск, Россия ГОУ ВПО «СЕВЕРО-КАВКАЗСКИЙ
1225.
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ
ТЕХНИЧЕСКИЙ
УНИВЕРСИТЕТ»
http://net.ncstu.ru/Science/conf/plan/htt09/htt09_progr.pdf
2009.
Е.П.Прокопьев. Аналитическая модель связанного состояния позитрона на
вакансиях и порах в металлах. ФТТ-2009. АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ФИЗИКИ
ТВЕРДОГО ТЕЛА.IV Международная научная конференция. 20-23 октября 2009 г.
НАЦИОНАЛЬНАЯ АКАДЕМИЯ НАУК БЕЛАРУСИ НАУЧНО-ПРАКТИЧЕСКИЙ
ЦЕНТР НАН БЕЛАРУСИ ПО МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЮ (ИНСТИТУТ ФИЗИКИ
ТВЕРДОГО ТЕЛА И ПОЛУПРОВОДНИКОВ) НАН Беларуси, 2009.
http://www.physics.by/e107_files/public/programma.pdf.
1226.
Е.П. Прокопьев, В.И.Графутин, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков.
Определение методом ПАС радиусов пор и их концентраций в пористом кремнии.
ФТТ-2009. АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА.IV
Международная научная конференция. 20-23 октября 2009 г. НАЦИОНАЛЬНАЯ
АКАДЕМИЯ НАУК БЕЛАРУСИ НАУЧНО-ПРАКТИЧЕСКИЙ ЦЕНТР НАН
БЕЛАРУСИ ПО МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЮ (ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО
ТЕЛА
И
ПОЛУПРОВОДНИКОВ)
НАН
Беларуси,
2009.
http://www.physics.by/e107_files/public/programma.pdf.
1227.
Е.П.Прокопьев, В.И Графутин, С.П.Тимошенков.О связанных состояниях
позитрона на вакансиях и порах в металлах. Тезисы доклада (Статья). М е ж д ун а
р о д н а я к о н ф е р е н ц и я. ХИМИЧЕСКАЯ И РАДИАЦИОННАЯ ФИЗИКА
(Мемориал О.И. Лейпунского), РОССИЯ, Москва, Президиум РАН, Ленинский
проспект, д. 32-а, 25 - 29 августа 2009 г. ОИХФ РАН, 2009.
http://www.ism.ac.ru/sgv/spisok_sekcii.doc
1228.
Е.П.Прокопьев. Связанные состояния позитрона на вакансиях и порах в
металлах. Тезисы докладов Третьей международной конференции «Деформация и
разрушение материалов и наноматериалов» DFMN 2009. 12 - 15 октября 2009 г.
Москва Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова РАН, 2009.
С.906. http://dfmn-imetran.narod.ru/Files/SoderjanieDFMN2009.doc
1229.
Е.П. Прокопьев, В.И.Графутин,
С.П.Тимошенков, Г.Г.Илюхина,
Г.Г.Мясищева, Г.И.Савельев, Ю.В.Фунтиков. Определение методом ПАС радиусов
пор и их концентраций в пористом кремнии. Тезисы докладов Третьей
еждународной конференции «Деформация и разрушение материалов и
наноматериалов» DFMN 2009. 12 - 15 октября 2009 г. Москва Институт
металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова РАН, 2009. С.790. http://dfmnimetran.narod.ru/Files/SoderjanieDFMN2009.doc
1230.
Grafutin V.I., Timoshenkov S.P., Ilyukhina O.V., Maysishcheva G.G., SvetlovProkop’ev E.P., Funtikov Yu.V., Britkov O.M., Kalugin V.V. Nanoobject sizes of defects
in porous systems and defective materials according ADAP method. Porous Silicon and
SOI Structures. Тезисы докладов Третьей еждународной конференции «Деформация
и разрушение материалов и наноматериалов» DFMN 2009. 12 - 15 октября 2009 г.
Москва Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова РАН, 2009.
С.724,725. http://dfmn-imetran.narod.ru/Files/SoderjanieDFMN2009.doc (C:\Папка
D\ТезДокл\2009/DFVN BARDIN Москва-2009\1Prokopiev_vm-
1231.
Grafutin V.I., Timoshenkov S.P., Ilyukhina O.V., Maysishcheva G.G., SvetlovProkop’ev E.P., Funtikov Yu.V., Britkov O.M., Kalugin V.V. Nanoobject sizes of defects
in porous systems and defective materials according ADAP method. Radiating defects in
silicon. Тезисы докладов Третьей Международной конференции «Деформация и
разрушение материалов и наноматериалов» DFMN 2009. 12 - 15 октября 2009 г.
1232.
Москва Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова РАН, 2009.
С.726. http://dfmn-imetran.narod.ru/Files/SoderjanieDFMN2009.doc
E. P. Prokopiev. Possibilities of positron diagnostics for research of dust space
plasma. Abstracts. 19th International Symposium on Plasma Chemistry (ISPC). Bochum,
Germany, on July 26 - 31, 2009. Bochum. P.? www.ispc-conference.org. .ispc19
programpeliminary.pdf. P.2.2.6
(С\ПапкаD\Тез Докл\2009\Германия-2009
Плазма\Plasma
Prokopiev
Abstracts.doc).
http://www.ispcconference.org/docs/ispc19program_complete.pdf
1233.
E.P.Prokopiev. Abstracts. analysis of physical and chemical models of growth OF
amorphous silicon Films on Wafers in Sylane plasma mixes. The fourth International
Symposium on Non-equilibrium Processes, Plasma, Combustion, and Atmospheric
Phenomena , Russia October 5 - 9, 2009. Sochi (Dagomys), Russia. Dagomys, 2009.
http://www.nepcap2009.ciam.ru/images/TENTATIVE_TECHNICAL_PROGRAM_NEP
CAP2009_(last_version)(2).doc
1234.
С.П. Тимошенков, Е.П. Прокопьев, Ал.С.Тимошенков, И.М.Бритков, О.М
Бритков; С.С.Евстафьев, Ан.С.Тимошенков. Анализ физико-химических моделей
скорости роста аморфных пленок a  Si : H в силановых плазменных смесях
пониженного давления. Тезисы докладов
9 международной конференции
«ПЛЕНКИ И ПОКРЫТИЯ – 2009» (9 International conference of a «Films and
Coatings - 2009»). 26 – 29 мая 2009. Санкт –Петербург: Санкт-Петербургский
государственный
политехнический
университет,
2009.
http://209.85.129.132/search?q=cache:tCx5BXCtIiYJ:www.ipme.ru/ipme/conf/FC2009/programma2009.doc+%D0%9F%D1%80%D0%BE%D0%BA%D0%BE%D0%BF
%D1%8C%D0%B5%D0%B2+%D0%95.%D0%9F.+%D0%BF%D0%BB%D0%B0%D
0%B7%D0%BC%D0%B0&cd=4&hl=ru&ct=clnk&gl=ru п.12
1235.
С.П.Тимошенков,
О.М.Бритков,
Ал.С.Тимошенков,
С.С.Евстафьев,
Е.П.Прокопьев, Ан.С.Тимошенков, И.М.Бритков. Гибридные модели процессов
роста и легирования эпитаксиальных слоев полупроводников и получения пленок
a  Si : H в силановой плазме ВЧ тлеющего разряда в газовой смеси SiH 4  H 2 .
Тезисы докладов 9 международной конференции «ПЛЕНКИ И ПОКРЫТИЯ –
2009» (9 International conference of a «Films and Coatings - 2009»). 26 – 29 мая 2009.
Санкт –Петербург: Санкт-Петербургский государственный политехнический
университет,
2009.
http://209.85.129.132/search?q=cache:tCx5BXCtIiYJ:www.ipme.ru/ipme/conf/FC2009/programma2009.doc+%D0%9F%D1%80%D0%BE%D0%BA%D0%BE%D0%BF
%D1%8C%D0%B5%D0%B2+%D0%95.%D0%9F.+%D0%BF%D0%BB%D0%B0%D
0%B7%D0%BC%D0%B0&cd=4&hl=ru&ct=clnk&gl=ru п13
1236.
В.И.Графутин, Ал.С.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков,
Хмелевский Н.О, Ан.С.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. определения энтальпий
образования вакансий в материалах ядерной техники методом Позитронной
Аннигиляционной Спектроскопии (ПАС). Тезисы доклада\ Международный
Семинар МНТ-X “ Структурные основы модифицирования материалов методами
нетрадиционных технологий. Обнинск: Обнинский государственный технический
университет
атомной
энергетики,
2009.
http://www.asf.ural.ru/forum/viewthread.php?tid=2022&page=1
1237.
Е.П.Прокопьев, В.И Графутин, С.П.Тимошенков. Исследование вакансий и
пор в металлах методом ВРАФ. Статья. IV Международная школа «Физическое
материаловедение». 14 - 18 сентября 2009. года. Тольятти: ТГУ, 2009.
http://www.mks-phys.ru/Cards.php?ConfId=7&type=rep,
1238.
Grafutin V.I., Zaluzhnyi A.G., Timoshenkov S.P., Ilyukhina O.V., Myasishcheva
G.G., Prokop’ev E.P., Funtikov Yu.V., Britkov O.M. Nanoobject sizes of defects in
porous systems and defective materials according ADAP method. Radiating defects in
silicon Статья. Пятая Российская научно-техническая конференция Физические
свойства металлов и сплавов, (ФСМиС-V), ноябрь
2009 г. С.7.
http://www.kf.ustu.ru/conf09/FSMS5.pdf
1239.
Yu.A.Chaplygin, S.P.Timoshenkov, V.I.Grafutin, V.V.Kalugin, E.P.Prokopiev,
Yu.V.Funtikov. Nanoobject sizes of defects in porous systems and defective materials
according ADAP method. 11th International Conference on Advenced Materials VIII
Encontro SPBMat, Rio de Janeiro, September 20-25, ICAM-2009, www.icam2009.com.
Brazil: Rio de Janeiro, 2009. http://www.icam2009.com/submission/autor/index.php,
http://www.icam2009.com/program/posters.php?symposium=6
,
http://www.icam2009.com/submission/autor/arquivos/F501.pdf
1240.
E.P.Prokopiev. Possibilities positron diagnostics for research of dust space
plasma. 11th International Conference on Advenced Materials VIII Encontro SPBMat,
Rio de Janeiro, September 20-25, ICAM-2009, www.icam2009.com. Brazil: Rio de
Janeiro, 2009. http://www.icam2009.com/submission/autor/index.php
1241.
E.P.Prokopiev, V.I.Grafutin, S.P.Timoshenkov. ABOUT BOUND POSITRON
STATES ON VACANCIES AND PORES IN METALS. VI Международная
конференция ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ (ФППТ – 6)
МИНСК, БЕЛАРУСЬ, 28 сентября – 2 октября 2009 г.. http://ifanbel.bas-net.by/pppt6/programme.pdf
1242.
В.И Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков. Размеры
вакансий и пор в металлах по данным метода Позитронной Аннигиляционной
Спектроскопии. Статья. Пятая Российская научно-техническая конференция
Физические свойства металлов и сплавов, (ФСМиС-V), ноябрь
2009 г.
http://www.kf.ustu.ru/conf09/FSMS5.pdf.
1243.
Е.П.Прокопьев. Эффективные заряды ионов кислорода в окислах металлов
по данным метода позитронной аннигиляционной спектроскопии. Статья. XII
Международный междисциплинарный симпозиум «Порядок, беспорядок и
свойства оксидов». (ODPO-12). 17 - 22 сентября 2009 г. Ростов-на-Дону - п. Лоо.
(ФСМиС-V), ноябрь 2009 г. С.20. (C:\Папка D\ 2009/ODPO-12 РостовДон 2009/РЕР.doc).
http://209.85.129.132/search?q=cache:7iGY70BJow4J:ptosnm.ru/something/ODPO_pro
g_2009.pdf+%D0%B5.%D0%BF.%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%BA%D0%BE%D
0%BF%D1%8C%D0%B5%D0%B2+%D0%BC%D0%B5%D1%82%D0%B0%D0%BB
%D0%BB%D1%8B&cd=85&hl=en&ct=clnk,
http://ptosnm.ru/something/ODPO_prog_2009.pdf (п.20).
1244.
Vinogradov A.I., Zaryankin N.M., Mihajlov Yu.A., Prokopiev E.P., Timoshenkov
S.P. Optimization of Process of Deep Plasmachemical Etching Silicon for MEMS
Elements. Flucome 2009. 10 th International Conferenct on Fluid Control,
Measurements, and Vizualization. August 17-21. Moscow, Russia. Flucome: Moscow,
2009. Статья на лазерном диске: http://www.ihed.ras.ru/flucome10/rus/ (см. пункт
Program).
1245.
Виноградов А.И., Зарянкин Н.М., Михайлов Ю.А., Прокопьев Е.П.,
ТимошенковС.П. Оптимизация процесса глубокого плазмохимического травления
кремния для элементов МЭМС. Статья. ІIІ Международная научная конференция
«Физико-химические основы формирования и модификации микро - и
наноструктур». ФММН-2009. Харьковский национальный университет имени В.Н.
1246.
Каразина:
Харьков,
2009.
http://www.scpt.org.ua/conferences_FMMN2008_Prog.htm
С.18.
Yu.A.Chaplygin, V.I.Grafutin, E.P.Prokopiev, S.P.Timoshenkov. Possibilities of
studying nanoobjects in technically important materials and nanomaterials. Advanced
Science Research Symposium 2009 (ASR2009). ~ Positron, Muon and other exotic
particle beams for materials and atomic/molecular sciences. November10-12, 2009, P.43.
Techno
Community
Square
Ricotti,
Japan,
2009.
http://asrc.jaea.go.jp/asr_ja/co_p/ASR2009.htm (см. пункт Program).
1247.
В.И.Графутин,
Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков,
Ю.В.Фунтиков.
Применение и развитие методов позитронной аннигиляционной спектроскопии для
зондирования нанообъектов в материалах и наноматериалах. Доклад на VII
Национальной конференции "Рентгеновское, Синхротронное излучения, Нейтроны
и Электроны для исследования наносистем и материалов.Нано-Био-ИнфоКогнитивные технологии" (РСНЭ-НБИК 2009), Москве 16-21 ноября 2009.
http://www.crys.ras.ru/~rsne/
1248.
S.P.Timoshenkov , E.P.Prokopiev, V.I.Grafutin, Yu.V.Funtikov. Opportunities of
research of carbon materials and nanomaterials by positron annihilation spectroscopy.
HYDROGEN MATERIALS SCIENCE AND CHEMISTRY OF CARBON
NANOMATERIALS. ICHMS'2009. XI International Conference. Yalta. Crimea.
UKRAINE.
August
25-31,
2009.
Yalta,
2009.
http://www.ichms.com.ua/Library/ICHMS09/down/822-823.pdf
1249.
С.П.Тимошенков,
Б.М.Симонов,
В.И.Графутин,
Е.П.Прокопьев,
Ал.С.Тимошенков, И.М.Бритков, О.М.Бритков, С.С.Евстафьев. Возможности
определение природы и плотности дислокаций в твердых телах методом
Позитронной аннигиляционной спектроскопии (обзор). ПЕРВЫЕ МОСКОВСКИЕ
ЧТЕНИЯ по проблемам прочности материалов посвященные 85-летию со дня
рождения профессора В.Л. ИНДЕНБОМА и 90-летию со дня рождения профессора
Л.М. УТЕВСКОГО 1 – 3 декабря 2009 г. Москва. М.: Институт кристаллографии
им. А.В.Шубникова РАН, 2009. Р.43. http://www.crys.ras.ru/~strength/?q_id=_spis
1250.
Е.П.Прокопьев. Позитронсодержащие атомные системы в пылевой
космической плазме. ICNRP ′09 7-я Международная конференция. ЯДЕРНАЯ И
РАДИАЦИОННАЯ ФИЗИКА. 08-11 сентября 2009 года. Алматы, Республика
Казахстан.
Алматы:
ИЯФ
РК,
2009.
См.
сайт
конференции:
http://www.inp.kz/conference/index.php?part=12.
и
Программу:
http://www.inp.kz/conference/conference/pub2.files/6.doc
1251.
Чаплыгин Ю.А., Графутин В.И., Тимошенков С.П., Прокопьев Е.П.
Определение размеров нанообъектов в пористых системах и дефектных материалах
по методу УРАФ. Материалы VII Международной научно-технической
конференции, 7–11 декабря 2009 г. МОСКВА, INTERMATIC–A2 0 0 9, часть 2.
МИРЭА. С.17-19.
1252.
Yu.A. Chaplygin, V.I. Grafutin, E.P. Svetlov-Prokopiev, S.P. Timoshenkov.
Positronics and Nanotechnologies: Possibilities of Studying Nano-objects in Technically
Important Materials and Nanomaterials. In book: Advances in Nanotechnology. Volume
1, 2010. Editors: E. J. Chen and N. Peng. Nova Science Publishers, New York, 2010.
P.191-208.
https://www.novapublishers.com/catalog/product_info.php?cPath=23_96&products_id=1
0207&osCsid=9c7f4bdf96ee0b265245e976a7c8d2fc
1253.
В.И.Графутин,
О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева,
Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков, Р.Бурцл. Позитроника и нанотехнологии:
1254.
возможности изучения нанообъектов в материалах и наноматериалах методом
позитронной аннигиляционной спектроскопии. Ядерная физика. Т.72. №10. 2009.
C.1730-1739.
Р.Бурцл, В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков, Возможности изучения нанообъектов в пористом
кремнии и подложках кремния, облученных протонами, методом позитронной
аннигиляционной спектроскопии. Физика твердого тела. 2010. Т.52. Вып.4. С.651654.
1255.
Е.П.Прокопьев. Перспективы развития проблемы физики, химии и технологии
антивещества (E.P.Prokopiev. Prospects of development of a problem of physics,
chemistry and technology of antimatter). Второй Всемирный Конгресс
«Альтернативная энергетика и экология». WCAEE-2010. Box 687, Sarov, Nizhny
Novgorod region, Russia, 607183. http://www.hydrogen.ru/files/wcaee2010/Congress2010Buklet.pdf, WCAEE-2010.
1256.
Е.П. Прокопьев. Проблема получения и применения антиматерии. Космическая
плазма галактического центра. Тезисы докладов XXXVII Международной
(Звенигородской) конференции по физике плазмы и управляемому термоядерному
синтезу. г. Звенигород Московской обл. 8 - 12 февраля 2010 года. Статья на
лазерном диске: Найти слова www.fpl.gpi.ru/.../XXXVII/Lt/ru/KN-Prokop'ev.doc.
1257.
A.I.Vinogradov, N.M.Zaryankin, J.A.Mihajlov, E.P.Prokopev, S.P.Timoshenkov.
Optimization of parameters of process deep plasmachemical etching of silicon for
elements MEMS (A. I. Vinogradov) Proc. SPIE Vol. 7521, 75210B (Feb. 26, 2010)
Abstract Full Text: [ PDF (441 kB) ] (7 pages)
1258.
V.I. Grafutin, E.P. Prokopiev, S.P. Timoshenkov, Yu.V. Funtikov. Determination of
Nanoobject Sizes in Porous Systems, Nanomaterials, and Some Defective Materials
Using the Positron Annihilation Spectroscopy Method (Survey). Inorganic Materials,
2010, Vol. 46, No. 14, pp. 109–118.(© Pleiades Publishing, Ltd., 2010. Original Russian
Text © V.I. Grafutin, E.P. Prokopiev, S.P. Timoshenkov, Yu.V. Funtikov, 2009,
published in Zavodskaya Laboratoriya. Diagnostika materialov, 2009, Vol. 75, №6. С.2736).
1259.
Е.П.Прокопьев. Геттерирование и синергетические подходы в проблеме
кремния. Обзор. Петербургский Журнал Электроники. 2009. №3-4. С.28-46.
1261. Е.П.Прокопьев. Позитронные состояния в кремнии. Петербургский Журнал
Электроники. 2010. №1. С.54-60.
1262. Виноградов А.И., Зарянкин Н.М., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Михайлов
Ю.А. Оптимизация параметров процесса глубокого плазмохимического травления
кремния для элементов МЭМС. Известия вузов. Серия Электроника. 2010. №2. С.39.
