Программа_ВИП2015_rus_v04

РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК
НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЯДЕРНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ «МИФИ»
МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
МОСКОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ
ЯРОСЛАВСКИЙ ФИЛИАЛ ФИЗИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ИНСТИТУТА РАН
ИНСТИТУТ ПРОБЛЕМ ТЕХНОЛОГИИ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И ОСОБОЧИСТЫХ
МАТЕРИАЛОВ
ПРОГРАММА
XXII МЕЖДУНАРОДНОЙ КОНФЕРЕНЦИИ
ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ИОНОВ
С ПОВЕРХНОСТЬЮ
(ВИП-2015)
20 – 24 августа 2015 г.
Москва 2015
Конференция проводится при финансовой поддержке:
Российского фонда фундаментальных исследований
Издательства «Elsevier»
Национального исследовательского ядерного университета «МИФИ»
Организаторы
Российская академия наук (РАН)
Национальный исследовательский ядерный
университет «МИФИ»
Московский государственный
университет
Санкт-Петербургский политехнический
университет
Московский авиационный институт
Институт проблем технологии
микроэлектроники и особо чистых
материалов РАН
2
ОРГАНИЗАЦИОННЫЙ КОМИТЕТ
Ю.А.Рыжов
М.Н.Стриханов
В.Е.Юрасова
А.И.Титов
В.А.Курнаев
А.Ф.Вяткин
Е.Д.Маренков
–
–
–
–
–
–
–
председатель, академик РАН, МАИ
сопредседатель, НИЯУ МИФИ
зам. председателя, МГУ
зам. председателя, СПбГПУ
зам. председателя, НИЯУ МИФИ
зам. председателя, ИПТМ РАН
ученый секретарь, НИЯУ МИФИ
Члены оргкомитета:
В.И.Бачурин
Л.Б.Беграмбеков
А.М.Борисов
Ю.М.Гаспарян
Е.Ю.Зыкова
В.А.Иванов
П.А.Карасев
Л.М.Коврижных
Д.С.Коллигон
Г.В.Корнич
А.Н.Петровский
А.А.Писарев
А.А.Семенов
И.И.Шкарбан
– ЯФТИ
– НИЯУ МИФИ
– МАИ
– НИЯУ МИФИ
– МГУ
– ИОФ РАН
– СПбГПУ
– ИОФ РАН
– Университет Хадерсфильд
– ЗНТУ
– НИЯУ МИФИ
– НИЯУ МИФИ
– МАИ
– МАИ
3
ПРОГРАММНЫЙ КОМИТЕТ
В.Е.Юрасова
– Председатель
МГУ, Москва, Россия
Члены программного комитета:
А.Г.Борисов
В.Т.Грицына
С.Жанг
С.О.Кучеев
Ю.В.Мартыненко
Е.С.Машкова
А.Н.Михайлов
T.Мишели
А.А.Писарев
В.Н.Попок
Д.И.Тетельбаум
– Университет Париж-Юг, Франция
– НУ, Харьков, Украина
– Университет, Наньянг, Сингапур
– ЛЛНЛ, Ливермор, США
– НИЦ «Курчатовский ин-т», Москва, Россия
– НИИЯФ МГУ, Москва, Россия
– ННГУ, Нижний Новгород, Россия
– Университет, Кёльн, Германия
– НИЯУ МИФИ
– Университет, Ольборг, Дания
– ННГУ, Нижний Новгород, Россия
МЕЖДУНАРОДНЫЙ СОВЕТ
А.Ф.Александров (Россия), А.И.Бажин (Украина), И. Бургдорфер(Австрия),
Р. Вэбб (Великобритания), Д. Вильямс (Австралия), Х. Винтер (Германия),
Ф. Джурабекова (Финляндия), В. Есаулов (Франция), П. Зигмунд (Дания),
Ф.Ф.Комаров (Беларусь), У.Х.Расулев (Узбекистан), А.И. Титов (Россия),
Р. Хукстра (Нидерланды), Я.Ямазаки (Япония).
4
НАУЧНЫЕ СЕКЦИИ:
1. Распыление, структура поверхности, десорбция.
2. Рассеяние и проникновение ионов.
3. Эмиссия ионов, электронов, фотонов и рентгеновского излучения
при ионной бомбардировке.
4. Имплантация ионов и модификация поверхности.
5. Ионно-индуцированные процессы в тонких пленках и наноструктурах.
6. Взаимодействие плазмы с поверхностью – физика и технология.
Все устные доклады будут проходить в актовом зале с 20 по 24 августа с
900 до 1800. На приглашенные доклады предоставляется по 25 минут и по 5
минут на дискуссию, на секционные – по 10 минут и по 5 минут на
дискуссию.
С 1800 до 2000 будет проводиться обсуждение стендовых докладов.
Стендовые доклады должны размещаться авторами (на стендах размером
60 см  80 см) вечером, накануне работы соответствующих стендовых
секций. На стендах будут указаны номера, соответствующие номерам
докладов в данной программе.
Дни работы стендовых секций:
20 августа – секции 1, 2 и 3;
21 августа – секция 4 и 5;
22 августа – секции 6.
830-900 – завтрак, 1045-1100 – кофе, 1300-1400 – обед, 1600-1615 – чай,
2000-2030 – ужин.
5
20 августа, четверг
ПЛЕНАРНОЕ ЗАСЕДАНИЕ
Председатели: Ю.Рыжов, В.Курнаев
830-1000
РЕГИСТРАЦИЯ УЧАСТНИКОВ
1000-1010
ОТКРЫТИЕ КОНФЕРЕНЦИИ
1015–1040
Friedrich Aumayr (Vienna University of Technology, Austria)
Interaction of slow highly charged ions with ultrathin carbon
nanomembranes and graphene.
1045-1110
Arnaud Delcorte (Universite' Catholique de Louvain, Belgium)
Fundamentals of soft matter desorption, molecular analysis and depthprofiling using massive keV clusters.
1115-1130
ПЕРЕРЫВ, кофе
1130-1155
Kenji Kimura (Kyoto University, Japan)
Temperature measurement of thermal spike using desorption of
nanoparticles.
1200-1125
Thomas Michely (University of Cologne, Germany)
New phenoma in 2D-layer irradiation with low energy ions.
1230-1255
Alexander Pisarev (National Research Nuclear University, Russia)
Technological applications of plasma surface interactions.
1300-1310
Фотографирование участников конференции
1315-1400
ПЕРЕРЫВ, обед
6
ПРИГЛАШЕННЫЕ ЛЕКЦИИ И УСТНЫЕ СООБЩЕНИЯ
20 августа, четверг
Секция №1. Распыление, структура поверхности, десорбция
Председатели: Л.Беграмбеков, Ю.Гаспарян
1400-1425
Vladimir Popok (Aalborg University, Denmark)
Low-energy interaction of metal cluster ions with surfaces.
