qV D Ф В1 DФ B1 l o х 1 х 2 х Ф ВA F c F m şəkil 2. Əlavə elektrik

Akademik B.M.Əsgərovun 80 illik yubileyinə
həsr olunmuş
«FİZİKANIN AKTUAL PROBLEMLƏRİ»
IX RESPUBLİKA ELMİ KONFRANSININ
MATERİALLARI
(6 dekabr 2013-cü il)
“Müəllim” nəşriyyatı
BAKI – 2013
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Konfransın təşkilat komitəsi:
Sədr
Sədr müavini
Sədr müavini
Məsul katib
Akademik A.M.Məhərrəmov
prof. A.H.Kazımzadə
prof. M.Ə.Ramazanov
f.r.e.n. K.İ.Alışeva
Üzvlər:
Akademik B.M.Əsgərov,
prof. E.Ə.Məsimov, prof. R.Q.Məmmədov,
prof. Ə.Ş.Abdinov, prof. İ.M.Əliyev,
prof. C.M.Quluzadə, prof. R.C.Qasımova,
dos. E.Ələkbərov, dos. M.R.Rəcəbov
2
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
PLENAR MƏRUZƏLƏR
Явления переноса в низкоразмерных электронных
системах
Аскеров Б.М., Фигарова С.Р
Бакинский Государственный Университет
В настоящее время электронные явления переноса в
низкоразмерных системах, таких как размерноквантованные пленки, слоистые кристаллы, сверхрешетки, являются
объектом интенсивного изучения как экспериментально,
так и теоретически. Интерес к таким системам связан с
резкой анизотропией спектра. Размеры системы являются
очень хорошим параметром, с помощью которого можно
управлять физическими характеристикам системы, при
этом появляются новые физические явления, которые отсутствуют в массивных образцах. В электронных системах
существуют несколько параметров размерности длины,
такие как линейные размеры d (как внешний параметр),
длина волны де Бройля  , длина свободного пробега l ,
магнитная длина R (как внутренние параметры), сравнение
между которыми приводят к новым явлениям и свойствам.
В работе рассматриваются явления переноса в таких
низкоразмерных системах как размерно-квантованная
пленки (   d -электрон находится в квантовой яме) и
сверхрешетка, которая представляет собой систему квантовых ям.
Показано, что с уменьшением толщины размерноквантованной пленки термоэдс и коэффициент Нернста–
Эттингсгаузена изменяется не монотонно, а пилообразно,
что определяется поведением плотности состояний. Максимальное значение этих коэффициентов принимает при
3
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
толщине пленки, когда пленочный уровень совпадает с
границей Ферми.
Построена теория магнитотермоэдс и продольного
магнитосопротивления в сверхрешетках с косинусоидальным законом дисперсии (2).Анализируется зависимость
кинетических коэффициентов от магнитного поля и степени заполнения зоны и спинового расщепления. Показано,
что поведение продольного магнитосопротивления существенно зависит от соотношения между уровнем Ферми,
положением уровня Ландау и шириной мини-зоны. Выявлены осцилляции вертикального продольного магнитосопротивления и магнитотермоэдс в магнитном поле, на которые существенно влияет спиновое расщепление и топология поверхности Ферми. Обнаружены области как положительного, так и отрицательного продольного магниитосопротивления. Причем отрицательное магнитосопротивление обусловлено именно спиновым расщеплением.
Отмечено, что в сверхсильном магнитном поле, когда спиновое расщепление существенно, магнитосопротивление
линейно зависит от магнитного поля.
Механизм образования межслоевой сколотой
поверхности слоистых кристаллов типа АIIIВVI
Пашаев А.М., Тагиев Б.Г., Ибрагимов Р.А., Сафарзаде А.А.
Национальная Академия Авиации
safarzade@yandex.ru
Исследованы морфологические особенности сколотой ван-дер-ваальсовой (ВдВ) поверхности слоистых
кристаллов (СК) типа GaSe и GaSe <примесь> методом
сканирующей атомно-силовой микроскопии. Полученные
изображения морфологии позволяют предположить, что в
4
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
результате механического скола происходит пластическая
реконструкция поверхности в виде гофра сложной формы
с образованиями, являющимися следствием комплекса
взаимодействующих процессов внедренных в межслоевое
пространство дислокаций и процесса хемосорбции в условиях ex situ.
Атомы Se, которые, образуют ВдВ-поверхность
кристалла GaSe, имеют неметаллическую природу и являются основной причиной затруднительного окисления
СК. Высокая устойчивость к окислению, низкая шероховатость поверхности и отсутствие на ней оборванных
связей дают возможность исследования морфологии сколотой поверхности СК GaSe методами атомно-силовой
микроскопии на воздухе при комнатной температуре в
условия ex situ. Наличие тонкой оксидной пленки на ВдВповерхности СК, которая возникает через несколько минут
после экспозиции образца на воздухе, необходимо учитывать при представлении реальной структуры исследуемой поверхности.
Неравновесная система дефектов и адсорбированных частиц на ВдВ-поверхности стремится к равновесию
путем самоорганизации, формируя при этом поверхность с
минимальной энергией. При таких процессах формируется
гофрированная структура, которая наблюдается на ВдВповерхности. Гофрированная поверхность формируется
путем самоорганизации, в результате протекания кооперативных дислокационных процессов в базисной и пирамидальных кристаллографических плоскостях, в верхних
слоях СК.
Различного типа дефекты, в частности, вакансии Se,
на поверхности скола GaSe представляют собой центры
сорбции сторонних атомов из окружающей среды. В
результате хемосорбции на оборванных связях ВдВ-поверхности эти молекулы могут диссоциировать. Хемосорб5
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
ция молекул на структурных дефектах решетки GaSe и
взаимодействия между ними с участием подвижных структурных дефектов изменяет поверхностную энергию СК.
Движущей силой перестройки деформируемой
структуры ВдВ-поверхности кристалла является стремление к минимуму полной энергии дислокационной подсистемы. Энергия снижается за счет объединения дислокаций в структуры большего масштаба. Дислокациям
выгодно энергетически объединиться. В системе дислокационных структур наблюдается согласованное (самоорганизованное) поведение, что приводит к гофрированию
ВдВ-поверхности. Гофрированные ВдВ-поверхности могут
обладать уникальными свойствами подобно моноатомному
слою графита (графена), которому прогнозируется широкое практическое применение в нанотехнологии.
6
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
ASTROFİZİKA BÖLMƏSİ
HD161796 və HD224014 ifratnəhəng ulduzlarının
spektrlərində H xəttinin tədqiqi
Baloğlanov Ə.Ş., Məhərrəmov Y.M., Xəlilov Ə.M.,
Həsənova Ə.R.
AMEA N.Tusi adına Şamaxı Astrofizika Rəsədxanası
N.Tusi adına Şamaxı Astrofizika Rəsədxanasında (ŞAR)
2 metrlik teleskopun Kasseqren fokusunda quraşdırılmış müasir CCD işıq qəbuledicisinin köməyi ilə 2004 və 2005-ci illərdən etibarən HD161796 (F3Ib) və HD224014 (F8IaG2Ia0e)
ifratnəhəng ulduzlarının spektral müşahidələri aparılmağa başlanmışdır. Nəticədə çox yüksək keyfiyyətli spektrlər alınmış və
onlar DECH-20 və DECH-20t paket proqramları vasitəsilə
işlənmişdir. R=15000 və S/N=150200 ətrafında olmuşdur.
Alınmış müşahidə materialları tədqiq edilərkən
HD161796 və HD224014 ulduzlarının atmosferində müşahidə
olunan Hα (λ6562.817Å) xəttində maraqlı dəyişkənliklərin baş
verdiyi müəyyən edilmişdir. Ona görə də bu işdə tədqiq edilən
ulduzlara dair ümumi məlumatlarla yanaşı, həm də Hα
xəttindəki dəyişmələrdən alınmış nəticələr təqdim olunur.
HD161796 ulduzu üçün son məlumatlara görə
Teff=6300K, R=246R, logLL =4.93 və d=8300 parsekdir.
Qeyd edək ki, HD161796 Post-AGB tipli ulduzdur, yəni
nəzəri olaraq ulduzun xarici konvektiv örtüyü ikinci dəfə
genişlənmiş və ulduzun helium qatında istilik pulsasiyası və
ifratnəhənglərin asimptotik qoluna keçməsi prosesi başlanmışdır. Belə ki, bu ulduz qırmızı nəhəng mərhələsinə keçir, karbondan ibarət olan nüvə sıxılır, laylarda hidrogen və heliumun
yanması prosesi gedir. Sonra tədricən örtük atılır, planetar dumanlıq əmələ gəlir və kütləsi təxminən 0.85M olan nüvədən
isə ağ cırtdan ulduzun əmələ gəlməsi prosesi gedir.
7
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
HD161796 ulduzunun spektrləri işlənərkən Hα xətti profillərinin strukturunda dəyişkənliklərin olduğu müəyyən edilmişdir. Alınmış nəticələr əsasında ehtimal olunur ki, bu dəyişkənliklər ulduzətrafı örtüyün sferik və simmetrik olmaması ilə
əlaqədardır. Digər tərəfdən tapılmışdır ki, Hα xəttində ekvivalent enin və şüa sürətinin qiymətləri zamana görə dəyişir. Belə
ki, indiyədək aparılan ölçmələr göstərmişdir ki, Hα xəttində şüa
sürəti -47-58 kms, ekvivalent en isə 0.821.57 Å intervalında
dəyişir. Bu dəyişkənlik parlaqlıq əyrisinin dəyişməsi ilə 62
günlük periodla sinxron baş verir.
HD224014 ( Cas) ifratnəhəng ulduzu üçün son məlumatlara görə Teff = 7000K, R=400R, log LL=5.7, d=2500
parsekdir. Bundan əlavə,  Cas - ın görünən ulduz ölçüsü
V ~ 4.5m –dir. Lakin bu parlaqlıq gözlənilmədən dəyişə bilir.
Belə ki, 1946-cı ildə  Cas – ın parlaqlığı V ~ 6m-dək zəifləmiş
və bu zaman ulduzun temperaturu Teff =3000K olmuşdur.
2000-2001-ci illərdə yenə bu hal təkrarlanmış və Teff = 4250K
olmaqla bir neçə ay davam etmişdir. Qeyd olunan hadisənin
periodik olduğu irəli sürülmüşdür. Bu ulduzun diametri Günəşinkindən 400 dəfə böyükdür. Sarı hipernəhəng kimi  Cas
nadir ulduzlardan biridir ki, onu ifratyenilər kimi partlamağa
namizəd hesab edirlər.
 Cas ulduzunun spektrləri tədqiq edilərkən Hα xətti
profillərinin strukturunda, şüa sürəti və ekvivalent enin qiymətlərində dəyişkənliklərin olduğu müəyyən edilmişdir. Aşkar
olunmuşdur ki,  Cas ulduzunun spektrlərində Hα xəttinin bənövşəyi və qırmızı qanadlarında şüalanma komponentləri yaranır və yox olur. Bundan əlavə indiyədək tədqiqatçıların apardıqları ölçmələrdən məlum olmuşdur ki, Hα xəttində şüa sürətinin qiymətləri əsasən -68.5-31.5 km/s intervalında dəyişir.
Ölçmələrin analizi göstərmişdir ki, bəzi hallarda Hα xəttində
şüa sürəti kəskin dəyişir. Bu dəyişkənliklərin kvaziperiodikliyə
malik olması ehtimal edilir.
8
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Model üsulu ilə Günəşdə mikroturbulent hərəkət
sürətinin təyini
Səmədov Z.A., Şabanova Z.F., Hümbətova X.Z.
Bakı Dövlət Universiteti
Ulduz spektrlərini tədqiq edərkən məlum olmuşdur ki,
bütün genişlənmə mexanizmləri dəqiqliklə nəzərə alınsa belə
xəttin müşahidə profilini izah etmək mümkün olmur. Odur ki,
belə qəbul olunmuşdur ki, ulduz atmosferlərində atomların
istilik hərəkəti ilə yanaşı qazların xaotik hərəkətlərinin digər
növü mövcuddur. Bu növ hərəkətlər “turbulent” hərəkətlər
adlandırılmışdır. Beləliklə, atomların tam xaotik hərəkət sürəti:
Burada υ0- atomların orta istilik hərəkət sürəti, ξt- turbulent
hərəkət sürətidir. Şərti olaraq iki növ turbulentlik: böyük miqyaslı (makro) və kiçik miqyaslı (mikro) turbulentlik fərqləndirilir. Hesab edilir ki, turbulent hərəkətdə iştirak edən qaz
kütlələrinin xətti ölçüsü ulduz atmosferinin qalınlığından çox
kiçik olarsa belə qaz kütlələrinin hərəkəti mikroturbulentlik,
turbulent hərəkətdə iştirak edən qaz kütlələrinin xətti ölçüsü
ulduz atmosferinin qalınlığı ilə müqayisə olunandırsa belə qaz
kütlələrinin hərəkəti makroturbulentlik adlanır.
Mikroturbulent hərəkət sürətinin təyininin ən müasir və
dəqiq üsulu atmosfer modelləri üsuludur. Bu üsul hər hansı
atom və ionun geniş ekvivalent enlikli diapozona malik çoxlu
sayda xətlərinin tədqiqinə əsaslanır. Mikroturbulent hərəkət
sürətinə ξt müxtəlif qiymətlər verərək hər bir xətt üçün onun
ölçülmüş ekvivalent eninə Wλ görə uyğun elementin miqdarı
lgε hesablanır və ξt üçün müəyyən qiymət seçilir, belə ki, ξt-nin
seçilmiş bu qiymətində lgε-nın Wλ-nın artması ilə sistematik
dəyişməsi müşahidə olunmur. Başqa sözlə, müxtəlif intensivlikli xətlərə görə təyin olunan miqdar lgε eyni olmalıdır. Günəşin spektrində ən çox müşahidə olunan xətlər FeI-ə məxsus
9
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
xətlərdir, həmçinin bu xətlərin osillyator gücləri daha dəqiq
təyin edilmişdir.
Şəkil . ξt=1.1 km/s olduqda lgε(FeI)-in Wλ-dən asılığı
Günəş üçün Teff=5887K, lgg=4.57 parametrli model
seçilir və bu model əsasında mikroturbulent hərəkət sürətinin
müxtəlif qiymətlərində lgε(FeI) miqdarı hesablanmışdır. Müəyyən olunmuşdur ki, ancaq ξt=1.1 km/san (Şəkil ) olduqda lgε
ilə Wλ arasında korelyasiya olmur. Beləliklə, Günəş atmosferində mikroturbulent hərəkət sürəti üçün təyin edilmişdir:
ξt=1.1 km/s
HD 203574 (G5III) ulduzunun effektiv temperaturun və
ağırlıq qüvvəsinin təcilinin təyini
Səmədov Z.A., Qədirova. Ü.R., İsgəndərova R.E.
Bakı Dövlət Universiteti
Bu işdə HD203574 (G5III) ulduzunun effektiv temperaturu və atmosferində ağırlıq qüvvəsinin təcili təyin olunmuşdur. Ulduzun spektri 2009-cu il 26 iyunda Şamaxı Astrofizika Rəsədxanasının 2m-lik teleskopunda alınmışdır. Teleskopun kasseqren fokusunda qoyulmuş YƏQ-li eєelle-spektrometrdən istifadə olunmuşdur. Spektral ayırdetmə 0.3Ǻ,
10
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
siqnal/şum nisbəti S/N=200. Spektrlərin işlənməsi DECH-20
proqramı ilə aparılmışdır. Hα ətrafında xətti dispersiya 8 Ǻ/mm
tərtibindədir. Balmer seriyasının Hα və Hβ xətlərinin ekvivalent
enləri təyin olunmuşdur. Hα xətti üçün WHα ≈1.591 Ǻ, Hβ xətti
üçün WHβ≈1.159 Ǻ.
Ulduzun effektiv temperaturu (Teff) və səthində ağırlıq
qüvvəsinin təcili (lgg) bir sıra fotometrik və spektral kəmiyyətlərin müşahidə və atmosfer modelləri əsasında hesablanmış
qiymətlərini müqayisə etməklə təyin olunur.
Müqayisə olunan fotometrik indekslər: [c1] və Q.
Burada [c1]=с1-0.2(b-y), Q=(U-B)-0.72(B-V). Spektral kəmiyyət olaraq Hidrogenin Balmer seriyasının Hα və Hβ xətlərinin
ekvivalent enləri göstərilir.
[c1] indeksi orta zolaqlı uvby, Q indeksi isə geniş zolaqlı
UBV fotometrik sistemində təyin olunur.
Bu indekslər ulduzlararası fəzada udulmanın təsirindən
azad olduqları üçün onlardan istifadə etmək əhəmiyyətlidir.
[c1], Q indekslərinin müşahidə qiymətləri [c1]=0.292, Q=0.03 .
Hα və Hβ xətlərinin ekvivalent enlikləri, [c1] və Q indekslərinin
nəzəri qiymətləri isə bir sıra atmosfer modelləri üçün Kuruç
tərəfindən hesablanmışdır.
[c1], Q, W(Hα), W(Hβ) kəmiyyətlərinin atmosfer modelləri əsasında hesablanmış qiymətlərini müşahidə qiymətləri ilə
üst-üstə salaraq bu kəmiyyətlərin hər biri əsasında bir neçə Teff
və lgg cütlərini alırıq. [c1], Q, W(Hα), W(Hβ) kəmiyyətlərinin
müşahidə və nəzəri hesablanmış qiymətlərinin müqayisəsi əsasında təyin olunan Teff və lgg сütlərini Teff ,lgg müstəvisində
qeyd edərək uyğun qrafiklər qurulur (şəkil 1).
Ulduzun effektiv temperaturu (Teff) və səthində ağırlıq
qüvvəsinin təcilinin təyinində yenilik ulduzların parallaksının
tətbiqidir.
11
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Şəkil 1. lgg ,Teff diaqramı
[c1], Q, W(Hα), W(Hβ) kəmiyyətlərinin müşahidə və nəzəri
hesablanmış qiymətlərinin müqayisəsi və parallaksın tətbiqi
əsasında qurulan qrafiklər Teff ,lgg müstəvisində Teff və lgg-nin
qiymətlərinin kompakt bölgəsində kəsişir. Bölgənin mərkəzi
ulduzun atmosfer parametrlərini təyin edir. İşdə alınmışdır ki,
Teff= 5100 ±200K,
lgg=2.7±0.
Редже-эйкональный метод для упругого
адрон-ядерного рассеяния
Абдулвагабова С.К., Ахмедов Р.А., Эфендиева И.К.
Бакинский Государственный Университет
Настоящая работа посвящена рассмотрению упругого
рассеяния адронов на нуклонах ядра при высоких энергиях, с применением Редже-эйконального метода с учетом
s- канальной унитарности. Дифракционное рассеяние в
модели Редже описывается обменом помероном – вакуумным движущимся полюсом в комплексной плоскости
углового момента.
В работе большое внимание уделяется рассмотрению
12
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
аналитических свойств амплитуды упругих процессов как
функции угловых переменных и возможности расширения
соответствующих областей аналитичности при учете условия унитарности. Преимущество этого подхода перед
простым реджевским подходом заключается в том, что он
в явном виде приводит к соблюдению унитарности в sканале. Кроме того, использование в качестве основного
уравнения схемы условия двухчастичной унитарности,
аналитически продолженного в область высоких энергий,
дает возможность эффективного учета структуры сингулярностей амплитуды рассеяния в плоскости углового
момента и приводит к представлениям для амплитуды,
содержащим в малой степени модельные предположения.
Достоинством развиваемого здесь подхода является то,
что он позволяет единым образом исследовать процессы
рассеяния на малые и большие углы, имеющие дифракционный и автомодельный характер, соответственно.
Определение угла отклонения заряженной частицы во
время прохождения через неоднородную ядерную среду
Абдулвагабова С.К., Бархалова Н.Ш., Байрамова Т.О.
Бакинский Государственный Университет
В данной работе с учетом кулоновского взаимодействия изучено угол отклонения во время прохождения
заряженной частицы через неоднородную ядерную среду,
обусловленную флуктуацией плотности. Любое нарушение
неоднородности свойств приводит к возникновению
рассеяния. Поэтому рассеяние частицы при движении в
ядерном веществе можно связать с рассеянием нуклонной
волны на случайных флуктуациях плотности ядерного
вещества. Но в размещении таких рассеивающих центров
13
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
всегда имеются корреляция и рассеяние оказывается
частично когерентным. Для когерентно рассеивающей
системы нуклонов сечение неупругого рассеяния содержит
вклад интерференционного неупругого рассеяния. Неоднородность среды изменяет спектр рассевающих ядер и
выносит поправки к сечению неупругого рассеяния.
Исходным пунктом расчета послужили известные
формулы теории многократного рассеяния. Для описания
многократного рассеяния в «неоднородной» ядерной среде
применена оптическая модель, в рамках которой рассматривается уравнение Липмана-Швингера с эффективным,
регулярно зависящим от пространственных координат
потенциалом.
Полученное в первом борновском приближении
выражение для угла отклонения позволяет определить
флуктуацию плотности ядерного вещества, тем самым
помогает изучению структуры ядер.
Ulduzların effektiv temperaturunun və ağırlıq qüvvəsi
təcilinin təyini
Tahirov M.M., Güləhmədova S.N.
Bakı Dövlət Universiteti
sonanermanqizi@mail.ru
Ulduzlararası fəzada udulmanın təsirindən azad olan, UBV
fotometrik sistemində
Q=(U-B)-0,72(B-V),
uvby-sistemində isə
[c1]=c1 0,2(b-y)
indekslərindən istifadə olunur.
Q, və [c1] indekslərinin müşahidə qiymətləri ədəbiyyatlardan götürülür. Bir sıra atmosfer modelləri üçün Hα və Hβ
14
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
xəttlərinin ekvivalent enlikləri, [c1] və Q indeksləri Kuruç tərəfindən hesablanmışdır. Effektiv temperaturun və ulduzun
səthində ağırlıq qüvvəsinin təcilinin təyini üsulu Q, [c1] kəmiyyətlərinin atmosfer modelləri əsasında hesablanmış qiymətlərinin müşahidə qiymətləri ilə müqayisəsinə əsaslanır. Müşahidə
və nəzəri hesablanmış qiymətləri üst-üstə salaraq yuxarıda
göstərilən kəmiyyətlər əsasında bir neçə Teff və lgg cütlərini
alırıq. Q, [c1] kəmiyyətləri əsasında təyin olunan Teff və lgg
cütlərindən istifadə edərək lgg-nin Teff–dən asıllıq müstəvisində
hər bir kəmiyyət üçün uyğun qrafiklər qurulur. Bu üsulla
Prosiyon üçün alınmışdır ki,
Teff=6680K, lgg=4.00
Tətbiq etdiyimiz üsulla təyin olunan effektiv temperatur
Teff infraqırmızı sel üsulunun nəticələri ilə üst-üstə düşür.
Cədvəldə 1948-ci ildən 2013-cü il arasında Prosiyon
ulduzunun effektiv temperaturu Teff və qravitasiya sahəsinin
intensivliyinin lgg təyin olunduğu qiymətləri verilmişdir.
Bizim nəzəri üsulla təyin etdiyimiz parametrlər müxtəlif
müəlliflərin müşahidədən aldığı qiymətlərə yaxındır.
Определение спектрофотометрических характеристик
линий разных химических элементов в инфракрасной
спектре Солнца
Кули-Заде Д.М., Шабанова З.Ф., Кадырова У.Р.
Бакинский Государственный Университет
Инфракрасной спектр Солнца до сих пор является
практически неисследованной области спектра хотя его
исследование может играть важную роль при диагностике
новых небесных объектов где происходит образование
молодых звезд. В спектральный области от λ7500Å до
λ8800Å нами были отобраны около 50 инфракрасных
линий в спектра Солнца принадлежащих различным хими15
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
ческим элементам. В качестве спектр был использован
цифровой спектральный материал полученный Курочном
и др. с помощью Куде спектрометра высокой дисперсиям и
высокого разрешения.
Результаты приведены в табл. 1.
λ,Å
0.637
∆ λ1/2
(mÅ)
229
W
(mÅ)
215
0.659
∆ λ1/2
(mÅ)
228
W
(mÅ)
197
FeI
0.492
171
NiI
0.569
196
FeI
0.528
223
134
FeI
0.470
241
107
7714.310
NiI
0.523
8346.131
MgI
0.360
320
152
7727.610
NiI
94
8387.782
FeI
0.670
238
172
7742.722
216
117
8439.581
FeI
0.499
336
81
0.547
198
142
8498.062
CaII
0.711
972
1269
NiI
0.483
108
96
8514.082
FeI
0.456
298
106
7832.108
FeI
0.559
206
159
8515.122
FeI
0.326
198
82
7918.383
SiI
0.368
816
97
8542.144
CaII
0.801
2098
2962
7932.351
SiI
0.407
228
124
8556.797
SiI
0.213
245
138
7937.150
FeI
0.582
225
176
8582.271
FeI
0.018
269
87
7945.858
FeI
0.573
225
177
8648.472
SiI
0.190
226
165
7998.953
FeI
0.571
219
166
8662.170
CaII
0.801
1659
2523
8046.058
FeI
0.550
211
146
8674.750
FeI
0.079
256
115
8085.175
FeI
0.541
228
157
8688.642
FeI
0.236
389
272
8183.250
NaI
0.767
284
277
8710.398
FeI
0.126
115
84
8194.836
NaI
0.808
281
300
8717.833
MgI
0.146
216
110
8207.744
FeI
0.378
168
77
8728.024
SiI
0.204
213
108
8213.041
MgI
0.442
281
110
8736.040
MgI
0.199
417
293
8220.388
FeI
0.615
260
219
8742.466
SiI
0.235
169
99
8232.319
FeI
0.407
185
93
7771.96
OI
0.290
212
70
8248.137
FeI
0.359
168
77
7774.18
OI
0.255
208
68
8248.802
CaII
0.271
219
95
7775.40
OI
0.212
204
43
7511.031
Ele
ment
FeI
7531.153
7616.960
R0
λ,Å
8327.061
Ele
ment
FeI
111
8331.926
167
8339.413
187
154
0.497
180
FeI
0.408
7780.586
FeI
7788.933
16
R0
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Остаточные интенсивности в используемом спектральном материале дается через 0,2 mÅ, что позволяет
построить линий с большой уверенностью. Использованы
только наиболее чистые неблендированные линии. Обработка спектра были выполнены программой Origin. Были
определены эквивалентные ширины W, полуширины, четвертьширины и центральные глубины профилей с большой
точностью.
Данная работа выполнена при финансовой поддержке Фонда Развития
Науки при Президенте Азербайджанской Республики –
Грант № EİF -2012-2(6)-39/12/1
HD 199478 ifrat nəhəng ulduzunun spektrində
NaI dubletinin tədqiqi
İsmayilova Ş.K., Mikayılov X.M.
AMEA Şamaxı Astrofizika Rəsədxanası
ismayilova_shafaq@rambler.ru
HD 199478 (HR 8020) isti ifratnəhəng ulduzdur. Spektral
sinfi B8Iae və ulduz ölçüsü 5.69m kimi qiymətləndirilir [1].
Ulduzun spektrində xətlərin profillərində Be tipli ulduzlara
xarakterik olan struktur müşahidə olunur. Xüsusi ilə H xəttinin emissya komponentində müşahidə olunan qoşa komponentli piklər müasiryanaşma metodlarına əsasən ulduzdan maddə
axını və ulduz səthinəmaddə tökülməsi ilə izah olunur.Bu baxımdan HD 199478 ulduzunun tədqiqi mühüm əhəmiyyət kəsb
edir.
Ulduzun müşahidələri 2011-ci ildə 02 iyul–06 oktyabr tarixləri intervalında ŞAR-ın 2-metrlik teleskopunun Kasseqren fokusunda eşelle-spektroqraf vasitəsilə aparılmışdır [2]. İşıq qəbuledicisi kimi ölçüsü 530x580 piksel (1 piks=24x18 mik.) olan
17
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
azotla soyudulan CCD-dən istifadə olunmuşdur. 94 günlük müşahidə periodunda λλ4700-6600 ÅÅ dalğa uzunluğu intervalında
34 spektr alınmışdır. Alınmış spektrlərin işlənməsi DECH20
paket proqram qovluğu vasitəsilə yerinə yetirilmişdir [3].
Bu işdə əsas məqsəd Na І dubletinin tədqiqidir. Xətlərin
profilləri qurulmuşdur, ekvivalent enləri və günəşə gətirilmiş
şüa sürətləri təyin edilmişdir.
Şəkildən güründüyü kimi Na І dubletlərinin hər iki xətti
D1 və D2 xətti iki güclü və zəif strukturlu komponentlərdən
ibarətdir. Zəif komponentin natrium xətlərinə aid olması əvvəlcə bizdə şübhə doğururdu. Lakin bizim müşahidə periodu
ərzində natrium dubletinin hər iki xəttinin qırmızi qanadında bu
komponentlərin yaranması və hər iki zəif komponentin şüa
sürətlərinin biri-birinə yaxın olması bu komponentlərin natrium
dubletlərinə aid olduğunu deməyə əsas verir.
1,62
1,42
Relative Intensity
1,22
1,02
0,82
0,62
0,42
0,22
-100
-50
0
50
Radial Velocity
100
D1 xəttinin güclü komponentin ekvivalent eninin orta qiyməti 0.82 Å ətrafinda, şüa sürətinin qiyməti -18 km/s ətrafındadır. D2 xəttinin güclü komponentin ekvivalent eninin orta
qiyməti 0.75 Å ətrafinda, şüa sürətinin orta qiyməti -18 km/s
ətrafındadır. D1 xəttinin zəif komponentinin ekvivalent eninin
orta qiyməti 0.17 Å ətrafinda, şüa sürətinin orta qiyməti
+39 km/s ətrafında, D2 xəttinin zəif komponentinin ekvivalent
18
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
eninin orta qiyməti 0.15 Å ətrafinda, şüa sürətinin orta qiyməti
+ 42 km/s ətrafında
Beləliklə HD 199478 ulduzunun spektrində Na І dubletinin xətləri qoşa komponentlidir. D1 və D2 xətlərinin həm
güclü komponentlərinin spektral parametrləri, həmdə zəif komponentlərinin spektral parametrləri 66,7 günlük periodik dəyişmələr göstərir.
1. Markova, N., & Valchev, T. 2000, A&A, 363, 995
2. Mikayılov X.M., Xəlilov V.M., Ələkbərov İ.Ə.,ŞAR Sirkulyarı, 2005 г.
№109, 21-30
3. Г.А.Галазутдинов, Препринт САО РАН, 92 (1992).
Santimetrlik sakit və aktiv Günəş radiofluktuasiyalarına
fraktal tədqiqat üsulunun tətbiqinin bəzi xüsusiyyətləri
Hüseynov Ş.Ş.
AMEA N.Tusi adıan Şamaxı Astrofizika Rəsədxanası
shirin.güseyn@gmail.com
Günəş və Yer atmosferlərində baş verən proseslərin təzahürü kimi Günəş radioşüalanması fluktuasiyalarında dalğa və
turbulentliyin araşdırılması mühüm təcrübi əhəmiyyət kəsb
edən üsullardan biridir. Məlumdur ki, son bir neçə on illiyə
qədər Günəş radioşüalanması fluktuasiyalarından təşkil olunmuş zaman sıralarının tədqiqinə klassik üsulların (Furye, Tez
dəyişənli Furye və onun müxtəlif versiyalarının) tətbiqi səhv
nəticələrə gətirib çıxarmışdır. Çünki, bu üsullar prosesin dinamikasını araşdırmağa imkan versə də, xaosdan determiləşmiş
xaotikliyi ayırd edə bilmir. Tədqiqatçılar tərəfindən bu cür
müxtəlif nəticələrin alınmasının əsas səbəbi faydalı siqanalın
tərkibində küyün çox olmasıdır.
Bu baxımdan, işdə Yer səthində Günəşin santimetrlik radioşüalanması nəticəsində alınan fluktuasiyalardan təşkil olun19
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
muş zaman sıralarına modifikasiya edilmiş fraktal tədqiqat üsulu tətbiq edilmişdir [1]. Fraktal tədqiqat üsulu keçmiş SSRİ-nin
müxtəlif məkanlarında fəaliyyət göstərən RT-2, RT-12, RT-24
və RT-64 radioteleskoplarında quraşdırılmış 2÷30 sm-lik geniş
diapazonda işləyən həssas radiometrlər və mərhum Hüseynov
Akif tərəfindən düzəldilmiş f=1÷2GHz və f=2÷4GHz diapazonda işləyən radiospektroqraflar vasitəsi ilə 1974-1989-cu
illərdə alınmış müşahidə məlumatlarına tətbiq olunmuşdur.
İşdə fraktal tədqiqat üsulunun nəticəsi kimi modifikasiya edilmiş Qrasberqer-Prokacia alqoritmi əsasında fraktal ölçü dərəcəsi hesablanmışdır. Məlum olmuşdur ki, fraktal ölçü dərəcəsinin qiyməti və onun dinamikası Günəş və Yer atmosferlərində gedən proseslərlə sıx bağlıdır. Tədqiqat aşağıdakı mühüm elmi nəticələri söyləməyə imkan vermişdir:
1. Fraktal ölçü dərəcəsinin qiyməti Fd1.2÷1.4 olduqda
fluktuasiyanın amplitudunun qiyməti çox kiçik olduğundan
(ümumi radioşüalanmanın 10-4 hissəsini təşkil edir) dəyişikliyi
Yer atmosferində baş verən dalğa və turbulent proseslərə aid
etmək olar. Sakit Günəş radioşüalanması fluktuasiyalarının
amplitud qiymətinin kiçik olmasının əsas səbəbi kimi, yəni
fluktuasiyaların yaranma mexanizmi kimi Puasson modeli
təklif olunmuşdur [2]. Başqa sözlə, fraktal ölçü dərəcəsinin bu
qiymətində, sakit Günəş radioşüalanması Yer atmosferindəki
prosesləri araşdırmaq üçün təbii mənbə rolunu oynayır.
2. On iki güclü alışma (≥ 2 bal) hadisələri ətrafında aparılan
tədqiqat nəticəsində fraktal ölçü dərəcəsinin qiyməti
Fd1.6÷1.9-a çatır. Qiymət zamandan asılı olaraq tez-tez dəyişir. Bu qiymətə görə hesablanmış Kolmoqorov entropiyası
alışma hadisəsinə 1÷3 gün qalmış azalmağa başlayır. Başqa
sözlə, alışma hadisəsinə yaxınlaşdıqca ağ küy tədricən determiləşmiş xaotikliklə əvəz olunur. Bu da alışma hadisəsinin baş
verməsi üçün toplanan enerjini müəyyən edir.
Yuxarıda qeyd etdiyimiz bu mühüm nəticələr Yer atmosferindəki proseslərin mahiyyətini başa düşmək və güclü
20
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
alışma hadisələrinin 1-3 gün qabaqcadan miqdarı cəhətdən xəbər vermək üçün optimal parametrlərin seçilməsi baxımından
mühüm təcrübi əhəmiyyət kəsb edir.
1. Гусейнов Ш.Ш., Гусейнов А.М. Оценка времени предсказуемости в
солнечной атмосфере. Изв. АН Азерб. Респуб. 2002, т.XXII, №5; с.127131.
2. Гусейнов Ш.Ш., Гусейнов А.М., Гребинский А.С. Пуассоновские
модели формирования флуктуаций. Вестник Бакинского Университета. 2004, №2, с.166-174.
Günəş spektrində spektral xətlərin profillərinin incə
quruluşu haqqında
Quluzadə C.M.
Bakı Dövlət Universiteti
Əvvəllər Günəş spektrində Fraunhofer xətlərinin asimmetriyasını öyrənmək üçün kəmiyyət üsulu yox idi. Xətlərin profillərinin bənövşəyi və qırmızı qanadlarının birbaşa müqayisəsi, asimmetriya əmsalı üsulu, bisektor üsulu və s. üsulların
hamısı keyfiyyət xarakterli olduğundan profillərin asimmetriyasını ətraflı öyrənmək mümkün deyildi. Bundan başqa spektral xəttin profilinin asimmetriyasını bütövlükdə xarakterizə
edən müəyyən bir fiziki kəmiyyət yox idi.
Son illər Bakı Dövlət Universitetinin Astrofizika kafedrasında spektral xətlərin asimmetriyasını ətraflı öyrənmək üçün
köhnə üsulların heç birinə söykənməyən yeni kəmiyyət üsulu
təklif edilmişdir. Bu üsulda xətlərin profillərinin asimmetriyasını hərtərəfli xarakterizə etmək üçün 4 yeni adlı fiziki kəmiyyət daxil edilmişdir:
1. Differernsiyal asimmetriya
 ( Ri )  vi  ri
(1)
Profilin ixtiyari dərinliyində asimmetriyanı təyin edir.
21
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Burada vi və ri profilin bənövşəyi və qırmızı qanadlarında eyni Ri dərinlikli nöqtələrin xəttin mərkəzindən olan məsafədir.
Differensiyal asimmetriya  ( Ri )  0 olduqda asimmetriya
bənövşəyi,  ( Ri )  0 olduqda isə asimmetriya qırmızı adlanır.
Əgər profilin verilmiş Ri dərinliyində differensiyal asimmetriya  ( R)  0 olarsa bu dərinlikdə profil simmetrikdir.
Təcrübə göstərir ki, differensiyal asimmetriya  (R ) verilmiş xətt daxilində həm qiymətcə həm də işarəcə dəyişir. Başqa
sözlə profilin bir dərinliyində meydana gələn bənövşəyi asimmetriya başqa dərinlikdə qırmızı asimmetriyaya və tərsinə çevrilir. Buradan xəttin profilinin asimmetriyasının incə quruluşa
malik olması aşkar olmuşdur. Bəzi spektral xətlər üçün  ( Ri )
bir neçə dəfə dəfə qiymətini və işarəsini dəyişir və bənövşəyi
asimmetriya ( ( Ri )  0) qırmızı asimmetriyaya  ( R)  0
keçir.
2. İnteqral asimmetriya
Differensiyal asimmetriyanın profilin dərinliyindən asılılığı ixtiyari bir xətt üçün aşağıdakı şəkildə verilmişdir.
Bu şəkildə cizgilənmiş sahəni aşağıdakı düsturla ifadə
etmək olar:
    ( Ri ) Ri
(2)
i
Bu ifadə profilin inteqral asimmetriyası adlanır və profilin
22
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
bütövlükdə asimmetriyasını təyin edir.
Aydındır ki, (2)- ni aşağıdakı kimi də yazmaq olar:
    ( Ri ) Ri    ( Ri ) Ri , (3)
 ( R)0
burada
 
 ( R)0
  ( R ) R ev4nb
i
 ( R ) 0
i
     ( Ri ) Ri
 ( R )0
inteqral asimmetriyanın uyğun olaraq pozitiv və neqativ hissələridir.
3.
Qalıq asimmetriya
    ( Ri ) Ri    ( Ri ) Ri
(3)
 ( R )0
 ( R )0
profildə hansı asimmetriyanın üstün olduğunu göstərir.   0
olduqda profildə bənövşəyi asimmetriya,   0 olduqda isə
qırmızı asimmetriya üstünlük təşkil edir.   0 olduqda profildə hər iki asimmetriya eyni güclüdür.
4. Nisbi asimmetriya
  ( Ri ) Ri
(4)
0  i
W
inteqral asimmetriyanın profilin ekvivalent eninin (profildə tam
udulmanın) hansı hissəsini təşkil etdiyini göstərir.
Bu kəmiyyətlərin birinci üçü ölçü vahidli (mÅ) adlı
kəmiyyətlərdir. Onlar spektral xətlərin profillərinin asimmetriyasını hərtərəfli və kəmiyyətcə təsvir etməyə imkan verir.
Əvvəlki üsullardan alınır ki, spektral xəttin intensivliyi
artdıqca asimmetriya əmsalı artır. Bu nəticəni fiziki olaraq izah
etmək olmur və onun reallığı şübhə doğurur.
Müasir təsəvvürlərə görə Günəş və ulduz spektrlərində
spektral xətlərin profillərinin asimmetrik olması onların atmosferində gedən dinamik proseslərlə (konvektiv hərəkətlər və
23
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
müxtəlif növ dalğalarla) əlaqədardır.
Mənbəsi elektronların trayektoriyasından kənarda olan
hal üçün Aaronov – Bom effekti
Rəcəbov M.R., Verdiyeva T.İ.
Bakı Dövlət Universiteti
Son zamanlar fəzanın qeyri-trivial topologiyaya malik
oblastlarında hərəkət edən mikrozərrəciyin tədqiqinə aid kvant
mexaniki məsələlər böyük maraq kəsb edir. Bu zaman kvant
nəzəriyyəsində sərhəd şərtləri ilə yanaşı zərrəciyin hərəkət
etdiyi xarici sahənin şəkli də mühüm rol oynayır. Belə topoloji
effektlərin baş verdiyi kvant mexaniki məsələlərdən biri də
Aaronov – Bom effektidir.
İşdə xarici elektromaqnit sahəsində hərəkət edən zərrəciyin
hərəkəti klassik mexanika və kvant mexanikası nöqteyi-nəzərindən şərh edilir. Belə sahədə hərəkət edən zərrəciyin Şredin
ger tənliyinə elektromaqnit sahəsinin potensialları A  , A
aşkar şəkildə daxil olurlar.
 
2

  1  ˆ e  
i

 P  A   e 
t  2m 
c 

1
Klassik sahə halında zərrəciyin halı ona elektromaqnit
sahəsi tərəfindən təsir edən Lorens qüvvəsi ilə təsvir olunur.
Klassik tənliyə sahənin yalnız intensivlik vektorları daxil
olurlar.
24
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
d
m
dt

V
1


H  rotA
 
 e 
 eE   H
c
2
c2
2


1 A
E
 grad
c t
;

Kvant zərrəciyi vektor potensialı A  0 olduğu, lakin maq
nit sahəsinin olmadığı H  0 oblastda elektromaqnit sahəsi
tərəfindən təsiri hiss edir.
Aaronov – Bom effekti adlanan bu fenomen qüvvə olmadıqda zərrəciyə maqnit sahəsinin təsirini öyrənir. Kvant sahəsində yüklü zərrəcik xarici elektromaqnit sahəsinin təsirini,
zərrəciyin hərəkətinin mümkün olmadığı, yəni müşahidə olunma ehtimalı çox kiçik olan və hətta sıfır olan fəzanın oblastında
hiss edə bilər.
Qeyri-relyativistik müstəvi rotatora baxılır. Belə sistemin
Şredinger tənliyi:
2
1  ˆ2 ˆ2  ˆ e  
3
P

P

P

A


 r
  
z


2 
c  

Bu tənliyin həlli:
1 im
4
m 
e
; m  0;1;2
2
Enerji spektri:
2
 2 m  n   
5

; 0   1
2R 2
Alırıq ki, zərrəciyə təsir edən Lorens qüvvəsi sıfıra bərabər
olduqda belə, zərrəciyin hərəkət etməsi mümkün olmayan
oblastda toplanmış maqnit sahəsi enerji spektrini deformasiya
edir, yəni zərrəcik maqnit sahəsinin təsirini hiss edir.


25
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
𝝁− 𝑵 ⟹ 𝝂𝝁 𝜦𝝄 x prosesində 𝜦𝝄 - hiperonun polyarizasiyası
Abdullayev S.Q., Məmmədova Ü.E.
Bakı Dövlət Universiteti
Yüksək enerjilər fizikasında ən çox tədqiq olunan proseslərdən biri lepton–nuklon dərin qeyri-elastiki səpilmə (DQES)
prosesidir. Son illərdə standart DQES prosesləri ilə yanaşı
yarıinklüziv proseslərə olan maraq da xeyli artmışdır.
İşdə yüklü zəif cərəyanlar hesabına baş verən müon –
nukon DQES-də yarıinklüziv 𝛬𝜊 -hiperonun doğulması prosesinə baxılmışdır:
𝜇 − + 𝑁 ⟹ 𝜈𝜇 +𝛬𝜊 (ℎΛ ) + 𝑋,
(1)
𝜊
burada ℎΛ - 𝛬 - hiperonun uzununa polyarizasiyasıdır.
Kvark-parton modeli çərçivəsində prosesin effektiv kəsiyi:
d h 
dˆ  h 
2
  f qNi  x 
Dq f h f   z 
dxdydz qi q f h f
dy
burada 𝑓𝑞𝑁𝑖 (x) – kvarkın nuklon daxilində paylanma funksiyası,
Λ(ℎΛ )
𝐷𝑞
𝑓(ℎ𝑓 )
(z) – polyarizə olunmuş kvarkın polyarizə olunmuş 𝛬𝜊 -
hiperona fraqmentasiya funksiyası,
̂
𝑑𝜎
𝑑𝑦
– elmentar parton
proseslərinin effektiv kəsikləri, x, yvə z – kinematik dəyişənlərdir.
(1) prosesinin parton prosesləri aşağıdakılardır:
   u    d
   u    s ,
,
3
  d    u ,   s    u
𝛬 - hiperonun doğulması prosesinin effektiv kəsiyi bərabərdir:


𝜊
 f N x Dq z   f qN x Dq z 1  y 2 

d h   2 xs
f
f
i

2  qi

F 

2 
N

N

dxdydz
2 qi q f  h f q x Dq z   f q x Dq z 1  y  
i
f
f
i




26
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
burada F=
𝑈𝑞𝑖 𝑞𝑓
𝑋𝑤
2 −1
(𝑥𝑦𝑠 + 𝑀𝑤
) , Uud = cos 𝜃c , Uus = sin 𝜃c ,
Λ(+1)
Λ(+1)
∆𝐷𝑞Λ𝑓 (z) = 𝐷𝑞𝑓(+1) (z)-−𝐷𝑞𝑓(−1) (z)
𝑋𝑤 = 𝑠𝑖𝑛2 𝜃𝑤 - Vaynberq parametri ,𝜃𝑐 – Kabibbo bucağı,√𝑠 –
müon-nuklon sisteminin tam enerjisidir.
(4) düsturu əsasında - 𝛬𝜊 -hiperonun uzununa polyarlaşma
dərəcəsi hesablanır:
Δ𝐷𝑑Λ (𝑧) + 𝑅Δ𝐷𝑠Λ (𝑧)
𝑃Λ = −
(5)
𝐷𝑑Λ (𝑧) + 𝑅𝐷𝑠Λ (𝑧)
burada R=𝑡𝑔2 𝜃𝑐 =0,056- dır.
0 - hiperonun uzununa polyarlaşma dərəcəsi yalnız d və s
kvarkların fraqmentasiya funksiyalarından asılır. Təcrübələrdə
𝛬𝜊 - hiperonun uzununa polyarlaşma dərəcəsinin öyrənilməsi
polyarizə olunmuş kvarkların fraqmentasiya funksiyaları haqqında informasiya verə bilər.
Наблюдательные загадки GW Ориона
Баширова У.З., Абди Г.А.
Шамахинская Астрофизическая Обсерватория
им.Н.Туси НАН Азербайджана
По современным представлениям в протозвездной
стадии начальные массы звезд зависят от аккреции газа,
которая происходит на поверхность звезды через аккреционный диск. В этом сообщении излагаются результаты
анализа полученные на основании спектрального и фотометрического материала молодой системы GW Ori. На
рис.1 приведена зависимость эквивалентных ширин эмиссии линии Нβ и Н, К СаII от фазы спектроскопического
периода 241.9 дней, определенного в работе [3]. 1 около
фазы 0.5 наблюдается значительное уменьшение эквива27
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
лентной ширины линии Нβ. 1 линии Н, К СаII также показывают незначительное уменьшение эквивалентных
ширин около фазы 0.5.
Звезда GW Ori представляет собой тройную систему,
где главный компонент “А” – звезда спектрального класса
dK0-dK3e, второй компонент “В” составляет с
компонентом “А” тесную пару (расстояние между ними
rAB ≈ 1.4 а.е.), и третий компонент “С”, находящийся от
главного на расстоянии rAC ≈ 8 а.е. ([5]). Все
исследователи [3, 4 , 5] сходятся на том, что период
обращения компонент “А” и “В” вокруг общего центра
тяжести – Р1=242d , а компонента “С” – Р2=3600d ([5]).
Орбиты компонент “В” и “С” вокруг “А” примерно
круговые и судя по параметрам орбиты орбитальная
плоскость образует небольшой наклон с лучом зрения.
Возможно, что в системе GW Ori существует (или
существовал) обмен массами между компонентами “А” и
“В”, о чем говорится и в [4]. В этом случае тесная двойная
система компонент “А” и “В” как бы сыграла роль
“ускорителя” эволюции. Компонент “А” стал меньше, а
компонент “В” приобрел дополнительную массу и размеры
за счет вещества верхних, гравитационно наиболее слабо
связанных слоев атмосферы компонента “А”. Возможно,
что подобным обменом масс можно объяснить и тот факт,
что в работе [4] авторами были получены два значения
периода примерно одинаковой достоверности – Р1=242d,02
и 242d,32.
Таким образом, используя параметры, предполагаемые
в теории звездообразования, для звезд солнечной массы
можно качественно объяснить вышеуказанное загадочное
явление об исчезновении затмений в двойной системе
GW Ori.
1. Bate, M. R., & Bonnell, I. A. 1997, MNRAS, 285, 33
28
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
2. Ochi, Y., Sugimoto, K., & Hanawa, T. 2005, ApJ, 623, 922.
3. Mathieu R.D., Adams F.C., Latham D.W. The T Tauri spectroscopic
4.
5.
binary GW Orionis. Astron.J., 1991, v.101, p.2184-2198.
Шевченко В.С., Гранкин К.Н., Мельников С.Ю., Ламзин С.А.
Квазиалгол GW Ori. Природа затмений и оценка масс
компонентов. Письма в Астрон.журн. 1998, т.24, №8, с.614-621.
Berger J.P., Monnier J.D., Millan-Gabet R., et al. First astronomical
unit scale image of the GW Orionis triple system. Astron.Astrophys.
2011, v.529, p. 1-4.
Вращение звезд
Алиев С.Г.
Шамахинская Астрофизическая Обсерватория
им.Н.Туси НАН Азербайджана
Вращение является неотъемлемым свойством всех
небесных тел. Осевое вращение наряду с массой и температурой – один из фундаментальных параметров звезд.
Идея о том, что осевое вращение звезд может быть определено из измерения ширин спектральных линий, впервые
была высказана у Эбни. Примерно 90 лет тому назад
Г.А.Шайн и О.Струве впервые предложили и потом
применили метод определения скорости вращения (точнее,
ее проекции на луч зрения - Vsini) звезд разных типов на
основании измерений ширин линий [2]. В данной работе
кратко приводятся основные результаты о взаимосвязи и
влияния вращения на самые разнообразные характеристики, параметры и эволюцию звезд. На распределение
энергии в спектре, на интенсивности линий, определяемый
химический состав атмосфер, спектральную классификацию, на форму поверхности, законы изменения фундаментальных параметров (Те, g) по поверхности и потемнения к краю, на светимости, показатели цвета и т.д.. Как
29
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
правило, быстрое вращение (Vsini ≥100 км∕с) встречается
исключительно у звезд главной последовательности (ГП)
спектральных классов О, В, А и ранних F. Скорости
вращения звезд более поздних, чем F5, очень низки и не
превосходят ~ 20км/с. Кроме того, были выявлены, что
величины Vsini для магнитных СР-звезд в 2-3 раза ниже,
чем у нормальных звезд ГП той же температуры. В
торможении вращения звезд существенную роль может
играть магнитное поле и потеря вещества. Звезды ГП с
радиоактивными оболочками (без конвективной оболочки)
имеют средние скорости вращения ~ 200км/с, что в три
раза меньше критической. Только Ве- звезды вращаются
со скоростями, приближающимися к критическим
(500 км/с). Было установлено, что средняя скорость вращения зависит от спектрального класса и быстрее всего
вращаются горячие звезды спектральных классов В и А.
Это позволяет нам сделать заключение о том, что вращения звезды отражает как бы ее внутреннюю температуру
(энергии). Проблема возникновения и дальнейшая эволюция углового момента звезд, остается до сих пор нерешенным. Кроме того неясно за счет каких механизмов
идет диссипация углового момента протозвездных фрагментов; проблема медленного вращения химически пекулярных и магнитных звезд, по какой причине и на каком
этапе эволюции пекулярные звезды теряют большую часть
своего углового момента. Для решения этих вопросов
необходимо иметь большое количество высококачественных однородных материалов наблюдений, что дело
будущего.
30
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Переменность межзвездных линий NaI 5890 и NaI 5896
в спектре звезды типа WR, HD 192163
Рустамов Д.Н., Абдулкеримова А.Ф.
Шамахинская Астрофизическая Обсерватория
им.Н.Туси НАН Азербайджана
Звезда типа WR, HD 192163 (WN6, SB1) находится в
центре кольцевой туманности NGC 6888 генетически
связанной с нею [1].
В данной работе исследуется дублет натрия NaI 5890
(D2) и NaI 5896 (D1) в спектре звезды типа WR, HD
192163, с целью выявления возможного вклада кольцевой
туманности NGC 6888 в формирование этого дублета.
Спектральные наблюдения звезды HD 192163 были
проведены на кассегреновском фокусе 2-м телескопа
Шамахинской астрофизической обсерватории (ШАО)
НАН Азербайджана в 2005-2009 гг. Применялся эшеллеспектрометр с ПЗС-матрицей с форматом 530х580 пикселей, спектральный диапазон 4000−7000 ÅÅ, спектральное разрешение R = 13 600, отношение сигнала к шуму
S/N  100. Аппаратура наблюдений подробно описана в
[2]. Получены 46 эшелле-спектрограммы исследованной
звезды и стандартной звезды HD 189847. По эшеллеспектрограммам определена лучевая скорость межзвездных линий D1 и D2. Среднеквадратичная ошибка, определенная по стандартной звезде HD 189847 равно 3 км/c.
Получены следующие результаты:
- вывялена асимметрия межзвездных линий поглощения D2 и D1 в спектре звезды типа WR, HD 192163.
Асимметрия этих линий во всех случаях обнаружена в
фиолетовых крыльях профилей этих линий.
- не обнаружена асимметрия линий D2 и D1 в спектрах
стандартной звезды HD 189847.
31
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
- применением статистических методов анализа выявлена периодическая переменность лучевых скоростей
линий D2 и D1.
Обнаруженная нами асимметрия указанных линий
поглощения в спектре звезды типа WR, HD 191765, объясняется вкладом генетически связанной с этой звездой
кольцевой туманности NGC 6888, в формирование этих
линий. Выявленная переменность линий поглощения D2 и
D1 в спектре звезды HD 192163, по-видимому, связана с
динамическими процессами, происходящими в кольцевой
туманности NGC 6888.
1. Лозинская Т.А., Письма в Астрон. Журн., 1980, т.6, стр.350-355.
2. Х.М.Микаилов, В.М.Халилов, И.А.Алекберов, Циркуляр ШАО.,
2005, 109, стр. 21-29.
Maqnetar modelləri
Allahverdiyev Ə.O., Novruzova H.İ.
AMEA Fizika İnstitutu
Son illərdə yüksək dəqiqliyə malik yeni müşahidə materialları sayəsində bilinən neytron ulduz (NU) çeşidlərinin sayı
7-yə çatmışdır. Bunlar daha öncə tapılmış olan klassik radiopulsarla yanaşı qoşa sistemlərdə akkresiya nəticəsində termal
şüalanan rentgen pulsarları, mərkəzi kompakt obyektlər, sönük
neytron ulduzlar, izolə olunmuş rentgen neytron ulduzlar,
millisaniyəlik pulsarlar, anomal rentgen pulsarları (ARP) və
təkrarlanan yumşaq qamma şüa mənbələridir (TYQŞM). Bu
axırıncı 2 tip son illərdə daha çox diqqəti cəlb etməkdədir. Bunun səbəbi isə ümumi olaraq maqnetar adlanan bu obyektlərin
rentgen oblastında şüalandırdığı enerjinin onların fırlanma
enerjisi itkilərindən ~10-100 dəfə çox olmasıdır. Bu obyekt32
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
lərin P fırlanma periodları və ətraf mühitlə qarşılıqlı təsiri xarakterizə edən periodun zamana görə birinci tərtibdən törəməsi