1263. Ю. В. Фунтиков, Е.П. Прокопьев, Н. О. Хмелевский, О. В. Илюхина, В. С.
Хмелевская, К. А. Горчаков, В. И. Графутин. Изменения электронных свойств в
аморфных сплавах на основе железа при их кристаллизации. Поверхность. №7. С.
80-84.
1264. E. P. Prokop’ev, V. I. Grafutin, , S. P. Timoshenkov, , and Yu. V. Funtikov.
Possibilities for Study of Porous Systems and Some Defective Materials by Positron
Annihilation Spectroscopy. Russian Journal of Nondestructive Testing, 2008, Vol. 44,
No. 10, pp. 700–711. (Original Russian Text © E.P. Prokop’ev, V.I. Grafutin, S.P.
Timoshenkov, Yu.V. Funtikov, 2008, published in Defektoskopiya, 2008, Vol. 44, No.
10, pp. 55–70).
1265. В.И. Графутин, О.В. Илюхина, Г.Г. Мясищева, Е.П. Прокопьев, С.П.
Тимошенков, Ю.В. Фунтиков, Ю.А. Чаплыгин. Применение и развитие методов
1260.
позитронной аннигиляционной спектроскопии для определения размеров
нанообъектов в пористых системах, дефектных материалах и наноматериалах.
Наноструктуры. Математическая физика и моделирование,2010, том 2, № 2, с.15–
42.
http://www.nanojournal.ru/%D0%97%D0%B0%D0%B3%D0%BB%D0%B0%D0%B2%D0%BD%D0%
B0%D1%8F_%D1%81%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B8%D1%86%D0
%B0
1266. В.И. Графутин,
Е.П. Прокопьев,
С.П. Тимошенков,
О.В. Илюхина,
Г.Г. Мясищева, И.М. Бритков, О.М. Бритков, С.С. Евстафьев. Определение
размеров вакансий и пор в металлах и сплавах по данным ВРАФ. ВЕСТНИК
Тамбовского Университета. Научно-теоретический журнал. Серия: Естественные и
технические науки. 2010. Т.15. Вып.3. С.920-922
1267. E.P. Prokopev. Synergetic approaches to problems of evolution of properties of
materials and nanomaterials on the basis of silicon. Book of Abstracts. 3rd Chaotic
Modeling and Simulation International Conference, 1-4 June 2010, Chania Crete Greece.
P.63,64.: http://www.cmsim.info/images/Book_of_AbstractsCHAOS2010a.doc.
1268. E. P. Prokopev. About a problem of antimatter. Adstracts of the 3nd International
Conference on Current Problems in Nuclear Physics and Atomic Energy (NPAEKyiv2010, 7-12 June) Kyiv, Ukraine. Section 6. Problems of Atomic Energy P.127.
http://www.kinr.kiev.ua/NPAE-Kyiv2010/html/Program-NPAE-Kyiv2010.pdf
,
http://webcache.googleusercontent.com/search?q=cache:OM2luGG8HtUJ:www.kinr.kie
v.ua/NPAE-Kyiv2010/html/Abstracts/6Problems%2520of%2520Atomic%2520Energy.pdf+e.p.prokopev&cd=1&hl=en&ct=cln
k
В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Тимошенков Ал.С., Евстафьев
С.С., Фунтиков Ю.В. Изучение радиационных нарушений в полупроводниковых
соединениях A3 B 5 , облученных  - квантами и протонами, методом позитронной
аннигиляционной спектроскопии Научная сессия МИФИ-2009. Секция 13.
Прикладная ядерная физика.: http://ns2010.mephi.ru/prog/sek10/sek-10.htm.
1270. Е.П.Прокопьев. Cистемы со многими позитронами. Научная сессия МИФИ2010.
Секция
Э-7.
«Ультрадисперсные
(нано-)
материалы».
http://ns2010.mephi.ru/prog/sek18/sek-18.htm.
1271. Графутин В.И., Илюхина О.В., Мясищева Г.Г., Прокопьев Е.П., Савельев Г.И.,
Фунтиков Ю.В. Исследования ферритно-мартенситных сталей методами
позитронной аннигиляционной спектроскопии. Тезисы доклада конференции. VI
Международная конференция «Фазовые превращения и прочность кристаллов»,
посвященная
памяти
академика
Г.В.
Курдюмова.
http://www.mksphys.ru/Reports.php?ConfId=11
1272. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Применение
метода ВРАФ для определения размеров вакансий и пор в металлах и сплавах. XIX
Петербургские чтения по проблемам прочности, посвященные 130-летию со дня
рождения академика АН УССР Н.Н.Давиденкова. 13 – 15 апреля 2010 г. СанктПетербург.
СПб:
Физтех
РАН.
http://www.mksphys.ru/Cards.php?ConfId=9&type=rep , http://www.mks-phys.ru/Search.php?Lang=rus
1269.
Е.П.Прокопьев. Аннигиляция позитронов на собственных и примесных атомах
в конденсированных средах. Обзор. Труды международного симпозиума
«НАДЕЖНОСТЬ И КАЧЕСТВО-2009». Пенза: Изд-во ПГУ, 2009. См. сайт
конференции http://www.nika-penza.ru/index.php?action=s_reports&y=2010
1274. Е.П.Прокопьев. Возможности исследования таммовских
состояний в
порошкообразных наноматериалах методом позитронной аннигиляционной
спектроскопии. Труды международного симпозиума «НАДЕЖНОСТЬ И
1273.
КАЧЕСТВО-2010». Пенза: Изд-во ПГУ, 2010. См. сайт конференции
http://www.nika-penza.ru/index.php?action=s_reports&y=2010
1275. Е.П.Прокопьев. Захват термализованных позитронов на притягивающие центры
в ионных кристаллах и полупроводниках. Труды международного симпозиума
«НАДЕЖНОСТЬ И КАЧЕСТВО-2010». Пенза: Изд-во ПГУ, 2010. См. сайт
конференции http://www.nika-penza.ru/index.php?action=s_reports&y=2010.
С.П. Тимошенков, А.С. Тимошенков, Е.П. Прокопьев. Геттерирование и
возможные синергетические подходы к проблемам материаловедения Тезисы
докладов VII Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические
полупроводники", 28 июня - 1 июля 2010 г., Дом учёных в Лесном, СанктПетербург: Физтех, 2010. http://www.ioffe.ru/AMS/AMS7/1st.html.ru
1276.
В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Размеры
вакансий и пор в металлах и сплавах по данным ВРАФ. Тезисы докладов. 49
Международная конференция «АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ПРОЧНОСТИ»,
посвященная 80-летию со дня рождения академика Национальной академии наук
Украины и Российской академии наук ВИКТОРА ИВАНОВИЧА ТРЕФИЛОВА.
14−18 июня 2010 г. Киев, Украина. Киев: Институт проблем материаловедения им.
И.Н. Францевича НАНУ, 2010. http://www.materials.kiev.ua/conferences/APS/APS2010program.pdf»
1277.
В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева,
И.М.Бритков, О.М.Бритков, С.С.Евстафьев. Тезисы докладов. Определение
размеров вакансий и пор в металлах и сплавах по данным ВРАФ. V
Международная конференция «Микромеханизмы пластичности, разрушения и
сопутствующих явлений» (MPFP – 2010), 21-27 июня 2010 года, г.Тамбов:
Тамбовский
государственный
университет
им.
Г.Р.Державина,
2010.
http://www.mks-phys.ru/ProgrammaMPFP-2010.doc
1279. В.И.Графутин, Р.Бурцл, А. Зееман, В. Крщак, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева,
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Определениe размеров и
концентраций нанообъектов в облученных металлах и сплавах методом
позитронной аннигиляционной спектроскопии. В кн.: (VI Международная научная
конференция «Прочность и разрушение материалов и конструкций»: Материалы
конференции.- 20-22 октября 2008 г. Оренбург, Россия / Науч. ред. С.Н. Летута,
Г.В. Клевцов: Изд-во ГОУ ОГУ, 2010.-688 с.). С.368-377. http://www.mksphys.ru/Reports.php?ConfId=10
1280. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, Н.М.Зарянкин, В.В.Калугин, О.М. Бритков.
Виды и сущность процессов геттерирования и их применение в нанотехнологиях и
нанотехнике МЭМС И НЭМС. Тезисы докладов VI -ой Научно-практической
конференции и выставки "НАНОТЕХНОЛОГИИ - ПРОИЗВОДСТВУ 2009". 1-3
декабря 2009г. г.Фрязино Московской области. ЗАО "Концерн Наноиндустрия",
2009. http://www.nanotech.ru/fr-2009/_private/program.doc.
1281. Е.П.Прокопьев. Захват термализованных позитронов на притягивающие центры
в ионных кристаллах и полупроводниках. Обзор. Сборник докладов XI
международной научно-технической конференции
«Кибернетика и высокие
технологии XXI века». (C&T-2010), 12-14 мая 2010 г. Воронеж. Секция 4. С.303312. http://www.cht.sakv.ru/sbornic_cht-2010.htm
1282. Прокопьев Е.П. Определение размеров нанообъектов в пористых системах и
дефектных материалах по методу УРАФ. Труды XX Международного совещания
«РАДИАЦИОННАЯ ФИЗИКА ТВЁРДОГО ТЕЛА». Севастополь, 5 июля – 10 июля
2010 г.), под редакцией заслуженного деятеля науки РФ, д.ф.-м.н., проф.
1278.
Бондаренко
Г.Г.
М.:
ГНУ
«НИИ
ПМТ»,
2010
г.,
http://niipmt.ru/index.php?p=6 http://www.niipmt.ru/index.php?p=61
C.665-669.
Е.П.Прокопьев. О геттерировании и синергетических подходах в проблеме
кремния. Обзор. 1D=1258787370. Hаучная Онлайн-Библиотека Порталус:
http://www.portalus.ru/modules/science/data/files/prokopiev/Prokopiev-Getter-2009.doc
1284. Е.П.Прокопьев.
Позитронсодержащие атомные системы в пылевой
космической плазме и гидридах щелочных металлов. 1D=1258785857. Hаучная
Онлайн-Библиотека Порталус:
http://www.portalus.ru/modules/science/data/files/prokopiev/Positrons-with-atomsplasma.doc
1285. Е.П.Прокопьев. Системы со многими позитронами и электронами. I. Позитроны
и позитроний, позитронные и позитрониевые комплексы в твердых телах.
1D=1258784365. Hаучная Онлайн-Библиотека Порталус (www.portalus.ru):
http://www.portalus.ru/modules/science/data/files/prokopiev/Systems-with-manypositrons-electrons.doc
1286. Е.П.Прокопьев. Позитроны, позитроний, позитронные и позитрониевые
комплексы в кристалле. Особенности их свойств в атмосфере фононов.
ID=1258783891.
Hаучная
Онлайн-Библиотека
Порталус:
http://www.portalus.ru/modules/science/data/files/prokopiev/Positronium-PhononsCrystalls-2009.doc
1287. Е.П.Прокопьев. Проблема физики и химии антивещества: возможности
исследования свойств, поиска во Вселенной, синтеза и применений.
ID=1259043626.
Hаучная
Онлайн-Библиотека
Порталус:
http://www.portalus.ru/modules/science/data/files/prokopiev/Antimatter-proekts.doc
1288. Е.П.Прокопьев. Возможные проблемы физики, химии и технологии
антивещества: синтез, исследования свойств и применения. ID=1259044629.
Hаучная
Онлайн-Библиотека
Порталус:
http://www.portalus.ru/modules/science/rus_readme.php?subaction=showfull&id=12590
44629&archive=&start_from=&ucat=19&
,
http://rudocs.exdat.com/docs/index24654.html
1289. Е.П.Прокопьев.
Антивещество:
получение,
свойства,
применения.
ID=1261922222.
Hаучная
Онлайн-Библиотека
Порталус:
http://www.portalus.ru/modules/science/rus_readme.php?start_from=10&archive=&suba
ction=&id=&category=19
1283.
Е.П.Светлов-Прокопьев. Особенности рождения ранних вселенных и
позитронная аннигиляция. Вестник КазНУ, сер. Физ., 2003. Т.2(15). С.7-10.
(Материалы докладов 3-й Международной конференции «Современные
достижения физики и фундаментальное физическое образование». Казахстан,
Алматы,
1-3
октября
2003
г.),
http://www.portalus.ru/modules/science/data/files/prokopiev/3Almaty2003.doc.
1291. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева.
Возможное применение методов позитронной аннигиляционной спектроскопии
для исследования наноявлений в нефтегазодобыче. ID=1291012490. Hаучная
Онлайн-Библиотека
Порталус:
http://www.portalus.ru/modules/science/data/files/prokopiev/Prokopev-Pos-OilPor.pdf
1292. Е. П. Прокопьев, В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев,
Ю.В.Фунтиков.
Развитие
теоретических
основ
методов
позитронной
аннигиляционной спектроскопии для исследования, размеров и концентраций
нанообъектов в конденсированной фазе. Нанотехнологии функциональных
материалов (НФМ’10), 22-24 сентября 2010 г., г. Санкт-Петербург.
http://www.ntsr.info/upload/My/spisok%20doklad.doc
1290.
В.И. Графутин, О.В. Илюхина, Г.Г. Мясищева, Е.П. Прокопьев, Ю.В. Фунтиков.
Возможное развитие методов позитронной аннигиляционной спектроскопии для
исследования наноявлений в нефтегазодобыче. МЕЖДУНАРОДНЫЙ НАУЧНОТЕХНИЧЕСКИЙ КОНГРЕСС «ЭНЕРГЕТИКА В ГЛОБАЛЬНОМ МИРЕ» • 16–18
ИЮНЯ 2010 г. • РОССИЯ • г. КРАСНОЯРСК. С.336-337. http://conf.sfukras.ru/uploads/E-CONGRESS-2010%20part%202.pdf#page=78
1294. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков.
Возможное развитие методов позитронной аннигиляционной спектроскопии для
исследования наноявлений в нефтегазодобыче. Тезисы докладов. Международный
научно-технический конгресс и выставка «ЭНЕРГЕТИКА В ГЛОБАЛЬНОМ
МИРЕ». Красноярск, 16.06.2010- 18.06.2010. МВДЦ «Сибирь». 2010. С.335-336.
http://conf.sfu-kras.ru/uploads/E-CONGRESS-2010%20part%202.pdf
1295. Е.П.Прокопьев.
Возможные синергетические подходы к проблемам
материаловедения материалов. Петербургский Журнал Электроники. 2009. С.? В
печати
(\D\2010\Portulas\Prokopiev-Getter-2010.doc).
http://www.portalus.ru/modules/science/data/files/prokopiev/Synerg-silicon-2009.doc
1296. Е.П.Прокопьев. Сборник статей: Иследования свойств позитронных состояний
в ионных кристаллах и полупроводниках. ID=1261726502. Hаучная ОнлайнБиблиотека
Порталус:
http://www.portalus.ru/modules/science/rus_readme.php?subaction=showfull&id=12617
26502&archive=&start_from=&ucat=19&category=19
1297. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков, И.М.Бритков,
О.М.Бритков, С.С.Евстафьев. Определение размера вакансий и пор в металлах и
сплавах по данным ВРАФ. 6-ая Международная конференция «Инноватика-2010».
21 – 24 марта 2010 г. Ульяновск: УлГУ. http://uni.ulsu.ru/Konferences/konf_ulsu.php
1298. Е.П.Прокопьев.
ВОЗМОЖНОСТЬ
ИССЛЕДОВАНИЯ
ПРОЦЕССА
ОКИСЛЕНИЯ СТРУКТУР КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ В АТМОСФЕРЕ
ВЛАЖНОГО ВОЗДУХА И КИСЛОРОДА СИНЕРГЕТИЧЕСКИМИ МЕТОДАМИ.
Каталог статей (Интернет). http://yfyf.ru/wp-admin/upload.php/ox-soi-water.doc
1293.
Е.П.Прокопьев. Возможные синергетические подходы к проблемам эволюции
свойств материалов и наноматериалов на основе кремния. Каталог статей
(Интернет). http://yfyf.ru/wp-admin/upload.php/Syn-Appr-Silicon.doc .
1299.
Е.П.Прокопьев. Сборник Статей. Антивещество: Синтез, свойства,
Применения. Каталог статей (Интернет). http://yfyf.ru/wp-admin/upload.php/ (2010Sbornik-Papers-i.doc.
C.1-71.
Логин:
Prokopiev
Пароль:
d&4qGlZilRCi
http://yfyf.ru/wp-login.php
1300.
Е.П.Прокопьев. Сборник Статей. Антивещество: Синтез, свойства,
Применения. Каталог статей (Интернет). http://yfyf.ru/wp-admin/upload.php/
(
2010-Sbornik-Papers-iI.doc. C.71-121).
1301.
Е.П.Прокопьев. Сборник Статей. Антивещество: Синтез, свойства,
Применения. Каталог статей (Интернет). http://yfyf.ru/wp-admin/upload.php/ (2010Sbornik-Papers-Part1.doc. C.1-69).
1302.
Е.П.Прокопьев. Сборник Статей. Антивещество: Синтез, свойства,
Применения. Каталог статей (Интернет). http://yfyf.ru/wp-admin/upload.php/ ( 2010Sbornik-Papers-Part11.doc. C.1-50).
1303.
Е.П.Прокопьев. Сборник Статей. Антивещество: Синтез, свойства,
Применения. Каталог статей (Интернет). http://yfyf.ru/wp-admin/upload.php/ ( 2010Sbornik-Papers-Part111.doc. C.1-50).
1304.
Е.П.Прокопьев.
Развитие
методов
позитронной
аннигиляционной
спектроскопии для определения размеров нанообъектов в пористых системах,
дефектных материалах и наноматериалах. ID=1263401871. Hаучная ОнлайнБиблиотека: http://www.portalus.ru/modules/science/data/files/prokopiev/Prokopev-posReport.doc
1305.
Е.П.Прокопьев. Возможные синергетические подходы к проблемам
материаловедения материалов. 1D=1258784893. Hаучная Онлайн-Библиотека
Порталус:
http://www.portalus.ru/modules/science/rus_readme.php?subaction=showfull&id=12587
84893&archive=&start_from=&ucat=19&
1307. Суворов А.Л., Богданович Б.Ю., Залужный А.Г., Графутин В.И., Калугин В.В.,
Нестерович А.В., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Чаплыгин Ю.А. Технологии
структур кремний на изоляторе: Монография. ID=1266993069. Hаучная ОнлайнБиблиотека
Порталус:
http://www.portalus.ru/modules/science/rus_readme.php?subaction=showfull&id=12669
93069&archive=&start_from=&ucat=19&category=19
1308. Прокопьев Е.П., Тимошенков изучение режимов процесса роста слоев алмаза в
газовой смеси CH 4  H 2 пониженного давления в методе нагретой нити. Статья. V
Международная научно-техническаяконференяия «СОВРЕМЕННЫЕ МЕТОДЫ И
ТЕХНОЛОГИИ СОЗДАНИЯ И ОБРАБОТКИ МАТЕРИАЛОВ». 15 – 17 сентября
2009 г., г. Минск. Республика Беларусь. Минск: Физтех, 2010. С.?
http://www.phti.belhost.by/prog4MNTK.pdf .
1309. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков. Развитие методов позитронной
аннигиляционной спектроскопии для определения размеров нанообъектов в
пористых системах, дефектных материалах и наноматериалах. Physics-Online.ru/
Обсуждение современных проблем в мире физики/ Блог. Прокопьев Евгений
Петрович. Рубрика: Химическая физика, физическая химия и материаловедение
http://www.physicsonline.ru/php/paper.phtml?jrnid=null&paperid=8127&option_lang=rus
1310. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков. Развитие методов позитронной
аннигиляционной спектроскопии для определения размеров нанообъектов в
пористых системах, дефектных материалах и наноматериалах. Hаучная ОнлайнБиблиотека Порталус:
http://www.portalus.ru/modules/science/data/files/prokopiev/Prokopev-pos-Report.doc
1311. .П.Прокопьев, В.И.Графутин, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Определение
методом ПАС радиусов пор и их концентраций в пористом кремнии и кремнии,
облученном протонами. Модели сферической и цилиндрической пор. Hаучная
Онлайн-Библиотека Порталус:
http://www.portalus.ru/modules/science/rus_readme.php?subaction=showfull&id=12744
58775&archive=&start_from=&ucat=19&category=19
1312. E.P.Prokopev, V.I.Grafutin, S.P.Timoshenkov. positronics and nanotechnologies:
possibilities of studying nanoobjects in technically important materials and
nanomaterials. International conference “Functional materials and nanotechnologies”.