1430-1455
Gregor Hlawacek (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Germany)
High resolution surface patterning with the Helium Ion Microscope.
1500-1525
Stefan Facsko (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Germany)
Spontaneous pattern formation on ion irradiated semiconductor surfaces.
1530-1555
Christina Trautmann (GSI Helmholz Center, Germany)
Sputtering with heavy ions in the electronic stopping regime.
1600-1615
ПЕРЕРЫВ, чай
1615-1640
Lothar Bischoff (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Germany)
Surface modification with heavy mono- and polyatomic ions.
1645-1710
Jean-Mark Layet (University of Aix-Marseille, France)
H-production by surface ionization on carbon materials in H2 plasma.
1715-1725
H.H.Brongersma, V.S.Chernysh, P.Brüner, T.Grehl.
Surface composition of ion bombarded alloys.
1730-1740
D.V.Shyrokorad, G.V.Kornich, S.G. Buga.
Molecular dynamics simulation of bimetal atomic clusters under low
energy Ar ion bombardment.
1745-1755
A.A.Eksaeva, E.D.Marenkov, D.Borodin, A.Kirshner, M.Laenger,
V.A.Kurnaev, A. Kreter.
ERO-PSI code for numerical simulation of experiments on tungsten
sputtering in linear plasma device PSI-2.
1800-2000
Стендовые доклады (секции 1, 2 и 3)
2000-2030
Ужин
7
21 августа, пятница
Секция №2. Рассеяние и проникновение ионов
Председатели: Г.Корнич, В.Бачурин
900-925
930-955
Stefan Nagele (Vienna University of Technology, Austria)
Attosecond chronoscopy of photoemission.
Srdjan Petrović (Vinča Institute of Nuclear Sciences, Serbia)
Classical and quantum rainbow channeling of charged particles in very
thin silicon crystals and carbon nanotubes.
1000-1025
Franciszek Krok (Jagiellonian University, Poland)
Pillars formation on compound semiconductor surfaces under focused
and broad ion beam irradiation.
1030-1040
Dong-Hai Zhang, Jun-Sheng Li, S. Kodaira and N. Yasuda.
Projectile fragment emission in the fragmentation of silicon on carbon
and polyethylene targets at 684 A MeV.
1045-1100
ПЕРЕРЫВ, кофе
1100-1125
David Tetelbaum (Lobachevsky State University of Nizhnii Novgorod,
Russia)
Surface-oxide-related long-range effect under ion and light irradiation of
solids.
1130-1140
Ю.А.Белкова, Н.В.Новиков, Я.А.Теплова.
Равновесная толщина углерода при взаимодействии с пучками
азота и неона.
1145-1155
П.Ю.Бабенко, А.Н.Зиновьев, А.П.Шергин.
Фокусировка при рассеянии частиц на поверхности.
1200-1210
В.С.Бронский, С.Н.Шилобреева, В.И.Шематович, А.В.Хохлов,
S.Barabash, M.Wieser.
Моделирование распыления и рассеяния льда под воздействием
ионов H+,O+ для условий поверхности Луны и спутников Юпитера.
1215-1225
А.М.Ионов, Р.Н.Можчиль, А.Ф.Редькин, С.Г.Протасова,
Н.С.Воробьёва.
Влияние ионной бомбардировки на электронную структуру и
валентные состояния урана в кислородосодержащих соединениях.
1230-1240
С.А.Рябцев, Ю.М. Гаспарян, М.С. Зибров, А.А. Писарев.
Термодесорбция дейтерия из радиационных дефектов в вольфраме.
1245-1255
G. Filippov.
Passage of particle through a cylindrical structure.
1300-1400
ПЕРЕРЫВ, обед
8
21 августа, пятница
Секция №3. Эмиссия ионов, электронов, фотонов и рентгеновского
излучения при ионной бомбардировке
Председатели: В.Попок, С.Крашенинников
1400-1425
Vladimir Palitsin (University of Surrey, UK)
Ambient Pressure MeV Secondary Ion Mass Spectrometry.
1430-1455
Philippe Roncin (Université Paris-Sud, France)
Grazing Incidence Fast Atom Diffraction (GIFAD) and Molecular
Beam Epitaxy.
1500-1525
Eli Kolodney (Israel Institute of Technology, Israel)
Velocity correlated cluster emission: a new surface sputtering
mechanism by a large polyatomic projectile.
1530-1555
Toshio Seki (Kyoto University, Japan)
Imaging mass spectrometry with MeV-energy heavy ion beams.
1600-1615
ПЕРЕРЫВ, чай
1615-1640
Paolo Milani (University of Milano, Italy)
Supersonic cluster beam implantation in polymers: a novel tool for
stretchable electronics and optics.
1645-1710
Ahmed Hassanein and HEIGHTS Team (Purdue University, USA)
Plasma-Surface Interactions during normal and abnormal Tokamak
operation.
1715-1725
В.В.Хвостов, Е.Ю.Зыкова. Неупругие процессы при
взаимодействии ионов с поверхностью ZrO2.
1730-1740
M.V.Sorokin, A.Dauletbekova, K.Schwartz, M.Baizhumanov,
A.Alkilbekov, M.Zdorovets.
Energy loss effect on color center creation in lithium fluoride crystals.
1745-1755
Yu.V.Kapitonov, P.Yu.Shapochkin, Yu.V.Petrov, V.A.Lovcjus,
S.A.Eliseev, Yu.P.Efimov, V.V.Petrov and V.V.Ovsyankin.
InGaAs/GaAs quantum well modification by focused ion beam.
1800-1810
Д.Н.Макаров, В.И.Матвеев.
Масс-спектры кластеров при ионном распылении металла.
1815-2000
Стендовые доклады (секции 4 и 5)
2000-2030
Ужин
9
22 августа, суббота
Секция №4. Имплантация ионов и модификация поверхности
Председатели: А.Титов, А.Азаров
900-925
Kai Nordlund (Helsinki University, Finland)
Ion irradiation of Si, GaN and Au nanowires: order-of-magnitude
enhancements of damage production and sputtering.
930-955
Vladimir Popov (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Russia)
Formation, properties and applications of NV-centers in ion-implanted
diamond.
1000-1025
Igor Kossyi (Prokhorov General Physics Institute of the RAS, Russia)
Explosive emission phenomena on the plasma-metal interface. Physics and
applications.
1100-1115
ПЕРЕРЫВ, кофе
1115-1140
Alexander Azarov (University of Oslo, Norway)
Diffusion and trapping of Zn vacancies and interstitials in ion implanted
ZnO.
1145-1210
Johan Malherbe (University of Pretoria, South Africa)
Some ion bombardment effects in SiC.
