Èíôîðìàöèîííûé áþëëåòåíü Расширение рынка сверхпроводящих материалов и изделий
advertisement
Èíôîðìàöèîííûé áþëëåòåíü ÏÀÑ íàíîñòðóêòóðû ñâåðõïðîâîäíèêè ôóëëåðåíû Òîì 6, âûïóñê 5 15 ìàðòà 1999ã.  ýòîì âûïóñêå: ГЛУБОКИЙ ПРОРЫВ Расширение рынка сверхпроводящих материалов и изделий Прогнозы о возможной революции в энергетике при внедрении сверхпроводниковых устройств начинают обретать реальное подтверждение. Героем дня становиться американская фирма American Superconductor Corp. (ASC), освоившая выпуск сверхпроводниковых индуктивных накопителей (SMES) и активно внедряющая их в энергосистемы ряда американских предприятий с критическими непрерывными производствами. Недавно ASC приступила к завоеванию европейского рынка электротехнических устройств, поставив SMES австрийской энергетической компании STEWEAG. Накопитель будет установлен весной 1999 года на алюминиевом заводе в Gleisdorf’e. Грозовые штормы (к слову, очень частые в этом регионе Австрии), транспортные инциденты и непредвиденный выход из строя энергетически мощного оборудования приводят к сбросу напряжения в сети. В 80% случаев длительность сбоя не превышает 2 секунд, однако может привести к прерыванию промышленного цикла на алюминиевом гиганте. Потери промышленников от таких сбоев оцениваются миллиардами долларов в год. Накопитель целиком исключает эти проблемы. ASC заявила недавно также о выпуске новой продукции - распределяющего накопителя (Distributed-SMES, или D-SMES), предназначенного для непрерывного управления электросетью посредством мгновенной инъекции мощности для компенсации резких скачков напряжения. Это расширяет сферу применения накопителей от электросети отдельных предприятий с критическими производствами до больших энергосистем. D-SMES способен также повысить энергоемкость системы без дополнительных затрат. ASC проявляет активность и в продвижении ВТСП технологии. Вместе со своими партнерами ASC приняла грант от Министерства энергетики США (DОE) на поддержку, изготовление, установку и полевые испытания в потребительской электросети США первого ВТСП трансформатора. Над его разработкой ASC работала совместно со швейцарской фирмой Asia Brown & Bovery (АВВ). В Швейцарии (в Женеве) были проведены и первые предварительные испытания ВТСП трансформатора в 1997 году. В январе 1998 года в связи с успешными испытаниями DОE выделило 15 млн. долл. в поддержку четырех летней совместной программы разработок с участием АВВ, ASC и Electrecity de France (самой крупной в мире электроэнергетической компании). В рамках этого соглашения роли между его участниками распределились следующим образом: трансформатор изготавливает ABB Power T&D Company, используя ВТСП проводники, поставляемые ASC; криогенное оборудование для È äàëåå ... СВЕРХПРОВОДНИКИ 2 О возможности единого механизма "60К плато" в Y-123 и "аномалии 1/8" в La-214 Нетрадиционный Varelogiannis предлагает вернуться к традициям Другая точка зрения на FS контакт 3 Перспективы для сквидов в системах неразрушающего контроля 3 Новый подход к изотопическому эффекту в манганитах 3 Пористый кремний врывается в прикладную оптоэлектронику 4 Пористый кремний. Разгадка механизма формирования 5 Наночастицы усиливают фотоотклик МАНГАНИТЫ НАНОСТРУКТУРЫ Как поймать свет? Прогресс в фотонных кристаллах МИКРОТЕХНОЛОГИИ 5 На пути к 1150мм кремниевым пластинам НОВЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ ИЗДАНИЯ 6 New Journal of Physics (http://njp.org) 6 26-30 апреля 1999 г. Звенигород, пансионат “Липки”. Всероссийская научно-техническая конференция “Микрои наноэлектроника-98” (МНЭ-98) КОНФЕРЕНЦИИ НОВОСТИ ФИЗИКИ В БАНКЕ ПРЕПРИНТОВ 7 8 ÍÀÍÎÑÒÐÓÊÒÓÐÛ ÑÂÅÐÕÏÐÎÂÎÄÍÈÊÈ трансформатора устанавливает непосредственно на выбранной подстанции американская фирма Air Product and Chemical. Разрабатываемый трансформатор класса 10МВА станет первым очень важным шагом на пути к коммерческому ВТСП трансформатору класса 30МВА. Известно, что мировой рынок традиционных трансформаторов класса >30МВА составляет около 3 млрд. долл. в год. Пока не преодолены все технологические трудности с производством ВТСП кабелей большой длины, фирмы ищут рынок для относительно коротких кабелей. Это могут быть электросистемы предприятий или городских районов с плотной застройкой. Так американская ф. Southwire планирует установить производимый ею ВТСП кабель на трех своих заводах в Carrollton'e. Southwire является одним из 6-ти разработчиков ВТСП кабелей, финансируемых Министерством энергетики США, и одной из двух американских фирм, производящих ВТСП кабели (другая фирма - ASC). Крупную сделку на поставку НТСП (Nb3Sn) материала для корейского токамака KSTAR заключила американская