olan P başqa pulsarlardan fərqli olaraq çox dar bir aralıqda
dəyişirlər. Buna görə də bu obyektlərin enerji mənbəyi, NU
digər təzahür formalarından fərqli olaraq, yüksək maqnit sahəsinin annihilyasiyası ilə izah olunmağa çalışılır. Hal-hazırda bu
obyektlərin təbiətini və onların təkamülünü izah edən bir neçə
model mövcuddur (akresiya mexanizmi ilə şüalanan “fallback”, maqnitodipol mexanizminə əsaslanan maqnetar modeli
və s.).
Bunların hər birinin özünəməxsus müsbət və mənfi
cəhətləri vardır (onların əsasında hesablanan və müşahidə
olunan neytron ulduz (NU) parametrlərinin müqayisəsi, NU
ümumi təkamül prosesinə uyğunluğu və s.). Bu sadalananlar
son zamanlar intensiv araşdırılmaqdadır. Bu iş, əsasən, “fossilfield” adlanan modelin maqnetarlara tətbiq oluna bilmə imkanlarının araşdırılmasına həsr olunmuşdur. Daha öncə təlkif
etdiyimiz sınağın tətbiqi nəticəsində göstərilmişdir ki, maqnetarlar maqnitodipol mexanizmi ilə təkamül edir və onlar yüksək
kütləli ulduzlardan əmələ gələ bilər.
Yuxarıda qeyd etdiyimiz sınağın əsas mahiyyəti pulsar
ların P  P diaqramında müxtəlif modellərə əsaslanaraq hesablanmış təkamül izlərinin müşahidə materallarına nə dərəcədə
uyğun gəlməsini meydana çıxarmaqdan ibarətdir. Bu məqsədlə
müxtəlif modellərdən çıxan pulsar yaşlarının bu obyektlərin
yaşları üçün daha dəqiq hesab olunan kinematik-statistik
yaşlarla müqayisəsi aparılmışdır. Pulsarların kinematik-statistik
yaşı dedikdə bu obyektlərin Qalaktika müstəvisindən məsafəsi
və onların orta statistik sürətlərini istifadə etməklə tapılan yaşları nəzərdə tutulur. Bu üsulla tapılmış pulsar yaşları təkamül
modelindən asılı olmayıb obyektin Qalaktika müstəvısinə qədər olan məsafəsi (|Z|) ilə düz mütənasibdir.
Araşdırmalar göstərdi ki, mövcud iki modeldən maqnetar
33
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
modeli müşahidə materiallarının daha böyük qismini təkbaşına
izah etməyə qadirdir (əslində hal-hazırda maqnetarlara aid
olduqca geniş müşahidə materallarının hamısını izah edə bilən
bir model və ya nəzəriyyə mövcud deyil) və maqnetarlar adi
radiopulsarlarla nisbərən daha böyük kütləli ana ulduzlardan
yaranmış ola bilərlər. Maqnetarların yüksək maqnit sahələrinin
dinamo mexanizmi ilə deyil, “fossil field” modeli ilə yarana
biləcəyi bir sıra arqumentlərlə əsaslandırılmışdır. Amma son
müşahidələr və nəzəri tədqiqatlarda alınan yeni nəticələr maqnetarların digər modellərini tam istisna etməyə hələlik imkan
vermir.
Остатки сверхновых в областях активного
звездообразования
Асваров А.И., Мамедханова Г.Б.
Институт Физики, НАН Азербайджана
asvarov@physics.ab.az; astro@physics.ab.az
Процесс рождения новых звезд как в теоретическом
так и в наблюдательном плане является исключительно
трудной и многообразной проблемой. Мы в данной работе
представляем результаты анализа рождения и их смерти в
областях активного звездообразования (ОАЗ). Известно,
что образование звезд происходит комплексно, в компактных ассоциациях. Согласно авторам работы [1] 90% звезд
рождаются в ассоциациях размером 1пс. Рассмотрим первое поколение образовавшихся массивных звезд, первые
(самые массивные) из которых за короткое время, меньше
чем 106 лет, успевают закончить свою эволюцию и взорваться как сверхновая второго типа (СН II). Важная особенность эволюции ОСН в ОАЗ заключается в том, что на
расширение оболочки оказывает влияние звездная состав34
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
ляющая массы, которая остается внутри ОСН, хотя диффузная составляющая материи полностью сгребается ударной волной и концентрируется около фронта ударной волны [2]. Большое количество молодых звезд разной массы,
оставшиеся внутри ОСН, будут эволюционировать в среде,
где давление очень высокое, хотя с расширением и со вре2
менем оно падает согласно Pin  ESN Rs3   ESN
03  t 6/5 .
1/5
Это давление будет мешать свободному истечению вещества из звезд оставшихся внутри ОСН, образуя вокруг
них плотные оболочки, не характерные для нормальных
одиночных звезд, которые хорошо наблюдаются и поэтому
хорошо изучены. Конечно, звезды, эволюционирующие
ОАЗ, из-за сильного поглощения практически не видимы
на Земле. Очень частые вспышки СН в таких областях,
служат главным источником информации о процессах,
происходящих в них. Из-за сильного поглощения в оптическом и ИК областях, в последние годы радио и рентгеновские наблюдения используются как важный канал
информации об ОАЗ. Поведение яркости СН определяется
распределением околозвездного вещества. Для рассматриваемого случая характерно большое разнообразие возможных сценарий развития. Рассмотрим несколько случаев.
Если новая СН следует сразу за первой, то у ее прародителя вообще не будет оболочки, наблюдательно такую
СН II будет отличаться отсутствием линий водорода и
маловероятно ожидать от такого СН излучение в радио и
рентгеновском диапазонах. Другой крайний случай –
взрыв звезды окруженной плотной газовой оболочкой.
Такая СН со временем может давать резкое увеличение
яркости и, они легко могут генерировать радио и рентгеновское излучение. Специальные наблюдения областей
активного звездообразования в рентгеновском диапазоне с
помощью телескопа Чандра выявила избыток точечных
35
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
источников жесткого рентгеновского излучения [3]. Высокочувствительные радионаблюдения [4] также выявляют
большое количество источников радиоизлучения в ОАЗ.
Ожидается, что более массивные звезды, у которых возраст меньше, дают СН II по первому сценарию, менее массивные звезды, которые живут дольше и у которых большое количество потерянной массы остается вокруг звезды,
дают СН второго типа. Рассматриваемая здесь проблема
тесно связана с одной из фундаментальных проблем астрофизики о начальной функции масс образующихся новых
звезд.
1.
2.
3.
4.
Lada, C. J., & Lada, E. A. 2003, ARA&A, 41, 57
Asvarov A.I. Proc. IAU, 2013, V.292, p. 97
Kuhn et al., 2013, E-preprint arXiv1309.4484
Pérez-Torres M.A et al. 2009, A&A 507, L17
Dirak-Maksvel tənliklərinin şərti invariantlığı
Bədəlov V.H.
Fizika Problemləri İnstitutu, Bakı Dövlət Universiteti
Fiziki proseslərin modeli olan diferensial və ya inteqrodiferensial tənliklər sistemi Li mənada çox dar simmetriya
qrupuna malikdirlər. Qeyri-xətti proseslərdə bu özünü daha
qabarıq göstərir. Hazırda bu tənlklərin simmetriya qrupunu
genişləndirmək üçün iki istiqamətdə elmi tədqiqat işləri aparılır. Bunlardan birincisi, tənliklərin simmetriya xassələrini tədqiq etmək üçün yeni metodların işlənməsidir ki, bu da həm
lokal və həm də qeyri-lokal simmetriya xassələrinin tapılmasına gəlir. İkinci istiqamət isə diferensial tənliklərinin simmetriya qrupunu bütün həllərdə deyil, onun hər hansı alt həllər
çoxluğunda öyrənilməsinə əsaslanır. Nəticədə bu tənliklər sisteminin simmetriya qrupu genişlənir. Beləliklə, bu istiqamətdə
verilmiş tənliklər sisteminin müəyyən şərtlərə əsaslanan
36
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
simmetriya qrupu tapılır və bu cür tapılmış invariantlıq şərti
invariantlıq adlanır. Qeyd edək ki, ixtiyari əlavə şərt verilmiş
tənliyin simmetriya qrupunu genişləndirmir. Ona görə də elə
əlavə şərt öyrənib-qurmaq lazımdır ki, sistemin simmetriya
qrupu daha geniş olsun.
Çoxlu sayda proseslərin modeli olan Dirak-Maksvel
tənlikləri kütləsi, yükü və cərəyan sıxlığı sıfra bərabər olduqda
Li mənada 23-parametrli simmetriya qrupuna görə invariantdır.
Əks halda bu tənliklərin simmetriya qrupu azalır və o, 14parametrli qrupa görə invariant olur.
İşdə Dirak-Maksvel tənliklərinin 14-parametrli invariantlıq
cəbrinə daxil olmayan Q-şərti invariantlığına əsaslanan metodla yeni Q-şərti invariantlıq xassələri araşdırılmışdır. Beləliklə,
əsas həllər çoxluğuna daxil olmayan müəyyən alt həllər çoxluqlarında tənliklər sistemi daha geniş simmetriya qrupuna
malik olur.
Простой метод вычисления функции распространения
в аксиальной калибровке
Агамалиева Л.А., Байрамова Т.О., Ахмедова С.М.
Бакинский Государственный Университет
После предложения и доказательства В.Грибовым о
неоднозначности ряда калибровок, используемых в неабелевых калибровочных теориях, возникла необходимость
нахождения или способ вычисления квантово-полевых
функций
Вычисление конкретных эффектов определяется знанием квантово-полевых функций. Одним из таких функций
является функция распространения или функция Грина. В
теории поля функция Грина определяется как среднее
значение операторов поля по вакууму. Здесь очень существенно вычислять среднее значение хронологического про37
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
изведения по вакууму. Эта процедура довольно утомительна, поэтому вычисление функции Грина более простым методом оказывается очень актуальным, что и делается в данной работе. В предложенной схеме не используются методы теорий возмущений, что отвечает современной концепции о непертубативном методе вычисления
квантово-полевых функций.
В данной статье вычисляется функция распространеk
ния в аксиальной калибровке -  2 2  A  0 , здесь
k (nk )
2
 k
 t и
t (k )  t  . Получено нами следующая
2
k nk 
формула:
2

k k s
k k s nk  




 s

k2
4


Эта формула представляет собой функцию распространения или функцию Грина глюона в калибровке
k A
 2 2   0 .
k nk 
Анализ данной формулы показывает, что она состоит
из поперечной и продольной частей. Если принять  =0
(калибровка Ландау) тогда формула становится поперечной.
G s  
1
k2
1. Dochitzer Yu., D’yakonov D., Troyan S. // Phys. Repts, V58, p. 270
(1980)
2. Basseto A., Ciafaloni M., Mardiesini G. // Phys. Repts, V100, p. 201
(1983)
3. Гаджиев С., Мамедов А., Гаджиева Л. // Краткие сообщения
ОИЯИ, Дубна №1 (87)-98
4. Алексеев А. // ЯФ том 33, вып. 2 (1981)
5. Велиев Э., Карнаухов С., Файнберг В. // ЯФ том 49, вып. 6 (1989)
38
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Yarıinklüziv e  (e  )   e ( e ) h X proseslərində
asimmetriyalar
Abdullayev S.Q.
Bakı Dövlət Universiteti
s_abdullayev@mail.ru
Yüksək enerjilər fizikasında geniş müzakirə olunan proseslərdən biri də lepton-nuklon dərin qeyri-elastiki səpilmə prosesidir. Belə proseslər polyarizə olunmuş kvarkların nuklon daxilində paylanma funksiyaları haqqında informasiya mənbəyidir.
İşdə polyarizə olunmuş elektron (pozitron)-nuklon toqquşmasında yarıinklüziv h  hadronun doğulması proseslərinə baxılmışdır:
e  ( )  N (hN )   e ( e )  h   X ,
(1)
burada   elektronun (pozitronun) spirallığı, hN  nuklon hədəfin uzununa polyarizasiyası, h  –   - və ya K  -mezonlardır.
Kvark-parton modeli çərçivəsində (1) prosesinin diferensial
effektiv kəsiyi aşağıdakı şəkildə yazıla bilər:
d (e N )
dˆ h
(2)
  f qN( h(qh)N ) ( x)
Dq ( z ),
dxdydz q , hq
dy
burada f qN( h(qh)N ) ( x) – polyarizə olunmuş kvarkın polyarizə olunmuş nuklon daxilində paylanma funksiyası, Dqh (z )  kvarkın
dˆ
hadrona fraqmentasiya funksiyası,
– parton proseslərinin
dy
effektiv kəsiyi, x, y və z – adi kinematik dəyişənlərdir.
Elektron (pozitron)-nuklon toqquşmasının parton proseslərini yazaq:
e  qi   e  q j , e  q j   e  qi ,
(3)
e  q j   e  qi , e  qi   e  q j ,
39
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
burada, qi  u, c; q j  d , s; qi  u , c ; q j  d , s ola bilər. Hər bir
parton prosesi yalnız bir spiral amplituda malikdir:
dˆ LL (e  qi   e q j )
dy
dˆ LR (e  q j   e qi )
dy


dˆ RR (e  qi   e q j )
dy
dˆ RL (e  q j   e qi )
dy

2

xs


 4
xs sin W  xys  M W2
 2
U ij
2

xs

xs sin 4 W  xys  M W2
 2

U ij
2

 ,

2

 (1  y ) 2 ,

U ud  U cs  cosC , U us  U cd  sin C .
Buradan görünür ki, sol elektron (sağ pozitron) yalnız sol
spirallı kvarklarla və sağ spirallı antikvarklarla qarşılıqlı təsirdə
olur.
Yarıinklüziv elektron-nuklon səpilməsinin effektiv kəsiyi
üçün aşağıdakı ifadə alınmışdır:
d
 2 
xs


dxdydz 4 xs  xys  M W2
2
2

1

(1   )  U ij { f qNi ( x) Dqhj ( z )  (1  y) 2 
4
qi , q j
 sin W
 f qNj ( x) Dqhi ( z )  hN [f qNi ( x) Dqhj ( z )  (1  y) 2 f qNj ( x) Dqhi ( z )]}. (5)
Həmin ifadə əsasında ikispinli asimmetriyanı təyin edək:
( h   ph )  ( ah   ah )
 
,
(6)
ANh h  hp
( p   ph )  ( ah   ah )
burada  p ( ah )  elektronun və nuklon hədəfin spinləri paralel
(antiparalel) olduğu halda baxılan prosesin effektiv kəsiyidir.


ANh h ikispinli asimmetriyanın maraqlı bir xassəyə malik olduğu aşkarlanmışdır. Bu asimmetriya kvarkların nuklon daxilində
paylanma funksiyalarından asılıdır, lakin fraqmentasiya funksiyalarından isə asılı deyildir.
Paylanma funksiyalarının ifadələri ədəbiyyatdan götürülərək








ikispinli Ap  (e p), ApK K (e p) , Ap  (e  p) və ApK  K (e  p)
asimmetriyalarının x və y dəyişənlərindən asılılıq qrafikləri
qurulmuşdur.
40
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
МГД-волны и неустойчивости температурноанизотропной плазмы солнечной короны
как источник ее нагрева
Джалилов Н.С.
Шемахинская астрофизическая обсерватория
НАН Азерб.
На основе 16-моментных МГД-уравнений, которые
учитывают тепловые потоки в анизотропной бесстолкновительной плазме, рассмотрены свойства неустойчивостей.
Для всех возникающих в МГД-приближении неустойчивостей (обычная несжимаемая шланговая неустойчивость,
вторая сжимаемая почти продольная шланговая и почти
поперечная зеркальная неустойчивость замедленных магнитозвуковых мод, а также тепловая неустойчивость,
вызванная тепловым потоком вдоль магнитного поля)
рассмотрены их аналоги в кинетическом приближении.
Исследовано кинетическое дисперсионное уравнение в
низкочастотном диапазоне вблизи тепловой скорости
ионов. Учтено течение ионного компонента плазмы вдоль
магнитного поля. Сравнения МГД и кинетических порогов
и инкрементов неустойчивостей показали хорошее согласие двух подходов. Это дает основания считать, что 16моментные МГД-уравнения с хорошей точностью могут
описывать динамику бесстолкновительной плазмы.
На основе развитой теории рассмотрены МГД-неустойчивости температурно-анизотропной корональной
плазмы. Показано, что в условиях солнечной короны для
слабых магнитных полей (B < 1 Гс) могут развиватьсяа
периодические зеркальные неустойчивости медленных
МГД-волн, а для сильных магнитных полей (B > 10 Гс)
развиваются колебательные ионно-звуковые неустойчивости. Найдены инкременты нарастания неустойчивостей
41
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
и оценены временные и пространственные масштабы
развития и распада колебательной неустойчивости. Показано, что рассматриваемые неустойчивости могут играть
заметную роль в энергобалансе короны и рассматриватьсяв
качестве крупномасштабного источника энергии волнового механизма нагрева короны.
Необходимые условия оптимальности для систем с
импульсными воздействиями при нелокальных
краевых условиях
Ягубов М.А., Кулиев Г.Ф., Юсубов Ш.Ш.
Бакинский Государственный Университет
Известно, 1 , что исследование многих физических
процессов сводится к исследованию решений системы
обыкновенных дифференциальных уравнений с импульсными воздействиями, при наличии начальных или краевых
условий. Поэтому, является разумным и постановка различных задач оптимального управлениях в таких процессах.
В связи с такими задачами в работе рассматривается
следующая задача: Пусть движение обьекта происходит на
интервале времени I  t0 , T  и пусть 0 ,1,...,m
t0  0  1  ...  m1  m  T 
фиксированные моменты
времени из этого интервала. Предположим, что на каждом
из интервалов i-1,i  , i  1, m  1 , m1, T  траектория
движения x  t   R n описывается системой дифференциальных уравнений
(1)
x  t   f  t , x  t  , u t   , t0  t  T , t  i
42
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
с нелокальными краевыми условиями
1x 1   ...  e x e   0
при импульсных воздействиях
x i   x i    i  x i    , i  1, 2,..., m  1 .
(2)
(3)
Здесь f  t , x, u  - заданная n -мерная вектор-функция,
непрерывная по совокупности переменных и имеет непрерывные частные производные по x, u до второго порядка
включительно, i ( x) -заданные n -мерные дважды непрерывно дифференцируемые вектор-функции, 0  R n - заданная точка, 1,  2 ,..., e
t0  1  2...  e  T 
фиксиро-
ванные точки, u  t  - r -мерная кусочно-непрерывная
вектор-функция управляющих воздействий со значением
из непустого открытого множества U  R r (допустимое
управление):
(4)
u  t   U  R r , t   t0 , T  .
Под решением задачи 1   3 , соответсвующим
заданному допустимому управлению u  t  U , понимаеся
кусочно-абсолютно непрерувная на t0 , T  , t  i функция,
а в точках разрыва i существует конечный левый предел
x    
x  t  , i  1,..., m  1 .
i
lim
t i , t 
Задача заключается в минимизации функционала
T
S  u     x 1  ,..., x e     f 0  t , x  t  , u  t   dt
t0
(5)
определенного на решениях системы 1   3 , порожденных всевозможными допустимыми управлениями, где
43
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
  z1,..., ze  -заданная дважды непрерывно-дифференци-
руемая по z1,..., ze скалярная функция , f0  t , x, u  заданная
скалярная функция , непрерывная по совокупности переменных и имеющее непрерывные частные производные по
x, u до второго порядка включительно. Для задачи
1   5 получены различные необходимые условия
оптимальности первого и второго порядков.
1. Самойленко А.М., Перестюк Н.А. Дифференциальные уравнения с
импульсным воздействием (Вища Школа, Киев,1987).
Применение динамического программирования к
решению задачи оптимального управления для
линейного параболического уравнения
Гасанов К.К., Гасанова Л.К., Танырвердиев Т.С.
Бакинский Государственный Университет
В работе применяется принцип оптимальности
Беллмана к решению задачи оптимального управления
линейного параболического уравнения с интегральным
квадратичным критерием качества.
Известно, что передача тепла и диффузия играют важную роль в различных технологических процессах.
Пусть
объект
управления
в
области
D(0  t  T , 0  x  l ) описывается уравнением
y  
y 
  a (t , x)   b(t , x) y  u (t , x)
t x 
x 
с начальным условием
y (0, x)   ( x) , 0  x  l
и неклассическими краевыми условиями
44
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
y(t ,0)  y(t , l ) , yx (t , l )  0 ,
0t T ,
где a(t, x)    0 , b(t , x)    0 ,  ( x)  L2 (0, l ) , u(t , x) управляющая функция.
Допустимыми управлениями являются все функции из
L2 ( D) .
В выбранном классе допустимых управлений требуется указать управление u (t , x ) такое, чтобы функционал
l
T l
0
0 0
J (u )   a( x) y 2 (t , x)dx    u 2 (t , x)dxdt
принимал наименьшее возможное значение, где a( x)  0 - заданная функция,   0 , T - фиксированный момент времени.
Группировка центральных звезд планетарных
туманностей по средней светимости и среднему радиусу
Алышева К.И., Алили А.Г.
Бакинский Государственный Университет
Как известно, эволюция планетарных туманностей
связана с их центральными звездами. Для детального
исследования эволюции этих объектов требуется точное
построение диаграммы Герцшпрунга-Рессела.
В представленной работе для выполнения поставленной задачи нами для 100 планетарных туманностей были
вычислены радиусы и светимости центральных звезд
планетарных туманностей. Далее туманности были распределены по средним светимостям и средним радиусам. На
представленных диаграммах Генцшпрунга-Рессела показаны светимости взятые из литературы (рис. 1) и рассчитанные нами. Как показывает сравнение диаграммы почти
совпадают.
45
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
I qrup
L*/L0
10000
II qrup
III qrup
1000
IV qrup
V qrup
VII qrup
100
VIII qrup
IX qrup
10
X qrup
XI qrup
1
LgXII
T*qrup
6,0
5,5
5,0
4,5
4,0
Рис. 1
L/L0
10000
1000
100
10
LgT*
1
6,0
5,5
5,0
Рис. 2
46
4,5
4,0
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
FİZİKİ ELEKTRONİKA BÖLMƏSİ
Солнечные преобразователи на основе селенидов
галлия и индия
1Абдинов
А.Ш.,1 Амирова С.И., 2Бабаева Р.Ф.,
1Рагимова Н.А., 1Рзаев Р.М.
1Бакинский Государственный Университет
2Азербайджанский Государственный Экономический
Университет
Кристаллы моноселенидов галлия (GaSe) и индия
(InSe) помимо других привлекательных для прикладных
целей свойств, привлекают внимание также обладанием
высокой фоточувствительностью в широком диапазоне оптического излучения (от 0.20 мкм до 1.35 мкм) даже при
температурах вплоть до 300-350К. Ширина запрещенной
зоны этих полупроводников составляет ~2.10 эВ и 1.29 эВ
для GaSe и InSe соответственно. Возможность получения
путем простого скалывания из крупных слитков отдельные
плоскопараллельные пластинки с различной толщиной (от
нескольких мкм вплоть до 7÷8 мм), заметная пластичность,
зеркальность (гладкость на атомарном уровне) поверхности отдельных слоев, позволяют создать на основе этих полупроводников анизотипные гетероструктуры без всякой
температурной технологии – путем посадки на оптический
контакт при комнатной температуре.
Это позволяет создать на их основе высокочувствительные фотоэлектрические солнечные преобразователи.
Невозможность получения большой поверхности,
большое значение удельного сопротивления и относительна высокая себестоимость кристаллов GaSe и InSe хотя
ограничивают их применение для массового создания, но
не умоляют высокую ценность этих полупроводников в
47
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
качестве хорошего опытного материала для проведения
экспериментальных исследований, служащих обогащению
физики и конструированию солнечных фотоэлементов.
Нами установлено, что при слабом (N≤10-1 ат.%)
легировании редкоземельными элементами (РЗЭ) из группы лантана (Gd, Ho и Dy), в зависимости от содержания
введенной примеси (NРЗЭ), во-первых, немонотонно меняются параметры спектра и абсолютная величина фотоответа этих полупроводников; во вторых, расширяется
протяженность насыщенной части спектра фоточувствительности гетероструктур и, в-третьих, при NРЗЭ≥10-2 ат.%
обеспечивается высокая стабильность параметров и характеристик фотопреобразователей на их основе. Фотоэлектрические параметры и характеристики солнечных преобразователей на основе этих полупроводников не зависят от
химической природы введенной примеси.
Выявлено также возможность управление фоточувствительностью созданных солнечных элементов в ИК-области путем одновременного фонового освещения собственным светом.
Предполагается, что все эти особенности фотоэлектрических свойств солнечных преобразователей на основе
кристаллов GaSe и InSe могут быть полезными как для выяснения механизма происходящих в них различных электронных процессов, так и для создания разного типа других фотоэлектрических приемников светового излучения.
Экспериментально снимались световая характеристика исследуемых структур при различных внешних и внутрикристаллических условиях. На основе анализа полученных данных оценены основные параметры и предложена
схема электронных переходов, которые качественно удовлетворительно объясняет физический механизм обнаруженных в них явлений.
48
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Импеданс спектроскопия слаботочного неонового
разряда в капиллярной трубке
Мурадов А.Х., Гусейнов Т.Х., Аллахвердиев Ш.А.
Бакинский Государственный Университет
a_muradov@yahoo, htarlan@mail.ru
Динамические свойства газоразрядной плазмы можно
характеризовать импедансом (комплексное динамическое
сопротивление), знание которого позволяет прогнозировать неустойчивости в разряде и методы их устранения,
создавать системы стабилизации различных плазменных
параметров. На основе анализа кривых импеданса
(диаграмм-годографов) можно составить эквивалентную
схему разряда, определить собственные реактивности и
оценить устойчивость разряда, учитывая реактивности
плазмы и внешней цепи [1- 3].
В отличии от традиционных широких разрядных
трубок, в которых уже начиная от давления в несколько
десятых Торр, возбуждение и ионизация осуществляется
ступенчато, а гибель заряженных частиц определяется
амбиполярной диффузией, в капиллярных трубках из-за
высокой электронной температуры в образовании заряженных частиц преобладают прямые процессы, а уход
осуществляется в режиме свободного падения. Это позволяет применить к капиллярному разряду метод динамической характеристики в наиболее простой форме с учетом
одного фактора инерционности – процесса ионизации
принимая во внимание свободную диффузию.
Настоящая работа посвящена изучению импеданса
положительного столба капиллярного разряда в неоне.
Измерена динамическая вольтамперная характеристика
разряда. Вычислен импеданс разряда при малых плотностях разрядного тока, когда заряженные частицы возникают
49
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Im Z/R0
путем прямой ионизации и исчезают в результате свободного падения или амбиполярной диффузии. Получена расчетная динамическая характеристика для соответствующих условий с учетом инерционности процесса ионизации.
Сопоставление расчетных и экспериментальных кривых
свидетельствует о применимости предложенной модели
для расчета динамического сопротивления слаботочных
капиллярных разрядов.
Измерения проводились в разрядной трубке с внутренним диаметром 2мм и длиной 40см. На рис. 1 приведен
пример измеренной динамической характеристики при
силе разрядного тока J p  10 мА . В соответствии с плоским характером статической ВАХ, кривая начинается с
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0
1 10 4
8  10
5  10 3
3  10 3
3
0
1,5  10 4
2  10 4
3  10 4 4
5  10
0,5
1
1,5
Re Z/R0
Рис.1. Годограф динамической вольт-амперной
характеристики разряда (сплошная кривая с
треугольниками – расчет, точки – измеренные
значения. (Ne, P  130 Па , в  2 мм ,
J P  10 мА , R0  80кОм ).
начала координат при низких частотах. Импеданс носит
индуктивный характер, с ростом частоты реактивная
составляющая увеличивается, достигает своего максимального значения при частоте порядка 10 4 Гц , затем спадает.
Активная составляющая с ростом частоты монотонно возрастает. Модуль импеданса во всем диапазоне измерений
монотонно возрастает и при предельно высоких частотах
50
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
имеет преимущественно активный характер и стремится к
значению, равному удельному сопротивлению столба
постоянному току.
Расчет динамического сопротивления произведен на
основе системы уравнений, характеризующей положительный столб капиллярного разряда. Линеаризация и
последующее решение полученной системы относительно
комплексного динамического сопротивления единицы
длины столба позволяет определить частотные зависимости действительной и мнимой частей сопротивления [4].
Уравнение баланса электронов можно записать в виде
n
(1)
 Da n  zn ,
t
где n концентрация электронов, D a - коэффициент амбиполярной диффузии, z – скорость ионизации. Для максвелловского распределения электронов с достаточной
точностью z выражается так:

eVi
kTe
z  Be
,
(2)
где B - коэффициент, выражающийся через эффективное
сечение и, потенциал ионизации Vi , а также и электронную
температуру Te .
Двумя другими уравнениями служат уравнение,
определяющее электронную температуру [1]
eE ,
(3)
T  0,63 
e
m
P
M
и выражение силы тока разряда
(4)
J  enSbE ,
где b – подвижность электронов, S – сечение разряда.
Комбинируя уравнениями (3, 4, 1) получаем уравнение
51
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
V
 i
1 dJ 1 dU

 Be eGU  DU ,
J dt U dt
(5)
где постоянные G и D зависят от давления газа
и межэлектродного расстояния .
Уравнение (5), связывающее J , U , dJ , dU предdt
dt
ставляет собой уравнение динамической ВАХ тока в газовом промежутке при заданных условиях. Конкретный вид
характеристики зависит от того, как именно меняются U и
J с течением времени. Легко анализируются два предельных случая медленных и быстрых изменений. При весьма
медленных изменениях тока dJ  0 , dU  0 ; тогда из (5)
dt

dt
Vi
GU
 DU  0 , представляющее собой плоскую
следует Be
статическую ВАХ в виде U  const . При очень быстрых
dJ
dU
процессах производные
и
велики, в то время как
dt
dt
правая сторона (5) от скорости процесса непосредственно
не зависит. При достаточно высокой частоте колебаний
или крутом фронте напряжения им можно пренебречь.
Остающееся в этом случае уравнение
1 dJ
1 dU
(6)