1215-1240
Thomas Greber (University of Zurich, Switzerland)
Low energy ion implantation beneath 2D materials like boron nitride or
graphene: Nanotents and Can opener effect.
1245-1255
C. Bundesmann, R. Feder, H. Neumann.
The ion beam sputter deposition process of Ag.
1300-1400
ПЕРЕРЫВ, обед
10
22 августа, суббота
Секция №4. Имплантация ионов и модификация поверхности
Председатели: В.Попов, З.Инсепов
1400-1425
Vjacheslav Ivanov (Prokhorov General Physics Institute of the RAS, Russia)
Microplasma discharge on a metal surface covered with a dielectric film:
Experiment, theory, and applications.
1430-1455
Zinetula Insepov (Purdue University, USA)
Radiation modification of graphene with gas cluster ion beams.
1500-1525
Ivan Santos (University of Valladolid, Spain)
Multiscale defect modeling: from fundamental properties to macroscopic effects
1530-1540
V.V.Privezentsev, V.S.Kulikauskas, V.V.Zatekin, A.V.Goryachev,
A.A.Batrakov.
Nanoparticle formation in Zn+ ion hot implanted Si.
1545-1555
Nana Pradhan, S.K.Dubey.
Silicon ion irradiation into manganese implanted gallium nitride DMS.
1600-1615
ПЕРЕРЫВ кофе
1615-1625
A.V.Naumkin, A.Yu.Pereyaslavtsev.
Ion-induced auger electron spectroscopy of some Al-Mg alloys.
1630-1640
P.A.Karaseov, A.I.Titov, K.V.Karabeshkin, M.W.Ullah, A.Kuronen,
F.Djurabekova, K.Nordlund.
Experimental study and MD simulation of damage formation in GaN under
atomic and molecular ion irradiation.
1645-1655
D.Sinelnikov, V.Kurnaev, D.Kolodko, N.Solovev. Tungsten nano-fuzz surface
degradation under ion beam.
1700-1900
Стендовые доклады (секция 6)
2000-2200
Ужин, банкет
11
23 августа, воскресенье
Секция №5. Ионно-индуцированные процессы в тонких пленках и
наноструктурах
Председатели: А.Писарев, А.Борисов
900-925
Xiao-Tao Hao (Shandong University, China)
Hydrogenated oxide semiconductor films by sputtering.
930–955
Mike Russell (University of Pretoria, South Africa)
Non-linear transport of energy in thin films and surface interactions.
1000-1025
Iva Bogdanović Radović (Rudjer Bošković Institute, Croatia)
Formation and tailoring of metal and semiconductor quantum dots in
amorphous matrices by MeV ions.
1030-1040
Brandon Holybee (University of Illinois at Urbana-Champaign, USA)
Compositional and structural evolution of self-organized nanostructures
during early stage ion irradiation of GaSb.
1045-1100
1100-1110
ПЕРЕРЫВ, чай
O.V.Ogorodnikova.
Migration, trapping and release of deuterium from tungsten in the presence of
high density of defects: theory and experiment.
1115-1125
Н.Н.Андрианова, А.М.Борисов, В.А.Казаков, Е.С.Машкова,
Ю.Н.Пальянов, В.П.Попов, Е.А.Питиримова, Р.Н.Ризаханов,
С.К.Сигалаев. Графитизация поверхности алмаза при высокодозной
ионной бомбардировке.
1130-1140
C.В.Константинов, Ф.Ф.Комаров, А.Д.Погребняк.
Влияние ионного облучения на структуру высокоэнтропийных
покрытий (Ti, Hf, Zr, V, Nb)N.
1145-1155
N.N.Cherenda, V.V.Uglov, A.K.Kuleshov, V.M.Astashynski,
A.M.Kuzmitski. Alloying and nitriding steels by compression plasma flows
treatment.
1200-1210
D. Kogut, K. Achkasov, J.M. Layet, A. Simonin, A. Gicquel, J.Achard,
G.Cartry. Negative-ion production on the surface of diamond materials in
low pressure hydrogen plasmas.
1215-1225
K.Gutorov, I.Vizgalov, F.Podolyako, I.Sorokin.
Study of plasma interaction with fusion reactor materials at the linear
simulator with a beam-plasma discharge.
1230-1240
R.A.Andrievski. The interface role in the nanostructured films behavior
under ion irradiation.
1245-1255
А.В. Лубенченко, А.А. Батраков, А.Б. Паволоцкий, Д.А. Иванов,
О.И. Лубенченко, И.В. Шуркаева.
Модификация оксидных плёнок ниобия слаботочными ионными
пучками.
1300-1400
ПЕРЕРЫВ, обед
1420 -1930
Экскурсии
2000 -2200
Ужин
12
24 августа, понедельник
Секция №6. Взаимодействие плазмы с поверхностью – физика и
технология
Председатели: В.Иванов, В.Курнаев
900-925
Sergei Krasheninnikov (National Research Nuclear University, Russia)
Future directions in edge plasma physics and plasma material interactions in
fusion devices: some results from the FES community planning workshops
2015.
930–955
Pavel Strelkov (Prokhorov General Physics Institute of the RAS, Russia
)
Generation and amplification of microwave radiation by the injection of strong
relativistic electron beam in a plasma waveguide.
1000-1010
A.V.Rogov, Yu.V.Martinenko, Yu.V.Kapustin, N.E.Belova. Fabrication of
fine-dispersed coatings at deposition with simultaneous sputtering.
1015-1025
S.Krat, Yu.Gasparyan, A.Pisarev, M.Mayer, G.de Saint-Aubin, I.Bykov,
P.Coad, J. Likonen, W. van Renterghem, C.Ruset, A.Widdowson, JETEFDA contributors. Comparison of erosion and deposition in jet during carbon
and ITER-like campaigns.
1030-1045
ПЕРЕРЫВ, кофе
1045-1055
A.Kuzmin, H.Zushi, I.Takagi, K.Hanada, Y.Oyama, S.Sharma, A.Rusinov,
Y.Hirooka, H.Zhou, M.Kobayashi, M.Sakamoto, N.Youshida,
K.Nakamura, A.Fujisawa, K.Matsuoka, H.Idei, Y.Nagashima,
M.Hasegawa, T.Onchi, K.Mishra, S.Banerjee.
Permeation probes for hydrogen retention measurements.
1100-1110
Yu.N.Devyatko, V.V.Novikov, O.V.Khomyakov, D.A.Chulkin.
А model of radiation-induced densification of oxide nuclear fuel.
1115-1125
A.S.Kaplevsky, L.B.Begrambekov, O.A.Dvoychenkova, A.E.Evsin,
A.M.Zakharov, P.A.Shigin. On the possibility of decreasing thermal
desorption from titanium during ion irradiation.