компания Intermagnetic General Corp. (IGM). IGM поставит в апреле 1999 года полуфабрикат – сверхпроводящий стержень на общую сумму 800 тыс. долл., который пройдет окончательную доводку и каблирование в Корее. Для следующего этапа реализации проекта KSTAR, который начнется осенью 1999 года, потребуется еще 6 тонн сверхпроводящего Nb3Sn. Всего же для изготовления магнитной системы KSTAR потребуется 25 тонн сверхпроводника. СВЕРХПРОВОДНИКИ О возможности единого механизма "60К плато" в Y-123 и "аномалии 1/8" в La-214 Хорошо известно, что практически во всех ВТСП критическая температура Tc очень чувствительна к концентрации дырочных носителей заряда p (в расчете на один атом меди в слоях CuO2). Например, в Bi2Sr2CaCu2O8+y и Tl2Ba2CuO6+y величина Tc имеет максимум как функция y (то есть как функция p). По-другому обстоит дело в ВТСП YBa2Cu3O7-: увеличение дефицита кислорода (то есть уменьшение p) приводит к появлению на кривой Tc() так называемого "плато" Tc60К при =0.30.6. Причина существования такого плато долго обсуждалась в литературе и, как принято считать, обусловлена упорядочением кислородных вакансий в кислородосодержащих слоях CuO1-. Что касается La2-xSrxCuO4, то в этом ВТСП величина Tc определяется содержанием стронция x (при этом px) и имеет аномалию при p=1/8 (так называемая "аномалия 1/8"). Японские ученые из Tohoku University выполнили детальные исследования зависимости Tc и p от в 2 1999, том 6, выпуск 5 YBa2Cu3O7- [M.Akoshima and Y.Koike, J. Phys. Soc. Jap. 67 (1998) 3653]. Они пришли к заключению, что падение Tc до 60 К происходит как раз при p=1/8. Таким образом не исключено, что казавшиеся различными эффекты имеют общий механизм. Этот механизм, по мнению авторов, - наличие динамического упорядочения "полосок" (stripes) в слоях CuO2 и стабилизация флуктуаций "полос" при p=1/8. Нетрадиционный Varelogiannis предлагает вернуться к традициям Уже несколько лет продолжаются интенсивные дебаты относительно симметрии параметра порядка в высокотемпературных металлооксидах. Большая часть экспериментов свидетельствует в пользу d-спаривания, хотя ВТСП с электронной проводимостью являются, видимо, классическими изотропными s-волновыми сверхпроводниками. Необычная симметрия сверхпроводящего состояния в других купратах традиционно связывается с природой того электрон-бозонного взаимодействия, которое и обуславливает высокие температуры перехода Tc (например, взаимодействие со спиновыми флуктуациями). Как утверждает Georgios Varelogiannis [1] (тот самый, который ловко в одиночку организовал и провел летом прошлого года конференцию на Крите), дело совсем не в этом. В ВТСП системах с электронной топологией параметрами, определяющими тип симметрии (s- или d-волна) в них, являются величина и структура кулоновского псевдопотенциала. Это утверждение означает, что принципиально схожие оксиды с одним и тем же механизмом спаривания и близкими Tc могут иметь различную зависимость параметра порядка от импульса. В таком случае для объяснения экспериментальных результатов оказываются достаточными обычные представления об электрон-фононной природе сверхпроводимости, и никаких новых гипотез измышлять не надо. [1] G. Varelogiannis, Solid State Communs, 1998, 107, p.427 Другая точка зрения на FS контакт ПерсТ недавно (вып.3 с.г.) сообщал о растущем интересе к контактам ферромагнитного металла со сверхпроводником, в которых наблюдается подавление андреевского рассеяния, обусловленное различным уровнем заполнения электронных подзон с противоположными направлениями спина (стонеровская модель магнетизма). Однако в недавнем препринте группы французских ученых (O.Bour-geois et al., http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/9901045) было обнаружено совершенно противоположное явление, а именно УСИЛЕНИЕ андреевского рассеяния на границе ферромагнетика со сверхпроводником. Исследовались контакты вида Nb/Al/Gd/Al/Nb, в которых гадолиний находился в гранулированном ПерсТ, виде. Сам гадолиний - металл со слабо поляризованной зоной проводимости (величина поляризации составляет всего лишь 5 - 7%), и поэтому трудно было ожидать каких-либо радикальных изменений транспортных свойств системы. Однако, как оказалось, даже небольшая поляризация, возникающая в результате приложения внешних магнитных полей до 100мТ, приводит к значительному падению сопротивления (примерно на 40% при Т=2К). Авторами предложена упрощенная модель, использующая идею зеемановского расщепления электронных состояний "горячих" электронов. по магнитному потоку 3.8х10-6Ф0Гц-1/2 в полосе белого шума выше 3Гц. Перспективы для сквидов в системах неразрушающего контроля Ближайшее широкое применение