0
J dt
U dt
интегрируется и дает линейную зависимость между и ,
соответствующего закону Ома.
Линеаризуя уравнение (5) находим динамическое
сопротивление столба в виде
Z  R  jX ,
(7)
где действительная часть R и мнимая часть X комплексного сопротивления выражаются через ,
и G . В силу
громоздкости явные выражения R и X здесь не
приводятся. Рассчитанные значения импеданса при разных
52
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
частотах приведены в виде диаграммы на рисунке 1. Как
следует из сопоставления расчетных и экспериментальных
зависимостей, качественно ход годографов динамического
сопротивления согласуются с общими закономерностями
экспериментальных кривых, что свидетельствует в пользу
применимости предложенной модели для расчета
импеданса слаботочного разряда в трубках малого
диаметра.
[1]. Грановский В. Л. Электрический ток в газе, М.Гостехиздат, 1952,
т.1, с.374-382.
[2]. Привалов В.Е., Шишов С.И. "Радиотехника и электроника", 1987,
т.32, №8, с.1678-1685.
[3]. Дейч Г., Голубовский Ю.Б., Радиотехника и электроника, 1978,
№6, с.1205-1211.
[4]. Абдуллаев Р.А., Гусейнов Т.Х. Журнал “Известия вузов
Радиоэлектроника” Киев, 2008, т.51, №4.
p-GaAs/n-Cd1-xZnxS1-ySey heterokeçidlərinin
Volt-Farad xassələrinin tədqiqi
Abdinov Ə.Ş., Məmmədov H.M., Səfərov V.H., Məmmədov
V.U., Nəzərova S.Ü.
Bakı Dövlət Universiteti
mhhuseyng@gmail.com, mammadovv@gmail.com
Sulu məhluldan elektrokimyəvi çökdürmə üsulu ilə alınmış p-GaAs/Cd1-xZnxS1-ySey heterokeçidlərin keçid oblastının
topoqrafiyasının daha dəqiq və geniş təsvir edilməsi məqsədi
ilə, bilavasitə çökdürülmədən və müxtəlif rejimlərdə termik
işlənmədən sonra onların keçid tutumunun xarici gərginliyin
qiymətindən və tezliyindən asılılıqları tədqiq edilmişdir.
Ölçmələr keçidə tətbiq olunan dəyişən xarici elektrik
sahəsinin 10 kHs tezliyində aparılmışdır. Əksər tərkibli nazik
təbəqələr əsasında keçidlər üçün C-n=f(U) asılılıqlarında n2,
53
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
yəni bu heterokeçidlərin bağlayıcı təbəqəsinin sərhədi kəskin
deyil. Bu nəticə öz növbəsində termik işlənməmiş heterokeçidlərin keçid oblastının tam formalaşmadığını, yəni keçid
oblastında çoxlu sayda nano-heterokeçidlərin olduğunu bir
daha sübut edir. Kontakta gətirilmiş p-GaAs və n-Cd1-xZnxS1ySey materiallarının kristal qəfəs parametrlərinin qiymətləri
biri-birinə yaxınlaşdıqca C-n=f(U) asılılığınının qrafikindəki
ayrı-ayrı hissələr üçün n-nin qiyməti 2-yə yaxınlaşır və x=0,9;
y=0,8 tərkiblərində n=2,1 qiymətini alır. Bu isə kontakta
gətirilmiş materialların heterokeçidin komponentlərinin qəfəs
parametrləri uzlaşma dərəcəsi artdıqca onların təşkil etdiyi p-n
keçidin bağlayıcı təbəqəsinin sərhədinin kəskinləşdiyini deməyə imkan verir. C-n=f(U) asılılığının qrafikində çox da dəqiq
olmayan xəttiliyin müşahidə edilməsi və n-nin 2-dən az da olsa
fərqlənməsi, kontakt komponentlərinin qəfəs parametrlərinin
uzlaşmasına baxmayaraq, keçid oblastında hələ də defekt
səviyyələrinin olduğunu göstərir.
35
35
termik işlənmədən əvvəl
-n
C , 10
-19
F
-n
30
25
25
n=1.7
20
15
10
10
5
5
-1,0
-0,5
0,0
0,5
1,0
35
0
-1,0
-0,5
0,0
0,5
1,0
35
300oC, 15 dəqiqə
30
400oC, 20 dəqiqə
30
25
n=1.4
25
-19
15
15
10
10
C , 10
20
-n
F
-n
n=1.9
20
15
0
200oC, 15 dəqiqə
30
20
n=2
5
0
5
-1,0
-0,5
0,0
0,5
1,0
U, V
0
-1,0
-0,5
0,0
0,5
1,0
U, V
Şəkil 1. Arqon mühitində müxtəlif rejimlərdə termik işlənmiş
p-GaAs/Cd0.1Zn0.9S0.2Se0.8heterokeçidlərinin C-n=f(U) miqyasında
volt-farad xarakteristikaları
Apardığımız təcrübi ölçmələr göstərir ki, arqon mühi54
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
tində seçilmiş müəyyən rejimlərdə termik işlənmədən sonra
C-n=f(U) asılılığının xarakteri dəyişir. Bu zaman həm keçid
tutumunun qiyməti azalır, həm də bağlayıcı təbəqənin sərhədi
kəskinləşir. Arqon mühitində 3000C-də 15 dəqiqə ərzində termik işlənmədən sonra tədqiq etdiyimiz heterokeçidlərin voltfarad xarakteriasikasında dəqiq C-2=f(U) asılılığı müşahidə edilir. Lakin, termik işlənmə temperaturunun və müddətinin sonrakı artımında keçidətrafı oblastda neytral atomların və defektlərin ionlaşması ilə bağlayıcı təbəqənin sərhəddi yenidən pozulur – keçidin eni və tutumun qiyməti artır, yəni keçid dağılmağa başlayır.
1. Boukortt A. , Abbar B., Abid H., Sehil M., Bensaad Z., Soudini B.
Calculation of electronic and optical properties of the quaternary alloys
Zn1−xCdxSySe1−y // Materials Chemistry and Physics, v. 82, No 3, p. 911-920,
2003.
GaSe<Sn> layli kristallarda fotokeçiriciliyinin öyrənilməsi
Əliyev İ.M., Əliyeva V.İ.
Bakı Dövlət Universiteti
Yarımkeçirici kristalların bütün vacib xassələri müxtəlif növ
defektlərin olması ilə təyin olunur.
Yarımkeçirici materiallarda mürəkkəb defektlərin yaranmasına daha çox diqqət verilir. Bu defektlər aşqarlanmış atomların
məxsusi və quruluş defektlərinin qarşılıqlı təsiri nəticəsində
əmələ gəlir. Güclü elektrik sahələrində GaSe-nin optik xassələri
öyrənilib. Göstərilmişdir ki, fundamental udulma kənarının sahə
ilə yerdəyişməsindən başqa tədqiq olunan jnümunələrdə udulma
zolağının genişlənməsi baş verir. GaSe eksitonlarının fotokeçiriciliyi tədqiq olunub. İşdə eksitonların dağılması və GaSe
monokristal nümunələrinin fotokeçiricilik spektrlərinin formalaşmasında olan rolu göstərilmişdir.
Ölçmələr həm təmiz, həm də qalay ilə aşqarlanmış nümu55
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
nələrdə aparılmışdır. Otaq temperaturunda müqavimətin artımı,
nümunənin uzunluğunun qısa olduğuna görə 10%-i aşmır.
Nümunələr p-tip keçiriciliyə malikdirlər. GaSe üçün xarakterik
olan fotokeçiricilik əyriləri göstərilmişdir. Burada həmçinin
udulma zolağının spektral oblastında çoxsaylı əksolmaları nəzərə alınmadan qurulmuş eyni nümunənin optik udulma əyrisi
qurulmuşdur.
Qrafiklərdən göründüyü kimi GaSe-nin udulma zolağı
böyük yarımoxlu n=1 udulma zolağına malikdir. Həmçinin
300K temperaturda optik udulma və fotokeçiriciliyə uyğun maksimumların enerji udulması 0,622 mkm dalğa uzunluğu ilə üstüstə düşür.
Fotokeçiriciliyin maksimal udulması və n=1 olan eksiton
udulması He temperaturlarında üst-üstə düşür. Temperaturdan
asılı olaraq eksiton udulması və fotokeçiricilik zolağı yarımeninin böyüməsi eksiton-fonon qarşılıqlı təsiri ilə əlaqədardır.
GaSe-də fotocərəyanın kinetik tədqiqatında göstərilmişdir ki,
fotokeçiricilik aşqar xarakterli, yəni monopolyardır.
İşığın udulması aşağı zonada çoxlu sayda elektronların
olması ilə əlaqədardır.
Əsas maksimumlar oblastında fotokeçiricilik GaSe-nin əsas
udulma zolağına uyğundur. Eksitonlar kristal daxilində hərəkət
edərək qəfəsin defektləri və ya aşqarları ilə qarşılıqlı təsirdə
olaraq onlara öz enerjisini verirlər. Bunun nəticəsində aşqarların
biri uyğun mərkəzləri tərəfindən tutulur, digəri isə sərbəst
zonaya atılır və keçiricilik monopolyar hal alır. Burada iki hala
baxıla bilər:
1)   E a olan aşağı temperaturlar halı;
2)   E a olan yuxar temperaturlar halı. (Burada
GaSe-də akseptorların ionlaşma enerjisidir).
Birinci halda fotokeçiricilik temperaturdan asılı olaraq
azalır, ikinci halda isə eksponensial olaraq artır. Aşağı temperaturlarda mərkəzlərin termik ionlaşması azdır və keçiricilik
56
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
temperaturdan zəif asılıdır. Yuxarı temperaturlarda (   E a )
akseptorların termik ionlaşmasından başqa eksitonların fononlardan səpilməsi prosesi də mövcuddur. Axırıncı prosesdə fotocərəyan temperaturdan eksponensial asılıdır. Fotocərəyanın
kəskin böyümə sərhədi və fotokeçiriciliyin yarımeni zolağının
temperaturdan asılılığından görünür ki, sərhəd sahəsi 77K
temperaturda böyüyür.
Bu işdə həmçinin fotocərəyanın nümunəyə tətbiq olunan
gərginlikdən asılılığı ölçülmüşdür. Şüalanma mənbəyi olaraq 50
Hs tezliyə malik olan ЛГИ-21 lazerindən istifadə olunmuşdur.
Göründüyü kimi fotocərəyanın doymasından sonra kəskin
böyümə səddi yaranır və bu böyümə yenidən doymaya gətirir.
Fotocərəyanın ikinci dolmuş hissəsi onunla əlaqədardır ki,
işıqdan yaranmış bütün eksitonlar ionlaşırlar.
Адсорбция молекул бензола на поверхности иридия
Насруллаев Н.М., Гасанов Р. Ф., Ахмедова А.Р.
Бакинский Государственный Университет
Покрытие поверхность Ir углеродом было произведено
высокотемпературной (T1600 K) адсорбцией молекул
бензола. Работу выхода островков графита определяли
независимо, зондируя поверхность иридия и рения двумя
потоками: молекулами CsCl, которые давали информацию
об относительной площади двумерных островков, и атомами К, которые легко ионизируется лишь на участках
поверхности, свободных от островков. Если воспользоваться формулой Саха-Ленгмюра, измерив предварительно два тока ионов калия I 1 и I 2 с чистой поверхности
иридия и с поверхности, содержащей островки графита, с
относительной площадью S0:
I1  eS
57
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
I 2  e S  S0  
eS0
eV   
1  Q0 Q exp
kT
,
то из отношения I 1 / I 2 можно определить и работу выхода
островков, которая оказалось равной e=4,45 эВ.
Работа выхода монослоя графита на иридии определялась
несколькими способами: из графиков Ричардсона, по поверхностной ионизации атомов трудноионизируемых элементов
(Na, Ba), а также по полному ионному току (Na, K, Ba). Было
установлено, что поверхность монослоя графита на иридии
однородна по работе выхода и имела e=(4,450,05) эВ.
Образование монослоя графита уменьшает e иридия до
4,45 эВ которая совпадает с той же работой выхода для
поверхности кристалла графита измеренной с помощью Оже
спектрометра.
При высокотемпературной адсорбции бензола на поверхности иридия вырастает графитовый слой, который ослабляет
интенсивность оже-пика иридии ~1,6 раза и такой ослабление свидетельствует о равной моноатомной толщине графитового слоя [2]. Существует также несколько сообщений
посвящённых получению графена, выращенного на других
подложках на пример на подложках карбида кремния
SiC(0001) [3]. Графитовая плѐнка формируется при термическом разложении поверхности подложки SiC.
1. Насруллаев Н.М., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я. Адсорбция,
десорбция и миграция молекул СзС1 на монослое графита на иридии.
ЖТФ. 1987. 57. С. 353-356.
2. Галль Н.Р., Михайлов С.Н., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я. Характер
адцорбционной связи между монослоями графита и поверхностью
рения. ФТТ. 1985. 27. С. 2351-2356.
3. Rollings E. et. al. Synthesis and characterization of atomically thin
graphite films on a silicon carbide substrate J. Phys. Chem. Solids 67, 2172
(2006) DOI:10.1016/j.jpcs.2006.05.010
58
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Анизотропия оптических переходов в монокристаллах
II-III2-VI4
1,2Мехтиев
Н.М., 2Салимова П.З.
1
Азербайджанская Государственная Нефтяная Академия,
2
Бакинский Государственный Университет
Исследованиями фотопроводимости и оптического
поглощения в поляризованном свете монокристаллов
CdGa2Se4, CdIn2Se4, ZnIn2Se4 со структурой тиогаллата,
решетка которых характеризуется различными значениями
тетрагонального сжатия, установлено, что в формировании
внутрикристаллического поля ведущая роль принадлежит
«химическому фактору», то есть наличию неэквивалентных атомов и вакансий в катионной подрешетке. Тетрагональное сжатие изменяет величины кристаллического
расщепления.
Соединения CdGa2Se4, CdIn2Se4 и ZnIn2Se4 кристаллизуются в тетрагональной структуре, и характерным для
них является наличие сжатия кристаллической решетки
вдоль тетрагональной оси «С» (η=2-с/a >0). Кроме того
наличие двух сортов атомов в катионной подрешетке
также создают определенное изменение в энергетическом
спектре. Теоретические расчеты и экспериментальные результаты показывают, что тетрагональное сжатие приводит
к «положительному», а разность псевдопотенциалов атомов катионной подрешетки к отрицательному кристаллическому расщеплению (∆кр) и правила отбора в области
края фундаментального поглощения определяются конкурирующим вкладами указанных факторов в кристаллическое расщепление.
Значения ширины запрещенной зоны, определенные из
спектров поглощения и ФП при 300К равны 2,25еВ, 1,73еВ
и 1,83еВ для CdGa2Se4, CdIn2Se4 и ZnIn2Se4, соответ59
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
ственно. Наличие ряда особенностей в спектрах ФП
CdGa2Se4, CdIn2Se4 и ZnIn2Se4 вблизи края фундаментального поглощения свидетельствует о сложности электронных состояний, формирующих край фундаментального
поглощения. Облучение образцов линейно поляризованным светом показало, что амплитуды этих особенностей
определяется взаимным расположением оптической оси
кристалла С и электрического вектора падающего излучении Е. Bблизи края поглощения hv≥Еg, значение фототока при EC больше, чем при EIIC. В спектрах оптического поглощения также доминирует переходы при
EC. В спектре ФП можно выделить три особенности,
отмеченные линиями А, В, С; причем линии А и В преимущественно проявляются при EC, а линия С доминирует
при EIIC. Поляризационную чувствительность фотоактивного поглощения кристаллов было оценено вычислением
частотной зависимости коэффициента фотоплеохроизма
Pi=(iII-i┴)/(iII+i┴) и формы индикатрисы фототока.
iφ=iIIcos2(φ-fπ/2)+i┴sin2(φ-fπ/2).
Существенные изменения в спектре Pi проявляются
при достижении энергии линий А, В, С. Знак P i около А
для CdGa2Se4 и линий А, В для CdIn2Se4 и ZnIn2Se4
отрицателен, что свидетельствует о том, что А и В переходы разрешены в поляризации ЕС. Инверсия знака Pi
при достижении линии С показывает, что оптические
переходы типа С разрешены для EIIC.
Из энергетического положения А, В, С линий были
определены параметры валентной зоны, таких как,
кристаллическое (Δкр) и спин-орбитальное (Δсо) расщепления на основе квазикубической модели Хопфилда.
Значения Δкр для указанных соединений имеет отрицательный знак.
Влияние различных обработок на свойства контакта
60
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
кремний
Пашаев И.Г., Мехтиев Р.Ф.
Бакинский Государственный Университет
islampashayev@rambler.ru
В последние годы увеличился объём исследований,
посвященных использованию плёнок металлов и металических сплавов с аморфной структурой в технологии
диодов Шоттки (ДШ), что обусловлено их важным
прикладным значением [1]. С барьерами Шоттки отличаются повышенной радиационной стойкостью, их технология может быть удешевлена за счет устранения операции высокотемпературной диффузии для создания p-nпереходов, использования поликристаллических подложек.
Применение металлов с аморфной структурой позволяет
формировать более однородную и устойчивую во времени
границу раздела (ГР) металл-полупроводник и получить
диоды Шоттки с характеристиками, близкими к идеальным. Исследовано влияние различных обработок (механичскихтермических и ультразвуковых) на свойства диодов
Шоттки, а также влияние облучения -квантами на характеристики образцов фото преобразоводитель (ФПЭ)с
барьером Шоттки для солнечных элементов При изготовлении кремниевых ФПЭ с барером Шоттки для солнечных
энергетики поверхности химико-механической полировке,
производилось напыление металлического сплава состава
Ni35Ti65, который имеет тенденцию к аморфизации [3].
Данное концентрациионное соотношение обеспечивалось
подбором скоростей испарения компонентов сплава, который наносили методом электронно-лучевого испарения из
двух источников. Подложки были изготовлены из бездислокационных монокристаллов кремния, выращенных
методом Чохральского, легированных фосфором. Удель61
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
ное электрическое сопротивление ~0,7 Ом·см, кристаллографическая ориентация <111> [4]. Матрица содержала 14
диодов, площади которых менялись в интервале от 100 до
1400 мкм2, площадь контакта составляла 200 мкм2.
Установлено, что -облучение негативно сказывается на
характеристиках ДШ (искажение как обратной, так и
прямой ВАХ по сравнению с исходными, увеличение
обратного тока Iобр ).
Показано, что восстановление параметров ФПЭ после
-облучения, возможно с помощью ультразвуковой обработки. По-видимому, в этом случае происходит перегруппировка и атермический отжиг радиационных дефектов,
образованных гамма-квантами. Полученные в работе
результаты свидетельствуют также о том, что УЗО частично восстанавливает структуру -NiTi и кристаллическую структуру кремниевой подложки образцов ФПЭ
после -облучения. Экспериментально установлено, что
характер и степень изменений фотоэлектрических свойств
ФПЭ зависят от выбранного режима УЗО, т.е. регулируя
режим УЗО, можно целенаправленно корректировать параметры ФПЭ.
1. Askerov Sh. G., I.G. Pashaev Conference Proceeding Second
International Conference on Technical and Physical Problems in Power
Engineering - Tabriz-Iran. 6-8 September 2004. Р. 367 - 368.
62
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Частотно-емкостные характеристики МДМ –
структуры на основе фталоцианина меди
Садраддинов С.А.
Бакинский Государственный Университет
Целью настоящей работы является установление
энергетической диаграммы, определение параметров
барьерного слоя и полупроводника в «сэндвич» структуре
Al-РсСu-Al.
Из зависимости емкости от температуры для двух
частот видно, что емкость системы в области низких и
высоких температур значительно отличаются (~ 9 раз). Эта
характеристика хорошо объясняется, если принять, что
барьерные слои является структурными элементами образца.
При низких температурах сопротивление объема
Rb  R 0 exp(  / kT ) велико и емкость системы определяется
емкостями обьема и двух барьеров Шоттки, соединенных
последовательно
(1)
C ( 2 / C 1/ C )1 ,
s
b
а при достаточно высоких температур емкость системы
пределяется последовательно соединенными емкостями
обоих барьеров Шоттки: CCs / 2
(2)
Для величины барьерной емкости получено
C 1400рФ .
s
На зависимости емкости от температур построена
также теоретическая кривая для частоты I кГц по формуле
[2]:
C
1(C R )
b b
,
(3)
C s 
2 1 2C ( C / 2C ) R 2
b s
b b
при
следующих
параметров:
63
C b  167пФ,
С s  1400 п,
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
-2
R0  2,65  10 Ом
и  0,55 эВ . Видно, что в области 300 С
теоретическая кривая хорошо согласуется с экспериментальными результатами
В области низких температур емкость системы обнаруживает, что в емкости проявляется обратимый фазовый
переход [3].
Определив барьерную емкость структуры можно
определить ширину барьеров Шоттки  s из соотношения
(4)
 s  0 S / C s
где для РсСu   3, 0  3,5 [4].
Вычисленная ширина каждого из барьеров Шоттки
оказывается равной s  0,11  0,13мкм . С другой стороны,
ширина барьеров Шоттки определяется выражением:
2
1/ 2
s  [ 2( m   i )0 / e N ]
t
,
откуда
2 2
N  2( m   i ) 0 / e  s ,
t
(5)
где N - концентрация центров захвата,  m и  i - соответt
ственно работа выхода материала электродов и РсСu. По
этой формуле N t  2  10 cм .
Из частотной зависимости емкости можно определить
энергию активации Ф по формуле
16
-3
ln   ln( aR01 )   / kT ,
(6)
где а – постоянная, зависящая от выбранного частного
значения емкости. Определенное таким образом значение
энергии активации- Ф=0,53 эВ.
1
Зависимость ln  от Tmax
должна дать прямую,
наклон которой пропорционален энергию активации
Ф=0,54 эВ. Точке пересечения этой прямой с осью частоты
64
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
соответствует:
0  [ R 2 Cb (Cs / 2  Cb )] 1 / 2 . (7)
0
Значение R0, вычисленное из этой формулы с использованием параметров Сb=167 пФ,Сs=1400 пФ оказывается
равным 1,8102 Oм .
К физическим процессам нанесения тонких пленок
импульсным плазменным методом
Давудов Б.Б.
Бакинский Государственный Университет
Пленочные микрокомпозиции из проводящей и
диэлектрических фаз могут быть получены разными
способами: совместным осаждением частиц проводящей и
диэлектрических фаз, формированием диэлектрической
фазы частичным окислением, внедрением в пленку,
состоящую из одной фазы, частиц другой фазы и др.
Для получения высокоомных керметных пленок
успешно могут быть использованы импульсные плазменные испарители, в которых происходит непосредственное
испарение проводящих и диэлектрических материалов,
находящихся в разрядной камере устройства.
Разрушение диэлектриков и поступление массы разрушения в зону разряда в импульсных плазменных испарителях определяются тепловыми потоками из плазмы на
поверхность этих материалов. Полный тепловой поток из
плазмы на поверхность диэлектриков представляет собой
сумму конвективного и лучистого потоков.
Конвективный тепловой поток, оцененный по фор-
65
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
1
ni vi Ei , невелик и приблизительно равен (3-6)
4
103 Вт/см2. Здесь ni  концентрация ионов в плазме, vi –
муле Q 
их скорость, E i – тепловая энергия частиц.
Лучистый тепловой поток можно оценить по закону
4
Стефана – Больцмана Q  Te ,где   5,67 10-12Вт/см2 –
постоянная Больцмана. Для плазмы с достаточно высокой
температурой (50 000-100 000 К) эта величина достаточно
велика (105-106 Вт/см2) и может привести к быстрому
повышению температуры в тонком поверхностном слое до
такой величины, при которой начинаются фазовые превращения материала стенки разрядной камеры. А это, в
свою очередь, приводит к деструкции и интенсивной сублимации материала. Молекулы этого вещества, поступая в
разрядный промежуток, в результате многократного столкновения диссоцируются, и происходит частичная ионизация продуктов разрушения, что и подтверждается микроскопическими и спектроскопическими исследованиями.
В сублимации соединения Вi12GeO20 в спектре наряду с
однократно возбужденными линиями атомов висмута,
германия и кислорода наблюдались двух- и даже трехкратные возбужденные линии этих атомов. Отметим, что
этот кристалл обладает свойствами фотопроводникового и
электрооптического материала, то есть в нем под действием внешнего электрического поля происходит оптическая активность.
Составляющие сложных соединений, таких как висмут германат, имеют различные давление паров, то есть
летучесть компонентов сильно отличается, и по этой
причине в стационарных испарителях вещество испаряется
несогласованно и, следовательно, состав конденсата будет
отличаться от состава исходного материала. В импульсных
плазменных испарителях же в тонком приповерхностном
66
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
слое очень большая температура достигается мгновенно в
течение нескольких микросекунд, и происходит одновременное испарение (сублимация) вещества. Это обстоятельство обеспечивает сохранение стехио-метрического
состава тонких пленок сложных соединений, получаемых
этим методом.
Silisum əsasında hazırlanmış Şottki diodlarının
elektofiziki xassələrinə müxtəlif metallik təbəqələrin
mikrostrukturunun təsiri
Əsgərov Ş.Q., Paşayev İ.G.
Bakı Dövlət Universiteti
Keçən əsrin 70-ci illərindən başlayaraq metallar və
yarımkeçiricilər arasındakı sərhəd tamamilə götürülməklə yanaşı bunların hər ikisinin unikal xassələrindən istifadə olunurdu. Ayırıcı sərhəddin xüsusiyyətləri 1 çox faktorlardan:
ölçülərdən, nizamlılıqdan, kimyəvi reaksiyaların əmələ gəlməsindən və kinetik proseslərin getmə xarakteristikalarından asılıdır. Sadalanan faktorlar içərisində əsas yeri ayırıcı sərhədin bircinsliyi tutur [1.2]. Ona görə ki elektron qurğuların keyfiyyəti
və davamlılığı bu faktordan asılıdır. Ayırıcı sərhəddə bircinslik
problemini həll etməkdən ötrü götürülən maddə ya amorf ya
da polikristal olmalıdır. Monokristallik Şottki diodu əsasında
praktiki olaraq inteqral mikrosxem düzəltmək çətindir.
Bu münasibətlərdə amorf strukturlu metallardan istifadə
oluması daha perespektivlidir. Son 40 il ərzində amorf yarımkeçirici və metal xəlitələrin geniş istifadə olunması onların
intensiv öyrənilməsinə gətirib çıxarmışdır. Bundan başqa fundamental elm sahələrində də amorf metallardan geniş istifadə
olunur. Belə ki, amorf metallarda nizamsız quruluşu öyrənmək
üçün böyük imkanlar da vardır. Amorf xəlitələrdən istifadə
olunması bizə tam əsas verir ki mikrosxem elementlərinin key67
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
fiyyət və davamlı olmasına həmçinin amorf xəlitələrin kimyəvi
cəhətdən aktiv olmaması onlarda gedən diffuzion proseslərin
sürətini azaldır [3].
Bu işdə silisium əsasında hazırlanmış NixTi100-x-nSi (harda
ki, x=4;19;37;74;96) Şottki diodların elektrofiziki xassələrinə
muxtəlif metallik təbəqələrin mikrostrukturunun təsiri öyrənilmişdir. Şottki diodlarinin əsas parametirləri, potensial çəpərin
hündürlüyü və qeyri bircinslik əmsalı təcürbü yolla hesablanmış və bu parametirlərin kontaktın toxunma sahəsindən, tərkib
və strukturdan asillığı müəyyın edilmişdir, bununla bərabər
müxtəlif tərkibli diodların lektrofiziki xassələrinə termoemalın
təsiri öyrənilmişdir, termoemal 100-600°C aparılmışdır. ŞDnın təcrübi nümunələri müxtəlif sahəli diod matrisləri şəklində
(100-1400) mkm2 ölçülərində hazırlanmışdır. Amorf və polikristal xəlitə əsasında hazırlanmış NixTi100-x n-Si Şottki diodlarının elektrofiziki xassələri tədqiq edilərək, alınmış nəticələrə
gorə Ni35Ti65 xəlitəsi amorf, qalanlari isə polikristallik struktura malikdir. Təcrübi yolla tapılmış NixTi100-x-nSi ŞD əsas
parametirləri, potensial çəpərin hündürlüyü və qeyri bircinslik
əmsalı və bu parametirlərin kontaktin toxunma sahəsindən,
tərkib və strukturdan asillığı toxunma sərhəddinin qeyri
bircinsliyi ilə izah olunur. Alinmış nəticələrdən görünür ki,
NixTi100-x-nSi ŞD potensial çəpərin hündürlüyü və qeyri
bircinslik əmsalı xəlitənin Ni35Ti65 amorf halinda kontaktın
toxunma sahəsindən, polikristal xəlitələrlə müqayisədə zəyif
asilığı movcuddur. NixTi100-x-nSi Şottki diodunun parameterlərinin termoemaldan asilı olaraq dəyişmələri arasında müəyyən korrelyasiyanın olması müəyyən edilmişdir.
1.
2.
3.
Аскеров Ш.Г // ПЖТФ, 1977, т.3, №18, с.968-970.
Пашаев И. ФТП, 2012, том 46, вып. 8 c.1108-1110.
Аморфные металлические сплавы. Под ред. Ф.Е.Люборского. М.:
Металлургия, 1987, 620с.
68
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Влияние температуры получения на
фотолюминесценцию ZnSe
Агалиева С.Т., Ахмедзаде Н.Д., Ширинов М.М.
Институт Физики НАН Азербайджана
В работе приводятся спектры фотолюминесценции
(ФЛ) поликристаллического ZnSe полученного из парогазовой фазы и прошедшего различное число этапов сублимационной перекристаллизации. Полученные спектры
сравнивались со спектрами ZnSe, синтезированного из
расплава. ZnSe является перспективным материалом для
разработки на его основе лазерных и некогерентных электроннолучевых и инжекционных излучающих приборов, в
сине-голубой области оптического спектра, оптики для
лазерной ИК – техники, приборов и устройств отображения информации, интегральной оптики и т.д. Широкое
применение в полупроводниковой электронике ZnSe сдерживается трудностями, связанными с проблемами его
получения с управляемыми физическими свойствами.
Как правило, при получении соединений ZnSe, с использованием современных методов, не удаётся исключить
влияния примесей как заведомо содержащихся в элементах
соединения так и неконтролируемо заносимых в соединение в процессе высокотемпературного синтеза. Эти примеси, создавая энергетические уровни в запрещённой зоне
полупроводника, оказывают отрицательное влияние на
оптические, излучательные и фотоэлектрические свойства
приборов, изготавливаемых из него, значительно снижают
их надёжность. Поэтому необходимость получения высокочистого соединения стехиометрического состава для
дальнейшего изготовления приборов из него с эффективной излучательной рекомбинации в собственной области
спектра, очевидна.
Исследована динамика изменения спектров ФЛ ZnSe,
69
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
прошедшего различное число этапов сублимационной перекристаллизации. Эффективность очистки ZnSe оценена
по разрешению спектральных линий ФЛ и их интенсивности в экситонной области (h=2,784-2,8 эВ) и интенсивности краевого излучения при температуре 77 К.
Спектральная ширина щели при записи спектра ФЛ
составляла 1 А0 (0,2 мэВ). Анализ спектров ФЛ показал,
что лучщее разрешение пиков экситонной люминесценции
достигнуто в ZnSe, полученном при относительно низких
(до 1200 0С) температурах возгонки и кристаллизации. По
мере увеличения числа этапов перекристаллизации максимумы линий краевой люминесценции затухают и напротив, возгораются максимумы линий собственного излучения. В итоге после прохождения четвёртого этапа перекристаллизации для полученного ZnSe характерны высокая интенсивность экситонной люминесценции и слабая
интенсивность краевого излучения. Эти качества обнаруживают перспективу использования этого материала при
изготовлении приборов из него.
Спектры комплексного импеданса в кристаллах TlInSe2
Алиева Н.А.
Институт Физики НАНА
В настоящей работе изучаются процессы ионной
проводимости и эффекты объемно-зарядовой поляризации
в кристалле TlInSe2. Проведено измерение кинетических
зависимостей электропроводности σ(t) в постоянном поле
и спектров комплексного импеданса Z*(f) в интервале
частот 101-106 Гц. Электрические свойства соединений
исследовались широко применяемым в физике конденсированного состояния методом импедансной спектроскопии
в интервале температур 100-400К в области частот 25 Гц 1 MГц. Обкладки конденсаторов были получены нанесе70
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
нием платиновых токопроводящих контактов на поверхности сколотых пластинок кристалла. Исследования электропроводимости проводились цифровым измерителем
иммитанса Е7-25.
С использованием платиновых электродов электрические свойства кристаллов TlInSe2 исследованы в постоянном и переменном измерительном поле при температурах
100−400К. В постоянном поле зафиксировано существенное уменьшение электропроводности σ со временем. В
диапазоне частот 101−105 Hs измерены спектры комплексного импеданса Z‫(٭‬f). Анализ диаграмм в комплексной
плоскости (Z″−Z′) проведен с использованием метода эквивалентных схем замещения. Показано что в исследованном
интервале температур и частот электрические свойства
TlInSe2 определяются прыжками ионов Tl и накоплением
носителей заряда вблизи блокирующих Pt электродов.
Исследование электронной структуры тонких пленок
Cd1-xMnxTe
Мехрабова М.А., 1Нуриев И.Р., 1 Оруджев Г.С.,
1Назаров А.М., 1Садыгов Р.М., Гусейнов Н.И.
НАНА, Институт Радиационных Проблем,
1Институт Физики
Тонкие пленки Cd1-xMnxTe нашли широкую область
применения в электронике, оптоэлектронике, наноэлектронике, спинтронике, интегральной оптике, астрофизике и
медицине. Особенно нужно отметить их успешное применение в создании высокоэффективных солнечных элементов, детекторов ИК, х- и γ-облучения, работающих при
комнатной температуре, оптических изоляторов и т.д.
В данной работе исследована электронная структура
тонких пленок Cd1-xMnxTe. Были проведены первопринципные расчеты в рамках теории функционала плотности
(DFT-density functional theory) с использованием програм71
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
мы Atomistic Tool Kit (АТК). Были рассчитаны зонная
структура, плотность состояния, определена уровень Ферми, проведена оптимизация кристаллической структуры и
релаксация атомов для антиферромагнитного состояния
тонких пленок Cd1-xMnxTe (х=0.0625) в LSDA (Local Spin
Density Approximation) приближении в базисе DZDP
(double zeta double polarized) с учетом поправки Hubbard-U
для 6р-состояний Те (UТе=3.7 эВ) и 3d-состояний Mn
(UMn=3.59 эВ). Установили, что верхние уровни валентной
зоны, которые расположены в области [-5-0] eV, в
основном происходят из 5р-состояний атомов Tе, а нижние
зоны проводимости из 5s-состояний атомов Cd. Учитывая,
что вклад s-состояний атомов Cd в формирование
фундаментального зазора незначителен, мы в расчетах
пренебрегли этой поправкой (рис. 1, 2).
a)
б)
Рис. 1. Cd1-xMnxTe (х=0.062), a) кристаллическая элементарная
ячейка, б) энергетическая зонная структура
б)
a)
Рис. 2. Cd1-xMnxTe (х=0.0625), a) полная плотность состояния;
b) локальные парциальные плотности состояний для 3d-состояний Mn.
72
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Расчеты были проведены для антиферромагнитного и
ферромагнитного состояния. Установлено, что для этих
кристаллов устойчивым является антиферромагнитное состояние. Рассчитанная ширина запрещенной зоны хорошо
согласуется с экспериментальными данными, полученными нами.
В данной работе были синтезированы твердые растворы
Cd1-хMnхTe (х=0.05) и рентгенографическим методом определены параметры рещетки. Рентгенографический метод
исследования показали, что они кристаллизуются на
основе кубической решетки CdTe и с увеличением количества Mn в синтезированных образцах параметр решетки
незначительно уменьшается. Кристаллическое совершенство образцов исследовано ЭПР методом (рис. 3). ЭПР
спектры снимались при комнатной температуре в ЭПР
спектрометре фирмы “Bruker” EMX/lus (в области - x,
λ=3.2 sm-1). Определено, что ионы Mn2+ однородно внедрились в кристаллическую решётку соединения.
Были получены тонкие пленки указанных твердых растворов на стандартной вакуумной установке УВН -71П3
методом конденсации молекулярных пучков. Подложками
служили монокристаллы слюды.
Рис. 3. ЭПР спектры твердых растворов Cd1-xMnxTe, x=0.05.
73
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Пленки получены на подложках при температуре
(Т=300 К, 400 К). Кристаллическая структура полученных
пленок были исследованы рентген дифрактометрическим
методом. Установлено, что при Т=300 К, пленки,
полученные на подложках монокристаллической слюды
имеют поликристаллическую структуру (рис. 4).
Рис. 4. Рентген дифрактометрический спектр тонкой пленки
Cd1-хMnхTe (х=0.05) на подложках слюды при Т=400 К.
Были исследованы спектры поглощения и пропускания
тонких пленок Cd1-xMnxTe (х=0.05), полученных при
комнатной температуре на подложках слюды (рис. 5).
б)
a)
Рис. 5. UV-Visible спектры: зеленым цветом представлены
спектры слюда – воздух, красным слюда +Cd1-xMnxTe (воздух),
синим слюда + Cd1-xMnxTe (слюда)
а) поглощение, б) пропускание.
74
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Спектры регистрировались на спектрометре UV-Visible
SPECORD 250 PLUS - 223G1020 в области длин волн
λ=300-1000 nm. Определена ширина запрещенной зоны
Eg=1.59 эВ. Полученные значения Eg, удовлетворительно
согласуются с расчетными данными, полученными нами.
[1] G.M.Zewdie Ab–initio calculations of structural and electronic
properties of a BeXZn1-XSe ternary alloy. Addis Ababa University,
Ethiopia, 2012, 69 p.
[2] Shi-Hao Wei, X. G. Gong, Gustavo M. Dalpian and Su-Huai Wei Firstprinciples study of Mn-induced local magnetic moments in host
semiconductors. PHYSICAL REVIEW B 71, 144409, 2005, pp.1-6.
[3] Booth, N. and Smith, A. S. Infrared Detectors, Goodwin House
Publishers, New York & Boston, 1997, pp. 241-248.
[4] B.M.Askerov, T.G.Ismailov, M.A.Mekhrabova Interband Faraday
rotation in semimagnetic semiconductors. Phisica status solidi (b),
1991, v.163, pp. k117-k121.
[5] Г.С.Оруджев, M.A.Meхрабова Первопринципное исследование
энергетической зонной структуры CdTe, “Radiasiya Tədqiqatları və
onların praktiki aspektləri” VIII konfrans, Bakı, Azərbaycan, 2013,
s.40-41.
Данная работа выполнена при финансовой поддержке Фонда Развития
Науки при Президенте Азербайджанской Республики – Грант № EİF- 20122(6)-39/06/1-M-25
Получение толстослойного графитовой пленки на
поверхности рения
Оруджов А.К., Алиев И.М., Насруллауев Н.М.,
Исмаилова Р.Н, Дашдамиров А.О., Рагимов Р.Ш.
Бакинский Государственный Университет
Изучение электрофизических свойств системы Re-C
методами каталитической диссоциации молекул CsCl и
термоэлектронной эмиссии ТЭЭ показали, что при Т≤1800
К рениевой ленты в парах бензола и при последующем
75
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
понижении температуры на рениевой ленте образуется
монослой графита. А при нагретой до Т≥1900 К рения в
парах бензола (PC 6 H 6 =10-3тор) и при последующем понижении температуры до Т≤1600 К на рениевой ленте образуется толстая пленка графита. Работа выхода пленочной
системы Re-C определялась по методу поверхностной
ионизации молекул CsCl и по ТЭЭ. Оба способа определения работы выхода дали практически совпадающие
результаты (еφ=4,5эВ), что соответствует работе выхода
Re(10 1 0) –C. При насыщении рения углеродом при
Т=1700 К в парах бензола давлением PC 6 H 6 =5·10-5 тор,
сопротивление рения R20оC увеличивалось от 0,29 Ом до
0,52 Ом. Тогда зная I1/I0=1,01,  T  0,20 чистого рения при
Т=1600К можно было найти  T1  0,36 для Re (10 1 0)-C. С
другой стороны известно, что концентрация предельной
растворимости зависит от температуры и с понижением Т
она должна уменьшаться. Тогда возникает вопрос об уходе
«избыточных» атомов углерода при понижении температуры рения. Так как при понижении температуры рениевой
ленты насыщенная углеродными атомами объемный
фазовый переход атомов углерода не происходит, то надо
полагать, что «избыточные» атомы углерода должны
десобироваться из системы Re-C.. При насыщении рения
Т=1900 К атомами углерода в парах бензола с давлением
PC 6 H 6 =5·10-3 тор сопротивление рения R20оC увеличивалось
от 0,29 Ом до 0,66 Ом т.е. ~2,3 раза. После насыщения
рения углеродом в этих условиях при понижении температуры производили измерения токов ТЭЭ и ПИ молекул
CsCl от тока накала рениевой ленты. Эти зависимости
сильно отличались от аналогичных зависимостей в случае
насыщения углеродом при температурах Т≤1800 К. После
экспозиции рения в парах бензола, в вышеуказанных
76
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
условиях, ток накала Re резко уменьшали до нуля и после
выдержки при комнатной температуре определенное время, постепенно увеличивали и измеряли ток ПИ молекул
CsCl из которого был вычислен коэффициент диссоциации молекул CsCl. Резкое увеличение коэффициента
диссоциации при Т≥1900 К объясняется освобождением
поверхности Re от графита (десорбция с поверхности Re
атомов углерода). В пользу получения толстого слоя
графита на рении свидетельствовала зависимости токов
ТЭЭ от тока накала. Значение токов ТЭЭ с графитового
слоя на Re при высокотемпературном (Т≥1900 К) насыщении атомами углерода по сравнении с токами ТЭЭ при
низкотемпературном (Т<1800 К) насыщении Re (монослой
графита на рении) уменьшились в ~150÷200 раз в одинаковых значениях токов накала. Это можно было объяснить
уменьшением температуры рениевой ленты, из-за увеличения коэффициента черноты излучения Re с толстым
слоем графита. Действительно, в результате высокотемпературного (Т>1900 К) насыщения рения углеродом сопротивление увеличивается в ~2,3 раза. При этом мощность
тока накала для данного значения не может уменьшаться.
Так, как при высоких температурах мощность в основном
выделяется в виде излучения, то W  I 2 R   T T 4 . Отсюда
видно, что из-за увеличения T, температура должна
уменьшаться.
77
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Amplitud-tezlik xarakteristikasının (ATX) və osilloqramın
analizinə görə mp3 formatda yazılmış audiosiqnallarda
təkrar kodlaşdırılma əlamətlərinin təyini
Əliyev L.P., 1Musayeva S.Z.
Bakı Dövlət Universiteti
1Azərbaycan Dillər Universiteti
İnformasiya daşıyıcısında tutduğu yerə qənaət etmək
məqsədi ilə audioinformasiyanın yazılması zamanı müxtəlif
növ kodlaşma tətbiq olunur. Keçən əsrin axırlarında MPEG
qurupu tərəfindən səsin kodlaşdırılması üçün kodeklər nəsli
işlənilmişdir. Bu nəslə MPEG (1), MPEG(2) və MPEG 2.5
kodlaşma standartları daxildir. Bu kodlaşma standartı üçün
LayerI, LayerII və Layer III kimi 3 versiya işlənib hazırlanmışdır. Hazırda MPEG1, MPEG2 və MPEG2.5 üçün yaradılmış
səsin kodlaşma formatı olan LAYER III daha çox yayılmışdır
və qısaja olaraq mp3 adı almışdır.
Fonoqramın ilkin olub-olmamasını müəyyən etmək üçün
əksər hallarda həmin yazı qurğusu vasitəsilə eksperimental yazılış aparılır və bu fonoqramlar müqayisə olunur. Analoq yazı
qurğuları ilə yazılmış audiosiqnalların ilkinliyi müəyyən edilərkən yazı qurğusunun ATX-sı, keçid proseslərini xarakterizə
edən START/STOP siqnalları, spektrdə qeydə alınmış sabit
harmonikaların fazaja kəsilib-kəsilməməsi və s. tədqiq olunur.
Rəqəmsal yazı qurğuları vasitəsi ilə yazılmmış audiosiqnalların
ilkinliyinin müəyyən edilməsi zamanı isə qeyd olunan əlamətlərdən başqa faylların struktur analizi də (Binar analiz) faylın
ilkinliyinin müəyyən edilməsində vacib şərtlərdəndir.
Audiosiqnalın ilkinliyinin müəyyən olunmasında
inteqral spektrin (ATX-nın) rolu. İnteqral spektr təkrar
kodlaşdırılma izlərinin axtarılması zamanı və yazı qurğusunun
eyniləşdirilməsi zamanı istifadə olunan xarakteristikadır.
Analoq fonoqramlarda inteqral spektr həm də yazılışdan sonra
78
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
edilmiş dəyişikliklərin müəyyən olunması zamanı rəqəmsal
filtrin tətbiq olunub-olunmadığını müəyyən etmək məqsədi ilə
istifadə olunur. Bu praktikanı MPEG kodlaşdırılmadan keçmiş
fonoqramların analizi zamanı tətbiq etmək olmaz. Məsələn,
MPEG I LayerII kodeki vasitəsi ilə kodlaşdırılmış fonoqramın
inteqral spektrində 8000 Hs və 16000 Hs tezliklərində amplitud
düşgüsü qeydə alınır ki (şəkil 1), bu da sıxma alqoritminin
tezlik diapazonunun məhdudlaşdırılması nəticəsində yaranır.
Şəkil 1.
MP3-fonoqramın müxtəlif hissələrində fon küyünün
səviyyəsindən asılı olaraq yazma diapazonu xeyli dəyişə bilər.
Şəkil.2-də eyni bir fonoqramın 2 müxtəlif hissəsində
inteqral spektrlər təsvir olunmuşdur.
Şəkil 2.
Diktorun alçaq danışdığı hissədə kodek psixoakustik
modeldən istifadə edərək siqnalın ATX haqqında 0-15 KHS
diapazonda, diktorun yuksək danışdığı hissədə isə 0-13 KHS
diapazonda informasiya saxlayır.
Yəni, kodek eyni bir kodlaşdırılma parametrli siqnalın
tezlik dapazonunu bu siqnalda olan danışığın ujalığından asılı
olaraq dəyişə bilər. Sadə dildə desək, eyni bir yazı qurğusu
vasitəsi ilə yazılmış fonoqramın müxtəlif hissələrində tezlik
diapazonu müxtəlif ola bilər və bu fonoqramın həmin hissələrinin müxtəlif yazı qurğusu ilə yazılması demək deyildir.
Təkrar mp3-kodlaşdırılmanın əlamətlərinin müəyyən
edilməsi. mp3-fonoqramın analizi zamanı əsas məsələlərdən
79
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
biri təkrar kodlaşdırılma izinin müəyyən edilməsi məsələsidir.
Bəzi müəlliflərin məqalələrində təkrar kodlaşdırılmanın əlamətlərinin müəyyən olunması cəhdinə rast gəlinir. Lakin bu
müəlliflər tərəfindən təklif olunan metodlar yalnız o vaxt nəticə
verir ki, təkrar kodlaşdırılma bitreytin artırılması ilə baş versin.
Kodlaşdırılmanın müəyyən edilməsi üçün osilloqramın
analizi göstərir ki, mp3-ün kodlaşdırılması zamanı fonoqramın
əvvəlində akustik şəraiti əks etdirməyən və bir qayda olaraq 1
saniyə davam edən siqnal formalaşır. Belə fraqmenti Başlanğıj
Xidməti fraqment (BXF) adlandırmaq daha yerinə düşür. BXF
koder vasitəsi ilə əlavə olunur və akustik şəraiti əks etdirən
fraqmentlərdən amplitudunun kiçik olması ilə fərqlənir. Bu
siqnalın uzunluğu və xarakteristikası müxtəlif kodek üçün,
eləjə də eyni bir kodekin müxtəlif iş recimi üçün müxtəlifdir.
Təkrar kodlaşdırılma zamanı siqnala əlavə BXF əlavə olunur.
İki dənə əlavə olunmuş BXF arasında sərhədi müəyyən etmək
çətindir. Lakin təkrar kodlaşdırılma zamanı akustik şəraiti əks
etdirən ilkin siqnalın əvvəlində ümumi uzunluğu bir BXF-dən
böyük olan iki BXF əlavə olunacaqdır (şəkil 3). (3 dəfə kodlaşdırılma) və Şəkil. 3-də (2 dəfə kodlaşdırılma) siqnalın eyni bir
fraqmentinin kodlaşdırılmaya qədər, bir dəfə kodlaşdırılmadan
Şəkil 3.
80
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
sonra və 2 dəfə kodlaşdırılmadan sonra LAME 3.98.4 kodeki
üçün BXF siqnallarının osilloqramları göstərilmişdir:
Şəkil 4.
Şəkil 4-də birinci osilloqramdan göründüyü kimi LAME
3.98.4 kodeki üçün BXF fraqmentin uzunluğu 11025 Hs
tezlikli siqnal üçün 1105, ikiqat kodlaşdırılmada 2210 hesabat
nöqtəsi təşkil edir. Müxtəlif markalı və modelli mp3 yazı qurğuları üçün BXF özündə yazı qurğusunun qrup xüsusiyyətlərini
əks etdirə bilər. Şəkil 5-də Samsung YP-U3 PPİM yazı qurğusunun mp3-fonoqramında BXF təsvir olunmuşdur. Şəkildə 5də 8572 hasabat uzunluqlu BXF-in kəskin olaraq sıfıra enməsi
özünəməxsusluğu təsvir olunmuşdur.
Şəkil 5.
1.
İSO/İEJ 1172-3:1993 İnformation tejhnology – Joding of moving
pijtures and assojiated audio for digital storage media at up to about
1,5 Mbit/s - -Part 3: Audio.
81
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
2.
İSO/İEJ 13818-3:1998 İnformation tejhnology – Generij joding of
moving pijtures and assojiated audio information - -Part 3: Audio.
Şüalanmanın Cu3 In5 S9 monokristalında yapışma prosesinə
təsiri
Həsənova L.H., Məhəmmədov Ə.Z., Cahangirova S.Ə.
Bakı Dövlət Universiteti
Məlumdur ki, I – II – III qrup elementləri əsasında bir neçə
tip mürəkkəb quruluşlu yarımkeçirici birləşmə alınır. [1] işində
AI B III C2VI  B2III C3VI kvazibinar sistemlərin hal diaqramının
öyrənilməsi nəticəsində A3I B5III C9VI tip birləşmələrin alındığı
göstərilmişdir. Baxılan işdə bu qrupa daxil olan Cu3 In5 S9 birləşməsinin lokal səviyyələrinə elektron şüalanmasının təsiri
öyrənilmişdir. Yavaşəritmə üsulu ilə birləşmənin təkmil monokristalları göyərdilmiş, ərimə temperaturu 1080 0C, layvari
quruluşa malik heksoqonal sinqoniyada kristallaşan
0
0
( a  8,4 A, c  17,41 A ) təkmil monokristallar alınmışdır.
Mürəkkəb yarımkeçirici birləşmələr praktik tətbiqinə görə
perspektiv olduğundan bu maddələrə radiasiyanın təsirinin
öyrənilməsi böyük əhəmiyyət kəsb edir. Yarımkeçirici birləşmələrdə nöqtəvi defektlərin meydana gəlmə hallarının nəzəri
analizi elementar yarımkeçiricilərə nəzərən çox mürəkkəbdir.
Ona görə təcrübi tədqiqatlara böyük ehtiyac var. Təcrübələr
göstərmişdir ki, ionlaşdırıcı şüaların təsiri ilə yarımkeçirici
maddələrdə bütün hallarda həm akseptor, həm də donor
mərkəzləri yaranır.
Radiasiya şüalanması zamanı yaranan ən sadə defektlər
qəfəsin düyünlərində boş yerlərin və düyünlər arasında dayanıqlı vəziyyət almış atomların olmasıdır.
82
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Belə defektlər Frenkel defektləri adlanır. Kristalda radiasiya defektlərinin yaranması üçün onun atomlarından birinə
«astana enerjisi» adlanan müəyyən enerji vermək lazımdır.
Şüalanma zamanı atom defektlərinin yaranması maddənin bir
çox xassələrinin dəyişməsinə səbəb olur, ona görə müxtəlif
dozalarla radiasiya şüalanması ilə maddənin xassələrini
müəyyən qədər idarə etmək olar.
Baxılan işdə elektron şüalanmasının Cu3 In5 S9 monokristalının fotoelektrik xassələrinə təsiri öyrənilmişdir. Cu3 In5 S9
monokristallı geniş optik diapazonda yüksək fotohəssaslığa
malikdir. Şüalanmadan əvvəl fotokeçiriciliyin maksimumundan tapılmış qadağan olunmuş zolağını eni Eg=1,35 eV, xüsusi
müqaviməti 1,6·105 Om·sm, yürüklüyü   70 sm 2 / V  s -dir.
Əvvəlcə şüalanmamış Cu3 In5 S9 nümunələrində termik stimulyasiya cərəyanı (TSC) öyrənilmişdir. TSC əyriləri
b=0,15 dərəcə/san sürəti ilə çıxarılmışdır. Müəyyən olunmuşdur ki, 77-400 K temperatur oblastında Tm=192 K-də bir
maksimum müşahidə olunur və maksimumun vəziyyəti ilkin
şüalanma müddətindən asılıdır. Bu dolmuş tələlərin sayının
şüalanma müddətindən asılılığı ilə izah olunur, belə ki uzun
müddət işiqlanma nəticəsində tələlərin maksimum dolması baş
verir və TSC-nin artması dayanır. Ümumiyyətlə TSC-nin
maksimumunun sürüşməsi güclü zəbtolma zamanı müşahidə
olunur. Tədqiq olunan nümunələr enerjisi 6 MeV və inteqral
seli 1013, 1014, 1015 zərrəcik/sm2 olan elektron seli ilə
şüalanmışdır. 1013 zərrəcik/sm2 intensivlikli dəstə ilə şüalanma
TSC əyrisinə təsir etməmişdir. 1014 intensivlikli şüalanma zamanı TSC-nin piki nisbətən aşağı temperaturda müşahidə
olunur. İntensivliyin artması yeni bir dəyişiklik vermir.
Şüalanma qaranlıq cərəyanın azalmasına səbəb olur. Bu onunla
izah olunur ki, şüalanma nəticəsində həm akseptor səviyyələri,
həm də donor səviyyələri yaranır.
83
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
[1]. В.И. Тагиров, Н.Ф. Гахраманов, А.Г. Гусейнов. Новый класс
I
III
VI
тройных полупроводниковых соединений типа A3 B5 C9 : Изд. БГУ,
2001, с. 303.
Строение валентной зоны PbSb2Te4
по данным явлений переноса
1Немов
С.А.,1,2Джафаров М.Б., 1Благих Н.М.,
1Шелимова Л.Е.
1Санкт-Петербургский Государственный
Политехнический Университет, 2Азербайджанский
Технологический Университет, Гянджа
Относительно новым направлением исследований
термоэлектрических материалов является синтез тертрадемитоподобных соединений на основе AIVA2VB4VI. Дополнительный интерес к этим соединениям обусловлен тем,
что они являются топологическими изоляторами.
Особенностью роста кристаллов PbSb2Te4 является
значительное отклонение от стехиометрического состава
при кристаллизации, приводящее к образованию большого
количества собственных электрически активных точечных
дефектов, обеспечивающих дырочную проводимость с
концентрацией дырок p ≈ 3∙1020 см-3 [1].
Сложность в изучении зонной структуры соединений
PbSb2Te4 связана с малым влиянием добавок компонент на
концентрацию дырок, сильной анизотропией электрофизических свойств и смешанным механизмом рассеяния
дырок [2].
Анализ экспериментальных данных заметно облегчается при введение примеси меди в шихту кристаллов
PbSb2Te4, поскольку легирование медью приводит к существенному (примерно в 2 раза) снижению концентрации
дырок до уровня p ≈ (1.6 – 1.7)∙1020см-3, что позволило нам
84
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
сделать оценки параметров валентной зоны PbSb2Te4.
Рассмотрим данные по термоэдс S в координатах S/T и
Т, приведенные на рис.1 для кристаллов PbSb2Te4:Cu.
Как видно из рис. 1а, отношение S/T от Т в образце №1
с минимальной концентрацией дырок (p ≈ 1.6∙1020см-3)
вплоть до максимальной температуры (Т=420К) уменьшается в соответствии с моделью однозонного спектра
дырок.
Рис. 1. Температурные зависимости отношения термоэдс
к температуре S/T в плоскости скола для образцов с составом
шихты: а) PbSb2Te4:Cu (p ≈ 1.6∙1020см-3);
b) PbSb2Te4:Cu (p ≈ 1.7∙1020см-3).
Для кристалла №1, в предположении доминирующего
акустического механизма рассеяния в соответствии с
данными [2], оценены уровень Ферми μ0 ≈ 0.2 эВ и md ≈
0,5 m0 (m0 – масса свободного электрона).
Для кристалла №2 с более высокой концентрацией
дырок характерно увеличение отношения S/T от Т при
температурах выше 300 К, что может быть объяснено
сложным строением валентной зоны.
В случае двухзонной модели коэффициент термоэдс S
и Холла R описываются формулами:
S
 
k0 π2 k0T
k
1
r 1
 0
л
e 3 μл
1  / b e
μ   /b

,
r  1  т 
k 0T  1   / b
 т
85
(1)
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
R
1
b2   ,
(1   )
(b   ) 2
ep0
(2)
в которых: rл, rт – эффективный параметр рассеяния для
легких и тяжелых дырок, 1/η = pл/pт, b = uл/uт – отношение
концентраций и подвижностей легких и тяжелых дырок
соответственно (для акустического механизма рассеяния b
~ (mdт/mdл)5/2,где mdл и mdт – эффективные массы плотности
состояний легких и тяжелых дырок соответственно), µт =
µл – ΔEv – химический потенциал тяжелых дырок, ΔEv –
энергетический зазор между экстремумами валентной
зоны, р0= pл+pт –полная концентрация дырок.
Таким образом, расчеты двухзонной модели спектра
дырок PbSb2Te4:Cu согласуется с экспериментальными
данными по термоэдс и эффекту Холла при следующих
значениях параметров: mdт ≈ 1.1 m0, ΔEv ~ 0.23 эВ.
[1] Л.Е. Шелимова, Т.Е. Свечникова, П.П. Константинов, О.Г.
Карпинский, В.С. Земсков. Неорган. материалы. 43, 165 (2007).
[2] С.А. Немов, Н.М. Благих, Н.С. Дема, М.К. Житинская, В.И.
Прошин, Т.Е. Свечникова, Л.Е. Шелимова. ФТП 46, №4, 463 (2012).
[3] С.А. Немов, Н.М. Благих, Л.Е. Шелимова. "Ученые записки
ЗабГГПУ" № 3 (44), серия "Физика, математика, техника, технология"
(2012).
Bitkilərin kök sisteminin temperaturunun yarpaq
sisteminin bəzi termodinamik parametrlərinə təsiri
Quliyev N.İ., Zeynalov Z.M., Rzayeva L.Ə.
Gəncə Dövlət Universiteti
Bitkilərin kök sisteminin temperaturunun yarpaq sisteminin termodinamik göstəricilərinə təsirinin kompleks şəkildə
öyrənilməsi mühüm nəzəri və praktiki əhəmiyyətə malikdir.
Hazırki işin məqsədi, kök sistemi sahəsində temperaturun,
qaranlıqda yarpaq sistemindən suyun hərəkətinin sərbəst enerji
86
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
balansına (SEB), yəni biokimyəvi reaksiyaların baş verməsi
zamanı səbəst enerjinin yığılmasına təsirini nəzəri olaraq əsaslandırmaqdan ibarətdir. Qaranlıqda yarpaq sistemi vasitəsilə
hərəkət edən suyun SEB kəmiyyəti, tənəffüs prosesində ayrılan sərbəst Gibs enerjisi ilə (izobar-izotermik potensial), istilik
şəklində enerji itkisi fərqindən ibarətdir. Bu kəmiyyət, biotermodinamikada səth – sərhəd yanaşmasına daxil edilmişdir.
Bunun isə əsasını, qeyri-taraz xətti termo-dinamikanın bitki ətraf mühit sisteminin sərhədinə tətbiqi təşkil etmişdir və
həmin sərhəddə baş verən əsas proseslər – su və istilik mübadiləsi prosesləri nəzərə alınmışdır. Qaranlıqda yarpaq sisteminin SEB – inə, tənəffüs prosesində ayrılan sərbəst enerjinin
molekulyar səviyyədə kəmiyyət göstəricisi kimi baxmaq olar.
Səth–sərhəd yanaşmasına müvafiq olaraq, energetika nöqteyinəzərindən tənəffüs prosesinin təsviri aşağıdakı termodinamik
kəmiyyətlərin təyin edilməsinə gətirib çıxarılır.Yarpaq sistemi
və ətraf hava arasındakı sərhəd səthinə təsir edən axınların
və qüvvələrin termo-dinamik analizindən sonra, aşağıdakı
kimi tənlik alınmışdır:
(1)
T
C
F  Vist .
T
 E  Z   ,
m 2  saat
Burada F – entropiya məhsulunun xarakterizə edən parçalanma funksiyası; Vist . - yarpaq-hava istilik mübadiləsinin sürəti;
T– yarpaq–hava sisteminin orta mütləq temperaturu ; Z suyun gizli buxarlanma istiliyi; E - transpirasiyanın intensivliyi,  - transpirasiya edən yarpaq səthi və onu əhatə edən
hava səviyyəsində havanın özünəməxsus rütubətləri fərqlidir.
Aydındır ki, bitkinin yarpaq sistemində entropiya məhsulu,
yarpaq sistemi ilə ətrafdakı hava arasındakı su və istilik mübadiləsi ilə təyin edilir. Yuxarıda qeyd edilən sərbəst enerji növü
aşağıdakı tənliklə təyin edilir.
G
T
C
(2).
  Z  E 0  Vist.
; 2
t
T m  saat
87
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Burada -
G
t
- sərbəst enerjinin sürəti; 0 - yarpaq səthinin
temperaturunda doymuş su buxarının səciyyəvi rütubəti;
Vist . , T , T , E , Z - (1) tənliyində qeyd edilən mənalarda istifadə
edilmişdir. Qaranlıqda istilik mübadiləsinin ((2) tənliyində
ikinci hədd) qiyməti, yarpaqla ətrafdakı hava arasındakı su
mübadiləsi ((2) tənliyində birinci hədd) ilə müqayisədə
aşağıdır. Qaranlıqda tənəffüs prosesində ayrılan sərbəst enerji
((2) tənliyi) ilə parçalanma funksiyası ((1) tənliyi) arasındakı
fərq, qaranlıqda yarpaq sistemində hərəkət edən suyun sərbəst
enerji balansıdır. Bu kəmiyyət aşağıdakı tənliklə ifadə edilir:
G1
C
(3)
  Z  E  0  Z  E   ,
t
Burada
G
t
m 2  saat
- sərbəst enerjinin toplanma sürətidir. Beləliklə,
qaranlıqda tənəffüs zamanı sərbəst enerjinin toplanması sürəti
kəmiyyətcə xarakterizə olunmuşdur.
Aparılmış tədqiqatlardan belə bir nəticə çıxarmaq olar ki,
qaranlıqda tənəffüs zamanı biokimyəvi realsiyalarda enerji
mənbəyi qaranlıqda yarpaq sistemində hərəkət edən suyun sərbəst enerjisidir. Orqanizmdə suyun hərəkət sürəti artdıqca,
tənəffüsün sürəti, yəni tənəffüs prosesləri zəncirində metabolik
proseslərin sürəti də artır. Bu asılılıq, bitliklərdə biokimyəvi
reaksiyaların intensivliyinə və effektivliyinə nəzarət etmək
üçün yeni imkanlar yaradır və həm də onun havanın temperaturu və nisbi rütubəti vasitəsilə məqsədyönlü nizamlana bilməsi imkanlarını göstərir.
88
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
CdInGaS4 əsasında hazırlanmış elektrofotoqrafik
təbəqələrdə fotoelektret halı
Məmmədov N. C., Məmmədova E. İ., Musayev S.X.
Azərbaycan Dövlət Aqrar Universiteti
Gəncə Dövlət Universiteti
Elektrofotoqrafiyanın əsasını yüksəkmüqavimətli, işığa
həssas yarımkeçiricilərin daha az müqavimətli əsas üzərinə
çəkilmiş təbəqəsi təşkil edir. Yüklənmiş elektrofotoqrafik
təbəqələrdə gizli elektrostatik sahənin paylanması baş verir.
Aydınlaşdırıcı toz sistemi vasitəsilə həmin gizli elektrostatik
sahəni aşkarlamaq və qızdırma vasitəsilə bərkitmək olar.
Xüsusi kimyəvi üsullarla aşkarlayıcı toz suyu özünə çəkən
hal, işıqlanmış sahələr isə suyu itələyən halına gətirilir.
Bizim tədqiq etdiyimiz halda toz halına salınmış yüksəkmüqavimətli, işığa həssas CdİnGaS4 kristalları şəffaf birləşdirici mühitdə qarışdırılaraq kağız üzərinə çəkilmişdir. Yüksək
keyfiyyətə malik elektrofotoqrafik sistemin alınması üçün
onun daha yüksək potensiala qədər yüklənməsi, qaranlıqda
potensialın yarıya qədər düşmə müddətinin böyük olması və
işıqlanmada potensialın azalmasının ətalətsiz və qısa müddətdə
düşməsi vacib şərtdir. Maddənin belə halı fotoelektret halı
adlanır. Deməli, belə elektrofotoqrafik sistemlərdə fotoelektret
halının yaranması və bu halın parametrlərinin yaxşılaşdırılması
böyük elmi və praktiki əhəmiyyətə malikdir. Ona görə də bu
elektrofotoqrafik təbəqənin əsas elementi olan CdİnGaS4
yarımkeçirici materialının elektrik, fotoelektrik, optik xassələrinin tədqiqi, onların qadağan zonasının öyrənilməsi, bu zonadakı ilişmə (t-mərkəz) və rekombinasiya (r-mərkəz) səviyyələrinin parametrlərinin öyrənilməsi və idarə olunması xüsusi
əhəmiyət kəsb edir.
Tədqiqatlar göstərmişdir ki, CdİnGaS4 yarımkeçiricisini
müxtəlif maddələrlə aşqarlamaq yolu ilə maddənin fotoelektret
89
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
halının xarakteristik parametrlərini yaxşılaşdıran nəticələr almaq olar. Məlum olmuşdur ki, aşqarlama yolu ilə “dayaz”
ilişmə səviyyələrini kompensasiya etməklə və “dərin” ilişmə
səviyyələrini yaratmaqla yarımkeçirici materialın qaranlıq müqavimətini artırmaq, işığa həssaslığını yüksəltmək, qaranlıqda
potensialın yarımdüşmə müddətini artırmaq, proyeksiyalandırma zamanı ətalətliliyi azaltmaq və beləliklə də yarımkeçirilərdə yaranmış informasiyanı daha uzun müddətə saxlanmasını
və informasiyanın başlanğıc parametrlərinin minimal dəyişməsinə nail olmaq olar. Tədqiq olunan kristalın mis və ya qızılla
aşqarlanması onun qaranlıq potensialını və qaranlıqda yarımdüşmə müddətini artırır və işıqlanmada yarımdüşmə müddətini
kəskin azaldır. Beləliklə görünür ki, yarımkeçirici maddələrin
fotoelektret halının parametrlərini dəyişdirmək və idarə etmək
üçün CdİnGaS4 kristalının sintezi zamanı onun aşqarlanması
yarımkeçiricinin qadağan zonasında “dayaz“ səviyyələrin
kompensasiya olunmasına və “dərin” səviyyələrinin yaranmasına səbəb olur ki, bu da öz növbəsində madənin fotoelektret
halının xarakteristik parametrlərinin yaxşılaşmasına səbəb
olur. Eyni zamanda müəyyənləşdirilmişdir ki, elektrofotoqrafik təbəqələrin parametrləri əlavə komponentlərdən də
məsələn, birləşdirici mühit, əsas və s. dən asılıdır.
Стационарная фотопроводимость монокристаллов
p-TlIn0,99Ag0,01Se2.
Касумов И.И., Зейналов З.М., Рустамов В.Д.,
Мовсумова И.М.
Гянджинский Государственный Университет
В работе излагаются результаты исследований стационарной фотопроводимости кристаллов p-TlIn0,99Ag0,01Se2.
Образцы для измерения стационарной фотопроводимости
90
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
изготовлены в виде прямоугольных пластинок с двумя
взаимопараллельными зеркальными гранями естественного скола и размерами axbxc=1÷3x2÷9x0,05÷1 мм3. В
качестве измерительных электродов использованы, главным образом, сваренные конденсаторным разрядом никелиевые проволоки диаметром-0,1мм. Фотоэлектрические
свойства исследованных кристаллов p-TlIn0,99Ag0,01Se2
изучены при значениях напряжений, не превышающих 20В
в направлении /001/. Вольтамперные характеристики в
пределах, указанных выше рабочих напряжений, для всех
изученных образцов при различных температурах в
темноте и при освещении светом соответствующей длины
волны, оказались линейными. На рис. 1 представлены
приведенные в равному числу фотонов кривые спектрального
распределения
стационарной
фотопроводимости
(Jф=ЕΔσст) при 77 и
300К для пяти образцов с различными
полупроводниковыми
параметрами, изготовленных из монокристаллов
pTlIn0,99Ag0,01Se2.
Спектральная зависимость стационарной фотопроводимости образцов из монокристаллов pTlIn0,99Ag0,01Se2 при температурах 77К (пунктирная линия)
и 300К (сплошная линия).
Спектральные характеристики 1,2,3,4 относятся к
образцам с удельными сопротивлениями при комнатной
температуре 1,67·106, 2,45·106, 4,1·106, 7·106 Ом·см, соответственно. Напряженность электрического поля прило91
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
жена в направлении, параллельном кристаллографической
оси /001/, а монохроматические лучи света падали перпендикулярно к плоскости /110/. Как следует из представленных на рис.1 данных, для всех исследованных кристаллов p-TlIn0,99Ag0,01Se2 на всем рассматриваемом диапазоне
длин волн спектральная фоточувствительность с
повышением температуры резко возрастает. Отношение
величин стационарной фотопроводимости на спектральных максимумах при соответствующих температурах
𝑚𝑎𝑥
𝑚𝑎𝑥
(300К): Jф𝑚𝑎𝑥 (77К)
Δσ 𝑚𝑎𝑥
для
ст(300К):Δσ ст(77К)=Jф
отмеченных выше образцов варьировалось от 20 до 75.
В отличие от известных, температурный коэффициент
фототока для фоторезисторов из монокристаллов рTlIn0,99Ag0,01Se2 положителен в области 77-300К и выше.
Для образца №1 усредненное значение температурного
коэффициента
(300К)−J𝑚𝑎𝑥
J𝑚𝑎𝑥
(77К)
ф
ф
ΔТ·J𝑚𝑎𝑥
(77К)
ф
=0,46град-1, а для образца
№3 – 0,31град-1.
Другая характерная особенность исследованных
кристаллов р-TlIn0,99Ag0,01Se2 заключалась в расширении
области их спектральной чувствительности с повышением
температуры в сторону длинных волн (рис.1).
Nadir torpaq elementi itterbium (Yb) ilə aşqarlanmış
Ga2(Se0,95Te0,05) kristallarının qalıq fotokeçiriciliyi
Əliyev S.İ., İsmayılov E.X., Məmmədov E.M.
Gəncə Dövlət Universiteti
A2III B3VI qrupundan olan yarımkeçiricilər Ca2 Se3 , Ca2 Te3
onların bərk məhlullarından olan Ca2 (Se0,95Te0,05 ) 3 müxtəlif
üsullarla alınır. Belə yarımkeçiricilərin xüsusi müqaviməti və
keçiriciliyinin tipi aşqar atomları ilə yanaşı quruluş deffek92
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
terindən də asılıdır.
Tədqiqatlar göstərmişdir ki, geniş zonalı yarımkeçiricilərdə uzunmüddətli relaksasiya və qalıq fotokeçiriciliyi öyrənilmişdir.
Ca2 Se3 və Ca2 Te3 kristalları əsasında alınmış
Ca2 (Se0,95Te0,05 ) yarımkeçiricisi A2III B3VI qrupundan olan geniş
zonalı yarımkeçiricilər sinifinə daxildir.
Nadir torpaq elementi itterbium (Yb) ilə aşqarlanmış
Ca2 (Se0,95Te0,05 ) 3 kristallarının otaq temperaturunda (3000K)
və (4÷2,2·103 v/san) elektrik sahəsində stasionar Volt – amper
xarakteristikası (VAX) tədqiq edilmişdir.
Müəyyən olunmuşdur ki, tələli kvadratik oblastda I~U2
asılılığı, cərəyanın kəskin artma oblastında isə I~Un asılılığı
ödənilir.
VAX-ın xarakteristik nöqtələrini araşdırmaqla tələbələrin
parametrləri təyin edilmişdir. İtterbium (Yb) ilə aşqarlanmış
Ca2 (Se0,95Te0,05 ) 3 kristallarının qalıq fotokeçiriciliyi və uzunmüddətli relaksasiya (260÷400 K) temperatur intervalında
müxtəlif dalğa uzunluqlarında öyrənilmişdir. Müəyyən edilmişdir ki, qalıq fotokeçiriciliyi və uzunmüddətli relaksasiya bu
kristallarda otaq temperaturunda makximum qiymətə malikdir.
Məlum olmuşdur ki, itterbium (Yb) aşqarları bu yarımkeçiricilərdə qalıq fotokeçiriciliyi və relaksasiya müddətini artırır.
Kompleks tədqiqatlar göstərmişdir ki, uzunmüddətli relaksasiya və qalıq fotokeçiriciliyi əsasən Kristal daxili qeyri –
bircinslilik və onun yaratdığı potensial relyefle bağlıdır.
93
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
BƏRK CİSİMLƏR FİZİKASI BÖLMƏSİ
Analytical evaluation of Askerov functions arising from
anisotropy of the thermoelectric power in superlattices
Mamedov B.A.
Department of Physics, Faculty of Arts and Sciences,
Gaziosmanpaşa University, Tokat, Turkey
bamamedov@yahoo.com
In this work, we propose the analytical approach which
enables us more accurate calculation of Askerov functions
arising from components of the thermoelectric power in
superlattices. Using the binomial expansion theorem, these
functions are expressed through the binomial coefficients and
familiar basic functions. This work is the first attempt in the
literature to analytically evaluate of Askerov functions. The
convergence of the series is tested by concrete cases of
parameters. As an example of application to realistic systems,
the ratio of the transverse and longitudinal components of
 /
thermopower 
for compound GaAs/Al0.36Ga 0.64 AsSLs is
calculated by using new formulae. The exact analytical and
numerical solutions are compared with each other and good
agreements are obtained.
Fe əsaslı yeni sinif ifratkeçiricilərin fiziki xassələri
Əsgərzadə İ.N.
Azərbaycan MEA Fizika İnstitutu
Ankara Universiteti, Ankara, Türkiye
Məruzə 2008 ilində kəşf olunmuş yeni sinif Fe əsaslı
ifratkeçirilərin fiziki xassələrinin öyrənilməsinə həsr olunacag94
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
dır. Fe əsaslı ifratkeçiriciəlrin elektronik xassələri, anizotrop və
çoxzonalılıq effektləri, magnit və ifratkeçiricilik düzən parametrlərinin garşılışlı təsiri son zamanlar çox geniş şəkildə araşdırılmaqdadır [1,2]. Burada Gizburq-Landau nəzəriyyəsi daxilində anizotrop və çoxzonalılıq effektləri diqqətə alınarag kritik
maqnit sahələrinin anizotropiya parametri tədqiq olunmüşdur.
Bundan əlavə kritik temperatur yaxınlığında fluktuasiya effektləri diqqətə alınarak istilik tutumunun və magnit nüfuzetmə
qabiliyyəti hesablanmişdır. Əldə olunan sonuçlar təcrübi
nəticələrlə tutuşdurulmuş və uyğunluq əldə edilmişdir.
1. I.N.Askerzade, Physics Uspekhi,49,1003(2006)
2. I. Askerzade, Unconventional superconductors: anisotropy and multiband effects, Springer-Verlag, 177p. (2012).
Accurate evaluation of the specific heat capacity of solids
and its application to MgO and ZnO crystals
Askerov I.M., Eser E.
Department of Physics, Faculty of Arts and Sciences,
Gaziosmanpasa University, Tokat, Turkey
iskender.askeroglu@gop.edu.tr
Using binomial coefficients, new, simple and efficient
algorithms are presented for the accurate and fast calculation of
the heat capacity of solids depending on the Debye temperature. As will be seen, the present formulation yields
compact, closed-form expressions which enable the straightforward calculation of the heat capacity of solids for arbitrary
temperature values. Finally, the algorithm is used to simulate
the variation of the specific heat capacity against temperature
of MgO and ZnO crystals. The results were compared with
those reported in the literature and found to be in close
agreement with those of other studies.
95
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
GeSe kristalında səth fononlarının təməl prinsiplərdən
hesablanması
Haşimzadə F.M., Hüseynova D.Ə., Cahangirli Z.A.,
Mehdiyev B.H.
AMEA-nın Fizika İnstitutu
Məlumdur ki, kristallarda səthin mövcud olması, ideal
(sonsuz) kristallarin fonon spektrində kəskin dəyişiklərə, o
cumlədən, lokal və rezonans halların yaranmasına gətirir. Həmin lokal və rezonans hallar, Raman səpilməsi və infraqıfmızı
udulma spektrlərində özlərini biruzə verir. Lokal sıxlıq funksionalı nəzəriyyəsinin xətti cavab formalizmi həm ideal
(həcmi) kristtalların qəfəs dinamikasını, həm də səth fononlarının spektrlərini kifayət qədər dəqiqliklə hesablamaq imkanı
verir. Təqdim olunan işdə laylı quruluşa malik GeSe kristalının
səth fononları təməl prinsiplərdən hesablanmışdır. GeSe birləş16
məsi ortorombik sinqoniyalı qəfəsə və D2h fəza simmetriya
qrupuna malik laylı quruluşlu maddədir. Elementar özək
tillərinin uzunluqları a=4.414°A , b=3.862°A and c=10.862°A
olan düzbucaqlı paralelepiped şəklindədir. Elementar özəkdə
dörd formul vahidi yerləşir. Elementar özəkdəki dörd kation və
dörd anion atomunun koordinatları (qəfəs sabitləri hissələrində)
aşağıdakı şəkildə verilir: ± (1/2- x;3/4;1/2+z) [1]. Bu işdə , biz
səth fononlarının hesablanması üçün ədəbiyyatda ən geniş
istifadə olunan nazik təbəqələr metodunu tətbiq edirik.
Baxdığımız halda hər təbəqə 7.863°A qalınlıqlı iki laydan
ibarətdir. Bu təbəqələr 13.72°A məsafələrlə bir-birindən ayrılan
periodik quruluşla düzülür. Təbəqələrarası məsafə kifayət
qədər böyük olduğundan quruluş ikiölçülü kristal səthini təmsil
edir. Hesablamalar sıxlıq funksionalı nəzəriyyəsində lokal
sıxlıq yaxınlaşmasında müstəvi dalğalar bazisində ABİNİT [2]
program paketi vasitəsilə aparılmışdır. Ge və Se atomlarının
96
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
psevdopotensialları üçün normallaşmanı qoruyan, Hartvigsen Goedekker–Hutter [3] tərəfindən təklif olunan psevdopotensiallar qəbul edilmişdir. Dalğa funksiyalarının ayrılışında tam
enerjinin yüksək dəqiqliklə hesablanmasını təmin edən enerjiləri 40Ha-ni aşmayan müstəvi dalğalardan istifadə olunmuşdur.
Kristalın tarazlıq quruluşu Hellmann- Feynman qüvvələrini 107 Ha/Bohr qiymətinə qədər tam enerjini minimallaşdırmaqla
təyin olunmuşdur. Brilluen zonası daxilində inteqrallama aparmaq üçün, Monkhorst – Pak [4] sxemı əsasında 4×4×1 hissələrə bölünmüşdür. Səth fononlarının tezliklərinin dalğa vektorundan asılılıqları aşağıdaki şəkildə qöstərilmişdir.
Şəkildə həmçinin həcmi kristalın fonon spektrinin ikiölçülü səth Brilluen zonasına proyeksiyasi da göstərilmişdir
(şəkildə qaralanmış yerlər). Göründüyü kimi, həcmi kristalın
fonon spektrinin proyeksiyasisındaki qadağan zolaqlarda və
“energetik cibciklərdə“ lokal fonon səviyyələri yerləşir. Həcmi
spektrin kənarlarında (yuxarı xə aşağı hıssəsində) tam lokallaşmış səth fonon zonaları yerləşir. Spektrin yuxarı hissəsində
yerləşən səth fonon zonaları bütün ikiölçülü Brilluen zonası
boyu həcmi fonnonlala qarışmır və beləliklə əsl səth rəqslərinin
optik fononlarıdır. Bu fononların əmələ gəlməsində səthdə və
səthə yaxın yerləşən atomların relaksasıyası (kristalin daxilindiki tutduğu vəziyyətlərlə müqayisədə yerlərindən sürüşməsi) mühüm rol oynayır. Həcmi spektrin aşağı kənarında yerləşən fonon zonası isə səthdə yayılan Reley dalğalarını təmsil
edir. Bu fonon zonasından başqa X-S-Y istiqamətində yayılan
97
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
bir aşağı tezlikli akustik moda da mövcuddur. Biz hesab edirik
ki, deyilən akustik moda səthə normal rəqslərə aiddir. Fonon
spektrinin şəklinin yan tərəfində (sağda) fonon hallarının sıxlığı göstərilmişdir. Burada da qaralanmış yerlər həcmi fononlara aiddir. Şəkildə səth fononlarının tam lokallaşmış (həcmı
fononlara qarışmayan), qismən lokallaşmış, rezonas (həcmi
fononların hal sıxlıgini artıran) və antirezonans(həcmi fononların hal sıxlıgini azaldan) halları aydın görmək olur.
1. H. C. Hsueh, H. Vass, S. J. Clark, G. J. Ackland, and J. Crain, Phys.Rev.
B 51,16750, (1995)
2. X. Gonze, J.M. Beuken, R. Caracas, F. Detraux, M. Fuchs,G.M.
Rignanese, L. Sindic, M. Verstraete, G. Zerah, F. Jallet. Comput. Mater.
Sci. 25, 478 (2002).
3. C. Hartwigsen, S. Goedecker, J. Hutter. Phys. Rev. B 58, 3641 (1998).
4. H. Monkhorst, J. Pack. Phys. Rev. B 13, 5188 (1976).
Новый метод расчета термомагнитного тока
Агаева Р.Г.
HAHA, Институт физики
a.rana@physics.ab.az
Термомагнитный ток в поперечном квантующем магнитном поле был рассчитан многими авторами. Подробный обзор публикаций по теме содержится в книге [1].
Расчет термомагнитного тока в поперечном квантующем
магнитном поле связан с принципиальными трудностями.
Кинетическое уравнение в поперечном квантующем магнитном поле не применимо. С другой стороны, термомагнитный ток обусловлен действием не динамической, а
статистической силы на носителей зарядов. В этом случае
статистическая сила пропорциональна градиенту температуры. А как вводить статистическую силу в гамильтониан,
98
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
было не известно. И как следствие, отпадал прямой путь
расчета термомагнитного тока в квантующем магнитном
поле. Поэтому возникала необходимость в окольных путях
для решения этой задачи.
Например, в [1] был предложен метод расчета термомагнитного тока в квантующем магнитном поле. Этот метод
основывался на предположении, что при локальном
термодинамическом равновесии температура может рассматриваться как функция центра циклотронной орбиты
электрона и на некоторых наглядных соображениях,
используемых Титейкой. Однако выражение для поперечного термомагнитного тока, перпендикулярного к градиенту температуры и к квантующему магнитному полю,
не удовлетворяло соотношению Эйнштейна. Образцов [2]
показал, что необходимо дополнительно учитывать поверхностные токи при расчете поперечного термомагнитного тока в квантовом случае. Эти поверхностные токи
связаны с вкладом в ток электронов, движущихся по
незамкнутым орбитам вблизи границы образца.
Статистическая сила была впервые включена в
гамильтониан в [3] при расчете флуктуаций термомагнитного тока. Расчет не диссипативного термомагнитного
тока в поперечном квантующем магниитном поле был
произведен для специального случая, а именно для объемного образца. Этот расчет основывался на предположении,
что наличие температурного градиента в системе аналогично влиянию некоторого внешнего электрического поля
на него. Предложенный подход, включающий статистическую силу в гамильтониан, представляет новый метод
расчета термомагнитного тока.
Назовем его методом эффективного гамильтониана (МЭГ).
В МЭГ по аналогии с электрическим полем полагаем,
что температура является потенциалом некоторого внешнего поля, напряженность которого есть – grad T, а соот99
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
ветствующая
потенциальная
энергия
имеет
вид