1130-1230
Дискуссия
1235-1255
Заключение
1300-1400
Обед
1430
и позже
Отъезд из Москвы
13
СТЕНДОВЫЕ ДОКЛАДЫ
20 августа, четверг
Секция №1. Распыление, структура поверхности, десорбция
1. T.T.Thabethe, T.T.Hlatshwayo, J.B.Malherbe, E.G.Njoroge and T.G.Nyawo. The effect of
thermal annealing in different atmosphere on Tungsten (W) deposited in 6H-SiC.
2. И.И.Бардышев, В.А.Котенев, А.Д.Мокрушин, А.Ю.Цивадзе. Взаимодействие потока
позитронов с поверхностным зарядом на границе раздела металл-полимер.
3. С.Ф.Белых, А.Б.Толстогузов, А.А.Лозован. Модель эмиссии димеров, эмитированных
из металла в режиме нелинейных каскадов столкновений.
4. V.N.Berzhansky, A.N.Shaposhnikov, A.R. Prokopov, A.V. Karavainikov, T.V.Mikhailova,
V.I.Belotelov, N.E.Khokhlov, Yu.E.Vysokikh. The effect of the ion etching of sputtered
Bi: YIG films on their surface morphology and magneto-optical properties.
5. И.Е.Бородкина, И.В.Цветков. Оценка распыления обращенных к плазме поверхностей с
использованием модели распределения пристеночного падения потенциала с учетом
вторичной электронной эмиссии в наклонном магнитном поле.
6. Н.В.Волков, Д.А.Сафонов. Высокодозное распыление и эрозия поверхности вольфрама
под воздействием потоков ионов He и Ar с широким энергетическим спектром в условиях
повышенных температур (100-500оС).
7. Е.В.Дуда, Г.В.Корнич. Моделирование динамики налетающего кластера Cu3 на
поверхности Cu(100) с моноатомной ступенью.
8. O.А.Yermolenko, G.V.Kornich, S.G.Buga. Sputtering of metal clusters on hydrocarbon
surfaces: a comparative molecular dynamics study.
9. А.Е.Иешкин,
Ю.А.Ермаков, В.С.Черныш.
распыленных кластерными ионами из металлов.
Угловые
распределения
частиц,
10. G.V.Kornich. Simulation of sputtering of surface metal nanoclusters under low energy
ion bombardment.
11. А.В.Лубенченко,
А.А.Батраков,
А.Б.Паволоцкий,
С.Краузе,
Д.А.Иванов,
О.И.Лубенченко, И.В.Шуркаева. Распыление тонких пленок нитрида ниобия ионами
аргона.
12. С.Е.Максимов, Н.Х.Джемилев, С.Ф.Коваленко, В.И.Тугушев, О.Ф.Тукфатуллин,
Ш.Т.Хожиев. Средние константы скорости распада и энергии возбуждения кластеров
металлов, распыленных ионами SF5+ и инертных газов.
13. В.И.Матвеев, С.Н.Капустин. Размеры кластеров при ионном распылении твердого тела с
учетом процесса фрагментации.
14. К.Ф.Миннебаев, К.А.Толпин, В.Е.Юрасова. Анизотропия распыления монокристалла
сапфира.
15. Б.Л.Оксенгендлер,
С.Е.Максимов,
распыления
при
бомбардировке
(синергетический подход).
Н.Ю.Тураев. Возможные механизмы
полиатомными
ионными
пучками
16. В.Н.Самойлов, А.И.Мусин. Об особенностях распределений перефокусированных
атомов, эмитированных с грани (001) Ni, по углам и энергии.
17. А.Н.Сутыгина, Н.Н.Никитенков, И.А.Шулепов, Е.Б.Кашкаров. Ионно-иммерсионная
имплантация алюминия в титан.
14
Секция №2. Рассеяние и проникновение ионов
1. J.S.Li, D.H.Zhang, H.H.Ao, M.M.Tian, Z.Feng, Ya.Q.Sun, S.Kodaira, N.Yasuda.
Fragmentation cross section of 800 A MeV silicon ions on polyethylene target.
2. A.Zugarramurdi, M.Debiossac, P.Lunca-Popa, A.Mayne, A.Momeni, A.G.Borisov, Z. Mu,
P.Roncin, H. Khemliche. Atomic and topographic corrugations of graphene on 6H-SiC(0001)
derived from Grazing Incidence Fast Atom Diffraction.
3. П.Ю.Бабенко, А.Н.Зиновьев, А.П.Шергин. Многократное рассеяние и неупругие потери
энергии при столкновениях ионов с поверхностью.
4. И.К.Гайнуллин. Трехмерные эффекты при резонансном электронном обмене между
атомными частицами и наносистемами.
5. Д.Л.Загорский, В.В.Коротков, С.А.Бедин, Д.А.Парфёнов. Трековые
различных типов для получения нанострутур методом темплатного синтеза.
матрицы
6. А.Н.Зиновьев, Д.С.Мелузова. Определение потенциала из данных по обратному
резерфордовскому рассеянию и электронная экранировка в реакциях ядерного синтеза.
7. А.В.Иванов. Рассеяние заряженных частиц на цепочке атомов углерода.
8. В.П.Кощеев, Ю.Н.Штанов, Д.А.Моргун, Т.А.Панина. Атомный, электронный и
ядерный коэффициенты диффузии каналированных частиц.
9. И.В.Лысова, А.Н.Михайлов. Энергетические характеристики каналирования атомарного
пучка в нанотрубках.
10. А.Д.Мокрушин, Е.В.Егоров, В.А.Смирнов. Анализ состава окисленных и
восстановленных пленок оксида графена с помощью обратно рассеянного пучка ионов.
11. А.Н.Пустовит. Глубина выхода распыленных частиц при наклонном падении первичного
пучка.
12. Г.М.Филиппов, В.А.Александров. Расчет вероятности образования пор при падении
многозарядного иона на ультратонкую пленку.
Секция №3.Эмиссия ионов, электронов, фотонов и рентгеновского
излучения при ионной бомбардировке
1. Б.Г.Атабаев, Р.Джаббарганов, Б.А.Зияев. Изучение эмиссии отрицательно-ионных
кластеров 3C-SiC при бомбардировке ионами Cs+.
2. Б.Г.Атабаев, Р.Джаббарганов, Б.А.Зияев. Эффект димеризации атомов селена и цинка
на поверхности твердого раствора (Ge2)1-x(ZnSe)x.
3. В.П. Афанасьев, П.С. Капля. Инвариантное погружение. Точное и малоугловое решения
для функций, определяющих сигналы электронной спектроскопии.
4. В.П.Афанасьев,
П.С.Капля,
А.С.Грязев,
Д.С. Ефременко,
Ю.О. Андреева.