FM&NT-2010.
Riga,
March 16
19,
2010.
http://www.fmnt.lv/uploads/Poster%20presentations.pdf
1313. V.I.Grafutin, E.P.Prokopev, S.P.Timoshenkov, Yu.V.Funtikov. Sizes of vacancies
and pores in metals and alloys according TDAP. Adstracts. International Conference on
Nuclear Physics "Nucleus 2010. Methods of Nuclear Physics for Femto- and
Nanotechnologies" (LX Meeting on Nuclear Spectroscopy and Nuclear Structure). at
St.Petersburg State University (Petergof, St.Petersburg, Russia). July 6 until July 9, 2010.
St.Petersburg: PSU, 2010. http://onlinereg.ru/icnp2010/preliminary_programme_24-0610.pdf
1306.
E.P.Prokopev. Problems of physics, chemistry and technology of antimatter.
Adstracts. International Conference on Nuclear Physics "Nucleus 2010. Methods of
Nuclear Physics for Femto- and Nanotechnologies" (LX Meeting on Nuclear
Spectroscopy and Nuclear Structure). at St.Petersburg State University (Petergof,
St.Petersburg, Russia). July 6 until July 9, 2010. St.Petersburg: PSU, 2010.
http://onlinereg.ru/icnp2010/preliminary_programme_24-06-10.pdf
1315. Прокопьев Е.П., Графутин В.И. Применение позитронной аннигиляционной
спектроскопии для исследования наноявлений в нефтегазодобыче. Тезисы
докладов. Открытая школа-конференция стран СНГ «Ультрамелкозернистые и
наноструктурные материалы – 2010». УМЗМН-2010. 11-15 октября 2010 г. г. Уфа:
Башкирский
государственный
университет,
2010.
http://www.imsp.ru/sites/default/files/Program_2010.10.02.doc
1316. E.P.Prokopev. Possible Influence of nanoobjcts on properties of nanomaterials.
Abstracts. 9th WSEAS International Conference on NON-LINEAR ANALYSIS, NONLINEAR
SYSTEMS
AND
CHAOS
(NOLASC
'10).
www.wseas.us/conferences/2010/tunisia/nolasc/index.html . Mouradi Hotel, Kantaoui,
Sousse,
Tunisia,
May
3-6,
2010.
Wseas
Conferences.htm
http://wseasconferences.blogspot.com/2010/03/wseas-conferences_4363.html
1317. В.И.Графутин,
Д.К.Григорьев, Е.П.Прокопьев Е.П., Ал.С.Тимошенков,
С.П.Тимошенков, Фунтиков Ю.В. Определение методом УРАФ радиусов пор в
пористом кремнии и кремнии, облученном протонами. Рабочее совещание
«Рентгеновская оптика – 2010», г. Черноголовка, 20 - 23 сентября 2010 г. . С.5156.
(http://purple.iptm.ru/xray/xray2010/files/program.pdf),
http://purple.iptm.ru/xray/xray2010/files.html — (CHGXRAY2010_BOOK.pdf 30Мб).
1318. Суворов А.Л., Богданович Б.Ю., Залужный А.Г., Графутин В.И., Калугин В.В.,
Нестерович А.В., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Чаплыгин Ю.А. Технологии
структур кремний на изоляторе: Монография. ІV Международная научная
конференция «Физико-химические основы формирования и модификации микро и
наноструктур»
ФММН-2010.
Харьков:
ХГУ,
2010.
http://fmmn.at.ua/news/programma_konferencii/2010-09-18-15
1319. Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков,
А.С.Тимошенков,
Д.К.Григорьев.
Геттерирование и синергетические подходы в проблеме кремния и структур КНИ.
Тезисы докладов X-й Юбилейной международной научной конференции «ХИМИЯ
ТВЕРДОГО ТЕЛА: НАНОМАТЕРИАЛЫ, НАНОТЕХНОЛОГИИ», 17-22 октября
2010
г.,
г.
Ставрополь.
Ставрополь:
СГУ,
2010.
С.102.
http://science.ncstu.ru/conf/plan/htt10/doklady.htm
1320. Е.П.Прокопьев. Развитие проблемы физики, химии и технологии антивещества.
Тезисы докладов III Международной конференции "Авиадвигатели XXI century"
(30 ноября 2010 - 3 декабря 2010), Москва. Сайт конференции
http://www.aeroconf.ciam.ru/node/4?lang=rus;
Программа
конференции
http://aeroconf.ciam.ru/upload/progr_all.pdf
1321. E.P. Prokopev. Synergetic approaches to problems of evolution of properties of
materials and nanomaterials on the basis of silicon. Book of Abstracts. 3rd Chaotic
Modeling and Simulation International Conference, 1-4 June 2010, Chania Crete Greece.
P.63,64.
См.
сайт
конференции:
http://www.cmsim.info/images/Book_of_AbstractsCHAOS2010a.doc.
1322. E.P.Prokopiev. Possibilities of Presence of SCHLOGL Quasichemical Reactions in
an Atmosphere of Own Silicon. CHAOS2010. Book of Abstracts. Chaotic Modeling and
Simulation. International Conference. Ed. Christos H. Skiadas. June 1-5, 2009. Chania.
Crete.
Greece.
http://www.chaos2009.net/chaos2010.html
Book_of_AbstractsCHAOS2009a (pdf). P.63.
1314.
V.I.Grafutin, E.P.Prokopev. Possibilities of studying nanoobjects in technically
important materials and nanomaterials by pas method. Тезисы докладов
Международной конференции по дисплейным материалам и технологиям в
Петербурге 27 сентября - 1 октября 2010 г . http://EL-10.narod.ru/
1324. E.P.Prokopev. Antimatter and positronics. Possible problems of physics, chemistry
and technology of antimatter: synthesis, researches of properties and applications.
Интернет:
http://www.portalus.ru/modules/science/data/files/prokopiev/AntimatterPositronics-_ProektEngRus.doc
http://www.portalus.ru/modules/science/rus_readme.php?subaction=showfull&id=12750
23989&archive=&start_from=&ucat=19&
1325. Grafutin V.I., Prokopev E.P., Timoshenkov S.P., Funtikov Yu.V. SPECIFIED
METHOD OF DEFINITION nanoobject sizes of Defects in porous systems and defective
materials according ADAP method. Тезисы доклада Девятой Всероссийской
конференция «Физикохимия ультрадисперсных (нано-) систем» с элементами
научной школы (ФХУДС-IX). Физико-технический институт УрО РАН, г. Ижевск,
22-26
ноября
2010
г.
http://fti.udm.ru/content/view/9/98/lang,ru/,
http://fti.udm.ru/content/view/9/115/1/3/lang,russian/
1326. Р.Бурцл, В.И.Графутин, А. Зееман, В. Крщак, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева,
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Размеры и концентрации
нанообъектов в облученных металлах и сплавах по данным метода позитронной
аннигиляционной спектроскопии. Hаучная Онлайн-Библиотека Порталус:
http://www.portalus.ru/modules/science/data/files/prokopiev/Metal-PositronAnnihilation.doc
1327. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков.
Возможное применение методов позитронной аннигиляционной спектроскопии
для исследования наноявлений в нефтегазодобыче. Азербайджано–Российский
симпозиум с международным участием «Катализ в решении проблем нефтехимии
и нефтепереработки». 28-30 сентября, 2010 г. Азербайджан, Баку.
http://conf.nsc.ru/view/baku2010/$N;jsessionid=04BBBF0E08F77023397121B7FEA77093 , Preliminary Scientific
Program.pdf,
http://conf.nsc.ru/files/conferences/baku2010/27591/scientific%20program-BAKU.pdf
1328. Тимошенков С.П., Лапенко В.Н., Симонов Б.М., Калугин В.В., В.Ф.Шилов,
Рубчиц В.Г., Прокопьев Е.П., Тимошенков Ал.С, Бритков О.М., Тимошенков
Ан.С., Бритков И.М., Евстафьев С.С., Григорьев Д.К. О применении сенсоров и
датчиков с емкостной системой съема сигналов для аналитического контроля
загрязнений среды. Тезисы докладов IX Международной научно-технической
конференции «Инновация, экология и ресурсосберегающие технологии на
предприятиях машиностроения, авиастроения, транспорта и сельского хозяйства»
«ИнЭРТ-2010». Ростов, 2010. http://static.dstu.edu.ru/programm_inert.pdf
1329. E.P. Prokopiev. Influence of free volumes and nanoobjects of emptiness on evolution
of properties of pore nanomaterials. Abstracts of 5th International Conference on
Surfaces, Coatings and Nanostructured Materials (NANOSMAT-5), Reims, FRANCE,
19-21
October
2010.
http://www.nanosmat-conference.com/NANOSMAT5%20Programme%20Overview.pdf
1330. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Доклад и тезисы доклада.
Применение методов позитронной аннигиляционной спектроскопии для
исследования
природы,
размеров
и
концентраций
нанообъектов
в
конденсированной фазе. III Международная конференция с элементами научной
школы для молодежи «Функциональные наноматериалы и высокочистые
вещества».Суздаль-2010. http://fnm2010.ruconf.ru/upload/iblock/0eb/program%20.pdf
1323.
В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков,
Ю.В.Фунтиков, Ю.А.Чаплыгин. возможности изучения нанообъектов в пористом
кремнии и подложках кремния, облученных протонами, методом позитронной
аннигиляционной спектроскопии. Доклад и тезисы доклада. Применение методов
позитронной аннигиляционной спектроскопии для исследования природы,
размеров и концентраций нанообъектов в конденсированной фазе. III
Международная конференция с элементами научной школы для молодежи
«Функциональные наноматериалы и высокочистые вещества».Суздаль-2010.
http://fnm2010.ruconf.ru/registered_members/?domain=fnm2010&PAGEN_1=13,
http://fnm2010.ruconf.ru/program/
1332. Е.П.Прокопьев Позитроны, позитроний. Позитронные и позитрониевые
комплексы в кристалле. Особенности их свойств в атмосфере фононов. ІІ
Международная
научная
конференция
Наноструктурные
материалы2010:Беларусь-Росия-Украина.
http://www.nas.gov.ua/conferences/nano2010/participation/registered/Pages/Abstract.asp
x
1333. E. Prokopev, S. Timoshenkov. influence of free volumes and nanoobjects of
emptiness on evolution of properties of nanomaterials. Paper for Conference "Frontiers of
Nonlinear Physics". Nizhny Novgorod up the Volga river and further to St.-Petersburg
from July 13 through July 20, 2010. http://www.fnp.sci-nnov.ru/program.html
http://mail.yandex.ru/message_part_proxy/FNP2010_Program_30.06.2010.doc?hid=1.2
&mid=202.0.372404340588120824833883820053&ids=1710000001072681636&suid=2
48721124&name=FNP2010_Program_30.06.2010.doc&filetype=doc
1334. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева.
Возможное применение методов позитронной аннигиляционной спектроскопии
для исследования наноявлений в нефтегазодобыче. ID=1278405194. Hаучная
Онлайн-Библиотека
Порталус:
http://www.portalus.ru/modules/science/data/files/prokopiev/Paper-Prokopev-EP.pdf
1335. Прокопьев Е.В. Возможность получения антивещества в космическом
пространстве с использованием и концентрированием энергии солнца (6 стр.)
Сборник "Философские вопросы естественных, технических и гуманитарных наук.
Выпуск 5" (Магнитогорск, МагнГУ, 2010.). http://www.konferencii.ru/info/id/34043
1336. Прокопьев Е.В. Проблема физики и химии антивещества: о позитронной
астрофизике, природе позитронных источников и состояний в галактической среде
с низкой плотностью (6 стр.) Сборник "Философские вопросы естественных,
технических и гуманитарных наук. Выпуск 5" (Магнитогорск, МагнГУ, 2010).
http://www.konferencii.ru/info/id/34043
1337. Prokop’ev E.P., Timoshenkov S.P., Grafutin V.I. Статья. Research of nanoobjects in
porous systems and nanomaterials by method of positron annihilation spectroscopy. 2nd
International Conference on Chemical Engineering and Advanced Materials. CEAM
2010-VF.
November
15th
26th,
2010.
http://www.praiseworthyprize.it/conferences/CEAM-VF2010/papers.htm
1338. Е.П.Прокопьев. Применения SMART-CUT технологии к процессам получения
структур КНИ и тонких слоев германия и слоев кремний/ германий на кремнии и
изоляторе.
ID=1282569201.
Hаучная
Онлайн-Библиотека
Порталус:
http://www.portalus.ru/modules/science/rus_readme.php?subaction=showfull&id=12825
69201&archive=&start_from=&ucat=19&
1339. E.P.Prokopev. 4th International Meeting on Developments in Materials, Processes &
Applications.Materials, Emerging Technologies. 28-30 July 2010. University of Minho
Braga, Portugal. MPA281 Prospects of Development of a Problem of Physics, Chemistry
and Technology of Antimatter. Dr E.P.Prokopev, A.I.Alikhanov Institute for theoretical
and experimental physics (ITEP), Russia
1331.
http://umonline.uminho.pt/uploads/eventos/EV_3103/20100727642118976250.pdf
Е.П.Прокопьев. 04.09.2010 - Технологии производства и методы исследования
структур КНИ. Сборник статей (Технологии производства и методы исследования
структур КНИ. Сборник статей). ID=1283578940. Hаучная Онлайн-Библиотека
Порталус:
http://www.portalus.ru/modules/science/rus_readme.php?subaction=showfull&id=12835
78940&archive=&start_from=&ucat=19&
1341. Е.П.Прокопьев. 04.09.2010 – Изучение по динамическим вольт-фарадным
характеристикам электрофизических свойств структур КНИ. ID=1283769819.
Hаучная
Онлайн-Библиотека
Порталус:
http://www.portalus.ru/modules/science/rus_readme.php
http://www.portalus.ru/modules/science/rus_readme.php?subaction=showfull&id=12837
69819&archive=&start_from=&ucat=19&
1342. Е. П. Прокопьев, С.В. Петров, В. С. Белоусов. 08.09.2010 – Опытнопромышленная эпитаксия кремния: теория и эксперимент". ID=1283924186.
Hаучная
Онлайн-Библиотека
Порталус:
http://www.portalus.ru/modules/science/rus_readme.php?subaction=showfull&id=12839
24186&archive=&start_from=&ucat=19&category=19
1343. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Е.П.Прокопьев. Позитроника и нанотехнологии.
Развитие методов позитронной аннигиляционной спектроскопии для определения
размеров нанообъектов в пористых системах, дефектных материалах и
наноматериалах. 8 Всероссийская научно-практическая конференция “Применение
ИПИ – технологий в производстве”. 16 - 21 ноября 2010 года в "МАТИ" - РГТУ им.
К.Э.
Циолковского,
МГТУ.
http://one-onone.ru/files/1968318400159452041513888556911348763016/2010_10_26%20перечень
%20докладов%2010.doc,
http://one-onone.ru/nmt2010/pages/page_0.aspx?id_page=1082,
1344. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков.
Определение Размеров вакансий и пор в металлах и сплавах по данным ВРАФ.
Всероссийская научная конференция с участием зарубежных ученых
"Математическое и физическое моделирование опасных природных явлений и
техногенных катастроф". 18-20 октября. Томск, 2010 г. 2010. С.3.
1345. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев Е.П., Фунтиков Ю.В., С.П.Тимошенков,
Ю.А.Чаплыгин.
Определение
методом
позитронной
аннигиляционной
спектроскопии радиусов нанопор в пористом кремнии и кремнии, облученном
протонами.
Наноматериалы
и
наноструктуры.
2010.
http://www.radiotec.ru/catalog.php?cat=jr18&itm=2010-1
1346. В.И.Графутин, И.Н.Мешков, Е.П.Прокопьев, Н.О.Хмелевский, С.Л.Яковенко.
Определение размеров дефектов вакансионного типа в ангстремных диапазонах
методами
позитронной
аннигиляционной
спектроскопииhttp://www.portalus.ru/modules/science/rus_readme.php?subaction=sho
wdate&id=1284930000&archive=&start_from=&ucat=& .
1347. В.И.Графутин,
И.Н.Мешков,
Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков,
Н.О.Хмелевский, Ю.А.Чаплыгин, С.Л.Яковенко. Определение размеров вакансий и
пор в металлах, сплавах и кремнии методами позитронной аннигиляционной
спектроскопии. Тезисы докладов девятой Всероссийской конференции
«Физикохимия ультрадисперсных (нано-) систем» с элементами научной школы
(ФХУДС-IX). Физико-техническим институтом УрО РАН, г. Ижевск в, 22-26
ноября 2010 г. Ижевск: Изд-во Физ,-Тех., 2010. Интернет: Программа конференции
ФХУДС-2010
1340.
В.И.Графутин,
И.Н.Мешков,
Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков,
Н.О.Хмелевский, Ю.А.Чаплыгин, С.Л.Яковенко. Определение размеров дефектов
вакансионного типа в ангстремных диапазонах методами позитронной
аннигиляционной спектроскопии. Тезисы докладов. 2-я ежегодная научнотехническая конференция Нанотехнологического общества России «Перспективы
развития в России НБИК-технологий как основного научного направления прорыва
к шестому технологическому укладу» при поддержке РНЦ «Курчатовский
институт»,
14-15
октября
2010
г.,
г.
Москва,
РНЦ
КИ.
http://www.ntsr.info/upload/My/nauka/annig.doc
1349. С.П. Тимошенков, Е.П. Прокопьев, Н.М.Зарянкин, Ал.С.Тимошенков,
И.М.Бритков, О.М Бритков;С.С.Евстафьев, А.И.Виноградов. Анализ физикохимических моделей скорости роста аморфных пленок a  Si : H в силановых
плазменных смесях пониженного давления. I. Модельпограничного слоя ЛандауЛифшица. Тезисы докладов (Статья) VII-ой Научно-практической конференции и
выставки "НАНОТЕХНОЛОГИИ - ПРОИЗВОДСТВУ 2009". 1-3 декабря 2010г.
г.Фрязино Московской области. ЗАО "Концерн Наноиндустрия", 2010.
http://www.nanotech.ru/fr-2010/_private/program.doc.
1350. С.П. Тимошенков, Е.П. Прокопьев, Н.М.Зарянкин, Ал.С.Тимошенков,
И.М.Бритков, О.М Бритков; С.С.Евстафьев, А.И.Виноградов. Анализ физикохимических моделей скорости роста пленок a  Si : H в силановых плазменных
смесях пониженного давления Тезисы докладов (Статья) VII конференция
"Современные методы диагностики плазмы и их применение для контроля веществ
и окружающей среды". Москва, НИЯУ МИФИ, 30 ноября 0 02 декабря 2010 г.,
2010. www.plasma.mephi.ru, http://plasma.mephi.ru/ru/Mainpage/ru
1351. Е.П.Прокопьев.
Развитие теоретических основ методов позитронной
аннигиляционной спектроскопии для исследования размеров и концентраций
нанообъектов в конденсированной фазе. Полный отчет о Первой ежегодной
научно-технической конференции НОР «Развитие нанотехнологического проекта в
России: состояние и перспективы». 8. Нанотехнологии группы Б.
http://ntsr.info/nor/bulletin/seminars/?ID=1601&phrase_id=661090,
http://www.ntsr.info/science/library/,
http://www.ntsr.info/science/library/2811.htm,
http://www.ntsr.info/upload/My/nauka/pozan.doc.
1352. В.И. Графутин, Е.П. Прокопьев, Фунтиков. Изучение радиационных нарушений
в полупроводниковых соединениях А3В5, облученных γ-квантами и протонами,
методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Тезисы докладов
международной конференции «Фазовые переходы, критические и нелинейные
явления в конденсированных средах», Махачкала, 21-23 ноября 2010 г.
.http://www.dagphys.ru/download/2010_Conference_Program.pdf. С1-25.