сквидов, как правило, связывают с медицинской диагностикой. Однако в последнее время крупные промышленные и строительные фирмы стали проявлять интерес к сквидам, как к чувствительным элементам для неразрушающего магнитного контроля крупных металлических конструкций (корпусов самолетов, конструкций мостов и др.). Сегодняшние методы неразрушающего контроля таких конструкций, связанные с измерением изменения электрического сопротивления, фиксируют факт уже совершившегося акта разрушения (например, появление трещин). Магнитный контроль с применением сквидов, как показывают эксперименты, может регистрировать возникновение пластической деформации, предшествующей образованию трещин. МАНГАНИТЫ Типичная сквид-система для неразрушающего магнитного контроля состоит из катушек, возбуждающих низкочастотные (обычно 80-130Гц) токи в образце, и сквида, регистрирующего магнитное поле только возбужденных токов. Недавно в совместной работе японских физиков и инженеров (Electrotechnical Laboratory, Seiko Instrument, Shimizu Corp.) была предложена более упрощенная, исключительно перспективная конструкция такой системы, исключающая применение катушек возбуждения [1]. При этом для ферромагнитных конструкционных материалов (в частности, для углеродистой стали) чувствительности сквида оказалось вполне достаточно, чтобы регистрировать изменения намагниченности, вызванные малыми пластическими деформациями. Более того, авторам удалось убедительно доказать, что изменения в общей картине намагниченности образца происходят в тех областях конструкции, где оптически наблюдаются так называемые полосы Людерса, обусловленные возникающими при пластической деформации дислокациями в кристаллитах материала. В эксперименте использовался НТСП сквид-градиентометр с разрешением 3 1999, том 6, выпуск 5 Предложенная японскими авторами методика позволит выявлять появление малых усталостных деформаций в ответственных металло-конструк-циях, не дожидаясь аварийных ситуаций, связанных с возникновением трещин. В частности, авторы работы [1] отчетливо фиксировали сигналы, возникающие при остаточных деформациях на уровне 0.2 % от длины образца. 1. N. Kasai, K. Chinone, S. Nakayama et al., Jpn. J. Appl. Phys., 1998, 37(11) pp.5965-5970 Новый подход к изотопическому эффекту в манганитах Одна из наиболее популярных трактовок эффекта гигантского изотопического эффекта в манганитах с колоссальным магнитосопротивлением (КМС) базируется на широко распространенной точке зрения, что механизм КМС обусловлен взаимодействием дырочных носителей как с намагниченностью, так и с фононами. Последнее в манганитах является аномально сильным из-за ян-теллеров-ской природы ионов Mn3+. Однако есть и другой взгляд на природу КМС [1], согласно которому главенствующую роль играет рассеяние носителей заряда на магнитных примесях, тогда как взаимодействие дырок с фононами не столь принципиально. Но как в рамках этого подхода объяснить изотопический эффект? Свою интерпретацию предложил Э.Л.Нагаев (Институт физики высоких давлений, Троицк) в работе [2]. Согласно Нагаеву, равновесная концентрация кислородных вакансий или избыточных атомов кислорода в манганитах зависит от массы изотопа кислорода. Поскольку вакансии и избыточные атомы выступают в качестве доноров и акцепторов соответственно, полная концентрация носителей также зависит от массы изотопа. В [2] рассмотрены и другие возможные механизмы изотопического эффекта. Один из них, например, основан на различии эффективных давлений, оказываемых на решетку со стороны нестехиометрического кислорода. [1] Э.Л.Нагаев, УФН, 1996, 166, p.833 [2] E.L.Nagaev, Phys. Rev. B, 1998, 58, p.12242 НАНОСТРУКТУРЫ Пористый кремний врывается в прикладную оптоэлектронику Собственные люминесцентные свойства полупроводниковых материалов давно не удовлетворяют создателей оптоэлектронных проборов, а по сему необходимые параметры излучения они обеспечивают в результате сложных технологических приемов: сращивания материалов различного типа ПерсТ, (гетеропереходов), варизонных и низкоразмерных структур, встроенных резонаторов, нанесения дифракционных решеток и т.