Восстановление дифференциальных сечений неупругого рассеяния на основе спектров
характеристических
потерь
энергии
электронов,
спектров
рентгеновской
фотоэлектронной эмиссии и оже-спектров.
5. В.П.Афанасьев, П.С.Капля, А.С.Грязев,
фотоэлектронной эмиссии Be и W.
Н.В.Ляпунов.
Cпектры
рентгеновской
6. И.А.Афанасьева, В.В.Бобков, В.В.Грицына, И.С.Зеленина, И.И.Оксенюк, Д.А.Рыжов,
Д.И.Шевченко. О механизмах выбивания возбужденных атомов иттрия при ионной
бомбардировке иттрия и алюмо-иттриевых гранатов.
15
7. П.А.Борисовский,
Е.Н.Моос,
А.И.Руденко,
Ж.П.Русакова.
кристаллического состояния квазидвумерных слоев графита.
Особенности
8. А.Ф.Владимиров. Моделирование влияния внешнего электрического поля на зарядовое и
энергетическое состояние атома, отлетающего от поверхности твёрдого тела.
9.
С.С.Волков, Т.И.Китаева. Аналитические особенности метода ВИМС при исследовании
состава кварцевых концентратов.
10. О.Л.Голубев, Н.М.Блашенков. О влиянии массы изотопа испаряемого иона на процесс
полевого испарения ионов при высоких температурах эмиттера.
11. И.А.Зельцер, Е.Н.Моос, О.В.Савушкин. Энергодисперсионные зависимости истинновторичных электронов имплантированного кремния.
12. S.Parviainen, F.Djurabekova, S.P.Fitzgerald, A.Ruzibaev and K.Nordlund. Atom Probe
Tomography by atomistic simulations.
13. О.А.Коваль, И.В.Визгалов. Применение автоколебательного пучково-плазменного
разряда для имплантации ионов в пылевые частицы.
14. В.А.Литвинов, Д.И.Шевченко, И.И.Оксенюк, В.В.Бобков. Исследование поверхности
сплава накопителя водорода на основе магния методом ВИМС.
15. К.Ф.Миннебаев, А.А.Хайдаров, В.Е.Юрасова. Температурная зависимость эмиссии
вторичных ионов из монокристалла меди.
16. С.Н.Морозов, У.Х.Расулев. Вторичная ионная эмиссия монокристалла GaAs при
бомбардировке кластерными ионами Bim+.
17. С.Н.Морозов. Вторичная ионная, ионно-электронная и ионно-фотонная эмиссия при
бомбардировке иттрия кластерными ионами Bim+.
18. Н.А.Нурматов, Ё.С.Эргашов,
Н.Талипов, Х.М.Сатторов, И.Х.Хамиджонов.
Исследование изменения электронной структуры сплава на основе Nb-Zr при переходе в
интерметаллические соединение.
19. Э.И.Рау, А.А.Татаринцев, В.В.Хвостов, В.Е.Юрасова. Вторично-электронные,
эмиссионные и зарядовые характеристики ионно-облученного сапфира.
20. A.A.Tishchenko, D.Yu.Sergeeva and M.N.Strikhanov. Properties of polarization radiation
from charged particles beam brushing surface of a solid.
21. Ю.И.Тюрин, С.Х.Шигалугов, В.Д.Хоружий, В.П.Гранкин, А.С.Долгов, Ван Яомин.
Люминесценция виллемита Zn2SiO4–Mn в атомарных пучках О, Н, О+Н.
21 августа, пятница
Секция №4. Имплантация ионов и модификация поверхности
1. Н.Д.Абросимова, Д.Ю.Зудин. Влияние режимов имплантации
геометрические параметры структур «кремний на изоляторе».
водорода
на
2. A.V.Alekseev, G.G.Gumarov, V.A.Shustov, V.Yu.Petukhov, V.I.Nuzdin. Investigation of
magnetic uniaxial anisotropy at ion-beam synthesis of iron silicides.
3. D. Bachiller-Perea, L. Thomé, A. Debelle. Damage processes in MgO irradiated with 1.2 MeV
Auions and effect of irradiation temperature.
4. В.И.Бачурин, С.А.Кривелевич. Выбор параметров порядка при моделировании
процессов фазообразования в двойных металлических системах в условиях ионной
бомбардировки.
16
5. S.Biira, J.B.Malherbe, P.Crouse, J. van der Walt. The impact of substrate temperature on the
surface morphology and layer microstructure of ion-bombarded CVD polycrystalline zirconium
carbide thin films.
6. В.В.Бобков, Л.П.Тищенко, Р.И. Старовойтов, Ю.И. Ковтуненко, Л.А. Гамаюнова.
Имплантация ионов дейтерия и гелия в конденсированные вольфрамовые покрытия при
последовательном облучении.
7. Е.А.Боброва, А.В.Леонов, В.Н.Мордкович, А.П.Бибилашвили, Н.Д.Долидзе,
К.Д.Щербачев. Влияние химический природы имплантируемых ионов на радиационное
дефектообразование в Si.
8. Yu.V.Borisyuk, N.M.Oreshnikova, M.A.Berdnikova, A.V.Tumarkin, G.V.Khodachenko,
A.A.Pisarev. Plasma nitriding of titanium alloy Ti5Al4V2Mo.
9. А.И.Виленский, К.Г.Саббатовский.
полиэтилентерефталате.
Латентные
треки
тяжелых
ионов
в
10. Р.А.Валиков, А.С.Яшин, Б.А.Калин, Н.В.Волков. Особенности модифицирования
цилиндрической поверхности под воздействием радиального пучка ионов аргона с
энергией до 5 кэВ.
11. В.В.Воробьев, Ю.Н. Осин, В.Ф. Валеев, В.И. Нуждин, А.Л. Степанов.
Структурные изменения и порообразование в кремнии при имплантации ионами серебра.
12. Д.В.Гусейнов,
С.А.Денисов,
А.В.Нежданов,
И.Н.Антонов,
П.А.Юнин,
В.Н.Трушин,
Д.О. Филатов,
М.В.Степихова,
В.Г.Шенгуров. Имплантируемые ионами P+слои германия
светоизлучающих приборов.
Д.И.Тетельбаум,
З.Ф.Красильник,
на Si(100) для
13. В.И.Зиненко, Ю.А.Агафонов, В.В.Сарайкин. Перераспределение атомов железа,
имплантированных в кремний, вызванное облучением ионами гелия.
14. А.Е.Иешкин, В.С.Черныш, Ю.А.Ермаков, А.В.Молчанов, А.Е.Серебряков,
М.В.Чиркин. Прецизионное полирование поверхности ситалла пучками газовых
кластерных ионов.
15. Т.С.Кавецкий,
Ю.Ю.Кухаж,
Я.Борц,
А.Л.Степанов.