1353. В. И. Графутин, Е. П. Прокопьев, В. Крщак, Р. Бурцл, П. Хэнер, А. Земан, О. В.
Илюхина, Д. Ерак, М. А. Могилевский, Г. Г. Мясищева, Ю. В. Фунтиков. Изучение
конструкционных материалов активной зоны реакторов методами позитронной
аннигиляционной спектроскопии. Ядерная физика. 2011, Т.74. №2. С.195-206.
1354. В. Ю. Милосердин, В. И. Графутин, Е. П. Прокопьев, Ю. В. Фунтиков, А. Ю.
Мищенко, В. Т. Самосадный, Н. В. Бойко, В.П.Колотушкин. Позитронная
диагностика свойств матералов. Ядерная Физика и инжиниринг. 2010. Т.1. №3.
С.220-240.
http://www.maikonline.com/maik/showArticle.do?auid=VAGI1KEX4A&lang=ru
1355. С.П. Тимошенков, И.М.Бритков, О.М Бритков; С.С.Евстафьев, Е.П. Прокопьев.
Анализ физико-химических моделей скорости роста пленок a  Si : H в силановых
плазменных смесях пониженного давления. Оборонный комплекс – научно
техническому прогрессу России. 2011. №1. С.73-75.
1348.
Ю.А.Чаплыгин, В.И.Графутин, С.П.Тимошенков,. Е.П.Прокопьев Е.П.
Определение методом позитронной аннигиляционной спектроскопии радиусов
нанопор в пористом кремнии и кремнии, облученном протонами. Наноматериалы и
наноструктуры.
2011.
№3.
С.56-63.
http://www.radiotec.ru/catalog.php?cat=jr18&art=8540
1357. Прокопьев Е.П. Анализ физико-химических моделей скорости роста аморфных
пленок a - Si : H в силановых плазменных смесях пониженного давления. I. Модель
пограничного слоя Неймана-Зауэра. Тезисы докладов XXXVIII Международной
(Звенигородской) конференции по физике плазмы и управляемому термоядерному
синтезу. г. Звенигород Московской обл. 14 - 18 февраля 2011 года. Статья на
лазерном диске: http://www.fpl.gpi.ru/Zvenigorod/XXXVIII/Lt/ru/KI-Prokop'yev.doc.
1358.
Е.П.Прокопьев. Атом позитрония в ионных кристаллах. Петербургский
журнал электроники. 2011. Вып.2(67). С.3-11.
1359.
В.И.Графутин,
О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева,
Е.П.Прокопьев,
Ю.В.Фунтиков. Возможное применение методов позитронной аннигиляционной
спектроскопии для исследования наноявлений в нефтегазодобыче. Статья в Трудах
Первой Международной научно-технической конференции «Нанотехнологии
функциональных материалов».СанктПетербург, 22 - 24 сентября 2010 г.
СанктПетербург.
Изд-во
СПбГПУ,
2011.
С.546-548.
http://nru.spbstu.ru/scientific_events/conference_nanotechnology/collection/
1356.
В. И. Графутин, Е. П. Прокопьев, В. Крщак, Р. Бурцл, П. Хэнер, А. Земан, О.
В. Илюхина, Д. Ерак, М. А. Могилевский, Г. Г. Мясищева, Ю. В. Фунтиков.
Изучение конструкционных материалов активной зоны реакторов методами
позитронной аннигиляционной спектроскопии. Ядерная физика. 2011, Т.74. №2.
С.195-206.
1361.
В. Ю. Милосердин, В. И. Графутин, Е. П. Прокопьев, Ю. В. Фунтиков, А. Ю.
Мищенко, В. Т. Самосадный, Н. В. Бойко, В.П.Колотушкин. Позитронная
диагностика свойств матералов. Ядерная Физика и инжиниринг. 2010. Т.1. №3.
С.220-240.
http://www.maikonline.com/maik/showArticle.do?auid=VAGI1KEX4A&lang=ru
1362.
В. И. Графутин, И. Н. Мешков, Е. П. Прокопьев, Н. О. Хмелевский, С. Л.
Яковенко. Определение размеров дефектов вакансионного типа в ангстремных
диапазонах
методами
позитронной
аннигиляционной
спектроскопии.
Микроэлектроника. 2011. Т.40. № 6. С.468-475.
1363.
В. И. Графутин, О.В.Илюхина, Мясищева, Е.П.Прокопьев, С. П.
Тимошенков, Ю. В. Фунтиков, Н. О. Хмелевский. Определение размеров и
концентраций нанообъектов в облученных металлах и сплавах методом
позитронной аннигиляционной спектроскопии. Поверхность. Рентгеновские,
синхротронные и нейтронные исследования, 2011, № 7, с. 30–41.
1364.
С.П. Тимошенков, И.М.Бритков, О.М Бритков; С.С.Евстафьев, Е.П.
Прокопьев. Анализ физико-химических моделей скорости роста пленок a  Si : H в
силановых плазменных смесях пониженного давления. Оборонный комплекс –
научно техническому прогрессу России. 2011. №1. С.73-75.
1365.
Ю.А.Чаплыгин, В.И.Графутин, С.П.Тимошенков,. Е.П.Прокопьев Е.П.
Определение методом позитронной аннигиляционной спектроскопии радиусов
нанопор в пористом кремнии и кремнии, облученном протонами. Наноматериалы и
наноструктуры.
2011.
№3.
С.56-63.
http://www.radiotec.ru/catalog.php?cat=jr18&art=8540
1366.
Прокопьев Е.П. Анализ физико-химических моделей скорости роста
аморфных пленок a - Si : H в силановых плазменных смесях пониженного
давления. I. Модель пограничного слоя Неймана-Зауэра. Тезисы докладов XXXVIII
Международной (Звенигородской) конференции по физике плазмы и
1360.
управляемому термоядерному синтезу. г. Звенигород Московской обл. 14 - 18
февраля
2011
года.
Статья
на
лазерном
диске:
http://www.fpl.gpi.ru/Zvenigorod/XXXVIII/Lt/ru/KI-Prokop'yev.doc.
В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, В.Крщак, Р.Бурцл, П.Хэнер, А.Земан,
О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков, Н.О.Хмелевский.
Определениe размеров и концентраций нанообъектов в облученных металлах и
сплавах методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Статья.
Деформация и разрушение материалов. 2011.
1368.
В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Е.П.Прокопьев. Статья (851).Размеры и
концентрации нанообъектов в облученных металлах и сплавах по данным метода
позитронной аннигиляционной спектроскопии. Заводская лаборатория. 2012.№5.
1369.
В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев. Определение Размеров
вакансий и пор в металлах и сплавах по данным ВРАФ. Девятый Международный
Уральский Семинар «РАДИАЦИОННАЯ ФИЗИКА МЕТАЛЛОВ И СПЛАВОВ».
Тезисы докладов. 20 февраля – 26 февраля 2010.
http://nano.imetdb.ru/materials_NANO_2011.pdf
1370.
В.И.Графутин,
Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков,
Ю.В.Фунтиков.
Определение размеров нанообъектов в пористых системах, дефектных материалах
и наноматериалах методами позитронной аннигиляционной спектроскопии (ПАС).
Тезисы докладов Четвертой всероссийской конференции по наноматериалам
«НАНО 2011». 01-04 марта 2011 г. Москва. ИМЕТ РАН, 2011. http://nano.imetdb.ru/program_NANO_2011.pdf
1371.
Чаплыгин Ю.А., Тимошенков С.П., Графутин В.И., Прокопьев Е.П. ,
Фунтиков Ю.В. Определение методом ПАС радиусов пор и их концентраций в
пористом кремнии и кремнии, облученном протонами. Модели сферической и
цилиндрической пор Сборник докладов XII международной научно-технической
конференции «Кибернетика и высокие технологии XXI века». (C&T-2011), 13-15
мая 2009 г. Воронеж. Секция 4. http://www.cht.sakv.ru/cht-2011.htm
1372.
Прокопьев Е.П. , Графутин В.И., Тимошенков С.П. Определение природы и
плотности дислокаций в полупроводниках методом позитронной аннигиляционной
спектроскопии. Обзор. Сборник докладов XII международной научно-технической
конференции «Кибернетика и высокие технологии XXI века». (C&T-2011), 13-15
мая 2009 г. Воронеж. Секция 4. http://www.cht.sakv.ru/cht-2011.htm
1373.
С.П.Тимошенков, И.М.Бритков, О.М Бритков, С.С.Евстафьев, Е.П.
Прокопьев. Анализ физико-химических моделей скорости роста аморфных пленок
aSi:H в силановых плазменных смесях пониженного давления. Оборонный
комплекс – научно-техническому прогрессу России. 2011. №1. С.73-75.
1374.
Е.П.Прокопьев. Системы со многими позитронами: позитроны и
позитроний, позитронные и позитрониевые комплексы в твердых телах. Тезисы
докладов IX КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ВЫСОКИХ ЭНЕРГИЙ, ЯДЕРНОЙ
ФИЗИКЕ И УСКОРИТЕЛЯМ ХАРЬКОВ, ННЦ ХФТИ, 21-25 февраля 2011 г.
Харьков: ХФТИ. http://www.kipt.kharkov.ua/ihepnp_2011_programm.html
1375.
Е.П.Прокопьев. Влияние температуры на позитронные аннигиляционные
спектры дефектных твердых тел. Тезисы докладов IX КОНФЕРЕНЦИИ ПО
ФИЗИКЕ ВЫСОКИХ ЭНЕРГИЙ, ЯДЕРНОЙ ФИЗИКЕ И УСКОРИТЕЛЯМ
ХАРЬКОВ, ННЦ ХФТИ, 21-25 февраля 2011 г. Харьков: ХФТИ.
http://www.kipt.kharkov.ua/ihepnp_2011_programm.html
1376.
Е.П.Прокопьев. Позитроника суператомов в полупроводниках. Тезисы
докладов IX КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ВЫСОКИХ ЭНЕРГИЙ, ЯДЕРНОЙ
ФИЗИКЕ И УСКОРИТЕЛЯМ ХАРЬКОВ, ННЦ ХФТИ, 21-25 февраля 2011 г.
Харьков: ХФТИ. http://www.kipt.kharkov.ua/ihepnp_2011_programm.html
1367.
E.P.Prokopev. ANALYSIS OF PHYSICAL AND CHEMICAL MODELS OF
GROWTH RATE OF AMORPHOUS FILMS IN sylane PLASMA MIXES OF THE
LOWERED PRESSURE. Abstracts ISPlasma2011 3rd International Symposium on
Advanced Plasma Scienceand its Applications for Nitrides and Nanomaterials.DATE:
March 6-9, 2011VENUE: Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan. P.150.
http://www.isplasma.jp/data/postersession03.pdf
1378.
V.I.Grafutin, E.P.Prokopev, Yu.V.Funtikov, D. S. Zvezhinskiy. Studying of
radiating infringements in the semiconductor compounds irradiated  - quanta and
protons by method of positron annihilation spectroscopy. Abstracts. The 4th Chaotic
Modeling and Simulation International Conference, 29 May - 3 June 2011 Agios
Nikolaos Crete Greece. Р.45. http://www.cmsim.org/ CHAOS2011Program1
http://www.cmsim.org/images/CHAOS2011-Book_of_Abstracts.pdf
1379.
V.I.Grafutin, E.P.Prokopev, Yu.V.Funtikov. Studying of radiating infringements
in the semiconductor compounds irradiated  - quanta and protons by method of positron
annihilation spectroscopy. Paper. The 4th Chaotic Modeling and Simulation International
Conference, 29 May - 3 June 2011 Agios Nikolaos Crete Greece. http://www.cmsim.org/
1380.
В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев. Возможное влияние нанообъектов на
прочностные свойства металлов и сплавов по данным позитронных
аннигиляционных спектров. Научная сессия МИФИ-2011. Секция 10.
Радиационные методы и приборы для исследования структуры и свойств вещества:
http://ns2011.mephi.ru/default.asp?page=34&part=null&doc=246.
http://io.udsu.ru/bib/26173.pdf
1381.
Графутин В.И., Илюхина О.В., Е.П.Прокопьев.Влияние нанообъектов на
позитронные аннигиляционные спектры пористых систем. . Научная сессия
МИФИ-2011. Секция Э-7. «Ультрадисперсные (нано-) материалы». См. сайт
конференции: http://ns2011.mephi.ru/default.asp?page=34&part=null&doc=319.
http://io.udsu.ru/bib/26173.pdf
1382.
В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Возможное влияние
нанообъектов на электрофизические свойства кремния по данным позитронных
аннигиляционных спектров. . Научная сессия МИФИ-2011. Секция 30. Проблемы
обеспечения единства измерений в современных наукоемких технологиях. См. сайт
конференции: http://ns2011.mephi.ru/default.asp?page=34&part=null&doc=354.
1383.
Графутин В.И., О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Прокопьев Е.П., Фунтиков
Ю.В. Определение размеров вакансий и пор в металлах и сплавах по данным
ВРАФ. Тезисы докладов. ВИП-2011. XX Международная конференция
«Взаимодействие ионов с поверхностью». 21 - 25 августа 2009 г., Звенигород ,
Россия.
М.:
МАИ,
2011.
См.
сайт
конференции:
http://www.spbstu.ru/isi2009/rus/frst_rus.html
,
п.5.16.
http://www.spbstu.ru/isi2011/dl/ISI2011_Progr_rus.pdf
1384.
В.И.Графутин,
С.В.Степанов,
Е.П.
Прокопьев,
С.П.Тимошенков,
Ю.В.Фунтиков, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева. Развитие и применение методов
позитронной нанодиагностики в ИТЭФ для исследования материалов ядерной и
электронной техники. Тезисы доклада. Третья Международная конференция «От
наноструктур, наноматериалов и нанотехнологий к Наноиндустрии». 6-8 апреля
2011. http://conf.nanoizh.org/predv1
1385.
В.И.Графутин, Е.П. Прокопьев, С.П.Тимошенков. Применение позитронной
аннигиляционной спектроскопии для исследования пористых материалов. Тезисы
доклада Первого Российского конгресса по катализу "РОСКАТАЛИЗ",
приуроченногок Международному году химии и 150-летию со дня рождения
выдающегося российского химика академика Н.Д. Зелинского. 3 - 7 октября 2011 г.
Москва. http://conf.nsc.ru/files/styles/25913/Pre-Sci-Prog-Ruscatalysis.pdf
1377.
Е.П.Светлов-Прокопьев Исследование свойств атома позитрония в
кристаллах.
Нанотехнологическое
общество
России
НОР
(http://www.nanonewsnet.ru/news/2009/sait-nanotekhnologicheskogo-obshchestvarossii) (http://ntsr.info/) . Наука – Библиотека. http://www.ntsr.info/science/library/,
http://www.ntsr.info/science/library/2986.htm.
1387.
Е.П.Светлов-Прокопьев. Исследование свойств атома позитрония в
кристаллах. Труды XVIII Международного совещания "Радиационная физика
твердого тела". (Севастополь, 7 - 12 июля 2008 г.), под редакцией заслуженного
деятеля науки РФ, д.ф.-м.н., проф. Бондаренко Г.Г. М.: ГНУ «НИИ ПМТ», 2008 г.,
C.679-709. См. http://www.ntsr.info/upload/My/nauka/pozkri.pdf
1388.
Е.П.Светлов-Прокопьев. Позитроны и атом позитрония в пористых системах
с развитой поверхностью. Нанотехнологическое общество России НОР. Наука –
Библиотека.
http://www.ntsr.info/science/library/,
http://www.ntsr.info/science/library/2987.htm
1389.
Е.П.Светлов-Прокопьев. Позитроны и атом позитрония в пористых системах
с развитой поверхностью. Труды XVIII Международного совещания
"Радиационная физика твердого тела". (Севастополь, 7 - 12 июля 2008 г.), под
редакцией заслуженного деятеля науки РФ, д.ф.-м.н., проф. Бондаренко Г.Г. М.:
ГНУ
«НИИ
ПМТ»,
2008
г.,
C.650-678.
См.
http://www.ntsr.info/upload/My/nauka/pozpor.pdf,
http://www.niipmt.ru/Conference_index_2011.doc
1390.
В.И.Графутин,
Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков,
Ю.В.Фунтиков.
Ю.А.Чаплыгин. Возможное применение методов позитронной аннигиляционной
спектроскопии и ряда электрофизических методов для исследования наноявлений в
нефтегазодобыче. ID=1291012490. Hаучная Онлайн-Библиотека Порталус:
http://www.portalus.ru/modules/science/data/files/prokopiev/Prokopev-Pos-OilPor.pdf
1391.
Графутин В.И., Илюхина О.В., Мясищева Г.Г., Прокопьев Е.П., Савельев
Г.И., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В. Размеры нанообъектов в пористых
системах и дефектных материалах методом позитронной аннигиляционной
спектроскопии. Тезисы доклада. 4-я Школа «Метрология и стандартизация в
нанотехнологиях и наноиндустрии. Функциональные наноматериалы». 5– 29
апреля
2011,
Академгородок,
Новосибирск.
http://conf.nsc.ru/nanomet2011/ru/scientific_program
1392.
В.И.Графутин, Е.П. Прокопьев, С.П.Тимошенков. Применение методов
позитронной аннигиляционной спектроскопии для исследования материалов
ядерной и электронной техники. Тезисы докладов. 51
международной
конференции “Актуальные проблемы прочности», 16-20 мая 2011 г. г. Харьков,
Украина . http://www.mks-phys.ru/Progr-APP2011.pdf
1393.
А.Л.Суворов, Б.Ю.Богданович, А.Г.Залужный, В.И.Графутин, В.В.Калугин,
А.В.Нестерович, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин. Технологии
производства и методы исследования структур «кремний на изоляторе»
(КНИ).Рукопись монографии: ID=1291391892. Hаучная Онлайн-Библиотека
Порталус:
http://www.portalus.ru/modules/science/rus_readme.php?subaction=showfull&id=12913
91892&archive=&start_from=&ucat=19&
1394.
А.Л.Суворов, Б.Ю.Богданович, А.Г.Залужный, В.И.Графутин, В.В.Калугин,
А.В.Нестерович, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин. Технологии
производства и методы исследования структур «кремний на изоляторе» (КНИ).
2010.
http://www.ntsr.info/science/library/?SHOWALL_1=1.
http://www.ntsr.info/science/library/3073.htm.
1386.
Введение. http://www.ntsr.info/upload/My/nauka/Vvedenie.doc
Глава 1. Технология прямого сращивания пластин кремния и технологические маршруты
изготовления структур КНИ. http://www.ntsr.info/upload/My/nauka/Glava%201.doc
Глава 2. Химическая обработка поверхности полупроводниковых пластин в процессе
изготовления многослойных структур и микроэлектронных изделий,
http://www.ntsr.info/upload/My/nauka/Glava 2.doc
Глава 3. Проблема прямого сращивания материалов: силы взаимодействия и
поверхностные явления на границе раздела, http://www.ntsr.info/upload/My/nauka/Glava
3.doc
Глава 4. Технология прямого сращивания пластин кремния с использованием химической
сборки поверхности методом молекулярного наслаивания
Глава 5. Получение структур КНИ с использованием методов химической обработки и
сращивания кремниевых пластин, http://www.ntsr.info/upload/My/nauka/Glava 5.doc
Глава 6. Исследование процессов синтеза мелкодисперсных порошков оксидов, синтеза
диэлектрического стекловидного материала SiO2–Al2O3–BaO в высокочастотной
индукционной плазме и получения пористого кремния,
http://www.ntsr.info/upload/My/nauka/Glava 6.doc
Глава 7. Результаты исследований полученных структур КНИ,
http://www.ntsr.info/upload/My/nauka/Glava 7.doc
Глава 8. Определение параметров и исследование свойств структур КНИ,
http://www.ntsr.info/upload/My/nauka/Glava 8.doc
Глава 9. Исследование процесса имплантации ионов в полупроводники и
полупроводниковые структуры методом пучковой позитронной аннигиляционной
спектроскопии, http://www.ntsr.info/upload/My/nauka/Glava 9.doc
Глава 10. Возможные синергетические подходы к проблемам электронного
материаловедения, http://www.ntsr.info/upload/My/nauka/Glava 10.doc
Глава 11. Применение метода позитронной аннигиляционной спектроскопии для
исследования дефектов структуры твердого тела,
http://www.ntsr.info/upload/My/nauka/Glava%2011.doc
Глава 12. Применение и развитие методов позитронной аннигиляционной спектроскопии
для определения размеров нанообъектов в пористых системах, дефектных материалах и
наноматериалах (начало), http://www.ntsr.info/upload/My/nauka/Glava 12 1.doc
Глава 12. Применение и развитие методов позитронной аннигиляционной спектроскопии
для определения размеров нанообъектов в пористых системах, дефектных материалах и
наноматериалах (окончание), http://www.ntsr.info/upload/My/nauka/Glava 12 2.doc
А.Л.Суворов, Б.Ю.Богданович, А.Г.Залужный, В.И.Графутин, В.В.Калугин,
А.В.Нестерович, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин. Технологии
производства и методы исследования структур «кремний на изоляторе» (КНИ).