п. Возможно, ряд проблем сможет решить пористый кремний. лет, проблема объяснения механизма самоформирования массива квантовых проволок оставалась неприступной, несмотря на отчаянные попытки разделаться с ней одним ударом. Авторы работы [1] сумели сделать на пористом кремнии то, что лишь недавно достигнуто в давно осваиваемых оптоэлектронных материалах семейства A3B5 (см. например, [2]). В рамках одного технологического процесса в кристалле кремния удалось вырастить сложную планарную структуру – связанные резонаторы Фабри-Перо с активной средой и регулируемой степенью связи. Внутренний объем резонаторов, а также многослойные диэлектрические зеркала (распределенные брегговские отражатели), как внешние (для вывода излучения), так и промежуточное (между резонаторами), были образованы слоями пористого кремния с различной степенью пористости (и, соответственно, с отличающимися коэффициентами преломления). Напомним: было показано, что ток при анодном травлении должен шнуроваться, но при этом не было объяснено, почему шнурование не распространяется на макроскопические области, а ограничивается нанометровыми зонами; предполагалось, что устья пор травления привязаны к примесям или дефектам, но вопиющее расхождение численных оценок (1015/см2 пор при допировании 1015/см3) игнорировалось; ключевая роль в процессе приписывалась исключительной амбивалентности кремния (хотя к тому времени уже были опубликованы работы по пористым арсениду и фосфиду галлия, карбиду кремния); предполагалось даже, что происходит случайный пробой поверхностного окисла во многих точках и это формирует центры травления пор. Как результат - получено сужение полосы люминесценции пористого кремния примерно на порядок, показана возможность управления спектральным положением полосы излучения за счет встроенной в кристалл кремния системы резонаторов. Проведенные измерения оптических свойств позволили получить оценку для силы оптического осциллятора в этих материалах – f = 4105 на элементарную ячейку, что должно соответствовать материалу с непрямым минимумом запрещенной зоны. В текущем году в русскоязычном Internet появилась совместная публикация ученых ФТИ им.А.Ф.Иоффе (С.Петербург) и Университета Турку (Финляндия), в которой предлагается новый подход к проблеме. Ответственными за формирование системы квантовых проволок оказываются классические законы динамики подсистемы подвижных зарядов в кристаллическом кремнии. Пористый кремний. Разгадка механизма формирования Идея состоит в следующем: когда дырка локализуется на поверхности кремния и инициирует цепь химических реакций, она “исключается” из подсистемы подвижных носителей, и в локальной области (порядка радиуса Дебая) появляется обеднение по дыркам, тормозящее травление. Локальное отклонение концентраций не стационарно - оно будет скомпенсировано другими подвижными носителями за отрезок времени порядка максвелловского времени для исходного кристаллического кремния. Однако если скорость стравливания не слишком мала, на внешней границе области обеднения (за время ее существования) также может произойти следующий акт травления. Второй акт травления, в свою очередь, создаст свою временную область обеднения, которая перекроется с частью первой области обеднения - между первой и второй точками травления. Вследствие этого, когда область обеднения после первого акта стравливания рассосется, область поверхности между точками первого и второго акта травления останется обедненной, и вероятность стравливания между этими точками все еще будет пониженной. За границей области обеднения (на этот раз за границей второй области) окажется точка первого травлениия, где стравливание будет снова возможно. Хотя со времени начала последней волны исследований пористого кремния прошло почти десять Таким образом, по предлагаемому механизму центры травления будут дистанцироваться друг от Примечательно, что для создания столь сложного оптоэлектронного устройства понадобилось всего лишь время от времени изменять силу тока в процессе анодного травления кремния. Десятилетие назад, после публикации Кэнэма [3], когда пористый кремний стал известен широкому кругу специалистов, сама возможность получить эффективную видимую люминесценцию из кремния действовала настолько завораживающе, что предельная простота технологических процессов, позволяющих управлять этим материалом, первоначально оставалась в тени. Теперь, с публикацией работы [1], эта потенциальная возможность начинает реализовываться. Более того, эта работа – прекрасный пример того, что высокие технологии – это не обязательно дорогие технологии, но обязательно – высокое искусство владения материалом. [1] Phys. Rev. B, 1998, 58, p.15794 [2] Appl. Phys. Lett., 1997, 71, p.864 [3] Appl. Phys. Lett, 1990, 57, p.1046 4 1999, том 6, выпуск 5 ПерсТ, друга на расстояние порядка радиуса Дебая; в соответствии с моделью расстояние между порами должно уменьшаться при увеличении концентрации свободных носителей – оба эти основных следствия модели выполняются без исключений. Более того, из модели следует, что пористый кремний не будет образовываться при малых токах анодизации, что так же известно по опыту. По модели, это является следствием того, что область