 kr  gradT . Таким образом, при построении гамильто ниана исследуемой задачи исходим из формального соответствия электростатического потенциала  температуре T
и абсолютного значения заряда электрона e постоянной
Больцмана k.
Следует отметить, что соответствие   T в методе
аналогий раннее встречалось, а соответствие e k, как нам
известно, установлено впервые.
Дальнейшие расчеты показали, что МЭГ может быть
успешно применен не только в частном случае [3], но и
при расчетах как продольного, так и поперечного термомагнитного тока в различных системах, например, в
квантовой проволоке и в квантовой пленке. Во всех случаях результаты, полученные для термомагнитного тока с
помощью МЭГ, совпадают с результатами, вычисленными
методами, не включающими статистическую силу в
гамильтониан. Итак,
 предложен новый метод для расчета термомагнитного
тока,
 этот метод дает возможность включить статистическую
силу в гамильтониан,
 установлена аналогия между зарядом электрона и
постоянной Больцмана,
 отпадает необходимость в учете поверхностных токов
при расчете термомагнитного тока.
1] Аскеров Б.M., Электронные явления переноса в полупроводниках.
М., «Наука», 1985.
[2] Образцов Ю.Н.,ФТТ 1964, 6, с.414, ФТТ 1965, 7, с.573.[3]
Aghayeva R. G., J. Phys. C: Solid State Phys. 1985, 18, p.5841.
100
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Спектры фотолюминесценции слоистых кристаллов
TlGaxIn1-xSe2
1Paşayev
А.M., 1Aqayeva S.X., 2Əliyeva M.X.,
3Yoğurtçu Y.K.
1Azərbaycan
Hava Yolları QSC MAA, 2Azərbaycan Dövlət
Neft Akademiyası, 3Atatürk Universiteti, Türkiyə
TlGaxIn1-xSe2 bərk məhlullarının monokristallik nümunələrinin 10÷95K temperatur, 0,04÷3,98Vt sm-2 lazer həyəcanlanma intensivliyi və 1,75÷2,07 eV şüalanma enerji intervalında fotolüminecceysiya (FL) spektrləri tədqiq edilmişdir.
TlGaxIn1-xSe2 (x=0,5;0,7;0,8;0,9) bərk məhlullarının
monokristalları Bricmen-Stokbarqer üsulu ilə alınıb. Tərkib
element analizi rentgen-fluoressent spektroskopiyası üsulu ilə
aparılıb. Alınan monokristallardan c oxuna perpendikulyar istiqamətdə nazik laylar çıxarılıb. Təbii alınan laylar güzgü səthinə malik olduğundan lüminessensiya ölçüləri üçün onlardan
istifadə olunub. Nümunələr helium kriostatına yerləşdirilib,
temperaturun 10 K-dən başlayaraq artırılması və tənzim
olunması  0,5K dəqiqliklə aparılıb. Sistemin bütün hissələri
avtomatik olaraq kompüterlə idarə olunub.
10K-də və həyəcanlanma enerjisinin sıxlığının 1,40Vt sm-2
qiymətində TlGaxIn1-xSe2 (x=0,7;0,8;0,9) krictallarının şüalanma
spektrləri 1,75÷2,07 eV oblastında yerləşir. Temperaturun və
şüalanma enerji sıxlığının eyni qiymətində x=0,5 tərkibinin FL
spektri 1,050÷2,07 eV–a uyğun geniş oblastda yerləşir və iki
müxtəlif maksimuma malik olur. İkinci spektrin maksimumu
h𝜈𝑚 =1,912 eV-a uyğun gəlir. Bu spektr x=0,7;0,8;0,9
tərkiblərinin spektri olan oblastda yerləşir, intensivliyi isə
onlardan xeyli boyük olur. Tədqiq olunan Fl spektrlərinin piklərinin yarısına uyğun olan eni 10K-də≈0,105 eV–dur.
TlGaxIn1-xSe2 (x=0,5;0,7;0,8;0,9) bərk məhlullarının
101
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
müxtəlif temperaturlarda FL spektrləri öyrənilib və həmin
spektrlərin maksimumunun temperatur asılılığı müəyyən edilib.
Göstərilib ki, temperaturun 10K-dən 40K-ə qədər artması ilə
0,7;0,8;0,9 tərkiblərinin FL spektrinin pikinin intensivliyi dəyişmir, lakin sonrakı artması ilə sürətlə azalır və 60K-də sönür.
x=0,5 tərkibinin FL spektrinin maksimumunun intensivliyi
10÷40K oblastında dəyişmir, lakin temperatur sönməsi T=95Kdə baş verir.
10K temperaturda lazerin həyəcanlanma enerjisinin
müxtəlif qiymətlərində FL spektrləri öyrənilmişdir. Göstərilmişdir ki, həyəcanlanmanın enerji sıxlığının 0,04÷3,98Vt sm-2
diapazonunda dəyişməsi ilə x=0,5 tərkibinin FL spektrinin
maksimumu alçaq enerjilərə tərəf sürüşür.
Alınan nəticələr araşdırılmış və uyğun rekombinasiya
modeli təklif olunmuşdur.
Термоэлектрические свойства
Ag19Sb29Te52+0.3 ат.3% CdCl2
Рагимов С.С., Бабаева А.Э.
НАН Азербайджана, Институт Физики
Проведено исследование термоэлектрических свойств
Ag19Sb29Te52+0.3 ат.3% CdCl2 в температурном интервале
77-320К. Экспериментальные результаты показали, что
данный состав имеет р-тип проводимости с концентрацией
носителей заряда 5.1018см-3. Достаточно высокое значение
коэффициента термоэдс и значение решеточной теплопроводности порядка 6,8.10-3Вт/см.К позволяет применить это
состав (из-за высокого значение удельной чувствительности) в качестве чувствительного элемента р-ветви в
термоэлектрических приемниках ИК излучения.
102
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
-1
-1
,Ohm .cm
S,V/K
100
350
80
300
60
250
40
200
150
50
100
150
200
250
300
20
350
T,K
Исследование термоЭДС в сверхпроводящем
Bi2Sr2CaCu2O8+x
Рагимов С.С.
Институт Физики НАН Азербайджана
Проведено исследования температурных зависимостей
термоэдс и электропроводности высокотемпературного
сверхпроводника состава Bi2Sr2CaCu2O8+x. Переход в
сверхпроводящее состояние происходит при 87К. Ширина
сверхпроводящего перехода порядка 10-12К. Знак
термоэдс указывает на р-тип проводимость. Температурная
зависимость термоэдс проходит через максимум несколько
выше области фазового перехода. Значение термоэдс в
области максимума достигает 8 мкВ/К. Далее с ростом
температуры значение термоэдс уменьшается и в области
выше комнатной температуры происходит инверсия знака
проводимости. Проведены расчеты на основе двухзонной
модели проводимости Xin-a. Показано, что с ростом
температуры, электронная часть термоэдс увеличивается и
приводит к смену знака проводимости. Согласно экспериментальным результатам и проведенным расчетам оцене103
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
ны значения постоянной межплоскосного спаривания, длина когерентности и энергия Ферми исследованного состава. Полученные данные удовлетворительно согласуются
с экспериментальными и литературными данными.
İnvers zonalı yarımkeçirci əsaslı silindrik kvant məftilində
ikifotonlu udulma
İsmayılov T.H., Şərifov R.R.
Bakı Dövlət Universiteti
Məlumdur ki, yarımkeçiricilərdə və yarımkeçirici əsaslı
nanostrukturlarda işığın ikifotonlu udlmasının (İFU) tədqiqi
onların zona quruluşu haqqında zəruri məlumatların almması
ilə yanaşı, müxtəlif diapazonlarda işləyən iki foton doldurmalı
lazerlərin qurulmasına zəmin yaradır. Hal-hazırda ikifotonlu
udulma spektroskopiyası işığın koherentlik xassələrinin öyrənilməsində, kristallarda və nanostrukturlarda müxtəlif qeyrixəttiliklərin araşdırılmasında və bir sıra tətbiqi məsələlərdə
geniş istifadə olunur.
İkifotonlu udulmanın birfotonlu udulmadan fərqli cəhətləri
onun yarımkeçiricilərin və aşağıölçülü yarımkeçirici strukturların elektron spektrləri haqqında lazımi məlumatların əldə olunmasında istifadəsini təmin edir. Birincisi, ikifotonlu udulma
(İFU) yarımkeçiricilərdə səth təsirinə çox cüzi məruz qalan
həcmi həyacanlaşma yaratmağa imkan verir. İkincisi, ikifotonlu doldurma vasitəsi ilə yarımkeçiricilərdə və yarımkeçirici
əsaslı elektron sistemlərində asanlıqla yükdaşıyıcıların invers
paylanmasını yaratmaq olar ki, bu da lazer effektinin alınması
üçün əsas şərtdir. Üçüncüsü, İFU proseslərində dipol keçidləri
eyni simmetriyalı zonalar arasında baş verdiyi üçün birfotonlu
udulmada üzə çıxmayan enerji səviyyələrini “görmək” olar.
Bundan əlavə, qeyd edək ki, hətta izotrop mühitdə belə İFU
104
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
düşən işığın elektrik sahəsinin polyarizasiyasından kəskin
surətdə asılıdır.
Deyilənlərdən aydındır ki, İFU spektroskopiyasının hazırda
böyük maraq kəsb edən nanoölçülü yarımkeçirici elektron
sistemlərinin öyrənilməsində effektiv bir metod olması ilə yanaşı, İFU-nun özü lazer effektinin alınmasını təmin edə bilən
üsullardan biridir.
Bu işdə biz HgTe-un misalında invers zonalı yarımkeçirici
əsaslı kvant məftili üçün birzonalı Keyn modelində sonsuz dərin quyu yaxınlaşmasında zonalararası ikifotonlu udulma prosesini araşdırmışıq. Məftilin oxu z oxu istiqamətində götürülmüşdür. T=0 temperaturunda Brillyuen zonasının mərkəzində,
yəni, k=0 nöqtəsində cırlamış keçiricilik və ağır deşiklər zonaları ölçüyə görə kvantlanma rejimində diskret altzonalara parçalanır və cırlaşma aradan qalxmış olur.Baxılan prosesdə başlanğıc hallar olaraq ağır deşik altzonaları, aralıq və son hallar
kimi isə keçiricilik altzonaları çıxış edir. İFU əmsalı həyacanlaşma nəzəriyyəsindən alınan düsturla hesablanmış və onun
üçün düşən işığın tezliyindən ( 2 ) və kvant məftilinin en
kəsiyinin radiusundan asılı analitik ifadə alınmışdır. HgTe-da
mc<< mh olduğu üçün ağır deşiklər zonasının kvantlanmasını
nəzərə almamaq olar və buna görə də İFU keçiricilik zonasındakı birinci altzonanın enerjisinə bərabər astana qiymətindən başlayır. Düşən işığın polyarizasiya vektoru məftilin oxuna
perpendikulyar (   z ) olan halda İFU əmsalının 2 -dan
asılılığı pilləvaridir, paralel olan halda (  || z ) isə İFU spektri
kəskin piklərə malikdir və mişarvari şəkildədir.Göstərilmişdir
ki, kvant məftilində İFU əmsalının qiyməti ikiölçülü elektron
qazındakı (kvant təbəqəsi) qiymətindən 2 tərtib, həcmi yarımkeçiricidəki qiymətindən isə təxminən 4 tərtib böyükdür.
İnvers zonalı yarımkeçirici əsaslı kvant məftilində ikifotonlu doldurma vasitəsi ilə invers məskunlaşmanın alınması və
lazer effektinin mümkünlüyü məsələsi müzakirə edilmişdir.
105
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Излучения проводящих сред в магнитном поле
Гасымова Р.К.
Бакинский Государственный Университет
В работе вычислен импеданс кристалла в образце с
одним типом носителей тока в переменном магнитном
поле. При вычислении импеданса учитывается граничное
условие, а именно значения электрического поля на границах образца.
Для импеданса образца получено следующее выражение:
Z k x0

Z 0  0
1,2



2  1 1  e 2 e1  1
Lx 12
e 2  e1
1  i 2 /  2 2 / k x c 2
1



,
1/ 2 

  
16 2
 20 1  1  i 2 
(a  ib )
3
2 D  
vo


0  0 E0 ,  0  en0 0 ,   H / c , 1,2



 i1,2 Lx ,
  40 / ck x , a  32 2  /  2 , b  4 2 ,    03 / k x3v0c 2
Из приведенного выражения видно, что импеданс
образца сложным образом зависит от величины электрического и магнитного полей. Определены условия, при
которых вещественная часть импеданса имеет отрицательный знак, и образец будет излучать энергию.
Показано, что мнимая часть импеданса может иметь
отрицательный знак, при выполнении условия:
0 NLx / D   / 2 ,
где Lx - длина образца.
106
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Поперечное магнитосопротивление в сверхрешетках
при рассеянии на ионах примеси
Аскеров Б.М., Фигарова С.Р., Гусейнов Г.И.
Бакинский Государственный Университет
В рамках кинетического уравнения Больцмана в  приближении при рассеяния носителей тока на ионах примеси исследовано поперечное магнитосопротивление (МС)
в квазидвумерных электронных системах с косинусоидальным законом дисперсии который имеет вид:
 k  
 2 k 2
  0 (1  cos ak z ) ,
2 m
(1)
здесь  0 - полуширина мини-зоны, a - постоянная решетки
в направлении, перпендикулярном плоскости слоя, m  эффективная масса электронов в плоскости слоя.
Определена зависимость поперечного магнитосопротивления от величины и направления магнитного поля, а
также топологии поверхности Ферми. Показано, что в
случае квазидвумерного электронного газа поперечное МС
положительно во всей области магнитном поле и для
слабого магнитного поля оно определяется формулой:
  ( BII ) 1    II  0 II 0
(2)

 0.
 (0)
3 ln 2r0 a 
В случае квазитрехмерного электронного газа поперечное МС может быть как положительным в сильном
магнитном поле, так и отрицательным в слабом магнитном
поле, что следует из формулы
   
  ( BII )
(3)
 1.31  II 0 II 0  0 .
 (0)
ln 2Z 0 r0 a 
В промежуточных магнитных полях   1 поперечное МС может менять знак в случае, когда степень запол107
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
нения мини-зоны Z 0 порядка  / 2 . Поперечное МС квазитрехмерного электронного газа меняет свой знак из-за наличия в мини-зоне области с отрицательной эффективной
массы. При этом поведение МС объясняется механизмом
неодинакового рассеяния двух групп электронов, отличающихся ориентацией вращения электрона по циклотронным орбитам в магнитном поле из-за отрицательности
эффективной массой. Показано, что существует область
магнитных полей, где МС квазилинейно зависит от поля.
Кроме того, изучено влияние вида кулоновского потенциала на поперечное МС. Получено, что при рассеянии
на дальнодействующем кулоновском потенциале поперечное МС может быть отрицательным в зависимости от степени заполнения зоны, в то время как при рассеянии на короткодействующем потенциале МС положительно.
Güclü maqnit sahəsində ölçüyə görə kvantlanmış təbəqədə
Riqi-Ledyuk effekti
Əsgərov B.M., Mahmudov M.M.
Bakı Dövlət Universiteti
İşdə güclü maqnit sahəsində olan ölçüyə görə kvantlanmış
təbəqədə Riqi-Ledyuk termomaqnit effekti nəzəri tədqiq edilmişdir. İxtiyari kvantlayıcı maqnit sahəsində müxtəlif hallar
üçün bu əmsalın maqnit sahəsindən, temperaturdan, yükdaşıyıcıların konsentrasiyasından və təbəqə qalınlığından aşkar asılılıqları tapılmışdır.

Əgər kvantlayıcı B maqnit sahəsi z oxu boynca yönələrsə
ölçüyə görə kvantlanmış təbəqənin enerji spektri tam diskret
olur:
108
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı


1
2
     N     1n 2
burada   (eB m) - tsiklotron tezlik, N  0, 1, 2, ... - ossilyator
kvant ədədləri, 1  ( 2 2m) ( d ) 2 - birinci təbəqə səviyyəsinin
enerjisi, m - yükdaşıyıcıların effektiv kütləsi, d - təbəqənin
qalınlığı, n  1, 2, ... - ölçü kvant ədədləridir.
Cırlaşmış elektron qazlı təbəqədə Riqi-Ledyuk əmsalı
k k0T      
S ( B, d )  0


 f B   d      1 
şəklində təyin olunmuşdur. Burada  f - təbəqənin fonon istilikkeçiriciliyi,  - yükdaşıyıcıların kimyəvi potensialı, A - isə
A - ədədinin tam hissəsidir. Tapılmışdir ki, bu halda birinci
təbəqə səviyyəsinin enerjisi kimyəvi potensiala bərabər olduqda
həm maqnit sahəsinin qiymətinin, həm də təbəqə qalınlığının
dəyişməsi ilə Riqi-Ledyuk əmsalı ossilyasiya edir. Həmin
ossilyasiyaların periodları təyin edilmişdir.
Bismut nanoborularının elektron spektri
Mustafayev N.B.
AMEA Fizika İnstitutu
nadir.mustafayev@physics.ab.az
Karbon nanoboruları hazırlandıqdan sonra, digər materiallar əsasında nanoboruların yaradılmasına maraq xeyli artmışdır. Məsələn, bismut nanoboruları uğurla sintez olunmuşdur [14]. Bismut əsasında yaradılmış nanostrukturlar, ümumiyyətlə,
ölçü effektlərini öyrənmək üçün böyük maraq kəsb edir.
Bismut təbəqə və nanoməftillərinə həsr olunmuş çox sayda tədqiqat vardır. Lakin bismut nanoboruları yetərincə öyrənilməmişdir.
Bu məruzədə bismut nanoborularının elektron spektri araş109
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
dırılır. Hesab edilir ki, borular nazikdivarlı silindr şəklindədir.
Silindr divarının qalınlığı elektronların de-Broyl dalğasının
uzunluğundan kiçikdir, buna görə divar daxilində eninə hərəkət
edən elektronların enerjisi kvantlanır. Ellipsoidal qeyriparabolik Leks modelinin hamiltonianından [5] və düzbucaqlı
potensial yaxınlaşmasından istifadə edilir.
Məlumdur ki, en kəsiyi dairə şəklində olan silindrik kvant
çuxurunda anizotrop kütləli yükdaşıyıcılar üçün enerjinin
kvantlanması məsələsi, en kəsiyi ellips olan silindrik kvant
çuxurunda izotrop kütləli yükdaşıyıcılar üçün enerjinin kvantlanması məsələsinə ekvivalentdir [6-8]. Buna görə bismut
nanoborusunda elektron halları elliptik koordinat sistemində
yazılmış Şrödinger tənliyinin həllindən tapılmışdır. Potensial
çuxurun dərinliyi sonsuz olduqda tənlikdə dəyişənləri ayırmaq,
dalğa funksiyasının radial hissəsi və bucaqdan asılı hissəsi
üçün tənliklərin həllini Matyö funksiyaları vasitəsilə ifadə etmək olur. Nanoboruda kvant səviyyələrinin enerjisi bu tənliklərin köklərindən istifadə etməklə müəyyən edilmişdir. Elektron spektri cüt və tək hallara müvafiq olan enerji səviyyələrindən ibarətdir.
Hesablamalar göstərir ki, bismut nanoboruları yarımkeçiricidir (halbuki həcmli bismutun özü yarımmetaldır). Nazik
(qalınlığı bir neçə nanometr olan) nanoborularda yasaq zolağının eni 0,5-0,6 eV təşkil edir.
Elektron strukturu kinetik və optik xassələr üçün mühüm
əhəmiyyət kəsb edir. Belə ki, hesablamalara görə bismut nanoborularında mütləq termo-e.h.q. 200-300 mV/K ola bilər. Bu,
həcmli bismutda (77 K temperaturunda α=-43 μV/K), bismut
təbəqələri və nanoməftillərində müşahidə olunan qiymətlərdən
qat-qat yüksəkdir. Belə yüksək termo-e.h.q. yalnız 9 nm
qalınlıqlı bismut/alümin oksid nanokompozitində (maye azot
temperaturunda |α| ≈ 270 mV/K) müşahidə olunmuşdur [9].
[1] Yadong Li, Junwei Wang, Zhaoxiang Deng, Yiying Wu, Xiaoming Sun,
110
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Dapeng Yu, Peidong Yang. J. Am. Chem. Soc., 2001, 123, 9904.
[2] Xin-yuan Liu, Jing-hui Zeng, Shu-yuan Zhang, Rong-bo Zheng, Xianming Liu, Yi-tai Qian. Chemical Physics Letters, 2003, 374, 348.
[3] L. Li, Y.W. Yang, X.H. Huang, G.H. Li, R. Ang, L.D. Zhang. Appl. Phys.
Lett., 2006, 88, 103119.
[4] R. Boldt, M. Kaiser, D. Köhler, F. Krumeich, M. Ruck. Nano Lett., 2010,
10 (1), 208.
[5] Н.Е. Алексеевский, Ю.П. Гайдуков, З.С. Грибников и др. Электроны
проводимости / Под ред. М.И.Каганова и В.С.Эдельмана. – М.:
Наука, 1984. – 416 с.
[6] С.С. Недорезов. ФНТ, 1982, 8, 504.
[7] I.M. Bejenari, V.G. Kantser, M. Myronov, O.A. Mironov, D.R. Leadley.
Semicond. Sci. Technol., 2004, 19, 106.
[8] V.A. Holovatsky, O.M. Voitsekhivska, V.I. Gutsul. Rom. Journ. Phys.,
2008, 53, 833.
[9] J.P. Heremans, C.M. Thrush, D.T. Morelli, Ming-Cheng Wu. Phys. Rev.
Lett., 2002, 88, 216801.
Yarımkeçirici kvant çuxurunda qızmış elektronların
termoelektrik hərəkət qüvvəsi
Babayev M.M.
AMEA-nın Fizika İnstitutu
mirbaba@physics.ab.az
Güclü (qızdırıcı) elektrik sahəsində elektronların qızması
termoelektrik və termomaqnit effektlərin qiymətlərini, eləcə də
onların elektronların konsentrasiyasından, temperaturdan və s.
asılılıqlarını xeyli dəyişdirir. Bu işdə güclü elektrik sahəsinin
parabolik potensiallı yarımkeçirici kvant çuxurunda termoehqyə təsiri tədqiq olunmuşdur. Elektronların fononlar tərəfindən
sövqünün əhəmiyyətli rol oynadığı aşağı temperaturlar oblastına baxılır. Qızdırıcı elektrik sahəsinin intensivliyi və temperatur qradiyenti elektron qazı təbəqəsi üzrə götürülür. Elektronların akustik fononların deformasiya və pyezoelektrik potensialından və aşqar ionlardan səpilmə mexanizmlərinə baxılır.
111
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Elektronların relaksasiya müddətləri hesablanarkən səpici
potensialların ekranlaşması da nəzərə alınır.
Qızdırıcı elektrik sahəsinin intensivliyi 𝐸⃗ və qəfəsin temperatur qradiyenti ∇𝑇, uyğun olaraq, kvantlanmanın olmadığı 𝑧
və 𝑦 oxu istiqamətlərində yönəldilir. Məsələ effektiv elektron
temperaturu yaxınlaşmasında həll edilmişdir.
Elektronların temperaturu 𝑇𝑒 balans tənliyindən tapılır:
stasionar halda elektron sisteminin elektrik sahəsindən aldığı
enerji ( 𝜎𝑦𝑦 (𝑇𝑒 )𝐸 2 ) bu sistemin fononlar sisteminə verdiyi
enerjiyə ( 𝑊𝑒,𝑝ℎ (𝑇𝑒 ) ) bərabər olur: 𝜎𝑦𝑦 (𝑇𝑒 )𝐸 2 = 𝑊𝑒,𝑝ℎ (𝑇𝑒 ).
Burada 𝜎𝑦𝑦 (𝑇𝑒 ) - ikiölçülü elektron qazının güclü elektrik
sahəsində elektrik keçiriciliyidir.
Elektron qazı təbəqəsi boyunca qəfəsin 𝛻𝑦 𝑇 temeratur
𝛽𝑦𝑦 (𝑇𝑒 )
qradiyenti yaradılanda əmələ gələn termoehq [1]: 𝛼 = 𝜎
𝑦𝑦 (𝑇𝑒 )
.
Burada 𝛽𝑦𝑦 (𝑇𝑒 ) əmsalı (və deməli α) iki hissədən - elektron və
𝑝ℎ
𝑒 (𝑇 )
fonon hissədən ibarətdir: 𝛽𝑦𝑦 (𝑇𝑒 ) = 𝛽𝑦𝑦
𝑒 + 𝛽𝑦𝑦 (𝑇𝑒 ). Kvant
çuxurunda təbəqə boyunca kvantlanma baş vermədiyi üçün, bu
təbəqə üzrə elektrik cərəyanını, 𝜎𝑦𝑦 (𝑇𝑒 ) və 𝛽𝑦𝑦 (𝑇𝑒 ) əmsallarını hesablyanda Bolsmanın kinetik tənlik metodundan
istifadə etmək olar [1]. Termoehq üçün
ədədi hesablamalar 𝐺𝑎𝐴𝑠/𝐴𝑙𝑥 𝐺𝑎1−𝑥 𝐴𝑠
parabolik kvant çuxurunda aparılmışdır.
Güclü elektrik sahəsində termoehq-ni
hesablamaq üçün əvvəlcə elektron temperaturu və onun qəfəs temperaturuna
görə törəməsi hesablanmışdır.
Güclü cırlaşma şərtinin ödəndiyi
temperatur oblastında termoehq-nin elektron hissəsi elektrik
sahəsinin artması ilə xeyli artır, fonon hissə isə elektrik
sahəsindən asılı olmur.
Şəkildə qəfəsin müxtəlif temperaturlarında (T = 3, 4, 5K)
ümumi (elekton+fonon hissə) termoehq-nin qızdırıcı elektrik
112
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
sahəsinin intensivliyindən asılılıq qrafikləri verilmişdir. Şəkildən göründüyü kimi ümumi termoehq intensivliyin artması ilə
xətti asılılıqdan daha yüksək sürətlə artır.
1. Б.M.Aскеров, Электронные явления переноса в полупроводниках,
Москва, Наука (1985), 318 стр.
Эффект Нернста-Эттингсгаузена в квазидвумерных
электронных системах
Гусейнов Г.И.
Азербайджанский Архитектурный и Строительный
Университет
Термомагнитный эффект Нернста-Эттингсгаузена (Н-Э)
является наиболее чувствительным к механизмам релаксации и температуры. Поэтому изучение этого эффекта
дает ценную информацию о механизме рассеяния носителей тока. Знак эффекта НЭ существенно зависит от механизма рассеяния и температуры. В отличие от эффекта
Холла, два знака поперечного эффекта НЭ нельзя обьяснить наличием двух сортов носителей тока. Поэтому смена
знака эффективной массы носителей тока, которая имеет
место в сверхрешетках, должна существенно влиять на
этот эффект.
В работе, теоретически изучался НЭ в квазидвумерных и квазитрехмерных системах при рассеянии носителей
тока на фононах и ионах примеси. Энергетический спектр
для сверхрешетки имеет косинусоидальный вид, а  время релаксации электронов проводимости анизотропно,
по разному зависит от компонента волнового вектора.
Здесь рассматривалась сверхрешетка с вырожденным
электронным газом в перпендикулярной плоскости слоя,
113
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
неквантующем магнитном поле. Получено, что в квазидвумерном электронном газе коэффициент НЭ при рассеянии
на акустических фононах равен нулю, в то время, как при
рассеянии на оптических фононах он был отличен от нуля
и становится положительным
 k  e
Q  2 2  0   0 ,
 e  m
где k0 -коэффициент Больцмана, e -заряд электрона, m эффективная масса электронов проводимости.
Показано, что в зависимости от величины магнитного
поля и степени заполнения зоны коэффициент НЭ при
рассеянии носителей тока на слабо экранированных ионах
примеси может быть как положительным, так и отрицательным. Следует отметить, что в слабом магнитном поле
коэффициент НЭ отрицателен и не зависит от параметра
экранировки кулоновского потенциала
 k  k T e
Q  4 2  0   0   0 ,
m
 e  0
где  0 -ширина одномерной минизоны проводимости,  10
- поперечный компонент обратного времени релаксации.
Cd1-xZnxO nazik təbəqələrinin alınması və bəzi fiziki
xassələrinin tədqiqi
Pənahov M.M., Məmmədova V.C.
Bakı Dövlət Universiteti
mamedovabsu@rambler.ru
Cd1-xZnxO (Eg=2.53.3 eV) keçirici şəffaf bərk məhlulları
yüksək kimyəvi dayanıqlığa malik olmaları, iqtisadi cəhətdən
ucuz başa gəlmələri, spektrin UB və görünən oblastlarında buraxma qabiliyyətinin yüksək olmasına görə optoelektronikada
114
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
və günəş energetikasında geniş tətbiq olunur.
İşdə katod çökdürmə metodu ilə şüşə/SnO2 altlıqları
üzərində müxtəlif tərkibli Cd1-xZnxO (x=0.1; 0.2; 0.3; 0.4)
nazik təbəqələri alınmışdır. Çökdürülmədə Zn(NO3)2+
+Cd(NO3)2+KNO3+H2O sulu məhlulundan istifadə edilmişdir.
Çökdürülmə otaq temperaturunda və 70-800C temperaturda
aparılmışdır. Reaksiyanın davametmə müddətindən asılı olaraq
0.02 – 1 mkm qalınlıqlı Cd1-xZnxO nazik təbəqələri alınmışdır.
Müəyyən edilmişdir ki, nazik təbəqələrin səthinin morfologiyası, elektrik və optik xassələri çökdürmə potensialından və
məhlulun temperaturundan aslılıdır. Anod materialı kimi reaksiyada qrafit elektrodlardan istifadə edilmişdir. Çökdürülmə
katod potensialının -0.9 V, - 1.2 V, -1.23 V, -1.28 V, -1.30 V
və -1.35 V qiymətlərində aparılmışdır. Reaksiya məhlulunun
turşuluğu azot turşusunun əlavə edilməsi ilə idarə edilşmişdir
(pH = 3-5).
Atom qüvvət mikroskopunda (AFM) aparılmış tədqiqatlar
əsasında müəyyən edilmişdir ki, katod potensialının U-1.22 V
qiymətlərində alınmış nazik təbəqələrin səthi məsaməli quruluşa malik olub, qeyri-bərabər paylanmış, ölçüləri 7100 nm
intervalında dəyişən kristallitlərdən ibarətdir. Katod potensialının qiymətinin cüzi olaraq artması (-1.22U-1.25 V)
nazik təbəqələrin səth quruluşunu kəskin olaraq dəyişir. Belə
ki, səthdəki məsamələrin konsentrasiyası kəskin olaraq azalır,
kristallitlərin ölçüsü kiçilir (57 nm) və nazik təbəqələr bircins
nanoquruluşlu səth nümayiş etdirir. Katod çökdürmə potensialının U-1.3 V qiymətlərinə qədər artması ilə, nazik təbəqələrin səthindəki kristallitlərin ölçüsünün artması ilə bərabər
səthdəki defektlərin konsentrasiyası da kəskin olaraq azalır.
Lakin potensialın sonrakı artımı səthdə yenidən qeyri-bircinslik
dərəcəsini artırır.
Qeyd edək ki, katod potensialının U-1.3 V qiymətlərində
alınmış nazik təbəqələrin altlığa adgeziyası çox zəif olur. Belə
ki, bu gərginliklərdə yalnız 0.5 nm qalınlıqlara qədər zəruri
115
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
adgeziyaya malik
mümkündür.
Cd1-xZnxO
nazik
təbəqələri
almaq
Внутризонное поглощение света в параболической
квантовой яме в магнитном поле
Гадирова И.Р.
Бакинский Государственный Университет
Вероятность и спектр оптического поглощения на
внутризонных переходах в структурах с квантовыми
ямами определяют перспективность создания длинноволновых инфракрасных детекторов на основе таких структур.
В структурах с квантовыми ямами разрешены внутризонные прямые переходы между размерноквантованными
состояниями зоны проводимости и валентной зоны, если
вектор поляризации падающего излучения имеет компоненту, параллельную оси размерного квантования.
В настоящей работе изучается влияние внешнего
магнитного поля на внутризонные прямые переходы в
параболической квантовой яме (ПКЯ). Рассмотрим ПКЯ,

помещенную в магнитное поле, вектор напряженности H
которого направлен вдоль плоскости квантовой ямы. В
этом случае разрешены внутризонные прямые переходы
между размерно-магнито-квантованными уровнями различной четности. Для переходов электронов из состояния с
n  0 в состояние с n  1 коэффициент поглощения
определяется выражением
4e2 ne
/2
,
10 
2
2
2
2
c m   dR (  )  0,25
где  - частота света, ne - двумерная концентрация элекронов в нижней квантовой подзоне ( n  0 ), m - эффектив116
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
ная масса электрона в зоне проводимости, d - толщина
слоя квантовой ямы.,  - диэлектрическая проницаемость
полупроводниковой квантовой ямы,  - полуширина пика
поглощения,
 2  02   2 , 0 
8E
,
d 2m

eH
,
mc
R

,
m
 E - высота квантовой ямы в зоне проводимости.
Частота, соответствующая максимуму поглощения при
внутризонных межуровневых переходах зависит как от
параметров квантовой ямы, так и от величины магнитного
поля. Максимумы поглощения с ростом магнитного поля
сдвигаются в высокочастотную область. Энергетическое
расстояние между размерно-магнито-квантованными уровнями с ростом напряженности магнитного поля увеличивается, что дает возможность управлять рабочей частотой
инфракрасного детектора.
Yüksək maqnit nüfuzluqlu ərintilərin alınması
Pənahov T.M.
Azərbaycan Memarlıq və İnşaat Universiteti
Müasir elmin əsas sahələrindən biri də bərk cisimlər fizikasının bir bölməsi olan metallar fizikasıdır. Metallar fizikasının inkişafı nanokompozit materialların tətbiqi istiqamətində
davam etməkdədir. Bu materialların fiziki xassələri, elektron
quruluşu, faza tarazlıq halı metallar fizikasının müxtəlif istiqamətlərində çalışan alimlərin diqqət mərkəzindədir. Maqnit
yaddaş qurğularında istifadə olunan bu materiallar daha geniş
tətbiq sahələri tapır, məsələn neft hasilatının artırılmasında
belə kompozitlərdən istifadə edilməsi planlaşdırılır.
1964-cü ildə Nizamlanan Ni3Fe (permalloy) əsaslı ərin117
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
tisini niobium və tantal metalları ilə legirləməklə uzun müddətli tab almadan sonra maqnit, qalvanomaqnit və termomaqnit xassələrini temperaturdan asılılığını tədqiq etmişdik.
Nəticədə (3-5)at% Nb və Ta ilə legirlənmiş ərintinin maqnit
xassəsində maqnit nüfuzluğunun kəskin böyüməsi müşahidə
olunmuşdu. [1] Doyma maqnitlənməsinin və maqnit nüfuzluğunun tərkibdən asılılığı əyrisində alınmış anomaliyanı xətti
asılılıq kimi göstərmək istəyirdim. Lakin indiki Akademik
Bəhram Mehralı oğlu Əsgərov və professor Nəbi Qara oğlu
Hüseynov məni məcbur etdilər ki, əyrini olduğu kimi izah
edim. Həmin məqalə 1964-cü ildə BDU –nun elmi əsərlərində
çap edildi. Sonralar tanınmış Yapon professoru S.Masumotodan məktub aldım. O, həmin qrafikdə göstərilən ədədi qiymətləri onlara göndərilməsini xahiş edirdi. 1973-cü ildə Moskvada
“Maqnit hadisələri fizikası” sahəsində Beynəlxalq elmi konfrans keçirildi. ABŞ-dan dünya miqyaslı tanınmış mütəxəssis
R.Bozort və onun tələbələri, Yaponiyadan S.Masumoto və
onun tələbələri gəlmişdilər. Bizim məqalənin yapon, ingilis
dilində tərcüməsi ilə onlar da tanış olmuş və alınmış nəticələri
yüksək qiymətləndirdilər. Bu məqalənin hazırlanmasındakı
məsləhətlərinə görə 49 ildən sonra 80 yaşlı Akademik Bəhram
müəllimə təşəkkür edirəm və onu yubileyi münasibətilə təbrik
edir, can sağlığı arzu edirəm.
Nizamlanan Ni3(Fe1-xTax) 0≤ 𝑥 ≤ 0.5 ərintisini termomaqnit və krioemaldan sonra maqnit nüfuzluğu 103 tərtibində
ola bilir.
Məlumdur ki, metallik və amorf ərintilərin xassələri alınma texnologiyası və emaldan asılıdır. Ona görə materialların
keyfiyyətini yaxşılaşdırmaq üçün “Zabrat Oksigen açıq
səhmdar cəmiyyətində” maye və qaz halında azot, oksigen,
hidrogen istehsal etməklə yeni texnologiyalar yaratdıq. Bu
yerli şəraitdə materialların xassələrini aşağı temperaturlarda
tədqiq etmək üçün faydalı oldu.
Kompakt, amorf və ovuntu halında olan materialların
118
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
maqnit xassələrinin (doyma maqnit induksiyasının, koersitiv
qüvvənin, maqnit nüfuzluğunun) öyrənilməsindən alınmış nəticələr təhlil edilmişdir. Yüksək 106 maqnit nüfuzluğu, doyma
maqnit induksiyası 1.5 Tl olan materiallar müxtəlif istehsalat
sahələrinə tövsiyyə edilmişdir.
Alınmış bu nəticəni təsdiq etmək üçün tədqiq olunan
nümunənin Skane Zond Mikroskopunda atom qüvvə mikroskopiyası rejimində (ASM) səthin topologiyasının 3D ölçülü
şəkli alınmışdır. Amorf lentlərin ekvatorial Kerr effektinin
maqnit sahəsində asılılıq əyrilərindən isə düşən işıq şüalarının
müxtəlif dalğa uzunluqlarında səthdəki mikrokristallik təbəqənin qalınlığının qeyri bircins olduğu müəyyənləşdirilmişdir.
1.
T.M.Pənahov. Dəqiq ərintilərin fiziki metalşünaslığı. Bakı.2000
Parabolik potensiallı kvant məftilində diffuziya
termoelektrik hərəkət qüvvəsi
1Həsənov
X.A., 1Hüseynov C.İ., 2Dadaşova V.V.
Dövlət Pedaqoji Universiteti
2Bakı Dövlət Universiteti*
xanlarhasanli@rambler.ru
1Azərbaycan
Məlumdur ki, [1] cırlaşmış elektron qazının termoelektrik
hərəkət qüvvəsi aşağıdakı universal ifadə ilə verilir
k 2
 ln   F 
(1)
  0
k 0T
e 3
 F
n e
Burada   F   
keçiricilikdir.
m
Elastiki səpilmə yaxınlaşması üçün relaksasiya müddətinin tərs
qiyməti isə
119
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
 k '
  W  0, k ', 0, k  1  
 k'
k 

1
Biz
N  N
'
 0  altzonasına,
W (0, k ' , 0, k ) 
2
(2) kimidir.
yəni, kvant limit halına baxacağıq.
| M 0 k ' ,0 k |2  ( 0 k    0 k )
M 0 k ' ,0 k  M 0 k ' ,0 k (1  M 0eke,0 k  (0, 0) 1 )
(3)
(4)
Burada
M 0eke,0 k    0 k  (r1 ) 0 k1 (r1 ) V (r1  r2 )  0 k  (r2 ) 0 k2 (r2 )dr1dr2 (5)
1
2
M 0 k ' ,0 k   0 k ' ( x, y, z )V ( x, y, z ) 0 k ( x, y, z )dxdydz
 0, k 
1
 x2  y 2  i k z
Exp  
e
2 R2 
R

1
(6)
k2
 
2m
(7)
 0,k ( x, y, z ) 
Lz
2

 f 
(8)
(0,0)       0 d 
  
0
- aşqarın kulon potensialının ekranlaşmasını nəzərə alan
polyarizasiya operatorudur.
Aşqar ionlardan səpilmə üçün
1/ 2
e2
(9)
V  x, y, z    x 2  y 2  z 2 

Buna görə də, cırlaşmış halda kvant məftilində elektron qazının
relaksasiya müddəti aşqar ionlardan səpilmə üçün
2
 2e 2
1
  1
 2m 
Exp  R 2 2 n 2   0, R 2 2 n 2  2 2 
1 
3

n 
8
  8
  n  (10)
I 
2
2
2mN I
 Ze
 1 2 2 2   1 2 2 2 
Exp
R

n

0,
R

n

 


4
  4

 
bu şəklə düşür.
NI - aşqarların konsentrasiyası,  -statik dielektrik nüfuzluğu,
120
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Z – aşqarın yükü, Г(0,х)natamam Qamma funksiyadır[2].
2m
  0, 0      F   2
n
 n istifadə
Burada Lz=1 , k F 
və
2
etmişik.
Buradan aşqar ionlardan səpilmə halında cırlaşmış elektron
qazı üçün termoelektrik hərəkət qüvvəsinin ifadəsini
k0  2
4m
1
k0 T
  1   2 n 2 R 2 
(11)
e 3
4
 2 n2
1


 1

8 m e 2  n  2  2  1   2 n 2 R 2 
2 Exp    2 n 2 R 2  
4


 4



1
1
1







n  2  2  4 m e2 Exp   2 n 2 R 2  E1   2 n 2 R 2 
E1   2 n 2 R 2  
8
 8

4
 
I  
alırıq. Burada Е1 –üstlü inteqral funksiyadır.
İndi isə elektronların pyezoakustik fononlardan səpilməsinə baxaq.
Pyezoakustik səpilmə potensialı [1]
eE pz k0T
Exp (iqr )
(13)
şəklindədir.
V  x, y , z  

q
  s q
Burada Epz– pyezoakustik konstant, ρ - sıxlıq, Ω – həcm,
s – səsin sürəti, k0 – Bolsman sabitidir.
Uyğun olaraq, cırlaşmış elektronların pyezoakustik fononlardan səpilmə halında relaksasiya müddəti
 PA
2


 1  2e Exp  1 R 2 2 n 2   0, 1 R 2 2 n 2  22 m2

3
n

8
8
 n 






4m 
eE  k0T
1

1

  R pz
Exp   2 R 2 n 2 1  Erf   R n   

  s
4

2
  

2
(14)
kimi yazılır.
Burada Erf(x) – ehtimallar inteqralıdır[2].
Buradan cırlaşmış elektron qazının pyezoakustik fonon121
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
lardan səpilmə halında termoelektrik hərəkət qüvvəsi
 PA  
k0  2
4m
k0 T

e 3
 2 n2

8 m e2
1
 1

  2 n2 R 2
Exp    2 n 2 R 2 

2
2
4
n


1
 4

   2 n2 R 2 

 4
4 m e2
1

1 2 2 2  1 2 2 2 
erfc   n R 
1
Exp   n R  E1   n R 

n 2 2
2

8
 8




 (15)



İndi isə elektronların akustik fononlardan akustik dalğanın
deformasiya potensialı vasitəsi ilə səpilməsinə baxaq.
Bu səpilmə mexanizmi üçün qarşılıqlı təsir potensialı[3]
E kT
(16)
V  x, y, z   1 0  Exp (iqr )
2  s q
ifadəsi ilə verilir.
Burada Е1 - deformasiya potensialıdır.
Cırlaşmış elektron qazının deformasiya akustik fononlardan səpiməsi üçün relaksasiya müddəti
 DA
 2e2
1
  1
 2m 
 1
Exp  R 2 2 n 2   0, R 2 2 n 2  2 2 
3
n

8
  8
 n 


4m 
 E1 k0T




2  s


2
(17)
kimi alınır.
Bu ifadədən cırlaşmış elektron qazının deformasiya
akustik fononlardan səpilməsi halı üçün termoelektrik hərəkət
qüvvəsi
k0  2
4m
k0T 2 2 
e 3
 n


8 m e2
1
  2 n2 R 2
1
 (18)
2
2
n


4
  2 n2 R 2 

4 m e2
4
1 2 2 2 1 2 2 2
1

Exp

n
R
E

n
R

 1


n 2 2
8
 8


 DA  
şəklində alınır.
122
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
[1]. Б.М.Аскеров Электронные явления переноса в полупроводниках,
М, «Наука», 1985, 318 с.
[2]. Наndbook of mathematical functions, ed. by M.Abramowitz and
I.A.Stegun, 1964 (Справочник по специальным функциям, под ред.
М.Абрамовица, И.Стиган, М, «Наука», 1979, 830 с.)
[3]. Э.П.Синявский, Р.А.Хамидуллин, ФТП, т. 40, в. 11, 2006,
стр.1368-1372.
О влиянии структурных дефектов на теплопроводность
монокристаллов в твердых растворах TlIn 1 x Ndx Te 2
Зарбалиев М.М., Агаева У.М., Гахраманов Н.Ф.
Сумгаитский Государственный Университет
Переход от исходного соединения с упорядоченным
расположением атомов-компонентов к твердым растворам
на его основе сопровождается отклонением от обычной
закономерности изменения теплопроводности в зависимости от атомного веса. Это обстоятельства вызвано тем,
что для твердых растворов переменного состава превалирует рассеяние фононов на локальных точечных дефектах,
и основными факторами, влияющим на тепловое сопротивление, обусловленным точечными дефектами, являются
локальное изменение плотности и упругих свойств полупроводникового материала, с точки зрения которого представляется интересным исследование теплопроводности
анизотропных монокристаллов твердых растворов в
системе TlInTe 2  TlNdTe 2 . В работах 1 2 исследована
система TlInTe 2  TlNdTe 2 , обнаружена, что в этой
системе образуется растворы TlIn 1 x Ndx Te 2 на основе
исходного тройного соединения TlInTe 2 до 10 моль. %
TlNdTe 2 , они кристаллизуются в тетрагональной ячейке,
как и исходное TlInTe 2 , при этом атомы редкоземельного
123
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
элемента неодима проявляя трехвалентность, частично
замещают ионы атомов трехвалентного индия. Так как
ионы трехвалентного неодима по массе и размерам отличаются от трехвалентных ионов индия, то формирование
твердых растворов TlIn 1 x Ndx Te 2 сопровождается образованием структурных дефектов, концентрация которых
зависит от относительного количества замещающего элемента неодима в образцах, которые в свою очередь сказывают влияние на тепловые и другие свойства монокристаллов. Теплопроводность твердых растворов названной системы измеряли стационарным методом. Исследование образцы были монокристаллическими и измерения в
них проводились в двух кристаллографических направлениях: при параллельном и перпендикулярном направлениях теплового потока (001) при 80-330 К. Решеточная
часть теплопроводности определена как разность общей
теплопроводности и ее электронной составляющей.
Вычисление электронной доли теплопроводности показало,
что
наиболее
значение
ее
составляет
3
~ 1,2 10 Вт/ м  К  .
Таким образом, для твердых растворов электронной
частью теплопроводности можно пренебречь. Для смешанных кристаллов переменного состава TlIn 1 x Ndx Te 2 в
рассеянии фононов превалирует рассеяние их от локальных точечных дефектов, и основным фактором, влияющим
на тепловое сопротивление, обусловленным точечными
дефектами, являются локальное изменение плотности и
упругих свойств среды. Локальное изменение плотности, в
основном, зависит от разности средних атомных весов, а
локальное изменение упругих свойств – от разности
атомных радиусов растворителя и растворенного вещества,
т.е. для данного случая соединения TlInTe 2 и растворенного вещества TlNdTe 2 . При проверке теории взаимо124
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
действия фононов с точечными дефектами в твердых
растворах TlIn 1 x Ndx Te 2 задача упрощается тем обстоятельством, что в результате частичного замещения атомов
индия атомами неодима в TlInTe 2 природа межатомных
связей остается совершенно без изменения, так как атомы
индия и неодима изовалентны между собой, но существенно различаются по массе. В нашем случае, локальные
изменения плотности в решетке не сопровождаются
локальным изменением упругих свойств. Согласно теории
Амбегаокора 3 и Клименса 4, в выражении теплопроводности неидеальных кристаллов с учетом рассеяния и
процессов, перебросав на точечных дефектах при температуре выше дебаевской, параметр неупорядоченности
определяется формулой:



  x1  x  M/ M   / 
(1),
где x - относительная концентрация примеси,  - характеризует упругие свойства среды, M/ M - относительное изменение массы при замене атомов основного компонента с
замещающими
атомами
ΔM  M осн  M пр , M  x  MTlInSe 2  1  x  MTlNdSe2 ,  /  локальное изменение постоянной решетки.
Поскольку в исследуемой нами системе в области
растворимости изменения молекулярного веса и параметров элементарной ячейки с переходом от соединения
TlInTe 2 к твердым растворам на его основе малы, то
вторым слагаемым в формуле (1) можно пренебречь и
фононы должны рассеиваться вследствие лишь локальных
изменений плотности и при этом коэффициент неупорядоченности вычисляется по упрощенной формуле:
2
2




  x 1  x  M/ M
Поскольку
в
исследованной
2
125
(2)
нами
системе
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
TlIn 1 x Nd x Te 2  TlInTe 2 1 x NdTe 2 x  TlInTe
то
 TlNdTe 2 x ,
2 1 x
M TlNdTe 2  M TlInTe 2
M