Рукопись
монографии.
Ссылка
Сайт
НОР:
http://www.ntsr.info/science/library/?SHOWALL_1=1.
http://www.ntsr.info/science/library/3073.htm.
1395.
V.I.Grafutin, E.P.Prokopev, Yu.V.Funtikov. Possible Development of methods of
positron annihilation spectroscopy for research of nanophenomena to oil and gas
industry. Adstracts. EuroNanoForum. 30th May to 1st June 2011. Budapest Congress and
World Trade Center. 2011. http://www.euronanoforum2011.eu/conference
1397.
E.P.Prokopiev. СПИСОК НАУЧНЫХ ТРУДОВ. (Scientific papers,
monographies, theses of the reports and reports on conferences, reports, dep. theses,
papers and reports. (Е.П.Прокопьев (Светлов-Прокопьев). ID=1292343833).
Antimatter and positronics, positronics and nanotechnologies, positronics, positron
annihilation, physics of complex, synergetics, material science and technology,
nanotechnology, other adjacent problems (Научные статьи, монографии, тезисы
докладов и доклады на конференциях, депонированные тезисы докладов, статьи и
доклады, отчеты). (Scientific papers, monographies, theses of the reports and reports on
conferences,
reports,
dep.
theses,
papers
and
reports).
http://www.portalus.ru/modules/science/data/files/prokopiev/All-SciSpisok-Prokopev.rar
1398.
А.Л.Суворов, Б.Ю.Богданович, А.Г.Залужный, В.И.Графутин, В.В.Калугин,
А.В.Нестерович, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин. Список
публикаций ИТЭФ-МИЭТ-МИФИ 2005-2010 г.г. по нанотехнологиям и близко
примыкающим к ним проблемам. Нанотехнологическое общество России (НОР).
http://www.ntsr.info/science/library/,
http://www.ntsr.info/science/library/3093.htm,
http://www.ntsr.info/nor/bulletin/seminars/index.php?ID=1601
1399.
E.P.Prokopev. Possibilities of Reception and Application of Antimatter. Space
plasma of Galactic centre. Abstracts of 20th International Symposium on Plasma
Chemistry (ISPC), Philadelphia, USA , July 24 - 29, 2011. .
ISPC: http://ispc20.plasmainstitute.org/index.php?page=my_ispc ,
http://ispc20.plasmainstitute.org/program/ISPC20_Program_web.pdf?utm_source=All+Plasma+People&utm_campaign=2baadae8d0ISPC_20_Program7_5_2011&utm_medium=email, FDM44
1400.
Графутин В.И., Илюхина О.В., Мясищева Г.Г., Прокопьев Е.П., Савельев Г.И.,
Фунтиков
Ю.В.,Хмелевский
Н.О.
ОПРЕДЕЛЕНИЕ
КОНЦЕНТРАЦИЙ
РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ПЛАСТИНАХ КРЕМНИЯ P-ТИПА ПО
РАЗНОСТНЫМ ЗНАЧЕНИЯМ ИНТЕНСИВНОСТЕЙ КОМПОНЕНТ Iр и Ig В
СПЕКТРАХ УРАФ. Тезисы докладов. Международная конференция "ФИЗИКА
ДИЭЛЕКТРИКОВ" (ДИЭЛЕКТРИКИ - 2011). 23-26 мая 2011. Санкт-Петербург,
Россия . http://physics.herzen.spb.ru/conference/icd/program2011.pdf
1401.
Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на F - центрах в ионных
кристаллах и кварце. Тезисы докладов. Международная конференция "ФИЗИКА
ДИЭЛЕКТРИКОВ" (ДИЭЛЕКТРИКИ - 2011). 23-26 мая 2011. Санкт-Петербург,
Россия . http://physics.herzen.spb.ru/conference/icd/program2011.pdf
1402.
Прокопьев Е.П. Комплексы Уилера в полупроводниках и ионных кристаллах.
Тезисы докладов. Международная конференция "ФИЗИКА ДИЭЛЕКТРИКОВ"
(ДИЭЛЕКТРИКИ - 2011). 23-26 мая 2011. Санкт-Петербург, Россия
http://physics.herzen.spb.ru/conference/icd/program2011.pdf .
1403.
Е.П.Прокопьев. «Газ» вселенных и возможная концепция вечности. Тезисы
докладов. 61 Международной конференции «Ядро-2011» по проблемам ядерной
спектроскопии и структуре атомного ядра. Саров, 10-14 октября 2011 г. С.170. В
1396.
сборнике тезисов докладов. - Саров: РФЯЦ-ВНИИЭФ, 2011. - 289 с. : ил. Библиогр. в конце тезисов. - В надзаг.: К 65-летию РФЯЦ-ВНИИЭФ. [132358
С3(04) М-431]
1404.
Е.П.Прокопьев. Магнитопозитроний в полупроводниках. Тезисы докладов.
«XIX Менделеевский съезд по общей и прикладной химии». 25 — 30 сентября,
2011 года. Волгоград, Россия .
1405.
E.P.Prokopev. MAGNETOPOSITRONIUM IN SEMICONDUCTORS. Тезисы
докладов. «XIX Менделеевский съезд по общей и прикладной химии». 25 — 30
сентября,
2011
года.
Волгоград,
Россия
.
http://www.mendeleev2011.vstu.ru/files/webmaster/8991/abstracts_1_en.pdf
1406.
Комплексы Уилера в полупроводниках. Тезисы докладов. «XIX
Менделеевский съезд по общей и прикладной химии». 25 — 30 сентября, 2011
года. Волгоград, Россия .
1407.
E.P.Prokopev.
Wheeler
Complexies
in
semiconductors.
Paper.
http://www.portalus.ru/modules/science/data/files/prokopiev/Wheeler-_Complexessemicond.doc , http://www.portalus.ru/modules/science/data/files/prokopiev/Wheeler_Complexes-semicond.doc
1408.
V.I.Grafutin, E.P.Prokopev, O.V.Ilyukhina, G.G.Myasischeva, S.P.Timoshenkov,
Yu.V.Funtikov Sizes of Vacancies and Pores in Metals, Alloys and Silicon According to
Method of Positron Annihilation Spectroscopy. 2011 International Conference on
Advanced Materials and Computer Science (ICAMCS 2011)will be held on May 1~2,
2010 in Chengdu, China. ICAMCS 2011. №400. http://www.hkedu.org/ismset/index.htm
1409.
V.I.Grafutin, E.P.Prokopev. Possible Development of methods of positron
annihilation spectroscopy for research of nanophenomena to oil and gas industry. 2011
International Symposium on Materials Science and Engineering Technology (ISMSET
2011) ,November 12-13, 2011, Dubai, United Arab Emirates. №404
http://www.hkedu.org/ismset/index.htm
1410.
В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, В.Крщак, Р.Бурцл, П.Хэнер, А.Земан,
О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков, Н.О.Хмелевский.
Определениe размеров и концентраций нанообъектов в облученных металлах и
сплавах методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Тезисы докладов.
Четвертая международная конференция «Деформация и разрушение материалов и
наноматериалов» (DFMN-2011), 25 - 28 октября 2011 г., Москва, Институт
металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова РАН. 2011. IV Всероссийская
конференция по наноматериалам. Москва. 01-04 марта 2011г. / Сборник
материалов. – М.: ИМЕТ РАН, 2011, 574 с.С.121. http://nano.imetdb.ru/materials_NANO_2011.pdf
1411.
E.P.Prokopev. Prospects of development of a problem of physics, chemistry and
technology of antimatter. Abstracts and Paper. International Conference on Physics In
Memoriam Acad. Prof. Matey Mateev (Sofia, Bulgaria, 10-12 April 2011).
http://mail.yandex.ru/message_part_proxy/ThirdAnnouncement.doc?hid=1.2&ids=17100
00001894811441&name=ThirdAnnouncement.doc&filetype=doc
1412.
Е.П.Светлов-Прокопьев. Возможные космические технологии будущего и
проблемы технического прогресса. Труды международного симпозиума
«НАДЕЖНОСТЬ И КАЧЕСТВО-2011». Пенза: Изд-во ПГУ, 2011. См. сайт
конференции
http://www.nika-penza.ru/index.php?action=s_reports&y=2011,
http://www.nika-penza.ru/dir/file/reports.html.
1413.
V.I.Grafutin, E.P.Prokopev, S.P.Timoshenkov. Nanoobject Sizes of Defects in
porous Systems and defective Materials according ADAP Method. Abstracts.
International conference “Functional materials and nanotechnologies”. FM&NT-2011.
Riga,
April 5
8,
2011.
P.181.
http://www.fmnt.lu.lv/fileadmin/user_upload/lu_portal/projekti/konference_fmnt/forms/B
ook-of-Abstracts-FMNT-2011.pdf
,
http://www.fmnt.lu.lv/fileadmin/user_upload/lu_portal/projekti/konference_fmnt/forms/B
ook-of-Abstracts-FMNT-2011.pdf
1414.
Yu.A.Chaplygin, Timoshenkov S.P., V.I.Grafutin, E.P.Prokopev, I.N.Meshkov,
S.L.Yakovenko S.L. Application of bunches of slow positrons for definition of sizes of
vacancies and pores in silicon according method of positron annihilation spectroscopy.
КРЕМНИЙ-2011», Москва, 5-8 июля 2011 г.VIII Международная конференция и VI
Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики,
материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и
приборов
на
его
основе.
Москва:
МИСиС,
2011.
Раздел
6.
http://www.misis.ru/silicon2011/%D0%9F%D1%80%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0
%B0%D0%BC%D0%BC%D0%B0%D0%BA%D0%BE%D0%BD%D1%84%D0%B5%D1%80%D0%B5%D0%BD%D1%
86%D0%B8%D0%B8/%D0%A0%D0%B0%D0%B7%D0%B4%D0%B5%D0%BB-6
1415.
.И.Графутин,
Е.П.Прокопьев,
О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева,
С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков, Н.О.Хмелевский. Определениe размеров и
концентраций нанообъектов в облученных металлах и сплавах методом
позитронной аннигиляционной спектроскопии. Труды XX Международного
совещания «РАДИАЦИОННАЯ ФИЗИКА ТВЁРДОГО ТЕЛА». Севастополь, 20
августа– 25 августа 2011 г.), под редакцией заслуженного деятеля науки РФ, д.ф.м.н., проф. Бондаренко Г.Г. М.: ГНУ «НИИ ПМТ», 2011 г.
http://www.niipmt.ru/Conference_index_2011.doc
1416.
В.И.Графутин, В. О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Г.И.Савельев, Е.П.СветловПрокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. методика Определения размеров,
концентраций и химического состава нанообъектов в облученных металлах и
сплавах методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Статья. V
Международная научно-техническаяконференяия «СОВРЕМЕННЫЕ МЕТОДЫ И
ТЕХНОЛОГИИ СОЗДАНИЯ И ОБРАБОТКИ МАТЕРИАЛОВ». 14 – 16 сентября
2011 г., г. Минск. Республика Беларусь. Минск: Физтех, 2011.
http://af.attachmail.ru/cgibin/readmsg/%d0%9f%d0%a0%d0%9e%d0%93%d0%a0%d0%90%d0%9c%d0%9c%d0
%90%206%20%d0%9c%d0%9d%d0%a2%d0%9a.pdf?rid=14572735712766195396959
6750413973825633&file=%d0%9f%d0%a0%d0%9e%d0%93%d0%a0%d0%90%d0%9c
%d0%9c%d0%90%206%20%d0%9c%d0%9d%d0%a2%d0%9a.pdf&id=131177310100
00000051;0;1&mode=attachment&channel=
1417.
В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Г.И.Савельев, Е.П. Прокопьев,
С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков, Н.О.Хмелевский. Применение позитронной
аннигиляционной спектроскопии для исследования перспективных материалов
атомной и электронной техники. Международная Конференция по физической
мезомеханике, компьютерному конструированию и разработке новых материалов
5–9 сентября 2011 г.Томск, Россия (ИАТЭ НИЯУ МИФИ). 2011. С.31.
http://ispms.ru/ru/meso2011/1/, http://ispms.ru/files/nauchn_vsp/Program_MESO1.doc,
1418.
В.И.Графутин, А.Г.Кобец, И.Н.Мешков, А.Ю.Рудаков, С.Л.Яковенко,
Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков.
Пучки
медленных
позитронов
в
фундаментальных
и
прикладных
исследованиях.
КРЕМНИЙ-2011.
Москва, 5-8 июля 2011 г. VIII Международная конференция и VI Школа молодых
ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения,
технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его
основе.
Москва:
МИСиС,
2011.
Раздел
6.
http://www.misis.ru/silicon2011/%D0%9F%D1%80%D0%BE%D0%B3%D1%80%D0
%B0%D0%BC%D0%BC%D0%B0-
%D0%BA%D0%BE%D0%BD%D1%84%D0%B5%D1%80%D0%B5%D0%BD%D1%
86%D0%B8%D0%B8/%D0%A0%D0%B0%D0%B7%D0%B4%D0%B5%D0%BB-6
1419.
П.Прокопьев. О позитронных состояниях в тонких полупроводниковых
слоях. Всеукраинская конференция с международным участием,посвященная 25летию Института химии поверхностиим. А.А. Чуйко НАН Украины
АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ХИМИИ И ФИЗИКИ ПОВЕРХНОСТИ, 11–13
мая011,
Киев
–
Украина,
2011.
http://www.isc.gov.ua/downloads/programm_ISC_2011_1.pdf
1420.
Графутин В.И., Илюхина О.В., Мясищева Г.Г., Прокопьев Е.П., Савельев
Г.И., Тимошенков С.П, Хмелевский Н.О, Фунтиков Ю.В. Определения энтальпий
образования вакансий в металлах и полупроводниках методом Позитронной
Аннигиляционной Спектроскопии (ПАС). XVIII Международной конференции по
химической термодинамике в России (RCCT-2011), Самара, 3 - 7 октября 2011
года.
1421.
В.И.Графутин,
И.Н.Мешков,
Е.П.Прокопьев,
Ю.В.Фунтиков,
С.Л.Яковенко.Применение и развитие методов позитронной аннигиляционной
спектроскопии для определения природы, концентраций и размеров нанообъектов
в пористых системах, дефектных материалах и наноматериалах. ID=1291012490.
Hаучная
Онлайн-Библиотека
Порталус:
http://www.portalus.ru/modules/science/data/files/prokopiev/ITEP-Pos-Prokop.doc
1422.
V.I.Grafutin, E.P.Prokopiev. Possibilities of positron diagnostics for research of
dust space plasma. Abstracts for JENAM-2011. European Week jf Astronomy and Space
Science. 4-8 July 2011. Saint-Petersburg. Status and prospects in high-energy & particle
astrophysics
across
the
electromagnetic
spectrum..
http://www.jenam2011.org/conf/submission/program/index.php
,
http://www.jenam2011.org/conf/submission/program/
,
http://jenam2011.org/conf/submission/program/jenam2011-program.pdf
1423.
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Анализ физико-химических моделей
скорости роста пленок a  Si : H в силановых плазменных смесях пониженного
давления. Доклад. VI Международный симпозиум по теоретической и прикладной
плазмохимии. 5 - 10 cентября 2011, г. Иваново, Россия. ИГХТУ, 2011.
http://e.mail.ru/cgi-bin/readmsg?id=13104707580000000861&folder=0
1424.
Е.П. Прокопьев, В.И. Графутин, С.П.Тимошенков. Возможное влияние
нанообъектов на свойства полупроводников по данным позитронных
аннигиляционных спектров.V Украинская научная конференция по физике
полупроводников (УНКФП-5) “УНКФП-5”, Украина, Ужгород, 9-15 октября 2011
г. ВИНУ, Ужгород. http://www.web.isp.kiev.ua/dmdocuments/files/USCPS5/ProgramUSCPS-5-F.pdf
1425.
E.P. Prokopev. Possibilities of reception and application of antimatter. Space of
galactic center. (ISPC 20). International Symposium on Plasma Chemistry. Philadelphia.
USA.
Loews
Hotel.
July
24
29,
2011.
ISPC.http://ispc20.plasmainstitute.org/program/ISPC20_Prelim_Sci_Program.pdf
1426.
Графутин В.И., Илюхина О.В., Мясищева, Г.Г., Прокопьев Е.П., Савельев Г.И.,
Фунтиков Ю.В.,Хмелевский Н.О. ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОНЦЕНТРАЦИЙ И
ХИМИЧЕСКОГО СОСТАВА ЦЕНТРОВ ЗАХВАТА ПОЗИТРОНОВ В
ОБЛУЧЕННЫХ МЕТАЛЛАХ И СПЛАВАХ ПО РАЗНОСТНЫМ ЗНАЧЕНИЯМ
ИНТЕНСИВНОСТЕЙ КОМПОНЕНТ I p и I gi В СПЕКТРАХ УРАФ. Труды 5
Белорусского
Космического
Конгресса..
http://cosmos.basnet.by/belcosm5/docs/volumes1-2.rar .С.120.
E.P.Prokopev. Possible Prospects of Development of a Problem of Physics,
Chemistry and Technology of Antimatter. Второй международный Симпозиум
1427.
«Нанотехнологии, энергетика и космос». Черноголовка, Россия (август 3-5, 2011).
http://purple.iptm.ru/NES-2011/files/Program_July21.pdf
Прокопьев Е.П., Графутин В.И., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В.
Возможное влияние нанообъектов на свойства полупроводников, металлов и
сплавов по данным позитронных аннигиляционных спектров. Тезисы доклада.
ВТОРЫЕ Московские чтения по проблемам прочности, посвященные 80-летию со
дня рождения академика РАН Ю.А. Осипьяна, 10 – 14 октября 2011 г., Москва,
Черноголовка.
http://www.crys.ras.ru/~strength/?q_id=_spis,
http://www.crys.ras.ru/~strength/prog.pdf
1428.
Графутин В.И., Штоцкий В.Ю., Мьо Зо Хтут, Илюхина О.В., Мясищева Г.Г.,
Прокопьев Е.П., Савельев Г.И., Фунтиков Ю.В. Аннигиляция позитронов в
азотистых сталях. Второй международный Симпозиум «Нанотехнологии,
энергетика
и
космос».
Черноголовка,
Россия
(август
3-5,
2011).
http://purple.iptm.ru/NES-2011/files/Program_July21.pdf
1429.
V.I.Grafutin, E.P.Prokopev, S.P.Timoshenkov. Research of the influence of voids
of nanoobject hollows on evolution of nanomaterials’ properties by ADAP method.
Micro
and
Nanosystems
(MNS).
2011.
http://www.crys.ras.ru/rsne/documents/rsne2011_reports.pdf
1430.
Графутин В.И., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П. Применение методов
позитронной аннигиляционной спектроскопии для исследования природы,
размеров и концентраций нанообъектов в конденсированной фазе. Тезисы
докладов. III МЕЖДУНАРОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ с элементами научной школы
для молодых ученых «Функциональные наноматериалы и высокочистые
вещества». Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова РАН, г.
Москва. 4 oктября – 8 октября 2010 г., г. Суздаль. http://fnm2010.ruconf.ru/program /
. С.40.
1431.
Е.П. Прокопьев. О физике, химии и технологии антивещества. 2011.
http://scilance.com/library/book/9716
1432.