обеднения может рассосаться до того, как пройдет следующий акт травления на ее границе – тогда перекрытия областей обеднения не произойдет, и точки травления перестанут коррелировать. Таким образом, есть надежда, что возникновение пористого кремния перестало быть загадкой. А вторая хорошая новость в том, что появился русскоязычный научный журнал в Internet, где описанное выше и опубликовано: http://zhurnal.mipt.rssi.ru/articles/1999/001.pdf Contact: M.E.Kompan <kompan@solid.ioffe.rssi.ru> Наночастицы усиливают фотоотклик Кремниевые фотоприемники, несмотря на довольно малую чувствительность, вызывают невольный интерес, поскольку только они могут встроиться в монолитную технологию кремниевой интегральной схемы. Их присутствие необходимо для обеспечения оптического канала связи между чипами. Главнейшим требованием к фотоприемнику в этом случае является его быстродействие. В этом деле достигнуты несомненные успехи. В структуре металл-полупроводник-металл с толщиной слоя кремния 100нм получено быстродействие 140ГГц. Причем, как раз в диапазоне длин волн 800-850нм лазерного диода на GaAs. Вообще говоря, чем тоньше слой кремния, тем быстрее растаскиваются фотоносители, а, следовательно, выше быстродействие. Однако за быстродействие приходится платить чувствительностью. Для повышения чувствительности были предложены различные ухищрения, основная цель которых загнать объемную световую волну в слой кремния, как в открытый волновод. Как правило, этому способствует соответствующее текстурирование поверхности. К сожалению, эта операция очень сложная, особенно для тонких слоев кремния. Исследователи из University of Rochester, New York (США) предложили и реализовали более простой прием. Они нанесли на поверхность кремния металлическую островковую пленку, увеличив таким образом чувствительность детектора в 20 раз. Причиной этого явления авторы называют плазменные колебания в металлических частицах, которые выступают посредником при трансформации объемной волны в волноводную моду. Appl. Phys. Lett., 1998, 73, p.3815 Как поймать свет? 5 1999, том 6, выпуск 5 Было бы интересно научиться аккумулировать свет и выпускать его на волю в нужном месте и в нужный час. Одна из идей основывается на накоплении фотогенерированных электрон-дырочных пар в полупроводниках. Однако первые же шаги по этому пути приводят к противоречию. В прямозонных полупроводниках электрон-дырочные пары эффективно генерируются, но в то же время и эффективно рекомбинируют. В непрямозонных полупроводниках все наоборот. Чтобы выпутаться из этого противоречия ранее предлагалось после фотогенерации электрон-дырочных пар в прямозонном полупроводнике сразу же пространственно разделять их. Это можно осуществить в полупроводниковых гетероструктурах, формирующих пространственно разнесенные потенциальные ямы для дырок и электронов. A.Wixforth из Ludwig Maximillians-Universitat, Munchen (Германия) предложили использовать поверхностную акустическую волну на пьезоэлектрической подложке, которая захватывает и уносит носители далеко от места их генерации, что обеспечивает значительно более длительное хранение. Physica E, 1998, 3, p.145 Прогресс в фотонных кристаллах Огромный скачок в быстродействии компьютеров можно вызвать использованием фотонов вместо сравнительно медленных электронов и дырок в полупроводниках. Основой таких компьютеров могли бы послужить оптические кристаллы, обладающие аналогичной полупроводникам зонной структурой, т.е. имеющие запрещенную зону. Роль примесных центров в фотонных кристаллах могли бы играть оптические каверны, захватывающие фотоны. Далее при проектировании устройств на подобных кристаллах можно было бы копировать полупроводниковые аналоги. Для формирования оптического кристалла необходимо создать периодическую структуру из материалов со значительно различающимися диэлектрическими постоянными. Так, специалистам из Sandia National Laboratories (CША) удалось сформировать структуру, состоящую из брусков поликремния, уложенных особым образом: в каждом последующем слое они укладываются перпендикулярно предыдущему. Изготовленная решетка содержала 4 слоя и проявляла заметный провал в коэффициенте прохождения в диапазоне длин волн света около 1.5мкм, что является признаком наметившейся запрещенной зоны. Physics Today, January, 1999, 17 МИКРОТЕХНОЛОГИИ На пути к 1150мм кремниевым пластинам Международная конференция по твердотельным приборам и материалам (ICSSDM), проходившая в ПерсТ, Хиросиме осенью 1998г., в числе важнейших обсуждала проблему развития кремния, как исходного материала для подложек диаметром 300 400мм и сферических кристаллов. По данным ф. Hitachi переход на 300мм Si