M 1  x M TlNdTe 2  xM TlInTe 2
Вычисленные соответствующим методом значения
теплопроводности находились в хорошем согласии с
экспериментальными, что свидетельствует о реальности
высказанных предположений относительно радикальных
замещений
TlInTe 2 1 x NdTe 2 x , где 0  x  0,11 и учета влияния локального изменения плотности среды на теплопроводность
кристаллов твердых растворов системы TlInTe 2  TlNdTe 2
1. Зарбалиев М.М. Явление переноса заряда и тепла в системах
TlInS 2 (Se 2 , Te 2 )  TlLnS 2 (Se 2 , Te 2 ) . Дисс. на соискание ученой
степени доктора физико-математических наук. Баку, БГУ, 2001,-284 с.
2. Зарбалиев М.М., Мамедов Э.Г., Ахмедова А.М., Зейналов Г.И..
Российская АН. Неорганические материалы. 2007, т.43, №12, с.16111615.
3. Равич Ю.И., Ефимова Б.А., Смирнов И.А. методы исследования
полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe
и PbC . 1968, Москва:, «Наука», – 384 с.
4. Klemens P.G. Phys.Rev., 1960.V.119, № 2. p. 507-510.
Elastiklik nəzəriyyəsi tənliyinin invariantlıq qrup
operatorları üçün Killinqin invariant kvadratik formasının
hesablanması
Ağamalıyev Ə.Q., Abaszadə S.A.
Bakı Dövlət Universiteti
Tezisi təqdim olunan işdə elastiklik nəzəriyyəsi tənliyinin
qrup operatorları üçün Killinqin invariant kvadratik forması
tapılmışdır.
126
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Qrup üzrə təyin olunmuş simmetrik kvadratik forma
 x  y     A( x), A( y)
şərtini ödəyən bixətti formaya deyilir. Li qrupunun Li cəbrinin
struktur nəzəriyyəsini təyin etmək üçün xüsusi təyin olunmuş
K kvadratik forması xüsusi rol oynayır. Bu kvadratik formanın
təyin edilməsi xətti çevirmənin izi (spur) ilə sıx əlaqədardır. A
xətti operatorunun L  L çevirməsində L operatorunun hər
hansı Un bazisinə görə təyin olunmuş matrisanın diaqonal
elementlərinin cəminə deyilir. İz (spur) operasiyasının mühüm
xassələrindən biri tr A  B)  tr( B  A şərtinin ödənməsidir.
Aşağıdakı şərti ödəyən K x. y   trad ( x)  ad ( y)
simmetrik bixətti formaya Killinqin kvadratik forması deyilir.
Killinqin kvadratik formasının əhəmiyyəti ondan ibarətdir ki,
həmin formanın aşkar şəklini bilərək Li cəbrinin radikalını
xarakterizə etmək mümkündür. L Li cəbrin R radikalı x  L
elementlərinin K(x,y)=0 şərtini ödəyən elementlər çoxluğuna
deyilir. Buradan görünür ki, Killinqin kvadratik formasını tapmaq üçün verilmiş diferensial tənliyin operatorlarının aşkar
şəklini bilmək lazımdır. Bu [1] işində hesablanmışdır. Həmin
operatorların komutasiya şərtləri [2] işində hesablanmışdır. Bu
işlərin nəticələrindən istifadə edərək Killinqin invariant kvadratik formasının ifadəsi tapılmışdır, bu ifadə işdə verilmişdir.
TlGdS2 kristalının elektrik və istilik xassələri
Kərimova E.M., Mustafayeva S.N., Cabbarov A.İ.,
Həsənov N.Z., Kərimov R.N.
Fizika İnstitutu, AMEA
TlGdS2 birləşməsi laylı romboedrik sinqoniyada kristallaşır və qəfəs sabitinin parametrləri: a = 4.048 Å; c = 22.40 Å;
V = 3.28  10-6 Å3 (M. Duczmal et al. Acta Phys. Polonika.
2000.V. 97. N 5. P. 839). Aşağıda elementlərdən sintez olun127
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
muş TlGdS2-nin elektrikkeçiriciliyinin və termo-e.h.q-nin
temperaturdan asılılığının tədqiqinin nəticələri verilir.
TlGdS2-nin keçiriciliyinin temperaturdan asılılığı Arrenius
koordinatında bir neçə hissədən ibarətdir. Yüksək temperaturlu
(500-1000 K) eksponensial əyrinin meyliliyindən TlGdS2-nin
qadağan olunmuş zolağın eni təyin edilmişdir Eg = 1.3 eV. T =
250-373 K sahəsində 2-ci eksponensial hissə müşahidə olunmuşdur. Bu sahədə əyrinin meyliliyindən kristaldakı aşqarların
energetik səviyyənin aktivləşmə enerjisi təyin edilmişdir Et =
0.2 eV. 250 K-dən aşağı temperaturlarda keçiriciliyin temperat
asılılığında sabit meylilik müşahidə olunmur.
Temperaturun T = 140 K-ə qədər azalması ilə Et monoton
azalır. TlGdS2 kristalında bu tip keçiricilik Fermi səviyyəsi
yaxınlığındakı hallar üzrə sıçrayışla baş verir.
Kristalın qadağan olunmuş zonadakı yükdaşıyıcıların
lokallaşmış halının parametri NF = 1.25  1018 eV-1∙sm-3 və
energetik səpilməsi E = 128 meV qiymətləndirilmişdir.
Aşağı temperaturlarda (170-250K) sıçrayışların orta məsafəsi Ror = 144 Å, aktivləşmə enerjisinin orta qiyməti W=114
meV, həmçinin sabit cərəyanda keçiriciliyə səbəb olan dərin
yükdaşıyıcı tutucuların qatılığı Nt=1.61017 sm-3 müəyyən
edilmişdir.
Temperaturun 170 K-dən 114 K-ə qədər sonrakı azalmasında TlGdS2 kristalının keçiriciliyi temperaturdan asılı olmur. Bu halı bir lokal səviyyədən o birisinə fonon udulması
zamanı sıçrayışın baş verməsi ilə bağlamaq olar.
T<110 K-dən aşağı temperaturlarda (82-85K) keçiriciliyin
artması müşahidə olunur. TlGdS2-i üçün Küri nöqtəsi 77-85 Kdir; bu birləşmə ferromaqnetikdir və effektiv maqnit momenti
eff = 9.4 B bərabərdir (eff = 7.85 B; M.Duczmal et al. 2000).
TlGdS2-nin termo-e.h.q.-i temperaturdan asılılığındada
T<100 K-də anomal hal müşahidə olunur; 77-373K-də termoe.h.q-nin işarəsi müsbətdir ki, bu da TlGdS2-nin p-tip yarımkeçirici olduğunu göstərir. T = 373 K-də termo-e.h.q.-i mak128
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
simal qiymət alır: α = 118.2 V/K.
TlGdS2-nin elektrikkeçiriciliyinin, Holl effektinin və
termo-e.h.q.-nin öyrənilməsi nəticəsində yürüklüyün qiyməti
və onun temperaturdan müəyyən edilmişdir:   T-3/2. Bu hal
yükdaşıyıcıların akustik rəqslərdən səpilməsinə uyğundur.
TlGdS2-i üçün 300 K-də  = 160 sm2/Vs olmuşdur.
Tədqiq olunan TlGdS2-in nümunələrinin istilikkeçirməsi
stasionar rejimdə kvarsdan hazırlanmış etalona (2 ədəd) nisbətən müqayisə üsulu ilə ölçülmüşdür. Etalon əridilmiş kvarsdan
ona görə seçilmişdir ki, onun istilikkeçirmə əmsalı tədqiq
olunan TlGdS2-in istilikkeçirmə əmsalı ilə eyni tərtibdədir.
TlGdS2 birləşməsində 77-650 K temperatur intervalında
ümumi istilikkeçirmənin qiyməti qəfəsin istilikkeçirməsinə uyğun gəlir. Videman-Frans qanununa görə hesablanmış elektronların hesabına yaranan istilikkeçirmənin qiyməti æ = 10-8
VtmK olur.
İstilik keçirmənin temperaturdan asılılığında æ~T-1 qanunu
müşahidə olunur ki, bunuda üçfononlu proseslərin olması ilə
bağlamaq olar. TlGdS2-i üchün 300 K-də æ = 0.0562 Vt∙sm1 -1
∙K -dir.
129
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
YARIMKEÇİRİCİLƏR FİZİKASI
Кристаллы GaSe и InSe в оптоэлектронике
Кязым-заде А.Г., Салманов В.М., Салманова А.А.
Бакинский Государственный Университет
Кристаллы GaSe и InSe привлекают наибольшее
внимание исследователей среди полупроводников класса
III-VI. Являясь типичной слоистой структурой, основанной
на ковалентно-ионном и ван-дер- ваальсовом типах химических связи, и как следствие, обладая высокой анизотропией свойств, они представляют интерес как с теоретической, так и с экспериментальной точек зрения. Эти
кристаллы широко используются в нелинейной оптике,
могут применяться для создания детекторов ядерных
частиц, фотоприемников и лазеров в терагерцовом диапазоне. В полупроводниковой технологии они используются
как буферный слой при выращивании эпитаксиальных
структур с рассогласованными параметрами решеток, а
также входит в число соединений, которые могут образовывать нанотрубки. Наличие экситонного пика у края
фундаментального поглощения, обладание шириной запрещенных зон, находящихся в области генерации современных лазеров, в совокупности с их нелинейными свойствами обусловливает востребованность кристаллов GaSe
и InSe в бурно развивающейся оптоэлектронике.
В настоящей работе приведены экспериментальные
результаты исследования нелинейного поглощения в
слоистых кристаллов GaSe и InSe при лазерном возбуждении.
Исследования проводились на специально нелегированных кристаллах р-GaSe и n-InSe, выращенных методом Бриджмена. В качестве источников излучения были
130
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
использованы YAG:Nd+3 лазер (=1064 нм) и жидкостной
лазер (область перестройки длин волн =594-643нм). В
работе применялось двухлучевой метод исследования с
применением нестационарной цифровой системы, включала в себя запоминающий осциллограф и компьютерную
систему.
На рис.1,а представлена зависимость величины
коэффициента пропускания монокристаллов InSe при Т=77
К от интенсивности излучения при возбуждении кристаллов светом с энергией кванта hν=1.327 эВ. Эта энергия
соответствует резонансному экситонному поглощению
InSe. Как видно из рисунка, наблюдается нелинейное
поглощение в области экситонного резонанса и происходит просветление образца на указанной частоте излучения
при высоких уровнях возбуждения. На рис.1,б представлены спектральные зависимости оптической плотности
монокристалла InSe. Как видно из рисунка, с увеличение
мощности накачки происходит уменьшение и расширение
экситонного пика. Оптическая плотность исследованных
кристаллов уменьшается примерно в три раза при
увеличении мощности возбуждения до 0,8 ГВт/см2. Понашему мнению, экспериментально наблюдаемое нелинейное поглощение света в области экситонного резонанса
в слоистых кристаллах InSe может быть объяснено
процессом экранирования экситонов плазмой неравновесных носителей, генерированными лазерным светом (переход Мотта). Оценки показывает, что критическая концентрация, необходимая для моттовского перехода в InSe равна
nMотт = 2,5  1016 см 3 . Плотность неравновесных носителей,
создаваемых лазерным светом в InSe оказалось равным
4,5х1019см-3. Видно, что полученные нами значения концентрации неравновесных носителей на три порядка
превышает плотность экситонов, необходимую для моттовского перехода.
131
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
В кристаллах GaSe при высоких уровнях оптического возбуждения также наблюдается нелинейное поглощение, при высоких уровнях возбуждения происходит
уменьшение оптического поглощения и сдвиг края полосы
поглощения в сторону высоких энергий. Максимальное
изменение поглощения () имеет место в непосредственной близости от запрещенной зоны. Экспериментально
найденные значения () были сопоставлены с теоретическими значениями.
Рис.1. а - Зависимость коэффициента пропускания InSe от
интенсивности возбуждения, б - Спектры поглощения InSe при
различных интенсивностях возбуждения Iнак.(МВт/см2): 1 - 0, 2-12, 360, 4-250, 5-600.
Изменение коэффициента
вычислить по формуле
 ( ' )   0 ( ' )21/ 2 (
поглощения

можно
h 3 / 2
3/ 2
3/ 2
) ne me
exp( Ec / k BT )  nh mh
exp( Ev / k BT )
k BT
 (1)
где
Ec  ( '  Eg' ) /(1  me / mh )
(2)
Ev  ( '  Eg' ) /(1  mh / me )
(3)
 0 ( ' ) - коэффициент поглощения при низких уровнях
возбуждения для фотона с энергией ( ' ) , me- эффективная масса электрона, mh- эффективная масса дырки, ne и
132
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
nh- концентрация свободных электронов и свободных
дырок, соответственно. Eg' - перенормированная запрещенная зона, которая следует от обменного и корреляционного
эффекта при высоких плотностях.
Зная величины me = 0,3m0, mh = 0,2m0 и вычислив
значении ne, nh, Eg' , Ec, Ev по формуле (1) найдем, что
относительное изменение   100% для GaSe составляет
0
12%. Это значение близко к экспериментально найденному значению, которое составляет 15%. Незначительная разница между теоретическими и экспериментальными результатами может быть обусловлена тем
фактом, что в формуле (2) не учитывается экситонное
взаимодействие, хотя в широкозонных полупроводниках,
таких как GaSe, кулоновский электронно-дырочный
корреляционный эффект должен быть учтен. Учет экситонного взаимодействия в конечном итоге приведет к
более точному определению нелинейного поглощения. По
нашему мнению, наблюдаемое нелинейное поглощение в
GaSe около запрещенной зоны может быть обусловлено
эффектом оптического заполнения зон электронами и дырками, генерированные лазерным светом. Действительно,
неравновесные носители, созданные лазерным излучением,
в результате быстрой релаксации до термического
распределения, блокируют дальнейшее поглощение на
краю полосы поглощения. Это приводит к просветлению
края поглощения и его сдвигу в сторону высоких энергий.
В этом случае оптическое поглощение становится отрицательным и это приводит к усилению света, прошедшего
через образец, что является предпосылкой для создания
полупроводникового лазера на основе кристаллов GaSe.
133
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Расчет зонной структуры и оптических функций
тройных соединений InGaSe2 , InGaTe2
Годжаев Э.М., Абдурахманова У.С., Алиева П.Ф.
Азербайджанский Технический Университет
Для расчета зонной структуры
InGaTe2 опти0
0
мизированные параметры решетки а=8.3945 A , с=6.8352 A ,
параметры халькогена х=0.1730 [1]. Результаты расчета
зонной структуры приводятся на рис.1а. Как видно из
рисунка валентная зона InGaTe2 состоит из трех подзон.
Нижняя подзона, состоящая из четырех зон, отдалена от
остальных широким энергетическим зазором порядка ~6
эВ. Нижние валентные зоны расположенные около -10  11 эВ обязаны своим происхождением 5s-состояниям Te.
Следующая группа из четырех валентных зон расположенная на энергетическом уровне около -5 эВ, происходит
в основном из s-состояний атомов In и Ga.
б)
а)
Рис. 1. Зонные структуры
InGaTe2 (а), InGaSe2 (б)
134
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Оставшаяся большая группа из десяти зон шириной
5 эВ происходит из р -состояний атомов In, Ga и Te.
Ширина запрещенной зоны из наших расчетов получается
0.56 эВ. В данной работе исследован и зонный спектр
кристалла InGaSe2 . Оптимизированные параметры решет0
0
ки а=8.0138 A , с=6.9534 A , параметры халькогена
х=0.1720 [2]. Зонный спектр InGaSe2 представлен на рис.
1б. За нуль энергии выбран потолок валентной зоны.
Основной чертой валентной зоны является то, что она
состоит из ярко выраженных трех подзон, разделенных
запрещенными участками энергий. Самая низкая подзона,
состоящая из четырех зон, лежит обособленно, около
-10  -11еV и отдалена от остальных широким энергетическим зазором порядка ~6 еV. Результаты теоретико–
группового анализа с использованием свойств симметрии
кристалла InGaSe2 показывают, что эти валентные зоны
обязаны своим происхождением 5s-состояниям Se. Следующая группа, расположенная на энергетическом уровне
около -5 еV, состоит из четырех валентных зон, образованных из 5s-состояний атомов In и 4s-состояний атомов
Ga. Самая верхняя подзона, состоящая из десяти зон
шириной ~5 еV, происходит в основном из р -состояний
атомов In, Ga и Se.
1. Gonze X., Beuken J.-M., Caracas R., Detraux F., Fuchs M., Rignanese
G.-M., Sindic L., Verstraete M., Zerah G., Jollet F., Torrent M., Roy A.,
Mikami M., Ghosez Ph., Raty J.-Y., D.C. First-principles computation of
material properties : the ABINIT software project // Allan. Computational
Materials Science 25. 478-492 (2002).
2. Mobarak M., Berger H., Lorusso G. F., Capozzi V., Perna G., Ibrahim M.
M., Margaritondo G. The growth and characterization of GaInSe2 single
crystals // J. Phys. D: Appl. Phys., 1997. 30. p. 2509-2516.
135
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Диэлектрические свойства композиций с
полупроводниковой и нанодобавкой
Ахмедова Х.Р., Годжаев Э.М.
Азербайджанский Технический Университет
Частотная зависимость диэлектрической проницаемости впервые исследовались в композитах ПЭ  TlInSe2 [1-2]
с алюминиевой наночастицей. В интервале 25Гц-1МГц
композиты с алюминиевой наночастицей также были
получены выше изложенной технологией. Как следует из
рисунка 1б во всем исследованном частотном диапазоне
происходит незначительное уменьшение ε с увеличением
частоты. Наблюдается слабовыраженный максимум при
частоте 200 Гц. Некоторое исключение составляет композит 90об.% ПЭ  5об%TlInSe 2  5об.%Al для которого происходит увеличение ε в интервале частот 100 кГц-1МГц. В
целом, с добавлением алюминиевой наночастиц в состав
композитов их диэлектрическая проницаемость остается
б)
a)
Рисунок 1. Частотные зависимости диэлектрической
проницаемости (а) и диэлектрических потерь tgδ(ν) (б): 2-x=3; 3-x=1;
4 - x=5 ), хоб%ПЭ+хоб.%TlİnSe2 + уоб.% Al (1-x=7, у= 3; 2-x=10,
у=10; 3-x=3, у=7; 4 - x=5 , у=5 ) композиций
практически постоянной во всём исследованном частотном
диапазоне, т.е. дисперсия в спектре ε(ω) не наблюдается.
Исследования проводились и на композитах ПЭ+
136
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
TlInSe 2 с алюминиевой наночастицей. Как следует из
рисунка 1а, для всех исследованных композитов tgδ(ν)
зависимость имеет одинаковый характер, т.е. при малых
частотах для композитов 90об.%ПЭ  5об%TlInSe 2  5об.%Al ,
наблюдается
уменьшение
80об.% ПЭ  10об %TlInSe  10об.%Al
максимума при частоте 200Гц, минимум при 500Гц, далее
увеличение до частоты 100КГц и незначительное
уменьшение
до
1МГц.
Для
композитов
;
90
об
.%
ПЭ

7
об
%
TlInSe

3об.%Al при
90об.% ПЭ  3об %TlInSe  7об.%Al
низких частотах (25-100Гц) наблюдается слабое, а дальше
сильное увеличение и максимум при 200 Гц, глубокий
минимум при частоте 500Гц. Следует отметить, что
изменение tgδ с ростом частоты происходит аналогично с
другими композитами.
2
2
2
1. Годжаев Э.М., Магеррамов А.М., Османова С.С., Нуриев М.А.,
Аллахяров Э.А. Зарядовое состояние композиций на основе
полиэтилена с полупроводниковым наполнителем TlInSe 2.
Электронная обработка материалов. 2007,43(2),84–88.
2. Годжаев Э.М., Магеррамов А.М., Сафарова С.И., Нуриев М.А.,
Рагимов Р.С. Диэлектрические свойства полимерных композитов с
полупроводниковым наполнителем TlInSe2. Электронная обработка
материалов. 2008, 44(6), 66–71.
Полиморфные превращения и коэффициенты
теплового расширения в кристалле AgCuS
Алыев Ю.И., Асадов Ю.Г., Ганизаде Г.Ф.
Институт Физики НАН Азербайджана,
Предлагаемая работа посвящена исследованию полиморфных превращений в AgCuS. Бинарные соединения
Ag2S и Cu2S плавятся конгруэнтно при 1111 К и 1403 К [12] и оба при повышении температуры претерпевают
137
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
нескольких структурных превращений. Показано, что в
области высоких температур оба соединения Ag2S и Cu2S
имеют ГЦК структуру, поэтому они образуют непрерывный ряд твердых растворов с минимумом при температуре
913 К и составе 43-45 моль% Ag2S. Для получения
гомогених образцов использован метод прямого синтеза.
Монокристаллы исследуемых составов выращены по
методу Бриджмена.
Структура AgCuS дефектная с недостатком атомов Ag
и, возможно, атомы Cu частично занимают положение
атомов Ag. В соединении AgCuS соотношение Ag:Сu
близко к 1:1.
Высокотемпературные исследования полученных
кристаллов проводились на дифрактометре ДРОН-3М с
высокотемпературной приставкой УРВТ-200, обеспечивающей вакуум 10-2Па.
Из температурной зависимости параметров кристаллической решетки обнаруженных при полиморфных
превращениях модификаций рассчитаны коэффициенты
теплового расширения. Выявлена, что одной из причин
температурной нестабильности модификаций AgCuS
является анизотропия теплового расширения по основным
кристаллографическим направлениям.
1.
2.
Крестовников А.Н., Менделебур А.Ю., Глазов В.М. Фазовое
равновесие в системе Cu2S-Ag2S // Неорган. материалы. 1968.
Т.4. №7. С.1280–1281.
Pierre P, Clande Y. Relations activite composition daus les
solutions solides Ag2S-Cu2S // Rev. Chem. Miner. 1971. V.8. №1.
P.87–97.
138
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Cu1.95 Ni0, 05 S kristallarında quruluş faza çevrilmələri
1Nəsirov
V.İ., 1Rzayeva A.G., 2Hüseynov Q.H.
1Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universiteti
2AMEA-nın akad. H.M.Abdullayev adına Fizika İnstitutu
Cu-S sistemində olduqca mürəkkəb qarşılıqlı kimyəvi təsir
prosesləri nəticəsində müxtəlif birləşmələrdə çoxsaylı fazalar
və mürəkkəb kristal quruluşları reallaşır. Kristal quruluşlarının
mürəkkəbliyi ilk növbədə bu fazalarda baş verən polimorf çevrilmələrin mövcudluğu, mis atomlarının asanlıqla öz valent hallarını dəyişə bilmələri və yüksək miqrasiya qabiliyyətinə malik
olmaları ilə bağlıdır. Cu-S sistem birləşmələrində Cu atomları
iki müxtəlif valent halında (Cu2+, Cu1+) paylana bildiyindən bir
neçə qeyri-stexiometrik birləşmə də alınır ki, bunlar da unikal
xassələrə malikdir.
Tərkib-quruluş-xassə əlaqələrinin müəyyənləşdirilməsi verilmiş xassələrə malik quruluşların əldə olunması üçün vacib
şərtlərdən biri olub, bu da, fazaların yaranma şəraitini, quruluş
faza çevrilmələrinin mexanizmini, izomorf kation və anion
əvəz olunmalarının quruluş çevrilmələrinin xarakterinə və temperaturuna təsirini tədqiq etməyi tələb edir. Buna görə də təqdim olunan işdə Cu2 S kristallarında Cu atomlarının Ni atomları ilə qismən əvəz olunmasının həmin birləşmədə quruluş faza çevrilmələrinin xarakterinə təsiri tədqiq olunmuşdur.
Hər şeydən əvəl qeyd edək ki, 1 və 2-yə görə Cu2 S
otaq temperaturunda rombik qəfəsdə kristallaşır. 3-ə görə isə
bu qəfəs T=738K temperaturda heksoqonal qəfəsə çevrilir.
Cu1.95 Ni0, 05 S kristallarını almaq üçün ilkin elementlər kimi
B-3 markalı mis OCЧ markalı kükürd və XЧ markalı nikel götürülərək 4-də təklif olunan metodika üzrə sintez olunmuş və
Bricmen üsulu ilə monokristalları alınmışdır.
Tədqiqatlar Bruker Firmanın D8 ADVANCE rentgendif139
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
raktometrində 40kV, 40mA rejimində Cu K şüalanmasıda

(  1,5406 A) TTK 450K tipli temperatur kamerasında aparılmışdır. Nümunələr ovuntu şəklinə salınaraq o   2  80  bucaq, T=300-750K temperatur intervalında tədqiqatlar aparılmışdır. T=300K temperaturda alınan difraktoqramın ТОПАС
proqramı ilə indekslənməsi göstərmişdir ki, Cu1.95 Ni0, 05 S birləşməsi ortorombik qəfəsdə kristallaşmışdır. EVA proqramı ilə
həmin kristal qəfəsinin parametrləri


üçün
a  13.50 A,

b  27.32 A, c  11.85 A alınmışdır. Kristalı verilmiş temperaturda 30 dəqiqə saxlamaqla hər 5 dəqiqədən bir çəkilişlər
aparılmış və T  750 K -də kristalda quruluş çevrilmələri baş
vermişdir. T  750 K temperaturda alınan difraktoqram para
metrləri a  3,961A, c  b,792 A, fəza qrupu P2 3 / mmc olan heksoqonal qəfəsdə indekslənmişdir. Kristaldan çəkilən difraqtoqramlar şəkil 1-də verilmişdir.
T=750K
T=350K
Şəkil 1. Cu1,95 Ni0, 05 S - kristalının difraktoqramı.
Kristal soyudularkən T=500K temperatura kimi heksa140
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
qonal fazadan alınan difraksiya əksolunmalarının sayı dəyişməmiş, T=450K temperaturda eyni zamanda iki faza-heksaqonal və ortorombik fazalar mövcud olmuşdur. T=400K temperaturda iki fazalı kristal bir fazalı kristala çevrilmiş və ortorombik quruluşa malik olmuşdur. Beleliklə, bele nəticəyə gəlmək
olar ki, Cu1.95 Ni0, 05 S kristallarında 300-750K temperatur intervalında quruluş faza çevrilmələri enantiotrop olub ortorombikheksaqonal sxemi üzrə baş verir. Yüksək temperatur fazasına
keçid 750K, əks keçid isə 400K temperaturda müşahidə olunur.
Cu2 S -də Cu atomlarının N i atomları ilə qismən əvəz olunması qəfəs parametrlərinin və çevrilmə temperaturunun dəyişməsinə səbəb olur.
1.N.Alsen- Ged.Forening. İ.Stokholm, Forhand, v.52, p. 111-120, 1931.
2.M.J.Buerger, N.W. Buerger, Amer. Miner, v.29, N 1-2, p-55-65, 1944.
3.S.Djurle. Acta Chem. Skand, v.12, N 7, p.1415-1427, 1958
4.Л.В.Рустамов, Ю.Г.Асадов, Г.Б.Гасымов. Докл. АН Азерб. №7,
стр22, 1989.
Процесс старения пп кристаллов AIIIBIIICVI2
1Алиев
В.А., 2Гусейнов Г.И., 1Исмаилова П.Г.
физики НАН Азербайджана
2Азербайжанский Архитектурный и Строительный
Университет
1Институт
Проблема воспроизводимости рабочих характеристик
полупроводниковых (ПП) приборов упирается к гомогенности фазового состава активного элемента и учета физико-химических характеристик, играющих роль в кристаллизации. Незначительные отклонения от стехиометрии
приводят к образованию собственных дефектов и вызывают весьма существенные изменения их физических
свойств [1].
141
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Примеси, создающие глубокие состояния в ПП, как
правило, обладают высокой миграционной способностью и
ответственны за наблюдаемую деградацию приборов [2].
Физико-химические критерии образования соединений
III III VI
A B C 2 считаются установленными. Однако, в результате политипизма, структура этих кристаллов сильно
зависит от деталей технологического процесса, и непредсказуемы. Поэтому, воспроизводимость рабочих характеристик кристаллов AIIIBIIICVI2 также большая проблема. До наших исследований, сведения относительно
старения ПП приборов изготовленных на основе активных
элементов AIIIBIIICVI2 в литературе практически отсутствовали, что связано новизной материалов.
Соединения AIIIBIIICVI2 склонны к переохлаждению
[3]. Поэтому, наиболее доступным методом выращивания
крупных слитков считается метод Бриджмена, где высокий
Т-градиент в зоне выращивания противопоставляется
явлению переохлаждения, величина которой составляет
60-65 К. Однако, увеличение Т-градиента создает высокие
термические напряжения, также отрицательно отражающиеся на качестве кристаллов и воспроизводимости их
рабочих характеристик. Каждый цикл нагрев-охлаждение
при измерениях приводит к перераспределению внутреннего напряжения и разбросу рабочих характеристик.
Нами проводилось изучение воспроизводимости рабочих характеристик фоторезисторов на основе TlInS2,
типичного представителя класса AIIIBIIICVI2. Из каждой
технологической партии были изготовлены 10 фоторезисторов с одинаковыми размерами активного элемента. В качестве рабочей характеристики для контроля
воспроизводимости во времени выбрали коэффициент
интегральной фоточувствительность при освещении белым
светом лампы накаливания 400 лк при комнатной температуре. Измерения проводились с перерывами 10 дней в
142
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
течение 3 месяцев. Наблюдалось уменьшение интегральной чувствительности и увеличение удельного темного сопротивления фоторезисторов. Для отдельных образцов разброс характеристик во времени достигал 60%.
Таким образом, по предварительным результатам можно констатировать существование проблемы воспроизводимости рабочих характеристик ПП приборов изготовленных на основе активных элементов кристаллов
AIIIBIIICVI2.
[1]. Crystal Engineering: From Molecules and Crystals to
Materials. (ed. By D.Braga et al.), Kluwer Academic
Publishers, Boston, 1999, pp.421-441.
[2]. Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в
полупроводниках. М.: Мир, 1977.
[3]. Алиев В.А. Автореферат докторской диссертации. Баку, БГУ,
1997.
Сравнение теоретических расчетов с
экспериментальными результатами магнитной
проницаемости полимерных магнитных композиций
1Керимли
С.Дж., 2Рамазанов М.А., 1Садыхов Р.З.
Физики НАН Азербайджана
2Бакинский Государственный Университет
1Институт
В композиционных магнитных материалах магнитные характеристики сложным образом зависят от объемной доли, размера и формы частиц магнитных компонентов, их пространственного расположения в объеме диэлектрика. В наполненных ферромагнитных композициях
важный вклад в магнитную проницаемость вносит также
степень магнитной текстуры материала, благодаря наличию у них сильной магнитной анизотропии.
143
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Известно, что магнитная проницаемость материала
зависит от проницаемости ферритового наполнителя и от
степени наполнения. Зависимости магнитной проницаемости композиции к от содержания наполнителя изучена
многими авторами, но нет строго обоснованной формулы,
отражающей зависимость магнитной проницаемости композиции от магнитной проницаемости ферритового
наполнителя ф и коэффициента объемного наполнения p с
учетом формы частиц, их дисперсности, частоты внешнего
магнитного поля. С целью выяснения межфазных взаимодействий между компонентами композиций и влияния
магнитной проницаемости () наполнителя на магнитные
свойства нами проведено сопоставление теоретических и
экспериментальных значений магнитной проницаемости
композиций ПВДФ + NiZnO2, ПЭВП+ NiZnO2, ПЭВП +
+ NiMnFe2O6, ПВДФ + NiMnFe2O6, ПВДФ + BaO(Fe2O3)6,
ПЭВП + BaO(Fe2O3)6. Используя формулы Лихтенекера,
Оллендорфа и Кондорского–Оделевского, теоретически
рассчитаны магнитные проницаемости композиций от
объемного содержания наполнителя и сопоставлены с
экспериментальными значениями.
Проведенные расчеты показали, что теоретические
значения магнитной проницаемости, рассчитанных по
формуле Кондорского– Оделевского и экспериментальные
значения магнитной проницаемости композиции не согласуются при концентрациях выше 30% наполнителя, а при
низких концентрациях экспериментальные и теоретические значения магнитных проницаемостей хорошо согласуются. Также показано, что теоретические значения магнитной проницаемости рассчитанных по формуле Лихтенекера и экспериментальные значения магнитной проницаемости композиций согласуются при низких концентрациях, а при относительно высоких концентрациях не
согласуются.
Теоретические расчеты и эксперимен144
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
тальные результаты показали, что магнитные проницаемости рассчитанных по формуле Оллендорфа хорошо
согласуются с экспериментальными результатами, т.е.
закономерность изменения магнитных проницаемостей от
объемного содержания хорошо согласуются, однако значения μ не совпадают с экспериментальными значениями.
Таким образом, можно сделать вывод о том, что некоторое
расхождение теоретических и экспериментальных значений магнитной проницаемости композиции, связано с тем,
что в этих формулах не учтено межфазное взаимодействие
между компонентами композиций и взаимодействия соседних частиц.
K0,985Rb0,015NO3 kristallarında polimorf çevrilmələrin
rentgenoqrafik tədqiqi
Nəsirov V.İ., Bayramov R.B., Həziyeva A.F.
AMEA N.M.Abdullayev adına Fizika İnstitutu
bayramov.razim@mail.ru
Qələvi metalların nitrat birləşmələrində polimorf çevrilmələrin tədqiqi həm elmi və həm də böyük praktik əhəmiyyətə
malikdir. Belə ki, bu proses polimorfizmə malik qarışıq tərkibli
monokristalların alınma texnologiyası ilə sıx əlaqəlidir.
Otaq temperaturundan ərimə temperaturuna kimi kalium nitratda bir 1-3, rubidium nitratda isə üç polimorf çevrilmə baş
verir 4-7. KNO3-də temperaturun təsiri ilə baş verən rombik
(II) romboedrik (I) quruluş çevrilməsi baş verdiyi halda, soyuma zamanı T<397K temperaturda daha bir modifikasiya (III)
müşahidə edilə bilir. Həmin III modifikasiyanın qəfəs parametrləri I modifikasiyanın qəfəs parametrlərindən fərqlənir.
Sonrakı soyuma nəticəsində romboedrik (III) rombik (II) quruluş çevrilməsi baş verir. Beləliklə kalium nitratda quruluş
145
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
çevrilmələri aşağıdakı sxem üzrə baş verir:
RbNO3-də isə polimorf çevrilmə aşağıdakı sxem üzrə gedir:
Təqdim olunan iş KNO3 kristallarında K+ ionlarının Rb+
ionları ilə qismən əvəz olunması nəticəsində alınan
K0,985Rb0,015NO3 kristallarında polimorf çevrilmənin tədqiqinə
rombik
rombik
romboedrik
a=4,41Å
a=7,41Å
a=4,35Å
a=4,41Å
0

0

b=9,17Å T>400К =44 35 T<630К =76 51 T<383К b=9,17Å
fəza qr.
fəza qr.
c=6,42Å
c=6,42Å
fəza qr.
R3 m
R3 m
fəza qr.
Pnma
Pnma
kubik
triqonal
romboedrik
kubik
a=7,32Å
a=4,30Å
a=5,48Å
a=10,48Å
c=7,45Å T>437К fəza qr. T>492К c=10,71Å T>564К fəza qr.
Fm3m
fəza qr.
Fm3m
fəza qr.
P31(P32)
R3 m
həsr olunmuşdur. Nümunələr ilk dəfə alınaraq öyrənilmişdir.
K0,985Rb0,015NO3 kristalları otaq tenperaturunda “ЧДА” markalı
KNO3 və “ХЧ” markalı RbNO3-ün suda məhlulundan izotermik
kristallaşma
üsulu
ilə
alınmışdır.
Nümunələrin
mükəmməlliyinə və təmizliyinə nail olmaq üçün ilkin maddələr
çoxsaylı kristallaşmaya məruz edilmişdir.
Rentgenoqrafik tədqiqatlar Bruker firmasının D8 ADVANCE
rentgendifraktometrində aparılmışdır. Qurğu TTK 450K tipli
77<T<722K temperatur intervalında işləyən qızdırıcı kamera
ilə təmin olunmuşdur. T=400K təmperaturda 1002800 bucaq intervalında aparılan çəkilişlər zamanı 19 dəqiq difraksiya
əks olunmaları müşahidə edilmiş və həmin əks olunmalar parametrləri a=5,432Å, b=9,19Å, c=6,54Å, fəza qrupu Pmcn
olan rombik qəfəsdə indekslənmişdir. Nümunənin hər 5K-dən
bir çəkilişləri aparılmış, çəkiliş aparılmamışdan kristal həmin
temperaturda 30 dəqiqə saxlanılmışdır. T>450K temperaturda
tədqiq olunan kristalda quruluş çevrilməsi baş vermişdir.
Kristaldan çəkilən difraktoqram şəkil 1-də verilmişdir. Həmin
146
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
temperaturda rombik qəfəs parametrləri a=5,425Å, c=9,836Å,
fəza qrupu R3 m olan romboedrik qəfəsə çevrilmişdir. Sonrakı
müşahidələr göstərmişdik ki, ərimə temperaturuna kimi tədqiq
olunan kristallarda polimirf çevrilmə baş vermir. Beləliklə,
K0,985Rb0,015NO3 kristallarında quruluş faza çevrilmələri aşağıdakı sxemi üzrə gedir:
rombik
romboedrik
a=5,42Å
a=5,432Å
c=9,836
Å
b=9,19Å
T>450К
c=6,54Å
fəza qr. R3 m
fəza qr. Pmcn
Əks çevrilmələr zamanı tədqiq olunan kristallarda romboedrik
(I) və rombik (II) modifikasiyalar arasındakı aralıq IIImodifikasiya müşahidə olunmamışdır.
450K
400K
Şəkil 1. K0,985Rb0,015NO3 kristalının difraktoqramı.
1.D.A.Edward., Z.Krist., 80, 1943, p.154.
2.P.E.Tahvonen., Ann. Acad. Sci. Fennical, ser. A, N. 44, 1947, p.20.
3.P.W.Bridgman., Pros. Am. Acad. Arts. Sci. v. 52, 1916, p.57-88.
4.R.N.Brown, A.C.McLaren., Asta Cryst.,v.15, N.10, 1962, p.974-976.
5.M.Shamsuzzona, B.W.Lucas. Canad. J. Chem., v. 66, 1988, p. 819-823.
6.R.N.Brown, A.C.McLaren. Proc.Roy. Soc. Ser. A, v.266, 1962, p.329343.
7. L.Pauling, J.Sherman. J. Chem. Phys., 42, 4, 1966, p.1318-1325.
147
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Создание солнечных элементов на основе а-SiС/а-Si
Гаджиев Х.Ф.
Азербайджанский Университет Архитектуры и
Строительства
В данной работе рассматриваются физические параметры пленок a  Si1 xCx : H , a  Si : H и создание солнечных элементов па их основе.
При получении пленок скорость осаждения материала

на подложку была 0.3 = A /с. а расстояние между мишенью и
подложкой L  25см и температура подложки Ts=200()С.
Пленки гидрогенизированном аморфном кремния углерода
(а-Si1-xСх:Н) и кремния (а-Si:Н) полученным методом
плазменного разложения газовой смеси (SiH 4  CH4 ) и SiН4 .
Содержание водорода. Н, в пленках определялась с помощью
уравнения:
(1) .
NH  A J
 ( )
d , A - коэффициент пропорциональности,
где J 

равный 1,4-1020см-2. Для определения концентрации
водорода (NH) в пленке основным выбирались спектры
поглощения С-Н связи в области 2800-3000 см-1, которые
коэффициент поглощения   3  102 cм 1 . При этом NH имело
значение 2,110 22 см-3 Коэффициент оптического поглощения
 в области края фундаментального поглощения достигал
105см-1. Температурная зависимость темповой проводимости
 (Т) от 1/Т показывает, что в интервале 400К<Т< 80К,
кривая имеет две области: высокотемпературную область,
выше 150°К, которая описывается формулой :
   0  exp( E / kT )
(2) .
где  E -энергия активации проводимости,  0 -предэкспо148
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
непциальный множитель, равный 10-3(Ом-см)-1. При температуре ниже 1500К проводимость характеризуется прыжковым механизмом и описывается следующей формулой:
1

(3)
 прыжка  1 exp  T0 / T 4 

T

18,1 3
 3  2
со значением
е -заряд
 
vФ e и T0 
kN ( E1 )
 4k 
электрона, vф -характеристическая фононная частота при
температуре Дебая ( vФ  2,7 1013 c 1 для SiC). k-постоянная
Больцмана.  -функция локализации. N(E1)-плотность
состояния на уровне Ферми. Т0 и  1 , определяются из
2
1
зависимости lg(   T 1/ 2 ) от Т
1/4
|2|. При этом было найдено,

что радиус локализации  =10 A , N ( E1 ) 1017см-3-эВ-1.
Элементы со структурами стекла /ОИО/р-а-SiС/i-n-а-Si были
получены следующим образом. Слой а-SiС:H р-типа,
легированный бором [В2Н6/(SiН4+СН4)=0,1%] и толщиной 30

A . осаждается на прозрачную проводящую пленку из
оксидов индия - олова (ОИО), предварительно папыдспную
на стеклянную подложку. Затем осаждался нелегированный i
слой а-Si:Н толщиной 7000А с последующим нанесением на
него слоя а-Si:Н n-типа, легированного фосфором (РН3/SiН4
=0,5%) толщиной 500А. Последним наносились контакты
сплавов Тi/Ag. Фотовольтаическая характеристика солнечного элемента на основе а-Si:Hс площадью 0,5 см2 освещались солнечным светом AМ-1 (100мВт/см2) элемент имеет
следующие показатели: напряжение холостого хода (V  )
0.92В. плотность тока короткого замыкания (1К3) 14.9
мА/см2, коэффициент заполнения (к3) 0.69. к.b.д. ( )
составляет 9,45%.
149
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
GdSnSe2 birləşməsində termo-e.h.q.-nin dəyişməsinə
maqnit sahəsinin təsiri
Murquzov M.İ., Hüseynov C.İ., Məmmədova R.F.,
Mövsümlü N.T.
Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universiteti
SnSe binar birləşməsində nadir torpaq metalları (NTM)
(Qadolliniumum Gd) iştirakı kinetik əmsalların (𝑅, 𝜎, 𝛼) yükdaşıyıcıların konsentrasiyasından və temperatur asılılıqlarında
əsaslı dəyişiklərin yaranmasına gətirir. NTM-də 4f səviyyəsinin elektronlarla tam dolmaması və daxili 4𝑓 − 5𝑑 − 6𝑠
keçid elektronlarının mütəhərrikliyi hesabına onların iştirakı ilə
yarımkeçiricilərin fiziki xassələrində bir sıra yeni xassələrin
yaranmasına səbəb olur.
Təqdim olunan işdə GdSnSe2 birləşməsində eninə və uzununa Nernest-Ettinqsqauzen (N-E) effektlərinin temperatur və
maqnit sahəsinin intesibliyindən sılılıqları tədqiq olunmuşdur.
𝜕Т
Eninə ∆𝛼 = 𝛼(Н) − 𝛼(0) və uzununna ℇу = −𝑄НЭ ∙ Н ∙ 𝜕х
N-E effektləri maqnit sahəsinin intesibliyindən asılı olaraq
nəzərə çarpacaq dərəcədə dəyişməsi müşahidə olunur. 100 K,
320 K temperaturlarda və müxtəlif intensivliklərdə alınan
nəticələr cədvəl 1-də verilmişdir.
Aşağı temperaturlarda (80-260 K) hər iki effek əmsalları
mənfi qiymətlər alır. T=265 K temperaturda inversiya
nöqtəsindən keçməklə yuxarı temperaturlarda müsbət qiymlər
alır. ℇу və ∆𝛼⁄𝛼0 -nın müxtəlif maqnit sahə intensivliyi
və temperaturlarda təyini ∆𝛼 -nın elektron və deşik keçiriciliyi
oblastlarında əks işarəli olduğunu göstərir. Bundan əlavə bir
növ yükdaşıyıcılı nümunədə temperatur intervalından asılı
olaraq ∆𝛼 əks işarəli qiymətlər alır və dəyişməsi monoton
olmur.
150
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
GdSnSe2
Uzununa termoehq ∆𝛼
Eninə NE effekti -ℇу
3
-41
-0,31
100 K
H (kErs)
6
11
-46
-0,35
-51
- 0,35
3
+25
+0,28
320 K
H (kErs)
6
11
+26
+0,26
+35
+0,21
Bu müxtəlif temperatur oblastlarında fərqli səpilmə mexanizmlərinin üstünlük təşkil etməsi ilə əlaqədardır. T=80-120 K
intervalında əsasən ion aşqarlarından səpilmə baş verir,
T=120-260 K temperaturunda akustik fononlardan səpilmə
üstünlük təşkil edir, N-E e.h.q.-si müsbət işarəli və
𝛼(Н) < 𝛼(0) olur. Temperaturun 260 K-dən yuxarı artımında
uzununa N-E effektinin dəyişməsində 𝛼(Н) > 𝛼(0) üstünlük
təşkil edir və yükdaşıyıcılar əsasən optik fononlardan və de3
fektlərdən sərilir, nəticədə eninə N-E effekti ℇу ~Н0,3 , Т− ⁄2
qanunları ilə dəyişir. Eninə və uzununa N-E effektlərinin belə
qeyri adi temperatur asılılıqlarını yalnız valent zonasının
mürəkkəb quruluşu ilə əlaqələndirmək çətindir. Zonalararası
səpilmə işarəsini dəyişmədən yalnız | ℇу | -nin qiymətini dəyişə
bilər. Ona görə də ℇу belə davranışını GdSnSe2 birləşməsində Gd komponentindən rezonans səpilmənin meydana gəlməsi ilə əlaqələndirmək olar.
Ce-la aşqarlanmış Dy2SnSe4 birləşməsində məxsusi
defektlərin istilik müqavimətinin dəyişməsindəki rolu
Murquzov M.İ., Məmmədova G.E.,Həsənova M.Ə.
Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universiteti
Təqdim olunan iş Serium (Ce) element atomları ilə aşqarlanmış Dy2SnSe4 <Ce>x (x= 0.005; 0.010) tərkibli nümunələrin
151
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
istilikkeçiriciliyinin təcrübədən alınmış qiymətlərinin və istilik
müqavimətinin təbiətinin araşdırılmasına həsr olunub. Təcrübələr T=(300  650) K temperatur intervalında aparılmışdır.
Dy2SnSe4 birləşməsi və onun Ce-la aşqarlanmış tərkiblər presləmə üsulu ilə alınmışdır. Nümunələrin istilikkeçiriciliyi mütləq stasionar rejimdə, kompensasiya üsulu ilə təyin edilmişdir.
Ölçmələr zamanı buraxılan xətalar 4.6 % dən çox olmamışdır.
Tərkiblər haqqında geniş informasiya əldə etmək üçün onların
ortaq temperaturunda digər kinetik parametrləri də təyin
olunmuşdur. Tərkiblərdə serium element atomlarının miqdarı
artdıqca onların elektrik keçiriciliyi yaxşılaşır. Termoe.h q-nin
(  ) qiyməti təxminən 2 dəfə artır, yükdaşıyıcıların konsentrasiyası uyğun olaraq: x= 0.005-də 1.2  1017 və 1.4  1017 sm-3,
yəni 9.1 və 27% artmışdır. Ümumi istilikkeçirmə əmsalının
qiyməti isə təqribən 5% artmışdır.
Tədqiqat işıəri orta temperatur (300  650)k  intervalında
aparıldığı üçün ümumi istilikkeçirmə əmsalının qiymətini
elektron və qəfəs istilikkeçirmə əmsallarının cəmi kimi qəbul
edərək elektron istilikkeçiriciliyi hesablanmışdır. Hel= 4düstur
Müəyyən olunmuşdur ki, ortaq temperaturunda elektron istilikkeçiriciliyinin qiyməti tərkiblərdə nisbətən artır və x=0.010
olan nümunədə elektron istilikkeçiriciliyinin qiyməti bir tərtib
artmışdır (cədvəl). Cədvəldən göründüyü kimi, tərkiblərdə
serium element atomlarının miqdarının artması həm elektron
istilikkeçiriciliyini və həm də qəfəs istilikkeçiriciciliyini yaxşılaşdırır. Ədəbiyyat materiallarından məlum olduğu kimi maddəyə qarşı aşqar kimi ağır metal atomları daxil etdikdə adətən
əlavə səpilmə mərkəzləri yaratdığından tərkiblərin istilikkeçiriciliyi azalmalı idi. Lakin bizim təcrübədə ilkin hesablamalar
göstərir ki, aşqar kimi daxil etdiyimiz Ce atomlarının miqdarının artması həm elektron və həm də qəfəs istilikkeçiriciliyini
yaxşılaşdırır (artırır). Buradan belə bir nəticə çıxarmaq olar ki,
aşqar element atomları Dy2SnSe4 birləşməsində əlavə səpilmə
152
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
mərkəzləri yaratmasına baxmayaraq vakant mərkəzlərini tutması hesabına istilikkeçiriciliyin yaxşılaşması əlavə səpilmə
mərkəzlərindən səpilmə hesabına olan istilik itkisindən daha
çoxdur. Bu səbəbdən Dy2SnSe4 kristalından onun Ce elementi
ilə aşqarlanmış tərkiblərə keçdikdə nümunələrin istilikkeçiriciliyi yaxşılaşır.
Dy2SnSe4 system ərintilərindən alınmış tərkiblərdə yaranan
defektlərin istilik müqavimətinin dəyişməsindəki rolunu dəqiqləşdirmək məqsədi ilə Hq və Hel-istilik keciriciklərinin ilkin
1
analizi aparılmış və  
istilik müqavimətinin temperatur
Hq
asılılığı analiz edilmişdir. Müəyyən edilmişdir ki, T= (300 
460)k temperatur intervalında  (T)-nin qiyməti T-dən çox zəif
asılıdır və qismən monoton, zəif dəyişir. T  460k- də isə istilik
müqavimətinin qeyri-xətti azalması müşahidə olunur. Temperaturun artması ilə bu qeyri-xətti azalma qismən intensivləşir.
T> 460k temperaturunda Hq~T-0.x qanunu ilə dəyişir. Bu isə
onunla izah olunur ki, istilik daşınmasında akustik fononlardan
səpilmə üstünlük təşkil edir.
İlkin analiz göstərir ki, Ce-element atomları ilə aşqarlanmış Dy2SnSe4<Ce>x nümunələrdə serium atomları vakan mərkəzlərini tutmaqla tərkiblərin defektlərdən qismən təmizlənməsi rolunu oynayır. Məhz bu səbəbdən tərkiblərdə Ce element atomlarının miqdarının artması ilə onları istilikkeçiriciliyi
qismən yaxşılaşır.
Dy2SnSe4 birləşməsinin kristallik quruluşu və
elektrofiziki xassələri
Hüseynov C.İ., Abdullayeva Ş.Y., Cəfərov T.A.
Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universiteti
Kompleks fiziki-kimyəvi analiz: diferensial termik, rent153
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
gen faza, mikroqurluş analizləri, həmminin mikrobərkliyin və
sıxlığın ölçülməsi ilə SnSe-Dy2Se3 sistemində qarşılıqlı təsirin
xarakteri öyrənilmiş və hal diaqramı qurulmuşdur. SnSe-nin
tərkibinə Dy2Se3 daxil edilməsi ilə kiçik oblastda bərk məhlul
alındığı və fiziki-kimyəvi xassələrin müəyyən qədər dəyişdiyi
müəyyənləşdirilmişdir. Kvazi binar evtetik tipdə olan bu
sistemdə 855 oC temperaturda inkonqruent əriyən DySnSe2 birləşməsinin alındığı müəyyənləşdirilmişdir. Bu birləşmə SnSe
əsasında alınan α-bərk məhlullarla DySe-nin 10 mol % kimi
710oC-də əriyən evtektika alınır. Sistem ərintilərinin xüsusi
elektrikkeçiriciliyinin və termo e.h.q.-nin temperatur asılılıqları
tədqiq olunmuşdur.
Rentgen quruluş analizi (RQA) D-2 PHSER modelli
rentgen qurğusunda, Ni-filtiri istifadə etməklə, СuКα-şüalanmalarında aparılmışdır. Başlanğıc birləşmədə, bərk məhlullarda
və yeni alınmış fazada müstəvilərarası məsafələr, difraksiya
xətlərinin intensivlikləri təcrübi olaraq hesablanmışdır. Yeni
fazanın difraksiya maksimumları və müstəvilərarası məsafələri
başlanğıc birləşmədən əsaslı şəkildə fərqləndiyi aşkar edilmişdir. RQA-nin nəticələri SnSe və Dy2Se3 qarşılıqlı təsirlərində komponentlərin 1:1 nisbətində yeni üçqat Dy2SnSe4
birləşməsinin əmələ gəldiyini təsdiq edir.
Ovuntuların rentgenoqrammalarını təhlili göstərir ki,
Dy2SnSe4 birləşməsi elementar qəfəs parametrləri а= 12,88;
с= 14,38 Å, с/а=1,1164; Z=11, V=2066 Å3, sıxlığı ρpik.=6,55
q/sm3, ρrеnt.=6,71 q/sm3 olmaqla heksoqanal sinqonyada
kristallaşır. Otaq temperaturunda SnSe əsasında Dy2Se3–nin 3
mol % miqdarına kimi bərk məhlullar alındığı müəyyənləşdirilib. Tərkibdə disproziumun artımı ilə qəfəs parametrləri,
elementar özəyin həcmi artır, elementar özəyə düşən molekulların sayı dəyişməz qalır. RQA-nin nəticələri SnSe və
Dy2Se3 qarşılıqlı təsirlərində komponentlərin 1:1 nisbətində
yeni üçqat Dy2SnSe4 birləşməsinin əmələ gəldiyini təsdiq edir.
Kompleks fiziki kimyəvi analizlər nəticələri əsasında SnSe154
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Dy2Se3 sisteminin hal diaqramı qurulmuşdur.
DySnSe2 üçlü birləşməsinin elektrikkeçiriciliyinin temperatur asılılığını müxtəlif yükköçürmə mexanizmlərinə uyğun
üç hissəyə ayırmaq olar.
Tədqiqatdan alınan qiymətlər əsasında aşqar keçiricilik
oblastında yükdaşıyiciların aktivləşmə enerjisi (Ea0,23 eV ),
məxsusi keçiricilik oblastında qadağan olunmuş zonanın termik
eni (Eg0,52 eV) təyin olunmuşdur.
Termo-e.h.q.-si ( ) və Holl əmsalının Rx tədqiq olunan
maddənin p-tip elektrikkeçiriciliyinə malik olduğunu göstərir.
DySnSe2 üçlü birləşməsinin termo e.h.q.-nin temperatur
asılılığı müxtəlifdir. 300450 K temperatur intervalında
mkV
temperaturun artımı ilə termo e.h.q.-si 110
qiymətindən
K
mkV
150
qiymətinə qədər artır. Aşqarların tükənmə
K
oblastında termo e.h.q.-si azalaraq 500 K temperaturda
minimumdan keçir və 550K temperatura qədər artır. Məxsusi
keçiricilik oblastında isə temperatur artması ilə
termo
e.h.q.-nin
azalması müşahidə olunur. Aşqar keçiriciliyi
oblastında Holl yürüklüyü temperaturdan asılı olaraq uT2,4
qanunu ilə, məxsusi keçiricilik oblastında isə uT1,5 qanunu ilə
dəyişir. Xüsusi elektrikkeçiriciliyi və termo-e.h.q.-nin temperatur asılılıqları mürəkkəb zona quruluşlı aşqar yarımkeçiricilər
üçün xarakterikdir.
Sn1-x Gdx Se Sistem ərintilərinin istilik keçiriciliyi
Quliyeva L.Ə., İsmayılov İ.Ş.
Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universiteti
T=(300-700) k temperatur intervalında Sn1-x Gdx Se sistem
ərintilərindən x=0,000; 0,005 və 0,05 tərkibli p-tip nümunələ155
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
rinin istilikkeçirciliyinin temperatur asılılıqları öyrənilmişdir.
Nümunələr istiqamətlənmiş ərinmə zonası üsulu ilə alınmış və
nümunələrdə konsentransiyanın bircins paylanmasını təmin etmək üçün T=620 k temperaturunda t=240 saat müddətində
dəmləmə aparılmışdır. Nümunələrdə Gd elementinin konsentrasiyası artdıqca ümumi istilikkeçirmə əmsalının χü verilmiş
temperaturda azalması və həmdə χü (T) asılılığının zəif azalması müşahidə olunur. χ (T) asılılığının bu formada dəyişməsi
həm elektron və həm də qəfəs istilikkeçiriciliyinin azalması
hesabına ola bilər.
Bu ehtimalın düzgünlüyünü müəyyən etmək məqsədi ilə
alınmış nümunələrin T=300-700 k temperatur intervalında χü
(T) asılılıqları ölçülərək analiz edilmişdir. Ölçmələr mütləq
stasionar rejimdə, kompensasiya üsulu ilə aparılmışdır və
ölçmələr zamanı buraxılan xətalar 4,6% dən çox olmamışdır.
Tərkiblər haqqında daha geniş məlumat əldə etmək üçün
otaq temperaturunda digər kinetik parametrləri təyin edilmişdir. Tərkiblərdən gadalinium elementinin miqdarı artdıqca
yükdaşıyıcıların konsentrasiyası azalır. Digər tərəfdən mütənasib olaraq Holl yürüklüyü də azalır. Bu səbəbdən tərkiblərdə
elektrik keçiriciliyinin qiyməti mütənasib olaraq: x=0,005
nümunəsində 14 dəfə ; x=0,050 tərkibli nümunədə isə 23 dəfə
azalmışdır. Parametrlərin analizindən müəyyən olunur ki, Sn1-x
Gdx Se sisteminin tərkibləri kompensasiya olunmuş yarımkeçiricidirlər.
Holl əmsalının Rx və termoelektrik hərəkət qüvvəsinin £ nın işarələrindən məlum olur ki, x=0,050 tərkibli nümunə n-tip
keçiriciliyə malikdir. Bu parametrlər alınmış nümunələrin
kompensasiya olunmuş yarımkeçirici materiallar olduğunu
göstərir.
Ölçmələr orta temperatur intervalında (T=300-700) k
aparıldığı üçün ümumi istilikkeçirmə əmsalının qiyməti əsasən
qəfəs (χq) və elektron (χel) istilikkeçiriciliyindən ibarət olduğunu qəbul edərək (χü=χq+χel) Videman-Frans qanunundan isti156
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
fadə edərək (χel = L δT ; δ – elektirik keçiriciliyi; L – Lorens
ədədidir. L=2,45 x 10-8 Vt Om x K-2 ) χ el – nun qiyməti hesablanmışdır. Müəyyən olunmuşdur ki, χel-nun qiyməti ümumi
istilikkeçirmə əmsalının uyğun olaraq 0,06 və 0,045 %-ni təşkil
edir və temperaturun artması ilə zəif artım müşahidə olunur.
T=(300-700)K temperatur intervalında qəfəs istilikkeçiriciliyinin (χ q) temperatur asılılığı tədqiq edilmişdir. Müəyyən
olunmuşdur ki, (T=300-450 )K temperaturunda χ q ~ T-0,3,
T>550 k –də isə χ q ~ T-0,5 qanuni ilə azalır.
Beləliklə, təcrübədən aşağıdakı kimi nəticələr alınmışdır.
1. Sn1-x Gdx Se sistem ərintiləri kompensasiya olunmuş yarımkeçiricidirlər.
2. p-Sn Se birləşməsindən onun gadalinium (Gd) element atomları ilə
aşkarlanmış tərkiblərinə keçdikdə ümumi istilikkeçirmə əmsalı azalır. Buna
səbəb tərkiblərdə əlavə səpilmə mərkəzlərinin yaranması ilə izah olunur
Ndx Sn1-x Te (x=0,01, 0,005, 0,003) kristallarının
elektrofiziki xassələri
Sərdarov Ş.T., Nəbiyev A.Ə., Nəsibli A.C., Qurbanov A.M.,
Aydınova T.M.
Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universiteti
SnTe birləşməsi adətən stekiometriyadan kənarçıxma ilə
əmələ gələr. otaq temperaturunda yükdaşıyıcıların konsentrasiyası 1020 sm3 qiymətində termoelektrik hərəkət qüvvəsinin
əmsalı 5mkV/k, 1021 sm-3 qiymətində 32 mkv/k olur. Termo
e.h.q. əmsalının tempraturdan və yükdaşıyıcıların konsentrasiyasından asılılığı ümumi qanunauyğunluğa tabe olmur.
Maraqlı obyekt olan Sn Te birləşməsi Sn elementini lantanoidlərin tipik nümayəndələrin biri Nd elementi ilə əvəz edilməsi alınan yeni materialında maraqlı nəticələr alınır.
Tədqiqat işinin kristalları birbaşa sintez üsulu ilə
alınmışdır. Qalay Sn-B3 markalı. Nd – 99,9℅ təmizlikdə,
157
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
tellur isə AZ markalı götürülürmüşdür. Sintez kvars ampulada
0,1333 Pa təzyiqində 900-1200oc temperature intervalında
aparılmışdır. Proses aşağıdakı rejimdə aparılır. 2 saat ərzində
temperature 900oc-yə qədər artırılmış, bundan sonra
temperature 30 dəq/saat sürətlə 11000C –yə qədər artırılmış,
reaksiyanın tam başa çatması üçün bu temperaturda 5 saat
saxlanmış və otaq temperaturuna qədər soyudulmuşdur.
Ndx Sn1-x Te (x=0,01, 0,003, 0,005) sistemində aşkar edilmiş bərk
məhlullar əlavə olaraq 7250C-də 200-240 saat ərzində
tablamada qaldıqdan sonra onların xassələri öyrənilmişdir.
Müəyyən temperatura gətirilməsi, soyudulması və təmizlənməsi xüsusi qurğudan RİF1-dən istifadə olunmuşdur.
Alınmış tərkiblər xüsusi həndəsi formaya –paralelopiped
şəklinə salınmış və parametrləri ölçmək üçün xüsusi kreostatda
yerləşdirilmişdir. Nümunə üzərində fiziki parametrləri ölçmək
üçün kontakta Jn Qa effekttikasından istifadə edilmişdir. Temperaturları ölçmək üçün Xromel – Kopel deferensial termocütlərdən istifadə edilmişdir. Ölçmələr mütləq stasionar rejimdə
kompensasiya üsulu ilə aparılmışdır. Ölçmələr zamanı buraxılan xətalar 4,5℅ tərtibində olmuşdur. Müəyyən edilmişdir ki,
Ndx Sn1-x Te (x=0,01, 0,005, 0,003) bərk məhlullarda mikrobərkliyin qiyməti (440-445) Mq intervalında sıxlığın qiyməti
(6,45-6,46) q/sm3 intervalında dəyişir. Deməli həlolma zamanı
Sn atomlarının Nd ionları ilə əvəzolunması nəticəsində sıxlığın
və mikrobərkliyin artması müşahidə olunur.
Qeyd olunanlara onu əlavə etmək olar ki, SnTe birləşməsinin kinetic parametrlərinin temperature asılılığında meydana çıxan mürəkkəbliyin izah edilməsinə cəhd, bu birləşmənin
tonu quruluşunun əsasən edilərsədə tam dəqiq izahat verilə
bilməmişdir. SnTe və onun əsasında bərk məhlullarda aşqar və
selektiv defektlər həmçinində rezonans səviyyələrini əmələ
gətirir. Səpilmədə onların payı selektiv xarakter daşıdığından
bu özünün kinetik parametrlərin dəyişməsində biruzə verir.
Xüsusi elektrik keçiriciliyinin, Holl, Termo-elektrik hərə158
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
kət qüvvəsinin tempratur asılılıqlarının analizi göstərir ki, tədqiq olunan kristalların hamısı üçün aşqar keçirilicilik oblastında temperature artdıqca 𝛼 -nın azalması, məxsusi keçiriciliyin başlanması, yəni valent zonasından keçirici zonaya məxsusi elektronların ötürülməsi səbəbindən artması baş verir.
PbTe-YbTe əsasında alınmış termoelektrik materiallarda
termo e.h.q.si və istilikkeçirmə
Həsənov O.M., Dünyamalıyeva İ.F.
Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universiteti
İşdə məqsəd PbTe-YbTE əsasında alınmış perspektivli
termoelektrik materialların tədqiqidir. Termo e.h.q.si və istilikkeçirmə stasionar metodla ölçülmüşdür [1]. Ölçmələr 85-685K
temperatur intervalında aparılmışdır.
Pb1-xTe-YbxTe (x=0; 0.02; 0.04; 0.06) sistem ərintilərinin
termo e.h.q.sinin və istilikkeçirmənin temperatur asılılığı şəkil
1 və 2-də verilmişdir. Şəkil 1-dən göründüyü kimi otaq tempetaturuna kimi termo e.h.q.-si temperaturdan asılı olaraq zəif
dəyişir, sonra temperaturun artması ilə kəskin artım müşahidə
olunur. Otaq temperaturundan sonra PbTe və Pb1-xTe-YbxTe
sistem ərintilərinin temperatur asılılıqlarında daha kəskin artım
müşahidə olunur, qeyd edək ki, termo e.h.q.-sinin qiyməti ana
maddədə ərintilərə nəzərən həmişə böyük olur. Bu isə effektiv
kütlənin temperaturdan asılılığının Pb1-xTe-YbxTe sistem
ərintilərinində ana maddəyə nəzərən daha güclü olduğunu
göstərir.
Şəkil 2-dən göründüyü kimi Pb1-xTe-YbxTe sistem ərintilərinin kristal qəfəsinin istilikkeçirməsi PbTe ana maddəsinin
qəfəs istilikkeçirməsinə paraleldir. Müəyyən olunmuşdur ki,
PbTe ana maddəsinində Yb iştirakıqəfəsin istilik müqavimətini
artırır; Yb miqdarının artması ilə Pb1-xTe-YbxTe sistem
159
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
250
α, мкВ/К
250
200
200
150
1
2
3
4
100
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1 1/T,К-1
-1
Şəkil1. Termo e.h.q.-sinin temperatur asılılığı K
1–PbTe,2 – Pb0,98Yb0,02Te, 3 – Pb0,96Yb0,04Te,4- Pb0,98Yb0,02Te.
, 10-3 , Втсм-1К-1
1
2
15
3
250
4
10
200
5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
7
1/T, K-1
Şəkil 2. İstilikkeçirmənin temperatur asılılığı
1–PbTe,2 – Pb0,98Yb0,02Te,3 – Pb0,96Yb0,04Te, 4- Pb0,98Yb0,02Te.
ərintilərinin istilik müqaviməti artır.
Tədqiq olunan Pb1-xTe-YbxTe sistem ərintiləri aşağı temperaturlarda (azot temperaturundan otaq temperaturuna kimi)
işləyən termoelektrik generatorların hazırlanmasında perspektivli materiallardır.
160
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
1. Равич Ю.И., Ефимов Б.А., Смирнов И.А. Методы исследования
полупроводников в применении к халькогенидам свинца. М. 1968.
383ст.
2. Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых
материалов. М. 1987. 239 ст.
Sn1 x Gd x S  x  0,01;0.02 monokristallarında
istilik xassələri
Əhmədova K.Z., Adgözəlova X.A.
Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universiteti
Yarımkeçirici materialların istilik xassələrinin öyrənilməsi
həmin materialların defektli təbiətinin araşdırılmasında mühüm
əhəmiyyət kəsb edir. Bu baxımdan Sn1 x Gd x S  x  0,01;0.02
monokristallarında istilik xassələri tədqiq olunmuşdur.
Tədqiqat işi nadir torpaq elementlərindən olan Gd ilə
aktivləşdirilmiş SnS monokristallarının yetişdirilməsinə, fizikikimyəvi analizinə və bu kristallarda istilik xassələrin tədqiqinə
həsr olunmuşdur. İşdə istilikkeçiriciliyin və istilik müqavimətinin temperatur asılılığı geniş temperatur intervalında
(100-700 K) ölçülmüşdür.
Sn1 x Gd x S x  0,01;0.02 monokristallarında istilikkeçirmə əmsalının temperatur asılılığı tədqiq edilmişdir (şəkil 1).
Eksperiment göstərir ki, tədqiq olunan nümunələrdə temperaturun artması ilə istilikkeçiricilik azalır, ancaq Gd faizlə
artımı istilikkeçiriciliyin artmasına səbəb olur. Bu artım iki
faktorla izah oluna bilər: Gd-lə aşqarlama SnS-də deşiklərin
konsentrasiyasını azaldır, fononların rəqsi hərəkəti zəifləyir və
nəticədə istilikkeçiriciliyi artır. Şəkildən göründüyü kimi
tədqiq olunan temperatur intervalında istilikkeçirmə əmsalı
Sn1 x Gd x S  x  0,01;0.02 monokristallarında ana maddəyə
nəzərən böyükdür.
161
-1 -3 -1
, 10-3(Втсм
) -1К-1)
, 10К
(Втсм
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
9
8
7
6
9
5
8
4
7