Наноиндентирование
имплантированного ионами бора полиметилметакрилатав области проникновения
инденторадо 1100 нм.
16. Т.С.Кавецкий,
А.Л.Степанов.
Спектроскопические
исследования
ионноиндуцированных процессов в полиметилметакрилате при низкоэнергетической
имплантации ионами бора.
17. К.В.Карабешкин, П.А.Карасёв, А.И.Титов. Структурные нарушения в кремнии при
мплантации ионов PFn+: част II.
18. В.С.Ковивчак, Т.В.Панова. Модификация
мощным ионным пучком.
поликристаллических оксидов металлов
19. Ф.Ф.Комаров, О.В.Мильчанин, В.А.Скуратов, М.А.Моховиков, A.Janse van Vuuren,
J.N.Neethling, E.Wendler, Л.А.Власукова, И.Н.Пархоменко, В.Н.Ювченко.
Ионно-лучевое формирование и трековая модификация нанокластеров InAs в кремнии и
диоксиде кремния.
20. С.А.Кривелевич, В.И.Бачурин. Волны переброса и ионно-индуцированные фазовые
переходы в двойных металлических системах.
21. Ф.Н.Михайлов. Оптимизация параметров при самосборке ЛЦУ методом молекулярной
динамики в силовом поле «ReaxFF».
22. С.Ж.Ниматов, Д.С.Руми. Исследование аморфизации-рекристаллизации
Si(111) при низкоэнергетической ионной бомбардировке.
17
поверхности
23. O.S.Odutemowo, J.B.Malherbe, C.C.Theron, E.G.Njoroge, E.Wendler. In-situ RBS studies
of strontium implanted glassy carbon.
24. Б.Л.Оксенгендлер,
Ф.Г.Джурабекова,
С.Е.Максимов.
распыления нанокристаллов и зона неустойчивости дефектов.
Особенности
ионного
25. В.В.Поплавский,
А.В.Дорожко,
В.Г.Матыс.
Ионно-лучевое
формирование
электрокатализаторов для топливных элементов с полимерным мембранным электролитом.
26. В.С.Просолович, Д.И.Бринкевич, В.Б.Оджаев, А.И.Простомолотов, Ю.Н.Янковский.
Ионно-индуцированные процессы на поверхности диазохинонноволачного резиста.
27. V.I.Pryakhina, D.O.Alikin, I.S.Palitsin, S.A.Negashev and V.Ya.Shur. Influence of Ar+ ion
irradiation on formation of domain structure in LiNbO3 during polarization reversal.
28. В.И.Псарев, Л.А.Пархоменко. Растворение и нуклеация дисперсных выделений в ионнооблученных сплавах.
29. А.В.Рогов,
Ю.В.Капустин,
Ю.В.Мартыненко.
Уменьшение
дефектности
нанокристаллитных покрытий на поликристаллических подложках после ионного
распыления с одновременным напылением.
30. М.К.Рузибаева, Б.Е.Умирзаков. Исследование профиля распределения имплантируемой
примеси при высоких дозах облучения.
31. А.С.Рысбаев, Ж.Б.Хужаниязов, И.Р.Бекпулатов, Р.Ф.Файзуллаев, Ш.А.Талипова.
Термочувствительная структура, созданная имплантацией ионов Р+ и В+ в Si(111).
32. А.С.Рысбаев,
Ж.Б.Хужаниязов,
И.Р.Бекпулатов,
А.М.Рахимов.
дополнительной очистки поверхности монокристаллов кремния.
Способ
33. А.С.Рысбаев,
Ж.Б.Хужаниязов,
И.Р.Бекпулатов,
Р.Ф.Файзуллаев.
Влияние
термического и лазерного отжига на поверхностные свойства и профили распределения
атомов Р и В, имплантированных в Si(111).
34. A.A.Smirnov, S.I.Bozhko, A.M. Ionov, S.G.Protasova, S.V.Chekmazov, A.A.Kapustin. Sb
(111): surface evolution under ion etching.
35. Б.Е.Умирзаков, С.Ж.Ниматов, Х.Х.Болтаев, Б.Д.Донаев. Исследование профиля
распределения примесных атомов по глубине в многослойных системах на основе
кремния.
36. Б.Ф.Фаррахов, Я.В.Фаттахов, М.Ф.Галяутдинов. Динамическая термометрия твердых
тел на основе комбинации методов оптической дифракции и интерференции.
37. C.Herbig, E.H.Åhlgren, W.Jolie, C.Busse, J.Kotakoski, A.V.Krasheninnikov, T.Michely.
Low energy ion irradiation of supported 2D layers and their annealing.
38. T.T.Hlatshwayo, J.B.Malherbe, N.G. van der Berg, R.J.Kuhudzai, E.Wendler. Diffusion of
silver in bombardment-induced amorphous SiC.
39. И.П.Чернов, Е.В.Березнеева, Н.С.Пушилина, П.А.Белоглазова. Модифицирование
циркониевого сплава импульсными пучками заряженных частиц.
40. В.В.Чирков,
Г.Г.Гумаров,
В.Ю.Петухов,
В.Ф.Валеев,
А.Е.Денисов.
Магнитополяриметрические исследования ионно-синтезированных пленок силицидов
кобальта.
41. А.А.Шемухин, А.В.Назаров, Ю.В.Балакшин, В.С.Черныш. Дефектообразование
ирекристаллизация в пленках кремния на сапфире при облучении ионами кремния.
42. А.Г.Широкова,
Е.А.Богданова,
В.М.Скачков,
Л.А.Пасечник,
С.В.Борисов,
Н.А.Сабирзянов. Создание биоактивных имплантатов различными методами.
18
43. K.D.Shcherbachev, E.A.Skryleva, D.A.Kiselev. Influence of a chemical activity of implanted
ions on a structure of a damaged Si surface of SIMOX substrates.
44. K.B.Eidelman, N.Yu.Tabachkova, K.D.Shcherbachev, V.V.Privezentsev. Modification of
ion-beam synthesized Zn nanoparticles in Si (001) by subsequent annealing.
45. Ё.С.Эргашов, Д.А.Ташмухамедова, Ф.Г.Джурабекова, Б.Е.Умирзаков. Влияние
микронеровностей поверхности на состав и электронные свойства пленок CdTe/Mo (111).
46. М.Б.Юсупжанова, Д.А.Ташмухамедова, М.Т.Нормурадов, Б.Е.Умирзаков. Изучение
процессов образования наноразмерных структур в пленках SiO2 при ионной
бомбардировке.
Секция №5. Ионно-индуцированные процессы в тонких пленках и
наноструктурах
1. M.Yu.Barabanenkov, A.I.Il'in, V.T.Volkov, Yu.A.Agafonov, V.I.Zinenko, A.A.Podkopaev.
Annealing stage modelling of low energy ion beam synthesis of submicrometer periodical silicon
oxide pillars in silicon.