слитки и пластины оправдает себя, если стоимость нового оборудования для них не будет дороже, чем 1.1 1.2 стоимости оборудования для пластин 200мм (в настоящее время это соотношение 1.5). При этом цена самих 300мм пластин в расчете на 1см2 составит не более половины стоимости 200мм (в настоящее время она составляет 4.5). Эти цифры убедили участников конференции, что пока не стоит переходить к 300мм производству. Главное усилие нужно направить на уменьшение размеров приборов, а не на инвестиции в новые заводы. Однако, это не помешало директору Super Silicon Crystal (SSC, Япония) сделать доклад об уже достигнутом его фирмой прогрессе в технологии 400мм пластин и продемонстрировать их образцы, а также поразмышлять о технологических преимуществах пластин диаметром …1150мм! Что касается обработки 400мм пластин, то SSC планирует отказаться от химического травления и полировки традиционным групповым методом погружения, а ввести метод влажной очистки индивидуальной пластины. Задачи, которые предстоит решить фирме, сводятся к следующим: достичь веса слитка 400кг (в настоящее время 200кг); увеличить эффективную длину кристаллического слитка до 120см (в настоящее время 30см); достичь плоскостности 0.13мкм; снизить уровень примесей до 10-8 атомов/см2; снизить толщину эпитаксиального слоя до (2-3мкм)3% (процесс отрабатывается). Что касается перспективы использования сенсационных сферических кремниевых монокристаллов, о которой докладывал A.Ishikawa, директор Ball Semiconductor Inc., то основная часть участников конференции не поняла, чем шарик лучше плоской пластины. К тому же, что ни проблема (например, кристаллическая ориентация на сферических поверхностях), то ворох вопросов. Solid State Technology, 1998, 41(11) НОВЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ ИЗДАНИЯ New Journal of Physics (http://njp.org) С прошлого года в Интернете стал доступным новый англоязычный физический журнал, который так и называется - "New Journal of Physics" (NJP). В отличие от, скажем, американского банка препринтов, обзор которого регулярно появляется на страницах ПерсТ'а, это издание (оно существует 6 1999, том 6, выпуск 5 ТОЛЬКО в электронном виде) является полным аналогом традиционных бумажных журналов. Все поступающие в редакцию статьи рецензируются с точки зрения высокого научного уровня, существенного вклада в развитие определенной области физики и хорошего литературного языка, включая четко сформулированные аннотацию и введение в проблему. Издателями New Journal of Physics, который охватывает все области физики, являются Институт физики (Institute of Physics) Великобритании и Немецкое физическое общество (Deutsche Physikalische Gesellschaft). NJP публикует оригинальные (и только оригинальные) работы и имеет амбициозные планы превратиться в один из ведущих физических журналов. Сейчас он доступен всем желающим через Интернет и существует за счет авторов публикаций, которые должны перечислить Институту физики по 500 американских долларов. Естественно, что электронный журнал использует чисто электронные способы отправки статьи, ее рецензирования и т.п. Более подробную информацию об этом издании можно получить в Интернете по адресу: http://njp.org КОНФЕРЕНЦИИ 26-30 апреля 1999 г. Звенигород, пансионат “Липки”. Всероссийская научно-техническая конференция “Микрои наноэлектроника-98” (МНЭ-98). Программа: 26 апреля - день заезда 27 - 29 апреля - рабочие дни 30 апреля - день отъезда Докладчиков просим подтвердить намерение участвовать в "МНЭ-98" по электронной почте orlikovsky@mail.ivvs.ru или факсом (095) 125 38 26 Проживание Тип номера С питанием Стоимость в или без сутки на одного человека 1-ой категории Комплексное 200 руб. 2-ой категории Комплексное 190 руб. 2-х местный Комплексное 220 руб. 3-х местный Комплексное 210 руб. Полулюкс Комплексное 600 руб. Полулюкс Без питания 500 руб. Европолулюкс Комплексное 650 руб. Европолулюкс Без питания 550 руб. Люкс Комплексное 750 руб. Люкс Без питания 650 руб. Оргвзнос увеличен до 220 руб. с каждого участника. Тем, кто уже переводил деньги на указанный во 2-ом информационном письме счет Физико-технологического института, нужно будет доплатить 70 руб для пополнения оргвзноса и соответствующую сумму за питание и проживание в зависимости от избранной Вами категории номера. ПерсТ, ВНИМАНИЕ!! Оплата на месте. Оргвзнос можно привезти в оргкомитет заранее и заранее получить тезисы в двух томах. Рекомендуем заранее оплатить и проживание, чтобы забронировать себе номер, так как число мест ограничено. 6 –10 June 1999. 