И.Н.Мешков, Графутин В.И., Илюхина О.В., Мясищева Г.Г., Прокопьев Е.П.,
Савельев Г.И., Фунтиков, Ю.В. Хмелевский Н.О, С.Л.Яковенко. Определение
размеров дефектов вакансионного типа в ангстремных диапазонах в
конденсированной фазе методами позитронной аннигиляционной спектроскопии.
Научная сессия-конференция секции ЯФ ОФН РАН «Физика фундаментальных
взаимодействий». г. Москва, 21 - 25 ноября 2011 г. Секция ядерной физики
Отделения физических наук Российской академии наук и Институт теоретической
и экспериментальной физики имени А.И. Алиханова. ИТЭФ: Москва, 2011.
http://matras.itep.ru/npd2k11/programm8.rtf
1433.
Богданович Б.Ю. Графутин В.И., Прокопьев Е.П. и др. Применения
ядерно-физических и электрофизических методов для исследований наноявлений в
технологиях атомного, электронного и космического материаловедения. Научная
сессия-конференция секции ЯФ ОФН РАН «Физика фундаментальных
взаимодействий». г. Москва, 21 - 25 ноября 2011 г. Секция ядерной физики
Отделения физических наук Российской академии наук и Институт теоретической
и экспериментальной физики имени А.И. Алиханова. ИТЭФ: Москва, 2011.
http://matras.itep.ru/npd2k11/programm8.rtf
1434.
Козлов Ю.Ф, Чаплыгин Ю.А., Тимошенков С.П., Графутин В.И., Прокопьев
Е.П., Фунтиков Ю.В. Определение методом ПАС радиусов пор, их концентраций и
химического состава окружения в пористом кремнии и кремнии, облученном
протонами. Модели сферической и цилиндрической пор. Статья на XI
1435.
МЕЖДУНАРОДНОЙ
НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ
КОНФЕРЕНЦИИ
«ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ
ПРОБЛЕМЫ
РАДИОЭЛЕКТРОННОГО
ПРИБОРОСТРОЕНИЯ»
(
INTERMATIC
2011
)
2011.
http://www.conf.mirea.ru/cat/?cat=3
Прокопьев
Е.П.
Возможное
развитие
методов
позитронной
аннигиляционной
спектроскопии
для
исследования
наноявлений
в
нефтегазодобыче. Тезисы доклада 8-ой Международной конференции «Ядерная и
радиационная физика», 20-23 сентября 2011 г., Алматы, Республика Казахстан,
Институт ядерной физики Национального Ядерного Центра РК. С.47-49.
http://www.inp.kz/konferencii/tezisy-konferencii
1436.
Прокопьев Е.П. «ГАЗ» ВСЕЛЕННЫХ И ВОЗМОЖНАЯ КОНЦЕПЦИЯ
ВЕЧНОСТИ. Тезисы доклада 8-ой Международной конференции «Ядерная и
радиационная физика», 20-23 сентября 2011 г., Алматы, Республика Казахстан,
Институт ядерной физики Национального Ядерного Центра РК. С.50.
http://www.inp.kz/konferencii/tezisy-konferencii
1437.
V.I.Grafutin, O.V.Ilyukhina, G.G.Myasischeva, E.P.Prokopev, G.I..Savelev,
Yu.V.Funtikov. Abstracts. Definition nanoobject sizes of defects in porous systems and
defective materials according ADAP method. Electron, positron, neutron and X – ray
scatering undering external influences. October 18 – 22, 2011, Yerevan – Meghri,
Armenia (October 16– 17, 2011, International School named after G. A. Askaryan).
http://iapp.am/conference/hosting/file/Program_Megri_2011.pdf
1438.
В.И.Графутин,
О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева,
Е.П.Прокопьев,
Ю.В.Фунтиков. ВОЗМОЖНОЕ ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДОВ ПОЗИТРОННОЙ
АННИГИЛЯЦИОННОЙ
СПЕКТРОСКОПИИ
ДЛЯ
ИССЛЕДОВАНИЯ
НАНОЯВЛЕНИЙ В НЕФТЕГАЗОДОБЫЧЕ. Труды Первой Международной
научно-технической
конференции
«Нанотехнологии
функциональных
атериалов».СанктПетербург, 22 - 24 сентября 2010 г. СанктПетербург. Изд-во
СПбГПУ,
2011.
С.546-548.
http://nru.spbstu.ru/scientific_events/conference_nanotechnology/collection/
1439.
Е.П.Прокопьев,
В.И Графутин, С.П.Тимошенков. В кн.: NOVEL
MATERIALS AND TECHNOLOGIES FOR SPACE ROCKETS // О связанных
состояниях позитрона на вакансиях и порах в металлах. Космический вызов XXI
века. 2011.Т.4-1-21. C.155-159.
1440.
E.P.Prokopev. Paper. PROSPECTS OF DEVELOPMENT OF A PROBLEM OF
PHYSICS, CHEMISTRY AND TECHNOLOGY OF ANTIMATTER. (ITEP) Moscow,
Russia
117218.
(The
100-Year
Starship
study),
http://www.centauridreams.org/?p=18416
1441.
E.P.Prokopev. Abstracts. PROSPECTS OF DEVELOPMENT OF A PROBLEM
OF PHYSICS, CHEMISTRY AND TECHNOLOGY OF ANTIMATTER. (ITEP)
Moscow, Russia 117218. (The 100-Year Starship study)
1442.
В. И. Графутин, И. Н. Мешков, Е. П. Прокопьев, Н. О. Хмелевский, С. Л.
Яковенко. ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАЗМЕРОВ ДЕФЕКТОВ ВАКАНСИОННОГО ТИПА
В
АНГСТРЕМНЫХ
ДИАПАЗОНАХ
МЕТОДАМИ
ПОЗИТРОННОЙ
АННИГИЛЯЦИОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ МИКРОЭЛЕКТРОНИКА, 2011, том
40, № 5, с.68-75. См. также: http://rudocs.exdat.com/docs/index-339253.html.
1443.
Е.П.Прокопьев. Исследования аннигиляции позитронов на нейтральных
примесных атомах в конденсированной фазе. Петербургский журнал электроники.
2012. №1. С.11-17.
1444.
E.P.Prokopev. Prospects of development of a problem of physics, chemistry and
technology of antimatter. Abstracts and paper of 5th International Conference
(CHAOS2012)
on
Chaotic
Modeling,
Simulation
and
Applications
(http://www.cmsim.org/). 2012. Draft Version, Book of Abstracts CHAOS 2012. 5th
Chaotic Modeling and Simulation International Conference. 12-15 June 2012 Athens,
Greece. P.129.
1445.
E.P.Prokopev. About possible various forms of World Reason Abstracts and paper
of 5th International Conference (CHAOS2012) on Chaotic Modeling, Simulation and
Applications (http://www.cmsim.org/). 2012. 2012. Draft Version, Book of Abstracts
CHAOS 2012. 5th Chaotic Modeling and Simulation International Conference. 12-15
June 2012 Athens, Greece. P.129-131.
1446.
В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков. Возможность определения
размеров нанообъектов в ИТЭР материалах по методу ПАС. Тезисы докладов
XXXIX Международной (Звенигородской) конференции по физике плазмы и
управляемому термоядерному синтезу. г. Звенигород Московской обл. 6 – 10
февраля
2012
года.
Статья
на
лазерном
диске:
Найти слова
www.fpl.gpi.ru/.../XXXVII/Lt/ru/KN-Prokop'ev.doc.
1447.
Е.П.Прокопьев. Структура и аннигиляционные характеристики позитронных
центров в кристаллах. ID=1317811741. Hаучная Онлайн-Библиотека Порталус:
http://www.portalus.ru/modules/science/data/files/prokopiev/Positron-centers-Report.pdf
1449.
В.И.Графутин, Л.Ельникова, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев,
Г.И.Савельев, Ю.В.Фунтиков. Определение размеров нанообъектов в МКАТ по
методу ПАС. Тезисы докладов 10-ой Международной конференции «Авиация и
космонавтика - 2011», 8–10 ноября 2011 года, посвященная 100-летию со дня
рождения знаменитого советского конструктора ракетно-космических комплексов
М. К. Янгеля. М.: МАИ, ФГУП «ЦНИИмаш. http://www.ihst.ru/~akm/36s19.htm
1450.
В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев. Определение размеров нанообъектов в
материалах космической техники по методу позитронной аннигиляционной
спектроскопии. Тезисы докладов и Программа XXXVI Академических Чтений по
космонавтике, посвященные памяти академика С.П.Королева и других
выдающихся отечественных ученых – пионеров освоения космического
пространства
http://www.ihst.ru/%7Eakm/36t19.htm
http://www.ihst.ru/~akm/36t11.htm,
1451.
В.И.Графутин, Е.П. Прокопьев. О Влиянии нанообъектов на прочностные
свойства металлов и сплавов по данным позитронных аннигиляционных спектров.
Научная сессия МИФИ-2012. Секция 10. Радиационные методы и приборы для
исследования
структуры
и
свойств
вещества:
http://ns2011.mephi.ru/default.asp?page=34&part=null&doc=246
1452.
В.И.Графутин, Е.П. Прокопьев. Ю.В.Фунтиков. Размеры нанообъектов в
ИТЭР и пористых материалах по данным позитронной нанодиагностики Научная
сессия МИФИ-2012. Направление №1. Инновационные ядерные технологии.
Секция
09.
ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ
УЛЬТРАДИСПЕРСНЫЕ
(НАНО-)
МАТЕРИАЛЫ В АТОМНОЙ ОТРАСЛИ. http://ns2012.mephi.ru/prog/09/09.htm
1453.
В.И. Графутин,
О.В. Илюхина,
Г.Г. Мясищева,
Е.П. Прокопьев,
Г.И. Савельев, Ю.В. Фунтиков. Влияние нанообъектов на прочностные свойства
металлов и сплавов по спектрам УРАФ. Тезисы доклада. МЕЖДУНАРОДНАЯ
КОНФЕРЕНЦИЯ ПО МЕХАНИКЕ "ШЕСТЫЕ ПОЛЯХОВСКИЕ ЧТЕНИЯ".
Посвящается 95-летиюсо дня рождения С.В. Валландера. 31 января - 3 февраля
2012 г., Санкт-Петербург, Россия. Секция IV. Механика деформируемого твердого
тела.
http://www.math.spbu.ru/Polyakhov2012/4.html,
http://www.math.spbu.ru/Polyakhov2012/en/4.html
1448.
V.I.Grafutin, E.P.Prokopev. Possibilities of positron diagnostics for research of
dust
space
plasma.,
poster
presentation
http://www.cesr.fr/~pvb/astropositron/program_files/astropositron_program_09_03_2012
.pdf
1455.
В.И.Графутин, Е.П. Прокопьев, Л.В.Ельникова. Size of nanoobjects in oil and
gas species and materials with positron annihilation spectroscopy. Advanced Science,
Engineering
and
Medicine'.
Proc.
of
ICN
2012
,
http://
http://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/1202/1202.2266.pdf
1456.
Е.П.Прокопьев. Синергетические подходы к проблемам эволюции свойств
материалов
и
наноматериалов
на
основе
кремния.
2012.
//
http://www.portalus.ru/modules/science/data/files/prokopiev/Nonlin-_PhenomProkop.pdf
1457.
E.P.Prokopev. Possible development of a problem of physics, chemistry and
technology of antimatter for Projects of ((macro  Micro) - , Micro - , nano –
Spaceships.
Portalus:
http://www.portalus.ru/modules/science/data/files/prokopiev/Project-Prokop-Paper.pdf
1458.
В.И.Графутин, С.П.Тимошенков, В. О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева,
Г.И.Савельев, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков, Н.О.Хмелевский.
Методика определения размеров, концентраций и химического состава
нанообъектов в облученных металлах и сплавах методом позитронной
аннигиляционной спектроскопии. Электронный научно-технический журнал
"Современные материалы и технологии", http://es.rae.ru/mmt/128-343
1459.
Е.П.Прокопьев. Антивещество: перспективы развития проблемы физики,
химии и технологии. Электронный научно-технический журнал "Современные
материалы и технологии", http://es.rae.ru/mmt/128-342
1460.
V.I.Grafutin, E.P.Prokopev. Research by method of positron annihilation
spectroscopy of condensed matter with its own radiation. Забабахинские научные
чтения
(ЗНЧ)
- ЗНЧ-2012.
XI
Международная
конференция..
http://www.vniitf.ru/images/zst/2012/program%20zst2012_got.pdf
1461.
Eugene P. Prokopev. On possible development of a problems of physics,
chemistry
and
technology
of
antimatter
For
Projects
of
Spaceships.http://www.portalus.ru/modules/science/data/files/prokopiev/PortalusProkopev-Paper.doc
1462.
В.И.Графутин,
Ю.Ф.Козлов,
О.В.Илюхина,
В.Ю.Милосердин,
Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, Г.И.Савельев, С.П.Тимошенков, Ю.В. Фунтиков,
Ю.А.Чаплыгин. Возможность определения размеров нанообъектов в ИТЭР
материалах (пористых системах, дефектных материалах и наноматериалах) по
методу позитронной аннигиляционной спектроскопии. Электронный научнотехнический журнал "Современные материалы и технологии". 2012. №2.
URL:http://es.rae.ru/mmt/132-395
1463.
С.П.Тимошенков,
Б.М.Симонов,
В.И.Графутин,
Е.П.Прокопьев,
А.С.Тимошенков, И.М.Бритков, О.М.Бритков, С.С.Евстафьев ВОЗМОЖНОСТИ
Определения природы и плотности дислокаций в твердых телах методом
позитронной аннигиляционной спектроскопии (Обзор) // Современные материалы
и технологии. – 2012. – № 3; URL: www.es.rae.ru/mmt/145-410 (дата обращения:
14.03.2012).
1464.
В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев. Определение методом УРАФ электронных
свойств переходных металлов. // Современные материалы и технологии. – 2012. –
№3. URL: www.es.rae.ru/mmt/145-470 (дата обращения: 26.03.2012).
1465.
И.М.Бритков, О.М.Бритков, В.И.Графутин, С.С.Евстафьев, О.В. Илюхина,
Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Изучение
радиационных нарушений в полупроводниковых соединениях A3 B 5 , облученных
1454.
- квантами и протонами, методом позитронной аннигиляционной

спектроскопии. Поверхность. 2012. №12. С.22-28.
1466.
V. I. Grafutin, I. M. Britkov, O. M. Britkov, S. S. Evstaf’ev, O. V. Ilyukhina, G.
G. Myasishcheva, E. P. Prokop’ev, S. P. Timoshenkov, and Yu. V. Funtikov. Study of
Radiation_Induced Damage to Type III–V Semiconductor Compounds Irradiated with γ
Quanta and Protons Using Positron Annihilation Spectroscopy. Journal of Surface
Investigation. X_ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2012, Vol. 6, No. 6, pp. 964–
970.
1467.
Ю.А.Чаплыгин,
В.Ф.Козлов,
С.П.Тимошенков,
В.И.Графутин,
Е.П.Прокопьев Е.П., Фунтиков Ю.В. Определение параметров сферических и
цилиндрических объектов в кремнии методом позитронной аннигиляционной
спектроскопии. Наноматериалы и наноструктуры –XXI век. 2011. №3. С.3-14.
http://www.radiotec.ru/catalog.php?cat=jr18&art=10341
1468.
В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Ю.Ф.Козлов, И.Н.Мешков, Г.Г.Мясищева, Е.П
Прокопьев., Г.И.Савельев, С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин, Ю.В.Фунтиков,
Н.О.Хмелевский, С.Л.Яковенко. Определение природы, концентраций и размеров
нанообъектов в технически важных материалах и наноматериалах методами
позитронной аннигиляционной спектроскопии. Обзор. Сайт: Нанотехнологическое
общество
России,
http://www.rusnor.org/pubs/reviews/8233.htm.,
http://www.rusnor.org/upload/My/nauka/pozprok.pdf; см. также сайт: Hаучная
Онлайн-Библиотека
Порталус:
Вопросы
науки,
http://www.rusnor.org/pubs/reviews/8233.htm, ID=1291012490.
1469.
E.P.Prokopev. «On possible development of a problems of physics, chemistry and
technology of antimatter For Projects of Spaceships»: Сайт: Нанотехнологическое
общество России, http://www.rusnor.org/pubs/articles/8246.htm.
1470.
Е.П.Прокопьев. Сайт: Нанотехнологическое общество России Перспективы
развития
проблемы
высоких
космических
технологий
будущего.
http://www.rusnor.org/pubs/reviews/8257.htm,
http://www.rusnor.org/pubs/reviews/8233.htm,
http://www.rusnor.org/pubs/reviews/8257.htm,
http://www.rusnor.org/pubs/articles/8246.htm
1471.
Графутин В.И., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В., Размеры
и концентрации нанообъектов в облученных металлах и сплавах по данным метода
позитронной аннигиляционной спектроскопии (обзор). Заводская лаборатория.
2012. Т.78. №5. С.27-34. http://elibrary.ru/item.asp?id=17711169
1472.
Е.П.Прокопьев. Исследования аннигиляции позитронов на нейтральных
примесных атомах в конденсированной фазе. Петербургский журнал электроники.
2012. №1. С.11-17.
1473.
E.P.Prokopev. Prospects of development of a problem of physics, chemistry and
technology of antimatter. Abstracts and paper of 5th International Conference
(CHAOS2012)
on
Chaotic
Modeling,
Simulation
and
Applications
(http://www.cmsim.org/). 2012. Draft Version, Book of Abstracts CHAOS 2012. 5th
Chaotic Modeling and Simulation International Conference. 12-15 June 2012 Athens,
Greece. P.129. http://www.cmsim.org/images/Program_CHAOS2012_Final.pdf ,
http://www.cmsim.org/images/Program_CHAOS2012_Final.pdf
1474.
E.P.Prokopev. About possible various forms of World Reason Abstracts and paper
of 5th International Conference (CHAOS2012) on Chaotic Modeling, Simulation and
Applications (http://www.cmsim.org/). 2012. 2012. Draft Version, Book of Abstracts
CHAOS 2012. 5th Chaotic Modeling and Simulation International Conference. 12-15
June
2012
Athens,
Greece.
P.129-131.
http://www.cmsim.org/images/Program_CHAOS2012_Final.pdf
В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков. Возможность определения
размеров нанообъектов в ИТЭР материалах по методу ПАС. Тезисы докладов
XXXIX Международной (Звенигородской) конференции по физике плазмы и
управляемому термоядерному синтезу. г. Звенигород Московской обл. 6 – 10
февраля
2012
года.
Статья
на
лазерном
диске:
Найти слова
www.fpl.gpi.ru/.../XXXVII/Lt/ru/KN-Prokop'ev.doc.
1476.
Е.П.Прокопьев. Структура и аннигиляционные характеристики позитронных
центров в кристаллах. ID=1317811741. Hаучная Онлайн-Библиотека Порталус:
http://www.portalus.ru/modules/science/data/files/prokopiev/Positron-centers-Report.pdf
1477.
В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев. Определение размеров нанообъектов в
МКАТ по методу ПАС. Тезисы докладов 10-ой Международной конференции
«Авиация и космонавтика - 2011», 8–10 ноября 2011 года, посвященная 100-летию
со дня рождения знаменитого советского конструктора ракетно-космических
комплексов
М.
К.
Янгеля.
М.:
МАИ,
ФГУП
«ЦНИИмаш..
http://www.ihst.ru/~akm/36s19.htm
1478.
В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев. Влияние самоизлучения на позитронные
аннигиляционные спектры конденсированных сред. Тезисы докладов X
КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ВЫСОКИХ ЭНЕРГИЙ, ЯДЕРНОЙ ФИЗИКЕ И
УСКОРИТЕЛЯМ (ХАРЬКОВ, ННЦ ХФТИ, 27 февраля – 2 марта 2012 г.
http://www.kipt.kharkov.ua/ihepnp_2012_prog.html
1479.
В.И.Графутин,
Е.П.Прокопьев. Определение размеров нанообъектов в материалах космической
техники по методу позитронной аннигиляционной спектроскопии. Тезисы
докладов и Программа XXXVI Академических Чтений по космонавтике,
посвященные памяти академика С.П.Королева и других выдающихся
отечественных ученых – пионеров освоения космического пространства
http://www.ihst.ru/%7Eakm/36t19.htm
,
Секция
19
С.?
http://www.ihst.ru/~akm/36t11.htm,
1480.