2. А.Л.Бондарева, Г.И.Змиевская. Стохастическое моделирование зарождения пор в
тонком слое карбида кремния.
3. L.A.Vlasukova, F.F.Komarov, V.N.Yuvchenko, O.V.Mil’chanin,А.K. Dauletbekova,
A.E.Al’zanova, A.T.Akilbekov. Etching of latent track in amorphous SiO2 and Si3N4:
simulation and experiment.
4. Н.В.Волков,
Т.В.Якуткина,
И.В.Олейников,
Н.В.Сысоева.
Динамические
закономерности ионного перемешивания в многослойных пленочных системах под
воздействием пучков ионов с широким энергетическим спектром.
5. А.А.Дмитриевский, Д.Г.Гусева, В.М.Васюков, В.В.Коренков, А.В.Шуклинов.
Уменьшение адгезии в структуре AlN/Si, индуцированное низкоинтенсивным бетаоблучением.
6. С.Б.Донаев, Э.Раббимов, А.К.Ташатов, Д.А.Ташмухамедова.
трехкомпонентных
нанопленок на поверхности
GaAs при
низкоэнергетическими ионами Na+ и Al+.
Формирования
бомбардировке
7. В.С.Ефимов, Ю.М.Гаспарян, А.А.Писарев, И.Б.Куприянов, Н.П.Порезанов.
Исследование накопления дейтерия в бериллии при облучении мощными импульсными
потоками плазмы.
8. А.Ф.Зацепин, Е.А.Бунтов, А.И.Слесарев. Эффекты ионизации в имплантированных
структурах SiO2/Si при воздействии α-частиц высоких энергий.
9. Г.И.Змиевская, А.Л.Бондарева.
вакансионно-газовыми дефектами.
Повреждения
тонкой
пленки
карбида
кремния
10. Е.Б.Кашкаров, Н.Н.Никитенков, Ю.И.Тюрин, М.С.Сыртанов, Чжан Ле. Влияние
потенциала смещения на структуру и распределение элементов в покрытиях нитрида
титана полученных методом плазменно-иммерсионной имплантации.
11. D.V.Kolodko, D.N.Sinelnikov, A.V.Kaziev, A.V.Tumarkin. Metal-ion Penning source for thin
films deposition.
12. Д.С.Королев, А.Н.Михайлов, А.И.Белов, В.А.Сергеев, И.Н.Антонов, О.Н.Горшков,
А.П.Касаткин, Д.И.Тетельбаум. Влияние ионного облучения на параметры резистивного
переключения в МДМ-структурах на основе оксида кремния.
13. E.G.Njoroge, C. C. Theron, J.B.Malherbe, N.G. van der Berg and T.T.Hlatshwayo. Surface
and interface effects of annealing Zr thin films on 6H-SiC in vacuum.
19
14. Р.В.Селюков, В.В.Наумов, И.И.Амиров. Изменения текстуры пленки платины при
ионно-плазменной обработке.
15. Н.А.Смоланов. Комплексное исследование микрочастиц, осажденных из плазмы
дугового разряда на стенках вакуумной камеры.
16. А.С.Сохацкий, Е.А.Корнеева, J.O’Connel, В.А.Скуратов, А.А. Никитина, J.Neethling.
Влияние метода подготовки образцов стали на качество структурных исследований с
помощью просвечивающей электронной микроскопии.
17. А.В.Степанов. Влияние упругих возмущений стенки углеродной нанотрубки на
каналирование в ней медленных атомных частиц: расчет из первых принципов.
18. А.В.Степанов. Каналирование частиц в гетероструктурах из углеродных нанотрубок с
дефектами.
19. С.В.Томилин, А.С.Яновский, В.Н.Бержанский, А.Н.Шапошников, О.А.Томилина.
Ионно-полевые процессы в островковых металлических наноплёнках.
20. В.В.Углов, Г.Абади, Н.Т.Квасов, С.В.Злоцкий, И.А.Солодухин, В.И.Шиманский.
Ионно-индуцированные процессы в тонкопленочных многослойных покрытиях на основе
нитридов циркония и кремния, облученных ионами ксенона.
22 августа, суббота
Секция №6. Взаимодействие плазмы с поверхностью – физика и
технология
1. A.V.Filimonov, N.V.Andreeva, E.Y.Koroleva. Low temperature surface modification of
potassium tantalate doped with lithium ions by means of piezoresponse force microscopy.
2. А.А.Айрапетов, Л.Б.Беграмбеков, Я.А.Садовский. Газификация и удаление
перенапыленных углеродных слоёв из плазменных установок воздействием кислородноозоновой смесью.
3. И.И.Амиров, М.О.Изюмов, В.В.Наумов. Селективное низкоэнергетическое распыление
пленок металлов в аргоновой с добавкой кислорода плотной плазме.
4. В.В.Андреев, Л.А.Васильева. Исследование диэлектрического барьерного разряда в
ячейке с периодическим рядом металлических полос- электродов, расположенных в
диэлектрике.
5. В.Н.Арустамов, Х.Б.Ашуров, И.Х.Худайкулов, Б.Р.Кахрамонов. К вопросу о
генерации плазменного потока вакуумным дуговым разрядом и осаждения покрытий.
6. В.Н.Арустамов, Х.Б.Ашуров, И.Х.Худайкулов, Б.Р.Кахрамонов. К вопросу о
структурных преобразованиях поверхности конструкционных материалов при
воздействии вакуумной дугой.
7. В.Н.Арустамов, Х.Б.Ашуров, Р.Б.Нагайбеков, И.Х.Худайкулов, Б.Р.Кахрамонов.
Моделирование процессов усиления поля на микронеровностях катода дуговых разрядов в
вакууме.
8. В.Н.Арустамов, Х.Б.Ашуров, Р.Б.Нагайбеков, И.Х.Худайкулов, Б.Р.Кахрамонов.
Особенности ионизации ионов катодном пятне вакуумного дугового разряда.
9. В.Н.Арустамов, Х.Б.Ашуров, И.Х.Худайкулов, Б.Р.Кахрамонов. Роль электрического
поля в процессе формирования катодного пятна вакуумной дуги.
10. В.Н.Арустамов, Х.Б.Ашуров, И.Х.Худайкулов, Б.Р.Кахрамонов. Формирование тонких
пленок при осаждении их из плазмы вакуумного дугового разряда.
20
11. А.А.Барат, Д.Д.Григорян, В.В.Манухин. Методика рассчета энергетических спектров
распыления слоисто-неоднородных конструкционных материалов, взаимодействующих с
плазмой.
12. А.А.Батраков,
А.В.Рыженков,
О.С.Зилова,
Г.В.Качалин,
А.А.Бурмистров,
А.П.Лепехов. Послойный анализ защитных слоев нитрида титана на основе
спектроскопии тлеющего разряда.