12th International Colloquium on Plasma Processes (CIP'99), Paris, France. Plasma generation, ion sources, plasma-surface interaction, diagnostics and modeling, and new trends in reactive plasma; plasma deposition technology; plasma etching and microtechnology; and metallurgical coatings. Contact: phone +33 1 53 01 9030; fax: +33 1 42 78 6320; e-mail: sfv@club-internet.fr 13 – 18 June 1999. The Fifth IUMRS International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM'99), Beijing, China. Symposium B: High Tc Superconductors, nanostructured materials, fullerenes and related materials, intermetallic compounds, thin films and multilayers, rare-earths. Contact: Lian Zhou, phone +86 29 626 6570; fax +86 29 623 1103; e- mail lzhou@xanet.edu.cn. Web site http://www.chimeb.edu.cn/meeting/e_mrs.htm. 20 – 24 June 1999. Conference of Interdisciplinary Sciences & Applications of Oxides with Strong Electron Correlation, Kunming, Yunnan, China. Satellite to the IUMRS-ICAM '99 Conference in Beijing, China. Topics will include: new physical phenomena, effects, and mechanisms of strongly correlated materials; industry, applications, and comprehensive technology of strongly correlated materials; electron correlation in high-Tc superconductors; correlation in colossal magnetoresistance manganatese; preparation and physical properties of strongly correlated oxides. Abstract deadline, 15 March 1999; preregistration deadline, 31 March 1999. Contact: P. X. Zhang, telephone +86 871 330-4195 or -4215; telefax +86 871 335- 9681; e-mail pxzhang@ynpu.edu.cn. 27 – 30 June 1999. 1999 International Workshop on Superconductivity (4th Joint ISTEC/MRS Hawaii Workshop), Kauai, Hawaii 12-16 July 1999. Cryogenic Engineering Conference & International Cryogenic Materials Conference (CEC/ICMC), Montreal, Quebec, CANADA. 17 – 25 July 1999. 5th International Summer School and Scientific Workshop, Eger, Hungary. An overview 7 1999, том 6, выпуск 5 on the basic and up-to-date information on the theories and newest results both in fundamental research and applications of high temperature superconductors. Contact: Istan Vajda, phone +36 1 463 2961; fax +36 1 463 3600; e-mail vajda@ntb.bme.hu. 14 – 17 September 1999. Fourth European Conference on Applied Superconductivity (EUCAS'99), Barcelona, Catalonia, Spain. Abstract deadline, 15 March 1999. Contact: Xavier Obradors, phone +34 93 580 18 53; fax +34 93 580 57 29; e-mail eucas99@icmab.es; Web site http://www.icmab.es/eucas99. 27 – 30 September 1999. First Regional Conference on Magnetic and Superconducting Materials (MSM-99), Sharif University of Technology, Tehran, Iran. Abstract deadline, 28 February 1999. phone and fax +98 21 6019246; e-mail msm- 99@sina.sharif.ac.ir; Web Sites http://web.mit.edu/physics/msm99/ or http://www.sharif.ac.ir/~msm-99. 15 – 17 September 1999. The Third International Conference on Low Dimensional Structures and Devices (LDSD 99). Abstract deadline 5 March 1999. Contact: Sue Stewart, telephone +44 1865 331040; telefax +44 1865 331125; e- mail suestewart@compuserve.com; Web site http://www.elsevier.nl/locate/ldsd99. 19 – 23 September 1999. Superconducting Materials Aspects: Research & Technology (SMART 99), Giens Peninsula, Hyeres, France. Second SMART Conference; satellite to the EUCAS'99. Abstract deadline 15 April 1999. Contact: Gilbert Vacquier, telephone +33 491 10-6271; telefax +33 491 10-6448 or -6237; e-mail smart@newsup.univ-mrs.fr; Web site http://www.supras.phys.ulg.ac.be/smart-99.html. 20-25 February 2000. 6th International Conference on Materials and Mechanisms of Superconductivity and High Temperature Superconductors (M2S-HTSC-VI), Houston, Texas. Abstract deadline 15 September 1999. Contact: telefax (713) 7743-8216; Web site http://m2s-conf.uh.edu. НОВОСТИ ФИЗИКИ В БАНКЕ ПРЕПРИНТОВ НАНОСТРУКТУРЫ ПерсТ, Нанокристаллические металлы, состоящие из зерен с размерами порядка нанометра, обладают рядом характеристик, которые делают их весьма перспективными технологическими материалами (например, они имеют повышенную твердость и прочность). В препринте представлены результаты численного моделирования пластических свойств нанокристаллической меди. Показано, что основным механизмом деформации является скольжение на границах зерен. Оно осуществляется посредством большого числа некоррелированных событий, заключающихся в том, что несколько атомов (или несколько десятков атомов) скользят относительно друг друга. J.Schiotz et al., http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/9902165 Contact: Jacob Schiotz schiotzs@fysik.dtu.dk кого резонансного пика, а в La2-xSrxCuO4 этот пик отсутствует. В препринте описаны первые достоверные результаты экспериментов по рассеянию нейтронов на монокристаллах