3
6
5
2
4
3



a)







a)





2
10


 






  





8
8


7
9
8
102
2



2
3



5
4



3
3









10
6




6
7

8
lgT (K)
1
6
9 10
2
3
4 asılılığı
5
6
Şəkil 71a.8 İstilikkeçirmə
əmsalının
temperatur
2
- -1
 (Вт-1см
К) см-К)
 (Вт
2
1
7
8
lgT (K)
1-SnS;2- Sn0.99Gd0.01S ; 3- Sn0.98Gd0.02 S
б)
1
120

б)
100
120
80
100


60
80
40
60







 





120  200
280

20
40

20


120
200
280





2






 








3
2

3


360




360
1


440
440
520
520
600
600
680
680
760
760
840
T (K)
840
T (K)
Şəkil 1b. İstilikmüqavimətinin temperatur asılılığı
1-SnS;2- Sn0.99Gd0.01S ; 3- Sn0.98Gd0.02 S
Şəkil 2-də tədqiq olunan nümunələrdə istilik müqavimətinin temperatur asılılığı göstərilmişdir. Qrafikdən göründüyü kimi SnS-dən Sn1 x Gd x S  x  0,01;0.02 -keçərkən istilik
müqaviməti kəskin azalır və bu bütün temperatur intervalında
müşahidə olunur. Bu anomaliya SnS-də vakant mərkəzlərin Gd
atomları ilə tutulması ilə izah olunur ki, nəticədə keçiricilik və
uyğun olaraq istiliyin fononlarla daşınma sıxlığı artır.
1.Гусейнов Дж.И., Мургузов М.И., Исмаилов Ш.С. “Теплопроводность
твердых растворов ErxSn1-xSe” ( x≤0,025 ). Неорган.материалы. РАН.
М. 2008. том 44. N-5. с 542 – 544.
162
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
2.Адгезалова Х.А.,Мургузов М.И., Исмаилов Ш.С., Гасанов
О.М.Теплопроводность монокристаллов Sn1-xNdxS Неорган.материалы.
РАН. М. 2011, том 47. N-1. с 21 – 23.
Sn0,99Pr0,01Те kristalının alınması və diferensial
termik analizi
Məmmədov İ.M., Ələkbərov A.S.
Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universiteti
Tədqiqat obyekti olaraq Sn0,99Pr0,01Те kristalının alınmasında birbaşa sintez üsulundan istifadə edilmişdir.
Sn0,99Pr0,01Те polikristalının sintezi zamanı 000 markalı qalaydan, təmizlik dərəcəsi 99,9 % prazediumdan və А-1 markalı
tellurdan istifadə olunmuşdur (Sn–000 markalı, Pr 99,9% və
Te-A-1).
Tədqiq etdiyimiz kristala diferensial-termik analiz metodu
tədbiq olunmuşdur. 0,0133Pa–а qədər havası sorulmuş və ağzı
qaynaq olunmuş kvars ampulalarda sintez edildikdən sonra
ərintilər xırdalanaraq termoqrafiya üçün nəzərdə tutulan qablara (şüşə) doldurulur. Termoqramma çıxarılarkən etalon maddə kimi Al2О3 götürülmüşdür. Etalon maddə termoqrafiya
üçün nəzərdə tutulan ampulalara doldurulub,havası sorulur və
ağzı qaynaq edilir. Nümunələrin qızdırılma-soyudulma surətləri 9 0S/dəq olmuşdur. DTA analiz NTR–74 pirometrində aparılmışdır.
Qeyd edeək ki,bu markalı tellurdan onun on qat zona təmizlənməsindən sonra alınan materialdan istifadə edilmişdir.
Sn0,99Pr0,01Те kristalların alınması havası 0,1333 Pa–qədər sorulmuş kvars ampulalarda 800-1100оS temperatur intervalında
aparılmışdır. Bu zaman aşağıdakı temperatur rejimi gözlənilmişdir.
Sintez iki saat müddətində 900 0S-yə qədər qızdırma, daha
163
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
sonra 50 dər/saat surətlə 1000 0S-yə qədər qızdırılma, sonra bu
temperaturda 5 saat saxlanma və söndürülmüş soba rejimində
soyudulma həyata keçirilmişdir. Sn0,99Pr0,01Те kristalının dayanıqlı halını almaq üçün 700о S-də 250 saat tablama aparılmışdır.
DTA-nın nəticələri göstərir ki, Sn0,99Pr0,01Те polikristalının
qızma və soyuma termoqrammalarındakı termo effektlər birbirini təsdiq edir. O cümlıdın DTA-nın nəticələrinə əsasən Pr
atomları mövcud kristaldakı kimyəvi rabitəni zəiflədir, bu
səbəbdən kristalın ərimə temperaturunu 8050S-dən 780,8000Syə endirir.
Влияние электрического поля на формирование
твердых растворов TlGa1-xGexTe2
Алекперов Э.Ш., Гараев Э.С.
Бакинский Государственный Университет
В данной работе методом дифракции электронов
высоких энергий исследованы нанотолщинные пленки
TlGa1-xGexTe2 (0.02≤х≤0.09 мол.%), полученные в вакууме
10-4 Па, при постоянном электрическом поле Е=300 В см-1
на подложках, представляющих собой монокристаллы
NaCl, KCl и KJ, находящиеся при температуре от 210 К до
460 К. Распределение состава конденсата по координатам
на плоскости конденсации определяли с помощью известной в кристаллографии формулы
Q
1
.
q
2
3
4h (1  x) 2
Скорость осаждения конденсата соответствует
5-6нм/с. При указанной низкой температуре образуются
слои в аморфном состоянии с однородной мелкозернистой
164
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
структурой с размером зерен 3.5-4 нм. На электронограмме, снятой от аморфной пленки TlGa1-xGexTe2 , видны
три диффузных дифракционных максимума, которые определяем с помощью S=4πsinθ/λ. Хранение аморфных пленок
в вакууме 10-2 Па, при комнатной температуре в течение 2х месяцев приводит к значительному понижению температуры (до 12К) при кристаллизации.
Термообработка аморфных пленок толщиной 30нм,
при температуре 373 К в течение 20 мин. с последующим
охлаждением до комнатной температуры в вакууме со
скоростью 5 К/мин, приводит к образованию поликристаллического TlGa1-xGexTe2 с увеличенными параметрами элементарных ячеек тетрагональной сингонии. С повышением
температуры подложек до 413 К образуются монокристаллические пленки, эпитаксиально растущие на грани
(100) монокристалла KCl, электронограммы от которых
характеризуются частичным упорядочением системы рефлексов. Рефлексы, наблюдаемые на электронограммах от
монокристаллических пленок, индицируются в тетрагональной сингонии с симметрией ПГС I41/amd. Для получения наиболее совершенных эпитаксиальных пленок следует увеличить температуру подложки до 460К и убавить
скорость осаждения конденсата до минимума. При
осаждении пленок TlGa1-xGexTe2 (0.02 ≤ х ≤0.09 мол.%)
наблюдаем формирование сверхструктурной фазы, которая
обладает удвоенными периодами по отношению к исходной фазе элементарная ячейка сверхструктурной фазы
сопрягается с тремя ячейками подложки KCl. Несоответствия сопрягающихся сеток решеток подложка – пленка
составляют ~1,5%. Ориентационные соотношения при
эпитаксиальном росте исследуемых пленок выражаются
следующим образом: TlGa1-xGexTe2(100) ∕∕ (100) KCl. Таким
образом, определено, что постоянное электрическое поле
положительно влияет на качество пленок, полученных
165
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
термическим методом, и понижает температуры их формирования.
Барьерные структуры на основе GaSe-CuInSe2
Аскеров Д.Дж., Абдинова С.Г, Агаев А.М.
Азербайджанская Государственная Нефтяная
Академия
Благодаря особенностям кристаллической структуры,
полупроводники типа А3B6 проявляют целый ряд интересных свойств. В частности, анизотропность структуры
А3B6, проявляющаяся в легкости механического удаления
тонких слоев перпендикулярно оси «c», дает возможность
получения «зеркальных» поверхностей, лишенных дефектов. В связи с этим, следует ожидать создания на тонких
поверхностях «идеальных» барьерных структур. Вопросам
исследования барьерных структур на основе селенида
галлия посвящен ряд работ. В частности, к настоящему
времени получены и исследованы: GaSe-SnO2, GaSe-GaAs,
GaSe-InSe, GaSe-CuInSe2 гетеропереходы (ГП) а также BiGaSe, Sb-GaSe,Cd-GaSe барьеры Шоттки и ряд других
барьерных структур.
Наряду с этими барьерными структурами, интересные
свойства могут проявлять ГП GaSe-CuInSe2, так как оба
полупроводника (GaSe и CuInSe2) являются анизотропными соединениями. Как было отмечено, эта структура
впервые была получена методом оптического контакта.
Но, полученные таким образом, структуры особым
выпрямлением и фоточувствительностью не отличались.
Следует отметить, что наряду с простотой технологии создания ГП, метод оптического контакта имеет ряд
существенных недостатков. Это, прежде всего, относится к
необходимости приложения к контактируемым полупро166
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
водникам заметных механических нагрузок для приведения их в тесный контакт, что может изменить свойства
этих полупроводников. Свойства таких контактов могут
быть нестабильными и зависеть от величины нагрузки. В
этой связи, для создания ГП со стабильными параметрами
на основе соединения GaSe, кристаллизиующегося в гексагональной структуре, и CuInSe2 особую значимость
приобретают известные методы получения ГП, лишенные
недостатков.
Исследованы электрических и фотоэлектрических
свойств GaSe-CuInSe2, полученных в вакууме напылением
полукристаллического порошка на нагретую поверхность
монокристаллической подложки GaSe. Омический контакт
на GaSe предварительно был нанесен вплавлением индия,
а к пленке CuInSe2 для омического контакта использовался эвтектический сплав In-Ga. Показано, что механизм
токопрохождения в GaSe-CuInSe2 структурах обусловлен
термоэлектронной эмиссией. Область фоточувствительности охватывает (0,52,2) мкм. На основе анализа конфигурации расположения атомов на стыкующихся плоскостях показано, что на поверхности гексагонального GaSe,
перпендикулярной оси «С», происходит ориентированный
рост пленки CuInSe2 халькопиритной структуры с ориентацией (112).
Таким образом, результаты исследований показали,
что гетероструктуры можно создавать не только между
полупроводниками одинаковой кристаллической структуры, но и с различными кристаллическими структурами.
При этом одним из необходимых условий выращивания
таких анизокристаллических гетероструктур является
соответствие конфигураций расположения атомов и малое
несоответствие (~3%) межатомных расстояний на контактирующих поверхностях.
167
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Şottki diodlarının ideallıq əmsalına əlavə elektrik
sahəsinin təsiri
Məmmədov R.Q., Yeganeh M.A., Sultanov R.C.,
Bakı Dövlət Universiteti
Real metal-yarımkeçirici kontaktlar (MYK) bir qayda olaraq kontakt səthi boyunca elektron emissiyası baxımından
qeyri-bircins olur. Kontakt səthi bircins olsa belə, kontakt səthi
ilə onu əhatə edən metal və yarımkeçiricinin sərbəst səthləri
arasında yaranan potensiallar fərqi hesabına real Şottki diodları
(ŞD) qeyri-bircins olur. Aşağıdakı şəkil-1-də silisium lövhəsinin üzərində yerləşən nikel nazik təbəqəsinin sərbəst səthinin
Atom qüvvə mikroskopu (AQM) vasitəsilə çəkilmiş topoqrafik
təsviri verilmişdir. Şəkildən aydın görünür ki, nazik metal
təbəqəsi nanometrik xətti ölçülərə malik hissəciklərdən ibarət
polikristal quruluşa malikdir, yəni real MYK-lar bir-birinə paralel qoşulmuş və elektrek qarşılıqlı təsirdə olan mikro- və
nanokontaktlardan ibarətdir.
Son illər real ŞD-lərdə baş verən elektron proseslərdə
kontaktın emissiya qeyri-bircinsliyi hesabına yaranan əlavə
elektrik sahəsinin (ƏES) [1] rolunun AQM ilə tədqiqinə böyük
maraq göstərilir.
Real MYK-larda potensial çəpərinin orta hündürlüyünü
ФBA ilə lokal potensial çəpərinin hündürlüyü böyük və kiçik
olanları ФB2 və ФB1 ilə işarə etməklə ƏES-nin təsiri nəzərə
alınan real MYK-ların energetik diaqramı şəkil – 2-dəki kimi
olur. Burada potensial çəpərin maksimum hündürlüyünün
(ФBA, ФB2 və ФB1) metalın kontakt səthindən olan uyğun məsafələri arasında x2<x<x1 münasibəti ödənilir. Bu münasibət isə
onu göstərir ki, real SD-nin işlək potensial çəpərinin ФBA
hündürlüyünün xarici gərginlikdən asılılığı ilə müəyyən olunan
ideallıq əmsalı, xarakterik x məsafəsinin x2-x1 intervalında harada yerləşməsindən asılı olur ki, bu da bilavasitə ƏEStəsirinin dərəcəsi ilə müəyyən olunur.
168
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Şəkil1. Ni-Si MYK-da Ni nazik təbəqəsinin
səthinin üç ölçülü AQM təsviri
ФB2
ФВ2
ФВA
ФB1
qVD
Fc
ФВ1
х2
Fm
х1
Fs
х
lo
Şəkil 2. Əlavə elektrik sahəli ŞD-nin energetik diaqrammı.
1. Мамедов Р.К., Контакты металл– полупроводник с электрическим
полем пятен, Баку, БГУ, 2003, 231 с.
169
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
p-n keçidlərin Volt-Amper xarakteristikalarına
deformasiyanın təsiri
Cabbarov C.H., Məhərrəmov E.M., Səfərov V.H.,
Rəhimov R.Ş.
Bakı Dövlət Universiteti
Tədqiqatın məqsədi, p-n keçidinin dərinliyindən asılı olaraq deformasiyaya həssaslığının təyin edilməsi olmuşdur.
Bu işdə ion bombardmanı üsulu ilə alınmış müxtəlif dərinlikli p-n keçidləri tədqiq olunmuşdur. Tədqiq olunan keçidlərin dərinliyi 0,1-0,3 mkm qiymətində dəyişmişdir. Bu məqsədlə nümunəyə olan təzyiqin VAX-ın əks tərəfinə təsiri öyrənilmişdir. P-n keçidində VAX-ın əks tərəfinin tədqiqatında
alınmışdır ki, yalnız çox dərin olmayan keçidlərdə alınan
1
nəticə, I ~ V 2 nəzəri asılılığına uyğun gəlir [1]. Nisbətən daha
dərin keçidlərdə I ~ V asılılığı müşahidə edilmişdir ki, bunu
da sızma cərəyanlarının böyük olması ilə izah etmək olar.
1
Dərin olmayan
təzyiq altında
Nisbətən dərin
xətti asılılığı
keçidlərdə, hansılarda ki, I ~ V 2 asılılığı var,
bu asılılıq saxlanılıb və əks cərəyan artıb.
p-n keçidlərində F  Fkr olanda I-nin V-dən
saxlanılıb, ancaq F  Fkr
olduqda isə
1
xarakteristika «düzəlir», yəni I ~ V 2 asılılığı yaranır. Verilən
keçidə tətbiq olunan, cərəyanın özünü aparmasında dönməyən
prosesləri yaradan kritik qüvvənin qiyməti ( Fkr ) keçidin
dərinliyindən asılıdır.
Tədqiqatlarda müxtəlif dərinlikli p-n keçidlərinin əks istiqaməti üçün kritik qüvvənin qiymətləri təyin edilmişdir. VAXın əks istiqamətinin təzyiqə həssaslığı az olduğu üçün ölçmələr,
sabit F qüvvəsinə dəyişən F1 qüvvəsini əlavə etməklə aparılmışdır.
170
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Alınan nəticələri keyfiyyətcə məlum modellər əsasında
izah etmək olar. F  Fkr olanda dislokasiya və ya dislokasiya
qrupları meydana gəlir ki, bu da generasiya-rekombinasiyanın
artmasına gətirir və bunlar VAX-ın əks istiqamətinin «düzəlməsinə» təsirini göstərir. Bu təsir o vaxt daha çox olur ki,
dislokasiyalar p-n keçidinə yaxın olurlar. Buradan aydındır ki,
p-n keçidi nə qədər dərindədirsə, həmin yerdə mexaniki gərginlik daha azdır və uyğun olaraq lazımi deformasiyanı almaq
üçün daha böyük qüvvə tətbiq etmək lazımdır.
Yuxarıda qeyd olunan, VAX-ın əks istiqamətinə təsirin
keçidin dərinliyindən asılılığına həssaslığı, p-n səthinə edilən
təzyiqin qeyri-bircinsliyi ilə izah etmək olar. Bu qeyri-bircinsliyin səbəbi, həm p-n keçidinin dərinliyinin qeyri-bircinsliyindən, həm də kristalın bircinsliyinin lokal pozulmasından (məsələn, dislokasiyadan) asılıdır. Hesablamalar göstərir ki, əgər təzyiq nöqtəsinin müəyyən oblastında dislokasiya varsa, bu, I nin hiss olunacaq dərəcədə artmasına gətirə bilər.
1.C.Sah, R.C.Noyce, .W.Shockley, Proc.TRE, 45, 1228, 1958
Фотоэлектрические свойства солнечных
преобразователей CuInSe2/ Cd1-хZnxS
Джафарли Р.С.
Бакинский Государственный Университет
Поиск дешевых, простых, стабильных и высокоэффективных солнечных преобразователей ведет к развитию
некоторых полупроводниковых тонкопленочных систем.
Солнечные преобразователи на основе тонких пленок
Cd1-хZnxS рассматриваются как одним из многообещающих систем, обладающих рядом благоприятных свойств.
Солнечные преобразователи на основе Cd1-хZnxS дости171
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
гают высокой эффективности, несмотря на недостаточность сведений об их электрических и оптических свойствах.
Одним из перспективных методов изготовления тонких пленок ZnxCd1-xS является метод химической пульверизации с последующим пиролизом. Этот метод обеспечивает осаждение при умеренных температурах достаточно совершенных пленок на больших площадях, обладающих более сильной адгезией, высокой механической
прочностью по сравнению с пленками, полученными
другими способами.
В этой работе экспериментально исследуются фотоэлектрические свойства солнечных преобразователей
CuInSe2/Cd1-хZnxS. Тонкие пленки Cd1-хZnxS были получены методом химической пульверизации с последующим
пиролизом. При этом использовался водный раствор хлорида кадмия CdCl2, тиомочевины (NH2)2CS и хлорида
цинка ZnCl2. Концентрация хлорида кадмия и тиомочевины составляла 0,5 моль/л в пропорции 1:1, а концентрация ZnCl2 изменялась в зависимости от содержания
цинка в твердом растворе Cd1-хZnxS. Пленки CdS и Cd1хZnxS образовались при помощи пиролитического разложения распыленных частиц на поверхности подложки.
СО2. Температура подложки (химические очищенные
стеклянные подложки) составляла 4000С и измерялась
при помощи хромель – алюминий термопары, фиксированной на поверхности подложки. Скорость пульверизации
раствора поддерживалась 5мкм/мин., что обеспечивало
скорость роста пленок 50нм/мин. Толщина пленок Cd1хZnxS измерялясь при помощи интерференционного микроскопа МИИ – 4 и составляла10 мкм. Площадь исследованных пленок была равна 0,5см2.
Гетероструктуры CuInSe2/Cd1-хZnxS были получены
методом термического испарения в вакууме (10-3Па)
172
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
поликристаллического порошка CuInSe2 на поверхность
пленки Cd1-хZnxS. В качестве подложки были использованы химические очищенные стеклянные подложки с
проводящем слоем из SnO2.. Однородные пленки CuInSe2
стехиометрического состава были получены при температуре подложки Тпод..=5000С. Рентгеноструктурным аннализом было показано, что пленки CuInSe2 обладали
однофазной структурой. После изготовления, гетероструктуры были подвергнуты отжигу в вакууме в течение 10
минут при 3000С. В качестве омических контактов была
использована In-Ga эвтектика. Активная область образцов
составляла 10мм2. Гетероструктуры CuInSe2/Cd1-хZnxS
были изготовлены для составов х, меняющихся в
интервале от 0 до 0,20.
На рис.1 показаны световые вольтамперные характеристики CuInSe2/Cd1-хZnxS для х = 0.10, 0.15 и 0.20
составов при освещении источником, имеющим мощность
W=100мВт/cм2. Как видно из рисунка, с увеличением
концентрации Zn от 10 до 20% плотность тока уменьшается от 8 до 2,3 мА/cм2, а напряжение холостого хода
Uхх. увеличивается от 0,5 до 0,65В, но коэффициент
заполнения остается относительно неизменным (ff=0,4).
Увеличение величины х от 0 до 0,20 приводит к увеличению плотности тока, ведущего к уменьшению эффективности гетероструктур от 4 до 0,6%. Увеличение ширины
запрещенной зоны в тонких пленках Cd1-хZnxS с увеличением величины х ведет к росту энергетического барьера
CuInSe2/Cd1-хZnxS гетероструктур, ведущего в итоге к
увеличению напряжения холостого хода до 0,65В при
х=0,2. С другой стороны, увеличение удельного сопротивления Cd1-хZnxS с увеличением х ведет к уменьшению тока
короткого замыкания Iкз., в результате происходит значительное уменьшение коэффициента полезного действия
(КПД) этих структур. В целях повышения значений Iкз. и
173
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
КПД
нами
были
изготовлены
гетероструктуры
CuInSe2/Cd1-хZnxS на низкоомных подложках Cd1-хZnxS.
При этом, КПД освещенных образцов с источником
мощностью W=100мВт/cм2 достигает величины порядка
7,8%. На рис.2 показаны спектры фоточувствительности
гетероструктур CuInSe2/Cd1-хZnxS до (кривая 1) и после
(кривая 2) отжига в вакууме при 3000С в течение 10 мин.
Рис.1. Световые вольтамперные
характеристики CuInSe2 - Cd1-хZnxS
для х = 0.10 (1), 0.15 (2) и 0.20 (3)
составов при освещении источником
с мощностью W=100мВт/cм2.
Рис. 2. Спектры фоточувствительности гетероструктур
CuInSe2/Cd1-хZnxS перед (кривая
1) и после (кривая 2) отжига в
вакууме при 3000С в течение
10 мин.
Как видно из рисунка, максимум спектра фоточувствительности после отжига сдвигается в сторону длинных
волн. Это может быть объяснимо, если предположить, что
процесс отжига приводит к уменьшению концентрации
акцептеров в р - CuInSe2, который в результате увеличивает ширину области пространственных зарядов.
Поэтому, разделение фотоносителей, генерированных в
CuInSe2, происходит быстро, что приводит к увеличению
фотопроводимости гетероструктуры в длинновольновой
области спектра.
174
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Samariumla aşqarlanmış şüşəvari halkogenid yarımkeçirici
As-Se-S və As-Se-Te sistemlərində aşağı tezlikli
kombinasiyalı səpilmə spektrlərinin xüsusiyyətləri
İsayeva G.A., Ələkbərov R.İ., Mehdiyeva S.İ., İsayev A.İ.
AMEA H.M. Abdullayev adına Fizika İnstitutu
İşdə halkogenid şüşəvari yarımkeçirici (ŞHY) As-Se-S və
As-Se-Te sistemlərinin aşağı tezliklər oblastında (ω˂100 см-1)
kombinasiyalı səpilmə (KS) spektrləri tədqiq olunmuşdur.
Tədqiqat nəticəsində müəyyən olunmuşdur ki, aşağı tezliklər
oblastında (ω˂100см-1) şüşəvari halkogenid yarımkeçirici
(ŞHY) As-Se-S və As-Se-Te sistemlərinin kombinasiyalı səpilmə (KS) spektrləri iki hissədən ibarərdir; tezliyin 30-40 см-1ə qədər artması ilə intensivliyi azalan kvazielastiki səpilmə və
maksimumu ~63-67 см-1-ə uyğun gələn geniş zolaqlı oblast
(bozon piki). Tədqiq olunan ŞHY sistemlərin KS spektrlərinin
akustik tezliklər oblastında müşahidə olunan bozon piki (BP)
həmin maddələrdə translyasiya simmetriyasının olmaması nəticəsində yaranır. Təbiəti hələlik müəyyən olunmamış BP şüşəvari maddələrdə tezliyin ω˂100 см-1 qiymətlərində nano ölçülü
qeyri-bircins oblastlarda lokallaşan və kristallarla müqayisədə
dəfələrlə böyük sıxlığa malik rəqs hallarının mövcudluğu ilə
əlaqələndirilir. Tədqiq olunan şüəvari maddələrin kristal nümunələrinin KS spektrində BP-nin müşahidə olunmaması onlarda
translyasiya simmetriyasının mövcudluğu ilə əlaqələndirilmişdir. Təcrübə göstərir ki, kimyəvi tərkibin dəyişməsi və legirələnmə BP-nin intensivliyini dəyişdirir, bu da nizamsızlıq dərəcəsinin dəyişməsi ilə izah olunmuşdur. Belə ki, aşqarsız As-SeTe sisteminin KS spektrində BP-nin intensivliyi As-Se-S sistemindəki müvafiq intensivlikdən böyük olduğu halda, samariumla aşqarlanmada əks mənzərə müşahidə olunur. Yəni, Sm
aşqarının təsiri ilə As-Se-Te sisteminin KS spektrində BP-nin
intensivliyi azalır, As-Se-S sistemində isə artır. Bu nəticə As175
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Se-S maddəsində struktur elementlərinin As-Se-Te ilə müqayisədə böyük ölçülü olması ilə əlaqələndirilmişdir. Kiçik ölçülü
struktur elementləri nizamsız olaraq orientasiya olunur və nizamsızlıq dərəcəsini artırırlar. Həmçinin ŞHY As-Se-Te sistemində mövcud olan məxsusi yüklü defektlərin (D+ və D-) yüksək konsentrasiyası da amorf matrisada xaotik paylanaraq nizamsızlıq dərəcəsini artırır. Samarium atomlarının As-Se-S sistemində əsasən yaratdığı yeni quruluş elementləri amorf matrisada xaotik olaraq paylanmaqla orta nizam tərtibində quruluşun nizamsızlığını artırır. Lakin, As-Se-Te sistemində isə kiçik konsentrasiyalarda samarium ionları əsasən D- mərkəzləri
ətrafında toplandığından onların sahəsini ekranlaşdıraraq nizamsızlıq dərəcəsinin azalmasına səbəb olur. Nisbətən böyük
konsentrasiyalarda legirəedici samarium atomları bütün matrisaya paylanaraq kristallaşma dərəcəsini artırır. Beləliklə, samarium atomlarının iştirakı BP-nin intensivliyinin azalması, kifayət qədər böyük konsentrasiyalarda isə onun yox olması ilə nəticələnir. Aşağı tezliklərdə (30-40 см-1–dan aşağı) KS spektrlərində müşahidə olunan xüsusiyyətlər yəni, kvazi elastiki səpilmənin yaranması relaksasiya hərəkəti ilə əlaqələndirilmişdir.
Göstərilmişdir ki, relaksasiya proseslərinin sürəti amorf
matrisaya daxil olan quruluş elementlərinin öiçülərindən və
eyni zamanda sərbəst həcmlərin mövcudluğundan asılıdır. Relaksasiya prosesləri amorf matrisada sərbəst həcmlərin böyüməsi və quruluş elementlərinin öiçülərinin kiçilməsi ilə
sürətlənir. Samariumla legirələnmə həmin proseslərə təsir etdiyi üçün As-Se-S sistemində relaksasiya proselərinin rolunu
azaldır, As-Se-Te sistemində isə artırır.
176
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
MOLEKULYAR FİZİKA BÖLMƏSİ
Вода и живой организм
Масимов Э.А., Атогой А.C.
Бакинский Государственный Университет
ataqoy-89@mail.ru
Наша Земля представляет собой гигантский сосуд с
водой, в котором возникли все формы живого, и все живое,
по сути, тоже являются сосудами с водой. Современные
технологии позволяют нам проникать далеко в космос и,
пытаясь обнаружить жизнь на других планетах, мы в
первую очередь ищем там воду. На сегодня ученые абсолютно уверены, что первые живые организмы возникли в
первичном океане, так что вода – прародительница всего
живого. Именно в воде была записана последовательность
развития, где каждый вид живых организмов, от простейших бактерий до млекопитающих достигал своего совершенства. Вода заполняет живые клетки, и именно она
представляет собой ту среду, в которой осуществляется
транспорт питательных веществ, катализируемые ферментами метаболические реакции и перенос энергии. Поэтому
все структурные элементы живой клетки и их функции
обязательно должны быть приспособлены в отношении
физических и химических свойств воды. Вода и продукты
ее ионизации – ионы H+ и OH- - оказывают очень большое
влияние на свойства и функции многих важных компонентов клетки, таких, как ферменты, белки, нуклеиновые
кислоты и т.д.
Часто утверждают, что жизнь на Земле обуловлена
аномальными свойствами воды. Если бы вода была «нормальной» жидкостью, наша планета, быть может, до сих
пор оставалась бы мертвым космическим телом.. После
177
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
многочисленных успехов в изучении физико-химических
свойств воды в последние годы, вряд ли можно утверждать, что свойства этого простого и в то же время необычного вещества до конца поняты и прогнозируемы.
Свойства воды в большей степени определяет структура
воды, чем её химический состав.
Молекула воды представляет собой диполь, т.е. на
одной стороне у неё преобладает отрицательный заряд, а
на другой – положительный. Одна молекула воды отрицательно заряженной областью может притянуть к себе
другую молекулу за ее положительную область. Молекулы
воды могут объединяться в группы. Эти молекулярные
группы называются кластерами. Ученые предполагают,
что именно кластеры являются своеобразными ячейками
памяти, в которой вода записывает все, что видит, слышит,
ощущает. Если рассматривать кластер как структуру, в
которую молекулы могут включаться и которую молекулы
могут покидать, кластер может существовать в течение
длительного времени.
Именно устойчивость кластерной структуры подтвердило гипотезу о способности воды запечатлевать и сохранять информацию. Информационная грязь отравляет воду,
накапливаясь в ее памяти. Если бы этот процесс продолжался бесконечно, то вода могла бы «сойти с ума». Но ей
дано свойство очищаться. Происходит это в момент фазового перехода, когда вода испаряется, а затем конденсируется и проливается дождями. Встряхивая информационную грязь, вода сохраняет базовую структуру, т.е.
программу жизни. В каждом из нас есть частица воды первозданного океана. Каждое наше слово как капля воды –
носитель мысли и источник информации. Дар, которую мы
называем жизнью, был доверен единому во вселенной веществу, способному ее сохранять и передать людям – воде.
178
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Температурная зависимость динамической вязкости
жидкостей
Эйвазов Э.А., Дашдамирова Н.Д.
Азербайджанский Государственный Педагогический
Университет
vip.nurka@bk.ru
Согласно [1] динамическая вязкость жидкостей при
ламинарном течении определяется силой молекулярного
притяжения между непосредственно соседствующими
слоями (FM) и задается выражением:
  C  FM
(1)

 ds ]-1 и при ламинарном течение являB (1), C=[
r
ется постоянной величиной. Сила FM, во всех случаях,
является электромагнитной и её явное аналитическое
выражение определяется природой жидкости, в частности,
межмолекулярное взаимодействие в жидких углеводородах может быть описано потенциалом Борна [2]:
A
B
U(r)=- m  n
(2)
r
r
Если учесть, что в возникновении вязкости доминирующим является межмолекулярное притяжение (первый
член в 2) и потенциал и сила взаимосвязаны как FM =qradU(r), то после простых математических операций из
(1) получим:

Const1 Const1

r m1
rK
(3)
Здесь Const1=A·C и К = (m+1) . Как вытекает из (3), с
увеличением межмолекулярного расстояния динамическая
вязкость непроводящих жидкостей должна уменьшатся по
степенному закону. В рамках квазикристаллической моде179
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
ли можно показатъ, что расстояния между структурными
элементами (атомами или молекулами) линейно изменяется с температурной, как это имеет место в кристаллических твердых телах, т.е.r=βT [2]. С учетом сказанное, из
(3) температурную зависимость динамической вязкости
жидкостей можно задать следующим выражением:
 (T ) 
Const 2
D
 K
K
T
T
(4)
B(U) Const2=Const1·β-К. Следовательно, вязкость жидкостей с межмолекулярным потенциалом типа потенциала
Борна с увеличением температуры должна уменьшаться по
степенному закону.
Анализ литературных данных по вязкости разнородных жидкостей свидетельствуют о состоятельности установленного степенного закона (4) [3]. Отметим, что индивидуальность жидкостей кроется в температурно-независимых величинах D и К.
1. Э.А. Эйвазов, Э.А.Масимов и др. Изв. Бакинского Унив-тах №1; 98110. 2013.
2. Э.А. Эйвазов. Физика твердого тела. Б. 2012.
3. Э.А. Эйвазов. Молекулярные явления переноса Б.2013.
Aromatik karbohidrogenlərdə dinamik özlülüyün təbiəti
Eyvazov E.Ə., Daşdəmirova N.D.
Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universiteti
vip.nurka@bk.ru
Mayelərin özlülük mexanizmlərinin təhlili göstərir ki, bu
günə kimi bütün mayelər üçün yararlı sayıla bilən universal yanaşma mövcud deyil 1 . Bunun əsas səbəbi ilk növbədə real fiziki şəraitlərdə mayelərin fərdi dinamik quruluşa malik olması
180
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
və struktur elemetlərinin fərqliliyi üzündən atomlar (molekullar) arası qarşıqlı təsirin təbiətən müxtəlifliyidir. Göstərilən
faktların fiziki şəraitindən asılı olaraq dəyişməsi mayelərin tədqiqində əlavə çətinlik yaradır. Əgər fərz etsək ki, mayelərdə dinamik özlülük, qazlarda olduğuna oxşar olaraq, müxtəlif sürətli
qonşu laylar arasında molekulların fərdi keçidləri nəticəsində
yaranır, onda molekulyar–kinetik nəzəriyyəyə əsasən dinamik
özlülük   D   kimi təyin olunmalıdır. (D-diffuziya əmsalı,
 -mayenin sıxlığıdır). Kinematik özlülük isə    =D olar.

Deməli, molekuların fərdi hərəkəti yolu ilə impuls daşınmasında mayenin kinematik özlülüyü öz-özünə diffuziya əmsalına
bərabər olmalıdır. Lakin təcrübə göstərir ki, normal mayelər
2
üçün D - 10 5 sm
və   10 3 sm
-dır. Bu isə, xüsusi
san
san
halda, özlülüyün yaranmasında, qazlarda olduğundan fərqli
digər mexanizmin də olduğunu göstərir.
Son illər mayelərin özlülüyünün tədqiqində müxtəlif
fenomenoloji yaxınlaşmalardan istifadə olunur. Misal olaraq
2-də təklif olunan yarımfenomoloji fonon yaxınlaşmasını
göstərmək olar. Bu yaxınlaşmanın əsasında ərimə prosesində
qonşu hissəciklər arası qarşılıqlı təsirin ciddi dəyişməməsi,
başqa sözlə, maye daxilində potensial enerjinin paylanmasının
bərk fazada olduğuna oxşar olması durur.
2-də göstərilirki, assosasiya olunmuş mayelərin dinamik
özlülüyü   A T ifadəsi ilə göstərilir. Burada A və n temperaturdan asılı olmayan prinsipcə mayenin fərdiliyindən asılı
olan sabitlərdir. Göründüyü kimi, dinamik özlülüyün temperatur asılılığı fonon modelinə görə üstlü qanunla dəyişməlidir.
Bəzi aromatik karbohidrogenlər üçün müvafiq hesablanmaların
nəticəsi cədvəldə verilmişdir.
n
181
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Maye
Benzol
Tolul
Etibenzol
μ
78
92
106
A
8,511∙10
2,554∙105
2,234∙105
6
N
Ümumi ifadə
-4,1
-3,5
-3,45
    n
(  -molekulyar çəkidir) Müqayisəli təhlil göstərir ki, özlülüyün cədvəldə verilən ifadələrlə hesablanmış təcrübi qiymətləri kifayət qədər dəqiqliklə uzlaşır.
Hazırkı tədqiqat göstərir ki, aromatik karbohidrogenlərin
dinamik özlülüyü quruluş elementlərinin diffuziyası, yəni aktivləşmə mexanizmi ilə deyil, fononlar vasitəsi ilə qonşu
təbəqələr arasında impuls daşınması nəticəsində yaranır.
1. E.Ə.Eyvazov, E.Ə.Məsimov, R.Q.Quliyev, Bakı Univ.xəbərləri,
N1, 98-110. 2013
2. E.Ə.Eyvazov və b. Molekulyar fizika və termodinamikaya giriş
B.2010
Mayelərin səthi gərilməsinə fenomenoloji baxış
Niftiyev N.N., Bağırova Z.M., Hidiyev X.A.
Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universiteti
zuzu_89_12@mail.ru
Səthi gərilmə hadisəsinə çoxsaylı tədqiqatların həsr olunmasına baxmayaraq hal-hazırda universal xarakterli mikroskopik nəzəriyyə mövcud deyil [1]. Bu səbəbdən çox vaxt
müxtəlif fenomenoloji yanaşmalardan istifadə olunur. Belə yanaşmalardan biri termodinamik potensiallar metoduna əsaslanan və ilk dəfə [2]-də nəzərdən keçirilən fenomenoloji
metoddur. Hazırkı işdə bu metoda əsaslanaraq mayelərin səthi
gərilməsinin temperatur asılılığı nəzərdən keçirilir.
Termodinamik metodlardan istifadə etməklə göstərmək
olar ki, mayelərin səthi gərilməsinin temperatur asılılığı ümu182
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
milikdə
dσ
q
= −T
(1)
ifadəsi ilə verilir [3]. Burada q – səth sahəsinin dönən
izotermik prosesdə vahid qədər dəyişməsində (artmasında
yaxud azalmasında) udulan (yaxud ayrılan) istilik miqdarıdır
və adətən xüsusi səthyaranma istiliyi adlanır. Göründüyü kimi,
q=q(T)-nin analitik ifadəsi məlum olarsa, (1)-in vasitəsi ilə
σ=σ(T) asılılığı müəyyən edilə bilər. Ümumilikdə bu ifadə
məlum olmadığından əvvəlcə xüsusi hala baxaq. Tutaq ki,
q≠q(T)-dir. Onda (1)-dən
σ=-qlnT+C
(2)
alarıq. (2)-də C–inteqrallama sabitidir və böhran temperaturunda (Tb) səthi gərilmə əmsalının sıfır olması şərtindən
C=qlnTb kimi yazıla bilər. Son deyiləni nəzərə aldıqda (2)-dən
T
σ = qln( Tb )
(3)
olar. Səthi gərilmə reallıqda T<Tb temperaturlarda məna kəsb
x−1
etdiyindən, x>0 olduqda, lnx=2
olduğundan (3)-ü aşağıdakı
x+1
kimi yazmaq olar.
T −T
σ=2(Tb +T)
(4)
dT
b
(4)-ə əsaslanaraq qənaətə gəlmək olar ki, mayelərin səthi
gərilmə əmsalı böhran temperaturunda sıfır olmalı və temperaturun azalması ilə loqarifmik qanun üzrə artmalıdır. Təcrübi
nəticələrlə müqayisə göstərir ki, geniş sinif mayelər üçün
deyilən qanunauyğunluqlar ödənilir.
1.
2.
3.
Роулинсон Дж, Уидом Б. Молекулярная теория капиллярности,
М. 1986
Eyvazov E.A. at ol. Intern. Journal of Acad. reseach. VI, №2 B. 2010
Пригожин И. и др. Современная термодинамика, М.2010
183
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Maye qələvi metalların səthi gərilməsi və
səthyaranma istiliyi
Qurbanov S.S., Bağırova Z.M., Hidiyev X.A.
Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universiteti
zuzu_89_12@mail.ru
Quruluşun dinamikliyi və hissəciklər arasında qarşılıqlı
təsirin mürəkkəbliyi molekulyar-kinetik nəzəriyyə baxımından
mayelərin fiziki xassələrini izah etməyi qeyri-mümkün edir[1].
Bu səbəbdən praktikada müxtəlif yanaşmalardan istifadə olunur. Mayelərin səthi gərilməsinin izahında belə yanaşmalardan
biri ilk dəfə [2]-də təklif olunan yarımfenomenoloji yaxınlaşmadır. Termodinamik potensiallar metodundan istifadə etməklə
[2]-də göstərilmişdir ki, mayenin səthi gərilməsi ümumilikdə
T −T
σ=2q(Tb +T )
(1)
b
ifadəsi ilə təyin olunur. Burada Tb –böhran temperaturu, q–isə
T temperaturunda vahid maye səthini yaratmaq üçün lazım
olan istilikdir. Ona adətən xüsusi səthyaranma istiliyi də deyilir
1
q=2[2qə+α(Tb+T-2Tə)]
(2)
burada, Tə - uyğun maddənin ərimə temperaturu, qə - Tə-də
xüsusi səthyaranma istiliyi, α–səthyaranmanın termik əmsalıdır. (1) və (2) maddənin təbiətindən asılı olmadığından bu ifadələri bütün mayelərə şamil etmək olar. Hazırkı işdə deyilənlər
maye qələvi metallara tətbiq edilmiş və müəyyən olunmuşdur
ki, maye aqreqat halının mövcud olduğu bütün temperaturlarda
maye natrium və seziumun səthi gərilmə əmsalı (σ) və səthyaranma istiliyi (q) cədvəldə verilir.
Maye
σ, erq/sm2
q, erq/sm2
2500−T
Na
34,425+6,77∙10-2T
[238,19+6,77∙10-2T]∙
Cs
21,00+2,35∙10 T
[90,18+2,35∙10 T]∙
-2
-2
2500+T
2050−T
2050+T
184
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Digər maye qələvi metallar üçün də oxşar ifadələr alınmış və göstərilmişdir ki, onlar təcrübi nəticələri kifayət qədər
(≤3% dəqiqliklə) düzgün təsvir edir.
1. Кракстон К. Физика жидкого состoяния, М. 1978
2. E.Ə.Eyvazov və b. Molekulyar fizika və termodinamikaya giriş, B.2010
Heptilformiatın sıxlığının təcrübi nəticələrinə əsasən
hal tənliyinin tərtibi
Aslanov H.A, Quliyeva K.F.
Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universiteti
Heptilformiatın sıxlığının temperatur və təzyiqdən asılı
olaraq təcrübi tədqiqi hidrostatik çəki üsulu ilə aparılmışdır
[1,2] və sıxlığın təcrübi qiymətlərinə əsasən hal tənliyi tərtib
edilmişdir. Heptilformiatın P, V, T asılılığının təcrübi nəticələri
P𝑉 𝑛 -1/𝑉 𝑚 koordinatlarında, T=const halı üçün, qrafik şəkildə
təsvir edilir. Burada n və m tam ədədlərdir, V-mayenin xüsusi
həcmidir. n-in və m-in elə qiyməti seçilir ki, P𝑉 𝑛 -1/𝑉 𝑚 asılılığı
izotermlər boyunca düz xəttə çevrilsin. İzotermlərin düzxətliliyinin təmin edildiyini müəyyən edərək izotermlər üçün analitik
ifadə müəyyən edilmişdir:
(1)
P=A/𝑉 2 +B/𝑙
(1)-də A və B kəmiyyətləri aşağıdakı qaydada temperaturdan
asılıdır:
A(T)=∑3𝑖=0 𝑎𝑖 𝑇 𝑖 ;
B(T)=∑3=0 𝑏𝑖 𝑇 𝑖 (2)
(1) tənliyi heptilformiatın sıxlığını 0,15% dəqiqliklə
hesablamağa imkan verir.Heptilformiat üçün (2)-dəki 𝑎0 =
−3,68033 ∙ 103 , 𝑎1 = −9,35772, 𝑎2 = 5,81724 ∙ 10−2 , 𝑎3 =
5,58336 ∙ 10−5 𝑏0 = −1,29289 ∙ 104 , 𝑏1 = 1,32362 ∙
102 , 𝑏2 = −2,99368 ∙ 10−1 , 𝑏3 = 2,39524 ∙ 10−4 − dir.
(1)
tənliy i p=(0,1-50)MPa təzyiq və T=(300-600)K temperatur
intervalında sıxlığı hesablamağa imkan verir.
185
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
1. Гусейнов К.Д., Асланов Г.А. Экспериментальное исследование
P,V,T зависимости и динамической вязкости гептилформиата. Журнал
физической химии, 1976 т.50, №2, с. 2998-2999.
2.Гусейнов К.Д., Асланов Г.А. Экспериментальная установка для
исследования плотности жидкостей и их паров в состоянии насыщения, Изв. Вузов СССР, Нефть и газ, №3,1985 с.40-43.
Изучение взаимодействия ионов железа
с грибными меланинами
Багиров Р.М., Багирова О.Ш., Турабова Г.А.
Бакинский Государственный Университет
Ранее нами было изучено взаимодействие ионов
железа с синтетическим L-ДОФА-меланином, меланосомом, выделенным из ретинального пигмента глаза быка,
меланином выделенным из кожуры бананов. Пигменты
меланинового ряда играют важную роль и в растительном
мире, где их функции связаны главным образом с защитой
клеток от различных повреждающих факторов внешней
среды и в первую очередь солнечной радиации. Как и в
случае с меланинов животного происхождения, защитное
действие пигментов растительного происхождения связано
как с пассивным экранированием от солнечной радиации,
так и с активным подавлением фотоиндуцированного перекисного окисления липидов. Показано, что в случае меланинов животного происхождения подавление ими перекисного окисления липидов связано в первую очередь со
связыванием ионов Fe2+, являющихся катализаторами перекисного окисления липидов. Можно полагать, что этот
механизм является существенным и в случае пигментов
растительного происхождения.
В настоящей работе приводятся и обсуждаются результаты экспериментальных исследований взаимодей186
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Образцы
ствия ионов железа с меланинами из различных штаммов
гриба Pyricularia oryzae методом гамма-резонансной
спектроскопии (ГРС).
Были использованы штаммы (Н1), Н-5-3 (Н) и розовый мутант последнего (R) дефектного по пигментации.
ГР-спектр исходного раствора и супернатанта после осаждения комплекса представляет собой четко выделенный
дублет с параметрами, характерными для аквакомплексов
Fe2+. ГР-спектры осадков (комплексов) идентичны по формам. Это сложный ГР-спектр состоящий, по крайней мере,
из четырех парциальных спектров: двух дублетов и двух
секстетов с уширенными линиями. Значение параметров
ГР-спектров изученных образцов представлены в таблице.
А
В
С
D
Fe2+


Fe3+(1)


Fe3+(2)

 Bэф
мм\с
мм\с
мм\с
мм\с
Тл

мм\с
мм\с
1,37
1,31
1,31
1,29
3,36
3,24
3,18
3,20
0,46
0,48
0,46
0,40
0,42
0,40
0,13
0,12
0,12
50,2
50,0
50,5
мм\с
0,75
0,77
0,74
0,33
0,36
0,38
Fe3+(3)
Bэф