13. Н.Н.Божко, В.П.Столяров, Ф.А.Доронин, В.Г.Назаров. Плазмохимическая обработка
поверхности полимерных пленок.
14. G.G.Bondarenko, V.I.Kristya, M.R.Fisher. Modeling of the effect of field electron emission
from the cathode with a thin dielectric film on the Townsend discharge ignition voltage in
argon–mercury mixture.
15. А.М.Борисов,
А.В.Виноградов,
В.Г.Востриков,
Б.Л.Крит,
В.Б.Людин,
М.Н.Полянский, С.В.Савушкина, Н.В.Ткаченко. Исследование оксидных покрытий на
цирконии и циркониевом сплаве Э110, полученных при плазменном воздействии в
электролитах.
16. Л.И.Брюквина, С.В.Липко. Влияние плазмы в фокусе фемтосекундных лазерных
импульсов на морфологию поверхностного слоя щелочных фторидов.
17. A.G.Gorobchuk. Numerical investigation of silicon surface polymerization in CF4/H2 plasma.
18. Д.В.Гранкин, А.И.Бажин, В.П.Гранкин. Электронное возбуждение поверхности
атомами из водородной плазмы при наличии УФ излучения.
19. А.Е.Евсин,
Л.Б.Беграмбеков,
А.А.Гордеев.
Плазменные
методы
создания
поверхностных слоев на цирконии, препятствующих проникновению водорода.
20. В.К.Егоров, Е.В.Егоров, М.С.Афанасьев. Рентгенофлуоресцентный анализ в условиях
полного внешнего отражения при ионно-пучковом возбуждении.
21. M. Zibrov, Yu. Gasparyan, A. Shubina, and A. Pisarev. Determination of hydrogen binding
energies with defects in metals from thermal desorption measurements with different heating
rates.
22. С.П.Зимин, И.И.Амиров, Е.С.Горлачев, В.В.Наумов, E.Abramof, P.H.O.Rappl.
Плазменное распыление пленок Pb1−xEuxTe при вариации состава и структуры.
23. С.В.Иванова, Л.Н.Лесневский, М.А.Ляховецкий, О.А.Наговицина. Структура и
свойства поверхностных слоёв, формируемых методом микродугового оксидирования на
циркониевом сплаве.
24. А.И.Камардин, Р.Х.Сайдахмедов, Г.А.Хамраева. Использование магнетронов с горячим
катодом для нанесения декоративных покрытий.
25. Е.С.Киселева, Н.Н.Никитенков, В.С.Сыпченко. Исследование состава, оптический
свойств покрытий на основе диоксида титана осажденных методом реактивного
магнетронного распыления.
26. В.И.Кристя, Йе Наинг Тун. Расчет характеристик распыления катода с диэлектрической
пленкой переменной толщины в тлеющем разряде.
27. К.И.Круглов, В.К.Абгарян, Х.Леб. Численное моделирование нагрева элементов
конструкции источников ионов с радиочастотным нагревом плазмы разряда.
28. E.Marenkov, S.Krasheninnikov. Ablation of high-Z material dust grains in edge plasmas.
29. E.Meshcheryakova, M.Zibrov, A.Kaziev, G.Khodachenko, A.Pisarev. Characterisation of
plasma parameters of inductively-coupled plasma source and its application for nitriding of
steels.
21
30. А.Б.Надирадзе, Р.Р.Рахматуллин, С.В.Урнов. Образование рельефа на поверхности
боросиликатных стекол под действием ксеноновой плазмы при скользящих углах падения.
31. Л.С.Новиков,
Е.Н.Воронина,
В.Н.Черник,
Е.А.Воробьева,
А.В.Макунин,
К.Б.Вернигоров, К.С.Яковлев, М.Ю. Яблокова. Эрозия полимерных нанокомпозитов на
основе углеродных нанотрубок под действием кислородной плазмы.
32. Л.С.Новиков, Е.Н.Воронина, В.Н.Черник, Л.А.Жиляков. Изменение свойств
полиимидных пленок при последовательном облучении протонами и кислородной
плазмой.
33. Ф.С.Подоляко, И.А.Сорокин, К.М.Гуторов, И.В.Визгалов, Е.Г.Шустин. Формирование
моноэнергетичного ионного потока из плазмы на диэлектрический образец.
34. A.S.Popkov, S.A.Krat, Yu.M.Gasparyan, A.A.Pisarev. Interaction of lithum-deuterium films
with atmospheric gases.
35. A.A.Pshenov, A.A.Eksaeva, S.I.Krasheninnikov, E.D.Marenkov. Vapour shielding of solid
targets exposed to high heat flux.
36. Т.Д.Раджабов, А.М.Назаров, С.В.Ковешников. Способы очистки поликристаллического
кремния для солнечных элементов.
37. Т.Д.Раджабов, А.И.Камардин, А.А.Симонов, З.Т.Хакимов. Ионно-стимулированное
осаждение многослойных металлических покрытий.
38. Б.К.Рахадилов, Т.Р.Туленбергенов, И.А.Соколов,
взаимодействия стационарной плазмы с вольфрамом.
Д.А.Гановичев.
Исследование
39. Р.И.Романов, С.Н.Григорьев, В.Ю.Фоминский, М.А.Волосова. Регулирование
параметров ионной бомбардировки для получения твердосмазочных покрытий с
улучшенными свойствами.
40. А.В.Савченков, К.Л.Губский, А.П.Кузнецов, Е.И.Никитина, С.Н.Тугаринов,
О.И.Бужинский. Система лазерной очистки поверхности зеркал оптических диагностик
на ИТЭР.
41. I.A.Sorokin, I.V.Vizgalov, O.A.Bidlevich. Analysis of ion fluxes in linear plasma devices.
42. М.А. Степович,
М.Н. Шипко,
В.Г. Костишин,
В.В. Коровушкин.
Ионноиндуцированные коронным разрядом процессы в супердисперсных частицах магнетита.
43. Н.Н.Черенда,
А.П.Ласковнев,
А.В.Басалай,
В.В.Углов,
В.М.Асташинский,
А.М.Кузьмицкий. Структурно-фазовые изменения в бронзе, легированной атомами
титана под действием компрессионных плазменных потоков.
44. В.И.Шиманский, Н.Н.Черенда, В.В.Углов, В.М.Асташинский, А.М. Кузьмицкий.
Модификация структурно-фазового состояния системы Nb/Ti компрессионными
плазменными потоками.
45. М.Н. Шипко, В.Г. Костишин, М.А.Степович, В.В. Коровушкин. Модификация свойств
ферритовых материалов с гексагональной структурой при обработке в плазме коронного
разряда.
22