Bi2Sr2CaCu2O8+. Постановка таких экспериментов стала возможной благодаря синтезу сравнительно больших монокристаллов и совершенствованию методики измерений. При этом был обнаружен резонансный пик, как и в YBa2Cu3O6+x. По-видимому, наличие такого пика все-таки является не исключением, а общей чертой ВТСП (исключение скорее представляет La2-xSrxCuO4, возможно, из-за своей "недостаточной высокотемпературности"). Полученные данные существенно расширяют "эмпирический базис" для описания сверхпроводимости в ВТСП. H.F.Fong et al., http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/9902262 Contact: Huang Fai Fong <square@neutron.princeton.edu> (готовится к публикации в "Nature") СВЕРХПРОВОДНИКИ Что происходит в металлическом ксеноне? Моделирование нанокристаллических металлов Акустический эффект Фарадея в сверхтекучем гелии Экспериментально обнаружен эффект Фарадея в сверхтекучем 3He-B. Наблюдение этого эффекта является первым непосредственным доказательством возможности распространения поперечных акустических волн в жидком гелии, что было предсказано Л.Д.Ландау теоретически еще в 1957 году. Возможность экспериментального наблюдения фарадеевского вращения в 3He-B обусловлена его сравнительно большой величиной из-за спонтанного нарушения спин-орбитальной симметрии. Y.Lee et al., http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/9902129 Contact: J.A.Sauls sauls@snowmass.phys.nwu.edu Рассеяние нейтронов на магнитных возбуждениях в Bi2Sr2CaCu2O8+ Многие свойства медно-оксидных высокотемпературных сверхпроводников не укладываются в рамки обычной (одноэлектронной) теории металлов. Поэтому одной из первоочередных задач физики конденсированного вещества является создание новых теорий, адекватно описывающих эффекты сильных электронных корреляций. И здесь могут здорово помочь эксперименты по неупругому рассеянию нейтронов, которые дают информацию о коллективных магнитных возбуждениях. До недавнего времени такие эксперименты были проведены только для представителей двух семейств ВТСП, La2-xSrxCuO4 и YBa2Cu3O6+x, так как достаточно большие монокристаллы других ВТСП получить не удавалось. Хотя магнитные спектры La2-xSrxCuO4 и YBa2Cu3O6+x имеют ряд общих черт, между ними есть и очень существенные различия, которые фактически и препятствуют созданию единой модели для описания спиновой динамики в ВТСП. В частности, отличительной особенностью спинового спектра YBa2Cu3O6+x в сверхпроводящем состоянии является наличие рез- 8 1999, том 6, выпуск 5 Âîïðîñû, ñâÿçàííûå ñ òâåðäûì ñîñòîÿíèåì èíåðòíûõ ýëåìåíòîâ, ïðåäñòàâëÿþò ñîáîé ÷ðåçâû÷àéíî èíòåðåñíóþ è äî êîíöà íå ðåøåííóþ çàäà÷ó.  ïðåïðèíòå ñîòðóäíèêà Ôèçèêî-òåõíè÷åñêîãî èíñòèòóòà èì. À.Ô.Èîôôå ïîñòàâëåíà ïîä ñîìíåíèå ðàñïðîñòðàíåííàÿ òî÷êà çðåíèÿ íà ìåòàëëèçàöèþ êñåíîíà êàê ñëåäñòâèå îáðàùåíèÿ â íóëü äèýëåêòðè÷åñêîé ùåëè ìåæäó çîíàìè â ýëåêòðîííîì ýíåðãåòè÷åñêîì ñïåêòðå. Àâòîð îòìå÷àåò, ÷òî òàêàÿ èíòåðïðåòàöèÿ ïðîòèâîðå÷èò ýêñïåðèìåíòàëüíûì äàííûì, è â êà÷åñòâå àëüòåðíàòèâû ïðèâîäèò ñâîþ âåðñèþ: ôàçîâûé ïåðåõîä êñåíîíà â ñâåðõïðîâîäÿùåå ñîñòîÿíèå. Ñîãëàñíî åãî îöåíêå, êðèòè÷åñêàÿ òåìïåðàòóðà Tc ~ 5000Ê. V.Bogomolov, http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/9902353 Contact: Valentin Bogomolov V.Bogomolov@shuvpop.ioffe.rssi.ru Сегрегация заряда, кластерное спиновое стекло и сверхпроводимость в La1.94Sr0.06CuO4 Исследованы ядерный магнитный и квадрупольный резонансы на ядрах 63Cu и 139La в монокристалле La1.94Sr0.06CuO4 с критической температурой Tc =7К. При T<5К обнаружено сосуществование сверхпроводящей фазы с фазой спинового стекла. Понижение температуры ведет к расслоению слоев CuO2 на две магнитные фазы, в одной из которых ярко выражены антиферромагнитные корреляции. Полученные результаты говорят о том, что спиновое стекло представляет собой антиферромагнитные кластеры. Наличие такой фазы может приводить к пиннингу зарядовых полос. M.-H.Julien et al., http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/9903005 Contact: Marc-Henri Julien marc.henri.julien@pv.infn.it ПерсТ, НАШ САЙТ: http://perst.isssph.kiae.ru Экспресс-бюллетень “ПерсТ” выходит при поддержке Министерства по науке и технологиям РФ, Научных Советов Российских научно-технических программ: “Актуальные направления в физике конденсированных сред”, “Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники”, “Физика твердотельных наноструктур” Ответственный редактор: С.Т.Корецкая тел: (095) 930 33 89, e-mail: stk@htsc.msk.su В подготовке выпуска принимали участие: М.Белоголовский, В.Вьюрков, Л.Журавлева, М.Компан, Ю.Метлин, Л.Опенов, О.Снигирев Компьютерный ввод, макет: О.В.Хлыстунова Тираж: Ю.К.Мухин 9 1999, том 6, выпуск 5 ПерсТ,