Е.П.Прокопьев. Определение размеров нанообъектов в материалах
космической техники по методу позитронной аннигиляционной спектроскопии.
Тезисы докладов и Программа XXXVI Академических Чтений по космонавтике,
посвященные памяти академика С.П.Королева и других выдающихся
отечественных ученых – пионеров освоения космического пространства
«КОРОЛЕВСКИЕ ЧТЕНИЯ». Январь-Февраль 2012 г. М.: МГТУ им. Н.Э.Баумана,
2012.
Секция
19
http://www.ihst.ru/%7Eakm/36t19.htm
,
http://www.ihst.ru/~akm/36t11.htm
1481.
В.И.Графутин, Е.П. Прокопьев. О Влиянии нанообъектов на прочностные
свойства металлов и сплавов по данным позитронных аннигиляционных спектров.
Научная сессия МИФИ-2012. Секция 10. Радиационные методы и приборы для
исследования
структуры
и
свойств
вещества:
http://ns2011.mephi.ru/default.asp?page=34&part=null&doc=246
1482.
В.И.Графутин, Е.П. Прокопьев. Ю.В.Фунтиков. Размеры нанообъектов в
ИТЭР и пористых материалах по данным позитронной нанодиагностики Научная
сессия МИФИ-2012. Направление №1. Инновационные ядерные технологии.
Секция
09.
ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ
УЛЬТРАДИСПЕРСНЫЕ
(НАНО-)
МАТЕРИАЛЫ В АТОМНОЙ ОТРАСЛИ.. http://ns2012.mephi.ru/prog/09/09.htm
1483.
В.И. Графутин,
О.В. Илюхина,
Г.Г. Мясищева,
Е.П. Прокопьев,
Г.И. Савельев, Ю.В. Фунтиков. Влияние нанообъектов на прочностные свойства
металлов и сплавов по спектрам УРАФ. Тезисы доклада. МЕЖДУНАРОДНАЯ
КОНФЕРЕНЦИЯ ПО МЕХАНИКЕ "ШЕСТЫЕ ПОЛЯХОВСКИЕ ЧТЕНИЯ".
Посвящается 95-летиюсо дня рождения С.В. Валландера. 31 января - 3 февраля
2012 г., Санкт-Петербург, Россия. Секция IV. Механика деформируемого твердого
1475.
тела.
http://www.math.spbu.ru/Polyakhov2012/4.html.
http://www.math.spbu.ru/Polyakhov2012/en/4.html
1484.
Графутин В.И., Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков. Размеры нанообъектов в
ИТЭР и пористых материалах по данным позитронной нанодиагностики. Научная
сессия МИФИ-2012. Секция Э-7. «Ультрадисперсные (нано-) материалы».
http://ns2012.mephi.ru/prog/09/09.htm
1485.
V.I.Grafutin, E.P.Prokopev. Possibilities of positron diagnostics for research of
dust
space
plasma.
poster
presentation
http://www.cesr.fr/~pvb/astropositron/program_files/astropositron_program_09_03_2012
.pdf
1486.
E.P.Prokopev. Definition of Nanoobject sizes of defects in porous systems and
defective materials according ADAP method. The 16th World Multi-Conference on
Systemics, Cybernetics and Informatics: WMSCI 2012 July 17th - 20th, 2012 – Orlando,
Florida, USA. URL: http://www.iiis2012.org/wmsci/pevaluation.asp User-ID: Eugene
Password:
E8408P
http://www.iiis2012.org/wmsci/Pevaluation/ep1.asp?login=Eugene&password=E8408P
%20&vc=1&id_author=0000005&ma=1
(URL:
http://www.iiis2012.org/wmsci/pevaluation.asp,
1487.
V.I.Grafutin, L.V.Elnikova, O.V.Ilyukhina, G.G.Myasishcheva, E.P.Prokopev,
Yu.V.Funtikov. Possible Development of methods of positron annihilation spectroscopy
for research of nanophenomena to oil and gas industry. .Abstracts. International
Conference on Nanomaterials Synthesis, Characterization and Applications (ICN 2012),
12-15 Januar, 2012 Centre for Nanoscience and Nanotechnology at Mahatma Gandhi.
http://www.nanomaterials.macromol.in/programme.html#
1488.
Size of nanoobjects in oil and gas species and materials with positron annihilation
spectroscopy Authors: V. I. Grafutin, E. P. Prokopev, L. V. Elnikova Comments: 2
tables, to appear in 'Advanced Science, Engineering and Medicine', the Proc. of ICN
2012
,
http://arxiv.org/find/physics/1/au:+Prokopev_E/0/1/0/all/0/1,
http://eprintweb.org/S/authors/All/P/E_Prokopev
,
http://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/1202/1202.2266.pdf
1489.
V.I.Grafutin, E.P.Prokopev. Paper. Nanoobject sizes of Defects in porous systems
and defective materials according ADAP method. International Conference on
Nanomaterials Synthesis, Characterization and Applications (ICN 2012), 12-15 Januar,
2012 Centre for Nanoscience and Nanotechnology at Mahatma Gandhi/
http://www.nanomaterials.macromol.in/programme.html#
1490.
Е.П.Прокопьев. Определение энтальпий образования вакансий в технически
важных материалах методом позитронной аннигиляционной спектроскопии.
Статья
в
Трудах
Международной
научно-технической
конференции
«Нанотехнологии функциональных материалов» (НФМ’12). СанктПетербург, 27 29
июня
2012
г.
СанктПетербург.
Изд-во
СПбГПУ,
2012.
http://www.spbstu.ru/conference/2012/nfm.asp,
http://www.spbstu.ru/conference/2012/nfm_2012_program.doc
1491.
В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков. Определение размеров
нанообъектов в пористых системах и дефектных материалах по методу УРАФ в
ИТЕР материаловедении. Статья в Трудах Международной научно-технической
конференции «Нанотехнологии функциональных материалов» (НФМ’12).
СанктПетербург, 27 - 29 июня 2012 г. СанктПетербург. Изд-во СПбГПУ, 2012.».
http://www.spbstu.ru/conference/2012/nfm.asp,
http://www.spbstu.ru/conference/2012/nfm_2012_program.doc СанктПетербург, 27 29
июня
2012
г.
СанктПетербург.
Изд-во
СПбГПУ,
2012.
http://nru.spbstu.ru/scientific_events/conference_nanotechnology/collection/
V.I.Grafutin, O.V.Ilyukhina, G.G.Myasischeva, E.P.Prokopev, G.I..Savelev,
Yu.V.Funtikov. Paper. Definition nanoobject sizes of defects in porous systems and
defective materials according ADAP method. Electron, positron, neutron and X – ray
scatering undering external influences. October 18 – 22, 2011, Yerevan – Meghri,
Armenia (October 16– 17, 2011, International School named after G. A. Askaryan).
http://iapp.am/conference/hosting/file/Program_Megri_2011.pdf
1493.
Е.П.Прокопьев. Синергетические подходы к проблемам эволюции свойств
материалов и наноматериалов на основе кремния. 2012. //. (\D\2010\Я и
Разное\Portulas\NonlinearPhenomena-Prokop.doc).
http://www.portalus.ru/modules/science/data/files/prokopiev/Nonlin-_PhenomProkop.pdf
1494.
E.P.Prokopev. Possible development of a problem of physics, chemistry and
technology of antimatter for Projects of ((macro  Micro) - , Micro - , nano –
Spaceships.
Portalus:
http://www.portalus.ru/modules/science/data/files/prokopiev/Project-Prokop-Paper.pdf
1495.
E.P.Prokopev. Possible development of a problem of physics, chemistry and
technology of antimatter for Projects of ((Macro  Micro) - , Micro - , Nano –
Spaceships). “NANO2012”. XI International Conference on Nanostructured Materials,
August 26-31, 2012 (NANO2012). ССЫЛКИ № 43.1329647704 Rodos, Greece.
1496.
В.И.Графутин, С.П.Тимошенков, В. О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева,
Г.И.Савельев, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков, Н.О.Хмелевский.
Методика определения размеров, концентраций и химического состава
нанообъектов в облученных металлах и сплавах методом позитронной
аннигиляционной спектроскопии. Электронный научно-технический журнал
"Современные материалы и технологии", http://mmt.esrae.ru/128-343
1497.
Е.П.Прокопьев. Антивещество: перспективы развития проблемы физики,
химии и технологии. Электронный научно-технический журнал "Современные
материалы и технологии", http://mmt.esrae.ru/128-342
1498.
В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев. V.I.Grafutin, E.P.Prokopev.ИССЛЕДОВАНИЯ
МЕТОДОМ ПОЗИТРОННОЙ аннигиляционной спектроскопии конденсированных
сред с самоизлучением. RESEARCH by METHOD positron annihilation spectroscopy
of condensed matter with its own radiation. Забабахинские научные чтения (ЗНЧ) ЗНЧ-2012. XI Международная конференция. С.? В печати
(С\ПапкаD\Тез
Докл\2012\
Снежинск
Забабахинские
Чтения
2012(8).
http://www.vniitf.ru/images/zst/2012/program%20zst2012_got.pdf
1499.
Eugene P. Prokopev. On possible development of a problems of physics,
chemistry
and
technology
of
antimatter
For
Projects
of
Spaceships.http://www.portalus.ru/modules/science/data/files/prokopiev/PortalusProkopev-Paper.doc
1500.
В.И.Графутин,
Ю.Ф.Козлов,
О.В.Илюхина,
В.Ю.Милосердин,
Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, Г.И.Савельев, С.П.Тимошенков, Ю.В. Фунтиков,
Ю.А.Чаплыгин. Возможность определения размеров нанообъектов в ИТЭР
материалах (пористых системах, дефектных материалах и наноматериалах) по
методу позитронной аннигиляционной спектроскопии. Электронный научнотехнический журнал "Современные материалы и технологии". 2012. №2.
http://mmt.esrae.ru/132-395
1501.
С.П.Тимошенков,
Б.М.Симонов,
В.И.Графутин,
Е.П.Прокопьев,
А.С.Тимошенков, И.М.Бритков, О.М.Бритков, С.С.Евстафьев Возможности
определения природы и плотности дислокаций в твердых телах методом
позитронной аннигиляционной спектроскопии (обзор). Электронный научнотехнический журнал Современные материалы и технологии. – 2012. – № 3; URL:
www. http://mmt.esrae.ru/145-410
1492.
В.И.Графутин, Ю.Ф.Козлов, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, Г.И.Савельев,
С.П.Тимошенков, Ю.В. Фунтиков, Ю.А.Чаплыгин. Развитие методов позитронной
аннигиляционной
спектроскопии
для
исследования
наноявлений
в
нефтегазодобыче. Статья и тезисы доклада IX Научной конференции "Аналитика
Сибири и Дальнего Востока". 8-13 октября. СФУ. 2012 г., г. Красноярск. Ссылка:
http://conf.sfu-kras.ru/user/1470
1503.
E.P.Prokopev. Possible development of a problem of physics, chemistry and
technology of antimatter For Projects of Spaceships. Статья и тезисы доклада 62
международной конференции «Ядро 2012» «Фундаментальные проблемы ядерной
физики, атомной энергетики и ядерных технологий»(62 Совещание по ядерной
спектроскопии и структуре атомного ядра) Воронеж, 25 – 30 июня 2012 года,
http://www.science.vsu.ru/files/conf_402_3.pdf
1504.
V.I. Grafutin, O.V. Ilyukhina, E.P. Prokopev. Research method positron
annihilation spectroscopy of condensed matter with its own radiation.. Статья и тезисы
доклада 62 международной конференции «Ядро 2012» «Фундаментальные
проблемы ядерной физики, атомной энергетики и ядерных технологий»(62
Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра) Воронеж, 25 –
30 июня 2012 года, http://www.science.vsu.ru/files/conf_402_3.pdf
1505.
Е.П.Прокопьев. Проблема получения антивещества с использованием
энергии солнца Труды международного симпозиума «НАДЕЖНОСТЬ И
КАЧЕСТВО-2011». Пенза: Изд-во ПГУ, 2012. См. сайт конференции:
http://www.nika-penza.ru,. http://www.nika-penza.ru/dir/file/reports.html
1506.
В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев. Определение методом УРАФ электронных
свойств переходных металлов. // Современные материалы и технологии. – 2012. –
№3.
URL:(дата
обращения:
26.03.2012).
http://mmt.esrae.ru/145-470
http://mmt.esrae.ru/145-470
1507.
В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев. Определение методом УРАФ электронных
свойств переходных металлов. ID=1333199073,. Hаучная Онлайн-Библиотека
Порталус: http://www.portalus.ru/modules/science/data/files/prokopiev/Method-ADAPProkopev.pdf
1508.
Е.П.Прокопьев. Перспективы развития высоких космических технологий
будущего. Тезисы докладов. 10th International Workshop on Magneto-Plasma
Aerodynamics, Moscow, Russia, April 10 – 12, 2012. Москва. 25 – 30 июня 2012 года,
http://e.mail.ru/cgibin/getattach?id=13334032670000000968%3B0%3B1&file=AGENDA+11WS.docx&m
ode=attachment&channel=
1509.
Графутин В.И., Залужный А.Г., Бугаенко В.Л., Илюхина О.В., Мясищева
Г.Г., Прокопьев Е.П., Рогожкин С.В., Савельев Г.И., Тимошенков С.П., Фунтиков
Ю.В., Хмелевский Н.О. Исследования внутренней структуры металлов, сплавов и
интерметаллидных соединений методами позитронной аннигиляционной
спектроскопии Труды XXII Международное совещания "Радиационная физика
твердого тела". (Севастополь, 9 - 14 июля 2012 г.), под редакцией заслуженного
деятеля науки РФ, д.ф.-м.н., проф. Бондаренко Г.Г. М.: ГНУ «НИИ ПМТ», 2012 г.,
С.624-635.
1510.
Е.П.Прокопьев. Системы со многими позитронами и электронами. I.
Позитроны и позитроний, позитронные и позитрониевые комплексы в твердых
телах. Обзор. Петербургский журнал электроники. 2012. Вып.2(67). С.3-26. См.
также URL:http://science.snauka.ru/wp-content/uploads/2012/10/Report_Prokopev.pdf,
http://mmt.esrae.ru/145-864
1511.
Е.П.Прокопьев. Позитроны, позитроний, позитронные и позитрониевые
комплексы в кристалле. Особенности их свойств в атмосфере фононов. Обзор.
Петербургский
журнал
электроники.
2012.
Вып.2(67).
С.3-11.
1502.
URL:http://science.snauka.ru/wp-content/uploads/2012/10/Report_Prokopev.pdf,
http://www.erjournal.ru/journals_n/1351429142.pdf
.
http://science.snauka.ru/2012/10/2960, http://mmt.esrae.ru/145-864
1512.
В.И.Графутин, Е.П.Светлов-Прокопьев, С.П.Тимошенков. Исследования
методом
позитронной
аннигиляционной
спектроскопии
облученных
конденсированных сред. Тезисы докладов Международной конференции
"Аморфные и микрокристаллические полупроводники", Физико-технический
институт им. А.Ф. Иоффе РАН. 2 — 5 июля 2012. г. Санкт-Петербург.,
http://www.ioffe.ru/AMS/AMS8/Programme.pdf
1513.
E.P.Prokopev. Possibilities of using modern nanotechnologies in space projects
9th INTEGRAL workshop "INTEGRAL view of the high-energy sky (thefirst 10 years)",
15-19 October 2012, iParis, Bibliothèque Nationale de France (Bibliothèque François
Mitterrand).
Paris France (10)9 INTEGRAL Workshop,
Конференции
http://www.rssd.esa.int/index.php?page=Conferences&project=INTEGRAL
1514.
Ю.Ф.Козлов,
Ю.А.Чаплыгин,
С.П.Тимошенков,
В.И.Графутин,
Е.П.Прокопьев.Почему наноматериалы имеют высокие эксплуатационные
характеристики. Электронный научно-технический журнал (Journal "European
Researcher"), http://www.facebook.com/pages/European-Researcher/323916607681183.
В печати
1515.
Е.П.Прокопьев. СИНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ПОДХОДЫ К ПРОБЛЕМАМ
ЭВОЛЮЦИИ СВОЙСТВ МАТЕРИАЛОВ И НАНОМАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ
КРЕМНИЯ. ОБЗОР // Современные материалы и технологии. – 2012. – № 4;
URL:
http://mmt.esrae.ru/186-810
(дата
обращения:
20.06.2012).
http://mmt.esrae.ru/186-810
1516.
. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев. Исследования методом УРАФ электронных
свойств переходных металлов. Научные чтения им. члена-корреспондента РАН
И.А. Одинга «Механические свойства современных конструкционных материалов»
Москва, ИМЕТ РАН, 10 сентября - 12 сентября 2012 года,
http://odin.imetran.ru/uploads/files/Programm_Oding.pdf
1517.
Е.П.Прокопьев,
А.С.Тимошенков,С.П.Тимошенков,
О.М.Бритков,
И.М.Бритков, С.С.Евстафьев. изучение режимов процесса роста слоев алмаза в
газовой смеси CH 4  H 2 пониженного давления в методе нагретой нити.
Всероссийская
молодежная
конференция
«ФИЗИКА
И
ХИМИЯ
НАНОРАЗМЕРНЫХ СИСТЕМ»с элементами научной школы ФиХНС, 13-17
ноября 2012 г., Свердловск ФГАОУ ВПО «Уральский Федеральный имени первого
Президента
России
Б.Н.Ельцина»,
http://kf.info.urfu.ru/
,
http://kf.info.urfu.ru/fileadmin/user_upload/kafedra_fiziki/conf/FiHNS_program.pdf
1518.
Графутин В.И., Прокопьев Е.П. Исследования методом позитронной
аннигиляционной спектроскопии электронных свойств переходных металлов.
Тезисы докладов. Седьмая Международная Конференция ФППК-2012 «Фазовые
превращения и прочность кристаллов», посвященная 110-летию со дня рождения
академика Г.В.Курдюмова, 29 октября - 2 ноября 2012 года, Черноголовка ,
http://mks-phys.ru/docs/progr-chernog2012.pdf
1519.
Ю.Ф.Козлов, Ю.А.Чаплыгин, С.Э Бочкарев, И.М.Бритков, О.М.Бритков,
В.И. Графутин, С.С.Евстафьев, Л.А.Иванютин, О.В. Илюхина, В.П.Комлев,
Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, В.М.Самойлов, С.П.Тимошенков, Фунтиков Ю.В.
Изучение радиационных нарушений в полупроводниковых соединениях АЗВ5,
облученных  - квантами и протонами, методом позитронной аннигиляционной
спектроскопии // Современные материалы и технологии. – 2012. – № 4; URL:
http://mmt.esrae.ru/186-858 (дата обращения: 26.06.2012).
1520.
В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Ю.Ф.Козлов, И.Н.Мешков, Г.Г.Мясищева, Е.П
Прокопьев., Г.И.Савельев, С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин, Ю.В.Фунтиков,
Н.О.ХмелевскийС.Л.Яковенко. Применение и развитие методов позитронной
аннигиляционной спектроскопии для определения природы, концентраций и
размеров нанообъектов в материалах и наноматериалах на основе кремния и
железа. Обзор. Электронный научно-технический журнал (Journal "European
Researcher"), Institute European Researcher, 2012, Vol.(28), № 9-1, с.1323-1354.
http://www.erjournal.ru/en/archive.html?number=2012-09-19-00:45:43&journal=37,
http://www.erjournal.ru/journals_n/1349004722.pdf,
http://elibrary.ru/download/45458047.pdf
1521.
V.I. Grafutin , O.V. Ilyukhina , Yu.F. Kozlov , I.N. Meshkov , G.G.
Myasishcheva , E.P. Prokop'ev , G.I. Savel'ev , S.P. Timoshenkov , Yu.A. Chaplygin ,
Yu.V. Funtikov , N.O. Khmelevsky, S.L. Yakovenko Application and Development of
Methods of Positron Annihilation Spectroscopy for Definition of the Nature,
Concentration and Size of Nanoobjects in Materials and Nanomaterials on Basis of
Silicon and Iron. Review. Institute European Researcher, 2012, Vol.(28), № 9-1, с.13231354.
http://www.erjournal.ru/en/archive.html?number=2012-09-1900:45:43&journal=37,
http://www.erjournal.ru/journals_n/1349004722.pdf,
http://elibrary.ru/title_about.asp?id=32041, http://elibrary.ru/download/45458047.pdf,
1522.