мм\с
0,18
0,19
0,21
Тл
55,1
54,7
55,1
Величины параметров ГР-спектров изученных образцов характерны для высокоспиновых компелксов ионов
Fe2+ и Fe3+ с октаэдрическим лигандным окружением. Следовательно, по отношению к ионам железа меланины
выступают как лиганды слабого поля.
Все изученные меланины способны образовывать
комплексы с ионами железа как в его двух, так и в трехвалентном состоянии. Причем, при взаимодействии с
ионами Fe2+ меланины частично окисляют их до Fe3+ с
последующим комплексованием Fe2+ и Fe3+.
Таким образом, меланины грибов способны, как и
меланины животного происхождения, связывать прооксидантные ионы двухвалентного железа, частично окисляя
187
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
их до трехвалентного с последующим комплексообразованием. Известно, что ионы Fe2+ играют важную роль в
катализе реакции перекисного окисления липидов, причем
вещества, связывающие Fe2+ в прочные комплексы, оказывают антиоксидантный эффект.
Надмолекулярная структура в системе агар-вода
Прудько В.В., Мусаева С.М., Ахмедова С.М.,
Насирова Б.Д.
Бакинский Государственный Университет
Агар является одним из классических природных
полимеров, образующих студни в структурно-сложном
растворителе – воде. Он широко применяется в пищевой,
кондитерской, фармацевтической и других отраслях промышленности. Поэтому весьма важно знание свойств водных растворов агара и возможности варьирования этих
свойств. Для исследований был использован метод дисперсии оптической плотности, позволяющий изучать формирование надмолекулярного порядка в растворах полимеров. При этом измерения можно проводить на СФ-46.
В работе изучена надмолекулярная структура в системе агар-вода и её изменение с изменением концентрации, температуры и при добавлении КСl. Рассмотрено
изменение надмолекулярного порядка в процессе застудневания и плавления как полностью, так и частично сформированного студня и расплавленных структур. Определены
размеры и число надмолекулярных частиц (НМЧ).
Получение кинетических зависимостей оптической
плотности позволило уточнить температуры начала застудневания и плавления. При понижении температуры скорость структурообразования увеличивается. Установлено,
188
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
что размеры частиц при температурах выше температуры
застудневания и ниже температуры плавления остаются
постоянными, то-есть практически структура системы не
меняется. Характер зависимости размеров частиц от температуры в области ниже температуры начала застудневания
и выше температуры начала плавления указывает на существование как процессов агрегации и структурирования
в системе, так и обратных процессов.
Приращение оптической плотности при понижении
температуры связано, в основном, с увеличением размеров
надмолекулярных частиц, а плавление – с их уменьшением. Добавление КCl приводит к уменьшению размеров
НМЧ, но одновременно и к увеличению их числа.
Изменение структуры подтверждается и изменением вязкости при понижении температуры. Температуры застудневания и плавления, полученные обоими методами, практически совпадают. Плошадь петли гистерезиса, образуемой кривыми зависимостями оптической плотности от
температуры при её понижении и при повышении, т.е.
кривыми охлаждения и нагревания, для системы агар-водаКCl увеличивается, что свидетельствует о повышении
прочности структуры.
Müxtəlif əlavələrin aqar gelinin geləmələgəlmə
prosesinə təsiri
Məmmədov M.Ş., Məsimova A.B.
Bakı Dövlət Universiteti
aynura.masimova@mail.ru
Bir çox polimer məhlulları polimerin müəyyən konsentrasiyasından yuxarıda və temperaturun müəyyən qiymətindən
aşağıda gel halına keçir,yəni axıcılığını itirir. Gelin faza halı
189
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
elmi baxımdan maraq kəsb etsədə gelə göstərilən maraq daha
çox onun tətbiqləri ilə bağlıdır. Gelin tətbiqi zamanı onun özlüelastik xassələrini, temperatur intervalını və s. tənzimləmək lazımdır.
Bu işdə aqar polimerinin konsentrasiyasının və müxtəlif
əlavələrin (CaCl2, KCl, NaCl, KOH, NaOH, K2SO4, Na2SO4,
MgSO4) aqar gelinin geləmələgəlmə temperaturuna təsiri öyrənilmişdir. Gel nöqtə optik üsulla təyin olunmuşdur, yəni geldən
keçən işığın intensivliyinin temperatur asılılığından çıxarılmışdır.
Polimer məhlulu zol fazadan gel fazaya keçərkən bulanır
və məhluldan keçən işığın intensivliyi işığın səpilməsi hesabına
azalır. Duzlar gel nöqtəni bir qədər qaldırsada əsaslar gel
nöqtəni əhəmiyyətli dərəcədə aşağı sürüşdürür. Məsələn: 1%-li
aqar gelinə 0,5% miqdarda KOH əlavə etdikdə gel nöqtə 38°Cdən 15°C-ə sürüşür.
Eksperimentdə müşahidə olunan qanunauyğunluqlar göstərilən əlavələrin gelin əmələ gəldiyi mühitin-suyun strukturunda
yaratdığı dəyişkənliklərlə izah olunu.
Аb initio расчет структуры и ИК спектров олигомеров
PEG4+Сl и PEC5+Сl
Гаджиев З.И., Демухамедова С.Д., Алиева И.Н.,
Годжаев Н.М.
Институт физических проблем,
Бакинский Государственный Университет
В настоящее время большой практический интерес
представляет получение на основе управляемого упорядоченного размещения различных атомов в полимерах новых
материалов с заранее известными свойствами. Зная способность полиэфиров к пространственной самоорганиза190
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
ции вокруг заряженных групп, нами с помощью компьютерного моделирования проводится теоретическое квантовохимическое исследование структуры и колебательных
спектров полиэфирных комплексов полиэтиленгликоля
различной длины цепи с атомами щелочных металлов Na,
К и Cl.
Рис. 1. Модели олигомеров PEG4 и PEG5 (а, с) и их
комплексов с атомом Cl (в, д)
Данная работа посвящена теоретическому квантовохимическому исследованию полимера полиэтиленгликоля
с атомом хлора. Длина цепи полиэтиленгликоля
выбиралась состоящей из четырех и пяти повторяющихся
звеньев. Полученные комплексы в зависимости от длины
полимерной цепи обозначены как PEG4+Cl и PEG5+Cl.
Первоначально нами методом компьютерного моделирования, используя программу ChemOffice, были созданы
развернутые модели олигомеров полиэтиленгликоля, состоящие из 4 и 5 звеньев. Затем к этим структурам на небольшом расстоянии добавлялся атом хлора и проводилась
оптимизация методом молекулярной динамики. При этом
цепочки полиэтиленгликоля закручивались определенным
образом вокруг атома хлора на определенном расстоянии
от него. Полученные в результате расчета наиболее стабильные структуры были взяты в качестве исходных
моделей для дальнейшей оптимизации методом ХартриФока по программе Gaussian-09 с использованием базиса
6-31G (p,d).
191
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
В результате расчета получены геометрические, энергетические и электронные параметры для исследуемых
олигомеров и их комплексов с атомом хлора. Затем по этой
же программе Gaussian-09 в этом же базисе 6-31G (p,d)
были рассчитаны колебательные спектры, получены частоты и интенсивности колебательных полос, построены
теоретические спектры этих олигомеров и их комплексов с
атомом хлора.
Рис. 2. Теоретические ИК-спектры моделей PEG4 и PEG5 и их
комплексов с атом хлора
Theoretical study of peptide T
Akverdieva G.A.
Institute for Physical Problems, Baku State University
In this work the results of a theoretical study of the spatial
structure of peptide T (Ala1-Ser2-Thr3-Thr4-Thr5-Asn6-Tyr7Thr8), which may be effective at patients with AIDS [1], are
represented. The conformational profiles of peptide T were carried using the theoretical conformational analysis as described
in [2], the electronic structure of the optimal conformations of
this molecule was investigated by AM1 quantum-chemical
method using the demo version of Hyper Chem proqram [3].
192
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
The results showed that the spatial structure of peptide T is
characterized by two types of conformation, i.e. cyclic conformation, which is favourable for intensive electrostatic interaction between the charged terminal groups and spiral conformation, which provides optimal nonvalent interaction of
atoms of the polypeptide skeleton. In the first type conformation beta-turn was revealed on the section Thr4-Tyr7 of the
C-terminal pentapeptide physiologically active fragment of
peptide T molecule. The energetically preferable formation of
 -turn - the element of secondary structure at the C-terminal
part of the peptide T, perhaps, is necessary for binding to
specific receptors. It was revealed that each of the investigated
conformations is characterized by the specific distribution of
electron density, which reflects on the values of the molecular
orbital energies, effective atomic charges of the functional
residues, binding energies. The distinctions are in the charges
of the atoms entering into active fragment Thr4-Thr8 of
peptide T, and also in the charges of the atoms of the terminal
segments of this molecule. In cyclic conformation, Thr4 unlike
other residues with OH-group, is not localized on a surface of a
molecule, it is turned in inside molecule and, it as though
deforms a cycle-circle and comes nearer by side tail to
approached in space N - and C-terminals parts of the peptide
molecule. It leads to the redistribution of electron density and,
so to changes of charge on the atoms entering in OH-groups of
side chains of Thr4, Thr8 and in the C-terminal part of the
molecule, and also of charge on hydrogen atoms as the
backbone, and side chains of the segments of the molecule
which have approached in space. The conformational
distinctions of two characteristic conformations of peptide T
affects the molecular property such as a dipole moment. Cyclic
conformation is characterized by a much smaller dipole
moment due to the uniformity of distribution of electron
density that can be explained if take into account that the ter193
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
minal charged groups in cyclic conformation are closer than in
spiral conformation. In this connection it is possible to assume
about probabilities of the realization of spiral conformation in
the polar environment.
[1] C.B. Pert, J.M. Hill, M.R. Ruff, R.M. Berman, W.G. Robey, L.O.
Arthur, F.W. Ruscetti, W.L. Farrar. Proc.Natl. Acad. Sci, USA, Vol.83,
p.9254-9258, 1986.
[2] N. Godjayev., S. Akyuz, G. Akverdieva. J.Mol.Struct., v. 403, p.95110, 1997.
[3] N.L.Allinger,Y.H.Yuh, QCPE395, Indiana Univ., Indiana,1982.
Polietilenqlikol-limon turşusunun Na duzu-su ikifazali
sisteminin fiziki-kimyəvi xassələri
Məsimov E.Ə., Ocaqverdiyeva S.Y., Həsənova X.T.,
Əyyubova G.Ş., Şirinova H.A., Əhmədov N.F.,Bağırov T.O.
Bakı Dövlət Universiteti
baghirov-t@mail.ru
Fazaəmələgətirən suda həll olan iki polimerin və ya hər
hansı suda həll olan polimerlə suyu strukturlaşdıran qeyri-üzvi
duzun sulu məhlullarında alınmış ikifazalı sistemlərin fizikikimyəvi xassələri tədqiq edilərək yeni sistemlərin axtarışı davam etdirildikdə məlum olmuşdur ki, polietilenqlikolla bəzi
üzvi duzların, o cümlədən limon turşusunun Na duzunun sulu
məhlulu ikifazalı sistem verir.
Ədəbiyyatda polimer-polimer-su və polimer-duz-su ikifazalı sisitmlərində fazalara ayrılma mexanizmi haqqında mübahisəli fikirlərə rast gəlinir. Son zamanlar isə Məsimov, Zaslavski və digərləri sulu polimer ikifazalı sistemlərinin yaranmasında suyun həlledici rola malik olması hipotezini irəli
sürmüşlər.
İşdə İspaniyanın “Panreac” firmasının istehsal etdiyi
194
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
polietilenqlikol (PEQ)-HO(C2H4O)nH, «kimyəvi təmiz» üzvi
turşuların duzları istifadə olunmuşdur. Bütün təcrübələr kvars
qablarda iki dəfə distillə olunmuş su ilə aparılmışdır. PEQC6O7H5Na3-su ikifazalı sisteminin əsas xarakteristikalarından
biri faza diaqramında birfazalı (homogen) oblastı ikifazalı
(heterogen) oblastıdan ayıran nöqtələrin həndəsi yeri olan binodal əyrisini qurulmuş və birləşdirici xəttin meyl bucağı
tapılmışdır.
Məlum olmuşdur ki, C6O7H5Na3 duzu ilə PEQ-in sulu
qarışığında komponentlərin müəyyən konsentrasiyasında ikifazalı sistem əmələ gəlir. Tədqiq olunmuş ikifazalı sulu polimer
sistemlərində olduğu kimi PEQ-C6O7H5Na3-H2O sisteminin
eyni zamanda mövcud olan fazaları özlərində hər iki komponenti saxlasa da onların fazalardakı konsentrasiyaları müxtəlif olur. Bu zaman əsas rolu su ilə fazaəmələgətirən komponentlər arasındakı qarşılıqlı təsir oynayır.
İkifazalı sulu polimer sitsemləri tədqiq olunarkən bu
sistemlərin fiziki-kimyəvi xassələrinə polimerin molekulyar
kütləsinin təsirinin öyrənilməsi yuxarıda qeyd olunmuş hipotezin təsdiqinə özünün böyük payını vermişdir. Bu səbəbdən
işdə polimerin molekulyar kütləsinin PEQ-C6O7H5Na3-H2O
sisteminin hal diaqramlarına təsiri tədqiq olunmuşdur. Alınmışdır ki, PEQ-in molekulyar kütləsi artdıqca fazalara ayrılma
prosesi komponentlərin daha kiçik konsentrasiyalarında baş
verir. Bu effekt digər sistemlərin tədqiqi zamanı da müşahidə
olunmuşdur. Alınan nəticəni belə izah etmək olar ki, polimerin
molekulyar kütləsi artdıqca onun hidrat təbəqəsindəki su molekullarının sayı artır və sistemdə sərbəst su molekullarının sayı
azalır, həllolma çətinləşir, müxtəlif strukturlu suyun fazalara
ayrılması baş verir. Qeyd edək ki, limon turşusunun Na duzunun sulu məhlulu ilə dekstran və fikollun sulu qarışığında ikifazalı sistemin alınıb alınmaması da araşdırılmış və bu qarışıqlarda komponentlərin müxtəlif konsentrasiyalarında ikifazalı
sistem alınmamışdır. Bizim fikrimizcə, polimer-duz-su sistem195
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
lərində ikifazalı sistemin alınıb-alınmaması polimer molekulunun suda yaratdığı hidrat təbəqənin fəza ölçüləri ilə duzun suda
həll olması nəticəsində alınan ionların ətrafındakı hidrat təbəqənin ölçüləri arasındakı uyğunsuzluqla bağlıdır. Bu uyğunsuzluq PEQ olan halda daha çox olduğundan müxtəlif strukturlu suların bir-birində qeyri məhdud həll olması nəticəsində
fyazalara ayrılma baş vermir.
Polietilenqlikolun sulu məhlullarinda makromolekullarin
xarakterik xassələrinin refraktometrik tədqiqi
Məsimov E.Ə, Rəsulova F.A.
Bakı Dövlət Universiteti
fira1212@rambler.ru
Polimerlərin sulu məhlullardakı konformasiyası bu mühitdə gedən reaksiyaların surətinə, komponentlərin molekullararası qarşılıqlı təsirinə və s. güclü təsir göstərdiyindən makromolekulların konformasiyasının, makromolekulların orta
kvadratik ölçüsünün və s. parametrlərin təyini çox vacibdir.
Polimerlərin bir nümayəndəsi olan polietilenqlikol (PEQ) bir
çox xarakterik xassələrinə görə təbabətdə, kimya, neft, qida və
kosmetika sənayesində və digər sahələrdə geniş tətbiq olunur.
Əksər hallarda polietilenqlikolun birbaşa özündən yox, onun
sulu məhlulundan istifadə olunduğundan işdə müxtəlif
molekulyar kütləli polietilenqlikolların (600, 1000, 1500, 3000,
6000, 20000) sulu məhlulları refraktometrik metodla tədqiq
edilmiş və baxılan məhlullara Lorens-Lorens tənliyini tətbiq
etməklə makromolekulların konformasion polyarlaşma əmsalları, makromolekulların ölçülərinin stabilləşmə şərtləri, makromolekulların orta kvadratik ölçüsü, Kun seqmentinin uzunluğu,
makromolekulda Kun seqmentlərinin sayı müəyyən edilmişdir.
Hidratlaşmamış makromolekulun məhluldakı konformasiyası
196
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
saxlanılmaqla hesablanmış polyarlaşma əmsalının konsentrasion asılılığı əsasında polietilenqlikol makromolekulunun
orta kvadratik ölçüsü təyin edilmişdir. Makromolekulların
ölçülərinin stabilləşməsinin başlanğıc konsentrasiyası halında
( cst  0.2%,  st  4.24 10 28 m 3 ) PEQ 1500 makromolekullarının
orta kvadratik ölçüsü  R 2  st  4.66 A0 olur. Kun seqmentinin
uzunluğu bst  0.15 A0 , makromolekulda Kun seqmentlərinin
sayı N st  1030 alınır. PEQ 1500 makromolekulunun orta
kvadratik ölçüsü monomerin uzunluğu ilə təxminən eyni
tərtibdədir və Kun seqmentinin uzunluğu isə çox qısadır:
R 2 bst  1.32 . Bu, makromolekulun çox elastiki olduğunu
göstərir.
Makromolekulların ölçülərinin konsentrasion asılılığının
təbiəti makromolekul zəncirinin uzunluğundan hissolunacaq
dərəcədə asılıdır: belə ki, müəyyən olunmuşdur ki, ifrat duru
sulu məhlullarda izolə olunmuş yumaqlar şəklində olan
makromolekulların orta kvadratik ölçüsü məhlulda polimerin
konsentrasiyası artdıqca azalır, (yəni yumaqlar bükülür) və
müəyyən konsentrasiyadan başlayaraq dəyişməz qalır. Həmçinin, tapılmışdır ki, makromolekulların ölçülərinin stabilləşməsinin başlanğıc konsentrasiyası polimerin molekulyar kütləsi
artdıqca daha kiçik konsetrasiyalara doğru sürüşür. Bu nəticəni
uzun zəncirli makromolekulların eyni konsentrasiyalı kiçik
uzunluqlu makromolekullara nəzərən daha böyük həcmi
tutaraq qarşılıqlı təsirə daha kiçik konsentrasiyadan başlaması
ilə izah etmək olar.
İdeal Gaus "yumağı" halında R 2  Nb 2 düsturu doğrudur. Yəni makromolekulların orta kvadratik ölçüsü Kun seqmentlərinin sayından kökaltı asılı olur:
R 2 ~ N 0.5 . Müxtəlif
polietilenqlikolların sulu məhlulları ilə aparılan ölçmələr
əsasında göstərilmişdir ki, bu asılılıq polietilenqlikolların sulu
197
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
məhlulları üçün qüvvətin üstü
  0.2899  0.3 olan
10 0.3
y  3 *10 x qüvvət funksiyası şəklində ifadə oluna bilər.
Bu onu göstərir ki, "yumaqlar" arasında güclü qarşılıqlı təsir
mövcuddur. Qeyd edək ki, əgər həcmi qarşılıqlı təsir bir-birinə
yaxınlaşan makromolekul bəndlərinin itələnməsi ilə müşayət
olunursa, yəni qonşu "yumaqların" bəndləri bir-birinin içərisinə
müdaxilə edə bilmirsə, bu halda "yumaqların" şişməsi baş verir
və   0.6 alınır. Aldığımız nəticə onu deməyə əsas verir ki,
"yumaqlar" bir-birinin həcminə müdaxilə edir.
MgSO4 duzunun suyun strukturuna təsiri
Məsimov E.Ə., Həsənov H.Ş., Paşayev B.G.,
Baxşıyeva N.M.
Bakı Dövlət Universiteti
Hidrogen rabitəsi hesabına suda dinamik molekulyarüstü
strukturlar yaranır. Bu strukturların dəyişmə müddəti 10-11-1010
saniyə tərtibində olan klasterlərdən təşkil olunmuşdur. Suyun
klaster modelində klasterlərarası oblastda sərbəst su molekulları mövcuddur. Canlı sistemlərin yaranma proseslərində suyun
klaster strukturunun mühim rolu var. Odur ki, xarici faktorların, o cümlərən suda həllolan maddələrin suyun strukturuna
təsirinin öyrənilməsi fiziki-kimyanın qarşısında duran ən
mühüm məsələlərdən biridir.
Suda həll olan istənilən maddə suyun strukturuna təsir
edir. İşdə MgSO4 duzunun suyun strukturuna təsirinə baxılmışdır. Bu duz rəngsiz, prizmatik kristal olub suda çox yaxşı
həll olur (soyuq suda 1:1, qaynar suda 3:1 nisbətində). Bu duz
orqanizmə müxtəlif təsirlər edir. Onu daxilə qəbul etdikdə pis
sovrulur. İşlətmə maddəsi kimi təsir edir. Bu duzun orqanizmə
təsirinin əsas əlamətlərindən biri onun əsəb-əzələ ötürmələrində sıxıntı yaratma qabiliyyətidir. MgSO4 duzunun orqaniz198
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
mə bu və ya digər təsirləri yəqin ki, ilk növbədə suyun molekulları ilə məhlulda yaranan Mg2+ və SO42 ionları arasındakı
qarşılıqlı təsiri ilə əlaqədardır. Bu ionlar suda hidratasiyaya
məruz qalırlar. Aydındır ki, bu halda suyun strukturu dəyişilməlidir. MgSO4 duzunun suyun strukturuna təsirini müəyyənləşdirmək məqsədi ilə bu duzun sulu məhlulunun elektrikkeçiriciliyi, özlülüyü, sıxlığı, sındırma əmsalı, işıqburaxma spektri
tədqiq olunmuşdur. Bu işdə yalnız özlü axın xassələri araşdırılmışdır. 283,15-313,5 K temperatur və 5-25% konsentrasiya
intervalında MgSO4 duzunun suda məhlulu dinamik özlülüyü
cədvəldə verilmişdir.
Konsentrasiya
0
5
10
15
20
25
Məhlulların özlülüyü , mPasan
283,15
288,15
293,15
298,15
303,15
308,15
313,15
1,3073
1,7364
2,713
3,078
4,776
9,031
1,1383
1,520
2,301
2,749
4,306
7,808
1,002
1,341
1,991
2,498
3,842
6,789
0,8902
1,183
1,728
2,258
3,359
5,891
0,7973
1,066
1,544
2,092
2,894
5,215
0,7191
0,944
1,310
1,188
2,496
4,507
0,6527
0,852
1,241
1,668
2,232
3,860
Məhlulun hazırlanmasında bidistillə olunmuş sudan və
MgSO47H2O duzundan istifadə olunmuşdur. Bu duz Rusiyanın «Tula fermasevt fabrikinin» məhsulu olub apteklərdə
satılır.
Məhlulun özlülüyü viskozimetr, sıxlığı isə piknometr vasitəsilə ölçülmüşdür. Verilmiş temperaturda məhlulun özlülüyü
() aşağıdakı düsturla hesablanmışdır.
 
  0 
 0 0
Bu düsturda 0, 0, 0 və , ,  verilmiş temperatura
uyğun olaraq suyun və məhlulun özlülüyü, axma müddəti və
sıxlığıdır. Cədvəldəki məlumatlar əsasında özlü axının aktivləşmə Gibba enerjisi, entalpiyası və entropiyası hesablanmışdır.
199
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Müəyyən olunmuşdur ki, MgSO4 duzunun suda məhlulu
üçün özlü axının aktivləşmə entropiyası məhlulun konsentrasiyasının artması ilə azalır. Bu isə onu göstərir ki, MgSO4 duzu
suyun strukturuna dağıdıcı təsir göstərir.
Polivinilpirrolidon-uzvi turşuların na duzu-su ikifazalı
sistemləri və onların hal diaqramları
Məsimov E.Ə., Hacıyeva A.E., Həsənov A.Ə.,
Əhmədov N.F., Bağırov T.O.
Bakı Dövlət Universiteti
baghirov-t@mail.ru
Polimer-su ikifazalı sistemlərinin tədqiqinin aktuallığı belə
sistemlərdə gedən proseslərin canlı orqanizmdə gedən proseslərin modeli kimi qəbul oluna bilməsi ilə əlaqədardır. Doğrudan
da, sistemin bir-birindən hidrofobluqlarına görə fərqlənən eyni
zamanda mövcud olan fazaları arasında bioloji maddələrin
paylanmasının araşdırılması orqanizmdə daşınması qanla həyata keçirilən maddələr mübadiləsi mexanizmini başa düşməyə
kömək edə bilər. Fazaların çox hissəsini su təşkil etdiyindən
belə mühitdə biomakromolekulların konformasiyasını və strukturunu formalaşdıran qarşılıqlı təsirlərin kəmiyyətcə öyrənilməsi çox əhəmiyyətlidir.
Yeni ikifazalı sistemlərin axtarışı nəticəsində məlum olmuşdur ki, polivinilpirrolidonla (PVPD) bəzi üzvi duzlarınçaxır, limon və kəhrəba turşularının Na duzunun sulu məhlulu
ikifazalı sistem verir.
Ədəbiyyatda PVPD ilə suyu strukturlaşdıran qeyri-üzvi
duzların sulu məhlullarında alınmış ikifazalı sistemlərin fizikikimyəvi xassələri tədqiq edilərək göstərilmişdir ki, suya daxil
edilən faza əmələ gətirən komponentlərin hər biri suyun strukturuna və/və ya termodinamik halına təsir edərək iki müxtəlif
200
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
struktura (termodinamik hala) malik olan su əmələ gətirir və
həmin müxtəlif strukturlu sular konsentrasiyanın müəyyən
qiymətindən böyük qiymətlərində ayrı-ayrı fazalara yığılaraq
termodinamik tarazlıq halında olan ikifazalı sistem əmələ
gətirirlər.
İşdə Almaniyanın “Applichem” firmasının istehsal etdiyi
polivinilpirrolidon, «kimyəvi təmiz» üzvi turşuların duzları
istifadə olunmuşdur. Bütün təcrübələr kvars qablarda iki dəfə
distillə olunmuş su ilə aparılmışdır. İkifazalı sistemlərin əsas
xarakteristikalarından olan binodal əyrisini qurulmuş və
birləşdirici xəttin meyl bucağı tapılmışdır.
Qeyd edək ki, uzvi turşuların Na duzunun sulu məhlulu ilə
dekstran və fikollun sulu qarışığında ikifazalı sistemin alınıb
alınmaması da araşdırılmış və bu qarışıqlarda komponentlərin
müxtəlif konsentrasiyalarında ikifazalı sistem alınmamışdır.
İkifazalı sistem tədqiq olunmuş polimerlərdən PVPD və
polietilenqlikolla uzvi turşuların Na duzunun sulu qarışığında
alınır. Bizim fikrimizcə, polimer-duz-su sistemlərində ikifazalı
sistemin alınıb-alınmaması polimer molekulunun suda yaratdığı hidrat təbəqənin fəza ölçüləri ilə duzun suda həll olması
nəticəsində alınan ionların ətrafındakı hidrat təbəqənin ölçüləri
arasındakı uyğunsuzluqla bağlıdır. Bu uyğunsuzluq PVPD və
PEQ olan halda daha çox olduğundan müxtəlif strukturlu suların bir-birində qeyri məhdud həll olması nəticəsində fyazalara
ayrılma baş vermir.
Suyun ikili struktura malik olmasını nəzərə aldıqda termodinamik tarazlıq halında fazaəmələgətirən komponentlərin
müəyyən konsentrasiyadan böyük qiymətlərində heterogen sistem alınmasını asanlıqla izah etmək olur. Suyun termodinamik
halını molekulların fəza orientasiyasının müxtəlifliyi və molekullar arasındakı hidrogen rabitələrinin intensivliyi müəyyən
edir. Belə ki, molekullar arasındakı hər bir hidrogen rabitəsinə
düşən enerjinin və molekulların fəza orientasiyasının dəyişməsi
suyun halının və/və ya strukturunun dəyişməsini göstərir. Bu
201
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
mülahizələr müxtəlif maddələrin-həm yüksəkmolekullu, həm
də kiçikmolekullu birləşmələrin-təsiri ilə suyun strukturunun
dəyişməsini izah etməyə imkan verir.
LiOH, NaOH və KOH-ın sulu məhlullarının özlü axınının
aktivləşmə parametrləri
Məsimov E.Ə., Paşayev B.G., Həsənov H.Ş., Musayeva S.İ.
Bakı Dövlət Universiteti
Məlumdur ki, su müəyyən struktura malikdir və bu struktur xarici amillərdən (temperatur, təzyiq, həllolan maddələr və
s.) asılıdır. Müxtəlif maddələr suda həll olduqda suyun əvvəlki
strukturundan fərqlənən yeni struktur yaranır ki, bu struktur öz
fiziki-kimyəvi xassələrinə görə sudan fərqlənir. Su canlı aləmin
əsasını təşkil etdiyindən sulu məhlullarda struktur dəyişmələrinin tədqiqi olduqca zəruridir.
İşdə LiOH, NaOH və KOH-ın suda məhlullarının 10-60 0C
temperatur və 0.01-0.07 molyar hissə konsentrasiyası intervalında dinamik özlülüyü və sıxlığı ölçülmüş, baxılan sistemlərin
özlü axın xassələrinin təhlili əsasında struktur xüsusiyyətləri
araşdırılmışdır. Bu məqsədlə məhlulun özlü axınının aktivləşmə Gibbs enerjisinin ( G ), özlü axınının aktivləşmə entalpiyasının ( H ) və özlü axınının aktivləşmə entropiyasının
( S ) konsentrasiyadan asılılıqları təhlil olunmuşdur. Şəkildə
LiOH, NaOH və KOH-ın suda məhlullarının özlü axınının
aktivləşmə Gibbs enerjisinin, entalpiyasının və entropiyasının
20 0C temperaturda konsentrasiyadan asılılıqları göstərilmişdir.
Qeyd edək ki, G , H və S parametrləri baxılan konsentrasiyalarda temperaturdan asılı olaraq azalırlar və verilmiş
temperaturda konsentrasiyadan asılılıqları eyni qanunauyğunluqla (20 0C temperatura analoji) dəyişirlər.
202
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
12
G ,
kC
mol
a)
1
20
2
19
H ,
kC
mol
b)
1
11
2
18
3
17
10
16
x
9
0
0,01
0,02
0,03
0,04
0,05
S ,
28
C
K  mol
x
15
0,06 0,07
0
0,01
0,02
0,03 0,04
0,05 0,06
3
0,07
c)
1
2
23
18
3
x
13
0
0,01
0,02
0,03 0,04
0,05
0,06
0,07
Şəkil: LiOH (1), NaOH (2) və KOH-ın (3) suda məhlullarının 200C
temperaturda özlü axının aktivləşmə Gibbs enerjisinin (a)),
entalpiyasının (b)) və entropiyasının (c)) konsentrasiyadan asılılığı.
Şəkildən göründüyü kimi, konsentrasiyasının artmasi ilə
hər üç məhlul üçün G artır, S isə azalır, lakin H
LiOH və NaOH məhlulu üçün artır, KOH məhlulu üçün isə
azalır.
Qeyd edək ki, G aktiv aqreqatların potensial çəpəri
keçməsinə sərf olunan enerjidir, H məhlulda yaranan dəyişmələri enerji baxımından, S isə struktur baxımından xarakterizə edir. Güman edirik ki,
H -ın
konsentrasiyadan asılılığında
müşahidə olunan qanunauyğunluqlar Li  və Na  ionlarının
müsbət hidratlaşmaya, K  ionunun isə mənfi hidratlaşmaya
malik olması ilə, S -in konsentrasiyanın artması ilə azalması
isə məhlulun strukturunun dağılması ilə əlaqədardır.
203
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Конформационные возможности гексапептидных
фрагментов молекулы бактенецина
Алиев Р.Э.
Бакинский Государственный Университет
Бактенецин – антимикробный пептид с одной дисульфидной связью, выделенный из лейкоцитов крови крупного рогатого скота. Молекула бактеницина состоит из 12
аминокислотных остатков (додекапептид) с первичной
структурой: H – Arg1 – Leu2 – Cys3 – Arg4 – Ile5 – Val6 –
Val7 – Ile8 – Arg9 – Val10 – Cys11 – Arg12 – COOH [1].
В настоящей работе, используя фрагментарный подход, предложенный Поповым Е.М. [2] для расчета оптимальных пространственных структур олигопептидов и
белков, на классической основе при помощи полуэмпирического метода атом-атомных потенциалов изучены конформационные возможности четырех гексапептидных
фрагментов: Arg1 – Val6; Cys3 – Ile8; Ile5 – Val10; Val7 – Arg12,
принадлежащих молекуле бактенецина.
При расчете вышеуказанных фрагментов бактенецина
выбрана стандартная геометрия аминокислот: аргинина,
лейцина, цистина, изолейцина и валина [3]. Конформационная энергия молекулы представлялась нами как
сумма невалентных, электростатических взаимодействий
атомов, а также торсионных вкладов и энергии водородных связей. Невалентные взаимодействия рассчитывали по
потенциалу Леннарда–Джонса с параметрами, предложенными Мотани и др. Все расчеты выполнены применительно к условиям полярной среды, поэтому величина
“диэлектрической проницаемости” принята равной 10.
Торсионные потенциалы, описывающие вращение вокруг
204
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
связей основных и боковых цепей, взяты из работы
Мотании и др. [3]. Водородные связи, оцениваемые по
потенциалу типа Морзе, предполагались ослабленными, и
энергия связи в воде на равновесном расстоянии принимались равной 1.5 ккал/моль. Отсчет двугранных углов
произведен согласно номенклатуре IUPAC–IUB [4]. Расчет
оптимальных форм гексапептидных фрагментов выполнен
путем минимизации конформационной энергии при вариации двугранных углов вращения. В качестве нулевых
приближений выбранны сочетания оптимальных R и B
форм состояний аминокислотных остатков. Для всех четырех фрагментов рассчитаны по 128 конформаций, принадлежащих 32 шейпам. Выявлены низкоэнергетические конформации. Все они стабилизируются за счет невалентных
взаимодействий.
1. Кокряков В.Н. Биология антибиотиков животного происхождения,
СПб, Наука, 1999, 162 с
2. Попов Е.М. Структурная организация белков, М.,Наука, 1989, 352с.
3. Mamany F.A., Mc Guire R.F., Burgess A.W., Scheraga H.A., J. Chem.
Phys. , 1975, v.79, № 22, p. 2361 – 2381
4. IUPAC – IUB. Commission on Biochemical Nomenclature. Biochem.
Biophys. Acta, 1971, v. 229, p. 1-17
Atom nüvə enerjisindən istifadənin ekoloji əhəmiyyəti
Məsimov N.M., Musayeva G.Ə
Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universitet
masimovnazim@mail.ru
Qloballaşan dünyada müəllim hazırlığında ekoloji biliklərdən istifadə etməklə tələbələrdə ekoloji təfəkkür formalaşdırmaq olar. Ekoloji biliklərə yiyələnmiş gələcək fizika
müəllimləri ekoloji təfəkkürə malik nəsil tərbiyə edir. Son
dövrdə ətraf mühitin normadan artıq dərəcədə çirklənməsinin
səbəbi müasir istehsalın sürətidir. Xalq tə¬sərrüfatının, ener205
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
getika, metallurgiya, maşınqayırma, neft sənayesi hidrosferi,
litosferi və atmosferi bütövlüklə təbiəti korlamışdır. Ağır uran
nüvəsinin neytronlarla bölünmə reaksiyası XX əsr atom energetikasında çox böyük rol oynadı. Ağır nüvələrin bölünmə nəzəriyyəsi nüvənin damla modelinə əsaslanır. Bu modelə əsasən
nuklonlar toplusu elektriklənmiş maye damlasını xatırladır.
Nuklonlar arasında mövcud olan güclü təsir qüvvələri nüvəni,
o cümlədən uran nüvəsini öz-özünə parçalanmadan qoruyur və
onu kürə formasında saxlayır. Uran nüvəsi sərbəst neytronu
zəbt etdikdə, o əvvəlcə radioaktiv uran 236 nüvəsinə çevrilir,
sonra iə əlavə enerji aldığından həyacanlanır və “deformasiya”
edərək uzunsov şəkil alır. Uzunsov nüvənin ucları arasındakı
dəfetmə qüvvələrin daralmış hissədəki cazibə qüvvələrindən
böyük olana qədər nüvə uzanır. O daha qüvvətli dartınaraq
ikiyə bölünür. Kulon dəfetmə qüvvələrinin təsiri altında bu
qəlpələr böyük sürətlə bir-birindən uzaqlaşır. Nüvənin bölünmə
prosesi iki-üç ikinci nəsil neytronların buraxılması və böyük
miqdarda enerji ayrılması ilə nəticələnir. Bu neytronların
qarşısına digər nüvələr çıxdıqda proses yenidən davam edir.
Hazırda müəyyən edilmişdir ki, eyni bir şəraitdə nüvənin
bölünməsindən müxtəlif elementlər alına bilər. Buna baxmayaraq, hazırda kimyəvi və istilik enerjisini birbaşa elektrik
enerjisinə çevirmək metodu, ucuz və mənimsənilmiş çoxpilləli
köhnə metod ilə hələlik rəqabət apara bilmir. Istilik enerjisini
elektrik enerjisinə çevirmək üçün buxar qazanından istifadə
olunur. İlk buxar qazanlarının faydalı iş əmsalı böyük olmamışdır (30%). Qazanların effektivliyini artırmaq, yeni su borulu qazanlar yaratmaqla mümkün oldu. Su borulu qazanlar çox
məhsuldardır. Ona görə də istilik – elektrik stansiyalarında ən
çox bu növ qazanlardan istifadə edilir. Müsair elmi-texniki
tərəqi dövründə ictimai-iqtisadi və mədəni quruculuq işlərinin
miqyasının genişlənməsi şəraitində təbii sərvətin qorunmasına
və onlardan düzgün istifadə edilməsinə daha məsuliyyətlə yanaşılmalıdır. Su sərfiyyatının çox böyük olmasına baxmayaraq,
206
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
bu məqsəd üçün çay və ya dəniz suyundan istifadə edilir. Gücü
1000 MVt-lıq stansiyalarda hər saniyədə xeyli miqdarda su sərf
olunur. Əgər stansiya yaxınlığında güclü su mənbəyi yoxdursa,
sahəsi bir neçə kvadrat kilometrə bərabər olan soyuducu gölməçələrdən istifadə edilir. Işlənilmiş isti buxar ilə qızdırılmış
su yüksək hündürlükdən düşür, bu zaman buxar damcılara ayrılır və soyuyur. Əraf mühitin radiasiyadan çirklənməsi soyutma sisiteminin dövri bir proses kimi işlədilməsindən də asılıdır.
Mövzunun tədrisi sagirdlərdə ekoloji informasiya almaq
bacarıgı aşılayır, sagidlər internetdə olan, Yaponiyada bas
veren zəlzələ zamani ətraf muhitin radiyasiya ilə cirklənməsi,
bu cirklənmənin canlilara təsiri, onun azaldılmasi, radiasiyadan
qorunma tədbirləri haqqında məlumatlar alir. Butun bunlar
informasiya komunikuasiya texnolradiasiyadan qorunma tədbirləri haqqında məlumatlar alır.
207
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
NANOTEXNOLOGİYALAR BÖLMƏSİ
Расчет одноэлектронных волновых функций и уровней
энергии молекулы 1,2-7,8 дибензантрацена
Вагабова М.Р., Мираламова Ф.В.
Бакинский Государственный Университет
nigar_v@mail.ru
Известно, что применение теории групп в значительной степени упрощает задачи многоатомных молекул. В
данной работе для получения сммметризованных молекулярных орбиталей молекулы 1,2-7,8–дибензантрацена
использован метод теории групп [1,3]. Расчеты проведены
в π–электронном приближении на основе метода Хюккеля,
являющегося упрощенным вариантом метода молекулярных орбиталей.
Молекула 1,2-7,8 дибензантрацена относится к точечной группе симметрии C2v, , элементы симметрии:
I,C2,σv,σ'v. [2]. В качестве исходных базисных функций
использованы π - орбитали атомов углерода. Нами были
рассмотрены правила преобразования базисных функций
χq при операциях симметрии точечной группы C2v и составлены соответствующие матрицы приводимого представления Г(g) рассматриваемой молекулы. В результате
расчетов были определены, для молекулы 1,2-7,8- дибензантрацена матричные элементы приводящей матрицы С.
Симметризованные молекулярные орбитали построены
согласно методу молекулярных орбиталей MO ЛКAO [4]
в виде:
U i   cqi  q
q
Коэффициенты cqi молекулярных орбиталей совпадают
с элементами соответствующих столбцов матрицы С..
208
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Задача определения энергетических уровней, соответствующих найденным молекулярным орбиталям, т.е. собственных значений оператора Гамильтона, сводится к приведению матрицы оператора к диагональному виду. Этот
процесс осуществляется с помощью преобразования подобия C-1HC, где матрица C является одной и той же для всех
матриц исходного приводимого представления. После
приведения матрицы Н к диагональному виду собственные
значения оператора Гамильтона - уровни энергии εi получены в следующем виде:
ε1 = ε2 = ε3 = ε4 = ε5 = ε6 = ε7 = ε8 = ε 9= ε I 0 = ε 1 I =
=ε I2 = ε I3 = ε 14 = ε I 5 = ε I6 = ε I7 = ε I8 = ε I9 = ε 20 =
= ε2I = ε 22 = α .
Значение α обычно принимается равным потенциалу
ионизации (с обратным знаком) атома углерода в 2p валентном состоянии.
1. Болотин А.Б., Степанов Н.Ф. Теория групп и ее применения в
квантовой механике молекул. М.1973,227с.
2. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика. Физматлит, М.,
2004, 752c.
3. Вагабова М.Р., Мурсалов T.M. Вестник Бакинского Университета,
сер.физ.-мат. наук, 2003, №2, с.116-121.
4. Минкин В.И., Симкин Б.Я., Миняев Р.М. Теория строения молекул.
Изд. Феникс, Р-на-Д., 1997, 407с.
Фрактальная поверхность чешуи рыб
Годжаев Э.М., Алиева Ш.В. АбасовА.А.
Азербайджанский Технический Университет
Чешуя рыб является структурно сложной многокомпонентной системой, состоящей в основном из минеральных
веществ и коллагена (коллаген–природный полимер) [1].
Изучение на атомно-силовом микроскопе (АСМ) и одновременно на оптическом микроскопе морфологии чешуек
209
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
рыб внесло бы определенную ясность в распределении
сенсорных каналов и боковых линий, на поверхности
рыбы–кутум Целью работы явилось выявление морфологических особенностей природы поверхностных структур
чешуек рыб.
Биополиме́ры — класс полимеров, встречающихся в
природе в естественном виде, входящие в состав живых
организмов: Важный класс полимерных белков составляют фибриллярные белки, самый известный из которых является коллаген. Необходимо четко разграничивать
понятия «коллагеновые волокна» и «коллаген». Первое
понятие по существу является морфологическим и не
может быть сведено к биохимическим представлениям
о коллагене как о белке. Фактически исследованию подвергались природные полимеры с добавками минеральных
веществ, объекты каковыми являются чешуи рыб. В
результате исследований были получены фотографии поверхности чешуй рыб; были проведены их анализы на
основе фрактальных концепций в твердотельных системах.
Морфология поверхности чешуй и ее фрагменты даны на
рис.1- 2.
Рис.1.Фотография центральной
части поверхности боковой линии
чешуи кутума
Рис .2 Фрагмент снимка АСМ –
изображения в 3D- масштабе
поверхности чешуи кутума.
На рис. 1 даны снимки фрагментов сенсорных каналов,
210
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
годичных колец на поверхности чешуи из под первого
плавника. АСМ-изображение фрагмента поверхности чешуи свидетельствует о ее наноразмерности. Динамику
роста поверхности в зонах можно рассматривать как частный случай модели агрегации, пригодную для описания
роста поверхности для биологических систем. Показано
что фрактальная разреженная поверхность чешуи рыбы,
является биополимерной структурой и выполняет функции
сенсорных систем. От этого канала в радиальном направлении расползаются полосы. Снизу в коже рыбы они
связаны с нервными окончаниями передающими определенные сигналы мозговому центру. Главными фрагментами сенсорной системы являются специальные каналы на
чешуе рыб.
1. Якубова О.С., Котенок А.Л. // Журнал; Вестник Астраханского
государственного технического университета, Технология производства продуктов бытовой химии чешуя как источник получения их
тиожелатина 2004, в.2.
Оценка нейтронных сечений железа
Абдуллаев Х.Ш., Мамедов М.Ш., Ибрагимов Н.А.
Бакинский Государственный Университет
Железо является важнейшим конструкционным материалом для реакторов и защиты, поэтому его нейтронные
сечения (особенно сечение захвата) требуется знать с хорошей точностью. Имеющиеся в ЦЯД оценка железа их
библиотека КЕДАК и 26-групповая система констат БНАБ
включают данные измерений, выполненных до 1985 года
и не учитывают ряда новых работ, появившихся в последние годы. В связи с этим в Центре по ядерным данным
была выполнена работа по оценке всех нейтронных сечений для естественной смеси изотопов железа. При оценке
211
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
использованы все доступные экспериментальные данные.
В ряде областей энергии нейтронов, где экспериментальных данных мало или они противоречивы, в качестве рекомендованных кривых зависимостей взяты результаты теоретических расчетов по ядерным моделям. Для сравнения с
используемой в настоящее время в расчетах реакторов 26
групповой системой констант БНАБ получены среднегрупповые сечения.
В области разрешенных резонансов (до энергии
нейтронов 200 кэВ) в качестве рекомендованного сечения
принят расчет в рамках многоуровнего R-матричного формализма. Элемент матрицы столкновений взят в следую
 1  iR
U nn  e 2in
щем виде:
1  iR
 n
1
R  
 R0 ( E ) ;
2  ( ) E  E  i / 2
R0  A  B ( E  E1 2 )
Здесь:  ,  n - радиационные и нейтронные ширины
резонансов составного ядра; E - резонансные энергии;
E1 2 -середина рассматриваемого интервала энергии
нейтронов; А и В - параметры, введенные для учета
вклада в сечение от резонансов, расположенных справа и
слева от рассматриваемого энергетического интервала и не
включенных в сумму по ().
В расчетах резонансных сечений для естественного
железа учтен вклад изотопов 54, 56, 57 с весом, пропорциональным их изотопному содержанию. Используемые в
расчетах параметры S-резонансов выбраны на основе
выполненных ранее работ, в которых проводился многоуровневый анализ данных по пропусканию. При выборе
параметров Р–резонансов учитывались результаты R212
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
матричного анализа данных по радиационному захвату.
Коэффициенты А и В и параметры отрицательного резонанса Fe56 были найдены при подгонке расчетной кривой к
экспериментальному сечению.
В области энергий (3-14)МэВ данные экспериментальных работ, усредненные с интервалом Е, достаточным для оглаживания резонансной структуры, а также
результаты оценки согласуются с точностью не хуже 2% в
интервале 3-5 МеВ, 1,5% в интервале энергий (0,5-1,3)
МеВ идут ниже данных ранее выполненных работ. При
анализе радиационного захвате, имея в виду, что p и dнейтроны дают существенный вклад в сечение радиационного захвата в резонансной области, расчет по резонансным параметрам взят по качестве рекомендованного сечения только в интервале 0,025эВ-30 кэВ, где пропуск ррезонансов маловероятен, а вкладом d-волны можно
пренебречь.
Elastik modulun periodik dəyişməsi halında relaksasiya
Abbasova G.C., Hənifəyeva N.Ə.
Bakı Dövlət Universiteti
Polimerlərin özlüelastik xassələrini ifadə etmək üçün müxtəlif modellərdən istifadə edilir. Bu modellərdə polimerlərin
eyni zamanda həm özlüaxıcılıq və həmdə elastiklik xassələrinə
malik olması nəzərə alınır. Seçilmiş model Karqin və Slonimski tərəfindən təklif edilmişdir. Bu modeldə qəbul edilir ki,
polimer zəncırı seqmentlərin bir-birilə ardıcıl düzülməsindən
ibarətdir və ona görə də çevikliyə malikdir. Modeldə seqmentlərin yüksəkelastikliyi isə bir-birilı parallel bağlanmış yay
( E1 ) və dempferlə (1 ) göstərilir. Karqin-Slonimski modeli
başqa modellərdən fərqli olaraq polimer makromolekulunun
213
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
quruluş xüsusiyyətlərinə əsaslanmışdır. Seqmentlərin sərtlik
əmsalları onların elastik deformasiyasına (valent bucaqlarının
və kimyəvi rabitələrin uzunluğunun deformasiyasına) və yüksəkelastik deformasiyasına (konformasiya dəyişikliyi hesabına
yaranan deformasiyaya) uyğundur. Bu kəmiyyətlər krisstallara
uyğun olaraq makromolekulun molekulyar xarakteristikalarına
görə hesablana bilər.
Seqmentlər digər seqmentlərin əhatəsində olduğundan onların hərəkətinə seqmentlər mühitindəki hərəkət kimi baxmaq
lazımdır. Bu mühitdə hərəkət edən seqmentə həm elastik ( E2 )
və həm də sürtünmə ( 2 ) qüvvəsi təsir edir.
Yuxarıda deyilənlərdən aydın olur ki, tarazılıqdan çıxarılmış vahid uzunluqlu seqmentə daxili elastik ( E1 ) və sürtünmə
d
d
(1 ) , xarici elastik ( E2 ) və sürtünmə ( 2
) qüvvələri
dt
dt
təsir edir. Seqment deformasiya olunduqda onun parametrləri
dəyişir. Deformasiya sabit qalarsa gərginliyin relaksasiya tənliyi aşağıdakı şəkilə düşər:
E
E E

1
1
2
  [ 10 cos 2  E2 (  )]  10 2  cos
0
1
0
1
2
1 2
0
Burada trigonometrik funksiyanı sıraya ayırıb ilk iki həddlə
kifayətlənsək və aşağıdakı əvəzləmələri edək:
E
1
1
2

2
cos 2
 1  4 2 2 , a  E 2 (  ) , b  10 ,  
,
1  2
0
0
0
1
E E
k 2  10 2 Onda tənliyi aşağıdakı kimi yazmaq olar:
1 2
k 2 2 3
b 2 2 
2



 k  
  [( a  b) 
  ] Bu tənliyi Van-der2
2
Pol üsulu ilə həll edək. Baçlanğıc şərtlər olaraq t=0-da    0
214
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı

və   0
 min
qəbul edək. Təcrübələr göstərir ki, gərginliyin
relaksasiyası başlandıqda böyük sürətlə baş verir, yəni relaksasiya müddəti ən kiçik olur. Burada  min həmin müddəti ifadə
edir.
Minimum relaksasiya müddətinin seqmentlərin bir konformasiyadan digər konformasiyaya keçid müddətinə bərabər qəbul etsək və nəzərə alsaq ki, E2 və  2 uyğun olaraq E1 və  1 dən ən azı bir tərtib böyükdür, onda relaksasiya müddətləri ara2E2
sında  2 
 1 münasibətini almiş olarıq. Yuxarıdakı şərt
E1
daxılındə  
2
olur. Alınan ifadə bir daha relaksa-
2E
E
2[ 2 (1  2 )]
E1
E1
siya prosesinin kooperativ xarakter daşıdığını təsdiq edir.
T7 peptidinin dəmir oksidi (Fe3O4) ilə kompleksinin
elektron quruluşu
Abbasova G.C., Əliyeva İ.N., Ramazanov M.Ə.,
Ömərova Ə.İ.
Bakı Dövlət Universiteti
Nanobiotexnologiyanın tətbiq sahələrindən biri nanozərrəciklərin köməyi ilə dərman preparatlarının daşınması və diaqnostikası ilə bağlıdır. Dərman maddəsi molekulları ilə yüklənmiş nanozərrəciklər kimyəvi birləşmələri zədələnmiş toxuma və hüceyrələrə sağlam orqanlara zərər vermədən çatdırır.
Dünyada minlərlə dərman preparatları tapılmasına baxmayaraq, hələ də yeni birləşmələr aşkar edilir. Müasir dövrdə xərçəng hüceyrələrinin terapiyasında istifadə edilən birləşmələrin
215
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
sintez edilməsi zərurəti yaranır. T7 peptidi məhz belə birləşmələrdəndir His-Ala-İle-Tyr-Pro-Arg-His amin turşu ardıcıllığı
transferrin reseptorlarının aktivasiya proseslərində və dərman
preparatlarının hüceyrə daxilinə daşınmasında unikal qabiliyyətə malikdir. Ağ siçanlar üzərində aparılan tədqiqatlar göstərmişdir ki, T7 peptidi poliamidoamin (PAMAM) və polietilenqlikol (PEQ) və doksopubisinom (DOX) kompleksi şişlərə
qarşı yülsək aktivliyə malikdir. Dekstranla örtülmüş üçvalentli
dəmir oksidi və di-qlükoza ilə birləşdirilmiş His-Ala-İle-TyrPro-Arg-His amin turşu ardıcıllığı komplekslərinin nəzəri modelləri qurulmuş və müxtəlif konformasiya hallarını xarakterizə
edən parametrlər tapılmışdır
Təqdim olunmuş işdə T7 (HAİYPRH) peptidinin diqlükoza və üçvalentli dəmir oksidi ilə komplekslərinin fəza və
elektron quruluşlarının hesablanma nəticələri şərh edilmişdir.
Daha dayanıqlı quruluşları tapmaq üçün molekulyar mexanika
MM+ üsulu ilə birləşmələrin və komplekslərin ümumi enerjiləri
minimizasiya edilir. Komplekslərin elektron quruluşlarının tədqiqi, xüsusi ilə keçid metalların atomları daxil olan birləşmələr
üçün parametrləşdirilmiş PM3 yarımempirik kvant kimyası
üsulunun köməyi ilə aparılmışdır. Hesablamalar zamanı
Hypercube kooporasiyası saytından əldə edilmiş HyperChem
proqramının 8.03 versiyasından da istifadə edilmişdir
(www.hyper.com).
His-Ala-İle-Tyr-Pro-Arg-His molekulunun nəzəri konformasiya analizi metodu ilə 0-7 kkal/mol intervalına düşən 14
konformasiya tapılmışdır. Tədqiqat işində istifadə olunan parametrlər, atom-atom potensialları ilə təsvir olunan müxtəlif növ
qarşılıqlı təsirlər-elektrostatik, qeyri-valent qarşılıqlı təsirlər və
torsion potensial bütün əlverişli konformasiya üçün hesablanmışdır. Ikinci mərhələdə 14 konformasiyanın hər birinin dəmir
oksidi komplekslərinin fəza və elektron quruluşları müəyyən
edilmişdir. Hesablamaların nəticələri göstərmişdir ki, 14 konformasiyadan yalnız 6 konformasiyanın dəmir oksidi komp216
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
leksləri ilə birləşmələri daha əlverişli olmuşdur .
Aparılan tədqiqatlara görə T7 peptidinin dəmir oksidi
kompleksləri ilə birləşmələrinin fəza və elektron quruluşundakı dəyişmə qanunauyğunluqları tədqiq olunan birləşmələrin
dayanıqlı və reaksiyaya girmə qabiliyyəti haqqında proqnoz
vermək üçün zəruridir.
Обобщенное уравнение упругости паров ряда
моноалкилбензолов
Абдуллаев Ф.Г.
Азербайджанская Государственная Нефтяная Академия
В течение многих лет нами проводились подробные
экспериментальные исследования упругости насыщенных
паров первых семи углеводородов ряда моноалкилпроизводных бензола в широком диапазоне изменения температур и давлений. Температура в опытах измерялась с
максимальной погрешностью 0,01К. максимальная относительная погрешность измерения давления не превышает
0,01%.
Анализ полученных опытных данных показывал, что
логарифм упругости паров углеводородов ряда моноалкилбензолов в пределах температур =0,47-1,00, при =const, в
зависимости от числа связей (электронных орбиталей в
молекуле) меняется по линейному закону, то есть
lg Psi ( )  A( )  B( )  m
(1)
Число связей в молекуле вычисляется формулой
m  [n  (2n  6)],
(2)
T
где n - число атомов углерода в молекуле.  
Tкр .
217
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
приведенная температура, Т кр . - критическая температура,
А и В – коэффициенты, зависящие только от температуры.
В координате lg Ps ( )  m были построены Ps  f (Ts ) данные для всех углеводородов ряда моноалкилпроизводных
бензола от n  6 до n  20. Установленный линейный
закон lg Psi ( )  m при одинаковых  позволяет провести
экспертный анализ разнородных опытных и расчетных
данных, научно обоснованно планировать проведение
новых экспериментальных исследований, а также провести
экстраполяцию данных на низкие и высокие температуры.
Для каждой изотермы (=const) с использованием всех
опытных данных, решая уравнение (1) методом наименьших квадратов, определены значения коэффициентов A( )
и B ( ) . Установлено, что температурные зависимости этих
коэффициентов описываются идентичными уравнениями
вида
a
(3)
A( )  a0  1k