В.И.Графутин, Ю.Ф.Козлов, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев,
Г.И.Савельев, С.П.Тимошенков, Ю.В. Фунтиков, Ю.А.Чаплыгин. Определение
размеров и концентраций нанообъектов в
пористых системах, дефектных
материалах и наноматериалах на основе кремния по методу позитронной
аннигиляционной спектроскопии. Статья на XII МЕЖДУНАРОДНОЙ НАУЧНОТЕХНИЧЕСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ «ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ
РАДИОЭЛЕКТРОННОГО ПРИБОРОСТРОЕНИЯ» ( INTERMATIC - 2012 ) - 2012.
http://www.conf.mirea.ru/cat/?cat=3
1523.
Е.П.Прокопьев. Возможности использования современных нанотехнологий
в космических проектах. Статья на XII МЕЖДУНАРОДНОЙ НАУЧНОТЕХНИЧЕСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ «ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ
РАДИОЭЛЕКТРОННОГО ПРИБОРОСТРОЕНИЯ» ( INTERMATIC - 2012 ) - 2012.
http://www.conf.mirea.ru/cat/?cat=3
1524.
В.И.Графутин,
Е.В.Графутина,
О.В.Илюхина,
Г.Г.Мясищева,
Е.П.Прокопьев,
С.П.Тимошенков,
Ю.В.Фунтиков,
Н.О.Хмелевский,
Ю.А.Чаплыгин. Исследования природы, размеров и концентраций нанообъектов в
конденсированной фазе методами позитронной аннигиляционной спектроскопии.
Физика и техника полупроводников. 2012. В печати.
1525.
Yu.F.Kozlov, Yu.А.Chaplygin, S.P.Timoshenkov, V.I.Grafutin, E.P.Prokopev.
Possible Synergetic Approaches to the Explanation of Nanomaterials High Properties.
European researcher = Европейский исследователь, 25 (2012), 7 (июль), P.1030-1035.
http://elibrary.ru/download/15568368.pdf
1526.
E.P. Prokopev. Title: On possible development of a problems of physics,
chemistry and technologybof antimatter for projects of (macro  micro), - micro- , nano
– spaseships 2012 100YSS Symposium. 100YSS™ 2012 Public Symposium Team
Ihttps://www.conftool.pro/100yss-symposium/ID: 248. https://www.conftool.pro/100ysssymposium/index.php?page=submiss
1527.
.E.P. Prokopev. Title: Possibilities of using modern thechnologies in space proects
2012 100YSS Symposium. 100YSS™ 2012 Public Symposium Team
Ihttps://www.conftool.pro/100yss-symposium/ID: 251. https://www.conftool.pro/100ysssymposium/index.php?page=submiss
1528.
Е.П.Прокопьев. Возможности использования современных нанотехнологий
в космических проектах. Статья. XII - международная конференция «Системы
проектирования, технологической подготовки производства и управления этапами
жизненного
цикла
промышленного
продукта
(CAD/CAM/PDM-2012)».
https://e.mail.ru/cgi-bin/ajax_attach_action?id=13494590300000000185&_av
1529.
E.P.Prokopev. On possible development of a problems of physics, chemistry and
technology of antimatter for projects of ((macro  micro) - , micro - , nano – spaceships).
Статья. XII - международная конференция «Системы проектирования,
технологической подготовки производства и управления этапами жизненного
цикла промышленного продукта (CAD/CAM/PDM-2012)». https://e.mail.ru/cgibin/msglist#readmsg?id=13494590300000000185&folder=0
1530.
В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Ю.Ф.Козлов, И.Н.Мешков, Г.Г.Мясищева, Е.П
Прокопьев., Г.И.Савельев, С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин, Ю.В.Фунтиков,
Н.О.Хмелевский, С.Л.Яковенко. Определение природы, концентраций и размеров
нанообъектов в технически важных материалах и наноматериалах методами
позитронной аннигиляционной спектроскопии // Современные материалы и
технологии. – 2012. – № 4; URL: http://mmt.esrae.ru/186-862 (дата обращения:
26.06.2012).
1531.
S.P.Timoshenkov, I.M.Britkov, O.M.Britkov, S.Evstafiev, A.S.Timoshenkov,
B.M.Simonov, E.P.Prokopev. Possible Influence of nanoobjects on properties of
nanomaterials. Report. The International Conference “Micro- and Nanoelectronics –
2012” (ICMNE-2012) including the Extended Session “Quantum Informatics” (QI-2012)
and the Workshop "Silicon-on-Insulator" (SOI-2012) will be held in October 1-5, 2012 at
the “Lipki” resort, Zvenigorod, Moscow Region, Russia. Звенигород Micro- and
Nanoelectronics – 2012” ,ICMNE-2012(10) ». http://www.icmne.ftian.ru/scient.shtml.
1532.
В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев. Определение методом позитронной
аннигиляционной спектроскопии электронных свойств переходных металлов и
сплавов на их основе // Современные материалы и технологии. – 2012. – № 4; URL:
www.es.rae.ru/mmt/186-863 (дата обращения: 27.09.2012).
1533.
Е.П.Прокопьев. Possibilities of using modern nanotechnologies in space projects.
Тезисы доклада. VII Всероссийской конференции по физической электронике. ФЭ2012. (17 - 21 октября 2012г.). Махачкала: ДГУ, 2012. С.90-91.
http://plasma.dgu.ru/konf/7-1.pdf#page=90
1534.
Е.П.Прокопьев. Possibilities of using modern nanotechnologies in space projects.
Тезисы доклада. VII Всероссийской конференции по физической электронике. ФЭ2012. (17 - 21 октября 2012г.). Махачкала: ДГУ, 2012. С.47-50.
1535.
Графутин В.И., Илюхина О.В., Козлов Ю.Ф., Мешков И.Н., Мясищева Г.Г.,
Прокопьев Е.П., Савельев Г.И., Тимошенков С.П., Чаплыгин Ю.А., Фунтиков
Ю.В., Хмелевский Н.О., Яковенко С.Л. Определение природы, концентраций и
размеров нанообъектов в технически важных материалах и наноматериалах
методами позитронной аннигиляционной спектроскопии. // Современные научные
исследования и инновации. – Октябрь, 2012.
http://web.snauka.ru/wpcontent/uploads/2012/10/snauka_prokop_paper.pdf
http://web.snauka.ru/wpcontent/uploads/2012/10/snauka_prokop_paper.pdf
1536.
Е.П.Прокопьев. Тезисы докладов. Исследование позитронсодержащих
атомов и ионов в конденсированных средах, газах и плазме методом Хартри-Фока.
VIII конференция "Современные методы диагностики плазмы и их применение".
Москва,
23-25
октября
2012
г.,
НИЯУ
«МИФИ».
http://plasma.mephi.ru/files/ConferenceSchedule-2012.pdf,
http://plasma.mephi.ru/ru/Mainpage/ru
1537.
Прокопьев Е.П. Системы со многими позитронами и электронами. Обзор I.
Позитроны и позитроний, позитронные и позитрониевые комплексы в твердых
телах. // Исследования в области естественных наук. – Октябрь, 2012.
[Электронный
ресурс].
URL:http://science.snauka.ru/wpcontent/uploads/2012/10/Report_Prokopev.pdf, http://science.snauka.ru/2012/10/2960,
Е.П Прокопьев. К вопросу о теории позитронных состояний в
конденсированных средах. Обзор. Позитроны и позитроний, позитронные и
позитрониевые комплексы в твердых телах. // Электронный научно-технический
журнал (Journal "European Researcher"), Institute European Researcher. - Октябрь
2012.
1539.
Е.П Прокопьев. Позитроны, позитроний, позитронные и позитрониевые
комплексы в кристалле. Особенности их свойств в атмосфере фононов (Eugene P.
Prokopev Positrons, Positronium, Positron and PositroniumComplexes in Crystal.
Features of Their Properties in Phonon Atmosphere) // Электронный научнотехнический журнал European Researcher, 2012, Vol.(31), № 10-1 1623 -1631.
http://www.erjournal.ru/journals_n/1351429142.pdf .
1540.
Е.П.Прокопьев. Позитроника конденсированных сред. Теория //
Современные материалы и технологии. – 2012. – http://mmt.esrae.ru/145-864 (дата
обращения: 27.09.2012).
1538.
Книги Монографии (Book Monographies)
1. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П. Позитроника в радиационном
материаловедении ионных структур и полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1983. 88 с.
2. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков.
Позитроника ионных кристаллов, полупроводников и металлов. М.: Ред.-изд. отдел МИЭТ
(ТУ), 1999. 176 с.
3. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Прокопьев Е.П. и др. Квантовые свойства атомов и
ионов и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1975. 242 с.
4. Арефьев К.П., Арифов П.У., Прокопьев Е.П. и др. Позитронсодержащие системы и
позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1978. 192 с.
5. Прокопьев Е.П. Введение в теорию позитронных процессов в полупроводниках и
ионных кристаллах. - М., 1979. - 384 с. - Деп. в ЦНИИ "Электроника". Р-2837. МРС
ВИМИ "Техника, технология, экономика". - № 27. - 1980. - Сер. "ЭР".
6. З.Р.Абдурасулев, П.У.Арифов, Н.Ю.Арутюнов, С.Н.Вассерман, А.Р.Группер,
Н.Н.Емелин, Г.И.Журавлева, П.А.Кебель, Ю.П.Кочерга, М.В.Кремков, Ф.Ли, В.М.Мальян,
А.А.Пайзиев, В.А.Пикут, Е.П.Прокопьев, С.А.Скопинов, С.А.Тишин, С.В.Шевелев,
А.В.Шевченко. Методы позитронной диагностики и расшифровки спектров аннигиляции
позитронов. Ташкент: Изд-во «ФАН», 1985. 312 с.
7. Б.Ю.Богданович, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, В.В.Калугин, А.В.Нестерович,
Е.П.Прокопьев, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин. Технологии и методы
исследования структур кремний на изоляторе. М.: МИЭТ, 2003. 288 с.
8. Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Хашимов Ф.Р. Основы позитроники полупроводников.
М.,1976. 343 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2073. РИ.77.06.3412.
9. Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П., Варисов А.З. Основы теории позитронных состояний в
ионных кристаллах. М., 1978. 292 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”, Р-2382. Сб. ВИМИ
“Военная техника и экономика”. Сер. общетехническая. №14. 1978.
10. Варисов А.З., Арефьев К.П., Воробьев А.А., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П.
Позитроны в конденсированных средах. М., 1977. 489 с. - Деп. в ЦНИИ“Электроника”. Р2317. Сб. ВИМИ “ Военная техника и экономика”. Сер. общетехническая. №9. 1978.
11. Варисов А.З., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в полимерах.
М., 1978. 126 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2501. Сб. ВИМИ “Военная техника и
экономика”. Сер. общетехническая. №24. 1978.
12. Прокопьев Е.П. Исследования в области физики медленных позитронов. Позитронная
аннигиляция - новый метод изучения строения вещества. М., 1986. 86 с. - Деп. в ЦНИИ
“Электроника”. Р-4367. Сб. реф. НИОКР, обзоров, переводов и деп. рукописей. Сер.”ИМ”.
№12. 1987.
13. E.P.Prokop'ev. Peculiarities of positron spectroscopy of semiconductors. In book: "Problems
of physics and technology of wide bandgap semiconductors. 2 All-union conf. on wide bandgap
semiconductors. Leningrad. 1979". Leningrad: A.F.Ioffe FTI, 1979. P.265-269.
14. E.P.Prokop'ev, et al.: 3 All-union conference on radiation physics and chemistry of ionic
crystals. Salaspils. 1975. P.275.
15. E.P.Prokop'ev et al. In book: Report on 4-th Moscow International ITEP School of Physics
(29-th ITEP Winter School of Physics). Modern Condensed Matter Physics: Experimental
Methods and Devices, Related Topics. Zvenigorod, Moscow, Februari 5 - 16, 2001. Proceedings
of the 4th Moscow International ITEP School of Physics. Editors: A.L.Suvorov, Yu.G.Abov,
V.G.Firsov. M.: Академпринт, 2002.
16. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Positron annihilation in polymers. Moscow. 1978. 126 p.
Deposited monography. TSNII "Elektronika". P-2501.
17. E.P.Prokop'ev. In book: Radiation defects in metals. Materials of 2 All-union conf., AlmaAta, 1980. Alma-Ata: Nauka, 1981.
18. E.P.Prokop'ev. Investigations in area of slow positron physics. Positron annihilation as a
novel method of study of substance structure. Moscow. 1986. 86 p. Deposited monography.
TSNII "Elektronika". P-4367.
19. E.P.Prokop'ev. About applications of positron annihilation method for investigations of
electron and defect structure of high temperature superconductors. In book: «Physics and
chemistry, and technology of high temperature superconductors». Moscow. Nauka. 1989. P.474475.
20. E.P.Prokop'ev et al. Modern problems of nuclear physics and physics and chemistry of
condensed matter. Proceedings of the 7th Moscw International ITEP School of Physics. (32-th
ITEP Winter School of Physics). «Otradnoe», Moscow region, Februari 16-26, 2004. Editors:
A.L.Suvorov, F.S.Dzeparov, M.A.Kozodaev, S.V.Stepanov. 2004. M., Academikprint.2004. 224
p., p.92-96, p.97-100, p.191- 195.
21. Производство и поведение материалов в космосе. Москва: Наука. 1978.
22. К.Э.Циолковский и проблемы космической индустрии. Москва: Изд-во АН СССР.
1982. С.105-109.
23. Научные чтения по авиации и космонавтике. 1980. Москва: Наука. С.285.
24. См.: Н.В.Лазарев.Книги сотрудников ИТЭФ. Москва, 2011.
(http://www.itep.ru/Docs/Books_ITEP.doc ).
Обзоры
1. Бартенев Г.М., Цыганов А.Д., Прокопьев Е.П., Варисов А.З. Аннигиляция позитронов в
ионных кристаллах // Успехи физических наук. 1971. Т.103. Вып.2. С.339-354.
2. В.И.Графутин, Прокопьев Е.П. Применение позитронной аннигиляционной
спектроскопии для изучения строения вещества. Успехи физических наук. 2002. Т.172.
№1. С.67-83.
3. Бартенев Г.М., Варисов А.З., Гольданский В.И., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д.
Определение эффективных зарядов анионов в средах ионного типа позитронным методом
// Успехи химии. 1972. Т.41. Вып.4. С.585-599.
4. Варисов А.З., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П., Филипьев А.И. Физика и химия
превращений позитронов и позитрония в полимерах // Успехи химии. 1980. Т.50. Вып.4.
С.1892-1922.
5. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков. Позитронная аннигиляционная
спектроскопия в ИТЭФ. Инженерная физика. Специальный выпуск. 2007. №1. С.33-39.
6. Графутин В.И., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В., Позитроника и
нанотехнологии: Определение размеров нанообъектов в пористых системах,
наноматериалах и некоторых дефектных материалах методом позитронной
аннигиляционной спектроскопии (обзор). Заводская лаборатория. 2009. Т.75. №6. С.27-36.
http://zldm.ru/upload/iblock/53b/20097506027.pdf
Book (Monographies)
1. E.P.Prokop'ev et al. In book: Yadernaya khimiya. Ed. V.I.Goldanskii, A.K.Lavrukhina.
Moscow: Nauka, 1965.
2. E.P.Prokop'ev et al. Kvantovye svoistva atomov i ionov i pozitronnaya diagnostika.
Tashkent. FAN UzbSSR. 1975.
3. E.P.Prokop'ev et al. Pozitronosoderzhashchie systems i pozitronnaya diagnostika. Tashkent.
FAN UzSSR. 1978.
4. E.P.Prokop'ev et al. In book: Symposium on interaction of atomic particles with surface of
solids devoting of memory of U.A.Arifov. Tashkent. FAN UzSSR. 1979.
5. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Positronics in radiation material science of ionic structures
and semiconductors. Moscow. Energoatomizdat. 1983. 88 p.
6. E.P.Prokop'ev, S.P.Timoshenkov, V.I.Grafutin, G.G.Myasichsheva, Yu.V.Funtikov.
Positronika ionnykh kristallov, poluprovodnikov i metallov. М.: Red.-izd. оtdel MIET (ТU),
1999. 176 p.
7. E.P.Prokop'ev et al. In book: Report on 4-th Moscow International ITEP School of Physics
(29-th ITEP Winter School of Physics). Modern Condensed Matter Physics: Experimental
Methods and Devices, Related Topics. Zvenigorod, Moscow, Februari 5 - 16, 2001.
Proceedings of the 4th Moscow International ITEP School of Physics. Editors: A.L.Suvorov,
Yu.G.Abov, V.G.Firsov. M.: Академпринт, 2002.
8. E.P.Prokop'ev, six co-authors. SOI Structures technologies and it methods of researches. M.:
MIET, 2003. 299 p. http://prokopep.narod.ru/SOI.htm
9. E.P.Prokop'ev. Peculiarities of positron spectroscopy of semiconductors. In book: "Problems
of physics and technology of wide bandgap semiconductors. 2 All-union conf. on wide
bandgap semiconductors. Leningrad. 1979". Leningrad: A.F.Ioffe FTI, 1979. P.265-269.
10. E.P.Prokop'ev, et al.: 3 All-union conference on radiation physics and chemistry of ionic
crystals. Salaspils. 1975. P.275.
11. E.P.Prokop'ev, et al.: In book: 4 All-union conference on radiation physics and chemistry of
ionic crystals". Salaspils. 1978.
12. E.P.Prokop'ev, two co-authors. The foundation of semiconductor positronics. Moscow. 1976.
343 p. Deposited monography. TSNII "Elektronika". P-2073.
13. E.P.Prokop'ev, two co-authors. The foundation of theory of positron states in ionic crystals.
Moscow, 1978. 292 p. Deposited monography. TSNII "Elektronika". P-2382.
14. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Positrons in condensed medium. Moscow. 1977. 489 p.
Deposited monography. TSNII "Elektronika". P-2317.
15. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Positron annihilation in polymers. Moscow. 1978. 126 p.
Deposited monography. TSNII "Elektronika". P-2501.
16. E.P.Prokop'ev. Introduction in theory of positron processes in semiconductors and ionic
crystals. Moscow. 1979. 384 p. Deposited monography. TSNII "Elektronika". P-2837.
17. E.P.Prokop'ev. In book: Radiation defects in metals. Materials of 2 All-union conf., AlmaAta, 1980. Alma-Ata: Nauka, 1981.
18. E.P.Prokop'ev. Investigations in area of slow positron physics. Positron annihilation as a
novel method of study of substance structure. Moscow. 1986. 86 p. Deposited monography.
TSNII "Elektronika". P-4367.
19. E.P.Prokop'ev. About applications of positron annihilation method for investigations of
electron and defect structure of high temperature superconductors. In book: «Physics and
chemistry, and technology of high temperature superconductors». Moscow. Nauka. 1989.
P.474-475.
20. E.P.Prokop'ev et al. Modern problems of nuclear physics and physics and chemistry of
condensed matter. Proceedings of the 7th Moscw International ITEP School of Physics. (32-
th ITEP Winter School of Physics). «Otradnoe», Moscow region, Februari 16-26, 2004.
Editors: A.L.Suvorov, F.S.Dzeparov, M.A.Kozodaev, S.V.Stepanov. 2004. M.,
Academikprint.2004. 224 p., p.92-96, p.97-100, p.191- 195.
21. Collection of articles. Production and behaviour of materials in space. Moscow: Nauka.
1978. P.8-13.
22. Сollection of articles. K.E.Tsiolkovskii and problems of space industry. Moscow. Publ. IIET
AN USSR. 1982. P.105-109.
23. Nauchnye chteniya po aviatsii i kosmonavtikt. Moscow. Nauka. 1980. P.285.
24. See. N.V.Lazarev.Book of scientist ITEP.Moscow, 2011.
(http://www.itep.ru/Docs/Books_ITEP.doc ).