B( )  b0 
b1
(4)
k
где a0 , a1 , b0 , b1 и k - постоянные коэффициенты. С цель.
Наилучшего описания A( ) и B ( ) зависимостей вся
область температур разбивается на два интервала
0,47    0,70 и 0,70    1,  .
С решением уравнений (2) и (3) методом наименьших
квадратов с использованием всех опытных значений A и
B
определены
следующие
величины
для
их
коэффициентов:
при   0,47  0,70
k  1,44
при   0,70  1,00
k  1,00
a0  3,008877
a0  4,088645
a1  2,282526
218
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
a1  1,307292
b0  0,0160042
b0  0,0277524
b1  0,00409709
b1  0,0280404
Сопоставление значений упругости паров моноалкилбензолов, вычисленных по обобщенному уравнению
(1) с использованием зависимостей (2) и (3) с опытными
данными, показало, что во всей исследованной области
максимальные расхождения не превышают погрешностей
опыта, то есть на  (0,01  0,10)% .
Nanohissəciklərin ölçülərinin təyini üsulları
Ramazanov M.Ə., Paşayev F.H., Həsənov A.Q.,
Ali Tavfik Mahmood
Baki Dövlət Universiteti
nanomaterials@bsu.az
Nanohissəciklərin bir çox xassələri onların ölçülərindən, nanohissəcikdəki atomların sayından asılıdır. İşdə müxtəlif quruluşlu nanohissəciklərin ölçülərini bilməklə ondakı
atomlarının sayının tapılması məsələsinə baxılmışdır. Elmi
ədəbiyyatda eyni atomlardan təşkil olunmuş nanohissəcikdəki
atomların sayı nanohissəciyin ölçüləri ilə aşağıdakı kimi təyin
olunur [1, 2]:
D 3 N A
n
(1)
6M
n - nanohissəcikdəki atomların sayı,  - materialın
sıxlığı, N A -Avoqadro ədədi, M - molyar kütlə, D nanohissəciyi daxilində saxlayan sferanın diametridir. (1)
D  0,8 nm
düsturu ilə Au16 qızıl nanohissəciyin ölçüsü
alınır. Elmi ədəbiyyatda nanohissəcikdəki atomların sayını və
ölçülərini təyin etmək üçün başqa düsturlar da mövcuddur.
Lakin bu düsturlara daha mürəkkəb kəmiyyətlər daxil olar.
219
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Onların hesablanması çətinləşir. Təqdim olunan işdə müxtəlif
atomlardan təşkil olunmuş nanohissəciyin ölçüsü məlum
olduqda ondakı atomların sayının tapılması məsələsinə baxılır.
Bu zaman nanohissəcik kürə formasında təsəvvür olunur.
(CdS) n nanohissəciyinin ölçüsünün təyininə baxaq. Kürə
kimi təsəvvür
olunan bir CdS birləşməsinin ölçüsü
rh  rcd  rs kimi təyin olunar(Şəkil 1.). Burada rcd və rs Cd və S atomlarının kovalent radiuslarıdır. R radiuslu (Şəkil
2.) nanohissəciyinin ( R - verilir) atomlarının sayı aşağıdakı
kimi tapıla bilər:
R3  r 3
(2)
n
rh3
Burada r  R  2rh , R- nanohissəciyi öz daxilində saxlayan sferanın (şəkil 2) radiusu, r h - CdS birləşməsini öz
daxilində saxlayan sferanın (şəkil 1) radiusudur. R  0,52 nm
olduqda (CdS) n nanohissəciyi üçün n  9 alınır. Bütün
atomların sayı isə 18 olar.
( Au2 S ) n nanohissəciyinə baxaq. Au2 S birləşməsi şəkil
3-də təsvir olunmuşdur.
a2  b2
.
2
R=0,5nm olduqda ( Au2 S ) n nanohissəciyi üşün n  3 alınır.
Bütün atomların sayı isə 9 olar.
AD  a  4rAu , CD  b  2(rAu  rS ) , rh 
Şəkil 1
Şəkil 2
Şəkil 3
Yuxarıdakı hesablamaların nəticəsi olaraq Au16 , (CdS ) 9
220
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
və ( Au2 S ) 3 nanohissəciklərinin aşağıdakı nəzəri vizual modellərini (şəkil 4-6) qurmaq olar. Bu modellər əsasında həmin
nanohissəcikləri kvantmexaniki tədqiq etmək olar:
Şəkil 4. Au16 nanohissəciyinin nəzəri vizual modelləri
Şəkil 5. (CdS)9 nanohissəciyinin nəzəri vizual modelləri
Şəkil 6. (Au2S)3 nanohissəciyinin nəzəri vizual modelləri
1. Liu, X., Atwater, M., Wang, J., & Huo, Q. Extinction coefficient of gold
nanoparticles with different sizes and different capping ligands. Colloids
and Surfaces B: Biointerfaces. 2007 Jul 1;58(1):3-7.
2. A.Q.Həsənov. Nanosistemlərin riyazi modelləşdirilməsi və kompüter
hesablanması. Bakı, 2013, “Ləman nəşriyyat poliqrafiya” 234s.
Фурье-ИК спектры поглощения композитов
221
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
полиэтилен высокой плотности с полупроводниковым
наполнителем InP
Алиев М.И.,*Гаджиева Н.Н., Рашидова Ш.Ш.,
Рзаева С.М.
Институт Физики НАН Азербайджана
*Институт Радиационных Проблем НАНА
Композитные материалы, полученные на основе полимеров и полупроводников, представляют особый практический интерес, так как введение полупроводников в полимерную матрицу приводит к модификации структуры и
свойства полимеров. В этом аспекте получение композитов
полиэтилен высокой плотности (ПЭВП) с полупроводниковым наполнителем InP позволяют расширить область их
применения. Выбор нами в качестве наполнителя полупроводникового соединения InP связан с тем, что в литературе
фактически отсутствуют данные по изучению оптических
и спектральных свойства композитов ПЭВП+InP. Поэтому,
в настоящей работе представлены результаты Фурье-ИК
спектроскопических исследований исходных и композитных пленок ПЭВП с наполнителем InP. ИК-спектроскопия
позволяет проследить изменения, обусловленные внедрением микрочастиц в состав полимерной матрицы и
выявить закономерности связанные с этими изменениями.
Исследованы тонкие композитные пленки толщиной
50-100 мкм полученные горячим прессованием гомогенной
смеси ПЭВП+InP. Содержание вводимого количества микрочастиц InP варьировалось от 1 до 10 масс.%.
Фурье ИК-спектры поглощения исходных и композитных пленок измеряли на Фурье спектрометре 640 FT-IR
в области частот 4000-400 см-1(Varian) при комнатной
температуре. Структурные изменения в ИК-спектрах пленок ПЭ, связанные с внедрением микрочастиц наполни222
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
телей, прослеживались в областях частот деформационных
(1480-1460 см-1) и маятниковых (750-700 см-1) колебаний
СН2 – групп ПЭ. Рассчитывалась степень кристалличности
образцов с учетом оптических плотностей полос поглощения 730 и 720 см-1 (полоса 730 см-1 характеризует кристаллическую область ПЭ, а полоса 720 см-1 – кристаллическую область с аморфными прослойками). Получена
зависимость значений относительной степени кристалличности образца ПЭ+InP от массового содержания микрочастиц InP в пленках ПЭ. На основе этой зависимости
установлено, что область максимальной относительной
степени кристалличности наблюдается при содержании
InP в пленках ПЭ при2-3мас.%. Аналогичные изменения
наблюдались также в области деформационных колебаний
СН2 – групп ПЭ. Так как изменение концентрации фосфида индия сопровождалась перераспределением интенсивностей симметричных (=1462 см-1) и асимметричных
(=1472 см-1) колебаний, что указывает на изменение
структуры ПЭВП. Наблюдаемые эффекты объяснены в
рамках трехфазовой модели надмолекулярной структуры
аморфно-кристаллического полимера, состоящей преимущественно из выпрямленных цепей.
Фурье–ИК спектроскопические измерения композитов
подтвердили наблюдаемую в оптических спектрах особенность изучаемых объектов. Выявлено, что с ростом концентрации наполнителей значение поглощения композитных пленок увеличивается.
223
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Nanohissəciklərin bitki hüceyrələrinin səthində toplanması
nəticəsində baş verən fizioloji dəyişikliklər
Əhmədov I.S, Şahbazova F.A.
Bakı Dövlət Universiteti
ismetahmadov@mail.ru
Bitki hüceyrələrində nanohissəciklərin hüceyrəyə daxil olmasına mane olan ilkin baryer hüceyrə divarıdır. Hüceyrə divarı qalınlığı 0,2 mkm olan sellüloza təbəqəsindən təşkil olunmuşdur. Hüceyrə divarında bitkilərin növündən asılı olaraq
diametri 0,8 nm-10 nm olan məsamələr var. Nanohissəciklərin
bu məsamələrdən sərbəst olaraq keçməsi, təkcə onların ölçülərindən deyil həm də səth membranında elektrik yüklərinin
olmasından asılıdır. Odur ki, nanohissəciklərin bitki hüceyrələrinə daxil olması həm onların ölçüləri və həm də səth
yükləri ilə tənzimlənir.
Verilmiş tədqiqat işində CuO, TiO3, Fe2O3 və ZnO nanohissəciklərinin su bitkisi Trianea bogotensisin kök hüceyrələri
ilə qarşılıqlı təsir mexanizmi tədqiq edilmişdir. Bunun üçün
Trianea bitkisinin kökləri götürülmüş nanohissəciklərin suspenzion məhlulunda saxlanmış və onların köklərin səthində
toplanması, kök hüceyrələrində baş verən fizioloji dəyişikliklər
müşahidə edilmişdir. Nanohissəciklərin təsiri onların konsentrasiyasından və ekspozisiya müddətindən asılı olaraq öyrənilmişdir. İşıq mikroskopu ilə aparılan müşahidələrdən aydın olmuşdur ki, nanohissəciklər kök hüceyrələrinin səthinə toplanaraq aqlomerat strukturlar əmələ gətirirlər. Bu zaman ekspozisiya müddətindən asılı olaraq hüceyrələrdə protoplazmanın
hərəkəti dayanır, turgor itir, uzunmüddətli ekspozisiya zamanı
köklər gövdədən aralanır və funksiyasını itirir. Nanohissəciklərin yuyulmasından sonra hüceyrələrdə protoplazmanın hərəkəti bərpa olunmur. Bu nanohissəciklərin hüceyrəyə daxil olması ehtimalını göstərir.
224
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Bitki homogenatlarında və göbələklərdə sintez olunan
gümüş nanohissəciklərinin bitki hüceyrələrinin səth
membranı ilə qarşılıqlı təsir mexanizminin tədqiqi
Əhmədov I.S, Ramazanlı V.N.
Bakı Dövlət Universiteti
ismetahmadov@mail.ru
Son vaxtlar bioloji sistemlərdə nanohissəciklərin sintezi
sahəsində aparılan tədqiqatlardan aydın olmuşdur ki, gümüş
nanohissəcikləri su bitkisi elodeadan, tərəvəz bitkilərindəndən
dirrik ispanağından, nanədən, gicitikandan alınan homogenatelarda və göbələklərdə sintez oluna bilir. Bu zaman alınan gümüş nanaohissəcikləri fiziki parametrlərinə və xüsusiyyətlərinə
görə kimyəvi yolla sintez olunan nanohissəciklərdən xeyli
fərqlənir.
Verilmiş tədqiqat işində gümüş nanohissəciklərinin ispanaq, nanə, gicitikan bitkilərinin homogenatlarında və göbələklərdə sintezi metodikası inkişaf etdirilmiş və alınan nanohissəciklərin fiziki xüsusiyyətləri (ölşüləri, formaları və s.) elektron
skan mikroskopunda, UV-vis spektrometrində öyrənilmişdir.
Ölçmələr göstərmişdir ki, bitki homogenatlarında və göbələklərdə alınan gümüş nanaohissəciklərinin ölçüləri 10 nm–40 nm
intervalında, formaları isə əksər hallarda sferik olur. Bioloji
yolla alınan nanohissəciklərin üzvü molekullar dan ibarət
örtüyə malik olması ehtimal olunur. Odur ki, bu nanohissəciklərin bitki hüceyrələrinin plazmatik membranla qarşılıqlı təsir
mexanizminin öyrənilməsi xüsusi aktuallıq kəsb edir. Təcrübələrdə bitki homogenatlarında və göbələkdə sintez edilmiş gümüş nanohissəciklərinin ali su bitkisi Trianea bogotensisin kök
hüceyrələrində plazmatik membranın elektrik parametrlərinə
(membran potensialı və membran müqavimətinə) öyrənilmişdir.
225
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Компьютерное моделирование нейрпептидов
семейства аллатостатинов
Велиева Л.И., Алиев Э.З.
Бакинский Государственный Университет
Одной из актуальных проблем современной биофизики является целенаправленный синтез нейропептидов,
используемых для регуляции численности насекомых. К
числу таких соединений относятся нейропептиды, синтезируемые нейросекреторными клетками мозга различных видов насекомых, в частности, Calliphora Vomitoria,
Drosophil melanogaster, Shistostocerca gregaria. Нейропептиды ингибируют синтез и выделение ювенильных гормонов в процессе онтогенеза насекомых, участвуют в
нейропередаче и регуляции функций нервной системы.
Целью настоящего исследования явилось изучение
пространственной структуры, конформационных свойств и
электронно-динамических характеристик нейропептидов –
Leu галлатостатина-4, дростатина-3, шистотатина-6 и аллатоститинов 1-4. В работе проведен сопоставительный
анализ результатов, полученных теоретическими методами
– полуэмпирическими методами молекулярной механики и
квантовой химии. Динамические свойства нейропептидов
изучались методом молекулярной динамики. Все расчеты
были проведены с помощью вычислительных компьютерных программ, Согласно результатам исследования нейропептиды-Leu галлатостатин-4, дростатин-3, шистотатин-6
обладают компактной пространственной структурой и
содержат -спиральный сегмент, включающий остатки
Arg2-Pro3-Tyr4-Ser5-Phe6-Gly7-Leu8 (рис. 1).
Низкоэнергетические конформационные состояния
молекул нейропептидов стабилизированы водородными
связями, в образовании которых участвуют атомы основ226
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
ной цепи остатков Arg2 и Ser5, а также функционально
активные участки их боковых цепей.
Рис.1 Структура молекулы дростатина-3 (а) и аллатостатина 1
(б) по данным теоретических расчетов.
Полученные результаты были подтверждены также
исследованием молекулярно-динамических свойств нейропептидов. Молекулярная динамика нейропептидов, проведенная в условиях вакуума и в водной среде в течение 30
пикосекунд, выявила устойчивость структур к действию
молекул воды. Установлено, что нейропептиды сохраняют
виток -спирали несмотря на образование большого числа
межмолекулярных водородных связей с молекулами воды.
Такие связи не вносят существенного вклада в энергию,
однако они участвуют в дополнительной стабилизации
пространственных структур нейропептидов.
Maye kristallarda elektrooptik effektlər
Ramazanov M.Ə., İmaməliyev A.R., Hümbətov Ş.Ə.
Bakı Dövlət Universiteti
Özlərində mayelərin və kristalların müəyyən xassələrini
birləşdirən maye kristallar bir tərəfdən mayelər kimi axıcıdırlar, eyni zamanda kristallarda olduğu kimi optik oxa malikdirlər. Məhz idarə oluna bilən optik oxa malik olmaları xüsu227
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
siyyəti maye kristallarda elektrooptik effektlərin - optik mənzərənin elektrik sahəsinin təsiri ilə dəyişməsi müşahidə olunur.
Bunun səbəbi elektrik sahəsinin maye kristal mühitlə qarşılıqlı
təsiridir (dielektrik nüfuzluğunun anizotropiyası və ya spontan
polyarizasiyası vasitəsi ilə). Maye kristalların displey texnikasında geniş istifadəsi onlarda baş verən elektrooptik effektlər–
optik oxun elektrik sahəsinin köməyi ilə idarə olunmasına əsaslanır. Maye kristalda elektrik, maqnit, mexaniki, istilik və s.
təsirlərin köməyi ilə direktor sahəsinin dəyişməsi Frederiks
effektinə əsaslanır və ölçmələr zamanı müəyyən olunmuşdur ki
Frediriks keçidiastana parametrləri temperaturdan və maye
kristal kompazitin tərkibinə əlavə edilmiş boyaq maddələrinin
konsentrasiyasından asılı olaraq əhəmiyyətli dərəcədə azaldıla
bilir. Nematik maye kristallarda direktor sahəsinin təhrif
olunması (deformasiyası) artıq elektrik təbiətli enerjinin yaranmasına səbəb olur ki, bu da maye kristalın elektrik sahəsinin
təsiri ilə idarə etməyə imkan verir. Nematik maye kristallarda
elektrooptik effektlər sahə və cərəyan təbiətli olur. Sahə effektləri elektrik sahəsinin dielektrik nüfuzluğunun anizotropiyası ilə qarşılıqlı təsirinə əsaslanır. Bu qarşılıqlı təsirə uyğun gələn enerji sıxlığı
1
Wкв    0 E 2
2
ifadəsi ilə təyin olunur. Cərəyan effektləri xarici elektrik sahəsinin maye kristalın elektrik keçiriciliyinin anizotropiyası
ilə qarşılıqlı təsiri nəticəsində yaranır. Bu qarşılıqlı təsirin
enerji sıxlığı
 ||
1
E   0
E2
2 
düsturu ilə təyin olunur. || və   - direktor və ona perpendikulyar istiqamətdə elektrik keçiriciliyidir. Cərəyan effektinə misal olaraq işığın güclü səpilməsi ilə müşayət olunan
dinamik səpilmə effektini göstərmək olar. Maye kristala
228
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
aşağı tezlikli və böyük amplitudlu gərginlik verdikdə maye
kristal daxilində turbulent hərəkət yaranır ki, bu da işığın
səpilməsinə səbəb olur. Turbulentlik oblastının ölçüsü işığın
dalğa uzunluğu tərtibində olduqda işığın səpilməsi daha da
güclənir.
1.
2.
Blinov L.M., Chigrinov V.G. “Electrooptic effects in liquid crystal
materials”. 1994, Springer Verlag, 488p
Handbook of Liquid Crystals, Ed. By Demus D., Goodby J. et all.,
Wiley-VCH, 1998, 3 volume set, 2591p.
Статическая диэлектрическая проницаемость
циклопентанола в низкочастотном диапазоне
Усейнова С.М.
Бакинский Государственный Университет
Для измерения диэлектрической проницаемости ε0
жидкостей вне дисперсии электромагнитных волн был
использован резонансный метод, принцип которого
заключался в измерении емкости пустого измерительного
конденсатора и емкости того же конденсатора, но
заполненного испытуемой жидкостью. Если C0 - емкость
пустого конденсатора, то емкость конденсатора, заполненного жидкостью, будет равна ε0 C0 , где ε0 -статическая
диэлектрическая проницаемость.
Если f 0 -собственная частота колебательного контура,
когда в контур включен пустой измерительной конденсатор, обладающий емкостью C0 , а f -собственная частота
колебательного контура, когда в контур включен измерительный конденсатор, заполненный исследуемой жидкостью, то диэлектрическая проницаемость жидкости мо229
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
жет быть определена с помощью
соотношения:
f
f
ε0 = ( 0 ) 2 + B[( 0 ) 2 - 1] ;
f
f
где
постоянный
по
величине
следующего
(1)
коэффициент
B=
C
C0
определялся
по
результатам
тарировки
( B = 11,71 • 110,95 • 10-3 • (t0 - t ) , .где t0 = 200 C и t температура
измерительного конденсатора). C -емкость постоянного
эталонного конденсатора.,
В таблице 1 даны экспериментальные и литературные
данные измерения коэффициента преломления nD20 ,
плотности d 420 , и температур кипения tk0C при нормальном
атмосферном давлении циклопентанола.
Таблица 1
Вещество,
мол. вес
C5 H 9OH
86,135
Экспер.данные
Литерат. данные /1/
d 420
nD20
tk0C
d 420
nD20
tk0C
0,9476
1,3941
140,0
0,9488
1,3997
139
В таблице 2 дана температурная зависимость статической диэлектрической проницаемости циклопентанола.
Как показывают таблицы 1 и 2, между литературными
данными и экспериментальными значениями этих параметров ( ε0 ) хорошее совпадение, что указывает на надежность данного метода исследования, а также на верность
предполагаемых моделей структуры и строения молекулы
циклопентанола.
230
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Таблица 2
t 0C
ε0
ε0 /1/
-20
-10
0
10
20
30
40
25,45
22,92
20,92
18,87
17,38
16,21
14,90
25,50
-
-
-
-
-
-
Осипов О.А., Минкин В.И. «Справочник по диэлектрикам», M.,
1990
2. White A.H., Bishop W.S., J.Amer.Chem., Soc., 62, 8, 1970
1.
Равновесные диэлектрические свойства
циклопентанола
Усейнова С.М.
Бакинский Государственный Университет
В данной работе изучались зависимости статической
диэлектрической проницаемости ε0 чистого циклопентанола (C5 H 9OH ) от температуры t=-400С+400С. Данные
низкочастотных измерений ε0 были применены для расчета эффективного дипольного момента μж молекул
исследуемых соединений в жидкой фазе; вычисления
выполнены с использованием уравнения ОнзагераКирквуда-Фрелиха, выводимого из статической теории
диэлектрической поляризации /1,2,3,4/ и связывающее
макроскопический параметр ε0 с дипольным моментом
полярной молекулы:
( -  )(2 0   ∞) 9 kT
;
(1)
 ж  g  02  0 

 0 ( ∞  2)
4 N
где k - постоянная Больцмана, T - абсолютная температура, ε0 - статическая диэлектрическая постоянная вещест231
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
ва, ε∞ - диэлектрическая постоянная вещества в оптическом диапазоне, N – постоянная Авогадро, здесь
_______
(2)
g = (1 + z cos γ )
структурный фактор, являющийся постоянной величиной
для молекулы, Z - среднее координационное число моле_______
кулы полярной жидкости, cos γ - среднее значение косинуса угла между направлениями диполей двух соседних
молекул. Согласно, /1,3,4/, определяемый из (1) эффективный дипольный момент μж , связан с дипольным моментом
изолированной молекулы μ0 того же вещества соотношением
(3)
μж = μ0 g
где g - имеет тот же смысл, что и в (1), но является также
мерой короткодействующих взаимодействий в среде.
Совместное использование уравнений (1), (2), (3) дает
возможность установить на основании опытных значений
тип взаимного расположения дипольных молекул и,
следовательно, судить о молекулярном строении вещества.
При g = 1 - эффективный дипольный момент совпадает с
моментом μ0 изолированной молекулы, что указывает на
отсутствие в исследуемой жидкости ориентационного
влияния короткодействующих сил. При g > 1 из уравнения
_______
(2) следует cos γ > 0 , что эквивалентно параллельному
выстраиванию диполей, то есть преобладанию открытых
_______
цепочечных структур. При g < 1 , cos γ < 0 , что эквивалентно антипараллельному выстраиванию диполей или
преобладанию закрытых цепочечных структур.
В таблице 1 приведены результаты расчета μж и g
циклического углеводорода, полярной жидкости в изучен232
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
ном интервале температур. Величина ε∞, входящая в
расчетное уравнение (1) определялась из соотношения
ε∞- 1
n2 - 1
= 1,05 2D
ε∞ + 2
nD + 1
(4)
где: nD - коэффициент преломления, измеренный в оптическом диапазоне волн; а коэффициент 1,05 учитывает
вклад в ε∞, обусловленный атомной поляризацией. В качестве μ0 в уравнении (1) использовались литературные
значения дипольных моментов μГ молекул исследуемой
жидкости, измеренных в газовой фазе /6/.
Значения эффективного дипольного момента μж и
корреляционного параметра g полученные по вышеуказанному способу приведены в таблице 1.
Таблица 1
Вещество
tC
ε0
ε∞
μж , д
μГ д
g
Циклопентанол
-40
-20
0
20
40
30,08
25,45
20,32
17,38
14,90
2,09
2,06
2,03
2,01
1,99
3,23
3,05
2,97
2,87
1,72
/6/
3,89
3,53
3,13
2,98
2,78
(C5 H 9OH )
0
Как показывают полученные данные величина параметра корреляции g у циклопентанола оказываются значительно больше единицы и имеют тенденцию увеличиваться по величине с понижением температуры. Это свидетельствует о большой корреляции молекул циклопентанола, обусловленной наличием водородных связей, приводящих к образованию цепочечных ассоциатов дипольных
молекул с параллельным расположением в них диполей;
при этом размер ассоциатов возрастает с понижением
температуры.
1. Фрелих Г. «Теория диэлектриков», М., 1960
2. Шахпаронов М.И. «Методы исследования теплового движения
233
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
молекул и строение жидкостей», М., 1963
3. Onzager L., Am.Chem.Soc., 58, 1486, 1938
4. Kirkwood J.G., Goldberg R.J., J.Phys.Chem. 18, 54, 1960
5. Осипов О.А., Минкин В.И. «Справочник по диэлектрикам», М., 1995
6. Le Fevre R.J.W., Williams A.J.; J.Chem.Soc., 108, 1960
Polipropilen və dəmir nanohissəcikləri əsasındakı
nanokompozitlərin maqnit-qüvvə mikroskopiyası (MQM)
ilə tədqiqi
Ramazanov M.Ə., Hacıyeva F.V., Rəhmətova C.R.
Bakı Dövlət Universiteti
İşdə polipropilen və dəmir nanohissəcikləri əsasında alınmış maqnit nanokompozisiya materiallarının maqnit-qüvvə
mikroskopiyası (MQM) ilə tədqiqi aparılmışdır. MQM səthin
maqnit xassələrinin təsiri nəticəsində zondun maqnit əyilmələrinin (meyl etməsinin) ölçülməsi hesabına lokal nanoölçülü
maqnit qarşılıqlı təsirlərin aşkarlanmasına əsaslanır. PP+Fe
əsasındakı nanokompozisiyasının səthinin relyefinin topoqrafiyası, maqnit təsviri və kələ-kötürlüyü İntegra-Prima (NTMDT) markalı skanedici zond mikroskopu vasitəsilə tədqiq
edilmişdir. Skanetmə hava şəraitində rezonans tezliyi 40-97
Hs-ə və ucunun əyrilik radiusu nm bərabər olan ferromaqnit
materialdan xüsusi plazmakimyəvi üsulla hazırlanmış maqnit
zondlarla aparılmışdır. Skanetmə sürəti və skanetmə xəttləri
uyğun olaraq 1,969 Hs və 256-dir. Maqnit-qüvvə rejimində
skanetmə ikikeçidli metodika ilə 1818 mkm skanetmə oblastında aparılmışdır. 1-ci keçiddə yarımkontakt rejimində zond
nümunə səthini müəyyən xətt üzrə skan edərək səthin topoqrafiyası haqda məlumat verir (a). 2-ci keçiddə zond nümünədən z məsafəsi qədər uzaqlaşdırılır (40-100 nm) və eyni
xətt üzrə hərəkət etdirilərək skanetmə aparılır (b). Artıq bu
məsafədə Van-der-vaals cəzb etmə qüvvələr itir və zonda yal234
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
nız maqnit qüvvələri təsir edir. Bu zaman kantileverin düzxətli
istiqamətdən meyl etməsi məhz maqnit qarşılıqlı təsirlə əlaqədardır. Şəkil 1-də tərkibinə nm dəmir nanohissəcikləri daxil
edilmiş polipropilen və dəmir nanohissəcikləri əsasındakı
nanokompozisayanın maqnit zondla çəkilmiş topoqrafiyası və
maqnit faza görüntüsü verilmişdir.
a
b
Şəkil 1. PP+Fe nanokompozisiyasının maqnit zondla çəkilmiş AQM (a)
topoqrafiyası və MQM (b) faza görüntüsü.
Şəkildən göründüyü kimi MQM faza şəklində maqnit siqnallarının paylanması aydın şəkildə görünür. AFM ve MQM
tədqiqatları nəticəsində müəyyən edilmişdir ki, maqnit nanoölçülü hissəciklər əlavə edilmiş kompozit strukturlarda dispers
nanohissəciklər öz ətrafinda maqnit sahəsi yaradaraq onun
maqnit morfologiyasını dəyişdirir ki, bu da nəzəri hesablamalarla uzlaşır.
Karbon nanoboruların elektron quruluşunun
xirialliğından asılılığının tədqiqi
235
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
1Nəbiyev
1Bakı
N.S., 2Mirzəağayev R.Ş.
Dövlət Universiteti, 2Qafqaz Universiteti
nagnew@list.ru
Karbon nanoboruların elektrik keçiriciliyi həndəsi quruluşlarından asılı olaraq dəyişir. Nanoboruların xiriallığı, həndəsi quruluşu, elektrik xassələri arasında əlaqəni müqayisəli
analiz etmək üçün eyni diametrli, fərqli xiriallığa malik nanoboruların kvant-kimyəvi hesablanma nəticələrindən istifadə
etmək olar. Təqdim olunan məruzədə genişləndirilmiş Hükkel
metodunun köməyi ilə əldə edilmış elekron quruluşunu müəyyənləşdirən parametrlərlə, klassik modellərə əsasən hesablanmış, nanorunun xüsusi keçiriciliyini xarakterizə edən parametrlərin müqayisəli analizindən əldə edilən nəticələr təqdim edilir.
Tədqiqat obyekti kimi birdivarlı nanoborular seçilmişdir. Müxtəlif xiriallığa aid bərabər diametrli nanoboruların elektrik keçiriciliyi klassik modelə görə hesablanmış, müxtəlif xiriallığa
malik eyni diametrli nanoboruların sistemləşdirilməsi aparılmışdır. Nanoboruların elektron və fəza quruluşunun əlaqəsini
müəyyənləşdirmək üçün müxtəlif xriallığa malik nanoboruların
energetik və elektron quruluşunu müəyyənləşdir kvant-mexaniki parametrlər hesablanmışdır. Hesablama nəticələrinə görə
elektronların enerji səviyyələrində yerləşməsini, ən ümumi
şəkildə, səciyyələndirən hal sıxlıqları müəyyən edilmiş, nanoboruların xiriallığı ilə onların ionlaşma potensialı, elektrona
hərisliyi və enerji səviyyələri – zona quruluşu arasında əlaqə
analiz olunmuşdur. Diametrləri eyni (0.70 nm) olan (12,6),
(13,5), (15,2), (16,0), və (0.90nm) olan (13,10), (12,11), (14,9),
(17,5), (19,2), (20,0) nanoborular tədqiq olunmuşdur. Kvant
hallarının enerjiyə görə paylanması 0.5 ev addımla cədvəlləşdirilmiş, onların əsasında paylanma qrafiqləri qurulmuşdur.
Hər bir borunun elektrik keçiriciliyi zona quruluşu və Fermi
səviyyəsinin vəziyyətinə görə müəyyən edilə bilər. Digər tərəf236
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
dən, hər bir metal və yarımkeçirici naqil kimi nanoboruların
məxsusi keçiriciliyi və qadağan olunmuş zonasının eni müxtəlif qiymətlərə malikdir. Hər bir nanoborunun bu parametrləri
zond mikroskopları ilə ölçülə bilinir. Ümumi nəzəriyyəyə görə
zond və keçirici nümunə arasında tunel elektrik cərəyanının
şiddəti Fermi səviyyələri ətrafında hal sıxlığı ilə düz mütənasibdir. Nanoboruların Fermi səviyyələri ətrafında hal sıxlıqlarını müqayisə edərək keçiriciliklərini qiymətləndirmək olar.
Kvant mexaniki hesablamalar bütün nanoboruların sonuncu
tutulmuş orbitalı ilə birinci vakant enerji səviyyəsi arasında
enerji intervalının E=0.001 eV tərtibində olduğunu göstərmişdir. Bu tədqiq etdiyimiz nanoboruıların metal keçiriciliyə
malik olduğunu bir daha təsdiq edir. Müəyyən olunmuşdur ki,
hal sıxlığının nanoborularınn diametrlərindən asılılığı müəyən
qanunauyğunluğa tabe deyildir. Eyni diametrli, müxtəlif
xıriallığ aid nanoboruların Fermi səviyyəsi ətrafnda hal sıxlığı,
uyğun olaraq, keçiriciliyi fərqli ola bilər. Eneji səviyyələrinin
paylanmasına əsasən nanoboruların hal sıxlıqları və hal
sıxlıqlarının Fermi səviyyəsinə nəzərən paylanma mənzərəsini
əks etdirən qrafiklərin analzinə əsasən müəyyən olunmuşdur ki,
Fermi səviyyəsi ətrafında ən böyük hal sıxlığına malik
nanoborunun xriallığı (17, 5), ən kiçik hal sıxlığına malik
nanoborunun xriallığı (12, 6)-dır. Bu borulardan birincisi 0.90
nm diametrə, ikincisi 0.70 nm diametrə malikdir.
237
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Ag2S nanohissəciklərinin polimer matrisdə sintezi və
lüminessensiya xassələri
Ramazanov M.Ə., Əliyeva S.Q.
Bakı Dövlət Universiteti
nanomaterials@bsu.az, aliyeva-s@list.ru
Metalların nanoölçülü sulfidli birləşmələri fərqli elektrofiziki, fotoelektrik, optik xassələrinə görə maraq kəsb edir.
Yüksək fotostabilliyə, lüminessensiyanin yüksək kvant çıxışına, böyük qadağan olunmuş zona eninə malik olan belə birləşmələrin optik xassələri hissəciyin ölçüsündən və morfologiyasından asılı olaraq dəyişir. Bu isə bilavasitə onların sintez üsulundan asılıdır. Nanohissəciklərin maye mühitdə səthi
aktiv maddələrin (SAM) iştirakı ilə sintez üsulları perspektiv
metodlardandır. Belə ki, nanohissəciklərin səthinə adsorbsiya
olunan səthi aktiv maddələrin molekulları onların sonrakı
böyüməsinin qarşısını alır. Dispers nanohissəciklərdən ibarət
polimer nanokompozit material alarkən əsas tələblərdən biri
nanohissəciklərin aqreqasiya olunmaması olduğuna görə nanohissəciklərin SAM ilə təkmilləşmiş sintez metodikasının işlənib
hazırlanması aktual məsələlərdəndir.
Bu tədqiqatın məqsədi – SAM ilə stabilləşdirilmiş kiçik
ölçülü Ag2S əsaslı polimer nanokompozit material almaq və
onların lüminnessent xassələrinin tədqiqidir. Polimer matris
olaraq izotaktik polipropilen (PP) tozu götürülmüşdür.
PP+Ag2S nanokompozitin sintezi aşağıdakı mərhələlərlə
aparılmışdır. İlk əvvəl SAM-ın iştirakı ilə AgNO3 və Na2S duzlarının 0,005 M və 0,0025 М konsentrasiyalı məhlullarından
ölçüləri 10-50 nm olan Ag2S nanohissəcikləri sintez edilmişdir.
Növbəti mərhələdə sintez olunmuş nanohissəciklər polimer
matrisə daxil edilərək nazik təbəqələr alınmışdır.
Skanedici elektron mikroskopunda Ag2S nanohissəciklərinin formalaşdığı təsdiq olunmuşdur.
238
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
.
Şək1. Ag2S nanohissəciklərinin SEM təsviri
Nanokompozitin lüminessensiya xassələri otaq temperaturunda Cary Eclipse spektroflüorimetrində tədqiq olunmuşdur.
Nümunə ex=381 nm dalğa uzunluğunda həyəcanlandırılmış,
lüminessensiya spektrində isə maksimum em=528 nm dalğa
uzunluğunda müşahidə olunmuşdur ki, bu da Ag2S nanohissəciklərinə uyğun gəlir.
Şək2. a) həyəcanlanma, b) şüalanma spektrləri
239
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Самоорганизация паттерновв термоэлектрических
системах
1Рамазанов
М.А., 2Алескеров Ф.К., 2Кахраманов К.Ш.,
2Набиева С.А., 2Мамедов М.М.
1 – БГУ Баку, Азербайджан
2 – НПО «Селен» НАНА, Баку, Азербайджан
kamil.qahramanov@yahoo.com
Макроскопические паттерны возникают в результате
слож-ного нелинейного взаимодействия микроскопических
элементов. Примерами самоорганизации паттернов на поверхности жидкостей могут быть: «ячейки Бенара», «рябь
Фарадея» и реакция Белоусова–Жаботинского [1-2].
Рассмотрение “пчелиных сот” и других твердотельных
нанообразований как паттернов в кристаллах явилось
целью данной работы.
В данной работе был проведен анализ твердотельных
консервативных диссипативных паттернов, наноструктурированных кристаллов AV2BV13 и выявлены подобные
объекты-паттерны методом атомно-силовой микроскопии
(АСМ) .На рис.1 показана шести-гранная форма
«пчелиных сот»; полученное нами АСМ-изображение
Sb2Te3 видетельстует о близости форм этих объектов. На
рис.2 представлено АСМ-изображение в 2-Д масштабе
поверхности (0001) Sb2Te3: наверху слева, а также справа
выделены наноформы, анологичные ячейкам Бенара; их
размеры колеблются в пределах 10-12нм. В середине во
ставке сверху выделены шестигранные (~50нм) сетки; они
имеют структуру близкие к графиту.
За кажущимся хаотическими образованиями обнаружен закономерный рост фрактальной формы самоорганизованных паттернов. Кроме приведенных структур можно
рассмотреть примеры паттернов в композитах и в много240
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
фазных эвтектических системах.
Рассмотренные диссипативные структуры типа ячеек
Бенара, «пчелиных сот» и наноструктурированные объекты в AV2B3VI сформированны при твердофазном взаимодействии самопроизвольно при консервативной самоорганзации и представляют собой особый класс стационарных автопаттернов.
Рис. 1. Паттерны из «пчелиных сот»
в межслоевом пространстве Sb2Te3
.
Рис. 2. АСМ-изображение в 2D-масштабе нанообъектов подобных
«пчелиным сотам» в Sb2Te3 в вставке сверху слева даны фрагменты
изображений ячеек Бенара; в середине наверху выделены 2Dизображения шестигранников; справа наверху выделены скопления
наноформирований ячейкек Бенара
241
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Список литературы
1. Трубецков Д.И., Мчедлова Е.С., Красичков Л.В. // Введение в
теорию самоорганизации открытых систем. М.: Физматлит, 2002,
с.121.
2. Храмов А.Е.//.Ж. Известия Вузов “ПНД”. Т.20, №1, 2012, с.49-66.
242
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
MÜNDƏRİCAT
Аскеров Б.М., Фигарова С.Р. Явления переноса в 3
низкоразмерных электронных системах
Пашаев А.М., Тагиев Б.Г., Ибрагимов Р.А., 4
Сафарзаде А.А. Механизм образования межслоевой
сколотой поверхности слоистых кристаллов типа
АIIIВVI
NƏZƏRİ FİZİKA VƏ ASTROFİZİKA BÖLMƏSİ
Baloğlanov Ə.Ş., Məhərrəmov Y.M., Xəlilov Ə.M.,
Həsənova Ə.R. HD161796 və HD224014 ifratnəhəng
ulduzlarının spektrlərində H xəttinin tədqiqi
Səmədov Z.A., Şabanova Z.F., Hümbətova X.Z.
Model üsulu ilə Günəşdə mikroturbulent hərəkət
sürətinin təyini
Səmədov Z.A., Qədirova. Ü.R., İsgəndərova R.E. HD
203574 (G5III) ulduzunun effektiv temperaturun və
ağırlıq qüvvəsinin təcilinin təyini
Абдулвагабова С.К., Ахмедов Р.А., Эфендиева
И.К. Редже-эйкональный метод для упругого адронядерного рассеяния
Абдулвагабова С.К., Бархалова Н.Ш., Байрамова
Т.О. Определение угла отклонения заряженной
частицы во время прохождения через неоднородную
ядерную среду
Tahirov M.M., Güləhmədova S.N. Ulduzların effektiv
temperaturunun və ağırlıq qüvvəsi təcilinin təyini
Кули-Заде Д.М., Шабанова З.Ф., Кадырова У.Р.
Определение спектрофотометрических характеристик линий разных химических элементов в
инфракрасной спектре Солнца
Ismayilova Ş.K., Mikayılov X.M. HD 199478 ifrat
243
7
9
10
12
13
14
15
17
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
nəhəng ulduzunun spektrində NaI dubletinin tədqiqi
Hüseynov Ş.Ş. Santimetrlik sakit və aktiv Günəş
radiofluktuasiyalarına fraktal tədqiqat üsulunun tətbiqinin
bəzi xüsusiyyətləri
Quluzadə C.M. Günəş spektrində spektral xətlərin
profillərinin incə quruluşu haqqında
Rəcəbov M.R., Verdiyeva T.İ. Mənbəsi elektronların
trayektoriyasından kənarda olan hal üçün Aaronov –
Bom effekti
Abdullayev S.Q., Məmmədova Ü.E. 𝜇 − 𝑁 ⟹ 𝜈𝜇 𝛬𝜊 x
prosesində 𝛬𝜊 - hiperonun polyarizasiyası
Баширова У.З., Абди Г.А. Наблюдательные загадки
GW Ориона
Алиев С.Г. Вращение звезд
Рустамов Д.Н., Абдулкеримова А.Ф. Переменность
межзвездных линий NaI 5890 и NaI 5896 в спектре
звезды типа WR, HD 192163
Allahverdiyev Ə.O., Novruzova H.İ. Magnetar
modelləri
Асваров А.И., Мамедханова Г.Б. Остатки
сверхновых в областях активного звездообразования
Bədəlov V.H. Dirak-Maksvel tənliklərinin şərti invariantlığı
Агамалиева Л.А., Байрамова Т.О., Ахмедова С.М.
Простой метод вычисления функции распространения в аксиальной калибровке
Abdullayev S.Q. Yarıinklüziv e  (e  )   e ( e ) h X
proseslərində asimmetriyalar
Джалилов Н.С. МГД-волны и неустойчивости
температурно-анизотропной
плазмы
солнечной
короны как источник ее нагрева
Ягубов М.А., Кулиев Г.Ф., Юсубов Ш.Ш.
Необходимые условия оптимальности для систем с
244
19
21
24
26
27
29
31
32
34
36
37
39
41
42
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
импульсными воздействиями при нелокальных
краевых условиях
Гасанов К.К., Гасанова Л.К., Танырвердиев Т.С.
Применение динамического программирования к
решению задачи оптимального управления для
линейного параболического уравнения
Алышева
К.И.,
Алили
А.Г.
Группировка
центральных звезд планетарных туманностей по
средней светимости и среднему радиусу
FİZİKİ ELEKTRONİKA BÖLMƏSİ
Абдинов А.Ш., Амирова С.И., Бабаева Р.Ф.,
Рагимова Н.А., Рзаев Р.М. Солнечные преобразователи на основе селенидов галлия и индия
Мурадов А. Х., Гусейнов Т.Х., Аллахвердиев Ш.А.
Импеданс спектроскопия слаботочного неонового
разряда в капиллярной трубке
Abdinov Ə.Ş., Məmmədov H.M., Səfərov V.H.,
Məmmədov V.U., Nəzərova S.Ü. p-GaAs/n-Cd1-xZnxS1ySey heterokeçidlərinin volt-farad xassələrinin tədqiqi
Əliyev İ.M., Əliyeva V.İ. GaSe<Sn> layli kristallarda
fotokeçiriciliyinin öyrənilməsi
Насруллаев Н.М., Гасанов Р. Ф., Ахмедова А.Р.
Адсорбция молекул бензола на поверхности иридия
Мехтиев Н.М., Салимова П.З. Анизотропия
оптических переходов в монокристаллах II-III2-VI4
Пашаев И.Г., Мехтиев Р.Ф.Влияние различных
44
45
47
49
53
55
57
59
61
обработок на свойства контакта кремний
Садраддинов С.А. Частотно-емкостные характе- 63
ристики МДМ–структуры на основе фталоцианина
меди
Давудов Б.Б. К физическим процессам нанесения 65
тонких пленок импульсным плазменным методом
Əsgərov Ş.Q., Paşayev İ.G. Silisum əsasında hazırlan- 67
245
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
mış Şottki diodlarının elektofiziki xassələrinə muxtəlif
metallik təbəqələrin mikrostrukturunun təsiri
Агалиева С.Т., Ахмедзаде Н.Д., Ширинов М.М.
Влияние температуры получения на фотолюминесценцию ZnSe
Алиева Н.А. Спектры комплексного импеданса в
кристаллах TlInSe2
Мехрабова М.А., Нуриев И.Р., Оруджев Г.С.,
Назаров А.М., Садыгов Р.М., Гусейнов Н.И.
Исследование электронной структуры тонких пленок
Cd1-xMnxTe
Оруджов А.К., Алиев И.М., Насруллауев Н.М.,
Исмаилова Р.Н, Дашдамиров А.О., Рагимов Р.Ш.
Получение толстослойного графитовой пленки на
поверхности рения
Əliyev L.P., Musayeva S.Z. Amplitud-tezlik xarakteristikasının (ATX) və osilloqramın analizinə görə mp3
formatda yazılmış audiosiqnallarda təkrar kodlaşdırılma
əlamətlərinin təyini
Həsənova L.H., Məhəmmədov Ə.Z., Cahangirova S.Ə.
Cu3 In5 S9
Şüalanmanın
monokristalında yapışma
prosesinə təsiri
Немов С.А., Джафаров М.Б., Благих Н.М.,
Шелимова Л.Е. Строение валентной зоны PbSb2Te4
по данным явлений переноса
Quliyev N.İ., Zeynalov Z.M., Rzayeva L.Ə. Bitkilərin
kök sisteminin temperaturunun yarpaq sisteminin bəzi
termodinamik parametrlərinə təsiri
Məmmədov N. C., Məmmədova E. İ., Musayev S.X.
CdInGaS4 əsasında hazırlanmış elektrofotoqrafik təbəqələrdə fotoelektret halı
Касумов И.И., Зейналов З.М., Рустамов В.Д.,
Мовсумова И.М. Стационарная фотопроводимость
монокристаллов p-TlIn0,99Ag0,01Se2.
246
69
70
71
75
78
82
84
86
89
90
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Əliyev S.İ., İsmayılov E.X., Məmmədov E.M. Nadir
torpaq elementi itterbium (Yb) ilə aşqarlanmış
Ga2(Se0,95Te0,05) kristallarının qalıq fotokeçiriciliyi
BƏRK CİSİMLƏR FİZİKASI BÖLMƏSİ
Mamedov B.A. Analytical evaluation of Askerov
functions arising from anisotropy of the thermoelectric
power in superlattices
Əsgərzadə İ.N. Fe əsaslı yeni sinif ifratkeçiriciəlrin
fiziki xassələri
Askerov I.M., Eser E. Accurate evaluation of the
specific heat capacity of solids and its application to
MgO and ZnO crystals
Haşimzadə F.M., Hüseynova D.Ə., Cahangirli Z.A.,
Mehdiyev B.H. GeSe kristalında səth fononlarının təməl
prinsiplərdən hesablanması
Агаева Р.Г. Новый метод расчета термомагнитного тока
Paşayev А.M., Aqayeva S.X., Əliyeva M.X., Yoğurtçu
Y.K. Спектры фотолюминесценции слоистых
кристаллов TlGaxIn1-xSe2
Рагимов С.С., Бабаева А.Э. Термоэлектрические
свойства Ag19Sb29Te52 +0.3 ат.3% CdCl2
Рагимов
С.С.
Исследование
термоЭДС
в
сверхпроводящем Bi2Sr2CaCu2O8+x
Ismayılov T.H., Şərifov R.R. Invers zonalı yarımkeçirci
əsaslı silindrik kvant məftilində ikifotonlu udulma
Гасымова Р.К. Излучения проводящих сред в
магнитном поле
Аскеров Б.М., Фигарова С.Р., Гусейнов Г.И.
Поперечное магнитосопротивление в сверхрешетках
при рассеянии на ионах примеси
Əsgərov B.M., Mahmudov M.M. Güclü maqnit
sahəsində ölçüyə görə kvantlanmış təbəqədə RiqiLedyuk effekti
247
92
94
94
95
96
98
101
102
103
104
106
107
108
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Mustafayev N.B. Bismut nanoborularının elektron
spektri
Babayev M.M.Yarımkeçirici kvant çuxurunda qızmış
elektronların termoelektrik hərəkət qüvvəsi
Гусейнов Г.И. Эффект Нернста-Эттингсгаузена в
квазидвумерных электронных системах
Pənahov M.M., Məmmədova V.C. Cd1-xZnxO nazik
təbəqələrinin alınması və bəzi fiziki xassələrinin tədqiqi
Гадирова И.Р. Внутризонное поглощение света в
параболической квантовой яме в магнитном поле
Pənahov T.M. Yüksək maqnit nüfuzluqlu ərintilərin
alınması
Həsənov X.A., Hüseynov C.İ., Dadaşova V.V. Parabolik potensiallı kvant məftilində diffuziya termoelektrik
hərəkət qüvvəsi
Зарбалиев М.М., Агаева У.М., Гахраманов Н.Ф. О
влиянии структурных дефектов на теплопроводность
монокристаллов в твердых растворах TlIn 1 x Ndx Te 2
Ağamalıyev Ə.Q., Abaszadə S.A. Elastiklik nəzəriyyəsi
tənliyinin invariantlıq qrup operatorları üçün Killinqin
invariant kvadratik formasının hesablanması
Kərimova E.M., Mustafayeva S.N., Cabbarov A.İ.,
Həsənov N.Z., Kərimov R.N. TlGdS2 kristalının elektrik
və istilik xassələri
YARIMKEÇİRİCİLƏR FİZİKASI BÖLMƏSİ
Кязым-заде А.Г., Салманов В.М., Салманова А.А.
Кристаллы GaSe и InSe в оптоэлектронике
Годжаев Э.М., Абдурахманова У.С., Алиева П.Ф.
Расчет зонной структуры и оптических функций
тройных соединений InGaSe2 , InGaTe2
Ахмедова Х.Р., Годжаев Э.М. Диэлектрические
свойства композиций с полупроводниковой и
нанодобавкой
248
109
111
113
114
116
117
119
123
127
128
130
135
137
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Алыев Ю.И., Асадов Ю.Г., Ганизаде Г.Ф.
Полиморфные превращения и коэффициенты
теплового расширения в кристалле AgCuS
Nəsirov V.İ., Rzayeva A.G., Hüseynov Q.H.
Cu1.95 Ni0, 05 S kristallarında quruluş faza çevrilmələri
Алиев В.А., Гусейнов Г.И., Исмаилова П.Г.
Процесс старения ПП кристаллов AIIIBIIICVI2
Керимли С.Дж., Рамазанов М.А., Садыхов Р.З.
Сравнение теоретических расчетов с экспериментальными результатами магнитной проницаемости
полимерных магнитных композиций
Nəsirov V.İ., Bayramov R.B., Həziyeva A.F.
K0,985Rb0,015NO3 kristallarında polimorf çevrilmələrin
rentgenoqrafik tədqiqi
Гаджиев Х.Ф.Создание солнечных элементов на
основе а-SiС/а-Si
Murquzov M.İ., Hüseynov C.İ., Məmmədova R.F.,
Mövsümlü N.T. GdSnSe2 birləşməsində termo-e.h.q.-nin
dəyişməsinə maqnit sahəsinin təsiri
Murquzov M.I., Məmmədova G.E.,Həsənova M.Ə.
Ce-la aşqarlanmış Dy2SnSe4 birləşməsində məxsusi
defektlərin istilik müqavimətinin dəyişməsindəki rolu
Hüseynov C.İ., Abdullayeva Ş.Y., Cəfərov T.A.
Dy2SnSe4 birləşməsinin kristallik quruluşu və
elektrofiziki xassələri
Quliyeva L.Ə., İsmayılov İ.Ş. Sn1-x Gdx Se Sistem
ərintilərinin istilik keçiriciliyi
Sərdarov Ş.T., Nəbiyev A.Ə., Nəsibli A.C., Qurbanov
A.M., Aydınova T.M. Ndx Sn1-x Te (x=0,01, 0,005,
0,003) kristallarının elektrofiziki xassələri
Həsənov O.M., Dünyamalıyeva İ.F. PbTe-YbTe
əsasında alınmış termoelektrik materiallarda termo
e.h.q.si və istilikkeçirmə
249
138
140
142
144
146
149
151
153
155
157
158
160
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Əhmədova K.Z., Adgözəlova X.A. Sn1 x Gd x S  x  0,01;0.02
monokristallarında istilik xassələri
Məmmədov.İ.M., Ələkbərov A.S. Sn0,99Pr0,01Те
kristalının alınması və diferensial termik analizi
Алекперов
Э.Ш.,
Гараев
Э.С.
Влияние
электрического поля на формирование твердых
растворов TlGa1-xGexTe2
Аскеров Д.Дж., Абдинова С.Г, Агаев А.М.
Барьерные структуры на основе GaSe-CuInSe2
Məmmədov R.Q., Yeganeh M.A., Sultanov R.C.,
Məhərrəmova S.F. Şottki diodlarının ideallıq əmsalına
əlavə elektrik sahəsinin təsiri
Cabbarov C.H., Məhərrəmov E.M., Səfərov V.H.,
Rəhimov R.Ş. p-n keçidlərin Volt-Amper xarakteristikalarına deformasiyanın təsiri
Джафарли Р.С. Фотоэлектрические свойства солнечных преобразователей CuInSe2/ Cd1-хZnxS
İsayeva G.A., Ələkbərov R.İ., Mehdiyeva S.İ., İsayev
A.İ. Samariumla aşqarlanmış şüşəvari halkogenid
yarımkeçirici As-Se-S və As-Se-Te sistemlərində aşağı
tezlikli kombinasiyalı səpilmə spektrlərinin xüsusiyyətləri
MOLEKULYAR FİZİKA BÖLMƏSİ
Масимов Э.А., Атогой А.C. Вода и живой организм
Эйвазов Э.А., Дашдамирова Н.Д. Температурная
зависимость динамической вязкости жидкостей
Eyvazov E.Ə., Daşdəmirova N.D. Aromatik
karbohidrogenlərdədinamik özlülüyün təbiəti
Niftiyev N.N., Bağırova Z.M., Hidiyev X.A. Mayelərin
səthi gərilməsinə fenomenoloji baxış
Qurbanov S.S., Bağırova Z.M., Hidiyev X.A. Maye
qələvi metalların səthi gərilməsi və səthyaranma istiliyi
Aslanov H.A, Quliyeva K.F. Heptilformiatın sıxlığının
təcrübi nəticələrinə əsasən hal tənliyinin tərtibi
250
163
165
166
168
170
172
173
177
179
181
182
184
187
188
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Багиров Р.М., Багирова О.Ш., Турабова Г.А.
Изучение взаимодействия ионов железа с грибными
меланинами
Прудько В.В., Мусаева С.М., Ахмедова С.М.,
Насирова Б.Д. Надмолекулярная структура в
системе агар-вода
Məmmədov M.Ş.,Məsimova A.B. Müxtəlif əlavələrin
aqar gelinin geləmələgəlmə prosesinə təsiri
Гаджиев З.И., Демухамедова С.Д., Алиева И.Н.,
Годжаев Н.М. Аb initio расчет структуры и ИК
спектров олигомеров PEG4+Сl и PEC5+Сl
Akverdieva G.A. Theoretical study of peptide T
Məsimov E.Ə., Ocaqverdiyeva S.Y., Həsənova X.T.,
Əyyubova G.Ş., Şirinova H.A., Əhmədov N.F.,
Bağırov T.O. Polietilenqlikol-limon turşusunun na duzusu ikifazali sisteminin fiziki-kimyəvi xassələri
Məsimov E.Ə, Rəsulova F.A. Polietilenqlikolun sulu
məhlullarinda makromolekullarin xarakterik xassələrinin
refraktometrik tədqiqi
Məsimov E.Ə., Həsənov H.Ş., Paşayev B.G.,
Baxşıyeva N.M. MgSO4 duzunun suyun strukturuna
təsiri
Məsimov E.Ə., Hacıyeva A.E., Həsənov A.Ə.,
Əhmədov N.F., Bağırov T.O. Polivinilpirrolidon-uzvi
turşuların na duzu-su ikifazalı sistemləri və onların hal
diaqramları
Məsimov E.Ə., Paşayev B.G., Həsənov H.Ş.,
Musayeva S.İ. LiOH, NaOH və KOH-ın sulu
məhlullarinin özlü axininin aktivləşmə parametrləri
Алиев Р.Э. Конформационные возможности гексапептидных фрагментов молекулы бактенецина
Məsimov N.M., Musayeva G.Ə. Atom nüvə
enerjisindən istifadənin ekoloji əhəmiyyəti
NANOTEXNOLOGİYALAR BÖLMƏSİ
251
189
191
192
193
195
197
199
201
203
205
207
208
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
Вагабова М.Р., Мираламова Ф.В. Расчет
одноэлектронных волновых функций и уровней
энергии молекулы 1,2-7,8 дибензантрацена
Годжаев Э.М., Алиева
Ш.В. АбасовА.А.
Фрактальная поверхность чешуи рыб
Абдуллаев Х.Ш., Мамедов М.Ш., Ибрагимов Н.А.
Оценка нейтронных сечений железа
Abbasova G.C., Hənifəyeva N.Ə. Elastik modulun
periodik dəyişməsi halında relaksasiya
Abbasova G.C., Əliyeva İ.N., Ramazanov M.Ə.,
Ömərova Ə.İ. T7 peptidinin dəmir oksidi (Fe3O4) ilə
kompleksinin elektron quruluşu
Абдуллаев Ф.Г. Обобщенное уравнение упругости
паров ряда моноалкилбензолов
Ramazanov M.Ə., Paşayev F.H., Həsənov A.Q., Ali
Tavfik Mahmood Nanohissəciklərin ölçülərinin təyini
üsulları
Алиев М.И., Гаджиева Н.Н., Рашидова Ш.Ш.,
Рзаева С.М. Фурье-ИК спектры поглощения композитов полиэтилен высокой плотности с полупровод
никовым наполнителем InP
Əhmədov I.S, Şahbazova F.A. Nanohissəciklərin bitki
hüceyrələrinin səthində toplanması nəticəsində baş verən
fizioloji dəyişikliklər
Əhmədov I.S, Ramazanlı V.N. Bitki homogenatlarında
və göbələklərdə sintez olunan gümüş nanohissəciklərinin
bitki hüceyrələrinin səth membranı ilə qarşılıqlı təsir
mexanizminin tədqiqi
Велиева
Л.И.,
Алиев
Э.З.
Компьютерное
моделирование нейрпептидов семейства аллатостатинов
Ramazanov M.Ə., İmaməliyev A.R., Hümbətov Ş.Ə.
Maye kristallarda elektrooptik effektlər
Усейнова С.М. Статическая диэлектрическая
252
211
212
214
216
218
220
222
225
228
229
230
231
233
Akademik B.M.Əsgərov-80 “Fizikanın aktual problemləri” IX Respublika Elmi konfransı
проницаемость циклопентанола в низкочастотном
диапазоне
Усейнова С.М. Равновесные диэлектрические
свойства циклопентанола
Ramazanov M.Ə., Hacıyeva F.V., Rəhmətova C.R.
Polipropilen və dəmir nanohissəcikləri əsasındakı nanokompozitlərin maqnit-qüvvə mikroskopiyası (MQM) ilə
tədqiqi
Nəbiyev N.S., Mirzəağayev R.Ş. Karbon nanoboruların
elektron quruluşunun xirialliğından asılılığının tədqiqi
Ramazanov M.Ə., Əliyeva S.Q. Ag2S nanohissəciklərinin polimer matrisdə sintezi və lüminessensiya
xassələri
Рамазанов М.А., Алескеров Ф.К., Кахраманов
К.Ш.,
Набиева
С.А.,
Мамедов
М.М.
Самоорганизация паттернов в термоэлектрических
системах
253
235
238
240
242